KR20120122961A - 액정 디스플레이 및 어레이 기판 - Google Patents

액정 디스플레이 및 어레이 기판 Download PDF

Info

Publication number
KR20120122961A
KR20120122961A KR1020120044639A KR20120044639A KR20120122961A KR 20120122961 A KR20120122961 A KR 20120122961A KR 1020120044639 A KR1020120044639 A KR 1020120044639A KR 20120044639 A KR20120044639 A KR 20120044639A KR 20120122961 A KR20120122961 A KR 20120122961A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
common electrode
layer
gate metal
via hole
transparent common
Prior art date
Application number
KR1020120044639A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101398094B1 (ko
Inventor
관바오 후이
승진 최
펑 장
Original Assignee
보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 filed Critical 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드
Publication of KR20120122961A publication Critical patent/KR20120122961A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101398094B1 publication Critical patent/KR101398094B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4908Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET for thin film semiconductor, e.g. gate of TFT
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134381Hybrid switching mode, i.e. for applying an electric field with components parallel and orthogonal to the substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

본 발명의 실시예에서는 베이스 기판과; 상기 베이스 기판에 형성되는 제1층 투명 공통전극과; 상기 제1층 투명 공통전극에 형성되는 게이트금속 공통전극과; 상기 게이트금속 공통전극에 형성되고, 비어홀이 형성되는 절연층과; 상기 절연층에 형성되는 제2층 투명 공통전극을 포함하며; 상기 비어홀의 일부 가장자리가 게이트금속 공통전극과 접촉되고, 일부 가장자리는 제1층 투명 공통전극과 접촉되어, 상기 제2층 투명 공통전극이 상기 제1층 투명 공통전극 및 상기 게이트금속 공통전극과 전기적으로 연결되는 일종의 어레이 기판을 공개하였다.

Description

액정 디스플레이 및 어레이 기판{Liquid crystal display and array substrate}
본 발명은 일종의 액정 디스플레이 및 어레이 기판에 관한 것이다.
박막트랜지스터 액정 디스플레이(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, TFT-LCD)는 부피가 작고 전력소모가 낮으며, 방사가 없는 등의 특징을 지녀, 현재의 평판 디스플레이 분야에 광범위하게 사용되고 있다. 그러나 액정 디스플레이는 시야각이 비교적 작은 단점이 있어, 각 대형 제조업체는 각자의 광시야각(Wide Viewing Angle) 기술을 개발하였다. 많은 광시야각 기술 중에서, 고급 초차원 전계 스위칭 기술(Advanced-Super Dimensional Switching; AD-SDS)은 동일한 평면 내의 화소전극 가장자리 사이에 발생하는 횡전계 및 화소전극층과 공통전극층 사이에 발생하는 종전계를 통해 다차원 전계를 형성함으로써, 액정셀 내의 화소전극 사이와 전극 바로 상방의 모든 액정분자에 회전 변환이 발생하도록 하고, 나아가 평면배향계 액정 작업효율을 향상시키며 투광효율을 증가시키는 방식이다. 고급 초차원 스위칭기술은 TFT-LCD 화면 품질을 향상시킬 수 있으며, 높은 투과율, 넓은 시야각, 높은 개구율, 낮은 색차, 낮은 응답시간, 푸시 무라(push Mura)가 없는 등의 장점을 지닌다.
생산원가 절감은 일반적으로 AD-SDS형 TFT-LCD 어레이 기판 제조 과정 중의 마스크 공정 수량(즉 사용되는 마스크 수량)을 감소시킴으로써 구현된다. 현재 각 대형 제조업체는 모두 4회 마스크 공정을 개발하여 AD-SDS형 TFT-LCD 어레이 기판을 제조하고 있다. 도 1, 2, 3에 도시된 바와 같이, 일종의 종래기술의 제조과정은 다음 공정을 포함한다. 제1층 공정에서, 유리기판(1)에 제1층 투명전극과 게이트금속을 퇴적하고, 그레이스케일 마스크공정을 이용하여, 그레이스케일 마스크에 노광을 실시한 다음 식각, 애싱 및 박리 등 공정을 실시하여 제1층 투명 공통전극(2), 게이트 금속라인(3)(즉 게이트전극(Gate)), 2층의 게이트금속 공통전극(게이트금속 공통전극(11')과 이전 행의 게이트금속 공통전극(12')을 형성하고; 제2층 공정에서, 전술한 패턴을 바탕으로, 게이트절연층, 반도체층, 도핑 반도체층과 소스-드레인 금속층을 연속 퇴적한 다음, 그레이스케일 마스크의 노광을 이용하여 게이트절연층(4), 반도체층(5)(반도체 활성 실리콘 아일랜드), 도핑 반도체층(6) 및 소스-드레인 금속층(7)을 형성하며; 제3차 마스크 공정에서, 소스-드레인 금속층(7)에 부동태화(passivation) 절연층(8)(비어홀층)을 퇴적하여 전체 유리기판(1)을 덮은 다음, 노광과 식각 공정을 통해, 부동태화 절연층(8)에 비어홀(10')...(14')을 형성하고; 제4차 그레이스케일 마스크공정에서, 투명전극층을 퇴적하고, 노광과 식각 공정을 통해 제2층 투명화소전극(9)과 제2층 투명공통전극(13)을 형성하여, 화소전극(9)을 비어홀(10')을 통해 소스-드레인 전극과 통전시키며; 제2층 투명공통전극(13)은 비어홀(14')을 통해 상하 두 화소열의 공통전극(11), (12)과 연결한다. 상하 두 화소열의 공통전극 신호를 연결하는 영역(도 3 참조)에서, 비어홀(14')의 단면은 U자형 또는 사각형이며, 그 저변은 게이트금속 공통전극(11'), (12')과 접촉되고, 게이트금속 공통전극(11'), (12')의 하부는 제1층 투명공통전극(2)으로서, 비어홀(14')이 제1층 투명공통전극(2)과 서로 접촉되지 않는다.
종래 기술은 그레이스케일 마스크를 이용하여 제1층 투명공통전극을 제조할 때 비정질 산화인듐주석 박막(a-ITO)을 사용하는데, 다음 게이트절연층(4)을 필름으로 퇴적할 때, 온도가 섭씨 300도 이상으로 높아질 수 있으며, a-ITO는 이와 같은 고온에서 결정화 반응이 발생하여 다결정 산화인듐주석 박막(p-ITO)으로 변환될 수 있다. p-ITO의 결정입자가 게이트금속 공통전극(11'), (12')의 결정입자 크기와 다르기 때문에, a-ITO가 p-ITO로 변환되는 과정에서 제1층 투명공통전극층(2)과 게이트금속 공통전극(11'), (12') 사이의 박리와 층 분리(도 4 참조)를 초래하여 슬릿(15)이 나타날 수 있다. 이러한 슬릿(15)은 접촉 불량을 일으킬 수 있으며, 게이트금속 공통전극(11'), (12')의 전압신호가 제1층 투명 공통전극층(2)에 효과적으로 전송될 수 없어 상하가 서로 인접한 화소에 대하여, 상부 화소의 제1층 투명 공통전극층과 하부 화소의 제1층 투명공통전극층이 정상적으로 통전될 수 없게 되어 화소 디스플레이의 비정상을 초래하고, 디스플레이의 디스플레이 효과와 품질에 영향을 줄 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 서로 인접한 두 화소행의 공통전극 신호가 정상적으로 통전되면서, 화소가 정상적으로 디스플레이 될 수 있게 되어, 액정 디스플레이의 디스플레이 효과를 보장할 수 있고, 디스플레이 품질이 향상된 액정 디스플레이 어레이 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 실시예에서는 베이스기판과; 상기 베이스기판에 형성되는 제1층 투명공통전극과; 상기 제1층 투명 공통전극에 형성되는 게이트금속 공통전극과; 상기 게이트금속 공통전극에 형성되고 비어홀이 형성되는 절연층과; 상기 절연층에 형성되는 제2층 투명공통전극을 포함하며; 상기 비어홀의 일부 가장자리가 게이트금속 공통전극과 접촉되고, 일부 가장자리는 제1층 투명공통전극과 접촉됨으로써, 상기 제2층 투명 공통전극이 상기 제1층 투명공통전극 및 상기 게이트금속 공통전극과 전기적으로 연결되는 일종의 어레이 기판을 제공한다.
본 발명의 다른 실시예에서는 상기 어레이 기판을 포함하는 액정 디스플레이를 제공한다.
본 발명에 따르면, 비어홀 저부의 일부분이 게이트금속 공통전극과 접촉되고, 일부분은 제1층 투명공통전극과 접촉되도록 하여, 설사 제1층 투명 공통전극과 게이트금속 공통전극 사이에 박리와 층 분리가 나타나더라도, 게이트금속 공통전극의 전압신호가 비어홀 저부의 제2층 투명 공통전극을 통해 그것과 접촉되는 제1층 투명 공통전극으로 전달될 수 있기 때문에, 서로 인접한 두 화소행의 공통전극 신호가 정상적으로 통전되면서, 화소가 정상적으로 디스플레이될 수 있게 되어, 액정 디스플레이의 디스플레이 효과를 보장할 수 있고, 디스플레이 품질이 향상된다.
도 1은 종래 기술 중의 액정 디스플레이 어레이 기판의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A'-A선을 따라 절취한 단면도이다.
도 3은 도 1의 B'-B선을 따라 절취한 단면도이다.
도 4는 이상이 발생한 도 1의 B'-B선을 따라 절취한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예의 액정 디스플레이 어레이 기판의 평면도이다.
도 6은 도 5의 B'-B선을 따라 절취한 단면도이다.
이하 첨부도면과 실시예를 결합하여, 본 발명의 구체적인 실시방식에 대하여 좀 더 상세하게 묘사하고자 한다. 이하 실시예는 본 발명의 기술방안을 설명하기 위한 것이나, 단 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니다.
도 5, 도 6은 각각 본 발명의 실시예의 액정 디스플레이 어레이 기판의 평면도와 단면도이다. 상기 어레이 기판(100)은 본 실시예에서는 유리기판(1)인 베이스기판(1)을 포함하며, 유리기판(1)에 제1층 투명 공통전극(2)이 형성되고, 제1층 투명 공통전극(2)에 게이트금속 공통전극(11), (12)이 형성되며, 게이트금속 공통전극(11)은 현재 화소행에 위치하고, 게이트금속 공통전극(12)은 이전 화소행에 위치한다. 게이트금속 공통전극(11), (12)의 상방에 절연층이 형성되고, 절연층에 비어홀(14)이 구비되며, 상기 비어홀(14)의 일부 가장자리가 게이트금속 공통전극(11), (12)과 접촉되고, 일부 가장자리는 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉된다. 게이트금속 공통전극(11)의 일측은 제1층 투명 공통전극(2)과 자리 맞춤되고, 타측은 공통전극 부위의 하나의 비어홀(14) 위치 하부까지 연장되며, 이전 행의 게이트금속 공통전극(12)의 일측은 공통전극 부위의 다른 비어홀(14) 하부까지 연장된다. 절연층의 상방에 제2층 투명 공통전극(13)이 형성되어, 제2층 투명 공통전극(13)이 비어홀(14)의 일부 가장자리를 통해 게이트금속 공통전극(11), (12)과 접촉되며, 일부 가장자리는 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉됨으로써, 게이트금속 공통전극(12), (12)을 전기적으로 연결한다.
게이트금속 공통전극(11), (12) 상방의 절연층은 게이트 절연층(4)을 포함하며, 이는 게이트금속 공통전극(11)에 형성되고, 게이트절연층(4)의 상방에는 부동태화 절연층(8)이 더 형성되며, 부동태화 절연층(8)과 게이트절연층(4)에 비어홀(14)을 형성한다.
게이트금속라인(3)의 양측에 각각 하나의 비어홀(14)이 구비되며, 상기 두 비어홀(14)은 예를 들어 게이트금속라인(3)의 양측에 대칭으로 설치된다. 적어도 하나의 비어홀(4) 저부는 계단형을 띤다.
각각의 비어홀(14)에 대하여, 도 5에 도시된 바와 같이, 그 측부의 일부분과 저부의 일부분은 게이트금속 공통전극(11)과 접촉되고, 저부의 타 부분은 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉되도록 하며, 다른 비어홀(14)의 측부의 일부분과 저부의 일부분이 이전 행의 게이트금속 공통전극(12)과 접촉되고, 저부의 타 부분은 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉되도록 할 수 있다.
또는, 하나의 비어홀(14)은 그 측부의 일부분이 게이트금속 공통전극(11)과 접촉되고, 그 저부는 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉되며, 다른 비어홀(14)은 그 측부의 일부분이 이전 행의 게이트금속 공통전극(12)과 접촉되고, 그 저부는 제1층 투명 공통전극(2)과 접촉되도록 할 수도 있다.
상기 어레이 기판을 제조할 때, 비어홀(14)을 예로 들면, 제1차 그레이스케일 마스크 공정에서, 유리기판(1)에 투명 공통전극층과 게이트금속층을 순차적으로 퇴적하고, 식각 등 공정을 통해 상기 투명공통전극층과 게이트금속층의 적층을 패터닝하여 제1층 투명공통전극층(2)을 형성하고, 상기 제1층 투명공통전극층(2)의 상부에 게이트금속 공통전극(11), (12)을 형성하여, 상하 두 화소행의 공통전압신호에 연결되는 영역에서, 후속되는 그레이스케일 마스크공정을 이용하여 게이트금속 공통전극(11), (12)을 비어홀(14)에 대응되는 위치의 바로 아래까지 연장시키기만 하면 되며, 절연층을 관통하여 형성되는 비어홀(14)은 제1층 투명 공통전극층(2)까지 식각되도록 하면, 설사 제1층 투명 공통전극층(2)과 게이트금속 공통전극(11), (12) 사이에 박리와 층 분리가 나타나더라도, 게이트금속 공통전극(11), (12)의 전압신호가 비어홀(14) 저부의 제2층 투명공통전극층(9)을 통해 그것과 접촉되는 제1층 투명 공통전극층(2)까지 전달될 수 있어, 서로 인접한 화소의 제1층 투명 공통전극층(2)이 정상적으로 통전되는 것을 보장하여, 화소가 정상적으로 디스플레이될 수 있으며, 액정 디스플레이의 디스플레이 효과가 보장되고, 디스플레이 품질이 향상될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르는 액정 디스플레이는 상기 어레이기판을 포함하며, 다른 부재, 예를 들어, 컬러 필터(color filter) 기판, 백라이트 모듈, 구송회로 등을 포함할 수 있다. 이와 같은 액정 디스플레이는 TV, 컴퓨터, 모바일폰 등에 사용될 수 있다.
이상에 설명한 내용은 단지 본 발명의 바람직한 실시 방식일 뿐이며, 본 기술분야의 통상의 기술자라면, 본 발명의 기술 원리를 벗어나지 않는다는 전제 하에, 약간의 개선과 변형을 실시할 수 있으며, 이러한 개선과 변형 역시 본 발명의 보호범위로 간주하여야 함을 지적해둔다.
1: 유리기판 2: 제1층 투명 공통전극
3: 게이트금속라인 4: 게이트절연층
5: 반도체층 6: 도핑 반도체층
7: 소스-드레인 금속층(데이터라인) 8: 부동태화 절연층
9: 제2층 투명 화소전극층 10, 10' 부동태화 절연층의 비어홀
11, 11' 게이트금속 공통전극 12, 12' 이전 행의 게이트금속 공통전극층
13: 제2층 투명 공통전극 14: 공통전극 부위의 비어홀
15: 슬릿

Claims (8)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판에 형성되는 제1층 투명 공통전극;
    상기 제1층 투명 공통전극에 형성되는 게이트금속 공통전극;
    상기 게이트금속 공통전극에 형성되고, 비어홀이 형성되는 절연층;
    상기 절연층에 형성되는 제2층 투명 공통전극;을 포함하며;
    상기 비어홀의 일부 가장자리가 상기 게이트금속 공통전극과 접촉되고, 일부 가장자리는 상기 제1층 투명 공통전극과 접촉되어, 상기 제2층 투명 공통전극이 상기 제1층 투명 공통전극 및 상기 게이트금속 공통전극과 전기적으로 연결되는 어레이 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 절연층은 상기 게이트금속 공통전극에 형성되는 게이트절연층과 상기 게이트절연층에 형성되는 부동태화 절연층을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    적어도 하나의 상기 비어홀 저부는 계단형인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 게이트금속 공통전극은 상기 비어홀의 일부 측부 및 일부 저부와 접촉되고, 상기 제1층 투명 공통전극은 상기 비어홀의 다른 일부 저부와 접촉되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 게이트금속 공통전극은 상기 비어홀의 일부 측부와 접촉되고, 상기 제1층 투명 공통전극층은 상기 비어홀의 저부와 접촉되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 게이트절연층은 게이트금속라인 양측에 각각 하나의 비어홀이 구비되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  7. 제3항에 있어서,
    두 개의 상기 비어홀 저부는 모두 계단형인 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
  8. 청구항 1의 어레이 기판을 포함하는 액정 디스플레이.
KR1020120044639A 2011-04-29 2012-04-27 액정 디스플레이 및 어레이 기판 KR101398094B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201120136037.9 2011-04-29
CN2011201360379U CN202033562U (zh) 2011-04-29 2011-04-29 液晶显示器阵列基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120122961A true KR20120122961A (ko) 2012-11-07
KR101398094B1 KR101398094B1 (ko) 2014-05-22

Family

ID=44895853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120044639A KR101398094B1 (ko) 2011-04-29 2012-04-27 액정 디스플레이 및 어레이 기판

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8698149B2 (ko)
EP (1) EP2518558B1 (ko)
JP (1) JP6030333B2 (ko)
KR (1) KR101398094B1 (ko)
CN (1) CN202033562U (ko)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102629060B (zh) * 2012-02-22 2014-04-02 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示装置
CN102769040B (zh) * 2012-07-25 2015-03-04 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示装置
CN103576401B (zh) * 2012-08-10 2018-05-08 北京京东方光电科技有限公司 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
CN103364987B (zh) * 2013-07-19 2015-11-25 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN103715135B (zh) * 2013-12-16 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种过孔及其制作方法、阵列基板
CN103913916B (zh) * 2014-04-04 2017-04-05 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏
CN104049392B (zh) * 2014-06-10 2017-01-18 京东方科技集团股份有限公司 防止显示面板异常放电的装置和显示面板制备系统
KR102221845B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
KR102232258B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
KR102227519B1 (ko) * 2014-08-27 2021-03-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 그의 제조방법
US20180024397A1 (en) * 2015-04-30 2018-01-25 Lg Chem, Ltd. Liquid crystal display device and method for manufacturing same
CN107850811A (zh) 2015-05-06 2018-03-27 株式会社Lg化学 液晶显示装置
WO2016182282A1 (ko) * 2015-05-08 2016-11-17 주식회사 엘지화학 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10989946B2 (en) * 2019-02-21 2021-04-27 Innolux Corporation Electronic modulating device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0682839B2 (ja) * 1984-08-21 1994-10-19 セイコー電子工業株式会社 表示用パネルの製造方法
KR100190023B1 (ko) * 1996-02-29 1999-06-01 윤종용 박막트랜지스터-액정표시장치 및 그 제조방법
KR100307385B1 (ko) 1997-03-05 2001-12-15 구본준, 론 위라하디락사 액정표시장치의구조및그제조방법
US6259119B1 (en) * 1997-12-18 2001-07-10 Lg. Philips Lcd Co, Ltd. Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR100975734B1 (ko) * 2003-09-08 2010-08-12 엘지디스플레이 주식회사 횡전계방식 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR20060074325A (ko) 2004-12-27 2006-07-03 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시장치
KR20060079040A (ko) 2004-12-31 2006-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 프린지 필드 스위칭 타입의 박막 트랜지스터 기판 및 그제조 방법
JP4801569B2 (ja) * 2005-12-05 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2007226175A (ja) * 2006-01-26 2007-09-06 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
KR100978263B1 (ko) * 2006-05-12 2010-08-26 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
JP4407677B2 (ja) * 2006-08-11 2010-02-03 エプソンイメージングデバイス株式会社 横電界方式の液晶表示パネル
KR101274706B1 (ko) * 2008-05-16 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
BR112012008252A2 (pt) * 2009-10-08 2016-03-08 Sharp Kk dispositivo de exibição de cristal líquido e método para a produção do mesmo.

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012234179A (ja) 2012-11-29
CN202033562U (zh) 2011-11-09
EP2518558B1 (en) 2016-08-24
EP2518558A3 (en) 2013-04-17
EP2518558A2 (en) 2012-10-31
US8698149B2 (en) 2014-04-15
US20120273789A1 (en) 2012-11-01
JP6030333B2 (ja) 2016-11-24
KR101398094B1 (ko) 2014-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101398094B1 (ko) 액정 디스플레이 및 어레이 기판
EP2757412B1 (en) Tft array substrate, fabrication method thereof, and liquid crystal display device
US9716110B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display device
US9754979B2 (en) Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof
CN100454122C (zh) 能够减小漏电流的液晶显示装置及其制造方法
EP3187929B1 (en) Array substrate and manufacturing method therefor, and display apparatus
US9305945B2 (en) TFT array substrate, manufacturing method of the same and display device
US20140134809A1 (en) Method for manufacturing fan-out lines on array substrate
JP2012133367A (ja) Tft基板及びその製造方法
WO2015000255A1 (zh) 阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法
CN101123257A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
US9281325B2 (en) Array substrate, manufacturing method thereof and display device
KR20130104429A (ko) 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20010025955A (ko) 반사투과 복합형 박막트랜지스터 액정표시장치
CN104460154A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
CN113467145B (zh) 阵列基板及制作方法、显示面板
US9019462B2 (en) Array substrate and method for manufacturing the same, and display device
KR20080011948A (ko) 양면 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102037514B1 (ko) 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US9261744B2 (en) Array substrate, fabricating method thereof and display device
CN201251667Y (zh) 薄膜晶体管阵列基板
WO2023060547A1 (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20130034247A (ko) 평판 표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102083305B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
KR101899066B1 (ko) 액정표시장치용 어레이 기판 및 이의 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170421

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190503

Year of fee payment: 6