CN105070742A

CN105070742A - Oled显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法

Info

Publication number: CN105070742A
Application number: CN201510570417.6A
Authority: CN
Inventors: 夏存军; 宋桂林; 王正君; 杜小菊; 常方高
Original assignee: Henan Normal University
Current assignee: Henan Normal University
Priority date: 2015-09-09
Filing date: 2015-09-09
Publication date: 2015-11-18
Anticipated expiration: 2035-09-09
Also published as: CN105070742B

Abstract

本发明公开了一种OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法，器件结构：包括第一正向OLED、反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED；所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED。单像素点的结构实现单像素点独立发红蓝绿三基色光及三基色复合光的设计，相比现在的OLED、LCD显示画面的像素分辨率更高可比拟第一代CRT显示的分辨率、颜色更绚丽更多彩；本发明的OLED显示像素的结构及驱动方法，相比现在AMOLED方式的OLED显示像素结构，驱动TFT结构相对简单，可节约TFT相关的成本；本发明的OLED显示各个像素点的结构都相同的制备工艺，相比AMOLED红蓝绿三基色并列分布的制备工艺简单，可以提高生产过程的良品率等，有效的降低成本。

Description

OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法

技术领域

本发明涉及一种OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法。

背景技术

现在OLED面板的显示通常有下面三种:红绿蓝（RGB）像素独立发光，光色转换和彩色滤光膜。

RGB象素独立发光：利用FMM（精密的金属掩膜版）与CCD象素精密对位技术，首先制备红、绿、蓝三基色发光中心，然后调节三种颜色组合的混色比，产生彩色，使三色OLED元件独立发光构成一个像素。该项技术的关键在于提高发光材料的色纯度和发光效率，同时金属荫罩刻蚀技术也至关重要。随着OLED显示器的彩色化、高分辨率和大面积化，金属荫罩刻蚀技术直接影响着显示板画面的质量，所以对金属荫罩图形尺寸精度及定位精度提出了更加苛刻的要求。

光色转换：以蓝光OLED结合光色转换膜阵列，首先制备发蓝光OLED的器件，然后利用其蓝光激发光色转换材料得到红光和绿光，从而获得全彩色。该项技术的关键在于提高光色转换材料的色纯度及效率。这种技术不同于FMM对位技术，只需蒸镀蓝光OLED元件。但它的缺点是光色转换材料容易吸收环境中的蓝光，造成图像对比度下降，同时光导也会造成画面质量降低的问题。

彩色滤光膜：利用白光OLED结合彩色滤光膜，类似液晶显示器LCD的彩色滤光膜制作技术，首先制备发白光OLED的器件，然后通过彩色滤光膜得到三基色，再组合三基色实现彩色显示。该项技术的关键在于获得高效率和高纯度的白光。它的制作过程不同于FMM对位技术，但采用此技术使透过彩色滤光膜所造成光损失高达三分之二。

以上OLED面板的显示类型是红、蓝、绿三基色像素点在面板同一面并列分布，通过驱动电路的控制来实现画面的显示，这类显示模式决定像素分辨率不会很高、且现在通用的红、蓝、绿三基色象素独立发光制备过程用FMM（精密掩膜版）及CCD高精密对位带来的工艺复杂良品率低、制备成本较高等问题。

发明内容

发明目的：针对现在OLED显示模式所面临的问题：像素分辨率不高、制备过程用FMM（精密掩膜版）时良品率低、制备成本较高等问题。本发明提供一种OLED显示的像素点的器件结构及其驱动和制备方法。

本发明设计原理：

OLED是一个基于有机材料的发光二极管，依据二极管的特性：加正向驱动电压、电流：OLED器件是通路并处于发光的状态。如加反向电压、电流OLED是一个断路状态。OLED器件结构为：阳极/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）阴极，因为OLED是各层材料叠加的结构，那么OLED在加反向电压、电流时相当于一个电容。依据电容的特性：通交流、阻直流。

技术方案：一种OLED显示的像素点的器件结构，包括第一正向OLED、反转OLED（或者称反向OLED）、电荷产生层和第二正向OLED；所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED。

