BG64450B1 - Method for producing an evaporation source - Google Patents

Method for producing an evaporation source Download PDF

Info

Publication number
BG64450B1
BG64450B1 BG106371A BG10637102A BG64450B1 BG 64450 B1 BG64450 B1 BG 64450B1 BG 106371 A BG106371 A BG 106371A BG 10637102 A BG10637102 A BG 10637102A BG 64450 B1 BG64450 B1 BG 64450B1
Authority
BG
Bulgaria
Prior art keywords
support plate
producing
aluminum
physical vapor
main unit
Prior art date
Application number
BG106371A
Other languages
English (en)
Other versions
BG106371A (bg
Inventor
Peter Wilhartitz
Stefan Schoenauer
Peter Polcik
Original Assignee
Plansee Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Plansee Ag filed Critical Plansee Ag
Publication of BG106371A publication Critical patent/BG106371A/bg
Publication of BG64450B1 publication Critical patent/BG64450B1/bg

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491—Manufacturing of targets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/12—Both compacting and sintering
    • B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
    • B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

Област на техниката
Изобретението се отнася до метод за производство на изпарител, приложим за физично отлагане на газове.
Предшестващо състояние на техниката
Понастоящем разпрашващите главни блокове, служещи за физично отлагане на газове, са широко разпространени при производството на дълготрайни и устойчиви на корозия покрития за широка гама от субстратни материали. Разпрашващите главни блокове се използват и при производството на облицовъчни/покриващи композиционни материали за полупроводниковата и електронната индустрия.
При известите методи, когато трябва да се наслояват различни материали по едно и също време, при формиране на сплавите се създават нетрайни интерметални фази. В този смисъл, сплавите на практика вече не могат да се обработват студено или топлинно, а само механично, което значително ги оскъпява. Следователно, производството на разпрашващи главни блокове от такъв вид сплави е трудно и дори невъзможно.
Такива “проблемни” материали са например сплавите от алуминий и титан, които за да се превърнат в разпрашващи главни блокове, могат да се обработват единствено чрез горепосочения метод [AT PS 388752].
За да се намали повърхностната температура, разпрашващите главни блокове в разпрашващата система се закрепват механично за водоохладени медни пластини. В повечето случаи разпрашващият главен блок, получаващ се изцяло от разпрашвания материал, се намира директно върху медните пластини.
Тъй като е необходимо да се разпраши колкото се може повече материал с помощта на разпрашващия главен блок, общата височина на разпрашващите главни блокове трябва да е колкото се може по-голяма. Освен това обаче трябва да се следи и да не се допуска прекадено голямо нарастване на топлинната устойчивост на разпрашващите главни блокове, която нараства с увеличаването на общата им височина. Така се гарантира, че повърхностната температура на разпрашващите главни блокове е в допустими граници.
Тъй като повечето материали, подлежащи на разпрашване, обикновено имат относително добра топлинна проводимост и/или относително добра повърхностна температура, без това да води до каквито и да е проблеми, традиционните системи за разпрашване са настроени за работа с разпрашващи главни блокове с относително голяма обща височина. Използването на разпрашващи главни блокове с по-малки общи височини в такива системи е изключително неизгодно.
Алуминият, който има отлична топлинна проводимост, често се използва за нанасяне на покрития чрез метода на разпрашване. Поради това, много от разпрашващите системи, особено по отношение на общата височина на разпрашващите главни блокове, са настроени спрямо доброто ниво на топлинна проводимост на алуминия.
Вследствие на това при използването на машините за нанасяне на покрития могат да възникнат проблеми, например когато алуминият трябва да се разпраши заедно с материали, които имат относително ниска топлинна проводимост и същевременно с това не трябва да притежават твърде високи повърхностни температури по време на разпрашването. Целта е да се избегнат нежелани реакции между някои от компонентите на разпрашващите главни блокове. Поради това алуминият се използва често с титан и, ако е възможно, с допълнителни компонент за покриване, по-специално за предпазване от износване и корозия.
Ако към разпрашващите главни блокове, направени от такива материали, се добави дори малко количество титан, това може значително да намали добрата топлинна проводимост на алуминия. Следователно, ако тези разпрашващи главни блокове се произвеждат с обичайните за разпрашващите системи общи височини, образуваните повърхностни температури при високи темпове на нанасяне на покрития може да са толкова високи, че да се осъществят екзотермични реакции, които да разрушат разпрашващия блок.
Има и други материали, които се разпрашват чрез разпрашващи главни блокове и алуминий, които също могат да създадат проблеми по време на нанасянето на покрития. Могат да се използват комбинации на алуминий с Та, Nd или Y, например в електрониката, а при оптични и магнити запаметяващи устройства често се използват комбинации на алуминий с Ni и Сг.
Комбинации на алуминий с Sn, Zn, Ag, W и Mo често се използват заедно с добавка от Ti в приложения за предпазване от износване и корозия, ка то единият от компонентните служи за суха филмова смазка.
