CN100334700C - 脱模层转移用薄膜及层合薄膜 - Google Patents

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Abstract

一种脱模层转移薄膜，该薄膜易于在COF用柔性印制线路板上形成脱模层，且其绝缘层不与加热工具熔合，从而提高半导体芯片安装线的可靠性和生产率。脱模层转移薄膜(1)用于把脱模层形成在绝缘层上，该绝缘层构成COF用柔性印制线路板，该线路板包括转移薄膜(2)和转移用脱模层(3)，(3)设置在(2)的单侧表面上，是由脱模剂构成的，且对绝缘层是可转移的。

Description

脱模层转移用薄膜及层合薄膜
技术领域
本发明涉及一种为在装有IC或LSI等电子部件的COF薄膜承载带、COF用柔性印制电路(FPC)等柔性印制线路板上形成脱模层的脱模层转移用薄膜。
背景技术
随着电子工业的发展，对装有IC(集成电路)、LSI(大规模集成电路)等电子元件的印制线路板的需要正在急剧增加，期望电子设备的小型化、轻量化、高功能化；作为这些电子元件的安装方法，最近正在采用TAB(Tape Automated Bonding)带、T-BGA(Ball Grid Array)带、ASIC带、FPC(柔性印制电路)等电子元件安装用薄膜承载带用的安装方式。尤其在个人计算机、便携式电话等使用液晶显示元件(LCD)的电子工业，期望LCD高精细化、薄型化、液晶图像帧面积的缩小，其重要性正在提高。
并且，作为一种更小间隔、更高密度的安装方法，把裸IC芯片直接承载在柔性印制线路板上的COF(Chip-on-Film)正在实用化。
这种用于COF的柔性印制线路板，因其无设备孔(dluice hole)，故用导体层和绝缘层预层合的层合薄膜，在IC芯片布线图案上直接承载之际，例如，透过绝缘层用目视辨认内引线和定位标志来确定位置，在那种情况下用加热工具熔接IC芯片和布线图案即内引线(例如，特开2002-289651、图4～6、段0004、0005等)。
这种半导体芯片的安装情况是绝缘层与加热工具直接接触，因加热工具的高温而发生绝缘层的熔融现象，导致制造装置停顿、承载带变形，且与加热工具熔合时会污染加热工具，给可靠性、生产率带来不良影响。
这种与加热工具的熔合，当半导体芯片安装在没有设备孔的COF薄膜承载带和COF用FPC之际就成了问题。
为能解决上述各问题、本发明的目的在于提供一种能够提高半导体安装线的可靠性和生产性的脱模层转移用薄膜，该薄膜的的脱模层能不费力地形成在COF用柔性印制线路板上，其绝缘层不与加热工具熔合。
发明内容
达成上述目的的本发明第1方式是一种脱模层转移用薄膜，用于在成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层上形成脱模层，其特征在于，该脱模层转移用薄膜包括：转移用薄膜，它是保持可转移脱模层的基础薄膜；和设在该转移用薄膜单侧表面上且由脱模剂形成的转移用脱模层，该转移用脱模层能转移到该绝缘层上。
在这第1方式中，借助把转移用薄膜上形成的转移用脱模层转移到成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层上，脱模层能够比较容易地形成在COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第2方式脱模层转移用薄膜的特征在于，第1方式中的该转移用脱模层由硅酮系化合物形成。
在这第2方式中，因为与加热工具接触的脱模层是由硅酮系膜模剂形成的，所以能够确实防止热熔合。
本发明的第3方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，该转移用脱模层由含有至少一种选自硅氧烷化合物、硅烷化合物、和硅溶胶的脱模剂形成。
在这第3方式中，因为转移用脱模层由含有硅氧烷化合物、硅烷化合物、或硅溶胶构成的胶模剂形成，所以能够有效转移到COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第4方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，该转移用脱模层由含有至少一种选自硅烷化合物、和硅溶胶的脱模剂形成。
在这第4方式中，因为转移用脱模层由硅烷化合物、或硅溶胶构成的脱模剂形成，所以能够有效转移到COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第5方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，该转移用脱模层由含有硅氮烷化合物的脱模剂形成。
在这第5方式中，因为转移用脱模层由硅烷化合物之一的硅氮烷构成的脱模剂形成，所以能够有效转移到COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第6方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，它是借助涂布该脱模剂溶液、经加热处理形成的。
在这第6方式中，因为借助涂布法确实防止热熔融脱模层的形成，所以转移用脱模层能够形成在转移用薄膜的表面上。
本发明的第7方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第4方式中的该转移用脱模层是借助涂布该脱模剂溶液、经加热处理形成的。
在这第7方式中，因为借助涂布法确实防止热熔融脱模层的形成，所以转移用脱模层能够形成在转移用薄膜的表面上。
本发明的第8方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第5方式中的该转移用脱模层是借助涂布该脱模剂溶液，经加热处理形成的。
在这第8方式中，因为借助涂布法确实防止热熔融脱模层的形成，所以转移用脱模层能够形成在转移用薄膜的表面上。
本发明的第9方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该转移用脱模层在与该绝缘层粘合后，借助加热处理来进行转移。
在这第9方式中，转移用脱模层在与绝缘层粘合后，借助加热处理就能有效地转移。
本发明的第10方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第～8任一种方式中的该转移用脱模层连续地或间断地成岛状设置在该转移用薄膜的单侧表面上。
在这第10方式中，转移用脱模层只要能连续地或间断地成岛状设置在该转移用薄膜的单侧表面上，就能有效地转移到COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第11方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该转移用脱模层连续地或间断地成岛状设置在该绝缘层上。
在这第11方式中，转移用脱模层的至少一部分转移到绝缘层上，连续的或间断的岛状转移用脱模层就能有效地形成在其绝缘层上。
本发明的第12方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该转移用脱模层对应设置在该布线图案形成区域，该区域位于该COF用柔性印制线路板的至少两列扣齿孔之间。
在这第12方式中，只要各列扣齿孔之间有转移用脱模层存在，绝缘层就能有效地形成在COF用柔性印制线路板上。
本发明的第13方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第12方式中的该布线图案形成区域至少有两列以上，对应于各该列布线图案设置多条该转移用脱模层。
在这第13方式中，在多条COF用柔性印制线路板的绝缘层上，对应于各列布线图案形成多条脱模层。
本发明的第14方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该转移用薄膜与该转移用脱模层之间设有只对该转移用脱模层可剥的粘合层。
在这第14方式中，转移用脱模层隔着粘合层形成在转移用薄膜单侧表面上。
本发明的第15方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该COF用柔性印制线路板制造工序中，该转移用薄膜用作粘合在该绝缘层上的增强薄膜。
在这第15方式中，借助把脱模层转移用薄膜用作增强薄膜，COF用柔性印制线路板制造工序中绝缘层的刚性得到提高，获得所需的带材的承载强度。
本发明的第16方式的脱模层转移用薄膜的特征在于，第1～8任一种方式中的该转移用脱模层表面上设有对该转移用脱模层可剥的剥离薄膜。
在这第16方式中，借助剥离薄膜使转移用脱模层表面得到保护。
本发明的第17方式的层合薄膜的特征在于，它包括：基础薄膜；在该基础薄膜表面上由含有选自硅烷化合物和硅溶胶中至少一种的脱模剂形成的脱模层；在该脱模层的与所述基础薄膜侧相反侧的表面上设置的、用于成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层；和在该绝缘层的与所述脱模层侧相反侧的表面上设置的半导体层，所述基础薄膜在COF用柔性印制线路板的制造工序中用作粘合在所述绝缘层上的增强薄膜，而且在半导体芯片安装到所述COF用柔性印制线路板上之前，借助剥去该基础薄膜使该脱模层留在该绝缘层上。
在这第17方式中，借助剥去基础薄膜、脱模层就能够比较容易地形成在COF用柔性印制线路板的绝缘层上，就能防止半导体芯片(IC)安装时与加热工具的热熔合。
本发明的第18方式的层合薄膜的特征在于，第17方式中的该脱模层由含有硅氮烷化合物的脱模剂形成。
在这第18方式中，脱模层由硅烷化合物之一的硅氮烷构成的脱模剂形成，所以能够有效地形成在COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
本发明的第19方式的层合薄膜的特征在于，第17方式中的该绝缘层上该脱模层侧的对侧表面上设有导体层。
在这第19方式中，借助绝缘层之脱模层形成侧的对侧表面设置的导体层上的图案形成，能够制造COF用柔性印制线路板。
本发明的第20方式的层合薄膜的特征在于，第17～20任一种方式中，在半导体芯片安装在该COF用柔性印制线路板上之前，借助剥去该基础薄膜，使该脱模层残留在该绝缘层上。
在这第20方式中，半导体芯片安装时，加热工具不与绝缘层直接接触，能够确实防止热熔合。
本发明的第21方式的层合薄膜的特征在于，第22方式中的该基础薄膜剥去之际，借助加热处理，把该脱模层转移到该绝缘层上。
在这第21方式中，借助加热处理，使脱模层与绝缘层粘合而有效形成。
本发明的第22方式的层合薄膜的特征在于，使第23方式中的该脱模层连续地或间断地成岛状转移到该绝缘层的单侧表面上。
在这第22方式中，脱模层连续地或间断地成岛状形成在COF用柔性印制线路板的绝缘层上，很好地发挥作用。
如上所述，本发明的脱模层转移用薄膜，因为能够把作为脱模层的由特定的硅酮系化合物构成的转移用脱模层转移到绝缘层的表面上，所以能够把脱模层容易地形成在COF用柔性印制线路板上，绝缘层没有与加热工具热熔合，在提高半导体芯片安装线的可靠性和生产性方面奏效显著。
并且，对于本发明的层合薄膜，只要剥去基础薄膜就能比较容易地把脱模层形成在由特定的硅酮系化合物构成脱模层之绝缘层的表面上，所以能够获得与上述脱模层转移用薄膜相同的效果。
附图说明
第1图  有关本发明一种实施方式的脱模层转移用薄膜的截面图
第2图  有关本发明一种实施方式的COF薄膜承载带的布置示意图(a)平面图(b)截面图
第3图  有关本发明一种实施方式的层合薄膜及COF用层合薄膜及其制造方法一例的截面图
第4图  有关本发明一种实施方式的COF薄膜承载带的制造方法一例的截面图
第5图  有关本发明其它实施方式的脱模层转移用薄膜及层合薄膜的截面图
第6图  有关本发明一种实施方式的半导体装置及其制造方法的截面图
具体实施方式
本发明的脱模层转移用薄膜是一种在构成COF用柔怀印制线路板的绝缘层上形成脱模层的薄膜，它包括转移用薄膜、和设于该转移用薄膜单侧表面的转移用脱模层。
这里，关于转移用薄膜，没有特别限定，只要能把转移用脱模层有效地转移到COF用柔性印制线路板的绝缘层上成为脱模层即可。在转移之际，使转移用脱模层粘合在绝缘层上，按照需要做加热处理，只要有能承受转移处理的强度和耐热性即可。作为转移用薄膜的材质，例如，可以举出PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PI(聚酰亚胺)、及液晶高分子等制的塑料薄膜。这种转移用薄膜的厚度，例如是15～100μm优选是20～75μm。
这种设于转移用薄膜单侧表面的转移用脱模层，只要在半导体芯片安装时有不与加热工具熔合的膜模性且是一种不因该加热而熔融的材料即可，有机材料、无机材料均可。例如，采用硅酮系脱模剂、环氧系脱模剂或氟系脱模剂是理想的。
这种转移用脱模层，由硅酮系化合物、环氧系化合物或氟系化合物形成是理想的。特别理想的是硅酮系化合物，即含有硅氧烷键(Si-o-Si键)的化合物。这是因为由硅酮系化合物形成的转移用脱模层较易形成，转移到半导体装置安装面后，也不容易对半导体安装后的成型用树脂的粘附性有不良影响。
这里，作为由含硅烷键化合物形成转移用脱模层的脱模剂，具体而言，可选自二硅氧烷、三硅氧烷等硅氧烷化合物中的至少一种。
并且，作为优选的脱模剂，采用那些含有涂布后经反应变成甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷等硅酮系化合物、或硅溶胶系化合物等脱模剂是理想的。
像这样，涂布脱模剂之后，经反应转化成的硅酮系化合物形成的脱模层是特别理想的。
并且，作为特别理想的脱模层，可以举出，硅烷化合物的一种-烷氧基硅烷、硅氧烷键的母体—含Si-NH-Si结构的六亚中基硅氮烷、全氢聚硅氮烷等硅氮烷化合物的脱模剂。借助涂布或借助其后与空中水分反应，它们转化成有硅氧烷键的化合物，例如，就硅氮烷化合物而言，也可残存着Si-NH-Si结构。
像这样，涂布脱模剂之后，按照反应转化成的硅酮系化合物形成的脱模层是特别理想的。
上述各种脱模剂通常含有有机溶剂，但也可采用水溶液型或乳液型的脱模剂。
具体例子可以举出，以二甲基硅氧烷为主的硅酮系油、甲基三(甲基乙基酮肟)硅烷、含甲苯、石油醚的硅酮系树脂SR2411(商品名：TorayDow Corning Silicone公司制)、含硅氮烷、合成异链烷烃、乙酸乙酯的硅酮系树脂SEPA-COAT(商品名，信越化学工业社制)。含硅烷化合物的COLCLAT SP-2014S(商品名，Colclat株式会社制)等。还可举出含硅溶液胶的脱模剂COLCOAT-P、N-103X(商品名，Colcoat株式会社制)等。还有，硅溶胶中所含二氧化硅的粒径，例如是50～80埃。
这里，在半导体芯片安装时不与加热工具热合的脱模性且不因该加热而熔融，就这一效果而言，设置一层由含有硅氮烷化合物之脱模剂的硅酮系化合物形成的转移用脱模层是特别理想的。作为含有这种硅氮烷化合物的脱模剂的例子可以举出含硅氮烷、合成异链烷烃、和乙酸乙酯的硅酮系树脂SEPA-COAT(商品名，信越化学工业社制)。
对这种在转移用薄膜的单侧表在上形成转移用脱模层的方法没有特别限定，例如，可举出涂布法，转移法等。涂布法方面，借助喷涂、蘸涂、或辊涂等把脱模剂或其溶液涂布在转移用薄膜的单侧表面上，经加热处理形成转移用脱模层。并且，借助转移法形成转移用脱模层时也可加热处理。转移用脱模层的厚度，例如，是0.05～0.5μm，优选是0.1～0.3μm。并且，转移用脱膜层不一定须要在整个表面均匀设置，也可设置成有间隔的岛状。而且，借助转移用薄膜单侧整个表面设有转移用脱模层的脱模层转移用承载带，也可不把脱模层整个都转移到绝缘层表面上，转移成连续状或间断的岛状。这是因为，在绝缘层表面形成岛状脱模层，就能可靠防止加热工具与绝缘层直接接触，就能有效防止加热工具与绝缘层的热熔合。
并且，本发明也可在转动用薄膜单侧表面上，即在转移用薄膜和转移用脱模层之间设置粘合层。这种粘合层的材质，例如，可以举出丙稀酸系、橡胶系、和环氧系等树脂材料。并且，粘合层的厚度，例如，是3～25μm、优选是5～15μm。作为这种粘合层形成方法，例如，可以举出喷涂、蘸涂、或辊涂等方法。
这里，把上述转移用脱模层转移到绝缘层之导体层(即装有半导体芯片(IC)的层)侧的对侧表面上，此时，也可加压，加压的同时也可加热，也可只加热。例如，作为此时适宜的转移条件，加热温度为15～200℃、辊或压机的载荷为5～50kg/cm2，处理时间为0.1秒～2小时。
并且，为防止绝缘层和脱模层之间的剥离，也可在转移后借助加热处理等来提高两者之间的粘合力。作为此时适宜的加热条件，例如，加热温度50～200℃、优选为100～200℃，加热时间为1～120分钟、优选为30～120分钟。
这种脱模层设置时机的选择，由于最迟可在半导体安装时，所以既可预先设置在未设导体层的绝缘层上，又可和导体层同时设置。当然，脱模层不一定须要在布线图案制作前转移、设置、也可在导体层布线图案制作后设置。
例如，在未设导体层的绝缘层上设置时，对转移却是合适的。并且，在制造工序初期用转移法设置脱模层时，因设有脱模层的转移用薄膜未被剥去而用作增强薄膜，也可在最后工序剥去转移用薄膜。像这样，因为把脱模层转移用薄膜用作增强薄膜，所以COF用柔性印制线路板制造工序中承载带的承载强度得以提高。
这种COF用柔性印制线路板包括导电层和绝缘层。作为一种用于此COF用柔性印制线路板的导体层和绝缘层的COF用层合薄膜，可以举出，在聚酰亚胺等绝缘薄膜上溅镀镍等热合强化层后再做镀铜的COF用层合薄膜。并且，作为COF用层合薄膜，可以举出，铜箔和聚酰亚胺薄膜借助涂布法层合的流延品种、铜箔和绝缘薄膜(隔着热塑、热固性树脂)热压粘合(thermocompression bonding)的COF用层合薄膜。在本发明中两者都可用。
这里，COF用柔性印制线路板上安装半导体芯片，安装方法没有特别限定，例如，把半导体芯片安装在芯片台上，使COF用柔性印制线路板定位配置，紧压住COF用柔性印制线路板来安装半导体芯片。此时，给加热工具加热，最低200℃以上，根据情况加热到350℃以上，因绝缘层上设有脱模层，没有两者热熔合忧虑、取得预期的效果。
并且，本发明脱模层转移用薄膜的转移用脱模层表面上也可设置一种对转移用脱模层可剥的剥离薄膜。此种剥离薄膜有保护转移用脱模层表面的作用。
总之，本发明的脱模层转移用薄膜，在半导体芯片安装前，借助剥去转移用薄膜，能把脱模层转移到半导体芯片安装侧的对侧表面上，此外没有特别限定。
并且，本发明的层合薄膜包括基础薄膜、在此基础薄膜表面上由含有至少一种选自硅烷、硅溶胶的脱模剂形成的脱模层、由此脱模层之基础薄膜的对侧表面上设置的COF用柔性印制线路板材料形成的绝缘层。
并且，这种层合薄膜并非限于此等基础薄膜、脱模层、和绝缘层的三层型层合薄膜，例如，也可以是四层型(绝缘层之基础薄膜侧的对侧表面上设置导体层)层合薄膜，或是五层型(基础薄膜和脱模层之间设置一种只对脱模层可剥的粘合层)层合薄膜。
