JP7467401B2 - 光電変換装置 - Google Patents
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Description
第1の実施形態に係る光電変換装置について図6から図10までを用いて説明する。
第2の実施形態に係る光電変換装置について図11を用いて説明する。
第2の実施形態の変形例について図13を用いて説明する。
第3の実施形態に係る光電変換装置について図14、図15を用いて説明する。
第4の実施形態に係る光電変換装置について図16、図17を用いて説明する。
第5の実施形態に係る光電変換装置について図18、図19を用いて説明する。
本実施形態による光電変換システムについて、図20を用いて説明する。図20は、本実施形態による光電変換システムの概略構成を示すブロック図である。
本実施形態の光電変換システム及び移動体について、図21を用いて説明する。図21は、本実施形態の光電変換システム及び移動体の構成を示す図である。
本実施形態の光電変換システムについて、図22を用いて説明する。図22は、本実施形態の光電変換システムである距離画像センサの構成例を示すブロック図である。
本実施形態の光電変換システムについて、図23を用いて説明する。図23は、本実施形態の光電変換システムである内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
本実施形態の光電変換システムについて、図24(a)、(b)を用いて説明する。図24(a)は、本実施形態の光電変換システムである眼鏡1600(スマートグラス)を説明する。眼鏡1600には、光電変換装置1602を有する。光電変換装置1602は、上記の各実施形態に記載の光電変換装置である。また、レンズ1601の裏面側には、OLEDやLED等の発光装置を含む表示装置が設けられていてもよい。光電変換装置1602は1つでもよいし、複数でもよい。また、複数種類の光電変換装置を組み合わせて用いてもよい。光電変換装置1602の配置位置は図24(a)に限定されない。
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
102 アバランシェダイオード
311 第1の半導体領域
312 第2の半導体領域
313 第3の半導体領域
331A 第1の配線部
331B 第2の配線部
Claims (19)
- 第1の面と、前記第1の面に対向する第2の面と、を有する半導体層に配されたアバランシェダイオードを有する光電変換装置であって、
前記アバランシェダイオードは、
第1の深さに配された第1の導電型の第1の半導体領域と、
前記第1の深さよりも前記第2の面に対して深い第2の深さに配され、前記第1の半導体領域との間にアバランシェ増倍領域を形成する第2の導電型の第2の半導体領域と、
前記第2の面からの平面視において、前記第1の半導体領域の端部に接して設けられた第3の半導体領域と、
前記第1の半導体領域に接続された第1の配線部と、
前記第2の半導体領域に接続された第2の配線部と、
を有し、
前記第2の面からの平面視において、前記第1の配線部に対向する絶縁膜と前記第2の配線部との境界部の少なくとも一部が、前記第3の半導体領域に重なり、前記第1の半導体領域に重ならないことを特徴とする光電変換装置。 - 前記第2の面からの平面視において、前記第1の半導体領域の面積は前記第3の半導体領域の面積よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の光電変換装置。
- 前記第3の半導体領域における不純物濃度は前記第1の半導体領域における不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の光電変換装置。
- 前記第1の配線部及び前記第2の配線部は、前記第2の面側に積層された複数の配線層のいずれかに形成され、
前記第2の配線部は、前記第1の半導体領域と前記第1の配線部とを接続するコンタクトよりも前記第2の面から遠い配線層であって、前記複数の配線層のうち前記第2の面に最も近い配線層に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の配線部と前記第2の配線部とは、前記第2の面側に積層された同一の配線層に形成されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の面に垂直な方向における前記第2の面から前記第2の配線部までの距離は、
前記第2の面に水平な方向における前記第1の配線部から前記第2の配線部までの距離よりも短いことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第1の面は光入射面であることを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の面からの平面視において、
前記第2の配線部は、前記第1の配線部の周囲を囲むことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記第2の面からの平面視において、前記第1の半導体領域は前記第2の半導体領域に内包されることを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の深さよりも第2の面に対して深い第3の深さに配された、前記第2の導電型の第4の半導体領域を有することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の半導体領域と前記第4の半導体領域との間に前記第1の導電型の第5の半導体領域が設けられ、
前記第5の半導体領域における前記第1の導電型の不純物濃度は前記第1の半導体領域における前記第1の導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項10に記載の光電変換装置。 - 前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域とのポテンシャル差は前記第2の半導体領域と前記第5の半導体領域とのポテンシャル差よりも大きいことを特徴とする請求項11に記載の光電変換装置。
- 前記光電変換装置は複数の前記アバランシェダイオードを有し、
前記複数のアバランシェダイオードは、第1のアバランシェダイオードと、前記第1のアバランシェダイオードに隣り合う第2のアバランシェダイオードとを含み、
前記第1のアバランシェダイオードと前記第2のアバランシェダイオードとの間に画素分離部を有することを特徴とする、請求項1乃至請求項12のいずれか一項に記載の光電変換装置。 - 前記複数のアバランシェダイオードは前記第2のアバランシェダイオードに隣り合う第3のアバランシェダイオードを含み、
前記第1のアバランシェダイオードと前記第2のアバランシェダイオードとの間に第1の画素分離部を有し、
前記第2のアバランシェダイオードと前記第3のアバランシェダイオードとの間に第2の画素分離部を有し、
前記第2のアバランシェダイオードにおける前記第2の半導体領域は、前記第1の面に垂直な断面において前記第1の画素分離部から前記第2の画素分離部まで延在することを特徴とする請求項13に記載の光電変換装置。 - 前記半導体層は、前記第2の面に積層された酸化膜と窒化膜とを有することを特徴とする請求項1乃至請求項14のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記半導体層は、前記第1の面に設けられた複数の凹凸構造を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項15のいずれか一項に記載の光電変換装置。
- 前記第2の配線部のうち、前記第1の配線部に対向する境界部の少なくとも一部が、前記第2の面からの平面視において前記複数の凹凸構造の形成された領域に内包されることを特徴とする請求項16に記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至請求項17のいずれか一項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置が出力する信号を用いて画像を生成する信号処理部と、を有することを特徴とする光電変換システム。 - 請求項1乃至17のいずれか1項に記載の光電変換装置を備える移動体であって、
前記光電変換装置が出力する信号を用いて前記移動体の移動を制御する制御部を有することを特徴とする移動体。
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Citations (6)
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WO2018174090A1 (ja) | 2017-03-22 | 2018-09-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置及び信号処理装置 |
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