JP2022113371A - 光検出装置 - Google Patents
光検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022113371A JP2022113371A JP2021009581A JP2021009581A JP2022113371A JP 2022113371 A JP2022113371 A JP 2022113371A JP 2021009581 A JP2021009581 A JP 2021009581A JP 2021009581 A JP2021009581 A JP 2021009581A JP 2022113371 A JP2022113371 A JP 2022113371A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- pixel
- region
- contact
- diffusion layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 72
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 72
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 94
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 15
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 39
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 37
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 24
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 10
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 10
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 10
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 101000822633 Pseudomonas sp 3-succinoylsemialdehyde-pyridine dehydrogenase Proteins 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000822028 Homo sapiens Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 1
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 1
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 1
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000000116 mitigating effect Effects 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1463—Pixel isolation structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14636—Interconnect structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1464—Back illuminated imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/107—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
【課題】画素における駆動開始電圧の変動を抑制することができる光検出装置を提供する。
【解決手段】本開示による光検出装置は、光入射面である第１面と、光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、第２面側に設けられ、画素分離部と接する第１絶縁膜と、第１絶縁膜とアバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜とを備え、第２絶縁膜の膜厚は前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚い。
【選択図】図１
【解決手段】本開示による光検出装置は、光入射面である第１面と、光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、第２面側に設けられ、画素分離部と接する第１絶縁膜と、第１絶縁膜とアバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜とを備え、第２絶縁膜の膜厚は前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚い。
【選択図】図１
Description
本開示は、光検出装置に関する。
アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）には、ブレークダウン電圧よりも高いバイアス電圧で動作させるガイガーモードと、ブレークダウン電圧近傍の少し高いバイアス電圧で動作させるリニアモードとがある。ガイガーモードのアバランシェフォトダイオードは、シングルフォトンアバランシェダイオード（ＳＰＡＤ）とも呼ばれている。ＳＰＡＤは、光電変換により発生したキャリアを画素毎に設けられた高電界のＰＮ接合領域で増倍させることで、１個のフォトンを画素毎に検出する。
このようなＳＰＡＤにおいて、画素間を分離するために深い素子分離部が半導体基板に設けられる場合がある。この素子分離部を形成する際には、ストッパ膜（例えば、シリコン窒化膜）が必要となるが、このストッパ膜はＳＰＡＤの駆動中において電荷をトラップして画素における駆動開始電圧を変化させるおそれがあった。
そこで、本開示では、画素における駆動開始電圧の変動を抑制することができる光検出装置を提供する。
本開示の一側面の光検出装置は、光入射面である第１面と、光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、第２面側に設けられ、画素分離部と接する第１絶縁膜と、第１絶縁膜とアバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜と、を備え、第２絶縁膜の膜厚は第１絶縁膜の膜厚よりも厚い。
第１絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、第２絶縁膜は、シリコン酸化膜である。
第１絶縁膜は、１５ｎｍ未満であり、第２絶縁膜は、４０ｎｍ以下である。
第１絶縁膜は、画素分離部の第２面側の端部に接する。
光検出装置は、第１絶縁膜と第２絶縁膜との間に設けられ、第１および第２絶縁膜に比べて、面密度が高い第３絶縁膜をさらに備える。
第３絶縁膜は、酸化アルミニウムを含む。
第３絶縁膜は、酸化アルミニウムを含む。
第１絶縁膜は、アバランシェ増幅領域の下方に設けられている。
第１絶縁膜は、画素分離部の第２面側の端部の直下のみに設けられている。
光検出装置は、第１および第２絶縁膜を貫通してアバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備える。
光検出装置は、アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、第１および第２絶縁膜を貫通して電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備える。
第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する。
光検出装置は、第１コンタクトプラグをアバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、第２コンタクトプラグを電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、第１コンタクト拡散層は、アバランシェ増幅領域よりも広い。
光検出装置は、第１コンタクトプラグをアバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、第２コンタクトプラグを電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、第２コンタクト拡散層は、電荷蓄積領域の一端の端面よりも広い。
本開示の他の側面の光検出装置は、光入射面である第１面と、光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、画素分離部の第２面側の端部に接するシリコン酸化膜と、を備える。
光検出装置は、シリコン酸化膜を貫通してアバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備える。
光検出装置は、アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、シリコン酸化膜を貫通して電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備える。
第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する。
以下、本技術を適用した具体的な実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。本技術は、光検出器に適用できる。また光検出器として、ここではＡＰＤを例に挙げて説明する。
ＳＰＡＤは、光電変換により発生したキャリアを画素毎に設けられた高電界のＰＮ接合領域で増倍させることで、１個のフォトンを画素毎に検出することができる。本技術は、ＡＰＤのうちのＳＰＡＤに適用することで、より高い効果を得ることができる。
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態による裏面照射型ＳＡＰＤの構成例を示す断面図である。画素１は、基板１０と、素子分離部７０と、オンチップレンズ８０と、絶縁膜９０、９２、９４と、コンタクトプラグＣＮＴ１、ＣＮＴ２とを備えている。
図１は、第１実施形態による裏面照射型ＳＡＰＤの構成例を示す断面図である。画素１は、基板１０と、素子分離部７０と、オンチップレンズ８０と、絶縁膜９０、９２、９４と、コンタクトプラグＣＮＴ１、ＣＮＴ２とを備えている。
基板１０は、例えば、シリコン基板であり、光入射面である第１面Ｆ１と、第１面Ｆ１に対して反対側にある第２面Ｆ２とを有する。基板１０は、第２面Ｆ２から導入されたウェル拡散層２０を有する。ウェル拡散層２０は、Ｎ型半導体領域であってもよいし、Ｐ型の半導体領域であってもよい。また、ウェル拡散層２０は、例えば、１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の低濃度のＮ－型またはＰ－型半導体領域であることが好ましい。これにより、ウェル拡散層２０を空乏化させやすくなり、光子検出効率（ＰＤＥ（Photon Detection Efficiency））を向上させることができる。
第２面Ｆ２の表面領域におけるウェル拡散層２０には、カソードとして機能するＮ型不純物拡散層４０が設けられている。また、ウェル拡散層２０内において、拡散層４０に隣接してＰ+型不純物拡散層３０が設けられている。拡散層４０は、例えば、不純物濃度がウェル拡散層２０よりも高いＮ型半導体領域である。拡散層３０は、不純物濃度がウェル拡散層２０および拡散層４０よりも高いＰ＋型半導体領域である。拡散層３０と拡散層４０は、接合界面においてＰＮ接合部を構成している。拡散層３０、４０は、被検出光の入射によって生じたキャリアをアバランシェ増幅する増幅領域として機能する。拡散層４０は、空乏化していることが好ましく、これによりＰＤＥを向上させることができる。以下、拡散層３０、４０は、アバランシェ増幅領域ともいう。尚、拡散層３０、４０は、それぞれ第１導電型領域および第２導電型領域の一例である。
拡散層４０には、不純物濃度が高いＮ＋型コンタクト拡散層５０が設けられている。第１コンタクト拡散層としてのコンタクト拡散層５０は、拡散層４０に接続されており、かつ、コンタクトプラグＣＮＴ１を介して、図示しない制御回路（ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）回路）に接続されている。
電荷蓄積領域としてのホール蓄積領域６０は、ウェル拡散層２０と素子分離部７０との間の基板１０に設けられている。即ち、ホール蓄積領域６０は、アバランシェ増幅領域（３０、４０）の周囲に設けられ、ウェル拡散層２０の両側に拡散層３０、４０と離間して設けられている。さらに、ホール蓄積領域６０は、ウェル拡散層２０とオンチップレンズ８０との間にも設けられている。即ち、ホール蓄積領域６０は、ウェル拡散層２０の第１表面Ｆ１側にも設けられている。ホール蓄積領域６０は、異なる材質が接する部分に設けられている。例えば、基板１０（例えば、シリコン）と素子分離部７０（例えば、タングステン等の金属材料）との界面、あるいは、基板１０とオンチップレンズ８０（例えば、樹脂）との界面に設けられている。ホール蓄積領域６０は、これらの界面において発生する暗電流を抑制するために設けられている。尚、素子分離部７０は、隣接する画素１を分離する画素分離部の一例である。
ホール蓄積領域６０および素子分離部７０を備えることによって、画素１間の電気的および光学的なクロストークを抑制することができる。また、ホール蓄積領域６０をウェル拡散層２０の両側面に設けることによって、横方向（Ｘ方向またはＹ方向）の電界がウェル拡散層２０の両側面に形成され、その高電界領域に電荷を収集しやすくなる。これは、ＰＤＥの向上につながる。また、素子分離部７０に遮光性の高いタングステン等の金属材料を用いることによって、入射光をウェル拡散層２０へ反射してＰＤＥをさらに向上させることができ、尚且つ、隣接する画素１間のクロストークを抑制することができる。
ホール蓄積領域６０は、イオン注入、固相拡散、固定電荷膜による誘起等により形成することができる。
ウェル拡散層２０と素子分離部７０との界面にホール蓄積領域６０を設けることによって、ホール蓄積領域６０は、該界面で発生した電子をトラップすることができ、暗電流成分（即ち、ＤＣＲ（Dark Count Rate））を抑制することができる。ここでは、ホール蓄積領域６０は、ホール（正孔）を蓄積して、電子をトラップする。しかし、画素１内の各拡散層の導電型を逆にすることによって、蓄積領域６０は、電子を蓄積し、ホールをトラップするようにしてもよい。
尚、暗電流成分が充分に小さい場合には、ホール蓄積領域６０をウェル拡散層２０の両側面のみに設けてもよい。この場合、第１面Ｆ１のホール蓄積領域６０は省略しても構わない。また、ホール蓄積領域６０は、イオン注入、固相拡散、固定電荷膜による誘起等により形成することができる。
素子分離部７０は、各画素１のウェル拡散層２０の周囲を囲むように設けられており、隣接する画素１間を電気的および光学的に分離するために設けられている。例えば、第１面Ｆ１に対して略垂直方向（Ｚ方向）から見た平面視において、素子分離部７０は、各画素１のアバランシェ増幅領域の周囲を囲むように格子状に設けられている。また、素子分離部７０は、第１面Ｆ１に対して略垂直方向（Ｚ方向）に切断した断面において、基板１０の第１面Ｆ１から第２面Ｆ２まで貫通している。即ち、素子分離部７０は、隣接する画素１間に設けられており、画素１に対してアバランシェ増幅領域（３０、４０）を１対１に対応させている。これにより、素子分離部７０は、各画素１を電気的および光学的に分離することができる。なお、素子分離部７０は、基板１０の途中まで挿入されている構成であってもよい。
オンチップレンズ８０は、基板１０の第１面Ｆ１上に設けられている。オンチップレンズ８０には、例えば、透明な樹脂が用いられる。本実施形態では、コンタクトプラグＣＮＴ１～ＣＮＴ３や制御回路が設けられる第２面Ｆ２とは反対側の第１面（裏面）Ｆ１から光を入射する。従って、画素１は、裏面照射型ＳＡＰＤである。裏面照射型の画素の場合、図示しない制御回路は、別基板として基板１０の第２面（表面）Ｆ２側に積層してもよい。また、制御回路は、同一基板１０内において、第２面Ｆ２の画素エリア外の領域に配置してもよい。
ホール蓄積領域６０の第２面Ｆ２側には、不純物濃度が高いＰ＋型コンタクト拡散層６５が設けられている。第２コンタクト拡散層としてのコンタクト拡散層６５は、ホール蓄積領域６０に接続されており、かつ、コンタクトプラグＣＮＴ２を介して制御回路に接続されている。コンタクト拡散層６５は、アノードとして機能する。
基板１０の第２面Ｆ２上には、絶縁膜９０、９２、９４がこの順番に積層されている。第１絶縁膜としての絶縁膜９２は、絶縁膜９０と絶縁膜９４との間に設けられており、第１面Ｆ１側から素子分離部７０を形成する際のストッパとして機能する。従って、絶縁膜９２は、素子分離部７０の第２面Ｆ２側の端部において素子分離部７０と接触している。絶縁膜９２には、例えば、シリコン窒化膜、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）、酸化ランタン（Ｌａ２Ｏ３）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）等の絶縁膜が用いられる。
第２絶縁膜としての絶縁膜９０は、絶縁膜９２と拡散層４０との間に設けられている。即ち、絶縁膜９０は、絶縁膜９２とアバランシェ増幅領域（３０、４０）との間に設けられている。絶縁膜９０には、例えば、シリコン酸化膜が用いられている。
絶縁膜９４は、絶縁膜９２に接触するように設けられている。絶縁膜９４には、例えば、絶縁膜９０と同じシリコン酸化膜が用いられている。
ここで、絶縁膜９０の膜厚は、絶縁膜９２の膜厚よりも厚い。絶縁膜９２は、素子分離部７０を形成する際のエッチングストッパとして設けられている。例えば、素子分離部７０に用いられるトレンチを基板１０に形成する際に、基板１０を第１面Ｆ１から第２面Ｆ２までエッチングし、さらに、絶縁膜９０もエッチングする。このとき、絶縁膜９０は、例えば、シリコン酸化膜であり、絶縁膜９２がシリコン窒化膜である場合、選択比により、エッチングをシリコン窒化膜で停止させることができる。このように、絶縁膜９２は、素子分離部７０を形成する際のエッチングストッパとして機能する。従って、絶縁膜９２の膜厚は、エッチングストッパとして機能可能な厚み（例えば、４０ｎｍ）に形成される。
一方、素子分離部７０は、画素１を電気的および光学的に分離するために、基板１０の第１面Ｆ１から第２面Ｆ２まで設けられていればよい。従って、絶縁膜９２は、第２面Ｆ２近傍に設けられていればよく、絶縁膜９０の膜厚は、エッチング工程を短縮するために薄い方が好ましい。
しかし、絶縁膜９０の膜厚が薄い場合、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷が絶縁膜９０を介して絶縁膜９２にトラップされる。この場合、絶縁膜９２がチャージアップされて、アバランシェ増幅領域（３０、４０）に電界を印加する。アバランシェ増幅領域（３０、４０）に電界が印加されると、画素１の駆動開始電圧（閾値電圧）が変動してしまう。この場合、コンタクトプラグＣＮＴ１、ＣＮＴ２に所定の駆動電圧を印加しても、画素１が期待通りに動作しなくなる。
これに対し、本開示による画素１では、絶縁膜９０の膜厚が絶縁膜９２の膜厚よりも厚い。これにより、アバランシェ増幅領域（３０、４０）と絶縁膜（例えば、シリコン窒化膜）９２との間に、厚い絶縁膜（例えば、シリコン酸化膜）９０が介在し、アバランシェ増幅領域（３０、４０）から絶縁膜９２までの距離を遠くすることができる。これにより、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷は、絶縁膜９２に到達し難くなり、絶縁膜９２にトラップされ難くなる。また、電荷が絶縁膜９２にトラップされても、それによる電界の影響はアバランシェ増幅領域（３０、４０）に届き難くなる。その結果、画素１における駆動開始電圧（閾値電圧）の変動を抑制することができる。
絶縁膜９０がシリコン酸化膜である場合、絶縁膜９０の膜厚は、例えば、１５ｎｍ以上であり、好ましくは、３０ｎｍ以上である。絶縁膜９２がシリコン窒化膜である場合、絶縁膜９２の膜厚は、例えば、４０ｎｍ以下である。
コンタクトプラグＣＮＴ１は、絶縁膜９０、９２、９４を貫通してアバランシェ増幅領域の一端（カソード）としてのコンタクト拡散層５０に電気的に接続される。コンタクトプラグＣＮＴ２は、絶縁膜９０、９２、９４を貫通してアノードとしてのコンタクト拡散層６５に接続され、コンタクト拡散層６５を介してホール蓄積領域６０の一端に電気的に接続される。コンタクトプラグＣＮＴ１、ＣＮＴ２に電圧を印加することによって、拡散層４０からウェル拡散層２０へ空乏層を広げることができる。
図２は、画素１の構成例を示す概略平面図である。図２は、図１のＢ－Ｂ線に沿った平面を示している。画素１は、Ｚ方向からの平面視において、略正方形または略長方形を有する。画素１の外周は、素子分離部７０によって取り囲まれている。素子分離部７０の内側に、ホール蓄積領域６０、ウェル拡散層２０、拡散層４０、拡散層３０がその順に配置されている。
コンタクトプラグＣＮＴ１は、図２では図示しないコンタクト拡散層５０とともに拡散層４０の中心部に接続されている。コンタクトプラグＣＮＴ２は、ホール蓄積領域６０に沿って素子分離部７０の内周全体に設けられている。本開示において、画素１は、一例として方形を有する。この場合、アバランシェ増幅領域（３０、４０） の面積を広く確保することができる。これにより、ＰＤＥを向上させることができる。
一方、画素１は、円形、楕円形、他の多角形であってもよい。例えば、アバランシェ増幅領域（３０、４０）を円形状にした場合、アバランシェ増幅領域（３０、４０）の端部における電界集中を抑制することができ、意図しないエッジブレイクダウンを抑制することができる。
以上のように、第１実施形態による画素１は、絶縁膜９２の膜厚よりも厚い絶縁膜９０を有する。これにより、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷は、絶縁膜９２に到達し難くなり、絶縁膜９２にトラップされ難くなる。また、絶縁膜９２の電荷による影響はアバランシェ増幅領域（３０、４０）に届き難くなる。その結果、画素１における駆動開始電圧（閾値電圧）の変動を抑制することができる。
また、絶縁膜９２は、コンタクトプラグＣＮＴ１、ＣＮＴ２が通過する領域以外、画素１の第２面Ｆ２側の全面を被覆している。絶縁膜９２がシリコン窒化膜である場合、絶縁膜９２は、外部から画素１内部への水素の進入を抑制することができる。その結果、画素１の水素による劣化を抑制することができる。
（第２実施形態）
図３は、第２実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図４は、第２実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図４は、図３のＣ－Ｃ線に沿った平面を示している。尚、図４のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
図３は、第２実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図４は、第２実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図４は、図３のＣ－Ｃ線に沿った平面を示している。尚、図４のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
第２実施形態によれば、絶縁膜９２は、第２面Ｆ２側の素子分離部７０の端部の直下に設けられており、並びに、アバランシェ増幅領域（３０、４０）の下方にも設けられている。一方、絶縁膜９２は、画素１の全面には設けられていない。絶縁膜９２は、コンタクトプラグＣＮＴ２の周囲、即ち、第２面Ｆ２におけるホール蓄積領域６０の端部（コンタクト拡散層６５）の下方（ガードリング領域）、には設けられていない。よって、図４に示すように、絶縁膜９２は、部分的に設けられており、画素１の全体には設けられていない。第２実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。
第２実施形態によれば、絶縁膜９２は部分的に省略されているので、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷は、絶縁膜９２にさらにトラップされ難くなる。それに伴い、絶縁膜９２の電荷による影響はアバランシェ増幅領域（３０、４０）に届き難くなる。その結果、画素１の駆動開始電圧（閾値電圧）の変動をさらに抑制することができる。
一方、絶縁膜９２は、第２面Ｆ２側の素子分離部７０の端部の直下に設けられているので、素子分離部７０の形成工程におけるエッチングストッパとしての機能を果たすことができる。また、絶縁膜９２は、アバランシェ増幅領域（３０、４０）の下方にも設けられている。従って、絶縁膜９２は、外部から画素１内部への水素の進入を或る程度、抑制することができる。
絶縁膜９２の形成領域は、画素１の駆動開始電圧の変動と水素による画素１の劣化とを考慮して決定すればよい。第２実施形態は、さらに、第１実施形態の他の効果を得ることができる。
（第３実施形態）
図５は、第３実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図６は、第３実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図６は、図５のＣ－Ｃ線に沿った平面を示している。尚、図５のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
図５は、第３実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図６は、第３実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図６は、図５のＣ－Ｃ線に沿った平面を示している。尚、図５のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
第３実施形態によれば、絶縁膜９２は、第２面Ｆ２側の素子分離部７０の端部の直下にのみ設けられている。一方、絶縁膜９２は、画素１の全面には設けられていない。絶縁膜９２は、コンタクトプラグＣＮＴ１およびＣＮＴ２の周囲、即ち、第２面Ｆ２におけるホール蓄積領域６０の端部（コンタクト拡散層６５）およびアバランシェ増幅領域（３０、４０）の下方、には設けられていない。よって、図６に示すように、絶縁膜９２は、部分的に設けられており、画素１の全体には設けられていない。第３実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。
第３実施形態によれば、第２実施形態よりも、絶縁膜９２がさらに省略されているので、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷は、絶縁膜９２にさらにトラップされ難くなる。それに伴い、絶縁膜９２の電荷による影響はアバランシェ増幅領域（３０、４０）に届き難くなる。その結果、画素１の駆動開始電圧（閾値電圧）の変動をさらに抑制することができる。
一方、絶縁膜９２は、第２面Ｆ２側の素子分離部７０の端部の直下には設けられているので、素子分離部７０の形成工程におけるエッチングストッパとしての機能を果たすことができる。
（第４実施形態）
図７は、第４実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。尚、図７のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
図７は、第４実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。尚、図７のＢ－Ｂ線に沿った断面は、図２と同じでよい。
第４実施形態によれば、絶縁膜９６が絶縁膜９２と絶縁膜９０との間に設けられている。例えば、絶縁膜９０がシリコン酸化膜であり、絶縁膜９２がシリコン窒化膜である場合、シリコン酸化膜のバンドギャップは、約 ８．８ｅＶであるのに対し、シリコン窒化膜のバンドギャップは、約５．１ｅＶであるため、絶縁膜９０と絶縁膜９２との間の界面に大きなエネルギギャップができる。この場合、アバランシェ増幅領域（３０、４０）からの電荷（例えば、電子）がシリコン窒化膜の絶縁膜９２に蓄積されやすくなる。従って、絶縁膜９０と絶縁膜９２との間に、チャージアップし難い絶縁膜９６を設けている。第３絶縁膜としての絶縁膜９６には、絶縁膜９０に比べて、シリコン酸化膜により近いバンドギャップを有する材料を用いればよい。また、絶縁膜９６は、絶縁膜９２に比べて、面密度が高い酸化膜であることが好ましい。絶縁膜９０がシリコン酸化膜であり、絶縁膜９２がシリコン窒化膜である場合、絶縁膜９６には、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）等の絶縁膜が用いられることが好ましい。
絶縁膜９６は、固定電荷（正電荷）をピニングして絶縁膜９２に蓄積される電荷（負電荷）の影響を抑制することができる。絶縁膜９６は、素子分離部７０の形成工程においてエッチングストッパとして機能してもよい。
第４実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。これにより、第４実施形態は、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
第４実施形態では、絶縁膜９６は、絶縁膜９２とともに設けられている。しかし、絶縁膜９６は、絶縁膜９２の代わりに設けられていてもよい。
（第５実施形態）
図８は、第５実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図９は、第５実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図９は、図８のＢ－Ｂ線に沿った平面を示している。
図８は、第５実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図９は、第５実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図９は、図８のＢ－Ｂ線に沿った平面を示している。
