JP7225170B2 - Ag合金円筒形スパッタリングターゲット、スパッタリング装置及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
純度が99.9%以上のAgの溶湯に純度99.9%以上の合金化元素を添加して、真空又は不活性ガス雰囲気中で溶解する。溶解合金化後、坩堝の底から溶湯を落下させアルゴン等の不活性ガスを吹き付けることにより、アトマイズ粉を作製する。アトマイズ粉の粒径は1μm以上1000μm以下が好ましい。より好ましくは10μm以上100μm以下である。また、ガス系不純物を低減させるために、表面積の少ない球状とすることが好ましい。
まず、図2及び図3を参照して、本発明の実施形態に係るスパッタ装置100の基本的な構成について説明する。本実施形態に係るスパッタ装置100は、半導体デバイス、磁気デバイス、電子部品などの各種電子デバイスや、光学部品などの製造において成膜対象物20(基板上に積層体が形成されているものも含む)上に薄膜を堆積形成するために用いられる。より具体的には、スパッタ装置100は、発光素子や光電変換素子、タッチパネルなどの電子デバイスの製造において好ましく用いられる。中でも、本実施形態に係る成膜スパッタ装置100は、有機EL(ElectroLuminescence )素子などの有機発光素子や、有機薄膜太陽電池などの有機光電変換素子の製造において特に好ましく適用可能である。なお、本発明における電子デバイスは、発光素子を備えた表示装置(例えば有機EL表示装置)や照明装置(例えば有機EL照明装置)、光電変換素子を備えたセンサ(例えば有機CMOSイメージセンサ)も含むものである。
真空チャンバ内を所定のガス雰囲気状態にし、制御手段(不図示)によって、大気ボックス230を所定の速度で移動させながら、ターゲットユニット3のバッキングチューブ2に電圧波形を印加すると、プラズマの生成とともにスパッタリングによりターゲット材料が飛散する。その材料がマスク7を通過して成膜対象物20に到達することで、成膜対象物20の表面にターゲット材料を含有した膜が形成される。ターゲットユニット3がX方向に移動(走査)されることで、X方向の広い領域にわたり成膜が可能である。必要であれば、ターゲットユニット3は複数回走査したり、往復走査したりすることができる。
次に、図5、図6を参照して、上記スパッタ装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。電子デバイスの例として、有機電子デバイスである有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示している。なお、以下で示す有機EL表示装置の構成は一例であり、本発明をこの構成に限定するものではない。図5は有機EL表示装置60の全体図、図6は、1画素の断面構造を表している。
まず、有機EL表示装置を駆動するための回路(不図示)および第1電極64が形成された基板63を準備する。
純度99.99%以上のAgを98wt%、Mgを2wt%の比率で真空溶解して、合金化させた後、坩堝の底から溶湯を落下させ、Arガスアトマイズ法により、アトマイズ粉末を作成した。次に、このアトマイズ粉をステンレス製の円筒形の基体であるバッキングチューブに吹き付けて、円筒形スパッタリングターゲットを作製した。
純度99.99%以上のAgを98%、Mgを2wt%の比率で真空溶解して、合金化させた後、鋳造、熱間押出しにより、円筒形スパッタリングターゲットを作製した。その後、この円筒形スパッタリングターゲットを熱処理して歪を除去して再結晶化し、その後、ステンレス製の円筒形の基体であるバッキングチューブとInを用いてボンディングした。
2 円筒形バッキングチューブ(基体)
Claims (12)
- 前記AgMg合金円筒形スパッタリングターゲットは、円筒形の基体であるバッキングチューブ上に積層されていることを特徴とする請求項1に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲット。
- 前記円筒形の基体は、ステンレス、銅、銅合金、チタンのいずれかであることを特徴とする請求項2に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲット。
- Ag及びMgを含むAgMg合金を含むAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法であって、
AgとMgとを含む合金溶湯を真空又は不活性ガス雰囲気中で調整する工程と、ガスアトマイズ法によりアトマイズ粉末を作製する工程と、該アトマイズ粉末を円筒形の基体であるバッキングチューブに吹き付ける工程、とを含み、
前記スパッタリングターゲット中の酸素含有量が1000wtppm以下、塩素含有量が10wtppm以下であることを特徴とするAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。 - Ag及びMgを含むAgMg合金を含むAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法であって、
AgおよびMgを含むターゲット材料を真空又は不活性ガス雰囲気中で溶解させる工程と、溶解した前記ターゲット材料を落下させつつ、当該ターゲット材料に不活性ガスを吹き付けることで、前記ターゲット材料を粉末の形態にする工程と、円筒形の基体に前記ターゲット材料を衝突させて堆積する堆積工程を有し、
前記スパッタリングターゲット中の酸素含有量が1000wtppm以下、塩素含有量が10wtppm以下であることを特徴とするAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。 - 前記粉末の粒径は、1μm以上1000μm以下であることを特徴とする請求項6に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 前記堆積工程では、粉末の形態の前記ターゲット材料が、不活性ガスのフローによって前記基体に衝突することを特徴とする請求項6に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットの製造方法。
- 請求項1~3のいずれか一項に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットを備えたスパッタリング装置。
- 請求項4に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットを備えたスパッタリング装置。
- 成膜対象物とスパッタリングターゲットとをチャンバ内に配置し、前記成膜対象物に前記スパッタリングターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記スパッタ成膜工程は、請求項1~3のいずれか一項に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットを用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
- 成膜対象物とスパッタリングターゲットとをチャンバ内に配置し、前記成膜対象物に前記スパッタリングターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記スパッタ成膜工程は、請求項4に記載のAgMg合金円筒形スパッタリングターゲットを用いることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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