KR102459132B1 - 임프린트 방법 및 제조 방법 - Google Patents

임프린트 방법 및 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102459132B1
KR102459132B1 KR1020190022271A KR20190022271A KR102459132B1 KR 102459132 B1 KR102459132 B1 KR 102459132B1 KR 1020190022271 A KR1020190022271 A KR 1020190022271A KR 20190022271 A KR20190022271 A KR 20190022271A KR 102459132 B1 KR102459132 B1 KR 102459132B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
mold
composition
imprint
running
Prior art date
Application number
KR1020190022271A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190103968A (ko
Inventor
츠토무 하시모토
기요히토 야마모토
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20190103968A publication Critical patent/KR20190103968A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102459132B1 publication Critical patent/KR102459132B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70825—Mounting of individual elements, e.g. mounts, holders or supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법은, 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 제1 기판 상의 조성물에 몰드를 접촉시키고, 제1 기판 상의 조성물을 노광하며, 몰드를 이형하는 러닝인 공정을 행하는 단계를 포함한다. 러닝인 공정 후에, 상기 방법은 제2 기판 상의 조성물에 몰드를 접촉시키고, 제2 기판 상의 조성물을 노광하고, 몰드를 이형하며, 제2 기판 상의 조성물에 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 행하는 단계를 포함한다. 제1 기판의 모재는 제2 기판의 모재보다 열전도율이 높다. 제2 기판은 임프린트 몰드로서 사용된다.

Description

임프린트 방법 및 제조 방법{IMPRINTING METHOD AND MANUFACTURING METHOD}
본 개시내용은 임프린트 방법 및 제조 방법에 관한 것이다.
기판 상에 도포된 미경화 수지(조성물 또는 임프린트재)를 몰드(또는 템플릿)에 의해 성형하여 수지 패턴을 기판 상에 형성하는 임프린트 기술이 주목받고 있다. 임프린트 기술의 예는 광경화법이다. 광경화법에서는, 먼저, 기판 상의 임프린트 영역인 샷 영역에 광경화성 수지를 도포한다. 이어서, 이 수지를 몰드에 의해 성형한다. 그후, 광, 예를 들어 자외선을 조사해서 수지를 경화시키고, 몰드와 수지를 서로 분리하여 수지 패턴을 기판 상에 형성한다.
또한, 임프린트 기술을 사용하여 마스터 몰드라고 불리는 몰드로부터 다수의 레플리카 몰드(replica mold)를 제조하고, 레플리카 몰드로부터 반도체 디바이스 등의 물품을 제조하는 방법도 알려져 있다. 이 방법을 이용하면 저비용으로 레플리카 몰드를 제조할 수 있게 된다. 따라서, 레플리카 몰드가 파손되는 경우에도, 제조 비용을 감소시킬 수 있다.
임프린트 시에서 몰드와 경화된 수지를 서로 분리할 때에, 높은 분리 힘은 몰드의 파손을 유발하여, 성형된 패턴의 결함을 초래한다. 따라서, 분리 힘은 저감되는 것이 바람직하다. 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-66791호는, 레플리카 몰드가 되는 기판에 임프린트를 수행하기 전에, 이형제를 포함하는 수지가 도포된 러닝인 기판(running-in substrate)에 임프린트를 행하여 이형성을 향상시키는 방법을 기재하고 있다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2016-66791호에 기재된 러닝인 기판에는 패턴이 형성되는 영역에 크롬 막이 제공된다. 크롬 막이 제공되어 있으면, 임프린트시에 수지에 조사되는 광의 일부가 크롬 막을 투과하지 않고 열 에너지로서 크롬 막에 의해 흡수된다. 크롬 막에 의해 흡수된 열이 열전도를 통해 마스터 몰드에 전달되면, 마스터 몰드의 온도는 열에 의해 상승되어 마스터 몰드가 변형된다. 열변형된 마스터 몰드를 사용하여 레플리카 몰드가 되는 기판에 임프린트를 행하는 경우, 기판 상에 형성되는 패턴의, 오정렬 및 왜곡 등의 이상이 발생한다. 이러한 문제를 회피하기 위해서, 마스터 몰드의 온도가 저하될 때까지 대기한 후에 열변형의 영향이 저감된 상태에서 임프린트를 행한다. 마스터 몰드의 온도 상승이 크면, 대기 시간이 길어져, 스루풋이 저하된다.
본 개시내용의 일 양태에 따르면, 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법은, 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 제1 기판 상의 제1 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물을 노광하며, 상기 제1 기판 상의 조성물로부터 상기 몰드를 분리하는 러닝인 공정을 행하는 단계, 및 상기 러닝인 공정 후에, 제2 기판 상의 제2 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물을 노광하고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물로부터 상기 몰드를 분리하며, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 상기 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 행하는 단계를 포함한다. 제1 기판의 제1 모재는 제2 기판의 제2 모재보다 열전도율이 높다. 제2 기판은 임프린트 몰드로서 구성된다.
본 개시내용의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도 1은 임프린트 장치를 도시하는 개략도이다.
도 2는 임프린트 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 3은 제2 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판을 도시하는 단면도이다.
도 4는 제3 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판을 도시하는 단면도이다.
도 5는 블랭크 몰드의 패턴부의 가공 공정을 도시하는 개략도이다.
도 6은 러닝인 기판을 사용한 러닝인 임프린트의 상태를 도시하는 도면이다.
도 7은 제4 예시적인 실시형태에 따른, 서로 옆에 배치되는, 블랭크 몰드(7)와 러닝인 기판을 도시하는 도면이다.
이하에, 첨부의 도면을 참고하여 예시적인 실시형태를 상세하게 설명한다.
먼저, 제1 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 방법이 적용되는 임프린트 장치에 대해서 설명한다. 이 임프린트 장치는, 기판 상의 미경화 수지(조성물 또는 임프린트재)를 몰드(또는 템플릿)를 사용하여 성형하여 기판 상에 수지 패턴을 형성한다.
본 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 장치는, 기판으로서의 웨이퍼 상에 형성된 패턴으로부터, 반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위해서 사용될 수 있다. 임프린트 장치는 또한 기판으로서의 레플리카 몰드 기판(블랭크 몰드)을 사용하여 레플리카 몰드를 제조하기 위해서도 사용된다. 임프린트 장치는 레플리카 몰드를 제조하는 전용 장치로서 사용될 수 있다. 이 경우, 반도체 디바이스 등의 물품을 제조하기 위해 사용되는 다른 임프린트 장치를 정지하지 않고, 반도체 디바이스 등의 물품의 제조와 병행해서 레플리카 몰드를 제조할 수 있다. 이는 물품의 생상성을 향상시킬 수 있게 한다.
"레플리카 몰드"는 마스터 몰드에 포함되는 패턴부에 기초하여 제조되고, 마스터 몰드와 동일한 형상의 패턴부를 포함하는 몰드이다. 마스터 몰드는 전자선 묘화 장치에 의한 장시간 동안의 묘화를 통해 제조된다. 마스터 몰드는 고가인 한편, 레플리카 몰드는 저비용으로 대량으로 제조될 수 있다.
"블랭크 몰드"는 패턴부가 제공되어 있지 않고, 평평하고 매끄러운 표면을 갖는 볼록부(피전사부)를 포함하는 가공용 기판이다. 볼록부에 패턴부가 형성되면, 블랭크 몰드는 레플리카 몰드가 된다.
도 1은 제1 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 장치를 개략적으로 도시하는 단면도이다. 임프린트 방법으로서는 광경화법이 채용된다. 도 1에서는, 블랭크 몰드(7) 상의 수지(R)에 조사되는 광(광학계)의 광축에 평행한 축을 Z축이라 칭하며, Z축에 수직한 평면 내에서 서로 직교하는 축을 X축 및 Y축이라 칭한다. 임프린트 장치(1)는, 광 조사 유닛(2), 몰드 보유지지 기구(3), 스테이지(4), 코팅 유닛(6), 및 제어 유닛(C)을 포함한다.
광 조사 유닛(2)은, 수지(R)를 경화시키기 위해 블랭크 몰드(7)에 자외선(8)을 조사한다. 광 조사 유닛(2)은, 광원과, 광원으로부터 사출된 자외선(8)을 수지(R)의 경화에 적절한 광으로 조정하는 광학 소자를 포함한다. 본 예시적인 실시형태에서는, 광 조사 유닛(2)이 광경화법을 채용하기 위해서 제공된다. 예를 들어, 열경화법이 채용되는 경우, 광 조사 유닛(2) 대신에 열경화성 수지(R)를 경화사키기 위한 열원 유닛이 제공된다.
마스터 몰드(13)는 몰드 보유지지 기구(3)의 몰드 척(10)에 배치된다. 마스터 몰드(13)는, 그 표면에, 블랭크 몰드(7)의 볼록부(7a)에 전사되어야 할 패턴이 형성(가공)된 패턴부(13a)를 포함한다. 마스터 몰드(13)의 재료로서, 자외선을 투과시킬 수 있는 석영이 사용될 수 있다. 마스터 몰드(13)는, 그 표면의 패턴부(13a) 주위의 영역의 일부에 얼라인먼트 마크를 더 포함한다. 얼라인먼트 마크는 패턴부(13a)의 위치의 결정을 가능하게 한다. 마스터 몰드(13)는 적어도 하나의 얼라인먼트 마크를 가지면 충분하지만, 패턴부(13a)의 위치를 더 고정밀도로 결정하기 위해서, 패턴부(13a)의 4개의 코너 각각에 하나의 얼라인먼트 마크를 제공하는 것이 바람직하다.
몰드 보유지지 기구(보유지지 유닛)(3)는, 마스터 몰드(13)를 보유지지하는 몰드 척(10)과, 이 몰드 척(10)을 이동가능하게 보유지지하는 몰드 구동 기구(11)를 포함한다. 몰드 척(10)은, 마스터 몰드(13)의 광 조사 유닛(2) 측의 면의 외측 영역을 진공 흡착력이나 정전기력에 의해 끌어 당김으로써 마스터 몰드(13)를 보유지지할 수 있다. 예를 들어, 몰드 척(10)이 진공 흡착력을 이용하여 마스터 몰드(13)를 보유지지하는 경우에는, 몰드 척(10)은 외부에 배치된 진공 펌프(도시하지 않음)에 연결되고, 진공 펌프의 ON/OFF에 의해 마스터 몰드(13)의 보유지지/해방이 전환된다. 또한, 몰드 척(10) 및 몰드 구동 기구(11)는, 광 조사 유닛(2)으로부터 사출된 자외선(8)을 스테이지(4)에 배치된 블랭크 몰드(7)에 조사하도록, 중심부(내측)에 개구 영역(12)을 포함한다. 이 개구 영역(12)에는, 개구 영역(12)의 일부와 마스터 몰드(13)에 의해 둘러싸이는 공간을 밀봉하는 광 투과 부재(도시되지 않음)(예를 들어, 유리판)가 배치된다. 또한, 진공 펌프 등을 포함하는 압력 제어 장치에 의해, 그 공간 내의 압력이 제어된다. 이 압력 제어 장치는, 예를 들어 마스터 몰드(13)와 블랭크 몰드(7) 상의 미경화 수지(R)가 서로를 향해 가압될 때, 공간 내의 압력을 외부의 압력보다 높게 설정한다. 패턴부(13a)는 블랭크 몰드(7)를 향해 돌출되는 형상으로 휘어지고, 미경화 수지(R)에 대하여 패턴부(13a)의 중심부로부터 접촉된다. 이는, 패턴부(13a)와 미경화 수지(R)의 사이에 기체(공기)가 갇히는 것을 방지하고, 패턴부(13a)에 미경화 수지(R)를 완전히 충전시킬 수 있다. 패턴부(13a)의 상술한 변형을 용이하게 하기 위해서, 마스터 몰드(13)는 자외선(8)이 조사되는 면에 원형의 평면 형상 및 미리결정된 깊이를 갖는 캐비티(14)(오목부)가 제공되는 형상을 가질 수 있다. 캐비티(14)는 마스터 몰드(13)의 중심 부근에 제공될 수 있다. 도 1에서는 마스터 몰드(13)의 단면도가 도시되어 있다.
또한, 몰드 보유지지 기구(3)는, 몰드 척(10)이 마스터 몰드(13)를 보유지지하는 측에 배율 보정 기구(9)를 포함할 수 있다. 배율 보정 기구(9)는, 마스터 몰드(13)의 측면에 외력 또는 변위를 부여함으로써 마스터 몰드(13)(패턴부(13a))의 형상을 보정한다. 마스터 몰드(13)가 우수한 형상을 갖고 보정이 필요하지 않은, 경우, 배율 보정 기구(9)는 제공되지 않아도 된다.
몰드 구동 기구(11)는, 마스터 몰드(13)와 블랭크 몰드(7) 사이에서 가압 동작 또는 분리 동작을 행하기 위해서 마스터 몰드(13)를 각각의 축 방향으로 이동시킨다. 몰드 구동 기구(11)는, 단일 구동계, 또는 조동 구동계와 조동 구동계보다 정밀한 위치결정을 행하는 미동 구동계의 조합일 수 있다. 단일 구동계의 경우에는, 구동계는 적어도 Z축 방향으로 구동을 행한다. 조동 구동계와 미동 구동계의 조합의 경우에는, 조동 구동계는 주로 Z축 방향의 장거리 구동을 행하고, 미동 구동계는 조동 구동계를 추종하는 예를 들어, 6축(X, Y, Z, ωx, ωy 및 ωz) 방향의 미소 범위의 구동을 행한다. 이들 구동계에 채용가능한 액추에이터의 예는 선형 모터 및 에어 실린더를 포함한다. 임프린트 장치(1)에서의 가압 동작 및 분리 동작은 마스터 몰드(13)의 Z축 방향의 이동에 의해 실현된다. 대안적으로, 가압 동작 및 분리 동작은 스테이지(4)의 Z축 방향의 이동에 의해 또는 마스터 몰드(13) 및 스테이지(4)의 상대적인 이동에 의해 실현될 수 있다.
스테이지(4)는, 블랭크 몰드(7)를 보유지지하고, 마스터 몰드(13)가 블랭크 몰드(7) 상의 미경화 수지(R)에 대해 가압될 때에, 마스터 몰드(13)와 블랭크 몰드(7) 사이의 위치결정을 행한다. 스테이지(4)는, 블랭크 몰드(7)를 흡착력을 사용하여 보유지지하는 척(5), 및 척(5)을 각 축 방향으로 이동가능하도록 기계적인 유닛에 의해 보유지지하는 도시되지 않은 스테이지 구동 기구를 포함한다. 스테이지 구동 기구는 단일 구동계 또는 조동 구동계와 미동 구동계의 조합일 수 있다. 단일 구동계의 경우에는, 구동계는 적어도 X축 및 Y축에 의한 평면 방향(수평 방향)의 구동을 행한다. 조동 구동계와 미동 구동계의 조합의 경우에는, 조동 구동계는, 주로 X축 및 Y축에 의한 평면 방향의 장거리 구동을 행하고, 미동 구동계는 조동 구동계에 추종하는, 예를 들어 6축(X, Y, Z, ωx, ωy 및 ωz) 방향의 미소 범위의 구동을 행한다. 이들 구동계에 채용가능한 액추에이터의 예는 리니어 모터 및 평면 모터를 포함한다.
척(5)에는 블랭크 몰드(7)의 온도를 제어하기 위해서, 온도 제어된 유체가 유동하는 유로(21)가 제공된다. 유로(21)는 온도 제어 장치에 연결되어 있어, 온도 제어 장치에 의해 유체의 온도가 제어되며, 온도 제어된 유체가 유로(21)를 통해 유동한다. 도시되지 않은 온도 센서와 도시되지 않은 제어기에 의해, 블랭크 몰드(7)의 온도가 미리결정된 온도로 액티브하게 또는 패시브하게 제어될 수 있다. 예를 들어, 블랭크 몰드(7)의 온도는 마스터 몰드(13)의 온도와 같아지도록 제어될 수 있다. 또한, 블랭크 몰드(7)에 자외선(8)이 조사(노광)될 때에 블랭크 몰드(7)에 의해 흡수된 열은 척(5)에 의해 냉각될 수 있다. 열전도율이 높은 재료, 예를 들어 탄화규소(SiC)가 사용될 수 있다. 척(5)에 열전도율이 높은 재료를 사용하면, 전열의 관점에서 유리하고, 효율적으로 블랭크 몰드(7)의 온도를 제어할 수 있다. 척(5)을 이러한 구성으로 함으로써 패턴의 전사 배율 및 패턴의 위치 정밀도를 향상시킬 수 있다.