За да се избегнат посочените по-горе проблеми с различните комбинации от материали по време на нанасяне на покритията, трябва да се ограничи темпът на отлагане, за да се избегне прекомерното покачване на повърхностната температура.
Един от възможните начини за намаляване на повърхностната температура на такива критични разпрашващи главни блокове, дори при високи темпове на нанасяне на покрития, без да се наруши общата им височина, е чрез осигуряване на опорна пластина в частта от разпрашващите главни блокове, намираща се в контакт с водоохладената медна пластина. Опорната пластина е изградена от материал с добра топлопроводимост и се свързва механично с медната пластина.
Известен е метод за производство на подобни изпарители, при които опорната пластина е свързана с разпрашващия главен блок чрез спойка или дифузно свързване [WO 20000/022185 или US 5397050].
Недостатък на този метод за производство на изпарители е, че между главния блок и опорната пластина може да се образува преходна зона с ниска топлинна проводимост, което не гарантира оптимално топлинно разсейване от повърхността на разпрашващите главни блокове към опорната пластина и след това към охладената медна пластина.
Повърхностната температура на разпрашващия главен блок е само с няколко градуса по-висока, което води до недостатъци в разпрашващите му свойства, и следователно, ако е възможно, трябва да се избягват подобни преходни зони с ниска топлинна проводимост.
Известен е метод за производство на изпарител, при който топлопресован разпрашващ главен блок се получава чрез следните операции: в подходяща форма се зарежда слой титанов прах или титаниев хидрид на прах; върху този слой се зарежда прахообразен слой, включващ смес от титаниев хидрид и волфрам, от титанов и волфрамов прах или от волфрам или волфрамова сплав, или титан или титанова сплав, или кобалт или кобалтова сплав, следва предварително формоване чрез топло пресоване и спичане във вакуум до получаване на масивна заготовка и допълнителна пътност от 98%, след това чрез дифузионно свързване заготовката се замонолитва към опорна пластина посредством междинен слой от титан или титанова сплав. Съгласно метода, преди формоването прахообразната смес се нагрява до 1300-1500°С. Опорната пластина е от алуминий, алуминиева сплав, титан, или титанова сплав.
Опорната пластина от титан може да бъде формована едновременно с разпрашващия главен блок /US 5863398/.
Описаният метод се реализира при високата температура, което повишава неговата енергоемкост.
Същност на изобретението
Задачата на настоящото изобретение е да се създаде метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове с намалена енергоемкост и възможност за използване на алуминиеви компоненти и свързване на разпрашващия главен блок директно с опорната пластина, без да образува преходна зона с ниска топлинна проводимост.
Тази задача се решава, като се създава метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове за създаване на главен блок, който, в допълнение на един или повече допълнителни компоненти, съдържа и алуминиев компонент и опорна пластина, свързана с главния блок и изградена от материал с по-добра топлинна проводимост от него. Главният блок се произвежда чрез студено пресоване на смес от отделни компоненти в прахообразно състояние, след което той се формова при температури под точката на топене на отделните компоненти в пластично състояние, докато се достигне плътност от минимум 98% от теоретичната плътност. Съгласно изобретението опорната пластина, която също включва прахообразен изходен материал, се пресова заедно с компонентите на главния блок, под формата на сандвичоподобна структура с три прахообразни фракции, след което те се формоват заедно.
За предпочитане е главният блок да се състои от най-малко 15 атомни % алуминий, за да се осигури много добра връзка на материала на главния блок с опорната пластина
За предпочитане е главният блок съдържа най-малко 85 атомни % титан като втори компонент.
Възможно е за материал за опорната пластина да се използва алуминий.
Възможно е формоването да се извършва чрез щамповане с ковачна преса.
За предпочитане е формоването да се извършва чрез щамповане с ковачна преса при температура от между 400°С и 450°С.
Възможно е формоването да се извършва чрез екструдиране.
За предпочитане е формоването да се извършва чрез екструдиране при температура от между
400°Си450°С.
Предимството на този вариант на метода съгласно изобретението е, че разпрашващите главни блокове с различни общи височини могат да се отделят от преходната екструдирана заготовка.
Друго негово предимство е, че се постига качествена връзка между материала на главния блок и опорната пластина, без да се образува преходна зона с ниска топлинна проводимост; ускорено и ефективно разсейване на топлина от повърхността на разпрашващия главен блок към опорната пластина и след това към водоохладената медна пластина.
Възможно е опорната пластина да е част от главния блок, която вече не може да се разпрашва повече. Така при една и съща обща височина на пластината има толкова наличен материал, колкото може да се изпари ефективно.
Чистият алуминий, който е с почти най-висока топлинна проводимост, е предпочитано подходящ материал за опорната пластина на изпарителя. Тъй като алуминият е относително мек метал, благодарение на механичната връзка с водоохладената медна пластина се постига добра преходна зона с ниско топлинно съпротивление. Освен това, ако материалът на главния блок по невнимание се разпращи прекадено много, в резултат на което се разпращи и определена част от опорната пластина, щетите върху отложеното покритие не са големи.
Освен от алуминий, опорната пластина може да е и от други материали с добра топлинна проводимост, като, например, мед.
Описание на приложената фигура
Примерно изпълнение и действие на изобретението
По-подробно изобретението е пояснено на приложената фигура, на която е показана преходната зона в метала по време на формоването.
Примерното изпълнение и действието на изобретението се обясняват по-подробно чрез няколко производствени примера.
Пример 1: Изпарител с форма на диск с диаметър 63 mm и обща височина 32 mm се състои от разпрашващ главен блок с височина 20 mm, изграден от 50 атомни % алуминий и 50 атомни % титан, и опорна алуминиева пластина с височина 12 mm, която е здраво фиксирана за разпрашващия главен блок, се произвежда по метода съгласно изобретението, както следва.
Алуминиевият и титановият прах, необходи ми за разпрашващия главен блок, са с обща големина на прашинката 30 pm и се смесват в асиметрично задвижван смесител.
След това се използва дюза за екструдиране от две части на хидравлична преса, със значително по-големи размери от крайните размери на изпарителя. Долната част на дюзата за екструдиране се напълва с чист алуминиев прах с обща големина на прашинките 30 pm, като сместа се изравнява. След това се позиционира горната част на дюзата за екструдиране и се напълва със смесения прах от алуминий и титан, като сместа отново се изравнява. Пълнежът от двете части се подлага на студено пресоване и се получава зелена сбита маса с 94% от теоретичната си плътност.
Пресованата изковка се подлага на вторично компресиране в ковачна преса с полуотворена ковашка щампа при температура от около 200°С, на общо пет компресиращи обработки, като отделните компоненти са в пластично състояние или са пластифицирани.
Освен това, преди вторичното компресиране и между отделните компресиращи етапи, пресованата изковка се поставя в предварително загряваща пещ с температура между 400°С и 450°С. Поради краткото време за обработката и ниските формиращи температури, не се изисква никаква защита срещу окисляване, и следователно, вторичното компресиране може да се осъществява при обикновени условия.
Накрая, изпарителят се обработва механично и добива крайните си размери.
Прави се металография на преходната зона между материала на разпрашващия главен блок и материала на опорната пластина. Резултатът е показан на фигурата, където преходната зона е увеличена 100 пъти.
Вижда се ясно, че преходът между материала на разпрашващия главен блок и материала на опорната пластина е напълно хомогенен и не се образува никакъв проблемен междинен слой с намалена топлинна проводимост.
Пример 2: За сравнение се произвежда изпарител с формата на диск, който е със същите размери като тези в пример 1. За разлика от пример 1 обаче, изпарителят се състои изцяло от разпрашващ главен блок, изграден от 50 атомни % алуминий и 50 атомни % титан, и няма алуминиева опорна пластина. Разпрашващият главен блок се произвежда със същите производствени параметри като тези в пример 1.
Пример 3: За сравнение се произвежда и из4 парител, състоящ се от разпрашващ главен блок и опорна пластина, който има същите размери и комбинации от материали като тези в пример 1. Но за разлика от пример 1, изпарителят не се произвежда чрез едновременно обработване на изходните прахообразни материали. Вместо това опорната пластина се изработва отделно от разпрашващия главен блок, като се изработва със същите размери и грубо от меден полуготов продукт, направен чрез леярна металургия. След това опорната пластина се свързва чрез междинен слой от индий с разпрашващия главен блок, който се прави чрез прахова металургия и се произвежда със същите производствени параметри като тези в пример 1.
Съответстващите на пример 1 и 3 изпарители се инсталират един след друг в Автоматично дистанционно управляема (АДУ) изпарителна фабрика и се разпрашват при същите условия за нанасяне на покрития, които се използват стандартно, с АДУ сила на тока 60А, което съответства на поток от 0,7 MW/m2, като по този начин се определят повърхностните температури на отделните разпрашващи главни блокове.
След разпрашване за около 2 min се получават следните повърхностни температури:
Изпарителят, произведен съгласно изобретението и условията от пример 1, е с повърхностна температура 315°С.
Разпрашващият главен блок, произведен съгласно пример 2, без опорна пластина е с най-висока повърхностна температура 420°С.
Изпарителят, произведен съгласно пример 3 и със свързана опорна пластина е с повърхностна температура 395°С.
Въпреки, че се използва опорна пластина с еднакви размери, по-високата повърхностна температура в сравнение с пример 1, недвусмислено показва изключително неблагоприятния ефект от междинния слой от индий с понижена топлинна проводимост, необходима за свързването.
Тъй като дори при повърхностна температура на разпрашващия главен блок, по-ниска само с няколко градуса, се постигат значителни предимства във връзка с разпрашващите качества, това доказва огромната полза на изпарителя съгласно изобретението в сравнение с известните изпарители съгласно предшестващото състояние на техниката.

