JP5069051B2 - ニッケル合金スパッタリングターゲット - Google Patents
ニッケル合金スパッタリングターゲット Download PDFInfo
- Publication number
- JP5069051B2 JP5069051B2 JP2007184471A JP2007184471A JP5069051B2 JP 5069051 B2 JP5069051 B2 JP 5069051B2 JP 2007184471 A JP2007184471 A JP 2007184471A JP 2007184471 A JP2007184471 A JP 2007184471A JP 5069051 B2 JP5069051 B2 JP 5069051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- purity
- powder
- target
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
Description
本発明は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドと、この上に形成されたＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの間の、該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散を抑制することのできるバリヤー層形成用ニッケル合金スパッタリングターゲットに関する。
一般に、半導体ウエハや電子回路基板上にアルミニウムや銅の電極やパッドが形成され、さらにその上に導電性ハンダバンプ、金バンプ、ニッケルバンプ等が形成されている。なかでもハンダバンプが実装の容易さやリペア性が容易であることから、現在の主流な材料となっている。
しかし、銅等の電極下地層又はパッドがＳｎ−Ｐｂ系ハンダと反応し易いため、ハンダバンプが形成された後、製造工程又は使用環境下の熱でハンダ中のＳｎ拡散が生じ、下地層である銅等の電極下地層又はパッドと反応して、電極層又はパッドの剥離あるいは素子中へのハンダの拡散による特性劣化を起こすという問題があった。
しかし、銅等の電極下地層又はパッドがＳｎ−Ｐｂ系ハンダと反応し易いため、ハンダバンプが形成された後、製造工程又は使用環境下の熱でハンダ中のＳｎ拡散が生じ、下地層である銅等の電極下地層又はパッドと反応して、電極層又はパッドの剥離あるいは素子中へのハンダの拡散による特性劣化を起こすという問題があった。
このようなことから、銅等の電極下地層又はパッドとＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの反応を防止できる中間のバリヤー層をスパッタリング法により形成するという提案がなされた。
この中間のバリヤー層は、銅等の電極下地層との接着性が良好であり、かつＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプの濡れ性が良好であることが必要とされる。
このような材料として選ばれたのがニッケルである。しかし、このニッケルは強磁性体であるためスパッタ効率が悪く、このスパッタ効率を上げるためにはニッケルターゲットを極端に薄くしなければならず、このためターゲットの製造が複雑となり、製造コストも増大するという問題があった。
この中間のバリヤー層は、銅等の電極下地層との接着性が良好であり、かつＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプの濡れ性が良好であることが必要とされる。
このような材料として選ばれたのがニッケルである。しかし、このニッケルは強磁性体であるためスパッタ効率が悪く、このスパッタ効率を上げるためにはニッケルターゲットを極端に薄くしなければならず、このためターゲットの製造が複雑となり、製造コストも増大するという問題があった。
このため、Ｎｉターゲットの磁性を低下させてスパッタ効率を上げるための材料としてＮｉ−Ｖ合金膜が提案された。しかし、このＮｉ−Ｖ合金膜はＳｎのバリヤー性が必ずしも十分ではなく、下地膜と反応して電気抵抗が増加するなどの問題があった。
このように、中間層となるハンダ濡れ性が良く、かつ効果的なバリヤー層を形成することのできるスパッタリングターゲット材料が見出せないために、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプを使用する場合には、しばしば下地銅層との反応が起きるという問題があった。
このように、中間層となるハンダ濡れ性が良く、かつ効果的なバリヤー層を形成することのできるスパッタリングターゲット材料が見出せないために、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプを使用する場合には、しばしば下地銅層との反応が起きるという問題があった。
本発明は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプを形成するに際し、該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好であると共に、該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することのできるバリヤー層を形成するためのニッケル合金スパッタリングターゲットを提供する。
本発明は、
１．Ｓｎ１５〜７３ｗｔ％、残部ＮｉからなるＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、Ｎｉマトリックス中にＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２又はＮｉ３Ｓｎ４が分散し、酸素含有量が１５０ｗｔｐｐｍ以下、平均粒径が１００μｍ以下の組織を備えていることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット
２．添加元素として、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、ネオジウムから選択した少なくとも１種類以上の元素を１〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項１記載のニッケル合金スパッタリングターゲット、を提供する。
１．Ｓｎ１５〜７３ｗｔ％、残部ＮｉからなるＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、Ｎｉマトリックス中にＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２又はＮｉ３Ｓｎ４が分散し、酸素含有量が１５０ｗｔｐｐｍ以下、平均粒径が１００μｍ以下の組織を備えていることを特徴とするニッケル合金スパッタリングターゲット
２．添加元素として、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、ネオジウムから選択した少なくとも１種類以上の元素を１〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項１記載のニッケル合金スパッタリングターゲット、を提供する。
本発明のニッケル合金スパッタリングターゲットにより形成されたバリヤー層は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプを形成するに際して、該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好であり、かつ該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することができるという優れた効果を有する。
半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上に、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好である、本発明のＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットを用いてバリヤー層を形成する。このバリヤー層は１層のみである必要はなく、他の材料との複合層であっても良い。
本発明のＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットを用いて形成したバリヤー層の上に、さらにＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプが形成されるが、このハンダバンプの成分であるＳｎの拡散を、このバリヤー層によって効果的に抑制し、下地層である銅層との反応を効果的に防止することができる。
さらに、このＮｉ−Ｓｎ合金バリヤー層は、上記の通りＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好であるという特徴を有する。
上記Ｎｉ−Ｓｎ合金バリヤー層によるＳｎの拡散の抑止効果は、中間バリヤーであるＮｉ−Ｓｎ膜中において、すでにＳｎが飽和しているため、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプからのＳｎ移動、拡散が防止されるとためと考えられる。
本発明のＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットを用いて形成したバリヤー層の上に、さらにＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプが形成されるが、このハンダバンプの成分であるＳｎの拡散を、このバリヤー層によって効果的に抑制し、下地層である銅層との反応を効果的に防止することができる。
さらに、このＮｉ−Ｓｎ合金バリヤー層は、上記の通りＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好であるという特徴を有する。
上記Ｎｉ−Ｓｎ合金バリヤー層によるＳｎの拡散の抑止効果は、中間バリヤーであるＮｉ−Ｓｎ膜中において、すでにＳｎが飽和しているため、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプからのＳｎ移動、拡散が防止されるとためと考えられる。
Ｎｉ−Ｓｎ合金バリヤー層を形成するためのニッケル合金スパッタリングターゲットの成分としては、Ｓｎ１０〜８０ｗｔ％、残部Ｎｉからなる合金であることが望ましい。Ｓｎ１０ｗｔ％未満では、Ｎｉの持つ強磁性体としての磁性が持続し、薄膜層を形成するためのスパッタ効率が低いからである。
Ｎｉ−Ｓｎ合金中におけるＳｎは、固溶体として又はＮｉマトリックス中にＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４のいずれか１又は２以上の金属間化合物として存在するが、Ｓｎ８０ｗｔ％を超えるとフリーのＳｎが増加するので、これが成膜中を拡散し、下地銅層との反応を引き起こす原因となる可能性があるため、Ｓｎ８０ｗｔ％以下とするのが望ましい。好ましくは、Ｓｎ１５〜７３ｗｔ％、残部Ｎｉからなる合金である。
Ｎｉ−Ｓｎ合金中におけるＳｎは、固溶体として又はＮｉマトリックス中にＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４のいずれか１又は２以上の金属間化合物として存在するが、Ｓｎ８０ｗｔ％を超えるとフリーのＳｎが増加するので、これが成膜中を拡散し、下地銅層との反応を引き起こす原因となる可能性があるため、Ｓｎ８０ｗｔ％以下とするのが望ましい。好ましくは、Ｓｎ１５〜７３ｗｔ％、残部Ｎｉからなる合金である。
本発明のＮｉ−Ｓｎ合金は、さらに添加元素としてチタン、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ボロン、ニオブ、タンタル、希土類から選択した少なくとも１種類以上の元素を１〜１０ｗｔ％含有させることができる。
これによって、本発明のバリヤー膜によって、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散をさらに効果的に抑制し、前記下地層との反応を防止することができる。したがって、バリヤー膜それ自体が通常の膜厚よりも薄くすることが可能であり、生産効率を高め、製造コストを下げることができる。
これによって、本発明のバリヤー膜によって、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散をさらに効果的に抑制し、前記下地層との反応を防止することができる。したがって、バリヤー膜それ自体が通常の膜厚よりも薄くすることが可能であり、生産効率を高め、製造コストを下げることができる。
本発明のバリヤー層形成用ニッケル合金ターゲットは、溶製法、すなわちＮｉ−Ｓｎ合金を溶解し、鋳造、鍛造、圧延等の工程を経て、ターゲットに形成する。
溶製ターゲット品は、合金中のＳｎが一部は、固溶体として及びＳｎ含有量が少ない場合は、ニッケルマトリックス中にＳｎがＮｉ３Ｓｎの金属間化合物として存在し、Ｓｎ含有量が増加するにしたがって、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４金属間化合物の量が増加する。そして、およそ７３ｗｔ％を超えるとフリーのＳｎが増えてくる。
上記の通り、フリーのＳｎの増加は下地層であるＣｕ層との反応が生じる虞があるので、Ｓｎ量を８０ｗｔ％以下、好ましくは７３ｗｔ％以下とする。
溶製ターゲット品は、合金中のＳｎが一部は、固溶体として及びＳｎ含有量が少ない場合は、ニッケルマトリックス中にＳｎがＮｉ３Ｓｎの金属間化合物として存在し、Ｓｎ含有量が増加するにしたがって、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４金属間化合物の量が増加する。そして、およそ７３ｗｔ％を超えるとフリーのＳｎが増えてくる。
上記の通り、フリーのＳｎの増加は下地層であるＣｕ層との反応が生じる虞があるので、Ｓｎ量を８０ｗｔ％以下、好ましくは７３ｗｔ％以下とする。
また、本発明のバリヤー層形成用ニッケル合金ターゲットは、粉末冶金によっても製造することができる。
この場合、アトマイズ法などの微粉化プロセスを用いて作製したニッケル合金粉を使用して焼結体ニッケル合金ターゲットとすることが有効である。このようなニッケル合金アトマイズ粉を使用した場合は、均一性に優れた焼結体が得られる。通常のニッケル粉、錫粉を用いて焼結体ターゲットとするよりも品質の良いターゲットが作製できる。
焼結工程においては、例えばＨＰ又はＨＩＰを用いてターゲットを製造する。このようなニッケル合金スパッタリングターゲットは、組成や製造プロセスによって、Ｓｎが固溶したＮｉやＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４等の金属間化合物が分散した組織を備えている。
この場合、アトマイズ法などの微粉化プロセスを用いて作製したニッケル合金粉を使用して焼結体ニッケル合金ターゲットとすることが有効である。このようなニッケル合金アトマイズ粉を使用した場合は、均一性に優れた焼結体が得られる。通常のニッケル粉、錫粉を用いて焼結体ターゲットとするよりも品質の良いターゲットが作製できる。
焼結工程においては、例えばＨＰ又はＨＩＰを用いてターゲットを製造する。このようなニッケル合金スパッタリングターゲットは、組成や製造プロセスによって、Ｓｎが固溶したＮｉやＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２、Ｎｉ３Ｓｎ４等の金属間化合物が分散した組織を備えている。
結晶組織は、平均粒径が１００μｍ以下であることが望ましい。これによって、均一なバリヤー膜を形成することができる。半導体又はその他の電子部品への汚染を防止するため、ターゲットの原料となるニッケル及び錫並びに添加元素の純度が３Ｎ（９９．９％）以上、好ましくは５Ｎ以上であることが望ましい。
次に、実施例に基づいて説明する。なお、これらは本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明はこれらに制限されるものではなく、本発明の技術思想の範囲にある、他の実施例又は変形はいずれも本発明の範囲に含まれる。
参考例１（溶製法）
原料として純度５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）のＮｉブロックと純度４Ｎ（９９．９９ｗｔ％）のＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５７００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを９００°Ｃ〜１１３０°Ｃ未満で熱間鍛造・熱間圧延した。これらから、機械加工にてφ８０ｍｍ×厚さ１０ｍｍのターゲットを作製した。
参考例１（溶製法）
原料として純度５Ｎ（９９．９９９ｗｔ％）のＮｉブロックと純度４Ｎ（９９．９９ｗｔ％）のＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５７００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを９００°Ｃ〜１１３０°Ｃ未満で熱間鍛造・熱間圧延した。これらから、機械加工にてφ８０ｍｍ×厚さ１０ｍｍのターゲットを作製した。
実施例２（溶製法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＺｒブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５５００ｇのＮｉと、２００ｇのＺｒを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％、Ｚｒ含有量１ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを９００°Ｃ〜１１３０°Ｃ未満で熱間鍛造・熱間圧延した。これらから、機械加工にてφ８０ｍｍ×厚さ１０ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＺｒブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５５００ｇのＮｉと、２００ｇのＺｒを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％、Ｚｒ含有量１ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを９００°Ｃ〜１１３０°Ｃ未満で熱間鍛造・熱間圧延した。これらから、機械加工にてφ８０ｍｍ×厚さ１０ｍｍのターゲットを作製した。
実施例３（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５７００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１１００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１５７００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に４３００ｇ（Ｓｎ含有量２１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１１００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例４（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１８００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、９００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１８００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、９００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例５（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＨｆブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１２００ｇのＮｉと６００ｇのＨｆを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％、Ｈｆ含有量３．０ｗｔ％）を溶解した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＨｆブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１２００ｇのＮｉと６００ｇのＨｆを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％、Ｈｆ含有量３．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１５００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度マグネシア製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、９００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、９００°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例６（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例７（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＮｂブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて７７００ｇのＮｉと８００ｇのＮｂを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％、Ｎｂ含有量４．０ｗｔ％）を溶解した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＮｂブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて７７００ｇのＮｉと８００ｇのＮｂを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％、Ｎｂ含有量４．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４５０°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例８（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度３ＮのＮｄ（ネオジウム）チップを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８２００ｇのＮｉと３００ｇのＮｄを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％、Ｎｄ含有量１．５ｗｔ％）を溶解した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度３ＮのＮｄ（ネオジウム）チップを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８２００ｇのＮｉと３００ｇのＮｄを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％、Ｎｄ含有量１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４５０°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、１２００°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
参考例９（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を溶解した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１３５０°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、７８０°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、７８０°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
実施例１０（アトマイズ、粉末冶金法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＶブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５２００ｇのＮｉと３００ｇのＶを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％、Ｖ含有量１．５ｗｔ％）を溶解した。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットと純度５ＮのＶブロックを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５２００ｇのＮｉと３００ｇのＶを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％、Ｖ含有量１．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１３５０°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットをブロック状に切断して、ガスアトマイズ装置で溶解・噴霧して合金粉末を作製した。ガスアトマイズ装置のルツボとして、高純度アルミナ製ルツボを使用し、高周波加熱法にて溶解してからアルゴンガス（ゲージ圧４０〜５０ｋｇｆ／ｃｍ２）で噴霧して３００μｍ以下の球状合金粉を作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、７８０°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
この合金から６０μｍ以下の粉末を篩別し、ホットプレスでグラファイトダイスを用い、７８０°Ｃ、面圧３１０ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
参考例１１（メカニカルアロイング、粉末冶金法）
原料として純度３ＮのＮｉパウダー（平均粒径２００μｍ）と純度４ＮのＳｎパウダー（平均粒径２０μｍ）を使用した。アルゴンガス雰囲気でハイブリタイザー（奈良機械製）にて、５５００ｇのＮｉパウダーと１４５００ｇのＳｎパウダー（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を処理して、Ｎｉ粒子表面にＳｎ粒子を付着させた。
この表面改質したパウダーをアルゴン置換したロッドミルにて、２４時間メカニカルアロイングした。さらにホットプレスでグラファイトダイスに充填して、７８０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度３ＮのＮｉパウダー（平均粒径２００μｍ）と純度４ＮのＳｎパウダー（平均粒径２０μｍ）を使用した。アルゴンガス雰囲気でハイブリタイザー（奈良機械製）にて、５５００ｇのＮｉパウダーと１４５００ｇのＳｎパウダー（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を処理して、Ｎｉ粒子表面にＳｎ粒子を付着させた。
この表面改質したパウダーをアルゴン置換したロッドミルにて、２４時間メカニカルアロイングした。さらにホットプレスでグラファイトダイスに充填して、７８０°Ｃ、面圧３００ｋｇｆ／ｃｍ２で焼結した。この焼結体から浸炭層を機械加工で除去してφ８０ｍｍ×厚さ５ｍｍのターゲットを作製した。
比較例１（粉末冶金法）
原料として純度３ＮのＮｉパウダー（粒径４０μｍ以下）と純度４ＮのＳｎパウダー（粒径３５μｍ以下）を使用した。アルゴンガス雰囲気で置換したボールミル中にて、８００ｇのＮｉパウダーと２００ｇのＳｎパウダー（Ｓｎ含有量２０．０ｗｔ％）を１時間処理して十分混合した。
この混合粉をホットプレスでグラファイトダイスを用い、２１０°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で固化した。その後、真空雰囲気で１０５０°Ｃ×５時間焼結した。これから、φ８０ｍｍ×厚さ３ｍｍのターゲットを作製した。
原料として純度３ＮのＮｉパウダー（粒径４０μｍ以下）と純度４ＮのＳｎパウダー（粒径３５μｍ以下）を使用した。アルゴンガス雰囲気で置換したボールミル中にて、８００ｇのＮｉパウダーと２００ｇのＳｎパウダー（Ｓｎ含有量２０．０ｗｔ％）を１時間処理して十分混合した。
この混合粉をホットプレスでグラファイトダイスを用い、２１０°Ｃ、面圧２５０ｋｇｆ／ｃｍ２で固化した。その後、真空雰囲気で１０５０°Ｃ×５時間焼結した。これから、φ８０ｍｍ×厚さ３ｍｍのターゲットを作製した。
比較例２（溶製法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１３０００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に７０００ｇ（Ｓｎ含有量３５．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１３０００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に７０００ｇ（Ｓｎ含有量３５．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
比較例３（溶製法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１８００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて１１８００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に８２００ｇ（Ｓｎ含有量４１．０ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
比較例４（溶製法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて８５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１１５００ｇ（Ｓｎ含有量５７．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
比較例５（溶製法）
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
原料として純度５ＮのＮｉブロックと純度４ＮのＳｎショットを使用した。水冷銅製ルツボを備えた真空高周波誘導炉で、真空雰囲気にて５５００ｇのＮｉを溶解した。その中にＳｎを少量ずつ加えて、最終的に１４５００ｇ（Ｓｎ含有量７２．５ｗｔ％）を溶解した。
溶湯温度１４００°Ｃで出湯して鋳造インゴットを作製した。このインゴットを熱間鍛造・熱間圧延などの方法で塑性加工しようと試みたが、割れてしまってターゲットを作製することができなかった。
上記実施例２〜８、１０、参考例１、９、１１及び比較例１〜５の製造方法、原料組成、不純物濃度の分析結果等を一覧表（表１）にして示す。
なお、表１において、符号ＡＴはアトマイズ粉、符号ＭＡはメカニカルアロイング粉を使用した場合を示す。また、−の表示は、割れが発生しターゲットに作製できなかったために、不純物濃度の分析しなかったことを示す。
なお、表１において、符号ＡＴはアトマイズ粉、符号ＭＡはメカニカルアロイング粉を使用した場合を示す。また、−の表示は、割れが発生しターゲットに作製できなかったために、不純物濃度の分析しなかったことを示す。
（評価結果）
（Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝４：６）ハンダとの濡れ性評価試験）
Ｓｉ基板上に１０００ÅのＴｉ膜をマグネトロンスパッタ成膜した後、実施例２〜８、１０、参考例１、９、１１及び比較例１のターゲット、並びにＮｉ−７ｗｔ％Ｖターゲット（比較例６とする）及びＮｉ−３０ｗｔ％Ｃｕターゲット（比較例７とする）を使用して、それぞれＮｉ合金膜４０００Åをマグネトロンスパッタ成膜した。スパッタ成膜開始時には、特に問題はなかった。
（Ｓｎ−Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝４：６）ハンダとの濡れ性評価試験）
Ｓｉ基板上に１０００ÅのＴｉ膜をマグネトロンスパッタ成膜した後、実施例２〜８、１０、参考例１、９、１１及び比較例１のターゲット、並びにＮｉ−７ｗｔ％Ｖターゲット（比較例６とする）及びＮｉ−３０ｗｔ％Ｃｕターゲット（比較例７とする）を使用して、それぞれＮｉ合金膜４０００Åをマグネトロンスパッタ成膜した。スパッタ成膜開始時には、特に問題はなかった。
このスパッタ膜上に、直径０．６０ｍｍのＳｎ−Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝４：６）ハンダボールを置いて、大気中で２４０°Ｃに加熱し、ハンダボールの直径の広がりを測定した。
その結果を表２に示す。表２から明らかなように、本発明の実施例２〜８、１０、参考例１、９、１１では、加熱ハンダボールの平均直径が０．７６〜１．３６ｍｍの範囲にあり、Ｓｎ−Ｐｂハンダとの濡れ性が良好であることが分かる。
これに対し、比較例６及び７については、ハンダ濡れ性は不良であった。なお、比較例１は実施例と同等の良好なハンダ濡れ性を示した。
その結果を表２に示す。表２から明らかなように、本発明の実施例２〜８、１０、参考例１、９、１１では、加熱ハンダボールの平均直径が０．７６〜１．３６ｍｍの範囲にあり、Ｓｎ−Ｐｂハンダとの濡れ性が良好であることが分かる。
これに対し、比較例６及び７については、ハンダ濡れ性は不良であった。なお、比較例１は実施例と同等の良好なハンダ濡れ性を示した。
（Ｓｎの拡散評価試験）
図１に示すように、Ｓｉ基板上に６０００ÅのＣｕ膜をスパッタ成膜した後、参考例１、実施例２、６、８と比較例１、６のターゲットを使用して、それぞれＮｉ合金膜５０００Åをスパッタ成膜した。
このスパッタ膜上に２４０°ＣでＳｎ−Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝４：６）ハンダ付けを行ってから、１００°Ｃにて７２０時間保持した。その後、Ｓｉ基板を除去して、２次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ）でＣｕ膜側から、深さ方向でのＳｎの強度を測定した。その結果を図２に示す。
図１に示すように、Ｓｉ基板上に６０００ÅのＣｕ膜をスパッタ成膜した後、参考例１、実施例２、６、８と比較例１、６のターゲットを使用して、それぞれＮｉ合金膜５０００Åをスパッタ成膜した。
このスパッタ膜上に２４０°ＣでＳｎ−Ｐｂ（Ｓｎ：Ｐｂ＝４：６）ハンダ付けを行ってから、１００°Ｃにて７２０時間保持した。その後、Ｓｉ基板を除去して、２次イオン質量分析器（ＳＩＭＳ）でＣｕ膜側から、深さ方向でのＳｎの強度を測定した。その結果を図２に示す。
図２から明らかなように、参考例１、実施例２、６、８はいずれもＳｎの拡散が少なく抑えられているのが分かる。これに対して、比較例６はＳｎの拡散が著しい。比較例１は、ハンダ濡れ性が良好であり、またＳｎの拡散が抑えられているが、ターゲットにポアが多く存在し、スパッタ成膜中のパーティクルが多いという問題があった。このＳｎの拡散は、本実施例の全てに亘って良好な結果を示した。
本発明の、ニッケル合金スパッタリングターゲットにより形成されたバリヤー層は、半導体ウエハや電子回路等の基板に形成された配線や電極等の下地層又はパッド、特に銅又は銅合金からなる下地層又はパッドの上にＳｎ−Ｐｂ系ハンダバンプを形成するに際して、該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダバンプとの濡れ性が良好であり、かつ該Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダの成分であるＳｎの拡散を抑制し、前記下地層との反応を効果的に防止することができるという優れた効果を有する。そして、スパッタ成膜中のパーティクルが少なく、ニッケル合金スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (2)
- Ｓｎ１５〜７３ｗｔ％、残部ＮｉからなるＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲットであって、Ｎｉマトリックス中にＮｉ３Ｓｎ、Ｎｉ３Ｓｎ２又はＮｉ３Ｓｎ４が分散し、酸素含有量が１５０ｗｔｐｐｍ以下、平均粒径が１００μｍ以下の組織を備えていることを特徴とするＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲット。
- 添加元素として、ジルコニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオブ、ネオジウムから選択した少なくとも１種類以上の元素を１〜１０ｗｔ％含有することを特徴とする請求項１記載のＮｉ−Ｓｎ合金スパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007184471A JP5069051B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007184471A JP5069051B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002108715A Division JP4421170B2 (ja) | 2002-04-11 | 2002-04-11 | Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるバリヤー層を備えた回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008038249A JP2008038249A (ja) | 2008-02-21 |
| JP5069051B2 true JP5069051B2 (ja) | 2012-11-07 |
Family
ID=39173614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007184471A Expired - Fee Related JP5069051B2 (ja) | 2007-07-13 | 2007-07-13 | ニッケル合金スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5069051B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5401132B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2014-01-29 | 信越ポリマー株式会社 | 電波透過性装飾部材およびその製造方法 |
| JP5384969B2 (ja) * | 2009-02-25 | 2014-01-08 | 山陽特殊製鋼株式会社 | スパッタリングターゲット材およびこれを用いて製造した薄膜 |
| JP5346632B2 (ja) | 2009-03-17 | 2013-11-20 | 信越ポリマー株式会社 | 電波透過性加飾フィルムおよびこれを用いた装飾部材 |
| CN102150479B (zh) * | 2009-06-30 | 2013-03-27 | Jx日矿日石金属株式会社 | 印刷配线板用铜箔 |
| CN104162434B (zh) * | 2014-07-29 | 2016-05-18 | 中国计量学院 | 一种Ni3Sn合金空心球体的制备方法 |
| CN107075667B (zh) * | 2014-11-07 | 2019-08-20 | 住友金属矿山株式会社 | 铜合金靶 |
| CN110640152A (zh) * | 2018-06-26 | 2020-01-03 | 中南大学 | 一种镍基合金、其制备方法与一种制造物品 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4094761A (en) * | 1977-07-25 | 1978-06-13 | Motorola, Inc. | Magnetion sputtering of ferromagnetic material |
| JP2794382B2 (ja) * | 1993-05-07 | 1998-09-03 | 株式会社ジャパンエナジー | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
| JPH0790560A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-04 | Japan Energy Corp | 高純度チタニウムスパッタリングターゲット |
| JP3755552B2 (ja) * | 1996-07-05 | 2006-03-15 | 株式会社日鉱マテリアルズ | アルミニウムまたはアルミニウム合金スパッタリングターゲット |
| JP4017747B2 (ja) * | 1998-06-04 | 2007-12-05 | 株式会社アルバック | Ｂｍ膜製造方法 |
| JP3628575B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | Ｎｉ−Ｐ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP4342639B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2009-10-14 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット、および電極膜の製造方法 |
| US6620720B1 (en) * | 2000-04-10 | 2003-09-16 | Agere Systems Inc | Interconnections to copper IC's |
-
2007
- 2007-07-13 JP JP2007184471A patent/JP5069051B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2008038249A (ja) | 2008-02-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4271684B2 (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット及びニッケル合金薄膜 | |
| KR100731407B1 (ko) | Ａｌ-Ｎｉ-희토류 원소 합금 스퍼터링 타겟 | |
| JP5069051B2 (ja) | ニッケル合金スパッタリングターゲット | |
| JP4377906B2 (ja) | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲット、およびその製造方法 | |
| KR101070185B1 (ko) | 구리-망간 합금 스퍼터링 타겟트 및 반도체 배선 | |
| JP5329726B2 (ja) | 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット | |
| JP2015061943A (ja) | 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット | |
| JP2009046762A (ja) | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｓｉ系Ａｌ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5139134B2 (ja) | Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ−Ｃｕ系Ａｌ基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JP5638697B2 (ja) | 高純度銅クロム合金スパッタリングターゲット | |
| JP4421170B2 (ja) | Ｎｉ−Ｓｎ合金からなるバリヤー層を備えた回路基板 | |
| KR102588050B1 (ko) | 은 합금-기반 스퍼터링 표적 | |
| JP2004193546A (ja) | 半導体装置配線シード層形成用銅合金スパッタリングターゲット | |
| JP7014003B2 (ja) | はんだ接合電極およびはんだ接合電極の被膜形成用銅合金ターゲット | |
| Yoon et al. | Phase analysis and kinetics of solid‐state ageing of Pb‐free Sn 3.5 Ag solder on electroless Ni P substrate | |
| JP2007016294A (ja) | スパッタリング用Ｔｉ−Ｗターゲット | |
| KR20220128268A (ko) | 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법 | |
| JP5731770B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法及びスパッタリングターゲット | |
| JP2024500991A (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
| CN117535544A (zh) | 低氧CuCr合金触头材料的制备方法 | |
| JP2010265507A (ja) | 上部発光型有機ＥＬ素子および前記上部発光型有機ＥＬ素子の陽極層を構成する反射膜の形成に用いられるＡｌ合金スパッタリングターゲット | |
| JP2020007600A (ja) | はんだ接合電極およびはんだ接合電極の被膜形成用錫合金ターゲット |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070713 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070717 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100813 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110104 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120117 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120807 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120816 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5069051 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |