WO2013054521A1 - ターゲットアセンブリ及びその製造方法 - Google Patents

ターゲットアセンブリ及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013054521A1
WO2013054521A1 PCT/JP2012/006519 JP2012006519W WO2013054521A1 WO 2013054521 A1 WO2013054521 A1 WO 2013054521A1 JP 2012006519 W JP2012006519 W JP 2012006519W WO 2013054521 A1 WO2013054521 A1 WO 2013054521A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
powder
target
alloy
substrate
cuga
Prior art date
Application number
PCT/JP2012/006519
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
宣弘 原田
松本　博
純一 新田
豊 門脇
泰彦 赤松
Original Assignee
株式会社アルバック
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社アルバック filed Critical 株式会社アルバック
Priority to CN201280049766.8A priority Critical patent/CN103930591A/zh
Priority to KR1020147008634A priority patent/KR20140054419A/ko
Priority to JP2013538439A priority patent/JP5826283B2/ja
Publication of WO2013054521A1 publication Critical patent/WO2013054521A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/09—Mixtures of metallic powders
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/02—Making non-ferrous alloys by melting
    • C22C1/03—Making non-ferrous alloys by melting using master alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles

Definitions

  • the present invention relates to a target assembly having a target layer formed by a cold spray method and a manufacturing method thereof.
  • Cu—Ga based targets such as Cu—Ga and Cu—Ga—In are used for sputtering film formation of a light absorption layer of a thin film solar cell, for example.
  • Patent Document 1 discloses that a Cu—Ga alloy preform is prepared by spray forming a molten CuGa alloy, and the preform is obtained by a hot isostatic pressing (HIP) method.
  • HIP hot isostatic pressing
  • Patent Document 2 a Ti powder and a TiO 2 powder are sprayed onto a raw tube at a high temperature and a high speed to obtain a mixture of Ti and TiO 2 .
  • Patent Document 3 describes a method of forming a target layer made of a metal deposition film on a substrate by a cold spray method using metal powder as a raw material.
  • JP 2010-265544 A Japanese Patent Laid-Open No. 2003-239067 WO2008 / 081585 specification
  • Patent Document 1 since the target is produced by combining the spray forming method and the hot isostatic pressing method, the number of processes is large, and an increase in productivity and production cost becomes a problem.
  • the thermal spraying method described in Patent Document 2 an increase in oxygen concentration accompanying the melting of the raw material cannot be avoided, and it is difficult to produce a high-density target.
  • the method described in Patent Document 3 has a problem that it is difficult to produce an alloy target or a compound target because an alloy powder or a compound powder harder than a metal powder cannot be deposited stably.
  • an object of the present invention is to provide a target assembly that can stably manufacture an alloy target or a compound target by a cold spray method and a manufacturing method thereof.
  • a method of manufacturing a target assembly includes a first powder made of a metal element and a second powder made of an alloy or compound containing the metal element as a main component.
  • Making a mixed powder Using the mixed powder as a raw material, a target layer made of an alloy or compound of the metal element is formed on the substrate surface by a cold spray method.
  • a target assembly includes a substrate and a target layer.
  • the target layer is formed on the surface of the base and has CuGa particles and Cu particles interposed between the CuGa particles.
  • the manufacturing method of the target assembly which concerns on one Embodiment of this invention produces the mixed powder of the 1st powder which consists of a metal element, and the 2nd powder which consists of the alloy or compound which has the said metal element as a main component. including. Using the mixed powder as a raw material, a target layer made of an alloy or compound of the metal element is formed on the substrate surface by a cold spray method.
  • the first powder is composed of a soft metal powder to which a cold spray method can be applied.
  • the second powder is generally harder than these pure metals, film formation by the cold spray method is often difficult with only the second powder. Therefore, in the above manufacturing method, a mixed powder of the first powder and the second powder is used as a raw material, and the first powder is between the substrate surface and the second powder and between the second powder. By interposing, a deposition film of an alloy material or a compound material can be formed. Thereby, the alloy target or compound target by a cold spray method can be manufactured stably.
  • Examples of the metal element constituting the first powder include Cu (copper), Al (aluminum), In (indium), Sn (tin), Ti (titanium), Ni (nickel), Co (cobalt), Cr ( Various soft metals, such as chromium), Ta (tantalum), and Mo (molybdenum), to which a cold spray method can be applied can be used.
  • the alloy or compound constituting the second powder is also not particularly limited, and examples of the compound include oxides, nitrides, borides, silicides, and carbides.
  • Cu powder is used for the first powder
  • CuGa (copper-gallium alloy) powder is used for the second powder.
  • a CuGa-based target layer used for forming a light absorption layer of a thin film solar cell can be obtained.
  • the mixing ratio of the first powder to the mixed powder can be 20 atomic% or more and 50 atomic% or less. Thereby, it is possible to stably form a CuGa alloy target layer having a relative density of 95% or more and containing 30 atomic% or more and 60 atomic% or less of Ga.
  • the substrate on which the target layer is formed may have a flat plate shape or a cylindrical shape.
  • the target layer is formed on the outer peripheral surface of the substrate.
  • the formation method is not particularly limited.
