JP2000091868A - バリスタ機能付ノイズフィルタ - Google Patents
バリスタ機能付ノイズフィルタInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 サージ除去機能および高周波ノイズ除去機能
の両方の機能を兼ね備えたバリスタ機能付ノイズフィル
タを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体磁器材料と磁性体磁器材料との混
合磁器材料と導電性ペーストとにより形成された、５つ
のキャパシタ４１，４２，４３，４４，４５と４つのイ
ンダクタ５１，５２，５３，５４とを有するフィルタ回
路６０を備えた第１の基部と、バリスタ特性を有する誘
電体磁器材料と導電性ペーストとにより形成された、２
つのキャパシタ４１，４５を有しフィルタ回路６０に対
し直列に接続されたバリスタ回路７０ａ，７０ｂを備え
た、上記第１の基部に積層された第２の基部とを具備し
たバリスタ機能付ノイズフィルタ２００。
の両方の機能を兼ね備えたバリスタ機能付ノイズフィル
タを提供することを目的とする。 【解決手段】 誘電体磁器材料と磁性体磁器材料との混
合磁器材料と導電性ペーストとにより形成された、５つ
のキャパシタ４１，４２，４３，４４，４５と４つのイ
ンダクタ５１，５２，５３，５４とを有するフィルタ回
路６０を備えた第１の基部と、バリスタ特性を有する誘
電体磁器材料と導電性ペーストとにより形成された、２
つのキャパシタ４１，４５を有しフィルタ回路６０に対
し直列に接続されたバリスタ回路７０ａ，７０ｂを備え
た、上記第１の基部に積層された第２の基部とを具備し
たバリスタ機能付ノイズフィルタ２００。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁器材料と導電性
ペーストとにより形成されたバリスタ機能付ノイズフィ
ルタに関する。
ペーストとにより形成されたバリスタ機能付ノイズフィ
ルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンピュータなどのデジタル機器
において、入力信号に、異常電圧（サージ）や高周波ノ
イズが混入すると誤動作を生じるので、誤動作防止用
に、サージや高周波ノイズを除去するための対策部品が
多用されている。そのうち、サージに対してはバリスタ
材料や放電素子を主体とした対策部品が、また、高周波
ノイズに対してはコンデンサ素子やインダクタ素子を主
体とした対策部品が広く用いられている。
において、入力信号に、異常電圧（サージ）や高周波ノ
イズが混入すると誤動作を生じるので、誤動作防止用
に、サージや高周波ノイズを除去するための対策部品が
多用されている。そのうち、サージに対してはバリスタ
材料や放電素子を主体とした対策部品が、また、高周波
ノイズに対してはコンデンサ素子やインダクタ素子を主
体とした対策部品が広く用いられている。
【０００３】これらの対策部品の使用方法としては、１
回路毎にサージ除去機能を有する対策部品および高周波
ノイズ除去機能を有する対策部品をそれぞれ１個用いる
ことにより、サージ対策および高周波ノイズ対策を個別
に施す方法が採用されている。
回路毎にサージ除去機能を有する対策部品および高周波
ノイズ除去機能を有する対策部品をそれぞれ１個用いる
ことにより、サージ対策および高周波ノイズ対策を個別
に施す方法が採用されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法で
は、１回路毎に、サージ対策用およびノイズ対策用とし
てそれぞれ１個ずつの対策部品を基板に実装しなければ
ならないため、基板の実装密度が低下するという問題が
ある。
は、１回路毎に、サージ対策用およびノイズ対策用とし
てそれぞれ１個ずつの対策部品を基板に実装しなければ
ならないため、基板の実装密度が低下するという問題が
ある。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑み、サージ除去
機能および高周波ノイズ除去機能の両方の機能を兼ね備
えたバリスタ機能付ノイズフィルタを提供することを目
