JP4830674B2 - サージ吸収素子 - Google Patents
サージ吸収素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4830674B2 JP4830674B2 JP2006182232A JP2006182232A JP4830674B2 JP 4830674 B2 JP4830674 B2 JP 4830674B2 JP 2006182232 A JP2006182232 A JP 2006182232A JP 2006182232 A JP2006182232 A JP 2006182232A JP 4830674 B2 JP4830674 B2 JP 4830674B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inner conductor
- electrode
- terminal electrode
- inductor
- internal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 title claims description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 186
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 29
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 22
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 14
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 11
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 10
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 9
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 156
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 17
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 7
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001642 boronic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 150000003891 oxalate salts Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
まず、図1及び図2に基づいて、第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1の構成を説明する。図1は、第1実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。図2は、第1実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。
上記(2)式及び(3)式からも分かるように、内部導体11,13間の結合係数Kzを任意に選べるため、柔軟性の高い回路設計が可能となる。
ただし、KzLz≧Leである。このように設計すると、サージ吸収素子SA1に浮遊容量成分73と浮遊インダクタンス成分75が含まれていても、入力インピーダンスZinを特性インピーダンスZoに整合させることができる。
次に、図7及び図8に基づいて、第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2の構成を説明する。図7は、第2実施形態に係るサージ吸収素子を示す概略斜視図である。図8は、第2実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2は、第1の端子電極3、第2の端子電極5、第3の端子電極7、第1の内部導体11、第2の内部導体13、第1の内部電極21、第2の内部電極23、及び外部導体9の数に関して第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1と相違する。
次に、図10に基づいて、第3実施形態に係るサージ吸収素子の構成を説明する。図10は、第3実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第3実施形態に係るサージ吸収素子は、キャパシタ部40の構成に関して第1実施形態に係るサージ吸収素子SA1と相違する。
次に、図11に基づいて、第4実施形態に係るサージ吸収素子の構成を説明する。図11は、第4実施形態に係るサージ吸収素子に含まれる素体の構成を説明するための分解斜視図である。第4実施形態に係るサージ吸収素子は、インダクタ部10及びサージ吸収部20の構成に関して第2実施形態に係るサージ吸収素子SA2と相違する。
Claims (10)
- サージ吸収素子であって、
第1の端子電極、第2の端子電極、及び第3の端子電極と、
相互に極性反転結合される第1の内部導体及び第2の内部導体を有しており、前記第1の内部導体の一端が前記第1の端子電極に接続され、前記第2の内部導体の一端が前記第2の端子電極に接続され、前記第1の内部導体の他端と前記第2の内部導体の他端とが接続されたインダクタ部と、
前記第1の内部導体と前記第2の内部導体との接続点に接続された第1の内部電極と、前記第3の端子電極に接続された第2の内部電極と、を有するサージ吸収部と、
前記第1の端子電極と前記第2の端子電極との間に接続された容量成分を有するキャパシタ部と、を備え、
前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体の誘導係数は、該サージ吸収素子の入力インピーダンスが特性インピーダンスに整合されるように設定されていることを特徴とするサージ吸収素子。 - 前記キャパシタ部が有する容量成分は、前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記キャパシタ部は、前記第1の端子電極に接続された第3の内部電極と、前記第2の端子電極に接続された第4の内部電極と、を有しており、
前記キャパシタ部が有する容量成分は、前記第3の内部電極と前記第4の内部電極とにより形成されることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記インダクタ部は、前記第1の内部導体が形成されたインダクタ層と前記第2の内部導体が形成されたインダクタ層とが積層されることにより構成され、
前記サージ吸収部は、前記第1の内部電極が形成されたバリスタ層と前記第2の内部電極が形成されたバリスタ層とが積層されることにより構成され、
前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とは、前記インダクタ層の積層方向から見て相互に重なり合う領域を含み、
前記第1の内部電極と前記第2の内部電極とは、前記バリスタ層の積層方向から見て相互に重なり合う領域を含んでいることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記各バリスタ層は、ZnOを主成分とし、添加物として、希土類及びBiからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素、Coを含有しており、
前記各インダクタ層は、ZnOを主成分とし、Coを実質的に含有していない、ことを特徴とする請求項4に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極、前記第2の端子電極、及び前記第3の端子電極は、前記インダクタ部、前記サージ吸収部、及び前記キャパシタ部を含む素体の外表面に形成されており、
前記第1の内部導体の他端、前記第2の内部導体の他端、及び第1の内部電極は、前記素体の外表面に形成された外部導体を通して接続されていることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極が、入力端子電極であり、
前記第2の端子電極が、出力端子電極であり、
前記第1の内部導体と前記第2の内部導体とが、正結合していることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。 - 前記第1の端子電極、前記第2の端子電極、前記第3の端子電極、前記第1の内部導体、前記第2の内部導体、前記第1の内部電極、及び前記第2の内部電極をそれぞれ複数有することを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記第1の内部導体及び前記第2の内部導体の各誘導係数Lz、前記第1の内部導体と前記第2の内部導体との間の結合係数Kz、前記サージ吸収部の浮遊容量成分の容量Cz、及び特性インピーダンスZ 0 が、Lz=Z 0 2 Cz/2(1+Kz)を満たしていることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
- 前記キャパシタ部が有する容量成分の容量Cs、前記第1の内部導体と前記第2の内部導体との間の結合係数Kz、及び前記サージ吸収部の浮遊容量成分の容量Czが、Cs=(1−Kz)Cz/4(1+Kz)を満たしていることを特徴とする請求項1に記載のサージ吸収素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006182232A JP4830674B2 (ja) | 2005-07-04 | 2006-06-30 | サージ吸収素子 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005195482 | 2005-07-04 | ||
JP2005195482 | 2005-07-04 | ||
JP2005373076 | 2005-12-26 | ||
JP2005373076 | 2005-12-26 | ||
JP2006182232A JP4830674B2 (ja) | 2005-07-04 | 2006-06-30 | サージ吸収素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007202380A JP2007202380A (ja) | 2007-08-09 |
JP4830674B2 true JP4830674B2 (ja) | 2011-12-07 |
Family
ID=38456385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006182232A Active JP4830674B2 (ja) | 2005-07-04 | 2006-06-30 | サージ吸収素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4830674B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009266980A (ja) * | 2008-04-24 | 2009-11-12 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ及び積層コンデンサの実装構造 |
JP4723005B2 (ja) * | 2008-09-30 | 2011-07-13 | Tdk株式会社 | 複合電子部品 |
WO2016170708A1 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-10-27 | 株式会社村田製作所 | 回路基板およびこれを用いたフィルタ回路 |
WO2020250275A1 (ja) * | 2019-06-10 | 2020-12-17 | 三菱電機株式会社 | ノイズフィルタ回路 |
WO2023021994A1 (ja) * | 2021-08-19 | 2023-02-23 | 株式会社村田製作所 | 過渡電圧吸収素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829699B2 (ja) * | 1978-10-27 | 1983-06-24 | 松下電器産業株式会社 | サ−ジ吸収回路 |
JPS58173924A (ja) * | 1982-04-05 | 1983-10-12 | Hashimoto Corp | 不在中の電話線によるペ−ジング方式 |
JPS59129565A (ja) * | 1983-01-14 | 1984-07-25 | Matsushita Electric Works Ltd | サ−ジ電圧吸収回路 |
JPH03140006A (ja) * | 1989-10-26 | 1991-06-14 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズ対策用電子部品 |
JPH03151605A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-06-27 | Murata Mfg Co Ltd | ノイズ対策用ネットワーク電子部品 |
JPH0745477A (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-14 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品およびその製造方法 |
JP2716022B2 (ja) * | 1995-10-26 | 1998-02-18 | 株式会社村田製作所 | 複合積層電子部品 |
JP2003168944A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-13 | Nec Corp | イコライザ回路 |
JP3900104B2 (ja) * | 2003-04-10 | 2007-04-04 | 松下電器産業株式会社 | 静電気対策部品 |
-
2006
- 2006-06-30 JP JP2006182232A patent/JP4830674B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007202380A (ja) | 2007-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4715371B2 (ja) | サージ吸収素子及びサージ吸収回路 | |
KR100799475B1 (ko) | 서지 흡수 소자 | |
JP4246716B2 (ja) | 積層型フィルタ | |
JP5267583B2 (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
KR101659151B1 (ko) | 적층 세라믹 커패시터 및 그 실장 기판 | |
JP4626605B2 (ja) | 積層コンデンサ | |
KR102084737B1 (ko) | 복합 소자의 제조 방법, 이에 의해 제조된 복합 소자 및 이를 구비하는 전자기기 | |
JP4830674B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
US7400485B2 (en) | Surge absorber | |
JP4591530B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
JP2005260137A (ja) | 静電気対策部品 | |
JP2020506554A (ja) | 集積コンデンサフィルタおよびバリスタ機能を有する集積コンデンサフィルタ | |
JP2007214509A (ja) | 積層型電子部品 | |
JP2005203479A (ja) | 静電気対策部品 | |
JP4839762B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
JP4343889B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
JP5014856B2 (ja) | 積層型フィルタ | |
JP2006066848A (ja) | 複合コモンモードチョークコイル | |
JP4470864B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
JP4302683B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
JP4706694B2 (ja) | サージ吸収素子 | |
KR20210146321A (ko) | 저 인덕턴스 컴포넌트 | |
KR20080094609A (ko) | 적층형 필터 | |
JP4252950B2 (ja) | 積層型フィルタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101101 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110823 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110905 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4830674 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140930 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |