TW201826915A - 雙晶片模組的取置焊接系統及雙晶片模組的組裝方法 - Google Patents

Abstract

一種雙晶片模組的取置焊接系統包括第一及第二承載台以分別容置多個第一晶片及第二晶片。一校準平台置於兩個承載台之間，利用第一及第二取置臂分別取置第一晶片、第二晶片置放於校準平台。一校準定位視覺模組用以補正兩個晶片的位置及角度。雙晶片取放單元具有第一及第二吸嘴，分別吸取第一晶片及第二晶片，第一晶片與第二晶片相距一預定間距。一組裝置料平台容置一電路基板。一基板定位視覺模組修正電路基板的位置。雙晶片取放單元將第一晶片與第二晶片一起置放於電路基板。本發明還提供雙晶片模組的組裝方法。

Description

雙晶片模組的取置焊接系統及雙晶片模組的組裝方法

本發明乃是關於一種雙晶片模組的取置焊接系統及雙晶片模組的組裝方法，特別是指一種取置焊接系統以及組裝方法，用以取扱、置放並焊接兩個晶片於一電路基板上。

由於電子技術的進度，電子產品已設有雙晶片模組。例如手機具有雙攝影鏡頭，以進行更進步的影像處理。雙攝影鏡頭需要兩個感光半導體晶片以相距精準的距離焊接在同一電路板上，否則將造成無法擷取準確的影像。

為著將兩個感光半導體晶片焊接在同一基板，目前的技術是先將第一感光半導體晶片置於基板，加熱焊料以使第一感光半導體晶片焊接於基板。再將第二感光半導體晶片置於同一基板，並且與第一感光半導體晶片相距一預定的距離。然後加熱焊料以使第二感光半導體晶片焊接於基板。然而，基板在被加熱的過程中，因為矽材料做成的晶片的熱膨脹係數遠比一般基板(PCB)材質低很多，因此在加熱過程中常常會有相對位移產生，而導致兩個感光半導體晶片之間的距離改變，造成組裝上的誤差。

本發明所要解決的技術問題，在於提供一種雙晶片模組的取 置焊接系統，可以將兩個晶片準確的相距一預定間距焊接於電路基板上，避免組裝上的誤差。

此外，本發明要解決的技術問題，更在於提供一種雙晶片模組的組裝方法，可以同時將所述第一晶片及所述第二晶片準確的相距一預定間距置於一電路基板上，避免組裝上的誤差。

為了解決上述技術問題，根據本發明之其中一種方案，提供一種雙晶片模組的取置焊接系統，包括至少一承載台供容置多個第一晶片及多個第二晶片；至少一取置臂，每一所述取置臂具有一取置頭；一校準平台，所述取置頭可動地位於所述至少一承載台與所述校準平台之間，所述取置頭取置一個所述第一晶片或一個所述第二晶片置放於所述校準平台；一校準定位視覺模組分別擷取位於所述校準平台上的所述第一晶片以及所述第二晶片的影像，修正所述第一晶片的位置並產生第一位置資訊，修正所述第二晶片的位置並且加入一預定距離的參數以與所述第一位置資訊相距一預定間距，並產生第二位置資訊；一雙晶片取放單元具有一第一吸嘴及一與第一吸嘴相鄰的第二吸嘴，所述第一吸嘴依據所述第一晶片的第一位置資訊吸取所述第一晶片，所述第二吸嘴依據所述第二晶片的第二位置資訊吸取所述第二晶片，其中所述第一晶片與所述第二晶片相距所述預定間距；一組裝置料平台以容置一電路基板；以及一基板定位視覺模組以擷取上述電路基板的影像並修正上述電路基板的位置；其中所述雙晶片取放單元將所述第一晶片與所述第二晶片一起置放於所述電路基板。

為了解決上述另一技術問題，根據本發明之其中一種方案，提供一種雙晶片模組的組裝方法，包括下列步驟：取扱一第一晶片，並置放於一校準平台；擷取位在所述校準平台上的所述第一晶片的影像，並修正所述第一晶片的位置，並產生第一位置資訊；利用一雙晶片取放單元的第一吸嘴依據所述第一位置資訊， 吸取所述第一晶片；取扱一第二晶片，並置放於所述校準平台；擷取位在所述校準平台上的所述第二晶片的影像，並修正所述第二晶片的位置，加入一預定距離的參數於所述第二位置資訊以與所述第一位置資訊相距一預定間距，並產生第二位置資訊；利用所述雙晶片取放單元的第二吸嘴依據所述第二位置資訊，吸取所述第二晶片；以及移動所述雙晶片取放單元並同時將所述第一晶片及所述第二晶片置於一電路基板上。

優選的，本發明的雙晶片模組的取置焊接系統，還包括一容置所述多個第一晶片的第一承載台、一第一取置臂、一容置所述多個第二晶片的第二承載台、及一第二取置臂，所述第一取置臂依序由所述第一承載台取置一個所述第一晶片置於所述校準平台上；當所述雙晶片取放單元由所述校準平台上取走所述第一晶片後，所述第二取置臂由所述第二承載台依序取置一個所述第二晶片置於所述校準平台上；當所述雙晶片取放單元由所述校準平台上取走所述第二晶片後，所述第一取置臂由所述第一承載台依序取置一個所述第一晶片置於所述校準平台上。

本發明具有以下有益效果：本發明的雙晶片模組的取置焊接系統具有兩組的承載台，可以組裝兩種不同種類的晶片。兩組的承載台可以共同搭配一個校準平台、以及一個校準定位視覺模組。校準平台與校準定位視覺模組置於兩組的承載台之間。晶片放置在校準平台上，藉由移動校準平台以進行位置補正及角度補正，不需要另外的工具以吸取晶片來進行偏移補正。本發明的雙晶片取放單元可以從校準平台上分次取起第一晶片及第二晶片，同時將兩個晶片帶到組裝置料平台的電路基板上方，雙晶片取放單元具有加熱模組，加熱晶片底部邊緣的充填劑，例如環氧樹脂，可以在封合(bonding)時加熱預固化，可以確保晶片的平面度，並 避免晶片在焊接過程產生位移。雙晶片取放單元配合所述組裝置料平台，可以準確地將兩個晶片同時向下封合至電路基板上。

為了能更進一步瞭解本發明為達成既定目的所採取之技術、方法及功效，請參閱以下有關本發明之詳細說明、圖式，相信本發明之目的、特徵與特點，當可由此得以深入且具體之瞭解，然而所附圖式與附件僅提供參考與說明用，並非用來對本發明加以限制者。

C1‧‧‧第一晶片

10a‧‧‧第一承載台

C2‧‧‧第二晶片

10b‧‧‧第二承載台

20a‧‧‧第一取置臂

21a‧‧‧第一動力源

22a‧‧‧第一臂部

20b‧‧‧第二取置臂

21b‧‧‧第二動力源

22b‧‧‧第二臂部

30‧‧‧校準平台

40‧‧‧校準定位視覺模組

50‧‧‧雙晶片取放單元

51a‧‧‧第一吸嘴

51b‧‧‧第二吸嘴

52‧‧‧加熱模組

60‧‧‧組裝置料平台

70‧‧‧基板定位視覺模組

P‧‧‧電路基板

d1‧‧‧預定間距

d2,d3‧‧‧距離

圖1為本發明的雙晶片模組的取置焊接系統的俯視示意圖。

圖2至圖11分別為本發明的雙晶片模組的取置焊接系統各個組裝步驟的俯視示意圖。

請參考圖1，為本發明之雙晶片模組的取置焊接系統的俯視示意圖。本發明提供一種雙晶片模組的取置焊接系統，其包括一容置多個第一晶片C1的第一承載台10a、一容置多個第二晶片C2的第二承載台10b、一第一取置臂20a、一第二取置臂20b、一校準平台30、一校準定位視覺模組40、一雙晶片取放單元50、一組裝置料平台60以及一基板定位視覺模組70。

本發明適用於兩個晶片需要以精確的距離焊接於一電路基板P上，第一晶片C1與第二晶片C2可以是不同種類。多個第一晶片C1可以是在一個晶圓上，多個第二晶片C2可以是在另一個晶圓上。晶片例如是可記錄光線變化的半導體晶片，例如CCD(Charge Coupled Device，感光耦合元件)或CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互補式金屬氧化物半導體)，但本發明不限制於此。

所述第一取置臂20a與第二取置臂20b各具有一個可以吸取 及置放的取置頭(如真空吸頭、吸盤或其他具有搬移能力之裝置...等，圖略)以吸附第一晶片C1與第二晶片C2。第一取置臂20a的取置頭可動地位於所述第一承載台10a與校準平台30之間，第二取置臂20b的取置頭可動地位於所述第二承載台10b與校準平台30之間。

本實施例各元件的動線安排描述如下，所述校準平台30位於所述第一承載台10a與所述第二承載台10b之間。校準平台30、第一承載台10a與第二承載台10b大致位於同一動線上。另外，校準平台30、雙晶片取放單元50與組裝置料平台60大致位於另一動線上。兩條動線大致呈T字形。此種安排，可提高工作的效率。

第一取置臂20a與第二取置臂20b分別位於校準平台30的兩側，第一取置臂20a具有第一動力源21a及第一臂部22a，第一動力源21a驅動第一臂部22a左右來回移動；第二取置臂20b具有第二動力源21b及第二臂部22b。第二動力源21b驅動第二臂部22b左右來回移動。

簡要的說明，本發明依據上述的機構設計，提供一種雙晶片模組的組裝方法，包括下列步驟：取扱一第一晶片C1，並置放於一校準平台30；擷取位在所述校準平台30上的所述第一晶片C1的影像，並修正所述第一晶片C1的位置，並產生第一位置資訊；第一位置資訊代表第一晶片C1校準後的位置；利用一雙晶片取放單元50的第一吸嘴51a依據所述第一位置資訊，吸取所述第一晶片C1；取扱一第二晶片C2，並置放於所述校準平台30；擷取位在所述校準平台30上的所述第二晶片C2的影像，並修正所述第二晶片C2的位置，加入一預定距離的參數於所述第二位置資訊以與所述第一位置資訊相距一預定間距，並產生第二位 置資訊；第二位置資訊代表第二晶片C2校準後的位置；利用所述雙晶片取放單元50的第二吸嘴51b依據所述第二位置資訊，吸取所述第二晶片C2；最後，移動所述雙晶片取放單元50並同時將所述第一晶片C1及所述第二晶片C2置於一電路基板P上。

其中第一吸嘴51a與第二吸嘴51b之間的距離對應於上述第一晶片C1及第二晶片C2之間的預定間距。藉此第一晶片C1及第二晶片C2被校準過，並且由雙晶片取放單元50的第一吸嘴51a與第二吸嘴51b固定。因此本實施例可以同時將所述第一晶片C1及所述第二晶片C2準確的相距一預定間距置於電路基板P上，避免組裝上的誤差。

以下配合圖2至圖11，說明本發明雙晶片組裝的流程如下。如圖2所示，所述第一取置臂20a由所述第一承載台10a取置一個所述第一晶片C1置於校準平台30上。此流程同時也可以將一電路基板P移到組裝置料平台60。

如圖3所示，校準定位視覺模組40移至校準平台30的上方，並藉由校準定位視覺模組40並配合所述校準平台30的移動以準確地定位第一晶片C1的位置及角度。組裝置料平台60承載電路基板P。基板定位視覺模組70移至組裝置料平台60的上方，並配合所述組裝置料平台60進行電路基板P的位置補正。

本實施例上述修正所述第一晶片C1的位置的步驟中，包括：利用所述校準定位視覺模組40擷取該第一晶片C1的影像並分析該第一晶片C1的偏移值，所述校準平台30依據所述偏移值沿著X軸、Y軸及θ軸進行該第一晶片C1的偏移補正。

本發明的校準定位視覺模組40的位置大致位於校準平台30上方。校準定位視覺模組40分別擷取位於所述校準平台30上的所述第一晶片C1或所述第二晶片C2的影像，並修正所述第一晶片C1的位置並產生第一位置資訊。

在具體實施例中，校準定位視覺模組40可為一種上視覺檢測裝置，以用於檢視晶片的上表面影像，例如晶片的定位標誌的位置，以利用影像分析判斷晶片的偏移值，並將檢知結果傳遞給控制單元等等(圖未示)，以控制後續的偏移補正步驟。

本實施例利用所述校準平台30依據晶片的偏移值進行補正，包括沿著X軸或Y軸的位移以調整晶片的位置，或者沿著θ軸(也就是Z軸方向)轉動以調整晶片的角度，以補正每一晶片的偏移值。此種方式的優點在於，不需要利用吸取頭移動晶片以進行偏移補正。

以第一晶片C1為例，校準定位視覺模組40擷取該第一晶片C1的影像並分析該第一晶片C1的偏移值，所述校準平台30具有X軸、Y軸及θ軸的位移機構(例如伺服馬達)並依據所述偏移值進行該第一晶片C1的偏移補正。換言之，可以沿著圖3的水平方向、及垂直方向移動，還可以轉動，藉此第一晶片C1在校準平台30被移動至正確的位置以及角度，以完成位置補正以及角度補正。

具體而言，以第一晶片C1為例，可分為以下步驟：首先，校準定位視覺模組40擷取該第一晶片C1的影像，並且比對第一晶片C1預定被雙晶片取放單元50吸取的第一位置資訊(X1,Y1)，然後分析該第一晶片C1的偏移值。接著，將第一晶片C1的偏移值的檢知結果傳遞給控制單元，控制單元控制所述校準平台30的X軸、Y軸及θ軸的位移機構，以移動所述校準平台30，使第一晶片C1被移動至正確角度與正確位置，亦即位於預定被雙晶片取放單元50吸取的第一位置。藉此，所述第一吸嘴51a依據所述第一晶片C1的第一位置資訊(X1,Y1)吸取所述第一晶片C1。

如圖4所示，雙晶片取放單元50由所述校準平台30上吸取第一晶片C1。雙晶片取放單元50具有一第一吸嘴51a、及一第二吸嘴51b與第一吸嘴51a相鄰併置，第一吸嘴51a與第二吸嘴51b之間的距離d2對應於組裝後的第一晶片C1及第二晶片C2之間的 預定間距d1(參圖8)。本實施例中，雙晶片取放單元50沿著Y軸移動至校準平台30上方，藉由雙晶片取放單元50的第一吸嘴51a取扱第一晶片C1。

此時，校準定位視覺模組40可以移出校準平台30。或者，校準定位視覺模組40可以是位於校準平台30較高的位置而不影響雙晶片取放單元50的進出。

如圖5所示，雙晶片取放單元50持續吸著第一晶片C1並沿著Y軸移出校準平台30。

如圖6所示，所述第二取置臂20b由第二承載台10b依序取置一個所述第二晶片C2置於校準平台30上。

如圖7所示，藉由校準定位視覺模組40準確地定位第二晶片C2。修正所述第二晶片C2的位置而產生第二位置資訊，過程中，如圖8所示，還加入一預定距離的參數於所述第二位置資訊(X2,Y2)以與所述第一位置相距一預定間距d1。其中電路基板P表面設有分別對應於第一晶片C1與第二晶片C2的兩個定位記號，如圖式中“X”所表示，兩個定位記號之間的距離d3等於第一吸嘴51a與第二吸嘴51b之間的距離d2，也就是等於第一晶片C1及第二晶片C2之間的預定間距d1。

以第二晶片C2為例，校準定位視覺模組40擷取該第二晶片C2的影像並分析該第二晶片C2的偏移值，所述校準平台30依據所述偏移值進行該第二晶片C2的偏移補正，所述校準平台30依據上述預定間距d1的參數移動所述第二晶片C2。

具體而言，針對第二晶片C2，首先，校準定位視覺模組40擷取該第二晶片C2的影像，並且比對第二晶片C2預定被雙晶片取放單元50吸取的第二位置資訊(X2,Y2)，其中第二位置資訊(X2,Y2)已包括加入一預定距離的參數而與所述第一位置(X1,Y1)相距一預定間距d1。然後分析該第二晶片C2的偏移值。接著，將第二晶片C2的偏移值的檢知結果傳遞給控制單元(圖略)，控制單元 控制所述校準平台30的X軸、Y軸及θ軸的位移機構，以移動所述校準平台30，使第二晶片C2被移動至正確角度與正確位置，亦即位於預定被雙晶片取放單元50吸取的第二位置(X2,Y2)。

如圖9所示，雙晶片取放單元50沿著Y軸方向移動至校準平台30上方，藉由所述雙晶片取放單元50的第二吸嘴51b由所述校準平台30上吸取第二晶片C2。藉此所述雙晶片取放單元50可以準確地同時以並列的方式吸附第一晶片C1及第二晶片C2。所述第二吸嘴51b依據所述第二晶片C2的第二位置資訊(X2,Y2)吸取所述第二晶片C2，其中所述第一晶片C1與所述第二晶片C2相距所述預定間距d1。雙晶片取放單元50將第一晶片C1與第二晶片C2從校準平台30上取起後，帶到電路基板P上方。

本實施例中，較佳的，雙晶片取放單元50還具有一加熱模組52，加熱模組52加熱所述第一晶片C1及所述第二晶片C2，藉此預固化(cured)晶片底部邊緣的充填劑，加熱後並向下封合於電路基板P上，可以確保晶片的平面度，還可以避免第一晶片C1及第二晶片C2在焊接過程中因熱脹冷縮產生的偏移。

如圖10所示，雙晶片取放單元50沿著Y軸方向移動至組裝置料平台60的上方。藉由基板定位視覺模組70，雙晶片取放單元50同時將第一晶片C1及第二晶片C2置於組裝置料平台60上的電路基板P。當置放晶片於組裝置料平台60，雙晶片取放單元50較佳地施加一些壓力，使被加熱過的第一晶片C1及第二晶片C2更良好的固著於電路基板P。這樣完成一個循環。雙晶片取放單元50置放晶片時，同時，第一取置臂20a可以再由所述第一承載台10a依序取置一個所述第一晶片C1置於所述校準平台30上。

如圖11所示，雙晶片取放單元50再移至校準平台30上方，以吸取第一晶片C1。

本實施例的雙晶片取放單元50具有Y軸及θ軸的位移機構，配合所述組裝置料平台60。換言之，雙晶片取放單元50只需 要沿著圖式的Y軸方向移動，第一吸嘴51a與第二吸嘴51b之間的距離d2等於第一晶片C1與第二晶片C2相距的預定間距d1。第一晶片C1的第一位置資訊(X1，Y1)的X軸座標(X1)可以是已被預先設定位於第一吸嘴51a的Y軸移動的路徑上；第二晶片C2的第二位置資訊(X2，Y2)的X軸座標(X2)已被預先設定位於第二吸嘴51b的Y軸移動的路徑上。因此雙晶片取放單元50可以不需要沿著X軸移動。

本實施例的組裝置料平台60具有X軸位移機構，可沿著X軸的方向移動補正電路基板P的位置。基板定位視覺模組70可動地設於組裝置料平台60的上方，用以擷取上述電路基板P的影像並配合所述組裝置料平台60的位移以修正上述電路基板P的位置。

本實施例中，所述基板定位視覺模組70具有Y軸位移機構，移入所述組裝置料平台60上方或移出所述組裝置料平台60上方，藉此可以針對電路基板P進行定位取像。當需要補正電路基板P時，藉由所述組裝置料平台60移動電路基板P的位置。

當電路基板P需要進行Y軸與θ軸補正時，本實施例可以由雙晶片取放單元50進行補正，調整第一晶片C1與所述第二晶片C2以對準於電路基板P的位置。藉此，所述雙晶片取放單元50可以準確地將所述第一晶片C1與所述第二晶片C2一起置放於所述電路基板P。第一晶片C1與第二晶片C2相距的預定間距d1，也就是對應於電路基板P上的兩個定位記號的位置，亦即圖7中兩個“X”定位記號之間的距離d3。

本發明的組裝置料平台60可以進行兩晶片有180度相位差的製程。取放或取置的機構可以採用線性馬達，再搭配高精度光學尺，以確保移動精度。此外，組裝置料平台60較佳可以設置一輔助加熱裝置(圖略)，以適當加熱電路基板P，以供第一晶片C1與第二晶片C2置放於電路基板P上面時，有助於固定與焊接。

上述僅為本發明的一種實施方式，本發明並不受限於此，例如，承載台的數量可以是至少一個，同時容置多個第一晶片C1及多個第二晶片C2。取置臂的數量可以是至少一個，每一取置臂具有一取置頭。所述取置頭可動地位於所述至少一承載台與所述校準平台之間，所述取置頭取置一個所述第一晶片C1或一個所述第二晶片C2置放於所述校準平台30。

本發明之特點及功能在於：

一、本發明的雙晶片模組的取置焊接系統具有兩組的承載台，可以組裝兩種不同種類的晶片。兩組的承載台(10a、10b)可以共同搭配一個校準平台30、以及一個校準定位視覺模組40。校準平台30與校準定位視覺模組40置於兩組的承載台(10a、10b)之間。晶片放置在校準平台30上，利用校準平台30沿著X軸、Y軸及θ軸，以進行位置補正及角度補正，不需要另外的工具以吸取晶片來進行偏移補正。

二、本發明的雙晶片取放單元50可以從校準平台30分次取起第一晶片C1及第二晶片C2，同時將兩個晶片帶到組裝置料平台60的電路基板P上方，雙晶片取放單元50具有加熱模組52，加熱晶片底部邊緣的充填劑，例如環氧樹脂，可以在封合(bonding)時加熱預固化，可以確保晶片的平面度，並避免晶片在焊接過程產生位移。

三、雙晶片取放單元50具有Y軸及θ軸的位移機構，配合所述組裝置料平台60，可以準確地將兩個晶片同時向下封合至電路基板P上。

四、配合可以沿著Y軸及θ軸補正的雙晶片取放單元50，本實施例的組裝置料平台60可以藉由基板定位視覺模組70，僅僅沿著X軸方向進行電路基板P的位置補正。即使電路基板P有Y軸與θ軸的偏移，可以藉由雙晶片取放單元50完成補正。

以上所述僅為本發明之較佳可行實施例，凡依本發明申請專 利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

Claims (12)

1. 一種雙晶片模組的取置焊接系統，包括：至少一承載台，供容置多個第一晶片及多個第二晶片；至少一取置臂，每一所述取置臂具有一取置頭；一校準平台，所述取置頭可動地位於所述至少一承載台與所述校準平台之間，所述取置頭取置一個所述第一晶片或一個所述第二晶片置放於所述校準平台；一校準定位視覺模組，分別擷取位於所述校準平台上的所述第一晶片以及所述第二晶片的影像，修正所述第一晶片的位置並產生第一位置資訊，修正所述第二晶片的位置並且加入一預定距離的參數以與所述第一位置資訊相距一預定間距，並產生第二位置資訊；一雙晶片取放單元，具有一第一吸嘴及一與第一吸嘴相鄰的第二吸嘴，所述第一吸嘴依據所述第一晶片的第一位置資訊吸取所述第一晶片，所述第二吸嘴依據所述第二晶片的第二位置資訊吸取所述第二晶片，其中所述第一晶片與所述第二晶片相距所述預定間距；一組裝置料平台，以容置一電路基板；以及一基板定位視覺模組，以擷取上述電路基板的影像並修正上述電路基板的位置；其中所述雙晶片取放單元將所述第一晶片與所述第二晶片一起置放於所述電路基板。
2. 如請求項1所述的雙晶片模組的取置焊接系統，還包括一容置所述多個第一晶片的第一承載台、一第一取置臂、一容置所述多個第二晶片的第二承載台、及一第二取置臂，所述第一取置臂依序由所述第一承載台取置一個所述第一晶片置於所述校準平台上；當所述雙晶片取放單元由所述校準平台上取走所述第一晶片後，所述第二取置臂由所述第二承載台依序取置一個所 述第二晶片置於所述校準平台上；當所述雙晶片取放單元由所述校準平台上取走所述第二晶片後，所述第一取置臂由所述第一承載台依序取置一個所述第一晶片置於所述校準平台上。
3. 如請求項2所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中所述校準平台位於所述第一承載台與所述第二承載台之間。
4. 如請求項1所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中該校準定位視覺模組擷取該第一晶片的影像並分析該第一晶片的偏移值，所述校準平台具有X軸、Y軸及θ軸的位移機構並依據所述偏移值進行該第一晶片的偏移補正。
5. 如請求項4所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中該校準定位視覺模組擷取該第二晶片的影像並分析該第二晶片的偏移值，所述校準平台依據所述偏移值進行該第二晶片的偏移補正，所述校準平台依據上述預定距離的參數移動所述第二晶片。
6. 如請求項1所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中所述組裝置料平台具有X軸位移機構。
7. 如請求項6所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中所述雙晶片取放單元具有Y軸及θ軸的位移機構，配合所述組裝置料平台。
8. 如請求項1所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中所述基板定位視覺模組具有Y軸位移機構，移入所述組裝置料平台上方或移出所述組裝置料平台上方。
9. 如請求項1所述的雙晶片模組的取置焊接系統，其中所述雙晶片取放單元具有一加熱模組，所述加熱模組加熱所述第一晶片及所述第二晶片。
10. 一種雙晶片模組的組裝方法，包括下列步驟：取扱一第一晶片，並置放於一校準平台； 擷取位在所述校準平台上的所述第一晶片的影像，並修正所述第一晶片的位置，並產生第一位置資訊；利用一雙晶片取放單元的第一吸嘴依據所述第一位置資訊，吸取所述第一晶片；取扱一第二晶片，並置放於所述校準平台；擷取位在所述校準平台上的所述第二晶片的影像，並修正所述第二晶片的位置，加入一預定距離的參數於所述第二位置資訊以與所述第一位置資訊相距一預定間距，並產生第二位置資訊；利用所述雙晶片取放單元的第二吸嘴依據所述第二位置資訊，吸取所述第二晶片；以及移動所述雙晶片取放單元並同時將所述第一晶片及所述第二晶片置於一電路基板上。
11. 如請求項10所述的雙晶片模組的組裝方法，其中修正所述第一晶片的位置的步驟中，包括：利用所述校準定位視覺模組擷取所述第一晶片的影像並分析所述第一晶片的偏移值，所述校準平台依據所述偏移值沿著X軸、Y軸及θ軸進行所述第一晶片的偏移補正。
12. 如請求項11所述的雙晶片模組的組裝方法，其中修正所述第二晶片的位置的步驟中，包括：利用所述校準定位視覺模組擷取該第二晶片的影像並分析該第二晶片的偏移值，所述校準平台依據所述偏移值沿著X軸、Y軸及θ軸進行該第二晶片的偏移補正。