JPWO2018147147A1 - 部品実装システムおよび部品実装方法 - Google Patents

部品実装システムおよび部品実装方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2018147147A1
JPWO2018147147A1 JP2018567387A JP2018567387A JPWO2018147147A1 JP WO2018147147 A1 JPWO2018147147 A1 JP WO2018147147A1 JP 2018567387 A JP2018567387 A JP 2018567387A JP 2018567387 A JP2018567387 A JP 2018567387A JP WO2018147147 A1 JPWO2018147147 A1 JP WO2018147147A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
mold
resin
unit
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2018567387A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6703718B2 (ja
Inventor
朗 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BONDTECH CO Ltd
Original Assignee
BONDTECH CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BONDTECH CO Ltd filed Critical BONDTECH CO Ltd
Publication of JPWO2018147147A1 publication Critical patent/JPWO2018147147A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6703718B2 publication Critical patent/JP6703718B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14065—Positioning or centering articles in the mould
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
    • B29C45/14—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles
    • B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
    • B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/02—Feeding of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
    • H05K13/0413—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws with orientation of the component while holding it; Drive mechanisms for gripping tools, e.g. lifting, lowering or turning of gripping tools
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0805—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B29C2035/0827—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C35/00—Heating, cooling or curing, e.g. crosslinking or vulcanising; Apparatus therefor
    • B29C35/02—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould
    • B29C35/08—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation
    • B29C35/0888—Heating or curing, e.g. crosslinking or vulcanizing during moulding, e.g. in a mould by wave energy or particle radiation using transparant moulds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
    • B29L2031/00—Other particular articles
    • B29L2031/34—Electrical apparatus, e.g. sparking plugs or parts thereof
    • B29L2031/3406—Components, e.g. resistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7501—Means for cleaning, e.g. brushes, for hydro blasting, for ultrasonic cleaning, for dry ice blasting, using gas-flow, by etching, by applying flux or plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/751—Means for controlling the bonding environment, e.g. valves, vacuum pumps
    • H01L2224/75101—Chamber
    • H01L2224/75102—Vacuum chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75744—Suction holding means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75743—Suction holding means
    • H01L2224/75745—Suction holding means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H01L2224/75753—Means for optical alignment, e.g. sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822—Rotational mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75821—Upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head
    • H01L2224/75822—Rotational mechanism
    • H01L2224/75823—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/758—Means for moving parts
    • H01L2224/75841—Means for moving parts of the bonding head
    • H01L2224/75842—Rotational mechanism
    • H01L2224/75843—Pivoting mechanism
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81053—Bonding environment
    • H01L2224/8109—Vacuum
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112—Aligning
    • H01L2224/81121—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • H01L2224/8113—Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors using marks formed on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81908—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector involving monitoring, e.g. feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
    • H05K13/04—Mounting of components, e.g. of leadless components
    • H05K13/0404—Pick-and-place heads or apparatus, e.g. with jaws
    • H05K13/0408—Incorporating a pick-up tool
    • H05K13/0409—Sucking devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Oral & Maxillofacial Surgery (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Vehicle Interior And Exterior Ornaments, Soundproofing, And Insulation (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

チップ実装システム（１）は、チップ（ＣＰ）を供給するチップ供給部（１１）と、基板（ＷＴ）におけるチップ（ＣＰ）が実装される実装面（ＷＴｆ）が鉛直下方（−Ｚ方向）を向く姿勢で基板（ＷＴ）を保持するステージ（３１）と、鉛直下方（−Ｚ方向）からチップ（ＣＰ）を保持するヘッド（３３Ｈ）と、チップ（ＣＰ）を保持するヘッド（３３Ｈ）を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド（３３Ｈ）をステージ（３１）に近づけて基板（ＷＴ）の実装面（ＷＴｆ）にチップ（ＣＰ）を実装するヘッド駆動部（３６）と、を備える。

Description

本発明は、部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法に関する。
基板を保持するステージと、ステージの上方に配置されたボンディング部と、を備え、ボンディング部のヘッドにチップを保持した状態でステージを水平方向に移動することによりチップの基板に対するアライメントを実行した後、ボンディング部を下降させてチップを基板に実装する部品実装システムが提案されている（例えば特許文献１参照）。
特開２０１２−２３８７７５号公報
しかしながら、特許文献１に記載された構成では、基板における部品が実装される実装面が上方を向いた状態でステージに保持されている。従って、例えばボンディング部で生じたパーティクルが基板上に付着してしまい、チップと基板との接合不良が発生する場合がある。この場合、チップを基板に実装してなる製品について、チップと基板との接合不良に起因した性能不良の製品が生じる虞がある。
また、従来は突起電極であるバンプで接合することが主流であったため、バンプの隙間にパーティクルが落ちても大した接合上の問題にはならなかった。但し、近年、電極表面と絶縁層表面と同一の接合面内に存在するチップと基板との面接合を行うハイブリッドボンディングと呼ばれる基板接合手法が用いられ始めた。この基板接合方法では、親水化処理されたチップの接合面と基板の実装面とを直接接合するため、基板の実装面上に存在するパーティクルがチップと基板との接合状態に与える影響が大きい。例えば、粒径１μｍ程度のパーティクルが基板上に１つでも存在するとその周囲の直径数ｍｍ程度の範囲でボイドが生じてしまう。基板同士の接合の場合、パーティクル密度が管理された環境で基板同士を接合する量産技術が確立されている。但し、チップの歩留まり改善の観点からすれば、良品チップを選別して実装するいわゆるＣＯＷ(チップ・オン・ウエハ)方式のチップ実装システムのほうが有利である。そこで、パーティクル対策がなされたチップ実装システムの開発が要望されている。
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、性能不良の製品の発生が抑制される部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、本発明に係る部品実装システムは、
基板に部品を実装する部品実装システムであって、
前記部品を供給する部品供給部と、
前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
鉛直下方から前記部品を保持するヘッドと、
前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装するヘッド駆動部と、を備える。
他の観点から見た本発明に係る樹脂成形装置は、
基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるヘッド駆動部と、
前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える。
他の観点から見た本発明に係る樹脂載置装置は、
モールドに樹脂を載置する樹脂載置装置であって、
前記モールドが内側に配置されるチャンバと、
前記チャンバ内に存在する気体を排気することにより前記チャンバ内の真空度を高める真空源と、
前記モールドに樹脂を吐出する樹脂吐出部と、
前記真空源により前記チャンバ内の真空度が高められた状態で、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂を吐出させた後、前記モールドの周囲を大気圧環境下にする際、前記モールドを加熱することにより前記モールドに載置された前記樹脂の温度を上昇させるモールド加熱部と、を備える。
他の観点から見た本発明に係る部品実装方法は、
基板に部品を実装する部品実装方法であって、
部品供給部が、前記部品を供給する部品供給ステップと、
基板保持部が、前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
ヘッドが、鉛直下方から前記部品を保持する部品保持ステップと、
前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけることにより前記基板の前記実装面に前記部品を実装する部品実装ステップと、を含む。
他の観点から見た本発明に係る樹脂成形方法は、
基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形方法であって、
基板保持部が、基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
ヘッドが、鉛直下方から前記モールドを保持するモールド保持ステップと、
ヘッド駆動部が、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む。
本発明に係る部品実装システムによれば、基板保持部が、基板における部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板を保持し、ヘッド駆動部が、部品を保持するヘッドを鉛直上方へ移動させることによりヘッドを基板保持部に近づけて基板の実装面に部品を実装する。これにより、基板の実装面へのパーティクルの堆積を低減することができるので、部品と基板との接合不良の発生を抑制できる。従って、部品を基板に実装してなる製品について、チップと基板との接合不良に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。特に、１枚の基板上に複数個の部品を実装するいわゆるチップ・オン・ウェハ工程に好適である。
また、本発明に係る樹脂成形装置によれば、基板保持部が、基板における樹脂部が形成される形成面が鉛直下方を向く姿勢で基板を保持する。また、ヘッド駆動部が、基板における樹脂部が形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッドを鉛直上方へ移動させることによりヘッドを基板保持部に近づけてモールドを押し付ける。そして、樹脂硬化部が、モールドを樹脂部に押し付けた状態でモールドに載置された樹脂を硬化させる。これにより、基板の樹脂部が形成される形成面へのパーティクルの堆積を低減することができるので、樹脂部と基板との界面へのパーティクルの混入を抑制できる。従って、基板上に樹脂部を形成してなる製品について、樹脂部と基板との界面へのパーティクルの混入に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。特に、１枚の基板上に複数個の樹脂部を成形するいわゆるステップ・アンド・リピート方式で樹脂成形を行う工程に好適である。
本発明の実施の形態１に係る部品実装システムの概略構成図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態１に係るボンディング装置の概略構成図である。 実施の形態１に係るチップのアライメントマークとヘッドの中空部との位置関係を示す図である。 実施の形態１に係るボンディング部の一部を示す概略斜視図である。 実施の形態１に係るボンディング装置の図３のＡ−Ａ線における断面矢視図である。 実施の形態１に係るステージの平面図である。 実施の形態１に係るステージの側面図である。 実施の形態１に係るチップ保持部の概略断面図である。 実施の形態１に係る制御部を示すブロック図である。 実施の形態１に係る部品実装システムの動作を示すシーケンス図である。 実施の形態１に係るヘッド、チップ搬送部およびチップ受け渡し部の位置関係を示す概略平面図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態１に係るヘッド、チップ搬送部およびチップ受け渡し部の位置関係を示す概略平面図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 チップに設けられたアライメントマークを示す図である。 基板に設けられたアライメントマークを示す図である。 アライメントマークの相対的な位置ずれを示す図である。 実施の形態１に係るヘッドの詳細を示す図である。 実施の形態１に係る部品実装システムを側方から見た概略構成図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置の一部の概略構成図である。 実施の形態２に係る制御部を示すブロック図である。 実施の形態２に係る樹脂成形装置が実行する樹脂成形処理の流れの一例を示すフローチャートである。 実施の形態２に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドの詳細を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドに保持されたモールドを樹脂部に押し付ける様子を示す図である。 実施の形態２に係る紫外線照射部により樹脂部に紫外線を照射する様子を示す図である。 実施の形態２に係るヘッドを鉛直下方へ移動させる様子を示す図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係るヘッドの動作を説明するための図である。 変形例に係るヘッドの動作を説明するための図である。 変形例に係る部品実装システムの概略構成図である。 変形例に係る部品実装システムの動作を説明するための図である。 変形例に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 変形例に係る樹脂成形装置の概略構成図である。 変形例に係るヘッドの詳細を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 比較例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてディスペンサによりモールドに樹脂を注入する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドを搬送する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドが樹脂成形装置内に配置された状態を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについてモールドを基板に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形システムについて樹脂に紫外線を照射する様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係る樹脂成形装置についてモールドを樹脂層に押し付ける様子を示す図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。 変形例に係るボンディング装置の概略図である。 変形例に係るチップ搬送部の概略平面図である。 変形例に係るチップ実装システムの一部の概略図である。 変形例に係るチップ実装システムの一部の概略平面図である。
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態に係る部品実装システムであるチップ実装システムについて、図面を参照しながら説明する。
本実施の形態に係るチップ実装システムは、基板上に電子部品を実装する装置である。電子部品は、例えばダイシングされた基板から供給される半導体チップ（以下、単に「チップ」と称する。）である。このチップ実装システムは、基板におけるチップが実装される面と電子部品の接合面について活性化処理を行った後、チップを基板に接触させて加圧および加熱することにより、チップを基板に実装する。
図１および図２に示すように、本実施の形態に係るチップ実装システム１は、チップ供給装置１０と、ボンディング装置３０と、カバー５０と、親水化処理装置６０と、水洗浄部６５と、搬送装置７０と、搬出入ユニット８０と、制御部９０と、を備える。チップ供給装置１０は、基板ＷＣをダイシングし、ダイシングされた基板ＷＣからチップＣＰを取り出し、ボンディング装置３０へチップＣＰを供給する。ここで、ダイシングとは、複数の電子部品が作り込まれた基板ＷＣを縦方向および横方向に切削しチップ化する処理である。チップ供給装置１０は、図２に示すように、チップ供給部（部品供給部）１１とチップ移載部１３と供給チップ撮像部１５とを有する。
チップ供給部１１は、ボンディング装置３０へチップＣＰを供給する。チップ供給部１１は、ダイシングされた基板（ダイシング基板）ＷＣが貼着されたダイシングテープ（シート）ＴＥを保持するテープ保持部（シート保持部）１１２と、基板ＷＣを構成するチップＣＰを鉛直下方へ切り出す切出機構１１１と、を有する。また、チップ供給部１１は、テープ保持部１１２をＸＹ方向またはＺ軸周りに回転する方向へ駆動するテープ保持部駆動部１１３を有する。テープ保持部１１２は、ダイシングテープＴＥに貼着された基板ＷＣを、ダイシングテープＴＥが基板ＷＣの鉛直上方（＋Ｚ方向）側に位置する姿勢で保持する。即ち、テープ保持部１１２は、ダイシングテープＴＥにおける基板ＷＣが貼着された面が下向きの状態で、ダイシングテープＴＥを保持する。切出機構１１１は、ニードル１１１ａを有し、図２の矢印ＡＲ２に示すように、ダイシングテープＴＥにおける鉛直上方（＋Ｚ方向）からニードル１１１ａを鉛直下方（−Ｚ方向）へ突き出してチップＣＰを鉛直下方（−Ｚ方向）へ押し出すことによりチップを供給する。そして、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた基板ＷＣを構成する各チップＣＰは、チップ供給部１１のニードル１１１ａにより１個ずつ下方へ突き出され、チップ移載部１３に受け渡される。テープ保持部駆動部１１３は、テープ保持部１１２をＸＹ方向またはＺ軸周りに回転する方向へ駆動することにより、基板ＷＣの位置および姿勢を変化させる。
チップ移載部１３は、チップ供給部１１から受け渡されるチップＣＰを上下反転させるチップ反転部（部品反転部）１３１と、チップ反転部１３１から受け取ったチップＣＰをチップ搬送部３９へ受け渡すチップ受け渡し部（部品受け渡し部）１３２と、を有する。チップ反転部１３１は、チップ供給部１１から供給されるチップＣＰの上下を反転させる。チップ反転部１３１は、先端部に吸着部１３１１ａが設けられたＬ字状のアーム１３１１と、アーム１３１１を旋回させるアーム駆動部１３１２と、を有する。アーム１３１１の先端部は、吸着部１３１１ａの周囲に突設された突出部（図示せず）を有する。アーム１３１１の先端部は、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態でチップＣＰの上面側を保持する。そして、アーム１３１１の先端部では、突出部の先端部がチップＣＰの周部に当接した状態で、吸着部１３１１ａによりチップＣＰが吸着保持される。
チップ受け渡し部１３２は、チップ反転部１３１から上下反転したチップＣＰを受け取りチップ搬送部３９へ渡す。チップ受け渡し部１３２は、図２の矢印ＡＲ３に示すように、先端部（上端部）に吸着部１３１１ａを有し、上下方向に移動する。このチップ受け渡し部１３２は、その先端部がチップ反転部１３１のアーム１３１１の先端部が下向きの状態でアーム１３１１の先端部よりも下側となる待機位置で待機している。チップ受け渡し部１３２の位置は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向）において、チップ反転部１３１の吸着部１３１１ａが鉛直上方を向いた状態での吸着部１３１１ａの位置から距離Ｗ１だけずれている。なお、基板ＷＴやダイシング基板ＷＣの寸法によっては、チップ供給部１１とヘッド３３Ｈとの間のＸ軸方向の距離が、チップ反転部１３１とチップ搬送部３９とにより達成できるＸ軸方向の移動距離に比べて長い場合がある。この場合、チップ受け渡し部１３２は、Ｘ軸方向に移動して、チップ搬送部３９のプレート３９１の先端部にチップＣＰを受け渡す構成にしてもよい。これにより、ダイシング基板ＷＣの径がある程度長くても対応可能となる。
供給チップ撮像部１５は、チップ供給装置１０におけるチップ供給部１１の下方（−Ｚ方向）に配置されている。供給チップ撮像部１５は、チップ反転部１３１のアーム１３１１がその吸着部１３１１ａがＺ方向を向いた姿勢、即ち、供給チップ撮像部１５の光軸に吸着部１３１１ａが存在しない状態で、基板ＷＣを構成するチップＣＰを撮影する。
チップ反転部１３１は、アーム１３１１の先端部をチップ供給部１１側（上側）へ向けて、チップ供給部１１のニードル１１１ａが突き出したチップＣＰを吸着部１３１１ａにより吸着して受け取る。そして、チップ反転部１３１は、アーム１３１１の先端部にチップＣＰを吸着させた状態で、アーム駆動部１３１２によりアーム１３１１を旋回させてアーム１３１１の先端部を下側へ向ける。一方、チップ受け渡し部１３２は、待機位置から上方へ移動してアーム１３１１の先端部に吸着されているチップＣＰを受け取る。また、チップ反転部１３１は、チップＣＰをチップ受け渡し部１３２に受け渡した後、アーム１３１１を旋回させてアーム１３１１の先端部が上方を向いた状態にする。
ボンディング装置３０は、図３に示すように、ステージ（基板保持部）３１と、ヘッド３３Ｈを有するボンディング部３３と、ヘッド３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、第１撮像部３５ａ、３５ｂと、第２撮像部４１と、カメラＦ方向駆動部３６５と、カメラＺ方向駆動部３６３と、を有する。ボンディング部３３とヘッド駆動部３６とから、チップＣＰを基板ＷＴ上に載置するいわゆるチップマウンタが構成されている。また、ボンディング装置３０は、更に、チップ供給装置１０から供給されるチップＣＰをヘッド３３Ｈまで搬送するチップ搬送部（部品搬送部）３９を有する。ボンディング部３３は、図３に示すように、Ｚ軸方向移動部材３３１と、第１円盤部材３３２と、ピエゾアクチュエータ（部品姿勢調整部）３３３と、第２円盤部材３３４と、ミラー固定用部材３３６と、ミラー３３７と、ヘッド３３Ｈと、を有する。
Ｚ軸方向移動部材３３１の上端部には、第１円盤部材３３２が固定されている。また、第１円盤部材３３２の上側には、第２円盤部材３３４が配置されている。第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４とは、ピエゾアクチュエータ３３３を介して接続されている。さらに、第２円盤部材３３４の上面側には、ヘッド３３Ｈが固定されている。ヘッド３３Ｈは、チップＣＰを吸着して保持する。
ヘッド３３Ｈは、鉛直下方（−Ｚ方向）からチップＣＰを保持する。ヘッド３３Ｈは、チップツール４１１と、ヘッド本体部４１３とを有している。チップツール４１１は、撮影光（赤外光等）を透過する材料（例えばシリコン（Ｓｉ））から形成されている。また、ヘッド本体部４１３には、セラミックヒータやコイルヒータ等が内蔵されている。また、ヘッド本体部４１３には、撮影光を透過（通過）させるための中空部４１５，４１６が設けられている。各中空部４１５，４１６は、撮影光を透過する透過部分であり、ヘッド本体部４１３を鉛直方向（Ｚ軸方向）に貫通するように設けられている。また、各中空部４１５，４１６は、図４に示すように、上面視において楕円形状を有している。２つの中空部４１５，４１６は、上面視略正方形形状を有するヘッド本体部４１３の対角部分において、軸ＢＸを中心に点対称に配置されている。なお、撮影光を透過させるため、第２円盤部材３３４における中空部４１５、４１６に対応する部分にも孔部３３４ａ、３３４ｂが設けられている。
ピエゾアクチュエータ３３３は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。ピエゾアクチュエータ３３３は、図５Ａに示すように、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に３つ存在し、それぞれのＺ方向に伸縮可能となっている。そして、３つのピエゾアクチュエータ３３３それぞれの伸縮の程度を制御することにより、水平面に対する第２円盤部材３３４、ひいてはヘッド３３Ｈの傾き角度が調整される。そして、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの接合面ＣＰｆの基板ＷＴの実装面ＷＴｆとの間の距離と、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの接合面ＣＰｆの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きと、の少なくとも一方が調整される。なお、３本のピエゾアクチュエータ３３３は、第１撮像部３５ａ、３５ｂに関する照明光（反射光を含む）を遮らない位置（平面位置）に配置されている。
ミラー３３７は、ミラー固定用部材３３６を介して第１円盤部材３３２に固定され、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間の空隙に配置されている。ミラー３３７は、斜め下方向き４５度の傾斜角度を有する傾斜面３３７ａ、３３７ｂを有する。第１撮像部３５ａ、３５ｂからミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂへ入射した撮影光は、上方へ反射される。
ヘッド駆動部３６は、受け渡し位置Ｐｏｓ１（図２参照）において受け取ったチップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを実装する。より詳細には、ヘッド駆動部３６は、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを接触させて基板ＷＴに面接合させる。ここにおいて、後述するように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆとは、例えば親水化処理装置６０により親水化処理が施されている。従って、基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、基板ＷＴにチップＣＰが接合される。なお、チップＣＰの接合面ＣＰｆは、例えば平坦な金属電極が露出した面であってもよい。
ヘッド駆動部３６は、Ｚ方向駆動部３４と、回動部材３６１と、θ方向駆動部３７と、を有する。Ｚ方向駆動部３４は、サーボモータおよびボールネジ等を有している。Ｚ方向駆動部３４は、後述の回動部材３６１の下端側に設けられ、図２の矢印ＡＲ４に示すように、ボンディング部３３のＺ軸方向移動部材３３１をＺ軸方向へ駆動する。Ｚ方向駆動部３４が、Ｚ軸方向移動部材３３１をＺ方向に移動させると、それに伴い、ボンディング部３３の上端部に設けられたヘッド３３ＨがＺ方向に移動する。即ち、ヘッド３３Ｈは、Ｚ方向駆動部３４によりＺ方向に駆動される。
回動部材３６１は、円筒形状であり、図５Ｂに示すように内側の中空部の断面形状が八角形である。一方、Ｚ軸方向移動部材３３１は、断面形状が八角形である棒状部分を有し、回動部材３６１の内側に挿入されている。また、Ｚ軸方向移動部材３３１の８つの側面のうちの４つの側面と回動部材３６１の内面との間には、Ｚ軸方向移動部材３３１が回動部材３６１に対してＺ軸方向へ摺動するかたちで配置されたリニアガイド３８が設けられている。Ｚ軸方向移動部材３３１は、回動部材３６１が回転軸ＢＸ周りに回転すると、回動部材３６１と連動して回転する。即ち、ボンディング部３３と回動部材３６１とは、図２の矢印ＡＲ５に示すように、回転軸ＢＸ周りに連動して回転する。
θ方向駆動部３７は、サーボモータおよび減速機等を有し、図３に示すように、ボンディング装置３０内に設けられた固定部材３０１に固定されている。θ方向駆動部３７は、回動部材３６１を軸ＢＸ周りに回転可能に支持している。そして、θ方向駆動部３７は、制御部９０から入力される制御信号に応じて、回動部材３６１を回転軸ＢＸ周りに回転させる。
第１撮像部３５ａ、３５ｂは、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、チップＣＰの鉛直下方（−Ｚ方向）から、図４に示すようなチップＣＰのアライメントマーク（第１アライメントマーク）ＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを撮像する。第１撮像部３５ａは、図３に示すように、カメラＺ方向駆動部３６３およびカメラＦ方向駆動部３６５を介して回動部材３６１に固定されている。第１撮像部３５ｂも、カメラＺ方向駆動部３６３およびカメラＦ方向駆動部３６５を介して回動部材３６１に固定されている。これにより、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、回動部材３６１と共に回転する。ここで、前述のように、ミラー３３７は、Ｚ軸方向移動部材３３１に固定され、回動部材３６１とＺ軸方向移動部材３３１とは連動して回転する。従って、第１撮像部３５ａ，３５ｂとミラー３３７との相対的な位置関係は不変であるので、回動部材３６１の回転動作に関わらず、ミラー３３７により反射される撮影光が第１撮像部３５ａ，３５ｂに導かれる。
第１撮像部３５ａ、３５ｂは、それぞれチップＣＰに設けられた後述のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂの画像と、基板ＷＴに設けられた後述のアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの画像と、を含む画像データを取得する。制御部９０は、第１撮像部３５ａ、３５ｂにより取得された画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される面に平行な方向における各チップＣＰの基板ＷＴに対する相対位置を認識する。第１撮像部３５ａ，３５ｂは、それぞれ、イメージセンサ３５１ａ、３５１ｂと、光学系３５２ａ、３５２ｂと、同軸照明系（図示せず）と、を有する。第１撮像部３５ａ，３５ｂは、それぞれ、同軸照明系の光源（図示せず）から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光に関する画像データを取得する。なお、第１撮像部３５ａ，３５ｂの同軸照明系から水平方向に出射された照明光は、ミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂで反射されその進行方向が鉛直上方に変更される。そして、ミラー３３７で反射された光は、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰとチップＣＰに対向配置された基板ＷＴとを含む撮影対象部分に向けて進行し各撮影対象部分で反射される。ここで、チップＣＰの撮像対象部分には、後述のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられており、基板ＷＴの撮像対象部分には、後述のアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂが設けられている。チップＣＰおよび基板ＷＴそれぞれの撮影対象部分からの反射光は、鉛直下方へ進行した後、ミラー３３７の傾斜面３３７ａ、３３７ｂで再び反射されその進行方向が水平方向に変更されて、第１撮像部３５ａ，３５ｂへと到達する。このようにして、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、チップＣＰおよび基板ＷＴそれぞれの撮影対象部分の画像データを取得する。
ここにおいて、ヘッド３３Ｈの中空部４１５、４１６は、回動部材３６１の回転に連動して軸ＢＸ周りに回転する。例えば、図４に示すように、正方形形状を有するチップＣＰの中心を挟んで対向する角部それぞれにアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂが設けられているとする。この場合、第１撮像部３５ａ，３５ｂがチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられた２つの角部を結ぶ対角線上に位置するときに、第１撮像部３５ａ、３５ｂが中空部４１５、４１６を通じてアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂの撮像データを取得することができる。
カメラＦ方向駆動部３６５は、図３の矢印ＡＲ８に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂをフォーカス方向に駆動することにより、第１撮像部３５ａ，３５ｂの焦点位置を調整する。
カメラＺ方向駆動部３６３は、図３の矢印ＡＲ９に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂをＺ軸方向に駆動する。ここで、カメラＺ方向駆動部３６３は、通常、Ｚ軸方向移動部材３３１のＺ軸方向の移動量と、第１撮像部３５ａ，３５ｂのＺ軸方向の移動量とが同一となるように、第１撮像部３５ａ、３５ｂを移動させる。このようにして、ヘッド３３ＨのＺ軸方向への移動時において、第１撮像部３５ａ，３５ｂの撮影対象部分が移動前後で変わらないようにしている。但し、カメラＺ方向駆動部３６３は、第１撮像部３５ａ、３５ｂのＺ軸方向の移動量がＺ軸方向移動部材３３１のＺ軸方向の移動量と異なるように、第１撮像部３５ａ，３５ｂを移動させる場合がある。この場合、第１撮像部３５ａ，３５ｂとミラー３３７とのＺ方向における相対位置がそれぞれ変化するため、第１撮像部３５ａ，３５ｂによるチップＣＰおよび基板ＷＴにおける撮影対象部分が変更される。
ステージ３１は、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面ＷＴｆが鉛直下方（−Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。ステージ３１は、Ｘ方向、Ｙ方向および回転方向に移動できる。これにより、ボンディング部３３とステージ３１との相対位置関係を変更することができ、基板ＷＴ上における各チップＣＰの実装位置を調整することができる。ステージ３１は、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、Ｘ方向移動部３１１とＹ方向移動部３１３と基板載置部３１５とＸ方向駆動部３２１とＹ方向駆動部３２３とを有する。Ｘ方向移動部３１１は、２つのＸ方向駆動部３２１を介してボンディング装置３０のベース部材３０２に固定されている。２つのＸ方向駆動部３２１は、それぞれＸ方向に延在しＹ方向に離間して配置されている。Ｘ方向駆動部３２１は、リニアモータおよびスライドレールを有し、Ｘ方向移動部３１１を固定部材３０１に対してＸ方向に移動させる。
Ｙ方向移動部３１３は、Ｘ方向移動部３１１の下方（−Ｚ方向）に、２つのＹ方向駆動部３２３を介して配置されている。２つのＹ方向駆動部３２３は、それぞれＹ方向に延在しＸ方向に離間して配置されている。Ｙ方向駆動部３２３は、リニアモータおよびスライドレールを有し、Ｙ方向移動部３１３をＸ方向移動部３１１に対してＹ方向に移動させる。基板載置部３１５は、Ｙ方向移動部３１３に固定されている。基板載置部３１５は、Ｘ方向駆動部３２１およびＹ方向駆動部３２３の移動に応じて、Ｘ方向およびＹ方向に移動する。また、Ｘ方向移動部３１１の中央部には、平面視矩形状の開口部３１２が設けられ、Ｙ方向移動部３１３の中央部にも、平面視矩形状の開口部３１４が設けられている。基板載置部３１５の中央部には、平面視円形の開口部３１６が設けられている。そして、これらの開口部３１２，３１４，３１６を通じて基板ＷＴ上のマークを赤外透過カメラ４１により認識する。また、赤外線照射部（図示せず）を配置することで基板ＷＴに赤外線を照射して基板ＷＴを加熱することもできる。
チップ搬送部（ターレットとも称する）３９は、チップ供給部１１から供給されるチップＣＰを、ヘッド３３ＨにチップＣＰを受け渡す受け渡し位置Ｐｏｓ１まで搬送する。チップ搬送部３９は、図１に示すように、偶数枚（図１では４つ）のプレート３９１と、複数のプレート３９１を一斉に回転駆動するプレート駆動部３９２と、を有する。偶数枚のプレート３９１は、図２に示すように、それぞれ一端部にチップＣＰを保持するチップ保持部（部品保持部）３９１ａが設けられ、チップ供給部１１とヘッド３３Ｈとの間に位置する他端部（軸ＢＸ）を基点として一端部が旋回する。各プレート３９１は、薄板形状を有しており、例えば数ｍｍ程度（好ましくは１ｍｍ〜２ｍｍ程度以下）の厚さを有している。また、複数のプレート３９１は、平面視において、軸ＡＸを中心に等間隔で配置される。なお、プレート３９１の数は、４枚に限定されるものではなく、６以上の偶数個であってもよい。プレート３９１の先端部には、チップＣＰを吸着保持するチップ保持部３９１ａが設けられている。そして、チップ受け渡し部１３２とボンディング部３３のヘッド３３Ｈとは、Ｚ軸方向において、プレート３９１が回転したときにチップ保持部３９１ａが描く軌跡ＯＢ１と重なる位置に配置されている。チップ搬送部３９は、チップ受け渡し部１３２からチップＣＰを受け取ると、図１の矢印ＡＲ１に示すように、中心軸ＡＸ周りの回転動作によってチップＣＰをボンディング装置３０内のヘッド３３Ｈと重なる受け渡し位置Ｐｏｓ１まで搬送する。ところで、図２に示すように、チップ受け渡し部１３２の位置は、Ｘ軸方向において、チップ反転部１３１がチップ供給部１１からチップＣＰを受け取る位置から距離Ｗ１だけずれている。これにより、チップ受け渡し部１３２がチップ反転部１３１からチップＣＰを受け取る位置が、チップ反転部１３１がチップ供給部１１からチップＣＰを受け取る位置よりも軸ＡＸ側（−Ｘ方向）に距離Ｗ１だけずれている。従って、プレート３９１の長さを長さＷ１だけ短くすることができるので、チップ搬送部３９の小型化を図ることができる。
また、チップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａは、図７に示すように、吸着部３９１ｂと吸着部３９１ｂの周囲に突設された突出部３９１ｃとを有する。チップ保持部３９１ａは、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態でチップＣＰの上面側を保持する。ここにおいて、チップＣＰは、直方体状であり、基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆの外周部に形成された切欠部ＣＰｋを有する。チップ保持部３９１ａの突出部３９１ｃの突出量ＨＴは、切欠部ＣＰｋの接合面ＣＰｆに直交する方向（Ｚ軸方向）における高さＨＣよりも大きい。そして、チップ保持部３９１ａは、突出部３９１ｃの先端部を切欠部ＣＰｋの下端部分に当接させた状態で、吸着部３９１ｂによりチップＣＰを吸着することにより、チップＣＰを保持する。このとき、前述のように、チップＣＰの切欠部ＣＰｋのＺ軸方向の高さＨＣは、突出部３９１ｃのＺ軸方向の高さＨＴより低いため、チップ搬送部３９は、チップＣＰの接合面ＣＰｆをプレート３９１に接触させない状態でチップＣＰを搬送することができる。
第２撮像部４１は、図２および図３に示すように、ステージ３１の上方に配置されている。そして、第２撮像部４１は、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、後述の基板ＷＴのアライメントマーク（第２アライメントマーク）ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する、これにより、第２撮像部４１は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの画像を含む画像データを取得する。制御部９０は、第２撮像部４１により取得された画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される面に平行な方向におけるチップＣＰの実装位置のヘッド３３Ｈに対する相対位置を認識する。第２撮像部４１は、イメージセンサ４１８と、光学系４１９と、同軸照明系（図示せず）と、を有する。第２撮像部４１は、同軸照明系の光源（図示せず）から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光に関する画像データを取得する。
カバー５０は、チップ供給装置１０およびボンディング装置３０内において、ヘッド駆動部３６およびチップ搬送部３９が配置される空間と、チップ供給部１１およびステージ３１が配置される空間と、を仕切るように配置されている。これにより、チップ供給部１１またはステージ３１で発生したパーティクルのヘッド駆動部３６またはチップ搬送部３９への堆積が抑制される。
親水化処理装置６０は、基板ＷＴの実装面を親水化する親水化処理を行う。親水化処理装置６０は、例えばチャンバ（図示せず）、チャンバ内で基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）、高周波を発生するマグネトロン（図示せず）、ステージにバイアスを印加する高周波電源（図示せず）等を有する。また、親水化処理装置６０は、チャンバに接続されチャンバ内を減圧する真空ポンプ（図示せず）を有する。親水化処理装置６０は、減圧下でステージに保持された基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対して反応性イオンエッチングやＮ２またはＯ２ラジカルの照射を行うことにより基板ＷＴの実装面ＷＴｆを活性化させる親水化処理を実行する。水洗浄部６５は、スピンコーター等の水洗浄装置を備える。そして、水洗浄部６５は、搬送されてきた基板ＷＴに対して水洗浄工程を行うことにより、基板ＷＴに付着したパーティクルの除去を行うとともに、基板ＷＴの実装面ＷＴｆへ水を付着させる。
搬送装置７０は、搬送ロボット７１を用いて、搬出入ユニット８０とボンディング装置３０と親水化処理装置６０との相互間で基板ＷＴを搬送する。搬送装置７０は、まず、搬出入ユニット８０から親水化処理装置６０内へ基板ＷＴを搬送する。そして、搬送装置７０は、親水化処理装置６０において親水化処理された基板ＷＴを、親水化処理装置６０からボンディング装置３０内へ搬送する。なお、搬送ロボット７１は、親水化処理装置６０から受け取った基板ＷＴについて適宜その上下を反転させてからボンディング装置３０内へ搬送する。
なお、親水化処理装置６０も、基板ＷＴの接合面を鉛直下方に向けて配置して親水化処理を行うようにし、処理中において基板ＷＴの接合面が常に鉛直下方を向くようにハンドリングすることにより基板ＷＴの接合面へのパーティクルの付着を抑制できる。この場合、親水化処理装置６０として、例えば基板ＷＴの鉛直下方から基板ＷＴの接合面へ粒子ビームを照射して基板ＷＴの接合面を活性化する粒子ビーム照射部が基板ＷＴの鉛直下方に設けられた構成を採用することが有効である。また、親水化処理装置６０としては、この粒子ビーム照射部を備える構成が例えばプラズマ源を備える構成に比べて好適である。例えば接合面に絶縁層と電極が混在して露出するハイブリッドな基板の接合面を活性化する場合、ダイシングテープＴＥに張られた基板ＷＣの接合面を活性化する場合を想定する。この場合、プラズマ源を備える親水化処理装置であれば、絶縁層に含まれる酸化物やダイシングテープＴＥを形成する樹脂等から生じる不純物イオンがプラズマ電解にひかれて基板ＷＴ、ＷＣの接合面に再付着してしまう。これに対して、粒子ビーム照射部を備える親水化処理装置６０の場合、基板ＷＴ、ＷＣの接合面へ粒子ビームを照射することにより基板ＷＴ、ＷＣの接合面に付着した不純物が飛散していくため基板ＷＴ、ＷＣの接合面を斑無く活性化できるという利点がある。
制御部９０は、図８に示すように、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）９０１と、主記憶部９０２と、補助記憶部９０３と、インタフェース９０４と、各部を接続するバス９０５と、を有する。主記憶部９０２は、揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ９０１の作業領域として使用される。補助記憶部９０３は、不揮発性メモリから構成され、ＭＰＵ９０１が実行するプログラムを記憶する。また、補助記憶部９０３は、後述するチップ搬送部３９のプレート３９１の回転角度を示す情報も記憶する。インタフェース９０４は、供給チップ撮像部１５、第１撮像部３５ａ、３５ｂ、第２撮像部４１から入力される撮影画像信号を撮影画像情報に変換してバス９０５へ出力する。また、ＭＰＵ９０１は、補助記憶部９０３が記憶するプログラムを主記憶部９０２に読み込んで実行することにより、インタフェース９０４を介して、Ｚ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７、ピエゾアクチュエータ３３３、Ｘ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３、プレート駆動部３９２、吸着部３９１ｂ、チップ反転部１３１、チップ受け渡し部１３２、切出機構１１１、テープ保持部駆動部１１３、搬送ロボット７１それぞれへ制御信号を出力する。
制御部９０は、基板ＷＴとチップＣＰとが接触した状態で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像して得られる画像から、基板ＷＴとチップＣＰとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するチップＣＰの位置および姿勢を補正させる。また、制御部９０は、基板ＷＣにおけるチップ反転部１３１へ渡すチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させる。ここで、制御部９０は、前述の供給チップ撮像部１５から入力される画像データに基づいて、チップＣＰの姿勢を認識する。
次に、本実施の形態に係るチップ実装システムが実行する部品実装処理について図９乃至図１４を参照しながら説明する。この部品実装処理は、制御部９０により部品実装処理を実行するためのプログラムを起動されたことを契機として開始される。なお、図９においては、チップ供給部１１のテープ保持部１１２が、ダイシングテープＴＥにおけるダイシング基板ＷＣが貼り付けられた面が下向きの状態で、ダイシングテープＴＥを保持しているものとする。また、ダイシング基板ＷＣを構成する各チップＣＰの基板ＷＴに実装される面側は、親水化処理装置６０または他の装置において既に親水化処理が施されているものとする。
更に、ボンディング装置３０は、親水化処理装置６０において親水化処理され搬送装置７０によりボンディング装置３０内へ搬送されてきた基板ＷＴをステージ３１が保持しているものとする。ステージ３１は、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する（基板保持ステップ）。また、図１０Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１Ａの先端部がヘッド３３Ｈに重なり、プレート３９１Ｃの先端部がチップ受け渡し部１３２と重なっている第１状態にあるとする。この第１状態では、偶数個のプレート３９１のいずれか１つの一端部が鉛直方向（Ｚ軸方向）においてヘッド３３Ｈと重複している。ここで、プレート３９１ＡはチップＣＰを保持し、プレート３９１ＣはチップＣＰを保持していないものとする。
また、チップ実装システム１は、ステージ３１を移動させて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装位置と、ヘッド３３Ｈと、を対向させているものとする。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、第２撮像部４１により撮影された基板ＷＴのアライメントマークを含む画像データに基づいて、基板ＷＴにおけるチップＣＰを実装する位置を認識する。そして、認識したチップＣＰの実装位置に基づいて、ステージ３１の基板載置部３１５をＸ方向またはＹ方向へ移動させて、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される部分とヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰとを対向させる。
まず、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９が第１状態にある場合、図９に示すように、プレート３９１Ａが保持するチップＣＰをヘッド３３Ｈへ渡す（ステップＳ１）。ここにおいて、チップ実装システム１は、図１０Ｂに示すように、ヘッド３３Ｈをプレート３９１Ａに近づけた状態で、プレート３９１Ａのチップ保持部３９１ａの吸着部３９１ｂによる吸着を停止するとともにヘッド３３ＨにチップＣＰを吸着させることにより、プレート３９１Ａからヘッド３３ＨへチップＣＰを渡す。このとき、ヘッド３３Ｈは、鉛直下方からチップＣＰを保持する（部品保持ステップ）。
同時に、チップ実装システム１は、図９に示すように、チップ受け渡し部１３２が保持するチップＣＰをチップ搬送部３９のプレート３９１Ｃへ渡す（ステップＳ２）。ここにおいて、チップ実装システムは、図１０Ｂの矢印ＡＲ１１に示すように、チップＣＰを保持したチップ受け渡し部１３２を待機位置から上昇させることにより、プレート３９１Ｃのチップ保持部３９１ａへチップＣＰを渡し、再びチップ受け渡し部１３２を待機位置へ下降させる。
同時に、チップ実装システム１は、供給チップ撮像部１５により撮影して得られた画像データに基づいて、基板ＷＣにおけるチップ反転部１３１へ渡すチップＣＰの位置および姿勢を認識する。そして、チップ実装システム１は、認識したチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させるアライメント動作を実行する（ステップＳ３）。
次に、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させる（ステップＳ４）。これにより、チップ搬送部３９は、図１１Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１とヘッド３３Ｈおよびチップ受け渡し部１３２と重ならない第２状態になる。この第２状態では、偶数個のプレート３９１の一端部が鉛直方向（Ｚ軸方向）においてヘッド３３Ｈと重複しない。なお、角度θ１は、プレート３９１が４つの場合は２２．５度に設定される。即ち、プレート３９１の数をＮ（Ｎは正の整数）個とすると、角度θ１は（１８０／Ｎ）度に設定される。
また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１へチップＣＰを渡す（部品供給ステップ）（ステップＳ５）。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、チップ反転部１３１の吸着部１３１１ａをチップＣＰの受け取り位置に移動させる。続いて、チップ実装システム１は、チップ供給部１１の切出機構１１１にニードル１１１ａでチップＣＰを下方へ押し出させ、チップ反転部１３１のアーム１３１１をダイシングテープＴＥに近づけて押し出されたチップＣＰをアーム１３１１へ渡す。
つまり、チップ搬送部３９の第１状態において、ヘッド駆動部３６によるヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの基板ＷＴへの実装と、チップ供給部１１からチップ反転部１３１へのチップＣＰの供給と、チップ受け渡し部１３２からチップ搬送部３９へのチップＣＰの受け渡しと、が同時に実行される。
また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、ヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰのアライメントを開始する（ステップＳ６）。ここにおいて、チップ実装システム１は、まず、図１１Ｂの矢印ＡＲ１２に示すように、ヘッド３３Ｈを上昇させて、ヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰを基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装位置に近づける。チップＣＰには、例えば図１２Ａに示すようなアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが設けられており、基板ＷＴのチップＣＰが実装される位置には、例えば図１２Ｂに示すようなアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂが設けられている。そして、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのチップＣＰが実装位置に設けられたアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂと、を用いて、チップＣＰと基板ＷＴとのアライメント動作を実行する。チップ実装システム１は、このアライメント動作を、例えばヘッド３３Ｈを上昇させている間に実行する。チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとを例えば数十μｍ乃至数μｍの距離まで互いに近づけた状態で、アライメント動作を実行する。
このとき、図１３に示すように、第１撮像部３５ａから出射されミラー３３７で反射されてヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過した光の一部は、チップツール４１１とチップＣＰとを透過する。チップＣＰを透過した光の一部は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａが設けられた部分で反射される。また、ヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過した光の残りの一部は、チップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ａが設けられた部分で反射される。基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａが設けられた部分またはチップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ａが設けられた部分で反射された光は、チップツール４１１を透過してヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過する。そして、ヘッド３３Ｈの中空部４１５を通過したこれらの光は、ミラー３３７で反射されて第１撮像部３５ａの撮像素子へ入射する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＣ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、チップ実装システム１は、図１２Ｃに示すように、画像データＧａに基づいてチップＣＰと基板ＷＴとに設けられた１組のアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ２ａの位置を認識し、この１組のアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。ここで、チップ実装システム１は、同一の第１撮像部３５ａにより、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａとの組を、フォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時認識する。
また、第１撮像部３５ｂから出射されミラー３３７で反射されてヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過した光の一部も、チップツール４１１とチップＣＰとを透過する。チップＣＰを透過した光の一部は、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂが設けられた部分で反射される。また、ヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過した光の残りの一部は、チップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ｂが設けられた部分で反射される。基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂが設けられた部分またはチップＣＰにおけるアライメントマークＭＣ１ｂが設けられた部分で反射された光は、チップツール４１１を透過してヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過する。そして、ヘッド３３Ｈの中空部４１６を通過したこれらの光は、ミラー３３７で反射されて撮像部３５ｂの撮像素子へ入射する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰに設けられたアライメントマークＭＣ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＣ２ｂの画像とを含む画像データＧｂを取得する。そして、チップ実装システム１は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてチップＣＰと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの位置を認識し、この１組のマークＭＣ１ｂ，ＭＣ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。ここで、チップ実装システム１は、同一の第１撮像部３５ｂにより、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ｂとの組を、フォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時認識する。このようにして、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとの位置ずれを高精度に認識できる。
次に、チップ実装システム１は、これら２組のアライメントＭＣ１ａ、ＭＣ２ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂに基づいて、Ｘ方向、Ｙ方向および軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。ここで、Δｘは、Ｘ方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示し、Δｙは、Ｙ方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示す。また、Δθは、軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量を示す。
その後、チップ実装システム１は、算出した相対的な位置ずれ量が低減されるように、ステージ３１をＸ方向およびＹ方向に駆動するとともに、ボンディング部３３を軸ＢＸ周りに回転させる。このようにして、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれを補正するアライメント動作を実行する。
図９に戻って、次に、チップ実装システム１は、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈを更に上昇させることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する（部品実装ステップ）（ステップＳ７）。より詳細には、チップ実装システム１は、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰを接触させチップＣＰを基板ＷＴに面接合させる。前述のように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆとは、例えば親水化処理装置６０により親水化処理が施されている。従って、基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、基板ＷＴにチップＣＰが接合される。その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１５に示すように、ヘッド３３Ｈを下降させてヘッド３３Ｈを待機位置へ戻す（ステップＳ８）。
また、チップ実装システム１は、ステップＳ５、Ｓ６の一連の処理を実行すると同時に、図１１Ｂの矢印ＡＲ１３に示すように、チップ反転部１３１にアーム１３１１を旋回させることによりチップＣＰの上下を反転させる（ステップＳ９）。
続いて、チップ実装システム１は、チップ反転部１３１のアーム１３１１からチップ受け渡し部１３２へチップＣＰを渡す（ステップＳ１０）。ここにおいて、チップ実装システム１は、図１１Ｂの矢印ＡＲ１４に示すように、チップ受け渡し部１３２を待機位置から上昇させることにより、アーム１３１１からチップ受け渡し部１３２へチップＣＰを渡す。その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１６に示すように、再びチップ受け渡し部１３２を待機位置へ下降させる。
その後、チップ実装システム１は、図１４の矢印ＡＲ１７に示すように、チップ反転部１３１のアーム１３１１を上方へ旋回させることにより、アーム１３１１を待機位置へ戻す（ステップＳ１１）。
つまり、チップ搬送部３９の第２状態において、ヘッド駆動部３６による基板ＷＴへのチップＣＰの実装と、チップ反転部１３１によるチップＣＰの反転と、チップ受け渡し部１３２によるチップ反転部１３１からのチップＣＰの受け取りと、が実行される。
図９に戻って、次に、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させる（ステップＳ１２）。これにより、チップ搬送部３９は、再び図１０Ａに示すように、Ｚ軸方向において、プレート３９１Ａの先端部がヘッド３３Ｈに重なり、プレート３９１Ｃの先端部がチップ受け渡し部１３２と重なっている第１状態になる。
続いて、チップ実装システム１は、前述のステップＳ１と同様にして、プレート３９１Ｂが保持するチップＣＰをヘッド３３Ｈへ渡す（ステップＳ１３）。同時に、チップ実装システム１は、前述のステップＳ２と同様にして、チップ受け渡し部１３２が保持するチップＣＰをチップ搬送部３９のプレート３９１Ｄへ渡す（ステップＳ１４）。更に、チップ実装システム１は、前述のステップＳ３と同様にして、基板ＷＣにおけるチップＣＰの位置および姿勢に応じて、テープ保持部駆動部１１３に、テープ保持部１１２の位置およびＺ軸周りの傾きを補正させるアライメント動作を実行する（ステップＳ１５）。その後、チップ実装システム１は、チップ搬送部３９のプレート３９１を予め設定された角度θ１だけ回転させるとともに（ステップＳ１６）、前述のステップＳ３と同様にして、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１へチップＣＰを渡す（ステップＳ１７）。また、チップ実装システム１は、プレート３９１を回転させるときに、前述のステップＳ６と同様にして、ヘッド３３Ｈが保持するチップＣＰのアライメントを開始する（ステップＳ１８）。これにより、チップ搬送部３９は、Ｚ軸方向において、プレート３９１とヘッド３３Ｈおよびチップ受け渡し部１３２と重ならない第２状態になる。以後、チップ実装システム１は、ステップＳ７乃至ステップＳ１８の処理を繰り返し実行する。
以上説明したように、本実施の形態に係るチップ実装システム１によれば、ステージ３１が、基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。また、ヘッド駆動部３６が、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面にチップＣＰを実装する。これにより、基板ＷＴの実装面へのパーティクルの付着を低減することができるので、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良の発生を抑制できる。従って、チップＣＰを基板ＷＴに実装してなる製品について、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。
また、本実施の形態に係るテープ保持部１１２は、枠状であり、ダイシングテープＴＥに貼着された基板ＷＣを、ダイシングシートＴＥが基板ＷＣの鉛直上方に位置する姿勢で保持する。これにより、基板ＷＣを構成する各チップＣＰの基板ＷＴに実装される面側へのパーティクルの付着を抑制することができる。また、切出機構１１１が、基板ＷＣを構成する各チップＣＰを、ダイシングテープＴＥシートにおける鉛直上方側からニードル１１１ａを鉛直下方側へ突き出してチップＣＰを鉛直下方へ突き出すことによりチップＣＰを供給する。これにより、チップ供給部１１の構成の簡素化を図ることができる。
更に、本実施の形態に係るチップ搬送部３９は、チップ保持部３９１ａによりチップＣＰの周部ＣＰｓを、チップＣＰにおける基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆ側を鉛直上方（＋Ｚ方向）に向けた状態で保持した状態でチップＣＰを搬送する。ここにおいて、チップＣＰは、直方体状であり、基板ＷＴに接合される接合面ＣＰｆの外周部に形成された切欠部ＣＰｋを有する。また、チップ保持部３９１ａは、図７に示すように、吸着部３９１ｂと吸着部３９１ｂの周囲に突設された突出部３９１ｃとを有し、突出部３９１ｃの突出量ＨＴが、切欠部ＣＰｋの接合面ＣＰｆに直交する方向（Ｚ軸方向）における高さＨＣよりも大きい。そして、チップ保持部３９１ａは、突出部３９１ｃの先端部を切欠部ＣＰｋの下端部分に当接させた状態で、吸着部３９１ｂによりチップＣＰを吸着することにより、チップＣＰを保持する。これにより、これにより、チップＣＰの搬送時におけるチップＣＰの接合面ＣＰｆの損傷を抑制することができるので、チップＣＰと基板ＷＴとの接合不良の発生を低減できる。
また、本実施の形態に係るチップ実装システム１では、チップ搬送部３９の第１状態において、ヘッド３３Ｈによるチップ搬送部３９からのチップＣＰの受け取りと、チップ供給部１１からチップ反転部１３１へのチップＣＰの供給と、チップ受け渡し部１３２からチップ搬送部３９へのチップＣＰの受け渡しと、が実行される。また、チップ搬送部３９の第２状態において、ヘッド駆動部３６による基板ＷＴへのチップＣＰの実装と、チップ反転部１３１によるチップＣＰの反転と、チップ受け渡し部１３２によるチップ反転部１３１からのチップＣＰの受け取りと、が実行される。これにより、これらの各動作が順番に実行される場合に比べて、基板ＷＴへのチップＣＰの実装を開始してから、基板ＷＴに実装すべき全てのチップＣＰの基板ＷＴへの実装が完了するまでの間の時間を短縮することができる。従って、チップＣＰが実装された基板ＷＴの製造におけるスループットが向上する。
更に、本実施の形態に係るチップ実装システム１では、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、チップＣＰの鉛直下方（−Ｚ方向）から、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを撮像する。また、第２撮像部４１は、チップＣＰが基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する。これにより、チップ実装システム１は、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを精度良く認識することができるので、基板ＷＴに対するチップＣＰのアライメント精度が向上するという利点がある。
また、本実施の形態に係る制御部９０は、基板ＷＴとチップＣＰとが接触した状態で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像して得られた画像データから、基板ＷＴとチップＣＰとの相対位置誤差を測定する。そして、制御部９０は、測定した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６に基板ＷＴにおけるチップＣＰを実装する位置の補正を実行させる。これにより、チップ実装システム１は、基板ＷＴに対するチップＣＰのアライメントを精度良く実行できる。
更に、本実施の形態に係るチップ実装システムでは、ヘッド駆動部３６が、チップＣＰを保持したヘッド３３Ｈをステージ３１に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆを接触させることにより、チップＣＰを基板ＷＴに面接合させる。より詳細には、ヘッド駆動部３６は、親水化処理装置６０により親水化処理された基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面を接触させて、チップＣＰを基板ＷＴに接合させる。
また、従来は突起電極であるバンプで接合することが主流であったため、バンプの隙間にパーティクルが落ちても大した接合上の問題にはならなかった。但し、近年、電極表面と絶縁層表面と同一の接合面内に存在するチップと基板との面接合を行うハイブリッドボンディングと呼ばれる基板接合手法が用いられ始めた。この基板接合方法では、親水化処理されたチップの接合面と基板の実装面とを直接接合するため、基板の実装面上に存在するパーティクルの接合に与える影響が大きい。例えば、粒径１μｍ程度のパーティクルが基板上に１つでも存在するとその周囲の直径数ｍｍ程度の範囲でボイドが生じてしまう。基板同士の接合の場合、パーティクル密度が管理された環境で基板同士を接合する量産技術が確立されている。但し、チップの歩留まり改善の観点からすれば、良品チップを選別して実装するいわゆるＣＯＷ(チップ・オン・ウエハ)方式のチップ実装システムのほうが有利である。これに対して、本実施の形態に係るチップ実装システム１によれば、前述のように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆへのパーティクルの付着を抑制するパーティクル対策がなされている。これにより、チップＣＰの基板ＷＴへの実装において親水化処理接合を採用することが可能となった。
（実施の形態２）
本実施の形態に係る樹脂成形装置は、紫外線硬化樹脂からなる樹脂が載置された型部材（以下、「モールド」と称する。）を基板に押し付けた状態で紫外線を照射して樹脂部を硬化させるシステムである。この樹脂成形装置を使用することにより、基板上に樹脂から形成された微細な構造を作製することができる。
樹脂部は、光硬化性の樹脂からなる。光硬化性の樹脂としては、例えば重合性化合物を少なくとも１種含有する光ラジカル硬化性樹脂がある。光ラジカル硬化性樹脂としては、例えば紫外線の照射で速やかにラジカル重合して硬化するアクリレート類、メタクリレート類、ビニルエステル類、ビニルアミド類等を含む液状モノマーに光ラジカル開始剤を混合したものを用いることができる。また、光硬化性の樹脂としては、芳香族カルボニル化合物、ケトン類やフォスフィンオキサイド類等の硬化剤が添加されたものであってもよい。また、基板は、例えば紫外線に対して透明なガラス基板やサファイヤ基板が採用される。
図１５に示すように、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、ステージ（基板保持部）２０３１と、ヘッド２０３３Ｈを有するボンディング部２０３３と、ヘッド２０３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、撮像部２０４１と、距離測定部５１１と、ディスペンサ（樹脂吐出部）５２と、紫外線照射部（樹脂硬化部）５３と、支持部５５と、カバー２０５０と、制御部２０９０と、を備える。なお、図１５において実施の形態１と同様の構成については図２と同一の符号を付している。ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する形成面ＷＴｆが鉛直下方（−Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。
ヘッド駆動部３６は、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置Ｐｏｓ２に対向させてからヘッド２０３３Ｈを鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させることにより、ヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方（−Ｚ方向）からモールドＭを押し付ける。撮像部２０４１は、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させた状態で、モールドＭの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、後述のモールドＭのアライメントマーク（第３アライメントマーク）ＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、後述の基板ＷＴのアライメントマーク（第４アライメントマーク）ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を撮像する。
ボンディング部２０３３は、図１６に示すように、Ｚ軸方向移動部材３３１と、第１円盤部材３３２と、ピエゾアクチュエータ（モールド姿勢調整部）３３３と、第２円盤部材３３４と、ヘッド２０３３Ｈと、を有する。なお、図１６において、実施の形態１と同様の構成については図３と同一の符号を付している。ヘッド２０３３Ｈは、鉛直下方（−Ｚ方向）からモールドＭを吸着保持している。ヘッド２０３３Ｈは、チップツール４１１と、ヘッド本体部２４１３とを有している。ヘッド本体部２４１３には、実施の形態１で説明したような中空部が設けられていない。ピエゾアクチュエータ３３３は、３つ存在し、制御部２０９０から入力される制御信号に応じて各別に動作する。これらのピエゾアクチュエータ３３３は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭの姿勢を調整する。
モールドＭは、複数の凹部ＭＴが形成され、ヘッド２０３３Ｈに吸着保持された状態で基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される面に対向する平坦面ＭＦを有する型部材である。モールドＭは、金属、ガラスまたはセラミックス等から形成されている。また、モールドＭの周部には、段部ＭＳが形成されており、レーザ光が反射可能な鏡面状態のＭＦ及びＭＳ面を有する。
ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される形成面ＷＴｆが鉛直下方（−Ｚ方向）を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。ステージ２０３１は、Ｘ方向およびＹ方向に移動できる。これにより、ボンディング部２０３３とステージ２０３１との相対位置関係を変更することができ、基板ＷＴ上における各樹脂部Ｒの形成位置を調整することができる。ステージ２０３１は、周部にディスペンサ５２のノズル５２２を挿通させるための貫通孔２０３１ａが設けられた基板載置部２３１５を有する。
ディスペンサ５２は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに紫外線硬化樹脂を吐出することにより樹脂部Ｒを形成する。ディスペンサ５２は、本体部５２０と、本体部５２０を駆動するディスペンサ駆動部５２１と、本体部５２０から下方へ突出するノズル５２２と、ノズル５２２から吐出される樹脂の吐出量を制御する吐出制御部５２３と、を有する。本体部５２０は、樹脂を貯留する樹脂貯留部（図示せず）に供給管（図示せず）を介して接続されており、樹脂貯留部から供給される樹脂がノズル５２２から吐出される。吐出制御部５２３は、制御部２０９０から入力される制御信号に基づいて、ノズル５２２から吐出される樹脂の吐出量を制御する。本体部５２０は、Ｚ軸方向（図１５の矢印ＡＲ６参照）に移動可能である。ここで、樹脂成形装置２は、まず、Ｚ軸方向においてノズル５２２とステージ２０３１の貫通孔２０３１ａとが重なるようにステージ２０３１をＸ軸方向へ移動させる。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を、ノズル５２２を鉛直下方（−Ｚ方向）へ移動させる。これにより、ディスペンサ５２は、モールドＭの凹部ＭＴへ樹脂を吐出し、モールドＭに樹脂を載置する準備が完了した吐出準備完了状態となる。その後、樹脂成形装置２は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。そして、樹脂成形装置２は、吐出制御部５２３により、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させ、ディスペンサ５２を待機状態にする。
距離測定部５１１は、レーザ光を用いて、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される形成面ＷＴｆと、モールドＭの基板ＷＴに対向して配置された平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。そして、ヘッド駆動部３６は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭを保持するヘッド２０３３Ｈを、基板ＷＴを保持するステージ２０３１に近づける。また、距離測定部５１１は、モールドＭの平坦面ＭＦにおける３箇所において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。なお、距離測定は、３箇所に限らず３箇所以上であれば、形成面ＷＴｆと平坦面ＭＦとの間の距離と、形成面ＷＴｆに対する平坦面ＭＦの平行度と、を測定することができる。また、形成面ＷＴｆに対する平坦面ＭＦの平行度を調整するための３箇所以上の測定は、必要に応じて適時実行するようにしてもよい。そして、モールドＭＦを基板ＷＴへ押し付ける各動作では、１箇所だけ距離を測定して基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の隙間のみを制御するようにしてもよい。
撮像部２０４１は、図１６に示すように、モールドＭが基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する位置に配置された状態で、基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、モールドＭの段部ＭＳに設けられたアライメントマーク（第３アライメントマーク）ＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴに設けられたアライメントマーク（第４アライメントマーク）ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を撮像する。撮像部２０４１は、いわゆる一視野カメラであり、ＸＹ方向における位置を変えながら、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組とアライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを順に撮像する。そして、樹脂成形装置２は、まず、モールドＭを押し付ける前の、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの間の距離が比較的長い状態で、撮像部２０４１をフォーカス方向の軸に直交する方向へ移動させながらアライメント（以下、「プリアライメント」と称する。）する。その後、樹脂成形装置２は、モールドＭを基板ＷＴに押し付けてモールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組と、アライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組と、をそれぞれフォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時に認識して樹脂中でアライメント（以下「液浸アライメント」と称する）する。このようにして、同時に認識することで振動やフォーカス軸の誤差を回避でき、樹脂を基板ＷＴに接触させた後、樹脂が基板ＷＴに接触した状態での位置ずれを修正し、樹脂を硬化させる直前にアライメントすることで高精度な樹脂成形を実現できる。また、このアライメント方法の場合、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの位置ずれが大きく両者を同時に認識できないことを回避するために事前にプリアライメントを実行している。また、モールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂を基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた状態でのアライメント時におけるモールドＭの移動量を低減することで樹脂の流動を防いでいる。
ところで、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが、モールドＭの平坦面ＭＦにある場合、平坦面ＭＦのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられた部分に樹脂部Ｒの一部が張り出すと、撮像部２０４１により撮像したアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂの画像がぼやけてしまう場合がある。これに対して、本実施の形態に係るモールドＭでは、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが段部ＭＳに設けられている。これにより、撮像部２０４１は、基板ＷＴとモールドＭとの間における樹脂部Ｒが介在しない領域を介してアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂの画像を撮像できるので、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂを良好に認識できる。
紫外線照射部５３は、モールドＭが基板ＷＴに形成された樹脂部Ｒに押し付けられた状態で基板ＷＴの鉛直上方（＋Ｚ方向）から樹脂部Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部Ｒを硬化させる。この紫外線照射部５３は、例えば紫外光を放射するレーザ光源や水銀ランプ等から構成されている。
支持部５５は、ディスペンサ５２、紫外線照射部５３、撮像部２０４１および距離測定部５１１を一体で支持し、ＸＹ方向に移動可能となっている。また、支持部５５は、Ｚ軸方向へも移動可能となっている。これにより、撮像部２０４１のフォーカス調整が可能となっている。なお、ディスペンサ５２、紫外線照射部５３、撮像部２０４１および距離測定部５１１は、それぞれ個別に支持部に支持され、各支持部が独立してＸＹ方向に移動可能な構成であってもよい。
カバー２０５０は、樹脂成形装置２内において、ヘッド駆動部３６が配置される空間とステージ２０３１が配置される空間とを仕切るように配置されている。これにより、ステージ２０３１で発生したパーティクルのヘッド駆動部３６への付着が抑制される。
制御部２０９０は、図１７に示すように、ＭＰＵ（Micro Processing Unit）９０１と、主記憶部９０２と、補助記憶部９０３と、インタフェース２９０４と、各部を接続するバス９０５と、を有する。なお、図１７において、実施の形態１と同様の構成については図８と同一の符号を付している。インタフェース２９０４は、距離測定部５１１から入力される測定信号を測定情報に変換してバス９０５へ出力する。また、インタフェース２９０４は、撮像部２０４１から入力される撮影画像信号を撮影画像情報に変換してバス９０５へ出力する。ＭＰＵ９０１は、補助記憶部９０３が記憶するプログラムを主記憶部９０２に読み込んで実行することにより、インタフェース２９０４を介して、Ｚ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７、ピエゾアクチュエータ３３３、Ｘ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３、ディスペンサ駆動部５２１、吐出制御部５２３、紫外線照射部５３、支持部５５それぞれへ制御信号を出力する。
制御部２０９０は、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを撮像することにより、基板ＷＴとモールドＭとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部２０９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ２０３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正させる。この場合、紫外線照射部５３は、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢の補正が完了した後、樹脂部Ｒに紫外線を照射する。
次に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２が実行するインプリント処理について図１８乃至図２１Ｃを参照しながら説明する。このナノインプリント処理は、制御部２０９０によりインプリント処理を実行するためのプログラムを起動されたことを契機として開始される。なお、図１８において、樹脂成形装置２は、ステージ２０３１に基板ＷＴを保持させるとともに、ヘッド２０３３ＨにモールドＭを保持させているものとする。ここで、ステージ２０３１は、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する形成面ＷＴｆが鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する（基板保持ステップ）。また、ヘッド２０３３Ｈは、鉛直下方からモールドＭを保持する（モールド保持ステップ）。
まず、樹脂成形装置２は、Ｚ軸方向において、ディスペンサ５２がヘッド２０３３Ｈの鉛直上方（＋Ｚ方向）に位置する状態となるように支持部５５を移動させる（図１９の矢印ＡＲ７２参照）。次に、樹脂成形装置２は、ディスペンサ５２とステージ２０３１の貫通孔２０３１ａとが重なるようにステージ２０３１を移動させる（図１９の矢印ＡＲ７１参照）。その後、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、本体部５２０を鉛直下方（−Ｚ方向）へ下降させることにより、図１９に示すように、ノズル５２２をモールドＭに近づける。このようにして、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、ディスペンサ５２を吐出準備完了状態にする（ステップＳ２０１）。
次に、樹脂成形装置２は、吐出制御部５２３にノズル５２２からモールドＭの凹部ＭＴ内へ樹脂を予め設定された吐出量だけ吐出させる（樹脂吐出ステップ）（ステップＳ２０２）。即ち、ディスペンサ５２が、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出する。これにより、例えば図２０に示すように、モールドＭの凹部ＭＴ内に樹脂Ｒ１が充填された状態となる。
続いて、樹脂成形装置２は、ディスペンサ駆動部５２１により、ディスペンサ５２の本体部５２０を鉛直上方（＋Ｚ方向）へ移動させる。このようにして、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、ディスペンサ５２を待機状態にする（ステップＳ２０３）。
その後、樹脂成形装置２は、ステージ２０３１を移動させてＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置とが重なる状態にする。そして、樹脂成形装置２は、ヘッド２０３３Ｈが保持するモールドＭのプリアライメントを実行する（ステップＳ２０４）。即ち、樹脂成形装置２は、モールドＭを押し付ける前の、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂとアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとの間の距離が比較的長い状態で、撮像部２０４１をフォーカス方向の軸に直交する方向へ移動させながらプリアライメントする。このとき、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離は、数ｍｍ程度に設定される。
ここにおいて、樹脂成形装置２は、まず、ヘッド２０３３Ｈを上昇させて、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒを形成する位置に近づける。図２０に示すように、モールドＭには、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられており、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置にも、アライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂが設けられている。そして、樹脂成形装置２は、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置に設けられたアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を用いて、モールドＭと基板ＷＴとのプリアライメント動作を実行する。樹脂成形装置２は、プリアライメント動作において、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＣ２ｂとのいずれか一方に焦点を合わせたときに互いに重ならない状態で基板ＷＴに対するモールドＭの大まかな位置合わせを実行する。
次に、樹脂成形装置２は、距離測定部５１１により、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定して、モールドＭと基板ＷＴとの間の距離を調整する（ステップＳ２０５）。ここにおいて、樹脂成形装置２は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を数十μｍ乃至数μｍの距離に調整する。このとき、モールドＭは、図２１Ａに示すように、モールドＭの凹部ＭＴの外周部に樹脂Ｒ１の一部が張り出した状態になるまで基板ＷＴに近づいた状態となる。このとき、ヘッド駆動部３６が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させてからヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付ける（モールド押し付けステップ）。
続いて、樹脂成形装置２は、図２１Ａに示すように、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触した状態で、再度アライメント（「液浸アライメント」ともいう。）を実行する（ステップＳ２０６）。この場合、樹脂成形装置２は、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組と、アライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを、それぞれフォーカス軸を動かさずに１回の画像取り込みで同時に認識する。これにより、樹脂成形装置２は、撮像部２０４１のフォーカス軸の精度や振動の影響を受けることなく高精度にモールドＭの基板ＷＴに対する相対位置をアライメントできる。また、このように、モールドＭの凹部ＭＴに充填された樹脂を基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触させた後、樹脂を硬化させる直前において、樹脂を基板ＷＴに接触させた状態での位置ずれを修正するアライメントを実行することにより、高精度なアライメントが実現できる。
ここで、樹脂成形装置２は、撮像部２０４１により、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、樹脂成形装置２は、画像データＧａに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ａ，ＭＭ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。また、樹脂成形装置２は、同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ｂの画像とを含む画像データＧｂも取得する。そして、樹脂成形装置２は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ｂ，ＭＭ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。それから、樹脂成形装置２は、これら２組のアライメントＭＭ１ａ、ＭＭ２ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの位置ずれ量Δｘａ、Δｙａ、Δｘｂ、Δｙｂに基づいて、Ｘ方向、Ｙ方向および軸ＢＸ周りの回転方向におけるチップＣＰと基板ＷＴとの相対的な位置ずれ量Δｘ、Δｙ、Δθを算出する。ここで、Δｘ、ΔｙおよびΔθは、実施の形態１の場合と同様である。その後、樹脂成形装置２は、算出した相対的な位置ずれ量が低減されるように、ステージ２０３１をＸ方向およびＹ方向に駆動するとともに、ボンディング部２０３３を軸ＢＸ周りに回転させる。このようにして、樹脂成形装置２は、モールドＭと基板ＷＴとの相対的な位置ずれを補正するアライメント動作を実行する。
その後、樹脂成形装置２は、図２１Ｂに示すように、紫外線照射部５３から放射される紫外線を樹脂Ｒ１に照射する（ステップＳ２０７）。ここでは、紫外線照射部５３が、モールドＭを樹脂Ｒ１に押し付けた状態で紫外線を照射することにより、凹部ＭＴの内側に存在する樹脂Ｒを硬化させる（樹脂硬化ステップ）。
次に、樹脂成形装置２は、図２１Ｃの矢印ＡＲ２２に示すように、ヘッド２０３３Ｈを下降させてヘッド２０３３Ｈを待機位置へ移動させる（ステップＳ２０８）。このようにして、基板ＷＴ上に樹脂部Ｒが形成される。
続いて、樹脂成形装置２は、図１８に示すように、インプリント処理を終了するか否かを判定する（ステップＳ２０９）。樹脂成形装置２は、例えばインプリント処理を終了する旨の指令が入力された場合や予め設定されたインプリント処理のプログラムシーケンスが全て完了した場合にインプリント処理を終了すると判定する。樹脂成形装置２は、インプリント処理を続行すると判定すると（ステップＳ２０９：Ｎｏ）、ヘッド２０３３Ｈが基板ＷＴにおける次に樹脂部Ｒを形成する部分に対向するようにステージ２０３１を移動させる（ステップＳ２１０）。続いて、再びステップＳ２０１の処理が実行される。そして、ステップ２０１乃至Ｓ２０９の一連の処理が繰り返し実行されることにより、いわゆるステップアンドリピート方式で基板ＷＴに複数の樹脂部Ｒが形成されていく。一方、樹脂成形装置２がインプリント処理を終了すると判定すると（ステップＳ２０９：Ｙｅｓ）、インプリント処理が終了する。
以上説明したように、本実施の形態に係る樹脂成形装置２によれば、ステージ３１が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される面が鉛直下方を向く姿勢で基板ＷＴを保持する。また、ヘッド駆動部３６が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方からモールドＭを押し付ける。そして、紫外線照射部５３が、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で樹脂部Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部Ｒを硬化させる。これにより、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される面へのパーティクルの付着を低減することができるので、樹脂部Ｒと基板ＷＴとの界面へのパーティクルの混入を抑制できる。従って、基板ＷＴ上に樹脂部Ｒを形成してなる製品について、樹脂部Ｒと基板ＷＴとの界面へのパーティクルの混入に起因した性能不良の製品の発生が抑制される。具体的には、本実施の形態で説明したように、基板ＷＴ上にナノインプリントによりサブミクロンオーダ（例えば１０ｎｍ程度）のパターンを成形する場合、ゴミ、グリス等のパーティクルが基板ＷＴ上に乗ると、成形されたパターンに欠陥が生じる虞がある。この場合、基板ＷＴの性能に影響が出る虞がある。
また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、ヘッド駆動部３６が、基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置と対向する押し付け位置においてヘッド２０３３Ｈを鉛直上方へ移動させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ３１に近づけて樹脂部Ｒの鉛直下方からモールドＭを押し付ける。また、モールドＭは、その鉛直上方からディスペンサ５２により樹脂が充填されるので、樹脂部Ｒ内の空気の巻き込み防止できる。これにより、モールドＭの凹部ＭＴの内面と樹脂部Ｒとの界面に空気が混入しにくくなるので、凹部ＭＴの内面と樹脂部Ｒとの界面への空気の混入に起因した樹脂部Ｒの形成不良の発生が抑制される。
更に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、ヘッド２０３３Ｈに保持されたモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出するディスペンサ５２を更に備える。これにより、樹脂成形装置２において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆへの樹脂部Ｒの形成から樹脂部Ｒの硬化までの一連の処理を繰り返し実行することが可能となるので、基板ＷＴに樹脂部Ｒを形成してなる製品の製造工程の簡素化を図ることができる。
また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２では、撮像部２０４１が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させた状態で、モールドＭの鉛直上方（＋Ｚ方向）から、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを撮像する。これにより、樹脂成形装置２は、モールドＭのアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂとを精度良く認識することができるので、基板ＷＴに対するモールドＭのアライメント精度が向上するという利点がある。
更に、本実施の形態に係る制御部２０９０は、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを撮像することにより、基板ＷＴとモールドＭとの相対位置誤差を算出する。そして、制御部２０９０は、算出した相対位置誤差に応じて、ヘッド駆動部３６のＺ方向駆動部３４、θ方向駆動部３７並びにステージ２０３１のＸ方向駆動部３２１、Ｙ方向駆動部３２３に、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正させる。これにより、樹脂成形装置２は、基板ＷＴに対するモールドＭのアライメントを精度良く実行できる。
また、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、レーザ光を用いて基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する距離測定部５１１を備える。距離測定部５１１は、基板ＷＴおよびモールドＭの上方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。そして、ヘッド駆動部３６は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭを保持するヘッド２０３３Ｈを基板ＷＦを保持するステージ２０３１に近づける。これにより、樹脂成形装置２は、樹脂部ＲのうちモールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で凹部ＭＴの外周部にはみ出す部分の厚さを制御することができるので、樹脂部Ｒの形状を高精度に調整することができる。
更に、本実施の形態に係る樹脂成形装置２は、距離測定部５１１により測定された距離に基づいて、モールドＭの姿勢を変更するピエゾアクチュエータ３３３を備える。また、距離測定部５１１は、モールドＭの平坦面ＭＦにおける３つ以上の箇所において、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する。これにより、例えばモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、ヘッド２０３３ＨにモールドＭを保持させることが可能となる。従って、樹脂部Ｒの形状の精度を高めることができる。
（変形例）
以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明は前述の実施の形態の構成に限定されるものではない。例えば、実施の形態１に係るチップ実装システム１について、ステージ３１の上方に基板ＷＴおよびチップＣＰを透過する光を放射する光源が配置された構成であってもよい。この場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、ステージ３１上方に配置された光源から放射され基板ＷＴ、チップＣＰを透過した透過光を用いてアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得するようにすればよい。また、実施の形態２に係る樹脂成形装置２についても、ステージ２０３１の下方に基板ＷＴおよびモールドＭを透過する光を放射する光源が配置された構成であってもよい。この場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂは、ステージ３１下方に配置された光源から放射され基板ＷＴ、モールドＭを透過した透過光を用いてアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂを含む画像を取得するようにすればよい。
実施の形態１では、チップＣＰの下側から、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂにより基板ＷＴ、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成について説明した。但し、これに限定されない。たとえば、図２２に示すように、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、ステージ３１の上方から基板ＷＴ、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影する構成であってもよい。なお、図２２において、実施の形態１と同様の構成については図３と同一の符号を付している。ここにおいて、カメラＦ方向駆動部３６５とミラー３３７とは、共通のベース部材３３３６に固定されている。
実施の形態１において、例えば図２３Ａに示すように、チップＣＰの周部を保持した状態でチップＣＰの中央部を鉛直上方へ押圧する押圧部８６４１３ｂが設けられたヘッド８６３３Ｈを有するボンディング装置を備える構成であってもよい。ヘッド８６３３Ｈは、チップツール８６４１１と、ヘッド本体部８６４１３とを有する。ヘッド本体部８６４１３は、チップＣＰをチップツール８６４１１に真空吸着させるための吸着部８６４１３ａと、中央部において鉛直方向に移動可能な押圧部８６４１３ｂと、押圧部８６４１３ｂを駆動する押圧駆動部（図示せず）と、を有する。また、ヘッド本体部８６４１３は、チップツール８６４１１を真空吸着によりヘッド本体部８６４１３に固定するための吸着部（図示せず）も有する。これにより、チップツール８６４１１の交換が容易になるという利点がある。押圧駆動部が、チップツール８６４１１にチップＣＰが保持された状態で、押圧部８６４１３ｂを鉛直上方へ移動させると、チップＣＰの中央部が鉛直上方へ向かって押圧される。チップツール８６４１１は、ヘッド本体部８６４１３の吸着部８６４１３ａに対応する位置に形成された貫通孔８６４１１ａと、押圧部８６４１３ｂが内側に挿入される貫通孔８６４１１ｂと、を有する。更に、ヘッド本体部８６４１３には、実施の形態１に係るヘッド本体部４１３と同様に中空部（図示せず）が設けられている。吸着部８６４１３ａと貫通孔８６４１１ａとが、チップＣＰの周部を保持する周部保持部として機能する。
図２３Ａに示すヘッド８６３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をチップツール８６４１１に吸着させた状態で（図２３Ａの矢印ＡＲ８６１参照）、押圧部８６４１３ｂを鉛直方向へ駆動する（図２３Ａの矢印ＡＲ８６２参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２３Ａの矢印ＡＲ８６３）。そして、ボンディング装置のヘッド駆動部は、チップＣＰを撓ませた状態でヘッド８６３３Ｈを基板ＷＴに近づけることにより、チップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させる。即ち、ヘッド駆動部は、吸着部８６４１３ａおよび貫通孔８６４１１ａによりチップＣＰの周部が保持され且つ押圧部８６４１３ｂがチップＣＰの中央部を押圧することによりチップＣＰの中央部がその周部に比べて基板ＷＴ側へ突出するように撓んだ状態で、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの中央部を接触させる。なお、ボンディング装置は、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴに予め設定された距離まで近づけた後、チップＣＰを撓ませることによりチップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させてもよい。その後、ボンディング装置は、押圧部８６４１３ｂを鉛直下方へ没入させつつ、ヘッド８６３３Ｈを更に基板ＷＴへ近づけることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する。
また、実施の形態１において、例えば図２３Ｂに示すようなヘッド８７３３Ｈを有する構成であってもよい。なお、図２３Ｂにおいて、図２３Ａに示す構成と同様の構成については図２３Ａと同一の符号を付している。ヘッド８７３３Ｈは、チップツール８７４１１と、ヘッド本体部８７４１３とを有する。ヘッド本体部８７４１３は、吸着部８６４１３ａと、吸着部８６４１３ａよりも中央部側に位置し空気を吐出する吐出口８７４１３ｂと、を有する。また、ヘッド本体部８７４１３は、チップツール８７４１１を真空吸着によりヘッド本体部８７４１３に固定するための吸着部（図示せず）も有する。チップツール８７４１１は、ヘッド本体部８７４１３の吸着部８６４１３ａに対応する位置に形成された貫通孔８６４１１ａと、吐出口８７４１３ｂに対応する位置に形成された貫通孔８７４１１ｂと、を有する。
図２３Ｂに示すヘッド８７３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をチップツール８７４１１に吸着させた状態で（図２３Ｂの矢印ＡＲ８６１参照）、チップツール８７４１１とチップＣＰの中央部との間の領域へ空気を吐出する（図２３Ｂの矢印ＡＲ８７１参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２３Ｂの矢印ＡＲ８６３）。そして、ボンディング装置は、チップＣＰを撓ませた状態でヘッド８７３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけることにより、チップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させる。なお、ボンディング装置は、ヘッド８６３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴに予め設定された距離まで近づけた後、チップＣＰを撓ませることによりチップＣＰの中央部を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触させてもよい。その後、ボンディング装置は、吐出口８７４１３ｂから吐出される空気の量を減少させつつヘッド８７３３Ｈを更に基板ＷＴへ近づけることにより、チップＣＰを基板ＷＴに実装する。
或いは、実施の形態１において、例えば図２４Ａに示すようなヘッド７６３３Ｈを有する構成であってもよい。なお、図２４Ａにおいて、図２３Ａに示す構成と同様の構成については図２３Ａと同一の符号を付している。ヘッド７６３３Ｈは、チップツール７６４１１と、ヘッド本体部７６４１３と、チップＣＰの周部を保持するクランプ７６４１２と、を有する。ヘッド本体部７６４１３は、中央部において鉛直方向に移動可能な押圧部７６４１３ｂと、押圧部７６４１３ａを駆動する押圧駆動部（図示せず）と、を有する。そして、図２４に示すヘッド７６３３Ｈを有するボンディング装置は、チップＣＰの周部をクランプ７６４１２により保持した状態で、押圧部７６４１３ｂを鉛直方向へ駆動する（図２４Ａの矢印ＡＲ８６２参照）。これにより、チップＣＰは、その中央部がその周部よりも基板ＷＴ側に突出するように撓んだ状態となる（図２４Ａの矢印ＡＲ８６３）。また、実施の形態１において、例えば図２４Ｂに示すようなヘッド７９３３Ｈを有する構成であってもよい。ヘッド７９３３Ｈは、チップツール７６４１１と、ヘッド本体部７６４１３と、チップＣＰの周部を側方から押圧して保持するチャック７９４１２と、を有する。本構成によれば、チップＣＰの周部に爪が入りうる十分な段差が形成されていなくてもチップＣＰを保持することができる。なお、チップＣＰの周部に段差が形成されている場合は、チップＣＰを堅固に保持する観点から、図２４Ｂに示す構成に比べて図２４Ａに示す構成のほうが好ましい。
これらの構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに実装する際の基板ＷＴとチップＣＰとの間への空気の巻き込みが抑制されるので、チップＣＰを基板ＷＴにボイド無く良好に実装することが可能となる。
実施の形態１において、例えば図２５Ａに示すように、チップＣＰを保持するチップツール８８４１１のヘッド本体部８８４１３に対する傾きが変更可能なヘッド８８３３Ｈを有するボンディング装置を備える構成であってもよい。ヘッド本体部８８４１３は、チップツール８８４１１を軸支する軸部（図示せず）と、チップツール８８４１１を軸部周りに回転する方向へ駆動するチップツール駆動部（図示せず）と、を有する。チップツール８８４１１は、チップＣＰを保持し、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対するチップＣＰの接合面ＣＰｆの傾きが可変である傾き可変保持部である。
本変形例に係るボンディング装置は、図２５Ａに示すように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜した状態で、ヘッド８８３３Ｈを鉛直方向へ駆動する（図２５Ａの矢印ＡＲ８８１参照）。そして、ボンディング装置のヘッド駆動部は、チップツール８８４１１が基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆを傾けて前チップＣＰを保持した状態で、ヘッド８８３３Ｈを鉛直方向へ移動させて基板ＷＴを保持するステージ（図示せず）に近づけて基板ＷＴの実装面ＷＴｆにチップＣＰの接合面ＣＰｆの端縁を接触させる。その後、ボンディング装置のヘッド駆動部は、図２５Ｂの破線で示すように、チップＣＰの端部が基板ＷＴの実装面ＷＴｆに当接すると、ヘッド８８３３Ｈを斜め上方へ移動させていく（図２５Ｂの矢印ＡＲ８８２参照）。このとき、チップツール８８４１１は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの当接部分Ｐ８８を中心にして回転する方向へ移動していく（図２５Ｂの矢印ＡＲ８８３）。これにより、チップＣＰは、当接部分Ｐ８８から順に基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触していく。
また、実施の形態１に係るボンディング装置３０では、前述の図５Ａに示すように、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に各別にＺ方向に伸縮可能な３つのピエゾアクチュエータ３３３が設けられている。ボンディング装置３０は、これらの３つのピエゾアクチュエータ３３３それぞれの伸縮の程度を制御することにより、図２６に示すように、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜させることができる。そして、ボンディング装置３０は、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対してチップＣＰの接合面ＣＰｆが傾斜した状態で、ヘッド３３Ｈを鉛直上方へ駆動する（図２６の矢印ＡＲ８８１参照）。
本構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに実装する際の基板ＷＴとチップＣＰとの間への空気の巻き込みが抑制されるので、チップＣＰを基板ＷＴにボイド無く良好に実装することが可能となる。
実施の形態において、図２７Ａに示すように、一面が開放された箱状であり、ヘッド３３ＨにＯリング８９２８を介して接触するキャップ８９２４を有するボンディング装置を備えるものであってもよい。ここで、キャップ８９２４には、ヘッド８９３３Ｈの一部をキャップ８９２４の外方へ向けて挿入させるための開口部８９２４ｄが設けられている。また、キャップ８９２４の外壁における開口部８９２４ｄの外周部には、Ｏリング８９２６が取り付けられている。また、ボンディング装置は、キャップ８９２４の排気口８９２４ａを通じてキャップ８９２４内の空間Ｓ８９に存在する空気を排気することにより空間Ｓ８９の真空度を高める真空ポンプ（真空源）（図示せず）を有する。
本変形例に係るボンディング装置は、まず、キャップ８９２４を基板ＷＴに近づく方向へ移動させて（図２７Ａの矢印ＡＲ８９１参照）、Ｏリング８９２６を基板ＷＴの実装面ＷＴｆに押し付ける。次に、ボンディング装置は、キャップ８９２４内の空間Ｓ８９にチップＣＰが配置された状態で、空間Ｓ８９に存在する気体を排気口８９２４ａを通じて排気し、空間Ｓ８９の真空度を高める。そして、ボンディング装置は、図２７Ｂに示すように、空間Ｓ８９の真空度を高めた状態で、ヘッド８９３３Ｈを鉛直上方へ移動させて（図２７Ｂの矢印ＡＲ８９２参照）チップツール８９４１１に保持されたチップＣＰを基板ＷＴに押し付ける。その後、ボンディング装置は、キャップ８９２４内の空間Ｓ８９を大気圧に戻してからヘッド８９３３Ｈおよびキャップ８９２４を下降させる。
本構成によれば、真空度が高められたキャップ８９２４内の空間Ｓ８９において、基板ＷＴへのチップＣＰの実装を行うので、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間への気泡の巻き込みによるボイドの発生が抑制される。
実施の形態１に係るチップ供給部１１は、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた複数のチップＣＰの中から１つのチップＣＰをニードル１１１ａにより下方へ突き出すことにより、チップＣＰをチップ移載部１３へ受け渡される例について説明した。但し、これに限らず、例えば複数のチップＣＰが、それらの基板ＷＴに実装される面側がダイシングテープに貼り付けられている場合、複数のチップＣＰの中の１つの基板ＷＴに実装される面とは反対の面を真空チャックしてチップ移載部１３へ受け渡す機構を備えるものであってもよい。
実施の形態１では、チップＣＰが、基板ＷＴに面接合される例について説明したが、これに限らず、例えばチップＣＰが、基板ＷＴに金属バンプを介して接合されるものであってもよい。この場合、チップ実装システムを構成する親水化処理装置６０は不要となる。
実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、ディスペンサ５２が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、ディスペンサ５２の配置はこれに限定されるものではなく、例えば図２８に示すように、ディスペンサ４０５２が、ステージ３１に保持された基板ＷＴの下側に配置される樹脂成形装置４であってもよい。なお、図２８において、実施の形態２と同様の構成については図１５と同一の符号を付している。
ディスペンサ４０５２は、本体部４５２０と、ディスペンサ駆動部４５２１と、ノズル４５２２と、吐出制御部４５２３と、を有する。本体部４５２０は、Ｚ軸に直交する方向に移動可能である。そして、樹脂成形装置４は、ディスペンサ駆動部４５２１により、本体部４５２０を、ノズル４５２２がＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと重なる位置に移動させる。これにより、ディスペンサ４０５２は、モールドＭの凹部ＭＴへ樹脂を吐出する準備が完了した吐出準備完了状態となる。その後、樹脂成形装置４は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。そして、樹脂成形装置４は、吐出制御部４５２３により、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂を注入する。その後、樹脂成形装置４は、ディスペンサ駆動部４５２１により、本体部４５２０をノズル４５２２がＺ軸方向においてヘッド２０３３Ｈと重ならない位置に移動させることにより、ディスペンサ４０５２を待機状態にする。本構成によれば、実施の形態２で説明したように、ステージ２０３１を、貫通孔２０３１ａの鉛直上方にディスペンサ５２が位置するように移動させる必要がなくなる。従って、よりパーティクルを削減する対策に好適であり、かつ、スループットも向上する。但し、ディスペンサ４０５２のノズル４５２２は、その高さ方向（Ｚ軸方向）の長さが短い構成とする必要がある。
実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、撮像部２０４１が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、撮像部４１の配置はこれに限定されるものではなく、例えば図２９に示すように、撮像部３５ａ、３５ｂが、ステージ２０３１に保持された基板ＷＴの下側に配置される構成であってもよい。なお、図２９において、実施の形態２と同様の構成については図１６と同一の符号を付している。撮像部３５ａ、３５ｂとミラー３７７とから同時に左右のアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂ、ＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂが取得可能な２カメラが構成されている。本変形例に係る樹脂成形装置は、ステージ２０３１と、ヘッド３３Ｈを有するボンディング部３３と、ヘッド３３Ｈを駆動するヘッド駆動部３６と、撮像部３５ａ、３５ｂと、カメラＦ方向駆動部３６５と、カメラＺ方向駆動部３６３と、を備える。撮像部３５ａ、３５ｂ、カメラＦ方向駆動部３６５およびカメラＺ方向駆動部３６３は、実施の形態１で説明した撮像部３５ａ、３５ｂ、カメラＦ方向駆動部３６５およびカメラＺ方向駆動部３６３と同様の構成である。
本変形例に係る樹脂成形装置は、図３０に示すように、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂと、基板ＷＴの樹脂部Ｒが形成される位置に設けられたアライメントマークＭＭ２ａ、ＭＭ２ｂと、を用いて、モールドＭと基板ＷＴとのアライメント動作を実行する。ここで、樹脂成形装置は、実施の形態１に係るチップ実装システム１と同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ａの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ａの画像とを含む画像データＧａを取得する。そして、樹脂成形装置は、画像データＧａに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ａ，ＭＭ２ａの相互間の位置ずれ量Δｘａ、Δｙａを算出する。また、樹脂成形装置は、同様にして、モールドＭに設けられたアライメントマークＭＭ１ｂの画像と基板ＷＴに設けられたアライメントマークＭＭ２ｂの画像とを含む画像データＧｂも取得する。そして、樹脂成形装置は、前述と同様に、画像データＧｂに基づいてモールドＭと基板ＷＴとに設けられた１組のマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの位置を認識し、この１組のマークＭＭ１ｂ，ＭＭ２ｂの相互間の位置ずれ量Δｘｂ、Δｙｂを算出する。本構成によれば、画像データＧａ、Ｇｂを同時に撮像することができるので、アライメントに要する時間の短縮を図ることができる。
また、実施の形態２では、いわゆる１視野カメラである撮像部２０４１が、基板ＷＴの上方に配置される樹脂成形装置２の例について説明したが、これに限らず、例えば図２９に示すような、撮像部３５ａ、３５ｂとミラー３７７とから構成される２カメラ構成が基板ＷＴの上方に配置された構成であってもよい。この場合、撮像部３５ａ、３５ｂは、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ２ａの組とアライメントマークＭＭ１ｂ、ＭＭ２ｂの組とを同時に撮像することができるので、アライメントに要する時間の短縮できる。
実施の形態２において、例えば図３１に示す樹脂成形装置６のように、ディスペンサ６０５２の本体部５２０の下端部にキャップ６５２４と、封止部材であるＯリング６５２５と、が設けられた構成であってもよい。ここで、キャップ６５２４は、例えば一面が開放された箱状であり、モールドＭの平面視形状と略同じ形状を有する底壁６５２４ｂと底壁６５２４ｂの周部に立設された側壁６５２４ｃと、を有する。また、キャップ６５２４の一部には、排気口６５２４ａが設けられている。キャップ６５２４は、例えば金属から形成されている。Ｏリング６５２５は、エラストマから形成されている。底壁６５２４ｂの中央部には、貫通孔６５２４ｄが貫設されており、そこにノズル５２２が挿通されている。この貫通孔６５２４ｄとノズル５２２との間の隙間はＯリング６５２６により封止されている。また、樹脂成形装置６は、キャップ６５２４の排気口６５２４ａに排気管Ｌ６を介して接続された真空ポンプ（真空源）６５２６を備える。
この樹脂成形装置６は、例えば実施の形態２で説明したインプリント処理と同様の処理を実行する。この場合、樹脂成形装置６は、図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０１の処理において、まず、本体部５２０を下降させて（図３１中の矢印ＡＲ７３参照）、キャップ６５２４の側壁６５２４ｃの先端部を、Ｏリング６５２５を介してモールドＭの周部ＭＳに当接させる。キャップ６５２４は、ディスペンサ６０５２がモールドＭに予め設定された距離まで近づいた状態で、モールドＭにおける凹部ＭＴの開口端側にＯリング６５２５を介して当接し、モールドＭとの間に気密な空間Ｓ６を形成する。次に、樹脂成形装置６は、図３２Ａの矢印ＡＲ６０１に示すように、真空ポンプ６５２６により、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６に存在する気体を、排気口６５２４ａを通じて排気し、空間Ｓ６の真空度を高める。このようにして、樹脂成形装置６は、ディスペンサ６０５２を吐出準備完了状態にする。続いて、樹脂成形装置６は、図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、ディスペンサ６０５２のノズル５２２から樹脂Ｒ１を吐出させることにより、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。ここで、凹部ＭＴのアスペクト比（ＬＭＴ１／ＬＭＴ２）および樹脂Ｒ１の粘度が予め設定された基準値よりも高い場合、樹脂Ｒ１の凹部ＭＴの奥にまで侵入せず、空隙ＣＡが発生してしまう。
その後、樹脂成形装置６は、キャップ６５２４内部の空間Ｓ６を大気開放してから、本体部５２０を上昇させて（図３２Ｂの矢印ＡＲ６０２参照）、キャップ６５２４をモールドＭから離脱させる。このとき、図３２Ｂの矢印ＡＲ６０３に示すように、モールドＭに注入された樹脂Ｒ１が、大気圧により凹部ＭＴの奥側へ押し込まれる。これにより、凹部ＭＴの奥に発生していた空隙ＣＡが消滅する。
なお、前述のように、図３１に示す樹脂成形装置６は、キャップ６５２４の側壁６５２４ｃの先端部を、Ｏリング６５２５を介してモールドＭの周部ＭＳに当接させるが、キャップ６５２４を直接モールドＭに当接させない構成であってもよい。例えば図３３に示す樹脂成形装置のように、モールドＭの周囲に張り出すように配置されたフランジ部材７５２７を備えており、一部に排気口７５２４ａが設けられたキャップ７５２４を、Ｏリング７５２５を介してフランジ部材７５２７に当接させる構成であってもよい。ここで、キャップ７５２４には、ノズル５２２が挿通される貫通孔７５２４ｄが貫設されており、貫通孔７５２４ｄとノズル５２２との間の隙間はＯリング７５２６により封止されている。
或いは、図３４Ａに示す樹脂成形装置のように、一面が開放された箱状であり、ヘッド２０３３ＨにＯリング８５２８を介して接触するキャップ８５２４を備えるものであってもよい。ここで、キャップ８５２４には、ディスペンサ６０５２のノズル５２２を内側に挿入させるための開口部８５２４ｄが設けられている。また、キャップ８５２４の外壁における開口部８５２４ｄの外周部には、Ｏリング８５２６が取り付けられている。そして、樹脂成形装置は、ディスペンサ６０５２の本体部５２０を下方へ移動させて（図３４Ａ中の矢印ＡＲ８０１参照）、ノズル５２２をキャップ８５２４の内側へ挿入していく。そうすると、Ｏリング８５２６が本体部５２０に設けられたフランジ部８５２０の下面に当接した状態となり（図３４Ａ中の一点鎖線参照）、キャップ８５２４の内部が密閉される。そして、樹脂成形装置は、排気口８５２４ａを通じてキャップ８５２４内に存在する気体を排気してキャップ８５２４内の真空度を高めた後、ディスペンサ６０５２のノズル５２２からモールドＭの凹部ＭＴへ樹脂Ｒ１を吐出させる。また、この樹脂成形装置では、図３４Ａに示すように、キャップ８５２４が、モールドＭに対してＺ軸方向へスライド可能（図３４Ｂの矢印ＡＲ８０３参照）となっており、キャップ８５２４をＺ軸方向へ移動させるキャップ駆動部（図示せず）を備える。なお、樹脂成形装置が、キャップ８５２４に連結され、キャップ８５２４をモールドＭへ押し付ける方向（＋Ｚ方向）へ付勢する弾性部材を備えるものであってもよい。そして、樹脂成形装置は、モールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴに近づける方向へ移動させるとともに（図３４Ｂの矢印ＡＲ８０２参照）、キャップ８５２４をモールドＭに対して−Ｚ方向へ移動させる。これにより、樹脂成形装置がモールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際、キャップ８５２４が基板ＷＴに接触することを防止する。
また、前述の樹脂成形装置は、例えば図３５Ａおよび図３５Ｂに示すように、キャップ８５２４を、Ｏリング８５２６を介して基板ＷＴに押し付けるように動作するものであってもよい。この場合、真空度が高められたキャップ８５２４内の空間Ｓ６において、樹脂成形を行うので、樹脂Ｒ１内への気泡の巻き込みを防止することができる。この場合、樹脂成形装置は、図３５Ａに示すように、キャップ８５２４内の空間Ｓ６に凹部ＭＴ内に樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭが配置された状態で、空間Ｓ６に存在する気体を、排気口８５２４ａを通じて排気し、空間Ｓ６の真空度を高める。そして、樹脂成形装置は、図３５Ｂに示すように、空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、樹脂Ｒ１が凹部ＭＴに注入されたモールドＭを上昇させて、基板ＷＴに押し付ける。その後、樹脂成形装置は、基板ＷＴにモールドＭを押し付けた状態で、樹脂Ｒ１に紫外線を照射して樹脂Ｒ１を硬化させる。その後、樹脂成形装置は、キャップ８５２４内の空間Ｓ６を大気圧に戻してからモールドＭを下降させてモールドＭを基板ＷＴから離脱させる。
本構成によれば、モールドＭの周囲において局所的に真空度を高めて処理することができるので、例えば大掛かりなチャンバを設ける必要がないという利点がある。また、キャップ８５２４とモールドＭとの間の隙間をできるだけ小さくすることにより、基板ＷＴ上において隣り合う樹脂部間の距離を短縮することができる。なお、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際に実行するキャップ８５２４内の真空引きと、モールドＭを基板ＷＴへ押し付ける際に実行するキャップ８５２４内の真空引きとの両方を実行してもよい。
なお、前述の図３１乃至図３５Ｂで説明した変形例において、樹脂成形装置が、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入する構成であってもよい。空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、空間Ｓ６を大気圧に戻すと凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥に押し込まれ、凹部ＭＴの端部において樹脂Ｒ１が不足した状態となる。これに対して、本構成によれば、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入することにより、樹脂Ｒ１の不足分を補填することができ、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１の表面を凹凸無く滑らかにすることができる。また、樹脂成形装置は、空間Ｓ６が大気圧の状態でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから空間Ｓ６の真空度を高めた状態にし、その後、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入する構成であってもよい。この場合でも、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、空間Ｓ６の真空度を高めたときに凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に含まれる気泡が脱離して、凹部ＭＴの端部において樹脂Ｒ１が不足した状態となる。また、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１が注入された状態で、空間Ｓ６の真空度を高めると、樹脂Ｒ１が気化して、凹部ＭＴの端部において樹脂Ｒ１が不足する虞もある。これに対して、本構成によれば、空間Ｓ６を大気圧に戻した後、再度、モールドＭに樹脂Ｒ１を注入することにより、樹脂Ｒ１の不足分を補填することができ、モールドＭに載置された樹脂Ｒ１の表面を凹凸無く滑らかにすることができる。
ところで、ノズル内に樹脂が残ると、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でモールドＭに樹脂を載置した後、一旦空間Ｓ６内を大気圧に戻してから、再度空間Ｓ６の真空度を高めたときに、ノズル内に残った樹脂中に気泡が発生してノズルから垂れたり量が減ったりする虞がある。また、空間Ｓ６の真空度を高めた状態でノズルから吐出される樹脂の特性に影響が生じる虞もある。そこで、樹脂塗布装置が、例えばプランジャを備え、プランジャによりモールドＭに載置する樹脂の必要量だけを引き出し、押し出して飛ばす構成であってもよい。この場合、前述のようなノズル内の樹脂残りに起因した不具合の発生が抑制される。
また、樹脂Ｒ１を、モールドＭの凹部ＭＴのできるだけ奥側まで充填させるためには、樹脂Ｒ１の粘度を低くすることが好ましい。樹脂Ｒ１の粘度を低くする方法として、樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭを加熱することにより、樹脂Ｒ１の温度を樹脂Ｒ１の粘度が低下する温度まで昇温させる方法がある。そこで、実施の形態２で説明した樹脂成形装置２において、紫外線硬化樹脂がモールドの凹部に注入された状態で、モールドＭを加熱するモールド加熱部（図示せず）を備える構成であってもよい。ここで、モールド加熱部は、紫外線硬化樹脂である樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入しているとき、または、紫外線硬化樹脂である樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入した後において、モールドＭを加熱して凹部ＭＴに注入された樹脂を昇温させるようにすればよい。即ち、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、モールド加熱部によりモールドＭを加熱してモールドＭを予め設定された温度以上にしてからモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するものであってもよい。更に、樹脂成形装置は、モールド加熱部によりモールドＭを加熱してモールドＭの温度を上昇させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。なお、本変形例において、使用する樹脂は、紫外線硬化樹脂に限らず、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であってもよい。
また、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に空気が噛み込まれにくくするためには、樹脂Ｒ１の粘度が高い方が好ましい。そこで、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板に押し付ける際、モールド加熱部による加熱を停止させることによりモールドＭの温度を下降させるようにしてもよい。そして、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、モールドＭを加熱し、凹部ＭＴに樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、モールドＭの温度を下降させることを繰り返すようにしてもよい。特に、樹脂Ｒ１が紫外線硬化樹脂である場合、樹脂Ｒ１は、樹脂Ｒ１の温度が上昇すると軟化し下降すると硬化するので、本変形例の樹脂成形方法が適している。なお、本変形例において、使用する樹脂は、紫外線硬化樹脂に限らず、温度を低下させると粘度が上昇する他の種類の樹脂、例えば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であってもよい。
このように、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１を加熱することにより樹脂Ｒの粘度を低下させることができるので、樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで侵入し易くなる。また、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１を加熱することにより樹脂Ｒ１の流動が生じるので、凹部ＭＴの奥に溜まった空気が樹脂Ｒ１の流動に伴い凹部ＭＴの開口部側へ移動させて除去することができる。従って、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後において凹部ＭＴの奥側に空気が溜まってしまうことを抑制できる。また、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、モールドＭを基板に押し付ける際、モールド加熱部による加熱を停止させることによりモールドＭの温度を下降させる。また、空冷、水冷など強制的に冷却してもよい。これにより、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１への空気の噛み込みが抑制される。
ところで、キャップ６５２４内の空間Ｓ６にモールドＭを配置した状態で空間Ｓ６の真空度を高めてから、樹脂Ｒ１をモールドＭに塗布する場合、空間Ｓ６の真空度が高いため、樹脂Ｒ１の沸点が低下して気化し易くなる。従って、この場合、樹脂Ｒ１の温度を、空間Ｓ６の真空度を高めた状態における樹脂Ｒ１の沸点以上とならないように低下させた状態にし、樹脂Ｒ１を気化させないようにしてモールドＭへ塗布することが好ましい。そこで、本変形例に係る樹脂成形装置は、空間Ｓ６の真空度を高めた状態で樹脂Ｒ１をモールドＭに塗布する際にモールドＭを冷却する冷却手段（図示せず）がヘッド２０３３Ｈの先端部に設けられている。この冷却手段としては、例えばヘッド２０３３Ｈの先端部に設けられたペルチェ素子（図示せず）であってもよいし、ヘッド２０３３Ｈの先端部に低温の気体または液体窒素のような液体を流動させる流路が設けられた構成であってもよい。このような冷却手段によりヘッド２０３３Ｈの先端部に保持されたモールドＭを強制冷却することができる。
但し、樹脂Ｒ１の温度を低下させた状態では、樹脂Ｒ１の粘度が低下していないため、図３２Ａに示すように、凹部ＭＴの奥に空隙ＣＡが発生してしまう。この空隙ＣＡ内は真空度が高い状態であるため、図３２Ｂに示すように、空間Ｓ６を大気圧に開放することにより、凹部ＭＴの奥に樹脂Ｒ１が差圧充填され空隙ＣＡが消滅する訳であるが、この際、樹脂Ｒ１を加熱して樹脂Ｒ１の粘度を低下させることが好ましい。そこで、本変形例に係る樹脂成形装置では、ヘッド２０３３Ｈに樹脂Ｒ１を加熱するためのヒータ（図示せず）が設けられている。そして、この樹脂成形装置は、空間Ｓ６を大気圧に開放する際、ヒータによりモールドＭを加熱することで樹脂Ｒ１の粘度を低下させる。つまり、本変形例に係る樹脂成形装置は、空間Ｓ６の真空度が高い状態で樹脂Ｒ１をモールドＭに塗布する場合、前述の冷却手段によりモールドＭを冷却し、空間Ｓ６を大気開放する際、前述のヒータによりモールドＭを加熱する機能を有する。
なお、図３２Ｂでは、キャップ６５２４をモールドＭから離脱させることにより、モールドＭの周囲を大気により大気圧環境にする構成を示しているが、これに限らない。例えば、キャップ６５２４内の空間Ｓ６に気体を封入することにより空間Ｓ６を大気圧にする構成であってもよい。前述では、ヒータによりモールドＭを加熱する構成について説明したが、加熱方法は特に限定されない。また、これらの冷却手段と前述のヒータとが、ヘッド２０３３Ｈの先端部に設けられ、モールドＭを冷却する機能と加熱する機能とを併用できる構造とすることが好ましい。
実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、モールドＭがヘッド２０３３Ｈに保持された状態で、モールドＭを振動させる加振部（図示せず）を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、加振部によりモールドＭを振動させるようにすればよい。ここで、樹脂成形装置は、加振部によりモールドＭを振動させながらモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入するものであってもよい。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、加振部によりモールドＭを振動させるものであってもよい。
本構成によれば、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に振動を加えることにより樹脂Ｒ１の流動が生じるので、凹部ＭＴの奥に溜まった空気が樹脂Ｒ１の流動に伴い凹部ＭＴの開口部側へ移動させて除去することができる。従って、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後において凹部ＭＴの奥側に空気が溜まってしまうことを抑制できる。
なお、実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、前述のモールド加熱部と加振部との両方を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、例えば図１８に示すインプリント処理のステップＳ２０２の処理において、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するとともに、加振部によりモールドＭを振動させるようにしてもよい。
また、前述の変形例に係る樹脂成形装置６において、モールド加熱部と加振部との少なくとも一方を備えるものであってもよい。この場合、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールド加熱部によりモールドＭを加熱しながらモールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。或いは、樹脂成形装置は、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する際、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、加振部によりモールドＭを振動させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。また、樹脂成形装置は、キャップ６５２４とモールドＭとで囲まれた空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールド加熱部によりモールドＭを加熱するとともに、加振部によりモールドＭを振動させながら、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入してもよい。
また、モールドＭの加熱は、真空度の比較的高い環境下でモールドＭ１に樹脂Ｒ１注入する場合のみならず、大気中でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入する場合においても有効である。また、モールドＭを振動させることも、真空度の比較的高い環境下でモールドＭ１に樹脂Ｒ１注入する場合のみならず、大気中でモールドＭに樹脂Ｒ１を注入する場合においても有効である。
また、樹脂Ｒ１を基板ＷＴに押し当てる際に気泡を巻き込まないようにするためにもモールドＭを加振する方法は有効である。押し付けられた樹脂Ｒ１中に気泡が含まれていても加振することで樹脂Ｒ１が流動し気泡を排出することができる。また、基板ＷＴ上にも樹脂が事前塗布されており、モールドＭ上の樹脂Ｒ１と基板ＷＴ上の樹脂で接触する場合においても大気中では気泡が取り込まれやすいためより有効である。基板ＷＴ側へ樹脂を事前に塗布しておくことは、モールドＭの凹部ＭＴへ差圧充填に要する樹脂量の減少や基板ＷＴとの接着力の向上のために行われることがある。
ところで、比較例に係る樹脂成形装置として、例えば図３６Ａに示すように、モールドＭの周部を保持する保持部９０３３と、基板ＷＴに樹脂Ｒ２を塗布するディスペンサ９０３３と、基板ＷＴを支持するステージ９０３１と、を備えるものが提案されている。ここで、保持部９０３３は、モールドＭの中央部に空気圧を加えることにより（図３６Ａ中の矢印ＡＲ９０１参照）、モールドＭの中央部を撓ませる。樹脂成形装置は、は、ディスペンサ９０３３により基板ＷＴ上に事前塗布された成形前の樹脂Ｒ２がモールドＭの下方に配置されるようにステージ９０３１を移動させる。そして、樹脂成形装置は、例えば図３６Ｂに示すように、大気中において、モールドＭを撓ませた状態で、ステージ９０３１をモールドＭに近づけることにより（図３６Ｂの矢印ＡＲ９０２参照）、モールドＭを樹脂Ｒ２に接触させる。その後、モールドＭを樹脂に押し付けていくことで、図３６Ｃに示すように、樹脂成形する。このとき、モールド中央部から樹脂に接触し、順次外周部へと接触が広がっていくため気泡が追い出されて樹脂成形される仕組みである。
しかしながら、この樹脂成形装置の場合、凹部ＭＴのアスペクト比がある程度高くなると、凹部ＭＴの奥にまで樹脂Ｒ２が侵入せず空気が噛み込む虞がある。また、モールドＭを撓ました状態で樹脂Ｒ２に接触させることに起因して、歪みが発生する虞がある。また、例え真空中で上部からモールドを押し付けたとしても下部基板側に塗布された樹脂はある程度の粘度を持って保持されなくてはならず上部のモールド凹部底までは充填できない。また、上部のモールドに事前に塗布したとしても樹脂が垂れるためできない。また、何より基板上へパーティクルが降り注ぎパーティクルの噛み込みによる欠陥が発生しやすい。
これに対して、本変形例に係る樹脂成形装置６は、キャップ６５２４をモールドＭにＯリング６５２５を介して接触させてキャップ６５２４とモールドＭとの間の空間Ｓ６の真空度を高めた状態で、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する。その後、樹脂成形装置６は、モールドＭの周囲を大気開放する。これにより、例えばモールドＭへの樹脂Ｒの注入後において凹部ＭＴの奥まで樹脂Ｒ１が侵入していない状態であっても、モールドＭの周囲を大気開放したときに、大気圧により樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで押し込まれる。これにより、モールドＭの凹部ＭＴのアスペクト比が高くても、基板ＷＴ上に樹脂部を良好に成形することができる。また、樹脂成形装置６では、モールドＭの凹部ＭＴが上方を向く姿勢でモールドＭを保持するため、樹脂Ｒ１の粘性が低い状態でもモールドＭに樹脂Ｒ１を注入してから基板ＷＴにインプリントすることができる。そのため樹脂の粘度を低下させるための加熱機能をモールドに設けておくことも有効である。従来方法に比べ、モールドを下側に配置し、樹脂の粘度を低下させて、真空中で樹脂を塗布することで、アスペクト比の高い樹脂の成形が可能となる。
なお、前述の変形例では、キャップ６５２４とモールドＭとの間の空間Ｓ６の真空度を高めてから、樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入する例について説明したが、これに限らず、例えば樹脂Ｒ１をモールドＭの凹部ＭＴに注入した後、空間Ｓ６の真空度を高めてもよい。或いは、樹脂ＲをモールドＭの凹部ＭＴに注入している最中に、空間Ｓ６の真空度を高めていってもよい。この場合、真空脱泡により、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に含まれる気泡が樹脂Ｒ１の外へ押し出されるので、モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１に含まれる気泡が除去される。
実施の形態２では、ディスペンサ５２によるモールドＭへの樹脂Ｒ１の注入と、樹脂部Ｒの成形とを同一の樹脂成形装置２で実行する例について説明した。但し、これに限らず、モールドへの樹脂の載置を樹脂成形装置とは別の樹脂載置装置で行ってもよい。この場合、樹脂載置装置は、モールドに樹脂を注入した後、そのモールドを樹脂成形装置へ搬送する。そして、樹脂成形装置は、樹脂載置装置から搬送される、樹脂が注入されたモールドを基板に押し当てた状態で、樹脂に紫外線を照射することにより、基板上に樹脂部を成形する。
図３７Ａに示すように、樹脂載置装置７０２２は、チャンバ７２０１と、ディスペンサ７０５２と、真空ポンプ（真空源）７２０２と、を備える。ディスペンサ７０５２は、本体部７５２０と、ディスペンサ駆動部７５２１と、ノズル７５２２と、吐出制御部７５２３と、を有する。本体部７５２０は、Ｚ軸方向とＺ軸方向に直交する方向との両方へ移動可能である。チャンバ７２０１の一部には、排気口７２０１ａが設けられている。チャンバ７２０１は、例えば金属から形成されている。ここで、モールドＭＢを支持するヘッド７２０３は、ヘッド駆動部（図示せず）により、樹脂載置装置７０２２と後述する樹脂成形装置との間で移動可能となっている。また、モールドＭＢは、平面視において基板ＷＴと同程度の大きさを有する。
図３８Ａに示すように、樹脂成形装置７０２１は、基板ＷＴを支持するステージ７２０４と、ステージ７２０４に設けられた開口部７２０４ａの上方に配置された紫外線照射部５３と、を備える。なお、図３７Ａ乃至図３９Ｂにおいて、実施の形態２と同様の構成については図１５と同一の符号を付している。樹脂成形装置７０２１は、樹脂Ｒ１が注入されたモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てた状態で、紫外線照射部５３により樹脂Ｒ１に紫外線を照射することにより、基板ＷＴ上に樹脂部を成形する。また、この樹脂成形装置７０２１に基板ＷＴまたはモールドＭＢのアライメント機能を付加し、基板ＷＴとモールドＭＢとの間に樹脂Ｒ２が介在した状態で位置ずれを修正することもできる。樹脂成形装置７０２１は、例えばモールドＭＢの３箇所以上において、レーザ光を利用して基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭＢの平坦面との間の距離を測定する距離測定部（図示せず）と、モールドＭＢの姿勢を調整するモールド姿勢調整部（図示せず）と、を備える。そして、モールド姿勢調整部は、距離測定部の測定結果に基づいて、モールドＭＢの基板ＷＴに対する平行度と、モールドＭＢの平坦面と基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離と、を調整する。
次に、本変形例に係る樹脂成形システムの動作について図３７Ａ乃至図３９Ｂを参照しながら説明する。まず、図３７Ａに示すように、樹脂載置装置７０２２は、チャンバ７２０１内に存在する気体を、チャンバ７２０１の排気口７２０１ａに接続された真空ポンプ７２０２によりチャンバ７２０１外へ排出することにより、チャンバ７２０１内の真空度を高める。次に、樹脂載置装置７０２２は、チャンバ７２０１内の真空度が予め設定された真空度以上の状態で、チャンバ７２０１内に配置されたディスペンサ７０５２からモールドＭの凹部ＭＴに樹脂を吐出させる。ここで、樹脂載置装置７０２２は、ディスペンサ７０５２の本体部７５２０をＺ軸方向と直交する方向への移動（図３７Ａ中の矢印ＡＲ７０２参照）と、Ｚ軸方向へ移動（図３７Ａ中の矢印ＡＲ７０１参照）と、を繰り返すことにより、モールドＭＢの複数の凹部ＭＴへ樹脂Ｒ１を注入していく。このとき、モールドＭＢの凹部ＭＴの奥に空隙ＣＡが生じうる。
続いて、樹脂載置装置７０２２は、図３７Ｂに示すように、モールドＭＢの複数の凹部ＭＴ全てに樹脂Ｒ１を注入すると、チャンバ７２０１内を大気開放する。これにより、モールドＭＢの凹部ＭＴに注入された樹脂Ｒ１が、大気圧により樹脂Ｒ１が凹部ＭＴの奥まで押し込まれ、凹部ＭＴの奥に生じていた空隙ＣＡが消滅する。そして、図３８Ａに示すように、モールドＭＢが、樹脂成形装置７０２１へ搬送され、図３８Ｂに示すように、モールドＭＢが、基板ＷＴの下方に配置される。その後、樹脂成形装置７０２１は、図３９Ａに示すように、樹脂成形装置７０２１へ搬送される前段階で樹脂Ｒ２が凹部ＭＴに注入されたモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てる。そして、樹脂成形装置７０２１は、図３９Ｂに示すように、紫外線照射部５２から樹脂Ｒ２へ紫外線を照射することにより一括成形を実行する。ここで、樹脂成形装置７０２１が、たとえ真空中で一括成形を行う機能を有するものであっても、モールドＭＢの凹部ＭＴのアスペクト比が高い場合、凹部ＭＴの奥まで樹脂Ｒ２が入り込まない。従って、本変形例に係る樹脂成形システムのように、樹脂成形装置７０２１へモールドＭＢを搬送する前段階で、樹脂載置装置７０２２の真空度の高いチャンバ７２０１内において、モールドＭＢをディスペンサ７０５２の下側に配置した状態で、モールドＭＢの凹部ＭＴに樹脂Ｒ２を注入することが好ましい。
なお、前述の樹脂成形システムにおいて、モールドＭＢがヘッド７２０３に支持された状態で、モールドＭＢを加熱するモールド加熱部（図示せず）を備えるものであってもよい。或いは、前述の樹脂成形システムにおいて、モールドＭＢがヘッド７２０３に支持された状態で、モールドＭＢを振動させる加振部（図示せず）を備えるものであってもよい。
また、前述の変形例に係る樹脂載置装置７０２２は、ディスペンサ７０５２を用いてモールドＭＢの複数の凹部ＭＴに樹脂を注入する構成であったが、樹脂載置装置は、ディスペンサを用いる構成に限定されない。例えば、樹脂載置装置が、チャンバ７２０１内においてスクイージブレードを用いた印刷法により樹脂ＲをモールドＭＢに塗布する構成であってもよい。更に、前述の樹脂成形装置７０２１は、大気中でモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てて樹脂部を成形する構成であったが、これに限らず、樹脂成形装置が、チャンバ（図示せず）を備え、チャンバ内の真空度を高めた状態でチャンバ内においてモールドＭＢを基板ＷＴに押し当てて樹脂部を成形する構成であってもよい。
なお、前述の変形例で説明した、空間Ｓ６の真空度が高い状態で樹脂Ｒ１をモールドＭに塗布する場合にモールドＭを冷却し、空間Ｓ６を大気開放した場合にモールドＭを加熱する方式は、前述のキャップ６５２４を備える樹脂成形装置への適用に限定されない。例えば、前述の図３７Ａ乃至図３９Ｂで説明した樹脂載置装置７０２２または樹脂成型装置７０２１に適用されてもよい。
ここで、モールドＭＢを真空度の高い状態に配置してモールドＭＢに樹脂Ｒ２を塗布してから基板ＷＴに樹脂部を成形するまでの一連の動作について説明する。まず、モールドＭＢを真空度の高い環境下に配置した状態でモールドＭＢを冷却する。次に、真空度の高い環境下で、冷却されたモールドＭＢに樹脂Ｒ２を塗布する。続いて、モールドＭＢの周囲を大気圧環境下に戻すとともに、モールドＭＢを加熱し、モールドＭＢに塗布された樹脂Ｒ２を軟化させる。これにより、樹脂Ｒ２がモールドＭＢの凹部ＭＴの奥へスムーズに充填される。その後、樹脂Ｒ２を基板ＷＴへ押し付ける。このとき、基板ＷＴと樹脂Ｒ２との間への空気の巻き込みを抑制するために、モールドＭＢを再度冷却することにより樹脂Ｒ２の粘度を上昇させた状態で、樹脂Ｒ２を基板ＷＴへ押し付ける。なお、モールドＭＢは、前述のモールドＭに比べて基板ＷＴに対向する部分の面積が大きいため、その分、モールドＭＢを基板ＷＴへ押し付ける際に必要な圧力が大きくなる。そこで、モールドＭＢを基板ＷＴへ押し付ける際、モールドＭＢを加熱して、樹脂Ｒ２の粘度を低下させることにより、モールドＭＢを基板ＷＴへ押し付ける際の圧力を低減するようにしてもよい。以上説明した一連の動作を繰り返すことにより、基板ＷＴ上に複数の樹脂部を成形することができる。
なお、大気中でモールドＭＢに樹脂Ｒ２を塗布する場合、モールドＭＢに樹脂Ｒ２を塗布する際、モールドＭＢを加熱することにより、樹脂Ｒ２の粘度を低下させればよい。そして、モールドＭＢを基板ＷＴへ押し付ける際、モールドＭＢを冷却して樹脂Ｒ２の粘度を低下させることにより、基板ＷＴと樹脂Ｒ２との間への空気の巻き込みを抑制するようにすればよい。また、モールドＭＢを基板ＷＴへ押し付ける圧力を低減したい場合には、モールドＭＢを加熱して樹脂Ｒ２の粘度を低下させればよい。なお、樹脂Ｒ２としては、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂または熱可塑性樹脂のいずれであってもよい。
実施の形態２では、モールドＭに樹脂Ｒ１を載置、即ち、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入した後、そのモールドＭを基板ＷＴの下方から基板ＷＴに押し付けた状態で樹脂Ｒに紫外線を照射することにより樹脂部を成形する樹脂成形装置２の例について説明した。但し、これに限らず、例えば基板ＷＴにおける樹脂部を成形する面側に予め樹脂を塗布しておき、樹脂成形装置において、樹脂が塗布された側が下側となる姿勢で配置された基板ＷＴの下方から、モールドＭを基板ＷＴの樹脂に押し付けた状態で樹脂に紫外線を照射する構成であってもよい。或いは、樹脂成形装置が、モールドＭに樹脂を注入した後、そのモールドＭを樹脂が塗布された基板ＷＴの下方から樹脂に押し付けた状態で樹脂に紫外線を照射する構成であってもよい。
本構成によれば、モールドＭの凹部ＭＴ内への気体の流入が抑制されてモールドＭの凹部ＭＴの内側に入り込む樹脂の量が比較的安定するので、基板ＷＴ上に成形する樹脂部の形状が安定するという利点がある。なお、樹脂成形装置が、チャンバ（図示せず）を備えており、チャンバ内の真空度を高めた状態でチャンバ内においてモールドＭＢを樹脂層が形成された基板ＷＴに押し当てる構成であってもよい。この場合、モールドＭの凹部ＭＴ内にほとんど気体が存在しなくなるので、モールドＭの凹部ＭＴ内に存在する気体に起因した成形不良の発生が抑制される。
実施の形態２に係る樹脂成形装置２において、例えば図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴにおけるモールドＭを押し付ける位置毎に、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、モールドＭの傾きを調整してもよい。樹脂成形装置２は、水平面に対する第２円盤部材３３４およびこれに固定されたヘッド２０３３Ｈの傾き角度を調整することにより、モールドＭの傾きを調整する。ここで、樹脂成形装置２は、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に介在する３つのピエゾアクチュエータ３３３をそれぞれＺ軸方向へ伸縮させることにより、ヘッド２０３３Ｈの傾き角度を調整する。樹脂成形装置２は、実施の形態２で説明した樹脂成形処理のうち、例えばステップＳ２０４のモールドＭのプリアライメントを実行する処理、或いは、ステップＳ２０６のモールドＭに載置された樹脂Ｒ１が基板ＷＴの形成面ＷＴｆに接触した状態で液浸アライメントを実行する処理を行う際、モールドＭの傾きを調整してもよい。３つのピエゾアクチュエータ３３３は、例えば図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴの中央部にモールドＭを押し付ける場合と基板ＷＴの周部にモールドＭを押し付ける場合とで、モールドＭの姿勢（傾き）を異ならせる。また、樹脂成形装置は、モールドＭを、モールドＭに載置された樹脂を介して基板ＷＴに接触させた状態で、基板ＷＴに対するモールドＭの位置および姿勢を補正してもよい。また、樹脂成形装置は、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離に基づいて、形成面ＷＴｆと平坦面ＭＦとの間の距離と平坦面ＭＦの形成面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整してもよい。
なお、実施の形態２では、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に３つのピエゾアクチュエータ３３３が介在する樹脂成形装置２の例について説明したが、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に介在するピエゾアクチュエータの数は３つに限定されない。例えば、樹脂成形装置が、第１円盤部材３３２と第２円盤部材３３４との間に２つのピエゾアクチュエータが介在する構成であってもよいし、４つ以上のピエゾアクチュエータが介在する構成であってもよい。
ところで、基板ＷＴの外周部近傍では、モールドＭを基板ＷＴに塗布された樹脂Ｒ２に押し付ける際、モールドＭに対する加圧中心がずれるためにモールドＭが基板ＷＴの形成面ＷＴｆに対して傾いてしまう。この場合、モールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができず、樹脂部を良好に成形できない虞がある。
これに対して、本変形例の場合、樹脂成形装置２が、基板ＷＴにおけるモールドＭを押し付ける位置毎に、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとが平行となるように、モールドＭの傾きを調整する。これにより、モールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができるので、良好に樹脂部を成形することができる。また、基板ＷＴを保持するヘッドの構造に起因して、図４０Ａおよび図４０Ｂに示すように、基板ＷＴの中央部と外周部とで撓みしろが異なる場合がある。この場合でも、本変形例によれば、樹脂成形装置２が、基板ＷＴの中央部と外周部とでモールドＭの傾きを調整することにより、両方においてモールドＭ全体に均一な圧力を加えた状態でモールドＭを樹脂Ｒ２に押し付けることができる。
実施の形態２に係る樹脂成形装置２では、紫外線照射部５３が、ステージ２０３１の上方に配置されている例について説明した。但し、紫外線照射部５３の配置はこれに限定されるものではなく、基板ＷＴが、紫外線に対して不透明な基板である場合、ステージ３１の下側に配置される構成であってもよい。この場合、紫外線照射部５３は、基板ＷＴの下方から樹脂部Ｒに紫外線を照射する。なお、紫外線に対して不透明な基板としては、Ｓｉ基板が挙げられる。また、透明なガラスから形成されている透明なモールドＭを使用することにより、モールドＭの下方から紫外線を照射するようにしてもよい。本構成によれば、紫外線照射部５３の配置の自由度を大きくすることができるので、樹脂成形装置２の設計自由度が大きくなるという利点がある。
各実施の形態では、ヘッド駆動部３６が、ボンディング部３３（２０３３）を、Ｚ軸方向へ移動させること並びに軸ＢＸ周りに回転させることのみが可能である例について説明した。但し、これに限らず、ヘッド駆動部３６が、ボンディング部３３（２０３３）を、Ｘ軸方向またはＹ軸方向へ移動させることができる構成であってもよい。この場合、ヘッド駆動部３６は、例えばチップ搬送部３９からチップＣＰを受け取った後、ヘッド３３Ｈ（２０３３Ｈ）と基板ＷＴにおけるチップＣＰが実装される部位とが対向する位置に、ボンディング部３３（２０３３）をＸ軸方向またはＹ軸方向へ移動させるようにしてもよい。
実施の形態１では、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂを備え、アライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂを含む画像Ｇａ，Ｇｂを同時に撮影する例について説明した。但し、これに限らず、１つの第１撮像部３５ａが、Ｚ軸方向に直交する面内で移動可能であり、第１撮像部３５ａが、Ｚ軸方向に直交する面内で移動しながらアライメントマークＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂを含む画像Ｇａ，Ｇｂを順次撮影する構成であってもよい。
実施の形態１では、２つの第１撮像部３５ａ、３５ｂにより、基板ＷＴとチップＣＰとに設けられたアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影する構成について説明した。但し、これに限らず、例えばステージ３１の上方に第１撮像部３５ａ、３５ｂとは別に２つの撮像部（図示せず）が配置された構成であってもよい。この場合、２つの第１撮像部３５ａ，３５ｂによりチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを含む画像を撮影し、他の２つの撮像部により基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を撮影するようにしてもよい。
実施の形態１では、切出機構１１１がダイシングテープＴＥにおける鉛直上方（＋Ｚ方向）からニードル１１１ａを鉛直下方（−Ｚ方向）へ突き出してチップＣＰを鉛直下方（−Ｚ方向）へ押し出すことによりチップを供給するチップ供給部１１の例について説明した。但し、チップ供給部１１の構成は、これに限定されない。例えばチップ供給部が、ダイシングテープＴＥを上方へ吸引することによりチップＣＰをダイシングテープＴＥから剥がしてチップＣＰを供給する構成であってもよい。或いは、チップ供給部が、チップＣＰが貼着されたダイシングテープＴＥに紫外線を照射することによりダイシングテープＴＥの粘着力を低下させることによりチップＣＰをダイシングテープＴＥから剥がしてチップＣＰを供給する構成であってもよい。
実施の形態１では、第１撮像部３５ａ，３５ｂが、それぞれ、同軸照明系の光源から出射される照明光（例えば赤外光）の反射光を利用して、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する例について記載した。但し、これに限らず、例えば、第１撮像部３５ａ、３５ｂ側とは反対側に設けられた光源からチップＣＰを透過する透過光を利用して、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成であってもよい。例えば、基板ＷＴの鉛直上方に配置された第２撮像部４１が、チップＣＰの下側に入射する第１撮像部３５ａ、３５ｂの同軸光を利用して、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。或いは、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、基板ＷＴの鉛直上方に配置された第２撮像部４１から出射される同軸光を利用して、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。また、基板ＷＴが可視光に対して透明の場合、第１撮像部３５ａ、３５ｂまたは第２撮像部４１から出射される同軸光が、可視光であってもよい。
実施の形態１では、第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成について説明した。但し、これに限らず、例えば第１撮像部３５ａ、３５ｂが、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂを含む画像を取得し、第２撮像部４１が、基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを含む画像を取得する構成であってもよい。この場合、チップＣＰを積層していく場合のように第１撮像部３５ａ、３５ｂから出射される同軸光または第２撮像部４１から出射される同軸光が、積層されたチップＣＰを透過しない場合でもアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの取得が可能となる。また、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂとアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを各カメラで個別に認識することが可能となるので、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂ、ＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂの認識に要する時間が短縮される。また、基板ＷＴ側は２つのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを毎回認識する必要はなく、基板ＷＴを交換する毎に１回だけ２つのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを用いて、基板ＷＴのθ方向のずれを認識しておけばよい。これは、チップ実装システムが、１枚の基板ＷＴにチップＣＰを実装していく上で、既に基板ＷＴのθ方向のずれ量を認識しているので、１つのアライメントマークの認識で十分であり、また、スループットも向上するからである。
また、第２撮像部４１が、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを含む画像を取得する構成であってもよい。このように、チップＣＰを基板ＷＴの接合面ＷＴｆに接触させた状態で、赤外光を利用してチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂとを同一の第２撮像部４１で、アライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ２ａ、アライメントマークＭＣ１ｂ、ＭＣ２ｂの組を、フォーカス軸を動かさずに1回の取り込みで同時認識することにより、チップＣＰと基板ＷＴとの位置ずれを高精度に認識できる。また、チップＣＰ側の第１撮像部３５ａ、３５ｂを用いてチップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂと基板ＷＴのアライメントマークＭＣ２ａ、ＭＣ２ｂを同時に認識する構成でも同様である。
実施の形態１において、チップ実装システム１が、チップＣＰと基板ＷＴを接触させた状態でチップＣＰの基板ＷＴに対する位置ずれを算出し、算出した位置ずれ量に基づいてチップＣＰの位置を補正する構成であってもよい。この場合、チップ実装システム１は、チップＣＰと基板ＷＴを接触させた状態でチップＣＰの基板ＷＴに対する位置ずれを算出した後、チップＣＰを基板ＷＴから離間させてから位置ずれ量に相当する分だけずれ方向とは反対方向にチップＣＰ移動させる。その後、チップ実装システム１は、チップＣＰを基板ＷＴに再度接触させる。本構成によれば、チップＣＰを基板ＷＴに高精度に実装することが可能となる。
実施の形態１において、ボンディング装置３０が、チップＣＰの接合面（平坦面）ＣＰｆにおける３つ以上の箇所において、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離を測定する距離測定部（図示せず）を備えるものであってもよい。距離測定部は、例えばヘッド３３Ｈの側方の複数箇所に配置されたレーザ光源（図示せず）と、複数のレーザ光源それぞれから出射し基板ＷＴで反射したレーザ光を受光する受光部（図示せず）と、を有するものであってもよい。そして、前述の実施の形態１の図９のステップＳ７（部品実装ステップ）において、ヘッド駆動部３６が、距離測定部により測定された距離に基づいて、チップＣＰを保持するヘッド３３Ｈを、基板ＷＴを保持するステージ３１に近づけてもよい。また、３つのピエゾアクチュエータ３３３が、距離測定部により測定された基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整してもよい。
また、実施の形態１において、ボンディング装置３０が、例えば図４１Ａに示すような、基板ＷＴとチップＣＰとの間に配置可能なプリズム７７３７と、プリズム７７３７の側方に配置された２つの距離測定部７７３８１、７７３８２と、を備えるものであってもよい、距離測定部７７３８１は、レーザ光をプリズム７７３７に向けて出射するレーザ光源と、基板ＷＴの実装面ＷＴｆで反射してプリズム７７３７を介して戻ってくる光を受光する受光部と、を有する。また、距離測定部７７３８２は、レーザ光をプリズム７７３７に向けて出射するレーザ光源と、チップＣＰの接合面ＣＰｆで反射してプリズム７７３７を介して戻ってくる光を受光する受光部と、を有する。この場合、ボンディング装置３０は、距離測定部７７３８１により測定されるプリズム７７３７と基板ＷＴの実装面ＷＴｆとの間の距離と、距離測定部７７３８２により測定されるプリズム７７３７とチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間の距離と、２つの距離測定部７７３８１、７７３８２との間の距離Ｗ７７とから、基板ＷＴとチップＣＰとの間の距離を算出する。そして、ボンディング装置３０は、算出された距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。
更に、実施の形態１において、ボンディング装置３０が、例えば図４１Ｂに示すような、基板ＷＴとヘッド３３Ｈの先端部との間の距離を測定する距離測定部を備えるものであってもよい。この場合、チップ実装システムが、チップＣＰの厚さとを予め計測する厚さ計測部（図示せず）を備え、ボンディング装置３０が、距離測定部により測定された基板ＷＴの実装面ＷＴｆとヘッド３３Ｈの先端部との間の距離からチップＣＰの厚さを差し引いて得られる距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。また、基板ＷＴがレーザ光を反射しない場合、距離測定部が、基板ＷＴがステージ３１に保持されておらず、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持されていない状態において、ステージ３１とヘッド３３Ｈの先端部との間の距離を測定するものであってもよい。この場合、チップ実装システムが、基板ＷＴの厚さとチップＣＰの厚さとを予め計測する厚さ計測部（図示せず）を備え、ボンディング装置３０が、距離測定部により測定されたステージ３１とヘッド３３Ｈの先端部との間の距離から基板ＷＴの厚さおよびチップＣＰの厚さを差し引いて得られる距離に基づいて、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰとの間の距離とチップＣＰの基板ＷＴの実装面ＷＴｆに対する傾きとの少なくとも一方を調整する。また、チップや基板の距離を測定する測定部はチップ実装システム部内になくとも事前に厚みが分かっているものであればその値を使えば良い。
実施の形態１において、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水を供給することによりチップＣＰの接合面ＣＰｆに水を付着させる水供給部（図示せず）を備えるものであってもよい。この場合、水供給部は、チップＣＰがチップ供給装置１０のチップ供給部１１から供給された後、チップＣＰがボンディング装置３０のヘッド３３Ｈに保持されて基板ＷＴの実装面ＷＴｆに接触するまでの間に、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水を供給する。水供給部は、例えばチップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａにおけるチップＣＰが保持された状態でチップＣＰの接合面ＣＰｆに対向する部分に設けられ水を接合面ＣＰｆへ吹き付ける水吐出部（図示せず）を有するものであってもよい。或いは、水供給部が、チップ供給装置１０に設けられていてもよい。この場合、水供給部は、チップ供給部１１からチップ反転部１３１のアーム１３１１に受け渡され、接合面ＣＰｆが鉛直上方を向いた姿勢でアーム１３１１に保持された状態のチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を吹き付ける水吐出部（図示せず）を有すればよい。
また、前述の水供給部を備える構成において、チップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を供給する前に、接合面Ｃｐｆに付着したパーティクルを除去するクリーニング部を備えるものであってもよい、クリーニング部としては、例えば窒素、ヘリウム等の気体をブローする構成、超音波、メガソニック等を印加した状態の水を吹き付ける構成、或いは、接合面ＣＰｆに付着したパーティクルを機械的に擦り取る構成が挙げられる。なお、水供給部は、前述の超音波、メガソニック等を印加した状態の水を吹き付ける構成とすれば、接合面ＣＰｆへの水の供給とパーティクル除去の両方の機能を兼ね備えることになる。
また、水供給部は、ボンディング装置３０のステージ３１に設けられた水吐出部（図示せず）を有するものであってもよい。この場合、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持された状態で、チップＣＰが基板ＷＴに実装される直前に、チップＣＰの上方に水吐出部が位置するようにステージ３１が駆動されてから、水吐出部からチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水が吹き付けられるようにすればよい。
或いは、図４２に示すように、水供給部７８５２とクリーニングヘッド７８５６とカメラ７８５７とが、ボンディング装置３０におけるステージ７８３１の上方に配置された支持部７８５５に支持され、鉛直方向に移動可能なノズル７８５２２を備えるものであってもよい。この支持部７８５５は、鉛直方向および鉛直方向に直交する水平面内で自由に移動可能である。この場合、チップＣＰがヘッド３３Ｈに保持された状態で、チップＣＰが基板ＷＴに実装される直前に、ステージ７８３１を移動させることにより（図４２の矢印ＡＲ７８１参照）、基板ＷＴをチップＣＰの上方から退避させる。このとき、水供給部７８５２の鉛直下方にステージ７８３１に設けられた貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１を移動させる。次に、水供給部７８５２は、ノズル７８５２２を鉛直下方へ移動させて貫通孔７８３１ａに挿通させることにより（図４２の矢印ＡＲ７８２参照）、ノズル７８５２２の先端をチップＣＰの接合面ＣＰｆに近づけて、チップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を吹き付ける。また、クリーニングヘッド７８５６は同様に貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１を移動させ、次に、クリーニングヘッド７８５６を鉛直下方へ移動させて貫通孔７８３１ａに挿通させることにより先端をチップＣＰの接合面ＣＰｆに近づけて、チップＣＰの接合面ＣＰｆのパーティクルを除去する。
前述の図４２に示す構成では、ステージ７８３１の上方にチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を供給する水供給部７８５２と、クリーニングヘッド７８５６と、が設けられていたが、水供給部とクリーニングヘッドとは、この構成に限定されるものではない。例えば、図４３に示すように、チップ搬送部１００３９が、チップ保持部３９１ａが設けられたプレート１０３９１と、水供給部１０３９１ｃが設けられたプレート１０３９１と、クリーニング部１０３９１ｂが設けられたプレート１０３９１と、を有するものであってもよい。ここで、クリーニング部１０３９１ｂは、例えば窒素、ヘリウム等の気体を吐出するノズルを有するものであり、水供給部１０３９１ｃは、例えば超音波、メガソニック等を印加した状態の水を吹き付けるノズルを有するものである。なお、チップ搬送部は、図４３に示すチップ搬送部１００３９において、クリーニング部１０３９１ｂが設けられたプレート１０３９１が無く、チップ保持部３９１ａが設けられたプレート１０３９１と、水供給部１０３９１ｃが設けられたプレート１０３９１と、のみを有するものであってもよい。或いは、チップ保持部３９１ａが設けられたプレート１０３９１の先端部において、プレート１０３９１の回転方向においてチップ保持部３９１ａから離間した位置に水供給部（図示せず）およびクリーニング部（図示せず）が設けられた構成であってもよい。
これらの構成によれば、例えば図４２に示す構成のように、ステージ７８３１を移動させることにより基板ＷＴをチップＣＰの上方から退避させるような動作が不要となるので、チップＣＰの接合面ＣＰｆのパーティクル除去および接合面ＣＰｆへの水の供給を短時間で行えるので生産タクト上好ましい。
また、図４４に示すように、チップ実装システムが、チップ搬送部３９とは別に、ヘッド３３Ｈを中心とした反対側にチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を供給したり、接合面ＣＰｆに付着したパーティクルを除去するために接合面Ｃｐｆへ気体を吹き付けたりする供給部１１０３９を備える構成であってもよい。この供給部１１０３９は、先端部に水または気体を吹き出すノズル１１３９１ａが設けられた複数のプレート１１３９１と、複数のプレート１１３９１を一斉に回転駆動するプレート駆動部１１３９２と、を有する。本構成によれば、図４５に示すように、チップ搬送部３９のプレート３９１の先端部と、供給部１１０３９のプレート１１３９１の先端部とが、互いに同期して回転し（図４５中の矢印ＡＲ１、ＡＲ１１１参照）、交互にヘッド３３Ｈの上方へ移動する。これにより、ヘッド３３ＨへのチップＣＰの受け渡し動作とヘッド３３Ｈに保持されたチップＣＰの接合面ＣＰｆへの水の供給動作または気体の吹き付け動作とからなる一連の動作が効率よく実行されるので、生産効率が高まるという利点がある。また、チップ搬送部３９には、チップＣＰを吸着するための真空経路と吸着を停止させるための真空破壊経路とが設けられているため、このチップ搬送部３９に更に、チップＣＰの接合面ＣＰｆの洗浄時に接合面ＣＰｆへ吹き付ける気体を導入する経路と、接合面ＣＰｆへ水を供給するための経路と、を追加で設けるのは構造上困難である。従って、前述のように、チップ搬送部３９とは別に、水の供給または気体を吹き付ける供給部１１０３９が設けられていることが好ましい。
なお、チップ実装システムは、例えば、供給部１１０３９においてチップＣＰの接合面ＣＰｆへの水の供給と接合面ＣＰｆへクリーニングのために気体の吹き付けを行う構成であってもよい。また、チップ実装システムは、チップ搬送部３９において、チップＣＰの接合面へクリーニングのために気体の吹き付けを行い、供給部１１０３９において、接合面ＣＰｆへ水を供給する構成であってもよい。更に、チップ実装システムは、チップ搬送部３９において、チップＣＰの接合面ＣＰｆへの水の供給を行い、供給部１１０３９において、接合面ＣＰｆへクリーニングのために気体の吹き付けを行う構成であってもよい。なお、チップ搬送部３９と供給部１１０３９との配置は、前述の配置に限定されるものではない。
ところで、基板ＷＴの場合、基板ＷＴの実装面ＷＴｆを窒素プラズマ等に曝すことにより活性化させた後、スピンコーターによる水洗浄工程を行うことにより、実装面ＷＴｆに水を供給することができる。ここで、水洗浄工程では、基板ＷＴを回転させながら超音波等の振動を付加した水を吹き付けてからスピン乾燥させる。これにより、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに付着したパーティクルが取り除かれるとともに水を実装面ＷＴｆに付着させることができる。しかしながら、チップＣＰは、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた後、その接合面ＣＰｆに水が直接供給されることがない。また、親水化処理装置６０は、ダイシングテープＴＥが存在してもビーム照射により表面活性化する方式であれば、ダイシングテープＴＥから発生した不純物イオンが基板ＷＴの実装面Ｗｔｆに付着することなく活性化できる。しかし、チップＣＰは、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた状態ではその接合面ＣＰｆについて水洗浄工程を行うことは不可能である。従って、チップＣＰの接合面ＣＰｆからパーティクルを除去できず、接合面ＣＰｆに基板ＷＴとの接合に十分な水を付着させることができない虞がある。
これに対して、本構成によれば、水供給部が、チップ供給部１１から供給されたチップＣＰの接合面ＣＰｆに水を吹き付ける。これにより、チップＣＰの接合面ＣＰｆに基板ＷＴとの接合に十分な水を付着させることができるので、基板ＷＴへのチップＣＰの仮接合時における不具合を防止し接合時のチップＣＰの基板ＷＴからの落下を防止できる。また、基板ＷＴの実装面ＷＴｆとチップＣＰの接合面ＣＰｆとの間に水が介在することにより仮接合がスムーズに進行し、その結果、基板ＷＴとチップＣＰとの間にボイドが入りにくいという利点もある。また、チップＣＰを基板ＷＴに接触させた後、チップＣＰの基板ＷＴに対する位置調整を行う際、チップＣＰを一旦基板ＷＴから離脱させた後チップＣＰの姿勢を修正してから再度チップＣＰを基板ＷＴに接触させる方法以外に、チップＣＰを基板ＷＴに水を介して接触させた状態でチップＣＰを基板ＷＴに対して移動させることもできる。この場合、チップＣＰの基板ＷＴに対する位置が確定した後、チップＣＰを基板ＷＴに押し付ける力を増加させてチップＣＰと基板ＷＴとの間に介在する水を外へ押し出すことによりチップＣＰを基板ＷＴに仮接合させることができる。
なお、ボンディング装置は、水供給部とともに窒素を吐出するブロワを備えるものであってもよい。ブロワは、例えばチップ搬送部３９のチップ保持部３９１ａにおけるチップＣＰが保持された状態でチップＣＰの接合面ＣＰｆに対向する部分において、チップ保持部３９１ａの回転方向において水吐出部と隣り合う位置に設けられていてもよい。或いは、図４２に示すようなボンディング装置において、ブロワノズルを有する洗浄ヘッドが、水供給部とともに支持部７８５５に支持されている構成であってもよい。ここで、洗浄ヘッドは、水供給部と同様に、洗浄ヘッドの鉛直下方にステージ７８３１に設けられた貫通孔７８３１ａが位置するようにステージ７８３１が移動された状態で、ブロワノズルが鉛直下方へ移動して貫通孔７８３１ａに挿通される。これらの場合、ボンディング装置は、水供給部からチップＣＰの接合面ＣＰｆへ水を供給する前に、ブロワから接合面ＣＰｆへ窒素を吐出させることにより、接合面ＣＰｆに付着したパーティクルを除去することができる。
なお、本構成において、チップＣＰの接合面ＣＰｆへ水の他に弱酸等の液体を付加して供給する構成であってもよい。特に、基板ＷＴの実装面ＷＴｆに形成されたＣｕ電極にチップＣＰを実装する場合、チップＣＰの接合面ＣＰｆに水とともに弱酸等の液体を付加して吹き付けると基板ＷＴとチップＣＰとを良好に接合することができる。
実施の形態１では、チップ供給部１１が、ダイシングテープＴＥに貼り付けられた状態のチップＣＰを供給する例について説明したが、これに限らず、チップ供給部がトレイに載置された状態のチップＣＰを供給する構成であってもよい。或いは、チップ供給部が、チップＣＰを１つずつ供給する構成であってもよい。チップ供給部は、ボンディング装置と別体であるものに限定されず、例えば、ボンディング装置が、ステージ３１に、少なくとも１つのチップＣＰを吸着保持する吸着保持機構（図示せず）を有するチップ供給部を備えるものであってもよい。この場合、吸着保持機構に保持されたチップＣＰがヘッド３３Ｈに供給される。
実施の形態１において、チップ供給部１１が、ダイシングテープＴＥの鉛直下方からチップＣＰの接合面ＣＰｆが鉛直上方を向いた状態でチップＣＰを保持する場合、この場合、チップ供給部１１は、ダイシングテープＴＥとして、チップＣＰの接合面ＣＰｆに不純物が付着しない特殊シートを使用し、親水化処理が施され選択的にパーティクルが除去された後のダイシング基板ＷＣがその接合面ＣＰｆ側がダイシングテープＴＥ側となるようにダイシングテープＴＥに貼り付けられたものを使用する。そして、チップ実装システムは、チップ反転部１３１を使用せずに、チップ受け渡し部１２３が直接チップ供給部１１からチップＣＰの供給を受けることが可能な構成であればよい。
実施の形態２では、基板ＷＴが透明であり、基板ＷＴの鉛直上方から紫外光を照射してモールドＭ上の樹脂を硬化させたが、これに限らない。例えば、基板ＷＴが紫外光を透過しない場合、モールドＭを透明なガラスのような紫外光を透過させる材料から形成し、モールドＭの鉛直下方から紫外線照射を行う構成であってもよい。また、距離測定部も、モールドＭが透明なガラス等の材料で形成されている場合、モールドＭの鉛直下方に配置して測定を行ってもよい。また、基板ＷＴがＳｉのような赤外光を透過させる材料から形成されている場合、樹脂成形装置は、撮像部２０４１として赤外光透過カメラを使用して、アライメントを実行する構成であってもよい。
実施の形態２では、樹脂部Ｒが紫外線硬化樹脂から形成されている例について説明した。但し、樹脂部Ｒの材料はこれに限定されるものではなく、例えば熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から形成されていてもよい。この場合、樹脂成形装置は、紫外線照射部の代わりに、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で樹脂部Ｒを加熱する加熱部（図示せず）を備える構成とすればよい。加熱部としては、例えばモールド保持部にヒータを埋め込んだり基板ＷＴ上方から赤外線を照射する赤外線ヒータを採用することができる。本構成によれば、樹脂部Ｒが熱硬化性樹脂から形成されている場合でも、基板ＷＴ上に硬化した樹脂部を形成することが可能となる。
また、樹脂部Ｒを形成する樹脂が、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂の場合、樹脂成形装置が、モールドＭを基板ＷＴに押し付ける際、前述の加熱部により、モールドＭに載置された樹脂を加熱し軟化させた状態にする構成であってもよい。
ところで、モールドＭと樹脂部Ｒとの接触面積が大きくなると、それに伴い、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態でモールドＭに加えるべき圧力が増加する。そして、モールドＭに加える圧力が増加すると、ステージ２０３１が撓んでしまい樹脂部Ｒの成形精度が低下する可能性が高まる。これに対して、本構成によれば、モールドＭを樹脂部Ｒに押し付けた状態で、樹脂部Ｒを形成する樹脂が軟化する予め設定された温度範囲の温度にまで加熱することにより、モールドＭに加えるべき圧力を低下させることができる。従って、樹脂部Ｒの成形中においてステージ２０３１が撓むことが抑制されるので、樹脂部Ｒの成形精度を高めることができる。
実施の形態２では、距離測定部５１１が、基板ＷＴおよびモールドＭの上方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する例について説明した。但し、これに限らず、例えば距離測定部５１１が、基板ＷＴおよびモールドＭの下方からレーザ光を照射することにより、基板ＷＴの形成面ＷＴｆとモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する構成であってもよい。
実施の形態２では、距離測定部５１１が、レーザ光を用いて、基板ＷＴの形成面ＷＴｆと、モールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を測定する例について説明した。但し、この構成の場合、基板ＷＴとモールドＭとの間における平坦面ＭＦに樹脂部Ｒの一部が張り出している場合、距離測定部５１１は、基板ＷＴとモールドＭとの間に樹脂部Ｒの一部が介在した状態で測定することになる。そうすると、基板ＷＴとモールドＭとの間に介在する樹脂部Ｒに吸収されてレーザ光が減衰してしまい反射光を良好に検出できない場合がある。
そこで、距離測定部５１１が、基板ＷＴとモールドＭの段部ＭＳとの間における樹脂部Ｒが介在しない領域で、基板ＷＴとモールドＭとの間の距離を測定するようにしてもよい。この場合、基板ＷＴとモールドＭとの間に介在する樹脂部Ｒに吸収されてレーザ光が減衰が抑制されるので、基板ＷＴとモールドＭとの間の距離を精度良く測定できる。
実施の形態１では、チップＣＰのアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂが接合面ＣＰｆ側に設けられている例について説明したが、これに限らず、例えばアライメントマークＭＣ１ａ、ＭＣ１ｂがチップＣＰにおける接合面ＣＰｆ側とは反対側の面に設けられていてもよい。また、実施の形態２では、モールドＭの平坦面ＭＦにアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが設けられている例について説明したが、これに限らず、例えばアライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂがモールドＭにおける平坦面ＭＦ側とは反対側の面に設けられていてもよい。更に、アライメントマークＭＭ１ａ、ＭＭ１ｂが、モールドＭの段部ＭＳに設けられていてもよい。
実施の形態２では、透明な基板ＷＴに対して例えば金属からなるモールドＭを下方から押し付けて、基板ＷＴの上方から紫外線照射部５２により紫外線を照射して樹脂Ｒ１を硬化したが、これに限らない、例えば基板ＷＴがＳｉのような透明でない基板である場合は、モールドＭを透明な材料で形成しモールドＭの下方から紫外線を照射してもよい。また、撮像部として赤外線を用いたものを採用する場合、Ｓｉ基板の上方から撮像部でアライメントマークを撮像するようにすればよい。
実施の形態２では、レーザによりモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆの隙間を直接測定する例について説明したが、これに限らない。例えば、モールドＭが、レーザ光を反射しにくかったり、モールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間に樹脂Ｒ１が介在したりしている場合、モールドＭを支持するヘッド２０３３Ｈに反射鏡を設けて反射鏡により反射されるレーザ光を用いてモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離を測定してもよい。この場合、反射鏡とモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を事前に計測しておき、反射鏡と基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離から事前に計測した反射鏡とモールドＭの平坦面ＭＦとの間の距離を差し引いてモールドＭの平坦面ＭＦと基板ＷＴの形成面ＷＴｆとの間の距離を算出すればよい。なお、基板ＷＴを支持するステージ２０３３に反射鏡を設けてもよい。
実施の形態２では、モールドＭの凹部ＭＴに樹脂Ｒ１を注入する例について説明したが、これに限らない。例えば、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに事前に樹脂を塗布しておいてもよい。モールドＭの凹部ＭＴに注入された樹脂が大気圧により凹部ＭＴの奥側へ窪んだ場合に、基板ＷＴの形成面ＷＴｆに塗布された樹脂で窪み分を補填できる。また、基板ＷＴと樹脂Ｒ１の接着性を高まるという利点もある。なお、基板ＷＴの形成面ＷＴｆのみに樹脂を塗布してもよい。
実施の形態２では、アスペクト比の高い樹脂成形について記載したが、これに限らない。例えば、膜厚が厚い成形物を成形する場合においても底に気泡が溜まりやすく本方式は好適である。膜厚が厚い成形物としては例えばレンズのようなものがあり、ガラスウエハ上にレンズを樹脂成形する場合などがある。
実施の形態２では、レーザ光を用いてモールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定する例について説明したが、これに限らず、例えばレーザ光の反射光の干渉光を利用して測定する方法を採用してもよい。この場合、モールドＭまたは基板ＷＴの温度変動による影響を受けないため測定精度が向上する。また、基板ＷＴおよびモールドＭのうちの少なくとも一方が、レーザ光を透過する材料から形成されていてもよい。
実施の形態２では、レーザ光を用いてモールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定する例について説明したが、これに限らず、例えばフォトセンサ、磁気センサ等の測距センサを用いてもよい。或いは、カメラでアライメントマークを撮像する際の焦点距離に基づいて、モールドＭと基板ＷＴとの間の距離を測定してもよい。
実施の形態２では、紫外線硬化樹脂を用いる例について説明したが、これに限定されるものではなく、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を用いても実施の形態２で説明した効果と同様の効果を奏する。熱硬化性樹脂の場合、樹脂が硬化する温度よりも低い予め設定された温度領域において樹脂が軟化する。また、予め樹脂の硬化温度以上に設定しても硬化途上で一旦軟化する。また、熱可塑性樹脂の場合、加熱してその温度を上昇させることにより樹脂が軟化する。
実施の形態２では、ヘッド駆動部３６が、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴに向けて上昇させることによりヘッド２０３３Ｈをステージ２０３１に近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付ける構成について説明した。但し、これに限らず、例えば、ヘッド２０３３Ｈを基板ＷＴにおける樹脂部Ｒが形成される位置に対向させてからステージ２０３１を鉛直下方へ移動させることによりステージ２０３１をヘッド２０３３Ｈに近づけて基板ＷＴの鉛直下方からモールドＭを押し付けるステージ駆動部（図示せず）を備える構成であってもよい。
実施の形態に係る樹脂成形装置としては、例えば微細な樹脂成形を行うナノインプリント装置が挙げられる。
本発明は、本発明の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を限定するものではない。つまり、本発明の範囲は、実施の形態ではなく、請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内及びそれと同等の発明の意義の範囲内で施される様々な変形が、本発明の範囲内とみなされる。
本出願は、２０１７年２月９日に出願された日本国特許出願特願２０１７−０２１９５３号、２０１７年１１月１０日に出願された国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／０４０６５１号、２０１８年１月１８日に出願された国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１８／００１４６７号に基づく。本明細書中に日本国特許出願特願２０１７−０２１９５３号の明細書、特許請求の範囲および図面全体、国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１７／０４０６５１号の明細書、特許請求の範囲および図面全体並びに国際出願ＰＣＴ／ＪＰ２０１８／００１４６７号の明細書、特許請求の範囲および図面全体を参照として取り込むものとする。
本発明は、例えばＣＭＯＳイメージセンサやメモリ、演算素子、ＭＥＭＳの製造に好適である。
１：チップ実装システム、２，４，６，７０２１：樹脂成形装置、１０：チップ供給装置、１１：チップ供給部、１３：チップ移載部、１５：供給チップ撮像部、３０：ボンディング装置、３１，２０３１，７２０４：ステージ、３３，２０３３：ボンディング部、３３Ｈ，２０３３Ｈ，８６３３Ｈ，８７３３Ｈ，８８３３Ｈ，８９３３Ｈ：ヘッド、３４：Ｚ方向駆動部、３５ａ、３５ｂ：第１撮像部、３６：ヘッド駆動部、３７：θ方向駆動部、３８：リニアガイド、３９，１００３９：チップ搬送部、４１：第２撮像部、５０，２０５０：カバー、５２，４０５２，６０５２，７０５２：ディスペンサ、５３：紫外線照射部、５５：支持部、６０：親水化処理装置、６５：水洗浄部、７０：搬送装置、７１：搬送ロボット、８０：搬出入ユニット、９０，２０９０：制御部、１１１：切出機構、１１１ａ：ニードル、１１２：テープ保持部、１１３：テープ保持部駆動部、１３１：チップ反転部、１３２：チップ受け渡し部、３０１：固定部材、３０２，３３３６：ベース部材、３１１：Ｘ方向移動部、３１２，３１４，３１６，８５２４ｄ，８９２４ｄ：開口部、３１３：Ｙ方向移動部、３１５，２３１５：基板載置部、３２１：Ｘ方向駆動部、３２３：Ｙ方向駆動部、３３１：Ｚ軸方向移動部材、３３２：第１円盤部材、３３３：ピエゾアクチュエータ、３３４：第２円盤部材、３３４ａ、３３４ｂ：孔部、３３６：ミラー固定用部材、３３７：ミラー、３３７ａ，３３７ｂ：傾斜面、３５１ａ，３５１ｂ，４１８：イメージセンサ、３５２ａ，３５２ｂ，４１９：光学系、３６１：回動部材、３６３：カメラＺ方向駆動部、３６５：カメラＦ方向駆動部、３９１，１０３９１，１１３９１：プレート、３９１ａ：チップ保持部、３９１ｂ，８６４１３ａ：吸着部、３９１ｃ：突出部、３９２：プレート駆動部、４１１，８６４１１，８７４１１，８８４１１，８９４１１：チップツール、４１３，２４１３，８６４１３，８７４１３，８８４１３：ヘッド本体部、４１５，４１６：中空部、５１１：距離測定部、５２０，４５２０，７５２０：本体部、５２１，４５２１，７５２１：ディスペンサ駆動部、５２２，４５２２，７５２２：ノズル、５２３，４５２３，７５２３：吐出制御部、９０１：ＭＰＵ、９０２：主記憶部、９０３：補助記憶部、９０４，２９０４：インタフェース、９０５：バス、１３１１：アーム、１３１１ａ：吸着部、１３１２：アーム駆動部、２０３１ａ，６５２４ｄ，７５２４ｄ：貫通孔、２０４１：撮像部、６５２４，８５２４，８９２４：キャップ、６５２４ａ，７２０１ａ，７５２４ａ，８５２４ａ，８９２４ａ：排気口、６５２４ｂ：底壁、６５２４ｃ：側壁、６５２５，６５２６，７５２５，７５２６，８５２５，８５２６，８５２８，８９２６，８９２８：Ｏリング、６５２６，７２０２：真空ポンプ、７０２２：樹脂載置装置、７２０１：チャンバ、７５２７：フランジ部材、８５２０：フランジ部、１０３９１ｂ：クリーニング部、１０３９１ｃ 水供給部、１１０３９：供給部、８６４１１ａ，８６４１１ｂ，８７４１１ｂ：貫通孔、８７４１３ｂ：吐出口、ＣＰ：チップ、ＣＰｆ：接合面、ＣＰｋ：切欠部、ＴＥ：ダイシングテープ、Ｌ６：排気管、Ｍ，ＭＢ：モールド、ＭＣ１ａ，ＭＣ１ｂ，ＭＣ２ａ，ＭＣ２ｂ，ＭＭ１ａ，ＭＭ１ｂ，ＭＭ２ａ，ＭＭ２ｂ：アライメントマーク、ＭＦ：平坦面、ＭＴ：凹部、ＯＢ１：軌跡、Ｒ：樹脂部、Ｒ１，Ｒ２：樹脂、ＷＣ，ＷＴ：基板、ＷＴｆ：実装面（形成面）
本発明は、部品実装システムおよび部品実装方法に関する。
本発明は、上記事由に鑑みてなされたものであり、性能不良の製品の発生が抑制される部品実装システムおよび部品実装方法を提供することを目的とする。

Claims (59)

  1. 基板に部品を実装する部品実装システムであって、
    前記部品を供給する部品供給部と、
    前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    鉛直下方から前記部品を保持するヘッドと、
    前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装するヘッド駆動部と、を備える、
    部品実装システム。
  2. 前記部品供給部は、
    シートに貼着されたダイシングされた基板であるダイシング基板を、前記シートが前記ダイシング基板の鉛直上方に位置する姿勢で保持するシート保持部と、
    前記ダイシング基板を構成する部品を、前記シートにおける鉛直上方側から鉛直下方へ切出すことにより供給する切出機構と、を有する、
    請求項１に記載の部品実装システム。
  3. 前記部品供給部から供給される前記部品を前記ヘッドに前記部品を受け渡す受け渡し位置まで搬送する部品搬送部を更に備える、
    請求項１または２に記載の部品実装システム。
  4. 前記部品搬送部は、前記部品の周部を、前記部品における前記基板に実装される側を鉛直上方に向けた状態で上面側を保持して前記部品を搬送する、
    請求項３に記載の部品実装システム。
  5. 前記部品供給部から供給される部品の上下を反転させる部品反転部と、
    前記部品反転部から上下反転した前記部品を受け取り前記部品搬送部へ渡す部品受け渡し部と、を更に備え、
    前記部品搬送部は、
    一端部に前記部品を保持する部品保持部が設けられ、前記部品供給部と前記ヘッドとの間に位置する他端部を基点として一端部が旋回する偶数個のプレートを有し、
    前記偶数個のプレートのうちのいずれか１つの一端部が鉛直方向において前記ヘッドと重複する第１状態において、前記ヘッド駆動部による前記ヘッドに保持された部品の前記基板への実装と、前記部品供給部から前記部品反転部への部品の供給と、前記部品受け渡し部から前記部品搬送部への部品の受け渡しと、が実行され、
    前記偶数個のプレートの一端部が鉛直方向において前記ヘッドと重複しない第２状態において、前記ヘッド駆動部による前記基板への前記部品の実装と、前記部品反転部による前記部品の反転と、前記部品受け渡し部による前記部品反転部からの前記部品の受け取りと、が実行される、
    請求項４に記載の部品実装システム。
  6. 前記プレートは、
    前記部品における前記基板に実装される側に水を供給することにより前記部品における前記基板に実装される側に水を付着させる水供給部と、前記部品における前記基板に実装される側を洗浄するクリーニング部と、の少なくとも一方 を有する、
    請求項５に記載の部品実装システム。
  7. 前記部品が前記基板における前記部品が実装される位置に配置された状態で、前記部品の鉛直下側から、前記部品の第１アライメントマークを撮像する第１撮像部を更に備える、
    請求項１乃至６のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  8. 前記部品が前記基板における前記部品が実装される位置に配置された状態で、前記基板の鉛直上方から、前記基板の第２アライメントマークを撮像する第２撮像部を更に備える、
    請求項１乃至７のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  9. 前記基板と前記部品とが接触した状態で、前記部品の第１アライメントマークと前記基板の第２アライメントマークとを撮像して得られる画像から、前記基板と前記部品との相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、前記ヘッド駆動部および前記基板保持部に、前記基板に対する前記部品の位置および姿勢を補正させる制御部を更に備える、
    請求項７または８に記載の部品実装システム。
  10. 前記ヘッド駆動部は、前記部品を保持する前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を接触させることにより前記部品を前記基板に面接合させる、
    請求項１乃至９のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  11. 前記基板の前記実装面および前記部品における前記基板に実装される側を親水化処理する親水化処理装置を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記親水化処理装置により親水化処理された前記基板の前記実装面に前記部品を接触させることにより前記部品を前記基板に接合させる、
    請求項１０に記載の部品実装システム。
  12. 前記部品における前記基板に実装される側に少なくとも水を供給することにより前記部品における前記基板に実装される側に少なくとも水を付着させる水供給部を更に備え、
    前記水供給部は、前記部品が前記部品供給部から供給された後、前記部品が前記ヘッドに保持されて前記基板の前記実装面に接触するまでの間に、前記部品における前記基板に実装される側に水を供給する、
    請求項１０または１１に記載の部品実装システム。
  13. 前記部品における前記基板に実装される側を洗浄するクリーニング部を更に備え、
    前記クリーニング部は、前記部品が前記部品供給部から供給された後、前記部品が前記ヘッドに保持されて前記基板の前記実装面に接触するまでの間に、前記部品における前記基板に実装される側を洗浄する、
    請求項１２に記載の部品実装システム。
  14. 一端部に前記水供給部と前記クリーニング部との少なくとも一方が設けられ、他端部を基点として一端部が旋回する複数のプレートを有する供給部を更に備える、
    請求項１３に記載の部品実装システム。
  15. 前記部品は、直方体状であり、前記基板に接合される接合面の外周部に形成された切欠部を有し、
    前記部品搬送部は、吸着部と、前記吸着部の周囲に突設され突出量が前記切欠部の前記接合面に直交する方向における高さよりも大きい突出部と、を有する部品保持部を有し、
    前記部品保持部は、前記突出部の先端部を前記切欠部に当接させた状態で、前記吸着部により前記部品を吸着することにより、前記部品を保持する、
    請求項３乃至６のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  16. 前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する部品姿勢調整部を更に備える、
    請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  17. 前記基板の前記実装面と、平坦面を有する前記部品の前記平坦面と、の間の距離を測定する距離測定部を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記部品を保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    請求項１６に記載の部品実装システム。
  18. 前記距離測定部は、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記実装面と前記平坦面との間の距離を測定し、
    前記部品姿勢調整部は、前記距離測定部により測定された前記実装面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    請求項１７に記載の部品実装システム。
  19. 前記部品姿勢調整部は、前記ヘッドを支持する複数のピエゾアクチュエータを有し、前記複数のピエゾアクチュエータを個別に伸縮させることにより、前記実装面と前記部品との間の距離と前記部品の前記実装面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    請求項１６乃至１８のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  20. 前記ヘッドは、
    前記部品の周部を保持する周部保持部と、
    前記部品の中央部を鉛直上方へ向かって押圧する押圧部と、を有し、
    前記ヘッド駆動部は、前記周部保持部が前記部品の周部を保持し且つ前記押圧部が前記部品の中央部を押圧することにより前記部品の中央部が前記部品の周部に比べて前記基板側へ突出するように撓んだ状態で、前記基板の前記実装面に前記部品の中央部から接触させる、
    請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  21. 前記部品は、前記基板に接合される接合面を有し、
    前記ヘッドは、前記部品を保持し前記基板の前記実装面に対する前記部品の前記接合面の傾きが可変である傾き可変保持部を有し、
    前記ヘッド駆動部は、前記傾き可変保持部が前記実装面に対して前記接合面を傾けて前記部品を保持した状態で、前記基板の前記実装面に前記部品の前記接合面の端縁から接触させる、
    請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  22. 前記ヘッドに設けられ、前記ヘッドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップと、
    前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記キャップを前記基板に当接させた状態で、前記キャップ内の真空度を高めた後、前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の前記実装面に前記部品を実装する、
    請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の部品実装システム。
  23. 基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
    前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
    前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるヘッド駆動部と、
    前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える、
    樹脂成形装置。
  24. 前記ヘッド駆動部を制御して、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けた後、前記樹脂硬化部を制御して、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させることを繰り返すことにより、前記基板に複数の硬化した樹脂部を形成する制御部を更に備える、
    請求項２３に記載の樹脂成形装置。
  25. 前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させた状態で、前記モールドの鉛直下方または前記基板の鉛直上方から、前記モールドの第３アライメントマークおよび前記基板の第４アライメントマークを撮像する撮像部と、
    前記モールドを前記基板に押し付けた状態で、前記第３アライメントマークと前記第４アライメントマークとを撮像することにより、前記基板と前記モールドとの相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、前記ヘッド駆動部および／または前記基板保持部に、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正させる制御部と、を更に備え、
    前記制御部は、前記モールドを、前記モールドに載置された樹脂を介して前記基板に接触させた状態で、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正させる、
    請求項２３または２４に記載の樹脂成形装置。
  26. 前記樹脂部は、紫外線硬化樹脂からなり、
    前記樹脂硬化部は、前記モールドに載置された樹脂に紫外線を照射することにより前記モールドに載置された樹脂を硬化させる紫外線照射部から構成され、
    前記基板または前記モールドは、紫外線に対して透明であり、
    前記樹脂硬化部は、前記基板の鉛直上方または前記モールドの鉛直下方から前記モールドに載置された樹脂に紫外線を照射する、
    請求項２３乃至２５のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  27. 前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整するモールド姿勢調整部を更に備える、
    請求項２３乃至２６のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  28. 前記基板の前記形成面と、平坦面を有する前記モールドの前記平坦面と、の間の距離を測定する距離測定部を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記モールドを保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    請求項２７に記載の樹脂成形装置。
  29. 前記距離測定部は、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記形成面と前記平坦面との間の距離を測定し、
    前記モールド姿勢調整部は、前記距離測定部により測定された前記形成面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    請求項２８に記載の樹脂成形装置。
  30. 前記モールド姿勢調整部は、前記ヘッドを支持する複数のピエゾアクチュエータを有し、前記複数のピエゾアクチュエータを個別に伸縮させることにより、前記形成面と前記モールドとの間の距離と前記モールドの前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    請求項２７乃至２９のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  31. 前記モールド姿勢調整部は、前記基板の中央部に前記モールドを押し付ける場合と前記基板の周部に前記モールドを押し付ける場合とで、前記モールドの姿勢を異ならせる、
    請求項２７乃至３０のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  32. 前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出する樹脂吐出部を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂が載置された状態で、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記樹脂部の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    請求項２３乃至３１のいずれか１項に記載の樹脂成形装置。
  33. 前記樹脂は、紫外線硬化樹脂であり、
    前記モールドを加熱するモールド加熱部を更に備える、
    請求項２３に記載の樹脂成形装置。
  34. 前記モールドを振動させる加振部を更に備える、
    請求項３２または３３に記載の樹脂成形装置。
  35. 前記樹脂吐出部に設けられ、前記樹脂吐出部が前記モールドに予め設定された距離まで近づいた状態で、前記モールドの外周部に当接して前記モールドとの間に気密な空間を形成するキャップと、
    前記樹脂吐出部から前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出させる際、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を備える、
    請求項３２に記載の樹脂成形装置。
  36. 前記モールドに設けられ、前記モールドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップと、
    前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高める真空源と、を更に備え、
    前記ヘッド駆動部は、前記キャップを前記基板に当接させた状態で、前記キャップ内の真空度を高めた後、前記モールドを前記基板に押し当てる、
    請求項３２に記載の樹脂成形装置。
  37. 前記真空源により前記空間の真空度が高められた状態で、前記モールドに樹脂を吐出させた後、前記モールドの周囲を大気圧環境下にする際、前記モールドを加熱することにより前記モールドに載置された前記樹脂の温度を上昇させるモールド加熱部を更に備える、
    請求項３５または３６に記載の樹脂成形装置。
  38. 前記真空源により前記空間の真空度が高められた状態で、前記モールドに樹脂を吐出させる際、前記モールドを冷却するモールド冷却部を更に備える、
    請求項３７に記載の樹脂成形装置。
  39. 前記モールド加熱部は、ヒータを有し、
    前記モールド冷却部は、ペルチェ素子を有する、
    請求項３８に記載の樹脂成形装置。
  40. 基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形装置であって、
    前記基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持部と、
    鉛直下方から前記モールドを保持するヘッドと、
    前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記基板保持部を鉛直下方へ移動させることにより前記基板保持部を前記ヘッドに近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付ける基板保持部駆動部と、
    前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化部と、を備える、
    樹脂成形装置。
  41. モールドに樹脂を載置する樹脂載置装置であって、
    前記モールドが内側に配置されるチャンバと、
    前記チャンバ内に存在する気体を排気することにより前記チャンバ内の真空度を高める真空源と、
    前記モールドに樹脂を吐出する樹脂吐出部と、
    前記真空源により前記チャンバ内の真空度が高められた状態で、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂を吐出させた後、前記モールドの周囲を大気圧環境下にする際、前記モールドを加熱することにより前記モールドに載置された前記樹脂の温度を上昇させるモールド加熱部と、を備える、
    樹脂載置装置。
  42. 前記真空源により前記チャンバ内の真空度が高められた状態で、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂を吐出させる際、前記モールドを冷却するモールド冷却部を更に備える、
    請求項４１に記載の樹脂載置装置。
  43. 基板に部品を実装する部品実装方法であって、
    部品供給部が、前記部品を供給する部品供給ステップと、
    基板保持部が、前記基板における前記部品が実装される実装面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
    ヘッドが、鉛直下方から前記部品を保持する部品保持ステップと、
    前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけることにより前記基板の前記実装面に前記部品を実装する部品実装ステップと、を含む、
    部品実装方法。
  44. 前記部品供給ステップにおいて、前記部品が前記部品供給部から供給された後、前記部品実装ステップにおいて、前記ヘッドに保持された前記部品が前記基板の前記実装面に接触するまでの間に、水供給部が、前記部品における前記基板に実装される側に水を供給する水供給ステップを更に含む、
    請求項４３に記載の部品実装方法。
  45. 前記部品供給ステップにおいて、前記部品が前記部品供給部から供給された後、前記部品実装ステップにおいて、前記ヘッドに保持された前記部品が前記基板の前記実装面に接触するまでの間に、クリーニング部が、前記部品における前記基板に実装される側を洗浄する部品洗浄ステップを更に含む、
    請求項４３または４４に記載の部品実装方法。
  46. 基板に対してモールドを押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂成形方法であって、
    基板保持部が、基板における樹脂部を形成する形成面が鉛直下方を向く姿勢で前記基板を保持する基板保持ステップと、
    ヘッドが、鉛直下方から前記モールドを保持するモールド保持ステップと、
    ヘッド駆動部が、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
    樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を含む、
    樹脂成形方法。
  47. 前記ヘッド駆動部が、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドを鉛直上方へ移動させることにより前記ヘッドを前記基板保持部に近づけて前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付けるモールド押し付けステップと、
    前記樹脂硬化部が、前記モールドを前記基板に押し付けた状態で前記モールドに載置された樹脂を硬化させる樹脂硬化ステップと、を繰り返すことにより、前記基板に複数の硬化した樹脂部を形成する、
    請求項４６に記載の樹脂成形方法。
  48. 撮像部が、前記モールドを前記基板に押し付けて、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させた状態で、前記モールドの鉛直下方または前記基板の鉛直上方から、前記モールドの第３アライメントマークおよび前記基板の第４アライメントマークを撮像する撮像ステップと、
    制御部が、前記第３アライメントマークと前記第４アライメントマークとに基づいて、前記基板と前記モールドとの相対位置誤差を算出し、前記相対位置誤差に応じて、前記ヘッド駆動部および／または基板保持部により、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正する補正ステップと、を更に含み、
    前記補正ステップにおいて、前記モールドを、前記樹脂を介して前記基板に押し付けた状態で、前記基板に対する前記モールドの位置および姿勢を補正する、
    請求項４６または４７に記載の樹脂成形方法。
  49. 前記モールド押し付けステップにおいて、距離測定部が、前記基板の前記形成面と、外周部に平坦面を有する前記モールドの前記平坦面と、の間の距離を測定し、前記ヘッド駆動部が、前記距離測定部により測定された距離に基づいて、前記モールドを保持する前記ヘッドを、前記基板を保持する前記基板保持部に近づける、
    請求項４６乃至４８のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  50. 前記モールド押し付けステップにおいて、前記距離測定部が、前記平坦面における３つ以上の箇所において、前記形成面と前記平坦面との間の距離を測定し、モールド姿勢調整部が、前記形成面と前記平坦面との間の距離に基づいて、前記形成面と前記平坦面との間の距離と前記平坦面の前記形成面に対する傾きとの少なくとも一方を調整する、
    請求項４９に記載の樹脂成形方法。
  51. 樹脂吐出部が、前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を吐出することにより前記モールドに前記樹脂を載置する樹脂載置ステップを更に含み、
    前記モールド押し付けステップにおいて、前記樹脂吐出部により前記モールドに樹脂が注入された状態で、前記ヘッドを前記基板における前記樹脂部が形成される位置に対向させてから前記ヘッドと前記基板保持部とを近づけて前記樹脂部の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    請求項４６乃至５０のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  52. 前記樹脂載置ステップにおいて、紫外線硬化樹脂を前記モールドに載置しているとき、または、紫外線硬化樹脂を前記モールドに載置した後において、前記モールドを加熱して昇温させ、および／または、
    前記モールド押し付けステップにおいて、前記モールドの温度を下降させる、
    請求項５１に記載の樹脂成形方法。
  53. 前記樹脂載置ステップにおいて、樹脂を前記モールドに載置しているとき、または、樹脂を前記モールドに載置した後において、および／または樹脂を前記基板へ押し当てる際に、前記モールドを振動させる、
    請求項５１または５２に記載の樹脂成形方法。
  54. 前記樹脂載置ステップにおいて、キャップを前記モールドの外周部または前記樹脂吐出部に当接させて前記モールドとの間に気密な空間を形成し、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高めた状態で、前記ヘッドに保持された前記モールドに樹脂を載置し、その後、前記キャップ内を大気圧に戻す、
    請求項５１乃至５３のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  55. 前記樹脂載置ステップにおいて、前記モールドを樹脂載置装置のチャンバの内側に配置し、前記チャンバに存在する気体を排気することにより前記チャンバ内の真空度を予め設定された真空度以上にした状態で、前記モールドに樹脂を載置し、その後、前記チャンバの内側を大気圧に戻し、
    前記モールド保持ステップにおいて、樹脂成形装置のヘッドが、前記樹脂載置装置において樹脂が載置された前記モールドを鉛直下方から保持する、
    請求項５１乃至５３のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  56. 前記樹脂載置ステップにおいて、前記モールドを真空度の高い環境下に配置してから、前記モールドに前記樹脂を載置し、その後、前記樹脂が載置された前記モールドを大気圧環境下に配置するとともに、前記モールドに載置された前記樹脂の温度を上昇させる、
    請求項５１乃至５５のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  57. 前記樹脂載置ステップにおいて、真空度の高い環境下に配置された前記モールドに載置された前記樹脂を冷却する、
    請求項５６に記載の樹脂成形方法。
  58. 前記モールドに設けられ、前記モールドが前記基板に予め設定された距離まで近づいた状態で、前記基板に当接して前記基板との間に気密な空間を形成するキャップを、前記基板に当接させた状態で、前記空間に存在する気体を排気することにより前記空間の真空度を高めた後、前記モールドを前記基板に押し当てる、
    請求項４６乃至５７のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
  59. 前記モールドに載置された樹脂は、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂であり、
    前記モールド押し付けステップにおいて、前記樹脂を加熱し軟化させた状態で、前記基板の鉛直下方から前記モールドを押し付ける、
    請求項４６乃至５８のいずれか１項に記載の樹脂成形方法。
JP2018567387A 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システムおよび部品実装方法 Active JP6703718B2 (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017021953 2017-02-09
JP2017021953 2017-02-09
JPPCT/JP2017/040651 2017-11-10
PCT/JP2017/040651 WO2018146880A1 (ja) 2017-02-09 2017-11-10 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
JPPCT/JP2018/001467 2018-01-18
PCT/JP2018/001467 WO2018147037A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-18 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
PCT/JP2018/003308 WO2018147147A1 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システム、樹脂成形装置、樹脂載置装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019188125A Division JP7146275B2 (ja) 2017-02-09 2019-10-11 部品実装システムおよび部品実装方法
JP2020042357A Division JP7106151B2 (ja) 2017-02-09 2020-03-11 樹脂成形装置、樹脂載置装置および樹脂成形方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2018147147A1 true JPWO2018147147A1 (ja) 2019-11-07
JP6703718B2 JP6703718B2 (ja) 2020-06-03

Family

ID=63107318

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018567387A Active JP6703718B2 (ja) 2017-02-09 2018-01-31 部品実装システムおよび部品実装方法
JP2019188125A Active JP7146275B2 (ja) 2017-02-09 2019-10-11 部品実装システムおよび部品実装方法
JP2020042357A Active JP7106151B2 (ja) 2017-02-09 2020-03-11 樹脂成形装置、樹脂載置装置および樹脂成形方法
JP2022069961A Active JP7309231B2 (ja) 2017-02-09 2022-04-21 樹脂成形装置および樹脂成形方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019188125A Active JP7146275B2 (ja) 2017-02-09 2019-10-11 部品実装システムおよび部品実装方法
JP2020042357A Active JP7106151B2 (ja) 2017-02-09 2020-03-11 樹脂成形装置、樹脂載置装置および樹脂成形方法
JP2022069961A Active JP7309231B2 (ja) 2017-02-09 2022-04-21 樹脂成形装置および樹脂成形方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US11587804B2 (ja)
JP (4) JP6703718B2 (ja)
KR (3) KR20230020557A (ja)
TW (3) TWI805571B (ja)
WO (3) WO2018146880A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018146880A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 ボンドテック株式会社 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法
US10694651B2 (en) * 2017-06-20 2020-06-23 Saul Tech Technology Co., Ltd. Chip-placing method performing an image alignment for chip placement and chip-placing apparatus thereof
WO2019069438A1 (ja) * 2017-10-06 2019-04-11 株式会社Ｆｕｊｉ 対基板作業システム
JP6991614B2 (ja) * 2018-08-31 2022-01-12 ボンドテック株式会社 部品実装システムおよび部品実装方法
CN112640039A (zh) * 2018-08-31 2021-04-09 邦德泰克株式会社 接合系统以及接合方法
CN108962812B (zh) * 2018-09-06 2023-06-27 重庆科技学院 一种旋转型芯片卡具的使用方法
JP7211751B2 (ja) * 2018-10-05 2023-01-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7112341B2 (ja) * 2019-01-23 2022-08-03 東レエンジニアリング株式会社 実装装置および実装方法
JP7257199B2 (ja) * 2019-03-18 2023-04-13 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN114007845A (zh) 2019-07-01 2022-02-01 美国圣戈班性能塑料公司 型材连接件
JP7278163B2 (ja) * 2019-07-11 2023-05-19 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
CN110328792B (zh) * 2019-08-13 2024-05-24 四川省众望科希盟科技有限公司 一种微型移动监控设备灌封工艺及模具
CN114730714A (zh) * 2019-11-21 2022-07-08 邦德泰克株式会社 部件安装系统、部件供给装置以及部件安装方法
WO2021131080A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 ボンドテック株式会社 接合方法、被接合物および接合装置
US11121113B2 (en) * 2020-01-16 2021-09-14 Asm Technology Singapore Pte Ltd Bonding apparatus incorporating variable force distribution
TWI765549B (zh) * 2020-01-30 2022-05-21 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 電子零件的安裝裝置
EP4121277A4 (en) * 2020-03-20 2024-04-10 Saint Gobain Performance Plastics Corp STERILE HERMETIC CLOSURE DEVICE
JP7450429B2 (ja) * 2020-03-26 2024-03-15 芝浦メカトロニクス株式会社 電子部品の実装装置
WO2021257573A1 (en) 2020-06-19 2021-12-23 Saint-Gobain Performance Plastics Corporation Composite article and method of forming a composite article
KR102216351B1 (ko) * 2020-08-21 2021-02-17 (주)네온테크 반도체 칩 세정 장치 및 이를 사용한 반도체 칩의 제조 방법
JP6948085B1 (ja) * 2020-09-09 2021-10-13 上野精機株式会社 電子部品の処理装置
KR20220053390A (ko) * 2020-10-22 2022-04-29 삼성전자주식회사 반도체 공정 스테이지 구조체, 반도체 칩 픽업 시스템 및 픽업헤드 틸팅 제어 방법
CN114428444B (zh) * 2020-10-29 2024-01-26 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 套刻量测系统矫正方法
CN112967988B (zh) * 2020-11-04 2022-07-29 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种微元件的转移装置及其方法
KR20230136543A (ko) 2022-03-18 2023-09-26 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 실장 장치 및 실장 방법
CN115295476B (zh) * 2022-10-08 2023-01-10 四川洪芯微科技有限公司 一种芯片脱膜装置
CN117549483B (zh) * 2023-10-20 2024-04-05 广东百赞智能装备有限公司 一种侧射立压式注塑机

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252251A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Sony Corp 半導体チップの実装装置及び実装方法
JP2004140287A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Seiko Epson Corp 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法、半導体モジュール製造用トレイ、半導体モジュール製造装置および電子機器
JP2005277009A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Joyo Kikai Kk チップの移載装置および移載方法
WO2011033797A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 ボンドテック株式会社 加圧装置および加圧方法
WO2011081095A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 東京エレクトロン株式会社 実装方法及び実装装置
JP2012238775A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Bondtech Inc アライメント装置およびアライメント方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0878882A (ja) * 1994-09-02 1996-03-22 Fuji Mach Mfg Co Ltd 対回路基板トランスファ作業装置
JP3490851B2 (ja) 1996-10-30 2004-01-26 松下電器産業株式会社 回路基板
JP4046030B2 (ja) 2002-08-30 2008-02-13 株式会社村田製作所 部品装着方法および部品装着装置
US7927089B2 (en) 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
JP2006351848A (ja) 2005-06-16 2006-12-28 Nikon Corp コレット、角錐コレット、ダイボンディング装置、及びダイボンディング方法
US20100072665A1 (en) 2007-03-30 2010-03-25 Pioneer Corporation Thermal imprinting device and thermal imprinting method
JP4958655B2 (ja) 2007-06-27 2012-06-20 新光電気工業株式会社 電子部品実装装置および電子装置の製造方法
JP5359154B2 (ja) 2008-09-26 2013-12-04 住友電気工業株式会社 回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法
JP5268524B2 (ja) * 2008-09-26 2013-08-21 キヤノン株式会社 加工装置
JP5307669B2 (ja) 2009-09-09 2013-10-02 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法及び電気的接続を得る方法
JP2011077096A (ja) * 2009-09-29 2011-04-14 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd 電子部品装着装置、部品供給装置及び電子部品装着方法
JP5759303B2 (ja) 2011-08-11 2015-08-05 キヤノン株式会社 インプリント装置、それを用いた物品の製造方法
KR102103811B1 (ko) * 2012-04-24 2020-04-23 본드테크 가부시키가이샤 칩 온 웨이퍼 접합 방법 및 접합 장치, 및 칩과 웨이퍼를 포함하는 구조체
JP5256410B2 (ja) 2012-09-18 2013-08-07 ボンドテック株式会社 転写方法および転写装置
KR101422401B1 (ko) 2013-04-03 2014-07-22 세메스 주식회사 발광 소자 칩 본딩 장치
JP6232667B2 (ja) 2013-06-25 2017-11-22 ボンドテック株式会社 基板接合方法
JP6341641B2 (ja) 2013-08-09 2018-06-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンダ
JP6497938B2 (ja) * 2015-01-05 2019-04-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。
JP2016152329A (ja) 2015-02-18 2016-08-22 富士通株式会社 チップ用ピックアップ装置及びチップ用ピックアップ方法
WO2018146880A1 (ja) * 2017-02-09 2018-08-16 ボンドテック株式会社 部品実装システム、樹脂成形装置、部品実装方法および樹脂成形方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002252251A (ja) * 2001-02-22 2002-09-06 Sony Corp 半導体チップの実装装置及び実装方法
JP2004140287A (ja) * 2002-10-21 2004-05-13 Seiko Epson Corp 半導体モジュール、半導体モジュールの製造方法、半導体モジュール製造用トレイ、半導体モジュール製造装置および電子機器
JP2005277009A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Joyo Kikai Kk チップの移載装置および移載方法
WO2011033797A1 (ja) * 2009-09-18 2011-03-24 ボンドテック株式会社 加圧装置および加圧方法
WO2011081095A1 (ja) * 2009-12-28 2011-07-07 東京エレクトロン株式会社 実装方法及び実装装置
JP2012238775A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Bondtech Inc アライメント装置およびアライメント方法

Also Published As

Publication number Publication date
US11587804B2 (en) 2023-02-21
TWI805571B (zh) 2023-06-21
KR102526457B1 (ko) 2023-05-02
WO2018147037A1 (ja) 2018-08-16
JP2020194956A (ja) 2020-12-03
JP7146275B2 (ja) 2022-10-04
TW201836050A (zh) 2018-10-01
JP2020068379A (ja) 2020-04-30
JP7106151B2 (ja) 2022-07-26
JP7309231B2 (ja) 2023-07-18
KR20230020558A (ko) 2023-02-10
WO2018146880A1 (ja) 2018-08-16
WO2018147147A1 (ja) 2018-08-16
US20230154770A1 (en) 2023-05-18
TW202324587A (zh) 2023-06-16
KR20230020557A (ko) 2023-02-10
KR20190116981A (ko) 2019-10-15
JP2022105514A (ja) 2022-07-14
JP6703718B2 (ja) 2020-06-03
TW202331912A (zh) 2023-08-01
US20200006099A1 (en) 2020-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7309231B2 (ja) 樹脂成形装置および樹脂成形方法
JP6991614B2 (ja) 部品実装システムおよび部品実装方法
JP7066559B2 (ja) 接合装置および接合方法
KR101257569B1 (ko) 반도체 장치의 제조 장치
JP2019102771A (ja) 電子部品実装装置及び電子部品実装方法
JP2015179046A (ja) 厚さ測定器および厚さ測定方法
KR20010029806A (ko) 볼 장착장치용으로서 사용되는 피가공물과 헤드의위치결정장치 및 위치결정방법, 플럭스 저장장치,장착헤드, 전사헤드 및 플럭스 전사방법
JP2016004837A (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP6412376B2 (ja) チップと基板との接合方法、チップと基板との仮接合装置、チップ実装システム
KR20180128844A (ko) 거푸집, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법
JP2015220410A (ja) 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体
JP2001246299A (ja) ぺースト塗布方法および実装装置
CN112640067B (zh) 部件安装系统以及部件安装方法
JPWO2019208338A1 (ja) 基板処理システム、および基板処理方法
TW202414616A (zh) 基板接合系統以及基板接合方法
TW202416394A (zh) 半導體製造裝置，剝離單元及半導體裝置的製造方法
JP2024008161A (ja) バンプ形成装置、バンプ形成方法、ハンダボールリペア装置、及び、ハンダボールリペア方法
JP2024045793A (ja) 半導体製造装置、剥離ユニットおよび半導体装置の製造方法
JP2018201033A (ja) 接合方法および接合装置
JP2006120753A (ja) 光学デバイス装置の製造方法および製造装置
CN111566782A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
JP2018006554A (ja) パターン形成装置、インプリント装置および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190523

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190523

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20190523

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20190724

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190813

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200114

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200324

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200414

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6703718

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250