正向OLED结构加一个电荷产生层加反转OLED结构对器件加正向高频脉冲电压、电流信号，电荷产生层(CGL)为半导体材料处在电场中会发生电荷分布（电荷产生层(CGL)靠近正向OLED结构侧感应电子，另一侧感应空穴），反向结构的OLED在正向高频脉冲电压、电流信号中为电容处于导通状态，那么正向OLED结构部分会处于正常OLED发出光的状态，发出该发光层颜色的光；同样在负向高频脉冲电压、电流信号驱动下，反向结构的OLED处于正常发出光的状态，正向OLED结构此时为电容处于导通状态，电荷产生层为电荷分布（电荷产生层靠近反向OLED结构侧感应电子，另一侧感应空穴），那么处在正负向高频脉冲电压、电流信号不同振幅幅值驱动下，器件就会发出正反OLED结构颜色的复合光，进而实现在这样的器件结构下，随着驱动模式的变化，器件的颜色亮度可调，应用于面板显示可实现单像素点颜色、亮度可调。

所述第一正向OLED与反转OLED共享阴极，反转OLED和第二正向OLED的阳极和空穴注入层由电荷产生层替换；OLED显示的像素点的器件结构从阳极到阴极依次为：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/透明阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/电荷产生层/空穴传输层/红色发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

所述第一正向OLED为正向绿光OLED或正向蓝光OLED或正向红光OLED，所述反转OLED为反转蓝光OLED或反转绿光OLED或反转红光OLED，所述第二正向OLED为正向红光OLED或正向绿光OLED或正向蓝光OLED。

所述第一正向OLED为正向绿光OLED，所述反转OLED为反转红光OLED，所述第二正向OLED为正向蓝光OLED。

通过调整器件结构中三基色OLED的位置及驱动模式来实现显示器的顶发光、底发光、双面发光等发光模式。发光模式驱动模式不变，改变的是顶电极、底电极的材料选取，如选底电极为反射型材料，顶电极选透光型材料就能实现顶发光，底电极为透光型材料，顶电极选反射型材料就能实现底发光，底电极和顶电极都选透光型材料就能实现双面发光。

一种OLED显示的像素点的器件的驱动方法，包括独立三基色光发光模式的驱动和三基色复合光发光模式的驱动：

独立三基色光发光模式的驱动

在OLED像素点器件结构中，给第一正向OLED内层结构的两个电极加上直流电流来驱动让器件发出光。

针对反转OLED内层结构加一电荷产生层和第二正向OLED内层结构需要设计电路满足输出交变脉冲信号，频率可调60~100KHz，脉冲正负振幅幅值可调；依据器件工作原理，对器件施加不同的驱动模式可以得到从器件内发出不同基色光及其两基色的复合色光具体如：

给OLED像素点器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号，器件结构中的第二正向OLED结构的发光层层处于正常发光状态，反转OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布。

给OLED像素点器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号，器件结构中的反转OLED结构的发光层处于正常发光状态，第二正向OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布。

三基色复合光发光模式的驱动

给OLED像素点器件施加一个频率的正负向脉冲电压、电流信号，器件第二正向OLED结构和反转OLED结构的发光层在一个周期内均处于正常发光状态，发复合光。通过调节正负脉冲电压、电流幅值的比例，得到所要的基色的复合光。

给OLED像素点器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件第二正向OLED结构的发光层在该频率的正向脉冲电压、电流信号下处于发红基色光状态，第一正向OLED结构在直流电流的驱动下处于基色状态。通过调节正向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的第二正向OLED和第一正向OLED的发光层组合发出的复合光。

给OLED像素点器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件反转OLED结构的发光层在该频率的负向脉冲电压、电流信号下处于发基色光状态，第一正向OLED结构在直流电流的驱动下处于基色状态。通过调节负向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的反转OLED与第一正向OLED发光层组合发出的复合光。

每层材料的选取：

OLED器件的光电特性受器件结构和结构中各层材料特性的影响，尤其是有机材料的特性。对于阳极材料，考虑于空穴输运层（HTL）材料的能带搭配，需要其具高功函数，（4.5-5.3eV）且性质稳定，有些器件结构底发光还要考虑其透光性，所以ITO透明导电膜被广泛应用于阳极，金属镍、金、铂等具有高功函数也可以用作阳极材料。对于阴极，为了增加元件的发光效率，电子的注入需要阴极具有低功函数，Ag、Al、Ca、In、Li与Mg等金属或低功函数的复合金属（如：Mg-Ag镁银）常用来制作阴极。

电子输运层（ETL）材料，必须电子传输性佳且热稳定，主要有：恶哚衍生物和有机金属络合物如Alq、Znq、Gaq、Bebq、Balq、DPVBi、ZnSPB、PBD、OXD、BBOT等，为了保证有效的电子注入，电子输运层（ETL）材料的分子最低空轨道（LUMO）能级应与阴极的功函数相匹配。空穴输运（HTL）材料，必须热稳定性要好，绝大多数空穴输运材料是芳香胺荧光染料化合物如TPD、TDATA等有机材料。空穴输运层（HTL）材料的分子最高占据轨道（HOMO）能级应与阳极的功函数相匹配。

现在很多器件都增加了电子注入层（EIL）材料和空穴注入层（HIL）材料，来调节阴阳极与传输层材料的能带隙的梯度，降低能级势垒。

有机发光层的材料须具备固态下有载子传输性能好、热稳定性和化学稳定性佳、量子效率高且能够真空蒸镀的特性，考虑材料寿命蓝光主要是用荧光材料，红光、绿光主要用高效率的磷光材料。

电荷产生层材料：鉴于本发明器件结构，电荷产生层应具有载流子迁移率高，透光性好且与邻近层能阶匹配度的特性，主要材料为过渡金属氧化物如氧化钼、氧化钒、氧化钨等。

一种OLED显示的像素点的器件结构的制备方法，

将镀有ITO的玻璃基板经过超声、UV照射、去离子水等工序清洗干净后，经过真空环境磁控溅射制备钼/80nm铝/300nm钼/40nm膜。

镀有ITO/MAM(钼铝钼)膜的基板经过清洗、涂胶、曝光、显影、刻蚀、脱模等工艺制备像素模块的外围电路走线、ITO阳极、像素方格PI及RIB透明阴极隔离柱，并合理控制PI、RIB的厚度（PI厚度不阻断第一个透明阴极，RIB厚度不阻断顶阴极）等。

将制备好像素方格及外围电路走线的基板经过清洗后导入热蒸发蒸镀系统，在等离子腔室，在真空环境用o+、o-等离子体对基板蒸镀面进行清洗，目的是：清洁基板面的异物、提高ITO的功函数。

利用高真空设备在热蒸发腔室添加O-mask并进行对位后，依据有机层（电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层）材料特性合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率在1~2埃/秒，并依据设计的各层厚度在热蒸镀过程中进行控制。

在热蒸发腔室用热蒸发方式依据发光层材料特性合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率（主体1~2埃/秒，掺杂剂0.1~0.3埃/秒），在真空环境蒸镀所需厚度。

在热蒸发腔室用热蒸发方式依据电荷产生层材料特性合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率2~5埃/秒，在高真空环境蒸镀电荷产生层（CGL）并依据设计厚度在热蒸镀过程中进行控制。

透明阴极蒸镀前用M-mask精确对位并借助晶振片来监控蒸发速率依据所需镁银材料比例控制蒸发速率1~5埃/秒蒸镀所设计的厚度；顶阴极蒸镀前用另一个M-mask对位合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率2~5埃/秒热蒸镀所设计的厚度。

顶阴极在高纯氮气环境下用高精密激光干刻出与阳极相同方向的电极，要求激光刻蚀的宽度为2~3微米，深度为300纳米~1微米间；最后将基板导入真空蒸镀系统用电子束热蒸发一层钝化层如三氧化二铝。

利用封装技术如frit或者薄膜等来对器件进行封装。

有益效果：本发明OLED显示的单像素点的结构实现单像素点独立发红蓝绿三基色光及三基色复合光设计，相比现在的OLED、LCD显示画面的像素分辨率更高可比拟第一代CRT显示的分辨率、颜色更绚丽更多彩；本发明的OLED显示像素的结构及驱动电路的设计，相比现在AMOLED方式的OLED显示像素结构，驱动TFT结构相对简单，可节约TFT相关的成本；本发明的OLED显示各个像素点的结构都相同的制备工艺，相比AMOLED红蓝绿三基色并列分布的制备工艺简单，可以提高生产过程的良品率等，有效的降低成本。

附图说明

图1为器件结构示意图

图2为器件的等效电路图；

图3为交变脉冲驱动电压、电流的输出示意图；

图4为器件中每层所用材料的结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。

OLED是一个有机发光二极管，依据二极管的特性：对OLED结构而言，加正向驱动电压、电流OLED器件是通路并发光的状态。那么对OLED器件结构而言加反向电压、电流OLED是一个断路状态。OLED器件结构为：阳极/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/发光层(EML)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）阴极，而在OLED器件结构中每一层都是一个面，那么对OLED结构而言在反向电压、电流的状态下是一个电容。依据电容的特性：通交流、阻直流。

那么对于器件结构为：正向OLED结构加一个电荷产生层加反转OLED结构（如图1-2）对器件加正向高频脉冲电压、电流信号，电荷产生层(CGL)为半导体材料处在电场中会发生电荷分布（靠近正向OLED结构侧感应电子，另一侧感应空穴），反向结构的OLED在正向高频脉冲电压、电流信号中为电容处于导通状态，那么正向OLED结构部分会处于正常OLED发出光的状态，发出该发光层颜色的光，同样在负向高频脉冲电压、电流信号驱动下，反向结构的OLED处于正常发出光的状态，正向OLED结构此时为电容处于导通状态，电荷产生层为电荷分布（靠近反向OLED结构侧感应电子，另一侧感应空穴），那么处在正负向高频脉冲电压、电流信号不同振幅幅值驱动下，器件就会发出正反OLED结构颜色的复合光，进而实现在这样的器件结构下，随着驱动模式的变化器件的颜色亮度可调，应用于面板显示可实现单像素点颜色、亮度可调。

依据上面原理，设计OLED底发光像素点为例的器件结构（不是唯一）为：正向绿光OLED内层结构加反转蓝光OLED内层结构加一电荷产生层加正向红光OLED内层结构构成。驱动OLED显示像素点的模式为：直流驱动正向绿光OLED，高频率脉冲电压、电流信号，并通过调节正负方向高频脉冲电压、电流信号驱动的振幅幅值，让OLED显示像素点结构中的反向蓝光OLED结构部分发光、正向红光OLED结构部分发光及发出绿光、蓝光OLED结构中颜色的多种复合光等以实现这一单像素点结构发出红、蓝、绿三基色光及其复合色光。

或者，依据上面原理，设计OLED显示的发光像素点结构为：正向绿光OLED内层结构加反转红光OLED内层结构加一电荷产生层加正向蓝光OLED内层结构构成；驱动OLED显示像素点的模式为：直流驱动正向绿光OLED，高频率脉冲电压、电流信号，并通过调节正负方向高频脉冲电压、电流信号驱动的振幅幅值，让OLED显示像素点结构中的反转红光OLED结构部分、正向蓝光OLED结构部分独立发红蓝色光及让器件发出红绿蓝的多种复合光等，以实现这一单像素点结构可发出红、蓝、绿三基色光及其复合色光；并可以依据需要（顶发光、底发光、双面发光）来调整器件结构中三基色的位置及驱动模式来实现显示的顶发光、底发光、双面发光等。器件工艺制备过程中省去了FMM（精密掩膜版）步骤，且这样的像素单元相同结构的驱动电路的设计相对现在红、蓝、绿三基色的AMOLED-TFT的驱动简单很多，可以节省成本。这样的单像素点发出红蓝绿三基色颜的设计，获得的像素分辨率可与第一代电子显像管（CRT）显示的像素分辨率比拟，同样这一设计应用于OLED室内照明能实现室内装饰梦幻般境界。

器件驱动：为了让新设计的OLED显示的像素点的器件结构独立发红蓝绿（RGB）三基色光及其复合光，需要对该OLED像素点的器件结构的驱动电路进行设计。以OLED底发光像素点为例的器件结构为：正向绿光OLED内层结构加反转蓝光OLED内层结构加一电荷产生层加正向红光OLED内层结构为例。

器件由正向绿光OLED内层结构加反转蓝光OLED内层结构加一电荷产生层加正向红光OLED内层结构构成，具体为：阳极/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/绿色发光层(EML1)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）/透明阴极/电子注入层（EIL）/电子传输层(ETL)/蓝色发光层(EML2)/空穴传输层(HTL)/电荷产生层（CGL）/空穴传输层(HTL)/红色发光层(EML3)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）/阴极。

独立三基色光的驱动设计：

在OLED像素点器件结构中，给正向绿光OLED内层结构的两个电极加上直流电流来驱动让器件发出绿光。

针对反转蓝光OLED内层结构加一电荷产生层加正向红光OLED内层结构需要设计电路满足输出交变脉冲信号，频率可调60~100KHz，脉冲正负振幅幅值可调。依据器件工作原理，对器件施加不同的驱动模式可以得到从器件内发出红蓝基色光及其两基色的复合色光具体如：

给器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号，器件结构中的正向红光OLED结构的EML3层处于正常发光状态，反转蓝光OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布。

给器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号，器件结构中的反转蓝光OLED结构的EML2层处于正常发光状态，正向红光OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布。

三基色复合光的发光模式的驱动：

给器件施加一个频率的正负向脉冲电压、电流信号，器件正向红光OLED结构和反转蓝光OLED结构的EML3、EML2层在一个周期内均处于正常发光状态发红蓝基色的复合光。通过调节正负脉冲电压、电流幅值的比例，得到所要的红蓝基色的复合光。

给器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件正向红光OLED结构的EML3层在该频率的正向脉冲电压、电流信号下处于发红基色光状态，正向绿光OLED结构在直流电流的驱动下处于发绿基色状态。通过调节正向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的红绿基色的复合光。

给器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件反转蓝光OLED结构的EML2层在该频率的负向脉冲电压、电流信号下处于发蓝基色光状态，正向绿光OLED结构在直流电流的驱动下处于发绿基色状态。通过调节负向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的蓝绿基色的复合光。

每层材料的选取：

制备方法：

一般而言，OLED可按发光材料分为两种：小分子OLED和高分子OLED（也可称为PLED）。小分子OLED和高分子OLED的差异主要表现在器件的制备工艺不同：小分子器件主要采用真空热蒸发工艺，高分子器件则采用旋转涂覆或喷涂印刷工艺。

针对现在主流的小分子OLED显示底出光PMPLED形式为例，器件的一种结构为：正向绿光OLED内层结构加反转蓝光OLED内层结构加一电荷产生层加正向红光OLED内层结构构成，具体为：阳极/空穴注入层(HIL)/空穴传输层(HTL)/绿色发光层(EML1)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）/透明阴极/电子注入层（EIL）/电子传输层(ETL)/蓝色发光层(EML2)/空穴传输层(HTL)/电荷产生层（CGL）/空穴传输层(HTL)/红色发光层(EML3)/电子传输层(ETL)/电子注入层（EIL）/阴极的制备方案。

如图4所示，材料的选取：基板可选玻璃、PI、PET、PEN等，阳极—ITO(80nm)/空穴注入层(HIL)-MoO₃(20nm)/空穴传输层(HTL)-TCTA(10nm)/绿色发光层(EML1)-CPB:GIr1(30nm，14%)/电子传输层(ETL)-TPBI（10nm）/电子注入层（EIL）-TPBI:Cs₂CO₃(25nm)/透明阴极—Mg:Ag(200nm50:150)/电子注入层（EIL）-TPBI:Cs₂CO₃(25nm)/Cs₂CO₃（1nm）/电子传输层(ETL)-TPBI（10nm）/蓝色发光层(EML2)—Fipic(0.2nm)/空穴传输层(HTL)—TCTA(10nm)/电荷产生层（CGL）-MoO₃(4nm)/空穴传输层(HTL)—TCTA(10nm)/红色发光层(EML3)-Ir(2-phq)₂(acac)(0.2nm)/电子传输层(ETL)-TPBI（10nm）/电子注入层（EIL）-TPBI:Cs₂CO₃(25nm)/Cs₂CO₃（1nm）/阴极—铝（200nm）。

器件制备：

将镀有ITO的玻璃基板经过超声、UV照射、去离子水等清洗干净后，经过真空环境磁控溅射制备钼/80nm铝/300nm钼/40nm膜。

将制备好像素方格及外围电路走线的基板经过清洗后导入热蒸发蒸镀系统，在等离子腔室，在高真空环境用o+、o-等离子体对基板蒸镀面进行清洗，目的是：清洁基板面的异物、提高ITO的功函数。

利用高真空设备在热蒸发腔室添加O-mask（各个模块单元-显示单元留出来蒸镀器件结构的掩膜版）并进行精确对位后，依据有机层（电子注入层、电子传输层、空穴注入层、空穴传输层）材料特性合理控制材料的蒸发温度并借助晶振片来监控蒸发速率在1~2埃/秒，并依据设计的各层厚度在热蒸镀过程中进行控制（为了提高电子、空穴的迁移率，有对主体材料进行掺杂的要合理的控制掺杂剂与主体在蒸镀过程中的速率）。

在热蒸发腔室用热蒸发方式依据发光层材料（红光、蓝光、绿光等磷光材料）特性合理控制材料的蒸发温度并借助晶振片来监控蒸发速率（主体1~2埃/秒，掺杂剂0.1~0.3埃/秒），在高真空环境蒸镀所需厚度。

透明阴极蒸镀前用M-mask精确对位（相比O-mask来说，M-mask的开口处要实现把电极与周围相对应的引线链接在一起）并依据所需镁银材料比例合理（满足透光率及导电性）控制蒸发速率1~5埃/秒蒸镀所设计的厚度；顶阴极蒸镀前用另一个M-mask精确对位（M-mask的开口处要实现把电极与周围相对应的引线链接在一起）合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率2~5埃/秒热蒸镀所设计的厚度。

顶阴极在高纯（4N）氮气环境下用高精密激光干刻出与阳极相同方向的电极，要求激光刻蚀的宽度为2~3微米，深度为300纳米~1微米间；最后将基板导入真空蒸镀系统用电子束热蒸发一层钝化层如三氧化二铝。

利用封装技术如frit或者薄膜等来对器件进行封装（阻止水分与氧气进入器件内部，提高器件使用寿命）。

Claims

1.一种OLED显示的像素点的器件结构，其特征在于：包括第一正向OLED、反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED；所述第一正向OLED依次连接反转OLED、电荷产生层和第二正向OLED。

2.如权利要求1所述的OLED显示的像素点的器件结构，其特征在于：所述第一正向OLED与反转OLED共享阴极，反转OLED和第二正向OLED的阳极和空穴注入层由电荷产生层替换；OLED显示的像素点的器件结构从阳极到阴极依次为：阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/透明阴极/电子注入层/电子传输层/发光层/空穴传输层/电荷产生层/空穴传输层/红色发光层/电子传输层/电子注入层/阴极。

3.如权利要求1或2所述的OLED显示的像素点的器件结构，其特征在于：所述第一正向OLED为正向绿光OLED或正向蓝光OLED或正向红光OLED，所述反转OLED为反转蓝光OLED或反转绿光OLED或反转红光OLED，所述第二正向OLED为正向红光OLED或正向绿光OLED或正向蓝光OLED。

4.如权利要求1或2所述的OLED显示的像素点的器件结构，其特征在于：所述第一正向OLED为正向绿光OLED，所述反转OLED为反转红光OLED，所述第二正向OLED为正向蓝光OLED。

5.如权利要求3所述的OLED显示的像素点的器件结构，其特征在于：通过调整器件结构中三基色OLED的位置及驱动模式来实现显示器的顶发光、底发光、双面发光等发光模式。

6.一种OLED显示的像素点的器件的驱动方法，其特征在于，包括独立三基色光发光模式的驱动和三基色复合光发光模式的驱动：

独立三基色光发光模式的驱动

在OLED像素点器件结构中，给第一正向OLED内层结构的两个电极加上直流电流来驱动让器件发出光；

给OLED像素点器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号，器件结构中的第二正向OLED结构的发光层层处于正常发光状态，反转OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布；

给OLED像素点器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号，器件结构中的反转OLED结构的发光层处于正常发光状态，第二正向OLED结构等效为一个电容，电荷产生层（CGL）处在电场中会重新正负电荷分布；

三基色复合光发光模式的驱动

给OLED像素点器件施加一个频率的正负向脉冲电压、电流信号，器件第二正向OLED结构和反转OLED结构的发光层在一个周期内均处于正常发光状态，发复合光；

通过调节正负脉冲电压、电流幅值的比例，得到所要的基色的复合光；

给OLED像素点器件施加一个频率的正向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件第二正向OLED结构的发光层在该频率的正向脉冲电压、电流信号下处于发基色光状态，第一正向OLED结构在直流电流的驱动下处于基色状态；

通过调节正向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的第二正向OLED和第一正向OLED的发光层组合发出的复合光；

给OLED像素点器件施加一个频率的负向脉冲电压、电流信号和一个直流电流，器件反转OLED结构的发光层在该频率的负向脉冲电压、电流信号下处于发基色光状态，第一正向OLED结构在直流电流的驱动下处于基色状态；

通过调节负向脉冲电压、电流幅值与直流电流的电流值，得到所要的反转OLED与第一正向OLED发光层组合发出的复合光。

7.一种OLED显示的像素点的器件结构的制备方法，其特征在于：

将镀有ITO的玻璃基板经过超声、UV照射、去离子水工序清洗干净后，经过真空环境磁控溅射制备钼/80nm铝/300nm钼/40nm膜；

镀有ITO/MAM(钼铝钼)膜的基板经过清洗、涂胶、曝光、显影、刻蚀、脱模等工艺制备像素模块的外围电路走线、ITO阳极、像素方格PI及RIB透明阴极隔离柱，并控制PI、RIB的厚度（PI厚度不阻断第一个透明阴极，RIB厚度不阻断顶阴极）；

将制备好像素方格及外围电路走线的基板经过清洗后导入热蒸发蒸镀系统，在等离子腔室，在真空环境用o+、o-等离子体对基板蒸镀面进行清洗，目的是：清洁基板面的异物、提高ITO的功函数；

利用高真空设备在热蒸发腔室添加O-mask并进行对位后，控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率在1~2埃/秒；

在热蒸发腔室用热蒸发方式依据发光层材料特性合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率：主体1~2埃/秒，掺杂剂0.1~0.3埃/秒，在真空环境蒸镀所需厚度；

在热蒸发腔室用热蒸发方式依据电荷产生层材料特性合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率2~5埃/秒，在高真空环境蒸镀电荷产生层（CGL）并依据设计厚度在热蒸镀过程中进行控制；

透明阴极蒸镀前用M-mask对位并借助晶振片来监控蒸发速率依据所需镁银材料比例控制蒸发速率1~5埃/秒蒸镀所设计的厚度；顶阴极蒸镀前用另一个M-mask对位合理控制蒸发材料的温度并借助晶振片来监控蒸发速率2~5埃/秒热蒸镀所设计的厚度；

顶阴极在纯氮气环境下用高精密激光干刻出与阳极相同方向的电极，要求激光刻蚀的宽度为5~10微米，深度为300纳米~1微米间；最后将基板导入真空蒸镀系统用电子束热蒸发一层钝化层。