WO2018174090A1 - 撮像装置及び信号処理装置 - Google Patents

撮像装置及び信号処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2018174090A1
WO2018174090A1 PCT/JP2018/011179 JP2018011179W WO2018174090A1 WO 2018174090 A1 WO2018174090 A1 WO 2018174090A1 JP 2018011179 W JP2018011179 W JP 2018011179W WO 2018174090 A1 WO2018174090 A1 WO 2018174090A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
electrode
pixel
imaging device
semiconductor layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/011179
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
純 小木
睦聡 田代
隆寛 豊島
頼人 坂野
祐輔 大池
弘博 朱
圭一 中澤
佑花里 武谷
奥山　敦
康史 三好
良輔 松本
堀内　淳
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority to KR1020187032417A priority Critical patent/KR102566061B1/ko
Priority to EP18770698.1A priority patent/EP3462497A4/en
Priority to CN201880002008.8A priority patent/CN109155325A/zh
Priority to KR1020247001195A priority patent/KR20240010101A/ko
Priority to JP2019507707A priority patent/JP7237819B2/ja
Priority to US16/301,877 priority patent/US10777597B2/en
Priority to KR1020237026230A priority patent/KR102625899B1/ko
Publication of WO2018174090A1 publication Critical patent/WO2018174090A1/ja
Priority to US16/987,745 priority patent/US11424281B2/en
Priority to US17/858,688 priority patent/US20220344386A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14609—Pixel-elements with integrated switching, control, storage or amplification elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1464—Back illuminated imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith

Definitions

  • the present disclosure relates to an imaging device and a signal processing device.
  • Patent Document 1 in a configuration of SPAD (Single Photo Avalanche Diode), a first semiconductor layer that is a first buried layer having a first conductivity type, and a first semiconductor layer under a first semiconductor layer are disclosed.
  • an electrode formed of a transparent electrode or an impurity layer is provided on the light irradiation surface.
  • Noise may occur at the contact part.
  • the electrode is formed of an impurity layer, it is necessary to inject a high concentration impurity, and a depletion layer cannot be formed in the region of the impurity layer, but in order to reduce the resistance of the electrode, It is necessary to ensure the thickness, and in that case, there is a problem that sensitivity of light having a short wavelength is lowered.
  • a first semiconductor layer formed on a semiconductor substrate a second semiconductor layer having a conductivity type opposite to that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer, the first semiconductor layer, A pixel separating portion for defining a pixel region including the second semiconductor layer; a first electrode connected to the first semiconductor layer from one surface side of the semiconductor substrate; and light that is the other surface of the semiconductor substrate.
  • an imaging device comprising: a second electrode connected to the second semiconductor layer from the irradiation surface side and formed to correspond to the position of the pixel separation portion.
  • a first semiconductor layer formed on a semiconductor substrate, a second semiconductor layer having a conductivity type opposite to that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer, and the first semiconductor A pixel separating portion for defining a pixel region including a layer and a second semiconductor layer; a first electrode connected to the first semiconductor layer from one surface side of the semiconductor substrate; and a second surface of the semiconductor substrate.
  • An image signal corresponding to each of the pixel regions from an imaging device including a second electrode connected to the second semiconductor layer from a certain light irradiation surface side and formed to correspond to the position of the pixel separation unit And a signal processing device for performing signal processing for display on the display device.
  • pixel miniaturization, low noise, and high quantum efficiency can be realized, and sensitivity of short wavelengths can be improved while suppressing interference between pixels and variation among pixels. It becomes possible.
  • the above effects are not necessarily limited, and any of the effects shown in the present specification, or other effects that can be grasped from the present specification, together with or in place of the above effects. May be played.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an auxiliary electrode connected to an anode electrode is provided on the outermost surface of the pixel region with respect to the configuration example illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an auxiliary electrode connected to an anode electrode is provided on the outermost surface of the pixel region with respect to the configuration example illustrated in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer is provided on the outermost surface of the photoelectric conversion unit, and a light-shielding metal layer is provided on the insulating layer in a range on the pixel separation unit, in the configuration example illustrated in FIG. . It is a schematic diagram showing an example in which a light-shielding metal layer is provided on an anode electrode without providing an insulating film on the pixel separation portion.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer is provided on a light irradiation surface without providing a light-shielding metal layer in the configuration example illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer is provided on a light irradiation surface without providing a light-shielding metal layer in the configuration example illustrated in FIG. 3.
  • FIG. 7 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer and a light-shielding metal layer are provided in the configuration example illustrated in FIG. 3, similarly to the configuration example illustrated in FIG. 6.
  • FIG. 8 is a schematic diagram illustrating an example in which an insulating layer and a light-shielding metal layer are provided in the configuration example illustrated in FIG. 3, similarly to the configuration example illustrated in FIG. 7.
  • FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an example in which the anode electrode is disposed closer to the pixel region than the pixel separation unit in the configuration example illustrated in FIG. 4 and the surface metal layer provided on the pixel separation unit is connected.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an example in which the length of a buried metal layer is shortened in the depth direction of a pixel region with respect to the configuration example illustrated in FIG. 1. It is a schematic diagram which shows the positional relationship of an anode electrode and the electrode connected with an anode electrode. It is a schematic diagram which shows the positional relationship of an anode electrode and the electrode connected with an anode electrode. It is a schematic diagram which shows the positional relationship of an anode electrode and the electrode connected with an anode electrode. It is a top view which shows the positional relationship of an anode electrode and a contact layer. It is a top view which shows the positional relationship of an anode electrode and a contact layer. In the structure shown in FIG.
  • FIG. 12 it is a schematic sectional drawing which shows the structure by which the color filter was provided on the insulating layer of the light irradiation surface, and the on-chip lens was provided further on the color filter. It is a schematic diagram which shows the state which looked at the area
  • FIG. 24 is a schematic diagram showing a structure in which a high-concentration C layer surrounds a bottom surface portion of a P + layer in addition to the structure of FIG. 23.
  • boron (B) It is a characteristic view which shows a mode that) spread
  • FIG. 33 is a schematic cross sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 32 in order of processes.
  • FIG. 30 it is a schematic cross-sectional schematic diagram showing a configuration in which the inside of the light condensing part is a low-concentration P region 446.
  • FIG. 35 is a schematic cross sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 34 in order of processes. It is a top view which shows some examples of the plane structure of the SPAD pixel of the 2nd variation.
  • FIG.41 and FIG.42 It is a schematic diagram which shows the manufacturing method different from FIG.41 and FIG.42. It is a schematic diagram which shows the example of the manufacturing method at the time of forming a through-trench from the surface side at a FEOL process. It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on a 6th variation in order of a process. It is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on a 6th variation in order of a process. It is a schematic sectional drawing which shows the other manufacturing method of the semiconductor device which concerns on a 6th variation in order of a process. It is a schematic sectional drawing which shows the other manufacturing method of the semiconductor device which concerns on a 6th variation in order of a process.
  • SPAD Single Photo Avalanche Diode
  • SPAD Single Photo Avalanche Diode
  • a high voltage of about ⁇ several tens of volts is required to cause multiplication, so that it is difficult to design the implantation of impurities, and it is difficult to achieve both miniaturization and reduction of noise or improvement of photoelectric conversion efficiency.
  • the SPAD photodiode is of a backside illumination type, one anode electrode 1130 is provided on the backside, and a high voltage is applied to solve the problem of lateral electric field relaxation while deep depletion is achieved.
  • a high electric field is generated between the high-concentration P-type layer (second semiconductor layer) 1170 in contact with the P-type photoelectric conversion unit 1160 and the cathode N-type layer (first semiconductor layer) 1180.
  • a multiplication region is formed.
  • An N-type layer 1180 is connected to the cathode electrode 1100.
  • An electrode 1102 is connected to the front side of the cathode electrode 1100.
  • the anode electrode 1130 is taken out to the surface side. However, in order to relax the electric field between the contact portion on the surface side and the cathode electrode 1100, it is necessary to sufficiently separate the contact portion and the cathode electrode 1100. . For this reason, in the configuration shown in FIG. 1, a contact layer 1140 connected to the anode electrode 1130 and leading the anode electrode 1130 to the surface side is provided outside the pixel array.
  • the anode electrode 1130 is formed of a transparent electrode such as ITO and is brought into contact with the photoelectric conversion unit 1160, noise is generated at the contact portion between the anode electrode 1130 and the photoelectric conversion unit 1160. For this reason, an electrode in which a high-concentration impurity is implanted may be formed on the outermost surface of the photodiode, that is, the outermost surface of the photoelectric conversion unit 1160.
  • the contact layer 1140 when the contact layer 1140 is provided outside the pixel array to make contact with the anode electrode 1130 on the back surface side, it is advantageous for miniaturization, but the electrical resistance from the contact layer 1140 to the pixel is increased, and the SPAD The voltage fluctuates when a specific large multiplication current flows. This variation affects other pixels, causing inter-pixel interference that changes the characteristics of the other pixels.
  • FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an imaging apparatus (SPAD photodiode) 1000 according to an embodiment of the present disclosure.
  • a multiplication region as a SPAD pixel, a photoelectric conversion unit 160 that performs photoelectric conversion, and a cathode electrode 100 and an anode electrode 130 are provided.
  • the configuration shown in FIG. 2 is a back-illuminated pixel, the photodiode substrate is thinned to 10 ⁇ m or less, and one anode electrode 130 of the pair of electrodes to which a high voltage is applied is on the back side. Is provided.
  • the front surface side of the semiconductor substrate 50 is the side on which the wiring layer is formed on the semiconductor substrate 50, and in the imaging device 100 of this embodiment, the back surface side of the semiconductor substrate 50 is the light irradiation surface.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided corresponding to the pixel separation unit 150.
  • the thickness of the anode electrode 130 is, for example, 500 nm or more, and is a low resistance electrode.
  • the photoelectric conversion unit 160 is provided in the pixel region between the pixel separation units 150, and the outermost surface on the back side of the photoelectric conversion unit 160 is a light irradiation unit that is irradiated with light.
  • the pixel region is defined by the distance of the pixel separation unit 150 and has a rectangular planar shape that is 5 ⁇ m or less in length and width.
  • the anode electrode 130 is connected to a contact layer 140 formed by deep impurity implantation, metal embedding, or the like outside the pixel array, and the potential is extracted on the surface side. By applying a predetermined voltage to the electrode 142 connected to the contact layer 140 on the front surface side, a predetermined voltage is applied to the anode electrode 130 via the contact layer 140.
  • the contact layer 140 is preferably formed so as to surround the pixel array.
  • the contact layer 140 may be provided at one place or may be divided into a plurality of parts.
  • the anode electrode 140 may have a plurality of contact layers 140 formed in the pixel array. As the number of contact layers 140 for taking out the electrodes increases, the voltage fluctuation in the anode 130 on the back surface side can be suppressed.
  • pixels are separated by a pixel separation unit 150 in the pixel array.
  • FIG. 2 shows one pixel in the pixel array.
  • the pixel separation unit 150 is formed by changing the polarity of the impurity with the photoelectric conversion unit 160.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided corresponding to the position of the pixel separation unit 150, and is provided immediately above the pixel separation unit 150 in FIG. 2.
  • the pixel separation unit 150 is formed by high-concentration impurity implantation, and the anode electrode 130 has a sufficient thickness, for example, 500 nm or more in order to sufficiently reduce the resistance. With such a structure, the depletion layer of the photoelectric conversion unit 160 can be formed up to the outermost surface on the back side of the pixel, and the sensitivity of the short wavelength can be sufficiently maintained.
  • an N-type impurity layer is formed on the front surface side to form the cathode electrode 100, and a P-type impurity layer is formed on the back surface side to form the anode electrode 130.
  • An N-type layer (first semiconductor layer) 180 is connected to the cathode electrode 100.
  • An electrode 102 is connected to the front side of the cathode electrode 100.
  • the photoelectric conversion unit 160 connected to the anode electrode 130 is a low-concentration P-type, and a high-concentration P-type layer (second semiconductor layer) 170 in contact with the photoelectric conversion unit (third semiconductor layer) 160 and a cathode N A multiplication region that forms a high electric field with the mold layer 180 is formed. Further, a low-concentration N-type layer is used as the pixel separation unit 150. Note that the P-type layer 170 may be expanded to the region of the photoelectric conversion unit 160 without providing the photoelectric conversion unit 160.
  • the conductivity type and concentration of the impurity layer are only examples, and P and N may be interchanged so that the anode and cathode have opposite conductivity types.
  • various other methods are conceivable for creating a multiplication region that provides a high electric field.
  • an impurity implantation region for separating the multiplication region may be provided, or an STI (Slow Trench Isolation) or the like may be provided as the pixel separation unit 150.
  • the anode electrode 130 and the cathode electrode 100 are provided on the front surface and the back surface of the substrate.
  • the anode electrode 130 on the back side is provided in the inter-pixel separation region 150.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing another configuration example of the present embodiment, which is an example in which a light-shielding metal layer 152 is used as the pixel separation unit 150 on the pixel surface on the back surface side. Accordingly, the resistance of the anode electrode 130 on the back surface can be lowered while reducing the inter-pixel interference due to light, and the pixel interference due to voltage fluctuation can be further suppressed.
  • the metal layer 152 can be made of a metal such as tungsten (W).
  • the metal layer 152 and the anode electrode 130 formed of the high concentration impurity region may be in contact with each other.
  • the anode electrode 130 may be taken out to the front side as in FIG. 2, but may be connected to the bonding pad as it is on the back side.
  • the pixel separation unit 150 has a grid-like planar shape so as to surround a rectangular pixel region. Therefore, the anode electrode 130 formed on the pixel separation unit 150 and the metal layer 152 formed on the anode electrode 130 can also have a lattice-like planar shape following the pixel separation unit 150.
  • a buried metal layer 190 having a light shielding property is buried in the pixel separation unit 150 from the surface side.
  • the buried metal layer 190 can be made of a metal such as tungsten (W), like the metal layer 152.
  • the embedded metal layer 190 and the photoelectric conversion unit 160 are separated by the insulating film 194, and the embedded metal layer 190 is surrounded by the insulating film 194 between adjacent pixel regions.
  • the inter-pixel interference that occurs in a deep region of the pixel region can be suppressed, and a structure advantageous for miniaturization in which the anode electrode 130 is provided on the back surface side can be combined.
  • the buried metal layer 190 is buried from the front surface side to the middle of the photoelectric conversion unit 160, and a high concentration impurity region is formed immediately above the buried metal layer 190 to form the anode electrode 130 on the back surface side.
  • the embedded metal layer 190 having the configuration shown in FIG. 3 is embedded from the back side.
  • the anode electrode 130 formed of the high concentration impurity region is formed in the pixel region so as to surround the buried metal layer 190, but the connection between the pixels of the anode electrode 130 is cut off by providing the buried metal layer 190. Therefore, the metal layer 152 is provided on the pixel separation unit 150, the metal layer 152 and the anode electrode 130 are contacted, and the anode electrode 130 is connected between the pixels.
  • the metal 152 is insulated from the buried metal layer 190. For this reason, a high voltage is not applied to the buried metal layer 190, and the lateral electric field on the surface side can be reduced.
  • the embedded metal layer 190 may be embedded in only a part of the photoelectric conversion unit 160, but more preferably is embedded in the entire pixel region. With this structure, pixel-to-pixel interference due to light can be completely blocked, and pixel-to-pixel interference due to voltage fluctuations can be suppressed, miniaturization and high quantum efficiency can be achieved, and low-noise pixels can be realized. .
  • the anode electrode 130 is formed so as to correspond to the position of the pixel separation unit 150.
  • the anode electrode 130 is formed so as to correspond to the position of the pixel separation unit 150 when the anode electrode 130 is formed immediately above the pixel separation unit 150 as shown in FIG. The case where the electrode 130 is formed on the pixel region side of the pixel separation unit 150 is included.
  • the anode electrode 130 is formed so as to correspond to the position of the pixel separation unit 150, it may not be provided corresponding to all of the pixel separation unit 150, and only a part of the pixel separation unit 150. It may be provided corresponding to.
  • FIG. 5 shows an example in which an auxiliary electrode 132 connected to the anode electrode 130 is provided on the outermost surface of the pixel region, compared to the configuration example shown in FIG.
  • the auxiliary electrode 132 is formed with the same conductivity type as the anode electrode 130.
  • the thickness of the auxiliary electrode 132 is, for example, 50 nm or less, so that the area of the photoelectric conversion unit 160 can be secured to the maximum.
  • the auxiliary electrode 132 may be provided on the outermost surface on the back surface side in the pixel by high-concentration impurity implantation.
  • the thickness of the region of the auxiliary electrode 132 in which the impurity is implanted in the pixel is sufficiently thin, for example, 50 nm or less.
  • the insulating layer 200 is provided over the auxiliary electrode 132, and the photoelectric conversion unit 160 is irradiated with light through the insulating layer 200.
  • the configuration example shown in FIG. 6 is different from the configuration example shown in FIG. 2 in that the insulating layer 200 is provided on the outermost surface (light irradiation surface) of the photoelectric conversion unit 160 and the range on the pixel separation unit 150 is on the insulating layer 200.
  • An example in which a light-shielding metal layer 152 is provided is shown.
  • the configuration example illustrated in FIG. 7 illustrates an example in which the insulating layer 200 is not provided on the pixel separation unit 150 but the light-shielding metal layer 152 is provided on the anode electrode 130.
  • the light intrusion path can be divided for each pixel.
  • the anode electrode 130 and the light-shielding metal layer 152 can be set to the same potential.
  • FIG. 8 shows an example in which the insulating layer 200 is provided on the light irradiation surface without providing the light shielding metal layer 152 in the configuration example shown in FIG. 9 shows an example in which the insulating layer 200 and the light-shielding metal layer 152 are provided in the configuration example shown in FIG. 3 in the same manner as the configuration example shown in FIG. 10 shows an example in which the insulating layer 200 and the light-shielding metal layer 152 are provided in the configuration example shown in FIG. 3 in the same manner as the configuration example shown in FIG.
  • the configuration example shown in FIG. 11 is the same as the configuration example shown in FIG. 4 except that the anode electrode 130 is arranged closer to the pixel region than the pixel separation unit 150 and the surface metal provided on the anode electrode 130 and the pixel separation unit 150 is used.
  • the example which connected the layer 220 is shown.
  • the anode electrode 130 is connected to the anode electrode 130 in the adjacent pixel region by the surface metal layer 220. For this reason, the surface metal layer 220 is formed so as to straddle the pixel separator 150.
  • the configuration example illustrated in FIG. 12 illustrates an example in which the length of the embedded metal layer 190 is shortened in the depth direction of the pixel region (photoelectric conversion unit 160) with respect to the configuration example illustrated in FIG.
  • FIG. 13 to FIG. 15 are schematic views showing the positional relationship between the anode electrode 130 and the electrode 142 connected to the anode electrode 130.
  • the electrode 142 is provided outside the pixel array and functions as a bonding pad (lead electrode).
  • FIG. 13 shows an example in which the contact layer 140 is provided in the same manner as in FIG. 2 so that the anode electrode 130 is drawn to the surface side through the contact layer 140 and the contact layer 140 and the surface side electrode 142 are connected. Note that the contact layer 140 may be connected to a circuit around the pixel array.
  • FIG. 14 shows an example in which the electrode 142 is provided on the same back side as the anode electrode 130 and the anode electrode 130 and the electrode 142 are directly connected.
  • an electrode 142 as a bonding pad is provided on the back side.
  • a light-shielding metal layer 152 may be provided on the anode electrode 130, and the metal layer 152 may be connected to the electrode 142 as a bonding pad.
  • the example shown in FIG. 15 is an example in which the electrode 142 is provided on the surface side as in the example shown in FIG. 13, but the electrode 152 connected to the anode electrode 130 is provided, and the contact layer 140 is connected via the electrode 152. It is a schematic diagram which shows the example which connected.
  • FIGS. 16 and 17 are plan views showing the positional relationship between the anode electrode 130 and the contact layer 140, showing a state viewed from the light irradiation surface side (back surface side).
  • the inside of the alternate long and short dash line R is an area inside the pixel array
  • the outside of the alternate long and short dash line R is an area outside the pixel array.
  • the anode electrode 130 in the pixel array, since the anode electrode 130 is provided along the pixel separation unit 150, the anode electrode 130 has a lattice shape.
  • the metal layer 152 having a shape similar to the lattice-shaped anode electrode 130 illustrated in FIG. 16 can be provided on the anode electrode 130.
  • the position of the metal layer 152 having a light shielding property is shifted from the pixel separation unit 150 as it goes to the periphery in the pixel array, whereby correction according to the pupil position can be performed, and the light shielding effect can be enhanced.
  • the metal layer 152 and the anode electrode 130 are not integrated.
  • the position of the metal layer 152 can be shifted from the pixel separation unit 150 (anode electrode 130) as it goes to the periphery.
  • a contact layer 140 is provided outside the pixel array so as to surround the pixel array. As shown in FIG. 2, the anode electrode 130 is drawn to the surface side through the contact layer 140.
  • FIG. 17 shows an example in which a contact layer 140 is provided in the pixel array in addition to the configuration of FIG. As shown in FIG. 17, the potential of the anode electrode 130 can be further stabilized by providing the contact layer 140 also in the pixel array.
  • FIG. 18 shows the configuration shown in FIG. 12, in which color filters 300a, 300b, and 300c are provided on the insulating layer 200 on the light irradiation surface, and further above the color filters 300a, 300b, and 300c. It is a schematic sectional drawing which shows the structure by which the on-chip lens 400 was provided. The light that has passed through the on-chip lens 400 and the color filters 300a, 300b, and 300c is applied to the photoelectric conversion unit 160.
  • the insulating film 194 of the pixel separation portion 150 shown in FIG. 12 is provided in common with the insulating layer 200 on the light irradiation surface.
  • FIG. 19 is a schematic diagram illustrating a state where the region on the photoelectric conversion unit 160 side is viewed from the interface between the photoelectric conversion unit 160 and the insulating layer 200 illustrated in FIG.
  • a pixel separation unit 150 is provided from a buried metal layer 190 and an insulating layer 200 (insulating film 194), and a pixel region including a photoelectric conversion unit 160 is defined by the pixel separation unit 150.
  • the anode electrode 130 is provided along the pixel separation unit 150 so as to surround the pixel region.
  • FIG. 20 is a block diagram illustrating a configuration example of a camera device 2000 as an electronic apparatus to which the present technology is applied.
  • a camera device 2000 illustrated in FIG. 20 includes an optical unit 2100 including a lens group, the above-described imaging device (imaging device) 1000, and a DSP circuit 2200 that is a camera signal processing device.
  • the camera device 2000 also includes a frame memory 2300, a display unit (display device) 2400, a recording unit 2500, an operation unit 2600, and a power supply unit 2700.
  • the DSP circuit 2200, the frame memory 2300, the display unit 2400, the recording unit 2500, the operation unit 2600 and the power supply unit 2700 are connected to each other via a bus line 2800.
  • the optical unit 2100 takes in incident light (image light) from a subject and forms an image on the imaging surface of the imaging apparatus 1000.
  • the imaging apparatus 1000 converts the amount of incident light imaged on the imaging surface by the optical unit 2100 into an electrical signal for each pixel and outputs the electrical signal as a pixel signal.
  • the display unit 2400 is composed of a panel type display device such as a liquid crystal panel or an organic EL (Electro Luminescence) panel, and displays a moving image or a still image captured by the imaging device 1000.
  • the DSP circuit 2200 receives the pixel signal output from the imaging device 1000 and performs processing for causing the display unit 2400 to display the pixel signal.
  • the recording unit 2500 records a moving image or a still image captured by the imaging apparatus 1000 on a recording medium such as a video tape or a DVD (Digital Versatile Disk).
  • the operation unit 2600 issues operation commands for various functions of the imaging apparatus 1000 under the operation of the user.
  • the power supply unit 2700 appropriately supplies various power sources serving as operation power sources for the DSP circuit 2200, the frame memory 2300, the display unit 2400, the recording unit 2500, and the operation unit 2600 to these supply targets.
  • FIG. 21 is a schematic cross-sectional view showing a basic configuration common to the variations.
  • An imaging apparatus 2000 shown in FIG. 21 includes a multiplication region as a SPAD pixel and a photoelectric conversion unit (N ⁇ region) 160 that performs photoelectric conversion, and the outermost surface on the back side of the photoelectric conversion unit 160 is irradiated with light. It is an irradiation part.
  • the anode electrode 130 is electrically connected to the P region 760.
  • P region 760 is configured such that the lower the impurity concentration, the lower the layer.
  • a P region 700 and a P ⁇ region 710 are formed from the P region 760 along the pixel separation unit 150, and the P region 760 to the avalanche unit 720 are electrically connected.
  • the avalanche portion 720 is configured by joining a P + region 730 and an N + region 740.
  • the P region 700 is configured by accumulating reverse charges (holes) so that charges (electrons) to be read by the avalanche unit 720 pass.
  • the P ⁇ region 710 is preferably a low-concentration region in order to increase the central potential so that charges pass through the avalanche portion 720.
  • the N + region 740 is connected to the electrode 102 via the N + region 750. Further, N ⁇ regions 780 are formed on the side surfaces of the P + region 730 and the N + region 740. Further, a P + layer 790 electrically connected to the N + layer 740 and the N ⁇ region 780 is provided, and the P + layer 790 is grounded (GND) through the electrode 800. Note that the P + layer 790 and the electrode 800 are not necessarily provided.
  • a fixed charge film 810 is provided on the side surface of the pixel separation unit 150 and on the upper layer of the P region 760.
  • the configuration of the upper layer of the P region 760 is basically the same as the configuration shown in FIG.
  • the N + region 740 and the N + region 750 correspond to the N-type layer 180 illustrated in FIG.
  • the P region 760, the P region 700, and the P ⁇ region 710 correspond to the photoelectric conversion unit (third semiconductor layer) 160 and the P-type layer 170.
  • the first variation is a manufacturing method related to a backside ohmic electrode.
  • impurities are implanted into Si by ion implantation or the like, and activation is performed by high-temperature annealing. Since only the material with excellent heat resistance is used on the Si substrate surface side, there is no problem with high temperature annealing, but there is already a wiring layer on the Si substrate back side, and activation by high temperature annealing is not possible. difficult.
  • a high-concentration P-type layer (P + layer) is formed on the Si substrate before the wiring is formed, and a necessary Si film thickness is secured on the Si epitaxial growth (Epi: epitaxial growth) technique on the Si substrate.
  • Eti epitaxial growth
  • B (Boron) of the P + layer in Si has a structure in which B is covered with carbon (C) in order to suppress diffusion due to heat in a subsequent process.
  • C carbon
  • FIG. 22 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the first variation in the order of steps.
  • step (1) patterning is performed on the Si substrate 400 to form the P + layer 402 by boron (B) impurity implantation, solid phase diffusion, or the like.
  • the concentration of boron (B) is 3 ⁇ 10 19 / cm 3 or more because a concentration necessary for the subsequent ohmic junction is required.
  • a C layer 404 is formed in Si so as to surround the outside of the P + layer 402. The C concentration is about the same as or higher than the B concentration.
  • the patterning mask is removed, and the Si substrate 400 including the P + layer 402 and the C layer 404 is exposed.
  • an N-type Si epitaxial layer 406 to be a photodiode is formed on the Si substrate 400 formed in the step (1).
  • the thickness of the N-type Si epitaxial layer 406 is slightly smaller than the thickness required for the final sensor. For normal visible light, it is about 2 to 10 ⁇ m.
  • a sensor formation process (FEOL to BEOL) is performed on the N-type Si epitaxial layer 406 grown in the step (2).
  • FEOL Front End of Line
  • BEOL Back End of Line
  • BEOL is the second half of the pre-semiconductor manufacturing process, and refers to the wiring process, particularly from the formation of wiring to before bonding.
  • the process is performed at 450 ° C. or lower.
  • the Si substrate 400 that has been completed up to the step (3) is turned upside down and bonded to the logic substrate 408. At this time, the Si substrate 400 on the sensor side is positioned on the front side.
  • the Si substrate 400 on the sensor side is thinned.
  • the Si substrate 400 is finished so as to remain several hundred nm thicker than the upper surface of the N-type Si epitaxial layer 406.
  • the high-density P + layer 402 patterned on the outermost surface on the light incident side is exposed.
  • a trench for separating each pixel is formed, and a light shielding metal 410 is buried in this trench to block light leakage from an adjacent pixel due to light emission due to avalanche breakdown.
  • a contact is dropped on the high-concentration P + layer 402 of each pixel coming out on the light incident surface side, and all the pixels are connected by the wiring 412.
  • the wiring 412 is also used as a light shielding grid.
  • FIG. 23 and 24 are plan views showing the positional relationship of the P + layer 402, the C layer 404, the trench 411 in which the light shielding metal 410 enters, and the contact hole 413 in which the wiring 412 enters.
  • FIG. 23 shows an example in which the trench 411 crosses the high concentration P + layer 402
  • FIG. 24 shows an example in which the trench 411 runs along the P + layer 402.
  • the hatched area functions as a light shielding grid.
  • FIG. 25 is a schematic cross-sectional view showing the completed semiconductor device.
  • FIG. 25 shows a structure having fine contacts on the light irradiation surface side.
  • a patterned P + layer 402 made of high-concentration B (3 ⁇ 10 19 / cm 3 or more) is formed on a Si substrate 400 at a site where the wiring 412 contacts.
  • the P + layer 402 is surrounded by a high-concentration C layer 404 (3 ⁇ 10 19 / cm 3 or more) in a plane.
  • FIG. 26 shows a structure in which a high-concentration C layer 404 (3 ⁇ 10 19 / cm 3 or more) surrounds the bottom surface of the P + layer 402 in addition to the structure of FIG.
  • the diffusion of boron (B) in the P + layer 402 is suppressed by forming the C layer 404.
  • boron (B) instead of boron (B), a high concentration of Ge (concentration 3 ⁇ 10 19) is used. / cm 3 or more) may be used.
  • FIG. 27 shows a configuration example 1 in which a P + layer 402 is formed on a Si substrate 400 and a Si epitaxial layer 406 is formed on the P + layer 402, and a C layer 404 is formed above and below the P + layer 402 in the configuration example 1. It is a characteristic view which shows a mode that boron (B) diffuses after heat processing by the case where it did.
  • the P + layer 402 is located between a depth of 3.0 ⁇ m and a depth of 3.6 ⁇ m.
  • a characteristic indicated by a solid line in FIG. 27 is a characteristic indicating the C concentration of the C layer 404 in the configuration example 2.
  • the characteristic indicated by the broken line in FIG. 27 indicates the B concentration after the heat treatment of Configuration Example 1. As shown in FIG. 27, it can be seen that in Structural Example 1 in which the C layer 404 is not formed above and below the P + layer 402, boron (B) is diffused vertically in the depth direction after the heat treatment.
  • the characteristics indicated by the alternate long and short dash line in FIG. 27 indicate the B concentration after the heat treatment of Configuration Example 2.
  • the C layer 404 is formed above and below the P + layer 402
  • diffusion of boron (B) after the heat treatment can be suppressed.
  • Second Variation As described in the first variation, in order to apply a high voltage to the back surface side, an electrode is provided on the back surface side through a P + layer, so that an electric field is provided by providing electrodes on the front surface side and the back surface side. There is a way to apply. As a method for forming the P + layer, impurity introduction by ion implantation can be given. However, in the case of injecting from the back side, since it is a process after the wiring is formed, a sufficient annealing temperature cannot be applied, and it may be difficult to recover the injection damage.
  • a method of forming a P + layer by ion implantation from the surface side with high energy is also conceivable, but in order to make contact with the electrode, ion implantation with a dose amount of about 1 ⁇ 10 15 cm ⁇ 2 is required. Therefore, even if high-temperature annealing at about 1000 ° C. is performed, it may be difficult to recover crystal defects generated in the photodiode layer.
  • an anode electrode is formed on the back side by using a two-layer epitaxial substrate.
  • a two-layer epitaxial substrate 440 in which a P + epitaxial layer 442 and an N epitaxial layer 444 are formed on a support substrate 430 is used.
  • SPAD pixels are formed on the two-layer epitaxial substrate 440 from the surface side, and are bonded to the support substrate 430.
  • Si is scraped from the back side to the bonding word to expose the high concentration P + layer 442.
  • the P + layer 442 can be in ohmic contact with a metal layer such as tungsten (W) penetrated from the surface side.
  • This structure makes it possible to make the electric field from the backside anode to the cathode constant and at the same time achieve miniaturization.
  • the epitaxial layer is used for the activation region of the photodiode, crystal defects due to the P + layer formation do not occur in the photodiode.
  • the first P + layer has a low resistance in order to reduce the contact resistance with the metal.
  • the impurity concentration is 2 ⁇ 10 19 / cm 3 or more.
  • FIGS. 28 and 29 are schematic cross-sectional views illustrating the method of manufacturing the semiconductor device according to the second variation in the order of steps.
  • step (1) and step (2) SPAD pixels are formed on the two-layer epitaxial substrate 440 from the surface side.
  • the two-layer epitaxial substrate 440 is bonded to the support substrate 430.
  • step (3) the top and bottom are reversed.
  • step (4) the support substrate 430 is shaved from the support substrate 430 side to expose the high concentration P + layer 442.
  • step (5) a resist pattern is formed, and a contact hole 450 for the light shielding portion is dug from the back side.
  • steps (6) to (7) an interlayer film 452 is formed in the contact hole 450, and a contact hole 454 that penetrates to the electrode on the surface side is further formed. Note that a fixed charge film may be formed instead of the interlayer film 452.
  • step (8) a contact hole 456 reaching the P + layer 442 is formed in the interlayer film 452, and in step (9), a metal film 458 such as tungsten (W) is embedded in the contact holes 454 and 456.
  • step (10) the metal film 458 of the light receiving part is removed by patterning the light receiving part. Thereby, an anode electrode is formed on the back side (step (11)).
  • FIG. 30 and 31 are schematic cross-sectional views showing the completed semiconductor device. As shown in FIG. 30, by passing through the metal film 458 from the back surface side to the front surface side, the electric field from the anode on the back surface side to the cathode can be made constant and miniaturization can be achieved at the same time.
  • the periphery may be inclined.
  • FIG. 33 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 32 in the order of steps.
  • step (1) and step (2) SPAD pixels are formed on the two-layer epitaxial substrate 440 from the surface side.
  • the two-layer epitaxial substrate 440 is bonded to the support substrate 430.
  • step (3) the top and bottom are reversed.
  • step (4) the support substrate 430 is shaved from the support substrate 430 side, and the N epitaxial layer 444 is exposed at the center of the pixel.
  • step (5) a resist pattern is formed, and a contact hole 450 for the light shielding portion is dug from the back side.
  • step (6) an insulating film such as an interlayer film is formed in the contact hole 450, a contact hole penetrating to the surface side electrode is formed, and a metal film 458 such as tungsten (W) is embedded in the contact hole.
  • step (7) the metal film 458 of the light receiving unit is removed by patterning the light receiving unit, and an electrode 459 connected to the metal film 458 is formed. The electrode 459 is also connected to the P + layer 442.
  • FIG. 34 is a schematic cross-sectional schematic diagram showing a configuration in which the inside of the light collecting portion is a low-concentration P region 446 in the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 35 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 34 in the order of steps.
  • a P layer 441 and an N layer 444 are formed on a support substrate 430, and a high concentration P layer 442 is formed in an element isolation region.
  • the P layer 442 is formed by ion implantation, solid phase diffusion, or the like.
  • step (2) SPAD pixels are formed from the surface side, a buried layer 820 made of an insulating film is formed in the region of the pixel separation portion 150, and an electrode 822 is formed in the buried layer 820.
  • step (3) the substrate is turned upside down, the support substrate 800 is shaved from the upper side, and the P + layer 442 is exposed.
  • a resist pattern is formed, a contact hole for the light shielding portion is dug from the back side, and insulating films 452 and 453 are formed in the contact hole.
  • a contact hole penetrating to the surface-side electrode is formed, and a metal film 458 such as contact hole tungsten (W) is embedded.
  • the metal film 458 in the light receiving portion is removed by patterning the light receiving portion. Thereby, an anode electrode is formed on the back side. Further, an electrode 459 connected to the metal film 458 is formed, and an insulating film 812 is formed over the interlayer film 806.
  • the backside anode electrode can be formed, so that a finer SPAD element can be configured. Further, by using a two-layer epitaxial substrate, the P + layer 442 serving as an anode electrode and the interface between the P + layer 442 and the N layer 444 can be formed while suppressing crystal defects. Accordingly, characteristics such as dark current can be further improved.
  • FIG. 36 is a plan view showing some examples of the planar configuration of the SPAD pixel of the second variation.
  • the standard structure shown in FIG. 36 shows an example in which a high concentration P + layer 442 serving as a contact portion is provided adjacent to the pixel separation portion 150.
  • 36 shows an example in which a low concentration region 443 having a P concentration lower than that of the P + layer 442 is provided on the outermost surface inside the high concentration P + layer 442.
  • This region 443 corresponds to a region where the P + layer 442 is removed from the upper side, as shown in FIGS. Note that the present invention is not limited to these configurations as long as a condensing area can be secured and contact can be made.
  • a transparent electrode or an electrode formed of an impurity layer is provided on the light irradiation surface. When provided, noise is generated at the contact portion with the substrate.
  • the electrode is formed of an impurity layer, it is necessary to inject a high concentration of impurity, and in order to reduce the resistance of the electrode, it is necessary to secure the thickness of the impurity layer. Light sensitivity decreases.
  • the SPAD photodiode is a back-illuminated type, and the potential difference between the anode and the cathode is in the vertical direction.
  • the pixels are embedded with a light-shielding metal layer, and the embedded metal layer and the photoelectric conversion portion are separated by an insulating film.
  • a high concentration impurity layer is provided on the wafer back surface side.
  • FIG. 37 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the third variation in the order of steps.
  • step (1) first, an alignment measurement mark is formed on the Si substrate 500, and ion implantation of high-concentration impurities is performed to form the P + layer 502. Then, the Si substrate 500 is dug so as to surround the P + layer 502, and an insulating film 504 is buried in the dug region.
  • the type of the insulating film 504 (SiN type, SiO 2 type) is not particularly limited.
  • the insulating film 504 is planarized and bonded to the substrate 506.
  • the substrate 506 is a support substrate on which a SPAD photodiode is formed.
  • the substrate 500 is turned upside down to thin the substrate 500 to a predetermined Si thickness (several um) level. Then, a transistor (Tr) is formed on the thinned surface of the substrate 500 bonded to the substrate 506.
  • a high temperature annealing (ANL) operation is performed when forming Tr, since the P + layer 502 implanted into the substrate 500 is surrounded by the insulating film 504, diffusion can be suppressed.
  • next step (4) a sensor formation process (FEOL to BEOL) is performed.
  • the substrate 500 and the substrate 506 that have been formed up to the wiring step are turned upside down and bonded to the substrate 508.
  • the substrate 508 is used as a supporting substrate, the substrate 506 is completely removed by etching or polishing, and the bonding surface (insulating film 504) between the substrate 506 and the substrate 500 is exposed.
  • the insulating film 503 used on the bonding surface between the substrate 500 and the substrate 506 is removed, and a light shielding metal 510 is embedded between the pixels.
  • the back electrode 512 is formed.
  • FIG. 38 is a schematic cross-sectional view showing a completed semiconductor device of the third variation.
  • a patterned P + layer 502 made of high-concentration B (3 ⁇ 10 19 / cm 3 or more) is formed at a site where the wiring 512 contacts.
  • an insulating film 504 surrounds the P + layer 502 in a planar manner.
  • the third variation is a structure having a fine contact on the light irradiation surface of each pixel, having an impurity layer in Si connected to the contact, and impurities present at a high concentration at the interface between the contact and Si (pile-up). Is the structure.
  • miniaturization is enabled by forming an electrode on the back surface. The back electrode is formed at the beginning of FEOL.
  • the Si substrate 500 is doped with impurities in a fine pattern, and the P + layer 502 is surrounded by an insulating film 504 to prevent diffusion.
  • diffusion of boron (B) due to heat in a subsequent process is prevented.
  • an impurity layer for back contact is formed before the transistor is formed, and diffusion due to heat in a subsequent process is suppressed, and a fine element can be formed.
  • a high impurity concentration region can be used as an electrode formation surface, which facilitates ohmic contact.
  • the third variation enables miniaturization by forming an electrode on the back surface. Since this back electrode is formed by an ohmic junction, it is necessary to form a high concentration impurity layer. However, it is possible to suppress diffusion of impurities by surrounding the high concentration impurity layer with an insulating film.
  • a first layer embedded with an insulating film is formed, then a second insulating film embedded layer is formed so as to be connected thereto, and a buried metal layer is formed so as to penetrate these layers. .
  • a buried metal layer is formed so as to penetrate the layer in which the insulating film is buried and to surround the pixel.
  • the end of the layer embedded with the insulating film is in the depletion layer region, and the end of the depletion layer is on the side wall of the layer embedded with the insulating film.
  • the boundary between the P-region 710 and the N-region 780 shown in FIG. 21 is a depletion layer region. If the N-region 780 becomes too concentrated, there is a concern about breakdown. When a fixed charge film is formed on the side surface of the N ⁇ region 780, there is a concern that dark current increases.
  • a fixed charge film pinning film, SCF
  • a high concentration P layer may be formed by a technique such as solid phase diffusion. Dark current generated in the vicinity of the surface caused by the layer in which the insulating film is embedded is discarded to the ground through the P + layer 790 and the electrode 800.
  • FIG. 39 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the fourth variation in the order of steps.
  • an Si layer 526 is formed on the Si substrate 520, the Si outermost surface being the N layer 522, and the P layer 524 therebelow.
  • the N layer 522 and the P layer 524 are formed by epitaxial growth is a representative example, they may be formed by ion implantation or solid phase diffusion before epitaxial growth.
  • a first layer 528 in which an STI insulating film is embedded so as to surround the pixel is formed, and necessary N layers and P layers are formed by ion implantation and heat treatment.
  • the metal layer 530 is formed over the first layer 528 in which the insulating film is embedded, and the insulating layer is further formed to obtain a structure in which the metal layer 530 is embedded in the first layer 528.
  • the first layer 528 can be embedded in various variations such as an oxide film, a nitride film, and a stack of an oxide film and a nitride film.
  • the N layer region below the first layer 528 needs to be a P layer by a technique such as ion implantation.
  • the metal layer 530 is preferably formed of tungsten (W) or the like.
  • step (3) after forming a necessary wiring layer, the front and back surfaces are reversed by a technique such as bonding, and unnecessary layers are removed so that the P layer 524 comes out on the outermost surface.
  • the Si layer 526 is etched so as to reach STI, and then a fixed charge film 532 made of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), hafnium oxide (HF 2 ), etc., an oxide film or the like An insulating film 534 made of is formed. It is preferable to use a film type with good coverage.
  • step (5) a contact hole that penetrates the first buried layer 528 and reaches the metal layer 530 is formed, and the metal film 536 is buried.
  • the metal film 536 is desirably formed of tungsten (W) or the like.
  • the fixed charge film 532 and the insulating film 534 may be formed after penetrating the Si layer 526 and the first buried layer 528, and the metal layer 536 may be buried.
  • an electrode 538 is formed for back contact. Through these steps, an element having a back electrode is manufactured. Note that the N layer and the P layer may be reversed. In that case, the type of the fixed charge film 532 is changed.
  • FIG. 40 is a schematic diagram showing the manufacturing process in this case.
  • Step (1) is the same as FIG.
  • the second layer 540 is embedded so as to penetrate the N layer 522 and the P layer 524, and the metal film 542 is embedded in the second layer 540.
  • a high-concentration P layer 544 is formed in the N layer 522 adjacent to the second layer 540 using solid phase diffusion or the like.
  • next step (3) the front and back surfaces are reversed, and unnecessary layers are removed so that the P layer 524 comes out on the outermost surface. Thereafter, after a predetermined insulating film is formed on the P layer 524, an electrode 538 for making a back contact is formed in the same manner as in the step (6) of FIG.
  • the fixed charge film 532 is formed on the P layer 524 on the back surface side.
  • the fixed charge film 532 or the high concentration P layer 544 by solid phase diffusion is not formed below the N layer 522. Thereby, the withstand voltage is improved and the dark current can be suppressed.
  • the fixed charge film on the side wall of the inter-pixel light shielding trench is formed in the vertical direction, and from the same viewpoint as in the fourth variation, a structure in which the fixed charge film does not exist at least on the side wall of the N-type region is formed.
  • a trench penetrating Si is formed so as to surround the pixel, and a metal layer is embedded.
  • a fixed charge film is formed on the side wall of the trench penetrating Si in addition to the N-type region.
  • a PNP structure is formed in the vertical direction, and the front and back electrodes are electrically separated.
  • FIG. 41 is a schematic cross-sectional view showing the method of manufacturing the semiconductor device according to the fifth variation in the order of steps.
  • step (1) a vertical PNP structure is formed in advance in a region where a through trench is to be formed by ion implantation or solid phase diffusion.
  • step 550 is formed by Si etching of the P-type region.
  • step (2) after the fixed charge film 552 is formed in the P-type region, Si is exposed only at the bottom of the trench by dry etch back, and then the interlayer insulating film 554 on the surface side is etched by Si etch back. Thus, a through trench is formed.
  • step (3) an insulating film 556 made of SiO 2 is formed by an ALD method with good coverage in a high aspect structure, for example. As a result, the insulating film 556 is integrated with the correlation insulating film 554. Thereafter, the insulating film 556 and the fixed charge film 552 are partially opened to bring the metal into contact with the contact region.
  • a metal film 558 serving as an inter-pixel light-shielding and back contact electrode is embedded in the portion opened in step (3) and the trench, and the metal film 558 is flattened by CMP or dry etch back, and damascene.
  • the metal film 558 tungsten (W), aluminum (Al), copper (Cu), or the like is used.
  • W tungsten
  • Al aluminum
  • Cu copper
  • the metal film 558 and the contact electrode 560 may be formed separately.
  • an element having a back electrode is manufactured. Note that the N layer and the P layer may be reversed. In that case, the type of the fixed charge film 552 is changed.
  • FIG. 42 shows an example of a method for forming a three-layer structure.
  • the fixed charge film 552 is divided into two layers for the P-type region on the back surface side and the N / P-type region on the front surface side, but three layers for forming the fixed charge film 552 also on the P-type region on the front surface side.
  • the structure is more preferable.
  • step (2) only the N-type region is etched in the silicon etch back after the fixed charge film 552 is formed.
  • step (3) after the insulating film 556 made of SiO 2 is formed, the insulating film 556 is etched back. Further, after the trench is penetrated to the surface side interlayer insulating film 556 by silicon etch back, a pinning film 553 is formed again.
  • the subsequent manufacturing method is the same as FIG.
  • a three-layer structure can be formed in which the film in contact with the trench side wall is the fixed charge film 552 in the P-type region and the insulating film 556 in the N-type region.
  • FIG. 43 shows a manufacturing method different from that in FIGS.
  • the trench 550 is first formed in the step (1)
  • the trench 550 is penetrated to the surface side.
  • the fixed charge film 552 is formed in a state where a dummy material (for example, a resist) 562 is embedded in the N / P type region on the surface side.
  • the dummy material 562 is removed, and then an insulating film 556 made of SiO 2 is formed.
  • the dummy material 562 is removed by, for example, etching using an aqueous sulfuric acid solution or an organic resist stripping solution, dry etching back, or the like.
  • the subsequent manufacturing method is the same as FIG. Thereby, a structure similar to that shown in FIG. 41 can be formed. Note that in the case of a three-layer structure as shown in FIG. 42, the dummy material 562 is etched back only in the N-type region, the insulating film 556 is then formed, and the etch back and pinning film 553 are formed. .
  • FIG. 44 shows an example of a manufacturing method when a through trench is formed from the surface side in the FEOL process.
  • step (1) after the through trench 570 is formed by FEOL, for example, the SiO 2 film 572 and the Poly-Si film 574 are embedded in the trench 570.
  • step (2) Si is thinned from the back side, and after the bottom of the trench 570 is exposed, the SiO 2 film 572 and the Poly-Si film 574 in the trench 570 are removed.
  • an alkaline Si etching solution and a DHF solution may be used.
  • the subsequent manufacturing method is the same as FIG. It is also possible to form a three-layer structure as in FIG.
  • the pinning film is formed in the P-type region of the trench sidewall, pinning formation in the N-type region can be prevented. As a result, generation of white spots and dark current can be suppressed in a structure that can suppress color mixing between pixels and separate front and back electrodes.
  • an electrode filling trench is formed in the STI region in the transistor formation step and the wiring step.
  • Electrodes in the STI region without causing misalignment with the STI, and it is possible to reduce the STI line width necessary for securing the N + region, the STI internal electrode, and withstand voltage. .
  • step (1) an STI 590 is formed, and an insulating layer 592 is formed in the STI 590.
  • step (2) the STI 590 region is opened by etching, and an electrode 594 is formed.
  • the electrode 594 include Poly-Si, PDAS, and W.
  • step (3) in the wiring layer forming step, the wiring layer 596 and the electrode 594 in the STI region are connected.
  • step (4) the top and bottom are inverted to form the back surface DT, the fixed charge film 596 is formed inside the back surface DT, and the insulating film 598 is formed on the fixed charge film 596.
  • step (5) the insulating film 598 on the fixed charge film 596 on the bottom of the back surface DT, the fixed charge film 596, and the insulating film 592 of the STI 590 are subjected to penetration processing.
  • the film thickness of the insulating film 592 of the STI 590 that needs to be processed is the remaining film thickness of the insulating film 592 at the bottom of the STI 590 when the STI 590 is opened in step (2), and is very thin.
  • the through electrode 599 is formed and completed in the subsequent step.
  • step (5) since the electrode 594 is exposed by removing a very thin film thickness of the insulating film 592, it is possible to prevent the film thickness serving as a mask from being insufficient at the time of penetration processing. Therefore, it is possible to perform the penetration process stably.
  • the through-electrode 599 is formed from the opposite side of the STI 590, the central axes of the electrode 594 and the through-electrode 599 may not completely coincide with each other. It can be within the allowable range.
  • step (1) the STI 610 is formed, and the insulating layer 612 is formed so as not to be blocked in the STI 610.
  • the insulating film 612 has a thickness greater than that required for ensuring the insulation resistance with the N + layer.
  • an electrode material is filled in the STI 610 to form an electrode 614 in the STI region. Since the electrode 614 is formed by a so-called FEOL process, the material of the electrode 614 is Poly. Non-metallic materials such as Si and PDAS. By forming the self-alignment of the electrode 614 by the step (2), the misalignment between the STI 610 and the electrode 614 becomes zero.
  • the wiring layer 616 and the electrode 614 of the STI 610 are connected in the wiring layer forming step.
  • the top and bottom are inverted to form the back surface DT, the fixed charge film 618 is formed inside the back surface DT, and the insulating film 620 is formed on the fixed charge film 618.
  • the insulating film 620 on the SCF 618 at the bottom of the back surface DT, the SCF 618, and the insulating film 612 of the STI 610 are processed to penetrate.
  • the film thickness of the insulating film 612 of the STI 610 that needs to be processed is the film thickness formed in the step (1), and can be very thin. Compared with the examples of FIGS. 45 and 46, the variation in the film thickness of the required STI insulating film amount can be suppressed.
  • the through electrode 599 is formed and completed in the subsequent step.
  • step (1) the STI 630 is processed, and the insulating layer 632 is formed in the STI 630.
  • the STI 630 is opened by etching. At that time, an opening is formed so as to penetrate the insulating film 632 at the bottom of the STI 630. Thereafter, an electrode 634 is formed.
  • the material of the electrode 634 is Poly Non-metal films such as Si and PDAS can be exemplified.
  • the metal film is preferably not used as an electrode material from the viewpoint of suppressing substrate contamination.
  • the wiring layer 636 and the electrode 634 of the STI 630 are connected in the wiring layer forming step.
  • the top and bottom are inverted to form the back surface DT, the fixed charge film 638 is formed inside the back surface DT, and the insulating film 640 is formed on the fixed charge film 638.
  • the electrode 634 is formed so as to penetrate the insulating film 632 at the bottom of the STI 630, the electrode 634 of the STI 630 is exposed during the back surface DT processing.
  • the insulating film 640 and the fixed charge film 638 on the fixed charge film 638 at the bottom of the back surface DT are processed to penetrate.
  • the electrode 634 is exposed during the back surface DT processing, it is not necessary to etch the insulating film 632 of the STI 630 during the through processing.
  • a through electrode 599 is formed in a subsequent process to be completed.
  • step (1) the STI 640 is processed, and the insulating layer 642 is formed in the STI 640.
  • the STI 640 is opened by etching, and the insulating film and the sacrificial film are filled as the filling layer 644.
  • Poly as a sacrificial film Examples thereof include Si, PDAS, and SiN.
  • next step (3) the wiring layer 646 and the filling layer 644 are connected in the wiring layer forming step.
  • next step (4) the wiring step is completed, the top and bottom are turned upside down, and the connection layer and the support substrate are thinned to expose the filling layer 644.
  • the filling layer 644 is removed. Through this step, a through trench for forming a through electrode is completed.
  • the electrode material 599 is formed in the through trench, and necessary wiring is formed to complete the process.
  • the mask film thickness deficiency at the time of the penetration processing from the back surface which is a problem in forming the STI penetration structure, is solved. Further, it is possible to eliminate misalignment between the STI and the STI internal electrode, and it becomes unnecessary to increase the STI line width in consideration of the effect of misalignment. Thereby, the element layout setting freedom increases.
  • the present disclosure can also be applied to other devices that detect light, such as a TOF (Time Of Flight) sensor.
  • a TOF sensor When applied to a TOF sensor, for example, it can be applied to a distance image sensor based on a direct TOF measurement method and a distance image sensor based on an indirect TOF measurement method.
  • the distance image sensor based on the direct TOF measurement method in order to obtain the arrival timing of photons in each pixel directly in the time domain, an optical pulse with a short pulse width is transmitted and an electrical pulse is generated by a receiver that responds at high speed.
  • the present disclosure can be applied to the receiver at that time.
  • the time of flight of light is measured using a semiconductor element structure in which the detection and accumulation amount of carriers generated by light changes depending on the arrival timing of light.
  • the present disclosure can also be applied to such a semiconductor structure.
  • it is optional to provide the color filters 300a, 300b, 300c and the on-chip lens 400 as shown in FIG. 18, and these may not be provided.
  • FIG. 53 is a schematic diagram illustrating a configuration of an electronic device 3000 including the imaging apparatus 1000 described above.
  • An electronic device 3000 shown in FIG. 53 includes a first semiconductor chip 3100 having a sensor unit 3010 in which a plurality of photoelectric conversion units 160 are arranged, and a signal processing unit 3020 that processes a signal acquired by the photoelectric conversion unit 160.
  • a second semiconductor chip 3200 The first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 are stacked.
  • a control unit 3030 that controls the electronic device 3000 and a memory unit 3040 that stores a signal acquired by the photoelectric conversion unit 160 are provided in the vicinity of the signal processing unit 3020.
  • control unit 3030 can be disposed, for example, in the vicinity of the photoelectric conversion unit 160 for other driving and control purposes.
  • the control unit 3030 can be provided in any region of the first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 so as to have an arbitrary function other than the illustrated arrangement.
  • the plurality of photoelectric conversion units 160 are arranged in a two-dimensional matrix (matrix). In FIG. 53, the first semiconductor chip 3100 and the second semiconductor chip 3200 are shown in a separated state for the sake of explanation.
  • the technology (present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure is realized as a device that is mounted on any type of mobile body such as an automobile, an electric vehicle, a hybrid electric vehicle, a motorcycle, a bicycle, personal mobility, an airplane, a drone, a ship, and a robot. May be.
  • FIG. 54 is a block diagram illustrating a schematic configuration example of a vehicle control system that is an example of a mobile control system to which the technology according to the present disclosure can be applied.
  • the vehicle control system 12000 includes a plurality of electronic control units connected via a communication network 12001.
  • the vehicle control system 12000 includes a drive system control unit 12010, a body system control unit 12020, an outside information detection unit 12030, an in-vehicle information detection unit 12040, and an integrated control unit 12050.
  • a microcomputer 12051, a sound image output unit 12052, and an in-vehicle network I / F (Interface) 12053 are illustrated as a functional configuration of the integrated control unit 12050.
  • the drive system control unit 12010 controls the operation of the device related to the drive system of the vehicle according to various programs.
  • the drive system control unit 12010 includes a driving force generator for generating a driving force of a vehicle such as an internal combustion engine or a driving motor, a driving force transmission mechanism for transmitting the driving force to wheels, and a steering angle of the vehicle. It functions as a control device such as a steering mechanism that adjusts and a braking device that generates a braking force of the vehicle.
  • the body system control unit 12020 controls the operation of various devices mounted on the vehicle body according to various programs.
  • the body system control unit 12020 functions as a keyless entry system, a smart key system, a power window device, or a control device for various lamps such as a headlamp, a back lamp, a brake lamp, a blinker, or a fog lamp.
  • the body control unit 12020 can be input with radio waves transmitted from a portable device that substitutes for a key or signals from various switches.
  • the body system control unit 12020 receives input of these radio waves or signals, and controls a door lock device, a power window device, a lamp, and the like of the vehicle.
  • the vehicle outside information detection unit 12030 detects information outside the vehicle on which the vehicle control system 12000 is mounted.
  • the imaging unit 12031 is connected to the vehicle exterior information detection unit 12030.
  • the vehicle exterior information detection unit 12030 causes the imaging unit 12031 to capture an image outside the vehicle and receives the captured image.
  • the vehicle outside information detection unit 12030 may perform an object detection process or a distance detection process such as a person, a car, an obstacle, a sign, or a character on a road surface based on the received image.
  • the imaging unit 12031 is an optical sensor that receives light and outputs an electrical signal corresponding to the amount of received light.
  • the imaging unit 12031 can output an electrical signal as an image, or can output it as distance measurement information. Further, the light received by the imaging unit 12031 may be visible light or invisible light such as infrared rays.
  • the vehicle interior information detection unit 12040 detects vehicle interior information.
  • a driver state detection unit 12041 that detects a driver's state is connected to the in-vehicle information detection unit 12040.
  • the driver state detection unit 12041 includes, for example, a camera that images the driver, and the vehicle interior information detection unit 12040 determines the degree of fatigue or concentration of the driver based on the detection information input from the driver state detection unit 12041. It may be calculated or it may be determined whether the driver is asleep.
  • the microcomputer 12051 calculates a control target value of the driving force generator, the steering mechanism, or the braking device based on the information inside / outside the vehicle acquired by the vehicle outside information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040, and the drive system control unit A control command can be output to 12010.
  • the microcomputer 12051 realizes ADAS (Advanced Driver Assistance System) functions including vehicle collision avoidance or impact mitigation, following traveling based on inter-vehicle distance, vehicle speed maintenance traveling, vehicle collision warning, or vehicle lane departure warning. It is possible to perform cooperative control for the purpose.
  • ADAS Advanced Driver Assistance System
  • the microcomputer 12051 controls the driving force generator, the steering mechanism, the braking device, and the like based on the information around the vehicle acquired by the vehicle exterior information detection unit 12030 or the vehicle interior information detection unit 12040. It is possible to perform cooperative control for the purpose of automatic driving that autonomously travels without depending on the operation.
  • the microcomputer 12051 can output a control command to the body system control unit 12030 based on information outside the vehicle acquired by the vehicle outside information detection unit 12030.
  • the microcomputer 12051 controls the headlamp according to the position of the preceding vehicle or the oncoming vehicle detected by the outside information detection unit 12030, and performs cooperative control for the purpose of anti-glare, such as switching from a high beam to a low beam. It can be carried out.
  • the sound image output unit 12052 transmits an output signal of at least one of sound and image to an output device capable of visually or audibly notifying information to a vehicle occupant or the outside of the vehicle.
  • an audio speaker 12061, a display unit 12062, and an instrument panel 12063 are illustrated as output devices.
  • the display unit 12062 may include at least one of an on-board display and a head-up display, for example.
  • FIG. 55 is a diagram illustrating an example of an installation position of the imaging unit 12031.
  • the imaging unit 12031 includes imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105.
  • the imaging units 12101, 12102, 12103, 12104, and 12105 are provided, for example, at positions such as a front nose, a side mirror, a rear bumper, a back door, and an upper part of a windshield in the vehicle interior of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12101 provided in the front nose and the imaging unit 12105 provided in the upper part of the windshield in the vehicle interior mainly acquire an image in front of the vehicle 12100.
  • the imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirror mainly acquire an image of the side of the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12104 provided in the rear bumper or the back door mainly acquires an image behind the vehicle 12100.
  • the imaging unit 12105 provided on the upper part of the windshield in the passenger compartment is mainly used for detecting a preceding vehicle or a pedestrian, an obstacle, a traffic light, a traffic sign, a lane, or the like.
  • FIG. 55 shows an example of the shooting range of the imaging units 12101 to 12104.
  • the imaging range 12111 indicates the imaging range of the imaging unit 12101 provided in the front nose
  • the imaging ranges 12112 and 12113 indicate the imaging ranges of the imaging units 12102 and 12103 provided in the side mirrors, respectively
  • the imaging range 12114 The imaging range of the imaging part 12104 provided in the rear bumper or the back door is shown. For example, by superimposing the image data captured by the imaging units 12101 to 12104, an overhead image when the vehicle 12100 is viewed from above is obtained.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may have a function of acquiring distance information.
  • at least one of the imaging units 12101 to 12104 may be a stereo camera including a plurality of imaging elements, or may be an imaging element having pixels for phase difference detection.
  • the microcomputer 12051 based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104, the distance to each three-dimensional object in the imaging range 12111 to 12114 and the temporal change in this distance (relative speed with respect to the vehicle 12100).
  • a solid object that travels at a predetermined speed (for example, 0 km / h or more) in the same direction as the vehicle 12100, particularly the closest three-dimensional object on the traveling path of the vehicle 12100. it can.
  • the microcomputer 12051 can set an inter-vehicle distance to be secured in advance before the preceding vehicle, and can perform automatic brake control (including follow-up stop control), automatic acceleration control (including follow-up start control), and the like.
  • automatic brake control including follow-up stop control
  • automatic acceleration control including follow-up start control
  • cooperative control for the purpose of autonomous driving or the like autonomously traveling without depending on the operation of the driver can be performed.
  • the microcomputer 12051 converts the three-dimensional object data related to the three-dimensional object to other three-dimensional objects such as a two-wheeled vehicle, a normal vehicle, a large vehicle, a pedestrian, and a utility pole based on the distance information obtained from the imaging units 12101 to 12104. It can be classified and extracted and used for automatic avoidance of obstacles.
  • the microcomputer 12051 identifies obstacles around the vehicle 12100 as obstacles that are visible to the driver of the vehicle 12100 and obstacles that are difficult to see.
  • the microcomputer 12051 determines the collision risk indicating the risk of collision with each obstacle, and when the collision risk is equal to or higher than the set value and there is a possibility of collision, the microcomputer 12051 is connected via the audio speaker 12061 or the display unit 12062. By outputting an alarm to the driver and performing forced deceleration or avoidance steering via the drive system control unit 12010, driving assistance for collision avoidance can be performed.
  • At least one of the imaging units 12101 to 12104 may be an infrared camera that detects infrared rays.
  • the microcomputer 12051 can recognize a pedestrian by determining whether a pedestrian is present in the captured images of the imaging units 12101 to 12104. Such pedestrian recognition is, for example, whether or not the user is a pedestrian by performing a pattern matching process on a sequence of feature points indicating the outline of an object and a procedure for extracting feature points in the captured images of the imaging units 12101 to 12104 as infrared cameras. It is carried out by the procedure for determining.
  • the audio image output unit 12052 When the microcomputer 12051 determines that there is a pedestrian in the captured images of the imaging units 12101 to 12104 and recognizes the pedestrian, the audio image output unit 12052 has a rectangular contour line for emphasizing the recognized pedestrian.
  • the display unit 12062 is controlled so as to be superimposed and displayed.
  • voice image output part 12052 may control the display part 12062 so that the icon etc. which show a pedestrian may be displayed on a desired position.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 12031 among the configurations described above.
  • the imaging device (SPAD photodiode) 1000 can be applied to the imaging unit 12031. "etc).
  • the technology (present technology) according to the present disclosure can be applied to various products.
  • the technology according to the present disclosure may be applied to an endoscopic surgery system.
  • FIG. 56 is a diagram illustrating an example of a schematic configuration of an endoscopic surgery system to which the technology (present technology) according to the present disclosure can be applied.
  • FIG. 56 shows a state where an operator (doctor) 11131 is performing surgery on a patient 11132 on a patient bed 11133 using an endoscopic surgery system 11000.
  • an endoscopic surgery system 11000 includes an endoscope 11100, other surgical instruments 11110 such as an insufflation tube 11111 and an energy treatment instrument 11112, and a support arm device 11120 that supports the endoscope 11100. And a cart 11200 on which various devices for endoscopic surgery are mounted.
  • the endoscope 11100 includes a lens barrel 11101 in which a region having a predetermined length from the distal end is inserted into the body cavity of the patient 11132, and a camera head 11102 connected to the proximal end of the lens barrel 11101.
  • a lens barrel 11101 in which a region having a predetermined length from the distal end is inserted into the body cavity of the patient 11132, and a camera head 11102 connected to the proximal end of the lens barrel 11101.
  • an endoscope 11100 configured as a so-called rigid mirror having a rigid lens barrel 11101 is illustrated, but the endoscope 11100 may be configured as a so-called flexible mirror having a flexible lens barrel. Good.
  • An opening into which the objective lens is fitted is provided at the tip of the lens barrel 11101.
  • a light source device 11203 is connected to the endoscope 11100, and light generated by the light source device 11203 is guided to the tip of the lens barrel by a light guide extending inside the lens barrel 11101. Irradiation is performed toward the observation target in the body cavity of the patient 11132 through the lens.
  • the endoscope 11100 may be a direct endoscope, a perspective mirror, or a side endoscope.
  • An optical system and an image sensor are provided inside the camera head 11102, and reflected light (observation light) from the observation target is condensed on the image sensor by the optical system. Observation light is photoelectrically converted by the imaging element, and an electrical signal corresponding to the observation light, that is, an image signal corresponding to the observation image is generated.
  • the image signal is transmitted to a camera control unit (CCU: “Camera Control Unit”) 11201 as RAW data.
  • the CCU 11201 is configured by a CPU (Central Processing Unit), a GPU (Graphics Processing Unit), and the like, and comprehensively controls the operations of the endoscope 11100 and the display device 11202. Further, the CCU 11201 receives an image signal from the camera head 11102 and performs various kinds of image processing for displaying an image based on the image signal, such as development processing (demosaic processing), for example.
  • image processing for example, development processing (demosaic processing
  • the display device 11202 displays an image based on an image signal subjected to image processing by the CCU 11201 under the control of the CCU 11201.
  • the light source device 11203 includes a light source such as an LED (light emitting diode), and supplies irradiation light to the endoscope 11100 when photographing a surgical site or the like.
  • a light source such as an LED (light emitting diode)
  • the input device 11204 is an input interface for the endoscopic surgery system 11000.
  • a user can input various information and instructions to the endoscopic surgery system 11000 via the input device 11204.
  • the user inputs an instruction to change the imaging conditions (type of irradiation light, magnification, focal length, etc.) by the endoscope 11100.
  • the treatment instrument control device 11205 controls the drive of the energy treatment instrument 11112 for tissue ablation, incision, blood vessel sealing, or the like.
  • the pneumoperitoneum device 11206 passes gas into the body cavity via the pneumoperitoneum tube 11111.
  • the recorder 11207 is an apparatus capable of recording various types of information related to surgery.
  • the printer 11208 is a device that can print various types of information related to surgery in various formats such as text, images, or graphs.
  • the light source device 11203 that supplies the irradiation light when the surgical site is imaged to the endoscope 11100 can be configured by, for example, a white light source configured by an LED, a laser light source, or a combination thereof.
  • a white light source is configured by a combination of RGB laser light sources, the output intensity and output timing of each color (each wavelength) can be controlled with high accuracy. Therefore, the light source device 11203 adjusts the white balance of the captured image. It can be carried out.
  • the driving of the light source device 11203 may be controlled so as to change the intensity of the output light every predetermined time. Synchronously with the timing of changing the intensity of the light, the drive of the image sensor of the camera head 11102 is controlled to acquire an image in a time-sharing manner, and the image is synthesized, so that high dynamic without so-called blackout and overexposure A range image can be generated.
  • the light source device 11203 may be configured to be able to supply light of a predetermined wavelength band corresponding to special light observation.
  • special light observation for example, by utilizing the wavelength dependence of light absorption in body tissue, the surface of the mucous membrane is irradiated by irradiating light in a narrow band compared to irradiation light (ie, white light) during normal observation.
  • a so-called narrow-band light observation (Narrow Band Imaging) is performed in which a predetermined tissue such as a blood vessel is imaged with high contrast.
  • fluorescence observation may be performed in which an image is obtained by fluorescence generated by irradiating excitation light.
  • the body tissue is irradiated with excitation light to observe fluorescence from the body tissue (autofluorescence observation), or a reagent such as indocyanine green (ICG) is locally administered to the body tissue and applied to the body tissue. It is possible to obtain a fluorescence image by irradiating excitation light corresponding to the fluorescence wavelength of the reagent.
  • the light source device 11203 can be configured to be able to supply narrowband light and / or excitation light corresponding to such special light observation.
  • FIG. 57 is a block diagram showing an example of the functional configuration of the camera head 11102 and the CCU 11201 shown in FIG.
  • the camera head 11102 includes a lens unit 11401, an imaging unit 11402, a drive unit 11403, a communication unit 11404, and a camera head control unit 11405.
  • the CCU 11201 includes a communication unit 11411, an image processing unit 11412, and a control unit 11413.
  • the camera head 11102 and the CCU 11201 are connected to each other by a transmission cable 11400 so that they can communicate with each other.
  • the lens unit 11401 is an optical system provided at a connection portion with the lens barrel 11101. Observation light taken from the tip of the lens barrel 11101 is guided to the camera head 11102 and enters the lens unit 11401.
  • the lens unit 11401 is configured by combining a plurality of lenses including a zoom lens and a focus lens.
  • the imaging device constituting the imaging unit 11402 may be one (so-called single plate type) or plural (so-called multi-plate type).
  • image signals corresponding to RGB may be generated by each imaging element, and a color image may be obtained by combining them.
  • the imaging unit 11402 may be configured to include a pair of imaging elements for acquiring right-eye and left-eye image signals corresponding to 3D (dimensional) display. By performing the 3D display, the operator 11131 can more accurately grasp the depth of the living tissue in the surgical site.
  • a plurality of lens units 11401 can be provided corresponding to each imaging element.
  • the imaging unit 11402 is not necessarily provided in the camera head 11102.
  • the imaging unit 11402 may be provided inside the lens barrel 11101 immediately after the objective lens.
  • the driving unit 11403 is configured by an actuator, and moves the zoom lens and the focus lens of the lens unit 11401 by a predetermined distance along the optical axis under the control of the camera head control unit 11405. Thereby, the magnification and the focus of the image captured by the imaging unit 11402 can be adjusted as appropriate.
  • the communication unit 11404 is configured by a communication device for transmitting and receiving various types of information to and from the CCU 11201.
  • the communication unit 11404 transmits the image signal obtained from the imaging unit 11402 as RAW data to the CCU 11201 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11404 receives a control signal for controlling driving of the camera head 11102 from the CCU 11201 and supplies the control signal to the camera head control unit 11405.
  • the control signal includes, for example, information for designating the frame rate of the captured image, information for designating the exposure value at the time of imaging, and / or information for designating the magnification and focus of the captured image. Contains information about the condition.
  • the imaging conditions such as the frame rate, exposure value, magnification, and focus may be appropriately specified by the user, or may be automatically set by the control unit 11413 of the CCU 11201 based on the acquired image signal. Good.
  • a so-called AE (Auto-Exposure) function, AF (Auto-Focus) function, and AWB (Auto-White Balance) function are mounted on the endoscope 11100.
  • the camera head control unit 11405 controls driving of the camera head 11102 based on a control signal from the CCU 11201 received via the communication unit 11404.
  • the communication unit 11411 is configured by a communication device for transmitting and receiving various types of information to and from the camera head 11102.
  • the communication unit 11411 receives an image signal transmitted from the camera head 11102 via the transmission cable 11400.
  • the communication unit 11411 transmits a control signal for controlling driving of the camera head 11102 to the camera head 11102.
  • the image signal and the control signal can be transmitted by electrical communication, optical communication, or the like.
  • the image processing unit 11412 performs various types of image processing on the image signal that is RAW data transmitted from the camera head 11102.
  • the control unit 11413 performs various types of control related to imaging of the surgical site by the endoscope 11100 and display of a captured image obtained by imaging of the surgical site. For example, the control unit 11413 generates a control signal for controlling driving of the camera head 11102.
  • control unit 11413 causes the display device 11202 to display a picked-up image showing the surgical part or the like based on the image signal subjected to the image processing by the image processing unit 11412.
  • the control unit 11413 may recognize various objects in the captured image using various image recognition techniques.
  • the control unit 11413 detects surgical tools such as forceps, specific biological parts, bleeding, mist when using the energy treatment tool 11112, and the like by detecting the shape and color of the edge of the object included in the captured image. Can be recognized.
  • the control unit 11413 may display various types of surgery support information superimposed on the image of the surgical unit using the recognition result. Surgery support information is displayed in a superimposed manner and presented to the operator 11131, thereby reducing the burden on the operator 11131 and allowing the operator 11131 to proceed with surgery reliably.
  • the transmission cable 11400 for connecting the camera head 11102 and the CCU 11201 is an electric signal cable corresponding to electric signal communication, an optical fiber corresponding to optical communication, or a composite cable thereof.
  • communication is performed by wire using the transmission cable 11400.
  • communication between the camera head 11102 and the CCU 11201 may be performed wirelessly.
  • the technology according to the present disclosure can be applied to the imaging unit 11402 of the camera head 11102 among the configurations described above.
  • the imaging device (SPAD photodiode) 1000 can be applied to the imaging unit 10402.
  • the technique according to the present disclosure it is possible to obtain a clearer surgical part image, so that the surgeon can surely check the surgical part, and the surgeon selects the surgical part. It is possible to perform treatment with the same feeling as in the case of touch-contact observation.
  • a first semiconductor layer formed on a semiconductor substrate A second semiconductor layer having a conductivity type opposite to that of the first semiconductor layer formed on the first semiconductor layer; A pixel separation portion defining a pixel region including the first semiconductor layer and the second semiconductor layer; A first electrode connected to the first semiconductor layer from one surface side of the semiconductor substrate; A second electrode connected to the second semiconductor layer from the light irradiation surface side which is the other surface of the semiconductor substrate and formed so as to correspond to the position of the pixel separating portion;
  • An imaging apparatus comprising: (2) The imaging device according to (1), wherein a voltage for electron multiplication is applied between the first electrode and the second electrode.
  • the imaging device according to (1) or (2) including a third semiconductor layer having the same conductivity type as the first semiconductor layer formed on the second semiconductor layer.
  • the imaging device according to any one of (1) to (3) wherein the second electrode is provided on an upper surface of the pixel separation unit.
  • an electrode extraction portion provided on the light irradiation surface side is provided, The imaging device according to (6), wherein the metal layer is connected to the electrode extraction unit.
  • the second electrode is formed so as to surround the pixel region.
  • the second electrode includes an impurity region, The imaging device according to (1), further including a carbon layer formed to cover at least a side surface of the second electrode.
  • each of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer includes an epitaxial layer.
  • a center thickness of a region surrounded by the pixel separation unit is thinner than a surrounding area.
  • the second electrode includes an impurity region, The imaging device according to (1), further including an insulating layer formed to cover at least a side surface of the second electrode.
  • a fixed charge layer formed in the vertical direction along the pixel separation portion The imaging device according to (14), wherein the fixed charge layer is formed in a layer in which the second semiconductor layer is formed, and is not formed in a layer in which the first semiconductor layer is formed.
  • the pixel separation portion includes a buried insulating film formed on the one surface side of the semiconductor substrate, The imaging device according to (25), wherein the fixed charge layer is not formed on a sidewall of the buried insulating layer. (28) The imaging device according to (27), wherein a depletion layer region is provided on a sidewall of the buried insulating layer. (29) The pixel isolation portion includes a trench insulating portion formed from the one surface side, Including a trench electrode formed in the trench insulation; The imaging device according to (14), wherein the metal layer and the trench electrode are connected.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

