WO2018147037A1 - 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法 - Google Patents

部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2018147037A1
WO2018147037A1 PCT/JP2018/001467 JP2018001467W WO2018147037A1 WO 2018147037 A1 WO2018147037 A1 WO 2018147037A1 JP 2018001467 W JP2018001467 W JP 2018001467W WO 2018147037 A1 WO2018147037 A1 WO 2018147037A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
mold
resin
unit
component
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/001467
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
山内　朗
Original Assignee
ボンドテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ボンドテック株式会社 filed Critical ボンドテック株式会社
Priority to PCT/JP2018/003308 priority Critical patent/WO2018147147A1/ja
Priority to KR1020197023767A priority patent/KR102526457B1/ko
Priority to JP2018567387A priority patent/JP6703718B2/ja
Priority to US16/484,450 priority patent/US11587804B2/en
Priority to KR1020237002806A priority patent/KR20230020558A/ko
Priority to KR1020237002805A priority patent/KR20230020557A/ko
Priority to TW107104495A priority patent/TWI805571B/zh
Priority to TW112104732A priority patent/TW202324587A/zh
Priority to TW112104733A priority patent/TW202331912A/zh
Publication of WO2018147037A1 publication Critical patent/WO2018147037A1/ja
Priority to JP2019188125A priority patent/JP7146275B2/ja
Priority to JP2020042357A priority patent/JP7106151B2/ja
Priority to JP2022069961A priority patent/JP7309231B2/ja
Priority to US18/157,147 priority patent/US20230154770A1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/02—Feeding of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
    • H05K13/0413—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws with orientation of the component while holding it; Drive mechanisms for gripping tools, e.g. lifting, lowering or turning of gripping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0888—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7501—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/751—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H01L2224/75101—Chamber
    • H01L2224/75102—Vacuum chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822—Rotational mechanism
    • H01L2224/75823—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75841—Means for moving parts of the bonding head
    • H01L2224/75842—Rotational mechanism
    • H01L2224/75843—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81053—Bonding environment
    • H01L2224/8109—Vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/8113—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81908—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
    • H05K13/0408—Incorporating a pick-up tool
    • H05K13/0409—Sucking devices

Definitions

  • the present invention relates to a component mounting system, a resin molding apparatus, a component mounting method, and a resin molding method.
  • the present invention has been made in view of the above-described reasons, and an object thereof is to provide a component mounting system, a resin molding apparatus, a component mounting method, and a resin molding method in which the generation of a product with poor performance is suppressed.
  • a component mounting system includes: A component mounting system for mounting components on a board, A component supply unit for supplying the component; A board holding unit for holding the board in a posture in which a mounting surface on which the component is mounted on the board faces vertically downward; A head for holding the component from below vertically; A head driving unit that mounts the component on the mounting surface of the substrate by moving the head holding the component vertically upward to bring the head close to the substrate holding unit.
  • the resin molding apparatus viewed from another viewpoint is A resin molding apparatus that cures the resin placed on the mold in a state of pressing the mold against the substrate, A substrate holding portion for holding the substrate in a posture in which a forming surface forming a resin portion in the substrate faces vertically downward; A head for holding the mold from below vertically; A head that presses the mold from the vertically lower side of the substrate by moving the head vertically upward after making the head face the position where the resin portion is formed on the substrate. A drive unit; And a resin curing unit that cures the resin placed on the mold in a state where the mold is pressed against the substrate.
  • the component mounting method according to the present invention from another viewpoint is as follows: A component mounting method for mounting a component on a board, A component supply unit for supplying the component; A board holding step in which the board holding section holds the board in a posture in which a mounting surface on which the component is mounted on the board faces vertically downward; A component holding step in which the head holds the component from below vertically; A component mounting step of mounting the component on the mounting surface of the substrate by bringing the head and the substrate holding part closer to each other.
  • the resin molding method according to the present invention from another viewpoint is as follows: A resin molding method for curing a resin placed on the mold in a state of pressing the mold against a substrate, A substrate holding step in which the substrate holding unit holds the substrate in a posture in which a forming surface forming a resin portion in the substrate faces vertically downward; A mold holding step in which the head holds the mold from below vertically; A mold pressing step in which the head is opposed to a position where the resin portion is formed on the substrate and then the head and the substrate holding portion are brought close to each other and the mold is pressed from vertically below the substrate; A resin curing step of curing the resin placed on the mold in a state where the mold is pressed against the substrate.
  • the substrate holding unit holds the substrate in a posture in which the mounting surface on which the component is mounted on the substrate faces vertically downward, and the head driving unit moves the head holding the component vertically upward
  • the component is mounted on the mounting surface of the board by moving the head closer to the board holding portion.
  • the substrate holding unit holds the substrate in a posture in which the formation surface on which the resin portion is formed on the substrate faces vertically downward.
  • the head driving unit moves the head vertically upward at a pressing position opposite to the position where the resin portion is formed on the substrate, thereby pressing the mold close to the substrate holding unit.
  • the resin curing unit cures the resin placed on the mold in a state where the mold is pressed against the resin unit. Thereby, the accumulation of particles on the formation surface on which the resin portion of the substrate is formed can be reduced, so that mixing of particles at the interface between the resin portion and the substrate can be suppressed.
  • FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a bonding apparatus according to a first embodiment.
  • 6 is a diagram illustrating a positional relationship between an alignment mark of the chip according to the first embodiment and a hollow portion of the head.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view showing a part of the bonding portion according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional arrow view of the bonding apparatus according to the first embodiment, taken along line AA in FIG. 3.
  • 2 is a plan view of a stage according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a side view of the stage according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of a chip holding unit according to Embodiment 1.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a control unit according to Embodiment 1.
  • FIG. 4 is a sequence diagram showing an operation of the component mounting system according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing a positional relationship among a head, a chip transport unit, and a chip transfer unit according to the first embodiment. It is the schematic block diagram which looked at the component mounting system which concerns on Embodiment 1 from the side.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing a positional relationship among a head, a chip transport unit, and a chip transfer unit according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a resin molding apparatus according to Embodiment 2.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram of a part of a resin molding apparatus according to Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a block diagram illustrating a control unit according to Embodiment 2.
  • FIG. 6 is a flowchart illustrating an example of a flow of imprint processing executed by a resin molding device according to Embodiment 2. It is a figure which shows a mode that resin is inject
  • FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating details of a head according to a second embodiment. It is a figure which shows a mode that the mold hold
  • the chip mounting system is a device for mounting electronic components on a substrate.
  • the electronic component is, for example, a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as “chip”) supplied from a diced substrate.
  • the chip mounting system after activation processing is performed on the surface of the substrate on which the chip is mounted and the joint surface of the electronic component, the chip is mounted on the substrate by bringing the chip into contact with the substrate and applying pressure and heating. .
  • the chip mounting system 1 includes a chip supply device 10, a bonding device 30, a cover 50, a hydrophilic treatment device 60, a water cleaning unit 65, A transport device 70, a carry-in / out unit 80, and a control unit 90 are provided.
  • the chip supply device 10 dices the substrate WC, takes out the chip CP from the diced substrate WC, and supplies the chip CP to the bonding device 30.
  • the dicing is a process of cutting a substrate WC on which a plurality of electronic components are formed into chips by cutting in a vertical direction and a horizontal direction.
  • the chip supply device 10 includes a chip supply unit (component supply unit) 11, a chip transfer unit 13, and a supply chip imaging unit 15.
  • the chip supply unit 11 supplies the chip CP to the bonding apparatus 30.
  • the chip supply unit 11 vertically lowers a chip holding unit (sheet holding unit) 112 that holds a dicing tape (sheet) TE to which a diced substrate (dicing substrate) WC is attached, and a chip CP that forms the substrate WC.
  • a cutting mechanism 111 that cuts into Further, the chip supply unit 11 includes a tape holding unit driving unit 113 that drives the tape holding unit 112 in the XY direction or a direction that rotates around the Z axis.
  • the tape holding unit 112 holds the substrate WC attached to the dicing tape TE in a posture in which the dicing tape TE is positioned on the vertical upper side (+ Z direction) side of the substrate WC.
  • the tape holding unit 112 holds the dicing tape TE with the surface of the dicing tape TE to which the substrate WC is attached facing downward.
  • the cutting mechanism 111 has a needle 111a, and as shown by an arrow AR2 in FIG. 2, the needle CP protrudes vertically downward ( ⁇ Z direction) from the vertical upper side (+ Z direction) of the dicing tape TE to vertically insert the tip CP. Chips are fed by pushing down (-Z direction). Then, each chip CP constituting the substrate WC attached to the dicing tape TE is protruded downward one by one by the needle 111 a of the chip supply unit 11 and transferred to the chip transfer unit 13.
  • the tape holding unit driving unit 113 changes the position and posture of the substrate WC by driving the tape holding unit 112 in the XY direction or the direction rotating around the Z axis.
  • the chip transfer unit 13 includes a chip reversing unit (component reversing unit) 131 that vertically flips the chip CP delivered from the chip supply unit 11, and a chip that delivers the chip CP received from the chip reversing unit 131 to the chip transport unit 39.
  • the chip inversion unit 131 inverts the chip CP supplied from the chip supply unit 11 upside down.
  • the chip reversing unit 131 includes an L-shaped arm 1311 having a suction portion 1311a provided at the tip, and an arm driving unit 1312 that turns the arm 1311.
  • the tip of the arm 1311 has a protrusion (not shown) that protrudes around the suction portion 1311a.
  • the tip portion of the arm 1311 holds the upper surface side of the chip CP with the bonding surface CPf side bonded to the substrate WT in the chip CP facing vertically upward (+ Z direction). At the tip of the arm 1311, the tip CP is sucked and held by the sucking portion 1311 a with the tip of the protruding portion in contact with the peripheral portion of the chip CP.
  • the chip delivery unit 132 receives the chip CP that is inverted upside down from the chip inversion unit 131 and delivers it to the chip transport unit 39. As shown by an arrow AR3 in FIG. 2, the chip delivery unit 132 has a suction portion 1311a at the tip (upper end) and moves in the vertical direction.
  • the tip transfer portion 132 stands by at a standby position where the tip end portion is below the tip end portion of the arm 1311 with the tip end portion of the arm 1311 of the tip reversing portion 131 facing downward.
  • the position of the chip transfer part 132 is a distance from the position of the suction part 1311a in a state where the suction part 1311a of the chip reversing part 131 faces vertically upward in a direction (X-axis direction) orthogonal to the vertical direction (Z-axis direction). It is shifted by W1. Depending on the dimensions of the substrate WT and the dicing substrate WC, the distance in the X-axis direction between the chip supply unit 11 and the head 33H can be moved by the chip reversing unit 131 and the chip transport unit 39 in the X-axis direction.
  • the chip delivery unit 132 may be configured to move in the X-axis direction and deliver the chip CP to the tip of the plate 391 of the chip transport unit 39. Thereby, even if the diameter of the dicing substrate WC is long to some extent, it is possible to cope.
  • the supply chip imaging unit 15 is disposed below ( ⁇ Z direction) the chip supply unit 11 in the chip supply device 10.
  • the supply chip imaging unit 15 holds the substrate WC with the arm 1311 of the chip reversing unit 131 in the posture in which the suction unit 1311a faces the Z direction, that is, the suction unit 1311a does not exist on the optical axis of the supply chip imaging unit 15.
  • the chip CP to be configured is photographed.
  • the chip reversing unit 131 receives the tip CP of the tip supply unit 11 protruding from the tip 111 of the arm 1311 toward the tip supply unit 11 (upward) by the suction unit 1311a. Then, the tip reversing unit 131 turns the arm 1311 by the arm driving unit 1312 so that the tip of the arm 1311 faces downward while the tip CP is adsorbed to the tip of the arm 1311. On the other hand, the chip transfer unit 132 moves upward from the standby position and receives the chip CP adsorbed to the tip of the arm 1311. Further, the chip reversing unit 131 transfers the chip CP to the chip transfer unit 132 and then turns the arm 1311 so that the tip of the arm 1311 faces upward.
  • the bonding apparatus 30 includes a stage (substrate holding unit) 31, a bonding unit 33 having a head 33H, a head driving unit 36 for driving the head 33H, first imaging units 35a and 35b, It has the 2nd imaging part 41, the camera F direction drive part 365, and the camera Z direction drive part 363.
  • the bonding unit 33 and the head driving unit 36 constitute a so-called chip mounter that places the chip CP on the substrate WT.
  • the bonding apparatus 30 further includes a chip transport unit (component transport unit) 39 that transports the chip CP supplied from the chip supply apparatus 10 to the head 33H. As shown in FIG.
  • the bonding section 33 includes a Z-axis direction moving member 331, a first disk member 332, a piezo actuator (part orientation adjusting section) 333, a second disk member 334, and a mirror fixing member 336. And a mirror 337 and a head 33H.
  • a first disk member 332 is fixed to the upper end portion of the Z-axis direction moving member 331.
  • a second disk member 334 is disposed above the first disk member 332.
  • the first disk member 332 and the second disk member 334 are connected via a piezo actuator 333.
  • the head 33H is fixed to the upper surface side of the second disk member 334. The head 33H sucks and holds the chip CP.
  • the head 33H holds the chip CP from vertically below ( ⁇ Z direction).
  • the head 33 ⁇ / b> H has a chip tool 411 and a head main body 413.
  • the chip tool 411 is formed of a material (for example, silicon (Si)) that transmits photographing light (infrared light or the like).
  • the head main body 413 includes a ceramic heater, a coil heater, and the like.
  • the head main body 413 is provided with hollow portions 415 and 416 for transmitting (passing) photographing light.
  • Each of the hollow portions 415 and 416 is a transmission portion that transmits photographing light, and is provided so as to penetrate the head main body portion 413 in the vertical direction (Z-axis direction). Moreover, as shown in FIG.
  • each hollow part 415,416 has an elliptical shape in top view.
  • the two hollow portions 415 and 416 are arranged point-symmetrically about the axis BX in the diagonal portion of the head body portion 413 having a substantially square shape when viewed from above.
  • holes 334 a and 334 b are also provided in portions corresponding to the hollow portions 415 and 416 in the second disk member 334 in order to transmit the photographing light.
  • the piezo actuator 333 adjusts at least one of the distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf of the chip CP and the inclination of the chip CP with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • three piezoelectric actuators 333 exist between the first disk member 332 and the second disk member 334, and can be expanded and contracted in the respective Z directions. Then, by controlling the degree of expansion / contraction of each of the three piezoelectric actuators 333, the inclination angle of the second disk member 334 and thus the head 33H with respect to the horizontal plane is adjusted.
  • the three piezo actuators 333 are arranged at positions (planar positions) that do not block illumination light (including reflected light) related to the first imaging units 35a and 35b.
  • the mirror 337 is fixed to the first disk member 332 via the mirror fixing member 336, and is disposed in the gap between the first disk member 332 and the second disk member 334.
  • the mirror 337 has inclined surfaces 337a and 337b having an inclination angle of 45 degrees obliquely downward. Shooting light that has entered the inclined surfaces 337a and 337b of the mirror 337 from the first imaging units 35a and 35b is reflected upward.
  • the head driving unit 36 moves the head 33H holding the chip CP received at the delivery position Pos1 (see FIG. 2) vertically upward (+ Z direction) to bring the head 33H closer to the stage 31 and mount the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • a chip CP is mounted on. More specifically, the head drive unit 36 moves the head 33H holding the chip CP vertically upward (+ Z direction) to bring the head 33H closer to the stage 31 and bring the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT. Then, the substrate is bonded to the substrate WT.
  • the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf bonded to the substrate WT in the chip CP are subjected to a hydrophilic treatment by, for example, a hydrophilic treatment device 60. Therefore, the chip CP is bonded to the substrate WT by bringing the bonding surface CPf of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • the bonding surface CPf of the chip CP may be a surface where a flat metal electrode is exposed, for example.
  • the head driving unit 36 includes a Z direction driving unit 34, a rotating member 361, and a ⁇ direction driving unit 37.
  • the Z direction drive unit 34 includes a servo motor and a ball screw.
  • the Z-direction drive unit 34 is provided on the lower end side of a later-described rotating member 361, and drives the Z-axis direction moving member 331 of the bonding unit 33 in the Z-axis direction as indicated by an arrow AR4 in FIG.
  • the Z-direction drive unit 34 moves the Z-axis direction moving member 331 in the Z direction
  • the head 33H provided at the upper end of the bonding unit 33 moves in the Z direction accordingly. That is, the head 33 ⁇ / b> H is driven in the Z direction by the Z direction driving unit 34.
  • Rotating member 361 has a cylindrical shape, and the inner hollow section has an octagonal cross section as shown in FIG. 5B.
  • the Z-axis direction moving member 331 has a rod-like portion whose cross-sectional shape is an octagon, and is inserted inside the rotating member 361. Further, the Z-axis direction moving member 331 slides in the Z-axis direction with respect to the rotating member 361 between four of the eight side surfaces of the Z-axis direction moving member 331 and the inner surface of the rotating member 361.
  • a linear guide 38 arranged in a moving manner is provided.
  • the Z-axis direction moving member 331 rotates in conjunction with the rotating member 361 when the rotating member 361 rotates around the rotation axis BX. That is, the bonding part 33 and the rotating member 361 rotate in conjunction with the rotation axis BX as indicated by an arrow AR5 in FIG.
  • the ⁇ -direction drive unit 37 has a servo motor, a speed reducer, and the like, and is fixed to a fixing member 301 provided in the bonding apparatus 30 as shown in FIG.
  • the ⁇ -direction drive unit 37 supports the rotating member 361 so as to be rotatable around the axis BX.
  • the ⁇ -direction drive unit 37 rotates the rotation member 361 around the rotation axis BX in accordance with a control signal input from the control unit 90.
  • the first imaging units 35a and 35b are arranged in a state where the chip CP as shown in FIG. 4 is viewed from vertically below the chip CP ( ⁇ Z direction) in a state where the chip CP is disposed at the position where the chip CP is mounted on the substrate WT.
  • the alignment marks (first alignment marks) MC1a and MC1b are imaged.
  • the first imaging unit 35 a is fixed to the rotating member 361 via the camera Z direction driving unit 363 and the camera F direction driving unit 365.
  • the first imaging unit 35b is also fixed to the rotating member 361 via the camera Z direction driving unit 363 and the camera F direction driving unit 365. Thereby, the first imaging units 35a and 35b rotate together with the rotating member 361.
  • the mirror 337 is fixed to the Z-axis direction moving member 331, and the rotating member 361 and the Z-axis direction moving member 331 rotate in conjunction with each other. Accordingly, since the relative positional relationship between the first imaging units 35a and 35b and the mirror 337 is unchanged, the photographing light reflected by the mirror 337 is irrespective of the rotation operation of the rotating member 361. , 35b.
  • the first imaging units 35a and 35b respectively acquire image data including images of alignment marks MC1a and MC1b described later provided on the chip CP and images of alignment marks MC2a and MC2b described later provided on the substrate WT. To do.
  • the control unit 90 recognizes the relative position of each chip CP with respect to the substrate WT in the direction parallel to the surface on which the chip CP is mounted on the substrate WT, based on the image data acquired by the first imaging units 35a and 35b.
  • the first imaging units 35a and 35b have image sensors 351a and 351b, optical systems 352a and 352b, and a coaxial illumination system (not shown), respectively.
  • Each of the first imaging units 35a and 35b acquires image data related to reflected light of illumination light (for example, infrared light) emitted from a light source (not shown) of a coaxial illumination system.
  • Illumination light emitted in the horizontal direction from the coaxial illumination system of the first imaging units 35a and 35b is reflected by the inclined surfaces 337a and 337b of the mirror 337, and the traveling direction thereof is changed vertically upward. Then, the light reflected by the mirror 337 travels toward the photographing target portion including the chip CP held by the head 33H and the substrate WT disposed to face the chip CP, and is reflected by each photographing target portion.
  • alignment marks MC1a and MC1b described later are provided on the imaging target portion of the chip CP
  • alignment marks MC2a and MC2b described later are provided on the imaging target portion of the substrate WT.
  • Reflected light from the imaging target portions of the chip CP and the substrate WT travels vertically downward, and is then reflected again by the inclined surfaces 337a and 337b of the mirror 337, and the traveling direction thereof is changed to the horizontal direction. 35a and 35b are reached. In this manner, the first imaging units 35a and 35b acquire image data of the imaging target portions of the chip CP and the substrate WT.
  • the hollow portions 415 and 416 of the head 33H rotate around the axis BX in conjunction with the rotation of the rotating member 361.
  • alignment marks MC1a and MC1b are provided at corners facing each other across the center of a chip CP having a square shape.
  • the first imaging units 35a and 35b are positioned on the diagonal line connecting the two corners provided with the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP, the first imaging units 35a and 35b are the hollow portions 415 and 416.
  • the imaging data of the alignment marks MC1a and MC1b can be acquired through.
  • the camera F direction driving unit 365 adjusts the focal positions of the first imaging units 35a and 35b by driving the first imaging units 35a and 35b in the focus direction, as indicated by an arrow AR8 in FIG.
  • the camera Z direction driving unit 363 drives the first imaging units 35a and 35b in the Z-axis direction as indicated by an arrow AR9 in FIG.
  • the camera Z-direction drive unit 363 normally has the same amount of movement in the Z-axis direction of the Z-axis direction moving member 331 and the amount of movement of the first imaging units 35a and 35b in the Z-axis direction.
  • the first imaging units 35a and 35b are moved. In this way, when the head 33H moves in the Z-axis direction, the imaging target portions of the first imaging units 35a and 35b are prevented from changing before and after the movement.
  • the camera Z direction driving unit 363 includes the first imaging units 35a and 35b so that the movement amount of the first imaging units 35a and 35b in the Z axis direction is different from the movement amount of the Z axis direction moving member 331 in the Z axis direction. May be moved. In this case, since the relative positions in the Z direction of the first imaging units 35a and 35b and the mirror 337 change, the imaging target portions on the chip CP and the substrate WT by the first imaging units 35a and 35b are changed.
  • the stage 31 holds the substrate WT such that the mounting surface WTf on which the chip CP is mounted on the substrate WT faces vertically downward ( ⁇ Z direction).
  • the stage 31 can move in the X direction, the Y direction, and the rotation direction. Thereby, the relative positional relationship between the bonding part 33 and the stage 31 can be changed, and the mounting position of each chip CP on the substrate WT can be adjusted.
  • the stage 31 includes an X direction moving unit 311, a Y direction moving unit 313, a substrate platform 315, an X direction driving unit 321, and a Y direction driving unit 323.
  • the X direction moving unit 311 is fixed to the base member 302 of the bonding apparatus 30 via two X direction driving units 321.
  • the two X-direction drive units 321 extend in the X direction and are spaced apart in the Y direction.
  • the X direction driving unit 321 includes a linear motor and a slide rail, and moves the X direction moving unit 311 with respect to the fixed member 301 in the X direction.
  • the Y direction moving unit 313 is disposed below the X direction moving unit 311 ( ⁇ Z direction) via two Y direction driving units 323.
  • the two Y-direction drive units 323 extend in the Y direction and are spaced apart in the X direction.
  • the Y direction driving unit 323 includes a linear motor and a slide rail, and moves the Y direction moving unit 313 with respect to the X direction moving unit 311 in the Y direction.
  • the substrate platform 315 is fixed to the Y direction moving unit 313. The substrate platform 315 moves in the X direction and the Y direction according to the movement of the X direction driving unit 321 and the Y direction driving unit 323.
  • an opening 312 having a rectangular shape in plan view is provided at the center of the X-direction moving unit 311, and an opening 314 having a rectangular shape in plan view is provided at the center of the Y-direction moving unit 313.
  • An opening 316 having a circular shape in plan view is provided at the center of the substrate platform 315.
  • the marks on the substrate WT are recognized by the infrared transmission camera 41 through these openings 312, 314 and 316. Further, by arranging an infrared irradiation unit (not shown), the substrate WT can be heated by irradiating the substrate WT with infrared rays.
  • the chip transport unit (also referred to as a turret) 39 transports the chip CP supplied from the chip supply unit 11 to the delivery position Pos1 for delivering the chip CP to the head 33H.
  • the chip transport unit 39 includes an even number (four in FIG. 1) of plates 391 and a plate driving unit 392 that rotates and drives a plurality of plates 391 all at once.
  • each of the even number of plates 391 is provided with a chip holding part (component holding part) 391a for holding the chip CP at one end, and is located between the chip supply part 11 and the head 33H.
  • One end portion pivots around the end portion (axis BX).
  • Each plate 391 has a thin plate shape, and has a thickness of, for example, about several mm (preferably about 1 mm to 2 mm or less).
  • the plurality of plates 391 are arranged at equal intervals around the axis AX in plan view. Note that the number of plates 391 is not limited to four, and may be an even number of six or more.
  • a tip holding portion 391 a that sucks and holds the tip CP is provided at the tip of the plate 391.
  • the chip transfer part 132 and the head 33H of the bonding part 33 are arranged in a position overlapping with the locus OB1 drawn by the chip holding part 391a when the plate 391 rotates in the Z-axis direction.
  • the position of the chip transfer section 132 is shifted by a distance W1 from the position where the chip reversing section 131 receives the chip CP from the chip supply section 11 in the X-axis direction.
  • the position where the chip transfer unit 132 receives the chip CP from the chip reversing unit 131 is shifted by the distance W1 on the axis AX side ( ⁇ X direction) from the position where the chip reversing unit 131 receives the chip CP from the chip supply unit 11. ing. Therefore, since the length of the plate 391 can be shortened by the length W1, the chip transport unit 39 can be downsized.
  • the chip holding unit 391a of the chip transport unit 39 includes an adsorption portion 391b and a protruding portion 391c protruding around the adsorption portion 391b.
  • the chip holding part 391a holds the upper surface side of the chip CP in a state where the bonding surface CPf side bonded to the substrate WT in the chip CP is directed vertically upward (+ Z direction).
  • the chip CP has a rectangular parallelepiped shape, and has a notch CPk formed in the outer peripheral portion of the bonding surface CPf bonded to the substrate WT.
  • the protrusion amount HT of the protrusion 391c of the chip holding part 391a is larger than the height HC in the direction (Z-axis direction) orthogonal to the joint surface CPf of the notch CPk.
  • maintains chip
  • the chip transport portion 39 is connected to the bonding surface of the chip CP.
  • the chip CP can be transported in a state where the CPf is not in contact with the plate 391.
  • the second imaging unit 41 is disposed above the stage 31 as shown in FIGS. Then, the second imaging unit 41 has an alignment mark (second alignment) (described below) of the substrate WT, which will be described later, from vertically above (+ Z direction) of the substrate WT in a state where the chip CP is disposed at the position where the chip CP is mounted on the substrate WT. Alignment marks) MC2a and MC2b are imaged. Thereby, the second imaging unit 41 acquires image data including images of the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT.
  • second alignment mark second alignment
  • the controller 90 Based on the image data acquired by the second imaging unit 41, the controller 90 recognizes the relative position of the mounting position of the chip CP in the direction parallel to the surface on which the chip CP is mounted on the substrate WT with respect to the head 33H.
  • the second imaging unit 41 includes an image sensor 418, an optical system 419, and a coaxial illumination system (not shown).
  • the second imaging unit 41 acquires image data related to reflected light of illumination light (for example, infrared light) emitted from a light source (not shown) of the coaxial illumination system.
  • the cover 50 is disposed in the chip supply device 10 and the bonding device 30 so as to partition a space in which the head driving unit 36 and the chip transport unit 39 are disposed and a space in which the chip supply unit 11 and the stage 31 are disposed. Has been. Thereby, accumulation of particles generated in the chip supply unit 11 or the stage 31 on the head driving unit 36 or the chip transport unit 39 is suppressed.
  • the hydrophilic treatment device 60 performs a hydrophilic treatment for making the mounting surface of the substrate WT hydrophilic.
  • the hydrophilization treatment apparatus 60 includes, for example, a chamber (not shown), a stage (not shown) that holds the substrate WT in the chamber, a magnetron (not shown) that generates a high frequency, and a high-frequency power source that applies a bias to the stage (not shown). (Not shown).
  • the hydrophilization processing apparatus 60 has a vacuum pump (not shown) that is connected to the chamber and depressurizes the inside of the chamber.
  • the hydrophilization treatment device 60 performs hydrophilic treatment to activate the mounting surface WTf of the substrate WT by performing reactive ion etching or irradiation of N2 or O2 radicals on the mounting surface WTf of the substrate WT held on the stage under reduced pressure. Execute the conversion process.
  • the water cleaning unit 65 includes a water cleaning device such as a spin coater. Then, the water cleaning unit 65 performs a water cleaning process on the transported substrate WT, thereby removing particles adhering to the substrate WT and attaching water to the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • the transfer device 70 uses the transfer robot 71 to transfer the substrate WT among the carry-in / out unit 80, the bonding apparatus 30, and the hydrophilic treatment apparatus 60.
  • the transport apparatus 70 first transports the substrate WT from the carry-in / out unit 80 into the hydrophilic treatment apparatus 60. Then, the transfer device 70 transfers the substrate WT subjected to the hydrophilic treatment in the hydrophilic treatment device 60 from the hydrophilic treatment device 60 into the bonding device 30.
  • the transport robot 71 transports the substrate WT received from the hydrophilization processing device 60 into the bonding apparatus 30 after appropriately inverting the substrate WT.
  • the hydrophilic treatment apparatus 60 also performs the hydrophilic treatment by arranging the bonding surface of the substrate WT vertically downward, and handles the bonding surface of the substrate WT so as to always face downward in the process. As a result, the adhesion of particles to the bonding surface of the substrate WT can be suppressed.
  • a particle beam irradiation unit that activates the bonding surface of the substrate WT by irradiating the bonding surface of the substrate WT by irradiating the bonding surface of the substrate WT from the vertical lower side of the substrate WT is provided. It is effective to adopt the configuration described above.
  • the structure provided with this particle beam irradiation part is suitable compared with the structure provided with a plasma source, for example.
  • a plasma source for example, in the case of activating the hybrid substrate bonding surface exposed by mixing the insulating layer and the electrode on the bonding surface, it is assumed that the bonding surface of the substrate WC stretched on the dicing tape TE is activated.
  • impurity ions generated from oxides contained in the insulating layer, resin forming the dicing tape TE, etc. are attracted by plasma electrolysis and re-applied to the bonding surfaces of the substrates WT and WC. It will stick.
  • the impurities attached to the bonding surfaces of the substrates WT and WC are scattered by irradiating the particle beams to the bonding surfaces of the substrates WT and WC. Therefore, there is an advantage that the bonding surfaces of the substrates WT and WC can be activated without any spots.
  • the control unit 90 includes an MPU (Micro Processing Unit) 901, a main storage unit 902, an auxiliary storage unit 903, an interface 904, and a bus 905 that connects the units.
  • the main storage unit 902 includes a volatile memory and is used as a work area for the MPU 901.
  • the auxiliary storage unit 903 includes a nonvolatile memory, and stores a program executed by the MPU 901.
  • the auxiliary storage unit 903 also stores information indicating the rotation angle of the plate 391 of the chip transfer unit 39 described later.
  • the interface 904 converts captured image signals input from the supply chip imaging unit 15, the first imaging units 35 a and 35 b, and the second imaging unit 41 into captured image information and outputs the captured image information to the bus 905.
  • the MPU 901 reads the program stored in the auxiliary storage unit 903 into the main storage unit 902 and executes it, whereby the Z-direction drive unit 34, the ⁇ -direction drive unit 37, the piezo actuator 333, and the X-direction are connected via the interface 904.
  • Control signals are output to the drive unit 321, the Y-direction drive unit 323, the plate drive unit 392, the suction unit 391b, the chip reversing unit 131, the chip transfer unit 132, the cutting mechanism 111, the tape holding unit drive unit 113, and the transport robot 71, respectively. To do.
  • the controller 90 calculates a relative position error between the substrate WT and the chip CP from an image obtained by imaging the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b in a state where the substrate WT and the chip CP are in contact with each other. Then, the control unit 90 transfers the substrate to the Z direction driving unit 34, the ⁇ direction driving unit 37 of the head driving unit 36, the X direction driving unit 321 and the Y direction driving unit 323 of the stage 31 according to the calculated relative position error. The position and posture of the chip CP with respect to the WT are corrected.
  • control unit 90 causes the tape holding unit driving unit 113 to correct the position of the tape holding unit 112 and the inclination around the Z axis according to the position and posture of the chip CP passed to the chip reversing unit 131 on the substrate WC.
  • control unit 90 recognizes the posture of the chip CP based on the image data input from the supply chip imaging unit 15 described above.
  • This component mounting process is started when the control unit 90 starts a program for executing the component mounting process.
  • the tape holding unit 112 of the chip supply unit 11 holds the dicing tape TE with the surface of the dicing tape TE to which the dicing substrate WC is attached facing downward.
  • the surface side of each chip CP constituting the dicing substrate WC mounted on the substrate WT has already been subjected to a hydrophilic treatment in the hydrophilic treatment device 60 or another device.
  • the stage 31 holds the substrate WT that has been hydrophilized in the hydrophilization apparatus 60 and has been transported into the bonding apparatus 30 by the transport apparatus 70.
  • the stage 31 holds the substrate WT such that the mounting surface on which the chip CP is mounted on the substrate WT faces vertically downward (substrate holding step).
  • the front end portion of the plate 391A overlaps the head 33H and the front end portion of the plate 391C overlaps the chip transfer portion 132.
  • the plate 391A holds the chip CP and the plate 391C does not hold the chip CP.
  • the chip mounting system 1 moves the stage 31 so that the mounting position where the chip CP is mounted on the substrate WT is opposed to the head 33H.
  • the chip mounting system 1 first recognizes the position where the chip CP is mounted on the substrate WT based on the image data including the alignment mark of the substrate WT photographed by the second imaging unit 41. Then, based on the recognized mounting position of the chip CP, the substrate mounting portion 315 of the stage 31 is moved in the X direction or the Y direction, so that the portion on the substrate WT where the chip CP is mounted and the chip CP held by the head 33H. Facing each other.
  • the chip mounting system 1 delivers the chip CP held by the plate 391A to the head 33H as shown in FIG. 9 (step S1).
  • the chip mounting system 1 stops the suction by the suction portion 391b of the chip holding portion 391a of the plate 391A and keeps the chip CP on the head 33H in a state where the head 33H is close to the plate 391A.
  • the chip CP is transferred from the plate 391A to the head 33H.
  • the head 33H holds the chip CP from below vertically (component holding step).
  • the chip mounting system 1 transfers the chip CP held by the chip transfer unit 132 to the plate 391C of the chip transfer unit 39 (step S2).
  • the chip mounting system passes the chip CP to the chip holding part 391a of the plate 391C by raising the chip transfer part 132 holding the chip CP from the standby position as indicated by an arrow AR11 in FIG.
  • the chip delivery unit 132 is lowered to the standby position.
  • the chip mounting system 1 recognizes the position and orientation of the chip CP to be passed to the chip reversing unit 131 on the substrate WC based on the image data obtained by photographing with the supply chip imaging unit 15. Then, the chip mounting system 1 executes an alignment operation in which the tape holding unit driving unit 113 corrects the position of the tape holding unit 112 and the inclination around the Z axis according to the recognized position and posture of the chip CP (step) S3).
  • the chip mounting system 1 rotates the plate 391 of the chip transport unit 39 by a preset angle ⁇ 1 (step S4).
  • the chip transport unit 39 is in the second state in which it does not overlap the plate 391, the head 33H, and the chip transfer unit 132 in the Z-axis direction.
  • the angle ⁇ 1 is set to 22.5 degrees when there are four plates 391. That is, if the number of plates 391 is N (N is a positive integer), the angle ⁇ 1 is set to (180 / N) degrees.
  • step S5 when the chip mounting system 1 rotates the plate 391, it passes the chip CP from the chip supply unit 11 to the arm 1311 of the chip reversing unit 131 (component supply step) (step S5).
  • the chip mounting system 1 first moves the suction unit 1311a of the chip reversing unit 131 to the receiving position of the chip CP.
  • the chip mounting system 1 causes the cutting mechanism 111 of the chip supply unit 11 to push the chip CP downward with the needle 111a, and the chip CP pushed out by bringing the arm 1311 of the chip reversing unit 131 close to the dicing tape TE. Pass to arm 1311.
  • the chip mounting system 1 starts the alignment of the chip CP held by the head 33H when the plate 391 is rotated (step S6).
  • the chip mounting system 1 first raises the head 33H as shown by an arrow AR12 in FIG. 11B to bring the chip CP held by the head 33H closer to the mounting position on the substrate WT where the chip CP is mounted.
  • alignment marks MC1a and MC1b as shown in FIG. 12A are provided on the chip CP
  • alignment marks MC2a and MC2b as shown in FIG. 12B are provided at positions where the chip CP is mounted on the substrate WT. It has been.
  • the chip mounting system 1 uses the alignment marks MC1a and MC1b provided on the chip CP and the alignment marks MC2a and MC2b provided with the chip CP on the substrate WT at the mounting position.
  • the alignment operation is executed.
  • the chip mounting system 1 performs this alignment operation, for example, while raising the head 33H.
  • the chip mounting system 1 performs the alignment operation in a state where the chip CP and the substrate WT are brought close to each other, for example, a distance of several tens ⁇ m to several ⁇ m.
  • a part of the light emitted from the first imaging unit 35a, reflected by the mirror 337, and passed through the hollow portion 415 of the head 33H passes through the chip tool 411 and the chip CP.
  • a part of the light transmitted through the chip CP is reflected by a portion of the substrate WT where the alignment mark MC2a is provided.
  • the remaining part of the light that has passed through the hollow portion 415 of the head 33H is reflected by the portion of the chip CP where the alignment mark MC1a is provided.
  • the light reflected by the portion of the substrate WT where the alignment mark MC2a is provided or the portion of the chip CP where the alignment mark MC1a is provided passes through the chip tool 411 and passes through the hollow portion 415 of the head 33H. And these light which passed the hollow part 415 of the head 33H is reflected by the mirror 337, and injects into the image pick-up element of the 1st image pick-up part 35a.
  • the chip mounting system 1 acquires image data Ga including an image of the alignment mark MC1a provided on the chip CP and an image of the alignment mark MC2a provided on the substrate WT. Then, as shown in FIG.
  • the chip mounting system 1 recognizes the positions of a set of alignment marks MC1a and MC2a provided on the chip CP and the substrate WT based on the image data Ga, and this set of alignment. The amount of displacement ⁇ xa, ⁇ ya between the marks MC1a, MC2a is calculated.
  • the chip mounting system 1 simultaneously recognizes the set of the alignment mark MC1a of the chip CP and the alignment mark MC2a of the substrate WT by one image capturing operation without moving the focus axis by the same first imaging unit 35a. To do.
  • part of the light emitted from the first imaging unit 35b, reflected by the mirror 337, and passed through the hollow portion 416 of the head 33H also passes through the chip tool 411 and the chip CP.
  • a part of the light transmitted through the chip CP is reflected by a portion of the substrate WT where the alignment mark MC2b is provided.
  • the remaining part of the light that has passed through the hollow portion 416 of the head 33H is reflected by the portion of the chip CP where the alignment mark MC1b is provided.
  • the light reflected by the portion of the substrate WT where the alignment mark MC2b is provided or the portion of the chip CP where the alignment mark MC1b is provided passes through the chip tool 411 and passes through the hollow portion 416 of the head 33H.
  • the chip mounting system 1 acquires image data Gb including an image of the alignment mark MC1b provided on the chip CP and an image of the alignment mark MC2b provided on the substrate WT. Then, as described above, the chip mounting system 1 recognizes the positions of the set of marks MC1b and MC2b provided on the chip CP and the substrate WT based on the image data Gb, and this set of marks MC1b and MC2b. Displacement amounts ⁇ xb and ⁇ yb are calculated.
  • the chip mounting system 1 simultaneously recognizes the set of the alignment mark MC1b of the chip CP and the alignment mark MC2b of the substrate WT by one image capturing without moving the focus axis by the same first imaging unit 35b. To do. In this way, the chip mounting system 1 can recognize the positional deviation between the chip CP and the substrate WT with high accuracy.
  • the chip mounting system 1 includes chips in the X direction, the Y direction, and the rotation direction around the axis BX based on the positional deviation amounts ⁇ xa, ⁇ ya, ⁇ xb, ⁇ yb of these two sets of alignments MC1a, MC2a, MC1b, MC2b.
  • Relative displacement amounts ⁇ x, ⁇ y, ⁇ between the CP and the substrate WT are calculated.
  • ⁇ x represents a relative positional deviation amount between the chip CP and the substrate WT in the X direction
  • ⁇ y represents a relative positional deviation amount between the chip CP and the substrate WT in the Y direction
  • ⁇ represents a relative positional deviation amount between the chip CP and the substrate WT in the rotation direction around the axis BX.
  • the chip mounting system 1 drives the stage 31 in the X direction and the Y direction and rotates the bonding unit 33 around the axis BX so that the calculated relative displacement amount is reduced. In this way, the chip mounting system 1 performs the alignment operation for correcting the relative positional deviation between the chip CP and the substrate WT.
  • the chip mounting system 1 mounts the chip CP on the substrate WT by further raising the head 33H holding the chip CP (component mounting step) (step S7). More specifically, the chip mounting system 1 brings the head 33H holding the chip CP close to the stage 31 so that the chip CP is brought into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP is surface-bonded to the substrate WT. As described above, the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf bonded to the substrate WT in the chip CP are subjected to a hydrophilic treatment by, for example, the hydrophilic treatment device 60.
  • the chip CP is bonded to the substrate WT by bringing the bonding surface CPf of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT. Thereafter, the chip mounting system 1 lowers the head 33H and returns the head 33H to the standby position as indicated by an arrow AR15 in FIG. 14 (step S8).
  • the chip mounting system 1 performs a series of processes of steps S5 and S6, and at the same time, as indicated by an arrow AR13 in FIG. 11B, the chip reversing unit 131 pivots the arm 1311 so that the chip CP is turned upside down. (Step S9).
  • the chip mounting system 1 transfers the chip CP from the arm 1311 of the chip reversing unit 131 to the chip transfer unit 132 (step S10).
  • the chip mounting system 1 passes the chip CP from the arm 1311 to the chip transfer unit 132 by raising the chip transfer unit 132 from the standby position as indicated by an arrow AR14 in FIG. 11B.
  • the chip mounting system 1 lowers the chip transfer unit 132 again to the standby position as indicated by an arrow AR16 in FIG.
  • the chip mounting system 1 returns the arm 1311 to the standby position by turning the arm 1311 of the chip reversing unit 131 upward as indicated by an arrow AR17 in FIG. 14 (step S11).
  • the chip CP is mounted on the substrate WT by the head driving unit 36, the chip CP is reversed by the chip reversing unit 131, and the chip from the chip reversing unit 131 by the chip transfer unit 132.
  • the CP is received.
  • step S12 the chip mounting system 1 rotates the plate 391 of the chip transport unit 39 by a preset angle ⁇ 1 (step S12).
  • the chip transport unit 39 is in the first state in which the front end of the plate 391A overlaps the head 33H and the front end of the plate 391C overlaps the chip transfer unit 132 in the Z-axis direction. become.
  • the chip mounting system 1 delivers the chip CP held by the plate 391B to the head 33H in the same manner as in step S1 described above (step S13).
  • the chip mounting system 1 transfers the chip CP held by the chip transfer unit 132 to the plate 391D of the chip transfer unit 39 in the same manner as in step S2 described above (step S14).
  • the chip mounting system 1 causes the tape holding unit driving unit 113 to place the tape holding unit 112 on the position and the inclination around the Z axis according to the position and posture of the chip CP on the substrate WC. An alignment operation is performed to correct (step S15).
  • the chip mounting system 1 rotates the plate 391 of the chip transport unit 39 by a preset angle ⁇ 1 (step S16), and from the chip supply unit 11 to the chip reversing unit 131 in the same manner as step S3 described above.
  • the chip CP is transferred to the arm 1311 (step S17).
  • the chip mounting system 1 starts the alignment of the chip CP held by the head 33H in the same manner as in step S6 described above (step S18).
  • the chip transport unit 39 is in the second state in which it does not overlap the plate 391, the head 33H, and the chip transfer unit 132 in the Z-axis direction.
  • the chip mounting system 1 repeatedly executes the processing from step S7 to step S18.
  • the stage 31 holds the substrate WT such that the mounting surface on which the chip CP is mounted on the substrate WT faces vertically downward.
  • the head driving unit 36 moves the head 33H holding the chip CP vertically upward to bring the head 33H close to the stage 31 and mount the chip CP on the mounting surface of the substrate WT.
  • the tape holding unit 112 has a frame shape, and holds the substrate WC attached to the dicing tape TE in a posture in which the dicing sheet TE is positioned vertically above the substrate WC. Thereby, it is possible to suppress adhesion of particles to the surface side of each chip CP constituting the substrate WC mounted on the substrate WT. Further, the cutting mechanism 111 supplies each chip CP constituting the substrate WC by protruding the needle 111a vertically downward from the vertically upper side of the dicing tape TE sheet and protruding the chip CP vertically downward. . Thereby, the structure of the chip
  • the peripheral portion CPs of the chip CP is directed vertically upward (+ Z direction) by the chip holding unit 391a and the bonding surface CPf side bonded to the substrate WT in the chip CP.
  • the chip CP is transported while being held in a state.
  • the chip CP has a rectangular parallelepiped shape, and has a notch CPk formed in the outer peripheral portion of the bonding surface CPf bonded to the substrate WT. Further, as shown in FIG.
  • the chip holding portion 391a has an adsorption portion 391b and a protruding portion 391c protruding around the adsorption portion 391b, and the protruding amount HT of the protruding portion 391c is equal to that of the notch portion CPk. It is larger than the height HC in the direction orthogonal to the joint surface CPf (Z-axis direction). And the chip
  • the chip mounting system 1 in the first state of the chip transport unit 39, the reception of the chip CP from the chip transport unit 39 by the head 33H and the transfer from the chip supply unit 11 to the chip inversion unit 131 are performed. The supply of the chip CP and the transfer of the chip CP from the chip transfer unit 132 to the chip transfer unit 39 are executed.
  • the chip CP is mounted on the substrate WT by the head driving unit 36, the chip CP is reversed by the chip reversing unit 131, and the chip from the chip reversing unit 131 by the chip transfer unit 132. The CP is received.
  • the mounting of all the chips CP to be mounted on the substrate WT is completed after starting the mounting of the chip CP on the substrate WT, compared to the case where each of these operations is executed sequentially.
  • the first imaging units 35a and 35b are arranged vertically below the chip CP ( ⁇ ) in a state where the chip CP is disposed at the position where the chip CP is mounted on the substrate WT. From the Z direction), the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP are imaged.
  • the second imaging unit 41 captures the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT from the vertically upper side (+ Z direction) of the substrate WT in a state where the chip CP is disposed at the position where the chip CP is mounted on the substrate WT. To do.
  • the chip mounting system 1 can accurately recognize the alignment marks MC1a, MC1b of the chip CP and the alignment marks MC2a, MC2b of the substrate WT, so that the alignment accuracy of the chip CP with respect to the substrate WT is improved. There is.
  • control unit 90 uses the substrate WT and the chip CP from image data obtained by imaging the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b in a state where the substrate WT and the chip CP are in contact with each other. Measure relative position error with. Then, the control unit 90 causes the head driving unit 36 to correct the position where the chip CP is mounted on the substrate WT, according to the measured relative position error. Thereby, the chip mounting system 1 can accurately perform the alignment of the chip CP with respect to the substrate WT.
  • the head driving unit 36 brings the head 33H holding the chip CP close to the stage 31 and brings the bonding surface CPf of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • the chip CP is surface-bonded to the substrate WT. More specifically, the head driving unit 36 brings the chip CP into contact with the substrate WT by bringing the bonding surface of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT subjected to the hydrophilic treatment by the hydrophilic treatment apparatus 60.
  • a void is generated in the range of about several mm in diameter around the particle.
  • COW chip-on-wafer
  • a so-called COW (chip-on-wafer) type chip mounting system that selects and mounts non-defective chips is more advantageous.
  • the chip mounting system 1 according to the present embodiment as described above, countermeasures against particles that suppress adhesion of particles to the mounting surface WTf of the substrate WT are taken. This makes it possible to employ hydrophilic treatment bonding in mounting the chip CP on the substrate WT.
  • the resin molding apparatus cures the resin part by irradiating ultraviolet rays in a state where a mold member (hereinafter referred to as “mold”) on which a resin made of an ultraviolet curable resin is placed is pressed against the substrate. It is a system to let you. By using this resin molding apparatus, a fine structure formed of resin on the substrate can be produced.
  • the resin part is made of a photocurable resin.
  • the photocurable resin include a photo radical curable resin containing at least one polymerizable compound.
  • the photo-radical curable resin for example, a mixture of a photo-radical initiator and a liquid monomer containing acrylates, methacrylates, vinyl esters, vinyl amides, etc., which are rapidly polymerized and cured by irradiation with ultraviolet rays is used. Can do.
  • a photocurable resin you may add hardeners, such as an aromatic carbonyl compound, ketones, and phosphine oxides.
  • the substrate for example, a glass substrate or sapphire substrate that is transparent to ultraviolet rays is employed.
  • the resin molding apparatus 2 includes a stage (substrate holding unit) 2031, a bonding unit 2033 having a head 2033H, a head driving unit 36 for driving the head 2033H, and an imaging unit. 2041, a distance measuring unit 511, a dispenser (resin discharging unit) 52, an ultraviolet irradiation unit (resin curing unit) 53, a support unit 55, a cover 2050, and a control unit 2090.
  • the stage 2031 holds the substrate WT such that the formation surface WTf forming the resin portion R in the substrate WT faces vertically downward ( ⁇ Z direction).
  • the head drive unit 36 moves the head 2033H vertically upward (+ Z direction) after making the head 2033H face the position Pos2 where the resin part R is formed on the substrate WT, thereby moving the head 2033H closer to the stage 2031 and resin.
  • the mold M is pressed from vertically below the part R ( ⁇ Z direction).
  • the imaging unit 2041 has an alignment mark (third alignment mark) of the mold M, which will be described later, from vertically above the mold M (+ Z direction) with the head 2033H facing the position where the resin part R is formed on the substrate WT. Images are taken of MM1a and MM1b, and alignment marks (fourth alignment marks) MM2a and MM2b of the substrate WT described later.
  • the bonding unit 2033 includes a Z-axis direction moving member 331, a first disk member 332, a piezo actuator (mold orientation adjusting unit) 333, a second disk member 334, and a head 2033H.
  • the head 2033H sucks and holds the mold M from vertically below ( ⁇ Z direction).
  • the head 2033H has a chip tool 411 and a head main body 2413.
  • the head main body 2413 is not provided with a hollow portion as described in the first embodiment.
  • There are three piezo actuators 333 and each operates according to a control signal input from the control unit 2090. These piezo actuators 333 adjust the posture of the mold M based on the distance measured by the distance measuring unit 511.
  • the mold M is a mold member having a flat surface MF facing a surface on which the resin portion R of the substrate WT is formed in a state where a plurality of concave portions MT are formed and held by the head 2033H.
  • the mold M is made of metal, glass, ceramics, or the like. Further, a stepped portion MS is formed in the peripheral portion of the mold M, and has a mirror-like MF and MS surface capable of reflecting laser light.
  • the stage 2031 holds the substrate WT such that the formation surface WTf on which the resin portion R is formed on the substrate WT is oriented vertically downward ( ⁇ Z direction).
  • the stage 2031 can move in the X direction and the Y direction. Thereby, the relative positional relationship between the bonding part 2033 and the stage 2031 can be changed, and the formation position of each resin part R on the substrate WT can be adjusted.
  • the stage 2031 has a substrate mounting portion 2315 provided with a through hole 2031a through which the nozzle 522 of the dispenser 52 is inserted in the peripheral portion.
  • the dispenser 52 forms the resin portion R by discharging an ultraviolet curable resin onto the formation surface WTf of the substrate WT.
  • the dispenser 52 includes a main body 520, a dispenser driving unit 521 that drives the main body 520, a nozzle 522 that protrudes downward from the main body 520, and a discharge controller 523 that controls the amount of resin discharged from the nozzle 522. And having.
  • the main body 520 is connected to a resin reservoir (not shown) that stores resin via a supply pipe (not shown), and the resin supplied from the resin reservoir is discharged from the nozzle 522.
  • the discharge controller 523 controls the amount of resin discharged from the nozzle 522 based on the control signal input from the controller 2090.
  • the main body 520 is movable in the Z-axis direction (see arrow AR6 in FIG. 15).
  • the resin molding apparatus 2 first moves the stage 2031 in the X-axis direction so that the nozzle 522 and the through hole 2031a of the stage 2031 overlap in the Z-axis direction.
  • the resin molding apparatus 2 causes the dispenser driving unit 521 to move the main body 520 and the nozzle 522 vertically downward ( ⁇ Z direction).
  • the dispenser 52 is in a discharge ready state where the resin is discharged into the concave portion MT of the mold M and the preparation for placing the resin on the mold M is completed.
  • the resin molding apparatus 2 injects resin into the concave portion MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus 2 injects resin into the concave portion MT of the mold M by the discharge control unit 523. Thereafter, the resin molding apparatus 2 causes the main body 520 to move vertically upward (+ Z direction) by the dispenser driving unit 521 to place the dispenser 52 in a standby state.
  • the distance measuring unit 511 measures the distance between the formation surface WTf where the resin portion R of the substrate WT is formed and the flat surface MF disposed facing the substrate WT of the mold M using laser light. . Then, the head driving unit 36 brings the head 2033H holding the mold M closer to the stage 2031 holding the substrate WT based on the distance measured by the distance measuring unit 511. The distance measuring unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M at three locations on the flat surface MF of the mold M.
  • the distance measurement is not limited to three, and the distance between the formation surface WTf and the flat surface MF and the parallelism of the flat surface MF with respect to the formation surface WTf can be measured as long as there are three or more. . Further, the measurement at three or more locations for adjusting the parallelism of the flat surface MF with respect to the formation surface WTf may be performed as needed. In each operation of pressing the mold MF against the substrate WT, the distance may be measured at only one location to control only the gap between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M.
  • the imaging unit 2041 is placed on the stepped portion MS of the mold M from vertically above the substrate WT (+ Z direction) in a state where the mold M is disposed at a position where the resin portion R is formed on the substrate WT.
  • the provided alignment marks (third alignment marks) MM1a and MM1b and the alignment marks (fourth alignment marks) MM2a and MM2b provided on the substrate WT are imaged.
  • the imaging unit 2041 is a so-called one-field camera, and sequentially captures a set of alignment marks MM1a and MM2a and a set of alignment marks MM1b and MM2b while changing the position in the XY direction.
  • the resin molding apparatus 2 first makes the imaging unit 2041 orthogonal to the axis in the focus direction with a relatively long distance between the alignment marks MM1a and MM1b and the alignment marks MM2a and MM2b before pressing the mold M. Alignment (hereinafter referred to as “pre-alignment”) while moving in the direction of movement. Thereafter, the resin molding apparatus 2 presses the mold M against the substrate WT and the resin filled in the concave portion MT of the mold M is in contact with the formation surface WTf of the substrate WT, and the alignment marks MM1a and MM2a are aligned.
  • pre-alignment Alignment
  • a set of marks MM1b and MM2b is simultaneously recognized by one image capture without moving the focus axis and aligned in the resin (hereinafter referred to as “immersion alignment”).
  • immersion alignment In this way, vibration and focus axis errors can be avoided by simultaneously recognizing, and after the resin is brought into contact with the substrate WT, the positional deviation in a state where the resin is in contact with the substrate WT is corrected, and the resin is cured.
  • High-precision resin molding can be realized by just aligning.
  • pre-alignment is performed in advance in order to avoid that the positional deviation between the alignment marks MM1a and MM1b and the alignment marks MM2a and MM2b is large and cannot be recognized simultaneously.
  • the flow of the resin is prevented by reducing the amount of movement of the mold M during alignment in a state where the resin filled in the concave portion MT of the mold M is in contact with the formation surface WTf of the substrate WT.
  • the imaging unit 2041 captures an image when a part of the resin portion R protrudes from the portion of the flat surface MF where the alignment marks MM1a and MM1b are provided. In some cases, the images of the alignment marks MM1a and MM1b are blurred. On the other hand, in the mold M according to the present embodiment, alignment marks MM1a and MM1b are provided in the stepped portion MS.
  • the imaging unit 2041 can capture the images of the alignment marks MM1a and MM1b through the region where the resin portion R is not interposed between the substrate WT and the mold M, so that the alignment marks MM1a and MM1b can be recognized well.
  • the ultraviolet irradiation unit 53 cures the resin part R by irradiating the resin part R with ultraviolet rays from vertically above (+ Z direction) of the substrate WT while the mold M is pressed against the resin part R formed on the substrate WT.
  • the ultraviolet irradiator 53 includes, for example, a laser light source that emits ultraviolet light, a mercury lamp, or the like.
  • the support unit 55 integrally supports the dispenser 52, the ultraviolet irradiation unit 53, the imaging unit 2041, and the distance measurement unit 511, and is movable in the XY directions. Further, the support portion 55 is also movable in the Z-axis direction. Thereby, the focus adjustment of the imaging unit 2041 is possible.
  • the dispenser 52, the ultraviolet irradiation unit 53, the imaging unit 2041, and the distance measurement unit 511 may be individually supported by a support unit, and each support unit may be independently movable in the XY directions.
  • the cover 2050 is arranged in the resin molding apparatus 2 so as to partition a space in which the head driving unit 36 is arranged and a space in which the stage 2031 is arranged. Thereby, adhesion of particles generated in the stage 2031 to the head driving unit 36 is suppressed.
  • the control unit 2090 includes an MPU (Micro Processing Unit) 901, a main storage unit 902, an auxiliary storage unit 903, an interface 2904, and a bus 905 that connects the units.
  • MPU Micro Processing Unit
  • main storage unit 902 main storage unit 902
  • auxiliary storage unit 903 main storage unit 903
  • interface 2904 converts the measurement signal input from the distance measurement unit 511 into measurement information and outputs the measurement information to the bus 905.
  • the interface 2904 converts the captured image signal input from the imaging unit 2041 into captured image information and outputs the captured image information to the bus 905.
  • the MPU 901 reads the program stored in the auxiliary storage unit 903 into the main storage unit 902 and executes it, thereby causing the Z-direction drive unit 34, the ⁇ -direction drive unit 37, the piezo actuator 333, and the X-direction drive unit via the interface 2904.
  • a Y-direction drive unit 323, a dispenser drive unit 521, a discharge control unit 523, an ultraviolet irradiation unit 53, and a support unit 55 are output control signals.
  • the control unit 2090 calculates the relative position error between the substrate WT and the mold M by imaging the alignment marks MM1a, MM1b, MM2a, and MM2b in a state where the mold M is pressed against the resin portion R. Then, the control unit 2090 transfers the substrate to the Z direction driving unit 34, the ⁇ direction driving unit 37 of the head driving unit 36, the X direction driving unit 321 and the Y direction driving unit 323 of the stage 2031 according to the calculated relative position error. The position and posture of the mold M with respect to the WT are corrected. In this case, the ultraviolet irradiation unit 53 irradiates the resin part R with ultraviolet rays after the correction of the position and orientation of the mold M with respect to the substrate WT is completed.
  • FIG. 18 the resin molding apparatus 2 is assumed to hold the substrate WT on the stage 2031 and hold the mold M on the head 2033H.
  • the stage 2031 holds the substrate WT such that the formation surface WTf forming the resin portion R on the substrate WT faces vertically downward (substrate holding step).
  • the head 2033H holds the mold M from below vertically (mold holding step).
  • the resin molding apparatus 2 moves the support portion 55 so that the dispenser 52 is positioned vertically above the head 2033H (+ Z direction) in the Z-axis direction (see arrow AR72 in FIG. 19).
  • the resin molding apparatus 2 moves the stage 2031 so that the dispenser 52 and the through hole 2031a of the stage 2031 overlap (see arrow AR71 in FIG. 19).
  • the resin molding apparatus 2 causes the dispenser driving unit 521 to lower the main body unit 520 vertically downward ( ⁇ Z direction), thereby bringing the nozzle 522 closer to the mold M as shown in FIG. In this way, the resin molding apparatus 2 places the dispenser 52 in a discharge preparation ready state as shown in FIG. 18 (step S201).
  • the resin molding apparatus 2 causes the discharge control unit 523 to discharge the resin from the nozzle 522 into the concave portion MT of the mold M by a preset discharge amount (resin discharge step) (step S202). That is, the dispenser 52 discharges the resin into the concave portion MT of the mold M held by the head 2033H. As a result, for example, as shown in FIG. 20, the resin R1 is filled in the recess MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus 2 moves the main body 520 of the dispenser 52 vertically upward (+ Z direction) by the dispenser driving unit 521. In this way, the resin molding apparatus 2 places the dispenser 52 in a standby state as shown in FIG. 18 (step S203).
  • the resin molding apparatus 2 moves the stage 2031 so that the head 2033H and the position where the resin portion R on the substrate WT is formed overlap each other in the Z-axis direction.
  • the resin molding apparatus 2 then performs pre-alignment of the mold M held by the head 2033H (step S204). That is, the resin molding apparatus 2 is configured so that the imaging unit 2041 is orthogonal to the axis in the focus direction in a state where the distance between the alignment marks MM1a and MM1b and the alignment marks MM2a and MM2b is relatively long before the mold M is pressed.
  • the distance between the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT is set to about several mm.
  • the resin molding apparatus 2 first raises the head 2033H to bring the mold M held by the head 2033H closer to the position where the resin portion R is formed on the substrate WT.
  • the mold M is provided with alignment marks MM1a and MM1b, and the alignment marks MM2a and MM2b are also provided at positions where the resin portion R of the substrate WT is formed.
  • the resin molding apparatus 2 uses the alignment marks MM1a and MM1b provided on the mold M and the alignment marks MM2a and MM2b provided at positions where the resin portion R of the substrate WT is formed. A pre-alignment operation with the substrate WT is executed.
  • the resin molding apparatus 2 performs molding on the substrate WT so that the alignment marks MM1a and MM1b of the mold M and the alignment marks MM2a and MC2b of the substrate WT do not overlap each other when focused. Perform a rough alignment of M.
  • the resin molding apparatus 2 adjusts the distance between the mold M and the substrate WT by measuring the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M by the distance measuring unit 511.
  • Step S205 the resin molding apparatus 2 adjusts the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M to a distance of several tens ⁇ m to several ⁇ m.
  • the mold M is in a state of being close to the substrate WT until a part of the resin R ⁇ b> 1 protrudes from the outer peripheral portion of the concave portion MT of the mold M.
  • the head driving unit 36 makes the head 2033H face the position where the resin part R is formed on the substrate WT, and then moves the head 2033H vertically upward to bring the head 2033H closer to the stage 2031 and the vertical of the substrate WT.
  • the mold M is pressed from below (mold pressing step).
  • the resin molding apparatus 2 performs alignment again (also referred to as “immersion alignment”) in a state where the resin R1 placed on the mold M is in contact with the formation surface WTf of the substrate WT. Is executed (step S206).
  • the resin molding apparatus 2 simultaneously recognizes the set of alignment marks MM1a and MM2a and the set of alignment marks MM1b and MM2b by one image capture without moving the focus axis. Thereby, the resin molding apparatus 2 can align the relative position of the mold M with respect to the substrate WT with high accuracy without being affected by the accuracy of the focus axis of the imaging unit 2041 or the vibration.
  • the resin molding apparatus 2 acquires image data Ga including an image of the alignment mark MM1a provided on the mold M and an image of the alignment mark MM2a provided on the substrate WT by the imaging unit 2041. Then, the resin molding apparatus 2 recognizes the positions of a set of marks MM1a and MM2a provided on the mold M and the substrate WT based on the image data Ga, and positions between the sets of marks MM1a and MM2a. Deviation amounts ⁇ xa and ⁇ ya are calculated. Similarly, the resin molding apparatus 2 also acquires image data Gb including an image of the alignment mark MM1b provided on the mold M and an image of the alignment mark MM2b provided on the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 2 recognizes the positions of a set of marks MM1a and MM2a provided on the mold M and the substrate WT based on the image data Gb, and this set of marks MM1b and MM2b. Displacement amounts ⁇ xb and ⁇ yb are calculated. Then, the resin molding apparatus 2 uses the chip CP in the X direction, the Y direction, and the rotation direction around the axis BX based on the positional deviation amounts ⁇ xa, ⁇ ya, ⁇ xb, ⁇ yb of these two sets of alignments MM1a, MM2a, MM1b, MM2b.
  • relative displacement amounts ⁇ x, ⁇ y, ⁇ between the substrate and the substrate WT are calculated.
  • ⁇ x, ⁇ y, and ⁇ are the same as those in the first embodiment.
  • the resin molding apparatus 2 drives the stage 2031 in the X direction and the Y direction so that the calculated relative displacement amount is reduced, and rotates the bonding unit 2033 around the axis BX. In this way, the resin molding apparatus 2 performs an alignment operation for correcting the relative positional deviation between the mold M and the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 2 irradiates the resin R1 with ultraviolet rays emitted from the ultraviolet irradiation unit 53 (step S207).
  • the ultraviolet irradiation unit 53 cures the resin R existing inside the recess MT by irradiating the ultraviolet ray with the mold M pressed against the resin R1 (resin curing step).
  • the resin molding apparatus 2 lowers the head 2033H and moves the head 2033H to the standby position (step S208). In this way, the resin portion R is formed on the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 2 determines whether or not to end the imprint process (step S209).
  • the resin molding apparatus 2 determines that the imprint process is to be ended, for example, when a command to end the imprint process is input or when a preset program sequence of the imprint process is completed. If the resin molding apparatus 2 determines that the imprint process is to be continued (step S209: No), the stage 2031 is moved so that the head 2033H faces the next portion of the substrate WT where the resin portion R is to be formed (step S210). . Subsequently, the process of step S201 is executed again.
  • step S209 Yes
  • the imprint process is ended.
  • the stage 31 holds the substrate WT such that the surface of the substrate WT on which the resin portion R is formed faces vertically downward.
  • the head drive unit 36 moves the head 2033H vertically upward at a pressing position opposite to the position where the resin part R is formed on the substrate WT, thereby bringing the head 2033H closer to the stage 31 and from below the resin part R vertically. Press the mold M.
  • the ultraviolet irradiation unit 53 cures the resin part R by irradiating the resin part R with ultraviolet rays in a state where the mold M is pressed against the resin part R.
  • the head driving unit 36 moves the head 2033H vertically upward at a pressing position opposite to the position where the resin part R is formed on the substrate WT.
  • the mold M is pressed from the vertically lower side of the resin portion R close to the stage 31. Further, since the mold M is filled with the resin by the dispenser 52 from above in the vertical direction, it is possible to prevent the air in the resin portion R from being caught. This makes it difficult for air to enter the interface between the inner surface of the concave portion MT of the mold M and the resin portion R, so that the resin portion R is formed due to the mixing of air into the interface between the inner surface of the concave portion MT and the resin portion R. The occurrence of defects is suppressed.
  • the resin molding apparatus 2 further includes a dispenser 52 that discharges the resin to the concave portion MT of the mold M held by the head 2033H.
  • a dispenser 52 that discharges the resin to the concave portion MT of the mold M held by the head 2033H.
  • the imaging unit 2041 is viewed from vertically above the mold M (+ Z direction) with the head 2033H facing the position where the resin part R on the substrate WT is formed. Then, the alignment marks MM1a and MM1b of the mold M and the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT are imaged. Thereby, since the resin molding apparatus 2 can recognize the alignment marks MM1a and MM1b of the mold M and the alignment marks MM2a and MM2b of the substrate WT with high accuracy, the advantage that the alignment accuracy of the mold M with respect to the substrate WT is improved. There is.
  • control unit 2090 images the alignment marks MM1a, MM1b, MM2a, and MM2b in a state where the mold M is pressed against the resin portion R, thereby causing a relative position error between the substrate WT and the mold M. Is calculated. Then, the control unit 2090 transfers the substrate to the Z direction driving unit 34, the ⁇ direction driving unit 37 of the head driving unit 36, the X direction driving unit 321 and the Y direction driving unit 323 of the stage 2031 according to the calculated relative position error. The position and posture of the mold M with respect to the WT are corrected. Thereby, the resin molding apparatus 2 can perform the alignment of the mold M with respect to the substrate WT with high accuracy.
  • the resin molding apparatus 2 includes a distance measuring unit 511 that measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M using laser light.
  • the distance measuring unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M by irradiating laser light from above the substrate WT and the mold M. Then, the head driving unit 36 brings the head 2033H holding the mold M close to the stage 2031 holding the substrate WF based on the distance measured by the distance measuring unit 511.
  • the resin molding apparatus 2 can control the thickness of the portion of the resin portion R that protrudes from the outer peripheral portion of the concave portion MT in a state where the mold M is pressed against the resin portion R, the shape of the resin portion R can be changed. It can be adjusted with high accuracy.
  • the resin molding apparatus 2 includes a piezo actuator 333 that changes the posture of the mold M based on the distance measured by the distance measuring unit 511.
  • the distance measuring unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M at three or more locations on the flat surface MF of the mold M.
  • the head 2033H can hold the mold M so that the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT are parallel to each other. Therefore, the accuracy of the shape of the resin portion R can be increased.
  • the chip mounting system 1 may have a configuration in which a light source that emits light that passes through the substrate WT and the chip CP is disposed above the stage 31.
  • the first imaging units 35a and 35b acquire images including the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b using transmitted light that is emitted from the light source disposed above the stage 31 and transmitted through the substrate WT and the chip CP. You just have to do it.
  • the resin molding apparatus 2 according to Embodiment 2 may also have a configuration in which a light source that emits light that passes through the substrate WT and the mold M is disposed below the stage 2031.
  • the first imaging units 35a and 35b acquire images including the alignment marks MM1a, MM1b, MM2a, and MM2b using the transmitted light that is emitted from the light source disposed below the stage 31 and transmitted through the substrate WT and the mold M. You just have to do it.
  • the configuration has been described in which an image including the substrate WT and the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b of the chip CP is acquired from the lower side of the chip CP by the two first imaging units 35a and 35b.
  • the first imaging units 35a and 35b may be configured to capture images including the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b of the substrate WT and the chip CP from above the stage 31.
  • the same reference numerals as those in FIG. 3 are assigned to the same configurations as those in the first embodiment.
  • the camera F direction driving unit 365 and the mirror 337 are fixed to a common base member 3336.
  • a bonding apparatus having a head 8633H provided with a pressing portion 86413b for pressing the central portion of the chip CP vertically upward while holding the peripheral portion of the chip CP is provided. It may be a configuration.
  • the head 8633H includes a tip tool 86411 and a head main body portion 86413.
  • the head main body 86413 includes a suction part 86413a for vacuum-sucking the chip CP to the chip tool 86411, a pressing part 86413b movable in the vertical direction at the center part, and a pressing drive part (not shown) for driving the pressing part 86413b. And).
  • the head main body 86413 also has a suction part (not shown) for fixing the chip tool 86411 to the head main body 86413 by vacuum suction.
  • a suction part (not shown) for fixing the chip tool 86411 to the head main body 86413 by vacuum suction.
  • the head main body portion 86413 is provided with a hollow portion (not shown) similarly to the head main body portion 413 according to the first embodiment.
  • the suction part 86413a and the through hole 86411a function as a peripheral part holding part that holds the peripheral part of the chip CP.
  • the bonding apparatus having the head 8633H shown in FIG. 23A drives the pressing portion 86413b in the vertical direction (see the arrow AR861 in FIG. 23A) with the peripheral portion of the chip CP adsorbed to the chip tool 86411 (see the arrow AR861 in FIG. 23A). See AR862).
  • the chip CP is bent such that the central portion protrudes more toward the substrate WT than the peripheral portion (arrow AR863 in FIG. 23A).
  • the head driving unit of the bonding apparatus brings the head 8633H close to the substrate WT while the chip CP is bent, thereby bringing the central portion of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • the head drive unit has the suction part 86413a and the through-hole 86411a holding the peripheral part of the chip CP, and the pressing part 86413b presses the central part of the chip CP, so that the central part of the chip CP is compared with the peripheral part.
  • the head 8633H is bent so as to protrude toward the substrate WT side, the head 8633H is moved in the vertical direction so as to be close to a stage (not shown) that holds the substrate WT, and the central portion of the chip CP is placed on the mounting surface WTf of the substrate WT. Make contact.
  • the bonding apparatus moves the head 8633H in the vertical direction to approach the substrate WT to a preset distance, and then flexes the chip CP to bring the central portion of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT. May be. Thereafter, the bonding apparatus mounts the chip CP on the substrate WT by moving the head 8633H closer to the substrate WT while immersing the pressing portion 86413b vertically downward.
  • a configuration having a head 8733H as shown in FIG. 23B may be used.
  • the head 8733H has a tip tool 87411 and a head main body 87413.
  • the head main body 87413 has a suction part 86413a and a discharge port 87413b that is located closer to the center than the suction part 86413a and discharges air.
  • the head main body 87413 also has a suction part (not shown) for fixing the chip tool 87411 to the head main body 87413 by vacuum suction.
  • the tip tool 87411 has a through hole 86411a formed at a position corresponding to the suction portion 86413a of the head main body portion 87413, and a through hole 87411b formed at a position corresponding to the discharge port 87413b.
  • the bonding apparatus having the head 8733H shown in FIG. 23B has a region between the chip tool 87411 and the center portion of the chip CP in a state where the peripheral portion of the chip CP is attracted to the chip tool 87411 (see an arrow AR861 in FIG. 23B). Air is discharged (see arrow AR871 in FIG. 23B). As a result, the chip CP is bent so that the central portion protrudes more toward the substrate WT than the peripheral portion (arrow AR863 in FIG. 23B).
  • the bonding apparatus moves the head 8733H in the vertical direction in a state where the chip CP is bent to bring it closer to a stage (not shown) that holds the substrate WT, so that the central portion of the chip CP is mounted on the mounting surface of the substrate WT.
  • Contact WTf The bonding apparatus moves the head 8633H in the vertical direction to approach the substrate WT to a preset distance, and then flexes the chip CP to bring the central portion of the chip CP into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT. May be.
  • the bonding apparatus mounts the chip CP on the substrate WT by reducing the amount of air discharged from the discharge port 87413b and bringing the head 8733H closer to the substrate WT.
  • the structure which has a head 7633H as shown, for example in FIG. 24A may be sufficient.
  • the head 7633H includes a tip tool 76411, a head main body portion 76413, and a clamp 76412 that holds the peripheral portion of the tip CP.
  • the head main body portion 76413 has a pressing portion 76413b that is movable in the vertical direction at the center portion, and a pressing drive portion (not shown) that drives the pressing portion 76413a.
  • the head 7933H includes a tip tool 76411, a head main body portion 76413, and a chuck 79412 that presses and holds the peripheral portion of the tip CP from the side.
  • the chip CP can be held even if a sufficient level difference that allows the nail to enter the peripheral portion of the chip CP is not formed.
  • step difference is formed in the peripheral part of chip
  • a configuration including a bonding apparatus having a head 8833H in which the inclination of the tip tool 88411 holding the chip CP relative to the head main body portion 88413 can be changed may be used.
  • the head main body portion 88413 includes a shaft portion (not shown) that supports the tip tool 88411 and a tip tool drive portion (not shown) that drives the tip tool 88411 in a direction to rotate around the shaft portion.
  • the chip tool 88411 is a tilt variable holding unit that holds the chip CP and in which the tilt of the bonding surface CPf of the chip CP with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT is variable.
  • the bonding apparatus drives the head 8833H in the vertical direction in a state where the bonding surface CPf of the chip CP is inclined with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT (the arrow in FIG. 25A). AR881).
  • the head driving unit of the bonding apparatus moves the head 8833H in the vertical direction in a state where the chip tool 88411 holds the front chip CP by inclining the bonding surface CPf of the chip CP with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT.
  • the edge of the bonding surface CPf of the chip CP is brought into contact with the mounting surface WTf of the substrate WT close to a stage (not shown) that holds the substrate WT.
  • the head drive unit of the bonding apparatus moves the head 8833H obliquely upward when the end of the chip CP contacts the mounting surface WTf of the substrate WT, as shown by the broken line in FIG. 25B (see FIG. 25B). (See arrow AR882).
  • the chip tool 88411 moves in the direction of rotation about the contact portion P88 between the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP (arrow AR883 in FIG. 25B).
  • the chip CP contacts the mounting surface WTf of the substrate WT in order from the contact portion P88.
  • the bonding apparatus 30 controls the degree of expansion / contraction of each of the three piezo actuators 333 so that the bonding surface CPf of the chip CP is inclined with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT as shown in FIG. it can. Then, the bonding apparatus 30 drives the head 33H vertically upward with the bonding surface CPf of the chip CP inclined with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT (see arrow AR881 in FIG. 26).
  • a bonding apparatus having a box shape in which one surface is opened and having a cap 8924 that contacts the head 33 ⁇ / b> H via an O-ring 8928 may be provided.
  • the cap 8924 is provided with an opening 8924d for inserting a part of the head 8933H toward the outside of the cap 8924.
  • An O-ring 8926 is attached to the outer periphery of the opening 8924d on the outer wall of the cap 8924.
  • the bonding apparatus includes a vacuum pump (vacuum source) (not shown) that raises the degree of vacuum of the space S89 by exhausting air existing in the space S89 in the cap 8924 through the exhaust port 8924a of the cap 8924.
  • a vacuum pump vacuum source
  • the bonding apparatus In the bonding apparatus according to this modification, first, the cap 8924 is moved in a direction approaching the substrate WT (see arrow AR891 in FIG. 27A), and the O-ring 8926 is pressed against the mounting surface WTf of the substrate WT. Next, the bonding apparatus exhausts the gas existing in the space S89 through the exhaust port 8924a in a state where the chip CP is disposed in the space S89 in the cap 8924, thereby increasing the degree of vacuum of the space S89. Then, as shown in FIG. 27B, the bonding apparatus moves the head 8933H vertically upward (see the arrow AR892 in FIG. 27B) with the degree of vacuum in the space S89 raised, and the chip CP held by the chip tool 89411. Is pressed against the substrate WT. Thereafter, the bonding apparatus lowers the head 8933H and the cap 8924 after returning the space S89 in the cap 8924 to atmospheric pressure.
  • the chip CP is mounted on the substrate WT in the space S89 in the cap 8924 where the degree of vacuum is increased, the space between the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf of the chip CP is set. Generation of voids due to entrainment of bubbles is suppressed.
  • the chip supply unit 11 projects the chip CP to the chip transfer unit 13 by projecting one chip CP downward from the plurality of chips CP attached to the dicing tape TE with the needle 111a.
  • the example of passing is explained.
  • the present invention is not limited to this.
  • the surface mounted on one substrate WT among the plurality of chips CP may be provided with a mechanism for vacuum-chucking the surface opposite to that and delivering it to the chip transfer unit 13.
  • the chip CP is surface-bonded to the substrate WT.
  • the present invention is not limited to this, and for example, the chip CP may be bonded to the substrate WT via metal bumps. .
  • the hydrophilic treatment device 60 constituting the chip mounting system is not necessary.
  • the dispenser 52 is disposed above the stage 2031 in the resin molding apparatus 2 according to Embodiment 2, the example in which the dispenser 52 is disposed above the stage 2031 has been described.
  • the arrangement of the dispenser 52 is not limited to this.
  • the dispenser 4052 is a resin molding apparatus 4 arranged below the substrate WT held on the stage 31. Also good.
  • the same reference numerals as those in FIG. 15 are assigned to the same configurations as those in the second embodiment.
  • the dispenser 4052 includes a main body portion 4520, a dispenser driving portion 4521, a nozzle 4522, and a discharge control portion 4523.
  • Main body 4520 is movable in a direction orthogonal to the Z-axis.
  • the resin molding apparatus 4 moves the main-body part 4520 by the dispenser drive part 4521 to the position where the nozzle 4522 overlaps the head 2033H in the Z-axis direction.
  • the dispenser 4052 is in a discharge preparation completion state in which preparation for discharging the resin to the concave portion MT of the mold M is completed.
  • the resin molding apparatus 4 injects the resin into the concave portion MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus 4 injects resin into the concave portion MT of the mold M by the discharge control unit 4523. Thereafter, the resin molding apparatus 4 causes the dispenser drive unit 4521 to move the main body 4520 to a position where the nozzle 4522 does not overlap the head 2033H in the Z-axis direction, thereby placing the dispenser 4052 in a standby state.
  • the dispenser drive unit 4521 to move the main body 4520 to a position where the nozzle 4522 does not overlap the head 2033H in the Z-axis direction, thereby placing the dispenser 4052 in a standby state.
  • the nozzle 4522 of the dispenser 4052 needs to be configured to have a short length in the height direction (Z-axis direction).
  • the imaging unit 2041 is disposed above the stage 2031 has been described.
  • the arrangement of the imaging unit 41 is not limited to this, and for example, as shown in FIG. May be.
  • FIG. 29 the same reference numerals as those in FIG. 16 are assigned to the same configurations as those in the second embodiment.
  • Two cameras capable of acquiring the left and right alignment marks MM1a, MM1b, MM2a, and MM2b at the same time are configured from the imaging units 35a and 35b and the mirror 377.
  • the resin molding apparatus includes a stage 2031, a bonding unit 33 having a head 33 ⁇ / b> H, a head driving unit 36 that drives the head 33 ⁇ / b> H, imaging units 35 a and 35 b, a camera F direction driving unit 365, and a camera.
  • the imaging units 35a and 35b, the camera F direction driving unit 365, and the camera Z direction driving unit 363 are the same as the imaging units 35a and 35b, the camera F direction driving unit 365, and the camera Z direction driving unit 363 described in the first embodiment. It is a configuration.
  • the resin molding apparatus includes alignment marks MM1a and MM1b provided on the mold M and alignment marks MM2a and MM2b provided at positions where the resin portion R of the substrate WT is formed. Then, an alignment operation between the mold M and the substrate WT is performed.
  • the resin molding apparatus includes an image of the alignment mark MM1a provided on the mold M and an image of the alignment mark MM2a provided on the substrate WT. Data Ga is acquired.
  • the resin molding apparatus recognizes the positions of a set of marks MM1a and MM2a provided on the mold M and the substrate WT based on the image data Ga, and a positional shift between the sets of marks MM1a and MM2a.
  • the amounts ⁇ xa and ⁇ ya are calculated.
  • the resin molding apparatus also acquires image data Gb including an image of the alignment mark MM1b provided on the mold M and an image of the alignment mark MM2b provided on the substrate WT.
  • the resin molding apparatus recognizes the positions of the set of marks MM1a and MM2a provided on the mold M and the substrate WT based on the image data Gb, and the set of marks MM1b and MM2b.
  • a positional shift amount ⁇ xb, ⁇ yb between each other is calculated. According to this configuration, since the image data Ga and Gb can be imaged simultaneously, the time required for alignment can be shortened.
  • the imaging unit 2041 that is a so-called one-field camera is disposed above the substrate WT.
  • the present invention is not limited thereto, and for example, as illustrated in FIG.
  • a two-camera configuration including the imaging units 35a and 35b and the mirror 377 may be disposed above the substrate WT.
  • the imaging units 35a and 35b can simultaneously image the set of alignment marks MM1a and MM2a and the set of alignment marks MM1b and MM2b, so that the time required for alignment can be shortened.
  • a cap 6524 and an O-ring 6525 as a sealing member are provided at the lower end of the main body 520 of the dispenser 6052.
  • the cap 6524 has, for example, a box shape in which one surface is opened, and includes a bottom wall 6524b having substantially the same shape as the plan view of the mold M, and a side wall 6524c erected on the periphery of the bottom wall 6524b.
  • An exhaust port 6524a is provided in a part of the cap 6524.
  • the cap 6524 is made of, for example, metal.
  • the O-ring 6525 is made of an elastomer.
  • a through hole 6524d is provided in the center of the bottom wall 6524b, and a nozzle 522 is inserted therethrough. A gap between the through hole 6524d and the nozzle 522 is sealed with an O-ring 6526. Further, the resin molding device 6 includes a vacuum pump (vacuum source) 6526 connected to the exhaust port 6524a of the cap 6524 via the exhaust pipe L6.
  • the resin molding apparatus 6 performs the same process as the imprint process described in the second embodiment, for example.
  • the resin molding apparatus 6 first lowers the main body 520 (see arrow AR73 in FIG. 31), and the tip of the side wall 6524c of the cap 6524 Is brought into contact with the peripheral portion MS of the mold M through an O-ring 6525.
  • the cap 6524 abuts on the opening end side of the concave portion MT in the mold M via the O-ring 6525 in a state where the dispenser 6052 has approached the mold M to a preset distance, and the airtight space S6 between the cap M524 and the mold M.
  • the resin molding apparatus 6 exhausts the gas existing in the space S6 surrounded by the cap 6524 and the mold M through the exhaust port 6524a by the vacuum pump 6526. Increase the degree of vacuum in S6. In this way, the resin molding apparatus 6 puts the dispenser 6052 into a discharge preparation completion state. Subsequently, the resin molding apparatus 6 injects the resin R1 into the concave portion MT of the mold M by discharging the resin R1 from the nozzle 522 of the dispenser 6052 in the process of step S202 of the imprint process shown in FIG.
  • the cavity CA does not penetrate into the recess MT of the resin R1 and a void CA is generated. .
  • the resin molding apparatus 6 releases the space S6 inside the cap 6524 to the atmosphere, then raises the main body 520 (see arrow AR602 in FIG. 32B), and removes the cap 6524 from the mold M.
  • the resin R1 injected into the mold M is pushed into the inner side of the recess MT by atmospheric pressure.
  • the gap CA generated behind the recess MT disappears.
  • the tip of the side wall 6524c of the cap 6524 is brought into contact with the peripheral portion MS of the mold M through the O-ring 6525, but the cap 6524 is directly molded.
  • abut M may be sufficient.
  • a flange member 7527 is provided so as to project around the mold M, and a cap 7524 having an exhaust port 7524a in part is attached to an O-ring 7525. It may be configured to abut against the flange member 7527.
  • the cap 7524 has a through hole 7524d through which the nozzle 522 is inserted, and a gap between the through hole 7524d and the nozzle 522 is sealed with an O-ring 7526.
  • a box-shaped one surface may be opened, and a cap 8524 that contacts the head 2033H via an O-ring 8528 may be provided.
  • the cap 8524 is provided with an opening 8524d through which the nozzle 522 of the dispenser 6052 is inserted.
  • An O-ring 8526 is attached to the outer periphery of the opening 8524d on the outer wall of the cap 8524. Then, the resin molding apparatus moves the main body 520 of the dispenser 6052 downward (see arrow AR801 in FIG. 34A), and inserts the nozzle 522 into the cap 8524.
  • the O-ring 8526 comes into contact with the lower surface of the flange portion 8520 provided in the main body portion 520 (see the one-dot chain line in FIG. 34A), and the inside of the cap 8524 is sealed.
  • the resin molding apparatus exhausts the gas present in the cap 8524 through the exhaust port 8524a to increase the degree of vacuum in the cap 8524, and then discharges the resin R1 from the nozzle 522 of the dispenser 6052 to the concave portion MT of the mold M. .
  • the cap 8524 is slidable in the Z-axis direction with respect to the mold M (see arrow AR803 in FIG. 34B), and the cap 8524 is moved in the Z-axis direction.
  • a cap drive unit (not shown) to be moved is provided.
  • the resin molding apparatus may include an elastic member that is coupled to the cap 8524 and biases the cap 8524 in the direction in which the cap 8524 is pressed against the mold M (+ Z direction).
  • the resin molding apparatus moves the head 2033H in a direction to approach the substrate WT (see arrow AR802 in FIG. 34B) and moves the cap 8524 in the ⁇ Z direction with respect to the mold M. Let This prevents the cap 8524 from contacting the substrate WT when the resin molding apparatus presses the mold M against the substrate WT.
  • the resin molding apparatus described above may operate so as to press the cap 8524 against the substrate WT via the O-ring 8526 as shown in FIGS. 35A and 35B, for example.
  • the resin molding apparatus since resin molding is performed in the space S6 in the cap 8524 in which the degree of vacuum is increased, it is possible to prevent entrainment of bubbles in the resin R1.
  • the resin molding apparatus exhausts the gas present in the space S6 in a state where the mold M in which the resin R1 is injected into the recess MT is disposed in the space S6 in the cap 8524. The air is exhausted through the port 8524a to increase the degree of vacuum in the space S6. Then, as shown in FIG.
  • the resin molding apparatus raises the mold M in which the resin R1 is injected into the concave portion MT and presses it against the substrate WT in a state where the degree of vacuum of the space S6 is increased. Thereafter, in a state where the mold M is pressed against the substrate WT, the resin molding apparatus irradiates the resin R1 with ultraviolet rays to cure the resin R1. Thereafter, the resin molding apparatus returns the space S6 in the cap 8524 to atmospheric pressure, and then lowers the mold M to remove the mold M from the substrate WT.
  • This configuration has an advantage that, for example, it is not necessary to provide a large chamber because the degree of vacuum can be locally increased around the mold M for processing. Further, by making the gap between the cap 8524 and the mold M as small as possible, the distance between the resin portions adjacent to each other on the substrate WT can be shortened.
  • the resin molding apparatus performs both evacuation in the cap 8524 executed when the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M and evacuation in the cap 8524 executed when the mold M is pressed against the substrate WT. May be executed.
  • the space S6 is returned to the atmospheric pressure.
  • a configuration in which the resin R1 is injected into the mold M again may be employed. After injecting the resin R1 into the concave portion MT of the mold M in a state where the degree of vacuum of the space S6 is increased, when the space S6 is returned to the atmospheric pressure, the resin R1 injected into the concave portion MT is pushed into the inner side of the concave portion MT. The resin R1 is in shortage at the end.
  • the resin R1 is injected again into the mold M, so that the shortage of the resin R1 can be compensated.
  • the surface of the placed resin R1 can be smooth without unevenness.
  • the resin molding apparatus puts the resin R1 into the mold M in a state where the space S6 is at atmospheric pressure and then raises the vacuum degree of the space S6, and then returns the space S6 to atmospheric pressure,
  • pours resin R1 into the mold M may be sufficient.
  • the resin R1 injected into the concave portion MT when the degree of vacuum in the space S6 is increased is pushed into the inner side of the concave portion MT, and at the end of the concave portion MT.
  • the resin R1 becomes insufficient.
  • the resin R1 is injected again into the mold M, so that the shortage of the resin R1 can be compensated.
  • the surface of the placed resin R1 can be smooth without unevenness.
  • the resin molding apparatus 2 described in the second embodiment may include a mold heating unit (not shown) that heats the mold M in a state where the ultraviolet curable resin is injected into the concave portion of the mold. .
  • the mold heating unit when the mold heating unit is injecting the resin R1 that is an ultraviolet curable resin into the concave portion MT of the mold M, or after injecting the resin R1 that is the ultraviolet curable resin into the concave portion MT of the mold M,
  • the temperature of the resin injected into the concave portion MT may be increased by heating M. That is, for example, in the process of step S202 of the imprint process shown in FIG. 18, the resin molding apparatus heats the mold M by the mold heating unit to bring the mold M to a predetermined temperature or higher and then fills the concave portion MT of the mold M.
  • the resin R1 may be injected.
  • the resin molding apparatus may heat the mold M by the mold heating unit after injecting the resin R1 into the concave portion MT of the mold M. Further, the resin molding apparatus may inject the resin R1 into the concave portion MT of the mold M while heating the mold M by the mold heating unit to raise the temperature of the mold M.
  • the resin used is not limited to the ultraviolet curable resin, but may be a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • the resin molding apparatus may lower the temperature of the mold M by stopping the heating by the mold heating unit when pressing the mold M against the substrate. .
  • the resin molding apparatus heats the mold M when injecting the resin R1 into the concave portion MT of the mold M, and lowers the temperature of the mold M when pressing the mold M in which the resin R1 is injected into the concave portion MT against the substrate WT. It may be made to repeat.
  • the resin R1 is an ultraviolet curable resin
  • the resin R1 is softened when the temperature of the resin R1 rises and is cured when it is lowered. Therefore, the resin molding method of this modification is suitable.
  • the resin to be used is not limited to the ultraviolet curable resin, but may be another type of resin whose viscosity increases when the temperature is lowered, such as a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • the viscosity of the resin R can be lowered by heating the resin R1 injected into the recess MT of the mold M, the resin R1 can easily penetrate into the recess MT. Further, since the resin R1 flows by heating the resin R1 injected into the recess MT of the mold M, the air accumulated in the back of the recess MT moves to the opening side of the recess MT along with the flow of the resin R1. Can be removed. Therefore, it is possible to prevent air from being accumulated on the back side of the recess MT after the resin R1 is injected into the recess MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus lowers the temperature of the mold M by stopping the heating by the mold heating unit when the mold M is pressed against the substrate after the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M. Moreover, you may cool forcibly, such as air cooling and water cooling. Thereby, the entrapment of air into the resin R1 injected into the recess MT of the mold M is suppressed.
  • the resin molding apparatus 2 may include a vibration unit (not shown) that vibrates the mold M in a state where the mold M is held by the head 2033H.
  • the resin molding apparatus may vibrate the mold M by the vibration unit in the process of step S202 of the imprint process illustrated in FIG.
  • the resin molding apparatus may inject the resin R1 into the concave portion MT of the mold M while vibrating the mold M by the vibration unit.
  • the resin molding apparatus may be one that, after injecting the resin R1 into the concave portion MT of the mold M, vibrates the mold M by the vibration unit.
  • the resin coating apparatus may be configured to include, for example, a plunger, and draw out only a necessary amount of resin to be placed on the mold M by the plunger, and push it away. In this case, the occurrence of problems due to the resin residue in the nozzle as described above is suppressed.
  • the resin R1 flows by applying vibration to the resin R1 injected into the recess MT of the mold M
  • the air accumulated in the back of the recess MT opens the recess MT as the resin R1 flows. It can be removed by moving to the part side. Therefore, it is possible to prevent air from being accumulated on the back side of the recess MT after the resin R1 is injected into the recess MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus 2 according to Embodiment 2 may include both the mold heating unit and the vibration unit described above.
  • the resin molding apparatus may heat the mold M by the mold heating unit and vibrate the mold M by the vibration unit.
  • the resin molding apparatus 6 may include at least one of a mold heating unit and a vibration unit.
  • the mold heating unit heats the mold M in a state where the degree of vacuum of the space S6 surrounded by the cap 6524 and the mold M is increased. Then, the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus vibrates the mold M by the vibration unit while increasing the degree of vacuum in the space S6 surrounded by the cap 6524 and the mold M.
  • the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M. Further, the resin molding apparatus heats the mold M by the mold heating unit and vibrates the mold M by the vibration unit while the degree of vacuum of the space S6 surrounded by the cap 6524 and the mold M is increased. The resin R1 may be injected into the concave portion MT of the mold M.
  • the heating of the mold M is effective not only when the resin R1 is injected into the mold M1 in an environment with a relatively high degree of vacuum, but also when the resin R1 is injected into the mold M in the atmosphere. Further, vibrating the mold M is effective not only when the resin R1 is injected into the mold M1 in an environment with a relatively high degree of vacuum, but also when the resin R1 is injected into the mold M in the atmosphere.
  • the method of vibrating the mold M is effective in order to prevent air bubbles from being involved when the resin R1 is pressed against the substrate WT. Even if bubbles are included in the pressed resin R1, the resin R1 flows and the bubbles can be discharged by shaking. Further, the resin is pre-applied on the substrate WT, and even when the resin R1 on the mold M and the resin on the substrate WT are in contact with each other, it is more effective because air bubbles are easily taken in the atmosphere.
  • the application of the resin to the substrate WT side in advance may be performed in order to reduce the amount of resin required for filling the concave portion MT of the mold M with a differential pressure or to improve the adhesive force with the substrate WT.
  • a holding unit 9033 that holds the periphery of the mold M, a dispenser 9033 that applies the resin R2 to the substrate WT, and a stage that supports the substrate WT. 9031 is proposed.
  • the holding portion 9033 deflects the central portion of the mold M by applying air pressure to the central portion of the mold M (see arrow AR901 in FIG. 36A).
  • the resin molding apparatus moves the stage 9031 so that the unmolded resin R2 preliminarily applied on the substrate WT by the dispenser 9033 is arranged below the mold M. Then, for example, as shown in FIG.
  • the resin molding apparatus moves the stage 9031 close to the mold M (see the arrow AR902 in FIG. 36B) while the mold M is bent in the atmosphere. Contact R2. Thereafter, by pressing the mold M against the resin, the resin is molded as shown in FIG. 36C. At this time, the resin comes into contact with the resin from the center of the mold, and since the contact gradually spreads to the outer peripheral part, the bubbles are driven out and the resin is molded.
  • the resin R2 may not enter the depth of the concave portion MT and air may be caught. Further, distortion may occur due to the mold M being bent and brought into contact with the resin R2. Even if the mold is pressed from above in vacuum, the resin applied to the lower substrate side must be held with a certain degree of viscosity and cannot fill the bottom of the upper mold recess. Moreover, even if it is applied to the upper mold in advance, it cannot be done because the resin drips. Moreover, above all, particles fall on the substrate and defects due to the biting of the particles are likely to occur.
  • the cap 6524 is brought into contact with the mold M via the O-ring 6525 to increase the degree of vacuum in the space S6 between the cap 6524 and the mold M.
  • the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M.
  • the resin molding apparatus 6 opens the periphery of the mold M to the atmosphere.
  • the resin R1 is depressed by the atmospheric pressure. It is pushed to the back of MT.
  • the resin portion can be favorably molded on the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 6 holds the mold M so that the concave portion MT of the mold M faces upward, the resin R1 is injected into the mold M and imprinted on the substrate WT even when the viscosity of the resin R1 is low. be able to. Therefore, it is also effective to provide the mold with a heating function for reducing the viscosity of the resin.
  • the mold is disposed on the lower side, the viscosity of the resin is lowered, and the resin is applied in a vacuum, so that a resin having a high aspect ratio can be molded.
  • the degree of vacuum in the space S6 may be increased.
  • the degree of vacuum of the space S6 may be increased while the resin R is being injected into the concave portion MT of the mold M.
  • the present invention is not limited to this, and the resin injection into the mold may be performed by a resin injection device different from the resin molding device.
  • the resin injection device conveys the mold to the resin molding device.
  • the resin molding apparatus molds the resin portion on the substrate by irradiating the resin with ultraviolet rays in a state where the resin-injected mold, which is conveyed from the resin injection apparatus, is pressed against the substrate.
  • the resin injection device 7022 includes a chamber 7201, a dispenser 7052, and a vacuum pump (vacuum source) 7202.
  • the dispenser 7052 includes a main body portion 7520, a dispenser drive portion 7521, a nozzle 7522, and a discharge control portion 7523.
  • Main body 7520 is movable in both the Z-axis direction and a direction orthogonal to the Z-axis direction.
  • An exhaust port 7201 a is provided in part of the chamber 7201.
  • the chamber 7201 is made of, for example, metal.
  • the head 7203 that supports the mold MB can be moved between a resin injection device 7022 and a resin molding device described later by a head driving unit (not shown). Further, the mold MB has the same size as the substrate WT in plan view.
  • the resin molding apparatus 7021 includes a stage 7204 that supports the substrate WT, and an ultraviolet irradiation unit 53 that is disposed above an opening 7204a provided in the stage 7204.
  • 37A to 39B the same reference numerals as those in FIG. 15 are assigned to the same configurations as those in the second embodiment.
  • the resin molding apparatus 7021 forms a resin part on the substrate WT by irradiating the resin R1 with ultraviolet rays by the ultraviolet irradiation unit 53 in a state where the mold MB into which the resin R1 is injected is pressed against the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 7021 includes, for example, a distance measuring unit (not shown) that measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface of the mold MB using laser light at three or more locations of the mold MB. And a mold posture adjusting unit (not shown) for adjusting the posture of the mold MB.
  • the mold attitude adjustment unit adjusts the parallelism of the mold MB with respect to the substrate WT and the distance between the flat surface of the mold MB and the formation surface WTf of the substrate WT based on the measurement result of the distance measurement unit.
  • the resin injecting device 7022 discharges the gas present in the chamber 7201 to the outside of the chamber 7201 by discharging the gas outside the chamber 7201 by the vacuum pump 7202 connected to the exhaust port 7201a of the chamber 7201. Increase the degree of vacuum.
  • the resin injecting device 7022 causes the resin to be discharged from the dispenser 7052 disposed in the chamber 7201 into the concave portion MT of the mold M in a state where the degree of vacuum in the chamber 7201 is equal to or higher than a preset degree of vacuum.
  • the resin injecting device 7022 moves the main body 7520 of the dispenser 7052 in a direction orthogonal to the Z-axis direction (see arrow AR702 in FIG. 37A) and moves in the Z-axis direction (see arrow AR701 in FIG. 37A). ),
  • the resin R1 is injected into the plurality of recesses MT of the mold MB.
  • a gap CA may be generated in the back of the concave portion MT of the mold MB.
  • the resin molding apparatus 7021 presses the mold MB, in which the resin R2 is injected into the concave portion MT, before being conveyed to the resin molding apparatus 7021 against the substrate WT. Then, as shown in FIG. 39B, the resin molding apparatus 7021 performs batch molding by irradiating the resin R2 with ultraviolet rays from the ultraviolet irradiation unit 52.
  • the resin molding apparatus 7021 has a function of performing batch molding in a vacuum, when the aspect ratio of the concave portion MT of the mold MB is high, the resin R2 does not enter the depth of the concave portion MT.
  • the mold MB is placed below the dispenser 7052 in the chamber 7201 having a high degree of vacuum of the resin injection device 7022 at a stage before the mold MB is conveyed to the resin molding device 7021. It is preferable to inject the resin R2 into the concave portion MT of the mold MB in a state where the resin R2 is disposed.
  • a mold heating unit (not shown) for heating the mold MB may be provided in a state where the mold MB is supported by the head 7203.
  • a vibration unit (not shown) that vibrates the mold MB in a state where the mold MB is supported by the head 7203 may be provided.
  • the resin injecting device 7022 is configured to inject resin into the plurality of concave portions MT of the mold MB using the dispenser 7052, but the resin injecting device is not limited to the configuration using the dispenser.
  • the resin injection device may be configured to apply the resin R to the mold MB by a printing method using a squeegee blade in the chamber 7201.
  • the above-described resin molding apparatus 7021 has a configuration in which the mold MB is pressed against the substrate WT in the atmosphere to mold the resin portion.
  • the present invention is not limited to this, and the resin molding apparatus includes a chamber (not shown). The resin part may be formed by pressing the mold MB against the substrate WT in the chamber in a state where the degree of vacuum in the chamber is increased.
  • the resin R1 is placed on the mold M, that is, after the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M, the mold R is pressed against the substrate WT from below the substrate WT.
  • the example of the resin molding apparatus 2 which shape
  • the present invention is not limited to this, for example, a resin is previously applied to the surface of the substrate WT on which the resin portion is to be molded, and in the resin molding apparatus, the substrate WT disposed in such a posture that the resin-coated side is the lower side.
  • a configuration may be employed in which the resin is irradiated with ultraviolet rays from below while the mold M is pressed against the resin of the substrate WT.
  • the resin molding apparatus may be configured to inject the resin into the mold M and then irradiate the resin with ultraviolet rays in a state where the mold M is pressed against the resin from below the substrate WT coated with the resin.
  • the shape of the resin portion to be molded on the substrate WT Has the advantage of being stable. Even if the resin molding apparatus includes a chamber (not shown) and the mold MB is pressed against the substrate WT on which the resin layer is formed in the chamber with the degree of vacuum in the chamber being increased. Good. In this case, since almost no gas is present in the recess MT of the mold M, the occurrence of molding defects due to the gas present in the recess MT of the mold M is suppressed.
  • the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT are parallel for each position where the mold M is pressed on the substrate WT.
  • the inclination of the mold M may be adjusted so that The resin molding apparatus 2 adjusts the inclination of the mold M by adjusting the inclination angle of the second disk member 334 and the head 2033H fixed thereto with respect to the horizontal plane.
  • the resin molding apparatus 2 adjusts the inclination angle of the head 2033H by expanding and contracting the three piezoelectric actuators 333 interposed between the first disk member 332 and the second disk member 334 in the Z-axis direction, respectively. .
  • the resin molding apparatus 2 includes, for example, the process of executing the pre-alignment of the mold M in step S204 in the resin molding process described in the second embodiment, or the resin R1 placed in the mold M in step S206 is the substrate WT.
  • the tilt of the mold M may be adjusted when performing the process of executing the immersion alignment in a state where it is in contact with the formation surface WTf.
  • the three piezo actuators 333 are arranged in the posture (inclination) of the mold M when pressing the mold M against the center of the substrate WT and when pressing the mold M against the peripheral portion of the substrate WT. ).
  • the resin molding apparatus may correct the position and orientation of the mold M with respect to the substrate WT in a state where the mold M is in contact with the substrate WT via the resin placed on the mold M.
  • the resin molding apparatus is based on the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M, and the distance between the formation surface WTf and the flat surface MF and the formation surface WTf of the flat surface MF. You may adjust at least one of inclination.
  • the example of the resin molding apparatus 2 in which the three piezo actuators 333 are interposed between the first disk member 332 and the second disk member 334 has been described.
  • the number of piezoelectric actuators interposed between the disk member 334 is not limited to three.
  • the resin molding apparatus may have a configuration in which two piezoelectric actuators are interposed between the first disk member 332 and the second disk member 334, or a configuration in which four or more piezoelectric actuators are interposed. Also good.
  • the resin molding apparatus 2 is configured so that the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT are parallel for each position where the mold M is pressed on the substrate WT. Adjust the slope of M.
  • the resin portion can be molded well.
  • the bending margin may be different between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate WT.
  • the resin molding apparatus 2 adjusts the inclination of the mold M between the central portion and the outer peripheral portion of the substrate WT, thereby applying a uniform pressure to the entire mold M in both.
  • the mold M can be pressed against the resin R2.
  • the arrangement of the ultraviolet irradiation unit 53 is not limited to this, and the substrate WT may be arranged below the stage 31 when the substrate WT is a substrate opaque to ultraviolet rays.
  • the ultraviolet irradiation unit 53 irradiates the resin part R with ultraviolet rays from below the substrate WT.
  • An example of the substrate opaque to ultraviolet rays is a Si substrate.
  • the head driving unit 36 can only move the bonding unit 33 (2033) in the Z-axis direction and rotate around the axis BX.
  • the configuration is not limited thereto, and the head drive unit 36 may be configured to move the bonding unit 33 (2033) in the X-axis direction or the Y-axis direction.
  • the head driving unit 36 after receiving the chip CP from the chip transport unit 39, the head driving unit 36 has the bonding unit 33 (2033) at a position where the head 33 H (2033 H) and the part on the substrate WT where the chip CP is mounted face each other. ) May be moved in the X-axis direction or the Y-axis direction.
  • the present invention is not limited to this, and one first imaging unit 35a is movable in a plane orthogonal to the Z-axis direction, and the first imaging unit 35a is aligned while moving in a plane orthogonal to the Z-axis direction.
  • the image Ga and Gb including the marks MC1a and MC1b may be sequentially photographed.
  • the configuration in which the images including the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b provided on the substrate WT and the chip CP are captured by the two first imaging units 35a and 35b has been described.
  • the configuration is not limited thereto, and for example, a configuration in which two imaging units (not shown) are arranged above the stage 31 in addition to the first imaging units 35a and 35b may be used.
  • an image including the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP is captured by the two first imaging units 35a and 35b
  • an image including the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT is captured by the other two imaging units. It may be.
  • the cutting mechanism 111 projects the needle 111a vertically downward ( ⁇ Z direction) from the vertical upper side (+ Z direction) of the dicing tape TE to push the chip CP downward vertically ( ⁇ Z direction).
  • the example of the chip supply unit 11 that supplies the above has been described.
  • the configuration of the chip supply unit 11 is not limited to this.
  • the chip supply unit may be configured to supply the chip CP by peeling the chip CP from the dicing tape TE by sucking the dicing tape TE upward.
  • the chip supply unit supplies the chip CP by peeling the chip CP from the dicing tape TE by reducing the adhesive force of the dicing tape TE by irradiating the dicing tape TE with the chip CP attached thereto with ultraviolet rays. It may be.
  • the first imaging units 35a and 35b use the reflected light of illumination light (for example, infrared light) emitted from the light source of the coaxial illumination system, respectively, to align the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP. And an example of acquiring an image including the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT.
  • the present invention is not limited to this.
  • the alignment marks MC1a, MC1b of the chip CP and the substrate are transmitted using light transmitted through the chip CP from a light source provided on the side opposite to the first imaging units 35a, 35b. It may be configured to acquire an image including the WT alignment marks MC2a and MC2b.
  • the second imaging unit 41 arranged vertically above the substrate WT uses the coaxial light of the first imaging units 35a and 35b incident on the lower side of the chip CP to align the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, MC2b.
  • the structure which acquires the image containing this may be sufficient.
  • the first imaging units 35a and 35b acquire images including the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, and MC2b by using the coaxial light emitted from the second imaging unit 41 disposed vertically above the substrate WT. It may be configured to.
  • the coaxial light emitted from the first imaging unit 35a, 35b or the second imaging unit 41 may be visible light.
  • the configuration in which the first imaging units 35a and 35b acquire images including the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP and the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the first imaging units 35a and 35b acquire images including the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP
  • the second imaging unit 41 includes images including the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT. It may be the structure which acquires.
  • the coaxial light emitted from the first imaging units 35a and 35b or the coaxial light emitted from the second imaging unit 41 does not pass through the stacked chips CP as in the case of stacking the chips CP.
  • the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, MC2b can be acquired.
  • the alignment marks MC1a, MC1b and the alignment marks MC2a, MC2b can be individually recognized by each camera, the time required to recognize the alignment marks MC1a, MC1b, MC2a, MC2b is reduced.
  • the substrate WT side does not need to recognize the two alignment marks MC2a and MC2b every time, and each time the substrate WT is replaced, the two alignment marks MC2a and MC2b are used only once to shift the ⁇ direction of the substrate WT. Recognize it. This is because the chip mounting system already recognizes the shift amount in the ⁇ direction of the substrate WT when the chip CP is mounted on one substrate WT, so that it is sufficient to recognize one alignment mark. This is because the throughput is also improved.
  • the second imaging unit 41 may acquire an image including the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP and the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT.
  • the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP and the alignment marks MC2a and MC2b of the substrate WT are made the same second using infrared light.
  • the image pickup unit 41 recognizes the set of the alignment marks MC1a, MC2a, alignment marks MC1b, MC2b at the same time with a single capture without moving the focus axis, thereby accurately detecting the positional deviation between the chip CP and the substrate WT.
  • the chip mounting system 1 calculates the positional deviation of the chip CP with respect to the substrate WT while the chip CP and the substrate WT are in contact with each other, and corrects the position of the chip CP based on the calculated positional deviation amount. It may be a configuration. In this case, the chip mounting system 1 calculates the positional deviation of the chip CP with respect to the substrate WT in a state where the chip CP and the substrate WT are in contact, and then separates the chip CP from the substrate WT and then corresponds to the amount of positional deviation. The chip CP is moved in the direction opposite to the displacement direction. Thereafter, the chip mounting system 1 brings the chip CP into contact with the substrate WT again. According to this configuration, the chip CP can be mounted on the substrate WT with high accuracy.
  • the bonding apparatus 30 measures the distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf of the chip CP at three or more locations on the bonding surface (flat surface) CPf of the chip CP.
  • a distance measuring unit (not shown) may be provided.
  • the distance measuring unit is, for example, a laser light source (not shown) disposed at a plurality of locations on the side of the head 33H, and a light receiving unit (not shown) that receives laser light emitted from each of the plurality of laser light sources and reflected by the substrate WT. Z)).
  • the head driving unit 36 attaches the head 33H holding the chip CP to the substrate WT based on the distance measured by the distance measuring unit. May be close to the stage 31 that holds
  • the three piezoelectric actuators 333 are arranged between the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP based on the distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf of the chip CP measured by the distance measuring unit. And / or the inclination of the chip CP with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT may be adjusted.
  • the bonding apparatus 30 has a prism 7737 that can be disposed between the substrate WT and the chip CP, for example, as shown in FIG. 41A, and two distance measurements that are disposed on the sides of the prism 7737.
  • the distance measuring unit 77381 may include a laser beam source that emits laser light toward the prism 7737, and is reflected by the mounting surface WTf of the substrate WT via the prism 7737. A light receiving portion for receiving the returning light.
  • the distance measuring unit 77382 includes a laser light source that emits laser light toward the prism 7737, and a light receiving unit that receives the light reflected by the bonding surface CPf of the chip CP and returning through the prism 7737. .
  • the bonding apparatus 30 includes a distance between the prism 7737 measured by the distance measuring unit 77381 and the mounting surface WTf of the substrate WT, and a bonding surface CPf between the prism 7737 and the chip CP measured by the distance measuring unit 77382.
  • the distance between the substrate WT and the chip CP is calculated from the distance between and the distance W77 between the two distance measuring units 77381 and 77382.
  • the bonding apparatus 30 adjusts at least one of the distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP and the inclination of the chip CP with respect to the mounting surface WTf of the substrate WT based on the calculated distance.
  • the bonding apparatus 30 may include a distance measuring unit that measures the distance between the substrate WT and the tip of the head 33H as shown in FIG. 41B, for example.
  • the chip mounting system includes a thickness measuring unit (not shown) that measures the thickness of the chip CP in advance, and the bonding apparatus 30 mounts the mounting surface WTf of the substrate WT measured by the distance measuring unit and the head 33H. The distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP and the inclination of the chip CP with respect to the mounting surface WTf based on the distance obtained by subtracting the thickness of the chip CP from the distance between the tip end of the substrate CP And at least one of them.
  • the distance measuring unit is configured so that the substrate 31 is not held by the stage 31 and the tip CP is not held by the head 33H. The distance between the two may be measured.
  • the chip mounting system includes a thickness measuring unit (not shown) that measures in advance the thickness of the substrate WT and the thickness of the chip CP, and the bonding apparatus 30 has the stage 31 and head measured by the distance measuring unit.
  • the distance between the mounting surface WTf of the substrate WT and the chip CP and the substrate of the chip CP is adjusted.
  • the measurement unit for measuring the distance between the chip and the substrate may be used if the thickness is known in advance even if it is not in the chip mounting system unit.
  • a water supply unit (not shown) may be provided that causes water to adhere to the bonding surface CPf of the chip CP by supplying water to the bonding surface CPf of the chip CP.
  • the water supply unit waits until the chip CP is held by the head 33 ⁇ / b> H of the bonding device 30 and contacts the mounting surface WTf of the substrate WT. In the meantime, water is supplied to the joint surface CPf of the chip CP.
  • the water supply unit is provided, for example, at a portion facing the bonding surface CPf of the chip CP in a state where the chip CP is held in the chip holding unit 391a of the chip transport unit 39, and is a water discharge unit (not shown) that sprays water onto the bonding surface CPf. May be included).
  • the water supply unit may be provided in the chip supply device 10.
  • the water supply unit is transferred from the chip supply unit 11 to the arm 1311 of the chip reversing unit 131, and the bonding surface CPf of the chip CP in a state where the bonding surface CPf is held by the arm 1311 with the posture facing vertically upward. What is necessary is just to have a water discharge part (not shown) which sprays water into water.
  • the water supply unit may have a water discharge unit (not shown) provided on the stage 31 of the bonding apparatus 30.
  • a water discharge unit (not shown) provided on the stage 31 of the bonding apparatus 30.
  • the stage 31 is driven so that the water discharge portion is positioned above the chip CP, and then the water discharge is performed. Water may be sprayed from the portion to the bonding surface CPf of the chip CP.
  • a water supply unit 7852, a cleaning head 7856, and a camera 7857 are supported by a support unit 7855 disposed above the stage 7831 in the bonding apparatus 30 and are movable in the vertical direction. May be provided.
  • This support portion 7855 is freely movable in the vertical direction and a horizontal plane perpendicular to the vertical direction.
  • the stage 7831 is moved immediately before the chip CP is mounted on the substrate WT (see the arrow AR781 in FIG. 42), so that the substrate WT is positioned above the chip CP. Evacuate from.
  • the stage 7831 is moved so that a through-hole 7831 a provided in the stage 7831 is positioned vertically below the water supply unit 7852.
  • the water supply unit 7852 moves the nozzle 78522 vertically downward to pass through the through-hole 7831a (see the arrow AR782 in FIG. 42), thereby bringing the tip of the nozzle 78522 closer to the bonding surface CPf of the chip CP. Water is sprayed onto the joint surface CPf of the chip CP.
  • the cleaning head 7856 moves the stage 7831 so that the through-hole 7831a is positioned, and then moves the cleaning head 7856 vertically downward to be inserted into the through-hole 7831a, thereby leading the tip CP to the bonding surface of the chip CP. Particles on the bonding surface CPf of the chip CP are removed close to CPf.
  • the substrate WT after the mounting surface WTf of the substrate WT is activated by exposing it to nitrogen plasma or the like, water can be supplied to the mounting surface WTf by performing a water cleaning process using a spin coater.
  • the substrate WT is rotated and sprayed with water to which vibrations such as ultrasonic waves are applied, and then spin-dried.
  • vibrations such as ultrasonic waves are applied
  • spin-dried Thereby, particles adhering to the mounting surface WTf of the substrate WT are removed and water can be adhered to the mounting surface WTf.
  • the chip CP is attached to the dicing tape TE, water is not directly supplied to the joint surface CPf.
  • the hydrophilization treatment apparatus 60 is a system in which surface activation is performed by beam irradiation even if the dicing tape TE is present, the impurity ions generated from the dicing tape TE are activated without adhering to the mounting surface Wtf of the substrate WT.
  • the chip CP is attached to the dicing tape TE, it is impossible to perform the water cleaning process on the joint surface CPf. Therefore, there is a possibility that particles cannot be removed from the bonding surface CPf of the chip CP, and water sufficient for bonding to the substrate WT cannot be attached to the bonding surface CPf.
  • the water supply unit sprays water on the joint surface CPf of the chip CP supplied from the chip supply unit 11.
  • water sufficient for bonding to the substrate WT can be adhered to the bonding surface CPf of the chip CP, so that a problem at the time of temporary bonding of the chip CP to the substrate WT can be prevented and the substrate WT of the chip CP at the time of bonding can be prevented.
  • the provisional bonding smoothly proceeds due to the presence of water between the mounting surface WTf of the substrate WT and the bonding surface CPf of the chip CP, and as a result, voids are unlikely to enter between the substrate WT and the chip CP.
  • the chip CP can be moved relative to the substrate WT while the chip CP is in contact with the substrate WT via water. In this case, after the position of the chip CP with respect to the substrate WT is determined, the force that presses the chip CP against the substrate WT is increased, and the water interposed between the chip CP and the substrate WT is pushed out to push the chip CP to the substrate WT. Can be temporarily joined.
  • the bonding apparatus may include a blower that discharges nitrogen together with the water supply unit.
  • the blower is, for example, at a position adjacent to the joint surface CPf of the chip CP in a state where the chip CP is held in the chip holding unit 391a of the chip transport unit 39, at a position adjacent to the water discharge unit in the rotation direction of the chip holding unit 391a. It may be provided. Or in the bonding apparatus as shown in FIG. 42, the structure which the washing
  • the cleaning head moves the blower nozzle vertically downward with the stage 7831 moved so that the through-hole 7831a provided in the stage 7831 is positioned vertically below the cleaning head. Are inserted through the through holes 7831a.
  • the bonding apparatus removes particles adhering to the bonding surface CPf by discharging nitrogen from the blower to the bonding surface CPf before supplying water to the bonding surface CPf of the chip CP from the water supply unit. Can do.
  • a liquid such as a weak acid may be added to the bonding surface CPf of the chip CP and supplied in addition to water.
  • the substrate WT and the chip CP are satisfactorily added by spraying a liquid such as weak acid together with water on the bonding surface CPf of the chip CP. Can be joined.
  • the chip supply unit 11 supplies the chip CP in a state of being affixed to the dicing tape TE. It may be configured to supply the chip CP. Alternatively, the chip supply unit may supply chips CP one by one.
  • the chip supply unit is not limited to one that is separate from the bonding apparatus.
  • the chip supply unit includes a suction holding mechanism (not shown) that holds and holds at least one chip CP on the stage 31. May be provided. In this case, the chip CP held by the suction holding mechanism is supplied to the head 33H.
  • the chip supply unit 11 when the chip supply unit 11 holds the chip CP with the bonding surface CPf of the chip CP facing vertically upward from the vertical lower side of the dicing tape TE, in this case, the chip supply unit 11 performs the dicing.
  • the tape TE a special sheet in which impurities do not adhere to the bonding surface CPf of the chip CP is used, and the dicing substrate WC after the hydrophilic treatment is performed and the particles are selectively removed, the bonding surface CPf side is the dicing tape TE side.
  • the one affixed to the dicing tape TE is used.
  • the chip mounting system may be configured so that the chip transfer unit 123 can directly receive the supply of the chip CP from the chip supply unit 11 without using the chip inversion unit 131.
  • the substrate WT is transparent, and the resin on the mold M is cured by irradiating ultraviolet light from above the substrate WT, but this is not restrictive.
  • the mold M may be formed of a material that transmits ultraviolet light, such as transparent glass, and may be irradiated with ultraviolet light from vertically below the mold M.
  • the distance measuring unit may also be measured by being arranged vertically below the mold M when the mold M is formed of a material such as transparent glass.
  • the resin molding apparatus is configured to perform alignment using an infrared light transmission camera as the imaging unit 2041. Also good.
  • the material of the resin part R is not limited to this, and may be formed from, for example, a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
  • the resin molding apparatus may include a heating unit (not shown) that heats the resin part R in a state where the mold M is pressed against the resin part R instead of the ultraviolet irradiation unit.
  • the heating unit for example, an infrared heater that embeds a heater in the mold holding unit or irradiates infrared rays from above the substrate WT can be employed. According to this configuration, even when the resin portion R is formed of a thermosetting resin, it is possible to form a cured resin portion on the substrate WT.
  • the resin forming the resin portion R is a thermosetting resin or a thermoplastic resin
  • the resin molding apparatus presses the mold M against the substrate WT the resin placed on the mold M by the heating unit described above.
  • the structure which is made into the state softened by heating may be sufficient.
  • the mold M is heated to a temperature in a preset temperature range in which the resin forming the resin portion R is softened while the mold M is pressed against the resin portion R.
  • the pressure to be applied can be reduced. Therefore, since the stage 2031 is prevented from being bent during the molding of the resin portion R, the molding accuracy of the resin portion R can be increased.
  • the distance measurement unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M by irradiating laser light from above the substrate WT and the mold M.
  • the distance measuring unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M by irradiating laser light from below the substrate WT and the mold M. It may be configured to.
  • the distance measurement unit 511 measures the distance between the formation surface WTf of the substrate WT and the flat surface MF of the mold M using laser light.
  • the distance measuring unit 511 when a part of the resin portion R protrudes on the flat surface MF between the substrate WT and the mold M, the distance measuring unit 511 has the resin portion R between the substrate WT and the mold M. It will be measured in a state where a part of is interposed. Then, the laser light is attenuated by being absorbed by the resin portion R interposed between the substrate WT and the mold M, and the reflected light may not be detected well.
  • the distance measuring unit 511 may measure the distance between the substrate WT and the mold M in a region where the resin portion R is not interposed between the substrate WT and the stepped portion MS of the mold M. In this case, since the laser light is suppressed from being absorbed by the resin portion R interposed between the substrate WT and the mold M, the distance between the substrate WT and the mold M can be accurately measured.
  • the alignment marks MC1a and MC1b of the chip CP are provided on the bonding surface CPf side.
  • the present invention is not limited thereto, and for example, the alignment marks MC1a and MC1b are connected to the bonding surface CPf side of the chip CP. May be provided on the opposite surface.
  • the alignment marks MM1a and MM1b are provided on the flat surface MF of the mold M.
  • the present invention is not limited thereto, and for example, the alignment marks MM1a and MM1b are on the flat surface MF side in the mold M. It may be provided on the opposite surface.
  • alignment marks MM1a and MM1b may be provided on the stepped portion MS of the mold M.
  • a mold M made of metal for example, is pressed against the transparent substrate WT from below, and the resin R1 is cured by irradiating ultraviolet rays from above the substrate WT by the ultraviolet irradiation unit 52.
  • the present invention is not limited to this.
  • the substrate WT is a non-transparent substrate such as Si
  • the mold M may be formed of a transparent material and irradiated with ultraviolet rays from below the mold M.
  • the alignment mark may be captured by the imaging unit from above the Si substrate.
  • the example in which the gap between the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT is directly measured by a laser has been described, but this is not a limitation.
  • the head 2033H that supports the mold M is attached to the head 2033H.
  • a reflection mirror may be provided to measure the distance between the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT using laser light reflected by the reflection mirror.
  • the distance between the reflecting mirror and the flat surface MF of the mold M is measured in advance, and the reflecting mirror and the mold M measured in advance from the distance between the reflecting mirror and the formation surface WTf of the substrate WT are measured.
  • the distance between the flat surface MF of the mold M and the formation surface WTf of the substrate WT may be calculated by subtracting the distance between the flat surface MF.
  • a reflecting mirror may be provided on the stage 2033 that supports the substrate WT.
  • Embodiment 2 the example in which the resin R1 is injected into the concave portion MT of the mold M has been described, but the present invention is not limited to this.
  • a resin may be applied in advance to the formation surface WTf of the substrate WT.
  • the recess can be compensated with the resin applied to the formation surface WTf of the substrate WT.
  • the adhesion between the substrate WT and the resin R1 is increased. Note that the resin may be applied only to the formation surface WTf of the substrate WT.
  • Embodiment 2 although resin molding with a high aspect ratio is described, the present invention is not limited to this. For example, even when a molded product having a large film thickness is molded, this method is suitable because bubbles are likely to accumulate at the bottom. As a molded product having a large film thickness, for example, there is a lens, and there is a case where a lens is resin-molded on a glass wafer.
  • the present invention is not limited to this, and measurement is performed using interference light of reflected light of the laser light, for example. A method may be adopted. In this case, the measurement accuracy is improved because it is not affected by temperature fluctuations of the mold M or the substrate WT. Further, at least one of the substrate WT and the mold M may be formed of a material that transmits laser light.
  • the present invention is not limited to this.
  • a distance measuring sensor such as a photo sensor or a magnetic sensor may be used. Good. Or you may measure the distance between the mold M and the board
  • thermosetting resin the resin softens in a preset temperature range lower than the temperature at which the resin is cured. Further, even if the temperature is set in advance to be equal to or higher than the curing temperature of the resin, it softens once during the curing. In the case of a thermoplastic resin, the resin is softened by heating to increase its temperature.
  • the configuration in which the head driving unit 36 raises the head 2033H toward the substrate WT to bring the head 2033H close to the stage 2031 and press the mold M from the vertically lower side of the substrate WT has been described.
  • the present invention is not limited to this.
  • the stage 2031 is moved vertically downward after the head 2033H is opposed to the position where the resin portion R is formed on the substrate WT, thereby bringing the stage 2031 closer to the head 2033H and the vertical of the substrate WT.
  • the structure provided with the stage drive part (not shown) which presses the mold M from the downward direction may be sufficient.
  • Examples of the resin molding apparatus according to the embodiment include a nanoimprint apparatus that performs fine resin molding.
  • the present invention is suitable for manufacturing, for example, a CMOS image sensor, a memory, an arithmetic element, and a MEMS.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Vehicle Interior And Exterior Ornaments, Soundproofing, And Insulation (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

チップ実装システム（１）は、チップ（ＣＰ）を供給するチップ供給部（１１）と、基板（ＷＴ）におけるチップ（ＣＰ）が実装される実装面（ＷＴｆ）が鉛直下方（－Ｚ方向）を向く姿勢で基板（ＷＴ）を保持するステージ（３１）と、鉛直下方（－Ｚ方向）からチップ（ＣＰ）を保持するヘッド（３３Ｈ）と、チップ（ＣＰ）を保持するヘッド（３３Ｈ）を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド（３３Ｈ）をステージ（３１）に近づけて基板（ＷＴ）の実装面（ＷＴｆ）にチップ（ＣＰ）を実装するヘッド駆動部（３６）と、を備える。

Description

部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
　本発明は、部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法に関する。
　基板を保持するステージと、ステージの上方に配置されたボンディング部と、を備え、ボンディング部のヘッドにチップを保持した状態でステージを水平方向に移動することによりチップの基板に対するアライメントを実行した後、ボンディング部を下降させてチップを基板に実装する部品実装システムが提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２０１２－２３８７７５号公報
　しかしながら、特許文献１に記載された構成では、基板における部品が実装される実装面が上方を向いた状態でステージに保持されている。従って、例えばボンディング部で生じたパーティクルが基板上に付着してしまい、チップと基板との接合不良が発生する場合がある。この場合、チップを基板に実装してなる製品について、チップと基板との接合不良に起因した性能不良の製品が生じる虞がある。
　また、従来は突起電極であるバンプで接合することが主流であったため、バンプの隙間にパーティクルが落ちても大した接合上の問題にはならなかった。但し、近年、電極表面と絶縁層表面と同一の接合面内に存在するチップと基板との面接合を行うハイブリッドボンディングと呼ばれる基板接合手法が用いられ始めた。この基板接合方法では、親水化処理されたチップの接合面と基板の実装面とを直接接合するため、基板の実装面上に存在するパーティクルがチップと基板との接合状態に与える影響が大きい。例えば、粒径１μｍ程度のパーティクルが基板上に１つでも存在するとその周囲の直径数ｍｍ程度の範囲でボイドが生じてしまう。基板同士の接合の場合、パーティクル密度が管理された環境で基板同士を接合する量産技術が確立されている。但し、チップの歩留まり改善の観点からすれば、良品チップを選別して実装するいわゆるＣＯＷ(チップ・オン・ウエハ)方式のチップ実装システムのほうが有利である。そこで、パーティクル対策がなされたチップ実装システムの開発が要望されている。
　本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、性能不良の製品の発生が抑制される部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するため、本発明に係る部品実装システムは、
　基板に部品を実装する部品実装システムであって、
　前記部品を供給する部品供給部と、
　前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
　鉛直下方から前記部品を保持するヘッドと、
　前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装するヘッド駆動部と、を備える。
　他の観点から見た本発明に係る樹脂成形装置は、
　基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
　前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
　鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるヘッド駆動部と、
　前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える。
　他の観点から見た本発明に係る部品実装方法は、
　基板に部品を実装する部品実装方法であって、
　部品供給部が、前記部品を供給する部品供給ステップと、
　基板保持部が、前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
　ヘッドが、鉛直下方から前記部品を保持する部品保持ステップと、
　前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけることにより前記基板の前記実装面に前記部品を実装する部品実装ステップと、を含む。
　他の観点から見た本発明に係る樹脂成形方法は、
　基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形方法であって、
　基板保持部が、基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
　ヘッドが、鉛直下方から前記モールドを保持するモールド保持ステップと、
　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
　樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む。
　本発明に係る部品実装システムによれば、基板保持部が、基板における部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板を保持し、ヘッド駆動部が、部品を保持するヘッドを鉛直上方へ移動させることによりヘッドを基板保持部に近づけて基板の実装面に部品を実装する。これにより、基板の実装面へのパーティクルの堆積を低減することができるので、部品と基板との接合不良の発生を抑制できる。従って、部品を基板に実装してなる製品について、チップと基板との接合不良に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。特に、１枚の基板上に複数個の部品を実装するいわゆるチップ・オン・ウェハ工程に好適である。
　また、本発明に係る樹脂成形装置によれば、基板保持部が、基板における樹脂部が形成される形成面が鉛直下方を向く姿勢で基板を保持する。また、ヘッド駆動部が、基板における樹脂部が形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッドを鉛直上方へ移動させることによりヘッドを基板保持部に近づけてモールドを押し付ける。そして、樹脂硬化部が、モールドを樹脂部に押し付けた状態でモールドに載置された樹脂を硬化させる。これにより、基板の樹脂部が形成される形成面へのパーティクルの堆積を低減することができるので、樹脂部と基板との界面へのパーティクルの混入を抑制できる。従って、基板上に樹脂部を形成してなる製品について、樹脂部と基板との界面へのパーティクルの混入に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。特に、１枚の基板上に複数個の樹脂部を成形するいわゆるステップ・アンド・リピート方式で樹脂成形を行う工程に好適である。
本発明の実施の形態１に係る部品実装システムの概略構成図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態１に係るボンディング装置の概略構成図である。 実施の形態１に係るチップのアライメントマークとヘッドの中空部との位置関係を示す図である。 実施の形態１に係るボンディング部の一部を示す概略斜視図である。 実施の形態１に係るボンディング装置の図３のＡ－Ａ線における断面矢視図である。 実施の形態１に係るステージの平面図である。 実施の形態１に係るステージの側面図である。 実施の形態１に係るチップ保持部の概略断面図である。 実施の形態１に係る制御部を示すブロック図である。 実施の形態１に係る部品実装システムの動作を示すシーケンス図である。 実施の形態１に係るヘッド、チップ搬送部およびチップ受け渡し部の位置関係を示す概略平面図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態１に係るヘッド、チップ搬送部およびチップ受け渡し部の位置関係を示す概略平面図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 チップに設けられたアライメントマークを示す図である。 基板に設けられたアライメントマークを示す図である。 アライメントマークの相対的な位置ずれを示す図である。 実施の形態１に係るヘッドの詳細を示す図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置の一部の概略構成図である。 実施の形態２に係る制御部を示すブロック図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置が実行するインプリント処理の流れの一例を示すフローチャートである。 実施の形態２に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドの詳細を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドに保持されたモールドを樹脂部に押し付ける様子を示す図である。 実施の形態２に係る紫外線照射部により樹脂部に紫外線を照射する様子を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドを鉛直下方へ移動させる様子を示す図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係るヘッドの動作を説明するための図である。 変形例に係るヘッドの動作を説明するための図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの動作を説明するための図である。 変形例に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 変形例に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 変形例に係るヘッドの詳細を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドを搬送する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドが樹脂成形装置内に配置された状態を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについて樹脂に紫外線を照射する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。
（実施の形態１）
　以下、本発明の実施の形態に係る部品実装システムであるチップ実装システムについて、図面を参照しながら説明する。
　本実施の形態に係るチップ実装システムは、基板上に電子部品を実装する装置である。電子部品は、例えばダイシングされた基板から供給される半導体チップ（以下、単に「チップ」と称する。）である。このチップ実装システムは、基板におけるチップが実装される面と電子部品の接合面について活性化処理を行った後、チップを基板に接触させて加圧および加熱することにより、チップを基板に実装する。
　図１および図２に示すように、本実施の形態に係るチップ実装システム１は、チップ供給装置１０と、ボンディング装置３０と、カバー５０と、親水化処理装置６０と、水洗浄部６５と、搬送装置７０と、搬出入ユニット８０と、制御部９０と、を備える。チップ供給装置１０は、基板ＷＣをダイシングし、ダイシングされた基板ＷＣからチップＣＰを取り出し、ボンディング装置３０へチップＣＰを供給する。ここで、ダイシングとは、複数の電子部品が作り込まれた基板ＷＣを縦方向および横方向に切削しチップ化する処理である。チップ供給装置１０は、図２に示すように、チップ供給部（部品供給部）１１とチップ移載部１３と供給チップ撮像部１５とを有する。
　チップ供給部１１は、ボンディング装置３０へチップＣＰを供給する。チップ供給部１１は、ダイシングされた基板（ダイシング基板）ＷＣが貼着されたダイシングテープ（シート）ＴＥを保持するテープ保持部（シート保持部）１１２と、基板ＷＣを構成するチップＣＰを鉛直下方へ切り出す切出機構１１１と、を有する。また、チップ供給部１１は、テープ保持部１１２をＸＹ方向またはＺ軸周りに回転する方向へ駆動するテープ保持部駆動部１１３を有する。テープ保持部１１２は、ダイシングテープＴＥに貼着された基板ＷＣを、ダイシングテープＴＥが基板ＷＣの鉛直上方（＋Ｚ方向）側に位置する姿勢で保持する。即ち、テープ保持部１１２は、ダイシングテープＴＥにおける基板ＷＣが貼着された面が下向きの状態で、ダイシングテープＴＥを保持する。切出機構１１１は、ニードル１１１ａを有し、図２の矢印ＡＲ２に示すように、ダイシングテープＴＥにおける鉛直上方（＋Ｚ方向）からニードル１１１ａを鉛直下方（－Ｚ方向）へ突き出してチップＣＰを鉛直下方（－Ｚ方向）へ押し出すことによりチップを供給する。そして、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた基板ＷＣを構成する各チップＣＰは、チップ供給部１１のニードル１１１ａにより１個ずつ下方へ突き出され、チップ移載部１３に受け渡される。テープ保持部駆動部１１３は、テープ保持部１１２をＸＹ方向またはＺ軸周りに回転する方向へ駆動することにより、基板ＷＣの位置および姿勢を変化させる。
　チップ移載部１３は、チップ供給部１１から受け渡されるチップＣＰを上下反転させるチップ反転部（部品反転部）１３１と、チップ反転部１３１から受け取ったチップＣＰをチップ搬送部３９へ受け渡すチップ受け渡し部（部品受け渡し部）１３２と、を有する。チップ反転部１３１は、チップ供給部１１から供給されるチップＣＰの上下を反転させる。チップ反転部１３１は、先端部に吸着部１３１１ａが設けられたＬ字状のアーム１３１１と、アーム１３１１を旋回させるアーム駆動部１３１２と、を有する。アーム１３１１の先端部は、吸着部１３１１ａの周囲に突設された突出部（図示せず）を有する。アーム１３１１の先端部は、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態でチップＣＰの上面側を保持する。そして、アーム１３１１の先端部では、突出部の先端部がチップＣＰの周部に当接した状態で、吸着部１３１１ａによりチップＣＰが吸着保持される。
　チップ受け渡し部１３２は、チップ反転部１３１から上下反転したチップＣＰを受け取りチップ搬送部３９へ渡す。チップ受け渡し部１３２は、図２の矢印ＡＲ３に示すように、先端部（上端部）に吸着部１３１１ａを有し、上下方向に移動する。このチップ受け渡し部１３２は、その先端部がチップ反転部１３１のアーム１３１１の先端部が下向きの状態でアーム１３１１の先端部よりも下側となる待機位置で待機している。チップ受け渡し部１３２の位置は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向）において、チップ反転部１３１の吸着部１３１１ａが鉛直上方を向いた状態での吸着部１３１１ａの位置から距離Ｗ１だけずれている。なお、基板ＷＴやダイシング基板ＷＣの寸法によっては、チップ供給部１１とヘッド３３Ｈとの間のＸ軸方向の距離が、チップ反転部１３１とチップ搬送部３９とにより達成できるＸ軸方向の移動距離に比べて短い場合がある。この場合、チップ受け渡し部１３２は、Ｘ軸方向に移動して、チップ搬送部３９のプレート３９１の先端部にチップＣＰを受け渡す構成にしてもよい。これにより、ダイシング基板ＷＣの径がある程度長くても対応可能となる。
　供給チップ撮像部１５は、チップ供給装置１０におけるチップ供給部１１の下方（－Ｚ方向）に配置されている。供給チップ撮像部１５は、チップ反転部１３１のアーム１３１１がその吸着部１３１１ａがＺ方向を向いた姿勢、即ち、供給チップ撮像部１５の光軸に吸着部１３１１ａが存在しない状態で、基板ＷＣを構成するチップＣＰを撮影する。
　チップ反転部１３１は、アーム１３１１の先端部をチップ供給部１１側（上側）へ向けて、チップ供給部１１のニードル１１１ａが突き出したチップＣＰを吸着部１３１１ａにより吸着して受け取る。そして、チップ反転部１３１は、アーム１３１１の先端部にチップＣＰを吸着させた状態で、アーム駆動部１３１２によりアーム１３１１を旋回させてアーム１３１１の先端部を下側へ向ける。一方、チップ受け渡し部１３２は、待機位置から上方へ移動してアーム１３１１の先端部に吸着されているチップＣＰを受け取る。また、チップ反転部１３１は、チップＣＰをチップ受け渡し部１３２に受け渡した後、アーム１３１１を旋回させてアーム１３１１の先端部が上方を向いた状態にする。
　ボンディング装置３０は、図３に示すように、ステージ（基板保持部）３１と、ヘッド３３Ｈを有するボンディング部３３と、ヘッド３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、第１撮像部３５ａ、３５ｂと、第２撮像部４１と、カメラＦ方向駆動部３６５と、カメラＺ方向駆動部３６３と、を有する。ボンディング部３３とヘッド駆動部３６とから、チップＣＰを基板ＷＴ上に載置するいわゆるチップマウンタが構成されている。また、ボンディング装置３０は、更に、チップ供給装置１０から供給されるチップＣＰをヘッド３３Ｈまで搬送するチップ搬送部（部品搬送部）３９を有する。ボンディング部３３は、図３に示すように、Ｚ軸方向移動部材３３１と、第１円盤部材３３２と、ピエゾアクチュエータ（部品姿勢調整部）３３３と、第２円盤部材３３４と、ミラー固定用部材３３６と、ミラー３３７と、ヘッド３３Ｈと、を有する。
　Ｚ軸方向移動部材３３１の上端部には、第１円盤部材３３２が固定されている。また、第１円盤部材３３２の上側には、第２円盤部材３３４が配置されている。第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４とは、ピエゾアクチュエータ３３３を介して接続されている。さらに、第２円盤部材３３４の上面側には、ヘッド３３Ｈが固定されている。ヘッド３３Ｈは、チップＣＰを吸着して保持する。
　ヘッド３３Ｈは、鉛直下方（－Ｚ方向）からチップＣＰを保持する。ヘッド３３Ｈは、チップツール４１１と、ヘッド本体部４１３とを有している。チップツール４１１は、撮影光（赤外光等）を透過する材料（例えばシリコン（Ｓｉ））から形成されている。また、ヘッド本体部４１３には、セラミックヒータやコイルヒータ等が内蔵されている。また、ヘッド本体部４１３には、撮影光を透過（通過）させるための中空部４１５，４１６が設けられている。各中空部４１５，４１６は、撮影光を透過する透過部分であり、ヘッド本体部４１３を鉛直方向（Ｚ軸方向）に貫通するように設けられている。また、各中空部４１５，４１６は、図４に示すように、上面視において楕円形状を有している。２つの中空部４１５，４１６は、上面視略正方形形状を有するヘッド本体部４１３の対角部分において、軸ＢＸを中心に点対称に配置されている。なお、撮影光を透過させるため、第２円盤部材３３４における中空部４１５、４１６に対応する部分にも孔部３３４ａ、３３４ｂが設けられている。
　ピエゾアクチュエータ３３３は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。ピエゾアクチュエータ３３３は、図５Ａに示すように、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に３つ存在し、それぞれのＺ方向に伸縮可能となっている。そして、３つのピエゾアクチュエータ３３３それぞれの伸縮の程度を制御することにより、水平面に対する第２円盤部材３３４、ひいてはヘッド３３Ｈの傾き角度が調整される。そして、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの接合面ＣＰｆの基板ＷＴの実装面ＷＴｆとの間の距離と、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの接合面ＣＰｆの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きと、の少なくとも一方が調整される。なお、３本のピエゾアクチュエータ３３３は、第１撮像部３５ａ、３５ｂに関する照明光（反射光を含む）を遮らない位置（平面位置）に配置されている。
　ミラー３３７は、ミラー固定用部材３３６を介して第１円盤部材３３２に固定され、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間の空隙に配置されている。ミラー３３７は、斜め下方向き４５度の傾斜角度を有する傾斜面３３７ａ、３３７ｂを有する。第１撮像部３５ａ、３５ｂからミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂへ入射した撮影光は、上方へ反射される。
　ヘッド駆動部３６は、受け渡し位置Ｐｏｓ１（図２参照）において受け取ったチップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを実装する。より詳細には、ヘッド駆動部３６は、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを接触させて基板ＷＴに面接合させる。ここにおいて、後述するように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆとは、例えば親水化処理装置６０により親水化処理が施されている。従って、基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、基板ＷＴにチップＣＰが接合される。なお、チップＣＰの接合面ＣＰｆは、例えば平坦な金属電極が露出した面であってもよい。
　ヘッド駆動部３６は、Ｚ方向駆動部３４と、回動部材３６１と、θ方向駆動部３７と、を有する。Ｚ方向駆動部３４は、サーボモータおよびボールネジ等を有している。Ｚ方向駆動部３４は、後述の回動部材３６１の下端側に設けられ、図２の矢印ＡＲ４に示すように、ボンディング部３３のＺ軸方向移動部材３３１をＺ軸方向へ駆動する。Ｚ方向駆動部３４が、Ｚ軸方向移動部材３３１をＺ方向に移動させると、それに伴い、ボンディング部３３の上端部に設けられたヘッド３３ＨがＺ方向に移動する。即ち、ヘッド３３Ｈは、Ｚ方向駆動部３４によりＺ方向に駆動される。
　回動部材３６１は、円筒形状であり、図５Ｂに示すように内側の中空部の断面形状が八角形である。一方、Ｚ軸方向移動部材３３１は、断面形状が八角形である棒状部分を有し、回動部材３６１の内側に挿入されている。また、Ｚ軸方向移動部材３３１の８つの側面のうちの４つの側面と回動部材３６１の内面との間には、Ｚ軸方向移動部材３３１が回動部材３６１に対してＺ軸方向へ摺動するかたちで配置されたリニアガイド３８が設けられている。Ｚ軸方向移動部材３３１は、回動部材３６１が回転軸ＢＸ周りに回転すると、回動部材３６１と連動して回転する。即ち、ボンディング部３３と回動部材３６１とは、図２の矢印ＡＲ５に示すように、回転軸ＢＸ周りに連動して回転する。
　θ方向駆動部３７は、サーボモータおよび減速機等を有し、図３に示すように、ボンディング装置３０内に設けられた固定部材３０１に固定されている。θ方向駆動部３７は、回動部材３６１を軸ＢＸ周りに回転可能に支持している。そして、θ方向駆動部３７は、制御部９０から入力される制御信号に応じて、回動部材３６１を回転軸ＢＸ周りに回転させる。
　第１撮像部３５ａ、３５ｂは、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、チップＣＰの鉛直下方（－Ｚ方向）から、図４に示すようなチップＣＰのアライメントマーク（第１アライメントマーク）ＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを撮像する。第１撮像部３５ａは、図３に示すように、カメラＺ方向駆動部３６３およびカメラＦ方向駆動部３６５を介して回動部材３６１に固定されている。第１撮像部３５ｂも、カメラＺ方向駆動部３６３およびカメラＦ方向駆動部３６５を介して回動部材３６１に固定されている。これにより、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、回動部材３６１と共に回転する。ここで、前述のように、ミラー３３７は、Ｚ軸方向移動部材３３１に固定され、回動部材３６１とＺ軸方向移動部材３３１とは連動して回転する。従って、第１撮像部３５ａ，３５ｂとミラー３３７との相対的な位置関係は不変であるので、回動部材３６１の回転動作に関わらず、ミラー３３７により反射される撮影光が第１撮像部３５ａ，３５ｂに導かれる。
　第１撮像部３５ａ、３５ｂは、それぞれチップＣＰに設けられた後述のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂの画像と、基板ＷＴに設けられた後述のアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの画像と、を含む画像データを取得する。制御部９０は、第１撮像部３５ａ、３５ｂにより取得された画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される面に平行な方向における各チップＣＰの基板ＷＴに対する相対位置を認識する。第１撮像部３５ａ，３５ｂは、それぞれ、イメージセンサ３５１ａ、３５１ｂと、光学系３５２ａ、３５２ｂと、同軸照明系（図示せず）と、を有する。第１撮像部３５ａ，３５ｂは、それぞれ、同軸照明系の光源（図示せず）から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光に関する画像データを取得する。なお、第１撮像部３５ａ，３５ｂの同軸照明系から水平方向に出射された照明光は、ミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂで反射されその進行方向が鉛直上方に変更される。そして、ミラー３３７で反射された光は、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰとチップＣＰに対向配置された基板ＷＴとを含む撮影対象部分に向けて進行し各撮影対象部分で反射される。ここで、チップＣＰの撮像対象部分には、後述のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられており、基板ＷＴの撮像対象部分には、後述のアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂが設けられている。チップＣＰおよび基板ＷＴそれぞれの撮影対象部分からの反射光は、鉛直下方へ進行した後、ミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂで再び反射されその進行方向が水平方向に変更されて、第１撮像部３５ａ，３５ｂへと到達する。このようにして、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、チップＣＰおよび基板ＷＴそれぞれの撮影対象部分の画像データを取得する。
　ここにおいて、ヘッド３３Ｈの中空部４１５、４１６は、回動部材３６１の回転に連動して軸ＢＸ周りに回転する。例えば、図４に示すように、正方形形状を有するチップＣＰの中心を挟んで対向する角部それぞれにアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂが設けられているとする。この場合、第１撮像部３５ａ，３５ｂがチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられた２つの角部を結ぶ対角線上に位置するときに、第１撮像部３５ａ、３５ｂが中空部４１５、４１６を通じてアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂの撮像データを取得することができる。
　カメラＦ方向駆動部３６５は、図３の矢印ＡＲ８に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂをフォーカス方向に駆動することにより、第１撮像部３５ａ，３５ｂの焦点位置を調整する。
　カメラＺ方向駆動部３６３は、図３の矢印ＡＲ９に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂをＺ軸方向に駆動する。ここで、カメラＺ方向駆動部３６３は、通常、Ｚ軸方向移動部材３３１のＺ軸方向の移動量と、第１撮像部３５ａ，３５ｂのＺ軸方向の移動量とが同一となるように、第１撮像部３５ａ、３５ｂを移動させる。このようにして、ヘッド３３ＨのＺ軸方向への移動時において、第１撮像部３５ａ，３５ｂの撮影対象部分が移動前後で変わらないようにしている。但し、カメラＺ方向駆動部３６３は、第１撮像部３５ａ、３５ｂのＺ軸方向の移動量がＺ軸方向移動部材３３１のＺ軸方向の移動量と異なるように、第１撮像部３５ａ，３５ｂを移動させる場合がある。この場合、第１撮像部３５ａ，３５ｂとミラー３３７とのＺ方向における相対位置がそれぞれ変化するため、第１撮像部３５ａ，３５ｂによるチップＣＰおよび基板ＷＴにおける撮影対象部分が変更される。
　ステージ３１は、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面ＷＴｆが鉛直下方（－Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。ステージ３１は、Ｘ方向、Ｙ方向および回転方向に移動できる。これにより、ボンディング部３３とステージ３１との相対位置関係を変更することができ、基板ＷＴ上における各チップＣＰの実装位置を調整することができる。ステージ３１は、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、Ｘ方向移動部３１１とＹ方向移動部３１３と基板載置部３１５とＸ方向駆動部３２１とＹ方向駆動部３２３とを有する。Ｘ方向移動部３１１は、２つのＸ方向駆動部３２１を介してボンディング装置３０のベース部材３０２に固定されている。２つのＸ方向駆動部３２１は、それぞれＸ方向に延在しＹ方向に離間して配置されている。Ｘ方向駆動部３２１は、リニアモータおよびスライドレールを有し、Ｘ方向移動部３１１を固定部材３０１に対してＸ方向に移動させる。
　Ｙ方向移動部３１３は、Ｘ方向移動部３１１の下方（－Ｚ方向）に、２つのＹ方向駆動部３２３を介して配置されている。２つのＹ方向駆動部３２３は、それぞれＹ方向に延在しＸ方向に離間して配置されている。Ｙ方向駆動部３２３は、リニアモータおよびスライドレールを有し、Ｙ方向移動部３１３をＸ方向移動部３１１に対してＹ方向に移動させる。基板載置部３１５は、Ｙ方向移動部３１３に固定されている。基板載置部３１５は、Ｘ方向駆動部３２１およびＹ方向駆動部３２３の移動に応じて、Ｘ方向およびＹ方向に移動する。また、Ｘ方向移動部３１１の中央部には、平面視矩形状の開口部３１２が設けられ、Ｙ方向移動部３１３の中央部にも、平面視矩形状の開口部３１４が設けられている。基板載置部３１５の中央部には、平面視円形の開口部３１６が設けられている。そして、これらの開口部３１２，３１４，３１６を通じて基板ＷＴ上のマークを赤外透過カメラ４１により認識する。また、赤外線照射部（図示せず）を配置することで基板ＷＴに赤外線を照射して基板ＷＴを加熱することもできる。
　チップ搬送部（ターレットとも称する）３９は、チップ供給部１１から供給されるチップＣＰを、ヘッド３３ＨにチップＣＰを受け渡す受け渡し位置Ｐｏｓ１まで搬送する。チップ搬送部３９は、図１に示すように、偶数枚（図１では４つ）のプレート３９１と、複数のプレート３９１を一斉に回転駆動するプレート駆動部３９２と、を有する。偶数枚のプレート３９１は、図２に示すように、それぞれ一端部にチップＣＰを保持するチップ保持部（部品保持部）３９１ａが設けられ、チップ供給部１１とヘッド３３Ｈとの間に位置する他端部（軸ＢＸ）を基点として一端部が旋回する。各プレート３９１は、薄板形状を有しており、例えば数ｍｍ程度（好ましくは１ｍｍ～２ｍｍ程度以下）の厚さを有している。また、複数のプレート３９１は、平面視において、軸ＡＸを中心に等間隔で配置される。なお、プレート３９１の数は、４枚に限定されるものではなく、６以上の偶数個であってもよい。プレート３９１の先端部には、チップＣＰを吸着保持するチップ保持部３９１ａが設けられている。そして、チップ受け渡し部１３２とボンディング部３３のヘッド３３Ｈとは、Ｚ軸方向において、プレート３９１が回転したときにチップ保持部３９１ａが描く軌跡ＯＢ１と重なる位置に配置されている。チップ搬送部３９は、チップ受け渡し部１３２からチップＣＰを受け取ると、図１の矢印ＡＲ１に示すように、中心軸ＡＸ周りの回転動作によってチップＣＰをボンディング装置３０内のヘッド３３Ｈと重なる受け渡し位置Ｐｏｓ１まで搬送する。ところで、図２に示すように、チップ受け渡し部１３２の位置は、Ｘ軸方向において、チップ反転部１３１がチップ供給部１１からチップＣＰを受け取る位置から距離Ｗ１だけずれている。これにより、チップ受け渡し部１３２がチップ反転部１３１からチップＣＰを受け取る位置が、チップ反転部１３１がチップ供給部１１からチップＣＰを受け取る位置よりも軸ＡＸ側（－Ｘ方向）に距離Ｗ１だけずれている。従って、プレート３９１の長さを長さＷ１だけ短くすることができるので、チップ搬送部３９の小型化を図ることができる。
　また、チップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａは、図７に示すように、吸着部３９１ｂと吸着部３９１ｂの周囲に突設された突出部３９１ｃとを有する。チップ保持部３９１ａは、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態でチップＣＰの上面側を保持する。ここにおいて、チップＣＰは、直方体状であり、基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆの外周部に形成された切欠部ＣＰｋを有する。チップ保持部３９１ａの突出部３９１ｃの突出量ＨＴは、切欠部ＣＰｋの接合面ＣＰｆに直交する方向（Ｚ軸方向）における高さＨＣよりも大きい。そして、チップ保持部３９１ａは、突出部３９１ｃの先端部を切欠部ＣＰｋの下端部分に当接させた状態で、吸着部３９１ｂによりチップＣＰを吸着することにより、チップＣＰを保持する。このとき、前述のように、チップＣＰの切欠部ＣＰｋのＺ軸方向の高さＨＣは、突出部３９１ｃのＺ軸方向の高さＨＴより低いため、チップ搬送部３９は、チップＣＰの接合面ＣＰｆをプレート３９１に接触させない状態でチップＣＰを搬送することができる。
　第２撮像部４１は、図２および図３に示すように、ステージ３１の上方に配置されている。そして、第２撮像部４１は、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、後述の基板ＷＴのアライメントマーク（第２アライメントマーク）ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する、これにより、第２撮像部４１は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの画像を含む画像データを取得する。制御部９０は、第２撮像部４１により取得された画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される面に平行な方向におけるチップＣＰの実装位置のヘッド３３Ｈに対する相対位置を認識する。第２撮像部４１は、イメージセンサ４１８と、光学系４１９と、同軸照明系（図示せず）と、を有する。第２撮像部４１は、同軸照明系の光源（図示せず）から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光に関する画像データを取得する。
　カバー５０は、チップ供給装置１０およびボンディング装置３０内において、ヘッド駆動部３６およびチップ搬送部３９が配置される空間と、チップ供給部１１およびステージ３１が配置される空間と、を仕切るように配置されている。これにより、チップ供給部１１またはステージ３１で発生したパーティクルのヘッド駆動部３６またはチップ搬送部３９への堆積が抑制される。
　親水化処理装置６０は、基板ＷＴの実装面を親水化する親水化処理を行う。親水化処理装置６０は、例えばチャンバ（図示せず）、チャンバ内で基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）、高周波を発生するマグネトロン（図示せず）、ステージにバイアスを印加する高周波電源（図示せず）等を有する。また、親水化処理装置６０は、チャンバに接続されチャンバ内を減圧する真空ポンプ（図示せず）を有する。親水化処理装置６０は、減圧下でステージに保持された基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対して反応性イオンエッチングやＮ２またはＯ２ラジカルの照射を行うことにより基板ＷＴの実装面ＷＴｆを活性化させる親水化処理を実行する。水洗浄部６５は、スピンコーター等の水洗浄装置を備える。そして、水洗浄部６５は、搬送されてきた基板ＷＴに対して水洗浄工程を行うことにより、基板ＷＴに付着したパーティクルの除去を行うとともに、基板ＷＴの実装面ＷＴｆへ水を付着させる。
　搬送装置７０は、搬送ロボット７１を用いて、搬出入ユニット８０とボンディング装置３０と親水化処理装置６０との相互間で基板ＷＴを搬送する。搬送装置７０は、まず、搬出入ユニット８０から親水化処理装置６０内へ基板ＷＴを搬送する。そして、搬送装置７０は、親水化処理装置６０において親水化処理された基板ＷＴを、親水化処理装置６０からボンディング装置３０内へ搬送する。なお、搬送ロボット７１は、親水化処理装置６０から受け取った基板ＷＴについて適宜その上下を反転させてからボンディング装置３０内へ搬送する。
　なお、親水化処理装置６０も、基板ＷＴの接合面を鉛直下方に向けて配置して親水化処理を行うようにし、処理中において基板ＷＴの接合面が常に鉛直下方を向くようにハンドリングすることにより基板ＷＴの接合面へのパーティクルの付着を抑制できる。この場合、親水化処理装置６０として、例えば基板ＷＴの鉛直下方から基板ＷＴの接合面へ粒子ビームを照射して基板ＷＴの接合面を活性化する粒子ビーム照射部が基板ＷＴの鉛直下方に設けられた構成を採用することが有効である。また、親水化処理装置６０としては、この粒子ビーム照射部を備える構成が例えばプラズマ源を備える構成に比べて好適である。例えば接合面に絶縁層と電極が混在して露出するハイブリッドな基板の接合面を活性化する場合、ダイシングテープＴＥに張られた基板ＷＣの接合面を活性化する場合を想定する。この場合、プラズマ源を備える親水化処理装置であれば、絶縁層に含まれる酸化物やダイシングテープＴＥを形成する樹脂等から生じる不純物イオンがプラズマ電解にひかれて基板ＷＴ、ＷＣの接合面に再付着してしまう。これに対して、粒子ビーム照射部を備える親水化処理装置６０の場合、基板ＷＴ、ＷＣの接合面へ粒子ビームを照射することにより基板ＷＴ、ＷＣの接合面に付着した不純物が飛散していくため基板ＷＴ、ＷＣの接合面を斑無く活性化できるという利点がある。
　制御部９０は、図８に示すように、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）９０１と、主記憶部９０２と、補助記憶部９０３と、インタフェース９０４と、各部を接続するバス９０５と、を有する。主記憶部９０２は、揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ９０１の作業領域として使用される。補助記憶部９０３は、不揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ９０１が実行するプログラムを記憶する。また、補助記憶部９０３は、後述するチップ搬送部３９のプレート３９１の回転角度を示す情報も記憶する。インタフェース９０４は、供給チップ撮像部１５、第１撮像部３５ａ、３５ｂ、第２撮像部４１から入力される撮影画像信号を撮影画像情報に変換してバス９０５へ出力する。また、ＭＰＵ９０１は、補助記憶部９０３が記憶するプログラムを主記憶部９０２に読み込んで実行することにより、インタフェース９０４を介して、Ｚ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７、ピエゾアクチュエータ３３３、Ｘ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３、プレート駆動部３９２、吸着部３９１ｂ、チップ反転部１３１、チップ受け渡し部１３２、切出機構１１１、テープ保持部駆動部１１３、搬送ロボット７１それぞれへ制御信号を出力する。
　制御部９０は、基板ＷＴとチップＣＰとが接触した状態で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像して得られる画像から、基板ＷＴとチップＣＰとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するチップＣＰの位置および姿勢を補正させる。また、制御部９０は、基板ＷＣにおけるチップ反転部１３１へ渡すチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させる。ここで、制御部９０は、前述の供給チップ撮像部１５から入力される画像データに基づいて、チップＣＰの姿勢を認識する。
　次に、本実施の形態に係るチップ実装システムが実行する部品実装処理について図９乃至図１４を参照しながら説明する。この部品実装処理は、制御部９０により部品実装処理を実行するためのプログラムを起動されたことを契機として開始される。なお、図９においては、チップ供給部１１のテープ保持部１１２が、ダイシングテープＴＥにおけるダイシング基板ＷＣが貼り付けられた面が下向きの状態で、ダイシングテープＴＥを保持しているものとする。また、ダイシング基板ＷＣを構成する各チップＣＰの基板ＷＴに実装される面側は、親水化処理装置６０または他の装置において既に親水化処理が施されているものとする。
　更に、ボンディング装置３０は、親水化処理装置６０において親水化処理され搬送装置７０によりボンディング装置３０内へ搬送されてきた基板ＷＴをステージ３１が保持しているものとする。ステージ３１は、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する（基板保持ステップ）。また、図１０Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１Ａの先端部がヘッド３３Ｈに重なり、プレート３９１Ｃの先端部がチップ受け渡し部１３２と重なっている第１状態にあるとする。この第１状態では、偶数個のプレート３９１のいずれか１つの一端部が鉛直方向（Ｚ軸方向）においてヘッド３３Ｈと重複している。ここで、プレート３９１ＡはチップＣＰを保持し、プレート３９１ＣはチップＣＰを保持していないものとする。
　また、チップ実装システム１は、ステージ３１を移動させて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装位置と、ヘッド３３Ｈと、を対向させているものとする。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、第２撮像部４１により撮影された基板ＷＴのアライメントマークを含む画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰを実装する位置を認識する。そして、認識したチップＣＰの実装位置に基づいて、ステージ３１の基板載置部３１５をＸ方向またはＹ方向へ移動させて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される部分とヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰとを対向させる。
　まず、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９が第１状態にある場合、図９に示すように、プレート３９１Ａが保持するチップＣＰをヘッド３３Ｈへ渡す（ステップＳ１）。ここにおいて、チップ実装システム１は、図１０Ｂに示すように、ヘッド３３Ｈをプレート３９１Ａに近づけた状態で、プレート３９１Ａのチップ保持部３９１ａの吸着部３９１ｂによる吸着を停止するとともにヘッド３３ＨにチップＣＰを吸着させることにより、プレート３９１Ａからヘッド３３ＨへチップＣＰを渡す。このとき、ヘッド３３Ｈは、鉛直下方からチップＣＰを保持する（部品保持ステップ）。
　同時に、チップ実装システム１は、図９に示すように、チップ受け渡し部１３２が保持するチップＣＰをチップ搬送部３９のプレート３９１Ｃへ渡す（ステップＳ２）。ここにおいて、チップ実装システムは、図１０Ｂの矢印ＡＲ１１に示すように、チップＣＰを保持したチップ受け渡し部１３２を待機位置から上昇させることにより、プレート３９１Ｃのチップ保持部３９１ａへチップＣＰを渡し、再びチップ受け渡し部１３２を待機位置へ下降させる。
　同時に、チップ実装システム１は、供給チップ撮像部１５により撮影して得られた画像データに基づいて、基板ＷＣにおけるチップ反転部１３１へ渡すチップＣＰの位置および姿勢を認識する。そして、チップ実装システム１は、認識したチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させるアライメント動作を実行する（ステップＳ３）。
　次に、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させる（ステップＳ４）。これにより、チップ搬送部３９は、図１１Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１とヘッド３３Ｈおよびチップ受け渡し部１３２と重ならない第２状態になる。この第２状態では、偶数個のプレート３９１の一端部が鉛直方向（Ｚ軸方向）においてヘッド３３Ｈと重複しない。なお、角度θ１は、プレート３９１が４つの場合は２２．５度に設定される。即ち、プレート３９１の数をＮ（Ｎは正の整数）個とすると、角度θ１は（１８０／Ｎ）度に設定される。
　また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１へチップＣＰを渡す（部品供給ステップ）（ステップＳ５）。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、チップ反転部１３１の吸着部１３１１ａをチップＣＰの受け取り位置に移動させる。続いて、チップ実装システム１は、チップ供給部１１の切出機構１１１にニードル１１１ａでチップＣＰを下方へ押し出させ、チップ反転部１３１のアーム１３１１をダイシングテープＴＥに近づけて押し出されたチップＣＰをアーム１３１１へ渡す。
　つまり、チップ搬送部３９の第１状態において、ヘッド駆動部３６によるヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの基板ＷＴへの実装と、チップ供給部１１からチップ反転部１３１へのチップＣＰの供給と、チップ受け渡し部１３２からチップ搬送部３９へのチップＣＰの受け渡しと、が同時に実行される。
　また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、ヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰのアライメントを開始する（ステップＳ６）。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、図１１Ｂの矢印ＡＲ１２に示すように、ヘッド３３Ｈを上昇させて、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰを基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装位置に近づける。チップＣＰには、例えば図１２Ａに示すようなアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられており、基板ＷＴのチップＣＰが実装される位置には、例えば図１２Ｂに示すようなアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂが設けられている。そして、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのチップＣＰが実装位置に設けられたアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂと、を用いて、チップＣＰと基板ＷＴとのアライメント動作を実行する。チップ実装システム１は、このアライメント動作を、例えばヘッド３３Ｈを上昇させている間に実行する。チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとを例えば数十μｍ乃至数μｍの距離まで互いに近づけた状態で、アライメント動作を実行する。
　このとき、図１３に示すように、第１撮像部３５ａから出射されミラー３３７で反射されてヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過した光の一部は、チップツール４１１とチップＣＰとを透過する。チップＣＰを透過した光の一部は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａが設けられた部分で反射される。また、ヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過した光の残りの一部は、チップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ａが設けられた部分で反射される。基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａが設けられた部分またはチップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ａが設けられた部分で反射された光は、チップツール４１１を透過してヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過する。そして、ヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過したこれらの光は、ミラー３３７で反射されて第１撮像部３５ａの撮像素子へ入射する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＣ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、チップ実装システム１は、図１２Ｃに示すように、画像データＧａに基づいてチップＣＰと基板ＷＴとに設けられた１組のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ２ａの位置を認識し、この１組のアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。ここで、チップ実装システム１は、同一の第１撮像部３５ａにより、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａとの組を、フォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時認識する。
　また、第１撮像部３５ｂから出射されミラー３３７で反射されてヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過した光の一部も、チップツール４１１とチップＣＰとを透過する。チップＣＰを透過した光の一部は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂが設けられた部分で反射される。また、ヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過した光の残りの一部は、チップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ｂが設けられた部分で反射される。基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂが設けられた部分またはチップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ｂが設けられた部分で反射された光は、チップツール４１１を透過してヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過する。そして、ヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過したこれらの光は、ミラー３３７で反射されて撮像部３５ｂの撮像素子へ入射する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＣ２ｂの画像とを含む画像データＧｂを取得する。そして、チップ実装システム１は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてチップＣＰと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの位置を認識し、この１組のマークＭＣ１ｂ，ＭＣ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。ここで、チップ実装システム１は、同一の第１撮像部３５ｂにより、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂとの組を、フォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時認識する。このようにして、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとの位置ずれを高精度に認識できる。
　次に、チップ実装システム１は、これら２組のアライメントＭＣ１ａ、ＭＣ２ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂに基づいて、Ｘ方向、Ｙ方向および軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。ここで、Δｘは、Ｘ方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示し、Δｙは、Ｙ方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示す。また、Δθは、軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示す。
　その後、チップ実装システム１は、算出した相対的な位置ずれ量が低減されるように、ステージ３１をＸ方向およびＹ方向に駆動するとともに、ボンディング部３３を軸ＢＸ周りに回転させる。このようにして、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれを補正するアライメント動作を実行する。
　図９に戻って、次に、チップ実装システム１は、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈを更に上昇させることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する（部品実装ステップ）（ステップＳ７）。より詳細には、チップ実装システム１は、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを接触させチップＣＰを基板ＷＴに面接合させる。前述のように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆとは、例えば親水化処理装置６０により親水化処理が施されている。従って、基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、基板ＷＴにチップＣＰが接合される。その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１５に示すように、ヘッド３３Ｈを下降させてヘッド３３Ｈを待機位置へ戻す（ステップＳ８）。
　また、チップ実装システム１は、ステップＳ５、Ｓ６の一連の処理を実行すると同時に、図１１Ｂの矢印ＡＲ１３に示すように、チップ反転部１３１にアーム１３１１を旋回させることによりチップＣＰの上下を反転させる（ステップＳ９）。
　続いて、チップ実装システム１は、チップ反転部１３１のアーム１３１１からチップ受け渡し部１３２へチップＣＰを渡す（ステップＳ１０）。ここにおいて、チップ実装システム１は、図１１Ｂの矢印ＡＲ１４に示すように、チップ受け渡し部１３２を待機位置から上昇させることにより、アーム１３１１からチップ受け渡し部１３２へチップＣＰを渡す。その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１６に示すように、再びチップ受け渡し部１３２を待機位置へ下降させる。
　その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１７に示すように、チップ反転部１３１のアーム１３１１を上方へ旋回させることにより、アーム１３１１を待機位置へ戻す（ステップＳ１１）。
　つまり、チップ搬送部３９の第２状態において、ヘッド駆動部３６による基板ＷＴへのチップＣＰの実装と、チップ反転部１３１によるチップＣＰの反転と、チップ受け渡し部１３２によるチップ反転部１３１からのチップＣＰの受け取りと、が実行される。
　図９に戻って、次に、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させる（ステップＳ１２）。これにより、チップ搬送部３９は、再び図１０Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１Ａの先端部がヘッド３３Ｈに重なり、プレート３９１Ｃの先端部がチップ受け渡し部１３２と重なっている第１状態になる。
　続いて、チップ実装システム１は、前述のステップＳ１と同様にして、プレート３９１Ｂが保持するチップＣＰをヘッド３３Ｈへ渡す（ステップＳ１３）。同時に、チップ実装システム１は、前述のステップＳ２と同様にして、チップ受け渡し部１３２が保持するチップＣＰをチップ搬送部３９のプレート３９１Ｄへ渡す（ステップＳ１４）。更に、チップ実装システム１は、前述のステップＳ３と同様にして、基板ＷＣにおけるチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させるアライメント動作を実行する（ステップＳ１５）。その後、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させるとともに（ステップＳ１６）、前述のステップＳ３と同様にして、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１へチップＣＰを渡す（ステップＳ１７）。また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、前述のステップＳ６と同様にして、ヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰのアライメントを開始する（ステップＳ１８）。これにより、チップ搬送部３９は、Ｚ軸方向において、プレート３９１とヘッド３３Ｈおよびチップ受け渡し部１３２と重ならない第２状態になる。以後、チップ実装システム１は、ステップＳ７乃至ステップＳ１８の処理を繰り返し実行する。
　以上説明したように、本実施の形態に係るチップ実装システム１によれば、ステージ３１が、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。また、ヘッド駆動部３６が、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面にチップＣＰを実装する。これにより、基板ＷＴの実装面へのパーティクルの付着を低減することができるので、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良の発生を抑制できる。従って、チップＣＰを基板ＷＴに実装してなる製品について、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。
　また、本実施の形態に係るテープ保持部１１２は、枠状であり、ダイシングテープＴＥに貼着された基板ＷＣを、ダイシングシートＴＥが基板ＷＣの鉛直上方に位置する姿勢で保持する。これにより、基板ＷＣを構成する各チップＣＰの基板ＷＴに実装される面側へのパーティクルの付着を抑制することができる。また、切出機構１１１が、基板ＷＣを構成する各チップＣＰを、ダイシングテープＴＥシートにおける鉛直上方側からニードル１１１ａを鉛直下方側へ突き出してチップＣＰを鉛直下方へ突き出すことによりチップＣＰを供給する。これにより、チップ供給部１１の構成の簡素化を図ることができる。
　更に、本実施の形態に係るチップ搬送部３９は、チップ保持部３９１ａによりチップＣＰの周部ＣＰｓを、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態で保持した状態でチップＣＰを搬送する。ここにおいて、チップＣＰは、直方体状であり、基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆの外周部に形成された切欠部ＣＰｋを有する。また、チップ保持部３９１ａは、図７に示すように、吸着部３９１ｂと吸着部３９１ｂの周囲に突設された突出部３９１ｃとを有し、突出部３９１ｃの突出量ＨＴが、切欠部ＣＰｋの接合面ＣＰｆに直交する方向（Ｚ軸方向）における高さＨＣよりも大きい。そして、チップ保持部３９１ａは、突出部３９１ｃの先端部を切欠部ＣＰｋの下端部分に当接させた状態で、吸着部３９１ｂによりチップＣＰを吸着することにより、チップＣＰを保持する。これにより、これにより、チップＣＰの搬送時におけるチップＣＰの接合面ＣＰｆの損傷を抑制することができるので、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良の発生を低減できる。
　また、本実施の形態に係るチップ実装システム１では、チップ搬送部３９の第１状態において、ヘッド３３Ｈによるチップ搬送部３９からのチップＣＰの受け取りと、チップ供給部１１からチップ反転部１３１へのチップＣＰの供給と、チップ受け渡し部１３２からチップ搬送部３９へのチップＣＰの受け渡しと、が実行される。また、チップ搬送部３９の第２状態において、ヘッド駆動部３６による基板ＷＴへのチップＣＰの実装と、チップ反転部１３１によるチップＣＰの反転と、チップ受け渡し部１３２によるチップ反転部１３１からのチップＣＰの受け取りと、が実行される。これにより、これらの各動作が順番に実行される場合に比べて、基板ＷＴへのチップＣＰの実装を開始してから、基板ＷＴに実装すべき全てのチップＣＰの基板ＷＴへの実装が完了するまでの間の時間を短縮することができる。従って、チップＣＰが実装された基板ＷＴの製造におけるスループットが向上する。
　更に、本実施の形態に係るチップ実装システム１では、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、チップＣＰの鉛直下方（－Ｚ方向）から、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを撮像する。また、第２撮像部４１は、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを精度良く認識することができるので、基板ＷＴに対するチップＣＰのアライメント精度が向上するという利点がある。
　また、本実施の形態に係る制御部９０は、基板ＷＴとチップＣＰとが接触した状態で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像して得られた画像データから、基板ＷＴとチップＣＰとの相対位置誤差を測定する。そして、制御部９０は、測定した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６に基板ＷＴにおけるチップＣＰを実装する位置の補正を実行させる。これにより、チップ実装システム１は、基板ＷＴに対するチップＣＰのアライメントを精度良く実行できる。
　更に、本実施の形態に係るチップ実装システムでは、ヘッド駆動部３６が、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、チップＣＰを基板ＷＴに面接合させる。より詳細には、ヘッド駆動部３６は、親水化処理装置６０により親水化処理された基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面を接触させて、チップＣＰを基板ＷＴに接合させる。
　また、従来は突起電極であるバンプで接合することが主流であったため、バンプの隙間にパーティクルが落ちても大した接合上の問題にはならなかった。但し、近年、電極表面と絶縁層表面と同一の接合面内に存在するチップと基板との面接合を行うハイブリッドボンディングと呼ばれる基板接合手法が用いられ始めた。この基板接合方法では、親水化処理されたチップの接合面と基板の実装面とを直接接合するため、基板の実装面上に存在するパーティクルの接合に与える影響が大きい。例えば、粒径１μｍ程度のパーティクルが基板上に１つでも存在するとその周囲の直径数ｍｍ程度の範囲でボイドが生じてしまう。基板同士の接合の場合、パーティクル密度が管理された環境で基板同士を接合する量産技術が確立されている。但し、チップの歩留まり改善の観点からすれば、良品チップを選別して実装するいわゆるＣＯＷ(チップ・オン・ウエハ)方式のチップ実装システムのほうが有利である。これに対して、本実施の形態に係るチップ実装システム１によれば、前述のように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆへのパーティクルの付着を抑制するパーティクル対策がなされている。これにより、チップＣＰの基板ＷＴへの実装において親水化処理接合を採用することが可能となった。
（実施の形態２）
　本実施の形態に係る樹脂成形装置は、紫外線硬化樹脂からなる樹脂が載置された型部材（以下、「モールド」と称する。）を基板に押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂部を硬化させるシステムである。この樹脂成形装置を使用することにより、基板上に樹脂から形成された微細な構造を作製することができる。
　樹脂部は、光硬化性の樹脂からなる。光硬化性の樹脂としては、例えば重合性化合物を少なくとも１種含有する光ラジカル硬化性樹脂がある。光ラジカル硬化性樹脂としては、例えば紫外線の照射で速やかにラジカル重合して硬化するアクリレート類、メタクリレート類、ビニルエステル類、ビニルアミド類等を含む液状モノマーに光ラジカル開始剤を混合したものを用いることができる。また、光硬化性の樹脂としては、芳香族カルボニル化合物、ケトン類やフォスフィンオキサイド類等の硬化剤が添加されたものであってもよい。また、基板は、例えば紫外線に対して透明なガラス基板やサファイヤ基板が採用される。
　図１５に示すように、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、ステージ（基板保持部）２０３１と、ヘッド２０３３Ｈを有するボンディング部２０３３と、ヘッド２０３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、撮像部２０４１と、距離測定部５１１と、ディスペンサ（樹脂吐出部）５２と、紫外線照射部（樹脂硬化部）５３と、支持部５５と、カバー２０５０と、制御部２０９０と、を備える。なお、図１５において実施の形態１と同様の構成については図２と同一の符号を付している。ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する形成面ＷＴｆが鉛直下方（－Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。
　ヘッド駆動部３６は、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置Ｐｏｓ２に対向させてからヘッド２０３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることにより、ヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方（－Ｚ方向）からモールドＭを押し付ける。撮像部２０４１は、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させた状態で、モールドＭの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、後述のモールドＭのアライメントマーク（第３アライメントマーク）ＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、後述の基板ＷＴのアライメントマーク（第４アライメントマーク）ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を撮像する。
　ボンディング部２０３３は、図１６に示すように、Ｚ軸方向移動部材３３１と、第１円盤部材３３２と、ピエゾアクチュエータ（モールド姿勢調整部）３３３と、第２円盤部材３３４と、ヘッド２０３３Ｈと、を有する。なお、図１６において、実施の形態１と同様の構成については図３と同一の符号を付している。ヘッド２０３３Ｈは、鉛直下方（－Ｚ方向）からモールドＭを吸着保持している。ヘッド２０３３Ｈは、チップツール４１１と、ヘッド本体部２４１３とを有している。ヘッド本体部２４１３には、実施の形態１で説明したような中空部が設けられていない。ピエゾアクチュエータ３３３は、３つ存在し、制御部２０９０から入力される制御信号に応じて各別に動作する。これらのピエゾアクチュエータ３３３は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭの姿勢を調整する。
　モールドＭは、複数の凹部ＭＴが形成され、ヘッド２０３３Ｈに吸着保持された状態で基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される面に対向する平坦面ＭＦを有する型部材である。モールドＭは、金属、ガラスまたはセラミックス等から形成されている。また、モールドＭの周部には、段部ＭＳが形成されており、レーザ光が反射可能な鏡面状態のＭＦ及びＭＳ面を有する。
　ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される形成面ＷＴｆが鉛直下方（－Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。ステージ２０３１は、Ｘ方向およびＹ方向に移動できる。これにより、ボンディング部２０３３とステージ２０３１との相対位置関係を変更することができ、基板ＷＴ上における各樹脂部Ｒの形成位置を調整することができる。ステージ２０３１は、周部にディスペンサ５２のノズル５２２を挿通させるための貫通孔２０３１ａが設けられた基板載置部２３１５を有する。
　ディスペンサ５２は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに紫外線硬化樹脂を吐出することにより樹脂部Ｒを形成する。ディスペンサ５２は、本体部５２０と、本体部５２０を駆動するディスペンサ駆動部５２１と、本体部５２０から下方へ突出するノズル５２２と、ノズル５２２から吐出される樹脂の吐出量を制御する吐出制御部５２３と、を有する。本体部５２０は、樹脂を貯留する樹脂貯留部（図示せず）に供給管（図示せず）を介して接続されており、樹脂貯留部から供給される樹脂がノズル５２２から吐出される。吐出制御部５２３は、制御部２０９０から入力される制御信号に基づいて、ノズル５２２から吐出される樹脂の吐出量を制御する。本体部５２０は、Ｚ軸方向（図１５の矢印ＡＲ６参照）に移動可能である。ここで、樹脂成形装置２は、まず、Ｚ軸方向においてノズル５２２とステージ２０３１の貫通孔２０３１ａとが重なるようにステージ２０３１をＸ軸方向へ移動させる。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を、ノズル５２２を鉛直下方（－Ｚ方向）へ移動させる。これにより、ディスペンサ５２は、モールドＭの凹部ＭＴへ樹脂を吐出し、モールドＭに樹脂を載置する準備が完了した吐出準備完了状態となる。その後、樹脂成形装置２は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。そして、樹脂成形装置２は、吐出制御部５２３により、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させ、ディスペンサ５２を待機状態にする。
　距離測定部５１１は、レーザ光を用いて、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される形成面ＷＴｆと、モールドＭの基板ＷＴに対向して配置された平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。そして、ヘッド駆動部３６は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭを保持するヘッド２０３３Ｈを、基板ＷＴを保持するステージ２０３１に近づける。また、距離測定部５１１は、モールドＭの平坦面ＭＦにおける３箇所において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。なお、距離測定は、３箇所に限らず３箇所以上であれば、形成面ＷＴｆと平坦面ＭＦとの間の距離と、形成面ＷＴｆに対する平坦面ＭＦの平行度と、を測定することができる。また、形成面ＷＴｆに対する平坦面ＭＦの平行度を調整するための３箇所以上の測定は、必要に応じて適時実行するようにしてもよい。そして、モールドＭＦを基板ＷＴへ押し付ける各動作では、１箇所だけ距離を測定して基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の隙間のみを制御するようにしてもよい。
　撮像部２０４１は、図１６に示すように、モールドＭが基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、モールドＭの段部ＭＳに設けられたアライメントマーク（第３アライメントマーク）ＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴに設けられたアライメントマーク（第４アライメントマーク）ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を撮像する。撮像部２０４１は、いわゆる一視野カメラであり、ＸＹ方向における位置を変えながら、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組とアライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを順に撮像する。そして、樹脂成形装置２は、まず、モールドＭを押し付ける前の、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの間の距離が比較的長い状態で、撮像部２０４１をフォーカス方向の軸に直交する方向へ移動させながらアライメント（以下、「プリアライメント」と称する。）する。その後、樹脂成形装置２は、モールドＭを基板ＷＴに押し付けてモールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組と、アライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組と、をそれぞれフォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時に認識して樹脂中でアライメント（以下「液浸アライメント」と称する）する。このようにして、同時に認識することで振動やフォーカス軸の誤差を回避でき、樹脂を基板ＷＴに接触させた後、樹脂が基板ＷＴに接触した状態での位置ずれを修正し、樹脂を硬化させる直前にアライメントすることで高精度な樹脂成形を実現できる。また、このアライメント方法の場合、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの位置ずれが大きく両者を同時に認識できないことを回避するために事前にプリアライメントを実行している。また、モールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂を基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた状態でのアライメント時におけるモールドＭの移動量を低減することで樹脂の流動を防いでいる。
　ところで、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが、モールドＭの平坦面ＭＦにある場合、平坦面ＭＦのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられた部分に樹脂部Ｒの一部が張り出すと、撮像部２０４１により撮像したアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂの画像がぼやけてしまう場合がある。これに対して、本実施の形態に係るモールドＭでは、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが段部ＭＳに設けられている。これにより、撮像部２０４１は、基板ＷＴとモールドＭとの間における樹脂部Ｒが介在しない領域を介してアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂの画像を撮像できるので、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂを良好に認識できる。
　紫外線照射部５３は、モールドＭが基板ＷＴに形成された樹脂部Ｒに押し付けられた状態で基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から樹脂部Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部Ｒを硬化させる。この紫外線照射部５３は、例えば紫外光を放射するレーザ光源や水銀ランプ等から構成されている。
　支持部５５は、ディスペンサ５２、紫外線照射部５３、撮像部２０４１および距離測定部５１１を一体で支持し、ＸＹ方向に移動可能となっている。また、支持部５５は、Ｚ軸方向へも移動可能となっている。これにより、撮像部２０４１のフォーカス調整が可能となっている。なお、ディスペンサ５２、紫外線照射部５３、撮像部２０４１および距離測定部５１１は、それぞれ個別に支持部に支持され、各支持部が独立してＸＹ方向に移動可能な構成であってもよい。
　カバー２０５０は、樹脂成形装置２内において、ヘッド駆動部３６が配置される空間とステージ２０３１が配置される空間とを仕切るように配置されている。これにより、ステージ２０３１で発生したパーティクルのヘッド駆動部３６への付着が抑制される。
　制御部２０９０は、図１７に示すように、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）９０１と、主記憶部９０２と、補助記憶部９０３と、インタフェース２９０４と、各部を接続するバス９０５と、を有する。なお、図１７において、実施の形態１と同様の構成については図８と同一の符号を付している。インタフェース２９０４は、距離測定部５１１から入力される測定信号を測定情報に変換してバス９０５へ出力する。また、インタフェース２９０４は、撮像部２０４１から入力される撮影画像信号を撮影画像情報に変換してバス９０５へ出力する。ＭＰＵ９０１は、補助記憶部９０３が記憶するプログラムを主記憶部９０２に読み込んで実行することにより、インタフェース２９０４を介して、Ｚ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７、ピエゾアクチュエータ３３３、Ｘ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３、ディスペンサ駆動部５２１、吐出制御部５２３、紫外線照射部５３、支持部５５それぞれへ制御信号を出力する。
　制御部２０９０は、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを撮像することにより、基板ＷＴとモールドＭとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部２０９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ２０３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正させる。この場合、紫外線照射部５３は、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢の補正が完了した後、樹脂部Ｒに紫外線を照射する。
　次に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２が実行するインプリント処理について図１８乃至図２１Ｃを参照しながら説明する。このナノインプリント処理は、制御部２０９０によりインプリント処理を実行するためのプログラムを起動されたことを契機として開始される。なお、図１８において、樹脂成形装置２は、ステージ２０３１に基板ＷＴを保持させるとともに、ヘッド２０３３ＨにモールドＭを保持させているものとする。ここで、ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する形成面ＷＴｆが鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する（基板保持ステップ）。また、ヘッド２０３３Ｈは、鉛直下方からモールドＭを保持する（モールド保持ステップ）。
　まず、樹脂成形装置２は、Ｚ軸方向において、ディスペンサ５２がヘッド２０３３Ｈの鉛直上方（＋Ｚ方向）に位置する状態となるように支持部５５を移動させる（図１９の矢印ＡＲ７２参照）。次に、樹脂成形装置２は、ディスペンサ５２とステージ２０３１の貫通孔２０３１ａとが重なるようにステージ２０３１を移動させる（図１９の矢印ＡＲ７１参照）。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を鉛直下方（－Ｚ方向）へ下降させることにより、図１９に示すように、ノズル５２２をモールドＭに近づける。このようにして、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、ディスペンサ５２を吐出準備完了状態にする（ステップＳ２０１）。
　次に、樹脂成形装置２は、吐出制御部５２３にノズル５２２からモールドＭの凹部ＭＴ内へ樹脂を予め設定された吐出量だけ吐出させる（樹脂吐出ステップ）（ステップＳ２０２）。即ち、ディスペンサ５２が、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出する。これにより、例えば図２０に示すように、モールドＭの凹部ＭＴ内に樹脂Ｒ１が充填された状態となる。
　続いて、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、ディスペンサ５２の本体部５２０を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させる。このようにして、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、ディスペンサ５２を待機状態にする（ステップＳ２０３）。
　その後、樹脂成形装置２は、ステージ２０３１を移動させてＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置とが重なる状態にする。そして、樹脂成形装置２は、ヘッド２０３３Ｈが保持するモールドＭのプリアライメントを実行する（ステップＳ２０４）。即ち、樹脂成形装置２は、モールドＭを押し付ける前の、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの間の距離が比較的長い状態で、撮像部２０４１をフォーカス方向の軸に直交する方向へ移動させながらプリアライメントする。このとき、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離は、数ｍｍ程度に設定される。
　ここにおいて、樹脂成形装置２は、まず、ヘッド２０３３Ｈを上昇させて、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する位置に近づける。図２０に示すように、モールドＭには、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられており、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置にも、アライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂが設けられている。そして、樹脂成形装置２は、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置に設けられたアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を用いて、モールドＭと基板ＷＴとのプリアライメント動作を実行する。樹脂成形装置２は、プリアライメント動作において、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＣ２ｂとのいずれか一方に焦点を合わせたときに互いに重ならない状態で基板ＷＴに対するモールドＭの大まかな位置合わせを実行する。
　次に、樹脂成形装置２は、距離測定部５１１により、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定して、モールドＭと基板ＷＴとの間の距離を調整する（ステップＳ２０５）。ここにおいて、樹脂成形装置２は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を数十μｍ乃至数μｍの距離に調整する。このとき、モールドＭは、図２１Ａに示すように、モールドＭの凹部ＭＴの外周部に樹脂Ｒ１の一部が張り出した状態になるまで基板ＷＴに近づいた状態となる。このとき、ヘッド駆動部３６が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させてからヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付ける（モールド押し付けステップ）。
　続いて、樹脂成形装置２は、図２１Ａに示すように、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触した状態で、再度アライメント（「液浸アライメント」ともいう。）を実行する（ステップＳ２０６）。この場合、樹脂成形装置２は、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組と、アライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを、それぞれフォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時に認識する。これにより、樹脂成形装置２は、撮像部２０４１のフォーカス軸の精度や振動の影響を受けることなく高精度にモールドＭの基板ＷＴに対する相対位置をアライメントできる。また、このように、モールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂を基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた後、樹脂を硬化させる直前において、樹脂を基板ＷＴに接触させた状態での位置ずれを修正するアライメントを実行することにより、高精度なアライメントが実現できる。
　ここで、樹脂成形装置２は、撮像部２０４１により、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、樹脂成形装置２は、画像データＧａに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ａ，ＭＭ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。また、樹脂成形装置２は、同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ｂの画像とを含む画像データＧｂも取得する。そして、樹脂成形装置２は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ｂ，ＭＭ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。それから、樹脂成形装置２は、これら２組のアライメントＭＭ１ａ、ＭＭ２ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂに基づいて、Ｘ方向、Ｙ方向および軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。ここで、Δｘ、ΔｙおよびΔθは、実施の形態１の場合と同様である。その後、樹脂成形装置２は、算出した相対的な位置ずれ量が低減されるように、ステージ２０３１をＸ方向およびＹ方向に駆動するとともに、ボンディング部２０３３を軸ＢＸ周りに回転させる。このようにして、樹脂成形装置２は、モールドＭと基板ＷＴとの相対的な位置ずれを補正するアライメント動作を実行する。
　その後、樹脂成形装置２は、図２１Ｂに示すように、紫外線照射部５３から放射される紫外線を樹脂Ｒ１に照射する（ステップＳ２０７）。ここでは、紫外線照射部５３が、モールドＭを樹脂Ｒ１に押し付けた状態で紫外線を照射することにより、凹部ＭＴの内側に存在する樹脂Ｒを硬化させる（樹脂硬化ステップ）。
　次に、樹脂成形装置２は、図２１Ｃの矢印ＡＲ２２に示すように、ヘッド２０３３Ｈを下降させてヘッド２０３３Ｈを待機位置へ移動させる（ステップＳ２０８）。このようにして、基板ＷＴ上に樹脂部Ｒが形成される。
　続いて、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、インプリント処理を終了するか否かを判定する（ステップＳ２０９）。樹脂成形装置２は、例えばインプリント処理を終了する旨の指令が入力された場合や予め設定されたインプリント処理のプログラムシーケンスが全て完了した場合にインプリント処理を終了すると判定する。樹脂成形装置２は、インプリント処理を続行すると判定すると（ステップＳ２０９：Ｎｏ）、ヘッド２０３３Ｈが基板ＷＴにおける次に樹脂部Ｒを形成する部分に対向するようにステージ２０３１を移動させる（ステップＳ２１０）。続いて、再びステップＳ２０１の処理が実行される。そして、ステップ２０１乃至Ｓ２０９の一連の処理が繰り返し実行されることにより、いわゆるステップアンドリピート方式で基板ＷＴに複数の樹脂部Ｒが形成されていく。一方、樹脂成形装置２がインプリント処理を終了すると判定すると（ステップＳ２０９：Ｙｅｓ）、インプリント処理が終了する。
　以上説明したように、本実施の形態に係る樹脂成形装置２によれば、ステージ３１が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。また、ヘッド駆動部３６が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方からモールドＭを押し付ける。そして、紫外線照射部５３が、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で樹脂部Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部Ｒを硬化させる。これにより、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される面へのパーティクルの付着を低減することができるので、樹脂部Ｒと基板ＷＴとの界面へのパーティクルの混入を抑制できる。従って、基板ＷＴ上に樹脂部Ｒを形成してなる製品について、樹脂部Ｒと基板ＷＴとの界面へのパーティクルの混入に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。具体的には、本実施の形態で説明したように、基板ＷＴ上にナノインプリントによりサブミクロンオーダ（例えば１０ｎｍ程度）のパターンを成形する場合、ゴミ、グリス等のパーティクルが基板ＷＴ上に乗ると、成形されたパターンに欠陥が生じる虞がある。この場合、基板ＷＴの性能に影響が出る虞がある。
　また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、ヘッド駆動部３６が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方からモールドＭを押し付ける。また、モールドＭは、その鉛直上方からディスペンサ５２により樹脂が充填されるので、樹脂部Ｒ内の空気の巻き込み防止できる。これにより、モールドＭの凹部ＭＴの内面と樹脂部Ｒとの界面に空気が混入しにくくなるので、凹部ＭＴの内面と樹脂部Ｒとの界面への空気の混入に起因した樹脂部Ｒの形成不良の発生が抑制される。
　更に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出するディスペンサ５２を更に備える。これにより、樹脂成形装置２において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆへの樹脂部Ｒの形成から樹脂部Ｒの硬化までの一連の処理を繰り返し実行することが可能となるので、基板ＷＴに樹脂部Ｒを形成してなる製品の製造工程の簡素化を図ることができる。
　また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、撮像部２０４１が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させた状態で、モールドＭの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する。これにより、樹脂成形装置２は、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとを精度良く認識することができるので、基板ＷＴに対するモールドＭのアライメント精度が向上するという利点がある。
　更に、本実施の形態に係る制御部２０９０は、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを撮像することにより、基板ＷＴとモールドＭとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部２０９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ２０３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正させる。これにより、樹脂成形装置２は、基板ＷＴに対するモールドＭのアライメントを精度良く実行できる。
　また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、レーザ光を用いて基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する距離測定部５１１を備える。距離測定部５１１は、基板ＷＴおよびモールドＭの上方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。そして、ヘッド駆動部３６は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭを保持するヘッド２０３３Ｈを基板ＷＦを保持するステージ２０３１に近づける。これにより、樹脂成形装置２は、樹脂部ＲのうちモールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で凹部ＭＴの外周部にはみ出す部分の厚さを制御することができるので、樹脂部Ｒの形状を高精度に調整することができる。
　更に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭの姿勢を変更するピエゾアクチュエータ３３３を備える。また、距離測定部５１１は、モールドＭの平坦面ＭＦにおける３つ以上の箇所において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。これにより、例えばモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、ヘッド２０３３ＨにモールドＭを保持させることが可能となる。従って、樹脂部Ｒの形状の精度を高めることができる。
（変形例）
　以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明は前述の実施の形態の構成に限定されるものではない。例えば、実施の形態１に係るチップ実装システム１について、ステージ３１の上方に基板ＷＴおよびチップＣＰを透過する光を放射する光源が配置された構成であってもよい。この場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、ステージ３１上方に配置された光源から放射され基板ＷＴ、チップＣＰを透過した透過光を用いてアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得するようにすればよい。また、実施の形態２に係る樹脂成形装置２についても、ステージ２０３１の下方に基板ＷＴおよびモールドＭを透過する光を放射する光源が配置された構成であってもよい。この場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、ステージ３１下方に配置された光源から放射され基板ＷＴ、モールドＭを透過した透過光を用いてアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを含む画像を取得するようにすればよい。
　実施の形態１では、チップＣＰの下側から、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂにより基板ＷＴ、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成について説明した。但し、これに限定されない。たとえば、図２２に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、ステージ３１の上方から基板ＷＴ、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影する構成であってもよい。なお、図２２において、実施の形態１と同様の構成については図３と同一の符号を付している。ここにおいて、カメラＦ方向駆動部３６５とミラー３３７とは、共通のベース部材３３３６に固定されている。
　実施の形態１において、例えば図２３Ａに示すように、チップＣＰの周部を保持した状態でチップＣＰの中央部を鉛直上方へ押圧する押圧部８６４１３ｂが設けられたヘッド８６３３Ｈを有するボンディング装置を備える構成であってもよい。ヘッド８６３３Ｈは、チップツール８６４１１と、ヘッド本体部８６４１３とを有する。ヘッド本体部８６４１３は、チップＣＰをチップツール８６４１１に真空吸着させるための吸着部８６４１３ａと、中央部において鉛直方向に移動可能な押圧部８６４１３ｂと、押圧部８６４１３ｂを駆動する押圧駆動部（図示せず）と、を有する。また、ヘッド本体部８６４１３は、チップツール８６４１１を真空吸着によりヘッド本体部８６４１３に固定するための吸着部（図示せず）も有する。これにより、チップツール８６４１１の交換が容易になるという利点がある。押圧駆動部が、チップツール８６４１１にチップＣＰが保持された状態で、押圧部８６４１３ｂを鉛直上方へ移動させると、チップＣＰの中央部が鉛直上方へ向かって押圧される。チップツール８６４１１は、ヘッド本体部８６４１３の吸着部８６４１３ａに対応する位置に形成された貫通孔８６４１１ａと、押圧部８６４１３ｂが内側に挿入される貫通孔８６４１１ｂと、を有する。更に、ヘッド本体部８６４１３には、実施の形態１に係るヘッド本体部４１３と同様に中空部（図示せず）が設けられている。吸着部８６４１３ａと貫通孔８６４１１ａとが、チップＣＰの周部を保持する周部保持部として機能する。
　図２３Ａに示すヘッド８６３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をチップツール８６４１１に吸着させた状態で（図２３Ａの矢印ＡＲ８６１参照）、押圧部８６４１３ｂを鉛直方向へ駆動する（図２３Ａの矢印ＡＲ８６２参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２３Ａの矢印ＡＲ８６３）。そして、ボンディング装置のヘッド駆動部は、チップＣＰを撓ませた状態でヘッド８６３３Ｈを基板ＷＴに近づけることにより、チップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させる。即ち、ヘッド駆動部は、吸着部８６４１３ａおよび貫通孔８６４１１ａによりチップＣＰの周部が保持され且つ押圧部８６４１３ｂがチップＣＰの中央部を押圧することによりチップＣＰの中央部がその周部に比べて基板ＷＴ側へ突出するように撓んだ状態で、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの中央部を接触させる。なお、ボンディング装置は、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴに予め設定された距離まで近づけた後、チップＣＰを撓ませることによりチップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させてもよい。その後、ボンディング装置は、押圧部８６４１３ｂを鉛直下方へ没入させつつ、ヘッド８６３３Ｈを更に基板ＷＴへ近づけることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する。
　また、実施の形態１において、例えば図２３Ｂに示すようなヘッド８７３３Ｈを有する構成であってもよい。なお、図２３Ｂにおいて、図２３Ａに示す構成と同様の構成については図２３Ａと同一の符号を付している。ヘッド８７３３Ｈは、チップツール８７４１１と、ヘッド本体部８７４１３とを有する。ヘッド本体部８７４１３は、吸着部８６４１３ａと、吸着部８６４１３ａよりも中央部側に位置し空気を吐出する吐出口８７４１３ｂと、を有する。また、ヘッド本体部８７４１３は、チップツール８７４１１を真空吸着によりヘッド本体部８７４１３に固定するための吸着部（図示せず）も有する。チップツール８７４１１は、ヘッド本体部８７４１３の吸着部８６４１３ａに対応する位置に形成された貫通孔８６４１１ａと、吐出口８７４１３ｂに対応する位置に形成された貫通孔８７４１１ｂと、を有する。
　図２３Ｂに示すヘッド８７３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をチップツール８７４１１に吸着させた状態で（図２３Ｂの矢印ＡＲ８６１参照）、チップツール８７４１１とチップＣＰの中央部との間の領域へ空気を吐出する（図２３Ｂの矢印ＡＲ８７１参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２３Ｂの矢印ＡＲ８６３）。そして、ボンディング装置は、チップＣＰを撓ませた状態でヘッド８７３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけることにより、チップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させる。なお、ボンディング装置は、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴに予め設定された距離まで近づけた後、チップＣＰを撓ませることによりチップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させてもよい。その後、ボンディング装置は、吐出口８７４１３ｂから吐出される空気の量を減少させつつヘッド８７３３Ｈを更に基板ＷＴへ近づけることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する。
　或いは、実施の形態１において、例えば図２４Ａに示すようなヘッド７６３３Ｈを有する構成であってもよい。なお、図２４Ａにおいて、図２３Ａに示す構成と同様の構成については図２３Ａと同一の符号を付している。ヘッド７６３３Ｈは、チップツール７６４１１と、ヘッド本体部７６４１３と、チップＣＰの周部を保持するクランプ７６４１２と、を有する。ヘッド本体部７６４１３は、中央部において鉛直方向に移動可能な押圧部７６４１３ｂと、押圧部７６４１３ａを駆動する押圧駆動部（図示せず）と、を有する。そして、図２４に示すヘッド７６３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をクランプ７６４１２により保持した状態で、押圧部７６４１３ｂを鉛直方向へ駆動する（図２４Ａの矢印ＡＲ８６２参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２４Ａの矢印ＡＲ８６３）。また、実施の形態１において、例えば図２４Ｂに示すようなヘッド７９３３Ｈを有する構成であってもよい。ヘッド７９３３Ｈは、チップツール７６４１１と、ヘッド本体部７６４１３と、チップＣＰの周部を側方から押圧して保持するチャック７９４１２と、を有する。本構成によれば、チップＣＰの周部に爪が入りうる十分な段差が形成されていなくてもチップＣＰを保持することができる。なお、チップＣＰの周部に段差が形成されている場合は、チップＣＰを堅固に保持する観点から、図２４Ｂに示す構成に比べて図２４Ａに示す構成のほうが好ましい。
　これらの構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに実装する際の基板ＷＴとチップＣＰとの間への空気の巻き込みが抑制されるので、チップＣＰを基板ＷＴにボイド無く良好に実装することが可能となる。
　実施の形態１において、例えば図２５Ａに示すように、チップＣＰを保持するチップツール８８４１１のヘッド本体部８８４１３に対する傾きが変更可能なヘッド８８３３Ｈを有するボンディング装置を備える構成であってもよい。ヘッド本体部８８４１３は、チップツール８８４１１を軸支する軸部（図示せず）と、チップツール８８４１１を軸部周りに回転する方向へ駆動するチップツール駆動部（図示せず）と、を有する。チップツール８８４１１は、チップＣＰを保持し、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対するチップＣＰの接合面ＣＰｆの傾きが可変である傾き可変保持部である。
　本変形例に係るボンディング装置は、図２５Ａに示すように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜した状態で、ヘッド８８３３Ｈを鉛直方向へ駆動する（図２５Ａの矢印ＡＲ８８１参照）。そして、ボンディング装置のヘッド駆動部は、チップツール８８４１１が基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆを傾けて前チップＣＰを保持した状態で、ヘッド８８３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆの端縁を接触させる。その後、ボンディング装置のヘッド駆動部は、図２５Ｂの破線で示すように、チップＣＰの端部が基板ＷＴの実装面ＷＴｆに当接すると、ヘッド８８３３Ｈを斜め上方へ移動させていく（図２５Ｂの矢印ＡＲ８８２参照）。このとき、チップツール８８４１１は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの当接部分Ｐ８８を中心にして回転する方向へ移動していく（図２５Ｂの矢印ＡＲ８８３）。これにより、チップＣＰは、当接部分Ｐ８８から順に基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触していく。
　また、実施の形態１に係るボンディング装置３０では、前述の図５Ａに示すように、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に各別にＺ方向に伸縮可能な３つのピエゾアクチュエータ３３３が設けられている。ボンディング装置３０は、これらの３つのピエゾアクチュエータ３３３それぞれの伸縮の程度を制御することにより、図２６に示すように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜させることができる。そして、ボンディング装置３０は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜した状態で、ヘッド３３Ｈを鉛直上方へ駆動する（図２６の矢印ＡＲ８８１参照）。
　本構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに実装する際の基板ＷＴとチップＣＰとの間への空気の巻き込みが抑制されるので、チップＣＰを基板ＷＴにボイド無く良好に実装することが可能となる。
　実施の形態において、図２７Ａに示すように、一面が開放された箱状であり、ヘッド３３ＨにＯリング８９２８を介して接触するキャップ８９２４を有するボンディング装置を備えるものであってもよい。ここで、キャップ８９２４には、ヘッド８９３３Ｈの一部をキャップ８９２４の外方へ向けて挿入させるための開口部８９２４ｄが設けられている。また、キャップ８９２４の外壁における開口部８９２４ｄの外周部には、Ｏリング８９２６が取り付けられている。また、ボンディング装置は、キャップ８９２４の排気口８９２４ａを通じてキャップ８９２４内の空間Ｓ８９に存在する空気を排気することにより空間Ｓ８９の真空度を高める真空ポンプ（真空源）（図示せず）を有する。
　本変形例に係るボンディング装置は、まず、キャップ８９２４を基板ＷＴに近づく方向へ移動させて（図２７Ａの矢印ＡＲ８９１参照）、Ｏリング８９２６を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに押し付ける。次に、ボンディング装置は、キャップ８９２４内の空間Ｓ８９にチップＣＰが配置された状態で、空間Ｓ８９に存在する気体を排気口８９２４ａを通じて排気し、空間Ｓ８９の真空度を高める。そして、ボンディング装置は、図２７Ｂに示すように、空間Ｓ８９の真空度を高めた状態で、ヘッド８９３３Ｈを鉛直上方へ移動させて（図２７Ｂの矢印ＡＲ８９２参照）チップツール８９４１１に保持されたチップＣＰを基板ＷＴに押し付ける。その後、ボンディング装置は、キャップ８９２４内の空間Ｓ８９を大気圧に戻してからヘッド８９３３Ｈおよびキャップ８９２４を下降させる。
　本構成によれば、真空度が高められたキャップ８９２４内の空間Ｓ８９において、基板ＷＴへのチップＣＰの実装を行うので、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間への気泡の巻き込みによるボイドの発生が抑制される。
　実施の形態１に係るチップ供給部１１は、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた複数のチップＣＰの中から１つのチップＣＰをニードル１１１ａにより下方へ突き出すことにより、チップＣＰをチップ移載部１３へ受け渡される例について説明した。但し、これに限らず、例えば複数のチップＣＰが、それらの基板ＷＴに実装される面側がダイシングテープに貼り付けられている場合、複数のチップＣＰの中の１つの基板ＷＴに実装される面とは反対の面を真空チャックしてチップ移載部１３へ受け渡す機構を備えるものであってもよい。
　実施の形態１では、チップＣＰが、基板ＷＴに面接合される例について説明したが、これに限らず、例えばチップＣＰが、基板ＷＴに金属バンプを介して接合されるものであってもよい。この場合、チップ実装システムを構成する親水化処理装置６０は不要となる。
　実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、ディスペンサ５２が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、ディスペンサ５２の配置はこれに限定されるものではなく、例えば図２８に示すように、ディスペンサ４０５２が、ステージ３１に保持された基板ＷＴの下側に配置される樹脂成形装置４であってもよい。なお、図２８において、実施の形態２と同様の構成については図１５と同一の符号を付している。
　ディスペンサ４０５２は、本体部４５２０と、ディスペンサ駆動部４５２１と、ノズル４５２２と、吐出制御部４５２３と、を有する。本体部４５２０は、Ｚ軸に直交する方向に移動可能である。そして、樹脂成形装置４は、ディスペンサ駆動部４５２１により、本体部４５２０を、ノズル４５２２がＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと重なる位置に移動させる。これにより、ディスペンサ４０５２は、モールドＭの凹部ＭＴへ樹脂を吐出する準備が完了した吐出準備完了状態となる。その後、樹脂成形装置４は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。そして、樹脂成形装置４は、吐出制御部４５２３により、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。その後、樹脂成形装置４は、ディスペンサ駆動部４５２１により、本体部４５２０をノズル４５２２がＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと重ならない位置に移動させることにより、ディスペンサ４０５２を待機状態にする。本構成によれば、実施の形態２で説明したように、ステージ２０３１を、貫通孔２０３１ａの鉛直上方にディスペンサ５２が位置するように移動させる必要がなくなる。従って、よりパーティクルを削減する対策に好適であり、かつ、スループットも向上する。但し、ディスペンサ４０５２のノズル４５２２は、その高さ方向（Ｚ軸方向）の長さが短い構成とする必要がある。
　実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、撮像部２０４１が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、撮像部４１の配置はこれに限定されるものではなく、例えば図２９に示すように、撮像部３５ａ、３５ｂが、ステージ２０３１に保持された基板ＷＴの下側に配置される構成であってもよい。なお、図２９において、実施の形態２と同様の構成については図１６と同一の符号を付している。撮像部３５ａ、３５ｂとミラー３７７とから同時に左右のアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂが取得可能な２カメラが構成されている。本変形例に係る樹脂成形装置は、ステージ２０３１と、ヘッド３３Ｈを有するボンディング部３３と、ヘッド３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、撮像部３５ａ、３５ｂと、カメラＦ方向駆動部３６５と、カメラＺ方向駆動部３６３と、を備える。撮像部３５ａ、３５ｂ、カメラＦ方向駆動部３６５およびカメラＺ方向駆動部３６３は、実施の形態１で説明した撮像部３５ａ、３５ｂ、カメラＦ方向駆動部３６５およびカメラＺ方向駆動部３６３と同様の構成である。
　本変形例に係る樹脂成形装置は、図３０に示すように、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置に設けられたアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を用いて、モールドＭと基板ＷＴとのアライメント動作を実行する。ここで、樹脂成形装置は、実施の形態１に係るチップ実装システム１と同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、樹脂成形装置は、画像データＧａに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ａ，ＭＭ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。また、樹脂成形装置は、同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ｂの画像とを含む画像データＧｂも取得する。そして、樹脂成形装置は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ｂ，ＭＭ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。本構成によれば、画像データＧａ、Ｇｂを同時に撮像することができるので、アライメントに要する時間の短縮を図ることができる。
　また、実施の形態２では、いわゆる１視野カメラである撮像部２０４１が、基板ＷＴの上方に配置される樹脂成形装置２の例について説明したが、これに限らず、例えば図２９に示すような、撮像部３５ａ、３５ｂとミラー３７７とから構成される２カメラ構成が基板ＷＴの上方に配置された構成であってもよい。この場合、撮像部３５ａ、３５ｂは、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組とアライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを同時に撮像することができるので、アライメントに要する時間の短縮できる。
　実施の形態２において、例えば図３１に示す樹脂成形装置６のように、ディスペンサ６０５２の本体部５２０の下端部にキャップ６５２４と、封止部材であるＯリング６５２５と、が設けられた構成であってもよい。ここで、キャップ６５２４は、例えば一面が開放された箱状であり、モールドＭの平面視形状と略同じ形状を有する底壁６５２４ｂと底壁６５２４ｂの周部に立設された側壁６５２４ｃと、を有する。また、キャップ６５２４の一部には、排気口６５２４ａが設けられている。キャップ６５２４は、例えば金属から形成されている。Ｏリング６５２５は、エラストマから形成されている。底壁６５２４ｂの中央部には、貫通孔６５２４ｄが貫設されており、そこにノズル５２２が挿通されている。この貫通孔６５２４ｄとノズル５２２との間の隙間はＯリング６５２６により封止されている。また、樹脂成形装置６は、キャップ６５２４の排気口６５２４ａに排気管Ｌ６を介して接続された真空ポンプ（真空源）６５２６を備える。
　この樹脂成形装置６は、例えば実施の形態２で説明したインプリント処理と同様の処理を実行する。この場合、樹脂成形装置６は、図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０１の処理において、まず、本体部５２０を下降させて（図３１中の矢印ＡＲ７３参照）、キャップ６５２４の側壁６５２４ｃの先端部を、Ｏリング６５２５を介してモールドＭの周部ＭＳに当接させる。キャップ６５２４は、ディスペンサ６０５２がモールドＭに予め設定された距離まで近づいた状態で、モールドＭにおける凹部ＭＴの開口端側にＯリング６５２５を介して当接し、モールドＭとの間に気密な空間Ｓ６を形成する。次に、樹脂成形装置６は、図３２Ａの矢印ＡＲ６０１に示すように、真空ポンプ６５２６により、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６に存在する気体を、排気口６５２４ａを通じて排気し、空間Ｓ６の真空度を高める。このようにして、樹脂成形装置６は、ディスペンサ６０５２を吐出準備完了状態にする。続いて、樹脂成形装置６は、図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、ディスペンサ６０５２のノズル５２２から樹脂Ｒ１を吐出させることにより、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。ここで、凹部ＭＴのアスペクト比（ＬＭＴ１／ＬＭＴ２）および樹脂Ｒ１の粘度が予め設定された基準値よりも高い場合、樹脂Ｒ１の凹部ＭＴの奥にまで侵入せず、空隙ＣＡが発生してしまう。
　その後、樹脂成形装置６は、キャップ６５２４内部の空間Ｓ６を大気開放してから、本体部５２０を上昇させて（図３２Ｂの矢印ＡＲ６０２参照）、キャップ６５２４をモールドＭから離脱させる。このとき、図３２Ｂの矢印ＡＲ６０３に示すように、モールドＭに注入された樹脂Ｒ１が、大気圧により凹部ＭＴの奥側へ押し込まれる。これにより、凹部ＭＴの奥に発生していた空隙ＣＡが消滅する。
　なお、前述のように、図３１に示す樹脂成形装置６は、キャップ６５２４の側壁６５２４ｃの先端部を、Ｏリング６５２５を介してモールドＭの周部ＭＳに当接させるが、キャップ６５２４を直接モールドＭに当接させない構成であってもよい。例えば図３３に示す樹脂成形装置のように、モールドＭの周囲に張り出すように配置されたフランジ部材７５２７を備えており、一部に排気口７５２４ａが設けられたキャップ７５２４を、Ｏリング７５２５を介してフランジ部材７５２７に当接させる構成であってもよい。ここで、キャップ７５２４には、ノズル５２２が挿通される貫通孔７５２４ｄが貫設されており、貫通孔７５２４ｄとノズル５２２との間の隙間はＯリング７５２６により封止されている。
　或いは、図３４Ａに示す樹脂成形装置のように、一面が開放された箱状であり、ヘッド２０３３ＨにＯリング８５２８を介して接触するキャップ８５２４を備えるものであってもよい。ここで、キャップ８５２４には、ディスペンサ６０５２のノズル５２２を内側に挿入させるための開口部８５２４ｄが設けられている。また、キャップ８５２４の外壁における開口部８５２４ｄの外周部には、Ｏリング８５２６が取り付けられている。そして、樹脂成形装置は、ディスペンサ６０５２の本体部５２０を下方へ移動させて（図３４Ａ中の矢印ＡＲ８０１参照）、ノズル５２２をキャップ８５２４の内側へ挿入していく。そうすると、Ｏリング８５２６が本体部５２０に設けられたフランジ部８５２０の下面に当接した状態となり（図３４Ａ中の一点鎖線参照）、キャップ８５２４の内部が密閉される。そして、樹脂成形装置は、排気口８５２４ａを通じてキャップ８５２４内に存在する気体を排気してキャップ８５２４内の真空度を高めた後、ディスペンサ６０５２のノズル５２２からモールドＭの凹部ＭＴへ樹脂Ｒ１を吐出させる。また、この樹脂成形装置では、図３４Ａに示すように、キャップ８５２４が、モールドＭに対してＺ軸方向へスライド可能（図３４Ｂの矢印ＡＲ８０３参照）となっており、キャップ８５２４をＺ軸方向へ移動させるキャップ駆動部（図示せず）を備える。なお、樹脂成形装置が、キャップ８５２４に連結され、キャップ８５２４をモールドＭへ押し付ける方向（＋Ｚ方向）へ付勢する弾性部材を備えるものであってもよい。そして、樹脂成形装置は、モールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴに近づける方向へ移動させるとともに（図３４Ｂの矢印ＡＲ８０２参照）、キャップ８５２４をモールドＭに対して－Ｚ方向へ移動させる。これにより、樹脂成形装置がモールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際、キャップ８５２４が基板ＷＴに接触することを防止する。
　また、前述の樹脂成形装置は、例えば図３５Ａおよび図３５Ｂに示すように、キャップ８５２４を、Ｏリング８５２６を介して基板ＷＴに押し付けるように動作するものであってもよい。この場合、真空度が高められたキャップ８５２４内の空間Ｓ６において、樹脂成形を行うので、樹脂Ｒ１内への気泡の巻き込みを防止することができる。この場合、樹脂成形装置は、図３５Ａに示すように、キャップ８５２４内の空間Ｓ６に凹部ＭＴ内に樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭが配置された状態で、空間Ｓ６に存在する気体を、排気口８５２４ａを通じて排気し、空間Ｓ６の真空度を高める。そして、樹脂成形装置は、図３５Ｂに示すように、空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、樹脂Ｒ１が凹部ＭＴに注入されたモールドＭを上昇させて、基板ＷＴに押し付ける。その後、樹脂成形装置は、基板ＷＴにモールドＭを押し付けた状態で、樹脂Ｒ１に紫外線を照射して樹脂Ｒ１を硬化させる。その後、樹脂成形装置は、キャップ８５２４内の空間Ｓ６を大気圧に戻してからモールドＭを下降させてモールドＭを基板ＷＴから離脱させる。
　本構成によれば、モールドＭの周囲において局所的に真空度を高めて処理することができるので、例えば大掛かりなチャンバを設ける必要がないという利点がある。また、キャップ８５２４とモールドＭとの間の隙間をできるだけ小さくすることにより、基板ＷＴ上において隣り合う樹脂部間の距離を短縮することができる。なお、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際に実行するキャップ８５２４内の真空引きと、モールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際に実行するキャップ８５２４内の真空引きとの両方を実行してもよい。
　なお、前述の図３１乃至図３５Ｂで説明した変形例において、樹脂成形装置が、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入する構成であってもよい。空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、空間Ｓ６を大気圧に戻すと凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥に押し込まれ、凹部ＭＴの端部において樹脂Ｒ１が不足した状態となる。これに対して、本構成によれば、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入することにより、樹脂Ｒ１の不足分を補填することができ、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１の表面を凹凸無く滑らかにすることができる。また、樹脂成形装置は、空間Ｓ６が大気圧の状態でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから空間Ｓ６の真空度を高めた状態にし、その後、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入する構成であってもよい。この場合でも、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、空間Ｓ６の真空度を高めたときに凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥に押し込まれ、凹部ＭＴの端部において樹脂Ｒ１が不足した状態となる。これに対して、本構成によれば、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入することにより、樹脂Ｒ１の不足分を補填することができ、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１の表面を凹凸無く滑らかにすることができる。
　また、樹脂Ｒ１を、モールドＭの凹部ＭＴのできるだけ奥側まで充填させるためには、樹脂Ｒ１の粘度を低くすることが好ましい。樹脂Ｒ１の粘度を低くする方法として、樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭを加熱することにより、樹脂Ｒ１の温度を樹脂Ｒ１の粘度が低下する温度まで昇温させる方法がある。そこで、実施の形態２で説明した樹脂成形装置２において、紫外線硬化樹脂がモールドの凹部に注入された状態で、モールドＭを加熱するモールド加熱部（図示せず）を備える構成であってもよい。ここで、モールド加熱部は、紫外線硬化樹脂である樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入しているとき、または、紫外線硬化樹脂である樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入した後において、モールドＭを加熱して凹部ＭＴに注入された樹脂を昇温させるようにすればよい。即ち、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、モールド加熱部によりモールドＭを加熱してモールドＭを予め設定された温度以上にしてからモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するものであってもよい。更に、樹脂成形装置は、モールド加熱部によりモールドＭを加熱してモールドＭの温度を上昇させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。なお、本変形例において、使用する樹脂は、紫外線硬化樹脂に限らず、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であってもよい。
　また、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に空気が噛み込まれにくくするためには、樹脂Ｒ１の粘度が高い方が好ましい。そこで、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板に押し付ける際、モールド加熱部による加熱を停止させることによりモールドＭの温度を下降させるようにしてもよい。そして、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、モールドＭを加熱し、凹部ＭＴに樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、モールドＭの温度を下降させることを繰り返すようにしてもよい。特に、樹脂Ｒ１が紫外線硬化樹脂である場合、樹脂Ｒ１は、樹脂Ｒ１の温度が上昇すると軟化し下降すると硬化するので、本変形例の樹脂成形方法が適している。なお、本変形例において、使用する樹脂は、紫外線硬化樹脂に限らず、温度を低下させると粘度が上昇する他の種類の樹脂、例えば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であってもよい。
　このように、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１を加熱することにより樹脂Ｒの粘度を低下させることができるので、樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで侵入し易くなる。また、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１を加熱することにより樹脂Ｒ１の流動が生じるので、凹部ＭＴの奥に溜まった空気が樹脂Ｒ１の流動に伴い凹部ＭＴの開口部側へ移動させて除去することができる。従って、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後において凹部ＭＴの奥側に空気が溜まってしまうことを抑制できる。また、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板に押し付ける際、モールド加熱部による加熱を停止させることによりモールドＭの温度を下降させる。また、空冷、水冷など強制的に冷却してもよい。これにより、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１への空気の噛み込みが抑制される。
　実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、モールドＭがヘッド２０３３Ｈに保持された状態で、モールドＭを振動させる加振部（図示せず）を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、加振部によりモールドＭを振動させるようにすればよい。ここで、樹脂成形装置は、加振部によりモールドＭを振動させながらモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、加振部によりモールドＭを振動させるものであってもよい。
　ところで、ノズル内に樹脂が残ると、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭに樹脂を載置した後、一旦空間Ｓ６内を大気圧に戻してから、再度空間Ｓ６の真空度を高めたときに、ノズル内に残った樹脂中に気泡が発生してノズルから垂れたり量が減ったりする虞がある。また、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でノズルから吐出される樹脂の特性に影響が生じる虞もある。そこで、樹脂塗布装置が、例えばプランジャを備え、プランジャによりモールドＭに載置する樹脂の必要量だけを引き出し、押し出して飛ばす構成であってもよい。この場合、前述のようなノズル内の樹脂残りに起因した不具合の発生が抑制される。
　本構成によれば、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に振動を加えることにより樹脂Ｒ１の流動が生じるので、凹部ＭＴの奥に溜まった空気が樹脂Ｒ１の流動に伴い凹部ＭＴの開口部側へ移動させて除去することができる。従って、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後において凹部ＭＴの奥側に空気が溜まってしまうことを抑制できる。
　なお、実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、前述のモールド加熱部と加振部との両方を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するとともに、加振部によりモールドＭを振動させるようにしてもよい。
　また、前述の変形例に係る樹脂成形装置６において、モールド加熱部と加振部との少なくとも一方を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールド加熱部によりモールドＭを加熱しながらモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、加振部によりモールドＭを振動させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。また、樹脂成形装置は、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するとともに、加振部によりモールドＭを振動させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入してもよい。
　また、モールドＭの加熱は、真空度の比較的高い環境下でモールドＭ１に樹脂Ｒ１注入する場合のみならず、大気中でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入する場合においても有効である。また、モールドＭを振動させることも、真空度の比較的高い環境下でモールドＭ１に樹脂Ｒ１注入する場合のみならず、大気中でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入する場合においても有効である。
　また、樹脂Ｒ１を基板ＷＴに押し当てる際に気泡を巻き込まないようにするためにもモールドＭを加振する方法は有効である。押し付けられた樹脂Ｒ１中に気泡が含まれていても加振することで樹脂Ｒ１が流動し気泡を排出することができる。また、基板ＷＴ上にも樹脂が事前塗布されており、モールドＭ上の樹脂Ｒ１と基板ＷＴ上の樹脂で接触する場合においても大気中では気泡が取り込まれやすいためより有効である。基板ＷＴ側へ樹脂を事前に塗布しておくことは、モールドＭの凹部ＭＴへ差圧充填に要する樹脂量の減少や基板ＷＴとの接着力の向上のために行われることがある。
　ところで、比較例に係る樹脂成形装置として、例えば図３６Ａに示すように、モールドＭの周部を保持する保持部９０３３と、基板ＷＴに樹脂Ｒ２を塗布するディスペンサ９０３３と、基板ＷＴを支持するステージ９０３１と、を備えるものが提案されている。ここで、保持部９０３３は、モールドＭの中央部に空気圧を加えることにより（図３６Ａ中の矢印ＡＲ９０１参照）、モールドＭの中央部を撓ませる。樹脂成形装置は、は、ディスペンサ９０３３により基板ＷＴ上に事前塗布された成形前の樹脂Ｒ２がモールドＭの下方に配置されるようにステージ９０３１を移動させる。そして、樹脂成形装置は、例えば図３６Ｂに示すように、大気中において、モールドＭを撓ませた状態で、ステージ９０３１をモールドＭに近づけることにより（図３６Ｂの矢印ＡＲ９０２参照）、モールドＭを樹脂Ｒ２に接触させる。その後、モールドＭを樹脂に押し付けていくことで、図３６Ｃに示すように、樹脂成形する。このとき、モールド中央部から樹脂に接触し、順次外周部へと接触が広がっていくため気泡が追い出されて樹脂成形される仕組みである。
　しかしながら、この樹脂成形装置の場合、凹部ＭＴのアスペクト比がある程度高くなると、凹部ＭＴの奥にまで樹脂Ｒ２が侵入せず空気が噛み込む虞がある。また、モールドＭを撓ました状態で樹脂Ｒ２に接触させることに起因して、歪みが発生する虞がある。また、例え真空中で上部からモールドを押し付けたとしても下部基板側に塗布された樹脂はある程度の粘度を持って保持されなくてはならず上部のモールド凹部底までは充填できない。また、上部のモールドに事前に塗布したとしても樹脂が垂れるためできない。また、何より基板上へパーティクルが降り注ぎパーティクルの噛み込みによる欠陥が発生しやすい。
　これに対して、本変形例に係る樹脂成形装置６は、キャップ６５２４をモールドＭにＯリング６５２５を介して接触させてキャップ６５２４とモールドＭとの間の空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。その後、樹脂成形装置６は、モールドＭの周囲を大気開放する。これにより、例えばモールドＭへの樹脂Ｒの注入後において凹部ＭＴの奥まで樹脂Ｒ１が侵入していない状態であっても、モールドＭの周囲を大気開放したときに、大気圧により樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで押し込まれる。これにより、モールドＭの凹部ＭＴのアスペクト比が高くても、基板ＷＴ上に樹脂部を良好に成形することができる。また、樹脂成形装置６では、モールドＭの凹部ＭＴが上方を向く姿勢でモールドＭを保持するため、樹脂Ｒ１の粘性が低い状態でもモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから基板ＷＴにインプリントすることができる。そのため樹脂の粘度を低下させるための加熱機能をモールドに設けておくことも有効である。従来方法に比べ、モールドを下側に配置し、樹脂の粘度を低下させて、真空中で樹脂を塗布することで、アスペクト比の高い樹脂の成形が可能となる。
　なお、前述の変形例では、キャップ６５２４とモールドＭとの間の空間Ｓ６の真空度を高めてから、樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入する例について説明したが、これに限らず、例えば樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入した後、空間Ｓ６の真空度を高めてもよい。或いは、樹脂ＲをモールドＭの凹部ＭＴに注入している最中に、空間Ｓ６の真空度を高めていってもよい。この場合、真空脱泡により、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に含まれる気泡が樹脂Ｒ１の外へ押し出されるので、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に含まれる気泡が除去される。
　実施の形態２では、ディスペンサ５２によるモールドＭへの樹脂Ｒ１の注入と、樹脂部Ｒの成形とを同一の樹脂成形装置２で実行する例について説明した。但し、これに限らず、モールドへの樹脂の注入を樹脂成形装置とは別の樹脂注入装置で行ってもよい。この場合、樹脂注入装置は、モールドに樹脂を注入した後、そのモールドを樹脂成形装置へ搬送する。そして、樹脂成形装置は、樹脂注入装置から搬送される、樹脂が注入されたモールドを基板に押し当てた状態で、樹脂に紫外線を照射することにより、基板上に樹脂部を成形する。
　図３７Ａに示すように、樹脂注入装置７０２２は、チャンバ７２０１と、ディスペンサ７０５２と、真空ポンプ（真空源）７２０２と、を備える。ディスペンサ７０５２は、本体部７５２０と、ディスペンサ駆動部７５２１と、ノズル７５２２と、吐出制御部７５２３と、を有する。本体部７５２０は、Ｚ軸方向とＺ軸方向に直交する方向との両方へ移動可能である。チャンバ７２０１の一部には、排気口７２０１ａが設けられている。チャンバ７２０１は、例えば金属から形成されている。ここで、モールドＭＢを支持するヘッド７２０３は、ヘッド駆動部（図示せず）により、樹脂注入装置７０２２と後述する樹脂成形装置との間で移動可能となっている。また、モールドＭＢは、平面視において基板ＷＴと同程度の大きさを有する。
　図３８Ａに示すように、樹脂成形装置７０２１は、基板ＷＴを支持するステージ７２０４と、ステージ７２０４に設けられた開口部７２０４ａの上方に配置された紫外線照射部５３と、を備える。なお、図３７Ａ乃至図３９Ｂにおいて、実施の形態２と同様の構成については図１５と同一の符号を付している。樹脂成形装置７０２１は、樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てた状態で、紫外線照射部５３により樹脂Ｒ１に紫外線を照射することにより、基板ＷＴ上に樹脂部を成形する。また、この樹脂成形装置７０２１に基板ＷＴまたはモールドＭＢのアライメント機能を付加し、基板ＷＴとモールドＭＢとの間に樹脂Ｒ２が介在した状態で位置ずれを修正することもできる。樹脂成形装置７０２１は、例えばモールドＭＢの３箇所以上において、レーザ光を利用して基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭＢの平坦面との間の距離を測定する距離測定部（図示せず）と、モールドＭＢの姿勢を調整するモールド姿勢調整部（図示せず）と、を備える。そして、モールド姿勢調整部は、距離測定部の測定結果に基づいて、モールドＭＢの基板ＷＴに対する平行度と、モールドＭＢの平坦面と基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離と、を調整する。
　次に、本変形例に係る樹脂成形システムの動作について図３７Ａ乃至図３９Ｂを参照しながら説明する。まず、図３７Ａに示すように、樹脂注入装置７０２２は、チャンバ７２０１内に存在する気体を、チャンバ７２０１の排気口７２０１ａに接続された真空ポンプ７２０２によりチャンバ７２０１外へ排出することにより、チャンバ７２０１内の真空度を高める。次に、樹脂注入装置７０２２は、チャンバ７２０１内の真空度が予め設定された真空度以上の状態で、チャンバ７２０１内に配置されたディスペンサ７０５２からモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出させる。ここで、樹脂注入装置７０２２は、ディスペンサ７０５２の本体部７５２０をＺ軸方向と直交する方向への移動（図３７Ａ中の矢印ＡＲ７０２参照）と、Ｚ軸方向へ移動（図３７Ａ中の矢印ＡＲ７０１参照）と、を繰り返すことにより、モールドＭＢの複数の凹部ＭＴへ樹脂Ｒ１を注入していく。このとき、モールドＭＢの凹部ＭＴの奥に空隙ＣＡが生じうる。
　続いて、樹脂注入装置７０２２は、図３７Ｂに示すように、モールドＭＢの複数の凹部ＭＴ全てに樹脂Ｒ１を注入すると、チャンバ７２０１内を大気開放する。これにより、モールドＭＢの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１が、大気圧により樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで押し込まれ、凹部ＭＴの奥に生じていた空隙ＣＡが消滅する。そして、図３８Ａに示すように、モールドＭＢが、樹脂成形装置７０２１へ搬送され、図３８Ｂに示すように、モールドＭＢが、基板ＷＴの下方に配置される。その後、樹脂成形装置７０２１は、図３９Ａに示すように、樹脂成形装置７０２１へ搬送される前段階で樹脂Ｒ２が凹部ＭＴに注入されたモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てる。そして、樹脂成形装置７０２１は、図３９Ｂに示すように、紫外線照射部５２から樹脂Ｒ２へ紫外線を照射することにより一括成形を実行する。ここで、樹脂成形装置７０２１が、たとえ真空中で一括成形を行う機能を有するものであっても、モールドＭＢの凹部ＭＴのアスペクト比が高い場合、凹部ＭＴの奥まで樹脂Ｒ２が入り込まない。従って、本変形例に係る樹脂成形システムのように、樹脂成形装置７０２１へモールドＭＢを搬送する前段階で、樹脂注入装置７０２２の真空度の高いチャンバ７２０１内において、モールドＭＢをディスペンサ７０５２の下側に配置した状態で、モールドＭＢの凹部ＭＴに樹脂Ｒ２を注入することが好ましい。
　なお、前述の樹脂成形システムにおいて、モールドＭＢがヘッド７２０３に支持された状態で、モールドＭＢを加熱するモールド加熱部（図示せず）を備えるものであってもよい。或いは、前述の樹脂成形システムにおいて、モールドＭＢがヘッド７２０３に支持された状態で、モールドＭＢを振動させる加振部（図示せず）を備えるものであってもよい。
　また、前述の変形例に係る樹脂注入装置７０２２は、ディスペンサ７０５２を用いてモールドＭＢの複数の凹部ＭＴに樹脂を注入する構成であったが、樹脂注入装置は、ディスペンサを用いる構成に限定されない。例えば、樹脂注入装置が、チャンバ７２０１内においてスクイージブレードを用いた印刷法により樹脂ＲをモールドＭＢに塗布する構成であってもよい。更に、前述の樹脂成形装置７０２１は、大気中でモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てて樹脂部を成形する構成であったが、これに限らず、樹脂成形装置が、チャンバ（図示せず）を備え、チャンバ内の真空度を高めた状態でチャンバ内においてモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てて樹脂部を成形する構成であってもよい。
　実施の形態２では、モールドＭに樹脂Ｒ１を載置、即ち、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、そのモールドＭを基板ＷＴの下方から基板ＷＴに押し付けた状態で樹脂Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部を成形する樹脂成形装置２の例について説明した。但し、これに限らず、例えば基板ＷＴにおける樹脂部を成形する面側に予め樹脂を塗布しておき、樹脂成形装置において、樹脂が塗布された側が下側となる姿勢で配置された基板ＷＴの下方から、モールドＭを基板ＷＴの樹脂に押し付けた状態で樹脂に紫外線を照射する構成であってもよい。或いは、樹脂成形装置が、モールドＭに樹脂を注入した後、そのモールドＭを樹脂が塗布された基板ＷＴの下方から樹脂に押し付けた状態で樹脂に紫外線を照射する構成であってもよい。
　本構成によれば、モールドＭの凹部ＭＴ内への気体の流入が抑制されてモールドＭの凹部ＭＴの内側に入り込む樹脂の量が比較的安定するので、基板ＷＴ上に成形する樹脂部の形状が安定するという利点がある。なお、樹脂成形装置が、チャンバ（図示せず）を備えており、チャンバ内の真空度を高めた状態でチャンバ内においてモールドＭＢを樹脂層が形成された基板ＷＴに押し当てる構成であってもよい。この場合、モールドＭの凹部ＭＴ内にほとんど気体が存在しなくなるので、モールドＭの凹部ＭＴ内に存在する気体に起因した成形不良の発生が抑制される。
　実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、例えば図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴにおけるモールドＭを押し付ける位置毎に、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、モールドＭの傾きを調整してもよい。樹脂成形装置２は、水平面に対する第２円盤部材３３４およびこれに固定されたヘッド２０３３Ｈの傾き角度を調整することにより、モールドＭの傾きを調整する。ここで、樹脂成形装置２は、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に介在する３つのピエゾアクチュエータ３３３をそれぞれＺ軸方向へ伸縮させることにより、ヘッド２０３３Ｈの傾き角度を調整する。樹脂成形装置２は、実施の形態２で説明した樹脂成形処理のうち、例えばステップＳ２０４のモールドＭのプリアライメントを実行する処理、或いは、ステップＳ２０６のモールドＭに載置された樹脂Ｒ１が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触した状態で液浸アライメントを実行する処理を行う際、モールドＭの傾きを調整してもよい。３つのピエゾアクチュエータ３３３は、例えば図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴの中央部にモールドＭを押し付ける場合と基板ＷＴの周部にモールドＭを押し付ける場合とで、モールドＭの姿勢（傾き）を異ならせる。また、樹脂成形装置は、モールドＭを、モールドＭに載置された樹脂を介して基板ＷＴに接触させた状態で、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正してもよい。また、樹脂成形装置は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離に基づいて、形成面ＷＴｆと平坦面ＭＦとの間の距離と平坦面ＭＦの形成面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整してもよい。
　なお、実施の形態２では、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に３つのピエゾアクチュエータ３３３が介在する樹脂成形装置２の例について説明したが、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に介在するピエゾアクチュエータの数は３つに限定されない。例えば、樹脂成形装置が、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に２つのピエゾアクチュエータが介在する構成であってもよいし、４つ以上のピエゾアクチュエータが介在する構成であってもよい。
　ところで、基板ＷＴの外周部近傍では、モールドＭを基板ＷＴに塗布された樹脂Ｒ２に押し付ける際、モールドＭに対する加圧中心がずれるためにモールドＭが基板ＷＴの形成面ＷＴｆに対して傾いてしまう。この場合、モールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができず、樹脂部を良好に成形できない虞がある。
　これに対して、本変形例の場合、樹脂成形装置２が、基板ＷＴにおけるモールドＭを押し付ける位置毎に、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、モールドＭの傾きを調整する。これにより、モールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができるので、良好に樹脂部を成形することができる。また、基板ＷＴを保持するヘッドの構造に起因して、図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴの中央部と外周部とで撓みしろが異なる場合がある。この場合でも、本変形例によれば、樹脂成形装置２が、基板ＷＴの中央部と外周部とでモールドＭの傾きを調整することにより、両方においてモールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができる。
　実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、紫外線照射部５３が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、紫外線照射部５３の配置はこれに限定されるものではなく、基板ＷＴが、紫外線に対して不透明な基板である場合、ステージ３１の下側に配置される構成であってもよい。この場合、紫外線照射部５３は、基板ＷＴの下方から樹脂部Ｒに紫外線を照射する。なお、紫外線に対して不透明な基板としては、Ｓｉ基板が挙げられる。また、透明なガラスから形成されている透明なモールドＭを使用することにより、モールドＭの下方から紫外線を照射するようにしてもよい。本構成によれば、紫外線照射部５３の配置の自由度を大きくすることができるので、樹脂成形装置２の設計自由度が大きくなるという利点がある。
　各実施の形態では、ヘッド駆動部３６が、ボンディング部３３（２０３３）を、Ｚ軸方向へ移動させること並びに軸ＢＸ周りに回転させることのみが可能である例について説明した。但し、これに限らず、ヘッド駆動部３６が、ボンディング部３３（２０３３）を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向へ移動させることができる構成であってもよい。この場合、ヘッド駆動部３６は、例えばチップ搬送部３９からチップＣＰを受け取った後、ヘッド３３Ｈ（２０３３Ｈ）と基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される部位とが対向する位置に、ボンディング部３３（２０３３）をＸ軸方向またはＹ軸方向へ移動させるようにしてもよい。
　実施の形態１では、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂを備え、アライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂを含む画像Ｇａ，Ｇｂを同時に撮影する例について説明した。但し、これに限らず、１つの第１撮像部３５ａが、Ｚ軸方向に直交する面内で移動可能であり、第１撮像部３５ａが、Ｚ軸方向に直交する面内で移動しながらアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂを含む画像Ｇａ，Ｇｂを順次撮影する構成であってもよい。
　実施の形態１では、２つの第１撮像部３５ａ、３５ｂにより、基板ＷＴとチップＣＰとに設けられたアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影する構成について説明した。但し、これに限らず、例えばステージ３１の上方に第１撮像部３５ａ、３５ｂとは別に２つの撮像部（図示せず）が配置された構成であってもよい。この場合、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂによりチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを含む画像を撮影し、他の２つの撮像部により基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影するようにしてもよい。
　実施の形態１では、切出機構１１１がダイシングテープＴＥにおける鉛直上方（＋Ｚ方向）からニードル１１１ａを鉛直下方（－Ｚ方向）へ突き出してチップＣＰを鉛直下方（－Ｚ方向）へ押し出すことによりチップを供給するチップ供給部１１の例について説明した。但し、チップ供給部１１の構成は、これに限定されない。例えばチップ供給部が、ダイシングテープＴＥを上方へ吸引することによりチップＣＰをダイシングテープＴＥから剥がしてチップＣＰを供給する構成であってもよい。或いは、チップ供給部が、チップＣＰが貼着されたダイシングテープＴＥに紫外線を照射することによりダイシングテープＴＥの粘着力を低下させることによりチップＣＰをダイシングテープＴＥから剥がしてチップＣＰを供給する構成であってもよい。
　実施の形態１では、第１撮像部３５ａ，３５ｂが、それぞれ、同軸照明系の光源から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光を利用して、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する例について記載した。但し、これに限らず、例えば、第１撮像部３５ａ、３５ｂ側とは反対側に設けられた光源からチップＣＰを透過する透過光を利用して、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成であってもよい。例えば、基板ＷＴの鉛直上方に配置された第２撮像部４１が、チップＣＰの下側に入射する第１撮像部３５ａ、３５ｂの同軸光を利用して、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。或いは、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、基板ＷＴの鉛直上方に配置された第２撮像部４１から出射される同軸光を利用して、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。また、基板ＷＴが可視光に対して透明の場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂまたは第２撮像部４１から出射される同軸光が、可視光であってもよい。
　実施の形態１では、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成について説明した。但し、これに限らず、例えば第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを含む画像を取得し、第２撮像部４１が、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。この場合、チップＣＰを積層していく場合のように第１撮像部３５ａ、３５ｂから出射される同軸光または第２撮像部４１から出射される同軸光が、積層されたチップＣＰを透過しない場合でもアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの取得が可能となる。また、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂとアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを各カメラで個別に認識することが可能となるので、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの認識に要する時間が短縮される。また、基板ＷＴ側は２つのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを毎回認識する必要はなく、基板ＷＴを交換する毎に１回だけ２つのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを用いて、基板ＷＴのθ方向のずれを認識しておけばよい。これは、チップ実装システムが、１枚の基板ＷＴにチップＣＰを実装していく上で、既に基板ＷＴのθ方向のずれ量を認識しているので、１つのアライメントマークの認識で十分であり、また、スループットも向上するからである。
　また、第２撮像部４１が、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成であってもよい。このように、チップＣＰを基板ＷＴの接合面ＷＴｆに接触させた状態で、赤外光を利用してチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを同一の第２撮像部４１で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ２ａ、アライメントマークＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの組を、フォーカス軸を動かさずに1回の取り込みで同時認識することにより、チップＣＰと基板ＷＴとの位置ずれを高精度に認識できる。また、チップＣＰ側の第１撮像部３５ａ、３５ｂを用いてチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを同時に認識する構成でも同様である。
　実施の形態１において、チップ実装システム１が、チップＣＰと基板ＷＴを接触させた状態でチップＣＰの基板ＷＴに対する位置ずれを算出し、算出した位置ずれ量に基づいてチップＣＰの位置を補正する構成であってもよい。この場合、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴを接触させた状態でチップＣＰの基板ＷＴに対する位置ずれを算出した後、チップＣＰを基板ＷＴから離間させてから位置ずれ量に相当する分だけずれ方向とは反対方向にチップＣＰ移動させる。その後、チップ実装システム１は、チップＣＰを基板ＷＴに再度接触させる。本構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに高精度に実装することが可能となる。
　実施の形態１において、ボンディング装置３０が、チップＣＰの接合面（平坦面）ＣＰｆにおける３つ以上の箇所において、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離を測定する距離測定部（図示せず）を備えるものであってもよい。距離測定部は、例えばヘッド３３Ｈの側方の複数箇所に配置されたレーザ光源（図示せず）と、複数のレーザ光源それぞれから出射し基板ＷＴで反射したレーザ光を受光する受光部（図示せず）と、を有するものであってもよい。そして、前述の実施の形態１の図９のステップＳ７（部品実装ステップ）において、ヘッド駆動部３６が、距離測定部により測定された距離に基づいて、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを、基板ＷＴを保持するステージ３１に近づけてもよい。また、３つのピエゾアクチュエータ３３３が、距離測定部により測定された基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整してもよい。
　また、実施の形態１において、ボンディング装置３０が、例えば図４１Ａに示すような、基板ＷＴとチップＣＰとの間に配置可能なプリズム７７３７と、プリズム７７３７の側方に配置された２つの距離測定部７７３８１、７７３８２と、を備えるものであってもよい、距離測定部７７３８１は、レーザ光をプリズム７７３７に向けて出射するレーザ光源と、基板ＷＴの実装面ＷＴｆで反射してプリズム７７３７を介して戻ってくる光を受光する受光部と、を有する。また、距離測定部７７３８２は、レーザ光をプリズム７７３７に向けて出射するレーザ光源と、チップＣＰの接合面ＣＰｆで反射してプリズム７７３７を介して戻ってくる光を受光する受光部と、を有する。この場合、ボンディング装置３０は、距離測定部７７３８１により測定されるプリズム７７３７と基板ＷＴの実装面ＷＴｆとの間の距離と、距離測定部７７３８２により測定されるプリズム７７３７とチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離と、２つの距離測定部７７３８１、７７３８２との間の距離Ｗ７７とから、基板ＷＴとチップＣＰとの間の距離を算出する。そして、ボンディング装置３０は、算出された距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。
　更に、実施の形態１において、ボンディング装置３０が、例えば図４１Ｂに示すような、基板ＷＴとヘッド３３Ｈの先端部との間の距離を測定する距離測定部を備えるものであってもよい。この場合、チップ実装システムが、チップＣＰの厚さとを予め計測する厚さ計測部（図示せず）を備え、ボンディング装置３０が、距離測定部により測定された基板ＷＴの実装面ＷＴｆとヘッド３３Ｈの先端部との間の距離からチップＣＰの厚さを差し引いて得られる距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。また、基板ＷＴがレーザ光を反射しない場合、距離測定部が、基板ＷＴがステージ３１に保持されておらず、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持されていない状態において、ステージ３１とヘッド３３Ｈの先端部との間の距離を測定するものであってもよい。この場合、チップ実装システムが、基板ＷＴの厚さとチップＣＰの厚さとを予め計測する厚さ計測部（図示せず）を備え、ボンディング装置３０が、距離測定部により測定されたステージ３１とヘッド３３Ｈの先端部との間の距離から基板ＷＴの厚さおよびチップＣＰの厚さを差し引いて得られる距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。また、チップや基板の距離を測定する測定部はチップ実装システム部内になくとも事前に厚みが分かっているものであればその値を使えば良い。
　実施の形態１において、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水を供給することによりチップＣＰの接合面ＣＰｆに水を付着させる水供給部（図示せず）を備えるものであってもよい。この場合、水供給部は、チップＣＰがチップ供給装置１０のチップ供給部１１から供給された後、チップＣＰがボンディング装置３０のヘッド３３Ｈに保持されて基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触するまでの間に、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水を供給する。水供給部は、例えばチップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａにおけるチップＣＰが保持された状態でチップＣＰの接合面ＣＰｆに対向する部分に設けられ水を接合面ＣＰｆへ吹き付ける水吐出部（図示せず）を有するものであってもよい。或いは、水供給部が、チップ供給装置１０に設けられていてもよい。この場合、水供給部は、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１に受け渡され、接合面ＣＰｆが鉛直上方を向いた姿勢でアーム１３１１に保持された状態のチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を吹き付ける水吐出部（図示せず）を有するものとすればよい。
　また、水供給部は、ボンディング装置３０のステージ３１に設けられた水吐出部（図示せず）を有するものであってもよい。この場合、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持された状態で、チップＣＰが基板ＷＴに実装される直前に、チップＣＰの上方に水吐出部が位置するようにステージ３１が駆動されてから、水吐出部からチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水が吹き付けられるようにすればよい。
　或いは、図４２に示すように、水供給部７８５２とクリーニングヘッド７８５６とカメラ７８５７とが、ボンディング装置３０におけるステージ７８３１の上方に配置された支持部７８５５に支持され、鉛直方向に移動可能なノズル７８５２２を備えるものであってもよい。この支持部７８５５は、鉛直方向および鉛直方向に直交する水平面内で自由に移動可能である。この場合、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持された状態で、チップＣＰが基板ＷＴに実装される直前に、ステージ７８３１を移動させることにより（図４２の矢印ＡＲ７８１参照）、基板ＷＴをチップＣＰの上方から退避させる。このとき、水供給部７８５２の鉛直下方にステージ７８３１に設けられた貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１を移動させる。次に、水供給部７８５２は、ノズル７８５２２を鉛直下方へ移動させて貫通孔７８３１ａに挿通させることにより（図４２の矢印ＡＲ７８２参照）、ノズル７８５２２の先端をチップＣＰの接合面ＣＰｆに近づけて、チップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を吹き付ける。また、クリーニングヘッド７８５６は同様に貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１を移動させ、次に、クリーニングヘッド７８５６を鉛直下方へ移動させて貫通孔７８３１ａに挿通させることにより先端をチップＣＰの接合面ＣＰｆに近づけて、チップＣＰの接合面ＣＰｆのパーティクルを除去する。
　ところで、基板ＷＴの場合、基板ＷＴの実装面ＷＴｆを窒素プラズマ等に曝すことにより活性化させた後、スピンコーターによる水洗浄工程を行うことにより、実装面ＷＴｆに水を供給することができる。ここで、水洗浄工程では、基板ＷＴを回転させながら超音波等の振動を付加した水を吹き付けてからスピン乾燥させる。これにより、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに付着したパーティクルが取り除かれるとともに水を実装面ＷＴｆに付着させることができる。しかしながら、チップＣＰは、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた後、その接合面ＣＰｆに水が直接供給されることがない。また、親水化処理装置６０は、ダイシングテープＴＥが存在してもビーム照射により表面活性化する方式であれば、ダイシングテープＴＥから発生した不純物イオンが基板ＷＴの実装面Ｗｔｆに付着することなく活性化できる。しかし、チップＣＰは、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた状態ではその接合面ＣＰｆについて水洗浄工程を行うことは不可能である。従って、チップＣＰの接合面ＣＰｆからパーティクルを除去できず、接合面ＣＰｆに基板ＷＴとの接合に十分な水を付着させることができない虞がある。
　これに対して、本構成によれば、水供給部が、チップ供給部１１から供給されたチップＣＰの接合面ＣＰｆに水を吹き付ける。これにより、チップＣＰの接合面ＣＰｆに基板ＷＴとの接合に十分な水を付着させることができるので、基板ＷＴへのチップＣＰの仮接合時における不具合を防止し接合時のチップＣＰの基板ＷＴからの落下を防止できる。また、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間に水が介在することにより仮接合がスムーズに進行し、その結果、基板ＷＴとチップＣＰとの間にボイドが入りにくいという利点もある。また、チップＣＰを基板ＷＴに接触させた後、チップＣＰの基板ＷＴに対する位置調整を行う際、チップＣＰを一旦基板ＷＴから離脱させた後チップＣＰの姿勢を修正してから再度チップＣＰを基板ＷＴに接触させる方法以外に、チップＣＰを基板ＷＴに水を介して接触させた状態でチップＣＰを基板ＷＴに対して移動させることもできる。この場合、チップＣＰの基板ＷＴに対する位置が確定した後、チップＣＰを基板ＷＴに押し付ける力を増加させてチップＣＰと基板ＷＴとの間に介在する水を外へ押し出すことによりチップＣＰを基板ＷＴに仮接合させることができる。
　なお、ボンディング装置は、水供給部とともに窒素を吐出するブロワを備えるものであってもよい。ブロワは、例えばチップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａにおけるチップＣＰが保持された状態でチップＣＰの接合面ＣＰｆに対向する部分において、チップ保持部３９１ａの回転方向において水吐出部と隣り合う位置に設けられていてもよい。或いは、図４２に示すようなボンディング装置において、ブロワノズルを有する洗浄ヘッドが、水供給部とともに支持部７８５５に支持されている構成であってもよい。ここで、洗浄ヘッドは、水供給部と同様に、洗浄ヘッドの鉛直下方にステージ７８３１に設けられた貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１が移動された状態で、ブロワノズルが鉛直下方へ移動して貫通孔７８３１ａに挿通される。これらの場合、ボンディング装置は、水供給部からチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を供給する前に、ブロワから接合面ＣＰｆへ窒素を吐出させることにより、接合面ＣＰｆに付着したパーティクルを除去することができる。
　なお、本構成において、チップＣＰの接合面ＣＰｆへ水の他に弱酸等の液体を付加して供給する構成であってもよい。特に、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに形成されたＣｕ電極にチップＣＰを実装する場合、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水とともに弱酸等の液体を付加して吹き付けると基板ＷＴとチップＣＰとを良好に接合することができる。
　実施の形態１では、チップ供給部１１が、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた状態のチップＣＰを供給する例について説明したが、これに限らず、チップ供給部がトレイに載置された状態のチップＣＰを供給する構成であってもよい。或いは、チップ供給部が、チップＣＰを１つずつ供給する構成であってもよい。チップ供給部は、ボンディング装置と別体であるものに限定されず、例えば、ボンディング装置が、ステージ３１に、少なくとも１つのチップＣＰを吸着保持する吸着保持機構（図示せず）を有するチップ供給部を備えるものであってもよい。この場合、吸着保持機構に保持されたチップＣＰがヘッド３３Ｈに供給される。
　実施の形態１において、チップ供給部１１が、ダイシングテープＴＥの鉛直下方からチップＣＰの接合面ＣＰｆが鉛直上方を向いた状態でチップＣＰを保持する場合、この場合、チップ供給部１１は、ダイシングテープＴＥとして、チップＣＰの接合面ＣＰｆに不純物が付着しない特殊シートを使用し、親水化処理が施され選択的にパーティクルが除去された後のダイシング基板ＷＣがその接合面ＣＰｆ側がダイシングテープＴＥ側となるようにダイシングテープＴＥに貼り付けられたものを使用する。そして、チップ実装システムは、チップ反転部１３１を使用せずに、チップ受け渡し部１２３が直接チップ供給部１１からチップＣＰの供給を受けることが可能な構成であればよい。
　実施の形態２では、基板ＷＴが透明であり、基板ＷＴの鉛直上方から紫外光を照射してモールドＭ上の樹脂を硬化させたが、これに限らない。例えば、基板ＷＴが紫外光を透過しない場合、モールドＭを透明なガラスのような紫外光を透過させる材料から形成し、モールドＭの鉛直下方から紫外線照射を行う構成であってもよい。また、距離測定部も、モールドＭが透明なガラス等の材料で形成されている場合、モールドＭの鉛直下方に配置して測定を行ってもよい。また、基板ＷＴがＳｉのような赤外光を透過させる材料から形成されている場合、樹脂成形装置は、撮像部２０４１として赤外光透過カメラを使用して、アライメントを実行する構成であってもよい。
　実施の形態２では、樹脂部Ｒが紫外線硬化樹脂から形成されている例について説明した。但し、樹脂部Ｒの材料はこれに限定されるものではなく、例えば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から形成されていてもよい。この場合、樹脂成形装置は、紫外線照射部の代わりに、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で樹脂部Ｒを加熱する加熱部（図示せず）を備える構成とすればよい。加熱部としては、例えばモールド保持部にヒータを埋め込んだり基板ＷＴ上方から赤外線を照射する赤外線ヒータを採用することができる。本構成によれば、樹脂部Ｒが熱硬化性樹脂から形成されている場合でも、基板ＷＴ上に硬化した樹脂部を形成することが可能となる。
　また、樹脂部Ｒを形成する樹脂が、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の場合、樹脂成形装置が、モールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、前述の加熱部により、モールドＭに載置された樹脂を加熱し軟化させた状態にする構成であってもよい。
　ところで、モールドＭと樹脂部Ｒとの接触面積が大きくなると、それに伴い、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態でモールドＭに加えるべき圧力が増加する。そして、モールドＭに加える圧力が増加すると、ステージ２０３１が撓んでしまい樹脂部Ｒの成形精度が低下する可能性が高まる。これに対して、本構成によれば、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、樹脂部Ｒを形成する樹脂が軟化する予め設定された温度範囲の温度にまで加熱することにより、モールドＭに加えるべき圧力を低下させることができる。従って、樹脂部Ｒの成形中においてステージ２０３１が撓むことが抑制されるので、樹脂部Ｒの成形精度を高めることができる。
　実施の形態２では、距離測定部５１１が、基板ＷＴおよびモールドＭの上方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する例について説明した。但し、これに限らず、例えば距離測定部５１１が、基板ＷＴおよびモールドＭの下方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する構成であってもよい。
　実施の形態２では、距離測定部５１１が、レーザ光を用いて、基板ＷＴの形成面ＷＴｆと、モールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する例について説明した。但し、この構成の場合、基板ＷＴとモールドＭとの間における平坦面ＭＦに樹脂部Ｒの一部が張り出している場合、距離測定部５１１は、基板ＷＴとモールドＭとの間に樹脂部Ｒの一部が介在した状態で測定することになる。そうすると、基板ＷＴとモールドＭとの間に介在する樹脂部Ｒに吸収されてレーザ光が減衰してしまい反射光を良好に検出できない場合がある。
　そこで、距離測定部５１１が、基板ＷＴとモールドＭの段部ＭＳとの間における樹脂部Ｒが介在しない領域で、基板ＷＴとモールドＭとの間の距離を測定するようにしてもよい。この場合、基板ＷＴとモールドＭとの間に介在する樹脂部Ｒに吸収されてレーザ光が減衰が抑制されるので、基板ＷＴとモールドＭとの間の距離を精度良く測定できる。
　実施の形態１では、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが接合面ＣＰｆ側に設けられている例について説明したが、これに限らず、例えばアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂがチップＣＰにおける接合面ＣＰｆ側とは反対側の面に設けられていてもよい。また、実施の形態２では、モールドＭの平坦面ＭＦにアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられている例について説明したが、これに限らず、例えばアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂがモールドＭにおける平坦面ＭＦ側とは反対側の面に設けられていてもよい。更に、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが、モールドＭの段部ＭＳに設けられていてもよい。
　実施の形態２では、透明な基板ＷＴに対して例えば金属からなるモールドＭを下方から押し付けて、基板ＷＴの上方から紫外線照射部５２により紫外線を照射して樹脂Ｒ１を硬化したが、これに限らない、例えば基板ＷＴがＳｉのような透明でない基板である場合は、モールドＭを透明な材料で形成しモールドＭの下方から紫外線を照射してもよい。また、撮像部として赤外線を用いたものを採用する場合、Ｓｉ基板の上方から撮像部でアライメントマークを撮像するようにすればよい。
　実施の形態２では、レーザによりモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆの隙間を直接測定する例について説明したが、これに限らない。例えば、モールドＭが、レーザ光を反射しにくかったり、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間に樹脂Ｒ１が介在したりしている場合、モールドＭを支持するヘッド２０３３Ｈに反射鏡を設けて反射鏡により反射されるレーザ光を用いてモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離を測定してもよい。この場合、反射鏡とモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を事前に計測しておき、反射鏡と基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離から事前に計測した反射鏡とモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を差し引いてモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離を算出すればよい。なお、基板ＷＴを支持するステージ２０３３に反射鏡を設けてもよい。
　実施の形態２では、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する例について説明したが、これに限らない。例えば、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに事前に樹脂を塗布しておいてもよい。モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂が大気圧により凹部ＭＴの奥側へ窪んだ場合に、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに塗布された樹脂で窪み分を補填できる。また、基板ＷＴと樹脂Ｒ１の接着性を高まるという利点もある。なお、基板ＷＴの形成面ＷＴｆのみに樹脂を塗布してもよい。
　実施の形態２では、アスペクト比の高い樹脂成形について記載したが、これに限らない。例えば、膜厚が厚い成形物を成形する場合においても底に気泡が溜まりやすく本方式は好適である。膜厚が厚い成形物としては例えばレンズのようなものがあり、ガラスウエハ上にレンズを樹脂成形する場合などがある。
　実施の形態２では、レーザ光を用いてモールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定する例について説明したが、これに限らず、例えばレーザ光の反射光の干渉光を利用して測定する方法を採用してもよい。この場合、モールドＭまたは基板ＷＴの温度変動による影響を受けないため測定精度が向上する。また、基板ＷＴおよびモールドＭのうちの少なくとも一方が、レーザ光を透過する材料から形成されていてもよい。
　実施の形態２では、レーザ光を用いてモールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定する例について説明したが、これに限らず、例えばフォトセンサ、磁気センサ等の測距センサを用いてもよい。或いは、カメラでアライメントマークを撮像する際の焦点距離に基づいて、モールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定してもよい。
　実施の形態２では、紫外線硬化樹脂を用いる例について説明したが、これに限定されるものではなく、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いても実施の形態２で説明した効果と同様の効果を奏する。熱硬化性樹脂の場合、樹脂が硬化する温度よりも低い予め設定された温度領域において樹脂が軟化する。また、予め樹脂の硬化温度以上に設定しても硬化途上で一旦軟化する。また、熱可塑性樹脂の場合、加熱してその温度を上昇させることにより樹脂が軟化する。
　実施の形態２では、ヘッド駆動部３６が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴに向けて上昇させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付ける構成について説明した。但し、これに限らず、例えば、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させてからステージ２０３１を鉛直下方へ移動させることによりステージ２０３１をヘッド２０３３Ｈに近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付けるステージ駆動部（図示せず）を備える構成であってもよい。
　実施の形態に係る樹脂成形装置としては、例えば微細な樹脂成形を行うナノインプリント装置が挙げられる。
　本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。つまり、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、本発明の範囲内とみなされる。
　本出願は、２０１７年２月９日に出願された日本国特許出願特願２０１７－０２１９５３号、２０１７年１１月１０日に出願された国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／０４０６５１号に基づく。本明細書中に日本国特許出願特願２０１７－０２１９５３号の明細書、特許請求の範囲および図面全体並びに国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／０４０６５１号の明細書、特許請求の範囲および図面全体を参照として取り込むものとする。
　本発明は、例えばＣＭＯＳイメージセンサやメモリ、演算素子、ＭＥＭＳの製造に好適である。
１：チップ実装システム、２，４，６，７０２１：樹脂成形装置、１０：チップ供給装置、１１：チップ供給部、１３：チップ移載部、１５：供給チップ撮像部、３０：ボンディング装置、３１，２０３１，７２０４：ステージ、３３，２０３３：ボンディング部、３３Ｈ，２０３３Ｈ，８６３３Ｈ，８７３３Ｈ，８８３３Ｈ，８９３３Ｈ：ヘッド、３４：Ｚ方向駆動部、３５ａ、３５ｂ：第１撮像部、３６：ヘッド駆動部、３７：θ方向駆動部、３８：リニアガイド、３９：チップ搬送部、４１：第２撮像部、５０，２０５０：カバー、５２，４０５２，６０５２，７０５２：ディスペンサ、５３：紫外線照射部、５５：支持部、６０：親水化処理装置、６５：水洗浄部、７０：搬送装置、７１：搬送ロボット、８０：搬出入ユニット、９０，２０９０：制御部、１１１：切出機構、１１１ａ：ニードル、１１２：テープ保持部、１１３：テープ保持部駆動部、１３１：チップ反転部、１３２：チップ受け渡し部、３０１：固定部材、３０２，３３３６：ベース部材、３１１：Ｘ方向移動部、３１２，３１４，３１６，８５２４ｄ，８９２４ｄ：開口部、３１３：Ｙ方向移動部、３１５，２３１５：基板載置部、３２１：Ｘ方向駆動部、３２３：Ｙ方向駆動部、３３１：Ｚ軸方向移動部材、３３２：第１円盤部材、３３３：ピエゾアクチュエータ、３３４：第２円盤部材、３３４ａ、３３４ｂ：孔部、３３６：ミラー固定用部材、３３７：ミラー、３３７ａ，３３７ｂ：傾斜面、３５１ａ，３５１ｂ，４１８：イメージセンサ、３５２ａ，３５２ｂ，４１９：光学系、３６１：回動部材、３６３：カメラＺ方向駆動部、３６５：カメラＦ方向駆動部、３９１：プレート、３９１ａ：チップ保持部、３９１ｂ，８６４１３ａ：吸着部、３９１ｃ：突出部、３９２：プレート駆動部、４１１，８６４１１，８７４１１，８８４１１，８９４１１：チップツール、４１３，２４１３，８６４１３，８７４１３，８８４１３：ヘッド本体部、４１５，４１６：中空部、５１１：距離測定部、５２０，４５２０，７５２０：本体部、５２１，４５２１，７５２１：ディスペンサ駆動部、５２２，４５２２，７５２２：ノズル、５２３，４５２３，７５２３：吐出制御部、９０１：ＭＰＵ、９０２：主記憶部、９０３：補助記憶部、９０４，２９０４：インタフェース、９０５：バス、１３１１：アーム、１３１１ａ：吸着部、１３１２：アーム駆動部、２０３１ａ，６５２４ｄ，７５２４ｄ：貫通孔、２０４１：撮像部、６５２４，８５２４，８９２４：キャップ、６５２４ａ，７２０１ａ，７５２４ａ，８５２４ａ，８９２４ａ：排気口、６５２４ｂ：底壁、６５２４ｃ：側壁、６５２５，６５２６，７５２５，７５２６，８５２５，８５２６，８５２８，８９２６，８９２８：Ｏリング、６５２６，７２０２：真空ポンプ、７０２２：樹脂注入装置、７２０１：チャンバ、７５２７：フランジ部材、８５２０：フランジ部、８６４１１ａ，８６４１１ｂ，８７４１１ｂ：貫通孔、８７４１３ｂ：吐出口、ＣＰ：チップ、ＣＰｆ：接合面、ＣＰｋ：切欠部、ＴＥ：ダイシングテープ、Ｌ６：排気管、Ｍ，ＭＢ：モールド、ＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂ，ＭＣ２ａ，ＭＣ２ｂ，ＭＭ１ａ，ＭＭ１ｂ，ＭＭ２ａ，ＭＭ２ｂ：アライメントマーク、ＭＦ：平坦面、ＭＴ：凹部、ＯＢ１：軌跡、Ｒ：樹脂部、Ｒ１，Ｒ２：樹脂、ＷＣ，ＷＴ：基板、ＷＴｆ：実装面（形成面）

Claims (47)

  1. 　基板に部品を実装する部品実装システムであって、
    　前記部品を供給する部品供給部と、
    　前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    　鉛直下方から前記部品を保持するヘッドと、
    　前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装するヘッド駆動部と、を備える、
    　部品実装システム。
  2. 　前記部品供給部は、
    　シートに貼着されたダイシングされた基板であるダイシング基板を、前記シートが前記ダイシング基板の鉛直上方に位置する姿勢で保持するシート保持部と、
    　前記ダイシング基板を構成する部品を、前記シートにおける鉛直上方側から鉛直下方へ切出すことにより供給する切出機構と、を有する、
    　請求項１に記載の部品実装システム。
  3. 　前記部品供給部から供給される前記部品を前記ヘッドに前記部品を受け渡す受け渡し位置まで搬送する部品搬送部を更に備える、
    　請求項１または２に記載の部品実装システム。
  4. 　前記部品搬送部は、前記部品の周部を、前記部品における前記基板に実装される側を鉛直上方に向けた状態で上面側を保持して前記部品を搬送する、
    　請求項３に記載の部品実装システム。
  5. 　前記部品供給部から供給される部品の上下を反転させる部品反転部と、
    　前記部品反転部から上下反転した前記部品を受け取り前記部品搬送部へ渡す部品受け渡し部と、を更に備え、
    　前記部品搬送部は、
    　一端部に前記部品を保持する部品保持部が設けられ、前記部品供給部と前記ヘッドとの間に位置する他端部を基点として一端部が旋回する偶数個のプレートを有し、
    　前記偶数個のプレートのうちのいずれか１つの一端部が鉛直方向において前記ヘッドと重複する第１状態において、前記ヘッド駆動部による前記ヘッドに保持された部品の前記基板への実装と、前記部品供給部から前記部品反転部への部品の供給と、前記部品受け渡し部から前記部品搬送部への部品の受け渡しと、が実行され、
    　前記偶数個のプレートの一端部が鉛直方向において前記ヘッドと重複しない第２状態において、前記ヘッド駆動部による前記基板への前記部品の実装と、前記部品反転部による前記部品の反転と、前記部品受け渡し部による前記部品反転部からの前記部品の受け取りと、が実行される、
    　請求項４に記載の部品実装システム。
  6. 　前記部品が前記基板における前記部品が実装される位置に配置された状態で、前記部品の鉛直下側から、前記部品の第１アライメントマークを撮像する第１撮像部を更に備える、
    　請求項１乃至５のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  7. 　前記部品が前記基板における前記部品が実装される位置に配置された状態で、前記基板の鉛直上方から、前記基板の第２アライメントマークを撮像する第２撮像部を更に備える、
    　請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  8. 　前記基板と前記部品とが接触した状態で、前記部品の第１アライメントマークと前記基板の第２アライメントマークとを撮像して得られる画像から、前記基板と前記部品との相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、前記ヘッド駆動部および前記基板保持部に、前記基板に対する前記部品の位置および姿勢を補正させる制御部を更に備える、
    　請求項６または７に記載の部品実装システム。
  9. 　前記ヘッド駆動部は、前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を接触させることにより前記部品を前記基板に面接合させる、
    　請求項１乃至８のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  10. 　前記基板の前記実装面および前記部品における前記基板に実装される側を親水化処理する親水化処理装置を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記親水化処理装置により親水化処理された前記基板の前記実装面に前記部品を接触させることにより前記部品を前記基板に接合させる、
    　請求項９に記載の部品実装システム。
  11. 　前記部品における前記基板に実装される側に少なくとも水を供給することにより前記部品における前記基板に実装される側に少なくとも水を付着させる水供給部を更に備え、
    　前記水供給部は、前記部品が前記部品供給部から供給された後、前記部品が前記ヘッドに保持されて前記基板の前記実装面に接触するまでの間に、前記部品における前記基板に実装される側に水を供給する、
    　請求項９または１０に記載の部品実装システム。
  12. 　前記部品は、直方体状であり、前記基板に接合される接合面の外周部に形成された切欠部を有し、
    　前記部品搬送部は、吸着部と、前記吸着部の周囲に突設され突出量が前記切欠部の前記接合面に直交する方向における高さよりも大きい突出部と、を有する部品保持部を有し、
    　前記部品保持部は、前記突出部の先端部を前記切欠部に当接させた状態で、前記吸着部により前記部品を吸着することにより、前記部品を保持する、
    　請求項３乃至５のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  13. 　前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する部品姿勢調整部を更に備える、
    　請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  14. 　前記基板の前記実装面と、平坦面を有する前記部品の前記平坦面と、の間の距離を測定する距離測定部を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記部品を保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    　請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  15. 　前記距離測定部は、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記実装面と前記平坦面との間の距離を測定し、
    　前記部品姿勢調整部は、前記距離測定部により測定された前記実装面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    　請求項１４に記載の部品実装システム。
  16. 　前記部品姿勢調整部は、前記ヘッドを支持する複数のピエゾアクチュエータを有し、前記複数のピエゾアクチュエータを個別に伸縮させることにより、前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    　請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  17. 　前記ヘッドは、
    　前記部品の周部を保持する周部保持部と、
    　前記部品の中央部を鉛直上方へ向かって押圧する押圧部と、を有し、
    　前記ヘッド駆動部は、前記周部保持部が前記部品の周部を保持し且つ前記押圧部が前記部品の中央部を押圧することにより前記部品の中央部が前記部品の周部に比べて前記基板側へ突出するように撓んだ状態で、前記基板の前記実装面に前記部品の中央部から接触させる、
    　請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  18. 　前記部品は、前記基板に接合される接合面を有し、
    　前記ヘッドは、前記部品を保持し前記基板の前記実装面に対する前記部品の前記接合面の傾きが可変である傾き可変保持部を有し、
    　前記ヘッド駆動部は、前記傾き可変保持部が前記実装面に対して前記接合面を傾けて前記部品を保持した状態で、前記基板の前記実装面に前記部品の前記接合面の端縁から接触させる、
    　請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  19. 　前記ヘッドに設けられ、前記ヘッドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップと、
    　前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記キャップを前記基板に当接させた状態で、前記キャップ内の真空度を高めた後、前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装する、
    　請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  20. 　基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
    　前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    　鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
    　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるヘッド駆動部と、
    　前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える、
    　樹脂成形装置。
  21. 　前記ヘッド駆動部を制御して、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けた後、前記樹脂硬化部を制御して、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させることを繰り返すことにより、前記基板に複数の硬化した樹脂部を形成する制御部を更に備える、
    　請求項２０に記載の樹脂成形装置。
  22. 　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させた状態で、前記モールドの鉛直下方または前記基板の鉛直上方から、前記モールドの第３アライメントマークおよび前記基板の第４アライメントマークを撮像する撮像部と、
    　前記モールドを前記基板に押し付けた状態で、前記第３アライメントマークと前記第４アライメントマークとを撮像することにより、前記基板と前記モールドとの相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、前記ヘッド駆動部および／または前記基板保持部に、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正させる制御部と、を更に備え、
    　前記制御部は、前記モールドを、前記モールドに載置された樹脂を介して前記基板に接触させた状態で、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正させる、
    　請求項２０または２１に記載の樹脂成形装置。
  23. 　前記樹脂部は、紫外線硬化樹脂からなり、
    　前記樹脂硬化部は、前記モールドに載置された樹脂に紫外線を照射することにより前記モールドに載置された樹脂を硬化させる紫外線照射部から構成され、
    　前記基板または前記モールドは、紫外線に対して透明であり、
    　前記樹脂硬化部は、前記基板の鉛直上方または前記モールドの鉛直下方から前記モールドに載置された樹脂に紫外線を照射する、
    　請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  24. 　前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整するモールド姿勢調整部を更に備える、
    　請求項２０乃至２３のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  25. 　前記基板の前記形成面と、平坦面を有する前記モールドの前記平坦面と、の間の距離を測定する距離測定部を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記モールドを保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    　請求項２０乃至２４のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  26. 　前記距離測定部は、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記形成面と前記平坦面との間の距離を測定し、
    　前記モールド姿勢調整部は、前記距離測定部により測定された前記形成面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    　請求項２５に記載の樹脂成形装置。
  27. 　前記モールド姿勢調整部は、前記ヘッドを支持する複数のピエゾアクチュエータを有し、前記複数のピエゾアクチュエータを個別に伸縮させることにより、前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    　請求項２４乃至２６のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  28. 　前記モールド姿勢調整部は、前記基板の中央部に前記モールドを押し付ける場合と前記基板の周部に前記モールドを押し付ける場合とで、前記モールドの姿勢を異ならせる、
    　請求項２７に記載の樹脂成形装置。
  29. 　前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出する樹脂吐出部を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂が載置された状態で、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記樹脂部の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    　請求項２２乃至２８のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  30. 　前記樹脂は、紫外線硬化樹脂であり、
    　前記モールドを加熱するモールド加熱部を更に備える、
    　請求項２０に記載の樹脂成形装置。
  31. 　前記モールドを振動させる加振部を更に備える、
    　請求項２９または３０に記載の樹脂成形装置。
  32. 　前記樹脂吐出部に設けられ、前記樹脂吐出部が前記モールドに予め設定された距離まで近づいた状態で、前記モールドの外周部に当接して前記モールドとの間に気密な空間を形成するキャップと、
    　前記樹脂吐出部から前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出させる際、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を備える、
    　請求項２９乃至３１のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  33. 　前記モールドに設けられ、前記モールドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップと、
    　前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を更に備え、
    　前記ヘッド駆動部は、前記キャップを前記基板に当接させた状態で、前記キャップ内の真空度を高めた後、前記モールドを前記基板に押し当てる、
    　請求項２９乃至３１のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  34. 　基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
    　前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    　鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
    　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記基板保持部を鉛直下方へ移動させることにより前記基板保持部を前記ヘッドに近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付ける基板保持部駆動部と、
    　前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える、
    　樹脂成形装置。
  35. 　基板に部品を実装する部品実装方法であって、
    　部品供給部が、前記部品を供給する部品供給ステップと、
    　基板保持部が、前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
    　ヘッドが、鉛直下方から前記部品を保持する部品保持ステップと、
    　前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけることにより前記基板の前記実装面に前記部品を実装する部品実装ステップと、を含む、
    　部品実装方法。
  36. 　基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形方法であって、
    　基板保持部が、基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
    　ヘッドが、鉛直下方から前記モールドを保持するモールド保持ステップと、
    　前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
    　樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む、
    　樹脂成形方法。
  37. 　前記ヘッド駆動部が、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
    　前記樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を繰り返すことにより、前記基板に複数の硬化した樹脂部を形成する、
    　請求項３６に記載の樹脂成形方法。
  38. 　撮像部が、前記モールドを前記基板に押し付けて、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させた状態で、前記モールドの鉛直下方または前記基板の鉛直上方から、前記モールドの第３アライメントマークおよび前記基板の第４アライメントマークを撮像する撮像ステップと、
    　制御部が、前記第３アライメントマークと前記第４アライメントマークとに基づいて、前記基板と前記モールドとの相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部および／または基板保持部により、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正する補正ステップと、を更に含み、
    　前記補正ステップにおいて、前記モールドを、前記樹脂を介して前記基板に押し付けた状態で、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正する、
    　請求項３６または３７に記載の樹脂成形方法。
  39. 　前記モールド押し付けステップにおいて、距離測定部が、前記基板の前記形成面と、外周部に平坦面を有する前記モールドの前記平坦面と、の間の距離を測定し、前記ヘッド駆動部が、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記モールドを保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    　請求項３６乃至３８のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  40. 　前記モールド押し付けステップにおいて、前記距離測定部が、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記形成面と前記平坦面との間の距離を測定し、モールド姿勢調整部が、前記形成面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記形成面と前記平坦面との間の距離と前記平坦面の前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    　請求項３９に記載の樹脂成形方法。
  41. 　樹脂吐出部が、前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出する樹脂吐出ステップを更に含み、
    　前記モールド押し付けステップにおいて、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂が注入された状態で、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記樹脂部の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    　請求項３６乃至４０のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  42. 　前記樹脂吐出ステップにおいて、紫外線硬化樹脂を前記モールドに注入しているとき、または、紫外線硬化樹脂を前記モールドに注入した後において、前記モールドを加熱して昇温させ、および／または、
    　前記モールド押し付けステップにおいて、前記モールドの温度を下降させる、
    　請求項４１に記載の樹脂成形方法。
  43. 　前記樹脂吐出ステップにおいて、樹脂を前記モールドに注入しているとき、または、樹脂を前記モールドに注入した後において、および／または樹脂を基板へ押し当てる際に、前記モールドを振動させる、
    　請求項４１または４２に記載の樹脂成形方法。
  44. 　前記樹脂吐出ステップにおいて、キャップを前記モールドの外周部または前記樹脂吐出部に当接させて前記モールドとの間に気密な空間を形成し、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高めた状態で、前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出し、その後、前記キャップ内を大気圧に戻す、
    　請求項４１乃至４３のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  45. 　前記樹脂吐出ステップにおいて、前記モールドを樹脂注入装置のチャンバの内側に配置し、前記チャンバに存在する気体を排気することにより前記チャンバ内の真空度を予め設定された真空度以上にした状態で、前記モールドに樹脂を吐出し、その後、前記チャンバの内側を大気圧に戻し、
    　前記モールド保持ステップにおいて、樹脂成形装置のヘッドが、前記樹脂注入装置において樹脂が注入された前記モールドを鉛直下方から保持する、
    　請求項４１乃至４３のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  46. 　前記モールドに設けられ、前記モールドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップを、前記基板に当接させた状態で、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高めた後、前記モールドを前記基板に押し当てる、
    　請求項４１乃至４３のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  47. 　前記モールドに載置された樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、
    　前記モールド押し付けステップにおいて、前記樹脂を加熱し軟化させた状態で、前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    　請求項３６乃至４６のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
PCT/JP2018/001467 2017-02-09 2018-01-18 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法 WO2018147037A1 (ja)

Priority Applications (13)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237002805A KR20230020557A (ko) 2017-02-09 2018-01-31 부품 실장 시스템 및 부품 실장 방법
KR1020197023767A KR102526457B1 (ko) 2017-02-09 2018-01-31 부품 실장 시스템, 수지 성형 장치, 수지 탑재 장치, 부품 실장 방법 및 수지 성형 방법
JP2018567387A JP6703718B2 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システムおよび部品実装方法
US16/484,450 US11587804B2 (en) 2017-02-09 2018-01-31 Component mounting system
KR1020237002806A KR20230020558A (ko) 2017-02-09 2018-01-31 수지 성형 장치, 수지 탑재 장치 및 수지 성형 방법
PCT/JP2018/003308 WO2018147147A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法
TW112104732A TW202324587A (zh) 2017-02-09 2018-02-08 構件安裝系統、樹脂成型裝置、樹脂載置裝置、構件安裝方法及樹脂成型方法
TW107104495A TWI805571B (zh) 2017-02-09 2018-02-08 構件安裝系統、樹脂成型裝置、樹脂載置裝置、構件安裝方法及樹脂成型方法
TW112104733A TW202331912A (zh) 2017-02-09 2018-02-08 構件安裝系統、樹脂成型裝置、樹脂載置裝置、構件安裝方法及樹脂成型方法
JP2019188125A JP7146275B2 (ja) 2017-02-09 2019-10-11 部品実装システムおよび部品実装方法
JP2020042357A JP7106151B2 (ja) 2017-02-09 2020-03-11 樹脂成形装置、樹脂載置装置および樹脂成形方法
JP2022069961A JP7309231B2 (ja) 2017-02-09 2022-04-21 樹脂成形装置および樹脂成形方法
US18/157,147 US20230154770A1 (en) 2017-02-09 2023-01-20 Component mounting system, resin shaping device, resin placing device, component mounting method, and resin shaping method for mounting a component on a substrate

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017021953 2017-02-09
JP2017-021953 2017-02-09
JPPCT/JP2017/040651 2017-11-10
PCT/JP2017/040651 WO2018146880A1 (ja) 2017-02-09 2017-11-10 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/040651 Continuation WO2018146880A1 (ja) 2017-02-09 2017-11-10 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2018147037A1 true WO2018147037A1 (ja) 2018-08-16

Family

ID=63107318

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/040651 WO2018146880A1 (ja) 2017-02-09 2017-11-10 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
PCT/JP2018/001467 WO2018147037A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-18 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
PCT/JP2018/003308 WO2018147147A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2017/040651 WO2018146880A1 (ja) 2017-02-09 2017-11-10 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/003308 WO2018147147A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11587804B2 (ja)
JP (4) JP6703718B2 (ja)
KR (3) KR20230020557A (ja)
TW (3) TWI805571B (ja)
WO (3) WO2018146880A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018146880A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 ボンドテック株式会社 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
US10694651B2 (en) * 2017-06-20 2020-06-23 Saul Tech Technology Co., Ltd. Chip-placing method performing an image alignment for chip placement and chip-placing apparatus thereof
WO2019069438A1 (ja) * 2017-10-06 2019-04-11 株式会社Ｆｕｊｉ 対基板作業システム
JP6991614B2 (ja) * 2018-08-31 2022-01-12 ボンドテック株式会社 部品実装システムおよび部品実装方法
CN112640039A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 邦德泰克株式会社 接合系统以及接合方法
CN108962812B (zh) * 2018-09-06 2023-06-27 重庆科技学院 一种旋转型芯片卡具的使用方法
JP7211751B2 (ja) * 2018-10-05 2023-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7112341B2 (ja) * 2019-01-23 2022-08-03 東レエンジニアリング株式会社 実装装置および実装方法
JP7257199B2 (ja) * 2019-03-18 2023-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN114007845A (zh) 2019-07-01 2022-02-01 美国圣戈班性能塑料公司 型材连接件
JP7278163B2 (ja) * 2019-07-11 2023-05-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
CN110328792B (zh) * 2019-08-13 2024-05-24 四川省众望科希盟科技有限公司 一种微型移动监控设备灌封工艺及模具
CN114730714A (zh) * 2019-11-21 2022-07-08 邦德泰克株式会社 部件安装系统、部件供给装置以及部件安装方法
WO2021131080A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 ボンドテック株式会社 接合方法、被接合物および接合装置
US11121113B2 (en) * 2020-01-16 2021-09-14 Asm Technology Singapore Pte Ltd Bonding apparatus incorporating variable force distribution
TWI765549B (zh) * 2020-01-30 2022-05-21 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 電子零件的安裝裝置
EP4121277A4 (en) * 2020-03-20 2024-04-10 Saint Gobain Performance Plastics Corp STERILE HERMETIC CLOSURE DEVICE
JP7450429B2 (ja) * 2020-03-26 2024-03-15 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置
WO2021257573A1 (en) 2020-06-19 2021-12-23 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Composite article and method of forming a composite article
KR102216351B1 (ko) * 2020-08-21 2021-02-17 (주)네온테크 반도체 칩 세정 장치 및 이를 사용한 반도체 칩의 제조 방법
JP6948085B1 (ja) * 2020-09-09 2021-10-13 上野精機株式会社 電子部品の処理装置
KR20220053390A (ko) * 2020-10-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 반도체 공정 스테이지 구조체, 반도체 칩 픽업 시스템 및 픽업헤드 틸팅 제어 방법
CN114428444B (zh) * 2020-10-29 2024-01-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 套刻量测系统矫正方法
CN112967988B (zh) * 2020-11-04 2022-07-29 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微元件的转移装置及其方法
KR20230136543A (ko) 2022-03-18 2023-09-26 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 실장 장치 및 실장 방법
CN115295476B (zh) * 2022-10-08 2023-01-10 四川洪芯微科技有限公司 一种芯片脱膜装置
CN117549483B (zh) * 2023-10-20 2024-04-05 广东百赞智能装备有限公司 一种侧射立压式注塑机

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008126312A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation 熱式インプリント装置および熱式インプリント方法
JP2010076300A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Canon Inc 加工装置
JP2010080763A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法
JP2013038365A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Canon Inc インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2016127167A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878882A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Fuji Mach Mfg Co Ltd 対回路基板トランスファ作業装置
JP3490851B2 (ja) 1996-10-30 2004-01-26 松下電器産業株式会社 回路基板
JP2002252251A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Sony Corp 半導体チップの実装装置及び実装方法
JP4046030B2 (ja) 2002-08-30 2008-02-13 株式会社村田製作所 部品装着方法および部品装着装置
JP3675435B2 (ja) * 2002-10-21 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール製造用トレイ
JP2005277009A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Joyo Kikai Kk チップの移載装置および移載方法
US7927089B2 (en) 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
JP2006351848A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
JP4958655B2 (ja) 2007-06-27 2012-06-20 新光電気工業株式会社 電子部品実装装置および電子装置の製造方法
JP5307669B2 (ja) 2009-09-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び電気的接続を得る方法
JP5732631B2 (ja) * 2009-09-18 2015-06-10 ボンドテック株式会社 接合装置および接合方法
JP2011077096A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 電子部品装着装置、部品供給装置及び電子部品装着方法
JP2011138902A (ja) * 2009-12-28 2011-07-14 Tokyo Electron Ltd 実装方法及び実装装置
JP5843275B2 (ja) 2011-05-13 2016-01-13 ボンドテック株式会社 アライメント装置およびアライメント方法
KR102103811B1 (ko) * 2012-04-24 2020-04-23 본드테크 가부시키가이샤 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체
JP5256410B2 (ja) 2012-09-18 2013-08-07 ボンドテック株式会社 転写方法および転写装置
KR101422401B1 (ko) 2013-04-03 2014-07-22 세메스 주식회사 발광 소자 칩 본딩 장치
JP6232667B2 (ja) 2013-06-25 2017-11-22 ボンドテック株式会社 基板接合方法
JP6341641B2 (ja) 2013-08-09 2018-06-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
JP2016152329A (ja) 2015-02-18 2016-08-22 富士通株式会社 チップ用ピックアップ装置及びチップ用ピックアップ方法
WO2018146880A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 ボンドテック株式会社 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008126312A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation 熱式インプリント装置および熱式インプリント方法
JP2010076300A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Canon Inc 加工装置
JP2010080763A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法
JP2013038365A (ja) * 2011-08-11 2013-02-21 Canon Inc インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
JP2016127167A (ja) * 2015-01-05 2016-07-11 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11587804B2 (en) 2023-02-21
TWI805571B (zh) 2023-06-21
KR102526457B1 (ko) 2023-05-02
JP2020194956A (ja) 2020-12-03
JP7146275B2 (ja) 2022-10-04
TW201836050A (zh) 2018-10-01
JP2020068379A (ja) 2020-04-30
JP7106151B2 (ja) 2022-07-26
JP7309231B2 (ja) 2023-07-18
KR20230020558A (ko) 2023-02-10
WO2018146880A1 (ja) 2018-08-16
WO2018147147A1 (ja) 2018-08-16
US20230154770A1 (en) 2023-05-18
TW202324587A (zh) 2023-06-16
KR20230020557A (ko) 2023-02-10
KR20190116981A (ko) 2019-10-15
JP2022105514A (ja) 2022-07-14
JPWO2018147147A1 (ja) 2019-11-07
JP6703718B2 (ja) 2020-06-03
TW202331912A (zh) 2023-08-01
US20200006099A1 (en) 2020-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7309231B2 (ja) 樹脂成形装置および樹脂成形方法
JP6991614B2 (ja) 部品実装システムおよび部品実装方法
JP7066559B2 (ja) 接合装置および接合方法
KR100638411B1 (ko) 장착헤드 및 전사헤드
KR102132094B1 (ko) 전자 부품 실장 장치 및 전자 부품 실장 방법
KR101257569B1 (ko) 반도체 장치의 제조 장치
JP6412376B2 (ja) チップと基板との接合方法、チップと基板との仮接合装置、チップ実装システム
KR20180128844A (ko) 거푸집, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법
JP2015220410A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体
JP2001246299A (ja) ぺースト塗布方法および実装装置
KR102459132B1 (ko) 임프린트 방법 및 제조 방법
CN112640067B (zh) 部件安装系统以及部件安装方法
TWI758210B (zh) 工件分離裝置及工件分離方法
CN111615739B (zh) 基板处理装置、以及基板处理方法
TW202126137A (zh) 接合方法、被接合物及接合裝置
CN111566782A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2006120753A (ja) 光学デバイス装置の製造方法および製造装置
JP2018006554A (ja) パターン形成装置、インプリント装置および物品の製造方法
TW201826915A (zh) 雙晶片模組的取置焊接系統及雙晶片模組的組裝方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18750732

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 18750732

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP