CZ2002669A3 - Způsob výroby zdroje odpařování - Google Patents
Způsob výroby zdroje odpařování Download PDFInfo
- Publication number
- CZ2002669A3 CZ2002669A3 CZ2002669A CZ2002669A CZ2002669A3 CZ 2002669 A3 CZ2002669 A3 CZ 2002669A3 CZ 2002669 A CZ2002669 A CZ 2002669A CZ 2002669 A CZ2002669 A CZ 2002669A CZ 2002669 A3 CZ2002669 A3 CZ 2002669A3
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- anode
- physical
- producing
- evaporation source
- sputtering
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
- B22F7/08—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools with one or more parts not made from powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/3491—Manufacturing of targets
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F7/00—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression
- B22F7/06—Manufacture of composite layers, workpieces, or articles, comprising metallic powder, by sintering the powder, with or without compacting wherein at least one part is obtained by sintering or compression of composite workpieces or articles from parts, e.g. to form tipped tools
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
Rozprašovací anody (sputter- target separaci páry se dnes ve velkém rozsahu poú různých vrstev. Použití sahá od výroby pro proti korozi odolných potahů pro nejrůzn materiály, až k výrobě povrstvených mater především v polovodičovém a '„elektronické: základě tohoto širokého spektra použití se nejrůznější potahové materiály.
pro fyzikální žívají k výrobě ti opotřebení.· a ější podkladové iálových Vazeb, průmyslu. Na musí odlučovat
Problematické je, mají-li nejrůznější materiály, které konvenčním způsobem tvořily křehké inter: takže se takové slitiny prakticky;již nepřet se soucá by při sné naprašovat tvorbě slitiny metalické fáze, vářejí zastudena
83534 (83534a)
PV 2002 - 669 • · • · fc · · · » * · ftfcfcfc ·» • · fcfcfcfc nebo zatepla a mohou se také pouze s v obrábět řezáním. Výroba rozprašovacích anod je proto velmi obtížná nebo dokonce nemožná.
ysokými náklady z těchto slitin
K těmto problematickým 1 materiálům patří · například slitiny z hliníku a titanu a mohou se výhodným způsobem pouze již zmíněným způsobem zpracovávat na rozprašovací anody. Tento způsob je podrobně popsán v AT PS 388 752.
Rozprašovací anody se obecně upevňují zařízení mechanicky na vodou ’chlazených mě aby se snížila povrchová teplota. Ve většině rozprašovací anoda, zhotovená zcela z materiálu, bezprostředně dosedá na měděném do
v. naprasovacim děných dosedech, příkladů přitom rozprašovaného sedu.
Protože se má pokud možno co nejvíce materiálu oprašovat rozprašovací anodou,' je snaha to, vyrábět rozprašovací anody s co největší konstrukční výškou. Přitom je však třeba přihlédnout k' tomu, že nen í tepelný odpor rozprašovacích anod, stoupající se zvětšením konstrukční výšky, příliš velký, takže- se může povrchová teplota rozprašovacích anod udržovat, na přípustných, hodnotách. Protože může mít velká část', oprašovaných materiálů buď poměrně dobrou tepelnou -vodivost a/nebo relativně' vysokou povrchovou teplotu, aniž by tó vedlo k problémům, jsou běžná naprašovací zařízení přizpůsobena relativně velkým konstrukčním výškám rozprašovacích anod, p těchto zařízeních mohou použít rozprašovací řičemž se pák v anody s menšími konstrukčními výškami jenom sivelikými nevýhodami. Především hliník s vynikající tepelnou vodivostí používá pro povrstvování technikou napbaš mnoho naprašovacích zařízeni/ především konstrukční výšky rozprašovacích anod, př se velmi často ování, takže je také ze. strany i způsobeno dobré
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
-·3 » 6 i.·-· · hL · · ·· • · · « tepelné vodivosti hliníku. Problematické povrstvovacích zařízeních je, má-li sé společně s materiály,, které mají relativně vodivost a které zároveň nesmějí mít při pro příliš velké povrchové teploty, aby se žam nežádoucím reakcím mezi více složkami rozpr Tak se hliník často používá společně s tite.
doplňkovými složkami pro povrstvování předp proti opotřebení.
pak v těchto iník oprašovat Špatnou tepelnou cesu naprašování ezilo například ašovacích. anod.
nem a popřípadě vším v .ochraně.
U rozprašovacích anod z Těchto materiálů již nepatrné podíly titanu značně zhoršují· dobrou tepelnou vodivost hliníku. Tím u těchto rozprašovacích anod,' j s konstrukčními výškami, upravenými běžně zařízení, mohou při vysokých 'mírách nanášer sou-li zhotoveny pro naprašovací í vzniknout tak vysoké povrchové teploty, ..že: dochází í která vede ke zničení anody. t , k exotermní reakci, sují společně s být kritické a
Ale i jiné materiály, které se opra hliníkem pomocí rozprašovací ' anody, mohou činit problémy při procesu povrstvování. Éro elektronická použití se mohou použít například kombinace ' materiálů z hliníku s Ta, Nd nebo Y, zatímco pro optická a magnetická
1' . , >
.paměťová média se často ’ používají kombinace materiálů z . hliníku s Ni a Cr. Také v použitích směřujících k ochraně proti opotřebení, kde působí -složky mater;
mazací prostředek, vycházejí například kombinace materiálů z hliníku s Sn, Zn, Ag, W, Mo, často také ve spojení s doplňkovými podíly Ti. ;
Aby se u všech těchto kritických ko pokud možno zamezilo uvedeným problémům; p musí se omezit rychlost odpadní páry, aby mbinací materiálu ři povrstvování, příliš nestoupla
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
I··· ·· • 4 ···· t · «4 44 u teplotu takto vysokých mírách povrchová teplota. Možnost snížit povrchóvo kritických rozprašovacích anod i při nanášení, aniž by se měnila konstrukční výška, je opatřit :tní zóny vodou z dobře tepelně echanicky spojit takových zdrojů část rozprašovacích anod v oblasti konta, chlazeným měděným dosedem se zadní deskou vodivého materiálu a pak tuto zadní desku: m( s měděným dosedem. Způsoby výroby odpařování, u nichž je zadní deska letován: mikromontáží spojena s rozprašovací anodou, jsou popsaný například ve WO 00/22185 nebo US 5. 397 050.
ím nebo difuzní od
Nevýhodné u takto zhotovených zdrojů) může mezi rozprašovací anodou. ,a zadní přechodová oblast horší tepelné vodivosti., optimálně odvádění tepla od ^povrchu rozprš, zadní desky a pak dále do chlazeného měděného
c.
párováni je, ze eskou ' vzniknout <terá nezaručuje šovací anody do dosedu.
teplot a na povrchu k vlastnostem astem se špatnou
Protože již o několik stupňů vyšší rozprašovací anody dává nevýhody vzhledem oprašování, mělo by takovým přechodovým obl tepelnou vodivostí pokud možno zamezit.
Podstata vynálezu it způsob výroby ry, u kterého je y hliníku, bez ýodivosti spojena
Úkolem tohoto vynálezu proto'je vytvo zdroje odpařování pro fyzikální separaci ’pá rozprašovací anoda, která . obsahuje podí vytvoření přechodové oblasti horší tepelné se zadní deskou. ‘
Podle vynálezu se toto dosahuje tím,, :
·) rovněž z práškovitého výchozího materiálu’ 1 e se zadní deska .suje společně se
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
- 5 o ·«·« složkami anody v na sobě navrstvených fra[ následně se přetváří.
kcích prášku a.
Tímto způsobem se může zhotovit vynikající vazba mezi materiálem anody a zadní deskou, aniž by doj přechodové oblasti se špatnou tepelnou vqdi šlo k vytvoření Ivostí, takže sedociluje vynikajícího odvádění tepla od povrchu rozprašovací zeného měděného vodou chlazeným , je smysluplné anody do zadní desky a pak. do vodou chlc dosedu. Protože jsou rozprašovací anody s dosedem zpravidla sešroubovány nebo sepnuty, úsek anody, který se již beztak nemůže oprašovat, vytvořit jako zadní desku, takže je při stejné konstrukční' výšce ve srovnání s rozprašovacími anodami bez zadní desky k dispozici stejně efektivně odpařovatelný materiál. .Aby se docílilo mimořádně dobrého spojení.materiálu anody se zadní deskou, měla by anoda sestávat z minimálně 15 % atomů hliníku. .
Rozprašovací anody., u nichž se může v mimořádně výhodným způsobem, jsou anody z a 85 % atomů titanu.
yjnález realizovat atomů hliníku dní desku zdroje má vynikající ě měkký, ;může se měděným dosedem
Jako mimořádně výhodný materiál pro za odpařování se hodí čistý . ..hliník, který tepelnou vodivost. Protože je hliník poměrn mechanickým spojením s vodou chlazeným dosáhnout dobrá přechodová i oblast s nepatrným tepelným odporem. Kromě toho není škoda pro naprášenou vrstvu příliš velká, dojde-li nechtěně k proprášení nad materiál anody a tím se zároveň napráší . jistý podíl zadní desky. Vedle hliníku jsou ale pro zadní desku vhodné ta s dobrou tepelnou vodivostí, jako například ké jiné materiály měď. . '
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
- 6 ·· ····
Osvědčená, metoda k tomu, aby se při přé docílilo tečení materiálu, je použití pro kovacím lisu.
tváření výlisku ceSu kování v
Zhotovuje-li se anoda z hliníku-ti 15 % atomů hliníku a 85 % atomů titanu, osyěd proces kování při teplotě mezii400 °C a 450 anu, například čilo se provést
C.
Průtlačné lisování je další metoda, jak co nejvýhodněji provádět přetváření výlisku za tečení materiálu. Výhoda.této varianty způsobu výroby podle vynálezu spočívá v tom, že se od slisovaného protlačku mohou -oddělit rozprašovací anody s různými konstrukčními výškami.,1
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude blíže ; vysvětlen konkrétního příkladu provedení, znázorněného] kterém představuje přechodovou oblast rozprašovací anody a materiálem zadní de|s $ ’ 11 zvětšení. ‘ ký prostřednictvím na výkresu, na hezi materiálem ve stonásobném
Příklady provedení vynálezu
Dále je vynález blíže .vysvětlen na výroby. * ‘ .
Příklad 1:
Kotoučovitý zdroj, odpařování s celkovou výškou 32 mm, sestávající rozprašovací anody z 50 % atomů hliníku a základě příkladů úměrem 63 mm a 20 mm vysoké % atomů titanu
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
«.fl flfl·· • fl ···· pevne spojene s způsobem- podle ý prášek pro zrna 30 μπι byly a 12 mm vysoké zadní desky z hliníku, rozprašovací anodou, byl vyroben následovně vynálezu. Hliníkový prášek a titanov rozprašovací anodu s průměrnou velikostí smíšeny v rotačním míchači.
Ve dvoudílné lisovací matrici hydraulic má vzhledem ke koncovým rozměrům zdroje dostatečný přesah, byla dolní část lisovací naplněna čistým hliníkovým práškem s 30 μιή s zrna a prášková náplň byla ;hladce rozetřena. Pak byla nasazena horní část lisovací matrice a naplněna smíšeným práškem hliník-titan, prášková směs byla opět hladce kého lisu, která <
odpařování matrice nejdříve třední. velikosti ovala na výlisek byl dohutněn V cí s teplotou.
rozetřena a náplň matrice se :zástudena. slis s 94 % jeho teoretické hustoty. .Výlisek kovářském lisu s polootevřenou lisovní lisovnice přibližně 200° v célkem pěti procesech za tečení, popř. zamísení jednotlivých složek:. Výlisek dohutněním a mezi jednotlivými zhutňox předehřívací peci uveden . na teplotu mez byl k tomu před ,'acimi ί 400° kroky v a 450°.