【課題】画素の微細化と低ノイズ化及び高量子効率を実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ短波長の感度を改善する。 【解決手段】本開示によれば、半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、を備える、撮像装置が提供される。

Description

撮像装置及び信号処理装置
　本開示は、撮像装置及び信号処理装置に関する。                     
　従来、例えば下記の特許文献１には、ＳＰＡＤ(Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｈｏｔｏｎ　Ａｖａｌａｎｃｈｅ　Ｄｉｏｄｅ)の構成において、第１の導電型を有する第１の埋め込み層である第１半導体層と、第１半導体層下に第１の導電型とは反対の第２の導電型を有する第２半導体層と、を備え、第２半導体層はエピタキシャル層に埋め込まれ、バイアス電圧を印加することによって第２半導体層を完全に空乏層化させることが記載されている。
特開２０１５－４１７４６号公報
　ＳＰＡＤの技術では、高電圧のバイアス電圧を印加して電子増倍をすることにより光入射を大信号として抽出することができる。しかしながら、特許文献１に記載されている構成では、高電圧を印加する１対の電極を基板の表面に並べて設けているため、ノイズの低減や光電変換効率の向上を図るためには、１対の電極間を確実に絶縁する必要がある。特に、微細化が進むほど１対の電極間の絶縁が困難になり、微細化と、ノイズの低減もしくは光電変換効率の向上等とを両立することは困難である。
　また、１対の電極を基板の表面側と裏面側に設けた場合は、光照射面に透明電極又は不純物層により形成した電極を設けることになるが、透明電極を設けた場合は、基板とのコンタクト部でノイズが発生する場合がある。また、電極を不純物層により形成した場合、高濃度の不純物を注入する必要があり、不純物層の領域には空乏層を形成することができないが、電極を低抵抗化するためには不純物層の厚さを確保する必要があり、その場合、特に短波長の光の感度が低下する問題がある。
　そこで、画素の微細化と低ノイズ化及び高量子効率を実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ短波長の感度を改善することが求められていた。
　本開示によれば、半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、を備える、撮像装置が提供される。
　また、本開示によれば、半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、を備える撮像装置から、前記画素領域のそれぞれに対応する画像信号を受け取り、表示装置に表示するための信号処理を行う信号処理装置が提供される。
　以上説明したように本開示によれば、画素の微細化と低ノイズ化及び高量子効率を実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ短波長の感度を改善することが可能となる。
　なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、または本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。
ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、一方のアノード電極を裏面側に設け、高電圧を印加する構成例を示す模式図である。 本開示の一実施形態に係る半導体装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）を示す模式図である。 本実施形態の他の構成例を示す模式図である。 図３に示す構成の埋め込み金属層が裏面側から埋め込まれている構成を示す模式図である。 図２に示す構成例に対して、画素領域の最表面にアノード電極と連なる補助電極を設けた例を示す模式図である。 図２に示す構成例に対して、光電変換部の最表面に絶縁層を設け、画素分離部上の範囲で、絶縁層上に遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 画素分離部上には絶縁膜を設けることなく、アノード電極上に遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、遮光性を有する金属層を設けることなく、光照射面に絶縁層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、図６に示した構成例と同様に、絶縁層と遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図３に示した構成例において、図７に示した構成例と同様に、絶縁層と遮光性を有する金属層を設けた例を示す模式図である。 図４に示した構成例において、アノード電極を画素分離部よりも画素領域側に配置し、アノード電極と画素分離部上に設けた表面金属層を接続した例を示す模式図である。 図１に示した構成例に対し、埋め込み金属層の長さを画素領域の深さ方向で短くした例を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極と、アノード電極と接続される電極との位置関係を示す模式図である。 アノード電極とコンタクト層との位置関係を示す平面図である。 アノード電極とコンタクト層との位置関係を示す平面図である。 図１２に示す構成において、光照射面の絶縁層上にカラーフィルタが設けられ、カラーフィルタの更に上にオンチップレンズが設けられた構成を示す概略断面図である。 図１８に示す光電変換部と絶縁層との界面から光電変換部側の領域を見た状態を示す模式図である。 本技術を適用した電子機器としての、カメラ装置の構成例を示すブロック図である。 各バリエーションで共通する基本構成を示す概略断面図である。 第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 Ｐ＋層４０２、Ｃ層４０４、遮光メタル４１０が入るトレンチ４１１、配線４１２が入るコンタクトホール４１３の位置関係を示す平面図である。 Ｐ＋層、Ｃ層、遮光メタルが入るトレンチ、配線が入るコンタクトホールの位置関係を示す平面図である。 第１のバリエーションの完成した半導体装置を示す概略断面図である。 図２３の構造に加え、Ｐ＋層の底面部を高濃度のＣ層が囲んでいる構造を示す模式図である。 Ｓｉ基板上にＰ＋層を形成し、Ｐ＋層上にＳｉエピタキシャル層を形成した場合の構成例１と、構成例１のＰ＋層の上下にＣ層を形成した場合とで、熱処理後にボロン（Ｂ）が拡散する様子を示す特性図である。 第２のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第２のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第２のバリエーションの完成した半導体装置を示す概略断面図である。 第２のバリエーションの完成した半導体装置を示す概略断面図である。 薄いＰ＋層を形成する際に周囲に傾斜を持たせた例を示す概略断面図である。 図３２に示す半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 図３０に示す半導体装置において、集光部よりも内側を低濃度のＰ領域４４６とした構成を示す概略断面模式図である。 図３４に示す半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第２のバリエーションのＳＰＡＤ画素の平面構成のいくつかの例を示す平面図である。 第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第３のバリエーションの完成した半導体装置を示す概略断面図である。 第４のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 固相拡散を用いて、表側から裏面側に形成した第２の埋め込み層を高濃度のＰ層で囲む場合の製造工程を示す模式図である。 第５のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 ３層作り分け構造の形成方法の例を示す模式図である。 図４１及び図４２とは異なる製造方法を示す模式図である。 ＦＥＯＬ工程で表面側から貫通トレンチを形成した場合の製造方法の例を示す模式図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。 撮像装置を含む電子デバイスの構成を示す模式図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
　なお、説明は以下の順序で行うものとする。
　１．前提となる技術
　２．本実施形態に係る撮像装置の構成例
　３．本実施形態に係る撮像装置の他の構成例
　４．アノード電極の外部への引き出し
　５．アノード電極とコンタクト層との位置関係
　６．カラーフィルタ、レンズを含む構成例
　７．本実施形態に係る撮像装置の適用例
　８．本開示のバリエーション
　８．１．共通する構造
　８．２．第１のバリエーション
　８．３．第２のバリエーション
　８．４．第３のバリエーション
　８．５．第４のバリエーション
　８．６．第５のバリエーション
　８．７．第６のバリエーション
　９．撮像装置以外への適用例
　１０．電子デバイスの構成例
　１１．移動体への応用例
　１２．内視鏡手術システムへの応用例
１．前提となる技術
　電子増倍をすることにより１光子レベルの読み出し感度を持ったフォトダイオードを実現するＳＰＡＤ(Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｈｏｔｏｎ　Ａｖａｌａｎｃｈｅ　Ｄｉｏｄｅ)の技術がある。ＳＰＡＤでは、増倍を起こすために±数１０Ｖ程度の高電圧が必要であるため、不純物の注入設計が難しく、微細化と、ノイズの低減もしくは光電変換効率の向上などを両立することが難しい。このため、図１に示すように、ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、一方のアノード電極１１３０を裏面側に設け、高電圧を印加することで横方向電界緩和の問題を解決しつつ、深い空乏層を作り出せるようにする技術がある。図１に示す構成では、Ｐ型の光電変換部１１６０と接する高濃度のＰ型層（第２半導体層）１１７０とカソードのＮ型層（第１半導体層）１１８０との間で高電界になる増倍領域を形成している。カソード電極１１００にはＮ型層１１８０が接続されている。カソード電極１１００の表側には電極１１０２が接続されている。
　アノード電極１１３０は表面側に取り出されるが、表面側へのコンタクト部とカソード電極１１００との間で電界を緩和するためには、コンタクト部とカソード電極１１００との間を十分に離間する必要がある。このため、図１に示す構成では、アノード電極１１３０と接続されてアノード電極１１３０を表面側に引き出すコンタクト層１１４０を画素アレイの外側に設けている。
　一方、図１のように裏面構造にして、裏面側の照射面にアノード電極１１３０を形成するためには、アノード電極１１３０として透明電極を用いる必要がある。ＩＴＯなどの透明電極でアノード電極１１３０を形成して光電変換部１１６０に接触させる方法では、アノード電極１１３０と光電変換部１１６０との接触部でノイズが発生する。このため、フォトダイオード最表面、すなわち光電変換部１１６０の最表面に高濃度の不純物を注入した電極を形成する場合がある。しかし、光電変換部１１６０に高濃度の不純物注入を行うと、この部分には空乏層を形成できなくなり、フォトダイオード最表面で光電変換ができなくなるため、短波長光の量子効率が低下してしまう。このため、光電変換部１１６０の最表面に形成した高濃度の不純物部分を薄くする必要があるが、高濃度の不純物部分を薄くすると抵抗が高くなってしまう。特に、画素アレイの外側にコンタクト層１１４０を設けて裏面側のアノード電極１１３０へのコンタクトを行う場合、微細化には有利であるが、コンタクト層１１４０から画素までの電気抵抗が高くなり、ＳＰＡＤに特有の大きな増倍電流が流れた時に電圧が変動してしまう。この変動が他の画素にも影響し、他の画素の特性を変えてしまうような画素間干渉が起きてしまう。
　以上の点に鑑み、本実施形態では、微細画素を実現できる裏面電極構造を取りつつ、電極内での電圧変動による画素間干渉を抑制し、さらに、特に短波長側の量子効率を改善する。
　２．本実施形態に係る撮像装置の構成例
　図２は本開示の一実施形態に係る撮像装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）１０００を示す模式図である。図２に示す構成では、ＳＰＡＤ画素としての増倍領域と光電変換を行う光電変換部１６０を備え、カソード電極１００とアノード電極１３０を有する。図２に示す構成は裏面照射型の画素であり、フォトダイオードの基板は１０ｕｍ以下に薄肉化されていて、高電圧が印加される１対の電極のうち、一方のアノード電極１３０は裏面側に設けられている。なお、半導体基板５０の表面側とは、半導体基板５０上に配線層が形成される側であり、本実施形態の撮像装置１００では、半導体基板５０の裏面側が光照射面とされている。裏面側のアノード電極１３０は、画素分離部１５０に対応して設けられている。アノード電極１３０の厚さは、一例として５００ｎｍ以上とされ、低抵抗化な電極とされている。画素分離部１５０の間の画素領域に光電変換部１６０が設けられ、光電変換部１６０の裏面側の最表面は光が照射される光照射部とされている。画素領域は、画素分離部１５０の距離で規定され、縦横５μｍ以下の矩形の平面形状を有している。アノード電極１３０は、画素アレイ外で、深い不純物注入や金属の埋め込みなどによって形成されるコンタクト層１４０と接続され、表面側にその電位が取り出されている。表面側でコンタクト層１４０と接続された電極１４２に所定の電圧が印加されることで、アノード電極１３０には、コンタクト層１４０を介して所定の電圧が印加される。コンタクト層１４０は画素アレイを囲んで形成されているのが望ましい。コンタクト層１４０は、１か所でも良いし、複数に分割されていても良い。また、アノード電極１４０は、画素アレイ内で複数のコンタクト層１４０が形成されていても良い。電極取り出しのためのコンタクト層１４０が多いほど裏面側のアノード電極１３０内での電圧変動を抑えることができる。
　図２に示すように、画素アレイ内では画素分離部１５０によって画素が分離されている。図２では、画素アレイ内の１画素を示している。画素分離部１５０は、光電変換部１６０と不純物の極性を変えることにより形成されている。裏面側のアノード電極１３０は、画素分離部１５０の位置に対応して設けられ、図２では画素分離部１５０の直上に設けられている。画素分離部１５０は、高濃度の不純物注入により形成され、抵抗を十分に低くするために、アノード電極１３０は十分な厚さ、例えば５００ｎｍ以上とされている。このような構造にすることで、光電変換部１６０の空乏層を画素裏面側の最表面まで形成することができ、短波長の感度を十分に保つことができる。
　図２では、表面側にＮ型の不純物層を形成してカソード電極１００として、裏面側にＰ型の不純物層を形成してアノード電極１３０としている。カソード電極１００にはＮ型層（第１半導体層）１８０が接続されている。また、カソード電極１００の表側には電極１０２が接続されている。アノード電極１３０に接続されている光電変換部１６０は低濃度のＰ型であり、光電変換部（第３半導体層）１６０と接する高濃度のＰ型層（第２半導体層）１７０とカソードのＮ型層１８０との間で高電界になる増倍領域を形成している。また、画素分離部１５０として低濃度のＮ型層を用いている。なお、光電変換部１６０を設けずに、Ｐ型層１７０が光電変換部１６０の領域まで拡大されていても良い。
　なお、不純物層の導電型と濃度は一例であり、ＰとＮを入れ替えてアノードとカソードを逆の導電型にしても良い。また、高電界になる増倍領域の作り方は他にも様々な方法が考えられる。更に、増倍領域を分離するための不純物注入領域を設けたり、画素分離部１５０としてＳＴＩ（Ｓａｌｌｏｗ　Ｔｒｅｎｃｈ　Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）などを設けても良い。
　以上のように、本実施形態では、裏面照射型のＳＰＡＤにおいて、アノード電極１３０とカソード電極１００を基板の表面と裏面に有する。裏面側のアノード電極１３０は画素間分離領域１５０に設けられている。これにより、空乏層からなる光電変換部１６０を光照射面の最表面まで拡大できるため、短波長感度を大幅に高めることができる。画素が比較的大きい場合はアノード電極１３０が画素端に位置するため、画素内の電界が一定にならず画素中央部では空乏層が光電変換部１６０の表面まで広がりにくい場合もあるが、微細画素では画素端からの電位が画素中央にも届くため、裏面側のアノード電極１３０を画素分離部１５０に設ける構造を採用できる。
　図３は本実施形態の他の構成例を示す模式図であり、裏面側の画素表面に画素分離部１５０として遮光性を有する金属層１５２を使用した例である。これにより光による画素間干渉を低減しつつ、裏面のアノード電極１３０の抵抗も下げることができ、電圧変動による画素干渉をさらに抑制できる。金属層１５２は、タングステン（Ｗ）などの金属で構成することができる。この金属層１５２の直下に図２と同様の高濃度の不純物注入領域を設けてアノード電極１３０とする。金属層１５２と高濃度不純物領域からなるアノード電極１３０はコンタクトしていても良い。図３に示す構成例の場合も、図２と同様にアノード電極１３０は表面側に取り出されても良いが、裏面側でそのままボンディングパッドへ接続されても良い。
　画素分離部１５０は矩形の画素領域を囲むように格子状の平面形状を有する。このため、画素分離部１５０上に形成されるアノード電極１３０、アノード電極１３０上に形成される金属層１５２も、画素分離部１５０に倣った格子状の平面形状を有することができる。
　また、図３に示す例では、画素分離部１５０に遮光性のある埋め込み金属層１９０が表面側から埋め込まれている。埋め込み金属層１９０は、金属層１５２と同様にタングステン（Ｗ）などの金属で構成することができる。この場合、埋め込み金属層１９０と光電変換部１６０は絶縁膜１９４で分離されており、埋め込み金属層１９０は隣接する画素領域間で絶縁膜１９４に囲まれている。この構造では、画素領域の深い領域で起こる画素間干渉を抑制でき、且つ裏面側にアノード電極１３０を設けた微細化に有利な構造を組み合わせることができる。埋め込み金属層１９０は表面側から光電変換部１６０の途中まで埋め込まれていて、この埋め込み金属層１９０の直上に高濃度不純物領域を作り、裏面側のアノード電極１３０とする。
　図４に示す例では、図３に示す構成の埋め込み金属層１９０が裏面側から埋め込まれている。この場合、高濃度不純物領域からなるアノード電極１３０は埋め込み金属層１９０を囲むように画素領域内に形成されるが、埋め込み金属層１９０を設けたことによりアノード電極１３０の画素間での接続が遮断されるため、金属層１５２を画素分離部１５０上に設け、金属層１５２とアノード電極１３０をコンタクトして画素間でアノード電極１３０を接続する。金属１５２は、埋め込み金属層１９０とは絶縁されている。このため、埋め込み金属層１９０には高電圧が印加されず、表面側の横方向電界を小さくすることができる。埋め込み金属層１９０は光電変換部１６０の一部のみに埋め込まれていても良いが、より好ましくは、画素領域の全体に埋め込まれている。この構造とすることで、光による画素間干渉を完全に遮断しつつ、電圧変動による画素間干渉も抑制して、微細化と高量子効率を達成でき、低ノイズな画素を実現することができる。
　以上のように、本実施形態では、アノード電極１３０が画素分離部１５０の位置に対応するように形成されている。なお、アノード電極１３０が画素分離部１５０の位置に対応するように形成されることは、図２のようにアノード電極１３０が画素分離部１５０の直上に形成される場合、図４のようにアノード電極１３０が画素分離部１５０の画素領域側に形成される場合、を含むものとする。また、アノード電極１３０は、画素分離部１５０の位置に対応するように形成されているが、画素分離部１５０の全てに対応して設けられていなくても良く、画素分離部１５０の一部のみに対応して設けられていても良い。
　３．本実施形態に係る撮像装置の他の構成例
　以下では、図２～図４に示した構成例を基に、本実施形態の幾つかのバリエーションについて説明する。図５に示す構成例は、図２に示す構成例に対して、画素領域の最表面にアノード電極１３０と連なる補助電極１３２を設けた例を示している。補助電極１３２は、アノード電極１３０と同じ導電型で形成されている。補助電極１３２の厚さは、一例として５０ｎｍ以下とされ、光電変換部１６０の領域を最大限確保できるようにしている。このように、画素内の裏面側の最表面には、高濃度の不純物注入により補助電極１３２を設けても良い。但し、画素内に不純物が注入された補助電極１３２の領域の厚さは十分に薄くし、例えば５０ｎｍ以下とすることが好適である。図５に示す例では、補助電極１３２上に絶縁層２００が設けられており、絶縁層２００を介して光電変換部１６０に光が照射される。補助電極１３２を設けることで、裏面側の光電変換部１６０の最表面の電位を一定にすることができ、空乏層の広がりや増倍領域の電界を画素内で均一化できる。この補助電極１３２は厚さが薄くて短波長感度には影響しない分、抵抗も高いが、画素分離部に設けたアノード電極１３０の抵抗が低いために、他の画素の電位変動は起きない
　図６に示す構成例は、図２に示す構成例に対して、光電変換部１６０の最表面（光照射面）に絶縁層２００を設け、画素分離部１５０上の範囲で、絶縁層２００上に遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。また、図７に示す構成例は、画素分離部１５０上には絶縁膜２００を設けることなく、アノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。遮光性を有する金属層１５２を設けることで、光侵入経路を画素毎に区分することができる。図７に示す構成例によれば、アノード電極１３０と遮光性を有する金属層１５２を同電位にすることができる。
　図８に示す構成例は、図３に示した構成例において、遮光性を有する金属層１５２を設けることなく、光照射面に絶縁層２００を設けた例を示している。また、図９に示す構成例は、図３に示した構成例において、図６に示した構成例と同様に、絶縁層２００と遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。また、図１０に示す構成例は、図３に示した構成例において、図７に示した構成例と同様に、絶縁層２００と遮光性を有する金属層１５２を設けた例を示している。
　また、図１１に示す構成例は、図４に示した構成例において、アノード電極１３０を画素分離部１５０よりも画素領域側に配置し、アノード電極１３０と画素分離部１５０上に設けた表面金属層２２０を接続した例を示している。アノード電極１３０は、隣接する画素領域のアノード電極１３０と表面金属層２２０によって接続される。このため、表面金属層２２０は、画素分離部１５０を跨ぐように形成されている。また、図１２に示す構成例は、図１に示した構成例に対し、埋め込み金属層１９０の長さを画素領域（光電変換部１６０）の深さ方向で短くした例を示している。
　４．アノード電極の外部への引き出し
　図１３～図１５は、アノード電極１３０と、アノード電極１３０と接続される電極１４２との位置関係を示す模式図である。ここで、電極１４２は画素アレイ外に設けられ、ボンディングパッド（引き出し電極）として機能する。図１３は、図２と同様にコンタクト層１４０を設けることで、コンタクト層１４０を介してアノード電極１３０を表面側に引き出し、コンタクト層１４０と表面側の電極１４２を接続した例を示している。なお、コンタクト層１４０は、画素アレイ周辺の回路に接続されていても良い。
　図１４に示す例は、アノード電極１３０と同じ裏面側に電極１４２を設け、アノード電極１３０と電極１４２を直接的に接続した例を示している。図１４に示す例では、ボンディングパッドとしての電極１４２が裏面側に設けられる。また、図１４において、アノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を設け、金属層１５２とボンディングパッドとしての電極１４２を接続しても良い。
　図１５に示す例は、図１３に示す例と同様に表面側に電極１４２を設けた例であるが、アノード電極１３０と接続される電極１５２を設け、電極１５２を介してコンタクト層１４０との接続を行った例を示す模式図である。
　５．アノード電極とコンタクト層との位置関係
　図１６及び図１７は、アノード電極１３０とコンタクト層１４０との位置関係を示す平面図であって、光照射面側（裏面側）から見た状態を示している。図１６及び図１７において、一点鎖線Ｒの内側は画素アレイ内の領域であり、一点鎖線Ｒの外側は画素アレイ外の領域である。図１６に示すように、画素アレイ内では、アノード電極１３０は画素分離部１５０に沿って設けられるため、アノード電極１３０は格子状の形状とされている。遮光性を有する金属層１５２を設ける場合は、図１６に示す格子状のアノード電極１３０に倣った形状の金属層１５２をアノード電極１３０上に設けることができる。遮光性を有する金属層１５２は、画素アレイ内の周辺に行くほどその位置を画素分離部１５０からずらすことで、瞳位置に応じた補正を行うことができ、遮光効果を高めることができる。特に、図６のように絶縁層２００を介してアノード電極１３０上に遮光性を有する金属層１５２を形成した場合は、金属層１５２とアノード電極１３０が一体化されていないため、画素アレイ内の周辺に行くほど金属層１５２の位置を画素分離部１５０（アノード電極１３０）からずらすことができる。画素アレイ外には、画素アレイを囲むようにコンタクト層１４０が設けられ、図２に示したように、アノード電極１３０はコンタクト層１４０を介して表面側に引き出されている。コンタクト層１４０を画素アレイ外の全周に設けることで、アノード電極１３０内での電圧変動を確実に抑えることができる。
　図１７は、図１６の構成に加えて、画素アレイ内にもコンタクト層１４０を設けた例を示している。図１７に示すように、画素アレイ内にもコンタクト層１４０を設けることで、アノード電極１３０の電位を更に安定させることが可能である。
　６．カラーフィルタ、レンズを含む構成例
　図１８は、図１２に示す構成において、光照射面の絶縁層２００上にカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃが設けられ、カラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃの更に上にオンチップレンズ４００が設けられた構成を示す概略断面図である。オンチップレンズ４００及びカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃを透過した光は、光電変換部１６０に照射される。なお、図１８において、図１２に示す画素分離部１５０の絶縁膜１９４は、光照射面の絶縁層２００と共通に設けられている。
　図１９は、図１８に示す光電変換部１６０と絶縁層２００との界面から光電変換部１６０側の領域を見た状態を示す模式図である。図１９に示すように、埋め込み金属層１９０と絶縁層２００（絶縁膜１９４）から画素分離部１５０が設けられ、画素分離部１５０によって光電変換部１６０からなる画素領域が画定されている。図１９に示す各光電変換部１６０において、アノード電極１３０は画素分離部１５０に沿って画素領域を囲むように設けられている。
　７．本実施形態に係る撮像装置の適用例
　図２０は、本技術を適用した電子機器としての、カメラ装置２０００の構成例を示すブロック図である。図２０に示すカメラ装置２０００は、レンズ群などからなる光学部２１００、上述した撮像装置（撮像デバイス）１０００、およびカメラ信号処理装置であるＤＳＰ回路２２００を備える。また、カメラ装置２０００は、フレームメモリ２３００、表示部（表示装置）２４００、記録部２５００、操作部２６００、および電源部２７００も備える。ＤＳＰ回路２２００、フレームメモリ２３００、表示部２４００、記録部２５００、操作部２６００および電源部２７００は、バスライン２８００を介して相互に接続されている。
　光学部２１００は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像装置１０００の撮像面上に結像する。撮像装置１０００は、光学部２１００によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
　表示部２４００は、例えば、液晶パネルや有機ＥＬ(Electro Luminescence)パネル等のパネル型表示装置からなり、撮像装置１０００で撮像された動画または静止画を表示する。ＤＳＰ回路２２００は、撮像装置１０００から出力された画素信号を受け取り、表示部２４００に表示させるための処理を行う。記録部２５００は、撮像装置１０００で撮像された動画または静止画を、ビデオテープやＤＶＤ(Digital Versatile Disk)等の記録媒体に記録する。
　操作部２６００は、ユーザによる操作の下に、撮像装置１０００が有する様々な機能について操作指令を発する。電源部２７００は、ＤＳＰ回路２２００、フレームメモリ２３００、表示部２４００、記録部２５００および操作部２６００の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
　８．本開示のバリエーション
　以下では、本開示を具体的に実施した場合に生ずる課題と、課題を解決するための実施例のバリエーションについて説明する。
　８．１．共通する構造
　最初に、各バリエーションで共通する基本構成について説明する。図２１は、各バリエーションで共通する基本構成を示す概略断面図である。図２１に示す撮像装置２０００は、ＳＰＡＤ画素としての増倍領域と光電変換を行う光電変換部（Ｎ－領域）１６０を備え、光電変換部１６０の裏面側の最表面は光が照射される光照射部とされている。
　図２１に示すように、アノード電極１３０はＰ領域７６０と電気的に接続されている。Ｐ領域７６０は、下層ほど不純物濃度が低くなるように構成されている。また、Ｐ領域７６０から画素分離部１５０に沿ってＰ領域７００、Ｐ－領域７１０が形成され、Ｐ領域７６０からアバランシュ部７２０までが電気的に接続されている。アバランシュ部７２０はＰ＋領域７３０とＮ＋領域７４０が接合されて構成されている。Ｐ領域７００は、アバランシュ部７２０で読み出したい電荷（電子）が通過するように、逆の電荷（ホール）を蓄積させることで構成されている。Ｐ－領域７１０は、アバランシュ部７２０に電荷が通過するよう、中央の電位を高くするため、低濃度の領域とすることが望ましい。
　Ｎ＋領域７４０は、Ｎ＋領域７５０を介して電極１０２と接続されている。また、Ｐ＋領域７３０とＮ＋領域７４０の側面には、Ｎ－領域７８０が形成されている。また、Ｎ＋層７４０及びＮ－領域７８０と電気的に接続されるＰ＋層７９０が設けられ、Ｐ＋層７９０は電極８００を介して接地（ＧＮＤ）されている。なお、Ｐ＋層７９０及び電極８００は、設けられていなくても良い。
　画素分離部１５０の側面とＰ領域７６０の上層には、固定電荷膜８１０が設けられている。また、Ｐ領域７６０の上層の構成は、基本的に図１８に示した構成と同様である。
　以上のように構成された図２１の撮像装置２０００において、Ｎ＋領域７４０及びＮ＋領域７５０は、図２に示したＮ型層１８０に対応する。また、Ｐ領域７６０、Ｐ領域７００、及びＰ－領域７１０は、光電変換部（第３半導体層）１６０、Ｐ型層１７０に対応する。
　以下で説明する各バリエーションにおいては、基本的に図２１に示したＰ領域７６０、Ｐ領域７００、Ｐ－領域７１０、アバランシュ部７２０（Ｐ＋領域７３０、Ｎ＋領域７４０）、Ｎ＋領域７５０、Ｎ－領域７８０などを含むＳＰＡＤ画素の構成を備えるものとし、これらの構成を基本構成として、図示は適宜省略する。また、各バリエーションにおいては、基本構成以外の構成を一部示すが、基本構成に適宜置き換えることが可能である。
　８．２．第１のバリエーション
　裏面側に高電圧をかけるためには、Ｓｉ表面のＰ型層に高電位をかけて裏面へと伝播させる。このため、表面側のＰ型とＮ型では非常に大きな電位差が生じ、十分な分離耐圧をとるためにはＰ型とＮ型の距離を離すことが望ましい。
　第１のバリエーションでは、裏面オーミック電極に関する製造方法であり、Ｓｉ基板表面側と裏面側にそれぞれ電圧をかけられるようにオーミック電極を作ることにより、Ｓｉ基板表面では電界を弱く保ったまま、Ｓｉ基板裏面から表面のＰＮ接合部へ向けて強電界を発生させることを可能にする。
　通常、オーミック電極形成の際はイオン注入などによりＳｉ中に不純物を注入し、高温アニールによって活性化を行う。Ｓｉ基板表面側では、耐熱性に優れている材料のみを使用しているため、高温アニールによる問題は生じないが、Ｓｉ基板裏面側では配線層が既に存在しており、高温アニールによる活性化が難しい。
　このため、配線形成前のＳｉ基板に高濃度のＰ型層(Ｐ＋層)を形成し、その上にＳｉのエピタキシャル成長（Epi：epitaxial growth)技術で必要なＳｉ膜厚を確保し、そこにフォトダイオード層などを形成する。
　第１のバリエーションでは、Ｓｉ中のＰ＋層のＢ（Ｂｏｒｏｎ）について、後工程でかかる熱による拡散を抑制するために、Ｂをカーボン（Ｃ）で覆う構造とする。これにより裏面側のＰ＋層の微細化が可能となり、受光面に十分な空間を設けることが可能になる。
　以下、図２２に基づいて、第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図２２は、第１のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、Ｓｉ基板４００上にパターニングを行い、ボロン（Ｂ）の不純物注入や固相拡散などでＰ＋層４０２を形成する。ボロン（Ｂ）の濃度は、後のオーミック接合に必要となるだけの濃度が必要となるため、３×１０１９/ｃｍ３以上となる。そのＰ＋層４０２の外側を囲うようにＳｉ中にＣ層４０４を形成する。Ｃ濃度はＢ濃度と同程度もしくはそれ以上となる。その後パターニング用のマスクを除去し、Ｐ＋層４０２とＣ層４０４を含むＳｉ基板４００を露出させる。
　次の工程（２）では、工程（１）で形成したＳｉ基板４００上にフォトダイオードとなるＮ型Ｓｉエピタキシャル層４０６を成膜する。この時のＮ型Ｓｉエピタキシャル層４０６の膜厚は、最終的なセンサーとして必要な膜厚よりもわずかに薄い膜厚になる。なお、通常の可視光では２～１０ｕｍ程度である。
　次の工程（３）では、工程（２）で成長させたＮ型Ｓｉエピタキシャル層４０６上にセンサー形成プロセス（ＦＥＯＬ～ＢＥＯＬ）を行う。なお、ＦＥＯＬ（Ｆｒｏｎｔ　Ｅｎｄ　ｏｆ　Ｌｉｎｅ）は、半導体製造前工程の前半であり、トランジスタ形成工程、イオン注入（インプランテーション）、アニール等によるＳｉ基板中の素子の作り込みを主とするものである。また、ＢＥＯＬ（Ｂａｃｋ　Ｅｎｄ　ｏｆ　Ｌｉｎｅ）は、半導体製造前工程の後半であり、配線工程、特に配線の形成から接合前までを指すものとする。ここまでのＮ型Ｓｉエピタキシャル層４０６の成長及びＦＥＯＬで１０００℃を超える熱がかかるが、Ｐ＋層４０２のＢの拡散はＣ層４０４により抑制される。ＢＥＯＬ以降は、４５０℃以下でのプロセスとなる。
　次の工程（４）では、工程（３）までが完了したＳｉ基板４００を上下反転し、ロジック基板４０８と貼り合わせを行う。この際にセンサー側のＳｉ基板４００が表側に位置する。
　次の工程（５）では、センサー側のＳｉ基板４００の薄肉化を行う。この際に、Ｓｉ基板４００が、Ｎ型Ｓｉエピタキシャル層４０６の上面よりも数百ｎｍ厚く残るように仕上げる。これにより光入射側の最表面にパターニングされた高濃度のＰ＋層４０２が露出する。
　次の工程（６）では、各画素を分離するトレンチを形成し、このトレンチに遮光メタル４１０を埋め込み、アバランシェ降伏での発光による隣の画素からの光の漏れ込みを遮断する。
　次の工程（７）では、光入射面側に出た各画素の高濃度Ｐ＋層４０２にコンタクトを落とし、配線４１２にて全ての画素を接続させる。この配線４１２は遮光グリッドとしても使用される。
　図２３及び図２４は、Ｐ＋層４０２、Ｃ層４０４、遮光メタル４１０が入るトレンチ４１１、配線４１２が入るコンタクトホール４１３の位置関係を示す平面図である。図２３はトレンチ４１１が高濃度Ｐ＋層４０２を横切る例を示しており、図２４はトレンチ４１１がＰ＋層４０２に沿う例を示している。なお、図２３及び図２４において、ハッチングを付した領域が遮光グリッドとして機能する。
　図２５は、完成した半導体装置を示す概略断面図である。図２５は、光照射面側に微細なコンタクトを有する構造を示している。図２５に示すように、配線４１２がコンタクトする部位のＳｉ基板４００に、高濃度のＢ(３×１０１９/ｃｍ３以上)からなるパターン化されたＰ＋層４０２が形成されている。また、Ｐ＋層４０２の周囲は、高濃度のＣ層４０４（３×１０１９/ｃｍ３以上）が平面的に囲んでいる。
　また、図２６は、図２３の構造に加え、Ｐ＋層４０２の底面部を高濃度のＣ層４０４（３×１０１９/ｃｍ３以上）が囲んでいる構造を示している。
　なお、上述した例では、Ｃ層４０４を形成することでＰ＋層４０２のボロン（Ｂ）の拡散を抑制するようにしたが、ボロン（Ｂ）の代わりに高濃度のＧｅ(濃度３×１０１９/ｃｍ３以上)を用いても良い。
　図２７は、Ｓｉ基板４００上にＰ＋層４０２を形成し、Ｐ＋層４０２上にＳｉエピタキシャル層４０６を形成した場合の構成例１と、構成例１のＰ＋層４０２の上下にＣ層４０４を形成した場合とで、熱処理後にボロン（Ｂ）が拡散する様子を示す特性図である。
　図２７において、深さ３．０μｍから深さ３．６μｍの間にＰ＋層４０２が位置している。また、図２７中に実線で示す特性は、構成例２におけるＣ層４０４のＣ濃度を示す特性である。
　図２７中に破線で示す特性は、構成例１の熱処理後のＢ濃度を示している。図２７に示すように、Ｐ＋層４０２の上下にＣ層４０４を形成しない構成例１では、熱処理後にボロン（Ｂ）が深さ方向の上下に拡散していることが判る。
　一方、図２７中に一点鎖線で示す特性は、構成例２の熱処理後のＢ濃度を示している。図２７に示すように、Ｐ＋層４０２の上下にＣ層４０４を形成した構成例２では、熱処理後のボロン（Ｂ）の拡散を抑制することができる。
　８．３．第２のバリエーション
　第１のバリエーションで説明したように、裏面側に高電圧をかけるため、裏面側にＰ＋層を介して電極を形成することで、表面側および裏面側に電極を設けて電界をかける方法がある。Ｐ＋層を形成する方法として、イオン注入による不純物導入が挙げられる。しかし、裏面側から注入する場合は配線を形成した後での工程となるため、十分なアニール温度をかけられず注入ダメージの回復が困難になる場合がある。また、表面側から高エネルギーでイオン注入し、Ｐ＋層を形成する方法も考えられるが、電極とのコンタクトを取るためには１×１０１５ｃｍ－２程度のドーズ量のイオン注入が必要となるので、１０００℃程度の高温アニールを施してもフォトダイオード層に生じる結晶欠陥の回復が困難になる場合がある。
　このため、ＳＰＡＤで表面側からカソードおよびアノード電極を形成する場合は高電界をかけるための不純物プロファイル設計が難しく、特に画素を微細化する場合には困難である。裏面側に電極を形成しようとした場合には、低抵抗のＰ＋層の形成が必要となるが、イオン注入等の不純物導入技術を用いた場合はフォトダイオード領域に生じる結晶欠陥の回復が困難となるので、暗電流などの特性改善が見込めない。
　第２のバリエーションでは、２層のエピタキシャル基板を使うことで、裏面側にアノード電極を形成する。支持基板４３０上にＰ＋エピタキシャル層４４２、Ｎエピタキシャル層４４４を形成した２層エピタキシャル基板４４０を用いる。この２層エピタキシャル基板４４０に表面側からＳＰＡＤ画素を形成し、支持基板４３０に貼り合わせる。張り合せ語に裏面側からＳｉを削り高濃度Ｐ＋層４４２を露出させる。Ｐ＋層４４２には、表面側から貫通させたタングステン（Ｗ）等のメタル層でオーミックコンタクトを取ることができる。
　この構造により、裏面側アノード～カソードへの電界を一定にすると同時に微細化を両立させることができる。また、エピタキシャル層をフォトダイオードの活性化領域に用いるので、フォトダイオード中にＰ＋層形成による結晶欠陥は生じない。
　２層エピタキシャル基板のうち、１層目のＰ＋層は金属とのコンタクト抵抗を低減させるために低抵抗なものとする。具体的には、２×１０１９／ｃｍ３以上の不純物濃度とする。
　以下、図２８及び図２９基づいて、第２のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図２８及び図２９は、第２のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）、工程（２）では、２層エピタキシャル基板４４０に表面側からＳＰＡＤ画素を形成する。２層エピタキシャル基板４４０は、支持基板４３０に対して貼り合わせられる。
　工程（３）では、上下を反転する。工程（４）では、支持基板４３０側から支持基板４３０を削り、高濃度Ｐ＋層４４２を露出させる。次の工程（５）では、レジストパターンを形成し、裏面側から遮光部のためのコンタクトホール４５０を掘り込む。更に、工程（６）～（７）では、コンタクトホール４５０に層間膜４５２を形成し、更に表面側の電極まで貫通するコンタクトホール４５４を形成する。なお、層間膜４５２の代わりに固定電荷膜を形成しても良い。
　その後、工程（８）では、Ｐ＋層４４２に達するコンタクトホール４５６を層間膜４５２に形成し、工程（９）では、コンタクトホール４５４，４５６にタングステン（Ｗ）等の金属膜４５８を埋め込む。工程（１０）では、受光部のパターニングを行うことで、受光部の金属膜４５８を除去する。これにより、裏面側にアノード電極が形成される（工程（１１））。
　図３０及び図３１は、完成した半導体装置を示す概略断面図である。図３０に示すように、金属膜４５８を裏面側から表面側へ貫通させたことにより、裏面側のアノードからカソードへの電界を一定にできるとともに、微細化を両立させることができる。
　また、図３１に示すように、画素の受光部にあたる部分の高濃度Ｐ＋層４４２を露出させた後で、画素の光電変換部のみをエッチングして薄いＰ＋層４４２を形成することも可能である。また、図３２に示すように、薄いＰ＋層４４２を形成する際に周囲に傾斜を持たせても良い。
　図３３は、図３２に示す半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）、工程（２）では、２層エピタキシャル基板４４０に表面側からＳＰＡＤ画素を形成する。２層エピタキシャル基板４４０は、支持基板４３０に対して貼り合わせられる。
　工程（３）では、上下を反転する。工程（４）では、支持基板４３０側から支持基板４３０を削り、画素の中央でＮエピタキシャル層４４４を露出させる。次の工程（５）では、レジストパターンを形成し、裏面側から遮光部のためのコンタクトホール４５０を掘り込む。更に、工程（６）では、コンタクトホール４５０に層間膜などの絶縁膜を形成し、更に表面側の電極まで貫通するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールにタングステン（Ｗ）等の金属膜４５８を埋め込む。工程（７）では、受光部のパターニングを行うことで受光部の金属膜４５８を除去し、更に金属膜４５８に接続される電極４５９を形成する。電極４５９は、Ｐ＋層４４２に対しても接続される。
　図３４は、図３０に示す半導体装置において、集光部よりも内側を低濃度のＰ領域４４６とした構成を示す概略断面模式図である。また、図３５は、図３４に示す半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、支持基板４３０上にＰ層４４１、Ｎ層４４４を形成し、素子分離の領域に高濃度のＰ層４４２を形成する。Ｐ層４４２は、イオン注入、固相拡散等で形成する。次に、工程（２）では、表面側からＳＰＡＤ画素を形成し、画素分離部１５０の領域に絶縁膜からなる埋め込み層８２０を形成し、埋め込み層８２０内に電極８２２を形成する。次の工程（３）では、上下を反転し、支持基板８００を上側から削り、Ｐ＋層４４２を露出させる。
　次の工程（４）では、レジストパターンを形成し、裏面側から遮光部のためのコンタクトホールを掘り込み、コンタクトホールに絶縁膜４５２，４５３を形成する。次の工程（５）では、表面側の電極まで貫通するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールタングステン（Ｗ）等の金属膜４５８を埋め込む。工程（６）では、受光部のパターニングを行うことで、受光部の金属膜４５８を除去する。これにより、裏面側にアノード電極が形成される。更に金属膜４５８に接続される電極４５９を形成し、層間膜８０６上に絶縁膜８１２を形成する。
　以上のように第３のバリエーションでは、裏面アノード電極を形成することが可能となるので、より微細なＳＰＡＤ素子の構成が可能となる。また、２層エピタキシャル基板を用いることで、アノード電極となるＰ＋層４４２およびＰ＋層４４２とＮ層４４４の界面を、結晶欠陥を抑制して形成することができる。従って、暗電流等の特性をさらに改善することも可能となる。
　図３６は、第２のバリエーションのＳＰＡＤ画素の平面構成のいくつかの例を示す平面図である。図３６に示す標準構造は、画素分離部１５０と隣接してコンタクト部である高濃度Ｐ＋層４４２を設けた例を示している。また、図３６に示す低濃度領域を設けた例は、高濃度Ｐ＋層４４２よりも内側の最表面にＰ濃度がＰ＋層４４２よりも低濃度の領域４４３とした例を示している。この領域４４３は、図３１及び図３２に示すように、Ｐ＋層４４２を上側から除去した領域に相当する。なお、集光面積を確保することができ、コンタクトがとれるものであれば、これらの構成に限定されるものではない。
　図３１、図３２、図３６に示すように、Ｐ濃度がＰ＋層４４２よりも低濃度の領域４４３を設けることにより、画素部裏面側全面がＰ＋の高濃度層となることを回避でき、その結果、濃度プロファイル制御が容易となり、電荷転送に悪影響が生じることを抑制できる。また、再結合確率を向上することができ、受光感度（ＰＤＥ：Ｐｈｏｔｏ
Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）を向上することができる。
　８．４．第３のバリエーション
　微細化を図るため１対の電極を基板の表面側と裏面側に設けた場合は、光照射面に透明電極又は不純物層により形成した電極を設けることになるが、透明電極を設けた場合は、基板とのコンタクト部でノイズが発生する。また、電極を不純物層により形成した場合、高濃度の不純物を注入する必要があり、電極を低抵抗化するためには不純物層の厚さを確保する必要があり、その場合、特に短波長の光の感度が低下する。
　第３のバリエーションでは、ＳＰＡＤフォトダイオードを裏面照射型とし、アノード－カソード間の電位差を縦方向にする。画素間は遮光性のある金属層で埋め込まれ、この埋め込み金属層と光電変換部は絶縁膜で分離される。そして、アノード電極を裏面側に形成するために、ウエハ裏面側に高濃度の不純物層を有する。このことにより、画素の微細化と低ノイズ化実現するとともに、画素間の干渉や画素毎のばらつきを抑制しつつ、短波長の感度を改善する事が可能となる。
　以下、図３７に基づいて、第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図３７は、第３のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、初めにＳｉ基板５００にアライメント測定用のマークを形成し、高濃度不純物のイオン注入を行うことでＰ＋層５０２を形成する。そして、Ｐ＋層５０２を囲むようにＳｉ基板５００を掘り込み、掘り込んだ領域に絶縁膜５０４を埋め込む。絶縁膜５０４の種類（ＳｉＮ系、ＳｉＯ２系）は特に問わない。
　工程（２）では、絶縁膜５０４の平坦化を行い基板５０６と接合する。基板５０６は、ＳＰＡＤフォトダイオードを形成する支持基板となる。工程（３）では、上下を反転し、基板５００を、既定のＳｉ厚さ（数ｕｍ）レベルまで薄肉化する。そして、基板５０６に接合された、基板５００の薄肉化された面にトランジスタ（Ｔｒ）形成等を行う。Ｔｒ形成を行う際に高温のアニール（ＡＮＬ）作業が実施されるが、基板５００に注入されたＰ＋層５０２は絶縁膜５０４に囲まれているため、拡散を抑制することができる。
　次の工程（４）では、センサー形成プロセス（ＦＥＯＬ～ＢＥＯＬ）を行う。次の工程（５）では、配線工程まで形成が終わった基板５００及び基板５０６を上下反転し、基板５０８に接合する。次の工程（６）では、基板５０８を支持基板とし、基板５０６をエッチング又は研磨により完全に除去し、基板５０６と基板５００との接合面（絶縁膜５０４）を露出させる。
　次の工程（７）では、基板５００と基板５０６の接合面に用いていた絶縁膜５０３を除去し、画素間に遮光メタル５１０を埋め込む。次の工程（８）では、裏面電極５１２を形成する。
　図３８は、第３のバリエーションの完成した半導体装置を示す概略断面図である。図３８に示すように、配線５１２がコンタクトする部位に、高濃度のＢ(３×１０１９/ｃｍ３以上)からなるパターン化されたＰ＋層５０２が形成されている。また、Ｐ＋層５０２の周囲は、絶縁膜５０４が平面的に囲んでいる。
　第３のバリエーションは、各画素の光照射面に微細なコンタクトを有する構造であり、コンタクトと接続するＳｉ中に不純物層を有し、コンタクトとＳｉ界面で不純物が高濃度で存在する（パイルアップしている）構造である。第３のバリエーションでは、裏面に電極を形成することで微細化を可能にする。裏面電極はＦＥＯＬの最初に形成する。その際に、Ｓｉ基板５００に微細なパターンで不純物をドープし、拡散防止のためにＰ＋層５０２を絶縁膜５０４で囲む。絶縁膜５０４でＰ＋層５０２を囲むことで、後工程の熱によるボロン（Ｂ）の拡散を防止する。これにより、トランジスタ形成前に裏面コンタクト用の不純物層を形成し、後工程の熱による拡散を抑制し、微細な素子形成が可能になる。また、不純物の高濃度領域を電極形成面とすることができ、オーミック接合が容易になる。
　以上のように第３のバリエーションでは、裏面に電極を形成することで微細化を可能にする。この裏面電極はオーミック接合で形成するため、高濃度の不純物層を形成する必要があるが、高濃度の不純物層を絶縁膜で囲むことにより、不純物の拡散を抑制することが可能である。
　８．５．第４のバリエーション
　裏面電極構造で縦方向にＰＮＰの構造を作り分離するためには、Ｎ層の濃度を濃くしたいが、電界が強くかかりブレークダウンする懸念がある。また、Ｎ層の濃度を濃くすることで暗電流が増大する恐れがある。更に、固定電荷膜（ピニング膜、ＳＣＦ）を付けた場合、高濃度のＮ領域にも固定電荷膜が成膜されてしまうと、暗電流が増大する懸念がある。
　第４のバリエーションでは、絶縁膜を埋め込んだ第１の層を形成した上で、それと繋がるように第２の絶縁膜埋め込み層を形成し、それらの層を貫通するように埋め込み金属層を形成する。
　第４のバリエーションでは、絶縁膜を埋め込んだ層を貫通させ、画素を囲い込むように、埋め込み金属層を形成する。絶縁膜を埋め込んだ層の端部は空乏層領域にあり、空乏層端部は絶縁膜を埋め込んだ層の側壁にある。
　具体的に、図２１に示したＰ－領域７１０とＮ－領域７８０の境界が空乏層領域である。Ｎ－領域７８０が高濃度になり過ぎると、ブレークダウンの懸念がある。そして、Ｎ－領域７８０の側面に固定電荷膜が形成されると、暗電流が増大する懸念が生じる。第４のバリエーションでは、絶縁膜を埋め込んだ層があることにより、Ｎ領域の固定電荷膜（ピニング膜、ＳＣＦ）の成膜を防げる。固定電荷膜の代わりに、固相拡散等の手法により高濃度のＰ層を形成しても良い。絶縁膜を埋め込んだ層に起因して生じるような表面付近で発生する暗電流はＰ＋層７９０と電極８００を介してグランドに捨てられる。
　以下、図３９に基づいて、第４のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図３９は、第４のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、Ｓｉ基板５２０上に、Ｓｉ最表面がＮ層５２２であり、その下にＰ層５２４があるＳｉ層５２６を形成する。Ｎ層５２２、Ｐ層５２４をエピタキシャル成長で形成する場合を代表例とするが、エピタキシャル成長前にイオン注入や固相拡散を行い形成しても良い。
　次に、工程（２）では、画素を囲うようにＳＴＩの絶縁膜を埋め込んだ第１の層５２８を形成し、イオン注入と熱処理等を用いて必要なＮ層、Ｐ層を形成した上で、絶縁膜を埋め込んだ第１の層５２８上にメタル層５３０を形成し、更に絶縁膜を形成することで第１の層５２８の中にメタル層５３０を埋め込んだ構造を得る。第１の層５２８の埋め込みは、酸化膜、窒化膜、酸化膜と窒化膜の積層等、色々なバリエーションが考えられる。また、第１の層５２８より下のＮ層領域は、イオン注入等の手法でＰ層にしておく必要がある。メタル層５３０はタングステン（Ｗ）等で形成するのが望ましい。
　次に、工程（３）では、必要な配線層を形成した上で、貼り合わせ等の手法により表裏面を反転させ、Ｐ層５２４が最表面に出るように不要な層を除去する。次の工程（４）では、ＳＴＩに到達するようにＳｉ層５２６をエッチングした上で、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、ハフニウムオキサイド（ＨＦ２）等からなる固定電荷膜５３２と、酸化膜等からなる絶縁膜５３４を成膜する。成膜はカバレッジの良い膜種を用いることが好適である。そして、工程（５）では、第１の埋め込み層５２８を貫通し、メタル層５３０に到達するコンタクトホールを形成し、メタル膜５３６を埋め込む。メタル膜５３６はタングステン（Ｗ）等で形成するのが望ましい。なお、Ｓｉ層５２６と第１の埋め込み層５２８を貫通させた後、固定電荷膜５３２と絶縁膜５３４を成膜し、メタル層５３６を埋め込んでも良い。最後に、工程（６）では、裏面コンタクトを取る電極５３８を形成する。これらの工程により、裏面電極を備えた素子を製造する。なお、Ｎ層、Ｐ層が反転しても構わない。その場合は、固定電荷膜５３２の種類を変更する。
　図３９に示した製造方法において、固定電荷膜５３２の形成ではなく、表面側形成時に、固相拡散等を用いて、表側から裏面側に形成した第２の埋め込み層を高濃度のＰ層で囲んでも良い。図４０は、この場合の製造工程を示す模式図である。工程（１）は図３９と同様である。工程（２）において、Ｎ層５２２とＰ層５２４を貫通するように第２の層５４０を埋め込み、第２の層５４０の中にメタル膜５４２を埋め込む。第２の層５４０を埋め込む際に、固相拡散等を用いて第２の層５４０と隣接するＮ層５２２に高濃度のＰ層５４４を形成する。
　次の工程（３）では、表裏面を反転させ、Ｐ層５２４が最表面に出るように不要な層を除去する。その後、Ｐ層５２４上に所定の絶縁膜を形成した後、図３９の工程（６）と同様に、裏面コンタクトを取る電極５３８を形成する。
　第４のバリエーションによれば、裏面側のＰ層５２４には固定電荷膜５３２が形成される。一方、Ｎ層５２２の下層には、固定電荷膜５３２または固相拡散による高濃度のＰ層５４４は形成されない。これにより、耐圧が向上するとともに、暗電流を抑制できる。
　８．６．第５のバリエーション
　ＳＰＡＤ画素を縦方向にＰＮＰ構造で分離し、画素間遮光のために貫通トレンチを形成した場合に、白点／暗電流特性改善のためにトレンチ側壁に固定電荷膜を形成する必要があるが、Ｎ型領域にもピニング膜が形成されてしまい、逆に暗電流が増大する懸念がある。
　第５のバリエーションでは、画素間遮光トレンチ側壁の固定電荷膜を縦方向に作り分け、第４のバリエーションと同様の観点で、少なくともＮ型領域の側壁に固定電荷膜が存在しない構造を形成する。
　第５のバリエーションでは、画素を囲い込むようにＳｉを貫通するトレンチを形成し、金属層を埋め込む。Ｓｉを貫通するトレンチの側壁において、Ｎ型領域以外に固定電荷膜を形成する。縦方向にＰＮＰ構造を形成し、表裏面電極を電気的に分離する。
　以下、図４１に基づいて、第５のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図４１は、第５のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、予め貫通トレンチを形成する領域にイオン注入や固相拡散により縦方向のＰＮＰ構造を形成しておく。裏面側からＳｉを薄肉化して画素表面を露出させた後、Ｐ型領域のＳｉエッチングによりトレンチ５５０を形成する。
　次の工程（２）では、Ｐ型領域に固定電荷膜５５２を形成した後、ドライエッチバックによりトレンチ底のみＳｉを露出させ、続けてＳｉのエッチバックで表面側の層間絶縁膜５５４までエッチングすることで貫通トレンチを形成する。次に、工程（３）では、例えば高アスペクト構造におけるカバレッジの良いＡＬＤ法によりＳｉＯ２からなる絶縁膜５５６を形成する。これにより、絶縁膜５５６は相関絶縁膜５５４と一体となる。その後、コンタクト領域にメタルを接触させるために、絶縁膜５５６及び固定電荷膜５５２を部分的に開口させる。
　次の工程（４）では、工程（３）で開口させた部分及びトレンチ内に画素間遮光及び裏面コンタクト電極となるメタル膜５５８を埋め込み、ＣＭＰやドライエッチバックでメタル膜５５８を平坦化し、ダマシン構造を形成する。メタル膜５５８としては、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等を用いる。これにより、メタル膜５５８とアノードのコンタクト電極５６０が一体化された構造が得られる。なお、メタル膜５５８とコンタクト電極５６０は別々に形成しても良い。これらの工程により、裏面電極を備えた素子が製造される。なお、Ｎ層、Ｐ層が反転しても構わない。その場合は、固定電荷膜５５２の種類を変更する。
　図４２は、３層作り分け構造の形成方法の例を示す。図４１では、裏面側のＰ型領域と表面側のＮ／Ｐ型領域で固定電荷膜５５２を２層に作り分けたが、表面側のＰ型領域にも固定電荷膜５５２を形成する３層構造にする方がより好ましい。
　この場合、工程（２）において、固定電荷膜５５２形成後のシリコンエッチバックでは、Ｎ型領域のみエッチングする。そして、工程（３）において、ＳｉＯ２からなる絶縁膜５５６を成膜した後に絶縁膜５５６のエッチバックを行う。更に、シリコンエッチバックで表面側の層間絶縁膜５５６までトレンチを貫通させた後に、再度ピニング膜５５３を形成する。以降の製法は図４１と同様である。これにより、トレンチ側壁に接触する膜がＰ型領域は固定電荷膜５５２、Ｎ型領域は絶縁膜５５６となる３層構造を形成することができる。
　図４３は、図４１及び図４２とは異なる製造方法を示す。図４３に示す例では、工程（１）で最初にトレンチ５５０を形成する際に、表面側までトレンチ５５０を貫通させる。次の工程（２）では、表面側のＮ／Ｐ型領域にダミー材料（例えばレジスト）５６２を埋め込んだ状態で固定電荷膜５５２を形成する。
　次の工程（３）では、固定電荷膜５５２のエッチバック後、ダミー材料５６２の除去を行い、続いてＳｉＯ２からなる絶縁膜５５６を成膜する。ダミー材料５６２の除去は、例えば硫酸過水溶液や有機レジスト剥離液を用いたエッチング、ドライエッチバック等により行う。その後の製法は図４１と同様である。これにより、図４１と同様の構造を形成することができる。なお、図４２のように３層構造とする場合は、ダミー材料５６２のエッチバックをＮ型領域のみとし、その後に絶縁膜５５６を形成し、エッチバック、ピニング膜５５３の成膜を行えば良い。
　図４４は、ＦＥＯＬ工程で表面側から貫通トレンチを形成した場合の製造方法の例を示す。工程（１）において、ＦＥＯＬで貫通トレンチ５７０を形成後、例えばＳｉＯ２膜５７２とＰｏｌｙ－Ｓｉ膜５７４をトレンチ５７０内に埋め込んでおく。その後、工程（２）において、裏面側からＳｉの薄肉化を行い、トレンチ５７０の底が露出した後に、トレンチ５７０内のＳｉＯ２膜５７２とＰｏｌｙ－Ｓｉ膜５７４を除去する。ＳｉＯ２膜５７２とＰｏｌｙ－Ｓｉ膜５７４を埋め込んだ場合、例えばアルカリ系のＳｉエッチング液とＤＨＦ溶液等を用いれば良い。その後の製法は図４３と同様である。図４２と同様に３層構造を形成することも可能である。
　第５のバリエーションによれば、トレンチ側壁のＰ型領域にはピニング膜が形成されるが、Ｎ型領域へのピニング形成を防ぐことができる。その結果、画素間混色の抑制、表裏面電極の分離が可能な構造において、白点や暗電流の発生を抑制することができる。
　８．７．第６のバリエーション
　第６のバリエーションでは、トランジスタ形成工程及び配線工程において、ＳＴＩ領域に電極充填用のトレンチを形成する。これにより、裏面から形成する深いトレンチ（裏面ＤＴ（Ｄｅｅｐ　Ｔｒｅｎｃｈ））の形成後の貫通加工時に必要となるエッチング量が大幅に減少し、又は貫通加工が不要となる。
　また、ＳＴＩ領域の電極を、ＳＴＩとの合わせずれを生じることなく形成することも可能であり、Ｎ＋領域とＳＴＩ内電極と耐圧確保のために必要なＳＴＩ線幅を狭くすることが可能になる。
　以下、図４５及び図４６に基づいて、第６のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に説明する。図４５及び図４６は、第６のバリエーションに係る半導体装置の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、ＳＴＩ５９０を形成し、ＳＴＩ５９０内に絶縁層５９２を形成する。次に、工程（２）では、ＳＴＩ５９０の領域をエッチングにより開口し、電極５９４を成膜する。電極５９４としては、Ｐｏｌｙ－Ｓｉ、ＰＤＡＳ及びＷ等が挙げられる。
　次に、工程（３）では、配線層形成工程において、配線層５９６とＳＴＩ領域の電極５９４とを接続する。次に、工程（４）では、上下を反転し、裏面ＤＴを形成し、裏面ＤＴ内部に固定電荷膜５９６を形成し、固定電荷膜５９６上に絶縁膜５９８を形成する。次に、工程（５）では、裏面ＤＴ底部の固定電荷膜５９６上の絶縁膜５９８、固定電荷膜５９６及びＳＴＩ５９０の絶縁膜５９２を貫通加工する。加工が必要なＳＴＩ５９０の絶縁膜５９２の膜厚は、工程（２）のＳＴＩ５９０の開口時のＳＴＩ５９０の底部の絶縁膜５９２の残膜厚さであり、非常に薄い膜厚である。次に、工程（６）では、後続工程で貫通電極５９９を形成し、完成させる。
　工程（５）において、絶縁膜５９２の非常に薄い膜厚を除去することで電極５９４が露出するため、貫通加工時にマスクとなる膜の厚さが不足してしまうことを抑止できる。従って、貫通加工を安定して行うことが可能である。以上のように、ＳＴＩ５９０の反対側から貫通電極５９９を形成するため、電極５９４と貫通電極５９９の中心軸は完全に一致しない場合があるが、コンタクト形成時の位置合わせを的確に行うことで、許容範囲に収めることができる。
　図４７及び図４８は、第６のバリエーションに係る半導体装置の他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、ＳＴＩ６１０を形成し、ＳＴＩ６１０内に閉塞しないように絶縁層６１２を形成する。絶縁膜６１２は、Ｎ＋層との絶縁耐性確保に必要な膜厚以上とする。
　次の工程（２）では、ＳＴＩ６１０内に電極材を充填し、ＳＴＩ領域の電極６１４とする。いわゆるＦＥＯＬ工程で電極６１４を形成するため、電極６１４の材料はＰｏｌｙ
Ｓｉ、ＰＤＡＳ等の非金属材である。工程（２）により、電極６１４のセルフアラインを形成することで、ＳＴＩ６１０と電極６１４の位置合わせずれはゼロとなる。
　次の工程（３）では、配線層形成工程において、配線層６１６とＳＴＩ６１０の電極６１４とを接続する。次の工程（４）では、上下を反転し、裏面ＤＴを形成し、裏面ＤＴ内部に固定電荷膜６１８を形成し、固定電荷膜６１８上に絶縁膜６２０を形成する。
　次の工程（５）では、裏面ＤＴ底部のＳＣＦ６１８上の絶縁膜６２０、ＳＣＦ６１８及びＳＴＩ６１０の絶縁膜６１２を貫通加工する。加工が必要なＳＴＩ６１０の絶縁膜６１２の膜厚は工程（１）で形成した膜厚であり、非常に大幅に薄い膜厚とすることができる。また、図４５及び図４６の例と比較して、必要なＳＴＩ絶縁膜量の膜厚バラツキを抑制することできる。次に、工程（６）では、後続工程で貫通電極５９９を形成し、完成させる。
　図４９及び図５０は、第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、ＳＴＩ６３０を加工し、ＳＴＩ６３０内に絶縁層６３２を形成する。
　次の工程（２）では、ＳＴＩ６３０をエッチングにより開口する。その際、ＳＴＩ６３０底部の絶縁膜６３２を貫通するように開口を形成する。その後、電極６３４を成膜する。電極６３４の材料としてはＰｏｌｙ
Ｓｉ、ＰＤＡＳ等の非金属膜を挙げることができる。金属膜は基板汚染抑制の観点から、電極材として使用しないことが望ましい。
　次の工程（３）では、配線層形成工程において、配線層６３６とＳＴＩ６３０の電極６３４とを接続する。次の工程（４）では、上下を反転し、裏面ＤＴを形成し、裏面ＤＴ内部に固定電荷膜６３８を形成し、固定電荷膜６３８上に絶縁膜６４０を形成する。この例ではＳＴＩ６３０底部の絶縁膜６３２を貫通するように電極６３４を形成しているため、裏面ＤＴ加工時にＳＴＩ６３０の電極６３４が露出する。
　次の工程（５）では、裏面ＤＴ底部の固定電荷膜６３８上の絶縁膜６４０、固定電荷膜６３８を貫通加工する。この例では、裏面ＤＴ加工時に電極６３４が露出しているため、貫通加工時にＳＴＩ６３０の絶縁膜６３２をエッチングする必要はない。後続工程で貫通電極５９９を形成し完成となる
　図５１及び図５２は、第６のバリエーションに係る半導体装置の更に他の製造方法を工程順に示す概略断面図である。先ず、工程（１）では、ＳＴＩ６４０を加工し、ＳＴＩ６４０内に絶縁層６４２を形成する。次の工程（２）では、ＳＴＩ６４０をエッチングにより開口し、絶縁膜及び犠牲膜を充填層６４４として充填する。犠牲膜としてはＰｏｌｙ
Ｓｉ、ＰＤＡＳ及びＳｉＮ等が挙げられる。
　次の工程（３）では、配線層形成工程において、配線層６４６と充填層６４４とを接続する。次の工程（４）では、配線工程を完了し、上下を反転し、支持基板と接続後に薄肉化を行い、充填層６４４を露出させる。
　次の工程（５）では、充填層６４４を除去する。この工程により、貫通電極形成用のための貫通トレンチが完成する。次の工程（６）では、充填層６４４の除去後に、電極材５９９を貫通トレンチ内に形成し、必要な配線を形成して完成となる。
　第６のバリエーションによれば、ＳＴＩ貫通構造を形成するに当たって課題となる裏面からの貫通加工時のマスク膜厚不足が解消される。また、ＳＴＩとＳＴＩ内電極の合わせずれを無くすことが可能となり、合わせずれの影響を考慮してＳＴＩ線幅を広くすることが不要になる。これにより、素子レイアウト設定自由度が増加する。
　９．撮像装置以外への適用例
　本開示は、例えば、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ　Ｏｆ　Ｆｌｉｇｈｔ）センサーなど、光を検出する他の装置へ適用することもできる。ＴＯＦセンサーへ適用する場合は、例えば、直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサー、間接ＴＯＦ計測法による距離画像センサーへ適用することが可能である。直接ＴＯＦ計測法による距離画像センサーでは、フォトンの到来タイミングを各画素において直接時間領域で求めるため、短いパルス幅の光パルスを送信し、高速に応答する受信機で電気的パルスを生成する。その際の受信機に本開示を適用することができる。また、間接ＴＯＦ法では、光で発生したキャリアーの検出と蓄積量が、光の到来タイミングに依存して変化する半導体素子構造を利用して光の飛行時間を計測する。本開示は、そのような半導体構造としても適用することが可能である。ＴＯＦセンサーへ適用する場合は、図１８に示したようなカラーフィルタ３００ａ，３００ｂ，３００ｃとオンチップレンズ４００を設けることは任意であり、これらを設けなくても良い。
　１０．電子デバイスの構成例
　図５３は、上述した撮像装置１０００を含む電子デバイス３０００の構成を示す模式図である。図５３に示す電子デバイス３０００は、複数の光電変換部１６０が配置されて成るセンサ部３０１０を有する第１半導体チップ３１００と、光電変換部１６０によって取得された信号を処理する信号処理部３０２０を有する第２半導体チップ３２００と、を備えている。第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００とは積層されている。また、信号処理部３０２０と近接して、電子デバイス３０００を制御する制御部３０３０、光電変換部１６０によって取得された信号を記憶するメモリ部３０４０が設けられている。制御部３０３０は、信号処理部３０２０の制御以外にも、例えば光電変換部１６０の近傍に、他の駆動や制御の目的で配置することができる。制御部３０３０は、図示した配置以外にも、第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００の任意の領域に、任意の機能を有するように設けることができる。なお、複数の光電変換部１６０は、２次元マトリクス状（行列状）に配置されている。また、図５３においては、説明の関係上、第１半導体チップ３１００と第２半導体チップ３２００とを分離した状態で図示している。
　１１．移動体への応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
　図５４は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
　車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図５４に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
　駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
　ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
　車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
　撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
　車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
　マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
　音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図５４の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
　図５５は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
　図５５では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
　撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
　なお、図５５には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
　例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
　撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、撮像部１２０３１に適用され得る。具体的には、撮像装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）１０００は、撮像部１２０３１に適用することができる。」等）。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、より見やすい撮影画像を得ることができるため、ドライバの疲労を軽減することが可能になる。
　１２．内視鏡手術システムへの応用例
　本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。
　図５６は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
　図５６では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。
　内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。
　鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。
　カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ: Camera Control Unit）１１２０１に送信される。
　ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やＧＰＵ（Graphics Processing Unit）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。
　表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。
　光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（light emitting diode）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。
　入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。
　処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。
　なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。
　また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。
　また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Narrow Band Imaging）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ICG）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。
　図５７は、図５６に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。
　カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。
　レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。
　撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（dimensional）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。
　また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。
　駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。
　通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。
　また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。
　なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Auto Exposure）機能、ＡＦ（Auto Focus）機能及びＡＷＢ（Auto White Balance）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。
　カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。
　通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。
　また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。
　画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。
　制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。
　また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。
　カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。
　ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。
　以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、カメラヘッド１１１０２の撮像部１１４０２に適用され得る。具体的には、撮像装置（ＳＰＡＤフォトダイオード）１０００は、撮像部１０４０２に適用することができる。撮像部１０４０２に本開示に係る技術を適用することにより、より鮮明な術部画像を得ることができるため、術者が術部を確実に確認することが可能になり、術者が術部を触接観察している場合と同様の感覚で処置を行うことが可能になる。
　なお、ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。
　以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。
　また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的または例示的なものであって限定的ではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、または上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏しうる。
　なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）　半導体基板に形成された第１半導体層と、
　前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、
　前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、
　前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、
　前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、
　を備える、撮像装置。
（２）　前記第１電極と前記第２電極の間に電子増倍のための電圧が印加される、前記（１）に記載の撮像装置。
（３）　前記第２半導体層上に形成された前記第半導体層と同じ導電型の第３半導体層を備える、前記（１）又は（２）に記載の撮像装置。
（４）　前記第２電極は、前記画素分離部の上面に設けられた、前記（１）～（３）のいずれかに記載の撮像装置。
（５）　前記画素分離部及び前記第２電極は、複数の前記画素領域を囲む格子状の平面形状を有する、前記（１）～（４）のいずれかに記載の撮像装置。
（６）　前記第２電極上に形成された遮光性を有する金属層を更に備える、前記（１）～（５）のいずれかに記載の撮像装置。
（７）　前記第２電極上に形成された絶縁層を備え、前記金属層は、前記絶縁層を介して前記第２電極上に形成される、前記（６）に記載の撮像装置。
（８）　複数の前記画素領域を含む画素アレイの外において、光照射面側に設けられた電極取り出し部を備え、
　前記金属層が前記電極取り出し部に接続される、前記（６）に記載の撮像装置。
（９）　前記画素領域の表面に形成され、前記第２電極と接続された補助電極を更に備える、前記（１）～（８）のいずれかに記載の撮像装置。
（１０）　前記第２電極は、前記画素分離部の上端の前記画素領域側に形成される、前記（１）～（３）のいずれかに記載の撮像装置。
（１１）　前記第２電極は前記画素領域を囲むように形成された、前記（１０）に記載の撮像装置。
（１２）　前記第２電極上に前記画素分離部の上端を跨ぐように形成された金属層を備え、
　前記金属層は、隣接する前記画素領域に形成された前記第２電極と接続される、前記（１０）又は（１１）に記載の撮像装置。
（１３）　前記画素分離部は、不純物領域から構成される、前記（１）～（１２）のいずれかに記載の撮像装置。
（１４）　前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において、前記画素分離部に埋め込まれた金属層及び絶縁層を更に備える、前記（１）～（１３）のいずれかに記載の撮像装置。
（１５）　前記金属層及び前記絶縁層は、前記半導体基板の前記一方の面側から前記画素分離部に埋め込まれた、前記（１４）に記載の撮像装置。
（１６）　前記金属層及び前記絶縁層は、前記半導体基板の前記光照射面側から前記画素分離部に埋め込まれた、前記（１４）に記載の撮像装置。
（１７）　前記第２電極と前記金属層が前記絶縁層によって絶縁されている、前記（１６）に記載の撮像装置。
（１８）　前記第２電極と接続され、前記一方の面側に表面に連なるコンタクト層と、
　前記コンタクト層と電気的に接続され、複数の前記画素領域を含む画素アレイの外に設けられた電極取り出し部と、
　を更に備える、前記（１）～（１７）のいずれかに記載の撮像装置。
（１９）　前記コンタクト層は、前記画素アレイの外側又は前記画素アレイの内側に形成される、前記（１８）に記載の撮像装置。
（２０）　前記第２電極は不純物領域から構成され、
　少なくとも前記第２電極の側面を覆うように形成されたカーボン層を備える、前記（１）に記載の撮像装置。
（２１）　前記カーボン層は、前記第２電極の底面を覆うように形成される、前記（２０）に記載の撮像装置。
（２２）　前記第１半導体層及び前記第２半導体層は、共にエピタキシャル層から構成される、前記（１）に記載の撮像装置。
（２３）　前記第２半導体層は、前記画素分離部で囲まれた領域の中央の厚さが周囲に比して薄い、前記（２２）に記載の撮像装置。
（２４）　前記第２電極は不純物領域から構成され、
　少なくとも前記第２電極の側面を覆うように形成された絶縁層を備える、前記（１）に記載の撮像装置。
（２５）　前記画素分離部に沿って上下方向に形成された固定電荷層を備え、
　前記固定電荷層は、前記第２半導体層が形成された階層に形成され、前記第１半導体層が形成された階層には形成されていない、前記（１４）に記載の撮像装置。
（２６）　前記画素分離部に沿って上下方向に形成された固相拡散層を備え、
　前記固相拡散層は、前記第２半導体層が形成された階層に形成され、前記第１半導体層が形成された階層の少なくとも一部には形成されていない、前記（１４）に記載の撮像装置。
（２７）　前記画素分離部は、前記半導体基板の前記一方の面側に形成された埋め込み絶縁膜を含み、
　前記固定電荷層は、前記埋め込み絶縁層の側壁には形成されていない、前記（２５）に記載の撮像装置。
（２８）　前記埋め込み絶縁層の側壁に空乏層領域が設けられた、前記（２７）に記載の撮像装置。
（２９）　前記画素分離部は、前記一方の面側から形成されたトレンチ絶縁部を含み、
　前記トレンチ絶縁部の中に形成されたトレンチ電極を含み、
　前記金属層と前記トレンチ電極が連結されている、前記（１４）に記載の撮像装置。
（３０）　前記金属層と前記トレンチ電極の中心軸が一致する又は前記金属層と前記トレンチ電極の中心軸ずれが生じている、前記（２９）に記載の撮像装置。
（３１）　半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、を備える撮像装置から、前記画素領域のそれぞれに対応する画像信号を受け取り、表示装置に表示するための信号処理を行う信号処理装置。
　１００　　カソード電極（第１電極）
　１３０　　アノード電極（第２電極）
　１３２　　補助電極
　１４０　　コンタクト層
　１５０　　画素分離部
　１５２　　金属層
　１６０　　光電変換部（第３半導体層）
　１７０　　Ｐ型層（第２半導体層）
　１８０　　Ｎ型層（第１半導体層）
　１９０　　埋め込み金属層
　２００　　絶縁層
　２２０　　表面金属層
　２２００　ＤＳＰ回路（信号処理装置）
　２４００　表示部（表示装置）

Claims (31)

  1. 　半導体基板に形成された第１半導体層と、
    　前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、
    　前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、
    　前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、
    　前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、
    　を備える、撮像装置。
  2. 　前記第１電極と前記第２電極の間に電子増倍のための電圧が印加される、請求項１に記載の撮像装置。
  3. 　前記第２半導体層上に形成された前記第２半導体層と同じ導電型の第３半導体層を備える、請求項１に記載の撮像装置。
  4. 　前記第２電極は、前記画素分離部の上面に設けられた、請求項１に記載の撮像装置。
  5. 　前記画素分離部及び前記第２電極は、複数の前記画素領域を囲む格子状の平面形状を有する、請求項１に記載の撮像装置。
  6. 　前記第２電極上に形成された遮光性を有する金属層を更に備える、請求項１に記載の撮像装置。
  7. 　前記第２電極上に形成された絶縁層を備え、前記金属層は、前記絶縁層を介して前記第２電極上に形成される、請求項６に記載の撮像装置。
  8. 　複数の前記画素領域を含む画素アレイの外において、光照射面側に設けられた電極取り出し部を備え、
    　前記金属層が前記電極取り出し部に接続される、請求項６に記載の撮像装置。
  9. 　前記画素領域の表面に形成され、前記第２電極と接続された補助電極を更に備える、請求項１に記載の撮像装置。
  10. 　前記第２電極は、前記画素分離部の上端の前記画素領域側に形成される、請求項１に記載の撮像装置。
  11. 　前記第２電極は前記画素領域を囲むように形成された、請求項１０に記載の撮像装置。
  12. 　前記第２電極上に前記画素分離部の上端を跨ぐように形成された金属層を備え、
    　前記金属層は、隣接する前記画素領域に形成された前記第２電極と接続される、請求項１０に記載の撮像装置。
  13. 　前記画素分離部は、不純物領域から構成される、請求項１に記載の撮像装置。
  14. 　前記半導体基板の厚さ方向の少なくとも一部において、前記画素分離部に埋め込まれた金属層及び絶縁層を更に備える、請求項１に記載の撮像装置。
  15. 　前記金属層及び前記絶縁層は、前記半導体基板の前記一方の面側から前記画素分離部に埋め込まれた、請求項１４に記載の撮像装置。
  16. 　前記金属層及び前記絶縁層は、前記半導体基板の前記光照射面側から前記画素分離部に埋め込まれた、請求項１４に記載の撮像装置。
  17. 　前記第２電極と前記金属層が前記絶縁層によって絶縁されている、請求項１４に記載の撮像装置。
  18. 　前記第２電極と接続され、前記一方の面側に表面に連なるコンタクト層と、
    　前記コンタクト層と電気的に接続され、複数の前記画素領域を含む画素アレイの外に設けられた電極取り出し部と、
    　を更に備える、請求項１に記載の撮像装置。
  19. 　前記コンタクト層は、前記画素アレイの外側又は前記画素アレイの内側に形成される、請求項１８に記載の撮像装置。
  20. 　前記第２電極は不純物領域から構成され、
    　少なくとも前記第２電極の側面を覆うように形成されたカーボン層を備える、請求項１に記載の撮像装置。
  21. 　前記カーボン層は、前記第２電極の底面を覆うように形成される、請求項２０に記載の撮像装置。
  22. 　前記第１半導体層及び前記第２半導体層は、共にエピタキシャル層から構成される、請求項１に記載の撮像装置。
  23. 　前記第２半導体層は、前記画素分離部で囲まれた領域の中央の厚さが周囲に比して薄い、請求項２２に記載の撮像装置。
  24. 　前記第２電極は不純物領域から構成され、
    　少なくとも前記第２電極の側面を覆うように形成された絶縁層を備える、請求項１に記載の撮像装置。
  25. 　前記画素分離部に沿って上下方向に形成された固定電荷層を備え、
    　前記固定電荷層は、前記第２半導体層が形成された階層に形成され、前記第１半導体層が形成された階層には形成されていない、請求項１４に記載の撮像装置。
  26. 　前記画素分離部に沿って上下方向に形成された固相拡散層を備え、
    　前記固相拡散層は、前記第２半導体層が形成された階層に形成され、前記第１半導体層が形成された階層の少なくとも一部には形成されていない、請求項１４に記載の撮像装置。
  27. 　前記画素分離部は、前記半導体基板の前記一方の面側に形成された埋め込み絶縁膜を含み、
    　前記固定電荷層は、前記埋め込み絶縁層の側壁には形成されていない、請求項２５に記載の撮像装置。
  28. 　前記埋め込み絶縁層の側壁に空乏層領域が設けられた、請求項２７に記載の撮像装置。
  29. 　前記画素分離部は、前記一方の面側から形成されたトレンチ絶縁部を含み、
    　前記トレンチ絶縁部の中に形成されたトレンチ電極を含み、
    　前記金属層と前記トレンチ電極が連結されている、請求項１４に記載の撮像装置。
  30. 　前記金属層と前記トレンチ電極の中心軸が一致する又は前記金属層と前記トレンチ電極の中心軸ずれが生じている、請求項２９に記載の撮像装置。
  31. 　半導体基板に形成された第１半導体層と、前記第１半導体層上に形成された前記第１半導体層と逆導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層及び前記第２半導体層を含む画素領域を画定する画素分離部と、前記半導体基板の一方の面側から前記第１半導体層と接続された第１電極と、前記半導体基板の他方の面である光照射面側から前記第２半導体層と接続され、前記画素分離部の位置に対応するように形成された第２電極と、を備える撮像装置から、前記画素領域のそれぞれに対応する画像信号を受け取り、表示装置に表示するための信号処理を行う信号処理装置。
PCT/JP2018/011179 2017-03-22 2018-03-20 撮像装置及び信号処理装置 WO2018174090A1 (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020187032417A KR102566061B1 (ko) 2017-03-22 2018-03-20 촬상 장치 및 신호 처리 장치
EP18770698.1A EP3462497A4 (en) 2017-03-22 2018-03-20 IMAGING DEVICE AND SIGNAL PROCESSING DEVICE
CN201880002008.8A CN109155325A (zh) 2017-03-22 2018-03-20 摄像装置和信号处理装置
KR1020247001195A KR20240010101A (ko) 2017-03-22 2018-03-20 촬상 장치 및 신호 처리 장치
JP2019507707A JP7237819B2 (ja) 2017-03-22 2018-03-20 撮像装置及び信号処理装置
US16/301,877 US10777597B2 (en) 2017-03-22 2018-03-20 Imaging device
KR1020237026230A KR102625899B1 (ko) 2017-03-22 2018-03-20 촬상 장치 및 신호 처리 장치
US16/987,745 US11424281B2 (en) 2017-03-22 2020-08-07 Imaging device and signal processing device
US17/858,688 US20220344386A1 (en) 2017-03-22 2022-07-06 Imaging device and signal processing device

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017-055582 2017-03-22
JP2017055582 2017-03-22
JP2018-045205 2018-03-13
JP2018045205 2018-03-13

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/301,877 A-371-Of-International US10777597B2 (en) 2017-03-22 2018-03-20 Imaging device
US16/987,745 Continuation US11424281B2 (en) 2017-03-22 2020-08-07 Imaging device and signal processing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018174090A1 true WO2018174090A1 (ja) 2018-09-27

Family

ID=63585978

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/011179 WO2018174090A1 (ja) 2017-03-22 2018-03-20 撮像装置及び信号処理装置

Country Status (6)

Country Link
US (3) US10777597B2 (ja)
EP (1) EP3462497A4 (ja)
JP (1) JP7237819B2 (ja)
KR (3) KR102566061B1 (ja)
CN (1) CN109155325A (ja)
WO (1) WO2018174090A1 (ja)

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020189179A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および受光素子の製造方法ならびに撮像装置
WO2020202888A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップおよび測距装置
WO2020203222A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2021009978A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置
WO2021009979A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置
JP2021027084A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および電子機器
WO2021085172A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距モジュール、および、電子機器
WO2021100528A1 (ja) * 2019-11-19 2021-05-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2021106383A1 (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び電子機器
WO2021124697A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器
WO2021131651A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ及びその製造方法
WO2021131641A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ
WO2021149650A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 フォトセンサ及び距離測定システム
WO2021161687A1 (ja) * 2020-02-10 2021-08-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ装置、測距装置
WO2021187096A1 (ja) * 2020-03-16 2021-09-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および測距システム
JP2021177521A (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 浜松ホトニクス株式会社 光センサ
WO2022004088A1 (ja) 2020-06-29 2022-01-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2022014365A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子およびその製造方法、並びに、電子機器
WO2022014364A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子およびその製造方法、並びに、電子機器
WO2022054617A1 (ja) * 2020-09-11 2022-03-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
EP3920243A4 (en) * 2019-02-01 2022-04-20 Sony Semiconductor Solutions Corporation LIGHT RECEIPT ELEMENT, SOLID STATE IMAGING DEVICE AND RANGE MEASURING DEVICE
WO2022113733A1 (ja) * 2020-11-24 2022-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距システム、および、電子機器
WO2022163373A1 (ja) * 2021-01-27 2022-08-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置
WO2022210149A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
JP2023045838A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2023045837A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キヤノン株式会社 光電変換装置
WO2024014145A1 (ja) * 2022-07-12 2024-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
WO2024090039A1 (ja) * 2022-10-26 2024-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
WO2024135105A1 (ja) * 2022-12-21 2024-06-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子及び電子機器

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7007088B2 (ja) * 2016-12-07 2022-01-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、撮像素子および電子機器
JP6860467B2 (ja) * 2017-10-26 2021-04-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 フォトダイオード、画素回路、および、フォトダイオードの製造方法
JP7129199B2 (ja) * 2018-04-11 2022-09-01 キヤノン株式会社 光検出装置、光検出システム及び移動体
TWI814902B (zh) * 2018-09-21 2023-09-11 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置
KR20210023459A (ko) * 2019-08-23 2021-03-04 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센싱 장치
US11605665B2 (en) * 2019-10-25 2023-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus and method for producing semiconductor apparatus
FR3102612B1 (fr) * 2019-10-28 2023-04-07 St Microelectronics Crolles 2 Sas Circuit integré comprenant un réseau de diodes à avalanche déclenchée par un photon unique et procédé de fabrication d’un tel circuit intégré
FR3103635A1 (fr) * 2019-11-26 2021-05-28 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Capteur d'images comportant une pluralité de photodiodes SPAD
WO2021117523A1 (ja) 2019-12-09 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子及び電子機器
US11508867B2 (en) * 2020-01-28 2022-11-22 Adaps Photonics Inc. Single photon avalanche diode device
JP2021166249A (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 キヤノン株式会社 光電変換装置およびその製造方法
US11450700B2 (en) 2020-07-29 2022-09-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor image sensor pixel isolation structure for reducing crosstalk
CN111968999A (zh) * 2020-09-08 2020-11-20 上海大芯半导体有限公司 堆栈式背照单光子雪崩二极管图像传感器
US20220293647A1 (en) * 2021-03-10 2022-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Dielectric structure overlying image sensor element to increase quantum efficiency
US20230065063A1 (en) * 2021-08-24 2023-03-02 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Single-photon avalanche diodes with deep trench isolation

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008004547A1 (fr) * 2006-07-03 2008-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Ensemble photodiode
JP2008147409A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
JP2013175494A (ja) * 2011-03-02 2013-09-05 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2014518458A (ja) * 2011-07-08 2014-07-28 エクセリタス カナダ，インコーポレイテッド 光子計数ｕｖ−ａｐｄ
JP2014241543A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社東芝 光検出装置およびｃｔ装置
JP2015041746A (ja) 2013-08-23 2015-03-02 株式会社豊田中央研究所 シングルフォトンアバランシェダイオード
JP2016082067A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2017011211A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社東芝 固体撮像装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5837689B2 (ja) * 1975-11-18 1983-08-18 株式会社東芝 ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ
KR100872719B1 (ko) * 2007-04-17 2008-12-05 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 그의 제조방법
JP2009206356A (ja) * 2008-02-28 2009-09-10 Toshiba Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US20100108893A1 (en) * 2008-11-04 2010-05-06 Array Optronix, Inc. Devices and Methods for Ultra Thin Photodiode Arrays on Bonded Supports
JP4924617B2 (ja) 2009-01-05 2012-04-25 ソニー株式会社 固体撮像素子、カメラ
KR101776955B1 (ko) * 2009-02-10 2017-09-08 소니 주식회사 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 전자 기기
JP5262823B2 (ja) * 2009-02-23 2013-08-14 ソニー株式会社 固体撮像装置および電子機器
JP2011023470A (ja) * 2009-07-14 2011-02-03 Toshiba Corp Ｃｍｏｓイメージセンサ、及びその製造方法
JP5663925B2 (ja) * 2010-03-31 2015-02-04 ソニー株式会社 固体撮像装置、および、その製造方法、電子機器
JP5581954B2 (ja) * 2010-10-07 2014-09-03 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法、及び電子機器
US9570489B2 (en) * 2011-07-12 2017-02-14 Sony Corporation Solid state imaging device having impurity concentration on light receiving surface being greater or equal to that on opposing surface
JP5794068B2 (ja) * 2011-09-16 2015-10-14 ソニー株式会社 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
JP6003316B2 (ja) * 2012-07-12 2016-10-05 ソニー株式会社 固体撮像装置、電子機器
KR102034482B1 (ko) * 2013-03-04 2019-10-21 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이의 형성 방법
JP2015012043A (ja) * 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 撮像装置およびその製造方法
JP6303803B2 (ja) * 2013-07-03 2018-04-04 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2015056622A (ja) * 2013-09-13 2015-03-23 株式会社リコー 半導体装置
JP6465545B2 (ja) * 2013-09-27 2019-02-06 ソニー株式会社 撮像素子およびその製造方法ならびに電子機器
JP6555956B2 (ja) 2014-07-31 2019-08-07 株式会社半導体エネルギー研究所 撮像装置、監視装置、及び電子機器
US9209320B1 (en) * 2014-08-07 2015-12-08 Omnivision Technologies, Inc. Method of fabricating a single photon avalanche diode imaging sensor
JP2016092178A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 株式会社リコー 固体撮像素子
US10008530B2 (en) * 2015-01-30 2018-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Image sensing device and manufacturing method thereof
CN113437104A (zh) * 2015-02-27 2021-09-24 索尼公司 固态成像装置及电子装置
US10177187B2 (en) * 2015-05-28 2019-01-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Implant damage free image sensor and method of the same
KR102545170B1 (ko) * 2015-12-09 2023-06-19 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
CN113923387A (zh) * 2016-02-29 2022-01-11 索尼公司 固态摄像装置
JP6878338B2 (ja) * 2018-03-14 2021-05-26 株式会社東芝 受光装置および受光装置の製造方法
TWI814902B (zh) * 2018-09-21 2023-09-11 日商索尼半導體解決方案公司 攝像裝置
US20220077212A1 (en) * 2018-12-28 2022-03-10 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic device

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008004547A1 (fr) * 2006-07-03 2008-01-10 Hamamatsu Photonics K.K. Ensemble photodiode
JP2008147409A (ja) * 2006-12-08 2008-06-26 Sharp Corp 固体撮像装置およびその製造方法、電子情報機器
JP2013175494A (ja) * 2011-03-02 2013-09-05 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法及び電子機器
JP2014518458A (ja) * 2011-07-08 2014-07-28 エクセリタス カナダ，インコーポレイテッド 光子計数ｕｖ−ａｐｄ
JP2014241543A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社東芝 光検出装置およびｃｔ装置
JP2015041746A (ja) 2013-08-23 2015-03-02 株式会社豊田中央研究所 シングルフォトンアバランシェダイオード
JP2016082067A (ja) * 2014-10-16 2016-05-16 株式会社東芝 固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
JP2017011211A (ja) * 2015-06-25 2017-01-12 株式会社東芝 固体撮像装置

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3920243A4 (en) * 2019-02-01 2022-04-20 Sony Semiconductor Solutions Corporation LIGHT RECEIPT ELEMENT, SOLID STATE IMAGING DEVICE AND RANGE MEASURING DEVICE
WO2020189179A1 (ja) * 2019-03-20 2020-09-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および受光素子の製造方法ならびに撮像装置
US11804561B2 (en) 2019-03-20 2023-10-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Light receiving element, method of manufacturing light receiving element, and imaging apparatus
WO2020202888A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサチップおよび測距装置
WO2020203222A1 (ja) * 2019-03-29 2020-10-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
JP7480120B2 (ja) 2019-03-29 2024-05-09 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
US11855105B2 (en) 2019-03-29 2023-12-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging device and electronic device
EP3998642A4 (en) * 2019-07-12 2022-09-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation OPTICAL DETECTION DEVICE
WO2021009978A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置
WO2021009979A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置
JP2021027084A (ja) * 2019-07-31 2021-02-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および電子機器
JP7445397B2 (ja) 2019-07-31 2024-03-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および電子機器
WO2021085172A1 (ja) * 2019-10-30 2021-05-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距モジュール、および、電子機器
WO2021100528A1 (ja) * 2019-11-19 2021-05-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2021106383A1 (ja) * 2019-11-28 2021-06-03 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置及び電子機器
WO2021124697A1 (ja) * 2019-12-16 2021-06-24 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器
WO2021131641A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ
WO2021131651A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ及びその製造方法
JP6913841B1 (ja) * 2019-12-26 2021-08-04 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ
JP6913840B1 (ja) * 2019-12-26 2021-08-04 浜松ホトニクス株式会社 測距イメージセンサ及びその製造方法
WO2021149650A1 (ja) * 2020-01-21 2021-07-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 フォトセンサ及び距離測定システム
WO2021161687A1 (ja) * 2020-02-10 2021-08-19 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 センサ装置、測距装置
WO2021187096A1 (ja) * 2020-03-16 2021-09-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および測距システム
WO2021225015A1 (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 浜松ホトニクス株式会社 光センサ
JP2021177521A (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 浜松ホトニクス株式会社 光センサ
WO2022004088A1 (ja) 2020-06-29 2022-01-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR20230028260A (ko) 2020-06-29 2023-02-28 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
WO2022014365A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子およびその製造方法、並びに、電子機器
WO2022014364A1 (ja) * 2020-07-17 2022-01-20 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子およびその製造方法、並びに、電子機器
WO2022054617A1 (ja) * 2020-09-11 2022-03-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置及び電子機器
WO2022113733A1 (ja) * 2020-11-24 2022-06-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子、測距システム、および、電子機器
WO2022163373A1 (ja) * 2021-01-27 2022-08-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置および測距装置
WO2022210149A1 (ja) * 2021-03-30 2022-10-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
JP2023045838A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2023045837A (ja) * 2021-09-22 2023-04-03 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP7467401B2 (ja) 2021-09-22 2024-04-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP7512241B2 (ja) 2021-09-22 2024-07-08 キヤノン株式会社 光電変換装置
WO2024014145A1 (ja) * 2022-07-12 2024-01-18 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
WO2024090039A1 (ja) * 2022-10-26 2024-05-02 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出装置及び電子機器
WO2024135105A1 (ja) * 2022-12-21 2024-06-27 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子及び電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP7237819B2 (ja) 2023-03-13
US10777597B2 (en) 2020-09-15
US11424281B2 (en) 2022-08-23
KR102566061B1 (ko) 2023-08-11
US20200365629A1 (en) 2020-11-19
JPWO2018174090A1 (ja) 2020-01-23
KR20190129683A (ko) 2019-11-20
KR20240010101A (ko) 2024-01-23
CN109155325A (zh) 2019-01-04
US20220344386A1 (en) 2022-10-27
EP3462497A4 (en) 2020-04-08
EP3462497A1 (en) 2019-04-03
KR102625899B1 (ko) 2024-01-18
KR20230119250A (ko) 2023-08-16
US20190157323A1 (en) 2019-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11424281B2 (en) Imaging device and signal processing device
TWI814902B (zh) 攝像裝置
EP3614434B1 (en) Semiconductor element, method for producing same, and electronic device
WO2019131134A1 (ja) 受光素子および電子機器
US12027562B2 (en) Imaging element and semiconductor element
JP2017126738A (ja) 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器
WO2022065131A1 (ja) 固体撮像装置、電子機器および固体撮像装置の製造方法
WO2019155782A1 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
US20220254823A1 (en) Imaging device
WO2019181466A1 (ja) 撮像素子、電子機器
WO2017122537A1 (ja) 受光素子、受光素子の製造方法、撮像素子および電子機器
US20200286936A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
WO2023042462A1 (ja) 光検出装置、光検出装置の製造方法、及び電子機器
US20220344390A1 (en) Organic cis image sensor
US20230154948A1 (en) Imaging element and imaging device
US20240170509A1 (en) Light receiving element, photodetector, electronic apparatus, and method of manufacturing light receiving element
WO2022201745A1 (ja) 固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019507707

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20187032417

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18770698

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018770698

Country of ref document: EP

Effective date: 20181231

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE