JP2000199055A - Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法 - Google Patents
Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法Info
- Publication number
- JP2000199055A JP2000199055A JP11000904A JP90499A JP2000199055A JP 2000199055 A JP2000199055 A JP 2000199055A JP 11000904 A JP11000904 A JP 11000904A JP 90499 A JP90499 A JP 90499A JP 2000199055 A JP2000199055 A JP 2000199055A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target material
- area ratio
- target
- phase
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣｒとＢからなるＣｒターゲット材に関し、
高い成膜速度条件に耐え、また、Ｂ添加量が多いＣｒタ
ーゲット材、およびその製造方法の提供。 【解決手段】 Ｂ：５ａｔ％のＣｒターゲット材におい
て、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を４０％以下に規制
する。
高い成膜速度条件に耐え、また、Ｂ添加量が多いＣｒタ
ーゲット材、およびその製造方法の提供。 【解決手段】 Ｂ：５ａｔ％のＣｒターゲット材におい
て、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を４０％以下に規制
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング
法、アークイオンプレーティング法等に用いられるＢを
含むＣｒターゲット材およびその製造方法の技術分野に
属する。なお、本発明においてターゲット材とは、ター
ゲットとなる以前の素材またはターゲットのうち皮膜の
原料となる部分をいう。
法、アークイオンプレーティング法等に用いられるＢを
含むＣｒターゲット材およびその製造方法の技術分野に
属する。なお、本発明においてターゲット材とは、ター
ゲットとなる以前の素材またはターゲットのうち皮膜の
原料となる部分をいう。
【０００２】
【従来の技術】ターゲットを用いる成膜法にはスパッタ
リング法とアークイオンプレーティング法がある。スパ
ッタリング法は高真空中にＡｒガスを導入し、陰極とな
るターゲットと陽極となるワーク間に高電圧を印加して
グロー放電を生じさせ、放電によりプラズマ化したＡｒ
イオンをターゲットに衝突させ、飛び出したターゲット
材の粒子をワークに堆積させて皮膜を形成する方法であ
り、半導体や磁気記録媒体、磁気ヘッドの製造等に用い
られている。イオンプレーティング法の一種であるＡＩ
Ｐ（アークイオンプレーティング）法は、皮膜となるタ
ーゲット材の表面をアーク放電で局部的に加熱して昇
華、イオン化し、負に帯電させたワークに付着させて皮
膜を形成する方法である。この際、Ｎ２ガスを導入し、
高硬度の窒素化合物の皮膜を形成する場合が一般的であ
る。ＡＩＰ法はイオンプレーティング法の中でもイオン
化率が高いためワークへの密着力が強く、また、成膜形
成速度が速いため工具等の硬質皮膜のコーティングに広
く用いられている。
リング法とアークイオンプレーティング法がある。スパ
ッタリング法は高真空中にＡｒガスを導入し、陰極とな
るターゲットと陽極となるワーク間に高電圧を印加して
グロー放電を生じさせ、放電によりプラズマ化したＡｒ
イオンをターゲットに衝突させ、飛び出したターゲット
材の粒子をワークに堆積させて皮膜を形成する方法であ
り、半導体や磁気記録媒体、磁気ヘッドの製造等に用い
られている。イオンプレーティング法の一種であるＡＩ
Ｐ（アークイオンプレーティング）法は、皮膜となるタ
ーゲット材の表面をアーク放電で局部的に加熱して昇
華、イオン化し、負に帯電させたワークに付着させて皮
膜を形成する方法である。この際、Ｎ２ガスを導入し、
高硬度の窒素化合物の皮膜を形成する場合が一般的であ
る。ＡＩＰ法はイオンプレーティング法の中でもイオン
化率が高いためワークへの密着力が強く、また、成膜形
成速度が速いため工具等の硬質皮膜のコーティングに広
く用いられている。
【０００３】いずれの方法もターゲット材は加熱され
る。ターゲット材の温度上昇は成膜速度等の成膜条件の
変動やターゲット材の変形の原因のなるため、ターゲッ
ト材はその裏面を水冷されて一定温度以上に上昇しない
ようコントロールされている。しかし、繰り返し使用に
際して、加熱冷却が繰り返されるためにターゲット材に
は熱応力が加わる。特にＡＩＰ法はターゲット材が局部
的に溶融するほど加熱されるため特に大きな熱応力が生
じ、強度の低いターゲット材の場合にはクラックを生
じ、異常放電や成膜速度の変動、ひどい場合にはターゲ
ット材が破損する場合がある。ターゲットが破損すると
裏側の冷却水が装置内に流出するという大事故につなが
る。したがって、ターゲット材の強度はこのような熱応
力に耐えることが要求される。また、当然のことではあ
るが、内部に空孔等の欠陥や割れがないことが必要であ
る。スパッタリング法あるいはＡＩＰ法で用いられるタ
ーゲット材は強度の高い材質とは限らず、材質によって
は脆く、クラック等が発生し易い材質もある。このよう
な脆いターゲット材の一つとしてＣｒにＢを添加したタ
ーゲット材がある。ＣｒにＢを添加したターゲット材の
ように脆い材料の場合には、一般に、ターゲット材をバ
ッキングプレートと言われる銅製あるいはアルミ製等の
熱伝導性の良い板に貼り付けて冷却を十分行い熱応力に
よる割れを抑制するすることがあり、この場合万一クラ
ックが発生した場合にもターゲット材のみのクラックで
収まるため、冷却水の装置内への漏れは防止できる。別
の方法としては、Ｂのチップを、Ｃｒターゲット材上に
貼り付けたり、セグメントとしてＣｒターゲット材と組
合わせていた。
る。ターゲット材の温度上昇は成膜速度等の成膜条件の
変動やターゲット材の変形の原因のなるため、ターゲッ
ト材はその裏面を水冷されて一定温度以上に上昇しない
ようコントロールされている。しかし、繰り返し使用に
際して、加熱冷却が繰り返されるためにターゲット材に
は熱応力が加わる。特にＡＩＰ法はターゲット材が局部
的に溶融するほど加熱されるため特に大きな熱応力が生
じ、強度の低いターゲット材の場合にはクラックを生
じ、異常放電や成膜速度の変動、ひどい場合にはターゲ
ット材が破損する場合がある。ターゲットが破損すると
裏側の冷却水が装置内に流出するという大事故につなが
る。したがって、ターゲット材の強度はこのような熱応
力に耐えることが要求される。また、当然のことではあ
るが、内部に空孔等の欠陥や割れがないことが必要であ
る。スパッタリング法あるいはＡＩＰ法で用いられるタ
ーゲット材は強度の高い材質とは限らず、材質によって
は脆く、クラック等が発生し易い材質もある。このよう
な脆いターゲット材の一つとしてＣｒにＢを添加したタ
ーゲット材がある。ＣｒにＢを添加したターゲット材の
ように脆い材料の場合には、一般に、ターゲット材をバ
ッキングプレートと言われる銅製あるいはアルミ製等の
熱伝導性の良い板に貼り付けて冷却を十分行い熱応力に
よる割れを抑制するすることがあり、この場合万一クラ
ックが発生した場合にもターゲット材のみのクラックで
収まるため、冷却水の装置内への漏れは防止できる。別
の方法としては、Ｂのチップを、Ｃｒターゲット材上に
貼り付けたり、セグメントとしてＣｒターゲット材と組
合わせていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣｒにＢを添加した場
合には非常に硬く脆いＣｒとＢとの化合物が生じるため
に、ターゲット表面の熱応力によりクラックが発生し、
異常放電を引き起こし装置の故障の原因となったり、し
ばしば使用不能になっていた。特にＢの添加量が多い場
合に破損の頻度が増加する。Ｂを含有するＣｒターゲッ
ト材について次のことが分った。破損防止対策としてタ
ーゲット材をバッキングプレートに貼り付けることで、
ターゲットの破損はなくなるが、やはりクラックが生じ
放電が安定しない、また、Ｃｒターゲット材にＢの小片
を貼り付けて成膜を行う方法は、少量の成膜実験等では
使用できるものの、実生産に使用する場合には連続して
長時間の成膜が必要となり、Ｂのチップの厚さ程度しか
使用できず生産には使用できない。また、Ｂチップを乗
せるとターゲット表面に突起が生じるため放電が安定し
難い。
合には非常に硬く脆いＣｒとＢとの化合物が生じるため
に、ターゲット表面の熱応力によりクラックが発生し、
異常放電を引き起こし装置の故障の原因となったり、し
ばしば使用不能になっていた。特にＢの添加量が多い場
合に破損の頻度が増加する。Ｂを含有するＣｒターゲッ
ト材について次のことが分った。破損防止対策としてタ
ーゲット材をバッキングプレートに貼り付けることで、
ターゲットの破損はなくなるが、やはりクラックが生じ
放電が安定しない、また、Ｃｒターゲット材にＢの小片
を貼り付けて成膜を行う方法は、少量の成膜実験等では
使用できるものの、実生産に使用する場合には連続して
