KR20220128268A - 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 - Google Patents

스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220128268A
KR20220128268A KR1020220010619A KR20220010619A KR20220128268A KR 20220128268 A KR20220128268 A KR 20220128268A KR 1020220010619 A KR1020220010619 A KR 1020220010619A KR 20220010619 A KR20220010619 A KR 20220010619A KR 20220128268 A KR20220128268 A KR 20220128268A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
target
sputtering target
sputtering
target layer
amorphous
Prior art date
Application number
KR1020220010619A
Other languages
English (en)
Inventor
함기수
김충년폴
정유경
Original Assignee
코오롱인더스트리 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코오롱인더스트리 주식회사 filed Critical 코오롱인더스트리 주식회사
Priority to CN202280008599.6A priority Critical patent/CN116710592A/zh
Priority to US18/257,622 priority patent/US20240035146A1/en
Priority to JP2023539112A priority patent/JP2024500991A/ja
Priority to EP22767325.8A priority patent/EP4249628A1/en
Priority to PCT/KR2022/001346 priority patent/WO2022191428A1/ko
Priority to TW111109089A priority patent/TWI821944B/zh
Publication of KR20220128268A publication Critical patent/KR20220128268A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
    • C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C24/00—Coating starting from inorganic powder
    • C23C24/02—Coating starting from inorganic powder by application of pressure only
    • C23C24/04—Impact or kinetic deposition of particles

Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 스퍼터링 타겟은, 기판; 및 상기 기판상에 구비되며, 비정질상의 비율이 98.0% 이상인 합금 타겟층;을 포함할 수 있다.

Description

스퍼터링 타겟 및 그 제조방법{Sputtering target and manufacturing method thereof}
본 발명의 일 측면은 스퍼터링 타겟과 스퍼터링 타겟의 제조방법에 관한 것이다.
스퍼터링(sputtering)이란 진공 증착법의 일종으로서, 낮은 진공도에서 플라즈마를 이온화된 아르곤 등의 가스를 가속하여 타겟에 충돌시키고, 원자를 분출시켜 웨이퍼나 유리 같은 기판이나 모재상에 박막을 형성하는 방법이다. 스퍼터링은 일반적인 증류법보다 증착능력이 우수하고, 복잡한 합금을 스퍼터링 타겟으로 활용하였을 때 그 합금을 유지하는 능력이 뛰어나며, 고온에서 내열성이 있는 금속의 증착 능력이 뛰어난 특징이 있다.
스퍼터링 공정에서 박막을 형성하기 위해 사용되는 스퍼터링 타겟은 형성하고자 하는 박막 또는 코팅의 조성에 따라 다양한 종류의 스퍼터링 타겟이 사용될 수 있으며, 보통 99.99% 이상의 순도를 가지는 금속, 합금, 화합물 소재가 활용될 수 있다. 티타늄, 니켈, 코발트, 몰리브덴, 텅스텐, 탄탈륨, 나이오븀, 오산화나이오븀, 알루미늄, 몰리브덴나이오븀합금, 스테인리스강, 니켈합금, 코발트합금, ITO(Indium Tin Oxide) 등이 타겟으로 주로 사용된다.
한편, 스퍼터링 방식에 의해 형성되는 박막에 주상정 조직 또는 입계를 포함하는 조직이 형성되는 경우 입계 등을 따라 부식액이 침투하여 부식이 가속될 수 있어 부식에 매우 약해지고, 강도가 낮아지는 문제가 발생할 수 있어 비정질상을 포함하여 내식성 및 결정구조를 포함하지 않는 비정질 박막을 형성하는 기술이 연구되어 왔다.
그러나, 비정질 스퍼터링 타겟은 스퍼터링 과정에서의 이온의 충돌로 인해 온도가 증가되며, 이러한 온도의 증가로 인해 스퍼터링 타겟의 표면 근처의 조직이 변화될 가능성이 높다. 즉, 열적으로 불안정한 비정질상의 특성상, 스퍼터링 타겟의 온도가 증가될 경우 스퍼터링 타겟의 표면에서 국부적인 결정화를 일으킬 수 있으며, 이로 인해 타겟의 취성이 증가되어 스퍼터링 공정 중에 스퍼터링 타겟이 쉽게 파괴되는 결과를 초래할 수 있다. 스퍼터링 타겟이 공정 중 파괴되는 경우 제품생산에 치명적인 문제를 일으킬 수 있으므로 스퍼터링 타겟의 안정성을 확보하는 것이 필요한 실정이다.
대한민국 공개특허 10-2019-0109863호
본 발명의 목적은, 피가공물에 비정질 합금 박막을 형성하기 위하여 원하는 합금조성으로 이루어지면서도 높은 비정질상의 비율을 가지는 스퍼터링 타겟과 이를 제조할 수 있는 방법을 제공하는 것이다.
또한, 원하는 조성의 합금박막을 스퍼터링으로 형성하기 위해 둘 이상의 기판을 사용하지 않고 단일한 기판의 타겟을 활용하여 스퍼터링을 수행할 수 있는 스퍼터링 타겟을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 피가공물에 비정질 합금박막을 형성하기 위하여 비정질 합금을 가지는 스퍼터링 타겟을 이용하는 경우, 스퍼터링 타겟의 표면에서 발생하는 비정질 합금의 국부적인 결정화와 취성문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 스퍼터링 공정으로 인한 표면에서 국부적인 온도 상승이 있더라도 결정질화에 의한 스퍼터링 타겟의 취성 증가를 최소화하고 공정 중 파괴가 잘 일어나지 않는 스퍼터링 타겟을 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 스퍼터링 타겟은, 기판; 및 상기 기판상에 구비되며, 비정질상의 비율이 98.0% 이상인 합금 타겟층;을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 스퍼터링 타겟의 제조방법은, 기판을 준비하는 단계; 및 상기 기판 상에 철(Fe)계 비정질 합금분말 또는 비정질 형성능이 있는 조성의 철(Fe)계 합금분말을 저온용사(cold spray)하여 비정질상의 비율이 98.0% 이상인 타겟층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 측면에 따른 스퍼터링 타겟은 비정질 상이 높은 분율을 가지는 합금 분말 또는 비정질 형성능이 뛰어난 합금 분말을 기판에 용사하여 제조될 수 있으며, 스퍼터링 타겟 제조시 비정질 분말을 사용할 경우 비정질 합금 분말의 높은 비정질 분율이 스퍼터링 타겟의 타겟층에서도 유지될 수 있어 스퍼터링 타겟의 비정질상 비율이 높아지고, 해당 스퍼터링 타겟을 사용하여 제조되는 박막 또한 높은 비정질 분율을 가질 수 있다.
또한, 스퍼터링 타겟의 제조시 합금분말이 비정질 형성능이 우수한 합금분말인 경우 그 조성이 타겟층에서도 유지될 수 있으며, 해당 스퍼터링 타겟을 사용하여 제조되는 박막은 비정질로 구성될 수 있다.
또한, 비정질 합금 분말을 이용하여 용사 코팅 공정으로 제조할 경우, 스퍼터링 타겟층의 크기(대면적화), 두께 등을 조절하는 것이 용이하고, 백플레이트(Back plate 또는 backing plate) 또한 자유롭게 선택이 가능하다.
또, 스퍼터링 타겟의 제조 공정이 비교적 간단하여 스퍼터링 타겟의 제작이 수월하며, 스퍼터링 후 손실된 영역의 보수(repair)또한 가능하여 제조 비용의 절감 효과가 뛰어나다.
또한, 스퍼터링 공정을 이용하여 합금 박막 제조시, 구성원소들의 스퍼터링 타겟을 진공 챔버에 동시에 설치를 해야 하지만, 비정질 합금분말을 이용하여 용사코팅 공정으로 스퍼터링 타겟을 제조하면 단일 기판에 구비되는 단일한 스퍼터링 타겟만을 사용할 수 있어, 장치의 소형화 및 제조 시간의 감소가 유도될 수 있다.
또한, 용사 코팅 공정을 이용하여 스퍼터링 타겟을 제조할 경우 99.99%의 높은 밀도를 가진 스퍼터링 층(코팅층)을 쉽게 형성할 수 있으며, 실린더 타입의 스퍼터링 타겟의 제조가 가능한 장점이 있다.
도 1은 스퍼터링 장치의 구조 및 스퍼터링 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 아토마이즈 공정으로 제조된 철계 비정질 분말의 단면 미세조직과 XRD 분석결과를 나타낸 도면이다.
도 3은 용사코팅 공정으로 제조된 철계 비정질 합금 스퍼터링 타겟을 촬영한 사진이다.
도 4는 저온용사 공정으로 제조된 철계 비정질 합금 타겟층의 단면 미세조직을 촬영한 사진이다.
도 5는 초고속화염용사 공정으로 철계 비정질 합금 타겟층의 단면 미세조직을 촬영한 사진이다.
도 6은 저온용사 공정으로 제조된 비정질 합금 타겟층의 XRD분석결과이다.
도 7은 저온용사 공정으로 제조된 비정질 합금 타겟층의 EPMA 분석결과를 나타낸 그림이다.
이하에 본 발명을 상세하게 설명하기에 앞서, 본 명세서에 사용된 용어는 특정의 실시예를 기술하기 위한 것일 뿐 첨부하는 특허청구의 범위에 의해서만 한정되는 본 발명의 범위를 한정하려는 것은 아님을 이해하여야 한다. 본 명세서에 사용되는 모든 기술용어 및 과학용어는 다른 언급이 없는 한은 기술적으로 통상의 기술을 가진 자에게 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다.
본 명세서 및 청구범위의 전반에 걸쳐, 다른 언급이 없는 한 포함(comprise, comprises, comprising)이라는 용어는 언급된 물건, 단계 또는 일군의 물건, 및 단계를 포함하는 것을 의미하고, 임의의 어떤 다른 물건, 단계 또는 일군의 물건 또는 일군의 단계를 배제하는 의미로 사용된 것은 아니다.
한편, 본 발명의 여러 가지 실시예들은 명확한 반대의 지적이 없는한 그 외의 어떤 다른 실시예들과 결합될 수 있다. 특히 바람직하거나 유리하다고 지시하는 어떤 특징도 바람직하거나 유리하다고 지시한 그 외의 어떤 특징 및 특징들과 결합될 수 있다.
도면들에 있어서, 구성 요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 전체적으로 도면 설명시 관찰자 시점에서 설명하였고, 일 구성요소가 다른 구성요소 "위에/아래에" 또는 "상에/하에" 있다고 할 때, 이는 다른 구성요소 "바로 위에/바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 또 다른 구성요소가 있는 경우도 포함한다.
본 발명의 일 측면은 스퍼터링 타겟으로서, 기판(200) 및 기판(200) 상에 구비되는 타겟층(100)을 포함한다.
기판(200)은 스퍼터링 타겟의 타겟층(100)이 형성되기 위한 백플레이트(Back plate)로서, 타겟층(100)이 형성될 수 있는 표면을 제공하고, 스퍼터링 타겟의 크기를 결정한다. 기판(200)의 소재는 제한되지 않으며, 금속 또는 합금 소재의 기판(200)이 사용될 수 있으며, 전기전도성과 열전도성이 우수한 금속 또는 합금 또는 금속 산화물 소재가 사용되는 것이 좋고, 예를 들어 구리 금속, 인듐주석산화물(ITO), 인듐갈륨산화물(IZO) 또는 인듐갈륨아연산화물(IGZO)로 이루어지는 기판(200)이 사용될 수 있다.
기판(200)의 크기는 제한되지 않으나, 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 공정의 타겟으로 활용하기 위해 사용하는 경우, 스퍼터링 공정 시간, 속도, 작업량에 따라 달라질 수 있으며, 스퍼터링 타겟을 제조하는 방식과 조건에 따라 결정될 수 있다.
기판(200)과 후술할 타겟층(100)의 사이에는 접합층이 구비될 수 있다. 기판(200) 위에 구비되는 타겟층(100)과 기판(200)의 계면에서 서로 간의 접합이 양호하지 않은 경우 타겟층(100)의 박리가 일어나는 문제가 생길 수 있는데, 기판(200)과 타겟층(100)의 접합 특성을 보완하기 위하여 예를 들어 엘라스토머(Elastomer)와 같은 접합층이 구비될 수 있으며, 기판(200)과 접합층의 우수한 접합이 요구되지 않는 경우에는 별도의 접합층 없이 기판(200)상에 타겟층(100)이 직접 형성되는 것도 좋다.
타겟층(100)은 기판(200) 상에 구비되는 합금층으로서, 기판(200) 또는 접합층의 표면에 구비될수 있다. 타겟층(100)은 비정질 형성능이 우수한 합금 조성으로 이루어지며, 바람직하게는 비정질 상을 포함하는 비정질 합금층인 것이 좋다.
구체적으로는, 타겟층(100)에 포함되는 합금은 철(Fe)을 주성분으로 포함하는 조성을 가지는 철계 합금인 것이 좋으며, 비정질 형성능을 향상시킬 수 있는 원소들이 포함되어 있는 철계 비정질 합금인 것이 바람직하다. 비정질 스퍼터링 타겟 소재로는 비정질 형성능을 향상시킬 수 있는 대형원자(large atom)인 K, Sr, Eu, Ca, Y, Pb, Er, In, Zr 등이 일부 포함될 수 있으며, 중형원자(intermediate atom)인 Ni, Cr, Co, Cu, V, Mo, W, Pt, Nb, Ta, Au, Ag, Ti 등이 포함될 수 있으며, 소형원자(small atom)인 P, S, B, C 원소가 첨가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예의 철계 합금은 Fe, Cr 및 Mo 을 포함하고, 추가적으로 Ni, Co, Cu, V, W, Pt, Nb, Ta, Au, Ag, Ti, P, S, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 포함하며, 바람직하게는 상기 원소 군에서 선택되는 2 이상의 원소들이 포함되는 것이 좋다.
한편, 추가적으로 포함되는 Ni, Co, Cu, V, W, Pt, Nb, Ta, Au, Ag, Ti, P, S, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소는 전체 합금에서 각각 10 wt% 이내로 포함되는 것이 바람직하다.
선택되는 적어도 하나 이상의 원소가 10 wt.%를 초과하는 경우 합금의 비정질 형성능이 저하 및 유리전이온도(Tg) 및 결정화 온도(Tx)의 감소로 인해 비정질상의 비율이 낮아지거나, 결정화가 쉽게 발생할 수 있다. 또한, 이로 인해 스퍼터링시 발생하는 열에 의해 타겟층(100)에서 결정화가 이루어질 수 있어 타겟에 균열이 발생하거나, 스퍼터링으로 제조되는 합금박막(300)의 조성 불균일이 야기될 수 있다.
타겟층(100)을 이루는 합금이 위와 같은 조성을 가지는 경우, 합금의 비정질 형성능이 우수한 철계 합금 타겟층(100)이 구비될 수 있다. 이 때, 타겟층(100)에 비정질 상이 높은 비율로 포함될 수 있으며, 타겟층(100)이 비정질상을 포함하지 않거나 낮은 비율로 포함하더라도 최종적으로 얻어지는 박막에서 높은 비율의 비정질상이 얻어질 수 있다.
타겟층(100)에 포함되는 비정질 상의 비율은 80 내지 100%, 바람직하게는 90 내지 100%, 더욱 바람직하게는 95 내지 100%인 것이 좋다.
비정질상의 비율이 해당 범위보다 낮은 경우 결정상의 비율이 높아지고, 합금에서 결정상을 이루는 원소들의 불균일한 분포로 인해 스퍼터링 박막의 조성 균일도가 감소할 수 있다. 또한 결정상의 비율 증가로 타겟층(100)의 취성의 증가하거나, 결정상이 형성된 타겟층(100) 부분에서 합금의 유리전이온도(Tg) 및 결정화 온도(Tx)의 감소로 비정질 형성능이 저하되어 스퍼터링시 발생하는 온도 상승에 의한 추가적인 결정화가 국부적으로 발생할 수 있어 타겟층(100)의 균열이 유발될 수 있다.
한편, 타겟층(100)의 두께는 크게 제한되지 않으며, 적용되는 기술분야 및 제품의 요구치에 따라 쉽게 제어될 수 있으나, 50 ㎛ 내지 4000 ㎛, 바람직하게는 100 ㎛ 내지 4000 ㎛ 범위인 것이 선호될 수 있다.
비정질상을 포함하는 합금으로 이루어지는 타겟층(100)을 제조하기 위한 방법으로 합금을 분말화한 후 용사코팅 공정으로 타겟층(100)을 형성하는 방법, 합금을 증착 또는 스퍼터링하는 방법, 리본, 박편 형태로 제조한 후 고온에서 성형 또는 소결하는 방법, 주조, 프레스 또는 압착하는 방법 등이 사용될 수 있고, 바람직하게는 합금분말을 용사코팅하여 타겟층(100)을 형성하는 방법을 사용하는 것이 좋다.
비정질 합금 분말을 이용하여 용사코팅 공정으로 스퍼터링 타겟을 제조하는 경우, 합금 분말을 완전히 용융시킨 후 빠른 냉각속도(~106K/s)로 급냉하는 공정이 포함될 수 있고, 분사 온도 제어를 통해 분말의 비정질 상을 그대로 유지하면서 타겟층(100)의 형성이 가능하여 두께 및 크기 등을 제어하기 용이한 장점이 있다.
반면, 고온에서 성형 또는 소결하는 방법, 주조, 프레스 또는 압착하는 방법, 증착 또는 스퍼터링 방법 등의 경우 빠른 냉각속도(~106K/s)를 부여하기 어려워, 비정질 조직(short range ordered structure)를 이루기 어렵고, 백플레이트(back plate or backing plate)와의 추가적인 접합 공정이 추가되어 생산성 및 경제성의 저하가 유발될 수 있다.
보다 구체적으로는, 타겟층(100)은 다양한 용사 방식으로 제조될 수 있으며, 이 중에서도 고속화염용사(HVOF), 플라즈마용사(Plasma spray), 화염용사(flame spray), 아크용사(Arc spray), 트윈와이어아크용사(Twin wire arc spray, TWAS) 및 저온용사(cold spray) 등을 포함하는 열용사(Thermal spray) 방식이 활용되는 것이 바람직하다.
타겟층(100)을 형성하는 방법으로 열용사 방식을 사용하는 경우, 원하는 합금 조성으로 이루어지는 합금 분말을 사용할 수 있고, 코팅 방법 및 조건의 제어가 용이한 장점이 있다. 또한, 비정질 상을 포함하는 합금 분말을 용사 소재(Feedstock)으로 사용하는 경우, 분말에 포함된 비정질상의 비율을 높은 수준으로 유지하면서도 타겟층(100)을 형성할 수 있어, 높은 분율의 비정질상을 가지는 비정질 타겟층(100)을 형성하기 유리하다.
본 발명의 일 실시예는 열용사 방식에 의해 형성된 타겟층(100)이 포함되는 스퍼터링 타겟을 개시하며, 열용사 방식 중에서도 저온용사(cold spray) 방식으로 타겟층(100)이 구비된 스퍼터링 타겟을 개시한다.
대기플라즈마용사(Atmospheric plasma spray, APS), 아크용사(Arc spray), 초고속화염용사(HVOF spray) 등과 같은 높은 온도가 수반되는 용사 코팅 공정의 경우 유리전이온도(Tg) 혹은 결정화 온도(Tx) 보다 높은 온도 구간에서 분말이 적층되어 분말이 비행도중 높은 열원에 의해 산화되는 비행중산화(inflight oxidation)에 의한 분말의 산화(oxidation)가 발생하고, 그로 인한 금속원소의 고갈(depletion)이 발생한다. 이러한 첨가 원소의 고갈은 코팅층의 비정질 형성능을 국부적으로 감소시켜 고갈영역에서 합금의 결정화가 발생할 수 있다.
그러나, 저온 용사 코팅 공정을 사용하는 경우 이러한 문제점이 발생하지 않아 다른 용사코팅 공정으로 제조된 소재들보다 타겟의 전체적인 비정질 분율이 높고, 균일한 비정질상 비율이 얻어지며, 순도 및 밀도 또한 더 높은 장점을 가지고 있다.
저온 용사는 금속 또는 복합재료 분말을 고압의 압축 가스, 예를들어 헬륨, 질소, 아르곤 또는 혼합가스 등을 이용하여 500 내지 1200 m/s 정도의 초음속으로 가속시켜 분말의 소성변형을 유도하여 모재 위에 분말을 적층하여 치밀한 용사층을 형성하는 기술로서, 낮은 온도에서 분말을 용융시키지 않고 고상 상태로 적층해 운동 에너지에 의한 소성 변형을 일으키므로 고온에서 산소와 반응성이 높은 구리, 티타늄 소재에 적용하거나 상의 안정성이 낮은 비정질, 나노결정 소재를 용사하는 방법으로 활용되며, 초기분말의 특성(순도, 조성 등)이 그대로 유지되는 장점이 있다.
또한, 비정질 합금분말을 이용해 용사 방식으로 타겟층(100)을 형성하는 경우, 형성되는 용사층은 기판(200) 또는 모재 상에 구비되므로 종래 기판(200)에 타겟층(100)을 접합하기 위해 필요하던 접합 본딩 공정을 생략할 수 있는 장점이 있다.
추가적으로, 용사 코팅 공정을 통해 분말을 적층시켜 스퍼터링 타겟을 만드는 방법은 폐 스퍼터링 타겟의 유지 보수(repair)에 활용되는 것도 바람직하다.
형성된 타겟층(100)은 합금 분말에 포함된 합금의 조성, 비정질상의 비율, 용사 방법, 용사 조건에 따라 일부 다른 특성을 가질 수 있다. 타겟층(100)은 입계(particle boundary)에 산화물이 존재하지 않아 코팅층의 순도가 분말의 순도와 유사하며(낮은 불순물 함량), 기공도가 매우 낮고, 비정질 상의 비율이 feedstock과 유사한 수준으로 얻어질 수 있다.
구체적으로, 타겟층(100)에 포함된 불순물의 함량은 0.05wt.% 이하, 바람직하게는 0.001 내지 0.04 wt.%, 더욱 바람직하게는 0.001 내지 0.005wt.%일 수 있다. 불순물의 함량이 해당 범위보다 높은 경우 박막의 조성과 분말의 조성이 상이하여 기대한 특성(내마모, 내부식 등)의 저하가 야기될 수 있다.
여기에서 불순물이란 외부에서 유입되는 불순물뿐만 아니라, 타겟층(100)을 형성하는 과정에서 입계(particle boundary)에 미량 존재하는 질소, 산소 등과 같은 원소들, 비행중산화(inflight oxidation)에 의해 형성된 금속의 산화물, 금속 원자가 비금속원자와 화학적 결합된 세라믹 상, 금속간화합물 등을 포함하는 것으로써, 이물질뿐만 아니라 비정질 합금분말에 포함되어 있지 않은 새로운 화합물, 결정상 등을 포함한다.
또한, 타겟층(100)의 기공도는 0.1% 이하일 수 있다. 보다 바람직한 기공도는 0.01 내지 0.1%일 수 있다. 타겟층(100)의 기공도가 해당 범위보다 높은 경우 스퍼터링 시 타겟층(100)의 박리 및 박막의 조도(roughness)가 증가하여 최종 제품의 질이 낮아지는 문제가 있을 수 있다.
또, 타겟층(100)에 포함되는 비정질상의 비율은 98.0% 이상인 것이 좋고, 바람직하게는 99.0% 이상, 보다 바람직하게는 99.5% 이상인 것이 좋다. 코팅에 사용된 비정질 합금 분말에 포함된 비정질 상의 비율에 비해 0.96 내지 1배, 바람직하게는 0.98 내지 1배 범위인 것이 좋다. 타겟층(100)에 포함되는 비정질 상의 비율이 해당 범위보다 낮거나, 비정질 합금분말보다 낮은 비율의 비정질 상을 포함하는 경우 박막의 국부적인 조성차이가 발생할 수 있으며, 그로 인한 특성의 저하가 발생할 수 있다.
또한, 스퍼터링 타겟층(100)의 강도 또는 비커스 경도(HV0.3)는 초기 분말과 유사한 900 내지 1100 Hv 인 것이 좋고, 바람직하게는 1000 내지 1100 Hv인 것이 좋다. 강도 또는 비커스 경도가 낮은 경우 코팅층의 위치별 조성차이가 발생했을 가능성이 있으며, 분말의 입계의 결합력이 낮아졌다고 이해할 수 있다. 이러한 경우 스퍼터링이 진행됨에 따라 박막의 조성이 타겟층(100)과 다르거나, 타겟층(100)의 일부가 박리되어 박막에 떨어져 제품의 불량을 초래할 수 있다.
한편, 타겟층(100)을 형성하기 위한 용사 공정에 사용되는 비정질 합금분말의 크기와 형태는 제한되지 않으나 구형에 가까운 분말인 것이 좋고, 합금분말의 평균 입경은 40㎛ 이하, 바람직하게는 30㎛ 이하인 것이 좋다.
입경이 해당 범위보다 작은 경우, 분말의 운동에너지가 낮아져 적층 효율이 감소하여 스퍼터링 타겟의 제조시 경제성이 낮아질 수 있고, 단위 g당 비표면적의 증가로 비행중 산화(inflight oxidation)에 의한 금속산화물이 형성될 수 있으며, 해당 범위보다 큰 경우 분말의 변형이 유도되지 않아 타겟층(100)의 기공도가 높아지는 문제가 있을 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 비정질 합금 분말을 기판(200) 상에 저온용사하여 타겟 층을 형성하거나, 필요시 열처리되어 얻어지는 스퍼터링 타겟을 제공한다. 저온용사 코팅 이후 열처리를 수행하는 경우 산화물이 형성되지 않는 범위 혹은 결정화가 일어나지 않는 온도 범위 내에서 열처리가 이루어질 수 있으며, 열처리시 타겟층(100)의 합금은 비정질 상을 유지하면서 기공도가 감소하여 타겟층(100)의 밀도가 향상될 수 있다.
이때, 열처리 분위기는 진공 분위기 혹은 Ar 분위기 열처리가 적절하며, 550 내지 570℃에서 수행하는 것이 좋고, 바람직하게는 560 내지 570℃에서 수행하는 것이 좋다. 열처리 온도가 해당 범위보다 낮은 경우 기공의 개선효과가 이루어지지 않아 코팅층의 밀도 향상은 어렵고, 해당 범위보다 높은 경우 결정화가 일어나 비정질 분율이 낮아지는 문제가 발생할 수 있다.
본 발명의 해당 측면에 따른 스퍼터링 타겟은 스퍼터링시 이온화된 가스 원자가 표면에 충돌되어 가공물(400)의 표면에 타겟층(100)과 동일한 조성의 합금박막(300)을 형성할 수 있는 단일(single) 타겟으로 활용되는 것이 바람직하며, 단일 타겟으로 활용된다는 것은, 단일 기판(200)(single plate)상에 단일한 조성의 합금으로 이루어지는 타겟층(100)이 형성된 스퍼터링 타겟이 스퍼터링 공정에서 유일하게 사용되는 것을 의미한다.
단일한 조성의 합금이란 전혀 다른 원소를 포함하거나 포함되는 원소의 함량이 서로 다른 경우를 제외하는 의미로, 타겟층(100)을 형성하는 과정에서 일부 불순물이 포함되거나 무시할 수 있는 정도의 함량차이나 포함된 비정질상 비율이 달라지더라도 통상적으로 동일한 조성의 합금인 것으로 볼 수 있는 경우를 포함한다.
타겟층(100)에 포함되는 합금은 비정질 형성능이 우수한 철계 비정질 합금으로서 비정질상의 비율, 유리전이온도(Tg) 및 결정화 온도(Tx)가 높아, 스퍼터링 공정 중 국부적인 타겟의 온도 상승에도 결정화가 잘 이루어지지 않아 취성 특성이 양호하여 스퍼터링 타겟의 균열이 거의 발생하지 않는다.
또한, 용사 코팅 공정으로 형성된 스퍼터링 타겟을 단일 타겟으로 활용해 스퍼터링 공정에 사용하는 경우, 상기 언급된 타겟층(100)의 우수한 특성(높은 비정질 형성능)과 용사 코팅 공정에 기인한 타겟층(100)의 건전한 미세조직(매우 낮은 기공도 및 분말 계면 결함)로 인하여 스퍼터링 공정 중 타겟의 온도가 증가하더라도 미세조직적 결함(기공 및 분말 계면결함)에서의 물성 열화로 인한 타겟층(100)의 균열이 형성되는 것을 방지 할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은 스퍼터링 타겟을 제조하는 방법으로서, 철계 합금분말 및 기판(200)을 준비하는 단계, 전술한 기판(200) 상에 철계 비정질 합금분말을 열용사(Thermal spray)하여 타겟층(100)을 형성하는 단계를 포함한다.
철계 합금분말은 전술한 것과 동일한 비정질 합금분말이 사용되는 것이 바람직하며, 비정질상을 포함하지 않더라도 비정질 형성능이 높은 조성의 합금 분말을 사용하는 것이 좋다. 기판(200)은 전술한 것과 동일하게 스퍼터링 공정시에 음극에 전기적으로 연결되어 이온화된 가스원자가 타겟층(100)을 향해 가속될 수 있도록 하는 것이 좋다.
열용사 방법은 다양한 방법이 사용되는 것이 가능하지만 저온용사(cold spray) 방식이 사용되는 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 해당 측면은 스퍼터링 방법을 통해 비정질상을 포함하는 박막을 제조하는 경우, 비정질 형성능이 우수한 조성의 합금을 타겟으로 제공하기 위하여 합금 조성 비율로 계산된 둘 이상의 타겟을 사용하여 스퍼터링을 수행하는 방법 대비 단일한 스퍼터링 타겟을 활용할 수 있는 점에서 제조되는 박막의 조성 균일성 및 스퍼터링 공정이 단순화될 수 있는 장점이 있고, 비정질합금 조성의 타겟을 소결이나 주조로 제조하기 어려운 문제점을 해결하는 장점이 있다.
전술한 스퍼터링 타겟의 타겟 기판(200)은 백플레이트로서 스퍼터링 공정시 그대로 활용될 수 있으며, 단일 기판(single plate) 인 것이 좋고, 직류 또는 교류 전원에 연결되어 음극(Cathode, -극) 으로서 역할을 수행할 수 있다. 기판(200) 상에 구비된 타겟층(100)은 스퍼터링이 일어나는 표면을 제공하여 스퍼터링 공정 진행시 스퍼터링 타겟의 타겟층(100)에 포함된 합금이 스퍼터링의 대상이 되며, 양극(Anode, +극)역할을 수행하는 기재 또는 기판(200) 등의 가공물(400) 상에 동일한 조성의 합금박막(300)을 형성한다.
스퍼터링에 이용하는 장치 및 스퍼터링 조건은 제한되지 않으며, 통상의 기술수준에서 채용 가능한 장치 및 조건에서 진행될 수 있다.
본 발명의 또 다른 측면은 전술한 스퍼터링 타겟을 스퍼터링 타겟으로 하여 형성된 합금 박막 및 합금 박막을 포함하는 구조체에 관한 것이다.
스퍼터링에 의하여 제조되는 박막은 타겟층(100)과 동일한 조성의 합금을 포함하는 것이 바람직하고, 실제로는 측정 방법이나 시료의 채취 시 일부 오차가 발생할 수 있으나 스퍼터링 공정에 의해 형성되는 박막의 조성은 스퍼터링 타겟이 되는 타겟층(100)과 동일한 조성을 갖는다고 표현할 수 있다.
특히, 스퍼터링에 의해 제조되는 박막은 스퍼터링 타겟으로 사용되는 타겟층(100)이 비정질상을 포함하는 경우, 타겟층(100)의 비정질상까지 동일하게 포함하도록 구비될 수 있으며, 박막에 포함되는 비정질상의 비율과 타겟층(100)에 포함되는 비정질상의 비율의 차이는 0%인 것이 이상적이나, 5% 이내, 바람직하게는 0.1 내지 5 %로 얻어 질 수 있다.
또한, 열용사 방식으로 형성된 타겟층(100)이 가지는 분말 적층 형태의 구조는 스퍼터링 공정시 합금분말간 또는 합금분말 내부에서의 화학적 반응이나 불순물 형성을 최소화할 수 있어 희망하는 조성의 합금이 그대로 박막에 적용될 수 있는 장점이 있다.
이하에서는 실시예를 통하여 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
(실시예)
스퍼터링 타겟의 제조
Fe계 비정질 합금 분말로 중형원자인 Cr, Mo와 소형 원자인 B, C 등을 포함하고, 각 성분의 함량이 Cr : 15.8 wt.%, Mo : 27.0 wt.%, B : 1.2 wt.%, C: 3.7 wt.%, 잔량의 Fe로 이루어지며 표 1의 평균 입도를 가지는 철계 비정질 합금분말을 준비하였다. 이후 각각의 합금분말을 스테인레스강 기판 상에 저온 용사(Cold spray) 방식, 초고속화염용사(HVOF) 방식 및 대기플라즈마 용사(Atmospheric plasma spray, APS) 방식을 이용하여 표 1에 기재된 두께를 가지는 타겟층을 형성하였다.
시편
No.		 합금조성 결정상태 합금분말 평균 입도
(㎛)		 타겟층 두께
(㎛)		 코팅 방법 기판
1 Fe-Mo-Cr-B 비정질 29.5 420 Cold spray 스테인리스강
2 Fe-Mo-Cr-B 비정질 29.5 250 HVOF spray 스테인리스강
3 Fe-Mo-Cr-B 비정질 17.0 300 Cold spray 스테인리스강
4 Fe-Mo-Cr-B 비정질 17.0 110 HVOF spray 스테인리스강
5 Fe-Mo-Cr-B 비정질 48.5 320 Cold spray 스테인리스강
6 Fe-Mo-Cr-B 비정질 48.5 210 HVOF spray 스테인리스강
7 Fe-Mo-Cr-B 비정질 29.5 400 Atmospheric plasma spray 스테인리스강
(실험예)
실험예 1 - 철계 비정질 분말의 조직 분석
표 1의 철계 비정질 합금 분말의 단면 미세조직을 전자 현미경으로 관찰하고, 철계 비정질 합금 분말의 X-Ray 회절 분석을 수행하여 그 결과를 도 2에 나타내었다.
도 2의 (a)는 분말의 단면 미세구조를 촬영한 사진으로, 분말은 전체적으로 구형으로 관찰되었으며 평균 입도는 29.5㎛인 것을 확인할 수 있다. 도 2의 (b)의 결과에서 결정질상의 피크(crystalline peak)는 검출되지 않았으며, 넓은 헤일로 피크(broad halo peak)만 검출되어 분말은 모두 비정질상을 유지하고 있는 것으로 판단된다
실험예 2 - 타겟층 구조적 특성 분석
시편 1 내지 6의 합금코팅층 및 합금분말에 대하여 ICP 분석을 통해 합금조성 및 불순물 혹은 이물질의 포함여부를 확인하고, X선 회절(XRD : X-ray diffraction) 분석을 이용해 결정구조를 분석하였으며, 전계방출형 주사전자현미경(Field Emission Scanning Electron Microscope)과 전계방출형 전자탐침 미세분석기(Field Emission Electron Probe Micro Analyzer)를 이용하여 코팅층의 미세조직(기공도 및 원소분포)를 확인하였다.
도 3은 모재 상에 가로와 세로 길이가 각 8cm 인 영역에 시편 1의 철계 비정질 분말을 이용하여 스퍼터링 타겟을 제조한 후 촬영한 사진이다.
도 4 및 도 5는 각각 시편 1 및 시편 2의 분말을 사용해 저온용사 코팅공정과 초고속화염용사 공정으로 제조된 철계 비정질 합금 타겟층의 단면과 미세조직을 촬영한 사진이다.
도 4의 (a)에서 타겟층의 두께는 420 ㎛로 측정되었으며, 타겟층의 내부 및 타겟층과 모재의 계면 영역에서 어떠한 결함이나 불순물이 관찰되지는 않았다.
도 4의 (b)는 고배율로 관찰하였을 때의 타겟층의 미세조직을 촬영한 것이며, (1)로 표시된 부분에서 입계에 산화물이 검출되지 않은 것으로 보아 초기 분말과 동일한 수준의 불순물이 타겟층에 포함된 것을 알 수 있다.
도 5의 (a)에서는 타겟층의 내부 및 타겟층과 모재의 계면상에 결합은 관찰되지 않았으나, 입계에 일부 기공이 존재하는 것이 관찰되었으며, 도 5의 (b)에서는 입계의 사이가 확실하게 관찰되며, (2)로 표시된 부분에서 Fe-Cr계 복합산화물이 존재하고 있는 것으로 분석되어 도 4에 나타낸 저온용사 공정의 타겟층 대비 불순물의 함량이 높고, 제조에 사용된 철계 비정질 합금 분말에 포함된 불순물 함량 대비 타겟층에 포함된 불순물의 함량이 더욱 높을 것으로 예상된다.
도 6은 시편 1의 저온용사 코팅공정으로 제조된 타겟층의 XRD 분석결과를 나타낸 것이다. 분석 결과, 시편 1의 철계 비정질 합금 분말을 이용하여 저온용사 방식으로 타겟층을 형성하는 경우, 도 2의 (b)에서 나타난 것과 같이 사용된 분말과 동일하게 결정질상의 피크는 검출되지 않았으며, 넓은 헤일로 피크만 검출되어 분말과 마찬가지로 비정질상이 유지되는 것으로 나타났다.
도 7은 시편 1의 스퍼터링 타겟의 타겟층을 EPMA로 분석한 결과를 나타낸 것이고, 분석 결과 합금에 포함되는 Fe, Cr, Mo 및 B가 고르고 미세하게 분포하는 것을 알 수 있으며, 상(phase)의 석출에 의한 합금원소들의 편석(segregation)은 관찰되지 않았다.
실험예 3 - 스퍼터링 타겟의 물성 분석
시편 1 내지 7에서 사용된 합금 분말 및 스퍼터링 타겟층의 비정질 비율, 기공도 및 경도를 측정하였으며, 타겟소재의 표면 연마 후 균열밀도를 확인하였다. 타겟층의 미세조직 분석 결과들을 바탕으로 매우 우수, 우수, 양호, 나쁨의 4단계로 평가하였다.
실험예 1 및 3의 결과를 정리하여 아래 표 2에 나타내었다.
합금 분말 스퍼터링 타겟 평가
비정질상 비율
[%]		 경도
[Hv0.3]		 비정질상 비율
[%]		 경도
[HV0.3]		 기공도
[%]		 균열 밀도
[cracks/cm2]
1 99.9 1100.3 99.9 1096.2 0.01 0 ◎
2 99.9 1101.2 99.9 897.1 0.05 0 ○
3 99.9 1023.4 99.9 965.0 0.02 0 ◎
4 99.9 1035.7 98.6 880.3 0.1 1 ○
5 99.9 1132.0 99.9 923.5 0.05 0 ○
6 99.9 1100.3 97.0 787.6 0.13 1 ○
7 99.9 1130.1 74.2 607.1 7.5 3 X
(◎: 매우 우수, ○:우수, △:양호 Ⅹ:나쁨)
실험예 4 - 스퍼터링 수행 후 스퍼터링 타겟 표면 평가
시편 1 내지 7을 이용하여 스퍼터링을 수행하였으며, 스퍼터링 후 사용된 타겟소재의 표면 육안 평가와 광학 현미경을 이용한 균열 밀도측정을 수행하여, 결과를 바탕으로 매우 우수, 우수, 양호, 나쁨의 4단계로 평가하여 아래 표 3에 나타내었다.
육안 평가 균열 밀도
(cracks/cm2)		 종합 평가
1 ◎ 0 ◎
2 ◎ 0 ○
3 ◎ 0 ◎
4 ◎ 1 ○
5 ◎ 0 ○
6 ◎ 1 ○
7 △ 3 X
(◎: 매우 우수, ○:우수, △:양호 Ⅹ:나쁨)
전술한 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 타겟층
200 : 기판
300 : 합금박막
400 : 가공물

Claims (14)

  1. 기판; 및
    상기 기판상에 구비되며, 비정질상의 비율이 98.0% 이상인 합금 타겟층;을 포함하는 스퍼터링 타겟.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 타겟층의 기공도는 0.1% 이하인, 방식인 스퍼터링 타겟.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 타겟층은 Cr 및 Mo를 포함하는 철(Fe)계 합금을 포함하는, 스퍼터링 타겟.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 철(Fe)계 합금은 Ni, Co, Cu, V, W, Pt, Nb, Ta, Au Ag, Ti, P, S, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 각각 10wt.% 이하로 더 포함하는, 스퍼터링 타겟.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 타겟층의 두께는 50 내지 4000㎛ 인, 스퍼터링 타겟.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 단일 기판(single plate)이고, 상기 기판 상에 구비된 상기 타겟층은 단일한 조성을 가지는 스퍼터링 타겟.
  7. 기판을 준비하는 단계; 및
    상기 기판 상에 철(Fe)계 비정질 합금분말 또는 비정질 형성능이 있는 조성의 철(Fe)계 합금분말을 저온용사(cold spray)하여 비정질상의 비율이 98.0% 이상인 타겟층을 형성하는 단계;를 포함하는 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 철(Fe)계 합금분말은 Cr 및 Mo를 포함하는 철(Fe)계 합금분말인, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 철(Fe)계 합금분말은 Ni, Co, Cu, V, W, Pt, Nb, Ta, Au Ag, Ti, P, S, B 및 C로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 하나 이상의 원소를 각각 10wt.% 이하로 더 포함하는, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 철(Fe)계 합금분말의 평균 입도는 40㎛ 이하이며,
    상기 타겟층의 기공도는 0.1% 이하인, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 타겟층의 두께는 50 내지 4000㎛ 인, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 타겟층에 포함되는 비정질상의 비율은 상기 철(Fe)계 합금분말에 포함되는 비정질상의 비율의 0.96배 내지 1배인, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  13. 제7항에 있어서,
    상기 철(Fe)계 합금분말의 결정화 온도(Tx)보다 낮은 온도에서 상기 스퍼터링 타겟을 열처리하는 단계를 더 포함하는, 스퍼터링 타겟의 제조방법.
  14. 제7항 내지 제13항 중 어느 한 항에 의해 제조된 스퍼터링 타겟에 이온화된 가스 원자를 충돌시켜 상기 타겟층에 포함되는 원소들을 피가공물 상에 증착하는, 합금박막 제조방법.
KR1020220010619A 2021-03-12 2022-01-25 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 KR20220128268A (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202280008599.6A CN116710592A (zh) 2021-03-12 2022-01-26 溅射靶及其制造方法
US18/257,622 US20240035146A1 (en) 2021-03-12 2022-01-26 Sputtering target and method of manufacturing the same
JP2023539112A JP2024500991A (ja) 2021-03-12 2022-01-26 スパッタリングターゲット及びその製造方法
EP22767325.8A EP4249628A1 (en) 2021-03-12 2022-01-26 Sputtering target and manufacturing method therefor
PCT/KR2022/001346 WO2022191428A1 (ko) 2021-03-12 2022-01-26 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
TW111109089A TWI821944B (zh) 2021-03-12 2022-03-11 濺鍍靶、其製造方法以及製造合金薄膜的方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210032654 2021-03-12
KR20210032654 2021-03-12

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220128268A true KR20220128268A (ko) 2022-09-20

Family

ID=83446561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220010619A KR20220128268A (ko) 2021-03-12 2022-01-25 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20220128268A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109863A (ko) 2018-03-19 2019-09-27 삼성전자주식회사 고내식-고광택 알루미늄계 스퍼터링 타겟 합금 조성, 미세구조 및 그 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190109863A (ko) 2018-03-19 2019-09-27 삼성전자주식회사 고내식-고광택 알루미늄계 스퍼터링 타겟 합금 조성, 미세구조 및 그 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8883250B2 (en) Methods of rejuvenating sputtering targets
US7910051B2 (en) Low-energy method for fabrication of large-area sputtering targets
KR100731407B1 (ko) Ａｌ-Ｎｉ-희토류 원소 합금 스퍼터링 타겟
KR100943117B1 (ko) Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ 시스템 Ａｌ-계 합금 스퍼터링 타겟 그리고이것을 제조하는 공정
KR102359630B1 (ko) W-Ni 스퍼터링 타깃
WO1995016797A1 (en) Molybdenum-tungsten material for wiring, molybdenum-tungsten target for wiring, process for producing the same, and molybdenum-tungsten wiring thin film
WO2012128327A1 (ja) 積層体、導電材料および積層体の製造方法
US20160254128A1 (en) Sputtering target and process for producing it
JP2011523978A (ja) モリブデン−ニオブ合金、かかる合金を含有するスパッタリングターゲット、かかるターゲットの製造方法、それから製造される薄膜、およびその使用
US20130233706A1 (en) Al-based alloy sputtering target and production method of same
JP5333144B2 (ja) 薄膜製造用焼結体ターゲットとその製造方法
KR20140097687A (ko) 비정질상을 갖는 내식성 합금박막의 형성방법
KR20220128268A (ko) 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
US20240035146A1 (en) Sputtering target and method of manufacturing the same
KR20150021891A (ko) 피복층 형성용 스퍼터링 타깃재 및 그 제조 방법
CN116710592A (zh) 溅射靶及其制造方法
WO2023162327A1 (ja) スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2013147738A (ja) Ｔａを含有する酸化アルミニウム薄膜

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination