CN100430828C - 放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法 - Google Patents

放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100430828C
CN100430828C CNB028025741A CN02802574A CN100430828C CN 100430828 C CN100430828 C CN 100430828C CN B028025741 A CNB028025741 A CN B028025741A CN 02802574 A CN02802574 A CN 02802574A CN 100430828 C CN100430828 C CN 100430828C
Authority
CN
China
Prior art keywords
carbon number
compound
alkylidene
alkyl
acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB028025741A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1582414A (zh
Inventor
西村功
别所信夫
熊野厚司
山田宪司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of CN1582414A publication Critical patent/CN1582414A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100430828C publication Critical patent/CN100430828C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
    • H05K1/162—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed capacitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • G03F7/001—Phase modulating patterns, e.g. refractive index patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H01L21/02186—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal the material containing titanium, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02343—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
    • H01L21/02345—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light
    • H01L21/02348—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to radiation, e.g. visible light treatment by exposure to UV light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02203—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being porous
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
    • H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
    • H01L21/02214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen
    • H01L21/02216—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound comprising silicon and oxygen the compound being a molecule comprising at least one silicon-oxygen bond and the compound having hydrogen or an organic group attached to the silicon or oxygen, e.g. a siloxane
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0286—Programmable, customizable or modifiable circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0116—Porous, e.g. foam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0187—Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1163—Chemical reaction, e.g. heating solder by exothermic reaction
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Printing Methods (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种放射线敏感性电容率变化性组合物，含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)感放射线分解剂和(D)稳定剂。该组合物通过简便的方法可以进行材料的电容率变化，同时该变化的电容率差为充分大的数值，而且不因随后的使用条件变化，可以给予稳定的电容率图案或光学材料。

Description

放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法
技术领域
本发明涉及放射线敏感性电容率变化性组合物、电容率图案的形成方法、电容率图案以及具有电容率图案的装置。更详细地说，涉及作为电路基板的绝缘材料或电容器使用的能够赋予电容率图案的新型放射线敏感性电容率变化性组合物、电容率图案的形成方法、电容率图案以及具有电容率图案的装置。
背景技术
对于半导体，为了适应高速化，配线长度的缩短、层间膜的低电容率化以及门电路(ゲ-ト)长度的缩短等方面的技术开发正在不断进行。适于维持这些半导体的性能同时制作出能够作为系统使用的状态的安装技术领域非常落后。为了改善这种落后的局面，不断对安装结构进行重新审视，在安装技术领域也不断进行配线长度的缩短/层间膜的低电容率化等。
在以前的安装技术中，象存储器IC等所见到的那样，在IC端子的附近设置旁路电容器或输入、输出电容器等保持性能。但是，随着高速化有必要在元件的附近设置这些元件，而且针对伴随着高速化的配线长度的缩短，进行了研究，尽可能地缩短以前在离开IC的位置设置的无源元件的设置部位，结果，对Embedded Passive类基板结构进行了重新审视。
对于这些安装技术，以往，在形成2种不同的具有电容率差的分布时，采用下述方法形成，即首先形成一种材料，然后再在整个面上堆积电容率不同的材料。然后，用感光性材料等形成图案后，通过蚀刻除去不需要的堆积部分。该方法经过多个步骤，而且得到的膜的厚度不均容易变大，因此，希望使用膜厚的面内均匀性高的材料作为进行层压的材料。
另外，在高集成电路的层压中，为了防止配线间串扰导致的延迟而使用的层间绝缘膜要求高集成化，同时要求低电容率材料。此时，进行了使用各种有机或无机材料的低电容率化的研究。作为其中之一，多孔性导致的低电容率化例如在Mat.Res.Soc.Symp.Proc.，Vol.511，105(1998)，Electrochemical and Solid-State letters，Vol.2，77(1999)，Proc.DUMIC Santa Clara，25(1998)，第61次应用物理学会学术讲演会预备稿集4a-P4-20(2000)，第61次应用物理学会学术讲演会预备稿集4a-P4-27(2000)、Proc.Ofthe 2000 IITC，143(2000)等中进行了报道。通过伴随着该多孔性的密度降低，也可以形成介电常数为2以下的膜。但是，这样降低膜密度，在实现低电容率化的同时，对膜强度的降低产生直接影响，因此，要求开发与以往的层间绝缘膜的强度相比具有充分强度的层间绝缘膜。
另一方面，将集成电路的结构制成由最低电容率的空气构成的中空结构，实现配线低容量化的研究，例如在特开昭63-268254、Microprocessor report，Aug.4，14(1997)、Symp.On VLSITechnology，82(1996)、DUMIC Conference，139(1997)、IEEEElectron Device Letters，Vol.19，No.1，16(1998)等中进行了报道。但是，这种中空结构在层压时要求非常高的精度，在加工方面的问题较多，尚未实际使用。
发明公开
本发明是鉴于现有技术中的上述情况提出的。
即，本发明的目的在于提供一种放射线敏感性电容率变化性组合物，其能用简单的方法改变材料的电容率，同时其变化的电容率差与变化前的电容率相比为充分大的数值，而且能够赋予稳定的电容率图案，该电容率图案不因随后的使用条件变化。
本发明的其它目的在于提供一种赋予电容率图案的放射线敏感性电容率变化性组合物，所述电容率图案通过照射放射线形成微小的空孔，且稳定地保持形成的微小空孔，而且尽管具有多个微小空孔，仍然具备较强的膜强度。
本发明的另一目的在于提供由本发明的上述组合物形成电容率图案的方法。
本发明的另一目的在于提供按照本发明的上述方法制备的电容率图案或者具有该电容率图案的装置。
本发明的其他目的和优点由以下说明进行叙述。
根据本发明，第1，本发明的上述目的和优点通过一种放射线敏感性电容率变化性组合物实现，该放射线敏感性电容率变化性组合物的特征在于，含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)放射线敏感性分解剂和(D)稳定剂。
第2，本发明的上述目的和优点通过一种电容率图案形成方法实现，该电容率图案形成方法的特征在于，对含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)放射线敏感性分解剂和(D)稳定剂的放射线敏感性电容率变化性组合物照射放射线，接着，加热使稳定剂(D)和分解性化合物(A)反应。
第3，根据本发明，本发明的上述目的和优点通过一种电容率图案形成方法实现，该电容率图案形成方法的特征在于，对含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物和(C)放射线敏感性分解剂的电容率变化材料照射放射线后，用(D)稳定剂进行处理。
第4，根据本发明，本发明的上述目的和优点通过一种电容率图案形成方法实现，该电容率图案形成方法的特征在于，对含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物和(C)放射线敏感性分解剂的电容率变化材料通过图案掩膜照射放射线后，进行加热处理，使未曝光部分的分解性化合物分解。
第5，本发明的上述目的和优点通过一种电容率图案实现，该电容率图案通过上述电容率图案形成方法形成。
第6，本发明的上述目的和优点通过一种装置实现，该装置具有上述电容率图案。
另外，在本发明中，“电容率图案”是指由电容率不同的区域构成的电容率分布型材料。
本发明优选的第5的电容率图案，包括具有10～99.9％空隙的第1区域，以及实质上没有空隙且具有比第1区域电容率高的电容率的第2区域。
本发明进一步优选的第5的电容率图案，第1区域显示比第2区域小的弹性率。
本发明优选的第6的装置，包括具有10～99.9％空隙的第1区域，以及实质上没有空隙且具有比第1区域介电常数高的介电常数的第2区域。
本发明进一步优选的第6的装置，第1区域显示比第2区域小的弹性率。
下面，对本发明的电容率图案形成方法中使用的电容率变化材料的各种成分进行详细说明。
(A)分解性化合物
本发明中使用的(A)分解性化合物可以是酸分解性化合物或碱分解性化合物。
作为酸分解性化合物，可以例举具有下述式(1)～(6)或(10)所示结构中的至少一种结构的化合物。这些化合物可以单独使用，也可以2种以上一起使用。
Figure C0280257400131
(式(1)中，R1为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或亚芳基，且R2为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基。)
Figure C0280257400132
(式(2)中，M为Si或Ge，R3为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基，R4为氧原子、亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基或单键，R5、R6、R7和R8各自独立地为氢原子、烷基、芳基、烷氧基或硫代烷基，且m为0至2的整数。)
(式(3)中，R9和R10各自独立地为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基。)
Figure C0280257400134
(式(4)中，R11为氧化烯基或单键，且R12为氢原子、烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或芳基。)
Figure C0280257400135
(式(5)中，R13为氢原子、烷基或芳基。)
Figure C0280257400141
(式(6)中，R14为亚烷基或者下述式(7)、(8)或(9)表示的结构。)
Figure C0280257400142
(式(7)中，R15、R16、R17和R18相互独立地为氢原子、碳原子数1～6的链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟基、巯基、羧基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的烷硫基、碳原子数1～6的卤代烷基、碳原子数1～6的卤代烷氧基、碳原子数1～6的卤代烷硫基、碳原子数1～6的羟基烷基、碳原子数1～6的巯基烷基、碳原子数1～6的羟基烷氧基、碳原子数1～6的巯基烷硫基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数7～11的芳烷基。)
-O-R19-O-(8)
(式(8)中，R19为亚烷基。)
-NH-R20-NH-(9)
(式(9)中，R20为亚烷基。)
Figure C0280257400143
(式(10)中，R21为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或亚芳基。)
具有上述式(1)～(6)和(10)所示结构的酸分解性化合物可以被放射线敏感性酸分解剂受到放射线照射生成的酸分解。这时，分解生成的低分子化合物是其自身在常温下为气体的化合物，例如二氧化碳，或者通过升高温度进行处理能够作为气体蒸发或升华的化合物。气体挥发后，形成微小的空孔。
作为酸分解性化合物(A)，也可以使用下述物质，
(i)分子内分别具有2个以上酚性羟基和苯基，且至少1个酚性羟基形成萘醌二叠氮基磺酰酯基，例如1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酰酯基的酚树脂，
(ii)至少1个酚性羟基形成萘醌二叠氮基磺酰酯基，例如1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酰酯基的酚醛清漆树脂，
(iii)分子内分别具有2个以上酚性羟基和苯基，且至少1个酚性羟基被酸分解性保护基保护的酚树脂，
(iv)至少1个酚性羟基被酸分解性保护基保护的酚醛清漆树脂，以及
(v)至少1个羧基被酸分解性保护基保护的含羧基树脂。
这些树脂(i)～(v)可以使用1种，或者2种以上一起使用。
上述(i)～(v)的酸分解性化合物可以被放射线敏感性酸分解剂受到放射线照射生成的酸分解，生成碱可溶性树脂，即酚树脂、酚醛清漆树脂或含羧基树脂。生成的这些碱可溶性树脂可以通过用碱性水溶液提取除去，提取后残留有微小的空孔。因此，以上述(i)～(v)的酸分解性化合物为(A)成分时，如上所述用碱性水溶液进行提取，因此作为(B)成分，即，酸非分解性化合物，优选使用对碱性水溶液为非溶解性的聚合物，例如不具有羧基或酚性羟基的聚合物。
另外，作为碱分解性化合物，可以例举具有下述式(11)～(13)或(14)所示结构中的至少一种结构的化合物。这些化合物可以单独使用，也可以2种以上一起使用。
Figure C0280257400151
(式(11)中，R22为亚烷基、亚芳烷基或亚芳基，R23为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基，R24、R25、R26和R27各自独立，为氢原子、烷基、芳基、烷氧基或硫代烷基，i和j各自独立地为0或1。)
Figure C0280257400161
(式(12)中，R28为亚烷基、亚芳烷基或亚芳基，R29为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基。)
Figure C0280257400162
(式(13)中，R30和R31各自独立地为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基。)
Figure C0280257400163
(式(14)中，R32和R33各自独立地为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、烷基亚甲硅烷基或烷基亚甲锗烷基。)
作为上述所有亚烷基亚芳基亚烷基，各自独立地例如下述式(15)或(16)表示的结构。
Figure C0280257400164
(式(15)中，R34、R35、R36和R37相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，且R38、R39、R40和R41相互独立地为氢原子、氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、芳基、氰基或硝基。)
(式(16)中，R42、R43、R44和R45相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，R46、R47、R48、R49、R50、R51、R52和R53相互独立地表示氢原子、氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、芳基、氰基或硝基，A1表示-S-、-O-、-SO2-、-CO-、-COO-、-OCOO-、-CH2-或-C(R54)2-，且R54为碳原子数1～6的链状烷基。)
作为上述所有亚芳基，各自独立地例如下述式(17)表示的结构。
(其中，R55～R62相互独立地表示氢原子、氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、芳基、氰基或硝基，A2表示-S-、-O-、-SO2-、-CO-、-COO-、-OCOO-、-CH2-或-C(R63)2-，且R63为碳原子数1～6的链状烷基。)
作为上述所有烷基亚甲硅烷基，相互独立地例如下述式(18)表示的结构。
(其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数。)
作为上述所有烷基亚甲锗烷基，相互独立地例如下述式(19)表示的结构。
Figure C0280257400181
(其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数。)
上述式(18)和(19)中的亚烷基分别独立地优选碳原子数1～10的直链、支链或环状的亚烷基，例如亚甲基、1，2-亚乙基、1，3-三亚甲基、1，10-十亚甲基等，而且这些基团的氢原子也可以被例如氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、芳基或氰基取代。
作为上述所有烷基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基和烷基硫代酯基中的烷基，相互独立地优选例如碳原子数1～10的直链、支链或环状的烷基，另外这些基团的氢原子也可以被氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、芳基或氰基取代。
作为上述所有芳基，相互独立地例如苯基、萘基、蒽基或联苯基以及它们的氢原子被氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、氰基或硝基取代而成的基团。
例如作为重复单元具有本发明的上述式(1)～(6)和(10)所示结构的酸分解性化合物的制备方法是公知的。
具有上述式(1)所示结构的化合物的制备方法在Polymer Bull.，1.199(1978)、特开昭62-136638号公报、EP225,454、US 806,597、特开平4-303843号公报、特开平7-56354号公报等中公开。
具有上述式(2)所示结构的化合物的制备方法在Macromolecules29，5529(1996)、Polymer 17，1086(1976)和特开昭60-37549号公报等中公开。
具有上述式(3)所示结构的化合物的制备方法在Electrochem.Soc.，Solid State Sci.Technol.，133(1)181(1986)、J.ImagingSci.，30(2)59(1986)和Macromol.Chem.，Rapid Commun.，7，121(1986)等中公开。
具有上述式(4)所示结构的化合物的制备方法在美国专利第3,894,253号公报、特开昭62-190211号公报、特开平2-146544号公报、Macromol.Chem.，23，16(1957)、特开昭63-97945号公报、Polymer Sci.，A-1，8，2375(1970)、美国专利第4,247,611号公报、EP41,657、特开昭57-31674号公报、特开昭64-3647号公报和特开昭56-17345号公报等中公开。
具有上述式(5)所示结构的化合物的制备方法在Prepr.Eur.Disc Meet.Polymer Sci.，Strasbourg，p106(1978)和Macromol.Chem.，179，1689(1978)等中公开。
具有上述式(6)所示结构的化合物的制备方法在美国专利第3,894,253号说明书、美国专利第3,940,507号说明书和特开昭62-190211号公报等中公开。
具有上述式(10)所示结构的化合物的制备方法在J.Am.Chem.Soc.，54，1579(1932)、J.Polym.Sci.，29，343(1958)、J.Polym.Sci.，Part A，Polym.Chem.，25，3373(1958)、Macromolecules，25，12，(1992)、Macromolecules，20，705，(1997)、Macromolecules，21，1925，(1998)、Macromol.Chem.，Rapid Commun.，11，83(1990)等中公开。
另外，例如作为重复单元具有上述式(11)～(14)所示结构的碱分解性化合物的制备方法也是公知的。
具有上述式(11)所示结构的化合物的制备方法在Macromol.Chem.，Rapid Commun.，5，151(1984)、Macromol.Chem.，189，2229(1988)、Macromol.Chem.，187，2525(1986)、Polym.J.，22，803(1990)等中公开。
具有上述式(12)所示结构的化合物的制备方法在J.Polym.Sci.，47，1523(1993)、J.Appl.Polym.Sci.，35，85(1985)、J.Polym.Sci.，Polym.Chem.Ed.，22，1579(1984)、J.Polym.Sci.，Polym.Chem.Ed.，14，655(1976)、J.Polym.Sci.，Polym.Chem.Ed.，17，2429(1979)等中公开。
具有上述式(13)所示结构的化合物的制备方法在J.Macromol.Sci.Chem.，A9，1265(1975)等中公开。
具有上述式(14)所示结构的化合物的制备方法在Polym.Bull.，14，85(1985)、Macromol.Chem.，189，1323(1988)等中公开。
作为分解性化合物(A)，优选重复单元数为1～5,000。
(B)非分解性化合物
本发明中使用的(B)非分解性化合物是对酸或碱稳定的材料。(B)成分的介电常数可以根据用途任意设定和调整为优选的值。
作为(B)非分解性化合物，例如丙烯酸类树脂、尿烷类树脂、聚酯类树脂、聚碳酸酯类树脂、降冰片烯类树脂、苯乙烯类树脂、聚醚砜类树脂、硅氧烷树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚硅氧烷类树脂、氟类树脂、聚丁二烯类树脂、乙烯基醚类树脂、乙烯酯类树脂、聚芳基醚类聚合物、聚亚芳基类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚乙烯、聚丙烯、聚碳酸酯类聚合物、聚丙烯酸酯类聚合物、聚酰胺类聚合物、聚酰胺酰亚胺类聚合物、聚砜类聚合物、聚醚砜类聚合物、聚醚酮类聚合物、聚苯硫醚类聚合物、聚醚酰亚胺类聚合物、聚酰胺酰亚胺类聚合物、聚酯酰亚胺类聚合物、改性聚苯醚类聚合物、聚苯并噁唑类聚合物、聚丙烯酸类聚合物、马来酰亚胺类聚合物、喹啉类树脂、苯并环丁烯类树脂、聚对亚苯基二甲基类树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、酚醛清漆树脂、苯乙烯树脂、酚树脂、尿素树脂、异氰酸酯类树脂、二马来酰亚胺树脂、氰酸酯树脂、烃类树脂、ナノフオ-ム类、有机SOG、热固性PPE树脂以及这些物质的部分或全部氢原子被氟原子取代得到的物质、氟化硅氧烷类聚合物、环全氟碳聚合物、碳氟化合物、全氟乙烯基醚、特弗纶(注册商标)、氟化フラ-レン等。
另外，作为(B)非分解性化合物的更具体的例子，可以例举下述聚合物。
例如聚偏二氟乙烯、聚二甲基硅氧烷、聚甲基丙烯酸三氟乙酯、聚氧化丙烯、聚乙烯基异丁基醚、聚乙烯基乙基醚、聚氧化乙烯、聚乙烯基丁基醚、聚乙烯基戊基醚、聚乙烯基己基醚、聚(4-甲基-1-戊烯)、乙酸丁酸纤维素、聚(4-氟-2-三氟甲基苯乙烯)、聚乙烯基辛基醚、聚(乙烯基2-乙基己基醚)、聚乙烯基癸基醚、聚(2-甲氧基乙基丙烯酸酯)、聚丙烯酸丁酯、聚(甲基丙烯酸叔丁酯)、聚乙烯基十二烷基醚、聚(3-乙氧基丙基丙烯酸酯)、聚氧羰基四亚甲基、聚丙酸乙烯酯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基甲基醚、聚丙烯酸乙酯、
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、(80％～20％乙酸乙烯酯)丙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素、苯甲基纤维素、酚醛树脂、三乙酸纤维素、聚乙烯基甲基醚(等规聚合物)、聚(3-甲氧基丙基丙烯酸酯)、聚(2-乙氧基乙基丙烯酸酯)、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸异丙酯、聚(1-癸烯)、聚丙烯(无规聚合物，密度0.8575g/cm3)、聚(乙烯基仲丁基醚)(等规聚合物)、聚甲基丙烯酸十二烷基酯、聚氧乙烯氧琥珀酰基、(聚琥珀酸乙二酯)聚甲基丙烯酸十四烷基酯、乙烯-丙烯共聚物(EPR-胶)、
聚甲基丙烯酸十六烷基酯、聚甲酸乙烯酯、聚(2-氟乙基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸异丁酯、乙基纤维素、聚乙酸乙烯酯、乙酸纤维素、三丙酸纤维素、聚甲醛、聚丁酸乙烯酯、聚(甲基丙烯酸正己酯)、聚(甲基丙烯酸正丁酯)、聚二甲基丙烯酸亚乙基酯、聚(2-乙氧基乙基甲基丙烯酸酯)、聚氧乙烯氧马来酰基、(聚马来酸乙二酯)聚(甲基丙烯酸正丙酯)、聚(3，3，5-三甲基环己基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸乙酯、聚(2-硝基-2-甲基丙基甲基丙烯酸酯)、聚三乙基烃甲基甲基丙烯酸酯、聚(1，1-二乙基丙基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸甲酯、聚(2-癸基-1，3-丁二烯)、聚乙烯醇、
聚乙基乙醇酸酯甲基丙烯酸酯、聚(3-甲基环己基甲基丙烯酸酯)、聚(环己基α-乙氧基丙烯酸酯)、甲基纤维素(低粘度)、聚(4-甲基环己基甲基丙烯酸酯)、聚二甲基丙烯酸癸二醇酯、聚氨酯、聚(1，2-丁二烯)、聚乙烯基甲缩醛、聚(2-溴-4-三氟甲基苯乙烯)、硝酸纤维素、聚(α-氯丙烯酸仲丁基酯)、聚(2-庚基-1，3-丁二烯)、聚(α-氯丙烯酸乙酯)、聚(2-异丙基-1，3-丁二烯)、聚(2-甲基环己基甲基丙烯酸酯)、聚丙烯(密度0.9075g/cm3)、聚异丁烯、聚甲基丙烯酸冰片基酯、聚(2-叔丁基-1，3-丁二烯)、聚二甲基丙烯酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸环己基酯、聚(环己二醇-1，4-二甲基丙烯酸酯)、
丁基橡胶(未加硫)、聚四卤糠基甲基丙烯酸酯、胶木胶(β)、聚乙烯离聚物、聚氧化乙烯(高分子量)、聚乙烯(密度0.914g/cm3)、(密度0.94～0.945g/cm3)、(密度0.965g/cm3)、聚(1-甲基环己基甲基丙烯酸酯)、聚(2-羟乙基甲基丙烯酸酯)、聚乙烯基氯乙酸酯、聚丁烯(等规聚合物)、聚甲基丙烯酸乙烯基酯、聚(N-丁基-甲基丙烯酰胺)、胶木胶(α)、萜烯树脂、聚(1，3-丁二烯)、虫胶、聚(α-氯丙烯酸甲酯)、聚(2-氯乙基甲基丙烯酸酯)、聚(2-二乙基氨基乙基甲基丙烯酸酯)、聚(2-氯环己基甲基丙烯酸酯)、聚(1，3-丁二烯)(35％顺式；56％反式1.5180；7％1，2-含量)、天然橡胶、聚甲基丙烯酸烯丙酯、
聚氯乙烯+40％邻苯二甲酸二辛酯、聚丙烯腈、聚甲基丙烯腈、聚(1，3-丁二烯)(富含顺式型)、丁二烯-丙烯腈共聚物、聚甲基异丙烯基酮、聚异戊二烯、聚酯树脂刚性体(约50％苯乙烯)、聚(N-(2-甲氧基乙基)甲基丙烯酰胺)、聚(2，3-二甲基丁二烯)(甲基橡胶)、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(95/5～90/10)、聚丙烯酸(ポリアクリツクアシド)、聚(1，3-二氯丙基甲基丙烯酸酯)、聚(2-氯-1-(氯甲基)乙基甲基丙烯酸酯)、聚丙烯醛、聚(1-乙烯基-2-吡咯烷酮)、盐酸化橡胶、尼龙6；尼龙6，6；尼龙6，10(模制品)、丁二烯-苯乙烯共聚物(约30％苯乙烯)、嵌段共聚物聚(α-氯丙烯酸环己酯)、聚(2-氯乙基α-氯丙烯酸酯)、丁二烯-苯乙烯共聚物(约75/25)、
聚(2-氨基乙基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸糠基酯、聚丁基巯基甲基丙烯酸酯、聚(1-苯基-正戊基甲基丙烯酸酯)、聚(N-甲基-甲基丙烯酰胺)、纤维素、聚氯乙烯、脲甲醛树脂、聚(α-溴丙烯酸仲丁酯)、聚(α-溴丙烯酸环己酯)、聚(2-溴乙基甲基丙烯酸酯)、聚二氢松香酸、聚松香酸、聚乙基巯基甲基丙烯酸酯、聚(N-烯丙基甲基丙烯酰胺)、聚(1-苯基乙基甲基丙烯酸酯)、聚乙烯基呋喃、聚(2-乙烯基四氢呋喃)、聚(氯乙烯)+40％三甲酚磷酸酯、聚(对甲氧基苯甲基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸异丙酯、聚(对异丙基苯乙烯)、聚氯丁二烯、聚(氧化乙烯-α-苯甲酸酯-ω-甲基丙烯酸酯)、聚(p，p’-苯二甲基二甲基丙烯酸酯)、聚(1-苯基烯丙基甲基丙烯酸酯)、聚(对环己基苯基甲基丙烯酸酯)、聚(2-苯基乙基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基-1-丙基、聚(1-(邻氯苯基)乙基甲基丙烯酸酯)、苯乙烯-马来酸酐共聚物、聚(1-苯基环己基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基-1，3-二甲基-亚丁基-1，4-亚苯基)、聚(α-溴丙烯酸甲酯)、聚甲基丙烯酸苯甲酯、聚(2-(苯基磺酰基)乙基甲基丙烯酸酯)、聚(间甲酚基甲基丙烯酸酯)、苯乙烯-丙烯腈共聚物(约75/25)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基亚异丁基-1，4-亚苯基)、聚(邻甲氧基苯基甲基丙烯酸酯)、聚甲基丙烯酸苯酯、聚(邻甲酚基甲基丙烯酸酯)、聚邻苯二甲酸二烯丙酯、聚(2，3-二溴丙基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基-1-甲基-亚丁基-1，4-亚苯基)、聚(氧-2，6-二甲基亚苯基)、聚氧乙烯氧对苯二甲酰基(非晶态)、聚对苯二甲酸乙二酯、聚苯甲酸乙烯酯、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基亚丁基-1，4-亚苯基)、
聚(1，2-二苯基乙基甲基丙烯酸酯)、聚(邻氯苯甲基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基-亚仲丁基-1，4-亚苯基)、聚氧化季戊四醇氧基邻苯二甲酰基、聚(间硝基苯甲基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基亚异丙基-1，4-亚苯基)、聚(N-(2-苯基乙基)甲基丙烯酰胺)、聚(4-甲氧基-2-甲基苯乙烯)、聚(邻甲基苯乙烯)、聚苯乙烯、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基亚环己基-1，4-亚苯基)、聚(邻甲氧基苯乙烯)、聚二苯基甲基甲基丙烯酸酯、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基亚乙基-1，4-亚苯基)、聚(对溴苯基甲基丙烯酸酯)、聚(N-苯甲基甲基丙烯酰胺)、聚(对甲氧基苯乙烯)、聚偏二氯乙烯、聚硫化物(“Thiokol”)、聚(邻氯二苯基甲基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-(2，6-二氯)亚苯基-亚异丙基-1，4-(2，6-二氯)亚苯基)、聚(氧羰基氧二(1，4-(3，5-二氯亚苯基)))聚五氯苯基甲基丙烯酸酯、聚(邻氯苯乙烯)、聚(α-溴丙烯酸苯酯)、
聚(对二乙烯基苯)、聚(N-乙烯基邻苯二甲酰亚胺)、聚(2，6-二氯苯乙烯)、聚(β-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(α-萘基烃甲基甲基丙烯酸酯)、聚砜、聚(2-乙烯基噻吩)、聚(α-萘基甲基丙烯酸酯)、聚(氧羰基氧-1，4-亚苯基二苯基-亚甲基-1，4-亚苯基)、聚乙烯基苯基硫醚、丁基酚醛树脂、脲-硫脲-甲醛树脂、聚乙烯基萘、聚乙烯基咔唑、萘-甲醛树脂、酚醛树脂、聚五溴苯基甲基丙烯酸酯等。
另外，本发明中使用的(B)成分也可以使用选自下述式(20)表示的金属醇化物和式(21)表示的金属卤化物中的至少1种化合物的水解产物。
M0(OR)tYu            (20)
M0XtYu               (21)
(其中，上述式(20)和(21)中，M0表示+2～5价的原子，R表示烷基或芳基，Y表示氢原子、烷基、芳基、羟基、烷氧基或芳氧基，X表示卤素原子，且t和u表示0或1以上的整数。其中，t+u等于原子M0的原子价数。)
应当理解为在上述水解产物中包括原料中能水解的部分全部水解得到的物质，以及其中一部分水解且一部分未水解而残留的物质。
作为上述式(20)和(21)中+2～5价的原子M0，可以例举B、Si、P或金属原子。作为金属原子，优选例如元素周期表2A族、3B族和过渡金属。
上述所有烷基和烷氧基中含有的烷基可以是碳原子数1～10的直链、支链或环状烷基，其中含有的部分氢原子也可以被氟原子取代，或者其中含有的部分或全部氢原子也可以被氯原子、溴原子、全氟烷基、羟基、巯基、硫代烷基、烷氧基、全氟烷氧基、烷基酯基、烷基硫代酯基、全氟烷基酯基、氰基、硝基或芳基取代。
作为上述所有芳基和芳氧基中的芳基，可以相互独立地例举苯基、萘基、蒽基或联苯基以及这些基团的氢原子被氯原子、溴原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基、氰基或硝基取代。
另外，关于卤素原子，作为优选的卤素原子，可以例举氟、氯和溴。
如果例举上述式(20)表示的化合物，作为硅化合物，例如四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷(俗称TEOS)、四正丙氧基硅烷、四异丙氧基硅烷、四正丁氧基硅烷等四烷氧基硅烷；甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、甲基三正丙氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、环己基三乙氧基硅烷等一烷基三烷氧基硅烷；苯基三乙氧基硅烷、萘基三乙氧基硅烷、4-氯苯基三乙氧基硅烷、4-氰基苯基三乙氧基硅烷、4-氨基苯基三乙氧基硅烷、4-硝基苯基三乙氧基硅烷、4-甲基苯基三乙氧基硅烷、4-羟基苯基三乙氧基硅烷等一芳基三烷氧基硅烷；苯氧基三乙氧基硅烷、萘氧基三乙氧基硅烷、4-氯苯氧基三乙氧基硅烷、4-氰基苯氧基三乙氧基硅烷、4-氨基苯氧基三乙氧基硅烷、4-硝基苯氧基三乙氧基硅烷、4-甲基苯氧基三乙氧基硅烷、4-羟基苯氧基三乙氧基硅烷等一芳氧基三烷氧基硅烷；一羟基三甲氧基硅烷、一羟基三乙氧基硅烷、一羟基三正丙氧基硅烷等一羟基三烷氧基硅烷；二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二甲基二正丙氧基硅烷、甲基(乙基)二乙氧基硅烷、甲基(环己基)二乙氧基硅烷等二烷基二烷氧基硅烷；甲基(苯基)二乙氧基硅烷等一烷基一芳基二烷氧基硅烷；二苯基二乙氧基硅烷等二芳基二烷氧基硅烷；二苯氧基二乙氧基硅烷等二芳氧基二烷氧基硅烷；甲基(苯氧基)二乙氧基硅烷等一烷基一芳氧基二烷氧基硅烷；苯基(苯氧基)二乙氧基硅烷等一芳基一芳氧基二烷氧基硅烷；二羟基二甲氧基硅烷、二羟基二乙氧基硅烷、二羟基二正丙氧基硅烷等二羟基二烷氧基硅烷；甲基(羟基)二甲氧基硅烷等一烷基一羟基二烷氧基硅烷；苯基(羟基)二甲氧基硅烷等一芳基一羟基二烷氧基硅烷；三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三甲基正丙氧基硅烷、二甲基(乙基)乙氧基硅烷、二甲基(环己基)乙氧基硅烷等三烷基一烷氧基硅烷；二甲基(苯基)乙氧基硅烷等二烷基一芳基一烷氧基硅烷；甲基(二苯基)乙氧基硅烷等一烷基二芳基一烷氧基硅烷；三苯氧基乙氧基硅烷等三芳氧基一烷氧基硅烷；甲基(二苯氧基)乙氧基硅烷等一烷基二芳氧基一烷氧基硅烷；苯基(二苯氧基)乙氧基硅烷等一芳基二芳氧基一烷氧基硅烷；二甲基(苯氧基)乙氧基硅烷等二烷基一芳氧基一烷氧基硅烷；二苯基(苯氧基)乙氧基硅烷等二芳基一芳氧基一烷氧基硅烷；甲基(苯基)(苯氧基)乙氧基硅烷等一烷基一芳基一芳氧基一烷氧基硅烷；三羟基甲氧基硅烷、三羟基乙氧基硅烷、三羟基正丙氧基硅烷等三羟基一烷氧基硅烷；以及四甲氧基硅烷的2～5倍体等上述化合物的低聚物等。
如果例举上述式(21)所示化合物的具体实例，作为硅化合物，例如四氯硅烷、四溴硅烷、四碘硅烷、三氯溴硅烷、二氯二溴硅烷等四卤硅烷；甲基三氯硅烷、甲基二氯溴硅烷、环己基三氯硅烷等一烷基三卤硅烷；苯基三氯硅烷、萘基三氯硅烷、4-氯苯基三氯硅烷、苯基二氯溴硅烷等一芳基三卤硅烷；苯氧基三氯硅烷、苯氧基二氯溴硅烷等一芳氧基三卤硅烷；甲氧基三氯硅烷、乙氧基三氯硅烷等一烷氧基三卤硅烷；二甲基二氯硅烷、甲基(乙基)二氯硅烷、甲基(环己基)二氯硅烷等二烷基二卤硅烷；甲基(苯基)二氯硅烷等一烷基一芳基二卤硅烷；二苯基二氯硅烷等二芳基二卤硅烷；二苯氧基二氯硅烷等二芳氧基二卤硅烷；甲基(苯氧基)二氯硅烷等一烷基一芳氧基二卤硅烷；苯基(苯氧基)二氯硅烷等一芳基一芳氧基二卤硅烷；二乙氧基二氯硅烷等二烷氧基二卤硅烷；甲基(乙氧基)二氯硅烷等一烷基一烷氧基二氯硅烷；苯基(乙氧基)二氯硅烷等一芳基一乙氧基二氯硅烷；三甲基氯硅烷、二甲基(乙基)氯硅烷、二甲基(环己基)氯硅烷等三烷基一卤硅烷；二甲基(苯基)氯硅烷等二烷基一芳基一卤硅烷；甲基(二苯基)氯硅烷等一烷基二芳基一卤硅烷；三苯氧基氯硅烷等三芳氧基一卤硅烷；甲基(二苯氧基)氯硅烷等一烷基二芳氧基一卤硅烷；苯基(二苯氧基)氯硅烷等一芳基二芳氧基一卤硅烷；二甲基(苯氧基)氯硅烷等二烷基一芳氧基一卤硅烷；二苯基(苯氧基)氯硅烷等二芳基一芳氧基一卤硅烷；甲基(苯基)(苯氧基)氯硅烷等一烷基一芳基一芳氧基一卤硅烷；三乙氧基氯硅烷等三乙氧基一卤硅烷；以及四氯硅烷的2～5倍体等上述化合物的低聚物等。
作为上述式(20)或上述式(21)表示的化合物，同样还可以例举二乙氧基铍、二氯化铍、三乙氧基硼、三氯化硼、二乙氧基镁、二氯化镁、三乙氧基铝、三氯化铝、三乙氧基磷、三氯化磷、五乙氧基磷、五氯化磷、二乙氧基钙、二氯化钙、三乙氧基钪、三氯化钪、四乙氧基钛、四丁氧基钛、四氯化钛、二乙氧基锰、二氯化锰、二乙氧基铁、二氯化铁、三乙氧基铁、三氯化铁、二乙氧基钴、二氯化钴、二乙氧基镍、二氯化镍、二乙氧基锌、二氯化锌、三乙氧基镓、三氯化镓、四甲氧基锗、四乙氧基锗、四氯化锗、二乙氧基锶、二氯化锶、三乙氧基钇、三氯化钇、四甲氧基锆、四乙氧基锆、四氯化锆、二乙氧基镉、二氯化镉、三乙氧基铟、三氯化铟、四乙氧基碲、四氯化碲、二乙氧基钡、二氯化钡、三乙氧基镧、三氯化镧、三乙氧基钕、三氯化钕、三乙氧基镱、三氯化镱、六乙氧基钨、六氯化钨、五乙氧基钽、五氯化钽、二乙氧基铅、二氯化铅、三乙氧基铋、三氯化铋、四乙氧基钍、四氯化钍等醇化物和卤化物。
其中，优选使用四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷等四烷氧基硅烷；三乙氧基铝等三烷氧基铝；四乙氧基钛等四烷氧基钛；四氯硅烷等四卤硅烷；三氯化铝等三卤化铝；四氯化钛等四卤化钛类等。更优选使用四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷等四烷氧基硅烷；三乙氧基铝等三烷氧基铝；四氯硅烷等四卤硅烷；最优选使用四乙氧基硅烷等四烷氧基硅烷。另外，也能够以任意的组成同时使用这些示例化合物中的任意多种。
可以使上述化合物进行水解反应制成本发明使用的(B)成分。水解反应优选在适当的溶剂中进行。作为这种溶剂，例如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、丙酮、四氢呋喃、二氧六环、乙腈等水溶性溶剂或它们的水溶液。
由于这些水溶性溶剂要在以后的步骤中除去，因此优选甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、丙酮、四氢呋喃等沸点比较低的溶剂，从原料溶解性的角度来看，更优选甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇等醇类，最优选乙醇。
用于合成(B)成分的水解反应，如下所述在水和适当的催化剂存在下进行。
具体而言，将上述式(20)或(21)表示的化合物溶解于适当的有机溶剂中，向该溶液中断续地或连续地添加水。这时，催化剂可以预先溶解或分散在有机溶剂中，也可以溶解或分散在添加的水中。
另外，进行水解反应的温度通常为0～100℃，优选15～80℃。
作为进行水解反应用的水，没有特别的限定，优选使用离子交换水。
另外，优选上述式(20)或(21)所示化合物中的烷氧基和卤素原子的合计1摩尔，水的用量为0.25～3摩尔，特别优选为0.3～2.5摩尔。
作为进行水解用的催化剂，可以使用金属螯合物、有机酸、无机酸、有机碱、无机碱等。
作为用作催化剂的金属螯合物的具体实例，例如三乙氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、三正丙氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、三异丙氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、三正丁氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、三仲丁氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、三叔丁氧基·一(乙酰丙酮酸)钛、二乙氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、二正丙氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、二异丙氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、二正丁氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、二仲丁氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、二叔丁氧基·二(乙酰丙酮酸)钛、一乙氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、一正丙氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、一异丙氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、一正丁氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、一仲丁氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、一叔丁氧基·三(乙酰丙酮酸)钛、四(乙酰丙酮酸)钛、
三乙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、三正丙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、三异丙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、三正丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、三仲丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、三叔丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)钛、二乙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、二正丙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、二异丙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、二正丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、二仲丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、二叔丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)钛、一乙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、一正丙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、一异丙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、一正丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、一仲丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、一叔丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)钛、四(乙基乙酰丙酮酸)钛、一(乙酰丙酮酸)三(乙基乙酰丙酮酸)钛、二(乙酰丙酮酸)二(乙基乙酰丙酮酸)钛、三(乙酰丙酮酸)一(乙基乙酰丙酮酸)钛等钛螯合物；
三乙氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、三正丙氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、三异丙氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、三正丁氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、三仲丁氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、三叔丁氧基·一(乙酰丙酮酸)锆、二乙氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、二正丙氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、二异丙氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、二正丁氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、二仲丁氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、二叔丁氧基·二(乙酰丙酮酸)锆、一乙氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、一正丙氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、一异丙氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、一正丁氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、一仲丁氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、一叔丁氧基·三(乙酰丙酮酸)锆、四(乙酰丙酮酸)锆、
三乙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、三正丙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、三异丙氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、三正丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、三仲丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、三叔丁氧基·一(乙基乙酰丙酮酸)锆、二乙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、二正丙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、二异丙氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、二正丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、二仲丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、二叔丁氧基·二(乙基乙酰丙酮酸)锆、一乙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、一正丙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、一异丙氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、一正丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、一仲丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、一叔丁氧基·三(乙基乙酰丙酮酸)锆、四(乙基乙酰丙酮酸)锆、一(乙酰丙酮酸)三(乙基乙酰丙酮酸)锆、二(乙酰丙酮酸)二(乙基乙酰丙酮酸)锆、三(乙酰丙酮酸)一(乙基乙酰丙酮酸)锆等锆螯合物；
三(乙酰丙酮酸)铝、三(乙基乙酰丙酮酸)铝等铝螯合物等。
作为用作催化剂的有机酸的具体实例，例如醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、草酸、马来酸、甲基丙二酸、己二酸、癸二酸、没食子酸、酪酸、苯六酸、花生四烯酸、莽草酸、2-乙基己酸、油酸、硬脂酸、亚油酸、亚麻酸(リノレイン酸)、水杨酸、苯甲酸、对氨基苯甲酸、对甲苯磺酸、苯磺酸、一氯乙酸、二氯乙酸、三氯乙酸、三氟乙酸、甲酸、丙二酸、磺酸、邻苯二甲酸、富马酸、枸橼酸、酒石酸等。
作为用作催化剂的无机酸的具体实例，例如盐酸、硝酸、硫酸、氢氟酸、磷酸等。
作为用作催化剂的有机碱的具体实例，例如吡啶、吡咯、哌嗪、吡咯烷、哌啶、甲基吡啶、三甲胺、三乙胺、一乙醇胺、二乙醇胺、二甲基一乙醇胺、一甲基二乙醇胺、三乙醇胺、二氮杂二环辛烷、二氮杂二环壬烷、二氮杂二环十一碳烯、氢氧化四甲铵等。
作为用作催化剂的无机碱，可以例举氨、氢氧化钠、氢氧化钾、氢氧化钡、氢氧化钙等。
其中，优选使用金属螯合物、有机酸或无机酸作为催化剂，更优选钛螯合物或有机酸。
这些化合物可以单独使用1种作为催化剂，也可以2种以上组合作为催化剂使用。
另外，催化剂的用量相对于换算成SiO2的上述式(20)或(21)表示的化合物100重量份，通常为0.001～10重量份，优选0.01～10重量份。
而且，上述式(20)或(21)表示的化合物进行水解后，优选进行处理除去残留的水分以及作为副反应产物生成的醇类。
作为非分解性化合物(B)，进一步优选使用下述式(22)表示的梯形聚倍半硅氧烷。
Figure C0280257400301
(其中，Rx表示1价的有机基团，Ry表示氢原子或1价的有机基团，Rx和Ry可以相同，也可以不同。另外，n为与分子量对应的正整数。)
在上述式(22)中，作为1价有机基团，可以例举烷基、芳基、烯丙基、缩水甘油基等。其中，作为烷基，例如甲基、乙基、丙基等，优选碳原子数为1～5，这些烷基可以是直链状，也可以是支链状。作为芳基，例如苯基、萘基、甲苯基等。而且这些烷基、芳基、烯丙基、缩水甘油基的氢原子也可以被氯原子、溴原子等卤素原子、羟基、巯基、烷氧基、硫代烷基、烷基酯基、烷基硫代酯基或芳基取代。
具有上述式(22)所示结构的化合物的制备方法公开于例如特开昭56-157885号公报、特开昭57-40526号公报、特开昭58-69217号公报等中。作为这些物质的市售品，例如GR-100、GR-650、GR-908、GR-950(以上由昭和电工(株)制)等。
作为(B)成分，当然可以使用上述式(22)表示的化合物，而且也可以使用其水解产物和缩合物，其水解反应和缩合反应可以适用与上述式(20)、(21)所示化合物的水解反应的反应条件类似的条件(催化剂、水、反应温度)。上述式(22)表示的化合物优选使用其重均分子量按聚苯乙烯换算为500～500,000的物质，更优选为500～300,000的物质。
在本发明中，可以与上述树脂一起使用无机氧化物粒子。作为所述无机氧化物粒子，优选对下述(C)放射线敏感性分解剂产生的酸或碱稳定。氧化物粒子的电容率可以根据其用途任意选择优选数值的物质进行使用。
作为这种氧化物粒子，适合使用例如含有Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La、Ce、Gd、Tb、Dy、Yb、Lu、Ti、Zr、Hf、Nb、Mo、W、Zn、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb、Bi、Te等原子的氧化物，作为更优选的具体实例，例如BeO、MgO、CaO、SrO、BaO、Sc2O3、Y2O3、La2O3、Ce2O3、Gd2O3、Tb2O3、Dy2O3、Yb2O3、Lu2O3、TiO2、ZrO2、HfO2、Nb2O5、MoO3、WO3、ZnO、B2O3、Al2O3、SiO2、GeO2、SnO2、PbO、Bi2O3、TeO2等氧化物以及含有它们的复合氧化物，例如，Al2O3-MgO、Al2O3-SiO2、ZnO-Y2O3、ZrO2-Ce2O3、ZrO2-TiO2-SnO2、TeO2-BaO-ZnO、TeO2-WO3-Ta2O5、TeO2-WO3-Bi2O3、TeO2-BaO-PbO、CaO-Al2O3、CaO-Al2O3-BaO、CaO-Al2O3-Na2O、CaO-Al2O3-K2O、CaO-Al2O3-SiO2、PbO-Bi2O3-BaO、PbO-Bi2O3-ZnO、PbO-Bi2O3、PbO-Bi2O3-BaO-ZnO、PbO-Bi2O3-CdO-Al2O3、PbO-Bi2O3-GeO2、PbO-Bi2O3-GeO2-Tl2O、BaO-PbO-Bi2O3、BaO-PbO-Bi2O3-ZnO、Bi2O3-Ga2O3-PbO、Bi2O3-Ga2O3-CdO、Bi2O3-Ga2O3-(Pd，Cd)O等。
氧化物粒子的粒径优选比使用本发明电容率变化性组合物的膜厚小，例如可以为2μm以下，更优选0.2μm以下，特别优选0.1μm以下。粒径如果超过2μm，则有时将得到的电容率变化性组合物制成膜时的表面状态存在问题。
上述氧化物粒子也可以通过与硅烷偶联剂、表面活性剂或对构成氧化物的金属原子具有配位能力的配位性化合物等接触，对粒子表面进行改性后使用。
无机氧化物粒子相对于水解产物100重量份，优选使用500重量份以下，更优选使用300重量份以下。
(B)非分解性化合物的重均分子量优选200～1,000,000，更优选200～500,000。
(B)成分与(A)成分的合计量为100重量份时，(B)成分优选为5重量份到90重量份，更优选为10重量份到70重量份。(B)成分不足5重量份时，电容率变化材料易于变脆，超过90重量份时，得到的电容率差易于变小。
另外，当然(B)成分和上述(A)成分可以分别制备进行使用，也可以在制备(A)成分时使预先制备的(B)成分共存，或者在制备(B)成分时使预先制备的(A)成分共存，或者在同一反应体系内一起制备(A)成分和(B)成分进行使用。
(C)放射线敏感性分解剂
本发明中使用的(C)放射线敏感性分解剂可以是放射线敏感性酸发生剂或放射线敏感性碱发生剂。这种情况下，优选在使用酸分解性化合物作为(A)分解性化合物时，使用放射线敏感性酸发生剂作为(C)放射线敏感性分解剂，在使用碱分解性化合物作为(A)分解性化合物时，使用放射线敏感性碱发生剂作为(C)放射线敏感性分解剂。
作为上述放射线敏感性酸发生剂，可以使用例如三氯甲基-s-三嗪类、二芳基碘鎓盐类、三芳基锍盐类、季铵盐类、磺酸酯类等。
作为上述三氯甲基-s-三嗪类，例如三(2，4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-苯基-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-氯苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-氯苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-氯苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲硫基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲硫基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲硫基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基萘基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基萘基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲氧基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(2-甲氧基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3，4，5-三甲氧基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲硫基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲硫基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(3-甲硫基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-胡椒基-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-[2-(呋喃-2-基)乙烯基]-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-[2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基]-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-[2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基]-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪等。
作为上述二芳基碘鎓盐类，例如二苯基碘鎓四氟硼酸盐、二苯基碘鎓六氟膦酸盐、二苯基碘鎓六氟砷酸盐、二苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、二苯基碘鎓三氟乙酸盐、二苯基碘鎓对甲苯磺酸盐、二苯基碘鎓丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、二苯基碘鎓己基三(对氯苯基)硼酸盐、二苯基碘鎓己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓四氟硼酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓六氟膦酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓六氟砷酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟乙酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓对甲苯磺酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓己基三(对氯苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓四氟硼酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓六氟砷酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟甲磺酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓三氟乙酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓对甲苯磺酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓己基三(对氯苯基)硼酸盐、二(4-叔丁基苯基)碘鎓己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐等。
作为上述三芳基锍盐类，例如三苯基锍四氟硼酸盐、三苯基锍六氟膦酸盐、三苯基锍六氟砷酸盐、三苯基锍三氟甲磺酸盐、三苯基锍三氟乙酸盐、三苯基锍对甲苯磺酸盐、三苯基锍丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、三苯基锍己基三(对氯苯基)硼酸盐、三苯基锍己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍四氟硼酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍六氟膦酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍六氟砷酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟乙酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍对甲苯磺酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍己基三(对氯苯基)硼酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍四氟硼酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍六氟膦酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍六氟砷酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍三氟乙酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍对甲苯磺酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍己基三(对氯苯基)硼酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍四氟硼酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍六氟膦酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍六氟砷酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍三氟甲磺酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍三氟乙酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍对甲苯磺酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍己基三(对氯苯基)硼酸盐、4-羟基-1-萘基二甲基锍己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐等。
作为上述季铵盐类，例如四甲基铵四氟硼酸盐、四甲基铵六氟膦酸盐、四甲基铵六氟砷酸盐、四甲基铵三氟甲磺酸盐、四甲基铵三氟乙酸盐、四甲基铵对甲苯磺酸盐、四甲基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、四丁基铵四氟硼酸盐、四丁基铵六氟膦酸盐、四丁基铵六氟砷酸盐、四丁基铵三氟甲磺酸盐、四丁基铵三氟乙酸盐、四丁基铵对甲苯磺酸盐、四丁基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、四丁基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、四丁基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、苯甲基三甲基铵四氟硼酸盐、苯甲基三甲基铵六氟膦酸盐、苯甲基三甲基铵六氟砷酸盐、苯甲基三甲基铵三氟甲磺酸盐、苯甲基三甲基铵三氟乙酸盐、苯甲基三甲基铵对甲苯磺酸盐、苯甲基三甲基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、苯甲基三甲基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、苯甲基三甲基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵四氟硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵六氟膦酸盐、苯甲基二甲基苯基铵六氟砷酸盐、苯甲基二甲基苯基铵三氟甲磺酸盐、苯甲基二甲基苯基铵三氟乙酸盐、苯甲基二甲基苯基铵对甲苯磺酸盐、苯甲基二甲基苯基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵四氟硼酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵六氟膦酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵六氟砷酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵三氟甲磺酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵三氟乙酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵对甲苯磺酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、N-亚肉桂基乙基苯基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐等。
作为上述磺酸酯类，例如α-羟甲基安息香对甲苯磺酸酯、α-羟甲基安息香-三氟甲磺酸酯、α-羟甲基安息香-甲磺酸酯、连苯三酚-三(对甲苯磺酸)酯、连苯三酚-三(三氟甲磺酸)酯、连苯三酚-三甲磺酸酯、2，4-二硝基苯甲基对甲苯磺酸酯、2，4-二硝基苯甲基-三氟甲磺酸酯、2，4-二硝基苯甲基-甲磺酸酯、2，4-二硝基苯甲基-1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酸酯、2，6-二硝基苯甲基对甲苯磺酸酯、2，6-二硝基苯甲基-三氟甲磺酸酯、2，6-二硝基苯甲基-甲磺酸酯、2，6-二硝基苯甲基-1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酸酯、2-硝基苯甲基对甲苯磺酸酯、2-硝基苯甲基-三氟甲磺酸酯、2-硝基苯甲基-甲磺酸酯、2-硝基苯甲基-1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酸酯、4-硝基苯甲基对甲苯磺酸酯、4-硝基苯甲基-三氟甲磺酸酯、4-硝基苯甲基-甲磺酸酯、4-硝基苯甲基-1，2-萘醌二叠氮基-5-磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚氨基对甲苯磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚氨基-三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚氨基-甲磺酸酯、N-羟基-5-降冰片烯-2，3-二羧基亚氨基对甲苯磺酸酯、N-羟基-5-降冰片烯-2，3-二羧基亚氨基-三氟甲磺酸酯、N-羟基-5-降冰片烯-2，3-二羧基亚氨基-甲磺酸酯、2，4，6，3’，4’，5’-六羟基二苯酮-1，2-萘醌二叠氮基-4-磺酸酯、1，1，1-三(对羟基苯基)乙烷-1，2-萘醌二叠氮基-4-磺酸酯等。
这些化合物中，作为三氯甲基-s-三嗪类，优选的物质例如2-(3-氯苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲硫基苯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-(4-甲氧基-β-苯乙烯基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-胡椒基-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-〔2-(呋喃-2-基)乙烯基〕-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-〔2-(5-甲基呋喃-2-基)乙烯基〕-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪、2-〔2-(4-二乙基氨基-2-甲基苯基)乙烯基〕-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪或2-(4-甲氧基萘基)-二(4，6-三氯甲基)-s-三嗪；
作为二芳基碘鎓盐类，优选的物质例如二苯基碘鎓三氟乙酸盐、二苯基碘鎓三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟甲磺酸盐或4-甲氧基苯基苯基碘鎓三氟乙酸盐；
作为三芳基锍盐类，优选的物质例如三苯基锍三氟甲磺酸盐、三苯基锍三氟乙酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐、4-甲氧基苯基二苯基锍三氟乙酸盐、4-苯硫基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐或4-苯硫基苯基二苯基锍三氟乙酸盐；
作为季铵盐类，优选的物质例如四甲基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(对氯苯基)硼酸盐、四甲基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵丁基三(2，6-二氟苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵己基三(对氨苯基)硼酸盐、苯甲基二甲基苯基铵己基三(3-三氟甲基苯基)硼酸盐；
作为磺酸酯类，优选的物质例如2，6-二硝基苯甲基对甲苯磺酸酯、2，6-二硝基苯甲基-三氟甲磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚氨基对甲苯磺酸酯、N-羟基萘二甲酰亚氨基-三氟甲磺酸酯。
作为上述放射线敏感性碱发生剂，适合使用特开平4-330444号公报、“高分子”p242-248，46卷6号(1997年)、美国专利第5,627,010号公报等中记载的物质。但是，只要作为功能通过照射放射线产生碱即可，并不限于此。
作为本发明的优选放射线敏感性碱发生剂，可以例举如三苯基甲醇、氨基甲酸苯甲酯和苯偶姻氨基甲酸酯等光活性的氨基甲酸酯；O-氨基甲酰基羟基酰胺、O-氨基甲酰基肟、芳香族磺酰胺、α-内酰胺和N-(2-烯丙基乙炔基)酰胺等酰胺以及其它酰胺；肟酯、α-氨基苯乙酮、钴络合物等。
作为放射线敏感性碱发生剂的例子，例如下述式(23)～(33)表示的化合物。
Figure C0280257400371
(其中，R72为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基、碳原子数6～20的芳基、氟原子、氯原子或溴原子，k为0～3的整数，R73为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R74和R75各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基，或者，R74和R75也可以相互结合，同与其结合的氮原子一起形成碳原子数5～6的环状结构。)
Figure C0280257400372
(其中，R76为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R77为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R78和R79各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基，或者，R78和R79也可以形成碳原子数5～6的环状结构。)
(其中，R80为碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R81和R82各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基，或者，R81和R82也可以形成碳原子数5～6的环状结构。)
Figure C0280257400382
(其中，R83和R84各自独立地为碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基。)
(其中，R85、R86和R87各自独立地为碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基。)
Figure C0280257400384
(其中，r88为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R89为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R90、R91和R92各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基。)
(其中，R93为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R94和R95各自独立地为氢原子、羟基、巯基、氰基、苯氧基、碳原子数1～6的烷基、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R96和R97各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基，或者，R96和R97也可以形成碳原子数5～6的环状结构。)
Figure C0280257400392
(其中，R98和R99各自独立地为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R100～R103各自独立地为氢原子、羟基、巯基、氰基、苯氧基、碳原子数1～6的烷基、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，A5为除去在单烷基胺、哌嗪、芳香族二胺或脂肪族二胺的1个或2个氮原子上结合的2个氢原子而产生的二价原子团。)
Figure C0280257400393
(其中，R104和R105各自独立地为碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的硫代烷基、各烷基的碳原子数为1～6的二烷基氨基、哌啶基、硝基、羟基、巯基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R106和R107各自独立地为氢原子、羟基、巯基、氰基、苯氧基、碳原子数1～6的烷基、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R108～R111各自独立地为氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基或苯甲基，或者，R108和R109或者R110和R111也可以形成碳原子数5～6的环状结构，A6为碳原子数1～6的亚烷基、亚环己基、亚苯基或单键。)
Figure C0280257400401
(其中，R112～R114各自独立地为氢原子、氟原子、氯原子、溴原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数1～6的烯基、碳原子数1～6的炔基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基。)
LnCO3+·3[(R115)3R116]-    (33)
(其中，L为选自氨、吡啶、咪唑、乙二胺、亚丙基二胺、亚丁基二胺、亚己基二胺、丙二胺、1，2-环己二胺、N，N-二乙基乙二胺、二亚乙基三胺的至少一种配位体，n为2～6的整数，R115为碳原子数2～6的烯基或炔基或者碳原子数6～20的芳基，R116为碳原子数1～18的烷基。)
在所有上述式(23)～(33)中，烷基可以为直链状、支链状、环状。另外，烯基可以例举乙烯基、丙烯基等，炔基可以例举乙炔基等。作为芳基可以例举苯基、萘基、蒽基等。另外，这些基团中含有的氢原子被氟原子、氯原子、溴原子、卤代烷基、羟基、羧基、巯基、氰基、硝基、叠氮基、二烷基氨基、烷氧基或硫代烷基取代的基团也包含在内。
这些放射线敏感性碱发生剂中，作为优选的物质例如2-硝基苯甲基环己基氨基甲酸酯、三苯基甲醇、邻氨基甲酰基羟基酰胺、邻氨基甲酰基肟、[[(2，6-二硝基苯甲基)氧]羰基]环己胺、二[[(2-硝基苯甲基)氧]羰基]己烷1，6-二胺、4-(甲硫基苯甲酰基)-1-甲基-1-吗啉基乙烷、(4-吗啉基苯甲酰基)-1-苯甲基-1-二甲基氨基丙烷、N-(2-硝基苯甲氧基羰基)吡咯烷、六氨合高钴(III)三(三苯基甲基硼酸盐)、2-苯甲基-2-二甲基氨基-1-(4-吗啉基苯基)-丁酮等。
(A)分解性化合物和(B)含有无机氧化物粒子的非分解性成分的合计量每100重量份，优选使用上述(C)放射线敏感性分解剂0.01重量份以上，更优选使用0.05重量份以上。(C)成分低于0.01重量份时，有时对照射光的感光度不足。上限值优选30重量份，更优选20重量份。
(D)稳定剂
本发明中使用的(D)稳定剂具有使放射线照射后的电容率变化材料中残留的(A)分解性化合物稳定，使之对酸或碱具有稳定性的功能。通过这种稳定化处理，由本发明方法形成的电容率图案即使在为使电容率变化而使用的波长附近的光通过的条件下使用，也不会引起电容率的变化，不会发生劣化。
作为上述(D)稳定剂，可以例举氨基化合物、环氧化合物、硫杂丙环化合物、氧杂环丁烷化合物、烷氧基甲基化蜜胺化合物、烷氧基甲基化甘脲化合物、烷氧基甲基化苯并胍胺化合物、烷氧基甲基化脲化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯化合物、噁唑啉化合物、噁嗪化合物和甲硅烷基化合物(卤化甲硅烷基化合物、其他甲硅烷基化合物)等。
作为上述氨基化合物，可以例举氨、三甲胺、三乙胺、三丙胺、三丁胺、三戊胺、三己胺、三环己基胺、三苯胺、三苯甲基胺、苯胺、乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、四亚乙基五胺、1，3-二氨基丙烷、1，4-二氨基丁烷、1，5-二氨基戊烷、1，6-二氨基己烷、1，7-二氨基庚烷、1，8-二氨基辛烷、1，9-二氨基壬烷、1，10-二氨基癸烷、1，11-二氨基十一烷、1，12-二氨基十二烷、1，4-二氨基环己烷、1，3-环己烷二(甲胺)、1，3-丙烷-2-醇、2，2’，2”-三氨基三乙胺、1，4-二氨基-2，2，3，3-四氟戊烷、1，5-二氨基-2，2，3，3，4，4-六氟戊烷、蜜胺、苯并胍胺、乙酰胍胺、丙烯酰胍胺、对苯二胺、阿米酚、间苯二胺、对苯二胺、p，p’-二氨基二苯基甲烷、二氨基二苯砜、1，8-二氨基萘、3，5-二氨基-1，2，4-三唑、2-氯-4，6-二氨基-s-三嗪、2，6-二氨基吡啶、3，3’-二氨基联苯胺、二(4-氨基苯基)醚、间二甲苯二胺、对二甲苯二胺、1，2，4，5-苯四胺、2，4-二氨基-1，3，5-三嗪、4，4’-二氨基二苯酮、3，3’，4，4’-四氨基二苯酮、三氨基苯、4，4’-硫代二苯胺、2，3，5，6-四溴-对二甲苯二胺、2，3，5，6-四氯-对二甲苯二胺、4，5-亚甲基二氧-1，2-苯二胺、2，2’-二(5-氨基吡啶基)硫醚等。
作为上述环氧化合物，可以例举双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、环式脂肪族环氧树脂、双酚A型环氧化合物、脂肪族聚缩水甘油醚等。
作为它们的市售品，可以例举下列物质。作为双酚A型环氧树脂，例如Epikote1001、Epikote1002、Epikote1003、Epikote1004、Epikote1007、Epikote1009、Epikote1010、Epikote828(以上由油化シエル环氧(株)制)等，作为双酚F型环氧树脂，例如Epikote807(油化シエル环氧(株)制)等，作为苯酚酚醛清漆型环氧树脂，例如Epikote152、Epikote154(以上由油化シエル环氧(株)制)、EPPN201、EPPN202(以上由日本化药(株)制)等，作为甲酚酚醛清漆型环氧树脂，例如EOCN-102、EOCN-103S、EOCN-104S、EOCN-1020、EOCN-1025、EOCN-1027(以上由日本化药(株)制)、Epikote180S75(油化シエル环氧(株)制)等，作为环式脂肪族环氧树脂，例如CY175、CY177、CY179(以上由CIBA-GEIGY A.G制)、ERL-4234、ERL-4299、ERL-4221、ERL-4206(以上由U.C.C社制)、シヨ-ダイン509(昭和电工(株)制)、アラルダイトCY-182、アラルダイトCY-192、アラルダイトCY-184(以上由CIBA-GEIGY A.G制)、エピクロン200、エピクロン400(以上由大日本油墨工业(株)制)、Epikote871、Epikote872(以上由油化シエル环氧(株)制)、ED-5661、ED-5662(以上由セラニ-ズコ-テイング(株)制)等，作为脂肪族聚缩水甘油醚，例如エポライト100MF(共荣社化学(株)制)、エピオ-ルTMP(日本油脂(株)制)等。
除上述物质以外，苯基缩水甘油醚、丁基缩水甘油醚、3，3，3-三氟甲基环氧丙烷、氧化苯乙烯、六氟环氧丙烷、氧化环己烯、N-缩水甘油基邻苯二甲酰亚胺、环氧化(九氟-N-丁基)、全氟乙基缩水甘油醚、表氯醇、环氧溴丙烷、N，N-二缩水甘油基苯胺、3-[2-(全氟己基)乙氧基]-1，2-环氧丙烷等也适于作为环氧化合物使用。
作为上述硫杂丙环化合物，可以使用如J.Org.Chem.，28，229(1963)所示将上述环氧化合物的环氧基取代成硫化乙烯(ethylenesulfide)基而成的物质。
作为上述氧杂环丁烷化合物，例如二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯(商品名“XDO”，东亚合成(株)制)、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]甲烷、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]醚、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]丙烷、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]砜、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]酮、二[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基-苯基]六氟丙烷、三[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯、四[(3-乙基-3-氧杂环丁烷基甲氧基)甲基]苯等。
上述烷氧基甲基化蜜胺化合物、烷氧基甲基化苯并胍胺化合物、烷氧基甲基化甘脲化合物和烷氧基甲基化脲化合物分别可以通过将羟甲基化蜜胺化合物、羟甲基化苯并胍胺化合物、羟甲基化甘脲化合物和羟甲基化脲化合物的羟甲基变成烷氧基甲基而得到。对该烷氧基甲基的种类并没有特别限定，例如可以为甲氧基甲基、乙氧基甲基、丙氧基甲基、丁氧基甲基等。
作为它们的市售品，例如サイメル300、サイメル301、サイメル303、サイメル370、サイメル325、サイメル327、サイメル701、サイメル266、サイメル267、サイメル238、サイメル1141、サイメル272、サイメル202、サイメル1156、サイメル1158、サイメル1123、サイメル1170、サイメル1174、サイメルUFR65、サイメル300(以上由三井サイアナミツド(株)制)、ニカラツクMx-750、ニカラツクMx-032、ニカラツクMx-706、ニカラツクMx-708、ニカラツクMx-40、ニカラツクMx-31、ニカラツクMs-11、ニカラツクMw-30(以上由三和化学(株)制)等。
作为上述异氰酸酯化合物，例如亚苯基-1，3-二异氰酸酯、亚苯基-1，4-二异氰酸酯、1-甲氧基亚苯基-2，4-二异氰酸酯、1-甲基亚苯基-2，4-二异氰酸酯、2，4-亚甲苯基二异氰酸酯、2，6-亚甲苯基二异氰酸酯、1，3-亚二甲苯基二异氰酸酯、1，4-亚二甲苯基二异氰酸酯、亚联苯基-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-二甲氧基亚联苯基-4，4’-二异氰酸酯、
3，3’-二甲基亚联苯基-4，4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-二甲氧基二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、3，3’-二甲基二苯基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、萘-1，5-二异氰酸酯、亚环丁基-1，3-二异氰酸酯、亚环戊基-1，3-二异氰酸酯、亚环己基-1，3-二异氰酸酯、亚环己基-1，4-二异氰酸酯、1-甲基亚环己基-2，4-二异氰酸酯、1-甲基亚环己基-2，6-二异氰酸酯、1-异氰酸酯-3，3，5-三甲基-5-异氰酸酯甲基环己烷、环己烷-1，3-二(甲基异氰酸酯)、环己烷-1，4-二(甲基异氰酸酯)、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-2，4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-4，4’-二异氰酸酯、二异氰酸乙二酯、亚丁基-1，4-二异氰酸酯、亚己基-1，6-二异氰酸酯、亚十二烷基-1，12-二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯甲酯等，或者这些有机二异氰酸酯的化学理论过剩量与含有2官能性活性氢的化合物反应得到的两末端异氰酸酯预聚物等。
另外，根据情况，也可以与上述二异氰酸酯一起并用如苯基-1，3，5-三异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4，4’-三异氰酸酯、二苯基甲烷-2，5，4’-三异氰酸酯、三苯基甲烷-2，4’，4”-三异氰酸酯、三苯基甲烷-4，4’，4”-三异氰酸酯、二苯基甲烷-2，4，2’，4’-四异氰酸酯、二苯基甲烷-2，5，2’，5’-四异氰酸酯、环己烷-1，3，5-三异氰酸酯、环己烷-1，3，5-三(甲基异氰酸酯)、3，5-二甲基环己烷-1，3，5-三(甲基异氰酸酯)、1，3，5-三甲基环己烷-1，3，5-三(甲基异氰酸酯)、二环己基甲烷-2，4，2’-三异氰酸酯、二环己基甲烷-2，4，4’-三异氰酸酯等3官能以上的有机聚异氰酸酯或者这些3官能以上的有机聚异氰酸酯的化学理论过剩量与含有2官能以上的多官能性活性氢的化合物反应得到的末端异氰酸酯预聚物等。
作为上述氰酸酯化合物，可以例举1，3-二氰酸酯苯、1，4-二氰酸酯苯、1，3，5-三氰酸酯苯、1，3-、1，4-、1，6-、1，8-、2，6-、或2，7-二氰酸酯萘、1，3，6-三氰酸酯萘、2，2’或4，4’-二氰酸酯联苯、二(4-氰酸酯苯基)甲烷、2，2-二(4-氰酸酯苯基)丙烷、2，2’-二(3，5-二氯-4-氰酸酯苯基)丙烷、2，2-二(4-氰酸酯苯基)乙烷、二(4-氰酸酯苯基)醚、二(4-氰酸酯苯基)硫醚、二(4-氰酸酯苯基)砜、1，1，1，3，3，3-六氟-2，2-二(4-氰酸酯苯基)丙烷、三(4-氰酸酯苯基)亚磷酸盐、三(4-氰酸酯苯基)磷酸盐，以及酚树脂和卤化氰反应得到的苯多核体的聚异氰酸酯化合物(例如特公昭45-11712号和55-9433号公报)等。从容易得到且成型性和使最终固化物具有良好性质的角度出发，特别优选使用由2，2-二(4-氰酸酯苯基)丙烷类双酚衍生得到的2价氰酸酯化合物。另外，苯酚和甲醛的初期缩合物与卤化氰反应得到的聚氰酸酯也有用。
作为上述噁唑啉化合物，例如2，2’-二(2-噁唑啉)、4-呋喃-2-基亚甲基-2-苯基-4H-噁唑-5-酮、1，4-二(4，5-二氢-2-噁唑啉基(オキサゾリル))苯、1，3-二(4，5-二氢-2-噁唑啉基(オキサゾリル))苯、2，3-二(4-异丙烯基-2-噁唑啉-2-基)丁烷、2，2’-二-4-苯甲基-2-噁唑啉、2，6-二(异丙基-2-噁唑啉-2-基)吡啶、2，2’-亚异丙基二(4-叔丁基-2-噁唑啉)、2，2’-亚异丙基二(4-苯基-2-噁唑啉)、2，2’-亚甲基二(4-叔丁基-2-噁唑啉)、2，2’-亚甲基二(4-苯基-2-噁唑啉)等。
作为上述噁嗪化合物，例如2，2’-二(2-噁嗪)、4-呋喃-2-基亚甲基-2-苯基-4H-噁嗪基-5-酮、1，4-二(4，5-二氢-2-噁嗪基)苯、1，3-二(4，5-二氢-2-噁嗪基)苯、2，3-二(4-异丙烯基-2-噁嗪-2-基)丁烷、2，2’-二-4-苯甲基-2-噁嗪、2，6-二(异丙基-2-噁嗪-2-基)吡啶、2，2’-亚异丙基二(4-叔丁基-2-噁嗪)、2，2’-亚异丙基二(4-苯基-2-噁嗪)、2，2’-亚甲基二(4-叔丁基-2-噁嗪)、2，2’-亚甲基二(4-苯基-2-噁嗪)等。
作为上述卤化甲硅烷基化合物，例如四氯硅烷、四溴硅烷、四碘硅烷、三氯溴硅烷、二氯二溴硅烷等四卤代硅烷类，甲基三氯硅烷、甲基二氯溴硅烷、环己基三氯硅烷等单烷基三卤硅烷类，苯基三氯硅烷、萘基三氯硅烷、4-氯苯基三氯硅烷、苯基二氯溴硅烷等单芳基三卤硅烷类，苯氧基三氯硅烷、苯氧基二氯溴硅烷等单芳氧基三卤硅烷类，甲氧基三氯硅烷、乙氧基三氯硅烷等单烷氧基三卤硅烷类，二甲基二氯硅烷、甲基(乙基)二氯硅烷、甲基(环己基)二氯硅烷等二烷基二卤硅烷类，甲基(苯基)二氯硅烷等单烷基单芳基二卤硅烷类，二苯基二氯硅烷等二芳基二卤硅烷类，二苯氧基二氯硅烷等二芳氧基二卤硅烷类，甲基(苯氧基)二氯硅烷等单烷基单芳氧基二卤硅烷类，苯基(苯氧基)二氯硅烷等单芳基单芳氧基二卤硅烷类，二乙氧基二氯硅烷等二烷氧基二卤硅烷类，甲基(乙氧基)二氯硅烷等单烷基单烷氧基二氯硅烷类，苯基(乙氧基)二氯硅烷等单芳基单乙氧基二氯硅烷类，三甲基氯硅烷、二甲基(乙基)氯硅烷、二甲基(环己基)氯硅烷等三烷基单卤硅烷类，二甲基(苯基)氯硅烷等二烷基单芳基单卤硅烷类，甲基(二苯基)氯硅烷等单烷基二芳基单卤硅烷类，三苯氧基氯硅烷等三芳氧基单卤硅烷类，甲基(二苯氧基)氯硅烷等单烷基二芳氧基单卤硅烷类，苯基(二苯氧基)氯硅烷等单芳基二芳氧基单卤硅烷类，二甲基(苯氧基)氯硅烷等二烷基单芳氧基单卤硅烷类，二苯基(苯氧基)氯硅烷等二芳基单芳氧基单卤硅烷类，甲基(苯基)(苯氧基)氯硅烷等单烷基单芳基单芳氧基单卤硅烷类，三乙氧基氯硅烷等三乙氧基单卤硅烷类，以及四氯硅烷的2～5倍体等上述化合物的低聚物等。
作为上述其他甲硅烷基化合物，例如六甲基二甲硅氮烷、叔丁基二甲基氯硅烷、二(三甲基甲硅烷基)三氟乙酰胺、二乙基氨基三甲基硅烷、三甲基甲硅烷醇、六甲基二硅氧烷、氯甲基二甲基乙氧基硅烷、乙酰基三苯基硅烷、乙氧基三苯基硅烷、三苯基甲硅烷醇、三乙基甲硅烷醇、三丙基甲硅烷醇、三丁基甲硅烷醇、六乙基二硅氧烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三乙基甲氧基硅烷、三乙基乙氧基硅烷、乙酰氧基乙基二甲基氯硅烷、1，3-二(羟丁基)四甲基二硅氧烷、1，3-二(羟丙基)四甲基二硅氧烷、γ-氨基丙基甲氧基硅烷、γ-氨基丙基乙氧基硅烷、N-β(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-二丁基氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-脲基丙基三乙氧基硅烷、N-β(N-乙烯基苯甲基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷·盐酸盐、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三氯硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、三甲基氯硅烷、六甲基二甲硅氮烷、N-三甲基甲硅烷基咪唑、二(三甲基甲硅烷基)脲、三甲基甲硅烷基乙酰胺、二(三甲基甲硅烷基)乙酰胺、三甲基甲硅烷基异氰酸酯、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、叔丁基二甲基氯硅烷、叔丁基二苯基氯硅烷、三异丙基氯硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、异丁基三甲氧基硅烷、正己基三甲氧基硅烷、正癸基三甲氧基硅烷、正十六烷基三甲氧基硅烷、1，6-二(三甲氧基甲硅烷基)己烷、二甲基甲硅烷基二异氰酸酯、甲基甲硅烷基三异氰酸酯、苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷以及苯基甲硅烷基三异氰酸酯等。
作为本发明中使用的(D)稳定剂，上述物质中优选使用氨基化合物、环氧化合物、硫杂丙环化合物、氧杂环丁烷化合物、噁唑啉化合物、噁嗪化合物、甲硅烷基化合物、异氰酸酯化合物以及氰酸酯化合物，其中，更优选使用氨基化合物、环氧化合物、硫杂丙环化合物、氧杂环丁烷化合物、噁唑啉化合物以及噁嗪化合物。其中，特别优选使用乙二胺、苯基缩水甘油醚、3-苯氧基硫化丙烯、3，3，3-三氟氧化丙烯、六甲基二甲硅氮烷、γ-氨基丙基甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、甲基甲硅烷基三异氰酸酯等。
这些(D)稳定剂可以单独使用，也可以2种以上组合使用。另外，(D)成分的使用比例为了使(A)分解性化合物的残留部分充分反应，可以过剩使用，通常相对于(A)成分100重量份而言，可以使用10重量份以上，优选使用30重量份以上。(D)成分的量如果低于10重量份，则反应变得不充分，电容率变化材料的稳定性不足。
另外，可以与(D)稳定剂一起使用催化剂。通过使用催化剂，能够促进(D)成分与(A)分解性化合物残留部分的反应。
作为这种催化剂，例如酸催化剂、碱催化剂、季鎓盐类等。
作为上述酸催化剂，可以例举乙酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、三氟乙酸、三氟甲磺酸等有机酸；或盐酸、硫酸、硝酸等无机酸，作为上述碱催化剂，可以例举碳酸钠、碳酸钾或碳酸锂等碱金属碳酸盐类；碳酸氢钠、碳酸氢钾或碳酸氢锂等碱金属碳酸氢盐类；乙酸钠等碱金属乙酸盐类；氢化锂、氢化钠或氢化钾等碱金属氢化物类；氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化锂等碱金属氢氧化物类；甲醇钠、乙醇钠、叔丁醇钾或甲醇锂等碱金属醇化物类；甲基硫醇钠或乙基硫醇钠等硫醇碱金属类；三乙胺、三丁胺、二异丙基乙胺、N-甲基吗啉、吡啶、4-(N，N-二甲基氨基)吡啶、N，N-二甲基苯胺、N，N-二乙基苯胺、1，5-二氮杂二环〔4.3.0〕壬-5-烯、1，4-二氮杂二环〔2.2.2〕辛烷(DABCO)或1，8-二氮杂二环〔5.4.0〕十一碳-7-烯(DBU)等有机胺类；甲基锂、乙基锂或丁基锂等烷基锂类；二异丙基氨基化锂或二环己基氨基化锂等烷基氨基化锂类等，作为上述季鎓盐类，可以例举如氯化四丁基铵、溴化四丁基铵、碘化四丁基铵、四丁基铵乙酸盐、氯化四丁基鏻、溴化四丁基鏻、溴化十六烷基三甲基铵、溴化四丙基铵、氯化苯甲基三乙基铵及其它。另外，也可以将18-冠-6-醚和氯化钾、溴化钾、碘化钾、氯化铯、苯酚钾、苯酚钠、苯甲酸钾等盐类组合作为催化剂使用。
其中，作为优选的催化剂，可以例举对甲苯磺酸、盐酸、硫酸、氢氧化钠、叔丁醇钾、三乙胺、DBU、溴化四丁基铵、溴化四丁基鏻、18-冠-6-醚/苯酚钾。
这些催化剂的用量，作为(D)成分使用氨基化合物、烷氧基甲基化蜜胺化合物、烷氧基甲基化甘脲化合物、烷氧基甲基化苯并胍胺化合物、烷氧基甲基化脲化合物以及卤化甲硅烷基化合物时，相对于(D)成分1当量，优选使用2摩尔以下的用量。
另外，作为(D)成分使用环氧化合物、硫杂丙环化合物、氧杂环丁烷化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯化合物、噁唑啉化合物、噁嗪化合物、其它甲硅烷基化合物时，相对于(D)成分1当量，优选使用0.2摩尔以下的用量。
另外，其中，(D)成分的使用当量数为(D)成分的用量(摩尔)与该(D)成分中含有的反应性基团的个数相乘得到的数值，反应性基团的个数根据(D)成分的种类定义如下。
氨基化合物的场合：氮原子数
环氧化合物的场合：环氧基的个数
硫杂丙环化合物的场合：硫化乙烯基的个数
氧杂环丁烷化合物的场合：氧杂环丁烷基的个数
烷氧基甲基化蜜胺化合物、烷氧基甲基化甘脲化合物、烷氧基甲基化苯并胍胺化合物和烷氧基甲基化脲化合物的场合：烷氧基甲基的个数
异氰酸酯化合物的场合：异氰酸酯基的个数
氰酸酯化合物的场合：氰酸酯基的个数
噁唑啉化合物的场合：噁唑啉基(オキサゾリル基)的个数
噁嗪化合物的场合：噁嗪基的个数
卤化甲硅烷基化合物：与硅原子结合的卤素原子的个数
其它甲硅烷基化合物：硅原子的个数
<其它成分>
只要不损害本发明的目的，也可以在本发明使用的电容率变化材料中含有其它添加剂。作为这种添加剂可以例举紫外线吸收剂、敏化剂、表面活性剂、耐热性改良剂、粘结助剂等。
作为上述紫外线吸收剂，可以例举如苯并三唑类、水杨酸酯类、二苯酮类、取代丙烯腈类、氧杂蒽类、香豆素类、黄酮类、查耳酮类化合物等紫外线吸收剂。具体地说，有Ciba·スペシヤルテイ-·Chemicals社制的チヌビン234(2-(2-羟基-3，5-二(α，α-二甲基苯甲基)苯基)-2H-苯并三唑)、チヌビン571(羟基苯基苯并三唑衍生物)、チヌビン1130(与甲基-3-(3-叔丁基-5-(2H-苯并三唑-2-基)-4-羟基苯基)丙酸酯-聚乙二醇(分子量300)的缩聚物)、1，7-二(4-羟基-3-甲氧基苯基)-1，6-庚二烯-3，5-二酮、二亚苄基丙酮等。
通过添加紫外线吸收剂，随着距离本发明电容率变化材料的放射线照射部表面的深度变深，能够缓缓减少来自(C)成分的酸或碱的产生量。这些紫外线吸收剂的使用比例相对于(A)成分和(B)成分的合计量100重量份而言，优选30重量份以下，更优选20重量份以下。
作为上述敏化剂，可以使用例如3-位和/或7-位具有取代基的香豆素类、黄酮类、二亚苄基丙酮类、二亚苄基环己烷类、查耳酮类、氧杂蒽类、噻吨类、卟啉类、酞菁类、吖啶类、蒽类等。
敏化剂的使用比例相对于(A)成分和(B)成分的合计量100重量份而言，优选30重量份以下，更优选20重量份以下。
另外，为了改善涂敷性，例如防止条纹或者改良显像性，可以添加上述表面活性剂。
作为表面活性剂，可以使用例如聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十八烷基醚、聚氧乙烯十八碳烯基醚等聚氧乙烯烷基醚类，聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚等聚氧乙烯芳基醚类，聚乙二醇二月桂酸酯、聚乙二醇二硬脂酸酯等聚乙二醇二烷基酯类等非离子类表面活性剂；以エフトツプEF301、エフトツプEF303、エフトツプEF352(以上由新秋田化成(株)制)、メガフアツクF171、メガフアツクF172、メガフアツクF173(以上由大日本油墨工业(株)制)、フロラ-ドFC430、フロラ-ドFC431(以上由住友スリ-エム(株)制)、アサヒガ-ドAG710、サ-フロンS-382、SC-101、SC-102、SC-103、SC-104、SC-105、SC-106(以上由旭硝子(株)制)等商品名市售的氟类表面活性剂；以有机硅氧烷聚合物KP341(信越化学工业(株)制)、丙烯酸类或甲基丙烯酸类(共)聚合物ポリフロ-No.57、95(共荣社化学(株)制)等商品名市售的其它表面活性剂。
这些表面活性剂的使用比例相对于(A)成分和(B)成分的合计量100重量份而言，优选2重量份以下，更优选1重量份以下。
另外，为了改良与基板的密合性，可以添加上述粘结助剂，优选使用硅烷偶联剂等。
作为上述耐热性改良剂，可以添加多价丙烯酸酯等不饱和化合物等。
而且，在本发明使用的电容率变化材料中，根据情况，也可以添加防静电剂、保存稳定剂、光晕防止剂、消泡剂、颜料、热氧发生剂等。
<电容率图案的形成>
本发明中，通过使用上述电容率变化性组合物，例如如下所示可以形成电容率图案。
首先，将电容率变化性组合物溶解或分散在溶剂中，使其固态成分的浓度达到例如5～70重量％，配制组合物。根据需要，也可以用孔径0.1～10μm的过滤器过滤后使用。
然后，将该组合物涂覆在硅片等基板的表面上，通过进行预烘焙除去溶剂，形成电容率变化性组合物的涂膜。接着，对形成的涂膜，例如通过图案掩膜，对其一部分进行放射线照射处理，接着进行加热，使放射线照射部生成微小的气孔，并固定，在电容率变化性组合物的放射线照射部和放射线未照射部形成电容率差。
通过照射放射线，由(C)成分的放射线敏感性分解剂生成酸或碱，该酸或碱作用于(A)成分，分解(A)成分。该分解物在常温下为气体时，主要在照射放射线后加热时逸散，形成空孔。
另外，该分解物在常温下为液体或固体时，可以在加热时通过在提高的温度下进行加热，使之作为气体蒸发或者升华，从而使之逸散，形成空孔，或者通过仅提取分解物形成空孔。结果，在放射线照射部和放射线未照射部之间产生电容率差。
上述加热时，与酸或碱不反应而残留的(A)成分在与之反应的(D)成分不存在时，进一步加热使残留的(A)成分分解。进行这种分解时，优选进行加热使之不会由于分解物形成空孔。
另外，上述加热时，与酸或碱不反应而残留的(A)成分在(D)成分存在时，与(D)成分反应，使形成的电容率图案稳定化。
作为用于配制含有本发明使用的电容率变化性组合物的组合物的溶剂，可以使用能够均匀溶解上述(A)、(B)、(C)和任意添加的(D)成分或其他添加剂的各种成分，并且不与各种成分反应的物质。
具体例如甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇、丁醇、乙二醇、丙二醇等醇类；四氢呋喃等醚类；乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚等二醇醚类；甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯等乙二醇烷基醚乙酸酯类；二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇二甲基醚、二甘醇乙基甲基醚等二甘醇类；丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚、丙二醇丙基醚、丙二醇丁基醚等丙二醇单烷基醚类；丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、丙二醇丁基醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯类；丙二醇甲基醚丙酸酯、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯、丙二醇丁基醚丙酸酯等丙二醇烷基醚丙酸酯类；甲苯、二甲苯等芳香族烃类；甲乙酮、环己酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮类；
以及乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸甲酯、2-羟基-2-甲基丙酸乙酯、羟基乙酸甲酯、羟基乙酸乙酯、羟基乙酸丁酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羟基丙酸甲酯、3-羟基丙酸乙酯、3-羟基丙酸丙酯、3-羟基丙酸丁酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丙酯、甲氧基乙酸丁酯、乙氧基乙酸甲酯、乙氧基乙酸乙酯、乙氧基乙酸丙酯、乙氧基乙酸丁酯、丙氧基乙酸甲酯、丙氧基乙酸乙酯、丙氧基乙酸丙酯、丙氧基乙酸丁酯、丁氧基乙酸甲酯、丁氧基乙酸乙酯、丁氧基乙酸丙酯、丁氧基乙酸丁酯、2-甲氧基丙酸甲酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸甲酯、2-乙氧基丙酸乙酯、2-乙氧基丙酸丙酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸甲酯、2-丁氧基丙酸乙酯、2-丁氧基丙酸丙酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸丙酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸甲酯、3-丙氧基丙酸乙酯、3-丙氧基丙酸丙酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸甲酯、3-丁氧基丙酸乙酯、3-丁氧基丙酸丙酯、3-丁氧基丙酸丁酯等酯类；
三氟甲基苯、1，3-二(三氟甲基)苯、六氟苯、六氟环己烷、全氟二甲基环己烷、全氟甲基环己烷、八氟萘烷、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷等含氟原子的溶剂。
这些溶剂中，从溶解性、与各成分的反应性以及形成涂膜的难易度出发，优选使用醇类、二醇醚类、乙二醇烷基醚乙酸酯类、丙二醇烷基醚乙酸酯类、酮类、酯类和二甘醇类。
而且也可以同时使用上述溶剂与高沸点溶剂。作为可以同时使用的高沸点溶剂，例如N-甲基甲酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N-甲基甲酰苯胺、N-甲基乙酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、二甲基亚砜、苯甲基乙基醚、二己基醚、丙酮基丙酮、异佛尔酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苯甲醇、乙酸苯甲酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、马来酸二乙酯、γ-丁内酯、碳酸乙二酯、碳酸丙二酯、苯基溶纤剂乙酸酯等。
本发明中使用的电容率变化性组合物照射放射线时，在考虑用途的基础上成型为各种形状。例如棒状、纤维状、长板状、球状、薄膜状、透镜状等，对其并没有限定。关于其成型的方法也可以采用通常采用的方法。例如注射成型、压缩成型、吹塑成型、挤压、箱形框架内聚合法、刮面法、拉伸法、加热冷却法、CVD蒸镀法、烧成法、扫描法等。另外，根据光学成型体的用途，也可以使用旋涂法、狭缝法、棒涂法、溶剂浇铸法、LB法、喷雾法、滚涂法、凸版印刷法、丝网印刷法等。
在该成型处理中优选进行加热处理(以下称为“预烘焙”)。其加热条件根据本发明材料的配合组成、各种添加剂的种类等变化，优选30～200℃，更优选40～150℃，可以使用电炉、烘箱或红外线等进行加热。
作为放射线照射处理中使用的放射线，例如波长365nm的i线、404nm的h线、436nm的g线、氙灯等的宽区域波长光源等的紫外线、波长248nm的KrF激元激光、波长193nm的ArF激元激光等远紫外线、同步加速器放射线等X射线或电子束等电荷粒子射线、可见光以及它们的混合射线等。其中，优选紫外线和可见光。作为照射度也因照射波长等而不同，但0.1mW/cm2～100mW/cm2反应效率最好，因而优选。经由图案掩膜照射这些放射线，从而可以使放射线敏感性电容率变化材料形成图案。作为形成图案的精度也受使用的光源等影响，可以制造具有0.2μm分辨力的电容率变化分布的电容率图案。
本发明中，曝光后优选进行加热处理(放射线照射后烘焙(PEB))。其加热可以使用与上述预烘焙同样的装置，其条件可以任意设定。优选的加热温度为30～150℃，更优选30～130℃。另外，优选与放射线照射后烘焙连续进行或者分别进行用于使残留的(A)成分与(D)成分反应使之稳定化的加热处理。用于使之稳定化的加热处理优选35～200℃，更优选比PEB的温度高10℃以上的温度，进一步优选比PEB的温度高20℃以上的温度。
而且，为了分解放射线未照射部残留的(C)成分等，进一步提高材料的稳定性，可以进行再曝光处理。
再曝光处理可以通过例如对图案全面以同样的曝光量照射与使电容率变化的步骤中使用的放射线相同波长的放射线而实施。
根据需要，可以通过再进行加热处理进一步提高材料的稳定性。此时的加热可以使用与材料成型时的预烘焙同样的装置，其条件可以任意设定。
另外，按照本发明，本发明的电容率图案形成方法也可以通过下述方法实施，即通过图案掩膜对包括上述(A)成分、(B)成分和(C)成分的电容率变化性组合物照射放射线，接着用(D)稳定剂处理。
采用稳定剂(D)的处理优选在实施曝光后烘焙之后进行。
(D)稳定剂具有使放射线照射后的电容率变化材料中残留的(A)分解性化合物稳定，使之对酸或碱具有稳定性的功能。通过该稳定化处理，由本发明方法形成的电容率图案即使在为使电容率变化而使用的波长附近的光通过的条件下使用，也不会引起电容率的变化，不会发生劣化。
作为(D)稳定剂，除上述具体实例以外，也可以使用氨或三乙基胺等低沸点化合物。
为了在稳定化处理中使放射线照射后的电容率变化材料与(D)稳定剂接触，可以采用适当的方法，例如根据(D)成分和情况将催化剂溶解于适当的溶剂中，在溶液状态下与电容率变化材料接触，或者(D)成分在接触条件下为液体或气体时，也可以在(D)成分100％的状态下使之直接接触。
在上述(D)稳定剂和(A)成分的反应中，使用溶剂时的溶剂优选溶解(D)成分和任意添加的催化剂而不溶解(A)成分的溶剂。如果选择这种溶剂，则在得到的电容率图案的表面上不会产生皲裂。
作为这种溶剂，例如水；甲醇、乙醇、异丙醇、正丙醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇、环己醇、乙二醇、丙二醇、二甘醇等醇类；乙醚、四氢呋喃等醚类；乙二醇单甲基醚、乙二醇单乙基醚等二醇醚类；甲基溶纤剂乙酸酯、乙基溶纤剂乙酸酯等乙二醇烷基醚乙酸酯类；二甘醇单甲基醚、二甘醇单乙基醚、二甘醇二甲基醚等二甘醇类；丙二醇甲基醚、丙二醇乙基醚等丙二醇单烷基醚类；丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙酸酯等丙二醇烷基醚乙酸酯类；丙二醇甲基醚丙酸酯、丙二醇乙基醚丙酸酯、丙二醇丙基醚丙酸酯、丙二醇丁基醚丙酸酯等丙二醇烷基醚丙酸酯类；甲苯、二甲苯等芳香族烃类；正己烷、正庚烷、正辛烷等脂肪族烃类；甲乙酮、环己酮、甲基异丁基酮、甲基戊基酮、4-羟基-4-甲基-2-戊酮等酮类；以及乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯、2-羟基丙酸乙酯、2-羟基-2-甲基丙酸甲酯、羟基乙酸乙酯、羟基乙酸丁酯、乳酸乙酯、乳酸丙酯、乳酸丁酯、3-羟基丙酸甲酯、2-羟基-3-甲基丁酸甲酯、甲氧基乙酸乙酯、甲氧基乙酸丁酯、2-甲氧基丙酸乙酯、2-甲氧基丙酸丁酯、2-乙氧基丙酸丁酯、2-丁氧基丙酸丁酯、3-甲氧基丙酸丁酯、3-乙氧基丙酸丁酯、3-丙氧基丙酸丁酯、3-丁氧基丙酸丁酯等酯类；三氟甲基苯、1，3-二(三氟甲基)苯、六氟苯、六氟环己烷、全氟二甲基环己烷、全氟甲基环己烷、八氟萘烷、1，1，2-三氯-1，2，2-三氟乙烷等含氟原子的溶剂。
这些溶剂中，优选使用水、醇类、二醇醚类、乙二醇烷基醚乙酸酯类以及含氟原子的溶剂。
(D)稳定剂和(A)分解性化合物残留部分进行反应时的反应温度通常为0～130℃，反应时间通常为10秒～1小时。
而且，为了将放射线未照射部残留的(C)成分等分解，进一步提高材料的稳定性，可以进行再曝光处理。
另外，对于包括上述稳定化处理的电容率图案形成方法没有记载的事项，应当理解为对于上述电容率图案形成方法记载的事项可以直接或者在对于本领域技术人员来说显而易见的变更下适用。
而且，按照本发明，本发明的电容率图案形成方法也可以通过下述方法实施，即通过图案对包括上述(A)成分、(B)成分和(C)成分的电容率变化性组合物照射放射线，接着加热，使未曝光部的分解性化合物分解。
上述加热优选在比放射线照射后烘焙的温度高10℃以上的温度下实施。例如优选170℃以上的温度，进一步优选200℃以上的温度。
通过上述加热，未曝光部残留的分解性化合物(A)通过分解或升华除去，优选实质上不形成空孔。
另外，对于不含有(D)成分时的上述电容率图案形成方法没有记载的事项，应当理解为对于上述图案形成方法记载的事项中相关的事项可以直接或者在对于本领域技术人员来说显而易见的变更下适用。
如上所述形成的本发明的电容率图案优选放射线照射部的电容率比放射线未照射部的电容率小。更优选放射线照射部的电容率显示放射线未照射部的电容率的90％以下的值，更优选75％以下的值。
另外，放射线照射部的空隙率优选10～99.9％，更优选15～99.9％，特别优选20～99.9％。
而且，放射线照射部和未照射部的弹性率优选分别为0.3GPa以上和1GPa以上，更优选分别为0.5GPa以上和3GPa以上。
如上所述，本发明的组合物可以成型为例如膜状，任意形成具有不同电容率的多个区域构成的图案。因此，如果仅仅使膜中的必要部分的电容率降低，作为电路基板的绝缘材料使用，则与整个膜具有空孔的现有有机类低感应绝缘材料相比，能够使强度显著增大。
另外，本发明的组合物也适于作为多层配线图案间的层间绝缘膜使用。
而且，由本发明的组合物形成的电容率图案可以作为电容器使用，也可以作为安装在无源元件内藏LSI或无源元件内藏基板上的输入输出电容器或旁路电容器使用。将本发明的组合物用于电容器时，与使用已知材料的电容器相比，可以轻量化、薄型化，由于可以制成任意形状，因此即使在例如将无源元件阵列化时，也有利于提高单位容积的容量，提高阵列设计的自由度。
实施例
下面通过下述实施例说明本发明，但本发明并不受这些实施例的限定。
另外，在下述内容中，各化合物的聚苯乙烯换算重均分子量使用昭和电工(株)制的GPC色谱仪SYSTEM-21进行测定。
〔(A)成分的合成例〕
(A)成分的合成例1
在氩气环境下，在500ml的三颈烧瓶中，将对苯二甲酸49.84g和苯基甲基二氯硅烷57.34g溶解于N-甲基吡咯烷酮200g中。一边搅拌，一边在冰冷条件下用1小时向其中加入将吡啶23.73g溶解于N-甲基吡咯烷酮50g中得到的溶液。添加结束后，将反应液加热至60℃，用24小时进行聚合。聚合结束后，将反应液注入2L的甲醇中，使之沉淀，再次使之溶解于200ml的N-甲基吡咯烷酮中，投入至2L的甲醇中，再次沉淀进行精制。
过滤析出的化合物后，在50℃下进行真空干燥，得到70.80g的化合物(A-1)。得到的化合物的重均分子量为26,000。
(A)成分的合成例2
向氮气置换的1L烧瓶中，作为单体加入邻苯二醛50g和四氢呋喃500g，冷却至-78℃。向其中加入叔丁醇钾41.83g，在氮气环境下于-78℃在冷却条件下搅拌48小时。
在冷却状态下，向得到的反应溶液中加入乙酸酐45.67g和吡啶35.38g，接着在-78℃下搅拌2小时。减压条件下，通过60℃的加热将反应液浓缩至100ml后，使之溶解于1L的乙酸乙酯中，用离子交换水洗涤3次，浓缩乙酸乙酯后，在50℃下进行真空干燥，得到45g的化合物(A-2)。对于得到的化合物，通过1H-NMR，根据1.2-1.3ppm的来源于叔丁基的质子和7.2-7.7ppm的来源于芳香族的质子的积分比，来源于叔丁醇钾的叔丁基和来源于邻苯二醛的芳香族基团的比率为1比1。
(A)成分的合成例3
在氩气环境下，在500ml的三颈烧瓶中将对苯二甲酰氯49.84g溶解于150ml的氯仿中，向其中加入将1，4-苯硫醇33.05g和氢氧化钾16.83g溶解于150ml的离子交换水中而成的溶液，搅拌，进行界面缩聚。进行反应4小时后，用四氢呋喃-甲醇进行2次再沉淀精制。
过滤析出的化合物后，在50℃下进行真空干燥，得到56.55g的化合物(A-3)。得到的化合物的重均分子量为7,600。
(A)成分的合成例4
在500ml的三颈烧瓶中加入2，2’-偶氮二(2，4-二甲基戊腈)8g、二甘醇二甲基醚200g。接着，加入甲基丙烯酸叔丁酯100g，用氮气置换后，缓慢开始搅拌。将溶液的温度上升至90℃，保持该温度3小时，得到聚合物(A-4)的溶液。得到的聚合物溶液的固态成分浓度为31.0重量％，聚合物的重均分子量为5,500。
〔(B)成分的合成例〕
(B)成分的合成例1
在1L的三颈烧瓶中取甲基三甲氧基硅烷50g，加入1-乙氧基-2-丙醇100g，使之溶解，将得到的混合溶液用电磁搅拌器搅拌，同时升温至60℃。用1小时向其中连续添加离子交换水19.85g。然后，在60℃下使之反应4小时，然后将得到的反应液冷却至室温。
然后，由反应液减压蒸馏除去作为反应副产物的甲醇，浓缩至溶液的固态成分浓度达到20重量％，得到含有化合物(B-1)的溶液。该化合物(B-1)的重均分子量为2,200。
(B)成分的合成例2
在1L的三颈烧瓶中将四丁氧基钛200g溶解于无水甲苯中，配制溶液，将该溶液加热至85℃。接着，于85℃下，用1小时在该溶液中滴加离子交换水20.1g和正丁醇400g的混合溶液，滴加结束后，再在85℃下加热搅拌3小时。将这样得到的反应溶液在减压下(0.1mmHg)加热至150℃，蒸馏除去挥发成分。然后，加入1-乙氧基-2-丙醇500g，浓缩至溶液的固态成分浓度达到20重量％，得到含有化合物(B-1)的溶液。该化合物(B-2)的重均分子量为2,200。
实施例1
将作为(A)成分的化合物(A-1)50重量份、作为(B)成分的含有化合物(B-1)的溶液(相当于化合物(B-1)50重量份(固态成分))、以及作为(C)成分的4-苯硫基苯基二苯基锍三氟甲磺酸盐1重量份溶解于二甘醇乙基甲基醚中，使全部固态成分浓度为20％，然后用孔径0.2μm的膜滤器过滤，制备电容率变化材料的溶液。
(1)涂膜的形成
使用旋转器在硅基板上涂敷上述溶液后，在电炉上于130℃下预烘培2分钟，形成膜厚1.0μm的涂膜。
(2)电容率图案的形成
对如上所述得到的涂膜，通过NSR1505i6A缩小投影放射线照射机((株)ニコン制，NA＝0.45，λ＝365nm)在最适焦点深度以曝光量50mJ/cm2进行放射线照射处理。接着，在100℃下进行2分钟的曝光后烘培处理，从而形成在放射线照射部和放射线未照射部电容率不同的电容率图案。下面对于其中形成的电容率图案，将放射线照射部称为“曝光部”，将放射线未照射部称为“未曝光部”。
(3)稳定化处理
将作为(D)成分的苯基缩水甘油醚150mL(含有作为反应催化剂的溴化四丁基铵0.1mmol)加热至100℃，将如上所述形成的硅基板上和玻璃基板上的电容率图案在100℃下浸渍于其中2分钟，然后用超纯水洗涤1分钟。
接着，用Canon PLA-501F，不使用滤光片对整个图案以4.5mW/cm2进行1分钟的再曝光处理，再用烘箱在200℃下加热10分钟，进行电容率图案的稳定化处理。
(4)通过BET法测定表面积
使用COULTER社制OMNISORP 100/360SERIES，通过BET法测定上述形成的电容率图案的曝光部和未曝光部的表面积。
(5)通过水银孔度计测定空隙率
使用水银孔度计((株)岛津制作所制オ-トポア9200，最小可测定的孔径)测定上述形成的电容率图案的曝光部、未曝光部各自的空隙率。
(6)通过BJH法测定空孔分布
使用COULTER社制OMNISORP 100/360SERIES，通过BJH法测定上述形成的电容率图案的曝光部和未曝光部的空孔分布。每1mm3的100nm以上的空孔数如表2所示。
(7)通过电子显微镜观察测定空孔径
在透过型电子显微镜观察上述形成的电容率图案的曝光部和未曝光部各自的空孔分布测定中，测定任意观察范围的每10μm2的直径100nm以上的空孔数。
(8)折射率的测定
使用Auto EL IV NIR III(ルドルフリサ-チ社制)椭圆光度计(エリプソメ-タ-)，在633nm测定上述形成的电容率图案的曝光部、未曝光部的折射率。结果示于表1中。
(9)弹性率(杨氏模数)
使用ナノインデンタ-XP(ナノインスツルメント社制)，通过连续刚性测定法进行测定。
(10)介电常数
对于得到的膜，通过蒸镀法形成铝电极图案，制成电容率测定用样品。用频率100KHz的频率，对该样品使用横河·ヒユ-レツトパツカ-ド(株)制，HP16451B电极和HP4284A精密LCR计量器，通过CV法测定该涂膜的介电常数。
实施例2
作为(A)成分使用化合物(A-2)50重量份，步骤(2)(电容率图案的形成)的曝光后烘培温度如表1所示，步骤(3)(稳定化处理)的(D)成分种类和稳定化处理温度如表2所示，除此以外与实施例1同样进行评价。结果集中示于表1和表2。
实施例3
作为(A)成分使用化合物(A-3)50重量份，作为(C)成分使用N-(2-硝基苯甲氧基羰基)吡咯烷5重量份，步骤(2)(电容率图案的形成)的放射线照射量如表1所示，步骤(3)(稳定化处理)的(D)成分种类如表2所示，除此以外与实施例1同样进行评价。结果集中示于表1和表2。
实施例4
作为(B)成分使用含有化合物(B-2)的溶液(相当于化合物(B-2)50重量份(固态成分))，除此以外与实施例1同样进行评价。结果集中示于表1和表2。
实施例5
作为(A)成分使用化合物(A-4)50重量份，步骤(2)(电容率图案的形成)的曝光后烘培温度如表1所示，在随后的稳定化处理前，浸渍于2.38％氢氧化四甲基铵水溶液中1分钟，提取A成分。接着，步骤(3)(稳定化处理)的(D)成分种类和稳定化处理温度如表2所示，除此以外与实施例1同样进行评价。结果集中示于表1和表2。
实施例6
至步骤(2)(电容率图案的形成)之前与实施例1同样进行，不进行随后的稳定化处理，在200℃下烧结5分钟，然后再在350℃下烧结1小时。步骤(4)～(10)与实施例1同样，进行评价。结果集中示于表1和表2。
表1
其中，表1中，(D)成分的符号分别表示下述物质。
D-1：苯基缩水甘油醚(添加10mol％溴化四丁基铵)
D-2：对二甲苯二胺的1％水溶液
Figure C0280257400621
使用上述实施例1～6中得到的电容率图案，可以制成具有良好层间绝缘膜特性的装置和电容器。
采用本发明方法形成的电容率图案具有充分大的电容率差，而且形成的电容率差对光、热稳定，因而作为光电子学或显示器领域中使用的层间绝缘膜材料非常有用。本发明的电容率图案此外可以用于电容器等的安装材料。

Claims (19)

1.一种放射线敏感性电容率变化性组合物，其特征在于，含有(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)放射线敏感性分解剂和根据情况含有的(D)稳定剂，
(A)分解性化合物是含有具有下述式(1)～(4)、(6)或(10)所示结构中至少一种结构的酸分解性化合物中的至少一种，
Figure C028025740002C1
式(1)中，R1为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或亚芳基，R2为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
Figure C028025740002C2
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
Figure C028025740002C3
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
Figure C028025740002C4
式(2)中，M为Si或Ge，R3为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
Figure C028025740003C1
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
Figure C028025740003C2
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
R4为氧原子、亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基或单键，R5、R6、R7和R8各自独立地为氢原子、烷基、芳基、烷氧基或硫代烷基，m为0至2的整数，
Figure C028025740003C3
式(3)中，R9和R10各自独立地为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基、亚芳基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
Figure C028025740003C4
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
Figure C028025740004C1
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
Figure C028025740004C2
式(4)中，R11为氧化烯基或单键，R12为氢原子、烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或芳基，
Figure C028025740004C3
式(6)中，R14为亚烷基或者下述式(7)、(8)或(9)表示的结构，
Figure C028025740004C4
式(7)中，R15、R16、R17和R18相互独立地为氢原子、碳原子数1～6的链状烷基、氯原子、溴原子、碘原子、羟基、巯基、羧基、碳原子数1～6的烷氧基、碳原子数1～6的烷硫基、碳原子数1～6的卤代烷基、碳原子数1～6的卤代烷氧基、碳原子数1～6的卤代烷硫基、碳原子数1～6的羟基烷基、碳原子数1～6的巯基烷基、碳原子数1～6的羟基烷氧基、碳原子数1～6的巯基烷硫基、碳原子数6～10的芳基或碳原子数7～11的芳烷基，
-O-Rl9-O-                            (8)
式(8)中，R19为亚烷基，
-NH-R20-NH-                (9)
式(9)中，R20为亚烷基，
Figure C028025740005C1
式(10)中，R21为亚烷基、亚烷基亚芳基亚烷基或亚芳基，
或者是
含有具有下述式(12)、(13)或(14)所示结构中至少一种结构的碱分解性化合物中的至少一种，
Figure C028025740005C2
式(12)中，R28为亚烷基、亚芳烷基或亚芳基，R29为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
Figure C028025740005C3
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
式(13)中，R30和R31各自独立地为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
Figure C028025740006C2
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
Figure C028025740006C3
式(14)中，R32和R33各自独立地为亚烷基、亚芳烷基、亚芳基、亚烷基亚芳基亚烷基、下述式(18)表示的烷基亚甲硅烷基或下述式(19)表示的烷基亚甲锗烷基，
Figure C028025740006C4
其中，R64、R65、R66和R67相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A3表示-O-、亚烷基或亚芳基，且a表示0或1的整数，
Figure C028025740006C5
其中，R68、R69、R70和R71相互独立地表示氢原子、碳原子数1～6的链状烷基或碳原子数6～10的芳基，A4表示-O-、亚烷基或亚芳基，且b表示0或1的整数，
并且(A)分解性化合物与(B)非分解性化合物的含有比例，相对于它们的合计量100重量份，分别为10-95重量份和5-90重量份。
2.如权利要求1所述的组合物，放射线照射部的电容率具有放射线未照射部电容率的90％以下的数值。
3.如权利要求1或2所述的组合物，(A)分解性化合物为酸分解性化合物，(B)非分解性化合物为酸非分解性化合物，另外，(C)放射线敏感性分解剂为放射线敏感性酸发生剂。
4.如权利要求1～2中任意一项所述的组合物，(A)分解性化合物为碱分解性化合物，(B)非分解性化合物为碱非分解性化合物，(C)放射线敏感性分解剂为放射线敏感性碱发生剂。
5.如权利要求1～2中任意一项所述的组合物，(D)稳定剂为选自氨基化合物、环氧化合物、硫杂丙环化合物、烷氧基甲基化蜜胺化合物、烷氧基甲基化甘脲化合物、烷氧基甲基化苯并胍胺化合物、烷氧基甲基化脲化合物、异氰酸酯化合物、氰酸酯化合物、噁唑啉化合物、噁嗪化合物和甲硅烷基化合物中的至少一种。
6.如权利要求5所述的组合物，其中所述环氧化合物为氧杂环丁烷化合物。
7.如权利要求1所述的组合物，含有(D)稳定剂，且还含有用于(A)分解性化合物和(D)稳定剂反应的催化剂。
8.一种电容率图案形成方法，其特征在于，通过图案掩膜，对含有如权利要求1～7中任一项所述的(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物、(C)放射线敏感性分解剂和(D)稳定剂的放射线敏感性电容率变化性组合物照射放射线，接着，加热使未曝光部的稳定剂(D)和分解性化合物(A)反应。
9.如权利要求8所述的方法，电容率图案包括具有10～99.9％空隙的曝光部和实质上没有空隙的未曝光部。
10.一种电容率图案形成方法，其特征在于，通过图案掩膜，对含有如权利要求1～7中任一项所述的(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物和(C)放射线敏感性分解剂的电容率变化材料照射放射线后，用(D)稳定剂进行处理，使未曝光部的(A)分解性化合物和(D)稳定剂反应。
11.如权利要求10所述的方法，电容率图案包括具有10～99.9％空隙的曝光部和实质上没有空隙的未曝光部。
12.一种电容率图案形成方法，其特征在于，通过图案掩膜，对含有如权利要求1～7中任一项所述的(A)分解性化合物、(B)非分解性化合物和(C)放射线敏感性分解剂的电容率变化材料照射放射线后，进行加热处理，使未曝光部的分解性化合物分解。
13.如权利要求12所述的方法，电容率图案包括具有10～99.9％空隙的曝光部和实质上没有空隙的未曝光部。
14.一种电容率图案，通过权利要求8、10或12所述的方法形成。
15.如权利要求14所述的电容率图案，包括具有10～99.9％空隙的第1区域，以及实质上没有空隙且具有比第1区域电容率高的电容率的第2区域。
16.如权利要求15所述的电容率图案，第1区域显示比第2区域小的弹性率。
17.一种装置，具有通过权利要求8、10或12所述方法形成的电容率图案。
18.如权利要求17所述的装置，包括具有10～99.9％空隙的第1区域，以及实质上没有空隙且具有比第1区域介电常数高的介电常数的第2区域。
19.如权利要求18所述的装置，第1区域显示比第2区域小的弹性率。
CNB028025741A 2001-08-01 2002-07-25 放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法 Expired - Fee Related CN100430828C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001233520A JP2003043682A (ja) 2001-08-01 2001-08-01 感放射線性誘電率変化性組成物、誘電率変化法
JP233520/01 2001-08-01
JP233520/2001 2001-08-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1582414A CN1582414A (zh) 2005-02-16
CN100430828C true CN100430828C (zh) 2008-11-05

Family

ID=19065287

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB028025741A Expired - Fee Related CN100430828C (zh) 2001-08-01 2002-07-25 放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7205085B2 (zh)
EP (1) EP1413924A4 (zh)
JP (1) JP2003043682A (zh)
KR (1) KR100881544B1 (zh)
CN (1) CN100430828C (zh)
CA (1) CA2424557A1 (zh)
RU (1) RU2281540C2 (zh)
TW (1) TWI275609B (zh)
WO (1) WO2003012547A1 (zh)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1350814A4 (en) * 2000-12-11 2007-09-19 Jsr Corp RADIATION SENSITIVE COMPOSITION, VARIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD OF ALTERING REFRACTIVE INDEX
US7125647B2 (en) * 2001-03-13 2006-10-24 Jsr Corporation Radiation-sensitive composition changing in refractive index and utilization thereof
KR100944140B1 (ko) * 2002-03-20 2010-02-24 스미또모 가가꾸 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물
US7019093B2 (en) * 2002-10-18 2006-03-28 Dow Global Technologies Inc. Aqueous developable, photosensitive benzocyclobutene-based oligomers and polymers with high moisture resistance
US7297731B2 (en) * 2003-03-11 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Coating dispersions for optical fibers
US20050069718A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Voss-Kehl Jessica L. Printable insulating compositions and printable articles
DE102005051611B4 (de) * 2004-11-05 2008-10-16 Hitachi Chemical Co., Ltd. Wärmehärtende Harzzusammensetzung, und Verfahren zur Herstellung eines Prepreg,einer metallbeschichteten, laminierten Platte und einer Platine mit gedruckter Schaltung unter Verwendung derselben
EP1818368B1 (en) * 2004-11-11 2012-12-26 Kaneka Corporation Curable composition
US7531209B2 (en) * 2005-02-24 2009-05-12 Michael Raymond Ayers Porous films and bodies with enhanced mechanical strength
US7679107B2 (en) * 2005-04-28 2010-03-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device that utilizes organic layer with a compound that can photoisomerize between conductive layers; at least one of which is light transmitting
WO2007143025A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Roskilde Semiconductor Llc Porous inorganic solids for use as low dielectric constant materials
WO2007143028A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Roskilde Semiconductor Llc Low dielectric constant materials prepared from soluble fullerene clusters
WO2007143026A2 (en) 2006-05-31 2007-12-13 Roskilde Semiconductor Llc Linked periodic networks of alternating carbon and inorganic clusters for use as low dielectric constant materials
US7883742B2 (en) 2006-05-31 2011-02-08 Roskilde Semiconductor Llc Porous materials derived from polymer composites
DE102009013410A1 (de) * 2009-03-16 2010-09-23 Clariant International Ltd. Hybridpolymere aus Cyanaten und Silazanen, Verfahren zur ihrer Herstellung sowie deren Verwendung
KR101227280B1 (ko) * 2009-09-10 2013-01-28 도레이 카부시키가이샤 감광성 수지 조성물 및 감광성 수지막의 제조방법
SG181684A1 (en) * 2009-12-14 2012-07-30 Sumitomo Bakelite Co Method for producing electronic device, electronic device, method for producing electronic device package, and electronic device package
JP5581684B2 (ja) * 2009-12-17 2014-09-03 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性組成物及び硬化膜
JP6011215B2 (ja) * 2012-09-28 2016-10-19 日立化成株式会社 半導体基板パッシベーション膜形成用組成物、パッシベーション膜付半導体基板及びその製造方法、並びに太陽電池素子
JP6333753B2 (ja) * 2015-02-17 2018-05-30 富士フイルム株式会社 感光性組成物、硬化物の製造方法、硬化物、硬化膜、タッチパネル及び表示装置
KR101751904B1 (ko) * 2015-12-31 2017-07-12 엘티씨 (주) 유연기판용 폴리실세스퀴옥산 수지 조성물
WO2023243475A1 (ja) * 2022-06-17 2023-12-21 日産化学株式会社 光照射剥離用の接着剤組成物、積層体、及び加工された半導体基板又は電子デバイス層の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3942367A (en) * 1975-01-30 1976-03-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Transport torque and tension measurement device
JPH03107164A (ja) * 1989-09-20 1991-05-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
EP0599571A2 (en) * 1992-11-24 1994-06-01 International Business Machines Corporation Photoresist composition
US5498506A (en) * 1992-07-13 1996-03-12 Hoechst Aktiengesellschaft Positive-acting radiation-sensitive mixture and recording material produced therewith
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
JPH1195423A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001125258A (ja) * 1999-08-16 2001-05-11 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3894253A (en) 1973-10-25 1975-07-08 Gen Electric Very high current field winding for dynamoelectric machine rotor
US3940507A (en) 1974-05-03 1976-02-24 Rca Corporation Electron beam recording media and method of recording
DE2718254C3 (de) 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
JPS559433A (en) 1978-07-07 1980-01-23 Toshiba Corp Electron beam exposure device
JPS5617354A (en) 1979-07-20 1981-02-19 Nec Corp Reticle frame for semiconductor device
DE3021590A1 (de) 1980-06-09 1981-12-17 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt 4-halogen-5-(halogenmethyl-phenyl)-oxazol-derivate, ein verfahren zu ihrer herstellung und sie enthaltenden strahlungsempfindliche massen
IT1131540B (it) 1980-06-10 1986-06-25 Illycaffe Spa Macchina da caffe' espresso che estrae il caffe' da cialde di caffe
JPS5740526A (en) 1980-08-26 1982-03-06 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Preparation of silicone resin
JPS5869217A (ja) 1981-10-22 1983-04-25 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感光性シリコ−ン樹脂組成物
US5084372A (en) * 1982-12-09 1992-01-28 Hoechst Celanese Corporation Process for preparing photographic elements utilizing light-sensitive layer containing cyclical acid amide thermo-crosslinking compound
JPS6037549A (ja) 1983-08-10 1985-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 光可溶化組成物
US4665006A (en) 1985-12-09 1987-05-12 International Business Machines Corporation Positive resist system having high resistance to oxygen reactive ion etching
US4734481A (en) 1986-01-16 1988-03-29 Ciba-Geigy Corporation Novel organometallic polymers
JPS6397945A (ja) 1986-10-14 1988-04-28 Konica Corp 新規な酸分解化合物を含有する感光性組成物および感光性平版印刷版
MY103006A (en) 1987-03-30 1993-03-31 Microsi Inc Photoresist compositions
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
JPS63268254A (ja) 1987-04-24 1988-11-04 Nec Corp 半導体集積回路
JPS643647U (zh) 1987-06-26 1989-01-11
JP2685075B2 (ja) 1988-11-29 1997-12-03 富士通株式会社 二層構造ポジ型レジストの上層レジスト
US5164278A (en) 1990-03-01 1992-11-17 International Business Machines Corporation Speed enhancers for acid sensitized resists
JP2583364B2 (ja) 1990-06-19 1997-02-19 三菱電機株式会社 感光性樹脂組成物
JPH04303843A (ja) 1991-03-30 1992-10-27 Toppan Printing Co Ltd 感可視光樹脂組成物
DE69324942T2 (de) 1992-02-14 1999-10-07 Shipley Co Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen und Verfahren
JP3010607B2 (ja) 1992-02-25 2000-02-21 ジェイエスアール株式会社 感放射線性樹脂組成物
JP3039165B2 (ja) * 1992-11-10 2000-05-08 日本板硝子株式会社 光記録膜及びその製造方法
JP2606652B2 (ja) 1993-08-17 1997-05-07 日本電気株式会社 珪素含有高分子化合物及びそれを用いたレジスト材料
JP3422384B2 (ja) * 1994-03-17 2003-06-30 大日本印刷株式会社 発泡性記録材料膜、及び発泡性記録膜とその作製方法
JPH09134014A (ja) * 1995-11-09 1997-05-20 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物、その組成物を用いたパターン形成方法
US5942367A (en) * 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
US6489065B1 (en) * 1996-05-17 2002-12-03 Polaroid Corporation Holographic medium and process for use thereof
JP3650985B2 (ja) 1997-05-22 2005-05-25 Ｊｓｒ株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物およびパターン製造法
DE69941227D1 (de) * 1998-04-06 2009-09-17 Fujifilm Corp Photoempfindliche Harzzusammensetzung
JP2000075487A (ja) * 1998-08-26 2000-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
JP2000194130A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Clariant (Japan) Kk 感光性樹脂組成物
JP2000347397A (ja) 1999-06-04 2000-12-15 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物およびその層間絶縁膜への使用
US6338931B1 (en) * 1999-08-16 2002-01-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist compositions and patterning process
US6638684B2 (en) * 1999-08-31 2003-10-28 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Photosensitive laminate, process for forming resist pattern using same and positive resist composition
JP3998901B2 (ja) 1999-08-31 2007-10-31 東京応化工業株式会社 感光性基材、それを用いたレジストパターンの形成方法およびポジ型レジスト組成物
TW528930B (en) * 1999-11-26 2003-04-21 Nitto Denko Corp Photosensitive resin composition and porous resin
JP2001217235A (ja) * 1999-11-26 2001-08-10 Nitto Denko Corp 半導体素子保護膜形成用感光性樹脂組成物、半導体素子保護用多孔質樹脂および半導体装置
JP2002124743A (ja) * 1999-11-26 2002-04-26 Nitto Denko Corp 感光性樹脂組成物、多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板
JP2001323099A (ja) * 2000-05-15 2001-11-20 Nitto Denko Corp 感光性樹脂組成物、多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板
JP2001337446A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Toyobo Co Ltd フレキソ印刷版およびフレキソ印刷用水現像型感光性原版
EP1235104A4 (en) * 2000-08-29 2008-10-01 Jsr Corp COMPOSITION HAVING SUBSTANTIALLY MODIFIABLE REFRACTION INDEX AND METHOD FOR FORMING REFRACTION INDEX PATTERN
JP3849134B2 (ja) * 2000-08-29 2006-11-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
JP2002131904A (ja) * 2000-10-19 2002-05-09 Nitto Denko Corp 感光性樹脂組成物、多孔質樹脂、回路基板および回路付サスペンション基板
JP3896584B2 (ja) * 2000-12-11 2007-03-22 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物および屈折率変化法
JP2002246930A (ja) * 2001-02-14 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd デジタル放送受信装置
JP3622201B2 (ja) * 2001-02-19 2005-02-23 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物
JP3959735B2 (ja) * 2001-03-13 2007-08-15 Ｊｓｒ株式会社 感放射線性屈折率変化性組成物およびその利用

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3942367A (en) * 1975-01-30 1976-03-09 Minnesota Mining And Manufacturing Company Transport torque and tension measurement device
JPH03107164A (ja) * 1989-09-20 1991-05-07 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物
US5580695A (en) * 1992-02-25 1996-12-03 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Chemically amplified resist
US5498506A (en) * 1992-07-13 1996-03-12 Hoechst Aktiengesellschaft Positive-acting radiation-sensitive mixture and recording material produced therewith
EP0599571A2 (en) * 1992-11-24 1994-06-01 International Business Machines Corporation Photoresist composition
JPH1195423A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
JP2001125258A (ja) * 1999-08-16 2001-05-11 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びパターン形成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US55806U95A 1996.12.03

Also Published As

Publication number Publication date
WO2003012547A1 (en) 2003-02-13
US7205085B2 (en) 2007-04-17
KR100881544B1 (ko) 2009-02-02
KR20040028619A (ko) 2004-04-03
EP1413924A1 (en) 2004-04-28
TWI275609B (en) 2007-03-11
US20040005506A1 (en) 2004-01-08
CA2424557A1 (en) 2003-03-31
JP2003043682A (ja) 2003-02-13
CN1582414A (zh) 2005-02-16
EP1413924A4 (en) 2006-08-02
RU2281540C2 (ru) 2006-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100430828C (zh) 放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法
US5017453A (en) A silicone resist materials containing a polysiloxane and a photo-sensitive agent
US5198520A (en) Polysilanes, polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
EP2957955B1 (en) Positive photosensitive resin composition, photo-curable dry film and method for producing same, layered product, patterning process, and substrate
US8871422B2 (en) Negative-type photosensitive resin composition, pattern forming method and electronic parts
CN106249542A (zh) 半导体装置、积层型半导体装置、密封后积层型半导体装置、以及这些装置的制造方法
TWI617889B (zh) 含有具有環狀二酯基之矽的抗蝕下層膜形成組成物
TWI541599B (zh) 具有氟系添加劑之含矽光阻下層膜形成組成物
JPWO2012050064A1 (ja) ポリエーテル構造を含有する樹脂を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
JP7412530B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、及び、半導体デバイス
KR100739283B1 (ko) 감방사선성 굴절율 변화성 조성물 및 그의 이용
TW201807490A (zh) 樹脂組成物、硬化膜與其製造方法、以及固體攝像元件
TW202111090A (zh) 波長轉換膜、波長轉換膜形成用組合物及含團簇之量子點之製造方法
CN109725490A (zh) 感光性树脂组合物、干膜、固化物、半导体元件、印刷电路板和电子部件
TW201903042A (zh) 硬化性組合物、硬化物、硬化膜、顯示面板、及硬化物之製造方法
TWI269804B (en) Radiation sensitive refractive index changing composition
TW201930379A (zh) 乙炔衍生之複合物，包含其之組成物，製造使用其之塗層的方法，及製造包含該塗層之裝置的方法
KR102595272B1 (ko) 액상 조성물, 양자 도트 함유막, 광학 필름, 발광 표시 소자 패널, 및 발광 표시 장치
KR20230022124A (ko) 경화성 조성물, 경화물, 경화막, 표시 패널, 및 경화막의 제조 방법
JP2002338828A (ja) 感放射線性屈折率変化性組成物
JP2020154246A (ja) 感光性樹脂組成物、ドライフィルム、硬化物、及び、電子部品
JP7454672B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、及び、熱硬化性樹脂
JP2011052132A (ja) 感光材料およびパターン形成方法
KR102461088B1 (ko) 포지티브형 감광성 수지 조성물
Kim et al. Highly Refractive Aromatic Polybenzoxazoles Derived from Sulfur-Containing Dibenzoyl Chlorides

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CI01 Publication of corrected invention patent application

Correction item: international application number

Correct: PCT/JP2002/007561

False: PCT/JP2002/007511

Number: 45

Page: 930

Volume: 24

CI03 Correction of invention patent

Correction item: international application number

Correct: PCT/JP2002/007561

False: PCT/JP2002/007511

Number: 45

Page: The title page

Volume: 24

ERR Gazette correction

Free format text: CORRECT: INTERNATIONAL APPLICATION NUMBER; FROM: PCT/JP2002/007511 TO: PCT/JP2002/007561

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081105

Termination date: 20140725

EXPY Termination of patent right or utility model