長時間の成膜が必要となり、Ｂのチップの厚さ程度しか
使用できず生産には使用できない。また、Ｂチップを乗
せるとターゲット表面に突起が生じるため放電が安定し
難い。
【０００５】このようにＣｒ−Ｂターゲット材は脆いた
めに成膜時に、クラック発生、破損等の障害が発生し易
く問題があった。このため、現状ではターゲットに大き
な応力を与えないような低電力、低電流の条件で成膜を
行っており、成膜速度の非常に遅い、効率の悪い条件で
しか成膜できない。また、破損の傾向はＢの添加量が多
いほど顕著であるため、Ｂ添加量に制限があるなど多く
の問題があった。本発明はＣｒとＢからなるＣｒターゲ
ット材に関し、Ｂ添加量が多い、もしくは高い成膜速度
条件に耐え得るＣｒターゲット材、またはこれら両者の
ターゲット材およびその製造方法を提供することを課題
とする。
めに成膜時に、クラック発生、破損等の障害が発生し易
く問題があった。このため、現状ではターゲットに大き
な応力を与えないような低電力、低電流の条件で成膜を
行っており、成膜速度の非常に遅い、効率の悪い条件で
しか成膜できない。また、破損の傾向はＢの添加量が多
いほど顕著であるため、Ｂ添加量に制限があるなど多く
の問題があった。本発明はＣｒとＢからなるＣｒターゲ
ット材に関し、Ｂ添加量が多い、もしくは高い成膜速度
条件に耐え得るＣｒターゲット材、またはこれら両者の
ターゲット材およびその製造方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＣｒとＢと
の化合物がＣｒターゲット材の靭性を低下するとの観点
から、化合物の生成を抑制するＣｒターゲット材の製造
法について検討した。その結果、ＣｒとＢの粉末同士を
従来法に比し低温で圧密化することにより化合物相の生
成を抑制することができ、また、得られた材料の組織中
のＣｒとＢとの化合物相の比率が４０％以下であればス
パッタリング法およびＡＩＰ法に十分使用可能なＣｒタ
ーゲット材を得ることができることを見出した。
の化合物がＣｒターゲット材の靭性を低下するとの観点
から、化合物の生成を抑制するＣｒターゲット材の製造
法について検討した。その結果、ＣｒとＢの粉末同士を
従来法に比し低温で圧密化することにより化合物相の生
成を抑制することができ、また、得られた材料の組織中
のＣｒとＢとの化合物相の比率が４０％以下であればス
パッタリング法およびＡＩＰ法に十分使用可能なＣｒタ
ーゲット材を得ることができることを見出した。
【０００７】すなわち、本願の第１発明は、Ｂを５ａｔ
％以上含むＣｒを主成分とするターゲット材において、
ＣｒとＢとの化合物相の面積率が４０％以下であること
を特徴とするＣｒターゲット材である。第２発明は、上
記第１発明のＣｒターゲット材の製造方法であって、粉
末材料を出発原料としてこれをＨＩＰ法およびホットプ
レス法の少なくとも一種を用いて1200℃以下で圧密化す
ることを特徴とするＣｒターゲット材の製造方法であ
る。
％以上含むＣｒを主成分とするターゲット材において、
ＣｒとＢとの化合物相の面積率が４０％以下であること
を特徴とするＣｒターゲット材である。第２発明は、上
記第１発明のＣｒターゲット材の製造方法であって、粉
末材料を出発原料としてこれをＨＩＰ法およびホットプ
レス法の少なくとも一種を用いて1200℃以下で圧密化す
ることを特徴とするＣｒターゲット材の製造方法であ
る。
【０００８】ＣｒとＢの化合物相を特定値以下に少なく
した第１発明Ｃｒターゲット材において、Ｃｒのうちの
３０ａｔ％以下を等量のＶ、Ｍｏの１種または２種と置
換しても有効である。 ＣｒとＢとの化合物相の面積率
は、過酷な成膜条件に耐えるために４０％以下であるこ
と必要であり、望ましくは３２％以下である。なお、第
１発明において、Ｂを５ａｔ％以上に限定した理由は、
３ａｔ％以下等の場合、従来の焼結法で化合物相の面積
率が４０％以下となることがあり、これらとの重複を避
けるためである。本願の第２発明によるＣｒターゲット
の製造方法において、ＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法あ
るいはホットプレス法の温度を１２００℃以下に限定し
た理由は、１２００℃を超える温度ではＣｒとＢとの化
合物相が多量に生じ易くなるためである。
した第１発明Ｃｒターゲット材において、Ｃｒのうちの
３０ａｔ％以下を等量のＶ、Ｍｏの１種または２種と置
換しても有効である。 ＣｒとＢとの化合物相の面積率
は、過酷な成膜条件に耐えるために４０％以下であるこ
と必要であり、望ましくは３２％以下である。なお、第
１発明において、Ｂを５ａｔ％以上に限定した理由は、
３ａｔ％以下等の場合、従来の焼結法で化合物相の面積
率が４０％以下となることがあり、これらとの重複を避
けるためである。本願の第２発明によるＣｒターゲット
の製造方法において、ＨＩＰ（熱間静水圧プレス）法あ
るいはホットプレス法の温度を１２００℃以下に限定し
た理由は、１２００℃を超える温度ではＣｒとＢとの化
合物相が多量に生じ易くなるためである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について説明する。なお、本発明は以下の例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で任意に変更可能であることは言うまでもない。一
般に、ＣｒとＢの化合物相は硬度が高く（Ｈｖ１４００
程度）非常に脆く、抗折強度が低い。たとえば、図１に
Ｂを２０ａｔ％添加したＣｒターゲット材のＣｒとＢと
の化合物相の面積率と抗折強度の関係を示す。この場合
の試料は、Ｃｒ粉末とＢ粉末を混合し、ＨＩＰ処理によ
り圧密化を行った。ＨＩＰに際しては、温度を変えてＣ
ｒとＢの化合物相の量を変化した。本図から、Ｃｒおよ
びＢの単独相がなくＣｒおよびＢのすべてが化合物とな
っている場合には、抗折強度は純Ｃｒ（○印プロットで
示す）の約１／３に低下すること、しかし、同じＢ添加
量でも製造条件を変更して、ＣｒとＢの化合物相を減ら
していくと（ＣｒやＢの単独相が増加）抗折強度は増加
することが分る。この結果に依れば、ＣｒとＢの化合物
相の面積率が４０％以下であれば５００ＭＰａ以上の抗
折強度が得られている。ＣｒとＢの化合物相の面積率の
コントロールは溶解法では困難であり、粉末を出発原料
とするＨＩＰ法あるいはホットプレス法が有効である。
これはＨＩＰあるいはホットプレスでの温度、圧力でＣ
ｒとＢの反応を抑制することで、ＣｒとＢの化合物相の
面積を容易にコントロールできるためである。
実施の形態について説明する。なお、本発明は以下の例
に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない
範囲で任意に変更可能であることは言うまでもない。一
般に、ＣｒとＢの化合物相は硬度が高く（Ｈｖ１４００
程度）非常に脆く、抗折強度が低い。たとえば、図１に
Ｂを２０ａｔ％添加したＣｒターゲット材のＣｒとＢと
の化合物相の面積率と抗折強度の関係を示す。この場合
の試料は、Ｃｒ粉末とＢ粉末を混合し、ＨＩＰ処理によ
り圧密化を行った。ＨＩＰに際しては、温度を変えてＣ
ｒとＢの化合物相の量を変化した。本図から、Ｃｒおよ
びＢの単独相がなくＣｒおよびＢのすべてが化合物とな
っている場合には、抗折強度は純Ｃｒ（○印プロットで
示す）の約１／３に低下すること、しかし、同じＢ添加
量でも製造条件を変更して、ＣｒとＢの化合物相を減ら
していくと（ＣｒやＢの単独相が増加）抗折強度は増加
することが分る。この結果に依れば、ＣｒとＢの化合物
相の面積率が４０％以下であれば５００ＭＰａ以上の抗
折強度が得られている。ＣｒとＢの化合物相の面積率の
コントロールは溶解法では困難であり、粉末を出発原料
とするＨＩＰ法あるいはホットプレス法が有効である。
これはＨＩＰあるいはホットプレスでの温度、圧力でＣ
ｒとＢの反応を抑制することで、ＣｒとＢの化合物相の
面積を容易にコントロールできるためである。
【００１０】
【実施例】（実施例１）Ｃｒ粉末（平均粒径５０μｍ）
とＢ粉末（平均粒径５μｍ）を原子量比７：３でＶ型混
合機を用いて混合し、鋼製の容器に充填し、これをＨＩ
Ｐ処理により圧密化した。この際のＨＩＰ温度を１２５
０℃、１１００℃、１０００℃の３条件にて行った。圧
力はいずれも１００ＭＰａとした。この場合の抗折強
度、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を表１に示す。化合
物相の面積率は、切り出したテストピースを研磨して得
られたミクロ組織から画像処理により算出した。抗折強
度は５×５×６０のテストピースを切出して測定した。
本発明の範囲であるＣｒとＢとの化合物相の面積率が４
０％以下となるＨＩＰ温度は、１１００℃、１０００℃
であり、この範囲でテストピースは５００ＭＰａ以上の
高い抗折強度を示している。さらに、得られたＨＩＰ体
よりターゲットに加工し、ＡＩＰ法による成膜テストを
行ったところ、本発明によるＣｒとＢとの化合物相の面
積率が４０％以下のターゲットについては問題無く成膜
できた。一方、ＣｒとＢとの化合物相の面積率が５７％
のターゲットについては約１０分間成膜後ターゲット表
面にクラックが観察されたため成膜を中断した。
とＢ粉末（平均粒径５μｍ）を原子量比７：３でＶ型混
合機を用いて混合し、鋼製の容器に充填し、これをＨＩ
Ｐ処理により圧密化した。この際のＨＩＰ温度を１２５
０℃、１１００℃、１０００℃の３条件にて行った。圧
力はいずれも１００ＭＰａとした。この場合の抗折強
度、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を表１に示す。化合
物相の面積率は、切り出したテストピースを研磨して得
られたミクロ組織から画像処理により算出した。抗折強
度は５×５×６０のテストピースを切出して測定した。
本発明の範囲であるＣｒとＢとの化合物相の面積率が４
０％以下となるＨＩＰ温度は、１１００℃、１０００℃
であり、この範囲でテストピースは５００ＭＰａ以上の
高い抗折強度を示している。さらに、得られたＨＩＰ体
よりターゲットに加工し、ＡＩＰ法による成膜テストを
行ったところ、本発明によるＣｒとＢとの化合物相の面
積率が４０％以下のターゲットについては問題無く成膜
できた。一方、ＣｒとＢとの化合物相の面積率が５７％
のターゲットについては約１０分間成膜後ターゲット表
面にクラックが観察されたため成膜を中断した。
【００１１】
【表１】
【００１２】（実施例２）表２に示す組成のＣｒターゲ
ット材を、表内に示すＨＩＰ温度の条件で製造した。原
料はＣｒ粉末（平均粒径１００μｍ）、Ｂ粉末（平均粒
径５μｍ）、Ｖ粉末（平均粒径１２０μｍ）、Ｍｏ粉末
（平均粒径５μｍ）を使用し、混合にはボールミルを用
いた。実施例１と同様の方法で抗折強度、ＣｒとＢとの
化合物相の面積率を測定し、さらに、作製したターゲッ
ト材をでＤＣスパッタ装置を用いて５ｈｒの成膜テスト
を行いターゲットの表面状態を観察した。この結果、本
発明によるＣｒとＢとの化合物相の面積率が４０％以下
のターゲット材についてはクラックは観察されなかった
が、面積率が４０％を越えるターゲット材ではクラック
の発生が確認された。また、同条件で作製したターゲッ
ト材にＡＩＰ法による成膜テストを実施したところＤＣ
スパッタ装置での結果と同様に、本発明のターゲット材
についてはクラックの発生は見られなかった。
ット材を、表内に示すＨＩＰ温度の条件で製造した。原
料はＣｒ粉末（平均粒径１００μｍ）、Ｂ粉末（平均粒
径５μｍ）、Ｖ粉末（平均粒径１２０μｍ）、Ｍｏ粉末
（平均粒径５μｍ）を使用し、混合にはボールミルを用
いた。実施例１と同様の方法で抗折強度、ＣｒとＢとの
化合物相の面積率を測定し、さらに、作製したターゲッ
ト材をでＤＣスパッタ装置を用いて５ｈｒの成膜テスト
を行いターゲットの表面状態を観察した。この結果、本
発明によるＣｒとＢとの化合物相の面積率が４０％以下
のターゲット材についてはクラックは観察されなかった
が、面積率が４０％を越えるターゲット材ではクラック
の発生が確認された。また、同条件で作製したターゲッ
ト材にＡＩＰ法による成膜テストを実施したところＤＣ
スパッタ装置での結果と同様に、本発明のターゲット材
についてはクラックの発生は見られなかった。
【００１３】
【表２】
【００１４】（実施例３）Ｃｒ粉末（平均粒径３０μ
ｍ）とＢ粉末（平均粒径５μｍ）を原子量比７：３で混
合した後、粉末プレスで予備成形し、これをホットプレ
スで圧密化した。温度は実施例１と同様１２５０℃、１
１００℃、１０００℃の３条件、プレス圧力は１５０Ｍ
Ｐａ一定とした。また、実施例１と同様に抗折強度、Ｃ
ｒとＢとの化合物相の面積率を測定した。その結果、実
施例１と同様に、本発明の範囲であるＣｒとＢとの化合
物相の面積率が４０％以下となる１１００℃、１０００
℃では５００ＭＰａ以上の高い抗折強度を示し、ＡＩＰ
による成膜テストでもターゲットにクラックは生じなか
った。
ｍ）とＢ粉末（平均粒径５μｍ）を原子量比７：３で混
合した後、粉末プレスで予備成形し、これをホットプレ
スで圧密化した。温度は実施例１と同様１２５０℃、１
１００℃、１０００℃の３条件、プレス圧力は１５０Ｍ
Ｐａ一定とした。また、実施例１と同様に抗折強度、Ｃ
ｒとＢとの化合物相の面積率を測定した。その結果、実
施例１と同様に、本発明の範囲であるＣｒとＢとの化合
物相の面積率が４０％以下となる１１００℃、１０００
℃では５００ＭＰａ以上の高い抗折強度を示し、ＡＩＰ
による成膜テストでもターゲットにクラックは生じなか
った。
【００１５】
【発明の効果】従来、ＣｒとＢからなるＣｒターゲット
材は脆く割れ易いため、成膜速度を低下したり、Ｂ添加
量をやむなく低下したりしていたが、本発明のＣｒター
ゲット材は、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を特定値以
下に規制したため、スパッタリングあるいはＡＩＰの際
にクラックや破損等の障害がなくなり、高速の成膜が可
能となり、また、より高Ｂ含有量とすることが可能とな
った。
材は脆く割れ易いため、成膜速度を低下したり、Ｂ添加
量をやむなく低下したりしていたが、本発明のＣｒター
ゲット材は、ＣｒとＢとの化合物相の面積率を特定値以
下に規制したため、スパッタリングあるいはＡＩＰの際
にクラックや破損等の障害がなくなり、高速の成膜が可
能となり、また、より高Ｂ含有量とすることが可能とな
った。
【図１】Ｂ：２０at%のＣｒ−Ｂターゲット材のＣｒと
Ｂとの化合物相の面積率と抗折強度の関係を示す図であ
る。
Ｂとの化合物相の面積率と抗折強度の関係を示す図であ
る。
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｂを５ａｔ％以上含むＣｒを主成分とす
るターゲット材において、ＣｒとＢとの化合物相の面積
率が４０％以下であることを特徴とするＣｒターゲット
材。 - 【請求項２】 Ｃｒのうち、３０at％以下を等量のＶ、
Ｍｏの１種または２種で置換した請求項１のＣｒターゲ
ット材。 - 【請求項３】 請求項１または２のＣｒターゲット材の
製造方法であって、粉末材料を出発原料としてこれをＨ
ＩＰ法およびホットプレス法の少なくとも一種を用いて
１２００℃以下で圧密化することを特徴とするＣｒター
ゲット材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000904A JP2000199055A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000904A JP2000199055A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000199055A true JP2000199055A (ja) | 2000-07-18 |
| JP2000199055A5 JP2000199055A5 (ja) | 2006-02-02 |
Family
ID=11486678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000904A Pending JP2000199055A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000199055A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008214757A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 硬質被膜およびそれを用いた硬質被膜部材 |
| JP2009041106A (ja) * | 2008-09-08 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| US7955673B2 (en) | 2006-06-29 | 2011-06-07 | Kobe Steel, Ltd. | PVD cylindrical target |
| CN105925865A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 安泰科技股份有限公司 | 一种含硼合金靶材及其制备方法 |
| WO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP11000904A patent/JP2000199055A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7955673B2 (en) | 2006-06-29 | 2011-06-07 | Kobe Steel, Ltd. | PVD cylindrical target |
| JP2008214757A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-09-18 | Toshiba Corp | 硬質被膜およびそれを用いた硬質被膜部材 |
| JP2009041106A (ja) * | 2008-09-08 | 2009-02-26 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット |
| CN105925865A (zh) * | 2016-06-07 | 2016-09-07 | 安泰科技股份有限公司 | 一种含硼合金靶材及其制备方法 |
| WO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2018-07-19 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
| CN110168129A (zh) * | 2017-01-12 | 2019-08-23 | 日立金属株式会社 | 铬合金靶材 |