Claims (8)

  1. Патентни претенции
    1. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове, при който главен блок с един или повече допълнителни компоненти и алуминиев компонент се произвежда чрез студено пресоване на смес от отделни компоненти в прахообразно състояние, след което главният блок се формова при температури под точката на топене на отделните компоненти в пластично състояние, докато се достигне плътност от минимум 98% от теоретичната плътност, като изпарителят има и опорна пластина, свързана с главния блок и изградена от материал с по-добра топлинна проводимост от него, характеризиращ се с това, че опорната пластина, която също включва прахообразен изходен материал, се пресова заедно с компонентите на главния блок под формата на сандвичоподобна структура от прахообразни фракции, след което те се формоват заедно.
  2. 2. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно претенция 1, характеризиращ се с това, че главният блок се състои от най-малко 15 атомни % алуминий.
  3. 3. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно претенция 2, характеризиращ се с това, че главният блок съдържа най-малко 85 атомни % титан като втори компонент.
  4. 4. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно една от претенциите от 1 до 3, характеризиращ се с това, че за материал за опорната пластина се използва алуминий.
  5. 5. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно една от претенциите от 1 до 4, характеризиращ се с това, че формоването се извършва чрез щамповане с ковачна преса.
  6. 6. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно претенция 3, характеризиращ се с това, че формоването се извършва чрез щамповане с ковачна преса при температура от между 400°С и 450°С.
  7. 7. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно една от претенциите от 1 до 4, характеризиращ се с това, че формоването се извършва чрез екструдиране.
  8. 8. Метод за производство на изпарител за физично отлагане на газове съгласно претенция 3, характеризиращ се с това, че формоването се извършва чрез екструдиране при температура от между 400°С и 450°С.
    Приложение: 1 фигура
BG106371A 2000-11-20 2002-01-31 Method for producing an evaporation source BG64450B1 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0085100U AT4240U1 (de) 2000-11-20 2000-11-20 Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
BG106371A BG106371A (bg) 2002-08-30
BG64450B1 true BG64450B1 (en) 2005-02-28

Family

ID=3501235

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
BG106371A BG64450B1 (en) 2000-11-20 2002-01-31 Method for producing an evaporation source

Country Status (21)

Country Link
US (1) US6908588B2 (bg)
EP (1) EP1335995B1 (bg)
JP (1) JP4226900B2 (bg)
KR (1) KR100775140B1 (bg)
CN (1) CN1268780C (bg)
AT (2) AT4240U1 (bg)
AU (1) AU775031B2 (bg)
BG (1) BG64450B1 (bg)
CA (1) CA2375783C (bg)
CZ (1) CZ298911B6 (bg)
DE (1) DE50103914D1 (bg)
DK (1) DK1335995T3 (bg)
ES (1) ES2227293T3 (bg)
HR (1) HRP20020100B1 (bg)
HU (1) HU225577B1 (bg)
MX (1) MXPA02001478A (bg)
MY (1) MY128636A (bg)
PL (1) PL199272B1 (bg)
RS (1) RS49852B (bg)
SI (1) SI1335995T1 (bg)
WO (1) WO2002040735A1 (bg)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100441733C (zh) * 2004-03-30 2008-12-10 株式会社延原表 蒸镀工序用喷嘴蒸发源
CN101052739A (zh) * 2004-11-18 2007-10-10 霍尼韦尔国际公司 形成三维物理汽相沉积靶的方法
DE102004060423B4 (de) * 2004-12-14 2016-10-27 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Rohrtarget und dessen Verwendung
DE102006003279B4 (de) * 2006-01-23 2010-03-25 W.C. Heraeus Gmbh Sputtertarget mit hochschmelzender Phase
US20070251819A1 (en) * 2006-05-01 2007-11-01 Kardokus Janine K Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets
US8778987B2 (en) * 2007-03-13 2014-07-15 Symrise Ag Use of 4-hydroxychalcone derivatives for masking an unpleasant taste
US8702919B2 (en) * 2007-08-13 2014-04-22 Honeywell International Inc. Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof
US20100140084A1 (en) * 2008-12-09 2010-06-10 Chi-Fung Lo Method for production of aluminum containing targets
AT12021U1 (de) * 2010-04-14 2011-09-15 Plansee Se Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung
JP2014523969A (ja) 2011-06-27 2014-09-18 ソレラス・リミテッド スパッタリングターゲット
US9992917B2 (en) 2014-03-10 2018-06-05 Vulcan GMS 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts
KR102111833B1 (ko) 2014-06-27 2020-05-18 플란제 콤포지트 마테리얼스 게엠베하 스퍼터링 타겟
AT14497U1 (de) * 2015-01-26 2015-12-15 Plansee Composite Mat Gmbh Beschichtungsquelle
JP6728839B2 (ja) * 2016-03-24 2020-07-22 大同特殊鋼株式会社 プレス成形品の製造方法およびスパッタリングターゲット材

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT388752B (de) * 1986-04-30 1989-08-25 Plansee Metallwerk Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung
US5863398A (en) * 1996-10-11 1999-01-26 Johnson Matthey Electonics, Inc. Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same
WO2000022185A1 (en) * 1998-10-14 2000-04-20 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4126451A (en) * 1977-03-30 1978-11-21 Airco, Inc. Manufacture of plates by powder-metallurgy
JPS60194070A (ja) 1984-03-16 1985-10-02 Tokuyama Soda Co Ltd スパツタリングタ−ゲツト
JPS63169307A (ja) * 1987-01-06 1988-07-13 Tokyo Tungsten Co Ltd Ｗ又はＷ合金／Ｍｏ又はＭｏ合金張り合わせ材料の製造方法
JPH0196068A (ja) * 1987-10-07 1989-04-14 Nippon Chemicon Corp 窒化アルミニウム焼結体の製造方法
JPH0741304B2 (ja) * 1990-03-13 1995-05-10 株式会社神戸製鋼所 高Ａ１含有Ｔｉ合金の熱間押出方法
US5342571A (en) * 1992-02-19 1994-08-30 Tosoh Smd, Inc. Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets
JPH06128738A (ja) * 1992-10-20 1994-05-10 Mitsubishi Kasei Corp スパッタリングターゲットの製造方法
US5397050A (en) * 1993-10-27 1995-03-14 Tosoh Smd, Inc. Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby
US5656216A (en) * 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US5836506A (en) * 1995-04-21 1998-11-17 Sony Corporation Sputter target/backing plate assembly and method of making same
FR2756572B1 (fr) 1996-12-04 1999-01-08 Pechiney Aluminium Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques
US5963778A (en) 1997-02-13 1999-10-05 Tosoh Smd, Inc. Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor
JP3946298B2 (ja) * 1997-03-25 2007-07-18 本田技研工業株式会社 セラミックス−金属傾斜機能材およびその製造方法
US6010583A (en) 1997-09-09 2000-01-04 Sony Corporation Method of making unreacted metal/aluminum sputter target
JPH11106904A (ja) * 1997-09-29 1999-04-20 Riyouka Massey Kk スパッタリングターゲットの製造方法
US6579431B1 (en) * 1998-01-14 2003-06-17 Tosoh Smd, Inc. Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers
JPH11200030A (ja) 1998-01-20 1999-07-27 Sumitomo Chem Co Ltd スパッタリングターゲット用バッキングプレート
US6183686B1 (en) * 1998-08-04 2001-02-06 Tosoh Smd, Inc. Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same
US6328927B1 (en) * 1998-12-24 2001-12-11 Praxair Technology, Inc. Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets
JP2000273623A (ja) * 1999-03-29 2000-10-03 Japan Energy Corp Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット
US6042777A (en) * 1999-08-03 2000-03-28 Sony Corporation Manufacturing of high density intermetallic sputter targets

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT388752B (de) * 1986-04-30 1989-08-25 Plansee Metallwerk Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung
US5863398A (en) * 1996-10-11 1999-01-26 Johnson Matthey Electonics, Inc. Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same
WO2000022185A1 (en) * 1998-10-14 2000-04-20 Praxair S.T. Technology, Inc. Sputter target/backing plate assembly and method of making same

Also Published As

Publication number Publication date
JP4226900B2 (ja) 2009-02-18
YU44502A (sh) 2005-03-15
BG106371A (bg) 2002-08-30
US6908588B2 (en) 2005-06-21
EP1335995B1 (de) 2004-09-29
HRP20020100B1 (en) 2010-11-30
CZ298911B6 (cs) 2008-03-12
ES2227293T3 (es) 2005-04-01
CZ2002669A3 (cs) 2002-08-14
PL355115A1 (en) 2004-04-05
HRP20020100A2 (en) 2003-12-31
AT4240U1 (de) 2001-04-25
AU1198202A (en) 2002-05-27
US20020155016A1 (en) 2002-10-24
CA2375783C (en) 2007-05-08
EP1335995A1 (de) 2003-08-20
CA2375783A1 (en) 2002-05-20
KR20020074145A (ko) 2002-09-28
CN1268780C (zh) 2006-08-09
ATE278050T1 (de) 2004-10-15
DE50103914D1 (de) 2004-11-04
MXPA02001478A (es) 2002-09-23
WO2002040735A1 (de) 2002-05-23
DK1335995T3 (da) 2005-01-31
SI1335995T1 (en) 2005-06-30
HUP0301848A2 (en) 2003-09-29
CN1392904A (zh) 2003-01-22
AU775031B2 (en) 2004-07-15
MY128636A (en) 2007-02-28
PL199272B1 (pl) 2008-09-30
HU225577B1 (en) 2007-03-28
JP2004513244A (ja) 2004-04-30
KR100775140B1 (ko) 2007-11-12
RS49852B (sr) 2008-08-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
BG64450B1 (en) Method for producing an evaporation source
CN101287857B (zh) 用于制造或再加工溅射靶和x-射线阳极的涂覆方法
CN101103134B (zh) 烧结用Sb-Te系合金粉末及其制造方法和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶
US20180085828A1 (en) Sintered compact target and method of producing sintered compact
KR20090031499A (ko) 냉간 압축 성형된 스퍼터 타겟
KR20100080890A (ko) Ａｌ-계 합금 스퍼터링 타겟 및 이것의 제조 공정
JP2008179892A (ja) ＡｌＲｕスパッタリングターゲットの製造方法
US7943021B2 (en) Sb-Te alloy sintered compact target and manufacturing method thereof
WO2013054521A1 (ja) ターゲットアセンブリ及びその製造方法
CN104968828B (zh) Cu-Ga-In-Na靶
JP2004162109A (ja) スパッタリングターゲット及び同製造用粉末
US10337100B2 (en) Sputtering target comprising Ni—P alloy or Ni—Pt—P alloy and production method therefor
JP5069051B2 (ja) ニッケル合金スパッタリングターゲット
JP4427831B2 (ja) スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2013061934A1 (ja) 複合材料の製造方法及び複合材料
TW200932935A (en) Ni-W-B-based sputtering target material for producing intermediate layer film in vertical magnetic recording medium, and thin film produced using the same
JP2003303787A (ja) ニッケル合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN104928539A (zh) 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法
JP2000199055A (ja) Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法
TW588115B (en) Process for the production of a vaporizing source
JP2679268B2 (ja) ロウ材の製造方法
JP2005139539A (ja) マグネシウム化合物被膜を有する金属材料、スパッタリング用ターゲット部材、スパッタリング用ターゲット部材の製造方法およびマグネシウム化合物被膜の形成方法
SU1692742A1 (ru) Способ получени композиционного порошка
CN113652662A (zh) 吸气剂磁控靶材
Vetter et al. Production of metal powders by atomizing their melts with liquid gases