的とする。
機能および高周波ノイズ除去機能の両方の機能を兼ね備
えたバリスタ機能付ノイズフィルタを提供することを目
的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成する本
発明のバリスタ機能付ノイズフィルタは、誘電体磁器材
料と磁性体磁器材料との混合磁器材料と導電性ペースト
とにより形成された、少なくとも１つのキャパシタと少
なくとも１つのインダクタとを有するフィルタ回路を備
えた第１の基部と、バリスタ特性を有する誘電体磁器材
料と導電性ペーストとにより形成された、少なくとも１
つのキャパシタを有し上記フィルタ回路に対し直列に接
続されたバリスタ回路を備えた、前記第１の基部に積層
された第２の基部とを具備することを特徴とする。
発明のバリスタ機能付ノイズフィルタは、誘電体磁器材
料と磁性体磁器材料との混合磁器材料と導電性ペースト
とにより形成された、少なくとも１つのキャパシタと少
なくとも１つのインダクタとを有するフィルタ回路を備
えた第１の基部と、バリスタ特性を有する誘電体磁器材
料と導電性ペーストとにより形成された、少なくとも１
つのキャパシタを有し上記フィルタ回路に対し直列に接
続されたバリスタ回路を備えた、前記第１の基部に積層
された第２の基部とを具備することを特徴とする。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【０００８】図１は、本発明のバリスタ機能付ノイズフ
ィルタの第１の実施形態における積層体の内部構造を示
す斜視図であり、図２は、本発明のバリスタ機能付ノイ
ズフィルタの第１の実施形態の等価回路図である。
ィルタの第１の実施形態における積層体の内部構造を示
す斜視図であり、図２は、本発明のバリスタ機能付ノイ
ズフィルタの第１の実施形態の等価回路図である。
【０００９】図１に示すように、このバリスタ機能付ノ
イズフィルタを構成している積層体１００は、４つの層
１１，１２，１３，１４が積層されてなる第１の基部１
０と、２つの層１５，１６が積層されてなる第２の基部
２０とからなる。第１の基部１０を構成する４つの層１
１，１２，１３，１４は、誘電体磁器材料と磁性体磁器
材料との混合磁器材料と導電性ペーストとにより形成さ
れており、第２の基部２０を構成する層１５，１６は、
バリスタ特性を有する誘電体磁器材料と導電性ペースト
とにより形成されている。
イズフィルタを構成している積層体１００は、４つの層
１１，１２，１３，１４が積層されてなる第１の基部１
０と、２つの層１５，１６が積層されてなる第２の基部
２０とからなる。第１の基部１０を構成する４つの層１
１，１２，１３，１４は、誘電体磁器材料と磁性体磁器
材料との混合磁器材料と導電性ペーストとにより形成さ
れており、第２の基部２０を構成する層１５，１６は、
バリスタ特性を有する誘電体磁器材料と導電性ペースト
とにより形成されている。
【００１０】第１の基部１０の層１１，１２，１３，１
４上には、導電性ペーストにより形成された複数の導体
膜よりなる、少なくとも１つのキャパシタおよび少なく
とも１つのインダクタが形成されている。すなわち、本
実施形態においては、層１１には導体膜３１＿１，３１
＿２，３１＿３が形成され、層１２には導体膜３２＿
１，３２＿３が形成され、層１３には導体膜３３＿１，
３３＿２，３３＿３が形成され、層１４には導体膜３４
＿１が形成されている。
４上には、導電性ペーストにより形成された複数の導体
膜よりなる、少なくとも１つのキャパシタおよび少なく
とも１つのインダクタが形成されている。すなわち、本
実施形態においては、層１１には導体膜３１＿１，３１
＿２，３１＿３が形成され、層１２には導体膜３２＿
１，３２＿３が形成され、層１３には導体膜３３＿１，
３３＿２，３３＿３が形成され、層１４には導体膜３４
＿１が形成されている。
【００１１】その結果、第１の基部１０には、図１およ
び図２に示すように、導体膜３２＿１の一部分３２＿１
ａと導体膜３１＿２との間、および導体膜３２＿１の一
部分３２＿１ａと導体膜３３＿２との間にキャパシタ４
２が形成され、導体膜３３＿２と導体膜３４＿１の中央
の一部分３４＿１ａとの間にキャパシタ４３が形成さ
れ、導体膜３２＿３の一部分３２＿３ａと導体膜３３＿
２との間、および導体膜３２＿３の一部分３２＿３ａと
導体膜３１＿２との間にキャパシタ４４が形成される。
び図２に示すように、導体膜３２＿１の一部分３２＿１
ａと導体膜３１＿２との間、および導体膜３２＿１の一
部分３２＿１ａと導体膜３３＿２との間にキャパシタ４
２が形成され、導体膜３３＿２と導体膜３４＿１の中央
の一部分３４＿１ａとの間にキャパシタ４３が形成さ
れ、導体膜３２＿３の一部分３２＿３ａと導体膜３３＿
２との間、および導体膜３２＿３の一部分３２＿３ａと
導体膜３１＿２との間にキャパシタ４４が形成される。
【００１２】図１に示すように、層１１の導体膜３１＿
１は、層１２に形成されたスルーホール８１＿１との間
に形成された柱状の導体８２＿１を介して導体膜３２＿
１と電気的に接続され、さらに、層１２の導体膜３２＿
１は、層１３に形成されたスルーホール８１＿２との間
に形成された柱状の導体８２＿２を介して導体膜３３＿
１と電気的に接続され、さらに、層１３の導体膜３３＿
１は、層１４に形成されたスルーホール８１＿３との間
に形成された柱状の導体８２＿３を介して導体膜３４＿
１と電気的に接続されている。
１は、層１２に形成されたスルーホール８１＿１との間
に形成された柱状の導体８２＿１を介して導体膜３２＿
１と電気的に接続され、さらに、層１２の導体膜３２＿
１は、層１３に形成されたスルーホール８１＿２との間
に形成された柱状の導体８２＿２を介して導体膜３３＿
１と電気的に接続され、さらに、層１３の導体膜３３＿
１は、層１４に形成されたスルーホール８１＿３との間
に形成された柱状の導体８２＿３を介して導体膜３４＿
１と電気的に接続されている。
【００１３】また、層１１の導体膜３１＿３は、層１２
に形成されたスルーホール８１＿４との間に形成された
柱状の導体８２＿４を介して導体膜３２＿３と電気的に
接続され、さらに、層１２の導体膜３２＿３は、層１３
に形成されたスルーホール８１＿５との間に形成された
柱状の導体８２＿５を介して導体膜３３＿３と電気的に
接続され、さらに、層１３の導体膜３３＿３は、層１４
に形成されたスルーホール８１＿６との間に形成された
柱状の導体８２＿６を介して導体膜３４＿３と電気的に
接続されている。
に形成されたスルーホール８１＿４との間に形成された
柱状の導体８２＿４を介して導体膜３２＿３と電気的に
接続され、さらに、層１２の導体膜３２＿３は、層１３
に形成されたスルーホール８１＿５との間に形成された
柱状の導体８２＿５を介して導体膜３３＿３と電気的に
接続され、さらに、層１３の導体膜３３＿３は、層１４
に形成されたスルーホール８１＿６との間に形成された
柱状の導体８２＿６を介して導体膜３４＿３と電気的に
接続されている。
【００１４】その結果、図１および図２に示すように、
導体膜３１＿１，３２＿１，３３＿１，３４＿１により
第１のインダクタ５１および第２のインダクタ５２が、
導体膜３１＿１を始点として下方から上方に向かって反
時計廻りの螺旋を描いて形成されており、同様に、導体
膜３４＿１，３３＿１，３２＿１，３１＿１により、第
３のインダクタ５３および第４のインダクタ５４が、導
体膜３４＿１を始点として上方から下方に向かって時計
廻りの螺旋を描いて形成されている。なお、第２のイン
ダクタ５２と第３のインダクタ５３とは、導体膜３４＿
１を共有しているため、この両者は電気的に直列に接続
されている。
導体膜３１＿１，３２＿１，３３＿１，３４＿１により
第１のインダクタ５１および第２のインダクタ５２が、
導体膜３１＿１を始点として下方から上方に向かって反
時計廻りの螺旋を描いて形成されており、同様に、導体
膜３４＿１，３３＿１，３２＿１，３１＿１により、第
３のインダクタ５３および第４のインダクタ５４が、導
体膜３４＿１を始点として上方から下方に向かって時計
廻りの螺旋を描いて形成されている。なお、第２のイン
ダクタ５２と第３のインダクタ５３とは、導体膜３４＿
１を共有しているため、この両者は電気的に直列に接続
されている。
【００１５】第２の基部２０は、図１に示すように、第
１の基部１０上に積層された層１５の上に、導電性ペー
ストにより２つの導体膜７１，７２が形成されており、
またその上に積層された層１６の上には、導電性ペース
トにより導体膜７３が形成されている。これらの３つの
導体膜７１，７２，７３は電気的には互いに絶縁されて
おり、導電膜７１と導電膜７３との間、および導電膜７
２と導電膜７３との間には、それぞれ、バリスタ回路７
０ａ，７０ｂが形成されるとともに、等価回路上、導電
膜７１と導電膜７３との間、および導電膜７２と導電膜
７３との間にそれぞれキャパシタ４１，４５（図２参
照）が形成される。
１の基部１０上に積層された層１５の上に、導電性ペー
ストにより２つの導体膜７１，７２が形成されており、
またその上に積層された層１６の上には、導電性ペース
トにより導体膜７３が形成されている。これらの３つの
導体膜７１，７２，７３は電気的には互いに絶縁されて
おり、導電膜７１と導電膜７３との間、および導電膜７
２と導電膜７３との間には、それぞれ、バリスタ回路７
０ａ，７０ｂが形成されるとともに、等価回路上、導電
膜７１と導電膜７３との間、および導電膜７２と導電膜
７３との間にそれぞれキャパシタ４１，４５（図２参
照）が形成される。
【００１６】こうして、図２の等価回路図に示すよう
に、第１の基部１０には、５つのキャパシタ４１，４
２，４３，４４，４５および４つのインダクタ５１，５
２，５３，５４により、フィルタ回路６０が形成される
とともに、第２の基部２０には、２つのキャパシタ４
１，４５、および２つのバリスタ回路７０ａ，７０ｂが
形成される。
に、第１の基部１０には、５つのキャパシタ４１，４
２，４３，４４，４５および４つのインダクタ５１，５
２，５３，５４により、フィルタ回路６０が形成される
とともに、第２の基部２０には、２つのキャパシタ４
１，４５、および２つのバリスタ回路７０ａ，７０ｂが
形成される。
【００１７】図３は、図２に示したバリスタ機能付ノイ
ズフィルタの外観図である。
ズフィルタの外観図である。
【００１８】図３に示すように、このバリスタ機能付ノ
イズフィルタ２００表面の両端面１００ａ，１００ｂに
は端子電極９０ａ，９０ｂが形成されており、また、端
子電極の形成されていない両側面１００ｃ，１００ｄに
はアース電極９０ｃ，９０ｄが形成されている。
イズフィルタ２００表面の両端面１００ａ，１００ｂに
は端子電極９０ａ，９０ｂが形成されており、また、端
子電極の形成されていない両側面１００ｃ，１００ｄに
はアース電極９０ｃ，９０ｄが形成されている。
【００１９】端子電極９０ａは、図１に示した積層体１
００における、層１の導体膜３１＿１および層６の導体
膜７１に接続されており、図２に示したバリスタ機能付
ノイズフィルタ２００における、バリスタ４６、および
フィルタ回路６０のインダクタ５１およびキャパシタ４
１に接続されている。また、端子電極９０ｂは、図１に
示した積層体１００における、層１の導体膜３１＿３お
よび層６の導体膜７２に接続されており、図２に示した
バリスタ機能付ノイズフィルタ２００における、バリス
タ４７、およびフィルタ回路６０のインダクタ５４およ
びキャパシタ４５に接続されている。従って、このバリ
スタ機能付ノイズフィルタ２００のバリスタ回路７０
ａ、フィルタ回路６０、およびバリスタ回路７０ｂは直
列に接続されている。
００における、層１の導体膜３１＿１および層６の導体
膜７１に接続されており、図２に示したバリスタ機能付
ノイズフィルタ２００における、バリスタ４６、および
フィルタ回路６０のインダクタ５１およびキャパシタ４
１に接続されている。また、端子電極９０ｂは、図１に
示した積層体１００における、層１の導体膜３１＿３お
よび層６の導体膜７２に接続されており、図２に示した
バリスタ機能付ノイズフィルタ２００における、バリス
タ４７、およびフィルタ回路６０のインダクタ５４およ
びキャパシタ４５に接続されている。従って、このバリ
スタ機能付ノイズフィルタ２００のバリスタ回路７０
ａ、フィルタ回路６０、およびバリスタ回路７０ｂは直
列に接続されている。
【００２０】このように構成したバリスタ機能付ノイズ
フィルタ２００において、バリスタ特性を有する誘電体
磁器材料を介して対向する導電膜７１と導電膜７３、お
よび導電膜７２と導電膜７３のうちの導電膜７３により
形成されたキャパシタ４１，４５は、入力信号の中に含
まれる高周波ノイズに対して、図２に実線によって囲ま
れたＬＣ複合型のフィルタ回路６０に直列に接続された
キャパシタとして機能し、入力信号の中に含まれる高周
波ノイズを除去する作用を行う。また、端子電極９０
ａ，９０ｂからサージ電流がバリスタ機能付ノイズフィ
ルタ２００に流入しようとすると、サージ電流は、図２
に破線によって囲まれたバリスタ回路７０ａ，７０ｂか
らアース電極９０ｃ，９０ｄ側に流れ、回路は保護され
る。
フィルタ２００において、バリスタ特性を有する誘電体
磁器材料を介して対向する導電膜７１と導電膜７３、お
よび導電膜７２と導電膜７３のうちの導電膜７３により
形成されたキャパシタ４１，４５は、入力信号の中に含
まれる高周波ノイズに対して、図２に実線によって囲ま
れたＬＣ複合型のフィルタ回路６０に直列に接続された
キャパシタとして機能し、入力信号の中に含まれる高周
波ノイズを除去する作用を行う。また、端子電極９０
ａ，９０ｂからサージ電流がバリスタ機能付ノイズフィ
ルタ２００に流入しようとすると、サージ電流は、図２
に破線によって囲まれたバリスタ回路７０ａ，７０ｂか
らアース電極９０ｃ，９０ｄ側に流れ、回路は保護され
る。
【００２１】次に、本実施形態のバリスタ機能付ノイズ
フィルタの製造方法について説明する。
フィルタの製造方法について説明する。
【００２２】例えば、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを主成分と
する磁性体磁器材料を混合、仮焼し、適当な粒径になる
ように粉砕して磁性体仮焼粉を作製し、例えば、ＰｂＴ
ｉＯ３を主成分とする誘電体磁器材料を混合、仮焼し、
適当な粒径になるように粉砕して誘電体仮焼粉を作製す
る。こうして作製した磁性体仮焼粉と誘電体仮焼粉とを
適当な割合で混合し、分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤
などを添加して誘電体磁性体混合ペーストを作成する。
その誘電体磁性体混合ペーストと、Ａｇ又はＰｄを主成
分とする導体ペーストとを所望の積層構造となるように
印刷・積層することにより、図１に示す、層１１，１
２，１３，１４からなる第１の基部１０に相当するグリ
ーン積層体を作製する。
する磁性体磁器材料を混合、仮焼し、適当な粒径になる
ように粉砕して磁性体仮焼粉を作製し、例えば、ＰｂＴ
ｉＯ３を主成分とする誘電体磁器材料を混合、仮焼し、
適当な粒径になるように粉砕して誘電体仮焼粉を作製す
る。こうして作製した磁性体仮焼粉と誘電体仮焼粉とを
適当な割合で混合し、分散剤、バインダ、可塑剤、溶剤
などを添加して誘電体磁性体混合ペーストを作成する。
その誘電体磁性体混合ペーストと、Ａｇ又はＰｄを主成
分とする導体ペーストとを所望の積層構造となるように
印刷・積層することにより、図１に示す、層１１，１
２，１３，１４からなる第１の基部１０に相当するグリ
ーン積層体を作製する。
【００２３】次に、定法により調整されたバリスタ特性
を有する誘電体磁器材料などに、分散剤、バインダ、可
塑剤、溶剤などを添加してペーストを作製し、そのペー
ストと、ＡｇまたはＰｄを主成分とする導体ペーストと
を所望の積層構造となるように印刷・積層することによ
り、図１に示す、層１５，１６からなる第２の基部２０
に相当するグリーン積層体を作製する。このグリーン積
層体を、上記の、第１の基部１０に相当するグリーン積
層体に重ね、加圧などを行った後、必要に応じて切断し
て、第１の基部１０と第２の基部２０とが積層されたグ
リーン積層体を形成する。
を有する誘電体磁器材料などに、分散剤、バインダ、可
塑剤、溶剤などを添加してペーストを作製し、そのペー
ストと、ＡｇまたはＰｄを主成分とする導体ペーストと
を所望の積層構造となるように印刷・積層することによ
り、図１に示す、層１５，１６からなる第２の基部２０
に相当するグリーン積層体を作製する。このグリーン積
層体を、上記の、第１の基部１０に相当するグリーン積
層体に重ね、加圧などを行った後、必要に応じて切断し
て、第１の基部１０と第２の基部２０とが積層されたグ
リーン積層体を形成する。
【００２４】このグリーン積層体を脱バインダ処理およ
び焼成を行って焼成体を形成し、その表面に、Ａｇを主
成分とする導体ペーストを用いて端子電極、アース電極
を形成して、図３に示す外観形状を有する所望のバリス
タ機能付ノイズフィルタ２００を得ることができる。
び焼成を行って焼成体を形成し、その表面に、Ａｇを主
成分とする導体ペーストを用いて端子電極、アース電極
を形成して、図３に示す外観形状を有する所望のバリス
タ機能付ノイズフィルタ２００を得ることができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のバリスタ
機能付ノイズフィルタは、少なくとも１つのキャパシタ
と少なくとも１つのインダクタとを有するフィルタ回路
を備えた第１の基部と、少なくとも１つのキャパシタを
有し上記フィルタ回路に対し直列に接続されたバリスタ
回路を備えた、上記第１の基部に積層された第２の基部
とを具備しているので、サージ除去機能および高周波ノ
イズ除去機能の両方の機能を兼ね備えたバリスタ機能付
ノイズフィルタを実現することができる。
機能付ノイズフィルタは、少なくとも１つのキャパシタ
と少なくとも１つのインダクタとを有するフィルタ回路
を備えた第１の基部と、少なくとも１つのキャパシタを
有し上記フィルタ回路に対し直列に接続されたバリスタ
回路を備えた、上記第１の基部に積層された第２の基部
とを具備しているので、サージ除去機能および高周波ノ
イズ除去機能の両方の機能を兼ね備えたバリスタ機能付
ノイズフィルタを実現することができる。
【図１】本発明のバリスタ機能付ノイズフィルタの第１
の実施形態における積層体の内部構造を示す斜視図であ
る。
の実施形態における積層体の内部構造を示す斜視図であ
る。
【図２】本発明のバリスタ機能付ノイズフィルタの第１
の実施形態の等価回路図である。
の実施形態の等価回路図である。
【図３】図２に示したバリスタ機能付ノイズフィルタの
外観図である。
外観図である。
【符号の説明】 １０，２０ 基部 １１，１２，１３，１４，１５，１６ 層 ３１＿１，３１＿２，３１＿３，３２＿１，３２＿３，
３３＿１，３３＿２，３３＿３，３４＿１ 導体膜 ３２＿１ａ，３２＿３ａ，３４＿１ａ 一部分 ４１，４２，４３，４４，４５ キャパシタ ４６，４７ バリスタ ５１，５２，５３，５４ インダクタ ６０ フィルタ回路 ７０ａ，７０ｂ バリスタ回路 ７１，７２，７３ 導電膜 ８１＿１，８１＿２，８１＿３，８１＿４，８１＿５，
８１＿６ スルーホール ８２＿１，８２＿２，８２＿３，８２＿４，８２＿５，
８２＿６ 導体 ９０ａ，９０ｂ 端子電極 ９０ｃ，９０ｄ アース電極 １００ 積層体 １００ａ，１００ｂ 端面 １００ｃ，１００ｄ 側面 ２００ バリスタ機能付ノイズフィルタ
３３＿１，３３＿２，３３＿３，３４＿１ 導体膜 ３２＿１ａ，３２＿３ａ，３４＿１ａ 一部分 ４１，４２，４３，４４，４５ キャパシタ ４６，４７ バリスタ ５１，５２，５３，５４ インダクタ ６０ フィルタ回路 ７０ａ，７０ｂ バリスタ回路 ７１，７２，７３ 導電膜 ８１＿１，８１＿２，８１＿３，８１＿４，８１＿５，
８１＿６ スルーホール ８２＿１，８２＿２，８２＿３，８２＿４，８２＿５，
８２＿６ 導体 ９０ａ，９０ｂ 端子電極 ９０ｃ，９０ｄ アース電極 １００ 積層体 １００ａ，１００ｂ 端面 １００ｃ，１００ｄ 側面 ２００ バリスタ機能付ノイズフィルタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E034 EA08 EB03 EC04 EC05 ED03 5E070 AA05 AB01 BA12 CB03 CB13 5E082 AA01 AB03 BB02 BB05 BC39 DD04 DD08 EE04 EE17 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG48 FG54 GG10 GG28 JJ03 JJ05 JJ23 KK08 5J024 AA01 BA02 BA19 DA01 DA21 DA28 DA29 DA32 EA08 FA02
Claims (1)
- 【請求項１】 誘電体磁器材料と磁性体磁器材料との混
合磁器材料と導電性ペーストとにより形成された、少な
くとも１つのキャパシタと少なくとも１つのインダクタ
とを有するフィルタ回路を備えた第１の基部と、 バリスタ特性を有する誘電体磁器材料と導電性ペースト
とにより形成された、少なくとも１つのキャパシタを有
し前記フィルタ回路に対し直列に接続されたバリスタ回
路を備えた、前記第１の基部に積層された第２の基部と
を具備することを特徴とするバリスタ機能付ノイズフィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254886A JP2000091868A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | バリスタ機能付ノイズフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10254886A JP2000091868A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | バリスタ機能付ノイズフィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000091868A true JP2000091868A (ja) | 2000-03-31 |
Family
ID=17271213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10254886A Pending JP2000091868A (ja) | 1998-09-09 | 1998-09-09 | バリスタ機能付ノイズフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000091868A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020029577A (ko) * | 2000-10-13 | 2002-04-19 | 유영훈 | 충격전압방지 및 순간정전 보상효과가 있는 전원장치 |
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
| JP2007214166A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品およびその製造方法 |
| JP2007267168A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | ローパスフィルタ及びローパスフィルタアレイ |
-
1998
- 1998-09-09 JP JP10254886A patent/JP2000091868A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20020029577A (ko) * | 2000-10-13 | 2002-04-19 | 유영훈 | 충격전압방지 및 순간정전 보상효과가 있는 전원장치 |
| JP2007142991A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ノイズ対策部品 |
| JP2007214166A (ja) * | 2006-02-07 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 複合電子部品およびその製造方法 |
| JP2007267168A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tdk Corp | ローパスフィルタ及びローパスフィルタアレイ |
| JP4586760B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-11-24 | Ｔｄｋ株式会社 | ローパスフィルタ及びローパスフィルタアレイ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20021029 |