  • the target layer can be formed on the surface of the substrate by moving the spray nozzle in the axial direction of the substrate while rotating the substrate around its axis.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a target assembly according to an embodiment of the present invention.
  • the target assembly 10 of the present embodiment includes a base body 11 as a backing tube and a target layer 12.
  • the substrate 11 is made of a metal material such as Cu, Al, Ti, SUS (stainless steel).
  • the base 11 has a cylindrical shape having an axis in the X-axis direction in FIG.
  • the interior of the base 11 forms a flow path through which cooling water circulates.
  • a magnet unit (not shown) for forming a fixed magnetic field on the outer peripheral surface of the base body 11 is disposed inside the base body 11.
  • the target layer 12 is formed on the outer peripheral surface of the base 11 so as to cover the surface of the base 11.
  • the thickness of the target layer 12 is not particularly limited and is, for example, 3 mm to 20 mm.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing the internal structure of the target layer.
  • the target layer 12 of this embodiment is composed of a mixed layer of Cu particles (G1) and CuGa particles (G2).
  • the Cu particles (G1) are interposed between the CuGa particles (G2) and the surface of the base 11 and between the CuGa particles (G2), and are bonded to each other.
  • the target layer 12 with a predetermined thickness having a relative density exceeding 90% can be configured.
  • the Ga content of the target layer 12 is not particularly limited, and is appropriately set according to, for example, the use and specifications.
  • the Ga content of the target layer 12 in the present embodiment is 30 atomic% or more and 60 atomic% or less, and constitutes a CuGa-based alloy target used for forming a light absorption layer of a thin film solar cell, for example.
  • the target layer 12 is formed on the outer peripheral side surface of the substrate 11 by a cold spray method using a mixed powder of Cu powder and CuGa powder as a raw material.
  • a method for manufacturing the target assembly 10 will be described.
  • FIG. 3 is a process flow illustrating the method for manufacturing the target assembly of the present embodiment.
  • the present embodiment includes a pure Cu powder adjustment step (ST1), a CuGa alloy powder adjustment step (ST2), a mixing step (ST3), and a cold spray step (ST4).
  • the purity of the pure Cu powder is not particularly limited and is, for example, 99.99% or more.
  • As the CuGa alloy powder one having a Ga content of, for example, 36 atomic% or more and 73 atomic% or less is used. The Ga content is appropriately set according to the Ga content of the target layer 12 to be produced.
  • the shapes of the pure Cu powder and the CuGa alloy powder are not particularly limited. However, when depositing the target layer 12 by the cold spray method, a powder having a spherical shape or a shape close to a spherical shape is preferable from the viewpoint of film forming efficiency. Therefore, as a powder production method, an atomizing method, a rotating electrode method, a vacuum spray quenching method, or the like is applied.
  • the particle diameters of the pure Cu powder and the CuGa alloy powder are not particularly limited, but it is preferable that the particle diameter is smaller in order to form the high-density target layer 12.
  • the particle size of the pure Cu powder is, for example, 10 ⁇ m or less
  • the particle size of the CuGa alloy powder is, for example, 200 to 300 ⁇ m or less.
  • Various mixers can be used for mixing the pure Cu powder and the CuGa alloy powder.
  • the mixing ratio of the pure Cu powder in the mixed powder is not particularly limited, but the target layer having a relative density of 97% or more by setting the mixing ratio of the pure Cu powder in the mixed powder to 15 atomic% or more and 50 atomic% or less. 12 can be formed stably.
  • the Ga composition ratio of the CuGa alloy powder is set according to the blending ratio of the pure Cu powder, the Ga composition ratio in the target layer 12 to be formed, and the like.
  • the target layer 12 is formed on the outer peripheral surface of the substrate 11 by the cold spray method using the mixed powder as a raw material (ST4).
  • the cold spray method refers to a film forming method in which a raw material powder is collided with a base material in a solid state in supersonic flow together with an inert gas to form a film. Since the raw material powder is made to collide with the base material without being melted or gasified, it is possible to minimize deterioration of material characteristics and oxidation of the film due to heat. Therefore, this is a film forming technique that differs in principle from a thermal spraying method in which a raw material is melted or gasified to form a film.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a method for forming the target layer 12 in the present embodiment.
  • a spray nozzle 20 is used for film formation. Connected to the spray nozzle 20 are a gas source 21 that accumulates inert gas, a powder supply source 22 that supplies raw material powder to the spray nozzle 20, and the like.
  • the spray nozzle 20 is disposed opposite to the surface of the substrate 11 rotating around the axis 11a at a predetermined speed, and sprays the raw material powder together with an inert gas at a high speed to deposit the raw material powder on the surface of the substrate 11.
  • a mixed powder of pure Cu powder and CuGa alloy powder is used as a raw material powder, and the pure Cu powder is interposed between the surface of the substrate 11 and the CuGa alloy powder and between the CuGa alloy powder.
  • a deposited film of a CuGa-based alloy material is formed.
  • the spraying speed of the raw material powder from the spray nozzle 20 is not particularly limited as long as it is a speed (critical speed) sufficient to allow the pure Cu powder to adhere to the surface of the substrate 11, and is, for example, 500 m / s or more.
