CZ298911B6 - Zpusob výroby zdroje odparování - Google Patents
Zpusob výroby zdroje odparování Download PDFInfo
- Publication number
- CZ298911B6 CZ298911B6 CZ20020669A CZ2002669A CZ298911B6 CZ 298911 B6 CZ298911 B6 CZ 298911B6 CZ 20020669 A CZ20020669 A CZ 20020669A CZ 2002669 A CZ2002669 A CZ 2002669A CZ 298911 B6 CZ298911 B6 CZ 298911B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- anode
- producing
- physical vapor
- aluminum
- sputtering
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title abstract description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 26
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000005242 forging Methods 0.000 claims description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical group [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 abstract 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 41
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000010410 dusting Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 1
- 238000009853 pyrometallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Vynález se týká zpusobu výroby zdroje odparování pro fyzikální nanášení parami. Zdroj odparování sestává z vlastní rozprašovací anody s hliníkovou složkou a z jedné nebo více dalších složek, jakož i ze zadní desky z materiálu lepší tepelné vodivostinež anoda. Podle vynálezu se zadní deska z práškovitého výchozího materiálu spolecne s práškovitýmisložkami rozprašovací anody v nad sebou navrstvených práškových frakcích lisuje a následne pretvárí.
Description
Způsob výroby zdroje odpařování
Oblast techniky
Vynález se týká způsobu výroby zdroje odpařování pro fyzikální nanášení z plynné fáze, sestávajícího z anody, která vedle jedné nebo více dalších složek obsahuje hliníkovou složku, a ze zadní desky z materiálu lepší tepelné vodivosti než anoda, spojené s anodou, přičemž se anoda zhotovuje lisováním směsi práškovitých jednotlivých složek zastudena a následným přetvářením při teplotách pod body tavení jednotlivých složek za tečení až k dosažení hustoty minimálně 98 % teoretické hustoty.
Dosavadní stav techniky
Rozprašovací anody (sputter target) pro fyzikální separaci páry se dnes ve velkém rozsahu používají k výrobě různých vrstev. Použití sahá od výroby proti opotřebení a proti korozi odolných potahů pro nejrůznější podkladové materiály, až k výrobě povrstvených materiálových vazeb, především v polovodičovém a elektronickém průmyslu. Na základě tohoto širokého spektra použití se musí odlučovat nejrůznější potahové materiály.
Problematické je, mají-li se současně naprašovat nejrůznější materiály, které by při tvorbě slitiny konvenčním způsobem tvořily křehké intermetalické fáze, takže se takové slitiny prakticky již nepřetvářejí zastudena nebo za tepla a mohou se také pouze s vysokými náklady obrábět řezáním. Výroba rozprašovacích anod z těchto slitin je proto velmi obtížná nebo dokonce nemožná.
K těmto problematickým materiálům patří například slitiny z hliníku a titanu a mohou se výhodným způsobem pouze již zmíněným způsobem zpracovávat na rozprašovací anody. Tento způsob je podrobně popsán v AT PS 388 752.
Rozprašovací anody se obecně upevňují v naprašovacím zařízení mechanicky na vodou chlazených měděných dosedech, aby se snížila povrchová teplota. Ve většině příkladů přitom rozprašovací anoda, zhotovená zcela z rozprašovaného materiálu, bezprostředně dosedá na měděném dosedu.