第５実施形態によれば、コンタクト拡散層６５が第２面Ｆ２側におけるホール蓄積領域６０の端部からアバランシェ増幅領域（３０、４０）へ向かって、Ｘ方向および／またはＹ方向へ突出している。即ち、Ｚ方向から見た平面視において、コンタクト拡散層６５は、第２面Ｆ２側におけるホール蓄積領域６０の一端の端面よりも広くなっている。図９の破線で示すように、コンタクト拡散層６５は、アバランシェ増幅領域（３０、４０）へ向かって、即ち、画素１の中心へ向かって、ホール蓄積領域６０よりも突出している。これにより、アノード（コンタクト拡散層６５）によって被覆される第２面Ｆ２の面積が大きくなり、表面ピニングの効果を大きくすることができる。これにより、絶縁膜９２に蓄積された電荷がアバランシェ増幅領域（３０、４０）に与える影響を緩和させることができる。
第５実施形態は、第２～第４実施形態のいずれかと組み合わせてもよい。
（第６実施形態）
図１０は、第６実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図１１は、第６実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図１１は、図１０のＢ－Ｂ線に沿った平面を示している。
図１０は、第６実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。図１１は、第６実施形態による画素１の構成例を示す概略平面図である。図１１は、図１０のＢ－Ｂ線に沿った平面を示している。
第６実施形態によれば、コンタクト拡散層５０が第２面Ｆ２側におけるアバランシェ増幅領域（３０、４０）からホール蓄積領域６０またはコンタクト拡散層６５へ向かって、Ｘ方向および／またはＹ方向へ突出している。即ち、Ｚ方向から見た平面視において、コンタクト拡散層５０は、第２面Ｆ２側においてアバランシェ増幅領域（３０、４０）よりも広くなっている。図１１の破線で示すように、コンタクト拡散層５０は、アバランシェ増幅領域（３０、４０）からホール蓄積領域６０へ向かって、即ち、画素１の外縁へ向かって、アバランシェ増幅領域（３０、４０）よりも突出している。これにより、カソード（コンタクト拡散層５０）によって被覆される第２面Ｆ２の面積が大きくなり、表面ピニングの効果を大きくすることができる。これにより、絶縁膜９２に蓄積された電荷がアバランシェ増幅領域（３０、４０）に与える影響を緩和させることができる。
第６実施形態は、第２～第４実施形態のいずれかと組み合わせてもよい。
（第７実施形態）
図１２は、第７実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。第７実施形態によるＳＰＡＤによれば、ホール蓄積領域６０のコンタクト拡散層６５は、埋込みコンタクトとして基板１０内に埋め込まれている。コンタクト拡散層６５は、図示されないコンタクトプラグを介して他のチップの制御回路に接続されている。また、素子分離部７０は、絶縁膜９０、９２、９４の形成後、第２面Ｆ２側から形成される。このため、素子分離部７０は、絶縁膜９４の底面から第１面Ｆ１まで設けられている。
図１２は、第７実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。第７実施形態によるＳＰＡＤによれば、ホール蓄積領域６０のコンタクト拡散層６５は、埋込みコンタクトとして基板１０内に埋め込まれている。コンタクト拡散層６５は、図示されないコンタクトプラグを介して他のチップの制御回路に接続されている。また、素子分離部７０は、絶縁膜９０、９２、９４の形成後、第２面Ｆ２側から形成される。このため、素子分離部７０は、絶縁膜９４の底面から第１面Ｆ１まで設けられている。
第７実施形態においても、絶縁膜９０の膜厚が絶縁膜９２の膜厚よりも厚い。これにより、アバランシェ増幅領域（３０、４０）およびウェル拡散層２０で発生した電荷は、絶縁膜９２に到達し難くなり、絶縁膜９２にトラップされ難くなる。また、電荷が絶縁膜９２にトラップされても、それによる電界の影響はアバランシェ増幅領域（３０、４０）に届き難くなる。その結果、画素１における駆動開始電圧（閾値電圧）の変動を抑制することができる。
第７実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。従って、第７実施形態によるＳＰＡＤは、第１実施形態によるＳＰＡＤと同様の効果を得ることができる。第７実施形態によるＳＰＡＤは、第２～第６実施形態のいずれかと組み合わせてもよい。
（第８実施形態）
図１３は、第８実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。第８実施形態によるＳＰＡＤは、絶縁膜９２が設けられていない。この場合、素子分離部７０の第２面Ｆ２側の端部には、絶縁膜９０が接触している。尚、絶縁膜９０、９４は、同一材料（例えば、シリコン酸化膜）で構成されている。従って、絶縁膜９０、９４は、同一の絶縁膜９０として表示する。
図１３は、第８実施形態による画素１の構成例を示す断面図である。第８実施形態によるＳＰＡＤは、絶縁膜９２が設けられていない。この場合、素子分離部７０の第２面Ｆ２側の端部には、絶縁膜９０が接触している。尚、絶縁膜９０、９４は、同一材料（例えば、シリコン酸化膜）で構成されている。従って、絶縁膜９０、９４は、同一の絶縁膜９０として表示する。
絶縁膜９２が設けられていないので、素子分離部７０の形成工程では、基板１０のエッチングは、時間によって制御される。絶縁膜９０には、例えば、シリコン酸化膜が用いられるので、素子分離部７０の形成工程において、絶縁膜９０が或る程度エッチングされるが、問題ない。第８実施形態のその他の構成は、第１実施形態の対応する構成と同様でよい。
第８実施形態では、電荷をトラップする絶縁膜９２（例えば、シリコン窒化膜）が設けられていないので、アバランシェ増幅領域（３０、４０）の駆動開始電圧の変動が抑制され得る。
＜撮像装置への適用＞
本開示による画素１は、距離を測定する装置に適用できる。ここでは、距離を測定する測距装置に、画素１を適用した場合を例として、ＳＡＰＤの適用例の一例を説明する。
本開示による画素１は、距離を測定する装置に適用できる。ここでは、距離を測定する測距装置に、画素１を適用した場合を例として、ＳＡＰＤの適用例の一例を説明する。
図１４は、本技術によるＳＡＰＤ２１を適用した測距装置の一実施の形態の構成を示す図である。図１４に示した測距装置１０００は、光パルス送信機１０２１、光パルス受光機１０２２、ＲＳフリップフロップ１０２３を含む構成とされている。
距離を測定する方法として、ＴＯＦ（Time Of Flight）方式を用いた場合を例に挙げて説明する。ＴＯＦ型センサとして、上述したＡＰＤ２１を用いることができる。
ＴＯＦ型センサは、自己が発した光が、対象物に当たり、反射して帰ってくるまでの時間を計測することで、対象物までの距離を計測するセンサである。ＴＯＦ型センサは、例えば、図１５に示したタイミングで動作する。
図１５を参照して測距装置１０００の動作について説明する。光パルス送信機１０２１は、供給されるトリガーパルスに基づき、光を発光する（光送信パルス）。発光された光が対象物に当たり、反射されてきた反射光を、光パルス受信機１０２２は、受信する。光パルス受信機１０２２として、上記したＡＰＤ２１を用いることができる。
送信光パルスが発光された時刻と、受信光パルスが受光された時刻との差分が、対象物との距離に応じた時間、すなわち光飛行時間ＴＯＦに相当する。
トリガーパルスは、光パルス送信機１０２１に供給されるとともに、フリップフロップ１０２３にも供給される。トリガーパルスが光パルス送信機１０２１に供給されることで、短時間光パルスが送信され、フリップフロップ１０２３に供給されることで、フリップフロップ１０２３がリセットされる。
光パルス受信機１０２２にＡＰＤ２１を用いた場合、ＡＰＤ２１に受信光パルスが受信されると、フォトンが発生する。その発生したフォトン（電気パルス）により、フリップフロップ１０２３がリセットされる。
このような動作により、光飛行時間ＴＯＦに相当するパルス幅をもったゲート信号を生成することができる。この生成されるゲート信号を、クロック信号などを用いてカウントすることで、ＴＯＦを算出（デジタル信号として出力）することができる。
測距装置１０００では、上記したような処理により、距離情報が生成される。このような測距装置１０００に対して、上述したＡＰＤ２１を用いることができる。
＜移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。
図１６は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。
車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図６６に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（Interface）１２０５３が図示されている。
駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。
ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。
車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。
撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。
車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。
マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Advanced Driver Assistance System）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０３０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。
音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図６６の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。
図１７は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。
図１７では、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５を有する。
撮像部１２１０１、１２１０２、１２１０３、１２１０４、１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２、１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。
なお、図１７には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０km/h以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。
例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。
撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
なお、本技術は、以下のような構成をとることができる。
（１）
光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記第２面側に設けられ、前記画素分離部と接する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記アバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜と、を備え、
前記第２絶縁膜の膜厚は前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚い、光検出装置。
（２）
前記第１絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第２絶縁膜は、シリコン酸化膜である、（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記第１絶縁膜は、１５ｎｍ未満であり、
前記第２絶縁膜は、４０ｎｍ以下である、（１）または（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部に接する、（１）から（３）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（５）
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、前記第１および第２絶縁膜に比べて、面密度が高い第３絶縁膜をさらに備える、（１）から（４）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（６）
前記第３絶縁膜は、酸化アルミニウムを含む（５）に記載の光検出装置。
（７）
前記第１絶縁膜は、前記アバランシェ増幅領域の下方に設けられている、（１）から（６）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（８）
前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部の直下のみに設けられている、（１）から（７）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（９）
前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、（１）から（８）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１０）
前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、（９）に記載の光検出装置。
（１１）
前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、（１０）に記載の光検出装置。
（１２）
前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第１コンタクト拡散層は、前記アバランシェ増幅領域よりも広い、（１０）または（１１）に記載の光検出装置。
（１３）
前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第２コンタクト拡散層は、前記電荷蓄積領域の一端の端面よりも広い、（１０）または（１１）に記載の光検出装置。
（１４）
光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記画素分離部の前記第２面側の端部に接するシリコン酸化膜と、を備えた光検出装置。
（１５）
前記シリコン酸化膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、（１４）に記載の光検出装置。
（１６）
前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記シリコン酸化膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、（１５）に記載の光検出装置。
（１７）
前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、（１６）に記載の光検出装置。
（１）
光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記第２面側に設けられ、前記画素分離部と接する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記アバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜と、を備え、
前記第２絶縁膜の膜厚は前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚い、光検出装置。
（２）
前記第１絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第２絶縁膜は、シリコン酸化膜である、（１）に記載の光検出装置。
（３）
前記第１絶縁膜は、１５ｎｍ未満であり、
前記第２絶縁膜は、４０ｎｍ以下である、（１）または（２）に記載の光検出装置。
（４）
前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部に接する、（１）から（３）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（５）
前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、前記第１および第２絶縁膜に比べて、面密度が高い第３絶縁膜をさらに備える、（１）から（４）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（６）
前記第３絶縁膜は、酸化アルミニウムを含む（５）に記載の光検出装置。
（７）
前記第１絶縁膜は、前記アバランシェ増幅領域の下方に設けられている、（１）から（６）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（８）
前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部の直下のみに設けられている、（１）から（７）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（９）
前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、（１）から（８）のいずれか一項に記載の光検出装置。
（１０）
前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、（９）に記載の光検出装置。
（１１）
前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、（１０）に記載の光検出装置。
（１２）
前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第１コンタクト拡散層は、前記アバランシェ増幅領域よりも広い、（１０）または（１１）に記載の光検出装置。
（１３）
前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第２コンタクト拡散層は、前記電荷蓄積領域の一端の端面よりも広い、（１０）または（１１）に記載の光検出装置。
（１４）
光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記画素分離部の前記第２面側の端部に接するシリコン酸化膜と、を備えた光検出装置。
（１５）
前記シリコン酸化膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、（１４）に記載の光検出装置。
（１６）
前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記シリコン酸化膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、（１５）に記載の光検出装置。
（１７）
前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、（１６）に記載の光検出装置。
尚、本開示は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、他の効果があってもよい。
１ 画素、１０ 基板、２０ ウェル拡散層、３０，４０ 不純物拡散層、５０，６５ コンタクト拡散層、６０ ホール蓄積領域、７０ 素子分離部、８０ オンチップレンズ、９０、９２、９４ 絶縁膜、ＣＮＴ１，ＣＮＴ２ コンタクトプラグ
Claims (17)
- 光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記第２面側に設けられ、前記画素分離部と接する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記アバランシェ増幅領域との間に設けられた第２絶縁膜と、を備え、
前記第２絶縁膜の膜厚は前記第１絶縁膜の膜厚よりも厚い、光検出装置。 - 前記第１絶縁膜は、シリコン窒化膜であり、
前記第２絶縁膜は、シリコン酸化膜である、請求項１に記載の光検出装置。 - 前記第１絶縁膜は、１５ｎｍ未満であり、
前記第２絶縁膜は、４０ｎｍ以下である、請求項１に記載の光検出装置。 - 前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部に接する、請求項１に記載の光検出装置。
- 前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜との間に設けられ、前記第１および第２絶縁膜に比べて、面密度が高い第３絶縁膜をさらに備える、請求項１に記載の光検出装置。
- 前記第３絶縁膜は、酸化アルミニウムを含む請求項５に記載の光検出装置。
- 前記第１絶縁膜は、前記アバランシェ増幅領域の下方に設けられている、請求項１に記載の光検出装置。
- 前記第１絶縁膜は、前記画素分離部の前記第２面側の端部の直下のみに設けられている、請求項１に記載の光検出装置。
- 前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、請求項１に記載の光検出装置。
- 前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記第１および第２絶縁膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、請求項９に記載の光検出装置。 - 前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、請求項１０に記載の光検出装置。
- 前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第１コンタクト拡散層は、前記アバランシェ増幅領域よりも広い、請求項１０に記載の光検出装置。 - 前記第１コンタクトプラグを前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続する第１コンタクト拡散層と、
前記第２コンタクトプラグを前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続する第２コンタクト拡散層とをさらに備え、
前記第１面に対して略垂直方向から見た平面視において、前記第２コンタクト拡散層は、前記電荷蓄積領域の一端の端面よりも広い、請求項１０に記載の光検出装置。 - 光入射面である第１面と、前記光入射面とは反対側にある第２面とを有する半導体基板と、
前記半導体基板内にあって、第１導電型領域と第２導電型領域とを含むアバランシェ増幅領域を有する第１画素と、
前記第１画素と隣接する画素とを分離する画素分離部と、
前記画素分離部の前記第２面側の端部に接するシリコン酸化膜と、を備えた光検出装置。 - 前記シリコン酸化膜を貫通して前記アバランシェ増幅領域の一端に電気的に接続された第１コンタクトプラグをさらに備えた、請求項１４に記載の光検出装置。
- 前記アバランシェ増幅領域の周囲に設けられた電荷蓄積領域と、
前記シリコン酸化膜を貫通して前記電荷蓄積領域の一端に電気的に接続された第２コンタクトプラグとをさらに備えた、請求項１５に記載の光検出装置。 - 前記第１および第２コンタクトプラグの一方がカソードとして機能し、他方がアノードとして機能する、請求項１６に記載の光検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021009581A JP2022113371A (ja) | 2021-01-25 | 2021-01-25 | 光検出装置 |
| US18/258,049 US20240072192A1 (en) | 2021-01-25 | 2022-01-05 | Optical detection device |
| PCT/JP2022/000112 WO2022158288A1 (ja) | 2021-01-25 | 2022-01-05 | 光検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021009581A JP2022113371A (ja) | 2021-01-25 | 2021-01-25 | 光検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022113371A true JP2022113371A (ja) | 2022-08-04 |
Family
ID=82548824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021009581A Pending JP2022113371A (ja) | 2021-01-25 | 2021-01-25 | 光検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20240072192A1 (ja) |
| JP (1) | JP2022113371A (ja) |
| WO (1) | WO2022158288A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023045838A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP7512241B2 (ja) | 2021-09-22 | 2024-07-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023176969A (ja) * | 2022-06-01 | 2023-12-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出装置および測距装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6932580B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-09-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子 |
| US10204950B1 (en) * | 2017-09-29 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | SPAD image sensor and associated fabricating method |
| JP2020149987A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 光検出器 |
| US11855105B2 (en) * | 2019-03-29 | 2023-12-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Solid-state imaging device and electronic device |
-
2021
- 2021-01-25 JP JP2021009581A patent/JP2022113371A/ja active Pending
-
2022
- 2022-01-05 US US18/258,049 patent/US20240072192A1/en active Pending
- 2022-01-05 WO PCT/JP2022/000112 patent/WO2022158288A1/ja active Application Filing
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023045838A (ja) * | 2021-09-22 | 2023-04-03 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP7467401B2 (ja) | 2021-09-22 | 2024-04-15 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP7512241B2 (ja) | 2021-09-22 | 2024-07-08 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2022158288A1 (ja) | 2022-07-28 |
| US20240072192A1 (en) | 2024-02-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7058479B2 (ja) | 光検出器 | |
| JP7413432B2 (ja) | センサ、測距装置 | |
| US11127772B2 (en) | Sensor chip and electronic apparatus | |
| CN110036491B (zh) | 雪崩光电二极管传感器 | |
| WO2022158288A1 (ja) | 光検出装置 | |
| JP7445397B2 (ja) | 受光素子および電子機器 | |
| CN111052404B (zh) | 雪崩光电二极管传感器和电子装置 | |
| WO2020189082A1 (ja) | センサチップ、電子機器、及び測距装置 | |
| US20240038913A1 (en) | Light receiving element, distance measuring system, and electronic device | |
| WO2020202888A1 (ja) | センサチップおよび測距装置 | |
| WO2023090277A1 (ja) | 半導体装置及び光検出装置 | |
| US20240072080A1 (en) | Light detection device and distance measurement apparatus | |
| US20220384493A1 (en) | Solid-state imaging apparatus and distance measurement system | |
| WO2023238513A1 (ja) | 光検出器、及び光検出装置 | |
| WO2024004222A1 (ja) | 光検出装置およびその製造方法 | |
| JP2023176969A (ja) | 光検出装置および測距装置 |