CN110488544B - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，用于提高显示效果。在本发明实施例中，通过对第一透明导电电极中的第一部分和第二部分的电阻的设置，在第一部分直接与配向膜接触时，可以减少第一部分与配向膜之间的电阻差异，以避免在有光线射入和施加驱动电压的情况下减少对灰度的影响，进而避免因灰度出现不良变化而导致的闪烁问题出现，从而提高了显示效果。

Description

一种阵列基板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板及显示装置。
背景技术
液晶显示器是一种非自发光器件，需要设置背光模组，通过背光模组提供的背光源实现显示功能。并且，液晶显示面板中一般包括相对而置的阵列基板和对向基板，以及位于阵列基板和对向基板之间的液晶；此外，液晶显示面板中一般还包括像素电极和公共电极，通过像素电极和公共电极形成的电场，可以驱动液晶发生偏转，从而实现显示。
其中，像素电极一般设置在阵列基板之上，公共电极可以设置在阵列基板之上，也可以设置在对向基板之上。在公共电极设置在阵列基板之上时，该种结构的液晶显示器可能会出现闪烁的问题，导致显示效果下降。
基于此，如何解决该种结构的显示器中出现的闪烁问题，以提高显示效果，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，用以提高液晶显示器的显示效果。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述阵列基板还包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板之上的第一透明导电电极，所述第一透明导电电极包括：位于所述显示区域内的第一甲透明导电电极、以及位于所述非显示区域的第一乙透明导电电极；
沿垂直于所述衬底基板所在平面方向，位于所述衬底基板与所述第一透明导电电极之间的第二透明导电电极，所述第二透明导电电极为像素电极，所述第一甲透明导电电极为公共电极；或，所述第二透明导电电极为公共电极，所述第一甲透明导电电极为像素电极；
位于所述显示区域内的配向膜，所述配向膜位于所述第一甲透明导电电极远离所述衬底基板一侧；
其中，沿垂直于所述衬底基板所在平面方向，所述第一透明导电电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分至少位于所述第二部分背离所述衬底基板的一侧表面；针对所述第一甲透明导电电极，所述第一部分的电阻值大于所述第二部分的电阻值；针对所述第一乙透明导电电极，所述第一部分的电阻值等于所述第二部分的电阻值。
第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括显示面板；
所述显示面板包括如本发明实施例提供的上述阵列基板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种阵列基板及显示装置，通过对第一透明导电电极中的第一部分和第二部分的电阻的设置，在第一部分直接与配向膜接触时，可以减少第一部分与配向膜之间的电阻差异，以避免在有光线射入和施加驱动电压的情况下减少对灰度的影响，进而避免因灰度出现不良变化而导致的闪烁问题出现，从而提高了显示效果。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的结构示意图；
图2为载流子迁移示意图；
图3为本发明实施例中提供的一种阵列基板的示意图；
图4为沿着图3中X1-X2方向所示的剖视图；
图5为沿着图3中X1-X2方向所示的另一个剖视图；
图6为沿着图3中X1-X2方向所示的又一个剖视图；
图7为本发明实施例中提供的配向膜的结构的示意图；
图8为本发明实施例中提供的第一绝缘层的设置位置的示意图；
图9为本发明实施例中提供的显示面板的结构示意图；
图10为本发明实施例中提供的显示装置的结构示意图。
其中，A-显示区域，B-非显示区域，100-显示面板，200-背光模组，10-阵列基板，20-对向基板，30-液晶，11-衬底基板，12-第一透明导电电极，12a-第一甲透明导电电极，12b-第一乙透明导电电极，a1、b1-第一部分，a2、b2-第二部分，13-第二透明导电电极，14-配向膜，14a-第一膜层，14b-第二膜层，14c-第三膜层，15-第一绝缘层，16-第二绝缘层，P-像素电极，Vc-公共电极。
具体实施方式
下面将结合附图，对本发明实施例提供的一种阵列基板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。需要说明的是，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
发明人在研究中发现，参见图1所示的阵列基板的局部示意图，阵列基板包括：衬底基板11、依次位于衬底基板11之上的像素电极P、第二绝缘层16、公共电极Vc、以及配向膜14；其中，相邻公共电极Vc之间具有间隙，使得配向膜14不仅与公共电极Vc直接接触，还与第二绝缘层16直接接触。
由于配向膜14的电阻值一般为1013欧姆/平方米-1015欧姆/平方米，第二绝缘层16的电阻值一般为1015欧姆/平方米，公共电极Vc的电阻值一般为103欧姆/平方米，所以，配向膜14与第二绝缘层16之间的电阻差异较小，配向膜14与公共电极Vc之间的电阻差异较大，使得配向膜14与公共电极Vc之间的接触可以看作是PN结或金属与半导体之间的接触(即肖特基接触)，而配向膜14与第二绝缘层16之间的接触部分，则不会出现肖特基接触这种现象。
例如，参见图2所示的载流子迁移示意图，在有背光源入射至显示面板中，且入射光的能量大于界面(即配向膜14与公共电极Vc之间的界面)处的禁带宽度时，价带中的电子吸收光子发生跃迁进入导带，形成电子和空穴对，即为光生载流子。因配向膜14与公共电极Vc之间的界面处存在电势差，使得光生载流子中的空穴和电子在电位差形成的电场作用下发生分离和移动，从而使得配向膜14与公共电极Vc之间产生电位差，这种现象称之为光电效应。
并且，参见图2所示，在形成光电效应时，电子会集中在公共电极Vc之上，而空穴会集中在第二绝缘层16之上。其中，第一状态表示未有背光源射入至显示面板且未施加驱动电压的状态，第二状态表示有背光源射入至显示面板且未施加驱动电压的状态，第三状态表示施加驱动电压的状态，第四状态表示电子迁移的状态，第五状态表示平衡状态，M1表示配向膜14，M2表示公共电极Vc，M3表示第二绝缘层16，M4表示像素电极。
此外，在向公共电极Vc中施加正驱动电压和负驱动电压(其中，正驱动电压和负驱动电压的电压的绝对值可以相同)时，由于光电效应造成不同的载流子残留在不同的位置，使得施加到公共电极Vc中的正驱动电压和负驱动电压的电压绝对值出现差异，这种差异会对灰度造成不良影响，从而导致闪烁的问题出现，降低了显示效果。
基于此，本发明实施例提供了一种阵列基板，用于避免在有光线射入和施加驱动电压的情况下减少对灰度的影响，进而避免因灰度出现不良变化而导致的闪烁问题出现，从而提高了显示效果。
具体地，本发明实施例提供的上述阵列基板，如图3至图6所示，其中，图3为阵列基板的平面示意图，图4为沿着图3中X1-X2方向所示的剖视图，图5为沿着图3中X1-X2方向所示的另一个剖视图，图6为沿着图3中X1-X2方向所示的又一个剖视图。
参见图3至图6所示，阵列基板可以包括显示区域A和围绕显示区域A的非显示区域B，阵列基板还包括：
衬底基板11；
位于衬底基板11之上的第一透明导电电极12，第一透明导电电极12包括：位于显示区域A内的第一甲透明导电电极12a、以及位于非显示区域B的第一乙透明导电电极12b；第一甲透明导电电极12a和第一乙透明导电电极12b同层制作；
沿垂直于衬底基板11所在平面方向，位于衬底基板11与第一透明导电电极12之间的第二透明导电电极13，第二透明导电电极13为像素电极，第一甲透明导电电极12a为公共电极，如图4和图6所示；或，第二透明导电电极13为公共电极，第一甲透明导电电极12a为像素电极，如图5所示；
位于显示区域A内的配向膜14，配向膜14位于第一甲透明导电电极12a远离衬底基板11一侧；
其中，沿垂直于衬底基板11所在平面方向，第一透明导电电极12包括第一部分(如a1、b1)和第二部分(如a2、b2)，第一部分(如a1、b1)至少位于第二部分(如a2、b2)背离衬底基板11的一侧表面；
针对第一甲透明导电电极12a，第一部分(如a1)的电阻值大于第二部分(如a2)的电阻值；
针对第一乙透明导电电极12b，第一部分(如b1)的电阻值等于第二部分(如b2)的电阻值。
在本发明实施例提供的阵列基板为液晶显示面板中的阵列基板时，驱动电压可以控制液晶显示面板中的液晶的偏转角度，偏转角度的不同使得背光源透过液晶的光线的量就不同，进而使得液晶显示面板中的各像素显示相应地灰度。
在实际情况中，为了提高显示效果，消除残影，通常采用列反转、或行反转、又或是点反转的驱动方式。并且，需要施加的正驱动电压和负驱动电压的电压绝对值是相同的，以提高显示效果，消除闪烁。
如果施加的正驱动电压和负驱动电压的电压绝对值的差异较大，则会影响液晶的偏转角度，进而影响透过液晶的光线的量，对显示的灰度造成不良影响，出现闪烁的问题，降低显示效果。
在本发明实施例中，通过对第一透明导电电极12中的第一部分和第二部分的不同电阻的设置，在第一部分直接与配向膜14接触时，可以减少第一部分与配向膜14之间的电阻差异，即减少了第一透明导电电极12与配向膜14之间的电阻差异，以抑制第一透明导电电极12与配向膜14之间界面处的光电效应，进而可以减少施加到第一透明导电电极12中的正驱动电压和负驱动电压的电压绝对值出现差异，避免这种差异对灰度造成不良影响，从而避免闪烁的问题出现，提高了显示效果。
在具体实施时，在本发明实施例中，沿垂直于衬底基板11所在平面方向，第一部分除了位于第二部分与配向膜14之间，即第一部分位于第二部分的顶端(如图4和图5所示)，第一部分还可以位于第二部分的侧面，即第一部分还设置于第二部分的侧面，以对第二部分形成包覆，第二部分的侧面与衬底基板11的表面垂直，参见图6所示。
也就是说，第一部分(如a1)像一个帽子一样盖在第二部分(如a2)之上，以避免第二部分(如a2)与配向膜14直接接触，即通过第一部分将第二部分与配向膜14进行隔离；又因第一部分(如a1)的电阻值大于第二部分(如a2)的电阻值，从而可以有效减少第一透明导电电极12与配向膜14之间的电阻差异，有利于抑制第一透明导电电极12与配向膜14之间界面处的光电效应，进而有利于避免对灰度造成不良影响，避免闪烁的问题出现，从而提高了显示效果。
在具体实施时，在本发明实施例中，在制作第一透明导电电极12和第二透明导电电极13时，可以均采用透明导电材料制作而成，以保证第一透明导电电极12和第二透明导电电极13具有较好的透光率，从而避免对入射至显示面板中的光线造成不良影响，保证正常的显示效果。
并且，对于第一甲透明导电电极12a，为了实现第一部分的电阻值大于第二部分的电阻值，在本发明实施例中，可以采用如下方式：
方式1：
针对第一甲透明导电电极12a，第一部分中透明导电材料的纯度小于第二部分中透明导电材料的纯度。
也就是说，通过在第一部分中增加杂质，可以降低第一部分中透明导电材料的纯度。如此，使得第一部分中透明导电材料的所占比例降低，进而使得第一部分的电阻值增加，从而有利于降低第一部分与配向膜之间的电阻差异。
其中，以透明导电材料为氧化铟锡(即ITO)为例，具体的工艺过程可以有以下几种：
例如，高温结晶性良好的ITO成膜后，在随后的成膜环境中追加不纯物。
又例如，高温结晶性良好的ITO成膜后，在ITO表面添加高电阻的不纯物。
再例如，高温结晶性良好的ITO成膜、PR(即光刻)工艺后，在ITO表面添加高电阻的不纯物。
当然，降低第一部分中透明导电材料的纯度的方法，并不限于上述三个例子，还可以是本领域技术人员所熟知的其他可以实现该目的的方式，在此并不限定。
方式2：
针对第一甲透明导电电极12a，第一部分中透明导电材料的结晶度小于第二部分中透明导电材料的结晶度。
通过降低第一部分的结晶度，可以降低第一部分中结晶度良好的透明导电材料的纯度，而结晶度较低的透明导电材料在导电性方面会有所降低。如此，可以使得第一部分的电阻值增加，从而有利于降低第一部分与配向膜之间的电阻差异。
其中，以透明导电材料为氧化铟锡(即ITO)为例，具体的工艺过程可以有以下方式：
例如，高温结晶性良好的ITO成膜后，在常温成膜环境中形成成膜结晶性差的ITO。
当然，降低第一部分中透明导电材料的结晶度的方法，并不限于上述例子，还可以是本领域技术人员所熟知的其他可以实现该目的的方式，在此并不限定。
可选地，不管是通过上述方式1还是方式2增加第一部分的电阻时，第一部分的厚度可以为1纳米至10纳米。
如此，可以避免第一部分过厚对第一甲透明导电电极12a的导电性造成较大的影响，还可以避免第一部分过薄对降低第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间的电阻差异的作用不明显，以及避免第一部分过薄无法成膜的问题出现，从而在保证显示装置正常显示的情况下提高显示效果。
说明一点，可选地，在本发明实施例中，针对第一乙透明导电电极12b，第一部分的电阻值等于第二部分的电阻值。
这是由于：
显示面板除了包括阵列基板，还包括与阵列基板相对而置的对向基板，对向基板一般也设置有导电电极，以实现触控检测或是其他作用，具体可参见现有技术中，在此不再详述。为了能够将对向基板中导电电极上传输的信号传输至阵列基板中的驱动芯片中，可以在对向基板面向阵列基板的一侧设置导电端子，该导电端子可以与位于非显示区域B的第一乙透明导电电极12b电连接，用于将对向基板中的信号传输至阵列基板的驱动芯片中。
因此，如果第一乙透明导电电极12b中的第一部分的电阻值大于第二部分的电阻值，说明第一部分的导电性会相对差一点，此时与对向基板中的导电端子电连接时，由于是第一部分与导电端子直接接触，会造成电连接性能不良，进而造成导电端子中的信号无法有效地传输至阵列基板中，从而导致显示面板无法正常工作。
基于此，需要设置为第一乙透明导电电极12b中的第一部分的电阻值等于第二部分的电阻值，以保证导电端子与第一乙透明导电电极12b中的第一部分的有效电连接，将导电端子中的信号通过第一乙透明导电电极12b中的第一部分传输至驱动芯片中，从而保证显示面板可以正常有效地工作。
可选地，为了实现第一甲透明导电电极12a中的第一部分的电阻值大于第二部分的电阻值，第一乙透明导电电极12b中的第一部分的电阻值等于第二部分的电阻值，在本发明实施例中，可以采用以下方式制备第一甲透明导电电极12a和第一乙透明导电电极12b：
例如，PR方法，具体过程为：
在第一部分成膜后，进行Photoresist(即光阻层)涂布，再经过曝光、显影后，对位于非显示区域B内的第一部分进行刻蚀和剥离，然后再继续在对剥离后的第二部分表面制作电阻值不变的第一部分，使得第一乙透明导电电极12b整体的电阻值较低，第一甲透明导电电极12a面向配向膜14的一侧电阻值较高。
又例如，mask sputter(即掩膜板溅射)法，具体过程为：
通过掩膜版的遮挡作用，分别在位于显示区域A内的第二部分表面形成电阻值较高的第一部分，以形成第一甲透明导电电极12a，在位于非显示区域B内的第二部分表面形成电阻值不变的第一部分，以形成第一乙透明导电电极12b。
可选地，在本发明实施例中，针对第一甲透明导电电极12a，第一部分的电阻值大于1014欧姆/平方米，第二部分的电阻值为102欧姆/平方米-103欧姆/平方米；
针对第一乙透明导电电极12b，第一部分与第二部分的电阻值均为102欧姆/平方米-103欧姆/平方米。
如此，既可以保证第一甲透明导电电极12a和第一乙透明导电电极12b实现自身的功能，还可以通过降低第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间的电阻差异抑制光电效应，进而避免对灰度造成不良影响，有利于消除闪烁现象，提高显示效果。
在具体实施时，为了能够进一步地提高显示效果，在本发明实施例中，还可以包括以下几种设置方式：
第一种设置方式：
如图7所示的配向膜的结构的示意图，配向膜14可以包括：叠层设置的第一膜层14a、第二膜层14b和第三膜层14c，第一膜层14a靠近第一甲透明导电电极12a设置；
第二膜层14b的电阻值小于第一膜层14a的电阻值，第二膜层14b的电阻值小于第三膜层14c的电阻值。
如此，通过对配向膜14的结构设置，可以进一步地降低第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间的电阻差异，从而有效消除闪烁现象，进一步提高显示效果。
说明一点，在图7中，是以第一部分位于第二部分面向第一部分的顶端、以及位于第二部分的侧面这样结构(如图6所示)的基础上给出的，但并不说明在对配向膜14进行设置时只能以图6所示的结构为基础，即在对配向膜14进行设置时，可以图4、图5和图6所示的三种结构为基础，此时只是以图7所示的结构为例进行说明。
具体地，在本发明实施例中，第二膜层14b的电阻值1010欧姆/平方米-1013欧姆/平方米，第一膜层14a的电阻值大于1014欧姆/平方米，第三膜层14c的电阻值大于1015欧姆/平方米。
如此，既可以保证配向膜14实现自身的功能，还可以通过进一步地降低第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间的电阻差异抑制光电效应，进而避免对灰度造成不良影响，有利于消除闪烁现象，提高显示效果。
具体地，在本发明实施例中，第一膜层14a、第二膜层14b和第三膜层14c的制作材料均包括聚酰亚胺。
也就是说，在制作配向膜14中的三个膜层时，可以均采用聚酰亚胺材料制作而成，只是在制作时，可以通过任意手段调整三个膜层的电阻值，从而在不改变原配向膜14的制作材料的基础上实现了调整配向膜14的电阻值，从而有利于保证原配向膜14的基本功能的基础上提高显示效果。
第二种设置方式：
如图8所示的第一绝缘层的设置位置的示意图，阵列基板还包括：位于第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间的第一绝缘层15。
也就是说，通过在第一甲透明导电电极12a与配向膜14之间增加第一绝缘层15，可以避免第一甲透明导电电极12a与配向膜14直接接触，进而避免形成PN结或金属与半导体之间的接触，从而在根本上消除了光电效应，消除了闪烁现象，提高了显示效果，同时还可以提高显示面板的可靠性。
说明一点，在图8中，是以第一部分位于第二部分面向第一部分的顶端这样结构(如图4所示)的基础上给出的，但并不说明在对第一绝缘层15进行设置时只能以图4所示的结构为基础，即在对第一绝缘层15进行设置时，可以图4、图5和图6所示的三种结构为基础，此时只是以图8所示的结构为例进行说明。
具体地，在形成第一绝缘层15时，可以采用以下方式：
例如，PR方法，具体过程为：
在第一绝缘层15成膜后，进行Photoresist(即光阻层)涂布，再经过曝光、显影后，对位于非显示区域B内的第一绝缘层15进行刻蚀和剥离，使得第一绝缘层15存在于显示区域A内。
第三种设置方式：
减少第二绝缘层的电阻值，以增加残留在此的空穴的迁移率，减少残留在第二绝缘层上的空穴的量，进而减少对驱动电压的影响，从而减少对灰度的影响，提高显示效果。
其中，由于第二绝缘层的作用为绝缘，所以第二绝缘层的电阻值不能过小，以免第一透明导电电极与第二透明导电电极之间发生短路，因此，只要能够通过第二绝缘层实现绝缘作用、以及减少对灰度的影响即可，对于第二绝缘层的电阻值在此并不限定。
第四种设置方式：
增加配向膜的电阻值，减少电子在配向膜中的移动，可以在一定程度上抑制光电效应，进而减少对驱动电压的影响，从而减少对灰度的影响，提高显示效果。
其中，只要能够通过配向膜实现对液晶偏转角度的调节作用、以及减少对灰度的影响即可，对于配向膜的电阻值在此并不限定。
说明一点，上述介绍了四种设置方式，以进一步地提高显示效果，在实际情况中，可以将上述四种设置方式进行组和使用，但具体如何进行组和使用，可以根据实际情况进行设计，在提高设计的灵活性，满足不同场景的需要的同时，以最大程度地消除闪烁现象，有效提高显示效果。
基于同一发明构思，本发明实施例提供了一种显示装置，如图10所示的显示装置的结构示意图，可以包括显示面板100；
参见图9所示的显示面板的结构示意图，显示面板包括如本发明实施例提供的上述阵列基板10。
可选地，参见图9所示，显示面板还包括：与阵列基板10相对而置的对向基板20、以及位于阵列基板10与对向基板20之间的液晶30。
其中，因公共电极与像素电极均设置在阵列基板10之上，所以可以通过公共电极与像素电极之间形成的fringe(边缘)电场，可以驱动显示面板中的液晶发生偏转，以实现显示功能。
可选地，参见图10所示，显示装置还包括背光模组200，显示面板100位于背光模组200的出光面，图中箭头表示背光模组200的出光方向，其中，背光模组200可以为直下式结构，还可以为侧入式结构，在此并不限定，只要能够通过背光模组200为显示面板100提供背光源即可。
在具体实施时，该显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供了一种阵列基板及显示装置，通过对第一透明导电电极中的第一部分和第二部分的电阻的设置，在第一部分直接与配向膜接触时，可以减少第一部分与配向膜之间的电阻差异，以避免在有光线射入和施加驱动电压的情况下减少对灰度的影响，进而避免因灰度出现不良变化而导致的闪烁问题出现，从而提高了显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述阵列基板还包括：
衬底基板；
位于所述衬底基板之上的第一透明导电电极，所述第一透明导电电极包括：位于所述显示区域内的第一甲透明导电电极、以及位于所述非显示区域的第一乙透明导电电极；
沿垂直于所述衬底基板所在平面方向，位于所述衬底基板与所述第一透明导电电极之间的第二透明导电电极，所述第二透明导电电极为像素电极，所述第一甲透明导电电极为公共电极；或，所述第二透明导电电极为公共电极，所述第一甲透明导电电极为像素电极；
位于所述显示区域内的配向膜，所述配向膜位于所述第一甲透明导电电极远离所述衬底基板一侧；
其中，沿垂直于所述衬底基板所在平面方向，所述第一透明导电电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分至少位于所述第二部分背离所述衬底基板的一侧表面；针对所述第一甲透明导电电极，所述第一部分的电阻值大于所述第二部分的电阻值；针对所述第一乙透明导电电极，所述第一部分的电阻值等于所述第二部分的电阻值。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分还设置于所述第二部分的侧面，所述第二部分的侧面与所述衬底基板的表面垂直。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电电极和所述第二透明导电电极均采用透明导电材料制作而成；
针对所述第一甲透明导电电极，所述第一部分中所述透明导电材料的纯度小于所述第二部分中所述透明导电材料的纯度，或所述第一部分中所述透明导电材料的结晶度小于所述第二部分中所述透明导电材料的结晶度。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一部分的厚度为1纳米至10纳米。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，针对所述第一甲透明导电电极，所述第一部分的电阻值大于1014欧姆/平方米，所述第二部分的电阻值为102欧姆/平方米-103欧姆/平方米；
针对所述第一乙透明导电电极，所述第一部分与所述第二部分的电阻值均为102欧姆/平方米-103欧姆/平方米。
6.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述配向膜包括：叠层设置的第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层靠近所述第一甲透明导电电极设置；
所述第二膜层的电阻值小于所述第一膜层的电阻值，所述第二膜层的电阻值小于所述第三膜层的电阻值。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第二膜层的电阻值1010欧姆/平方米-1013欧姆/平方米，所述第一膜层的电阻值大于1014欧姆/平方米，所述第三膜层的电阻值大于1015欧姆/平方米。
8.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一膜层、所述第二膜层和所述第三膜层的制作材料均包括聚酰亚胺。
9.如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：位于所述第一甲透明导电电极与所述配向膜之间的第一绝缘层。
10.一种显示装置，其特征在于，包括显示面板；
所述显示面板包括如权利要求1-9任一项所述的阵列基板。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1550857A (zh) * 2003-03-29 2004-12-01 Lg.������Lcd��ʽ���� 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法
CN202533687U (zh) * 2012-05-09 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶透镜及立体显示装置
CN202948231U (zh) * 2012-11-14 2013-05-22 信利半导体有限公司 液晶显示装置的阵列基板和液晶显示装置
CN103439841A (zh) * 2013-07-25 2013-12-11 友达光电股份有限公司 像素结构、显示面板及其制作方法
CN107678201A (zh) * 2017-11-02 2018-02-09 电子科技大学 一种出射光方向可控的液晶空间光调制器
CN107817639A (zh) * 2017-10-25 2018-03-20 福州大学 一种聚焦平面可扫描的液晶透镜及其制作方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104865757B (zh) * 2015-05-22 2019-09-17 昆山龙腾光电有限公司 一种显示面板、显示装置以及显示面板的视角控制方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1550857A (zh) * 2003-03-29 2004-12-01 Lg.������Lcd��ʽ���� 水平电场施加型液晶显示器及其制造方法
CN202533687U (zh) * 2012-05-09 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种液晶透镜及立体显示装置
CN202948231U (zh) * 2012-11-14 2013-05-22 信利半导体有限公司 液晶显示装置的阵列基板和液晶显示装置
CN103439841A (zh) * 2013-07-25 2013-12-11 友达光电股份有限公司 像素结构、显示面板及其制作方法
CN107817639A (zh) * 2017-10-25 2018-03-20 福州大学 一种聚焦平面可扫描的液晶透镜及其制作方法
CN107678201A (zh) * 2017-11-02 2018-02-09 电子科技大学 一种出射光方向可控的液晶空间光调制器

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