Protože se má rozprašovací anodou naprašovat pokud možno co nejvíce materiálu, je snaha o to, vyrábět rozprašovací anody s co největší konstrukční výškou. Přitom je však třeba přihlédnout k tomu, že není tepelný odpor rozprašovacích anod, stoupající se zvětšením konstrukční výšky, příliš velký, takže se může povrchová teplota rozprašovacích anod udržovat na přípustných hodnotách. Protože může mít velká část oprašovaných materiálů bud’ poměrně dobrou tepelnou vodivost, a/nebo relativně vysokou povrchovou teplotu, aniž by to vedlo k problémům, jsou běžná naprašovací zařízení přizpůsobena relativně velkým konstrukčním výškám rozprašovacích anod, přičemž se pak v těchto zařízeních mohou použít rozprašovací anody s menšími konstrukčními výškami jenom s velikými nevýhodami. Především hliník s vynikající tepelnou vodivostí se velmi často používá pro povrstvování technikou naprašování, takže je mnoho naprašovacích zařízení, především také ze strany konstrukční výšky rozprašovacích anod, přizpůsobeno dobré tepelné vodivosti hliníku. Problematické pak v těchto povrstvovacích zařízeních je, má-li se hliník oprašovat společně s materiály, které mají relativně špatnou tepelnou vodivost a které zároveň nesmějí mít při procesu naprašování příliš velké povrchové teploty, aby se zamezilo například nežádoucím reakcím mezi více složkami rozprašovacích anod. Tak se hliník často používá společně s titanem a popřípadě doplňkovými složkami pro povrstvování především v ochraně proti opotřebení.
U rozprašovacích anod z těchto materiálů již nepatrné podíly titanu značně zhoršují dobrou tepelnou vodivost hliníku. Tím u těchto rozprašovacích anod, jsou-li zhotoveny s konstrukčními
-1 CZ 298911 B6 výškami, upravenými běžně pro naprašovací zařízení, mohou při vysokých mírách nanášení vzniknout tak vysoké povrchové teploty, že dochází k exotermní reakci, která vede ke zničení anody.
Ale i jiné materiály, které se oprašují společně s hliníkem pomocí rozprašovací anody, mohou být kritické a činit problémy při procesu povrstvování. Pro elektronická použití se mohou použít například kombinace materiálů z hliníku s Ta, Nd nebo Y, zatímco pro optická a magnetická paměťová média se často používají kombinace materiálů z hliníku s Ni a Cr. Také v použitích směřujících k ochraně proti opotřebení, kde působí složky materiálu jako suchý mazací prostředek, vycházejí například kombinace materiálů z hliníku s Sn, Zn, Ag, W, Mo, často také ve spojení s doplňkovými podíly Ti.
Aby se u všech těchto kritických kombinací materiálu pokud možno zamezilo uvedeným problémům při povrstvování, musí se omezit rychlost odpadní páry, aby příliš nestoupla povrchová teplota. Možnost snížit povrchovou teplotu takto kritických rozprašovacích anod i při vysokých mírách nanášení, aniž by se měnila konstrukční výška, je opatřit část rozprašovacích anod v oblasti kontaktní zóny vodou chlazeným měděným dosedem se zadní deskou z dobře tepelně vodivého materiálu a pak tuto zadní desku mechanicky spojit s měděným dosedem. Způsoby výroby takových zdrojů odpařování, u nichž je zadní deska letováním nebo difúzní mikromontáží spojena s rozprašovací anodou, jsou popsány například ve WO 00/22185 nebo
US 5 397 050.
Nevýhodné u takto zhotovených zdrojů odpařování je, že může mezi rozprašovací anodou a zadní deskou vzniknout přechodová oblast horší tepelné vodivosti, která nezaručuje optimálně odvádění tepla od povrchu rozprašovací anody do zadní desky a pak dále do chlazeného měděného dosedu.
Protože již o několik stupňů vyšší teplota na povrchu rozprašovací anody dává nevýhody vzhledem k vlastnostem oprašování, mělo by takovým přechodovým oblastem se špatnou tepelnou vodivostí pokud možno zamezit.
Podstata vynálezu
Úkolem tohoto vynálezu proto je vytvořit způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální nanášení parami, u kterého je rozprašovací anoda, která obsahuje podíly hliníku, bez vytvoření přechodové oblasti horší tepelné vodivosti spojena se zadní deskou.