| JPWO2018131328A1 (ja) * | 2017-01-12 | 2019-11-07 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
| US11118248B2 (en) | 2017-01-12 | 2021-09-14 | Hitachi Metals, Ltd. | Cr alloy target material |
| JP7103233B2 (ja) | 2017-01-12 | 2022-07-20 | 日立金属株式会社 | Ｃｒ合金ターゲット材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20210237153A1 (en) | Sintered compact target and method of producing sintered compact | |
| JP4062583B2 (ja) | 切削工具用硬質皮膜およびその製造方法並びに硬質皮膜形成用ターゲット | |
| JP4112836B2 (ja) | 切削工具用硬質皮膜を形成するためのターゲット | |
| JP5967329B2 (ja) | 硬質皮膜、硬質皮膜被覆部材、それらの製造方法、及び硬質皮膜の製造に用いるターゲット及びその製造方法 | |
| SG173128A1 (en) | Sputtering target and process for producing same | |
| JP2009263717A (ja) | 硬質皮膜および硬質皮膜形成用ターゲット | |
| JP2008179892A (ja) | ＡｌＲｕスパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN106048380A (zh) | 一种高熵合金基复合涂层及其制备方法 | |
| CN111188016B (zh) | 一种高性能CrAlSiX合金靶材及其制备方法 | |
| CN112372165B (zh) | 一种靶材冷却背板的焊接方法 | |
| CN111778487A (zh) | 一种铬铝合金溅射靶材及其制备方法 | |
| JP4062582B2 (ja) | 切削工具用硬質皮膜およびその製造方法並びに硬質皮膜形成用ターゲット | |
| CN115058694A (zh) | 一种TiAlZr靶材及其制备方法 | |
| JP2901049B2 (ja) | アークイオンプレーティング用Ａｌ−Ｔｉ合金ターゲット材 | |
| JP4253169B2 (ja) | 耐摩耗性に優れた硬質皮膜とその製造方法、および切削工具並びに硬質皮膜形成用ターゲット | |
| JP2000199055A (ja) | Ｃｒタ―ゲット材およびその製造方法 | |
| JP2001279433A (ja) | 異常放電発生数が少ない純Ａｌターゲットの製造方法 | |
| JPH05195199A (ja) | 耐摩耗性、耐食性に優れた硼化物系超硬質コーティン グ薄膜の製造方法 | |
| JP2005177952A (ja) | 複合硬質皮膜被覆工具及びその製造方法 | |
| EP3951003B1 (en) | V alloy target | |
| EP4249628A1 (en) | Sputtering target and manufacturing method therefor | |
| CN114734048B (zh) | 一种高铬铝合金粉末的制备方法 | |
| EP3569731B1 (en) | Cr alloy target material | |
| WO2021241522A1 (ja) | 金属－Ｓｉ系粉末、その製造方法、並びに金属－Ｓｉ系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属－Ｓｉ系薄膜の製造方法 | |
| EP3951002B1 (en) | V alloy target |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051212 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051212 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080709 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080711 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090109 |