JPH1195423A - 感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

感放射線性樹脂組成物

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JPH1195423A
JPH1195423A JP25649597A JP25649597A JPH1195423A JP H1195423 A JPH1195423 A JP H1195423A JP 25649597 A JP25649597 A JP 25649597A JP 25649597 A JP25649597 A JP 25649597A JP H1195423 A JPH1195423 A JP H1195423A
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acid ester
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功 西村
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昭二 小笠原
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昌之 遠藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アルカリ性水溶液で現像でき、平坦性、耐熱
性、耐薬品性、透明性等の諸特性とともに、従来これら
の特性と同時に実現することが困難であった低誘電特性
の優れたパターン状薄膜を容易に形成することができる
感放射線性樹脂組成物を提供すること。 【解決手段】 (A)、(a−1)ヘキサフルオロプロ
ピレン、(a−2)不飽和カルボン酸および/または不
飽和カルボン酸無水物並びに(a−3)上記(a−1)
成分および(a−2)成分と共重合可能な不飽和化合物
との含フッ素共重合体、(B)、1,2−キノンジアジ
ド化合物、(C)、架橋性基を少なくとも1個含有する
架橋性化合物、並びに(D)、前記(A)成分、(B)
成分および(C)成分を溶解している有機溶媒からなる
感放射線性樹脂組成物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、感放射線性樹脂組
成物に関する。さらに詳しくは、半導体集積回路、液晶
ディスプレイ(以下、「LCD」という)用薄膜トラン
ジスタ(以下、「TFT」という)回路などの回路製造
用のマスクを作成するためのポジ型レジストとして好適
な、さらには層間絶縁膜、カラーフィルタ用保護膜など
の永久膜形成材料としても好適な感放射線性樹脂組成物
に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、液晶表示素子、集積回路素子、
固体撮像素子等の電子部品においては、その劣化や損傷
を防止するための保護膜、素子表面を平坦化するための
平坦化膜、電気絶縁性を保つための絶縁膜等が設けられ
ている。また、TFT型液晶表示素子や集積回路素子に
おいては、層状に配置される配線の間を絶縁するために
層間絶縁膜が設けられている。
【0003】しかし、従来知られている電子部品用の熱
硬化型絶縁膜形成用の材料を用いて、例えば、層間絶縁
膜を形成する場合には、必要とするパターン形状の層間
絶縁膜を得るためには工程数が多く、しかも十分な平坦
性を有する層間絶縁膜が得られないという問題があるた
め、パターニング可能な感光性の絶縁膜形成材料が求め
られてきた。また、近年、配線やデバイスの高密度化に
伴い、これらの材料に低誘電性が望まれるようになって
きた。
【0004】しかしながら、感光性、感光後のアルカリ
性水溶液による現像性、得られる膜の耐熱性、耐溶剤性
および透明性を良好に維持しつつ、得られる膜の低誘電
化を図ることは困難であった。即ち、アルカリ性水溶液
による現像が可能である感光性を付与するための感光剤
および耐熱性や耐溶剤性を発現させるための架橋剤には
得られる膜の誘電率を高めるように作用するものが多い
ため、これらの特性と低誘電化とを同時に実現すること
は困難であった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、アル
カリ性水溶液で現像でき、その感度が高く、かつ解像度
に優れた感放射線性を有し、しかも、絶縁性、平坦性、
耐熱性、耐溶剤性、透明性等の諸性能に優れるのみなら
ず、低誘電率であるパターン状薄膜を容易に形成するこ
とができる、感放射線性樹脂組成物を提供することにあ
る。
【0006】本発明の他の目的は、IC、LCD用TF
T回路などの回路製造用や、LCDの層間絶縁膜、カラ
ーフィルター保護膜、回路保護膜等で例示される永久膜
を形成するためのものであって、耐熱性、基板との密着
性、可視光領域における透明性、耐薬品性、絶縁性など
に優れた永久膜を与え得る感放射線性樹脂組成物を提供
することである。本発明のさらに他の目的および利点は
以下の説明から明らかになろう。
【0007】
【発明を解決するための手段】本発明によれば、本発明
の上記目的および利点は、(A)、(a−1)ヘキサフ
ルオロプロピレン、(a−2)不飽和カルボン酸および
/または不飽和カルボン酸無水物並びに(a−3)上記
(a−1)成分および(a−2)成分と共重合可能な不
飽和化合物との含フッ素共重合体、(B)、1,2−キ
ノンジアジド化合物、(C)、架橋性基を少なくとも1
個含有する架橋性化合物、並びに(D)、前記(A)成
分、(B)成分および(C)成分を溶解している有機溶
媒からなることを特徴とする感放射線性樹脂組成物によ
って達成される。
【0008】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物につ
いて具体的に説明する。
【0009】<(A)成分>(A)成分は、(a−1)
ヘキサフルオロプロピレン、(a−2)不飽和カルボン
酸および/または不飽和カルボン酸無水物並びに(a−
3)上記(a−1)成分および(a−2)成分と共重合
可能な不飽和化合物との含フッ素共重合体(以下特定重
合体という)である。
【0010】以下、本発明の特定重合体の構成について
詳細に説明する。本発明において使用される特定重合体
は、ヘキサフルオロプロピレン、不飽和カルボン酸およ
び/または不飽和カルボン酸無水物並びに共重合可能な
不飽和化合物を必須成分とする共重合体である。
【0011】かかる特定重合体を構成する不飽和カルボ
ン酸およびその無水物(以下カルボキシル基含有単量体
ということがある)としては、クロトン酸、マレイン
酸、3−ブテン酸、4−ペンテン酸、イタコン酸などの
不飽和カルボン酸類または不飽和ジカルボン酸類;(メ
タ)アクリロイルオキシ酢酸、3−(メタ)アクリロイ
ルオキシプロピオン酸、2−(メタ)アクリロイルオキ
シプロピオン酸、4−(メタ)アクリロイルオキシブタ
ン酸などのヒドロキシ脂肪酸の(メタ)アクリレート
類;4−(メタ)アクリロイルオキシ安息香酸、3−
(メタ)アクリロイルオキシ安息香酸、2−(メタ)ア
クリロイルオキシ安息香酸、4−(メタ)アクリロイル
オキシフタル酸、3−(メタ)アクリロイルオキシフタ
ル酸、4−(メタ)アクリロイルオキシイソフタル酸、
5−(メタ)アクリロイルオキシイソフタル酸、2−
(メタ)アクリロイルオキシテレフタル酸などの芳香族
ヒドロキシカルボン酸の(メタ)アクリレート類;コハ
ク酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エチル、
フタル酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エチ
ル、イソフタル酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキ
シ)エチル、テレフタル酸モノ(2−(メタ)アクリロ
イルオキシ)エチル、テトラヒドロフタル酸モノ(2−
(メタ)アクリロイルオキシ)エチル、テトラヒドロイ
ソフタル酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エ
チル、テトラヒドロテレフタル酸モノ(2−(メタ)ア
クリロイルオキシ)エチルなどのジカルボン酸のモノ
(メタ)アクリロイルオキシエチルエステル類;イタコ
ン酸のモノメチル、モノエチル、モノプロピル、モノ−
i−プロピル、モノブチル、モノ−sec−ブチル、モ
ノ−tert−ブチルなどのカルボキシル基を有する不
飽和カルボン酸のモノアルキルエステル類;無水マレイ
ン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水ムコン
酸、3−ビニルフタル酸無水物、4−ビニルフタル酸無
水物、メチル−5−ノルボルネン2,3−ジカルボン酸
無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボン酸無水
物、3,4,5,6−テトラヒドロフタル酸無水物、ci
s−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸無水物、ジメ
チルテトラヒドロ無水フタル酸などの不飽和酸無水物
類;などが挙げられる。これらのカルボキシル基含有単
量体は単独でも2種以上の併用してもよい。
【0012】さらに、ヘキサフルオロプロピレンおよび
前記カルボキシル基含有単量体と共重合可能な単量体と
しては、例えば2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、
3−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、2−ヒドロキ
シプロピルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニ
ルエーテル、3−ヒドロキシブチルビニルエーテル、5
−ヒドロキシペンチルビニルエーテル、6−ヒドロキシ
ヘキシルビニルエーテルなどの水酸基含有ビニルエーテ
ル類、2−ヒドロキシエチルアリルエーテル、4−ヒド
ロキシブチルアリルエーテル、グリセロールモノアリル
エーテルなどの水酸基含有アリルエーテル類、アリルア
ルコール、
【0013】メチルビニルエーテル、エチルビニルエー
テル、n−プロピルビニルエーテル、イソプロピルビニ
ルエーテル、n−ブチルビニルエーテル、イソブチルビ
ニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、n−
ペンチルビニルエーテル、n−ヘキシルビニルエーテ
ル、n−オクチルビニルエーテル、n−ドデシルビニル
エーテル、2−エチルヘキシルビニルエーテル、シクロ
ヘキシルビニルエーテルなどのアルキルビニルエーテル
もしくはシクロアルキルビニルエーテル類、
【0014】パーフルオロ(メチルビニルエーテル)、
パーフルオロ(エチルビニルエーテル)、パーフルオロ
(プロピルビニルエーテル)、パーフルオロ(ブチルビ
ニルエーテル)、パーフルオロ(イソブチルビニルエー
テル)、パーフルオロ(プロポキシプロピルビニルエー
テル)などのパーフルオロ(アルキルビニルエーテル)
もしくはパーフルオロ(アルコキシアルキルビニルエー
テル)類、あるいは一般式 CH2=CH−O−Rf
(Rfはフッ素原子を含むアルキル基もしくはアルコキ
シアルキル基を示す)で表される(フルオロアルキル)
ビニルエーテルもしくは(フルオロアルコキシアルキ
ル)ビニルエーテル類、
【0015】フッ化ビニリデン、クロロトリフルオロエ
チレン、3,3,3−トリフルオロプロピレン、テトラフ
ルオロエチレンなどのフルオロオレフィン類、
【0016】酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビ
ニル、ピバリン酸ビニル、カプロン酸ビニル、バーサチ
ック酸ビニル、ステアリン酸ビニルなどのカルボン酸ビ
ニルエステル類、
【0017】エチレン、プロピレン、イソブテンなどの
α−オレフィン類、
【0018】2,2,2−トリフルオロエチル(メタ)ア
クリレート、2,2,3,3,3−ペンタフルオロプロピル
(メタ)アクリレート、2−(パーフルオロブチル)エ
チル(メタ)アクリレート、2−(パーフルオロヘキシ
ル)エチル(メタ)アクリレート、2−(パーフルオロ
オクチル)エチル(メタ)アクリレート、2−(パーフ
ルオロデシル)エチル(メタ)アクリレートなどのフッ
素含有(メタ)アクリル酸エステル類、
【0019】メチル(メタ)アクリレート、エチル(メ
タ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、
イソブチル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル
(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)ア
クリレート、2−(n−プロポキシ)エチル(メタ)ア
クリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類、
【0020】グリシジル(メタ)アクリレート、α−エ
チルグリシジル(メタ)アクリレート、α−n−プロピ
ルグリシジル(メタ)アクリレート、α−n−ブチルグ
リシジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチ
ル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル
(メタ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシ
ヘプチル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有(メ
タ)アクリレート類;アリルグリシジルエーテル、2−
ビニルシクロヘキセンオキサイド、3−ビニルシクロヘ
キセンオキサイド、4−ビニルシクロヘキセンオキサイ
ド等のエポキシ基含有不飽和脂肪族化合物類;ビニルグ
リシジルエーテル、2−ビニルベンジルグリシジルエー
テル、3−ビニルベンジルグリシジルエーテル、4−ビ
ニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−2−ビ
ニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−3−ビ
ニルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−4−ビ
ニルベンジルグリシジルエーテル、2,3−ジグリシジ
ルオキシメチルスチレン、2,4−ジグリシジルオキシ
メチルスチレン、2,5−ジグリシジルオキシメチルス
チレン、2,6−ジグリシジルオキシメチルスチレン、
2,3,4−トリグリシジルオキシメチルスチレン、2,
3,5−トリグリシジルオキシメチルスチレン、2,3,
6−トリグリシジルオキシメチルスチレン、3,4,5−
トリグリシジルオキシメチルスチレン、2,4,6−トリ
グリシジルオキシメチルスチレン等のグリシジルエーテ
ル類などが挙げられる。これらの単量体は単独でも2種
以上の併用であってもよい。
【0021】かかる共重合可能な単量体のうち、本発明
の含フッ素共重合体の収率を高める点から、フッ素原子
を含まない単量体としてはアルキルビニルエーテル類、
シクロアルキルビニルエーテル類、カルボン酸ビニルエ
ステル類が好適に使用される。なかでも含フッ素共重合
体のフッ素含量を高める点で、例えばメチルビニルエー
テル、エチルビニルエーテル、n−プロピルビニルエー
テル、イソプロピルビニルエーテル、酢酸ビニル、プロ
ピオン酸ビニル、酪酸ビニル、ピバリン酸ビニルなどの
低分子量単量体が好ましい。さらにはヘキサフルオロプ
ロピレンとパーフルオロアルキルパーフルオロビニルエ
ーテル、パーフルオロアルコキシアルキルパーフルオロ
ビニルエーテルとを併用することも好適である。また、
含フッ素共重合体の高硬度化には、例えばイソプロピル
ビニルエーテル、tert−ブチルビニルエーテル、ピ
バリン酸ビニルなどの分岐状単量体の使用が有効であ
る。
【0022】本発明の含フッ素共重合体を構成する各単
量体に基づく重合単位の比率としては、ヘキサフルオロ
プロピレンの重合単位20〜70重量%、好ましくは2
5〜60重量%、カルボキシル基含有単量体の重合単位
5〜40重量%、好ましくは5〜25重量%、他の共重
合可能な単量体の重合単位10〜70重量%である。但
し、ヘキサフルオロプロピレンの重合単位が53重量%
未満となる場合にはフッ素含量を高めるべく、例えば、
パーフルオロ(アルキルビニルエーテル)あるいはパー
フルオロ(アルコキシアルキルビニルエーテル)のよう
な含フッ素単量体を共重合することが望ましい。特定重
合体中のフッ素含量としては40重量%以上、好ましく
は45重量%以上である。特定重合体中のカルボキシル
基含有構造含量が5重量%未満の場合には、アルカリ溶
解度が低下する傾向にあり、40重量%以上を超えると
レジストとしての解像度が低下する傾向がある。
【0023】特定重合体は、透明性、アルカリ溶解度の
調整、耐熱性、耐水性、耐溶媒性、密着性等の改善を目
的として、特定カルボキシル基含有構造単位と共に他の
構造単位を有していてもよい。他の構造単位としては、
特定単量体と共重合可能な共重合性単量体(以下、単に
「共重合性単量体」という。)、例えば不飽和酸無水
物、エポキシ基含有不飽和化合物、またはその他のラジ
カル重合性化合物の重合性二重結合が開裂した構造単位
を挙げることができる。
【0024】特定重合体は、通常、特定単量体、または
特定単量体と共重合性単量体とを、重合溶媒中でラジカ
ル重合することにより製造される。また、必要に応じ
て、特定単量体および共重合性単量体の官能基を保護し
た状態でこれらを重合し、その後、脱保護処理を行って
もよい。
【0025】特定重合体を製造するために用いられる重
合溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のア
ルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状
エーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン等のアミド系プロトン性極性溶媒;
酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル
等のエステル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、2
−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオ
ン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、3−エ
トキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸
エチル等のアルコキシエステル類;エチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリ
コールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメ
チルエーテル等の(ジ)グリコールジアルキルエステル
類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノエチルエーテル等の(ジ)グリコールモノアル
キルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、カルビトールアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート等のグリコールモノアルキルエーテル
エステル類;シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類
を挙げることができる。これらの重合溶媒は単独でまた
は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
【0026】重合溶媒と反応原料との割合は特に限定さ
れるものではないが、通常、反応原料100重量部に対
して重合溶媒20〜1000重量部である。
【0027】ラジカル重合のための重合開始剤として
は、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,
2’−アゾビス−(2,4−メチルバレロニトリル)、
2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジメチルバ
レロニトリル)等のアゾ化合物、ベンゾイルパーオキシ
ド、ラウロイルパーオキシド、tert−ブチルパーオ
キシピバレート、1,1−ビス−(tert−ブチルパ
ーオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物または過酸
化水素を挙げることができる。過酸化物を重合開始剤と
して使用する場合には、これと還元剤とを組み合わせて
レドックス系重合開始剤として使用してもよい。
【0028】特定重合体は、そのポリスチレン換算数平
均分子量が、通常、1,000〜200,000、好まし
くは2,000〜70,000のものである。ポリスチレ
ン換算数平均分子量が1,000未満の特定重合体を用
いる場合には、得られるパターンの形状が不良なものと
なったり、パターンの残膜率が低下したり、パターンの
耐熱性が低下したりする場合がある。一方、ポリスチレ
ン換算数平均分子量が200,000を超える特定重合
体を用いる場合には、当該感放射線性樹脂組成物の塗布
性が不良なものとなったり、現像性が低下したり、ま
た、得られるパターンの形状が不良なものとなったりす
る場合がある。
【0029】<(B)成分> [B]1,2−キノンジアジド化合物 本発明で用いられる1,2−キノンジアジド化合物とし
ては、ヒドロキシ化合物と1,2−キノンジアジドスル
ホン酸とのエステル化物が用いられる。この1,2−キ
ノンジアジド化合物としては、ヒドロキシ化合物の水酸
基の全てまたは一部が1,2−キノンジアジドスルホン
酸でエステル化された化合物を用いることができ、具体
的にヒドロキシ化合物の全水酸基の20〜100%が
1,2−キノンジアジドスルホン酸でエステル化された
化合物を用いることができる。
【0030】このような1,2−キノンジアジド化合物
の具体例としては、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン
−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エス
テル、2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,
2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、
2,4,6−トリヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの、
トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−キノンジアジ
ドスルホン酸とのエステル化物;
【0031】2,2’,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,2’,4,4’−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−
スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロキ
シベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、2,3,4,3’−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド
−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−5−スルホン酸エステル、2,3,4,2’−テトラ
ヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェノン−1,2−ナ
フトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,3,
4,2’−テトラヒドロキシ−4’−メチルベンゾフェ
ノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシ−3’−
メトキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラ
ヒドロキシ−3’−メトキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなど
の、テトラヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフト
キノンジアジドスルホン酸とのエステル化物;
【0032】2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−ス
ルホン酸エステル、2,3,4,2’,6’−ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
5−スルホン酸エステル、3,4,5,2’,4’−ペンタ
ヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジア
ジド−4−スルホン酸エステル、3,4,5,2’,4’−
ペンタヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの、ペンタヒ
ドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸とのエステル化物;
【0033】2,4,6,3’,4’,5’−ヘキサヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、2,4,6,3’,4’,5’−
ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステル、3,4,5,3’,
4’5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、3,
4,5,3’,4’,5’−ヘキサヒドロキシベンゾフェノ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルなどの、ヘキサヒドロキシベンゾフェノンと1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化
物;
【0034】ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メ
タン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸
エステル、ビス(2,4−ジヒドロキシフェニル)メタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エ
ステルなどの、ビスジヒドロキシフェニルメタンと1,
2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル化
物;ビス(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、ビス
(p−ヒドロキシフェニル)メタン−1,2−ナフトキ
ノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの、ビスヒ
ドロキシフェニルメタンと1,2−ナフトキノンジアジ
ドスルホン酸とのエステル化物;トリ(p−ヒドロキシ
フェニル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、トリ(p−ヒドロキシフェニ
ル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステルなどの、トリヒドロキシフェニルメタン
と1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステ
ル化物;
【0035】1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニ
ル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェ
ニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステルなどの、トリヒドロキシフェニルエタ
ンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエス
テル化物;ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニル)
メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、ビス(2,3,4−トリヒドロキシフェニ
ル)メタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステルなどの、ビストリヒドロキシフェニルメ
タンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエ
ステル化物;
【0036】2,2−ビス(2,3,4−トリヒドロキシ
フェニル)プロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、2,2−ビス(2,3,4−ト
リヒドロキシフェニル)プロパン−1,2−ナフトキノ
ンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの、ビストリ
ヒドロキシフェニルプロパンと1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸とのエステル化物;1,1,3−トリス
(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−
フェニルプロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4
−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジ
メチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロ
パン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸
エステルなどの、トリス(ジメチルヒドロキシフェニ
ル)フェニルプロパンと1,2−ナフトキノンジアジド
スルホン酸とのエステル化物;
【0037】4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒド
ロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]エチ
リデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジアジ
ド−4−スルホン酸エステル、4,4’−[1−[4−
[1−[4−ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチ
ル]フェニル]エチリデン]ビスフェノール−1,2−
ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなど
の、ヒドロキシフェニルメチルエチルフェニルエチリデ
ンビスフェノールと1,2−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸とのエステル化物;ビス(2,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)−2−ヒドロキシフェニルメタ
ン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エ
ステル、ビス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェ
ニル)−2−ヒドロキシフェニルメタン−1,2−ナフ
トキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなどの、ビ
ス(ジメチルヒドロキシフェニル)ヒドロキシフェニル
メタンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸との
エステル化物;3,3,3’,3’−テトラメチル−1,
1’−スピロインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘ
キサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、3,3,3’,3’−テトラメチル−1,
1’−スピロインデン−5,6,7,5’,6’,7’−ヘ
キサノール−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スル
ホン酸エステルなどの、テトラメチルスピロインデンヘ
キサノールと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
とのエステル化物;2,2,4−トリメチル−7,2’,
4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメ
チル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2
−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステルなど
の、トリメチルトリヒドロキシフラバンと1,2−ナフ
トキノンジアジドスルホン酸とのエステル化物が挙げら
れる。
【0038】これらのうち、2,3,4−トリヒドロキシ
ベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−
スルホン酸エステル、2,3,4−トリヒドロキシベンゾ
フェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、2,3,4,4’−テトラヒドロキシベ
ンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステル、3,4,5,2’,4’−ペンタヒドロ
キシベンゾフェノン−1,2−ナフトキノンジアジド−
4−スルホン酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−
ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプ
ロパン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン
酸エステル、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4
−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパン−1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸エステル、
4,4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニ
ル]−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビス
フェノール−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、4,4’−[1−[4−[1−[4−
ヒドロキシフェニル]−1−メチルエチル]フェニル]
エチリデン]ビスフェノール−1,2−ナフトキノンジ
アジド−5−スルホン酸エステル、2,2,4−トリメチ
ル−7,2’,4’−トリヒドロキシフラバン−1,2−
ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル、2,
2,4−トリメチル−7,2’,4’−トリヒドロキシフ
ラバン−1,2− ナフトキノンジアジド−5−スルホ
ン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェニ
ル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−4−スル
ホン酸エステル、1,1,1−トリ(p−ヒドロキシフェ
ニル)エタン−1,2−ナフトキノンジアジド−5−ス
ルホン酸エステルなどが好ましく用いられる。これらの
1,2−キノンジアジド化合物は、単独であるいは2種
以上組み合わせて用いることができる。
【0039】上記のような1,2−キノンジアジドスル
ホン酸エステル類は、例えば1,2−キノンジアジドス
ルホン酸のハロゲン化物を、塩基触媒の存在下で、対応
するヒドロキシ化合物でエステル化させることにより得
られる。このようなエステル化反応においては、ヒドロ
キシ化合物の全水酸基に対して、1,2−キノンジアジ
ドスルホン酸のハロゲン化物を通常10〜120モル%
用いることが望ましい。これら1,2−キノンジアジド
化合物[B]は、重合体[A]100重量部に対して好
ましくは5〜100重量部、より好ましくは10〜50
重量部含んでいることが望ましい。
【0040】感放射線性樹脂組成物中の1,2−キノン
ジアジド化合物の量が、重合体[A]100重量部に対
して5重量部未満であると、該組成物から形成される塗
膜は放射線照射部と放射線未照射部との溶解度差が小さ
くなって現像によるパターニングが困難になることがあ
り、一方100重量部を超えると、短時間の放射線照射
では1,2−キノンジアジド化合物が充分に分解され
ず、感度が低下してしまうことがある。
【0041】<(C)成分>(C)成分である架橋性化
合物の具体例としては、エポキシ、オキセタン、アルコ
キシメチル化メラミン、アルコキシメチル化グリコール
ウリル、アルコキシメチル化ベンゾグアナミン、アルコ
キシメチル化尿素、イソシアネート、シアネート、オキ
サゾリン、オキサジン等を挙げることができる。
【0042】エポキシの市販品を示せば、ビスフェノー
ルA型エポキシ樹脂としては、エピコート1001、同
1002、同1003、同1004、同1007、同1
009、同1010、同828(以上、油化シェルエポ
キシ(株)製)等を、ビスフェノールF型エポキシ樹脂
としては、エピコート807(油化シェルエポキシ
(株)製)等を、フェノールノボラック型エポキシ樹脂
としては、エピコート152、同154(以上、油化シ
ェルエポキシ(株)製)、EPPN201、同202
(以上、日本化薬(株)製)等を、クレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂としては、EOCN−102、EOC
N−103S、EOCN−104S、EOCN−102
0、EOCN−1025、EOCN−1027(以上、
日本化薬(株)製)、エピコート180S75(油化シ
ェルエポキシ(株)製)等を、環式脂肪族エポキシ樹脂
としては、CY175、CY177、CY179(以
上、CIBA−GEIGY A.G製)、ERL−42
34、ERL−4299、ERL−4221、ERL−
4206(以上、U.C.C社製)、ショーダイン509
(昭和電工(株)製)、アラルダイトCY−182、同
CY−192、同CY−184(以上、CIBA−GE
IGY A.G製)、エピクロン200、同400(以
上、大日本インキ工業(株)製)、エピコート871、
同872(以上、油化シェルエポキシ(株)製)、ED
−5661、ED−5662(以上、セラニーズコーテ
ィング(株)製)等を、脂肪族ポリグリシジルエーテル
としては、エポライト100MF(共栄社油脂化学工業
(株)製)、エピオールTMP(日本油脂(株)製)等
を挙げることができる。
【0043】これらのうち好ましいものとしては、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂およびクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂が挙げられる。
【0044】以上、例示した化合物の大部分は高分子量
体であるが、この化合物の分子量は、特に制限されるも
のではなく、例えばビスフェノールAまたはビスフェノ
ールFのグリシジルエーテル等の低分子量体等を使用す
ることもできる。このようなエポキシ基を分子内に2個
以上含有する化合物の使用割合は、(A)成分100重
量部に対して、通常、100重量部以下、好ましくは5
0重量部以下である。
【0045】上記オキセタンとしては、ビス〔(3−エ
チル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン
(商品名「XDO」東亜合成社製)、ビス〔(3−エチ
ル−3−オキセタニルメトキシ)メチル−フェニル〕メ
タン、ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキ
シ)メチル−フェニル〕エーテル、ビス〔(3−エチル
−3−オキセタニルメトキシ)メチル−フェニル〕プロ
パン、ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキ
シ)メチル−フェニル〕スルホン、ビス〔(3−エチル
−3−オキセタニルメトキシ)メチル−フェニル〕ケト
ン、ビス〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)
メチル−フェニル〕ヘキサフロロプロパン、トリ〔(3
−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼ
ン、テトラ〔(3−エチル−3−オキセタニルメトキ
シ)メチル〕ベンゼン等を挙げることができる。
【0046】上記アルコキシメチル化メラミン、アルコ
キシメチル化ベンゾグアナミン、アルコキシメチル化グ
リコールウリルおよびアルコキシメチル化尿素は、それ
ぞれメチロール化メラミン、メチロール化ベンゾグアナ
ミン、メチロール化グリコールウリルおよびメチロール
化尿素のメチロール基をアルコキシメチル基に変換する
ことにより得られる。このアルコキシメチル基の種類に
ついては特に限定されるものではなく、例えばメトキシ
メチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル基、ブ
トキシメチル基等を挙げることができる。これらの架橋
性化合物のうち、アルコキシメチル化メラミンおよびア
ルコキシメチル化ベンゾグアナミンが好ましい架橋性化
合物として挙げられる。また、かかる架橋性化合物とし
ては、サイメル300、同301、同303、同37
0、同325、同327、同701、同266、同26
7、同238、同1141、同272、同202、同1
156、同1158、同1123、同1170、同11
74、同UFR65、同300(以上、三井サイアナミ
ッド(株)製)、ニカラックMx−750、同Mx−0
32、同Mx−706、同Mx−708、同Mx−4
0、同Mx−31、同Ms−11、同Mw−30(以
上、三和ケミカル(株)製)等の商品名で市販されてい
るものを好ましく使用することができる。これらの架橋
性化合物は、単独でまたは2種類以上を組み合わせて用
いることができる。
【0047】上記イソシアネートとしては、例えばフェ
ニレン−1,3−ジイソシアネート、フェニレン−1,4
−ジイソシアネート、1−メトキシフェニレン−2,4
−ジイソシアネート、1−メチルフェニレン−2,4−
ジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネー
ト、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリ
レンジイソシアネート、1,4−キシリレンジイソシア
ネート、ビフェニレン−4,4’−ジイソシアネート、
3,3’−ジメトキシビフェニレン−4,4’−ジイソシ
アネート、3,3’−ジメチルビフェニレン−4,4’−
ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイ
ソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシ
アネート、3,3’−ジメトキシジフェニルメタン−4,
4’−ジイソシアネート、3,3’−ジメチルジフェニ
ルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ナフチレン−
1,5−ジイソシアネート、シクロブチレン−1,3−ジ
イソシアネート、シクロペンチレン−1,3−ジイソシ
アネート、シクロヘキシレン−1,3−ジイソシアネー
ト、シクロヘキシレン−1,4−ジイソシアネート、1
−メチルシクロヘキシレン−2,4−ジイソシアネー
ト、1−メチルシクロヘキシレン−2,6−ジイソシア
ネート、1−イソシアネート−3,3,5−トリメチル−
5−イソシアネートメチルシクロヘキサン、シクロヘキ
サン−1,3−ビス(メチルイソシアネート)、シクロ
ヘキサン−1,4−ビス(メチルイソシアネート)、イ
ソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−
2,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン
−4,4’−ジイソシアネート、エチレンジイソシアネ
ート、テトラメチレン−1,4−ジイソシアネート、ヘ
キサメチレン−1,6−ジイソシアネート、ドデカメチ
レン−1,12−ジイソシアネート、リジンジイソシア
ネートメチルエステル、あるいはこれらの有機ジイソシ
アネートの化学量論的過剰量と2官能性活性水素含有化
合物との反応により得られる両末端イソシアネートプレ
ポリマー等を挙げることができる。前記有機ジイソシア
ネートは、単独でまたは2種以上を混合して使用するこ
とができる。
【0048】また、場合により有機ジイソシアネートと
ともに使用される他の有機ポリイソシアネートとして
は、例えばフェニル−1,3,5−トリイソシアネート、
ジフェニルメタン−2,4,4’−トリイソシアネート、
ジフェニルメタン−2,5,4’−トリイソシアネート、
トリフェニルメタン−2,4’,4”−トリイソシアネー
ト、トリフェニルメタン−4,4’,4”−トリイソシア
ネート、ジフェニルメタン−2,4,2’,4’−テトラ
イソシアネート、ジフェニルメタン−2,5,2’,5’
−テトライソシアネート、シクロヘキサン−1,3,5−
トリイソシアネート、シクロヘキサン−1,3,5−トリ
ス(メチルイソシアネート)、3,5−ジメチルシクロ
ヘキサン−1,3,5−トリス(メチルイソシアネー
ト)、1,3,5−トリメチルシクロヘキサン−1,3,5
−トリス(メチルイソシアネート)、ジシクロヘキシル
メタン−2,4,2’−トリイソシアネート、ジシクロヘ
キシルメタン−2,4,4’−トリイソシアネート等の3
官能以上の有機ポリイソシアネート、あるいはこれらの
3官能以上の有機ポリイソシアネートの化学量論的過剰
量と2官能以上の多官能性活性水素含有化合物との反応
により得られる末端イソシアネートプレポリマー等を挙
げることができる。
【0049】上記シアネートとしては、1,3−ジシア
ナートベンゼン、1,4−ジシアナートベンゼン、1,
3,5−トリシアナートベンゼン、1,3−、1,4−、
1,6−、1.8−、2.6−、または2,7−ジシアナー
トナフタレン、1,3,6−トリシアナートナフタレン、
2,2’−または4,4’−ジシアナートビフェニル、ビ
ス(4−シアナートフェニル)メタン、2,2−ビス
(4−シアナートフェニル)プロパン、2,2’−ビス
(3,5−ジクロロ−4−シアナートフェニル)プロパ
ン、2,2−ビス(4−シアナートフェニル)エタン、
ビス(4−シアナートフェニル)エーテル、ビス(4−
シアナートフェニル)チオエーテル、ビス(4−シアナ
ートフェニル)スルホン、1,1,1,3,3,3−ヘキサ
フルオロ−2,2−ビス(4−シアナートフェニル)プ
ロパン、トリス(4−シアナートフェニル)ホスファイ
ト、トリス(4−シアナートフェニル)ホスフェート、
およびフェノール樹脂とハロゲン化シアンの反応より得
られるベンゼン多核体のポリイソシアネート化合物(例
えば、特公昭45−11712号および55−9433
号公報)などを挙げることができる。入手が容易であり
かつ成形性および最終硬化物に良好な性質を与えるとい
う点から、2,2−ビス(4−シアナートフェニル)プ
ロパンのようなビスフェノールから誘導された2価のシ
アン酸エステル化合物は、特に良好に使用される。ま
た、フェノールとホルムアルデヒドとの初期縮合物にハ
ロゲン化シアンを反応させて得られるポリシアナートも
有用である。
【0050】上記オキサゾリンとしては、2,2’−ビ
ス(2−オキサゾリン)、4−フラン−2−イルメチレ
ン−2−フェニル−4H−オキサゾール−5−オン、
1,4−ビス(4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリル)ベ
ンゼン、1,3−ビス(4,5−ジヒドロ−2−オキサゾ
リル)ベンゼン、2,3−ビス(4−イソプロペニル−
2−オキサゾリン−2−イル)ブタン、2,2’−ビス
−4−ベンジル−2−オキサゾリン、2,6−ビス(イ
ソプロピル−2−オキサゾリン−2−イル)ピリジン、
2,2’−イソプロピリデンビス(4−tert−ブチ
ル−2−オキサゾリン)、2,2’−イソプロピリデン
ビス(4−フェニル−2−オキサゾリン)、2,2’−
メチレンビス(4−tert−ブチル−2−オキサゾリ
ン)、2,2’−メチレンビス(4−フェニル−2−オ
キサゾリン)等が挙げられる。
【0051】上記オキサジンとしては、2,2’−(ビ
ス(5,6−ジヒドロ−4H−1,3−オキサジン)、
1,4−ビス(5,6−ジヒドロ−4H−1,3−オキサ
ジニル)ベンゼン、1,3−ビス(5,6−ジヒドロ−4
H−1,3−オキサジニル)ベンゼン、2,3−ビス[4
−イソプロペニル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−1,
3−オキサジン)−2−イル]ブタン、2,2’−ビス
−4−ベンジル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−1,3
−オキサジン)、2,6−ビス[イソプロピル−2−
(5,6−ジヒドロ−4H−1,3−オキサジン)−2−
イル)ピリジン、2,2’−イソプロピリデンビス[4
−tert−ブチル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−
1,3−オキサジン)]、2,2’−イソプロピリデンビ
ス[4−フェニル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−1,
3−オキサジン)]、2,2’−メチレンビス[4−t
ert−ブチル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−1,3
−オキサジン)]、2,2’−メチレンビス[4−フェ
ニル−2−(5,6−ジヒドロ−4H−1,3−オキサジ
ン)]等が挙げられる。
【0052】(C)成分である架橋性化合物の使用割合
は、(A)成分100重量部に対して1〜100重量
部、特に5〜50重量部であることが好ましい。(C)
成分の使用割合が(A)成分100重量部に対して1重
量部未満の場合には、系の架橋が不十分となるため、パ
ターンを形成すること自体が困難となる場合がある。一
方、(C)成分の使用割合が(A)成分100重量部に
対して100重量部を超える場合には、当該組成物全体
のアルカリ溶解性が過大となって、現像処理後における
残膜率が低下する方向となる。
【0053】<感放射線性樹脂組成物が含有してもよい
その他の成分>本発明の感放射線性樹脂組成物は、感度
をさらに向上させる目的で、1,2−キノンジアジド化
合物に対する増感剤を含んでいてもよい。このような増
感剤としては、例えば10H−ピリド−(3,2−b)
−1,4−ベンゾチアジン類、ウラゾール類、ヒダント
イン類、バルビツール酸類、グリシン無水物類、1−ヒ
ドロキシベンゾトリアゾール類、アロキサン類、マレイ
ミド類などが好ましく挙げられる。上記増感剤は、1,
2−キノンジアジド化合物[B]100重量部に対し
て、通常100重量部以下、好ましくは10重量部以下
の量で必要に応じて用いられる。
【0054】さらに本発明の感放射線性樹脂組成物は、
ストリエーション(塗布すじあと)の防止、現像性の向
上などの目的で、界面活性剤を配合することもできる。
界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンラウリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、
ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオキシ
エチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンオク
チルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェ
ニルエーテルなどのポリオキシエチレンアリールエーテ
ル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエ
チレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアル
キルエステル類などのノニオン系界面活性剤;エフトッ
プEF301、同303、同352(新秋田化成(株)
製)、メガファックF171、同F172、同F173
(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC−
430、同FC−431(住友スリーエム(株)製)、
アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同S
C−101、同SC−102、同SC−103、同SC
−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子
(株)製)などのフッ素系界面活性剤;オルガノシロキ
サンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、ポ
リフローNo. 57、同95(共栄社油脂化学工業
(株)製)などの(メタ)アクリル酸共重合体系界面活
性剤が挙げられる。
【0055】上記界面活性剤は、感放射線性樹脂組成物
の固形分100重量部に対して、2重量部以下、好まし
くは1重量部以下の量で必要に応じて用いられる。本発
明の感放射線性樹脂組成物は、耐熱性、耐薬品性を向上
する目的で潜在性酸発生剤を配合することもできる。本
発明で用いられる潜在性酸発生剤は、加熱により酸を発
生するカチオン重合触媒であり、スルホニウム塩、ベン
ゾチアゾリウム塩、アンモニウム塩、ホスホニウム塩な
どのオニウム塩が用いられる。中でも、スルホニウム塩
およびベンゾチアゾリウム塩が好ましい。
【0056】上記スルホニウム塩の具体例としては、例
えば4−アセトフェニルジメチルスルホニウムヘキサフ
ルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルジメチ
ルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジメチル
−4−(ベンジルオキシカルボニルオキシ)フェニルス
ルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジメチル−
4−(ベンゾイルオキシ)フェニルスルホニウムヘキサ
フルオロアンチモネート、ジメチル−4−(ベンゾイル
オキシ)フェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ジメチル−3−クロロ−4−アセトキシフェニル
スルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのアル
キルスルホニウム塩;ベンジル−4−ヒドロキシフェニ
ルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
ベンジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウム
ヘキサフルオロホスフェート、4−アセトキシフェニル
ベンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート、ベンジル−4−メトキシフェニルメチルスルホニ
ウムヘキサフルオロアンチモネート、ベンジル−2−メ
チル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、ベンジル−3−クロロ−4
−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオ
ロアルセネート、4−メトキシベンジル−4−ヒドロキ
シフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェ
ートなどのベンジルスルホニウム塩;
【0057】ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスル
ホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−
4−ヒドロキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロホ
スフェート、4−アセトキシフェニルジベンジルスルホ
ニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジベンジル−4
−メトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、ジベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフ
ェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ジベ
ンジル−3−メチル−4−ヒドロキシ−5−tert−
ブチルフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ
ート、ベンジル−4−メトキシベンジル−4−ヒドロキ
シフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェートな
どのジベンジルスルホニウム塩;p−クロロベンジル−
4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキサフル
オロアンチモネート、p−ニトロベンジル−4−ヒドロ
キシフェニルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチ
モネート、p−クロロベンジル−4−ヒドロキシフェニ
ルメチルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、p
−ニトロベンジル−3−メチル−4−ヒドロキシフェニ
ルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、
3,5−ジクロロベンジル−4−ヒドロキシフェニルメ
チルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、o−
クロロベンジル−3−クロロ−4−ヒドロキシフェニル
メチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネートなど
の置換ベンジルスルホニウム塩;下記式(1)〜(7)
で示されるスルホニウム塩が挙げられる。
【0058】
【化1】
【0059】上記ベンゾチアゾニウム塩の具体例として
は3−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアン
チモネート、3−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフ
ルオロホスフェート、3−ベンジルベンゾチアゾリウム
テトラフルオロボレート、3−(p−メトキシベンジ
ル)ベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、3−ベンジル−2−メチルチオベンゾチアゾリウム
ヘキサフルオロアンチモネート、3−ベンジル−5−ク
ロロベンゾチアゾリウムヘキサフルオロアンチモネート
などのベンジルベンゾチアゾリウム塩が挙げられる。
【0060】これらのうち、4−アセトキシフェニルジ
メチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、ベン
ジル−4−ヒドロキシフェニルメチルスルホニウムヘキ
サフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニルベ
ンジルメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、ジベンジル−4−ヒドロキシフェニルスルホニウム
ヘキサフルオロアンチモネート、4−アセトキシフェニ
ルベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、3−ベンジルベンゾチアゾリウムヘキサフルオロア
ンチモネートなどが好ましく用いられる。これらの市販
品としては、サンエイドSI−L85、同SI−L11
0、同SI−L145、同SI−L150、同SI−L
160(三新化学工業(株)製)などが挙げられる。こ
れらの化合物は、単独であるいは2種以上組み合わせて
用いることができる。
【0061】その他、本発明の感放射線性樹脂組成物
は、基板との密着性を向上させる目的で、密着助剤を含
んでいてもよい。このような密着助剤としては、官能性
シランカップリング剤などが挙げられる。該官能性シラ
ンカップリング剤の具体例としては、トリメトキシシリ
ル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメト
キシシラン、γ−イソシアネートプロピルトリエトキシ
シラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラ
ン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルト
リメトキシシランなどが挙げられる。該密着助剤の使用
割合は、樹脂[A]成分100重量部に対して、通常、
20重量部以下、好ましくは0.05〜10重量部、特
に好ましくは1〜10重量部である。さらに本発明に係
る感放射線性樹脂組成物は、必要に応じて帯電防止剤、
保存安定剤、消泡剤、顔料、染料などを含んでいてもよ
い。
【0062】<感放射線性樹脂組成物の調製>本発明の
感放射線性樹脂組成物は、上記の各成分を均一に混合す
ることによって容易に調製することができ、通常、適当
な溶媒に溶解されて溶液状態で用いられる。例えば、樹
脂[A]を溶媒に溶解し、この溶液に1,2−キノンジ
アジド化合物[B]および架橋剤[C]および必要に応
じて他の成分を所定の割合で混合することにより、溶液
状態で感放射線性樹脂組成物を調製することができる。
該溶媒としては、例えばメタノール、エタノール、プロ
パノール、ブタノールなどのアルコール類;テトラヒド
ロフラン、ジオキサンなどの環状エーテル類;メチルセ
ロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテートなど
のセロソルブエステル類;エチレングリコールモノメチ
ルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、
ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエ
ーテルなどのグリコールエーテル類;プロピレングリコ
ールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコール
プロピルエーテルアセテートなどのプロピレングリコー
ルアルキルエーテルアセテート類;
【0063】ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香
族炭化水素類;メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル−2
−ペンタノンなどのケトン類;2−ヒドロキシプロピオ
ン酸エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸
エチル、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオン酸エチ
ル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸エチル、2−
ヒドロキシ−3−メチルブタン酸メチル、3−メトキシ
プロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチ
ル、3−エトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプ
ロピオン酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエス
テル類;ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロ
リドンなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。N−
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、
N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、
ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロ
ン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−
ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息
香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、
γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、
フェニルセロソルブアセテートなどの溶媒を用いること
もできる。
【0064】これらの溶媒のうち、溶解性および塗膜の
形成のしやすさから、メチルエチルケトン、シクロヘキ
サノン、2−ヘプタノン、4−ヒドロキシ−4−メチル
−2−ペンタノンなどのケトン類およびエチレングリコ
ールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメ
チルエーテルなどのグリコールエーテル類が好ましく用
いられる。
【0065】本発明の感放射線性樹脂組成物は、固形分
濃度が好ましくは10〜40重量%となるように溶媒に
溶解された溶液として被塗布物に塗布される。また、上
記のように調製された感放射線性樹脂組成物溶液は、孔
径が0.5μm程度のフィルタなどを用いて濾過した
後、使用に供することが好ましい。このように調製され
た感放射線性樹脂組成物溶液は、長期間の貯蔵安定性に
も優れる。
【0066】<感放射線性樹脂組成物の使用法>本発明
の感放射性樹脂組成物溶液は、基板表面に塗布され、加
熱により溶媒の除去を受けることによって、塗膜を形成
することができる。基板表面への感放射性樹脂組成物溶
液の塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコー
ト法、回転塗布法などの各種の方法を採用することがで
きる。次いでこの塗膜は、加熱(プレベーク)される。
加熱することによって、溶剤が揮発し、流動性のない塗
膜が得られる。加熱条件は、各成分の種類、配合割合な
どによっても異なるが、通常60〜120℃で10〜6
00秒間程度である。
【0067】次に加熱された塗膜に所定パターンのマス
クを介して放射線を照射した後、現像液により現像し、
不要な部分を除去する。現像液としては、例えば水酸化
ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸
ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水など
の無機アルカリ類;エチルアミン、n-プロピルアミンな
どの第一級アミン類;ジエチルアミン、ジ−n−プロピ
ルアミンなどの第二級アミン類;トリエチルアミン、メ
チルジエチルアミン、N−メチルピロリドンなどの第三
級アミン類;ジメチルエタノールアミン、トリエタノー
ルアミンなどのアルコールアミン類;テトラメチルアン
モニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒド
ロキシド、コリンなどの第四級アンモニウム塩;ピロー
ル、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]
−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.
0]−5−ノナンなどの環状アミン類のアルカリ類から
なるアルカリ水溶液を用いることができる。また上記ア
ルカリ水溶液に、メタノール、エタノールなどの水溶性
有機溶媒、界面活性剤などを適当量添加した水溶液を現
像液として使用することもできる。
【0068】現像時間は、通常30〜180秒間であ
る。また現像方法は液盛り法、ディッピング法などのい
ずれでもよい。現像後、流水洗浄を30〜90秒間行
い、圧縮空気や圧縮窒素で風乾させることによって、基
板上の水分を除去し、パターン状被膜が形成される。そ
の後このパターン状被膜に、高圧水銀灯などによる放射
線を全面照射し、パターン状被膜中に残存する1,2−
キノンジアジド化合物を完全に分解させる。続いて、ホ
ットプレート、オーブンなどの加熱装置により、所定温
度、例えば150〜250℃で、所定時間、例えばホッ
トプレート上なら5〜30分間、オーブン中では30〜
90分間加熱処理をすることによって、パターン状架橋
被膜を得ることができる。
【0069】
【実施例】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物の実施
例について説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。なお、実施例中、部または%は特に断らな
い限り重量基準である。また、以下において、重合体の
ポリスチレン換算重量平均分子量は、昭和電工(株)製
のGPCクロマトグラフSYSTEM−21を用いて測
定した。
【0070】〔特定重合体の合成例〕 特定重合体の合成例1 内容積0.5Lの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル270
g、エチルビニルエーテル(EVE)34.2g、クロ
トン酸(CA)27.2gおよび過酸化ラウロイル5.4
gを仕込み、ドライアイス−メタノールで−50℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン(HFP) 119gを
仕込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が7
0℃に達した時点での圧力は7.6kgf/cm2を示し
た。その後、70℃で12時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が6.3kgf/cm2に低下した時点でオートクレ
ーブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した後、未
反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃
度19.6%のポリマー溶液を得た。得られたポリマー
溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、n−ヘキサ
ンにて再沈精製し、50℃にて真空乾燥を行い80gの
含フッ素共重合体を得た(以下、この樹脂を「樹脂
(1)」と称する)。 得られた樹脂(1)を昭和電工
(株)製のGPCクロマトグラフSYSTEM−21で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、84
00であった。
【0071】特定重合体の合成例2 内容積0.5Lの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル270
g、エチルビニルエーテル(EVE)28.3g、クロ
トン酸(CA)33.8gおよび過酸化ラウロイル5.4
gを仕込み、ドライアイス−メタノールで−50℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン(HFP) 118gを
仕込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が7
0℃に達した時点での圧力は7.8kgf/cm2を示し
た。その後、70℃で12時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が6.9kgf/cm2に低下した時点でオートクレ
ーブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した後、未
反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃
度18.0%のポリマー溶液を得た。得られたポリマー
溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、n−ヘキサ
ンにて再沈精製し、50℃にて真空乾燥を行い80gの
含フッ素共重合体を得た(以下、この樹脂を「樹脂
(2)」と称する)。 得られた樹脂(2)を昭和電工
(株)製のGPCクロマトグラフSYSTEM−21で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、39
00であった。
【0072】特定重合体の合成例3 内容積0.5Lの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル270
g、エチルビニルエーテル(EVE)22.5g、クロ
トン酸(CA)40.3gおよび過酸化ラウロイル5.4
gを仕込み、ドライアイス−メタノールで−50℃まで
冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次
いでヘキサフルオロプロピレン(HFP) 117gを
仕込み、昇温を開始した。オートクレーブ内の温度が7
0℃に達した時点での圧力は8.3kgf/cm2を示し
た。その後、70℃で12時間攪拌下に反応を継続し、
圧力が7.5kgf/cm2に低下した時点でオートクレ
ーブを水冷し、反応を停止させた。室温に達した後、未
反応モノマーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃
度16.8%のポリマー溶液を得た。得られたポリマー
溶液を水に投入しポリマーを析出させた後、n−ヘキサ
ンにて再沈精製し、50℃にて真空乾燥を行い80gの
含フッ素共重合体を得た(以下、この樹脂を「樹脂
(3)」と称する)。 得られた樹脂(3)を昭和電工
(株)製のGPCクロマトグラフSYSTEM−21で
ポリスチレン換算数平均分子量を測定したところ、28
00であった。
【0073】特定重合体の合成例4 内容積0.5Lの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、酢酸エチル270
g、エチルビニルエーテル(EVE)16.3g、クロ
トン酸(CA)32.5g、4−ヒドロキシブチルビニ
ルエーテル(HBVE)17.6g、および過酸化ラウ
ロイル5.4gを仕込み、ドライアイス−メタノールで
−50℃まで冷却した後、再度窒素ガスで系内の酸素を
除去した。次いでヘキサフルオロプロピレン(HFP)
114gを仕込み、昇温を開始した。オートクレーブ
内の温度が70℃に達した時点での圧力は8.2kgf
/cm2を示した。その後、70℃で12時間攪拌下に
反応を継続し、圧力が7.3kgf/cm2に低下した時
点でオートクレーブを水冷し、反応を停止させた。室温
に達した後、未反応モノマーを放出しオートクレーブを
開放、固形分濃度19.0%のポリマー溶液を得た。得
られたポリマー溶液を水に投入しポリマーを析出させた
後、n−ヘキサンにて再沈精製し、50℃にて真空乾燥
を行い80gの含フッ素共重合体を得た(以下、この樹
脂を「樹脂(4)」と称する)。得られた樹脂(4)を
昭和電工(株)製のGPCクロマトグラフSYSTEM
−21でポリスチレン換算数平均分子量を測定したとこ
ろ、4500であった。
【0074】特定重合体の合成例5 内容積0.5Lの電磁攪拌機付きステンレス製オートク
レーブを窒素ガスで十分置換した後、ジエチレングリコ
ールエチルメチルエーテル(EDM)270g、エチル
ビニルエーテル(EVE)22.3g、クロトン酸(C
A)26.6g、グリシジルビニルエーテル(GVE)
15.5g、および過酸化ラウロイル5.4gを仕込み、
ドライアイス−メタノールで−50℃まで冷却した後、
再度窒素ガスで系内の酸素を除去した。次いでヘキサフ
ルオロプロピレン(HFP) 116gを仕込み、昇温
を開始した。オートクレーブ内の温度が70℃に達した
時点での圧力は8.8kgf/cm2を示した。その後、
70℃で12時間攪拌下に反応を継続し、圧力が8.3
kgf/cm2に低下した時点でオートクレーブを水冷
し、反応を停止させた。室温に達した後、未反応モノマ
ーを放出しオートクレーブを開放、固形分濃度21.1
%のポリマー溶液を得た。得られたポリマー溶液を水に
投入しポリマーを析出させた後、n−ヘキサンにて再沈
精製し、50℃にて真空乾燥を行い80gの含フッ素共
重合体を得た(以下、この樹脂を「樹脂(5)」と称す
る)。得られた樹脂(5)を昭和電工(株)製のGPC
クロマトグラフSYSTEM−21でポリスチレン換算
数平均分子量を測定したところ、2100であった。
【0075】[実施例] 実施例1 合成例1で得られた樹脂(1)100重量部と、溶剤と
してシクロヘキサノン550部、1,2−キノンジアジ
ド化合物として1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−
4−ヒドロキシフェニル−3−フェニル)プロパン(1
モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン
酸クロリド(1.9モル)との縮合物20重量部および
架橋剤としてCYMEL300を25部と接着助剤とし
てγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン5重量
部と界面活性剤としてメガファックF172(大日本イ
ンキ化学工業(株)製)0.05重量部を混合し溶解さ
せた後、孔径0.45μmのミリポアフィルタで濾過し
て感放射線性樹脂組成物溶液を調製した。
【0076】[塗膜の形成]シリコン基板上にスピンナ
ーを用いて、得られた上記樹脂組成物溶液を塗布した
後、90℃て120秒間ホットプレート上でプリベーク
して膜厚3.0μmの塗膜を形成した。 [放射線照射処理、および現像処理]得られた塗膜に所
定のパターンのマスクを介して、365nmにおける光
強度が5mW/cm2である紫外線を空気中で40秒間
照射した。次いで、テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド0.3重量%水溶液により25℃で60秒間現像処
理を行った後、超純水で1分間リンス処理し、ポジ型の
パターンを形成させた。その後、全面に365nmにお
ける光強度が5mW/cm 2である紫外線を空気中で6
0秒間照射した。
【0077】[ポストベーク]このパターンが形成され
たシリコン基板をホットプレート上で200℃で30分
間加熱することにより、パターンのポストベークを行
い、パターン状薄膜を形成したシリコン基板を得た。 [誘電率の測定]室温、10KHzの条件で測定した。
結果を表1に示す。 [耐熱寸法安定性の評価]パターン状薄膜を形成したシ
リコン基板を220℃のオーブンを用いて60分間加熱
した後、パターン状薄膜の膜厚変化を測定した。加熱後
の膜厚が、加熱前の膜厚の95%を超える場合を○、9
0〜95%の範囲にある場合を△、90%未満の場合を
×とした。結果を表1に示す。
【0078】[平坦性の評価]シリコン基板の代わり
に、1.0μmの段差を有するシリコン酸化膜基板を用
いたこと以外は、前記と同様にしてパターン状薄膜を形
成し、接触式の膜厚測定器を用いて、パターン状薄膜の
段差を測定し、段差の最大値が5%未満である場合を○
とし、5%以上である場合を×とした。結果を表1に示
す。 [透明性の評価]シリコン基板の代わりにガラス基板
「コーニング7059(コーニング社製)」を用いた以
外は上記と同様にしてパターン状薄膜を形成したガラス
基板を得た。次いで、得られたガラス基板の透過率を分
光光度計「150−20型ダブルビーム(日立製作所
製)」を用いて400〜800nmの波長で測定した。
このとき最低透過率が90%以上の場合を○、90%未
満である場合を×とした。結果を表1に示す。
【0079】[耐熱変色性の評価]パターン状薄膜を形
成したガラス基板を220℃のオーブンで60分間加熱
した後、このガラス基板の透過率を分光光度計「150
−20型ダブルビーム」を用いて400〜800nmの
波長で測定し、加熱処理後における透過率の変化を求め
た。透過率の変化率が5%未満の場合を○、5〜10%
の範囲にある場合を△、10%を超える場合を×とし
た。結果を表1に示す。 [耐溶剤性の評価]パターン状薄膜を形成したガラス基
板を70℃中のジメチルスルフォキシド中に15分間浸
漬し、膜厚変化を測定した。10%以下の膜厚変化を
○、10%を越える場合を△、膨潤が大きく、基板から
剥がれてしまう状態を×とした。結果を表1に示す。
【0080】実施例2 実施例1において、1,2−キノンジアジド化合物を4,
4’−[1−[4−[1−[4−ヒドロキシフェニル]
−1−メチルエチル]フェニル]エチリデン]ビスフェ
ノール(1モル)と1,2−ナフトキノンジアジド−5
−スルホン酸クロリド(2モル)との縮合物に代えた以
外は、実施例1と同様にして感放射線性樹脂組成物溶液
を調製した。塗膜及び加熱硬化膜の形成ならびに評価を
行った結果を表1に示す。 実施例3 実施例1において、1,2−キノンジアジド化合物を2,
3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン(1モル)と1,
2−ナフトキノンジアジド−5−スルホン酸クロリド
(2.6モル)との縮合物に代えた以外は、実施例1と
同様にして感放射線性樹脂組成物溶液を調製した。塗膜
及び加熱硬化膜の形成ならびに評価を行った結果を表1
に示す。
【0081】実施例4 実施例1において、さらにサンエイドSI−L150
(三新化学工業(株)製)(3部)を加え、実施例1と
同様にして感放射線性樹脂組成物溶液を調製した。塗膜
及び加熱硬化膜の形成ならびに評価を行った結果を表1
に示す。
【0082】実施例5〜8 実施例1において、樹脂(1)を樹脂(2)〜(5)に
代えた以外は、実施例1と同様にして感放射線性樹脂組
成物溶液を調製した。塗膜及び加熱硬化膜の形成ならび
に評価を行った結果を表1に示す。 実施例9〜15 表1に記載した(C)成分の(2)〜(8)を用いた以
外は実施例1と同様にして評価を行った。結果について
は表1にまとめた。
【0083】
【表1】 但し(C)成分は、(1)ヘキサメトキシメチロールメ
ラミン(商品名「サイメル300」三井サイメック
(株)製)、(2)テトラメトキシメチルグリコールウ
リル、(3)エピコート807(油化シェルエポキシ
(株)製)、(4)ビス〔(3−エチル−3−オキセタ
ニルメトキシ)メチル〕ベンゼン(商品名「XDO」東
亜合成社製)、(5)フェニレン−1,3−ジイソシア
ネート、(6)1,3,5−トリシアナートベンゼン、
(7)1,3−ビス(4,5−ジヒドロ−2−オキサゾリ
ル)ベンゼン、(8)1,3−ビス−2−(5,6−ジヒ
ドロ−4H−1,3−オキサジニル)ベンゼンである。
【0084】
【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物によれ
ば、アルカリ性水溶液で現像でき、平坦性、耐熱性、耐
薬品性、透明性等の諸特性とともに、従来これらの特性
と同時に実現することが困難であった低誘電特性の優れ
たパターン状薄膜を容易に形成することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/027 H01L 21/312 D 21/312 21/30 502R

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 (A)、(a−1)ヘキサフルオロプロ
    ピレン、(a−2)不飽和カルボン酸および/または不
    飽和カルボン酸無水物並びに(a−3)上記(a−1)
    成分および(a−2)成分と共重合可能な不飽和化合物
    との含フッ素共重合体、(B)、1,2−キノンジアジ
    ド化合物、並びに(C)、架橋性化合物からなることを
    特徴とする感放射線性樹脂組成物。
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Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001228605A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性感光材料
JP2001281853A (ja) * 2000-04-03 2001-10-10 Fujifilm Arch Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
WO2003012547A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Jsr Corporation Composition having permitivity being radiation-sensitively changeable and method for forming permitivity pattern
JP2003082042A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Jsr Corp 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。
KR20030026666A (ko) * 2001-09-26 2003-04-03 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물
WO2005001575A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005008337A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2007063721A1 (ja) * 2005-11-30 2007-06-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置及び表示装置
JP2008233619A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法
EP2016463A1 (en) * 2006-04-13 2009-01-21 Kolon Industries, Inc. Composition for positive type photoresist and positive type photoresist film manufactured thereby
JP2012088459A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法
JP2012212051A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
WO2017126610A1 (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 日産化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001228605A (ja) * 2000-02-16 2001-08-24 Shin Etsu Chem Co Ltd 熱硬化性感光材料
JP2001281853A (ja) * 2000-04-03 2001-10-10 Fujifilm Arch Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物
CN100430828C (zh) * 2001-08-01 2008-11-05 Jsr株式会社 放射线敏感性电容率变化性组合物和电容率图案形成方法
WO2003012547A1 (en) * 2001-08-01 2003-02-13 Jsr Corporation Composition having permitivity being radiation-sensitively changeable and method for forming permitivity pattern
KR100881544B1 (ko) * 2001-08-01 2009-02-02 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 유전율 변화성 조성물 및 유전율 패턴 형성 방법
US7205085B2 (en) 2001-08-01 2007-04-17 Jsr Corporation Composition having permitivity being radiation-sensitively changeable and method for forming permitivity pattern
JP2003082042A (ja) * 2001-09-07 2003-03-19 Jsr Corp 隔壁形成用感放射線性樹脂組成物、隔壁、および表示素子。
KR20030026666A (ko) * 2001-09-26 2003-04-03 주식회사 동진쎄미켐 감광성 수지 조성물
WO2005001575A1 (ja) * 2003-06-26 2005-01-06 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
WO2005008337A1 (ja) * 2003-07-16 2005-01-27 Az Electronic Materials (Japan) K.K. 感光性樹脂組成物
JP2011102997A (ja) * 2005-11-30 2011-05-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置及び表示装置
WO2007063721A1 (ja) * 2005-11-30 2007-06-07 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置及び表示装置
JPWO2007063721A1 (ja) * 2005-11-30 2009-05-07 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置及び表示装置
JP4692547B2 (ja) * 2005-11-30 2011-06-01 住友ベークライト株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、およびそれを用いた半導体装置及び表示装置
US8080350B2 (en) 2005-11-30 2011-12-20 Sumitomo Bakelite Company, Ltd. Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith
EP2639638A1 (en) * 2005-11-30 2013-09-18 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Positive photosensitive resin composition, and semiconductor device and display therewith
EP2016463A1 (en) * 2006-04-13 2009-01-21 Kolon Industries, Inc. Composition for positive type photoresist and positive type photoresist film manufactured thereby
EP2016463A4 (en) * 2006-04-13 2011-04-06 Kolon Inc POSITIVE-TYPE PHOTORESIN COMPOSITION AND POSITIVE-TYPE PHOTORESIN FILM MADE FROM THE COMPOSITION
JP2008233619A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、層間絶縁膜およびマイクロレンズならびにそれらの製造方法
JP2012088459A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物、硬化膜及びその形成方法
JP2012212051A (ja) * 2011-03-31 2012-11-01 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd カラーフィルタ用着色組成物、およびカラーフィルタ
WO2017126610A1 (ja) * 2016-01-20 2017-07-27 日産化学工業株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物

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