CN100397608C - 移送装置和半导体处理系统 - Google Patents

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Abstract

半导体处理系统中的移送装置(17)包括能够分别在相互平行的有第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部的第一和第二动作机构(9A、9B)。按照通过第一和第二动作机构以水平状态移动的方式由第一和第二支持部支持第一和第二移动台(18A、18B)。在第一和第二移动台上，分别配置着接收被处理基板(W)的能够伸缩的第一和第二搬运机构(19A、19B)。控制部(20)使第一和第二移动台互不干涉地控制第一和第二动作机构的动作。

Description

移送装置和半导体处理系统
技术领域
本发明涉及在半导体处理系统中用来移送被处理基板的移送装置，和纳入该移送装置的半导体处理系统。这里，所谓半导体处理，意味着为了通过在晶片或LCD(液晶显示器)或FPD(平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上按规定图形形成半导体层、绝缘层、导电层等，在该被处理基板上制造包括半导体器件、或连接于半导体器件的配线、电极等的结构物所实施的种种处理。
背景技术
作为在半导体晶片等被处理基板上施行半导体处理的系统，有逐张处理的单片式处理装置。此外，有把多个这种处理装置经由共同的移送室相互结合，使晶片不暴露于大气地可进行各种工序的连续处理的、多腔型的半导体处理系统。作为这种半导体处理系统，有特开平7-86375号公报中所示的那种常压处理型，或特开2000-195925号公报中所示的那种真空处理型。
在特开平7-86375号公报的系统中，多个处理室配置成一列，其至少一部分上下地配置处理室。为了把基板移送到这些处理室移送装置能够与处理室平行行走地配置。移送装置包括在轨道上行走的移动基台。在移动基台上竖立设置一对支柱，在其上经由垂直臂机构能够上下动地设置壳体。在壳体内，配置有能够保持两张基板的基板保持部的水平臂机构。
在特开2000-195925号公报的系统中，在能够减压的移送室的周围连接着多个真空处理室和负载锁定室。处理室和负载锁定室在移送室的周围的至少一处上下地配置。在移送室内配置移送装置，这包括能够在水平方向上伸缩的一对小臂机构。小臂机构能够水平转动和升降地配置。
上述两个系统，虽然备有两个基板保持部，备有两个小臂机构，但是移送效率不太高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以提高移送效率的移送装置和半导体处理系统。
本发明的第一观点是半导体处理系统中的移送装置，其中具备：
有分别能够在公共空间内相互平行的第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部的第一和第二动作机构，
在前述公共空间中，靠前述第一和第二动作机构以水平状态移动地支持于前述第一和第二支持部的第一和第二移动台，前述第一和第二移动台分别从前述第一和第二支持部跨越前述第一和第二垂直平面间的中心的垂直平面向前述第二和第一垂直平面延伸设置，
分别设在前述第一和第二移动台上的，受理被处理基板的能够伸缩的第一和第二搬运机构，以及
在前述公共空间内，控制前述第一和第二动作机构的动作的控制部，使前述第一和第二移动台互不干涉。
本发明的第二观点是半导体处理系统，其中备有：
有用来移出移入被处理基板的多个通口的移送室，
连接于前述多个通口的至少一个的，用来在前述被处理基板上施行半导体处理的处理室，以及
为了经由前述多个通口移出移入前述被处理基板，配置于前述移送室内的移送装置，
前述移送装置备有：
有分别能够在前述移送室内相互平行的第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部的第一和第二动作机构，
在前述移送室中，靠前述第一和第二动作机构以水平状态移动地支持于前述第一和第二支持部的第一和第二移动台，前述第一和第二移动台分别从前述第一和第二支持部跨越前述第一和第二垂直平面间的中心的垂直平面向前述第二和第一垂直平面延伸设置，
分别设在前述第一和第二移动台上的，受理被处理基板的能够伸缩的第一和第二搬运机构，以及
在前述公共空间内，使前述第一和第二移动台互不干涉地控制前述第一和第二动作机构的动作的控制部。
根据本发明，可获得使搬送装置或半导体处理系统的空间利用效率以及搬送效率得以提高的技术效果。
附图说明
图1是表示根据本发明的实施方式的纳入移送装置的半导体处理系统的一部分的立体图。
图2是图1中所示的系统的纵剖侧视图。
图3是图1中所示的系统的总体的概略俯视图。
图4是表示图1中所示的移送装置的大臂机构之一例的立体图。
图5是表示图1中所示的移送装置的小臂机构之一例的立体图。
图6是表示图1中所示的移送装置的大臂机构的另一例的立体图。
图7是表示图1中所示的系统的变形例的断面图。
图8是表示根据本发明的另一个实施方式的纳入移送装置的半导体处理系统的一部分的立体图。
图9是表示图8中所示的移送装置的驱动部的断面图。
图10是表示图8中所示的系统的变更例的立体图。
图11是表示图10中所示的系统的变更例的立体图。
图12是表示根据本发明的又一个实施方式的半导体处理系统的概略俯视图。
图13是表示根据本发明的又一个实施方式的半导体处理系统的概略俯视图。
图14是表示根据本发明的又一个移送装置的立体图。
图15A、B是表示根据本发明的又一个实施方式的移送装置的概略侧视图。
图16是表示根据本发明的又一个实施方式的移送装置的立体图。
具体实施方式
下面参照附图就本发明的实施方式进行说明。再者，在以下的说明中，针对具有大致同一的功能和构成的构成要素，赋予同一标号，重复说明仅在必要的情况进行。
图1是表示根据本发明的实施方式的纳入移送装置的半导体处理系统的一部分的立体图。图2和图3是图1中所示的系统的纵剖侧视图和总体的概略俯视图。
半导体处理系统1由在水平的X方向(图3的左右方向)上长的框体2组成而且内部有能够设定成减压气氛的公共移送室(也称为真空移送室)3。在真空移送室3的四侧面上，配置着能够减压的多个(包括多种)处理室(真空处理室)4和负载锁定室5。真空处理室4和负载锁定室5在真空移送室3的周围的至少一处上下多段地配置。
对应于各室4、5，在移送室3的四侧面上形成用来移出移入作为被处理基板的半导体晶片W的通口7、8、10、11。因而，在真空处理室4和或负载锁定室5多段配置的部分处，通口沿垂直方向并列配置。在各通口7、8、10、11上配置着用来气密地隔离移送室3与真空处理室4和负载锁定室5之间的门阀G。
更具体地说，真空移送室3的一个侧面(第一侧面)6a的第一高度上形成多个例如三个通口7。在各通口7上，经由门阀G连接着真空处理室4。此外，在与第一侧面6a对峙的另一个侧面(第二侧面)6b的第二高度上也形成多个例如三个通口8。在各通口8上也经由门阀G连接着真空处理室4。
图2中，真空移送室3的第一侧面6a的真空处理室4与第二侧面6b的真空处理室4配置于不同的高度的状态(因而，对应的通口在不同的高度上形成)用实线表示。第一高度与第二高度的高低差，如后所述，与支持于第一和第二大臂机构9A、9B且有小臂机构19A、19B的移动台18A、18B在Z方向(垂直方向)上相互位置交换之际的高低差对应。这里，所谓在垂直方向上相互位置交换，是指移动台18A可以位于移动台18B的上方还是下方。
换句话说，在框体2内对应于前述第一高度与第二高度配置着能够在纵长方向(X方向)上移动的两个移送机构。借此谋求移送效率的提高和控制的容易化。再者，真空处理室4也可以相对真空移送室3的左右两侧不必配置于不同的高度。例如，图2的实线和假想线所示，真空处理室4也可以在左右同一高度上各配置上下两级。
在作为真空移送室3的一端的前端面(与第一侧面交叉的第三侧面)6c上上下多段(多段)地形成多个例如四个通口10。在各通口10上，经由门阀G连接着负载锁定室5。在作为真空移送室3的另一端的后端面6d的第一高度上形成一个通口11。在通口11上，经由门阀G连接着真空处理室4。
半导体处理系统1还包括由有在与X方向正交的水平的Y方向(图3的上下方向)上长的框体12组成而且内部有常压气氛的导入侧移送室(也称为常压移送室或大气移送室)13。常压移送室13经由负载锁定室5连接到真空移送室3。常压移送室13为了来从大气侧对真空移送室3移出移入半导体晶片W而使用。
因此，在常压移送室13的一个侧面(前面)上，水平地并列形成用来移出移入晶片W的多个例如四个通口，这里，连接着装载收容多张晶片的晶片盒14的负载通口装置15。
在常压移送室13的另一侧面(后面)上垂直并列地形成四个通口，这里经由门阀G连接着前述的负载锁定室5。进而，在常压移送室13的一端上配置着进行晶片的对位的取向器16。
在真空移送室3内和常压移送室13内，分别设置移送装置17。因为真空移送室3内的移送装置17与常压移送室13内的移送装置17几乎是相同的，故下面就真空移送室3内的移送装置17进行说明，就常压移送室13内的移送装置17省略其说明。
移送装置17，有分别由能够伸缩转动的纵多关节型机械手组成的左右一个第一和第二大臂机构(第一和第二动作机构)9A、9B。第一和第二大臂机构9A、9B有在由真空移送室3所形成的公共空间内分别能够在与X方向平行且相互平行的第一和第二垂直平面VP1、VP2上(参照图2)移动的第一和第二支持部(在本实施方式中，第一和第二大臂机构9A、9B的前端)。
在第一和第二大臂机构9A、9B的前端，分别支持着第一和第二移动台(第一和第二基座部)18A、18B，这些靠第一和第二大臂机构9A、9B以水平状态移动。第一和第二移动台18A、18B，是从第一和第二大臂结构9A、9B的前端，相互相向地延伸设置。第一和第二移动台18A、18B的前端，跨越上述第一和第二垂直平面VP1、VP2(第一和第二大臂机构9A、9B的前端移动的垂直平面)间的中心的垂直平面VP0(真空移送室3的中心线)，在不到第二和第一垂直平面VP2、VP1的位置处终结。
在第一和第二移动台18A、18B上，分别配置着能够伸缩的第一和第二小臂机构(第一和第二搬运机构)19A、19B。第一和第二小臂机构19A、19B在对真空处理室4和负载锁定室5移出移入作为被处理基板的晶片W之际，直接受理晶片W。第一和第二小臂机构19A、19B能够在水平面内转动，它们的转动中心配置于上述第一和第二垂直平面VP1、VP2间的中心的垂直平面VP0(真空移送室3的中心线)上。
移送装置17有控制其本身的动作的控制部(控制器)20。控制部20控制第一和第二大臂机构9A、9B的动作以便在由真空移送室3所形成的公共空间内，第一和第二移动台18A、18B互不干涉。也就是说，靠控制部20，第一和第二移动台18A、18B被操作成在垂直方向上位置交换。
在本实施方式中，作为使移动台18A、18B在Z方向(垂直方向)和X方向移动的机构用大臂机构。大臂机构9A、9B，虽然与市场销售的搬运机械手(アシストジヤパン公司销售的UTM-3500机器人)类似，但是在两个移动台18A、18B可以上下、前后重合地组合两个大臂机构9A、9B方面不同。
第一和第二大臂机构9A、9B共有配置于真空移送室3的地板上的基台(基部)21。第一和第二大臂机构9A、9B的各个，有能够垂直转动地连接于基台21的基侧臂22，和能够垂直转动地连接于基侧臂22的前端的中间臂23。各中间臂23的前端作为移动台支持部发挥功能，在这里，能够垂直转动地连接着与移动台18A、18B一体的垂下部18d。
真空移送室3在前后方向很长，在未被大臂机构9A、9B隔断的情况，可以使基台21在X方向上能够移动。在此一情况，如图1中假想线所示，在真空移送室3的地板上配置导轨24，并且靠直线电动机可以在导轨24上驱动基台21。
此外，第一和第二大臂机构9A、9B也可以不是共同的基台21，而构成为有各自的基台。例如，如图1中所示，把基台21在中央的虚线25的位置处针对大臂机构9A、9B分割成左右两个部分，使两个部分能够在各自的导轨24上独立地移动。借此，晶片W的移送的自由度进一步提高。
图4是表示图1中所示的移送装置的大臂机构之一例的立体图。此一大臂机构9A(9B)有独立的基台21。在基台21上配置着垂直转动驱动基侧臂22的第一驱动部26。在基侧臂22的前端配置着垂直转动驱动中间臂23的第二驱动部27。在中间臂23的前端配置着垂直转动移动台18A的第三驱动部28。通过使大臂机构9A在垂直面内伸缩转动，可以使移动台18A以水平状态在Z方向(垂直方向)和X方向上移动。
图5是表示图1中所示的移送装置的小臂机构之一例的立体图。此一小臂机构19A(19B)有能够转动地配置于移动台18A上的转动台31。在转动台31上配置着两个多关节臂19S、19T。各多关节臂19S、19T的各个有能够水平转动地配置的基侧臂19x、能够水平转动地连接于基侧臂19x的前端的中间臂19y、以及能够水平转动地连接于中间臂19y的前端的拾取器30(基板保持部)。
优选是，在转动台31上，配置覆盖收缩收拢状态的两个多关节臂19S、19T的罩子32。罩子32即使第一和第二移动台18A、18B在垂直方向上位置交换而落下颗粒，也可以保护晶片W免遭颗粒之害。在罩子32上配置着开口部33以便多关节臂19S、19T可以沿水平方向伸缩。在开口部33也可以设置遮挡板。
与多关节臂19S、19T同样的臂在特开平6-338554号公报中示出。在本实施方式中，为了效率高地进行处理过的晶片与未处理晶片的交换在一个移动台18A(18B)上搭载两个多关节臂19S、19T。但是，也可以在一个移动台18A(18B)上仅搭载一个多关节臂。
图6是表示图1中所示的移送装置的大臂机构的另一例的立体图。此一大臂机构9A(9B)具有平行连杆结构。也就是说，此一大臂机构9A(9B)有能够垂直转动地连接于基台21的一对基侧臂22、34，和分别能够垂直转动地连接于一对基侧臂22、34的前端的一对中间臂23、35。一对基侧臂22、34的前端彼此靠连杆36连接。一对中间臂23、35的前端作为移动台支持部发挥功能，其上能够垂直转动地连接着与移动台18A(18B)一体的垂下部18d。在此一结构中，因为移动台18A(18B)保持水平状态地平行移动，故用来水平地控制移动台18A(18B)的第三驱动部28(参照图4)成为不用的。
在图6中所示的结构中，优选是在移动台18A(18B)的垂下部18d上配置着小臂机构19的驱动部37。这样一来，可以减薄移动台18A(18B)的厚度，可以提高真空移送室3内的移送空间的空间效率。优选是将去往驱动部26、27、28、37的电线或电缆集束得到的电线束不在外部配线，而通过在驱动部26、27、28的旋转轴或臂22、23等上所形成的中空部内配线。
接下来，就如前所述真空处理室4在真空移送室3的两侧配置于不同的高度的情况描述图3中所示的半导体处理系统1的动作。
首先，从放置于机械手装置15的晶片盒14取出未处理晶片W，移入负载锁定室5之一。此时，使用配置于常压移送室13内的移送装置17，具体地说，晶片W靠配置于支持在大臂机构9A(9B)上的小臂机构19A(19B)上的两个多关节臂19S、19T的一方来接收。在负载锁定室5中有处理过的晶片W的情况，靠多关节臂19T、19S的另一方取出处理过的晶片W后，把未处理晶片W移装于负载锁定室5。
调整负载锁定室5内的压力后，从负载锁定室5取出未处理晶片W，移入真空处理室4之一。此时，使用配置于真空移送室3内的移送装置17，进行真空处理室4中的处理过的晶片与未处理晶片的交换，或负载锁定室5中的未处理晶片与处理过的晶片的交换。因为支持于大臂机构9A(9B)的小臂机构19A(19B)上配置着两个多关节臂19S、19T，故通过使用两多关节臂19S、19T，可以迅速地进行晶片交换作业。
接着，就在图1中所示的真空移送室3中，靠大臂机构9A(9B)在Z方向和X方向上移动的小臂机构19A(19B)的具体的动作例进行说明。
一方的小臂机构19A，在多段构成的负载锁定室5之内，主要在上侧的两个负载锁定室5与处于真空移送室3的第一侧面6a的第一高度的真空处理室4之间(第一移送路径)进行晶片W的移送。另一方的小臂机构19B，在多段构成的负载锁定室5之内，主要在下侧的两个负载锁定室5与处于真空移送室3的第二侧面6b的第二高度(它处于低于第一高度的位置)的真空处理室4之间(第二移送路径)进行晶片W的移送。
在第一移送路径与第二移送路径之间进行晶片W的移送的情况，移动台18A、18B上的小臂机构19A、19B在Z方向和X方向上移动，并且在水平面内进行转动。此时，两个移动台18A、18B，互不干涉地，根据需要在Z方向(垂直方向)上相互进行位置交换。
再者，两个小臂机构19A、19B可以一起在上段侧或下段侧移送晶片W。此外，小臂机构19A、19B的动作例不限于上述者。
接下来，就如图2中虚线所示，针对把真空处理室4在真空移送室3的两侧上下两段配置的情况描述图3中所示的半导体处理系统1的动作。
在此一情况，靠一方的小臂机构19A在上段侧的真空处理室4与上段侧的负载锁定室5之间(第一移送路径)进行晶片W的移送。靠另一方的小臂机构19B在下段侧的半导体处理系统4与下段侧的负载锁定室5之间(第二移送路径)进行晶片W的移送。这样一来，各小臂机构19A、19B没有必要在垂直方向上相互位置交换。
此外，在第一侧面6a侧的真空处理室4与第二侧面6b侧的真空处理室4之间进行晶片W的移送时使各小臂机构19A(19B)转动，改变其伸缩方向。而且，在第一移送路径(上段侧)、第二移送路径(下段侧)间进行晶片W的移送时，在垂直方向上移动各小臂机构19A、19B，根据需要在垂直方向上相互进行位置交换。
图7是表示图1中所示的系统的变形例的断面图。如前所述把真空处理室4配置于真空移送室3的两侧不同的高度上，可以使大臂机构9A(9B)的基台21沿左右独立。在此一情况，如图7中所示，可以按照位于第一高度的真空处理室4的通口与第二高度的真空处理室4的通口之间的方式配置部分地隔离真空移送室3内的隔离板29。借此，可抑制在第一高度侧与第二高度侧的真空处理室的相互间的污染物质扩散的现象。即使在此一情况，在上段侧与下段侧间进行晶片W的移送时，也根据需要把各小臂机构19A、19B在垂直方向上相互进行位置交换。
图8是表示纳入根据本发明的另一个实施方式的移送装置的半导体处理系统的立体图。图9是表示图8中所示的移送装置的驱动部的断面图。
在此一半导体处理系统1中，为了提高维修性，移送装置17靠近真空移送室3内的纵长方向的一端侧地(偏置地)设置。也就是说，两个大臂机构9A、9B的基部靠近真空移送室3的纵长方向的一端、例如负载锁定室侧地配置。在真空移送室3的一个侧面(例如第一侧面)上，作为维修用，形成靠门(未画出)有选择地打开和气密地关闭的开口38。
此一半导体处理系统1还具有用来使通过把大臂机构9A(9B)的基部偏置而向上扩展伸缩行程活动的结构。也就是说，在真空移送室3的上部(顶板)上形成靠盖子(未画出)有选择地打开和气密地关闭的开口39。在开口39上配置着气幕传感器(空气传感器)39s。再者，如果使大臂机构9A(9B)的行程有富裕，则即使其基部配置于真空移送室3的偏置位置，也可以利用开口39。
移动台18A(18B)，通过使大臂机构9A(9B)伸长，可以从开口39向上方外部突出。通过使移动台18A(18B)从开口39突出，移动台18A(18B)和小臂机构19A(19B)的维修可以容易。气幕传感器39s为了避免移动台18A(18B)和小臂机构19A(19B)与操作者的接触事故，用来检测它们接近开口39的情况而发出警报。
如图9中所示，大臂机构9A、9B把真空移送室3的下部侧壁部6x作为共同的固定的基部，能够转动地支持着。大臂机构9A、9B的旋转中心同轴状地配置，对应于此一轴，在下部侧壁部6x的外面上，配置着大臂机构9A、9B的驱动部26A、26B。通过像这样把驱动部26A、26B配置于真空移送室3外，可以从容易封闭住热量的真空气氛内排除发热部(驱动部)并且提高维修性。
具体地说，在下部侧壁部6x上，安装着第一大臂机构9A的第一驱动部26A。第一驱动部26A的旋转轴40A气密地且能够旋转地插通到真空移送室3内。第一驱动部26A的旋转轴40A制成中空轴。在第一驱动部26A的外侧安装着第二大臂机构9B的第一驱动部26B。第一驱动部26B的旋转轴40B气密地且能够旋转地插过中空的旋转轴40A内。
图10是表示图8中所示的系统的变更例的立体图。在此一变更例中，真空移送室3的一端侧的顶棚部6y比另一端侧的顶棚部6z要高地形成。在高的顶棚部6y与低的顶棚部6z的边界的上部侧壁上，形成用来移出移入晶片W的副通口41。在副通口41上经由门阀(未画出)连接着子组件例如进行晶片的预备加热或冷却等的副处理室42。副处理室42配置于低的顶棚部6z上，可以谋求空间的有效利用。高的顶棚部6y之下的上部空间设定成在小臂机构19A(19B)进出于副处理室42之际，可以配置小臂机构19A(19B)的尺寸。
此外，在图10的半导体处理系统1中，利用空闲空间配置公用导管43，可以谋求空间的有效利用。导管43由塑料制等的方管组成，在其内部，插过并保护集束后的公用配管或配线等。在这些公用配管或配线中，包括从车间供给到半导体处理系统的电气、水、非活性气体(例如氮气)、干燥空气等的配管或配线，或从半导体处理系统返回到车间的排水、热排气等的配管。
图11是表示图10中所示的系统的变更例的立体图。在此一变更例中，真空移送室3的框体能够前后分割地构成。如前所述，大臂机构9A、9B的基部偏置配置于真空移送室3内的前端侧。因此，可把真空移送室3的框体分割成有大臂机构9A、9B的前部的标准部3A和后部的可选部3B。后部的可选部3B可以从改变后续工艺组件数后的大小多种方案中选择。
图12和图13，是表示根据本发明的另一些实施方式的半导体处理系统的概略俯视图。在参照图1至图11说明的实施方式中，小臂机构19A(19B)配置成相对移动台18A(18B)能够转动。与此相反，在图12和图13中所示的实施方式中，小臂机构19A(19B)没有转动功能。图12和图13中所示的移送装置17，除了小臂机构19A(19B)不具备转动功能这一点外与图1中所示者是相同的。
在图12中所示的实施方式中，真空处理室4和负载锁定室5仅配置于真空移送室3的一方的一侧。真空处理室4和负载锁定室5在真空移送室3的周围至少一处多段地配置。小臂机构19A(19B)靠例如图1中所示的大臂机构9A(9B)成为可以在作为移送室的纵长方向的X方向和Z方向上移动。此外，小臂机构19A(19B)在正交于X方向的Y方向上能够伸缩。
如图12中所示，两个小臂机构19A、19B在Y方向上朝同一方向伸长而进出于真空处理室4和负载锁定室5的通口。而且，靠小臂机构19A(19B)在真空处理室4、负载锁定室5间进行晶片W的移送。虽然移送装置17是比图1中所示者简单的结构，但是适用于图12中所示的那种小型的半导体处理系统1。
在图13中所示的实施方式中，真空处理室4和负载锁定室5配置于真空移送室3的两侧。真空处理室4和负载锁定室5在真空移送室3的各侧的至少一处多段地配置。小臂机构19A(19B)成为可以靠例如图1中所示的大臂机构9A(9B)在作为移送室的纵长方向的X方向和Z方向上移动。此外，小臂机构19A(19B)在与X方向垂直的Y方向上能够伸缩。
如图13中所示，两个小臂机构19A、19B在Y方向上相互反向伸长而进出于真空处理室4和负载锁定室5的通口。而且，靠小臂机构19A(19B)，在真空移送室3的各侧在真空处理室4、负载锁定室5间进行晶片W的移送。虽然移送装置17是比图1中所示者简单的结构，但是适用于图13中所示的那种对晶片W的处理顺序有一定程度限定的半导体处理系统1。
图14是表示根据本发明的又一个实施方式的移送装置的立体图。此一移送装置17有在导轨24A、24B上在X方向上单独移动的第一和第二基台21A、21B。在第一和第二基台21A、21B上，配置着在垂直方向(Z方向)上滑动移动的第一和第二升降机构(往复器)9S、9T。第一和第二升降机构9S、9T有在由移送室(真空移送室或常压移送室)50所形成的公共空间内能够分别在与X方向平行且相互平行的第一和第二垂直平面上移动的第一和第二支持部(在本实施方式中，第一和第二升降机构9S、9T的前端)。
在第一和第二升降机构9S、9T的前端，分别支持着第一和第二移动台(第一和第二基座部)18A、18B，他们靠第一和第二升降机构9S、9T以水平状态移动。第一和第二移动台18A、18B，分别从第一和第二升降机构9S、9T的前端，相互对峙地延伸设置。第一和第二移动台18A、18B的前端跨越上述第一和第二垂直平面(第一和第二升降机构9S、9T的前端移动的垂直平面)间的中心的垂直平面(移送室50的中心线)，在不到第二和第一垂直平面的位置处终结。
在第一和第二移动台18A、18B上，分别配置着能够伸缩的第一和第二小臂机构(第一和第二搬运机构)19A、19B。第一和第二小臂机构19A、19B在水平面内能够转动，它们的旋转中心配置于上述第一和第二垂直平面间的中心的垂直平面(移送室50的中心线)上。
移送装置17，进而，有控制其本身的动作的控制部(控制器)20。控制部20控制第一和第二基台21A、21B和第一和第二升降机构9S、9T的动作，以便在由移送室50所形成的公共空间内，第一和第二移动台18A、18B互不干涉。也就是说，靠控制部20，可以操作成第一和第二移动台18A、18B在垂直方向上相互进行位置交换。
图15A、B是根据表示本发明的又一个实施方式的移送装置的概略侧视图。此一移送装置，代替图14中所示的升降机构9S、9T使用多关节臂。图15A示出移动台18A(18B)下降后的状态，图15B示出移动台18A(18B)上升后的状态。关于除此以外的部分，此一移送装置可以与图14同样地构成。
图15A、B中所示的移送装置有在导轨24A(24B)上移动的基台21A(21B)。在基台21A(21B)上能够垂直转动地连接着基侧臂22。在基侧臂22的前端上能够垂直转动地连接着中间臂23。在中间臂23的前端既维持水平状态又能够垂直转动地连接着移动台18A(18B)。此一多关节臂伸缩以便移动台18A(18B)仅在上下方向上移动。在本实施方式中也是，操作成第一和第二移动台18A、18B在垂直方向上相互进行位置交换。
图16是表示根据本发明的又一个实施方式的立体图。在参照图1至图15说明的实施方式中，移送装置的基台或基部配置于地板上或地板附近。与此相反，在图16中所示的实施方式中，基台(基部)21配置于移送室(真空移送室或常压移送室)50的顶棚上。图16中所示的移送装置除了上下翻转以外，具有与图1中所示的移送装置17同一结构。也就是说，在基台21上，第一和第二大臂机构9A、9B向下延伸地朝下配置。各第一和第二大臂机构9A、9B的下端作为移动台支持部发挥功能，其上能够垂直转动地连接着移动台18A、18B。
同样，在图8中所示的类型的移送装置，或图14中所示的类型的移送装置中也是，也可以把它们的基台或基部配置于顶棚侧，构成为移动台动作机构向下延伸。进而，根据需要，也可把基台或基部配置于地板侧的移动台动作机构，与基台或基部配置于顶棚侧的移动台动作机构组合起来。
如上所述，如果用根据本发明的实施方式的移送装置和半导体处理系统，则可以可靠且高效率地移送晶片。例如，两个小臂机构(搬运机构)19A、19B，根据需要，可以在X方向上位于同一坐标而在Z方向(垂直方向)上位于不同的坐标。即使在此一情况，各小臂机构19A、19B也不干涉于另一方的小臂机构的移动台动作机构。因而，在移放晶片之前可以可靠且高效率地移放，可以提高处理能力。此外，在两个移动台动作机构的基部公共化的结构中，移送装置总体变得紧凑。因而，可以谋求装置或系统的空间效率的提高。
再者，本发明不限于图示的实施方式，在不脱离本发明的精神的范围内的种种设计变更等是可能的。例如，作为基板除了晶片以外也可以是LCD基板。此外，小臂机构(搬运机构)也可以不是多关节臂，而是由能够直线地滑动移动的臂多个臂组成的结构。在此一情况，通过使各臂进退，可以使其前端的基板保持部伸缩。
工业实用性
如果用本发明，则可以提供一种可以谋求移送效率的提高的移送装置和半导体处理系统。

Claims (4)

1.一种搬送装置，用于半导体处理系统中，其特征在于，具备：
两个移动台驱动机构(9A、9B)，下方具有基部(21)，该两个移动台驱动机构(9A、9B)的前端在与第一水平方向(X)平行且相互平行的第一垂直平面(VP1)和第二垂直平面(VP2)上可分别移动；
在各移动台驱动机构(9A、9B)的前端，分别向另一方的移动台驱动机构侧延伸设置的、在第一垂直面(VP1)上可自由移动的第二移动台(18B)以及在第二垂直面(VP2)上可自由移动的第一移动台(18A)；
设置于各移动台(18A、18B)上，以第一垂直面(VP1)和第二垂直面(VP2)之间的垂直面(VP0)为中心，可伸缩和旋转的负载移动机构(19A、19B)；和
在第一移动台(18B)和第二移动台(18A)在公共空间内移动时，按照互不干涉的方式控制各移动台驱动机构(9A、9B)的移动的控制单元(20)，
所述移动台驱动机构(9A、9B)，分别是可在所述第一垂直面(VP1)和所述第二垂直面(VP2)上伸缩和旋转的多关节臂，
所述各负载移动机构(19A、19B)在与所述第一水平方向(X)垂直的第二水平方向(Y)上可伸缩，而且向相互不同的方向伸长。
2.一种真空处理装置，其特征在于，具有：
减压气氛的移送室(3)；
在该移送室(3)的内部设置的如权利要求1所述的搬送装置；
在该移送室(3)的周围设置的可减压的多个处理室(4)；和
与移送室(3)连接的负载锁定室(5)，
处理室(4)在移送室(3)的周围的至少一个位置处上下地设置为多段。
3.一种真空处理装置，其特征在于，具有：
减压气氛的移送室(3)；
与在该移送室(3)的第一侧面(6a)的第一高度之处设置的通口(7)连接、可减压的多个处理室(4)；
与在该移送室(3)的第二侧面(6b)的第二高度之处设置的通口(8)连接、可减压的多个处理室(4)；
与在该移送室(3)的第三侧面(6c)处多段地设置的通口(10)连接的多个负载锁定室(5)；
第一移动台(18A)和第二移动台(18B)，下方具有基部(21)，该第一移动台(18A)和第二移动台(18B)的前端在与X方向平行且相互平行的第一垂直平面(VP1)和第二垂直平面(VP2)上可移动；
设置于所述第一移动台(18A)上，可伸缩到在所述第一侧面(6a)的第一高度之处设置的处理室(4)地设置的负载移动机构(19A)；以及
设置于所述第二移动台(18B)上，可伸缩到在所述第二侧面(6b)的第二高度之处设置的处理室(4)地设置的负载移动机构(19B)。
4.一种常压搬送装置，其特征在于，具有：
常压气氛的移送室(13)；
设置于该常压气氛的移送室(13)的内部的如权利要求1所述的搬送装置；
设置于所述常压气氛的移送室(13)的一个侧面、载置收存有多枚基板的晶片盒(14)的多个负载通口(15)；和
设置在所述常压气氛的移送室(13)的其它侧面的多个负载锁定室(5)。
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