WO2019053877A1 - 半導体受光素子およびその製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 60
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 55
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 42
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
- H01L31/1075—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Definitions
- the present invention relates to a semiconductor light receiving element and a method of manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor light receiving element having a guard ring region and a method of manufacturing the same.
- an avalanche photodiode (APD) using InP as a material of a multiplication layer is widely used.
- APD avalanche photodiode
- InP InP multiplication layer
- carriers generated by incident light are amplified by multiplying holes in order to improve the S / N ratio as a receiver. That is, an APD using an InP multiplication layer is a hole multiplication type.
- a guard ring is generally formed around the light receiving region.
- One purpose of forming a guard ring is to prevent edge breakdown due to abrupt multiplication at the edge of the light receiving area.
- Another object is that the guard ring becomes a current path by causing reach through to the guard ring prior to the center of the light receiving area, which occurs when input light instantaneously increases. The purpose is to prevent destruction due to current concentration.
- the guard ring has an APD structure. In general, when different reach-through APD structures are arranged in parallel, current flows first to a structure with low reach-through voltage.
- APD structures with high breakdown voltage will be able to withstand higher voltages. Therefore, in order for the guard ring to have the intended function, it is required that the breakdown voltage of the guard ring be larger than that of the light receiving region and the reach through voltage of the guard ring be smaller than that of the light receiving portion. .
- an Al-based multiplication layer made of a material containing Al atoms, such as AlInAs, has also been used as a multiplication layer for APD.
- APDs using an Al-based multiplication layer are electron multiplying and are expected to operate at higher speed and lower noise than the above-mentioned hole multiplying type.
- the bit rate required for the semiconductor light receiving element is increasing, and in response to this, the electron multiplication type is widely used.
- n-type substrates are often used in APDs for optical communication applications, in which case an Al-based multiplication layer, a light absorption layer, and a window layer are sequentially stacked on the n-type substrate.
- a multiplication layer is disposed between the substrate and the light absorption layer. That is, the multiplication layer is disposed at a deep position in the layer structure on the substrate.
- the arrangement of such Al-based APD is different from the arrangement in InP-based APD. Therefore, it is difficult to apply the formation technique of the guard ring in InP-based APD as it is to Al-based APD.
- an Al-based APD is disclosed, and a configuration in view of problems when a guard ring is applied is disclosed.
- an electric field relaxation layer having a partially low concentration portion is provided in consideration of suppression of electric field concentration.
- JP 2008-21725 A Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-330530
- the present invention has been made to solve the problems as described above, and an object thereof is to provide a semiconductor capable of effectively providing a guard ring structure to an APD using a multiplication layer containing Al atoms. It is providing a light receiving element and its manufacturing method.
- the semiconductor light receiving element of the present invention has a semiconductor substrate, a multiplication layer, an electric field control layer, a light absorption layer, a window layer, a light receiving region, and a guard ring region.
- the semiconductor substrate has n-type.
- the multiplication layer is provided on the semiconductor substrate and contains Al atoms.
- the electric field control layer is provided on the multiplication layer and has p-type.
- the electric field control layer includes a high concentration region having an impurity concentration higher than that of the multiplication layer, and a low concentration region provided outside the high concentration region and having an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region. It is.
- the light absorption layer is provided on the electric field control layer, and has an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region of the electric field control layer.
- the window layer is provided on the light absorption layer, has a band gap larger than the band gap of the light absorption layer, has an outer edge, and has n-type.
- the light receiving region is provided on the window layer at a distance from the outer edge of the window layer, and at least partially faces the high concentration region of the electric field control layer through the window layer and the light absorption layer in the thickness direction Have a mold.
- the guard ring area is separated from the light receiving area by the window layer, penetrates the window layer to reach the light absorbing layer, and has a p-type.
- the method of manufacturing a semiconductor light receiving element according to the present invention includes a semiconductor substrate, a multiplication layer, an electric field control layer, a light absorption layer, a window layer, a light receiving region, and a guard ring region.
- the semiconductor substrate is a method of manufacturing a semiconductor light receiving element having n-type.
- the multiplication layer is provided on the semiconductor substrate and contains Al atoms.
- the electric field control layer is provided on the multiplication layer and has p-type.
- the electric field control layer includes a high concentration region having an impurity concentration higher than that of the multiplication layer, and a low concentration region provided outside the high concentration region and having an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region. It is.
- the light absorption layer is provided on the electric field control layer, and has an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region of the electric field control layer.
- the window layer is provided on the light absorption layer, has a band gap larger than the band gap of the light absorption layer, has an outer edge, and has n-type.
- the light receiving region is provided on the window layer away from the outer edge of the window layer, and at least partially faces the high concentration region of the electric field control layer through the window layer and the light absorption layer Have a mold.
- the guard ring area is separated from the light receiving area by the window layer, penetrates the window layer to reach the light absorbing layer, and has a p-type.
- a semiconductor layer is formed having a p-type by containing Be atoms, and having a first region corresponding to a high concentration region of the electric field control layer and a second region to be a low concentration region of the electric field control layer.
- Ru A light absorption layer is formed on the semiconductor layer.
- a window layer is formed on the light absorption layer.
- a mask having an opening is formed on the window layer.
- Zn atoms are diffused from the openings of the mask.
- a guard ring region having p-type is formed by containing Zn atoms, and the second of the semiconductor layers is compared with the concentration of Be atoms in the first regions of the semiconductor layers.
- the electric field control layer is formed from the semiconductor layer by lowering the concentration of Be atoms in the region of.
- an electric field control layer having a high concentration region and a low concentration region, and a guard ring region which penetrates the window layer and reaches the light absorption layer are provided.
- a guard ring structure can be provided effectively.
- FIG. 1 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a semiconductor light receiving element in a first embodiment of the present invention.
- FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration of a semiconductor light receiving element of Reference Example X.
- FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of a semiconductor light receiving element of Reference Example Y. It is a graph which shows the desirable relationship between the voltage-current characteristic in a light-receiving part, and the voltage-current characteristic in an outer peripheral part. It is sectional drawing which shows the modification of FIG. It is sectional drawing which shows roughly the structure of the semiconductor light receiving element in Embodiment 2 of this invention.
- FIG. 17 is a cross sectional view schematically showing a first step of a method of manufacturing a semiconductor light receiving element in the third embodiment of the present invention.
- FIG. 21 is a cross sectional view schematically showing a second step of the method for manufacturing the semiconductor photodiode in the third embodiment of the present invention.
- FIG. 17 is a cross sectional view schematically showing a third step of the method for manufacturing the semiconductor light receiving element in the third embodiment of the present invention.
- FIG. 21 is a cross sectional view schematically showing a fourth step of the method for manufacturing the semiconductor light receiving element in the third embodiment of the present invention.
- FIG. 21 is a cross sectional view schematically showing one step in a method of manufacturing a semiconductor light receiving element in a modification of the third embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of an APD 101 (semiconductor light receiving element) in the present embodiment.
- the APD 101 has a light receiving portion RA and an outer peripheral portion RB (right and left portions in the drawing) disposed around the light receiving portion RA.
- the APD 101 includes a semiconductor substrate 1, a multiplication layer 2, an electric field control layer 3, a light absorption layer 4, a window layer 5, a light receiving area 6, a guard ring area 7, an anode electrode 9 and a cathode electrode Not shown). At least one of the side surface and the top surface of the APD 101 may be covered by a passivation film made of SiN or the like.
- the semiconductor substrate 1 straddles the light receiving portion RA and the outer peripheral portion RB.
- the semiconductor substrate 1 has n-type.
- the semiconductor substrate 1 is, for example, an InP substrate.
- the multiplication layer 2 straddles the light receiving portion RA and the outer peripheral portion RB, and is provided on the semiconductor substrate 1.
- the multiplication layer 2 may be an epitaxial layer formed on the semiconductor substrate 1.
- the multiplication layer 2 is made of a semiconductor and contains at least an Al atom.
- the multiplication layer 2 is an Al-based multiplication layer.
- the multiplication layer 2 is an AlInAs layer.
- the multiplication layer 2 can efficiently multiply electrons by containing Al atoms.
- the impurity concentration of multiplication layer 2 is smaller than the impurity concentration of semiconductor substrate 1.
- the electric field control layer 3 straddles the light receiving portion RA and the outer peripheral portion RB, and is provided on the multiplication layer 2.
- the electric field control layer 3 may be an epitaxial layer formed on the multiplication layer 2.
- the electric field control layer 3 has p type.
- the electric field control layer 3 has a high concentration region 3H included in the light receiving portion RA and a low concentration region 3L included in the outer peripheral portion RB. Therefore, the low concentration region 3L is provided on the outer side (right and left in the figure) of the high concentration region 3H in the in-plane direction (lateral direction in the figure).
- the high concentration region 3 H has an impurity concentration higher than that of the multiplication layer 2.
- the low concentration region 3L has an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region 3H.
- the material of the electric field control layer 3 is, for example, InP or AlInAs.
- the light absorption layer 4 is provided on the electric field control layer 3 across the light receiving portion RA and the outer peripheral portion RB.
- the light absorption layer 4 may be an epitaxial layer formed on the electric field control layer 3.
- the light absorption layer 4 is made of a semiconductor and has an impurity concentration lower than the impurity concentration of the high concentration region 3H of the electric field control layer 3.
- the impurity concentration of the light absorption layer 4 is smaller than the impurity concentration of the semiconductor substrate 1.
- the light absorption layer 4 is made of a material having a band gap smaller than the energy of incident light detected by the APD 101.
- the wavelength of incident light to be detected is, for example, 1270 nm or more and 1610 nm or less.
- the material of the light absorption layer 4 is selected from, for example, InGaAs and InGaAsP.
- the band gap of the light absorption layer 4 can have an energy value corresponding to a wavelength of about 1670 nm.
- the window layer 5 is provided on the light absorption layer 4.
- the window layer 5 may be an epitaxial layer formed on the light absorption layer 4.
- the window layer 5 is at least included in the light receiving portion RA, and straddles the light receiving portion RA and the outer peripheral portion RB in the configuration of FIG. 1.
- the window layer 5 has an outer edge ED, and in the configuration of FIG. 1, the outer edge ED is located at the outer peripheral end (right end and left end in the figure) of the outer peripheral portion RB.
- the window layer 5 has n-type.
- the impurity concentration of the window layer 5 is smaller than the impurity concentration of the semiconductor substrate 1.
- the window layer 5 is made of a material having a band gap larger than the band gap of the light absorption layer 4.
- the material of the window layer 5 is selected from, for example, InP, AlInAs, AlGaInAs, and InGaAsP.
- the band gap of the window layer 5 can be made to have an energy value corresponding to a wavelength of about 900 nm.
- the light absorption layer 4 and the electric field control layer 3 and / or the light absorption layer 4 and the window layer 5 is provided with a relaxation layer for alleviating the band discontinuity.
- the material of this relaxation layer is, for example, InGaAsP or AlGaInAs.
- the light receiving area 6 has a p-type.
- the impurity concentration of the light receiving region 6 is larger than the impurity concentration of the window layer 5.
- the light receiving area 6 is included in the light receiving part RA, and provided on the window layer 5 apart from the outer edge ED of the window layer 5.
- the light receiving region 6 at least partially opposes the high concentration region 3H of the electric field control layer 3 via the window layer 5 and the light absorption layer 4 in the thickness direction, and in the configuration of FIG. Are facing each other.
- the light receiving region 6 can be formed by thermally diffusing the acceptor partially on the surface of the window layer 5.
- the guard ring area 7 has p type.
- the impurity concentration of the guard ring region 7 is larger than the impurity concentration of the window layer 5.
- the impurity concentration of the guard ring region 7 is larger than the impurity concentration of the light absorption layer 4.
- the guard ring area 7 is separated from the light receiving area 6 by the window layer 5 in the in-plane direction (lateral direction in the drawing).
- the guard ring region 7 penetrates the window layer 5 in the thickness direction (vertical direction in the drawing) and reaches the light absorption layer 4.
- the bottom of the guard ring region 7 is positioned deeper than the lower surface of the window layer 5, deeper than the upper surface of the light absorbing layer 4, and shallower than the lower surface of the light absorbing layer 4.
- the guard ring region 7 at least partially opposes the low concentration region 3L of the electric field control layer 3 through the light absorption layer 4 in the thickness direction, and in the configuration of FIG. Are facing each other.
- the guard ring region 7 can be formed by thermally diffusing the acceptor from part of the surface of the window layer 5 through the window layer 5 into the light absorption layer 4.
- the light receiving area 6 has a circular shape
- the guard ring area 7 has a ring shape so as to surround the circular shape.
- the width W6 is the diameter of the circular shape
- the width W7 is the dimension between the outer edge and the inner edge of the ring shape.
- the anode electrode 9 is typically made of metal.
- the anode electrode 9 is provided on the light receiving region 6 away from the window layer 5.
- the metal anode electrode 9 is the surface of the semiconductor substrate 1 (FIG. Most of the light receiving area 6 may be covered on the upper surface.
- the cathode electrode (not shown) is typically made of metal.
- the cathode electrode may be disposed in contact with the semiconductor substrate 1.
- the cathode electrode may be provided on the back surface of the semiconductor substrate 1.
- the cathode electrode may be in contact with the semiconductor substrate 1 from the surface (upper surface in FIG.
- the cathode electrode unnecessarily contacts other components other than the semiconductor substrate 1.
- openings may be provided in these other configurations.
- a region made of AlGaInAs, InGaAsP, InGaAs, or the like may be provided between the light receiving region 6 and the anode electrode 9 in order to reduce the contact resistance.
- each element in APD101 should just have a characteristic required in order to implement
- the breakdown voltage and the reach-through voltage of the embodiment of APD 101 (FIG. 1), APD 191 X of Reference Example X (FIG. 2), and APD 191 Y of Reference Example Y (FIG. 3) are examined by simulation.
- the APD 191X (FIG. 2) does not have the guard ring area 7.
- the guard ring region 7 of the APD 191 Y (FIG. 3) is formed shallower than the guard ring region of the APD 101 (FIG. 1) and extends to the boundary between the window layer 5 and the light absorbing layer 4 in the thickness direction. , Does not extend into the light absorbing layer 4.
- the thickness range DLy where the depletion layer can be formed in the APD 191Y (FIG. 3) is thicker than the thickness range DL where the depletion layer can be formed in the APD 101 (FIG. 1).
- the APD 191Y has an electric field control layer 3y in place of the electric field control layer 3 (FIG. 1).
- the electric field control layer 3 y has a uniform impurity concentration in the in-plane direction, and the impurity concentration is the same as that of the high concentration region 3 H of the electric field control layer 3. The simulation results are shown below.
- the line of "light receiving part” is a simulation result about light receiving part RA in each figure.
- the configuration of the light receiving unit is common to the above three examples.
- the “outer periphery” row is the simulation result for the outer periphery RB in each drawing. Since the configuration of the outer peripheral portion is different between the above three examples, different values are calculated.
- “reach through voltage” is a voltage required for the depletion layer to reach from the semiconductor substrate 1 to the window layer 5 or the window layer 5 provided with the guard ring region 7.
- FIG. 4 is a graph showing a desirable relationship between the voltage-current characteristics in the light receiving portion and the voltage-current characteristics in the outer peripheral portion.
- the breakdown voltage of the outer peripheral portion be equal to or higher than the breakdown voltage of the light receiving portion (in FIG. , See arrow TB).
- the reach through voltage of the outer peripheral portion be smaller than the reach through voltage of the light receiving portion in order to suppress current concentration on the light receiving portion (see the arrow TR in the figure). From this point of view, when the results shown in the above table are examined, it can be understood that the example is the most excellent configuration as compared with the reference examples X and Y.
- the outer peripheral portion of the reference example Y (FIG. 3) has a state opposite to the desired state described in FIG. 4, which means that the guard ring area 7 has the intended function in the reference example Y. It means that you do not have. On the other hand, from the above results, it can be said that the guard ring area 7 has the intended function in the embodiment.
- the electric field control layer 3 having the high concentration region 3H and the low concentration region 3L and the guard penetrating the window layer 5 and reaching the light absorption layer 4
- a guard ring structure can be effectively provided.
- the guard ring region 7 contains Zn atoms
- the electric field control layer 3 contains Be atoms.
- the guard ring region 7 preferably contains substantially no Be atoms
- the electric field control layer 3 preferably contains substantially no Za atoms. Since Zn atoms are easily diffused and Be atoms are difficult to diffuse, as described above, by using different acceptor atoms, the step of adding an acceptor to a desired region in the production of APD 101 is more It can be easy.
- the spacing SP (FIG. 1) between the light receiving area 6 and the guard ring area 7 is preferably 3 ⁇ m or more.
- the guard ring area 7 is preferably separated from the light receiving area 6 by 3 ⁇ m or more. If the interval SP is too small, the high speed operation of the APD becomes difficult due to the increase in capacitance caused by the depletion layer extending from the light receiving region 6 being connected to the guard ring region 7 when the operating voltage is applied.
- the carrier concentration of the window layer 5 is generally 1 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or less, and the depletion layer extends about 2 ⁇ m at the operating voltage of the APD. As described above, when the distance SP is 3 ⁇ m or more, the depletion layer extending from the light receiving region 6 can be prevented from being connected to the guard ring region 7.
- the guard ring region 7 preferably has a carrier concentration of 1 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 or more as a peak value.
- the guard ring region 7 is formed due to the small amount of the added dopant. Depth tends to be unstable. As a result, the accuracy of the thickness DL (FIG. 1) of the depletion layer formed below the guard ring region 7 is reduced, which makes it difficult to optimize the breakdown voltage and the reach through voltage in the outer peripheral portion RB.
- the carrier concentration of the light absorption layer 4 is generally 1 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 or less, as described above, if the carrier concentration of the guard ring region 7 is 1 ⁇ 10 18 cm ⁇ 3 or more, the thickness DL It is easy to ensure the accuracy of The carrier concentration similar to this may also be included in the light receiving region 6.
- the guard ring area 7 preferably has a width W7 larger than the width W6 of the light receiving area 6.
- the width W7 is larger than the width W6, a mask provided with both an opening for forming the light receiving region 6 and an opening for forming the guard ring region 7 is used.
- the light receiving region 6 and the guard ring region 7 can be formed at one time by the thermal diffusion of the dopant of.
- the above cross sectional view is a cross sectional view exposing the diameter, and the diameter of the circular shape corresponds to the width W6.
- FIG. 5 is a cross-sectional view showing a configuration of an APD 101 v (semiconductor light receiving element) as a modification of the APD 101 (FIG. 1).
- APD 101 v semiconductor light receiving element
- FIG. 5 it is assumed that light enters the APD 101 v from the surface (upper surface in FIG. 5) of the semiconductor substrate 1.
- the APD 101 v has an anode electrode 9 v instead of the anode electrode 9.
- the anode electrode 9 v covers the light receiving region 6 on the surface of the semiconductor substrate 1 at a small ratio (for example, a ratio of half or less).
- a small ratio for example, a ratio of half or less
- FIG. 6 is a cross sectional view schematically showing a configuration of the APD 102 (semiconductor light receiving element) in the present embodiment.
- APD 102 semiconductor light receiving element
- the APD 102 on the semiconductor substrate 1, a mesa-shaped region 10 including the multiplication layer 2, the electric field control layer 3, the light absorption layer 4, the light receiving region 6 and the guard ring region 7 is formed.
- the outside of the guard ring region 7 in the in-plane direction (lateral direction in the drawing) is tapered toward the depth direction (downward in the drawing).
- a trench TR having a shape is formed. The sidewall of trench TR is separated from guard ring region 7 by window layer 5.
- trench TR penetrates the window layer 5, the light absorption layer 4, the electric field control layer 3, and the multiplication layer 2 from the surface (upper surface in the drawing) of the window layer 5 and reaches the semiconductor substrate 1.
- Trench TR can be formed by etching using an etching mask.
- the mesa-shaped region 10 by providing the mesa-shaped region 10, it is possible to suppress the leak current flowing outside the APD, which is the cause of the dark current.
- the APD 102 provided with the mesa shaped region 10 has a state in which a leak current flows in the current path along the sidewall of the mesa shaped region 10 when a voltage equal to or less than the reach through voltage is applied. Then, when a voltage exceeding the reach-through voltage is applied due to light entering the APD 102, the current path is instantaneously switched, and the current easily flows in the light receiving unit RA. According to the present embodiment, current concentration at this time is effectively reduced for the reason described in the first embodiment.
- FIG. 7 is a flow chart schematically showing a method of manufacturing APD 101 in the present embodiment.
- FIG. 8 to FIG. 11 is a cross-sectional view schematically showing first to fourth steps of the manufacturing method.
- step S10 multiplication layer 2 is formed on semiconductor substrate 1 by epitaxial growth.
- step S20 the semiconductor layer 30 is formed on the multiplication layer 2 by epitaxial growth.
- the semiconductor layer 30 has p-type by containing Be atoms.
- the semiconductor layer 30 has a first region 30a corresponding to the high concentration region 3H (FIG. 1) and a second region to be the low concentration region 3L (FIG. 1).
- the semiconductor layer 30 has a substantially uniform impurity concentration in the in-plane direction (lateral direction in the drawing).
- the boundary between the first region 30a and the second region 30b in the figure does not mean the boundary between the regions having different physical properties, and the high concentration region 3H and the low concentration region 3H formed in a later step are low. It corresponds to the boundary with the concentration region 3L.
- step S30 the light absorption layer 4 is formed on the semiconductor layer 30 by epitaxial growth.
- step S40 the window layer 5 is formed on the light absorption layer 4 by epitaxial growth.
- a light receiving region 6 is formed by thermally diffusing a dopant as an acceptor using a mask (not shown) having an opening.
- step S60 (FIG. 7)
- mask 50 having opening OP is formed on window layer 5.
- step S70 (FIG. 7)
- Zn atoms from the opening OP are thermally diffused as indicated by the arrow TD.
- guard ring region 7 having p-type is formed by containing Zn atoms. Further, the concentration of Be atoms in the second region 30b (FIG. 10) is higher than the concentration of Be atoms in the first region 30a (FIG. 10) due to the influence of the above step of thermally diffusing Zn atoms. descend. Thereby, the electric field control layer 3 (FIG. 11) is formed from the semiconductor layer 30 (FIG. 10).
- the phenomenon that the concentration of Be atoms is reduced is the occurrence of vacancies below the guard ring region 7 in the light absorption layer 4 due to the above-described thermal diffusion of Zn atoms, and the vacancies become semiconductor layers 30. It is inferred that they are generated to absorb Be atoms in the second region 30b of
- the mask 50 is removed.
- step S80 the anode electrode 9 is formed.
- APD101 is obtained.
- the cathode electrode described in Embodiment 1 may be formed at an appropriate timing.
- the order of forming the light receiving area 6 and forming the guard ring area 7 may be reversed.
- the acceptor of the light receiving region 6 may be different from the Zn atom.
- the electric field control layer 3 (FIG. 10) having the high concentration region 3H and the low concentration region 3L can be obtained from the semiconductor layer 30 (FIG. 8) having no such concentration difference. It can be easily formed by utilizing the influence of the formation process of Therefore, the manufacturing method of APD101 can be simplified.
- FIG. 12 is a cross sectional view schematically showing one step of a method of manufacturing APD 101 in the modification of the present embodiment described above.
- mask 50v is formed after the process shown in FIG.
- the mask 50v has an opening OPv in addition to the opening OP of the mask 50 (FIG. 11).
- the opening OP has a width WV7 larger than the width WV6 of the opening OPv.
- the light receiving area 6 can be formed simultaneously with the guard ring area.
- the guard ring area 7 has a width W7 larger than the width W6 of the light receiving area 6.
- APD102 (FIG. 6: Embodiment 2) can be obtained.
- each embodiment can be freely combined, or each embodiment can be appropriately modified or omitted.
- the present invention has been described in detail, the above description is an exemplification in all aspects, and the present invention is not limited thereto. It is understood that countless variations not illustrated are conceivable without departing from the scope of the present invention.
- APD semiconductor light receiving element
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Abstract
n型の半導体基板(1)上の増倍層(2)はAl原子を含有する。増倍層(2)上の電界制御層(3)はp型を有する。電界制御層(3)は、高濃度領域(3H)と、高濃度領域(3H)の外側に設けられ高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する低濃度領域(3L)とを含む。電界制御層(3)上の光吸収層(4)は、高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する。光吸収層(4)上の窓層(5)は、光吸収層(4)のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、n型を有する。受光領域(6)は、窓層(5)の外縁(ED)から離れて設けられ、窓層(5)および光吸収層(4)を介して高濃度領域(3H)に少なくとも部分的に対向し、p型を有する。ガードリング領域(7)は、窓層(5)によって受光領域(6)から隔てられ、窓層(5)を貫通して光吸収層(4)内に達し、p型を有する。
Description
本発明は、半導体受光素子およびその製造方法に関し、特に、ガードリング領域を有する半導体受光素子およびその製造方法に関するものである。
光ファイバ通信等に用いられる半導体受光素子として、増倍層の材料としてInPを用いたアバランシェフォトダイオード(APD)が広く用いられている。InP増倍層を用いたAPDは、受信機としてのS/N比を向上させるために、入射光により発生したキャリアを、正孔を増倍させることによって増幅する。すなわち、InP増倍層を用いたAPDは、正孔増倍型である。
例えば特開2008-21725号公報(特許文献1)に示されているように、InP増倍層を用いたAPDでは、一般的に、受光領域の周囲にガードリングが形成される。ガードリングを形成する一の目的は、受光領域の端での急激な増倍に起因したエッジブレイクダウンを防ぐことである。また他の目的は、入力光が瞬間的に増えたときに生じるリーチスルーを、受光領域の中心よりも先にガードリングへと生じさせることによって、ガードリングが電流パスとなることで、受光部への電流集中に起因しての破壊を防ぐことである。ここで、本来の受光領域だけでなく、ガードリングもAPD構造をなしている。一般的に、リーチスルーの異なるAPD構造が並列に配置されている場合、リーチスルー電圧が小さい構造へ先に電流が流れることになる。また、ブレイクダウン電圧が高いAPD構造が、より高い電圧まで耐えられることになる。よって、意図された機能をガードリングが有するためには、ガードリングのブレイクダイン電圧が受光領域のそれよりも大きく、かつ、ガードリングのリーチスルー電圧が受光部のそれよりも小さいことが求められる。
近年、APDの増倍層として、AlInAs等、Al原子を含有する材料からなるAl系増倍層も用いられてきている。Al系増倍層を用いたAPDは、電子増倍型であり、前述の正孔増倍型よりも高速かつ低雑音での動作が見込まれる。半導体受光素子に要求されるビットレートは増加してきており、これに対応して、電子増倍型が広く用いられるようになってきている。一般的に光通信用途のAPDではn型基板を用いることが多く、その場合、n型基板上に、Al系増倍層、光吸収層、および窓層が順に積層される。よってこのようなAl系APDにおいては基板と光吸収層との間に増倍層が配置される。すなわち、増倍層が、基板上の層構造における深い位置に配置される。このようなAl系APDの配置は、InP系APDにおける配置とは異なっている。よってInP系APDにおけるガードリングの形成技術をそのままAl系APDへ適用することは困難である。
特開平11-330530号公報によれば、Al系APDが開示されており、ガードリングが適用された場合の問題点を鑑みての構成が開示されている。この構成においては、電界集中の抑制を考慮して、部分的に濃度の低い部分を有する電界緩和層が設けられている。
上述したように、Al原子を含有する増倍層を用いたAPDへガードリング構造を適用する方法については、これまで十分な検討がなされてきていなかった。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、Al原子を含有する増倍層を用いたAPDへ、ガードリング構造を効果的に設けることができる、半導体受光素子およびその製造方法を提供することである。
本発明の半導体受光素子は、半導体基板と、増倍層と、電界制御層と、光吸収層と、窓層と、受光領域と、ガードリング領域とを有している。半導体基板はn型を有している。増倍層は、半導体基板上に設けられており、Al原子を含有している。電界制御層は、増倍層上に設けられており、p型を有している。電界制御層は、増倍層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域と、高濃度領域の外側に設けられ高濃度領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する低濃度領域とを含んでいる。光吸収層は、電界制御層上に設けられており、電界制御層の高濃度領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有している。窓層は、光吸収層上に設けられており、光吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有しており、外縁を有しており、n型を有している。受光領域は、窓層の外縁から離れて窓層上に設けられており、厚み方向において窓層および光吸収層を介して電界制御層の高濃度領域に少なくとも部分的に対向しており、p型を有している。ガードリング領域は、窓層によって受光領域から隔てられており、窓層を貫通して光吸収層内に達しており、p型を有している。
本発明の半導体受光素子の製造方法は、半導体基板と、増倍層と、電界制御層と、光吸収層と、窓層と、受光領域と、ガードリング領域とを有している。半導体基板はn型を有する半導体受光素子の製造方法である。増倍層は、半導体基板上に設けられており、Al原子を含有している。電界制御層は、増倍層上に設けられており、p型を有している。電界制御層は、増倍層の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域と、高濃度領域の外側に設けられ高濃度領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する低濃度領域とを含んでいる。光吸収層は、電界制御層上に設けられており、電界制御層の高濃度領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有している。窓層は、光吸収層上に設けられており、光吸収層のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有しており、外縁を有しており、n型を有している。受光領域は、窓層の外縁から離れて窓層上に設けられており、厚み方向において窓層および光吸収層を介して電界制御層の高濃度領域に少なくとも部分的に対向しており、p型を有している。ガードリング領域は、窓層によって受光領域から隔てられており、窓層を貫通して光吸収層内に達しており、p型を有している。半導体受光素子の製造方法は、以下の工程を有している。Be原子を含有することによってp型を有し、電界制御層の高濃度領域に対応する第1の領域と、電界制御層の低濃度領域となる第2の領域とを有する半導体層が形成される。半導体層上に光吸収層が形成される。光吸収層上に窓層が形成される。窓層上に、開口部を有するマスクが形成される。マスクの開口部からZn原子が拡散させられる。Zn原子を拡散させる工程において、Zn原子を含有することによってp型を有するガードリング領域が形成され、かつ、半導体層の第1の領域中のBe原子の濃度に比して半導体層の第2の領域中におけるBe原子の濃度がより低下することによって半導体層から電界制御層が形成される。
本発明によれば、高濃度領域および低濃度領域を有する電界制御層と、窓層を貫通して光吸収層内に達するガードリング領域とが設けられる。これにより、ガードリング構造を効果的に設けることができる。
この発明の目的、特徴、局面、および利点は、以下の詳細な説明と添付図面とによって、より明白となる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
<実施の形態1>
(構成の概略)
図1は、本実施の形態におけるAPD101(半導体受光素子)の構成を概略的に示す断面図である。APD101は、受光部RAと、その周りに配置された外周部RB(図中、右部および左部)とを有している。APD101は、半導体基板1と、増倍層2と、電界制御層3と、光吸収層4と、窓層5と、受光領域6と、ガードリング領域7と、アノード電極9と、カソード電極(図示せず)とを有している。APD101の側面および上面の少なくともいずれかが、SiNなどからなるパッシベーション膜によって覆われていてもよい。
(構成の概略)
図1は、本実施の形態におけるAPD101(半導体受光素子)の構成を概略的に示す断面図である。APD101は、受光部RAと、その周りに配置された外周部RB(図中、右部および左部)とを有している。APD101は、半導体基板1と、増倍層2と、電界制御層3と、光吸収層4と、窓層5と、受光領域6と、ガードリング領域7と、アノード電極9と、カソード電極(図示せず)とを有している。APD101の側面および上面の少なくともいずれかが、SiNなどからなるパッシベーション膜によって覆われていてもよい。
半導体基板1は、受光部RAおよび外周部RBに跨っている。半導体基板1はn型を有している。半導体基板1は、例えば、InP基板である。
増倍層2は、受光部RAおよび外周部RBに跨っており、半導体基板1上に設けられている。増倍層2は、半導体基板1上に形成されたエピタキシャル層であってよい。増倍層2は、半導体からなり、少なくともAl原子を含有している。言い換えれば、増倍層2はAl系増倍層である。例えば、増倍層2はAlInAs層である。増倍層2は、Al原子を含有することによって、電子を効率的に増倍させることができる。好ましくは、増倍層2の不純物濃度は半導体基板1の不純物濃度よりも小さい。
電界制御層3は、受光部RAおよび外周部RBに跨っており、増倍層2上に設けられている。電界制御層3は、増倍層2上に形成されたエピタキシャル層であってよい。電界制御層3はp型を有している。電界制御層3は、受光部RAに含まれる高濃度領域3Hと、外周部RBに含まれる低濃度領域3Lとを有している。よって低濃度領域3Lは面内方向(図中、横方向)において高濃度領域3Hの外側(図中、右側および左側)に設けられている。高濃度領域3Hは、増倍層2の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有している。低濃度領域3Lは、高濃度領域3Hの不純物濃度よりも低い不純物濃度を有している。電界制御層3の材料は、例えばInPまたはAlInAsである。
光吸収層4は、受光部RAおよび外周部RBに跨っており、電界制御層3上に設けられている。光吸収層4は、電界制御層3上に形成されたエピタキシャル層であってよい。光吸収層4は、半導体からなり、電界制御層3の高濃度領域3Hの不純物濃度よりも低い不純物濃度を有している。好ましくは、光吸収層4の不純物濃度は半導体基板1の不純物濃度よりも小さい。光吸収層4は、APD101によって検出される入射光のエネルギーよりも小さなバンドギャップを有する材料からなる。検出される入射光の波長は、例えば、1270nm以上1610nm以下である。光吸収層4の材料は、例えば、InGaAsおよびInGaAsPから選択される。例えばInGaAsを用いることによって、光吸収層4のバンドギャップを、波長1670nm程度に相当するエネルギー値とすることができる。
窓層5は光吸収層4上に設けられている。窓層5は、光吸収層4上に形成されたエピタキシャル層であってよい。窓層5は、少なくとも受光部RAに含まれており、図1の構成においては受光部RAおよび外周部RBに跨っている。窓層5は外縁EDを有しており、図1の構成においては外縁EDは外周部RBの外周端(図中、右端および左端)に位置している。窓層5はn型を有している。好ましくは、窓層5の不純物濃度は半導体基板1の不純物濃度よりも小さい。窓層5は、光吸収層4のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有する材料からなる。窓層5の材料は、例えば、InP、AlInAs、AlGaInAs、およびInGaAsPから選択される。例えばInPを用いることによって、窓層5のバンドギャップを、波長900nm程度に相当するエネルギー値とすることができる。
なお、光吸収層4と電界制御層3との間、および、光吸収層4と窓層5との間の少なくともいずれかに、バンド不連続性を緩和するための緩和層が設けられてもよい。この緩和層の材料は、例えば、InGaAsPまたはAlGaInAsである。
受光領域6はp型を有している。好ましくは、受光領域6の不純物濃度は窓層5の不純物濃度よりも大きい。受光領域6は、受光部RAに含まれており、窓層5の外縁EDから離れて窓層5上に設けられている。受光領域6は、厚み方向において窓層5および光吸収層4を介して、電界制御層3の高濃度領域3Hに少なくとも部分的に対向しており、図1の構成においては受光領域6の全体が対向している。受光領域6は、窓層5の表面上において部分的にアクセプタを熱拡散させることによって形成され得る。
ガードリング領域7はp型を有している。好ましくは、ガードリング領域7の不純物濃度は窓層5の不純物濃度よりも大きい。好ましくは、ガードリング領域7の不純物濃度は光吸収層4の不純物濃度よりも大きい。ガードリング領域7は、面内方向(図中、横方向)において、窓層5によって受光領域6から隔てられている。ガードリング領域7は、厚み方向(図中、縦方向)において、窓層5を貫通して光吸収層4内に達している。言い換えれば、ガードリング領域7の底部は、窓層5の下面よりも深く位置しており、光吸収層4の上面よりも深くかつ光吸収層4の下面よりも浅く位置している。よって、ガードリング領域7は、厚み方向において光吸収層4を介して電界制御層3の低濃度領域3Lに少なくとも部分的に対向しており、図1の構成においてはガードリング領域7の全体が対向している。ガードリング領域7は、窓層5の表面の一部から、窓層5を貫通して光吸収層4内へアクセプタを熱拡散させることによって形成され得る。
平面レイアウトにおいては、典型例としては、受光領域6が円形形状を有しており、この円形を囲むようにガードリング領域7がリング形状を有している。この例の場合、図1において、幅W6は上記円形形状の直径であり、幅W7は上記リング形状の外縁と内縁との間の寸法である。
アノード電極9は、典型的には金属からなる。アノード電極9は、窓層5から離れて、受光領域6上に設けられている。なお図1の構成においては、APD101内へ半導体基板1の裏面(図1における下面)から光が入ることが想定されているので、金属からなるアノード電極9が半導体基板1の表面(図1における上面)上において受光領域6の大部分を覆っていてよい。カソード電極(図示せず)は、典型的には金属からなる。カソード電極は、半導体基板1に接するように配置されていればよい。例えば、カソード電極は、半導体基板1の裏面上に設けられていてよい。あるいは、カソード電極は、例えば、半導体基板1の表面(図1における上面)側から半導体基板1に接していてもよく、この場合、カソード電極が半導体基板1以外の他の構成と不必要に接触しないように、これら他の構成に開口が設けられていてよい。なお、受光領域6とアノード電極9との間には、コンタクト抵抗を下げるために、AlGaInAs、InGaAsP、またはInGaAsなどからなる領域が設けられていてもよい。
なおAPD101における各要素の材料は、当該要素の機能を実現するために必要な特性を有するものであればよく、上記説明において具体的に挙げられた材料に限定されるものではない。
(ブレイクダウン電圧およびリーチスルー電圧のシミュレーション結果)
APD101(図1)の実施例と、参考例XのAPD191X(図2)と、参考例YのAPD191Y(図3)とについて、ブレイクダウン電圧およびリーチスルー電圧を、シミュレーションによって検討する。APD191X(図2)は、APD101(図1)と異なり、ガードリング領域7を有していない。APD191Y(図3)のガードリング領域7は、APD101(図1)のガードリング領域よりも浅く形成されており、厚み方向において、窓層5と光吸収層4との境界までは延びているものの、光吸収層4内までは延びていない。このため、APD191Y(図3)において空乏層が形成され得る厚み範囲DLyは、APD101(図1)において空乏層が形成され得る厚み範囲DLよりも厚くなっている。またAPD191Yは、電界制御層3(図1)に代わり、電界制御層3yを有している。電界制御層3yは、面内方向において均一な不純物濃度を有しており、当該不純物濃度は、電界制御層3の高濃度領域3Hのものと同じである。以下に、シミュレーション結果を示す。
APD101(図1)の実施例と、参考例XのAPD191X(図2)と、参考例YのAPD191Y(図3)とについて、ブレイクダウン電圧およびリーチスルー電圧を、シミュレーションによって検討する。APD191X(図2)は、APD101(図1)と異なり、ガードリング領域7を有していない。APD191Y(図3)のガードリング領域7は、APD101(図1)のガードリング領域よりも浅く形成されており、厚み方向において、窓層5と光吸収層4との境界までは延びているものの、光吸収層4内までは延びていない。このため、APD191Y(図3)において空乏層が形成され得る厚み範囲DLyは、APD101(図1)において空乏層が形成され得る厚み範囲DLよりも厚くなっている。またAPD191Yは、電界制御層3(図1)に代わり、電界制御層3yを有している。電界制御層3yは、面内方向において均一な不純物濃度を有しており、当該不純物濃度は、電界制御層3の高濃度領域3Hのものと同じである。以下に、シミュレーション結果を示す。
上記表において、「受光部」の行は、各図中の受光部RAについてのシミュレーション結果である。なお受光部の構成は、上記3つの例の間で共通である。一方、上記表において、「外周部」の行は、各図中の外周部RBについてのシミュレーション結果である。外周部の構成は、上記3つの例の間で異なっていることから、異なる値が算出されている。また上記表において、「リーチスルー電圧」は、空乏層が半導体基板1から、窓層5、または、ガードリング領域7が設けられた窓層5へと達するのに要する電圧である。
図4は、受光部における電圧-電流特性と、外周部における電圧-電流特性との間の、望ましい関係を示すグラフ図である。外周部が設けられることに起因してAPDのブレイクダウン電圧がかえって低下することを避けるためには、外周部のブレイクダウン電圧が受光部のブレイクダウン電圧以上であることが必要である(図中、矢印TB参照)。この条件の下で、外周部のリーチスルー電圧は、受光部への電流集中を抑制するために、受光部のリーチスルー電圧よりも小さいことが望ましい(図中、矢印TR参照)。この観点で、上記表に示された結果を検討すると、参考例XおよびYに比して、実施例が最も優れた構成であることがわかる。参考例Xの外周部のリーチスルー電圧も受光部のリーチスルー電圧に比して小さいが、実施例のリーチスルー電圧よりは大きく、この点で改善余地がある。参考例Y(図3)の外周部は、図4で説明した望ましい状態とは反対の状態を有しており、このことは、ガードリング領域7が参考例Yにおいては、意図された機能を有していないことを意味している。一方、上記結果から、ガードリング領域7が実施例においては、意図された機能を有しているといえる。
本実施の形態のAPD101によれば、以上の説明からわかるように、高濃度領域3Hおよび低濃度領域3Lを有する電界制御層3と、窓層5を貫通して光吸収層4内に達するガードリング領域7とが設けられることにより、ガードリング構造を効果的に設けることができる。
(構成の詳細)
アクセプタとして、ガードリング領域7(図1)はZn原子を含有し、電界制御層3(図1)はBe原子を含有していることが好ましい。ガードリング領域7はBe原子を実質的に含有していないことが好ましく、電界制御層3はZa原子を実質的に含有していないことが好ましい。Zn原子は拡散しやすく、Be原子は拡散しにくい性質を有しているので、上記のように、異なるアクセプタ原子を用いることによって、APD101の製造においてアクセプタを所望の領域へ添加する工程を、より容易なものとすることができる。
アクセプタとして、ガードリング領域7(図1)はZn原子を含有し、電界制御層3(図1)はBe原子を含有していることが好ましい。ガードリング領域7はBe原子を実質的に含有していないことが好ましく、電界制御層3はZa原子を実質的に含有していないことが好ましい。Zn原子は拡散しやすく、Be原子は拡散しにくい性質を有しているので、上記のように、異なるアクセプタ原子を用いることによって、APD101の製造においてアクセプタを所望の領域へ添加する工程を、より容易なものとすることができる。
受光領域6とガードリング領域7との間の間隔SP(図1)は3μm以上であることが好ましい。言い換えれば、ガードリング領域7は受光領域6から3μm以上離れていることが好ましい。間隔SPが過小である場合、動作電圧が印加された際に、受光領域6から延びる空乏層がガードリング領域7とつながることに起因しての容量増加により、APDの高速動作が困難となる。窓層5のキャリア濃度は一般的に1×1016cm-3以下であり、APDの動作電圧では空乏層が約2μm延びる。上述したように間隔SPが3μm以上であれば、受光領域6から延びる空乏層がガードリング領域7とつながることが避けられる。
ガードリング領域7は、ピーク値として、1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有していることが好ましい。光吸収層4のキャリア濃度に比してあまり高くないキャリア濃度を有するガードリング領域7が形成される場合は、添加されるドーパントの量が少ないことに起因して、ガードリング領域7が形成される深さが不安定となりやすい。その結果、ガードリング領域7の下方に形成される空乏層の厚みDL(図1)の精度が低下し、よって外周部RBにおけるブレイクダウン電圧およびリーチスルー電圧を最適化することが難しくなる。光吸収層4のキャリア濃度は一般的に1×1016cm-3以下であることから、上述したようにガードリング領域7のキャリア濃度が1×1018cm-3以上であれば、厚みDLの精度を十分に確保しやすくなる。なお、これと同様のキャリア濃度を受光領域6も有していてもよい。
受光領域6の最大寸法が表れる断面視(例えば、図1)において、ガードリング領域7は受光領域6の幅W6に比して大きな幅W7を有していることが好ましい。一般に、開口部を有するマスクを用いてアクセプタとしてのドーパントを熱拡散させることによってp型領域が形成される場合、開口部の幅が大きいほど、大きな幅と大きな深さとを有するp型領域が形成される。よって、幅W6に比して幅W7の方が大きければ、受光領域6を形成するための開口部と、ガードリング領域7を形成するための開口部との両方が設けられたマスクを用いてのドーパントの熱拡散によって、受光領域6およびガードリング領域7を一度に形成することができる。なお受光領域6が平面レイアウトにおいて円形を有している場合、上記断面視は当該直径を露出する断面視であり、この円形の直径が幅W6に対応する。
(変形例)
図5は、APD101(図1)の変形例としてのAPD101v(半導体受光素子)の構成を示す断面図である。図5の構成においては、APD101v内へ半導体基板1の表面(図5における上面)から光が入ることが想定されている。これに対応して、APD101vは、アノード電極9に代わり、アノード電極9vを有している。アノード電極9vは、半導体基板1の表面上において受光領域6を小さな割合(例えば半分以下の割合)でしか覆っていない。これによりAPD101v内へ半導体基板1の表面から光が効率的に入ることができる。
図5は、APD101(図1)の変形例としてのAPD101v(半導体受光素子)の構成を示す断面図である。図5の構成においては、APD101v内へ半導体基板1の表面(図5における上面)から光が入ることが想定されている。これに対応して、APD101vは、アノード電極9に代わり、アノード電極9vを有している。アノード電極9vは、半導体基板1の表面上において受光領域6を小さな割合(例えば半分以下の割合)でしか覆っていない。これによりAPD101v内へ半導体基板1の表面から光が効率的に入ることができる。
<実施の形態2>
図6は、本実施の形態におけるAPD102(半導体受光素子)の構成を概略的に示す断面図である。APD102においては、半導体基板1上において、増倍層2と電界制御層3と光吸収層4と受光領域6とガードリング領域7とを含むメサ形状領域10が形成されている。図6の例においては、当該メサ形状領域を形成するために、面内方向(図中、横方向)におけるガードリング領域7の外側に、深さ方向(図中、下方向)へ向かってテーパ形状を有するトレンチTRが形成されている。トレンチTRの側壁は、窓層5によってガードリング領域7から隔てられている。トレンチTRは、窓層5の表面(図中、上面)から、窓層5と光吸収層4と電界制御層3と増倍層2とを貫通して、半導体基板1内へ達している。トレンチTRは、エッチングマスクを用いてのエッチングによって形成され得る。
図6は、本実施の形態におけるAPD102(半導体受光素子)の構成を概略的に示す断面図である。APD102においては、半導体基板1上において、増倍層2と電界制御層3と光吸収層4と受光領域6とガードリング領域7とを含むメサ形状領域10が形成されている。図6の例においては、当該メサ形状領域を形成するために、面内方向(図中、横方向)におけるガードリング領域7の外側に、深さ方向(図中、下方向)へ向かってテーパ形状を有するトレンチTRが形成されている。トレンチTRの側壁は、窓層5によってガードリング領域7から隔てられている。トレンチTRは、窓層5の表面(図中、上面)から、窓層5と光吸収層4と電界制御層3と増倍層2とを貫通して、半導体基板1内へ達している。トレンチTRは、エッチングマスクを用いてのエッチングによって形成され得る。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によれば、メサ形状領域10が設けられることによって、暗電流の原因である、APDの外側を流れるリーク電流を抑制することができる。メサ形状領域10が設けられたAPD102は、リーチスルー電圧以下の電圧が印加されている際には、メサ形状領域10の側壁に沿った電流パスをリーク電流が流れる状態を有する。そして、APD102へ光が入射することによってリーチスルー電圧を超える電圧が印加されると、電流パスが瞬間的に切り替わり、電流が受光部RA中を流れやすい状態となる。本実施の形態によれば、このときの電流集中が、実施の形態1で説明した理由で、効果的に低減される。
<実施の形態3>
本実施の形態では、APD101(図1:実施の形態1)に適した製造方法について説明する。図7は、本実施の形態におけるAPD101の製造方法を概略的に示すフロー図である。図8~図11のそれぞれは、当該製造方法の第1~第4の工程を概略的に示す断面図である。
本実施の形態では、APD101(図1:実施の形態1)に適した製造方法について説明する。図7は、本実施の形態におけるAPD101の製造方法を概略的に示すフロー図である。図8~図11のそれぞれは、当該製造方法の第1~第4の工程を概略的に示す断面図である。
図8を参照して、ステップS10(図7)にて、半導体基板1上に増倍層2がエピタキシャル成長によって形成される。次に、ステップS20(図7)にて、増倍層2上に半導体層30がエピタキシャル成長によって形成される。半導体層30は、Be原子を含有することによってp型を有している。半導体層30は、高濃度領域3H(図1)に対応する第1の領域30aと、低濃度領域3L(図1)となる第2の領域とを有している。半導体層30は、面内方向(図中、横方向)において実質的に均一な不純物濃度を有している。よって、図中における第1の領域30aと第2の領域30bとの境界線は、異なる物性を有する領域間の境界を意味するものではなく、後の工程において形成される高濃度領域3Hと低濃度領域3Lとの境界に対応している。次に、ステップS30(図7)にて、半導体層30上にエピタキシャル成長によって光吸収層4が形成される。次に、ステップS40(図7)にて、光吸収層4上にエピタキシャル成長によって窓層5が形成される。
図9を参照して、ステップS50(図7)にて、開口部を有するマスク(図示せず)を用いてアクセプタとしてのドーパントを熱拡散させることによって、受光領域6が形成される。
図10を参照して、ステップS60(図7)にて、窓層5上に、開口部OPを有するマスク50が形成される。ステップS70(図7)にて、開口部OPからZn原子が、矢印TDで示されているように熱拡散させられる。
さらに図11を参照して、Zn原子を熱拡散させる上記工程において、Zn原子を含有することによってp型を有するガードリング領域7が形成される。また、Zn原子を熱拡散させる上記工程の影響によって、第1の領域30a(図10)中のBe原子の濃度に比して第2の領域30b(図10)中におけるBe原子の濃度がより低下する。これにより、半導体層30(図10)から電界制御層3(図11)が形成される。このようにBe原子の濃度が低下する現象は、Zn原子の上記熱拡散に起因して光吸収層4内のうちガードリング領域7下方に空格子点が発生し当該空格子点が半導体層30の第2の領域30b中のBe原子を吸い上げるために生じると推測される。
次に、マスク50が除去される。
再び図1を参照して、ステップS80(図7)にて、アノード電極9が形成される。これにより、APD101が得られる。なお、上記においては説明が省略されているが、実施の形態1で述べたカソード電極が、適当なタイミングで形成されてよい。また、受光領域6の形成およびガードリング領域7の形成の順番は逆であってもよい。なお上記方法においては、受光領域6のアクセプタは、Zn原子と異なるものであってもよい。
本実施の形態によれば、高濃度領域3Hおよび低濃度領域3Lを有する電界制御層3(図10)を、このような濃度差を有しない半導体層30(図8)から、ガードリング領域7の形成工程の影響を利用して、容易に形成することができる。よってAPD101の製造方法を簡素化することができる。
図12は、上述した本実施の形態の変形例におけるAPD101の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。本変形例においては、図8に示された工程の後に、マスク50vが形成される。マスク50vは、マスク50(図11)の開口部OPに加えて、開口部OPvを有している。開口部OPvの最大寸法が表れる断面視(例えば、図12)において、開口部OPは開口部OPvの幅WV6に比して大きな幅WV7を有している。次に、開口部OPからZn原子が矢印TDで示されているように熱拡散させられると同時に、開口部OPvからZn原子が矢印TDvで示されているように熱拡散させられる。これにより本変形例においては、受光領域6をガードリング領域と同時に形成することができる。この場合に得られるAPD101(図1)においては、ガードリング領域7は受光領域6の幅W6に比して大きな幅W7を有する。
上記本実施の形態およびその変形例の製造方法にトレンチTR(図6)の形成工程が付加されれば、APD102(図6:実施の形態2)を得ることができる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。この発明は詳細に説明されたが、上記した説明は、すべての局面において、例示であって、この発明がそれに限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この発明の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。
ED 外縁、RA 受光部、RB 外周部、OP,OPv 開口部、SP 間隔、TR トレンチ、1 半導体基板、2 増倍層、3 電界制御層、3H 高濃度領域、3L 低濃度領域、4 光吸収層、5 窓層、6 受光領域、7 ガードリング領域、9,9v アノード電極、10 メサ形状領域、30 半導体層、30a 第1の領域、30b 第2の領域、50,50v マスク、101,101v,102 APD(半導体受光素子)。
Claims (7)
- n型を有する半導体基板(1)と、
前記半導体基板(1)上に設けられ、Al原子を含有する増倍層(2)と、
前記増倍層(2)上に設けられp型を有する電界制御層(3)とを備え、前記電界制御層(3)は、前記増倍層(2)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域(3H)と、前記高濃度領域(3H)の外側に設けられ前記高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する低濃度領域(3L)とを含み、さらに
前記電界制御層(3)上に設けられ、前記電界制御層(3)の前記高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する光吸収層(4)と、
前記光吸収層(4)上に設けられ、前記光吸収層(4)のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、外縁(ED)を有し、n型を有する窓層(5)と、
前記窓層(5)の前記外縁(ED)から離れて前記窓層(5)上に設けられ、厚み方向において前記窓層(5)および前記光吸収層(4)を介して前記電界制御層(3)の前記高濃度領域(3H)に少なくとも部分的に対向し、p型を有する受光領域(6)と、
前記窓層(5)によって前記受光領域(6)から隔てられ、前記窓層(5)を貫通して前記光吸収層(4)内に達し、p型を有するガードリング領域(7)と、
を備える、半導体受光素子(101,101v,102)。 - 前記半導体基板(1)上において、前記増倍層(2)と、前記電界制御層(3)と、前記光吸収層(4)と、前記受光領域(6)と、前記ガードリング領域(7)とを含むメサ形状領域が形成されている、請求項1に記載の半導体受光素子(102)。
- 前記ガードリング領域(7)はZn原子を含有しており、前記電界制御層(3)はBe原子を含有している、請求項1または2に記載の半導体受光素子(101,101v,102)。
- 前記ガードリング領域(7)は前記受光領域(6)から3μm以上離れている、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体受光素子(101,101v,102)。
- 前記ガードリング領域(7)は、1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有している、請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体受光素子(101,101v,102)。
- 前記受光領域(6)の最大寸法が表れる断面視において、前記ガードリング領域(7)は前記受光領域(6)の幅に比して大きな幅を有している、請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体受光素子(101,101v,102)。
- 半導体受光素子(101,101v,102)の製造方法であって、前記半導体受光素子(101,101v,102)は、
n型を有する半導体基板(1)と、
前記半導体基板(1)上に設けられ、前記半導体基板(1)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有し、Al原子を含有する増倍層(2)と、
前記増倍層(2)上に設けられp型を有する電界制御層(3)とを含み、前記電界制御層(3)は、前記増倍層(2)の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する高濃度領域(3H)と、前記高濃度領域(3H)の外側に設けられ前記高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する低濃度領域(3L)とを含み、前記半導体受光素子(101,101v,102)はさらに
前記電界制御層(3)上に設けられ、前記電界制御層(3)の前記高濃度領域(3H)の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する光吸収層(4)と、
前記光吸収層(4)上に設けられ、前記光吸収層(4)のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有し、外縁(ED)を有し、n型を有する窓層(5)と、
前記窓層(5)の前記外縁(ED)から離れて前記窓層(5)上に設けられ、厚み方向において前記窓層(5)および前記光吸収層(4)を介して前記電界制御層(3)の前記高濃度領域(3H)に少なくとも部分的に対向し、p型を有する受光領域(6)と、
前記窓層(5)によって前記受光領域(6)から隔てられ、前記窓層(5)を貫通して前記光吸収層(4)内に達し、p型を有するガードリング領域(7)と、
を含み、
前記半導体受光素子(101,101v,102)の製造方法は、
Be原子を含有することによってp型を有し、前記電界制御層(3)の前記高濃度領域(3H)に対応する第1の領域(30a)と、前記電界制御層(3)の前記低濃度領域(3L)となる第2の領域(30b)とを有する半導体層(30)を形成する工程と、
前記半導体層上に前記光吸収層(4)を形成する工程と、
前記光吸収層(4)上に前記窓層(5)を形成する工程と、
前記窓層(5)上に、開口部(OP)を有するマスク(50)を形成する工程と、
前記マスク(50)の前記開口部(OP)からZn原子を拡散させる工程と、
を備え、前記Zn原子を拡散させる工程において、前記Zn原子を含有することによってp型を有する前記ガードリング領域(7)が形成され、かつ、前記半導体層(30)の前記第1の領域(30a)中の前記Be原子の濃度に比して前記半導体層(30)の前記第2の領域(30b)中における前記Be原子の濃度がより低下することによって前記半導体層(30)から前記電界制御層(3)が形成される、半導体受光素子(101,101v,102)の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/033446 WO2019053877A1 (ja) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
CN201780094754.XA CN111066157B (zh) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 半导体受光元件及其制造方法 |
US16/625,974 US11329179B2 (en) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | Semiconductor light-receiving device and method for manufacturing the same |
JP2019541595A JP6710343B2 (ja) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
TW106142128A TWI649861B (zh) | 2017-09-15 | 2017-12-01 | 半導體收光元件及其製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/033446 WO2019053877A1 (ja) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2019053877A1 true WO2019053877A1 (ja) | 2019-03-21 |
Family
ID=65723270
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/033446 WO2019053877A1 (ja) | 2017-09-15 | 2017-09-15 | 半導体受光素子およびその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11329179B2 (ja) |
JP (1) | JP6710343B2 (ja) |
CN (1) | CN111066157B (ja) |
TW (1) | TWI649861B (ja) |
WO (1) | WO2019053877A1 (ja) |
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- 2017-09-15 US US16/625,974 patent/US11329179B2/en active Active
- 2017-09-15 CN CN201780094754.XA patent/CN111066157B/zh active Active
- 2017-09-15 WO PCT/JP2017/033446 patent/WO2019053877A1/ja active Application Filing
- 2017-09-15 JP JP2019541595A patent/JP6710343B2/ja active Active
- 2017-12-01 TW TW106142128A patent/TWI649861B/zh active
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CN111066157A (zh) | 2020-04-24 |
TWI649861B (zh) | 2019-02-01 |
CN111066157B (zh) | 2023-05-02 |
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JPWO2019053877A1 (ja) | 2019-11-07 |
TW201916333A (zh) | 2019-04-16 |
JP6710343B2 (ja) | 2020-06-17 |
US11329179B2 (en) | 2022-05-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 17925294 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2019541595 Country of ref document: JP Kind code of ref document: A |
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NENP | Non-entry into the national phase |
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122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 17925294 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |