CN101013268A - 涂敷、显影方法、涂敷、显影装置以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

在形成有抗蚀剂膜的基板上形成防水性的保护膜，并对在该表面上形成有液层而被浸液曝光后的基板进行显影处理时，减少显影缺陷，并且提高图案的线宽的控制性。首先从在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下被曝光后的基板上除去保护膜。然后对基板进行加热处理，之后进行基板的显影处理。在该状态下，在除去上述保护膜前借助清洗液对曝光后的基板的表面进行清洗，或者在除去上述保护膜后在对基板进行加热前借助清洗液清洗基板的表面。

Description

涂敷、显影方法、涂敷、显影装置以及存储介质
技术领域
本发明涉及在基板的表面上涂敷抗蚀剂液并将浸液曝光后的基板显影的涂敷显影方法、涂敷显影装置以及存储用于实施涂敷、显影方法的程序的存储介质。
背景技术
制造工序的光刻法技术，进行下述一连串的工序，即在例如半导体晶片(以下称为“晶片”)上形成抗蚀剂膜，并在使用光掩模而对该抗蚀剂膜进行曝光后进行显影处理，由此得到希望的图案。
作为该曝光技术，有在基板的表面上形成有令光透过的液层的状态下进行曝光的方法(以下称为“浸液曝光”)(专利文献1)。在该浸液曝光中，如图10所示那样，使用在周围具有供液口11以及吸引口12且在中央部具有透镜10的曝光机构1，从供给口11向晶片W的表面供给纯水，并通过吸引口12将该纯水回收，由此，在透镜10和晶片W的表面之间形成有液膜(纯水膜)的状态下照射光，并通过令曝光机构1如图11所示那样横向滑动移动而在晶片W的表面上依次转印既定的电路图案。另外，发射区域13的记载也比实际大。
在进行上述浸液曝光时，在向晶片W涂敷抗蚀剂液后进行浸液曝光前，为了抑制抗蚀剂的溶出(洗脱)并且令浸液曝光时的液层难以残存在晶片W表面上，研究在晶片W的表面上形成防水性的保护膜。
然后，在专利文献2中，记述有下述方法，即在通过加热装置进行加热处理后，借助显影装置除去在晶片W的表面上形成的防水性的保护膜。
但是，在加热装置中，若在形成在晶片W的表面上的抗蚀剂膜上存在保护膜的状态下进行加热处理，则由于保护膜覆盖抗蚀剂膜表面，所以抗蚀剂膜不暴露在加热单元内的热气氛内，所以抗蚀剂膜中以及膜表面的物质偏析，即膜中的物质变得不均，其结果，在显影单元中，由于对不均的抗蚀剂膜实施显影处理，所以成为显影缺陷的发生的要因，并产生图案的线宽的控制性恶化的问题。
专利文献1：特开2005-175079号公报
专利文献2：特开2005-183709号公报
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种在基板上形成抗蚀剂膜，并对在其表面上形成液层而浸液曝光后的基板进行显影处理时可降低显影缺陷并可提高图案的线宽的控制性的方法以及储存实施该方法用的计算机程序的存储介质。进而，本发明的目的在于提供一种装置，可在实施这样的方法时实现处理的简略化。
本发明的特征在于，包括：在基板上形成抗蚀剂膜的工序；为了在使用液层进行曝光时保护上述抗蚀剂膜，在基板的表面上涂敷含有防水性材料的保护膜形成用的涂敷液而形成保护膜的工序；从在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下曝光后的基板除去上述保护膜的工序；该工序后对基板进行加热处理的工序；接着对基板进行显影处理的工序。
在上述涂敷、显影方法中，也可构成为在除去上述保护膜的工序前，进行借助清洗液清洗曝光后的基板的表面的工序，或者也可构成为在除去上述保护膜的工序后，在对上述基板进行加热处理工序前，进行借助清洗液清洗基板的表面的工序。
此外，本发明的涂敷、显影装置，其特征在于，包括：将抗蚀剂液涂敷到基板上的抗蚀剂膜形成用的涂敷单元；为了在使用液层的曝光时保护抗蚀剂膜而将含有防水性材料的保护膜形成用的涂敷液涂敷在基板表面上的保护膜形成用的涂敷单元；保护膜除去单元，具有将基板保持为水平的基板保持部、向在被该基板保持部保持且在抗蚀剂膜的表面上形成液层的状态下被曝光后的基板的表面上供给用于除去上述保护膜的药液的药液喷嘴；对除去上述保护膜后的基板进行加热处理的加热部；对上述加热处理后的基板进行显影处理的显影单元。
在上述涂敷、显影装置中，上述保护膜除去单元也可还包括向被上述基板保持部保持的基板的表面上供给清洗液用的清洗液喷嘴。
此外，在上述涂敷、显影装置中，也可构成为具有进行清洗液喷嘴以及药液喷嘴的位置控制和液体的供给控制的控制部，以便在基板表面的清洗后进行保护膜除去，或者也可构成为具有进行清洗液喷嘴以及药液喷嘴的位置控制和液体的供给控制的控制部，以便在进行保护膜除去后清洗基板的表面。此外，清洗液喷嘴以及药液喷嘴也可为共用化的构成。在这样构成的情况下，也可以下述方式进行控制、即可选择地执行在进行基板的表面的清洗后进行保护膜的除去的第1模式、和在除去保护膜后进行基板的表面的清洗的第2模式，也能够以下述方式进行控制，即可进而选择在进行基板的表面的清洗后进行保护膜的除去，接着进行基板表面的清洗的第3模式。
进而，本发明为一种存储介质，存储涂敷、显影装置中使用的计算机程序，所述涂敷、显影装置在基板上涂敷抗蚀剂液，对在抗蚀剂膜上形成液层的状态下曝光后的基板进行加热处理，之后对基板进行显影处理，其特征在于，在上述程序中包括：在基板上形成抗蚀剂膜的步骤、为了在使用液层的曝光时保护抗蚀剂膜而在基板的表面上涂敷含有防水性材料的保护膜形成用的涂敷液而形成保护膜的步骤、从在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下曝光后的基板除去上述保护膜的步骤、该步骤后对基板进行加热处理的步骤、接着对基板进行显影处理的步骤。
此外，在上述存储介质中，上述程序中，在除去上述保护膜的步骤前，也可实施借助清洗液对曝光后的基板的表面进行清洗的步骤，或者在除去上述保护膜的步骤之后，在对上述基板进行加热处理的步骤之前，实施借助清洗液对基板的表面进行清洗的步骤。
根据本发明，看到在浸液曝光中使用的保护膜由于进行作为显影处理的前处理的加热处理而产生对显影的不良影响，并根据该认知在进行加热处理前除去保护膜，所以可抑制加热处理时以保护膜的存在为要因的抗蚀剂成分的偏析。因此，如后述的实施例所述，可降低显影缺陷，提高图案的线宽的控制性。
此外，若在浸液曝光后在基板的表面上附着有水滴，则由于在该水滴蒸发时形成水印等原因而优选对基板进行清洗处理，在本发明中在保护膜除去单元中设置清洗液喷嘴而清洗基板的表面，所以可通过同一单元进行保护膜的除去处理以及清洗处理，因此可抑制装置的设置面积(底座面积)的增加，并且可令处理简略化。
进而，根据本发明，准备多个对形成在基板的表面上的保护膜进行除去处理以及进行基板表面的清洗处理的组合的模式，并可选择这些模式，所以可根据例如保扩膜的材质而选择适当的模式，可对基板进行细致的处理。
附图说明
图1是表示本发明的涂敷、显影装置的实施方式的俯视图。
图2是表示本发明的涂敷、显影装置的实施方式的立体图。
图3是表示上述涂敷、显影装置的接口部的概略立体图。
图4是表示上述接口部内所设置的保护膜除去单元的概略剖视图以及概略主视图。
图5是表示上述保护膜除去单元中设置的药液喷嘴以及清洗液喷嘴的立体图。
图6是表示上述涂敷、显影装置的晶片的流程的说明图。
图7是表示上述保护膜除去单元中进行的各处理方法的的方式的说明图。
图8是表示上述接口部内所设置的保护膜除去单元的概略剖视图。
图9是表示用于确认本发明的效果而进行的实验的结果的说明图。
图10是表示用于对晶片进行浸液曝光的曝光机构的说明图。
图11是表示借助上述曝光机构对晶片的表面进行浸液曝光的情况的说明图。
具体实施方式
参照图1以及图2简单说明在本发明的实施方式的涂敷、显影装置上连接曝光装置的系统的整体构成。图1以及图2中B1是用于运入运出密闭储存例如13张基板的载体2的载体站，在该载体站B1中设置可并列载置多个载体2的载置部20、从上述载置部看设置在前方壁面的开闭部21、经由开闭部21而从载体2中取出晶片W用的交接机构A1。
在上述载体站B1的里侧连接被壳体22包围的处理块B2，在该处理块B2中交替地配列设置作为基板运送机构的主臂A2、A3，在从近前侧依次将加热、冷却类的单元多层化后的搁板单元U1、U2、U3以及液处理单元U4、U5的各单元之间交接晶片W。此外，主运送机构A2、A3位于下述空间内，即由从载体站B1看配置在前后方向上的搁板单元U1、U2、U3侧的一面部、后述的例如右侧的液处理单元U4、U5侧的一面侧、成为左侧的一面侧的背面部构成的分隔壁23包围的空间。此外，在图1以及图2中，24、25是温湿度调节单元，具有在各单元中使用的处理液的温度调节装置或温湿度调节用的管道等。
上述液处理单元U4、U5，如例如图2所述那样，在抗蚀剂液或显影液等的药液储存部26上，层叠多层例如5层下述单元而构成，即用于在晶片W的表面上涂敷抗蚀剂液的涂敷单元(COT)30、用于在形成抗蚀剂膜的晶片W的表面上涂敷含有防水性材料(例如氟类的溶剂)的保护膜形成用的涂敷液而形成防水性保护膜用的保护膜形成部即保护膜形成单元(TC)3、用于在晶片W的表面上涂敷显影液的显影单元(DEV)27以及反射防止膜形成单元(BARC)等。此外，上述的搁板单元U1、U2、U3，层叠多层例如10层各种单元而构成，所述各种单元是用于进行在液处理单元U4、U5进行的处理的前处理以及后处理的单元，该组合含有对晶片W进行加热(烘焙)的加热单元、对晶片W进行冷却的冷却单元等。
在上述处理块B2中的搁板单元U3里侧，经由接口部B3与曝光装置B4连接。以下，参照图1、图2以及图3对接口部B3进行说明。接口部B3，包括在处理块B2和曝光装置B4之间的前后地设置的第1运送室28a、第2运送部28b，在其各自上设置主运送部31A以及辅助运送室31B。这些主运送部31A以及辅助运送部31B是基板运送机构。主运送部31A包括升降自如且绕铅直轴旋转自如的基体32、和设置在该基体32上的进退自如的臂33。第1运送室28a中隔着主运送部31A而在从载体站B1侧看的左侧，设置只对晶片W的边缘部选择地曝光用的周缘曝光装置(WEE)、和将多张例如25张的晶片W一次地进行储存的缓冲盒(SBU)。同样在右侧设置后述的用于除去形成在晶片W的表面的保护膜的保护膜除去单元40、和设置在该保护膜除去单元40上且具有例如冷却板的高精度调温单元(CPL)。
上述主运送部31A具有下述作用，即，将载置在搁板单元U3的交接单元(TRS1)上的曝光前的晶片W依次运送到周缘曝光装置(WEE)、缓冲盒(SBU)、高精度温调单元(CPL)，并且将如后述那样在保护膜除去单元40中进行保护膜的除去处理以及清洗处理后的晶片W运送到加热单元(PEB)中。
上述辅助运送部31B，升降自如且绕铅直轴旋转自如的基体34构成为可借助引导机构35的动作而向左右方向移动，进而，在该基体34上设置进退自如的臂36。该辅助运送部31B具有下述作用，即，将高精度温调单元(CPL)内的晶片W运送到曝光装置B4的运入台37，并且将曝光装置B4的运出台38上的晶片W运送到保护膜除去单元40中。
接着使用图4对上述保护膜除去单元40的构造进行说明。图4中的50是作为基板保持部的旋转卡盘，构成为借助真空吸附而将晶片W保持为水平。该旋转卡盘50可借助驱动部51而铅直旋转，并可升降。此外，在旋转卡盘50的周围设置包围从晶片W到旋转卡盘50的侧方部分的杯体52，在该杯体52的底面上设置含有排气管53或排液管54等的排液部。在上述排液管54的基端侧，连接排液分离机构5，借助该排液分离机构5将排液分离为剥离液和清洗液，并只将剥离液回收。
此外，保护膜除去单元40，具有用于供给除去形成在晶片W的表面上的保护膜的药液(以下称为剥离液)用的药液喷嘴70。如图4以及图5所示那样，上述药液喷嘴70，包括角筒状的主体部71和在该主体部71的下端面上所形成的排出口72，在主体部71的上部，连接药液供给管73，在主体部71的下端面上形成例如圆形的小直径的排出口74。上述药液供给管73经由含有阀或流量调整部等的供给机器组75而与供给剥离液的剥离液供给源76连接。作为上述剥离液，在例如形成在晶片W的表面上的保护膜为可溶于碱性溶液的情况下，可使用稀释后的显影液或者稀释剂等，在保护膜不溶于碱性溶液的情况下，可使用氟类的溶剂等。另外，在以稀释了的显影液作为剥离液而使用的情况下，可根据保护膜的材质而调整显影液的浓度。
此外，如图4(b)所示，上述药液喷嘴70，经由弯曲为L字状的臂77而连接到移动机构56上。上述臂77构成为，可借助移动机构56而沿着沿处理容器57的长度方向(Y方向)设置的引导轨58从设置在杯体52的一端侧的外侧的待机区域59向另一端侧移动，并且可沿上下方向移动。
此外，如图4以及图5所示，在上述药液喷嘴70的主体部71的侧面上连接清洗液喷嘴80的角筒状的主体部81。上述主体部81具有弯曲的下部分81a，其下端面上形成例如狭缝状的排出82，从该狭缝状的排出口82对晶片W的表面从斜方供给清洗液。在上述主体部81的上部，连接清洗液供给管83。上述清洗液供给管83经由含有阀或流量调整部等的供给机器组84而与供给清洗液的清洗液供给管85连接。作为上述清洗液，可使用例如纯水或者表面活性剂等。图4中的60是形成在面临处理容器57的辅助运送部31B的运入区域的面上的晶片W的运入运出口，设置开闭快门61。此外，图4中的78是在面临主运送部31A的运入区域的面上形成的晶片W的运入运出口，设置开闭快门79。
进而，上述涂敷、显影装置中，如图1以及图4所示那样设置控制部9。该控制部9中，具有方法储存部91，储存有在保护膜除去单元40中除去晶片W的表面上形成的保护膜的处理以及对晶片W的表面进行清洗处理用的后述的多个处理方法(方法1～方法3)。此外，在上述控制部9中设置方法选择机构92，用于例如操作员从储存在上述方法储存部91中的多个方法(方法1～方法3)中选择方法，例如选择在画面中显示出的方法的鼠标或者键盘、或者触摸面板的软开关等。进而，上述控制部9，构成为能以根据选择的处理方法而控制供给机器组75、供给机器组84以及移动机构56的方式进行药液喷嘴70以及清洗液喷嘴80的液体的供给控制以及位置控制。
此外，上述控制部9由例如计算机构成，具有控制后述的一连串的动作的计算机程序。该程序储存在存储介质中，例如软盘(FD)、储存卡、微型光盘(CD)、磁光盘(MO)等中，安装在作为控制部9的计算机中。另外，在此所说的程序除了步骤组(命令组)以外还包括其他上述方法等的数据。
接着，参照图6以及图7对上述实施方式的作用进行说明。首先从外部将储存有晶片W的载体2载置在载置台20上，与开闭部21一起打开载体2的盖体而借助交接机构A1取出晶片W。然后将晶片W经由作为搁板单元U1的一层的交接单元(未图示)而向主运送机构A2交接，并在搁板单元U1～U3内的一个搁板内进行作为涂敷处理的前处理的例如疏水化处理、冷却处理。之后，借助涂敷单元(COT)30如图6(a)所示那样在晶片W的旋转的同时在晶片W的表面的中央部上借助抗蚀剂液喷嘴63而涂敷抗蚀剂液R，在晶片W的表面上形成抗蚀剂膜(旋涂)。接着，将晶片W运送到作为搁板单元U1～U3的一个搁板的加热单元(PAB)中，如图6(b)所示，借助来自热板64的辐射热而进行加热处理(烘焙处理)。加热处理后，将晶片W运送到作为上述液处理单元U5的一层的保护膜形成单元(TC)3中，如图6(c)所示那样在晶片W的旋转的同时在晶片W的表面中央部上借助涂敷液喷嘴65而涂敷由含有氟的溶液构成的涂敷液D，在形成有抗蚀剂膜的晶片W的表面上形成防水性保护膜。此外，有时借助反射防止膜形成单元(BARC)代替疏水化处理而在晶片W的表面上形成反射防止膜。此外，有时在抗蚀剂膜上形成反射防止膜，并在其上形成上述保护膜。
接着，将晶片W运送到作为搁板单元U1～U3的一个搁板的加热单元(PAB)中，如图6(d)所示借助来自热板66的辐射热而进行加热处理(烘焙处理)，进而进行冷却处理，之后运送到清洗单元(未图示)。如图6(e)所示，在晶片W的旋转的同时在晶片W的表面中央部借助喷嘴67而涂敷清洗液，进行形成有保护膜D的晶片W的表面的清洗。清洗后，晶片W经由搁板单元U3的交接单元(TRS1)而运入到接口部B3中。在该接口部B3中，晶片W被主运送部31A运送到周缘曝光装置(WEE)→缓冲盒(SBU)→高精度温调单元(CPL)。然后，载置在高精度温调单元(CPL)中的晶片W被辅助运送部31B经由如图1所示的运入台37而运送到曝光装置B4中。运送到曝光装置B4中的晶片W如图6(f)所示，在背景技术中如使用图10以及图11所说明的那样，借助曝光机构1而在晶片W的表面上形成液膜E，同时以透过该液膜E的方式对晶片W照射光，由此将既定的电路图案依次转印在抗蚀剂上。另外，如图6(g)所示那样，有时浸液曝光后的晶片W的表面上残留微细的水滴E。若该水滴E长时间地残存在晶片W的表面上，则水滴E浸入保护膜D内而到达抗蚀剂膜R的表面上，形成对于显影液的不溶解层，即所谓的水印，有对图案的线宽的均匀性产生不良影响的危险，所以借助后述保护膜除去单元40进行该水滴E的除去。曝光后的晶片W如图1所示被运出到运出台38，接着被辅助运送部31B运送到保护膜除去单元40。
在该保护膜除去单元40中，首先如图6(h)所示在晶片W的旋转的同时在晶片W的表面中央部借助清洗液喷嘴80涂敷清洗液S例如纯水，进行附着在晶片W的表面的水滴E的除去(清洗处理)。接着如图6(i)所示，在晶片W的旋转的同时在晶片W的表面中央部借助药液喷嘴70涂敷剥离液H例如氟类的溶剂，进行形成在晶片W的表面的保护膜D的除去处理。该一连串的处理，是上述方法储存部91中储存的多个处理方法(方法1～方法3)中的一个方式，使用图7(a)对根据该处理方法(方法1)而进行的处理进行详细说明。
如图7(a)所示，首先借助辅助运送部31B与旋转夹盘50的协同动作而将曝光后的晶片W载置在旋转夹盘50上。接着令吸附保持在旋转夹盘50上的晶片W低速旋转，同时借助清洗液喷嘴80在晶片W的表面中央部上涂敷清洗液S。从清洗液喷嘴80供给到晶片W的中央部的清洗液S向周缘扩展，在全面上分布后，借助移动机构56而令清洗液喷嘴70从晶片W的中央部向周缘部移动，并令晶片W表面的清洗液S的涂敷区域从内侧开始干燥。由此，残留在晶片W上的水滴E借助清洗液S而向外侧流动而被除去。此外，虽未图示，但也可相对于清洗液喷嘴80的排出区域，在晶片W的旋转方向下游侧附近以对应清洗液喷嘴80的移动而移动的方式设置吹入气体例如空气或氮气等的气体喷嘴。若这样设置这种促进基于清洗液喷嘴80的清洗的气体喷嘴，则微小的水滴E的清洗效果高，是优选的。
之后，令晶片W低速旋转，同时借助药液喷嘴70而向晶片的表面中央部上涂敷剥离液H。从药液喷嘴70供给到晶片W的中央部的剥离液H朝向周缘扩展，借助该剥离液H剥离形成在晶片W的表面上的保护膜D。之后，令晶片W高速旋转，进行振动干燥即所谓的旋转干燥，令晶片W的表面干燥。
此外，在选择方法2的情况下，首先进行在晶片W的表面涂敷剥离液H而除去形成在晶片W的表面上的保护膜D的处理，接着在晶片W的表面上涂敷清洗液S而进行晶片W的表面的清洗处理。即，如图7(b)所示，以与上述图7(a)所示的处理方法相反的顺序实施除去处理→清洗处理。
此外，在选择方法3的情况下，首先在晶片w的表面上涂敷清洗液S而进行晶片W的表面清洗处理，接着在晶片W的表面上涂敷剥离液H而进行除去形成在晶片W的表面上的保护膜D的除去处理。之后，进而在晶片W的表面上涂敷清洗液S而进行晶片W的表面清洗处理。即，如图7(c)所示，以与上述图7(a)所示的处理方法相同的顺序实施清洗处理→除去处理，之后，再度以相同的顺序实施清洗处理。
如上所述，在借助保护膜除去单元40而除去形成在晶片W的表面上的保护膜D的除去处理以及晶片W的表面的清洗处理结束后，借助主运送部31A而将晶片W运送到搁板单元U3的加热单元(PEB)中，如图6(j)所示那样借助来自热板68的辐射热而进行加热处理(烘焙处理)。然后，晶片W被运送到作为搁板单元U5的一个搁板的显影单元(DEV)中，如图6(k)所示令显影液喷嘴69从晶片W的一端朝向另一端侧移动，由此在晶片W的表面上涂敷显影液G，通过令形成在晶片W的表面上的抗蚀剂膜R显影而形成既定图案的抗蚀剂掩模。之后，借助交接机构A1将晶片W放回到载置台20上的原来的载体2中。
根据上述实施方式，从曝光装置到加热处理前之间实施了除去在晶片W的表面上形成的保护膜D的处理，所以在加热单元(PEB)中进行加热处理时，在晶片W上的抗蚀剂膜R上不存在保护膜D。因此，可抑制抗蚀剂膜R中以及膜R表面的物质偏析，其结果，如后述实施例所示那样，可抑制浸液曝光所特有的显影缺陷、即在晶片W表面上残留的圆形的痕迹的发生。
此外，根据上述实施方式，在需要在浸液曝光后对晶片W进行清洗处理时，如图4以及图5所说明的那样，在保护膜除去单元40中，除了除去在晶片W的表面形成的保护膜D的功能外，还具有清洗晶片W的表面的功能，所以可通过同一单元进行除去处理以及清洗处理，因此，可抑制装置的设置面积(底座面积)的增加，并且可令处理简略化。
此外，在上述实施方式中，在曝光处理结束后，也可不进行清洗晶片W的表面的清洗处理，但由于有在曝光处理后的晶片W的表面上残留水滴E的情况，所以若从除去该水滴E这一点来看，优选在浸液曝光后清洗晶片W的表面。
进而，根据上述实施方式，由于可根据保护膜的材质，或者根据曝光装置B4中的各种曝光装置的曝光处理的方式来选择处理方法(方法1～方法3)，并根据选择的处理方法来实施晶片W的表面所形成的保护膜D的除去处理以及晶片W的表面的清洗处理，所以可对晶片W进行细致的处理。
此外，也可在实施晶片W上的保护膜D的除去处理前或后实施两次以上的清洗处理。
此外，在上述例子中，令药液喷嘴70和清洗液喷嘴80合体而可借助共同的移动机构56来移动，但不限定为这样的结构，也可构成为两喷嘴可独立移动，或者如图8所示那样在药液喷嘴70上设置切换剥离液和清洗液的排出的切换机构86，借助控制部9切换控制上述切换机构，由此构成为共用清洗液喷嘴80和药液喷嘴70。
进而，在上述例子中，在接口部B3的第1运送室28a上设置一个保护膜除去单元40，但也可在上下设置多个保护膜除去单元40。
进而，在上述例子中，在接口部B3上设置保护膜除去单元40，但也可设置在处理块3内，也可在例如设置有加热单元(PEB)的搁板单元U3中设置保护膜除去单元40。
另一方面，在化学增幅型的抗蚀剂中，为了曝光时发生的酸的扩散程度集中在晶片之间，所以，优选令从晶片曝光的时刻到加热处理开始的时间，即PED时间(从曝光装置发出晶片运送准备结束信号到通过加热装置开始加热的时间)一致。因此，在使用组装有兼用热板和晶片的专用臂的冷却板的加热装置时，通过将例如晶片载置在冷却板上而调整其待机时间来令PEB时间恒定化。
但是，在冷却板上进行PEB的时间的调整的方法，加热装置的台数增多，成本增高。
因此，优选在保护膜除去单元40中结束一连串的处理后，通过控制部9控制主运送部31A，以便令通过主运送部31A从该单元40运送到加热单元(PEB)的时机一致。即，优选通过控制部9进行管理，以便从将曝光后的晶片W运出到运出台38中并且曝光装置B4输出运出准备信号(输出准备信号)的时刻、到从保护膜除去单元40运出晶片W的时间为预先确定的设定时间，该情况下，在经过上述设定时间时主运送部31A从保护膜除去单元40运出晶片W。若这样管理PEB时间，则主运送部31A的运送程序变得简单，此外，可抑制加热单元(PEB)的台数的增加。
实施例
下面对为了确认本发明的效果而进行的实验进行说明。
(实施例)
使用图1～图5所示的涂敷、显影装置，执行图6(a)所示的处理方法(方法1)，在从曝光处理后到加热处理前之间，借助保护膜除去单元40清洗晶片W的表面，然后实施保护膜D的除去处理，借助显影单元(DEV)实施晶片W的表面的显影处理。
(比较例)
在实施例中，通过加热单元(PEB)进行加热处理后，借助保护膜除去单元40实施除去形成在晶片W的表面的保护膜D的处理，此外，与实施例同样借助显影单元(DEV)实施晶片W的表面的显影处理。
(观察方法、结果以及考察)
使用显影缺陷检查装置对晶片W的表面的显影处理后的缺陷数进行计数。其结果如图9所示。在图9中，P11、P12......是缺陷模式的类别，其中P21以及P24是所谓晶片W的表面上残留圆形痕迹的图案缺陷。该缺陷是如上所述那样由于在浸液曝光后的晶片W的表面上附着的水滴引起的。
如图9所示用实施例与比较例相比，可知P21以及P24的显影缺陷大幅减少。推测这是由于在上述加热单元(PEB)中，形成在晶片W的表面上的抗蚀剂膜R上不存在保护膜D，所以热充分地传递到膜R，抗蚀剂膜R中以及膜R的表面的物质均匀，对该均匀的抗蚀剂膜R实施显影处理。通过该结果可知，在通过加热单元(PEB)进行加热处理前，通过保护膜除去单元40实施保护膜D的除去处理是有效的。另外，在图9中，对P12，将实施例一方与比较例相比，图案缺陷多，但该个数(5个)在允许范围内，对晶片W的评价没有影响。

Claims (11)

1.一种涂敷、显影方法，其特征在于，包括：在基板上形成抗蚀剂膜的工序；
为了在使用液层进行曝光时保护上述抗蚀剂层，在基板的表面上涂敷含有防水性材料的保护膜形成用的涂敷液而形成保护膜的工序；
从在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下曝光后的基板上除去上述保护膜的工序；
该工序后对基板进行加热处理的工序；
接着对基板进行显影处理的工序。
2.如权利要求1所述的涂敷、显影方法，其特征在于，在除去上述保护膜的工序前，进行借助清洗液清洗曝光后的基板的表面的工序。
3.如权利要求1或2所述的涂敷、显影方法，其特征在于，在除去上述保护膜的工序后，在对上述基板进行加热处理的工序之前，进行借助清洗液清洗基板的表面的工序。
4.一种涂敷、显影装置，其特征在于，包括：向基板上涂敷抗蚀剂液的抗蚀剂膜形成用的涂敷单元；
为了在使用液层进行曝光时保护抗蚀剂膜，将含有防水性材料的保护膜形成用的涂敷液涂敷在基板表面上的保护膜形成用的涂敷单元；
保护膜除去单元，具有将基板保持为水平的基板保持部、对被该基板保持部保持且在抗蚀剂膜的表面上形成有液层的状态下被曝光后的基板的表面上供给用于除去上述保护膜的药液的药液喷嘴；
对除去上述保护膜后的基板进行加热处理的加热部；
对上述加热处理后的基板进行显影处理的显影单元。
5.如权利要求4所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述保护膜除去单元还具有向被上述基板保持部保持的基板的表面上供给清洗液用的清洗液喷嘴。
6.如权利要求5所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具有控制部，所述控制部进行清洗液喷嘴以及药液喷嘴的位置控制和液体的供给控制，以在基板表面的清洗后进行保护膜除去。
7.如权利要求5所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具有控制部，所述控制部进行清洗液喷嘴以及药液喷嘴的位置控制和液体的供给控制，以在进行保护膜除去后清洗基板的表面。
8.如权利要求4至6的任意一个所述的涂敷、显影装置，其特征在于，清洗液喷嘴以及药液喷嘴是共用的。
9.如权利要求5所述的涂敷、显影装置，其特征在于，具有可选择地执行在进行基板的表面的清洗后进行保护膜的除去的第1模式、和在除去保护膜后进行基板的表面的清洗的第2模式的控制部。
10.如权利要求9所述的涂敷、显影装置，其特征在于，上述控制部，还可选择在进行基板的表面的清洗后进行保护膜的除去、接着进行基板表面的清洗的第3模式。
11.一种存储介质，存储涂敷、显影装置中使用的计算机程序，所述涂敷、显影装置，在基板上涂敷抗蚀剂液，对在抗蚀剂膜上形成有液层的状态下被曝光后的基板进行加热处理，之后对基板进行显影处理，
其特征在于，上述程序中包括用于实施权利要求1或2所述的涂敷、显影方法的步骤组。
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