Podle vynálezu se toto dosahuje tím, že se zadní deska rovněž z práškovitého výchozího materiálu lisuje společně se složkami anody v na sobě navrstvených frakcích prášku a následně se přetváří.
Tímto způsobem se může zhotovit vynikající vazba mezi materiálem anody a zadní deskou, aniž by došlo k vytvoření přechodové oblasti se špatnou tepelnou vodivostí, takže se dociluje vynikajícího odvádění tepla od povrchu rozprašovací anody do zadní desky a pak do vodou chlazeného měděného dosedu. Protože jsou rozprašovací anody s vodou chlazeným dosedem zpravidla sešroubovány nebo sepnuty, je smysluplné úsek anody, který se již beztak nemůže oprašovat, vytvořit jako zadní desku, takže je při stejné konstrukční výšce ve srovnání s rozprašovacími anodami bez zadní desky k dispozici stejně efektivně odpařovatelný materiál. Aby se docílilo mimořádně dobrého spojení materiálu anody se zadní deskou, měla by anoda sestávat z minimálně 15 % atomů hliníku.
Rozprašovací anody, u nichž se může vynález realizovat mimořádně výhodným způsobem, jsou anody z 15 % atomů hliníku a 85 % atomů titanu.
-2CZ 298911 B6
Jako mimořádně výhodný materiál pro zadní desku zdroje odpařování se hodí čistý hliník, který má vynikající tepelnou vodivost. Protože je hliník poměrně měkký, může se mechanickým spojením s vodou chlazeným měděným dosedem dosáhnout dobrá přechodová oblast s nepatrným tepelným odporem. Kromě toho není škoda pro naprášenou vrstvu příliš velká, dojde-li nechtěně k proprášení nad materiál anody a tím se zároveň napráší jistý podíl zadní desky. Vedle hliníku jsou ale pro zadní desku vhodné také jiné materiály s dobrou tepelnou vodivostí, jako například měď.
Osvědčená metoda k tomu, aby se při přetváření výlisku docílilo tečení materiálu, je použití procesu kování v kovacím lisu.
Zhotovuje-li se anoda z hliníku-titanu, například 15 % atomů hliníku a 85 % atomů titanu, osvědčilo se provést proces kování při teplotě mezi 400 a 450 °C.
Průtlačné lisování je další metoda, jak co nejvýhodněji provádět přetváření výlisku za tečení materiálu. Výhoda této varianty způsobu výroby podle vynálezu spočívá v tom, že se od slisovaného protlačku mohou oddělit rozprašovací anody s různými konstrukčními výškami.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude blíže vysvětlen prostřednictvím konkrétního příkladu provedení znázorněného na výkresu, který představuje přechodovou oblast mezi materiálem rozprašovací anody a materiálem zadní desky ve stonásobném zvětšeni.
Příklady provedení vynálezu
Dále je vynález blíže vysvětlen na základě příkladů výroby.
Příklad 1
Kotoučovitý zdroj odpařování s průměrem 63 mm a celkovou výškou 32 mm, sestávající z 20 mm vysoké rozprašovací anody z 50 % atomů hliníku a 50 % atomů titanu a 12 mm vysoké zadní desky z hliníku, pevně spojené s rozprašovací anodou, byl vyroben následovně způsobem podle vynálezu. Hliníkový prášek a titanový prášek pro rozprašovací anodu s průměrnou velikostí zrna 30 pm byly smíšeny v rotačním míchači.
Ve dvoudílné lisovací matrici hydraulického lisu, která má vzhledem ke koncovým rozměrům zdroje odpařování dostatečný přesah, byla dolní část lisovací matrice nejdříve naplněna čistým hliníkovým práškem s 30 pm střední velikosti zrna a prášková náplň byla hladce rozetřena. Pak byla nasazena horní část lisovací matrice a naplněna smíšeným práškem hliník-titan, prášková směs byla opět hladce rozetřena a náplň matrice se zastudena slisovala na výlisek s 94 % jeho teoretické hustoty. Výlisek byl dohutněn v kovářském lisu s polootevřenou lisovnicí s teplotou lisovnice přibližně 200 °C v celkem pěti procesech za tečení, popř. zamíšení jednotlivých složek.