Krátkými časy přetváření a nízkými teplotami přetváření nebyla třeba ochrana proti oxidaci, takže se dohutnění mohlo uskutečnit v neznámém stavu.' Následně byl zdroj odpařování mechanickým zpracováním uveden, na konečné rozměry. Byl ové oblasti mezi em zadní desky.
zhotoven mikrosnímek struktury kovu přechode materiálem rozprašovací ' anody a . materiál:
Obrázek 1 znázorňuje tuto přechodovou oblast ve 100 násobném zvětšení. Je jasně vidět' absolutně homojgenní přechod mezi materiálem rozprašovací anody a materiálem
j. i by bylo vidět vytvoření rušivé mezivts tepelnou vodivostí.
sadní desky, aniž vy se sníženou
Příklad 2:
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
Pro účely porovnání byl zhotoven ko
9 9 I· ··
I .♦ < 9 ♦ '99 9 » 9 ·· --. '· '9 ’ *.
toučovitý zdroj odpařování se stejnými rozměry, jako v příkladu 1. Na rozdíl od příkladu 1 sestává zdroj odpařování zcěl.á z rozprašovací anody z 50 % atomů hliníku a 50 % atomů titanu a neobsahuje zadní desku z hliníku.
se stejnými
Výroba rozprašovací anody se výrobními parámetry jako, , v uskutečnila příkladu 1.
Příklad 3:
Pro účely porovnání byl . zhotoven zdroj odpařování, sestávající z rozprašovací, anody a zadní došky se stejnými rozměry a stejnými kombinacemi materiálu jaro v příkladu 1. Na rozdíl od příkladu 1 neby.1 zdroj, odpařování zhotoven současným zpracováním práškovitých výčho zích materiálů.
Naopak byla zadní deska ve stejných rozmjěrpch nezávisle ná *· , rozprašovací anodě vypracována .‘z měděný zhotoveného mezivrstvy metalurgií pyrometalurgií/ , a· pak ' mikromontáží . spojena s zhotovenou rozprašovací zhotovena se stejnými výrobními/parametry ja ého polotovaru, za jpoužití, indiové hptpvou, práškovou anpdóu, 'která byla ko v příkladu 1..
byly zabudovány tejných,' obvykle tou proudu 60 A, byly oprášeny a
Zdroje odpařování podle příkladů 1· a 3 za sebou v ARC-odpařovacím_zářízení a za si využitých podmínek povrstvení s ARC-interízi1 Což odpovídá tepelnému proudu 0,7 MW/m2> přitom byly určeny povrchové teploty jednotlivých rozprašovacích anod. Přitom .byly po; době oprašováni přibližně 2 minuty dány tyto povrchové teplol
Zdroj odpařování podle, vynálezu, ΐ
příkladu 1, měl povrchovou, teplotu 315 °C.: í
Rozprašovací anoda, zhotovená podle zadní desky, měla nejvyšší povrchovou teplotu 420 °C.
ty:
zhotovený podle příkladu 2 bez
83534 (83534a)
PV 2002 - 669 u zadní deskou, teplotu 395 °C. teplota i přes ukazuje jasně tvy se sníženou
Zdroj odpařování s mikromontáží napoj enc zhotovený podle příkladu 3,· měl povrchovdu Oproti příkladu 1 zjevně . vyšší povrchová použití zadní desky se stejnými rozměry nanejvýš nevýhodné působení indiové meziýr.s tepelnou vodivostí, nutné pro mikromontáž.(
Protože již o několik stupňů, snížená povrchová- teplota anody s sebou přináší' výhody je dána. enormní výhoda, zdroje vynálezu oproti zdrojům odpařování,, dosud stavu techniky.
.Zastupuje:
Dr.. Miloš Všete rozprašovací odprašování, ve vlastnostech bdpařování podle upraveným, podle čka v.r, i-
83534 (83534a)
PV 2002 - 669
Claims (8)
- PATENTOVÉ NÁROKYJUDr. Miloš Všetečka advokát120 00 Praha 2, Hálkova 2 » · a • aia. taJO • +·, - a > 9 9 9 .9 /9 9 9 £ a · a aa a*aa » a 9 á'<\. . 9 9 <1. Způsob výroby z e ·odpařování pro fyzikální separaci páry, sestávající ' z 'anody, která vedle jedné nebo žky, a' ze zadní ž anoda, spojené lisováním směsi více dalších složek obsahuje^ hliníkové s]lo desky z materiálu lepší tepelpé vodivosti ;ne: s anodou, přičemž se anoda 'zhotovuje' práškovitých jednotlivých .ůsložák^; zastudeAa a následným přetvářením při teplotách i jtacF body tavení -.jednotlivých složek za tečení až . k cosažení hustfotí;teoretické hustoty, vyzna ču j í cí se t deska rovněž z práškovitého výchozího mater:•i * složkami anody v nad sebou na-vrstvených prá: lisuje a následně přetváří.../ y , alespoň ‘ .'98 i £ m, ,žé se zadní iálu? společně se škových frakcích
- 2. Způsob výroby zdroje · odpařování separaci páry podle nároku 1, vyznačují anoda sestává z alespoň 15/atomů hliníků.pro ' fyzikální ί, se tím, ie
- 3. Způsob výroby ' zdroje ' odpařováni separaci páry podle nároku-‘2, vy z n a č u j í anoda jako druhou složku obsahuje 85 % atomu titanu..pro fyzikální cí se tím, že
- 4. Způsob výroby zdřcjě odpařováni pro fyzikální separaci páry podle některého z nářoků 1- až 3, vyzná č u jící se tím, že sě j ako ima desku používá hliník.teriál. prc žádni i pro fyzikální :oků . 1 až '4, t ím ·, i ze se přetváření uskutečňuje
- 5. Způsob výroby zdroje odpařoyán separaci páry podle některého z ná vy znacujicr16 83534 (83534a)PV 2002 - 669 <4» ·*- -, η ·'« . ·* » · • * ♦ · f • . '♦ · .· ϊ · « ft ft, · ft' ft ft ft · ' · * *'.ft ♦ ♦• $ • * • · » ···· kováním v kovacích lisech. ‘
- 6. Způsob výroby zdroje odpařování separaci páry podle nároku 3, vyznačujíc se přetváření uskutečňuje kováním v koya teplotě mezi 400 °C a 450 °C. ' . ' pro fyzikální í se ť í m , že ích lisech při
- 7. Způsob výroby .zdroje * odpařování separaci páry vyznačující podle některého' se t ím , . že se pro fyzikální z nároků 1'; a;ž. i-4,.· přetváření uskutečňujé průtlačným lisováním.
- 8. Způsob výroby zdroje odpařování separaci páry podle nároku 3, . vyznačuj í se přetvoření uskutečňuje j přetvářením lisování při teplotě mezi ,4.00 ;°C a 450 °C.'pro fyzikální ' i ‘‘ -f ' í se tíhl, žě při průtlačném
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0085100U AT4240U1 (de) | 2000-11-20 | 2000-11-20 | Verfahren zur herstellung einer verdampfungsquelle |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CZ2002669A3 true CZ2002669A3 (cs) | 2002-08-14 |
CZ298911B6 CZ298911B6 (cs) | 2008-03-12 |
Family
ID=3501235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CZ20020669A CZ298911B6 (cs) | 2000-11-20 | 2001-11-07 | Zpusob výroby zdroje odparování |
Country Status (21)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6908588B2 (cs) |
EP (1) | EP1335995B1 (cs) |
JP (1) | JP4226900B2 (cs) |
KR (1) | KR100775140B1 (cs) |
CN (1) | CN1268780C (cs) |
AT (2) | AT4240U1 (cs) |
AU (1) | AU775031B2 (cs) |
BG (1) | BG64450B1 (cs) |
CA (1) | CA2375783C (cs) |
CZ (1) | CZ298911B6 (cs) |
DE (1) | DE50103914D1 (cs) |
DK (1) | DK1335995T3 (cs) |
ES (1) | ES2227293T3 (cs) |
HR (1) | HRP20020100B1 (cs) |
HU (1) | HU225577B1 (cs) |
MX (1) | MXPA02001478A (cs) |
MY (1) | MY128636A (cs) |
PL (1) | PL199272B1 (cs) |
RS (1) | RS49852B (cs) |
SI (1) | SI1335995T1 (cs) |
WO (1) | WO2002040735A1 (cs) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100441733C (zh) * | 2004-03-30 | 2008-12-10 | 株式会社延原表 | 蒸镀工序用喷嘴蒸发源 |
KR20070091274A (ko) * | 2004-11-18 | 2007-09-10 | 허니웰 인터내셔널 인코포레이티드 | 3차원 pvd 타겟의 형성 방법 |
DE102004060423B4 (de) * | 2004-12-14 | 2016-10-27 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Rohrtarget und dessen Verwendung |
DE102006003279B4 (de) * | 2006-01-23 | 2010-03-25 | W.C. Heraeus Gmbh | Sputtertarget mit hochschmelzender Phase |
US20070251819A1 (en) * | 2006-05-01 | 2007-11-01 | Kardokus Janine K | Hollow cathode magnetron sputtering targets and methods of forming hollow cathode magnetron sputtering targets |
US8778987B2 (en) * | 2007-03-13 | 2014-07-15 | Symrise Ag | Use of 4-hydroxychalcone derivatives for masking an unpleasant taste |
US8702919B2 (en) * | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
US20100140084A1 (en) * | 2008-12-09 | 2010-06-10 | Chi-Fung Lo | Method for production of aluminum containing targets |
AT12021U1 (de) * | 2010-04-14 | 2011-09-15 | Plansee Se | Beschichtungsquelle und verfahren zu deren herstellung |
CN103814151B (zh) | 2011-06-27 | 2016-01-20 | 梭莱有限公司 | Pvd靶材及其铸造方法 |
US9992917B2 (en) | 2014-03-10 | 2018-06-05 | Vulcan GMS | 3-D printing method for producing tungsten-based shielding parts |
KR20180135120A (ko) | 2014-06-27 | 2018-12-19 | 플란제 콤포지트 마테리얼스 게엠베하 | 스퍼터링 타겟 |
AT14497U1 (de) * | 2015-01-26 | 2015-12-15 | Plansee Composite Mat Gmbh | Beschichtungsquelle |
JP6728839B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2020-07-22 | 大同特殊鋼株式会社 | プレス成形品の製造方法およびスパッタリングターゲット材 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4126451A (en) * | 1977-03-30 | 1978-11-21 | Airco, Inc. | Manufacture of plates by powder-metallurgy |
JPS60194070A (ja) | 1984-03-16 | 1985-10-02 | Tokuyama Soda Co Ltd | スパツタリングタ−ゲツト |
AT388752B (de) * | 1986-04-30 | 1989-08-25 | Plansee Metallwerk | Verfahren zur herstellung eines targets fuer die kathodenzerstaeubung |
JPS63169307A (ja) * | 1987-01-06 | 1988-07-13 | Tokyo Tungsten Co Ltd | W又はW合金/Mo又はMo合金張り合わせ材料の製造方法 |
JPH0196068A (ja) * | 1987-10-07 | 1989-04-14 | Nippon Chemicon Corp | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
JPH0741304B2 (ja) * | 1990-03-13 | 1995-05-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 高A1含有Ti合金の熱間押出方法 |
US5342571A (en) * | 1992-02-19 | 1994-08-30 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing sputtering target for deposition of titanium, aluminum and nitrogen coatings, sputtering target made thereby, and method of sputtering with said targets |
JPH06128738A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Mitsubishi Kasei Corp | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US5397050A (en) * | 1993-10-27 | 1995-03-14 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding tungsten titanium sputter targets to titanium plates and target assemblies produced thereby |
US5656216A (en) * | 1994-08-25 | 1997-08-12 | Sony Corporation | Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope) |
US6073830A (en) * | 1995-04-21 | 2000-06-13 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5836506A (en) * | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
US5863398A (en) * | 1996-10-11 | 1999-01-26 | Johnson Matthey Electonics, Inc. | Hot pressed and sintered sputtering target assemblies and method for making same |
FR2756572B1 (fr) | 1996-12-04 | 1999-01-08 | Pechiney Aluminium | Alliages d'aluminium a temperature de recristallisation elevee utilisee dans les cibles de pulverisation cathodiques |
US5963778A (en) | 1997-02-13 | 1999-10-05 | Tosoh Smd, Inc. | Method for producing near net shape planar sputtering targets and an intermediate therefor |
JP3946298B2 (ja) * | 1997-03-25 | 2007-07-18 | 本田技研工業株式会社 | セラミックス−金属傾斜機能材およびその製造方法 |
US6010583A (en) | 1997-09-09 | 2000-01-04 | Sony Corporation | Method of making unreacted metal/aluminum sputter target |
JPH11106904A (ja) * | 1997-09-29 | 1999-04-20 | Riyouka Massey Kk | スパッタリングターゲットの製造方法 |
US6579431B1 (en) * | 1998-01-14 | 2003-06-17 | Tosoh Smd, Inc. | Diffusion bonding of high purity metals and metal alloys to aluminum backing plates using nickel or nickel alloy interlayers |
JPH11200030A (ja) | 1998-01-20 | 1999-07-27 | Sumitomo Chem Co Ltd | スパッタリングターゲット用バッキングプレート |
US6183686B1 (en) * | 1998-08-04 | 2001-02-06 | Tosoh Smd, Inc. | Sputter target assembly having a metal-matrix-composite backing plate and methods of making same |
US6328927B1 (en) * | 1998-12-24 | 2001-12-11 | Praxair Technology, Inc. | Method of making high-density, high-purity tungsten sputter targets |
JP2000273623A (ja) * | 1999-03-29 | 2000-10-03 | Japan Energy Corp | Ti−Al合金スパッタリングターゲット |
US6042777A (en) * | 1999-08-03 | 2000-03-28 | Sony Corporation | Manufacturing of high density intermetallic sputter targets |
-
2000
- 2000-11-20 AT AT0085100U patent/AT4240U1/de not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-06 MY MYPI20015103A patent/MY128636A/en unknown
- 2001-11-07 RS YUP-445/02A patent/RS49852B/sr unknown
- 2001-11-07 WO PCT/AT2001/000349 patent/WO2002040735A1/de active IP Right Grant
- 2001-11-07 AT AT01980044T patent/ATE278050T1/de active
- 2001-11-07 PL PL355115A patent/PL199272B1/pl unknown
- 2001-11-07 AU AU11982/02A patent/AU775031B2/en not_active Ceased
- 2001-11-07 CN CNB018030033A patent/CN1268780C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 KR KR1020027004639A patent/KR100775140B1/ko active IP Right Grant
- 2001-11-07 DK DK01980044T patent/DK1335995T3/da active
- 2001-11-07 EP EP01980044A patent/EP1335995B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 SI SI200130263T patent/SI1335995T1/xx unknown
- 2001-11-07 HU HU0301848A patent/HU225577B1/hu not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 CZ CZ20020669A patent/CZ298911B6/cs not_active IP Right Cessation