  • the inert gas used for the gas source 21 is not particularly limited, and for example, N 2 (nitrogen), He (helium), Ar (argon), or the like is used.
  • the gas pressure and the gas flow rate can be appropriately set according to the gas type, the injection speed, and the like.
  • the gas pressure can be about 0.65 MPa and the gas flow rate can be 15 L / min.
  • the raw material powder may be heated to an appropriate temperature inside the spray nozzle 20. Thereby, the adhesion strength to the surface of the substrate 11 is increased, and the target layer 12 having a high relative density can be formed.
  • the heating temperature should just be lower than melting
  • the spray nozzle 20 may be reciprocated (scanned) in the axial direction of the base 11.
  • the distance between the surface of the substrate 11 and the spray nozzle 20 is not particularly limited, and is set to, for example, 7 mm or more and 12 mm or less.
  • the target assembly 10 shown in FIG. 1 is manufactured as described above.
  • a cylindrical backing tube is used as the base 11, but a flat metal base may be used instead.
  • a target assembly including a backing plate can be manufactured.
  • a Cu-30 at% Ga alloy target is formed on the surface of a disk-shaped substrate made of an aluminum alloy (A5052) with a diameter of 4 inches.
  • the layer was formed by the cold spray method.
  • N 2 pressure 0.65 MPa, flow rate 15 L / min
  • the raw material powder heating temperature is 500 ° C.
  • the scanning speed is 20 mm / sec
  • the number of scans is 20 times
  • the substrate and the spray nozzle The distance between them was 7 mm.
  • N 2 pressure 0.65 MPa, flow rate 15 L / min
  • the raw material powder heating temperature is 500 ° C.
  • the scanning speed is 20 mm / sec
  • the number of scans is 20 times
  • the substrate and the spray nozzle The distance between them was 7 mm.
  • Example 1 A mixed powder of a Cu-40 at% Ga alloy powder having an average particle diameter of 100 ⁇ m prepared by the atomizing method and a pure Cu powder having an average particle diameter of 8 ⁇ m manufactured by the atomizing method was prepared. The mixing molar ratio of the CuGa alloy powder and the pure Cu powder was 68:32. Using this mixed powder as a raw material powder, a Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed on the surface of a disk-shaped substrate made of an aluminum alloy (A5052) having a diameter of 4 inches by a cold spray method.
  • Al alloy Al alloy
  • N 2 pressure 0.65 MPa, flow rate 15 L / min
  • the raw material powder heating temperature is 500 ° C.
  • the scanning speed is 20 mm / sec
  • the number of scans is 20 times
  • the substrate and the spray nozzle The distance between them was 7 mm.
  • the thickness of the target layer on the substrate was 5.0 to 5.5 mm.
  • the relative density was measured by calculating the ratio between the apparent density of the deposited layer and the theoretical density. In this example, the relative density of the target layer was 98.1%.
  • Example 2 Under the same conditions as in Example 1, except that the composition ratio of the CuGa alloy powder is Cu-37.5 at% Ga, the compounding molar ratio of the CuGa alloy powder and pure Cu powder is 80:20, and the base material is copper.
  • a Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed thereon by a cold spray method. As a result of film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 4.5 to 5.0 mm, and the relative density was 97.0%.
  • Example 3 The composition ratio of the CuGa alloy powder was Cu-36 at% Ga, the compounding molar ratio of the CuGa alloy powder and pure Cu powder was 85:15, and the base material was made of copper.
  • a Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed by a cold spray method. As a result of film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 0.5 to 1.0 mm, and the relative density was 92.0%.
  • Example 4 The composition ratio of the CuGa alloy powder was Cu-73 at% Ga, the compounding molar ratio of the CuGa alloy powder and pure Cu powder was 70:30, and the base material was made of copper.
  • a Cu-50 at% Ga alloy target layer was formed by a cold spray method. As a result of film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 5.0 to 5.5 mm, and the relative density was 99.0%.
  • Example 5 A Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed on the substrate by a cold spray method under the same conditions as in Example 1 except that the shape of the substrate was a cylindrical shape having a diameter of 4 inches. As a result of film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 5.0 to 5.5 mm, and the relative density was 98.1%.
  • Example 6 The same conditions as in Example 1 except that the composition ratio of the CuGa alloy powder is Cu-60 at% Ga, the mixing molar ratio of the CuGa alloy powder and the pure Cu powder is 50:50, and the base material is stainless steel (SUS304). Then, a Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed on the substrate by the cold spray method. As a result of the film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 3.5 to 4.0 mm, and the relative density was 97.3%.
  • Example 7 The composition ratio of the CuGa alloy powder is Cu-60 at% Ga, the compounding molar ratio of the CuGa alloy powder and pure Cu powder is 50:50, the base material is made of copper, and the distance between the base and the spray nozzle is 12 mm. Under the same conditions as in Example 1, a Cu-30 at% Ga alloy target layer was formed on the substrate by the cold spray method. As a result of film formation, the thickness of the target layer on the substrate was 3.0 to 3.5 mm, and the relative density was 95.1%.
  • Table 1 summarizes the conditions and results of Comparative Examples 1 and 2 and Examples 1 to 7.
  • the present invention can be applied to the formation of a TiMo alloy-based sputter layer.
  • a mixed powder of pure Ti powder and TiMo alloy powder can be used as a spray raw material.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