Výlisek byl k tomu před dohutněním a mezi jednotlivými zhutňovacími kroky v předehřívací peci uveden na teplotu mezi 400 a 450. Krátkými časy přetváření a nízkými teplotami přetváření nebyla třeba ochrana proti oxidaci, takže se dohutnění mohlo uskutečnit v neznámém stavu. Následně byl zdroj odpařování mechanickým zpracováním uveden na konečné rozměry. Byl zhotoven mikrosnímek struktury kovu přechodové oblasti mezi materiálem rozprašovací anody a materiálem zadní desky. Obrázek 1 znázorňuje tuto přechodovou oblast ve 100 násobném zvětšení. Je jasně vidět absolutně homogenní přechod mezi materiálem rozprašovací anody a materiálem zadní desky, aniž by bylo vidět vytvoření rušivé mezivrstvy se sníženou tepelnou vodivosti.
-3CZ 298911 B6
Příklad 2
Pro účely porovnání byl zhotoven kotoučovitý zdroj odpařování se stejnými rozměry jako v pří5 kladu 1. Na rozdíl od příkladu 1 sestává zdroj odpařování zcela z rozprašovací anody z 50 % atomů hliníku a 50 % atomů titanu a neobsahuje zadní desku z hliníku. Výroba rozprašovací anody se uskutečnila se stejnými výrobními parametry jako v příkladu 1.
Příklad 3
Pro účely porovnání byl zhotoven zdroj odpařování, sestávající z rozprašovací anody a zadní desky se stejnými rozměry a stejnými kombinacemi materiálu jako v příkladu 1. Na rozdíl od příkladu 1 nebyl zdroj odpařování zhotoven současným zpracováním práškovitých výchozích materiálů. Naopak byla zadní deska ve stejných rozměrech nezávisle na rozprašovací anodě vypracována z měděného polotovaru, zhotoveného pyrometalurgií, a pak za použití indiové mezivrstvy mikromontáží spojena s hotovou, práškovou metalurgií zhotovenou rozprašovací anodou, která byla zhotovena se stejnými výrobními parametry jako v příkladu 1.
Zdroje odpařování podle příkladů 1 a 3 byly zabudovány za sebou v ARC-odpařovacím zařízení a za stejných, obvykle využitých podmínek povrstvení s ARC-intenzitou proudu 60 A, což odpovídá tepelnému proudu 0,7 MW/m2, byly oprášeny a přitom byly určeny povrchové teploty jednotlivých rozprašovacích anod. Přitom byly po době oprašování přibližně 2 minuty dány tyto povrchové teploty:
Zdroj odpařování podle vynálezu, zhotovený podle příkladu 1, měl povrchovou teplotu 315 °C.
Rozprašovací anoda, zhotovená podle příkladu 2 bez zadní desky, měla nejvyšší povrchovou teplotu 420 °C.
Zdroj odpařování s mikromontáží napojenou zadní deskou, zhotovený podle příkladu 3, měl povrchovou teplotu 395 °C. Oproti příkladu 1 zjevně vyšší povrchová teplota i přes použití zadní desky se stejnými rozměry ukazuje jasně nanejvýš nevýhodné působení indiové mezivrstvy se sníženou tepelnou vodivostí, nutné pro mikromontáž.
Protože již o několik stupňů snížená povrchová teplota rozprašovací anody s sebou přináší výhody ve vlastnostech odprašování, je dána enormní výhoda zdroje odpařování podle vynálezu oproti zdrojům odpařování, dosud upraveným podle stavu techniky.
Claims (7)
- 40 PATENTOVÉ NÁROKY1. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální nanášení parami, sestávající z anody, která vedle jedné nebo více dalších složek obsahuje hliníkové složky, a ze zadní desky z materiálu lep45 ší tepelné vodivosti než anoda, spojené s anodou, přičemž se anoda zhotovuje lisováním směsi práškovitých jednotlivých složek zastudena a následným přetvářením při teplotách pod body tavení jednotlivých složek za tečení až k dosažení hustoty alespoň 98 % teoretické hustoty, vyznačující se tím, že se zadní deska rovněž z práškovitého výchozího materiálu společně se složkami anody v nad sebou navrstvených práškových frakcích lisuje a následně50 přetváří.-4CZ 29891ί B6
- 2. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle nároku 1, vyznačující se tím, že anoda sestává z alespoň 15 % atomů hliníku.
- 3. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle nároku 2, vyzná5 čující se t í m , že anoda jako druhou složku obsahuje 85 % atomů titanu.
- 4. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle některého z nároků 1 až3, vyznačující se tím, že se jako materiál pro zadní desku používá hliník.10
- 5. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle některého z nároků 1 až4, vyznačující se tím, že se přetváření uskutečňuje kováním v kovacích lisech.
- 6. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle nároku 3, vyznačující se tím, že se přetváření uskutečňuje kováním v kovacích lisech při teplotě mezi15 400 a 450°C.
- 7. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle některého z nároků 1 až 4, vyznačující se tím, že se přetváření uskutečňuje průtlačným lisováním.20 8. Způsob výroby zdroje odpařování pro fyzikální separaci páry podle nároku 3, vyznačující se t í m , že se přetvoření uskutečňuje přetvářením při průtlačném lisování při teplotě mezi 400 a 450 °C.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT0085100U AT4240U1 (de) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ2002669A3 CZ2002669A3 (cs) | 2002-08-14 |
| CZ298911B6 true CZ298911B6 (cs) | 2008-03-12 |
Family
ID=3501235
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ20020669A CZ298911B6 (cs) | 2000-11-20 | 2001-11-07 | Zpusob výroby zdroje odparování |
Country Status (21)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6908588B2 (cs) |
| EP (1) | EP1335995B1 (cs) |
| JP (1) | JP4226900B2 (cs) |
| KR (1) | KR100775140B1 (cs) |
| CN (1) | CN1268780C (cs) |
| AT (2) | AT4240U1 (cs) |
| AU (1) | AU775031B2 (cs) |
| BG (1) | BG64450B1 (cs) |
| CA (1) | CA2375783C (cs) |
| CZ (1) | CZ298911B6 (cs) |
| DE (1) | DE50103914D1 (cs) |
| DK (1) | DK1335995T3 (cs) |
| ES (1) | ES2227293T3 (cs) |
| HR (1) | HRP20020100B1 (cs) |
| HU (1) | HU225577B1 (cs) |
| MX (1) | MXPA02001478A (cs) |
| MY (1) | MY128636A (cs) |
| PL (1) | PL199272B1 (cs) |
| RS (1) | RS49852B (cs) |
| SI (1) | SI1335995T1 (cs) |
| WO (1) | WO2002040735A1 (cs) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100441733C (zh) * | 2004-03-30 | 2008-12-10 | 株式会社延原表 | 蒸镀工序用喷嘴蒸发源 |
| CN101052739A (zh) * | 2004-11-18 | 2007-10-10 | 霍尼韦尔国际公司 | 形成三维物理汽相沉积靶的方法 |
| DE102004060423B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
| DE102006003279B4 (de) * | 2006-01-23 | 2010-03-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit hochschmelzender Phase |
| US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
| US8778987B2 (en) * | 2007-03-13 | 2014-07-15 | Symrise Ag | Use of 4-hydroxychalcone derivatives for masking an unpleasant taste |
| US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
| US20100140084A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Chi-Fung Lo | Method for production of aluminum containing targets |
| AT12021U1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-09-15 | Plansee Se | Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung |
| US10138544B2 (en) | 2011-06-27 | 2018-11-27 | Soleras, LTd. | Sputtering target |
| US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
| JP6567048B2 (ja) | 2014-06-27 | 2019-08-28 | プランゼー コンポジット マテリアルズ ゲーエムベーハー | スパッタリングターゲット |
| AT14497U1 (de) * | 2015-01-26 | 2015-12-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Beschichtungsquelle |
| JP6728839B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-07-22 | 大同特殊鋼株式会社 | プレス成形品の製造方法およびスパッタリングターゲット材 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169307A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Ｗ又はＷ合金／Ｍｏ又はＭｏ合金張り合わせ材料の製造方法 |
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
| US5963778A (en) * | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
| US6042777A (en) * | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
| US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
| JPS60194070A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | スパツタリングタ−ゲツト |
| AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
| JPH0196068A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
| JPH0741304B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1995-05-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 高Ａ１含有Ｔｉ合金の熱間押出方法 |
| US5342571A (en) * | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
| JPH06128738A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US5397050A (en) * | 1993-10-27 | 1995-03-14 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby |
| US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| FR2756572B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-01-08 | Pechiney Aluminium | Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques |
| JP3946298B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2007-07-18 | 本田技研工業株式会社 | セラミックス−金属傾斜機能材およびその製造方法 |
| US6010583A (en) | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
| JPH11106904A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-20 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US6579431B1 (en) * | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
| JPH11200030A (ja) | 1998-01-20 | 1999-07-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリングターゲット用バッキングプレート |
| US6183686B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
| US6328927B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-12-11 | Praxair Technology, Inc. | Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets |
| JP2000273623A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Japan Energy Corp | Ｔｉ−Ａｌ合金スパッタリングターゲット |
-
2000
- 2000-11-20 AT AT0085100U patent/AT4240U1/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-06 MY MYPI20015103A patent/MY128636A/en unknown
- 2001-11-07 EP EP01980044A patent/EP1335995B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 HU HU0301848A patent/HU225577B1/hu not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 AT AT01980044T patent/ATE278050T1/de active
- 2001-11-07 SI SI200130263T patent/SI1335995T1/xx unknown
- 2001-11-07 CA CA002375783A patent/CA2375783C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-07 WO PCT/AT2001/000349 patent/WO2002040735A1/de active IP Right Grant
- 2001-11-07 KR KR1020027004639A patent/KR100775140B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 DK DK01980044T patent/DK1335995T3/da active
- 2001-11-07 ES ES01980044T patent/ES2227293T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 AU AU11982/02A patent/AU775031B2/en not_active Ceased
- 2001-11-07 JP JP2002543043A patent/JP4226900B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 HR HR20020100A patent/HRP20020100B1/xx not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 CN CNB018030033A patent/CN1268780C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 MX MXPA02001478A patent/MXPA02001478A/es active IP Right Grant
- 2001-11-07 PL PL355115A patent/PL199272B1/pl unknown
- 2001-11-07 DE DE50103914T patent/DE50103914D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 RS YUP-445/02A patent/RS49852B/sr unknown
- 2001-11-07 CZ CZ20020669A patent/CZ298911B6/cs not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-31 BG BG106371A patent/BG64450B1/bg unknown
- 2002-06-12 US US10/167,787 patent/US6908588B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63169307A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Tokyo Tungsten Co Ltd | Ｗ又はＷ合金／Ｍｏ又はＭｏ合金張り合わせ材料の製造方法 |
| US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
| US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
| US5963778A (en) * | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
| US6042777A (en) * | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2002040735A1 (de) | 2002-05-23 |
| ATE278050T1 (de) | 2004-10-15 |
| EP1335995A1 (de) | 2003-08-20 |
| AU775031B2 (en) | 2004-07-15 |
| MXPA02001478A (es) | 2002-09-23 |
| ES2227293T3 (es) | 2005-04-01 |
| JP4226900B2 (ja) | 2009-02-18 |
| HU225577B1 (en) | 2007-03-28 |
| AT4240U1 (de) | 2001-04-25 |
| CN1268780C (zh) | 2006-08-09 |
| PL199272B1 (pl) | 2008-09-30 |
| CZ2002669A3 (cs) | 2002-08-14 |
| US20020155016A1 (en) | 2002-10-24 |
| HUP0301848A2 (en) | 2003-09-29 |
| BG64450B1 (en) | 2005-02-28 |
| CA2375783C (en) | 2007-05-08 |
| HRP20020100B1 (hr) | 2010-11-30 |
| SI1335995T1 (en) | 2005-06-30 |
| JP2004513244A (ja) | 2004-04-30 |
| EP1335995B1 (de) | 2004-09-29 |
| MY128636A (en) | 2007-02-28 |
| CA2375783A1 (en) | 2002-05-20 |
| KR100775140B1 (ko) | 2007-11-12 |
| CN1392904A (zh) | 2003-01-22 |
| DE50103914D1 (de) | 2004-11-04 |
| DK1335995T3 (da) | 2005-01-31 |
| US6908588B2 (en) | 2005-06-21 |
| YU44502A (sh) | 2005-03-15 |
| AU1198202A (en) | 2002-05-27 |
| PL355115A1 (en) | 2004-04-05 |
| HRP20020100A2 (en) | 2003-12-31 |
| BG106371A (en) | 2002-08-30 |
| RS49852B (sr) | 2008-08-07 |
| KR20020074145A (ko) | 2002-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5376952B2 (ja) | モリブデン−チタンスパッタリングプレートおよびターゲットの製造法 | |
| CZ298911B6 (cs) | Zpusob výroby zdroje odparování | |
| JP5006030B2 (ja) | 粉末冶金スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| US8702919B2 (en) | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof | |
| US6521173B2 (en) | Low oxygen refractory metal powder for powder metallurgy | |
| KR100762084B1 (ko) | 동 또는 동합금 타겟트/동합금 백킹 플레이트 조립체 | |
| KR100755724B1 (ko) | 고밀도 금속간 스퍼터 타겟의 제조방법 | |
| JPH0830269B2 (ja) | 陰極スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 | |
| CN110539067A (zh) | 一种高纯铜靶材的扩散焊接方法 | |
| US20120228131A1 (en) | Method for consolidating and diffusion-bonding powder metallurgy sputtering target | |
| CN1802450B (zh) | 靶/靶座结构和形成靶/靶座结构的方法 | |
| RU2707375C2 (ru) | Источник для нанесения покрытия | |
| JP2008038249A (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
| JPH1150242A (ja) | 電極膜形成用Ｃｕ系スパッタリングターゲットおよびその製造方法ならびにＣｕ系電極膜 | |
| JP2008255440A (ja) | ＭｏＴｉ合金スパッタリングターゲット材 | |
| JP4578704B2 (ja) | Ｗ−Ｔｉターゲット及びその製造方法 | |
| CN100567560C (zh) | 嵌套式溅射靶及其制造方法 | |
| CN103266235A (zh) | 一种在高压强条件下铝硅粉末的固相合金化方法 | |
| JPS63286537A (ja) | 粒子分散型複合材料の製造法 | |
| CN108018463A (zh) | 一种在金属材料表面镀膜获得耐高温涂层的铝钛钨三元合金靶材及其制备方法 | |
| CN104928539A (zh) | 一种钒铝硅三元合金靶材及其制备方法 | |
| TW588115B (en) | Process for the production of a vaporizing source | |
| JP2005139539A (ja) | マグネシウム化合物被膜を有する金属材料、スパッタリング用ターゲット部材、スパッタリング用ターゲット部材の製造方法およびマグネシウム化合物被膜の形成方法 | |
| US20220415631A1 (en) | Modular sputtering target with precious metal insert and skirt | |
| JP2017095781A (ja) | Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20211107 |