- 2001-11-07 MX MXPA02001478A patent/MXPA02001478A/es active IP Right Grant
- 2001-11-07 DE DE50103914T patent/DE50103914D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 CA CA002375783A patent/CA2375783C/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-11-07 ES ES01980044T patent/ES2227293T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-07 JP JP2002543043A patent/JP4226900B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-31 BG BG106371A patent/BG64450B1/bg unknown
- 2002-02-01 HR HR20020100A patent/HRP20020100B1/xx not_active IP Right Cessation
- 2002-06-12 US US10/167,787 patent/US6908588B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20020155016A1 (en) | 2002-10-24 |
KR100775140B1 (ko) | 2007-11-12 |
MY128636A (en) | 2007-02-28 |
JP2004513244A (ja) | 2004-04-30 |
HU225577B1 (en) | 2007-03-28 |
CZ298911B6 (cs) | 2008-03-12 |
ES2227293T3 (es) | 2005-04-01 |
CN1268780C (zh) | 2006-08-09 |
PL199272B1 (pl) | 2008-09-30 |
AU1198202A (en) | 2002-05-27 |
KR20020074145A (ko) | 2002-09-28 |
EP1335995A1 (de) | 2003-08-20 |
HRP20020100B1 (en) | 2010-11-30 |
US6908588B2 (en) | 2005-06-21 |
YU44502A (sh) | 2005-03-15 |
RS49852B (sr) | 2008-08-07 |
ATE278050T1 (de) | 2004-10-15 |
HRP20020100A2 (en) | 2003-12-31 |
EP1335995B1 (de) | 2004-09-29 |
WO2002040735A1 (de) | 2002-05-23 |
AT4240U1 (de) | 2001-04-25 |
AU775031B2 (en) | 2004-07-15 |
HUP0301848A2 (en) | 2003-09-29 |
BG64450B1 (en) | 2005-02-28 |
CN1392904A (zh) | 2003-01-22 |
DK1335995T3 (da) | 2005-01-31 |
DE50103914D1 (de) | 2004-11-04 |
MXPA02001478A (es) | 2002-09-23 |
PL355115A1 (en) | 2004-04-05 |
JP4226900B2 (ja) | 2009-02-18 |
CA2375783A1 (en) | 2002-05-20 |
CA2375783C (en) | 2007-05-08 |
SI1335995T1 (en) | 2005-06-30 |
BG106371A (en) | 2002-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CZ2002669A3 (cs) | Způsob výroby zdroje odpařování | |
CN100472765C (zh) | 由含硼的金刚石-铜复合材料制成的散热器 | |
JP2006001232A (ja) | 高熱伝導・低熱膨脹複合体およびその製造方法 | |
JP2016003392A (ja) | 傾斜機能金属セラミック複合材料、及びその製造方法 | |
Yao et al. | Relationships between the properties and microstructure of Mo–Cu composites prepared by infiltrating copper into flame-sprayed porous Mo skeleton | |
KR20090031499A (ko) | 냉간 압축 성형된 스퍼터 타겟 | |
JP2008194463A (ja) | 整形外科インプラントで使用する基体材料に多孔性コーティングを接合するための直接加圧 | |
JP2015213026A (ja) | 自己伝播発熱性形成体、自己伝播発熱性形成体の製造装置及び製造方法 | |
JP2022126705A (ja) | 高温部品 | |
JPH07207381A (ja) | 粒子強化複合材の製造方法 | |
KR20090092289A (ko) | 분말 야금 스퍼터링 타겟의 확산 결합 방법 | |
CN1802450B (zh) | 靶/靶座结构和形成靶/靶座结构的方法 | |
KR102526957B1 (ko) | 코팅 소스 | |
JP2014504334A (ja) | 高熱伝導性を有するアルミニウム合金粉末金属 | |
CN105921721A (zh) | 一种制备三维互穿结构3D-SiC/Al复合材料的方法 | |
JPS63286537A (ja) | 粒子分散型複合材料の製造法 | |
TW398020B (en) | The metal of silicon and aluminum; the method of sputtering | |
JP2007016294A (ja) | スパッタリング用Ti−Wターゲット | |
JPH0913102A (ja) | 拡散防止被膜付金属粒焼結体及びその製造方法 | |
JP2009046733A (ja) | タンタルパラジウムスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JPH10321776A (ja) | 半導体素子用放熱部材 | |
JPH02155595A (ja) | ロウ材の製造方法 | |
JP2005213559A (ja) | 放電表面処理用電極及び放電表面処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MK4A | Patent expired |
Effective date: 20211107 |