【課題】合金ターゲットあるいは化合物ターゲットをコールドスプレー法により安定して製造することができるターゲットアセンブリ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの製造方法は、金属元素からなる第１の粉末と、前記金属元素を主成分とする合金又は化合物からなる第２の粉末との混合粉末を作製し、前記混合粉末を原料としてコールドスプレー法により基体表面に前記金属元素の合金又は化合物からなるターゲット層を形成する。これにより、コールドスプレー法による合金ターゲットあるいは化合物ターゲットを安定して製造することができる。

Description

ターゲットアセンブリ及びその製造方法
　本発明は、コールドスプレー法により形成されたターゲット層を有するターゲットアセンブリ及びその製造方法に関する。
　従来、Ｃｕ－Ｇａ、Ｃｕ－Ｇａ－Ｉｎ等のＣｕ－Ｇａ系ターゲットは、例えば薄膜太陽電池の光吸収層のスパッタ成膜に使用される。この種の合金ターゲットの製造方法として、下記特許文献１には、ＣｕＧａ合金の溶湯をスプレイフォーミング法によってＣｕ－Ｇａ合金プリフォームを作製し、そのプリフォームを熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法によって焼結するＣｕ－Ｇａ合金スパッタリングターゲットが提案されている。
　また、溶射法によるターゲットの製造方法も知られており、例えば下記特許文献２には、Ｔｉ粉末とＴｉＯ2粉末とを高温・高速度で素管上に吹き付けて、ＴｉとＴｉＯ2との混合物からなるターゲットを形成する方法が記載されている。さらに下記特許文献３には、金属粉末を原料とするコールドスプレー法により基体上に金属堆積膜からなるターゲット層を形成する方法が記載されている。
特開２０１０－２６５５４４号公報 特開２００３－２３９０６７号公報 ＷＯ２００８／０８１５８５号明細書
　特許文献１に記載の方法では、スプレイフォーミング法と熱間静水圧プレス法を組み合わせてターゲットを作製するため、工程数が多く、生産性・生産コストの増加が問題となる。また特許文献２に記載されているような溶射法では、原料の溶解に伴う酸素濃度の増加を避けられず、高密度なターゲットを作製することが困難である。さらに特許文献３に記載の方法では、金属粉末よりも硬質の合金粉末あるいは化合物粉末を安定して堆積させることができないため、合金ターゲットあるいは化合物ターゲットの作製が困難であるという問題がある。
　以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、合金ターゲットあるいは化合物ターゲットをコールドスプレー法により安定して製造することができるターゲットアセンブリ及びその製造方法を提供することにある。
　上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るターゲットアセンブリの製造方法は、金属元素からなる第１の粉末と、上記金属元素を主成分とする合金又は化合物からなる第２の粉末との混合粉末を作製することを含む。
　上記混合粉末を原料としてコールドスプレー法により基体表面に前記金属元素の合金又は化合物からなるターゲット層が形成される。
　本発明の一形態に係るターゲットアセンブリは、基体と、ターゲット層とを具備する。
　上記ターゲット層は、上記基体の表面に形成され、ＣｕＧａ粒子と上記ＣｕＧａ粒子間に介在するＣｕ粒子とを有する。
本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの構成を示す概略断面図である。 ターゲット層の内部構造を示す模式図である。 本実施形態のターゲットアセンブリの製造方法を説明する工程フローである。 本実施形態におけるターゲット層の形成方法を説明する模式図である。
　本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの製造方法は、金属元素からなる第１の粉末と、上記金属元素を主成分とする合金又は化合物からなる第２の粉末との混合粉末を作製することを含む。
　上記混合粉末を原料としてコールドスプレー法により基体表面に前記金属元素の合金又は化合物からなるターゲット層が形成される。
　上記第１の粉末は、コールドスプレー法を適用し得る軟質性金属の粉末で構成される。一方、上記第２の粉末は、一般的には、これら純金属よりも硬質であるため、当該第２の粉末だけではコールドスプレー法による成膜が困難な場合が多い。そこで上記製造方法においては、上記第１の粉末と第２の粉末との混合粉末を原料に用い、基体表面と第２の粉末との間、及び、第２の粉末の間に第１の粉末を介在させることで、合金材料あるいは化合物材料の堆積膜の形成を可能とする。これにより、コールドスプレー法による合金ターゲットあるいは化合物ターゲットを安定して製造することができる。
　第１の粉末を構成する金属元素としては、例えばＣｕ（銅），Ａｌ（アルミニウム），Ｉｎ（インジウム），Ｓｎ（錫），Ｔｉ（チタン），Ｎｉ（ニッケル），Ｃｏ（コバルト），Ｃｒ（クロム），Ｔａ（タンタル），Ｍｏ（モリブデン）等のコールドスプレー法を適用できる種々の軟質性金属が採用可能である。第２の粉末を構成する合金あるいは化合物もまた特に限定されず、化合物としては、酸化物、窒化物、ホウ化物、ケイ化物、炭化物等が挙げられる。
　一実施形態として、第１の粉末にはＣｕ粉末が用いられ、第２の粉末にはＣｕＧａ（銅－ガリウム合金）粉末が用いられる。この場合、例えば薄膜太陽電池の光吸収層の成膜に使用されるＣｕＧａ系ターゲット層を得ることができる。
　上記ＣｕＧａ系ターゲット層の形成に際しては、上記混合粉末に対する第１の粉末の混合比率は、２０原子％以上５０原子％以下とすることができる。これにより、９５％以上の相対密度を有する、３０原子％以上６０原子％以下のＧａを含有するＣｕＧａ合金ターゲット層を安定して形成することができる。
　上記ターゲット層が形成される基体としては、平板形状でもよいし、円筒形状でもよい。基体が円筒形状の場合、ターゲット層は、基体の外周側表面に形成される。形成方法は特に限定されず、例えば、基体をその軸心のまわりに回転させながら、スプレーノズルを基体の軸方向に移動させることで、基体表面にターゲット層を形成することができる。
　以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。
［ターゲットアセンブリ］
　図１は、本発明の一実施形態に係るターゲットアセンブリの構成を示す概略断面図である。本実施形態のターゲットアセンブリ１０は、バッキングチューブとしての基体１１と、ターゲット層１２とを有する。
　基体１１は、Ｃｕ，Ａｌ，Ｔｉ，ＳＵＳ（ステンレス鋼）等の金属材料で構成されている。基体１１は、図１においてＸ軸方向に軸心を有する円筒形状を有する。基体１１の内部は、冷却水が循環する流路を形成する。さらに基体１１の内部には、基体１１の外周側表面に固定磁場を形成するための図示しないマグネットユニットが配置されている。
　ターゲット層１２は、基体１１の表面を被覆するように、基体１１の外周側表面に形成されている。ターゲット層１２の厚みは特に限定されず、例えば３ｍｍ～２０ｍｍである。
　図２は、ターゲット層の内部構造を示す模式図である。本実施形態のターゲット層１２は、Ｃｕ粒子（Ｇ１）とＣｕＧａ粒子（Ｇ２）との混合層で構成される。Ｃｕ粒子（Ｇ１）は、ＣｕＧａ粒子（Ｇ２）と基体１１の表面との間、及び、ＣｕＧａ粒子（Ｇ２）の間にそれぞれ介在し、これらの間を相互に結合する。これにより、９０％を超える相対密度を有する所定厚みのターゲット層１２を構成することができる。
　ターゲット層１２のＧａ含有量は特に限定されず、例えば用途や仕様に応じて適宜設定される。本実施形態におけるターゲット層１２のＧａ含有量は、３０原子％以上６０原子％以下であり、例えば薄膜太陽電池の光吸収層の成膜に使用されるＣｕＧａ系合金ターゲットを構成する。
　ターゲット層１２は、Ｃｕ粉末とＣｕＧａ粉末との混合粉末を原料として、基体１１の外周側表面にコールドスプレー法により形成される。以下、ターゲットアセンブリ１０の製造方法について説明する。
［ターゲットアセンブリの製造方法］
　図３は、本実施形態のターゲットアセンブリの製造方法を説明する工程フローである。本実施形態は、純Ｃｕ粉末の調整工程（ＳＴ１）と、ＣｕＧａ合金粉末の調整工程（ＳＴ２）と、混合工程（ＳＴ３）と、コールドスプレー工程（ＳＴ４）とを有する。
　まず、純Ｃｕ粉末と、ＣｕＧａ合金粉末が調整される（ＳＴ１，ＳＴ２）。
　純Ｃｕ粉末の純度は特に限定されず、例えば９９．９９％以上である。ＣｕＧａ合金粉末としては、Ｇａ含有量が例えば３６原子％以上７３原子％以下のものが用いられる。Ｇａ含有量は、作製すべきターゲット層１２のＧａ含有量等に応じて適宜設定される。
　純Ｃｕ粉末及びＣｕＧａ合金粉末の形状は特に限定されないが、コールドスプレー法によりターゲット層１２を堆積させる上では、球状あるいは球状に近い形状の粉末であることが成膜効率の点で好ましい。そのため、粉末の製造方法としては、アトマイズ法、回転電極法、真空噴霧急冷法等が適用される。
　純Ｃｕ粉末及びＣｕＧａ合金粉末の粒径は特に限定されないが、高密度のターゲット層１２を形成する上では粒径は小さいほど好ましい。本実施形態において純Ｃｕ粉末の粒径は例えば１０μｍ以下、ＣｕＧａ合金粉末の粒径は例えば２００～３００μｍ以下とされる。
　続いて、純Ｃｕ粉末とＣｕＧａ合金粉末との混合粉末が作製される（ＳＴ３）。
　純Ｃｕ粉末とＣｕＧａ合金粉末との混合には、種々の混合機を用いることができる。混合粉末中の純Ｃｕ粉末の混合比は特に限定されないが、混合粉末中の純Ｃｕ粉末の混合比を１５原子％以上５０原子％以下とすることで、９７％以上の相対密度を有するターゲット層１２を安定して形成することができる。また、ＣｕＧａ合金粉末のＧａ組成比は、この純Ｃｕ粉末の配合比や、形成するべきターゲット層１２中のＧａ組成比等に応じて設定される。
　続いて、上記混合粉末を原料してコールドスプレー法により基体１１の外周側表面にターゲット層１２が形成される（ＳＴ４）。
　コールドスプレー法は、原料粉末を不活性ガスと共に超音速流で固相状態のまま基材に衝突させて皮膜を形成する成膜方法をいう。原料粉末を溶融又はガス化させずに基材に衝突させるため、熱による材料の特性劣化や皮膜の酸化を最小限に抑えることができる。したがって原料を溶融又はガス化して成膜する溶射法とは原理的に異なる成膜技術である。
　図４は、本実施形態におけるターゲット層１２の形成方法を説明する模式図である。成膜には、スプレーノズル２０が用いられる。スプレーノズル２０には、不活性ガスを蓄圧したガス源２１、原料粉末をスプレーノズル２０へ供給する粉末供給源２２等が接続されている。スプレーノズル２０は、軸心１１ａのまわりに所定速度で回転する基体１１の表面に対向配置され、原料粉末を不活性ガスと共に高速度で噴出し、原料粉末を基体１１の表面に堆積させる。
　一般に、Ｃｕ等の軟質性金属は、超音速で基材表面に衝突すると、粉末自体が塑性変形することで皮膜の形成を可能とする。これに対してＣｕＧａ合金は純Ｃｕよりも硬質であるため、超音速で基体表面に衝突しても、塑性変形せずに基体表面で跳ね返ることが多い。したがって、ＣｕＧａ合金粉末のみを原料粉末に用いた場合、皮膜の形成が困難であり、皮膜が形成されたとしても密着性が低いため容易に剥離してしまい、所望の膜厚の合金皮膜が得られにくい。
　そこで本実施形態では、原料粉末として純Ｃｕ粉末とＣｕＧａ合金粉末との混合粉末を用い、基体１１表面とＣｕＧａ合金粉末との間、及び、ＣｕＧａ合金粉末の間に純Ｃｕ粉末を介在させることで、ＣｕＧａ系合金材料の堆積膜を形成するようにしている。これにより、コールドスプレー法によるＣｕＧａ系合金ターゲットを安定して製造することが可能となる。
　スプレーノズル２０からの原料粉末の噴射速度は、純Ｃｕ粉末を基体１１表面に付着させるのに十分な速度（臨界速度）であれば特に限定されず、例えば５００ｍ／ｓ以上とされる。
　ガス源２１に用いられる不活性ガスも特に限定されず、例えばＮ2（窒素）、Ｈｅ（ヘリウム）、Ａｒ(アルゴン)等が用いられる。ガス圧力及びガス流量は、ガス種や噴射速度等に応じて適宜設定可能であり、例えばガス圧力を約０．６５ＭＰａ、ガス流量を１５Ｌ／ｍｉｎとすることができる。
　原料粉末は、スプレーノズル２０の内部において適宜の温度に加熱されてもよい。これにより基体１１表面への付着強度が高まり、相対密度の高いターゲット層１２を形成することができる。加熱温度は、原料粉末（純Ｃｕ粉末及びＣｕＧａ合金粉末）の融点より低ければよく、例えば５００℃に設定される。
　目的とする厚みのターゲット層１２を得るために、スプレーノズル２０を基体１１の軸心方向に往復移動（スキャン）させてもよい。基体１１表面とスプレーノズル２０との距離も特に限定されず、例えば７ｍｍ以上１２ｍｍ以下に設定される。
　以上のようにして、図１に示すターゲットアセンブリ１０が製造される。なお以上の実施形態では、基体１１として円筒形状のバッキングチューブが用いられたが、これに代えて平板形状の金属製基体が採用されてもよい。この金属製基体に上述のようにしてターゲット層が形成されることにより、バッキングプレートを備えたターゲットアセンブリを製造することができる。
　以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（比較例１）
　アトマイズ法で作製した平均粒径１００μｍのＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金粉末を原料粉末に用いて、直径４インチのアルミニウム合金（Ａ５０５２）製の円板形状の基体の表面にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。
　原料粉末の噴出ガスにはＮ2（圧力０．６５ＭＰａ、流量１５Ｌ／ｍｉｎ）を用い、原料粉末の加熱温度を５００℃、スキャン速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ、スキャン回数を２０回、基体とスプレーノズルとの間の距離を７ｍｍとした。
　成膜の結果、厚み０．０５～０．１５ｍｍのＣｕＧａ合金系皮膜が得られたものの、剥離しやすく相対密度の測定は困難であった。
（比較例２）
　アトマイズ法で作製した平均粒径１００μｍのＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金粉末を原料粉末に用いて、直径４インチの銅製の円板形状の基体の表面にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。
　原料粉末の噴出ガスにはＮ2（圧力０．６５ＭＰａ、流量１５Ｌ／ｍｉｎ）を用い、原料粉末の加熱温度を５００℃、スキャン速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ、スキャン回数を２０回、基体とスプレーノズルとの間の距離を７ｍｍとした。
　成膜の結果、厚み０．０５～０．１５ｍｍのＣｕＧａ合金系皮膜が得られたものの、剥離しやすく相対密度の測定は困難であった。
（実施例１）
　アトマイズ法で作製した平均粒径１００μｍのＣｕ－４０ａｔ％Ｇａ合金粉末と、アトマイズ法で作製した平均粒径８μｍの純Ｃｕ粉末との混合粉末を作製した。ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比は６８：３２とした。この混合粉末を原料粉末に用い、直径４インチのアルミニウム合金（Ａ５０５２）製の円板形状の基体の表面にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。
　原料粉末の噴出ガスにはＮ2（圧力０．６５ＭＰａ、流量１５Ｌ／ｍｉｎ）を用い、原料粉末の加熱温度を５００℃、スキャン速度を２０ｍｍ／ｓｅｃ、スキャン回数を２０回、基体とスプレーノズルとの間の距離を７ｍｍとした。
　成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは５．０～５．５ｍｍであった。相対密度の測定は、堆積層の見掛け密度と理論密度との比を計算により求めた。本実施例では、ターゲット層の相対密度は９８．１％であった。
（実施例２）
　ＣｕＧａ合金粉末の組成比をＣｕ－３７．５ａｔ％Ｇａ、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比を８０：２０、基体の材料を銅製とした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは４．５～５．０ｍｍ、相対密度は９７．０％であった。
（実施例３）
　ＣｕＧａ合金粉末の組成比をＣｕ－３６ａｔ％Ｇａ、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比を８５：１５、基体の材料を銅製とした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは０．５～１．０ｍｍ、相対密度は９２．０％であった。
（実施例４）
　ＣｕＧａ合金粉末の組成比をＣｕ－７３ａｔ％Ｇａ、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比を７０：３０、基体の材料を銅製とした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－５０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは５．０～５．５ｍｍ、相対密度は９９．０％であった。
（実施例５）
　基体の形状を直径４インチの円筒形状とした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは５．０～５．５ｍｍ、相対密度は９８．１％であった。
（実施例６）
　ＣｕＧａ合金粉末の組成比をＣｕ－６０ａｔ％Ｇａ、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比を５０：５０、基体の材料をステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）製とした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは３．５～４．０ｍｍ、相対密度は９７．３％であった。
（実施例７）
　ＣｕＧａ合金粉末の組成比をＣｕ－６０ａｔ％Ｇａ、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末の配合モル比を５０：５０、基体の材料を銅製、基体とスプレーノズルとの間の距離を１２ｍｍとした以外は実施例１と同様の条件で、基体上にＣｕ－３０ａｔ％Ｇａ合金ターゲット層をコールドスプレー法により形成した。成膜の結果、基体上のターゲット層の厚みは３．０～３．５ｍｍ、相対密度は９５．１％であった。
　比較例１，２及び実施例１～７の条件及び結果を表１にまとめて示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、ＣｕＧａ合金粉末のみを原料とする比較例１，２においては、ターゲット層を形成することは不可能であった。これに対して、ＣｕＧａ合金粉末と純Ｃｕ粉末との混合粉末を原料とする実施例１～７においては適正にターゲット層を形成できることが確認された。
　また、純Ｃｕ粉末とＣｕＧａ合金粉末との混合粉末における純Ｃｕ粉末の混合比率が２０～５０ａｔ％である実施例１，２，４～７においては、９５％以上の相対密度を有するＣｕ－３０～６０ａｔ％Ｇａ合金系ターゲットを得ることができる。これにより異常放電の少ない安定したスパッタ成膜が可能となる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
　例えば以上の実施形態では、純Ｃｕ粉末とＣｕＧａ合金粉末とを用いてＣｕＧａ合金系スパッタ層を形成する例について説明したが、これに限られない。例えばＴｉＭｏ合金系スパッタ層の形成にも本発明は適用可能である。この場合、純Ｔｉ粉末とＴｉＭｏ合金粉末との混合粉末をスプレー原料とすることができる。これ以外にも、Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｍｏ等の純金属粉末と、それらの合金粉末あるいは化合物粉末を用いて、当該合金系のスパッタ層を形成することが可能である。
　１０…ターゲットアセンブリ
　１１…基体
　１２…ターゲット層
　２０…スプレーノズル

Claims (7)

  1. 　金属元素からなる第１の粉末と、前記金属元素を主成分とする合金又は化合物からなる第２の粉末との混合粉末を作製し、
    　前記混合粉末を原料としてコールドスプレー法により基体表面に前記金属元素の合金又は化合物からなるターゲット層を形成する
    　ターゲットアセンブリの製造方法。
  2. 　請求項１に記載のターゲットアセンブリの製造方法であって、
    　前記第１の粉末は、Ｃｕ粉末であり、
    　前記第２の粉末は、ＣｕＧａ粉末である
    　ターゲットアセンブリの製造方法。
  3. 　請求項２に記載のターゲットアセンブリの製造方法であって、
    　前記混合粉末に対する前記第１の粉末の混合比率は、２０原子％以上５０原子％以下である
    　ターゲットアセンブリの製造方法。
  4. 　請求項１に記載のターゲットアセンブリの製造方法であって、
    　前記基体は円筒形状を有し、
    　前記ターゲット層は、前記基体の外周側表面に形成される
    　ターゲットアセンブリの製造方法。
  5. 　基体と、
    　前記基体の表面に形成され、ＣｕＧａ粒子と前記ＣｕＧａ粒子間に介在するＣｕ粒子とを有するターゲット層と
    　を具備するターゲットアセンブリ。
  6. 　請求項５に記載のターゲットアセンブリであって、
    　前記ターゲット層は、３０原子％以上６０原子％以下のＧａを含有するＣｕＧａ合金で形成され、９７％以上の相対密度を有する
    　ターゲットアセンブリ。
  7. 　請求項５に記載のターゲットアセンブリであって、
    　前記基体は、金属製の円筒体である
    　ターゲットアセンブリ。
PCT/JP2012/006519 2011-10-14 2012-10-11 ターゲットアセンブリ及びその製造方法 WO2013054521A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201280049766.8A CN103930591A (zh) 2011-10-14 2012-10-11 靶组合件及其制造方法
KR1020147008634A KR20140054419A (ko) 2011-10-14 2012-10-11 타겟 어셈블리 및 그 제조 방법
JP2013538439A JP5826283B2 (ja) 2011-10-14 2012-10-11 ターゲットアセンブリの製造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011226571 2011-10-14
JP2011-226571 2011-10-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013054521A1 true WO2013054521A1 (ja) 2013-04-18

Family

ID=48081588

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/006519 WO2013054521A1 (ja) 2011-10-14 2012-10-11 ターゲットアセンブリ及びその製造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP5826283B2 (ja)
KR (1) KR20140054419A (ja)
CN (1) CN103930591A (ja)
TW (1) TWI548764B (ja)
WO (1) WO2013054521A1 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103320757A (zh) * 2013-07-01 2013-09-25 烟台开发区蓝鲸金属修复有限公司 一种靶材及其制造方法
JP2014084515A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット
WO2015042622A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Plansee Se Kupfer-gallium sputtering target
CN114059027A (zh) * 2020-08-05 2022-02-18 松田产业株式会社 Ag合金圆筒形溅射靶、溅射装置和电子器件的制造方法

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160049255A (ko) * 2014-10-27 2016-05-09 한국생산기술연구원 스퍼터링 타겟용 합금 및 이로 이루어진 스퍼터링 타겟
CN107904565B (zh) * 2017-10-27 2020-09-01 包头稀土研究院 Cu-In-Ga-Se化合物旋转靶材的制备方法
CN108034926B (zh) * 2017-10-27 2020-09-01 包头稀土研究院 Cu2Se化合物旋转靶材的制备方法
CN107858656B (zh) * 2017-10-27 2020-09-01 包头稀土研究院 CuSe化合物旋转靶材的制备方法
CN108034925B (zh) * 2017-10-27 2020-09-01 包头稀土研究院 CuSe2化合物旋转靶材的制备方法
CN108118326B (zh) * 2017-12-28 2020-01-21 广东省新材料研究所 一种3．87m高纯铜旋转靶材的增材制造方法
TWI677589B (zh) * 2019-01-14 2019-11-21 宏進金屬科技股份有限公司 一種濺射靶材的製備方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0539566A (ja) * 1991-02-19 1993-02-19 Mitsubishi Materials Corp スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法
WO2008081585A1 (ja) * 2007-01-05 2008-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba スパッタリングターゲットとその製造方法
JP2008540823A (ja) * 2005-05-05 2008-11-20 ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング スパッタターゲット及びｘ線アノードを製造又は再処理するための被覆方法
JP2010526211A (ja) * 2007-05-04 2010-07-29 エイチ．シー． スターク インコーポレイテッド 均一ランダム結晶配向の、微細粒でバンディングのない耐火金属スパッタリングターゲット、そのような膜の製造方法、およびそれから作製される薄膜ベースのデバイスおよび製品
JP2010265544A (ja) * 2009-04-14 2010-11-25 Kobelco Kaken:Kk Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011149039A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Sanyo Special Steel Co Ltd 高強度を有するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CZ2007356A3 (cs) * 2007-05-22 2008-12-03 Safina, A. S. Zpusob výroby naprašovacích targetu

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0539566A (ja) * 1991-02-19 1993-02-19 Mitsubishi Materials Corp スパツタリング用ターゲツト及びその製造方法
JP2008540823A (ja) * 2005-05-05 2008-11-20 ハー．ツェー．スタルク ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング スパッタターゲット及びｘ線アノードを製造又は再処理するための被覆方法
WO2008081585A1 (ja) * 2007-01-05 2008-07-10 Kabushiki Kaisha Toshiba スパッタリングターゲットとその製造方法
JP2010526211A (ja) * 2007-05-04 2010-07-29 エイチ．シー． スターク インコーポレイテッド 均一ランダム結晶配向の、微細粒でバンディングのない耐火金属スパッタリングターゲット、そのような膜の製造方法、およびそれから作製される薄膜ベースのデバイスおよび製品
JP2010265544A (ja) * 2009-04-14 2010-11-25 Kobelco Kaken:Kk Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011149039A (ja) * 2010-01-20 2011-08-04 Sanyo Special Steel Co Ltd 高強度を有するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JIN, Y.-M. ET AL.: "Manufacturing and macroscopic properties of cold sprayed Cu-In coating material for sputtering target", J. THERM. SPRAY TECHNOL., vol. 20, no. 3, March 2011 (2011-03-01), pages 497 - 507 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014084515A (ja) * 2012-10-25 2014-05-12 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット
CN103320757A (zh) * 2013-07-01 2013-09-25 烟台开发区蓝鲸金属修复有限公司 一种靶材及其制造方法
WO2015042622A1 (de) 2013-09-27 2015-04-02 Plansee Se Kupfer-gallium sputtering target
JP2017500438A (ja) * 2013-09-27 2017-01-05 プランゼー エスエー 銅−ガリウムスパッタリングターゲット
US10202681B2 (en) 2013-09-27 2019-02-12 Plansee Se Copper-gallium sputtering target
CN114059027A (zh) * 2020-08-05 2022-02-18 松田产业株式会社 Ag合金圆筒形溅射靶、溅射装置和电子器件的制造方法
JP2022029518A (ja) * 2020-08-05 2022-02-18 松田産業株式会社 Ａｇ合金円筒形スパッタリングターゲット、スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法
JP7225170B2 (ja) 2020-08-05 2023-02-20 松田産業株式会社 Ａｇ合金円筒形スパッタリングターゲット、スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140054419A (ko) 2014-05-08
TWI548764B (zh) 2016-09-11
TW201317380A (zh) 2013-05-01
CN103930591A (zh) 2014-07-16
JPWO2013054521A1 (ja) 2015-03-30
JP5826283B2 (ja) 2015-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5826283B2 (ja) ターゲットアセンブリの製造方法
CN101368262B (zh) 向表面施加涂层的方法
JP5730089B2 (ja) 導電材料、積層体および導電材料の製造方法
JP5809901B2 (ja) 積層体及び積層体の製造方法
JP5667163B2 (ja) モリブデン系ターゲット及び溶射によってターゲットを製造するための方法
EP2695972B1 (en) Laminate, and method for producing laminate
TW200844248A (en) Al-Ni-La system Al-based alloy sputtering target and process for producing the same
JP4484105B2 (ja) 金属ガラス積層体からなる金型成形体、及びその製造方法
WO2006067937A1 (ja) Ｓｂ－Ｔｅ系合金焼結体ターゲット及びその製造方法
CN105908047B (zh) 一种钛铝硅钽合金材料及其制备方法
KR20130051289A (ko) 저온분사 코팅방법 및 이에 의해 제조되는 코팅층
WO2013054752A1 (ja) 摺動部を有する部材
JP2013245375A (ja) ツバ付きターゲットの製造方法
JP2012031443A (ja) コールドスプレー用金属粉末
WO2014073633A1 (ja) コールドスプレー用粉末およびこれを用いたスパッタリングターゲットの製造方法
JP2009191345A (ja) 異種材料複合部材およびその製造方法
JP5548948B2 (ja) 薄板金属基材上に金属ガラス溶射被膜層が形成された複合材料及びその製造方法
JP6169566B2 (ja) サーメット被覆材、サーメット被覆材を製造するための合金粉末、およびサーメット被覆材の製造方法
CN100368589C (zh) 一种镍基非晶合金涂层的制备方法
TWI821944B (zh) 濺鍍靶、其製造方法以及製造合金薄膜的方法
CN110565001A (zh) 一种热喷涂粉末及其用于制备热喷涂层的方法
CN109518117A (zh) 一种应用于等离子喷涂的金属粉末
JP2017226915A (ja) 溶射皮膜及び溶射皮膜部材
KR20220128268A (ko) 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
JP2007084385A (ja) 光学素子成形用金型の製造方法及び光学素子成形用金型

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12839509

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147008634

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2013538439

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12839509

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1