CN100592172C - 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

水平电场施加型液晶显示器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种采用水平电场的液晶显示器以及能够减少掩模工艺数量的液晶显示器件制造方法。按照本发明的水平电场施加型液晶显示器包括：薄膜晶体管阵列基板，其包括栅极线，与栅极线平行的公共线，与栅极线和公共线交叉的数据线，在栅极线和数据线的各个交叉点上形成的薄膜晶体管，连接到公共线的公共电极，连接到薄膜晶体管并且和公共电极共同产生水平电场的象素电极，栅极焊盘，数据焊盘，以及钝化薄膜；与薄膜晶体管阵列基板组合的滤色片基板，二者之间填充有液晶材料；以及连接到薄膜晶体管阵列基板上的导电薄膜。

Description

水平电场施加型液晶显示器及其制造方法
本申请要求享有分别在2003年3月29日、2003年3月29日和2003年4月3日提交的韩国专利申请P03-19781、P03-19783和P03-21118号的权益，该申请可供参考。
技术领域
本发明涉及采用水平电场的液晶显示器，具体地说，涉及一种能够减少掩模工艺数量的液晶显示器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)都是用电场控制液晶材料的光透射比来显示图像。液晶显示器按照驱动液晶的电场方向被划分成垂直电场型和水平电场型。
在垂直电场型液晶显示器中，在上基板上形成的公共电极和下基板上形成的象素电极是彼此面对地布置，用公共电极和象素电极之间形成的垂直电场驱动一种扭曲向列模式(TN)的液晶。垂直电场型液晶显示器的优点是孔径比大，而缺点在于只有90°左右的窄视角。
水平电场型液晶显示器用平行设置在下基板上的象素电极和公共电极之间的水平电场驱动共平面开关模式(以下称为“IPS”)的液晶。水平电场型液晶显示器的优点是具有约160°的宽视角，以下要具体描述水平电场型液晶显示器。
水平电场型液晶显示器包括面对面并且彼此接合的薄膜晶体管阵列基板(下基板)和滤色片阵列基板(上基板)，用来在两个基板之间维持一均匀的盒间隙的衬垫料，以及注入衬垫料所形成的空间内的液晶。
薄膜晶体管阵列基板包括以象素为基础形成水平电场的多条信号线，多个薄膜晶体管，对上面的液晶施加定向的定向薄膜。滤色片基板包括代表颜色的滤色片，防止漏光的黑色矩阵，以及对上面的液晶施加定向的定向薄膜。
在这种液晶显示器中，由于薄膜晶体管阵列基板包含半导体工艺并需要许多掩模工艺，其制造工艺已成为液晶显示器面板制造成本中的主要风险因素。为了解决这一问题，薄膜晶体管阵列基板的开发趋向于减少掩模工艺的数量。这是因为一个掩模工艺会包括诸如薄膜淀积、清洗、光刻法(photolithography)、蚀刻、光刻胶剥离和检验工序等多个工序。近来引起关注的有一种四轮(round)掩模的工艺，它比目前采用标准掩模工艺的五轮掩模步骤节省了一个掩模步骤。
图1的平面图表示采用四轮掩模步骤的一种现有技术的水平电场型薄膜晶体管阵列基板，图2是图1中沿I-I’和II-II’线提取的薄膜晶体管阵列基板的一个截面图。
参见图1和2，现有技术的水平电场型薄膜晶体管阵列基板包括按彼此交叉的方式形成在下基板45上的栅极线2和数据线4，在各个交叉点上形成的薄膜晶体管6，为了在互连部分和连接到公共电极18的公共线16所限定的象素区内施加水平电场而形成的象素电极14和公共电极18。现有技术的薄膜晶体管阵列基板还包括形成在象素电极14与公共线16之间的重叠部分的一个存储电容20，连接到栅极线2的栅极焊盘24，连接到数据线4的数据焊盘30，以及连接到公共线16的公共焊盘36。
栅极线2对薄膜晶体管6的栅极8提供一栅极信号。数据线4通过薄膜晶体管6的漏极12对象素电极14提供一象素信号。栅极线2和数据线4所形成的交叉结构限定了一个象素区5。
与栅极线2平行地形成公共线16，象素区5位于公共线16和栅极线2之间，对公共电极18提供驱动液晶显示器的参考电压。
薄膜晶体管6响应栅极线2的栅极信号，用数据线4的象素信号对象素电极14充电。这样的薄膜晶体管6包括连接到栅极线2的栅极8，连接到数据线4的源极10，以及连接到象素电极14的漏极12。薄膜晶体管6还包括与栅极18重叠的有源层48，有一个栅极绝缘薄膜46位于薄膜晶体管6与栅极18之间并且在源极10和漏极12之间限定了一个沟道。形成的有源层48与数据线4，数据焊盘下电极32和存储电极22重叠。进而在有源层48上面形成与数据线4、源极10、漏极12、数据焊盘下电极32、以及存储电极22形成电阻接触的电阻接触层50。
通过穿透一钝化层52的第一接触孔13，在象素区5内形成连接到薄膜晶体管6的漏极12的象素电极14。具体地说，象素电极14包括连接到漏极12并且与相邻的栅极线2平行形成的第一水平部分14A，以及与公共线16和平行于公共电极18形成的一个指状部分14C重叠形成的第二水平部分14B。
公共电极18连接到公共线16并且形成在象素区5内。另外，公共电极18与象素电极14的指状部分14C平行形成在象素区5内。
这样就能在通过薄膜晶体管6获得象素信号的象素电极14和通过公共线16获得参考电压的公共电极18之间形成一个水平电场。还会在象素电极14的指状部分14C与公共电极18之间形成该水平电场。在水平电场的作用下按水平方向排列在薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板之间的液晶分子因介电各向异性而发生旋转。按照液晶分子的旋转量，使透过象素区5的光透射比有所不同，从而来显示图像。
存储电容20包括公共线16，与公共线16重叠的存储电极22，且在其间设置有栅极绝缘薄膜46、有源层48和电阻接触层50，以及通过穿透存储电极22和钝化薄膜52的第二接触孔21连接的象素电极14。存储电容20使得对象素电极14充电的象素信号稳定维持到用下一象素信号充电。
栅极线2通过栅极焊盘24连接到栅极驱动器(未表示)。栅极焊盘24包括从栅极线2延伸的栅极焊盘下电极26，以及通过穿透栅极绝缘薄膜46和钝化薄膜52的第三接触孔27连接到栅极焊盘下电极26的栅极焊盘上电极28。
数据线4通过数据焊盘30连接到数据驱动器(未表示)。数据焊盘30包括从数据线4延伸的数据焊盘下电极32，以及通过穿透钝化薄膜52的第四接触孔33连接到数据焊盘下电极32的数据焊盘上电极34。
通过公共焊盘36从外部参考电压源(未表示)向公共线16提供参考电压。公共焊盘36包括从公共线16延伸的公共焊盘下电极38，以及通过穿透栅极绝缘薄膜46和钝化薄膜52的第五接触孔39连接到公共焊盘下电极38的公共焊盘上电极40。
以下要参照图3A到3D来解释采用四轮掩模步骤制造具有上述结构的薄膜晶体管基板的一种方法。
参见图3A，在下基板45上用第一掩模步骤形成包括栅极线2，栅极8和栅极焊盘下电极26的第一导电图形组。
具体地说，在下基板45上用淀积技术例如是溅射依次形成构成一种双层结构栅极金属层的第一金属层42和第二金属层44。然后用光刻工艺和用第一掩模进行的蚀刻步骤对栅极金属层构图，从而形成包括栅极线2，栅极8，栅极焊盘下电极26，公共线16，公共电极18及公共焊盘下电极38的第一导电图形组。此处的第一金属层42是用铝质金属形成的，而第二金属层44是用铬(Cr)或钼(Mo)形成的。
参见图3B，栅极绝缘薄膜46形成在具有第一导电图形组的下基板45上。进而用第二掩模步骤在栅极绝缘薄膜46上形成包括有源层48和电阻接触层50的一个半导体图形组和包括数据线4、源极10、漏极12、数据焊盘下电极32及存储电极22的第二导电图形组。
具体地说，采用诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)和溅射等等淀积技术在具有第一导电图形组的下基板45上依次形成栅极绝缘薄膜46、第一半导体层、第二半导体层和数据金属层。此处的栅极绝缘薄膜46是用诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料构成的。第一半导体层是用没有掺杂杂质的非晶硅构成的，而第二导电层是用掺杂了N型或P型杂质的非晶硅构成的。数据金属层是用钼(Mo)、钛(Ti)、钽(Ta)、或是钼合金等等构成的。
然后在数据金属层上用第二掩模、通过光刻工艺形成光刻胶图形。在这种情况下，用一个在薄膜晶体管的沟道部分具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模作为第二掩模，从而使得沟道部分的光刻胶图形的高度低于其它区域部分的光刻胶图形。
接着，通过湿法蚀刻步骤用其它光刻胶图形对数据金属层构图，形成包括数据线4、源极10、与源极10成整体的漏极12、以及存储电极22的数据图形。
接着，通过干法蚀刻步骤用相同的光刻胶掩模同时对第一半导体层和第二半导体层构图，从而形成电阻接触层50和有源层48。
用灰化步骤从沟道部分消除高度比较低的光刻胶图形，然后用干法蚀刻步骤蚀刻源极、漏极和沟道部分的电阻接触层50。这样就暴露出沟道部分的有源层48，将源极10与漏极12分开。
然后用剥离步骤消除第二导电图形组上剩余的光刻胶图形。
参见图3C，用第三掩模步骤在具有第二导电图形组的栅极绝缘薄膜46上形成包括第一到第五接触孔13、21、27、33和39的钝化薄膜52。
具体地说，在具有数据图形的栅极绝缘薄膜46上用诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)等淀积技术整体形成钝化薄膜52。采用第三掩模用光刻工艺和蚀刻步骤对钝化薄膜52构图形成第一到第五接触孔13、21、27、33和39。按照穿透钝化薄膜52并且暴露出漏极12的方式形成第一接触孔13，同时按照穿透钝化薄膜52并且暴露出存储电极22的方式形成第二接触孔21。按照穿透钝化薄膜52和栅极绝缘薄膜46并且暴露出栅极焊盘下电极26的方式形成第三接触孔27，同时按照穿透钝化薄膜52并且暴露出数据焊盘下电极32的方式形成第四接触孔33，并穿透钝化薄膜52和栅极绝缘薄膜46并且暴露出公共焊盘下电极38的方式形成第五接触孔39。此时，若是将具有高比例干法蚀刻的钼(Mo)的金属用作数据金属，就要按照分别穿透漏极12、存储电极22和数据焊盘下电极32的方式形成第一接触孔13、第二接触孔21和第四接触孔33，从而暴露出各电极的侧面。
钝化薄膜52是用栅极绝缘薄膜46那样的无机绝缘材料或是具有小介电常数的一种有机绝缘材料例如是丙烯酸有机化合物、(BCB)苯并环丁烯或PFCB(全氟环丁烷)等等构成的。
参见图3D，在钝化薄膜52上用第四掩模步骤形成包括象素电极14、栅极焊盘上电极28、数据焊盘上电极34和公共焊盘上电极40的第三导电图形组。
具体地说，用诸如溅射等淀积技术在钝化薄膜52上涂覆一个透明导电薄膜。然后用第四掩模采用光刻工艺和蚀刻步骤对透明导电薄膜构图，形成包括象素电极14、栅极焊盘上电极28、数据焊盘上电极34和公共焊盘上电极40的第三导电图形组。象素电极14通过第一接触孔13电连接到漏极12，并通过第二接触孔21电连接到存储电极22。栅极焊盘上电极28通过第三接触孔37电连接到栅极焊盘下电极26。数据焊盘上电极34通过第四接触孔33电连接到数据焊盘下电极32。公共焊盘上电极40通过第五接触孔39电连接到公共焊盘下电极38。
按照这样的连接，透明导电薄膜可以采用铟锡氧化物(ITO)、氧化锡(TO)，铟锌氧化物(IZO)、或是铟锡锌氧化物(ITZO)。
如上所述，现有技术的水平电场型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法采纳了四轮掩模工艺，与五轮掩模工艺相比能够减少制造步骤的数量从而在一定程度上降低制造成本。然而，由于四轮掩模工艺的制造步骤仍然复杂并对降低成本构成了限制，还需要有一种方案能够进一步简化制造工艺并进一步降低制造成本。
发明内容
为此，本发明的目的是提供一种采用水平电场的液晶显示器和一种制造液晶显示器件的方法，其能够减少掩模工艺的数量。
为了实现本发明的上述和其它目的，按照本发明的一种用来制造水平电场施加型液晶显示器的方法，包括：通过第一掩模步骤、第二掩模步骤和第三掩模步骤制备一个薄膜晶体管阵列基板：通过使用第一掩模步骤在基板上形成第一导电图形组，其中所述第一导电图形组包括栅极线、薄膜晶体管的栅极、栅极焊盘、公共线、公共电极和公共焊盘；在提供有第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘薄膜；通过使用第二掩模步骤形成第二导电图形组和半导体图形组，其中所述第二导电图形组包括数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、象素电极、数据焊盘和上存储电极，并且所述半导体图形组包括有源层和电阻接触层；以及形成钝化薄膜；通过使用第三掩模步骤构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜以形成第一至第三接触孔，其中所述第一接触孔暴露出所述栅极焊盘、所述第二接触孔暴露出所述公共焊盘；以及所述第三接触孔暴露出所述数据焊盘；制备一个面对薄膜晶体管阵列基板的滤色片阵列基板；以及组装薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板并且将导电薄膜连接至栅极焊盘、数据焊盘和公共焊盘。
为了实现本发明的上述和其它目的，本发明还公开了一种采用上方法制造的液晶显示器。
附图说明
通过以下参照附图对本发明实施例的详细说明就能理解本发明的上述及其它目的，在附图中：
图1的平面图表示现有技术中水平电场施加型液晶显示器的薄膜晶体管阵列基板；
图2是图1中沿I-I’和I-II’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图3A到3D是依次表示图2中所示薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图；
图4的平面图表示按照本发明第一实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板；
图5是沿图4中的III-III’和IV-IV’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图6A和6B分别是用来解释按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第一掩模步骤的平面图和截面图；
图7A和7B分别是用来解释按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第二掩模步骤的平面图和截面图；
图8A到8E是用来具体解释按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第二掩模步骤的截面图；
图9A和9B分别是用来解释按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第三掩模步骤的平面图和截面图；
图10的截面图表示按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板中第一结构的焊盘；
图11的截面图表示按照本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板中第二结构的焊盘；
图12的平面图表示按照本发明第一实施例的液晶显示器；
图13是图12中所示液晶显示器的平面图；
图14的平面图表示按照本发明第二实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板；
图15A和15B分别是用来解释按照本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第一掩模步骤的平面图和截面图；
图16的平面图表示按照本发明第二实施例的液晶显示器；
图17的平面图表示图16中所示的液晶显示器；
图18的平面图表示按照本发明第三实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板；
图19是图18中沿V-V’和VI-VI’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图20A到20D是用来具体解释按照本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第三掩模步骤的截面图；
图21的截面图表示按照本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板中第一结构的象素电极和焊盘；
图22的截面图表示按照本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板中第二结构的象素电极和焊盘；
图23的平面图表示按照本发明第三实施例的液晶显示器；以及
图24的平面图表示图23中所示的液晶显示器。
具体实施方式
以下要具体参照图4到24描述本发明的最佳实施例。
图4的平面图表示按照本发明第一实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板，而图5是沿图4中的III-III’和IV-IV’线提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。
如图4和5中所示，薄膜晶体管阵列基板包括按彼此交叉的方式形成在下基板145上的栅极线102和数据线104，二者之间有一个栅极绝缘薄膜146，在栅极线102和数据线104的各个交叉点上形成的薄膜晶体管106，为了对互连所限定的一个象素区施加水平电场而形成的象素电极114和公共电极118，以及连接到公共电极118的公共线116。薄膜晶体管阵列基板还包括在上存储电极122和公共线116之间的重叠部分形成的一个存储电容120，从栅极线102伸出的栅极焊盘124，从数据线104伸出的数据焊盘130，以及从公共线116伸出的公共焊盘136。
用来提供栅极信号的栅极线102和用来提供数据信号的数据线104被形成在一个交叉结构中，从而限定了一个象素区105。
与栅极线102平行地形成为了驱动液晶而提供一个参考电压的公共线116，使象素区105位于公共线116和栅极线102之间。
薄膜晶体管106响应栅极线102的栅极信号，对数据线104的象素信号充电并且维持在象素电极114中。为此，薄膜晶体管106包括连接到栅极线102的栅极108，数据线104中所包括的源极，以及连接到象素电极114的漏极112。薄膜晶体管106还包括与栅极108重叠的一个有源层148，栅极绝缘薄膜146处在二者之间并在源极和漏极112之间限定了一个沟道。
形成的有源层148与数据线104、数据焊盘130和上存储电极122重叠。在有源层148上进一步提供用来与数据线104、漏极112、数据焊盘130和上存储电极122形成电阻接触的电阻接触层150。
在象素区105内形成与薄膜晶体管106的漏极112和上存储电极122一体的象素电极114。具体地说，象素电极114包括与相邻的栅极线102平行地从漏极112伸出的一个水平部分114A，和在垂直方向上从水平部分114A伸出的一个指状部分114B。
公共电极118连接到公共线116并且形成在象素区105内。具体地说，公共电极118是在象素区105内与象素电极114的指状部分114B平行地形成的。
这样就能在通过薄膜晶体管106获得象素信号的象素电极114和通过公共线116获得参考电压的公共电极118之间形成一个水平电场。具体地说，水平电场是在象素电极114的指状部分114B和公共电极118之间形成的。在薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板之间，由于水平电场而按水平方向排列的液晶分子因介电各向异性而发生旋转。透过象素区105的光透射比会随着液晶分子的旋转量而有所不同，这样就能显示图像。
存储电容120包括公共线116和与公共线116重叠的上存储电极122，二者之间具有栅极绝缘薄膜146，有源层148和电阻接触层150，且与象素电极114为一体。存储电容120能够用象素信号对象素电极114充电来维持稳定，直至下一个象素信号充电。
栅极线102通过栅极焊盘124连接到安装在一个带式封装(TCP，tapecarried package)上的栅极驱动器(未表示)。栅极焊盘124从栅极线102伸出并且通过穿透栅极绝缘薄膜146和钝化薄膜152的第一接触孔127暴露出来。栅极焊盘124有一个金属层的暴露结构，它具有比较高的强度和耐腐蚀性，例如是栅极线102中所包括的钛(Ti)和钨(W)。这样，尽管要反复执行栅极焊盘124和TCP的附接步骤，也不会因栅极焊盘124断开而产生缺陷。
从通过附接到公共焊盘136的TCP的外部参考电压源(未表示)向公共线116提供参考电压。公共焊盘136从公共线116伸出并且通过穿透栅极绝缘薄膜146和钝化薄膜152的第三接触孔127暴露出来。公共焊盘136有一个金属层的暴露结构，它具有比较高的强度和耐腐蚀性，例如是类似于栅极焊盘124的钛(Ti)和钨(W)。这样，尽管要反复执行公共焊盘136和TCP的附接步骤，也不会因公共焊盘136断开而产生缺陷。
具体地说，栅极线102、栅极118、公共线116和公共电极118具有第一和第二金属层142和144构成的双层结构的金属层。在金属层当中，有一个金属层是用具有比较高的强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的。而另一金属层是用低电阻金属例如是栅极金属所惯用的铝(Al)系金属、钼(Mo)和铜(Cu)制成的。
按照这种连接，如果第一金属层142是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属制成的，栅极焊盘124和公共焊盘136有一个暴露结构，在其中消除掉上部的第二金属层144并暴露出下部的第一金属层142。另一方面，如果第二金属层144是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属制成的，栅极焊盘124和公共焊盘136有一个暴露结构，在其中暴露出上部的第二金属层144。
数据线104通过数据焊盘130被连接到安装在TCP上的一个数据驱动器(未表示)。数据焊盘130从数据线104伸出并且通过穿透钝化薄膜152的第二接触孔133被暴露出来。数据焊盘130有一个金属层的暴露结构，它具有比较高的强度和耐腐蚀性，例如是数据线104中所包括的钛(Ti)和钨(W)。这样，尽管要反复执行数据焊盘130和TCP的附接步骤，也不会因数据焊盘130断开而产生缺陷。
具体地说，数据线104、漏极112、象素电极114和上存储电极122具有第一和第二金属层154和156构成的双层结构的金属层。金属层当中有一个金属层是用具有比较高的强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的。而另一金属层是用低电阻金属例如是栅极金属所惯用的铝(Al)系金属、钼(Mo)、和铜(Cu)制成的。
按照这种连接，如果第一金属层154是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属制成的，数据焊盘130有一个暴露结构，在其中消除掉上部的第二金属层156并暴露出下部的第一金属层154。另一方面，如果第二金属层156是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属制成的，数据焊盘130有一个暴露结构，在其中暴露出上部的第二金属层156。
图6A和6B分别是用来解释按照本发明第一实施例的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第一掩模步骤的平面图和截面图。
如图6A和6B所示，在下基板145上用第一掩模步骤形成包括栅极线102、栅极108和栅极焊盘124、公共线116、公共电极118和公共焊盘136的第一导电图形组。
具体地说，在上基板145上用诸如溅射等淀积方法依次形成第一栅极金属层142和第二栅极金属层144，从而形成一个双层结构的栅极金属层。然后用第一掩模执行光刻工艺和蚀刻步骤对栅极金属层构图，形成包括栅极线102、栅极108、栅极焊盘124、公共线116、公共电极118和公共焊盘136的第一导电图形组。此处的任一第一栅极金属层142和第二栅极金属层144是用具有比较高的强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的。而另一金属层是用铝(Al)系金属、钼(Mo)、和铜(Cu)等金属制成的。
图7A和7B分别是用来解释按照本发明第一实施例的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第二掩模步骤的平面图和截面图。
首先，用诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)或溅射等淀积方法在具有第一导电图形组的下基板145上形成一个栅极绝缘薄膜146。栅极绝缘薄膜146是用诸如氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等无机绝缘材料制成的。
进而如图7A和7B中所示，在栅极绝缘薄膜146上用第二掩模步骤形成包括有源层148和电阻接触层150的半导体图形组，和包括数据线104、漏极112、象素电极114、数据焊盘130及上存储电极122的第二导电图形组。
以下要参照图8A到8E详细解释第二掩模步骤。
如图8A所示，在栅极绝缘薄膜146上，通过诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)和溅射等等淀积技术依次形成非晶硅层147、n+非晶硅层149、第一和第二源极/漏极金属层154和156。此处的任一第一和第二源极/漏极金属层154和156是用具有比较高的强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的，而另一金属层是用诸如铝(Al)系金属、钼(Mo)、和铜(Cu)等任意一种金属制成的。
然后在第二源极/漏极金属层156上形成一个光刻胶薄膜，随之用如图8B所示用于局部曝光的第二掩模160执行光刻工艺，形成具有阶梯部分的光刻胶图形168。第二掩模160包括为透明材料的掩模基板162，在掩模基板162的切除(cut-off)区P2上形成的切除部分164，以及在掩模基板162的局部曝光区P3上形成的衍射曝光部分166(或是半透明部分)。此处以暴露出掩模基板162的区域作为一个曝光区P1。用第二掩模如上所述对光刻胶薄膜显影，形成的光刻胶图形168在切除区P2和局部曝光区P3内有一个阶梯部分，它是由第二掩模160的衍射曝光部分166和切除部分164来确定的。具体地说，在局部曝光区P3内形成的光刻胶图形168有一个第二高度H2，它低于在切除区P2上形成的光刻胶图形168的第一高度H1。
接着用光刻胶图形168按湿法蚀刻工艺对第一和第二源极/漏极金属层154和156构图，形成如图8C所示包括数据线104、连接到数据线104的漏极112、象素电极、上存储电极122和数据焊盘130的第二导电图形组。
进而用光刻胶图形168按干法蚀刻工艺对n+非晶硅层149和非晶硅层147构图，沿着第二导电图形组形成电阻接触层150和有源层148。随后如图8C所示用氧(O2)等离子、通过灰化工艺消除在局部曝光区P3内按第二高度H2形成的光刻胶图形168，然而在切除区P2内按第一高度H1形成的光刻胶图形168具有较低的高度。用光刻胶图形168执行蚀刻步骤的局部曝光区P3也就是在薄膜晶体管的沟道部分形成的第一和第二源极/漏极金属层154和156被消除。例如，在第二源极/漏极金属层156用钼Mo制成而第一源极/漏极金属层154用钛Ti制成的情况下，用干法蚀刻工艺消除沟道部分的第二源极/漏极金属层156，并用湿法蚀刻工艺消除沟道部分的第一源极/漏极金属层154。反之，在第二源极/漏极金属层156用钛Ti制成而第一源极/漏极金属层154用钼Mo制成的情况下，用湿法蚀刻工艺消除沟道部分的第二源极/漏极金属层156，并用干法蚀刻工艺消除沟道部分的第一源极/漏极金属层154。这样就能将漏极112与包括源极的数据线104隔开。然后用光刻胶图形168按干法蚀刻工艺消除电阻接触层150，从而暴露出有源层148。进而如图8E所示用剥离工艺消除留在第二导电图形组上的光刻胶图形168。
图9A和9B分别是用来解释按照本发明实施例的薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第三掩模步骤的平面图和截面图。
如图9A和9B所示，用第三掩模步骤在与半导体图形和源极/漏极金属图形层叠的栅极绝缘薄膜146上形成包括第一到第三接触孔127、133和139的钝化薄膜152。
具体地说，在与半导体图形层叠的栅极绝缘薄膜146上用诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)等淀积技术形成钝化薄膜152。钝化薄膜152是用栅极绝缘薄膜146那样的无机绝缘材料或是具有小介电常数的一种有机绝缘材料例如是丙烯酸有机化合物，BCB(苯并环丁烯)或PFCB(全氟环丁烷)等等构成的。接着利用第三掩模用光刻工艺和蚀刻工艺对钝化薄膜152构图，形成第一到第三接触孔127、133和139。按照穿透钝化薄膜152和栅极绝缘薄膜146并且暴露出栅极焊盘124的方式形成第一接触孔127，按照穿透钝化薄膜152并且暴露出数据焊盘130的方式形成第二接触孔133，并按照穿透钝化薄膜152和栅极绝缘薄膜146并且暴露出公共焊盘136的方式形成第三接触孔139。暴露的栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136所具有的金属暴露结构具有高强度和耐腐蚀性。在这种情况下，栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136具有图10和11所示的两种结构。
例如，在下部的第一栅极金属层142由钛Ti制成而上部的第二栅极金属层144由钼Mo制成的情况下，栅极焊盘124和公共焊盘136就是仅仅由下部的第一栅极金属层142构成的，如图10所示。这是因为上部的第二栅极金属层144被用来形成第一和第三接触孔127和139的蚀刻步骤消除了。
反之，在下部的第一栅极金属层142由钼Mo制成而上部的第二栅极金属层144由钛Ti制成的情况下，栅极焊盘124和公共焊盘136具有双层结构的金属层，第一和第二栅极金属层142和144如图11所示层叠。通过使用第一和第三接触孔127和139，栅极焊盘124和公共焊盘136仍具有上部栅极金属层144的暴露结构。
进而，在下部的第一源极/漏极金属层154由钛Ti制成而上部的第二源极/漏极金属层156由钼Mo制成的情况下，数据焊盘130仅仅由下部的第一源极/漏极金属层154构成，如图10所示。这是因为上部的第二源极/漏极金属层156被用来形成第二接触孔133的蚀刻步骤消除了。
反之，在下部的第一源极/漏极金属层154由钼Mo制成而上部的第二源极/漏极金属层156由钛Ti制成的情况下，数据焊盘130具有双层结构的金属层，第一和第二源极/漏极金属层154和156如图11所示层叠。通过使用第二接触孔133，数据焊盘130仍具有上部源极/漏极金属层156的暴露结构。
如上所述，按照本发明的第一实施例，本发明第一实施例的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，象素电极114是用和漏极112相同的金属形成的。进而，无论怎样反复执行TCP的附接步骤，公共焊盘136都可采用高强度和耐腐蚀性的任何金属来防止公共焊盘的断开缺陷。这样能在本发明中省去透明导电薄膜，即不需要包括透明导电薄膜淀积步骤和构图步骤的处理步骤，这样能减少一个掩模步骤。换句话说，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板是用三轮掩模步骤形成的。
接着，用密封剂204将完成的薄膜晶体管阵列基板和采用另一工艺制成的滤色片阵列202的上基板接合，然后在二者之间注入液晶(未表示)就制成了图12和13所示的液晶面板。在这种情况下，在接合上基板200时不要与薄膜晶体管阵列基板上形成栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136的焊盘区域重叠。
接着，在薄膜晶体管阵列基板的焊盘区上用包括导电球184的各向异性导电薄膜(ACF)将其上安装有驱动IC的TCP170和180彼此附接。这样，通过ACF182的导电球分别将TCP170和180上形成的各个输出焊盘174、176和178电连接到栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136。具体地说，将形成在栅极TCP170的基础薄膜172上的第一TCP焊盘174电连接到栅极焊盘124，形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第二TCP焊盘176电连接到数据焊盘130，并将形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第三TCP焊盘178通过公共焊盘136的第一栅极金属层142和ACF182电连接。在这种情况下，栅极焊盘124，数据焊盘130和公共焊盘136所具有的结构中暴露出高强度和耐腐蚀性的金属层，从而即使是反复执行TCP170和180的附接步骤也不会因焊盘断开而出现缺陷。
图14的平面图表示按照本发明第二实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板。
如图14所示，薄膜晶体管阵列基板包括的元件与图4和5中所示薄膜晶体管阵列基板的元件相同，唯独在蚀刻第一栅极金属层142和第二栅极金属层144时采用了为下基板145防护蚀刻剂的一个蚀刻阻挡层143。因此，为了简化而省略了对相同元件的详细说明。
按照本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一栅极金属层142和第二栅极金属层144是用具有比较高强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的。在这种情况下，用来对金属层构图的蚀刻剂包括0.5％的氢氟酸HF系。蚀刻阻挡层143被形成在下基板145上防止玻璃材料的下基板145受到氢氟酸HF系蚀刻剂的过度蚀刻。蚀刻阻挡层143是用透明氧化物系材料例如是TiO2或Al2O3制成的，对氢氟酸HF系蚀刻剂具有强耐蚀性。
另一方面，与本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板制造方法相比，按照本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板制造方法还包括形成一个蚀刻阻挡层的步骤。由于这种联系，第二和第三掩模步骤与上文所述相同，因而省略了详细的说明。
图15A和15B分别是用来解释按照本发明第二实施例的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第一掩模步骤的平面图和截面图。
如图15A和15B所示，蚀刻阻挡层143被形成在下基板上，并且用第一掩模步骤在蚀刻阻挡层143上形成包括栅极线102、栅极108、栅极焊盘124、公共线116、公共电极118和公共焊盘136的第一导电图形组。
具体地说，在下基板145上用诸如溅射等淀积技术形成蚀刻阻挡层143。蚀刻阻挡层143是用透明氧化物系材料例如是TiO2或Al2O3制成的，对氢氟酸HF系蚀刻剂具有强耐蚀性。
接着通过溅射等淀积技术在带有蚀刻阻挡层143的下基板145上依次形成第一栅极金属层142和第二栅极金属层144，形成双层结构的栅极金属层。用第一掩模按光刻工艺和蚀刻工艺对栅极金属层构图，形成包括栅极线102、栅极108、栅极焊盘124、公共线116、公共电极118和公共焊盘136的第一导电图形组。第一和第二栅极金属层142和144中之一是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属例如是钛(Ti)和钨(W)制成的，而另一金属层是用诸如铝(Al)系金属、钼(Mo)、和铜(Cu)等任意一种金属制成的。
按照这种联系，如果用氢氟酸HF系蚀刻剂对采用高强度和耐腐蚀性金属的栅极金属层构图，蚀刻阻挡层143能够为下基板145防护氢氟酸HF系蚀刻剂。这样就能防止下基板145被氢氟酸HF系蚀刻剂过度蚀刻。
另一方面，用密封剂204将采用三轮掩模工艺完成的薄膜晶体管阵列基板和采用另一工艺制成的滤色片阵列202的上基板粘接，如图16和17所示，然后在二者之间注入液晶(未表示)就制成了一个液晶面板。在这种情况下，在粘接上基板200时不要与薄膜晶体管阵列基板上形成栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136的焊盘区域重叠。
接着在薄膜晶体管阵列基板的焊盘区上用包括导电球184的各向异性导电薄膜182(ACF)将其上安装有驱动IC的TCP170和180附接。如此通过ACF182的导电球电路分别将TCP170和180上形成的输出焊盘174、176和178连接到栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136。具体将形成在栅极TCP170的基础薄膜172上的第一TCP焊盘174电连接到栅极焊盘124，形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第二TCP焊盘176电连接到数据焊盘130，并将形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第三TCP焊盘178通过公共焊盘142和ACF182电连接。在这种情况下，栅极焊盘124，数据焊盘130和公共焊盘136所具有的结构中暴露出如图10和11中所示的高强度和耐腐蚀性的金属层。这样，即使是反复执行TCP的附接步骤，也不会因焊盘断开而出现缺陷。
图18的平面图表示按照本发明第三实施例的水平电场施加型液晶显示器中的一个薄膜晶体管阵列基板，而图19是图18中沿V-V’和VI-VI’线提取的薄膜晶体管阵列基板的一个截面图。
如图18和19所示，薄膜晶体管阵列基板包括的元件与图4和5中所示薄膜晶体管阵列基板的元件相同，唯独所形成的象素电极的指状部分和半导体层具有相同的宽度。因此，为了简化而省略了对相同元件的详细说明。
在按照本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板中，所形成的象素电极114与半导体图形具有相同的宽度，后者包括与象素电极114重叠的有源层148和电阻接触层150。具体地说，象素电极114的指状部分114B和与这一指状部分重叠的半导体图形148和150是按相同的宽度形成的。这样能在位于象素电极指状部分114B下部的半导体图形148和150比指状部分114B宽的情况下防止布置在象素电极指状部分114B和公共电极118之间的孔径区因半导体图形148和150而缩小。
另一方面，与本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板制造方法相比，按照本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板制造方法还包括用象素电极作为掩模蚀刻半导体图形的步骤，以便使象素电极的指状部分和半导体图形整体重叠。因此，第一和第二掩模步骤与上文所述相同，因而省略了详细的说明。
图20A到20D分别是用来具体解释按照本发明第三实施例的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板的制造方法当中的第三掩模步骤的平面图和截面图。
如图20A所示，用诸如等离子增强化学蒸汽淀积(PECVD)等淀积技术在层叠有半导体图形和源极/漏极金属图形的栅极绝缘薄膜146上形成一个钝化薄膜152。钝化薄膜152是用栅极绝缘薄膜146相同的无机材料或是具有小介电常数的一种有机材料例如是丙烯酸有机化合物、BCB(苯并环丁烯)或PFCB(全氟环丁烷)等等构成的。接着在钝化薄膜152上整体形成一个光刻胶薄膜，然后如图20B所示在下基板145上面布置一个第三掩模210。第三掩模210包括透明材料的掩模基板214和形成在掩模基板214的切除区P2内的一个切除部分212。此处用掩模基板214的暴露区域作为曝光区P1。用第三掩模210对光刻胶薄膜曝光和显影，在切除区P2内对应着第三掩模210的切除部分212内形成光刻胶图形216。用光刻胶图形216按蚀刻工艺对钝化薄膜152构图，从而形成如图20C所示的第一到第三接触孔127、133和139以及一个通孔220。
按照穿透钝化薄膜152和栅极绝缘薄膜146并暴露出栅极焊盘124的方式形成第一接触孔127，按照穿透钝化薄膜152并暴露出数据焊盘130的方式形成第二接触孔133，并按照穿透钝化薄膜152和栅极绝缘薄膜146并暴露出公共焊盘136的方式形成第三接触孔139。在暴露的栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136所具有的结构中，具有高强度和耐腐蚀性的金属层被暴露出来。
通孔220穿透钝化薄膜152和栅极绝缘薄膜146，与具有第一宽度d1的象素电极114重叠，并暴露出栅极绝缘薄膜146和半导体图形，所述的半导体图形包括具有大于象素电极114宽度的第二宽度d2的电阻接触层150和有源层148。此时，暴露的半导体图形148和150的宽度d2大约是6μm～6.5μm，而象素电极的宽度d1大约是3μm～3.5μm。
接着用暴露的象素电极114作为掩模对半导体图形148和150执行干法蚀刻，使得象素电极114与半导体图形148和150具有彼此相同的第一宽度，并且如图20D所示彼此整体重叠。例如，整体重叠的象素电极114与半导体图形148和150具有约3μm的宽度。
另一方面，第三掩模步骤形成的暴露的栅极焊盘124、数据焊盘130、公共焊盘136和象素电极114具有图21和22所示的两种结构。
例如，在下部的第一栅极金属层142由钛Ti制成而上部的第二栅极金属层144由钼Mo制成的情况下，栅极焊盘124和公共焊盘136就是仅仅由下部的第一栅极金属层142构成的，如图21所示。这是因为第二栅极金属层144被用来形成第一和第三接触孔127和139的蚀刻步骤消除了。
反之，在下部的第一栅极金属层142由钼Mo制成而上部的第二栅极金属层144由钛Ti制成的情况下，栅极焊盘124和公共焊盘136具有双层结构的金属层，第一和第二栅极金属层142和144如图22所示层叠。上部的第二栅极金属层144具有用第一和第三接触孔127和139暴露栅极焊盘124和公共焊盘136的结构。
进而，在下部的第一源极/漏极金属层154由钛Ti制成而上部的第二源极/漏极金属层156由钼Mo制成的情况下，数据焊盘130和象素电极114仅仅由下部的第一源极/漏极金属层154构成，如图21所示。这是因为上部的第二源极/漏极金属层156被用来形成第二接触孔133的蚀刻步骤消除了。
反之，在下部的第一源极/漏极金属层154由钼Mo制成而上部的第二源极/漏极金属层156由钛Ti制成的情况下，数据焊盘130和象素电极114具有双层结构的金属层，第一和第二源极/漏极金属层154和156如图22所示层叠。同样，数据焊盘130具有用第二接触孔133暴露出上部的第二源极/漏极金属层156的结构，而象素电极114具有用通孔220暴露出上部的第二源极/漏极金属层156的结构。
如上所述，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，象素电极114是用和漏极112相同的金属形成的。进而，象素电极114与半导体图形148和150是整体重叠的，避免因半导体图形148和150影响到孔径比。
进而，栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136是用具有高强度和耐腐蚀性的任意金属制成的，能够防止因反复执行TCP的附接步骤而断开造成的缺陷。因此，本发明不需要透明导电薄膜，也就是不需要透明导电薄膜淀积和构图步骤，这样能减少一个掩模步骤。换句话说，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板是用三轮掩模步骤获得的。
接着用密封剂204将完成的薄膜晶体管阵列基板和采用另一工艺制成的滤色片阵列272的上基板270粘接，然后在二者之间注入液晶(未表示)就制成了图23和24所示的液晶面板。在这种情况下，在粘接上基板270时不要与薄膜晶体管阵列基板上形成栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136的焊盘区域重叠。
接着在薄膜晶体管阵列基板的焊盘区上用包括导电球184的各向异性导电薄膜(ACF)182将其上安装有驱动IC的TCP170和180彼此粘接。如此通过ACF182的导电球184分别将TCP170和180上形成的输出焊盘174、176和178电连接到栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136。具体地说，将形成在栅极TCP170的基础薄膜172上的第一TCP焊盘174电连接到栅极焊盘124，形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第二TCP焊盘176电连接到数据焊盘130，并将形成在数据TCP180的基础薄膜172上的第三TCP焊盘178通过公共焊盘136的第一栅极金属层142和ACF182而电连接。在这种情况下，栅极焊盘124、数据焊盘130和公共焊盘136所具有的结构中暴露出高强度和耐腐蚀性的金属层，即使是反复执行TCP170和180的粘接步骤也不会因焊盘断开而出现缺陷。
如上所述，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，象素电极是用和漏极相同的金属形成的，并且焊盘具有这样的结构，即暴露出具有高强度和耐腐蚀性的金属层结构，以免因断开而造成缺陷，而且这些焊盘通过ACF连接到TCP。因此，本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法不需要透明导电薄膜，也就是不需要透明导电薄膜淀积和构图步骤，这样能减少一个掩模步骤。
进而，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，采用蚀刻阻挡层来保护基板，能够防止基板受到用来对具有高强度和耐腐蚀性的金属层构图的氢氟酸HF系蚀刻剂造成的损伤。
另外，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，象素电极的指状部分和下部的半导体图形是整体重叠的。因此，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，能够避免宽度与象素电极的指状部分相同的半导体图形影响到孔径比。
因此，按照本发明的水平电场施加型薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，有可能用三轮掩模步骤来制造薄膜晶体管阵列基板，从而简化薄膜晶体管阵列基板的结构和工艺，并且降低制造成本和提高产量。
尽管以上参照附图解释了本发明的实施例，应该说本领域的技术人员都能理解本发明并非仅限于这些实施例，无需脱离本发明的原理还能对其作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的范围应该仅仅由权利要求书及其等效物来确定。

Claims (17)

1.一种用来制造水平电场施加型液晶显示器的方法，包括：
通过第一掩模步骤、第二掩模步骤和第三掩模步骤制备一个薄膜晶体管阵列基板：
通过使用第一掩模步骤在基板上形成第一导电图形组，其中所述第一导电图形组包括栅极线、薄膜晶体管的栅极、栅极焊盘、公共线、公共电极和公共焊盘；
在提供有第一导电图形组的基板上形成栅极绝缘薄膜；
通过使用第二掩模步骤形成第二导电图形组和半导体图形组，其中所述第二导电图形组包括数据线、所述薄膜晶体管的源极和漏极、象素电极、数据焊盘和上存储电极，并且所述半导体图形组包括有源层和电阻接触层；以及
形成钝化薄膜；
通过使用第三掩模步骤构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜以形成第一至第三接触孔，其中所述第一接触孔暴露出所述栅极焊盘、所述第二接触孔暴露出所述公共焊盘；以及所述第三接触孔暴露出所述数据焊盘；
制备一个面对薄膜晶体管阵列基板的滤色片阵列基板；以及
组装薄膜晶体管阵列基板和滤色片阵列基板并且将导电薄膜连接至栅极焊盘、数据焊盘和公共焊盘。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述第一和第二导电图形组中任意之一具有一种双层结构，其中具有主导电层和防止主导电层断开的次导电层。
3.按照权利要求2的方法，其特征在于，所述主导电层包括铝系金属、铜、钼之一，所述铝系金属、铜、钼为低电阻金属；以及所述次导电层包括钛和钨。
4.按照权利要求3的方法，其特征在于，所述主导电层形成在所述次导电层上方。
5.按照权利要求4的方法，其特征在于，所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤包括：
形成穿透钝化薄膜、栅极绝缘薄膜和所述栅极焊盘的主导电层的第一接触孔以暴露出所述栅极焊盘的次导电层；
形成穿透所述钝化薄膜、栅极绝缘薄膜和所述公共焊盘的主导电层的第二接触孔以暴露出所述公共焊盘的次导电层；以及
形成穿透所述钝化薄膜和所述数据焊盘的主导电层的第三接触孔以暴露出所述数据焊盘的次导电层。
6.按照权利要求3的方法，其特征在于，所述主导电层形成在所述次导电层的下方。
7.按照权利要求6的方法，其特征在于，所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤包括：
形成穿透所述钝化薄膜和所述栅极绝缘薄膜的第一接触孔以暴露出所述栅极焊盘的次导电层；
形成穿透所述钝化薄膜和所述栅极绝缘薄膜的第二接触孔以暴露出所述公共焊盘的次电导层；以及
形成穿透所述钝化薄膜的第三接触孔以暴露出所述数据焊盘的次导电层。
8.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述形成第二导电图形组的步骤进一步包括形成与公共线重叠的所述上存储电极，二者之间具有栅极绝缘薄膜。
9.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述制备薄膜晶体管阵列基板的步骤，在所述形成第一导电图形组的步骤之前，进一步包括：
制备一个基板；并且
在基板上形成一个蚀刻阻挡层。
10.按照权利要求9的方法，其特征在于，蚀刻阻挡层包括透明氧化物系材料，对氢氟酸HF系的蚀刻剂具有很强的耐腐蚀性。
11.按照权利要求10的方法，其特征在于，蚀刻阻挡层包括TiO2和Al2O3中任意之一。
12.按照权利要求2的方法，其特征在于，所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤还包括：通过第三掩模步骤形成通孔，使通孔穿透所述钝化薄膜和栅极绝缘薄膜，与具有第一宽度的象素电极重叠，并暴露出所述栅极绝缘薄膜以及包括电阻接触层和有源层的半导体图形组，该半导体图形组具有大于象素电极的宽度的第二宽度。
13.按照权利要求2的方法，其特征在于，所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤包括：
形成穿透钝化薄膜、栅极绝缘薄膜和所述栅极焊盘的主导电层的第一接触孔以暴露出所述栅极焊盘的次导电层，其中所述栅极焊盘的主导电层形成在所述栅极焊盘的次导电层的上方；
形成穿透所述钝化薄膜、栅极绝缘薄膜和所述公共焊盘的主导电层的第二接触孔以暴露出所述公共焊盘的次导电层，其中所述公共焊盘的主导电层形成在所述公共焊盘的次导电层的上方；
形成穿透所述钝化薄膜和所述数据焊盘的主导电层的第三接触孔以暴露出所述数据焊盘的次导电层；以及
形成穿透所述钝化薄膜、象素电极的主导电层以及栅极绝缘薄膜的通孔以暴露出象素电极的次导电层以及在所述象素电极的次导电层下方的半导体图形组。
14.按照权利要求12的方法，其特征在于，所述主导电层形成在所述次导电层的下方。
15.按照权利要求14的方法，其特征在于，所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤包括：
形成穿透所述钝化薄膜和所述栅极绝缘薄膜的第一接触孔以暴露出所述栅极焊盘的次导电层；
形成穿透所述钝化薄膜和所述栅极绝缘薄膜的第二接触孔以暴露出所述公共焊盘的次电导层；
形成穿透所述钝化薄膜的第三接触孔以暴露出所述数据焊盘的次导电层；以及
形成穿透所述钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的通孔以暴露出所述象素电极的次导电层以及在所述象素电极的次导电层下方的象素电极的主导电层以及半导体图形组。
16.按照权利要求13或15所述方法，还包括：
在所述构图钝化薄膜和栅极绝缘薄膜的步骤之后通过使用所述象素电极作为掩模构图所述半导体图形组，以使象素电极的指状部分和半导体图形组整体重叠。
17.一种采用权利要求1-16中任意之一的方法制造的液晶显示器。
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