并且，采用本发明的这种层合薄膜时，在COF用柔性印制线路板上安装半导体芯片之前剥去基础薄膜，绝缘层上会有脱膜层残留。此时，加热处理后，借助剥去基础薄膜，能把脱膜层更有效地转移到绝缘层的表面上。
于是，这种脱模层，与上述脱模层转移用薄膜相同，不一定全部转移到基础薄膜表面上，只要能连续地或间断(成岛状)地转移到绝缘层的单侧表面即可。
并且，本发明的这种层合薄膜，借助在上述脱模层转移用薄膜之转移用脱模层表面上形成绝缘层，或借助在此绝缘层表面上再形成导体层来制造，或者借助绝缘层和导体层两者粘附，或借助绝缘层和导体层的两层型层合薄膜粘附来制造。或者相反，也可在绝缘层单侧表面上形成脱膜层后，脱模层上再形成基础薄膜来制造。
并且，借助这种层合薄膜，不剥去基础薄膜来进行COF用柔性印制线路板的制造工序时，这种基础带粘附在绝缘层上起增强薄膜的作用。所以，在这样的情况下制造时，其效果是能够确保承载带所需承载强度。
总之，本发明的层合薄膜，借助在半导体芯片安装前剥去基础薄膜，在绝缘层之导体层的对侧(即半导体芯片安装侧的对侧)表面上能形成脱模层，此外没有特别限定。
下面就有关本发明一种实施方式的脱模层转移用薄膜的实施例进行说明。图1表示有关一种实施方式的脱模层转移用薄膜。
如第1图(a)和(b)所示，本实施方式的脱模层转移用薄膜1是把脱模层形成在构成COF用柔性印制线路板的绝缘层上，它包括转移用薄膜2、和在转移用薄膜单侧表面设置的转移用脱模层3。
转移用脱模层3既可在转移用薄膜单侧的整个表面设置，也可连续地、或者间断(成岛状)地设置，例如当转移到COF薄膜装载带上时，就可对应于下述扣齿孔间区或后续工序半导体芯片(IC)安装区连续地或间断(成岛状)地设置。也就是说，转移用薄膜2之转移用脱模层3的形成区，可对应于转移用脱模层3之转移对象的COF薄膜装载带的半导体芯片的安装区任意设定。例如，在多条薄膜承载带时，也可用两根涂布辊，在超长转移用薄膜表面上横向留出一定间隔涂布脱模剂，纵向贯通、连续设置两条转移用脱模层。并且也可在转移用薄膜上纵向留出一定间隔，例如，留出与半导体芯片安装间隔相同的间隔，断断续续地设置面积与半导体芯片绝缘层的投影面积相同的岛状脱模层。例如，在本实施方式中，转移用薄膜2单侧表面上全面设置转移用脱模层3即只在转移用薄膜2的单侧表面上涂布脱模剂。还有，转移用脱模剂3的厚度是0.05～1μm，优选为0.1～0.5μm。而这种转移用脱模层3，详情后述，被转移到绝缘层表面上而成脱模层，此层能有效防止绝缘层在半导体芯片安装时被加热工具热熔融。
上述脱模层转移用薄膜1，起码可用于，在COF用柔性印制线路板上安装半导体芯片前，把脱模层转移到构成COF用柔性印制线路板的绝缘层上。
这里，作为这种COF用柔性印制线路板，以第2图所示的COF薄膜承载带为例进行说明。不用说，就COF用柔性印制电路而言也可同样实施。还有，有关一种实施方式的COF薄膜承载带20示于第2图。
如第2图(a)、(b)所示，本实施方式的COF薄膜承载带20是由铜质导体层11和聚酰亚胺质绝缘层12构成的层合薄膜10制成的。其上有形成在铜质导体层11上的布线图案21、和设置在布线图案21横向两侧的扣齿孔22。并且，布线图案21可在绝缘层12表面连续设置。还有，在布线图案21上有抗焊层23，它是用网印法涂布抗焊接液形成的。而且，布线图案也可在绝缘层的正反两面形成(2-metal COF film carrier tape)、此时，只是在加热工具接触区涂有脱模剂，或借助转移用脱模层的转移形成脱模层。
这里，除铜之外，铝、金、银等也可用作导体层11，普通是铜层。用淀积和电镀方法形成的铜层，电解铜层、压延铜箔等都可用作铜层。导体层11的厚度通常是1～70μm，优选是5～35μm。
一方面，除聚酰亚胺之外，聚酯、聚酰胺、聚醚砜、液晶高分子等也可用作绝缘层12，而使用一种苯均四酸二酐和4，4一二氨基二苯醚聚合而成的全芳族聚酰亚胺是最理想的。并且，绝缘层12的厚度通常是12.5～125μm，优选是12.5～75μm，更优选是12.5～50μm。
这里，COF用层合薄膜10的形成的方法是，例如，把含聚酰亚胺的母体和清漆的母体树脂组合物涂布在铜箔制的导体层11上而成涂布层12a，溶剂于后卷取，随后在经氧气吹洗的固化烘箱内进行热处理、经亚胺化而成绝缘层12，当然并非仅限此法。
于是，借助上述脱模层转移用薄膜1，把转移用脱模层3转移到这种绝缘层12的布线图案21侧的对侧表面上形成脱模层13。
这种COF薄膜承载带20，可用于例如，承载中半导体芯片的安装和电子部件在印制基片等上的安装工序，能够进行COF安装，而此时因绝缘层12的透光性在50％以上，故能借助CCD等从绝缘层12侧对布线图案21(例如内引线)进行图象识别、而且能识别安装的半导体芯片和印制线路板的布线图案，能借助图像处理良好地进行相互间的位置校准，能够高精度地安装电子部件。
下面，参照第3图及第4图对上述COF薄膜装载带进行说明。第3图是表示有关本发明一种实施方式的层合薄膜及COF用层合薄膜及其制造方法的例图，第4图是COF薄膜承载带一种制造方法的说明图。
这里，在本实施方式中，如第3图所示，在层合薄膜100和COF用层合薄膜10形成之后，用此COF用层合薄膜10来制造COF薄膜承载带。
具体而言，首先，把含聚酰亚胺的母体和清漆的母体树脂组合物涂布在铜箔制的导电体层11上(第3图(a))形成涂布层12a(第3图(b))，溶剂干后卷取。其次，在固化烘箱内进行热处理，经亚胺化而成绝缘层12(第3图(c))。再次，把作为基础薄膜的转移用薄膜2上形成的转移用脱膜层3粘附在绝缘层12之导体层11侧的对侧而成层合薄膜100(第3图(d))。  这里的层合薄膜100如第3图(d)所示，是由转移用薄膜2(基础薄膜)、转移用脱模层3(脱模层13)、绝缘层12、及导体层11构成的。而且，这种层合薄膜100加热处理后，剥去转写用薄膜2，就是一种在绝缘层12之导体层11侧的对侧表面上有脱模层13的COF用层合薄膜10(第3图(e))。
这里，作为适宜的转移条件，例如，加热温度为15～200℃、压辊机或压机的载荷为5～50kg/cm2、处理时间0.1秒～2小时。而且，作为适宜的加热条件，例如，加热温度为50～200℃、优选为100～200℃、加热时间为1～120分钟，优选为30～120分钟。这里，转移用薄膜2的材质的例子可以举出：PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、PE(聚酰亚胺)、及液晶高分子等。这种转写用薄膜2厚度是15～100μm、优选是20～75μm。
下面，借助用打孔机贯穿如第4图(a)所示的由导体层11和绝缘层12构成的COF用层合薄膜10来形成如第4图(b)所示的扣齿22。此扣齿孔22既可由绝缘层12的外面贯穿，也可由绝缘层12的里面贯穿。接着，如第4图(c)所示，用常规的照相平版印刷法，在导体层11的整个布线图案区域涂布负型光致抗蚀剂溶液，形成光致抗蚀剂涂布层30。当然也可用正型光致抗蚀剂。而且，当定位销插入扣齿孔22内使绝缘层12定位以后，隔着光掩模31曝光、显影，在光致抗蚀剂涂层30上制作布线图案，形成第4图(d)所示的布线图案用抗蚀图32。接着把布线图案用抗蚀图32作为掩模图，用蚀刻液溶解掉导体层11，并且用碱性溶液溶解掉布线图案用抗蚀图32，从而形成第4图(e)所示的布线图案21。接着按照需要对布线图案21全体进行镀锡等电镀处理以后，如第4图(f)所示，用丝网印刷法形成抗焊接层23。然后，按照需要给未被抗焊接层23覆盖的内、外引线施加金属镀盖层。金属镀盖层没有特别限定，可按照用途适当设置、镀锡、镀锡合金、镀镍、镀金、镀金合金等。
上述实施方式中，对脱模层13是否应先于扣齿孔22形成没有限定，既可在COF用层合薄膜10之导体层12的图案形成前，也可在碱液溶解掉布线图案，用抗蚀图32再设置抗焊接层23后形成。并且，也可在抗焊接工序(设置抗焊接层23)最后形成脱模层13。这样形成脱模层13时，因脱模层13没有暴露在蚀刻液和光致抗蚀剂剥离液中，其脱模效果就高。这里所谓制造工序最后意味着制品检验工序之前。
像这样本发明的脱模层，在形成布线图案21的照相平版印刷工序后直到与半导体芯片接合前形成才是最理想的。这是因为在光致抗蚀层的剥离工序中脱模层有溶解的可能性。因而，在光致抗蚀工序刚结束后、或电镀处理后、又在抗焊接层23形成后设置脱模层是最理想的。当然，也可在照相平版印刷工序前进行。
并且，像本实施方式那样，若预先在COF用层合薄膜10上设置脱模层13来制造COF薄膜承载带20时，也有一种充分确保所需的承载强度的效果。于是，在本实施方式中，剥去作为基片的转移用薄膜2而成COF用层合薄膜带10，对此没有限定，也可预先把转移用薄膜带1贴在COF用层合薄膜10上，不剥去转移用薄膜2照样进行各制造工序，制造工序最后才剥去转移用薄膜2、从而能够充分确保承载带的承载强度。
而且，在本发明中，如上所述，转移用脱模层3是设在转写用薄膜2的单侧表面上，而如第5图所示，也可在转移用薄膜2和转移用脱模层3a之间设置粘合层4。示于第5图的脱模层转移用薄膜1A，例如，首先把厚3～25μm的粘合剂全部在聚对苯二甲酸乙二酯(PET)转移用薄膜2的单表面上，形成一种只能从脱模层3A侧剥离的粘合层4(第5图(a)、(d))。接着，在此粘合层4侧表面上涂布脱模剂，形成转移用脱模层3A(第5图(b))。于是，这样构成脱模转移用薄膜1A，把作为基础薄膜的转移用薄膜2上隔着粘合层4形成的转移用脱模层3A粘合在绝缘层12之导体层11侧的对侧而制成层合薄膜100A(第5图(c))。而且，这里的层合薄膜100A如第5图(c)所示，是由转移用薄膜2(基础薄膜)、粘合层4、转移用脱模层3A(脱模层13A)、绝缘层12、及导体层11构成的。于是，把这种层合薄膜100A加热处理后，剥去转移用薄膜2，就是一种在绝缘层12之导体层11侧的对侧的表面上有脱模层13A的COF用层合薄膜10A(第5图(d))。此时，粘合层4，因与转写用薄膜2粘合而只能从脱模层13A侧剥离，在剥去转写用薄膜2之际被同时剥去。而且，这里的转移条件与上述的相同，没有特别限定。并且，剥离时机的选择也可在COF薄膜承载带制造工序之前，当然也可在制造工序之后。像这样，如在制造工序后剥去转移薄膜2，就能确保所需的承载强度。并且，在制造前剥离时，由于在其后的制造工序有脱模层13A形成，所以也能充分确保COF用层合薄膜10A给承载强度。
总之，有关本发明的脱模层转移用薄膜及层合薄膜不限于上述结构，只要借助在安装半导体芯片前剥去转移用薄膜或基础薄膜，在与下述加热工具和绝缘层的中间区对应的，绝缘层之半导体侧的对侧表面上能够形成一层特定硅酮系化合物的脱模层即可。
这里，本发明中上述的COF薄膜承载带20，如第6图(a)及第6图(b)所示，是借助半导体芯片30的安装而制成的。也就是说，把半导体芯片30安装在芯片台上41，在COF薄膜承载带20上承载。在此状态下，定位在规定位置后，上接线板42下降同时下接线板43上升而固定COF薄膜承载带20，在此状态下加热工具下降而挤压承载带，边加热边下降，借此对着半导体芯片30的挡板31来挤压COF薄膜承载带20的内引线。挤压操作进行一定时间使两者熔合。接着，用树脂密封而成半导体装置。的温度这样高，由于在COF薄膜承载带20这与加热工具45的接触面上设有脱模层13，COF薄膜承载带20和加热工具45间的热熔合现象就得以防止。也就是说，按照本发明，熔合操作可在足够高的温度下进行，从而确保足够的熔合强度，换句话说，为获得一定的熔合强度，借助提高加热温度，就能缩短压粘时间，这是有利之点。
实施例1
首先，用涂布法把硅酮系脱模剂涂布在厚50μm由PET薄膜构成的转移用薄膜2的单侧表面上，制成一种厚0.1μm的、由含硅烷的硅酮系化合物构成的转移用脱模层3形成的脱模层转移用薄膜1。其次，在作为导体层11、厚9μm的超低粗糙度铜箔上用涂布法形成厚40μm的聚酰亚胺绝缘层12，并在此绝缘层12之导体层11侧的对侧表面上，用上述脱模层转移用薄膜带1，借助转移法设置厚0.1μm的由转移用脱模层3构成的脱模层13而制成实施例的COF用层合薄膜。并且，由硅酮系化合物构成的脱模层13于转移后在120℃下加热处理。
实施例2
除实施例1中由硅酮系化合物构成的脱模层于转移后不做加热处理之外，同样制成实施例2的COF用层合薄膜。
实施例3
在实施例1中，作为形成硅酮系化合物脱模层的脱模剂，用含硅氮烷化合物的SEPA-COAT(商品名，信越化学工业社制)制成一种形成转移用脱模层3的脱薄膜转移用薄膜1。除借助此脱模层转移用薄膜带1在绝缘层12表面上转移脱模层13之外，同样制成实施例3的COF用层合薄膜。
实施例4
在实施例1中，作为形成硅酮系化合物脱模层的脱模剂，除用含硅溶胶的COLCOAT P(商品名，Colcoat株式会社)之外，同样制成一种转移用脱模层3形成的脱模层转移用薄膜1。于是，用此脱模层用薄膜带1转移之际，在120℃下加热，同时施加20kg/cm2载荷，借助热压形成一种由转移用脱模层3构成的脱模层13制成实施例4的COF用层合薄膜。
比较例1
除不设置脱模层13之外，与实施例1同样制成COF用层合薄膜。
试验例1
给实施例1～4及比较例1的COF用层合薄膜的导体层11制作布线图案，随后，在布线图案全体镀锡后形成抗焊接层而制成COF薄膜承载带。于是，使每种COF薄膜承载带边在260°～440℃范围的加热工具温度下变化，边向脱模层13侧挤压来安装半导体芯片，观察其与加热工具的粘合性，结果示于表1。
结果，在比较例1中，超过300℃时有粘合现象；实施例2中，超过320℃时有部分粘合现象，达到抗粘合性良好的程度；实施例1、3及4中超过400℃时粘合性全无。并且，实施例2与比较例1有别，效果不明显。而其热熔合温度，随加热工具、所装半导体芯片的种类、安装品的用途而异，通常在200°～350℃范围内，可见对附着温度的提高是有效的。
表1
工具温度(℃) 实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 比较例1
    260     ○     ○     ○     ○     ○
    280     ○     ○     ○     ○     ○
    300     ○     ○     ○     ○     ×
    320     ○     △     ○     ○     ×
    340     ○     △     ○     ○     ×
    360     ○     ×     ○     ○     ×
    380     ○     ×     ○     ○     ×
    400     ○     ×     ○     ○     ×
    420     ×     ×     ○     ×     ×
    440     ×     ×     ×     ×     ×
表中：○无粘合、△部分粘合、×有粘合

Claims (19)

1.一种脱模层转移用薄膜，用于在成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层上形成脱模层，其特征在于，该脱模层转移用薄膜包括：转移用薄膜，它是保持可转移脱模层的基础薄膜；和设在该转移用薄膜单侧表面上且由脱模剂形成的转移用脱模层，该转移用脱模层能转移到该绝缘层上。
2.按照权利要求1的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层由硅酮系化合物形成。
3.按照权利要求2的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层由含有至少一种选自硅氧烷化合物、硅烷化合物、和硅溶胶的脱模剂形成。
4.按照权利要求2的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层由含有至少一种选自硅烷化合物、和硅溶胶的脱模剂形成。
5.按照权利要求4的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层由含有硅氮烷化合物的脱模剂形成。
6.按照权利要求3的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层是借助涂布该脱模剂溶液，经加热处理形成的。
7.按照权利要求4的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层是借助涂布该脱模剂溶液，经加热处理形成的。
8.按照权利要求5的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层是借助涂布该脱模剂溶液，经加热处理形成的。
9.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层与该绝缘层贴紧后，借助加热处理进行转移。
10.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层连续地或间断地成岛状设置在该转移用薄膜的单侧表面上。
11.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层连续地或间断地成岛状转移到该绝缘层上。
12.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层对应设置在该布线图案形成区域，该区域位于该COF用柔性印制线路板的至少两列扣齿孔之间。
13.按照权利要求12的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该布线图案形成区域至少有两列以上，对应于各该列布线图案设置多条该转移用脱模层。
14.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层与该转移用脱模层之间设有只对该转移用脱模层可剥的粘合层。
15.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，在该COF用柔性印制线路板制造工序中，该转移用薄膜用作粘合在该绝缘层上的增强薄膜。
16.按照权利要求1～8任一项的脱模层转移用薄膜，其特征在于，该转移用脱模层表面上设有对该转移用脱模层可剥离薄膜。
17.一种层合薄膜，其特征在于，它包括：基础薄膜；在该基础薄膜表面上由含有选自硅烷化合物和硅溶胶中至少一种的脱模剂形成的脱模层；在该脱模层的与所述基础薄膜侧相反侧的表面上设置的、用于成为COF用柔性印制线路板材料的绝缘层；和在该绝缘层的与所述脱模层侧相反侧的表面上设置的半导体层，
所述基础薄膜在COF用柔性印制线路板的制造工序中用作粘合在所述绝缘层上的增强薄膜，而且在半导体芯片安装到所述COF用柔性印制线路板上之前，借助剥去该基础薄膜使该脱模层留在该绝缘层上。
18.按照权利要求17的层合薄膜，其特征在于，该脱模层由含有硅氮烷化合物的脱模剂形成。
19.按照权利要求17的层合薄膜，其特征在于，在该基础薄膜与该脱模层之间设有只对该脱模层可剥的粘合层。
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