블랭크 몰드(7)(제2 기판)가 가공용 기판으로서 척(5)에 배치된다. 블랭크 몰드(7)는, 상술한 바와 같이, 패턴부(볼록부 및 오목부)가 제공되어 있지 않은 볼록부(7a)를 포함하고, 후에 레플리카 몰드가 되는 구성 부재이다. 볼록부(7a)의 평면 사이즈는, 예를 들어 26 mm × 33 mm이며, 볼록부(7a)의 두께(높이), 예를 들어 볼록부(7a) 주위의 비 볼록 면(볼록부 이외의 면)으로부터 30 μm이다. 블랭크 몰드(7)의 재료로서는 마스터 몰드(13)와 마찬가지로 석영이 사용될 수 있다. 블랭크 몰드(7)의 재료로서는, 석영 이외의 유리 및 수지 등의 투명한 재료를 사용할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)에 의해 볼록부(7a) 위에 패턴을 형성한 후의 에칭을 용이하게 하기 위해서, 블랭크 몰드(7)의, 수지가 제공되는 면에 크롬 막(22)을 형성할 수 있다. 블랭크 몰드(7)에 막을 형성한 경우, 블랭크 몰드(7)의 재료는, 석영, 유리, 및 수지 등의 주요한 재료(모재)와, 모재에 제공된 막을 포함한다. 또한, 볼록부(7a)의 표면에는, 패턴부가 형성되는 수지(R)의 부착을 촉진하기 위해서, 예를 들어 유기계 화학 화합물을 포함하는 접착제(코팅)가 도포되는 것이 바람직하다. 또한, 블랭크 몰드(7)에는, 마스터 몰드(13)에 제공된 것과 같은 캐비티(14)가 제공될 수 있다. 도 1에는 블랭크 몰드(7)의 단면도가 도시되어 있다.
코팅 유닛(6)은, 몰드 보유지지 기구(3)의 근방에 배치되고, 블랭크 몰드(7) 위에 미경화 수지(R)를 도포한다. 수지(R)는, 자외선(8)을 수광함으로써 경화될 수 있는 광경화성 수지(R)이며, 반도체 디바이스 제조 공정, 레플리카 몰드 제조 공정 등의 각종 조건에 따라 적절히 선택된다. 코팅 유닛(6)은, 예를 들어 액적 토출 시스템(드롭 방식)을 채용할 수 있다. 도시되지 않은 토출 노즐로부터 토출되는 수지(R)의 양은, 블랭크 몰드(7) 상에 형성되는 수지(R)의 원하는 두께, 형성되는 패턴의 밀도 등에 따라 적절히 결정된다. 또한, 수지(R)는 이형제를 포함할 수 있다. 이는 마스터 몰드(13)의 패턴부(13a)의 볼록부 및 오목부로부터 수지(R)를 이형하는 이형성을 향상시킬 수 있다. 이러한 이형제의 효과를 이용해서, 마스터 몰드(13)를 세정한 후, 마스터 몰드(13)와 블랭크 몰드(7)를 사용해서 처음으로 임프린트를 행하기 전, 또는 정기적으로, 수지(R)에 혼합되어 있는 이형제를 패턴부(13a)에 적용시키는 러닝인 임프린트를 행한다. 러닝인 임프린트(러닝인 공정)에서는, 러닝인 임프린트용의 러닝인 기판(31)(제1 기판) 상의 수지와 마스터 몰드(13)를 서로 접촉시키고, 러닝인 기판(31) 상의 수지를 노광하며, 러닝인 기판(31) 상의 수지와 마스터 몰드(13)를 서로 분리한다. 결과적으로, 수지(R)에 혼합되어 있는 이형제가 패턴부(13a)에 적용된다. 도 1에는 러닝인 기판(31)의 단면도가 도시되어 있다.
러닝인 기판의 재료로서, 가공용 기판으로서의 블랭크 몰드(7)의 재료와 유사하게, 크롬 막이 형성된 석영을 사용하는 경우를 생각한다. 도 6은, 크롬 막(602)이 형성된 러닝인 기판(601)을 사용한 러닝인 임프린트를 도시하는 도면이다. 러닝인 임프린트에서, 임프린팅 동작에 의해 수지(605)가 마스터 몰드(604)의 패턴 영역에 걸쳐 퍼진다. 퍼진 수지(605)가 자외선(603)에 노광될 때, 광의 일부가 크롬 막(602)을 투과하지 않고 열 에너지로서 크롬 막(602)에 의해 흡수된다. 마스터 몰드(604)는 크롬 막(602) 위에 있는 수지(605)에 접촉하기 때문에, 크롬 막에 의해 흡수된 열은 열전도에 의해 마스터 몰드(604)에 전달된다. 결과적으로, 마스터 몰드(604)가 열에 의해 변형된다. 석영의 열전도율은 낮기 때문에, 크롬 막(602)에 의해 흡수된 열은, 러닝인 기판(601)의 모재(석영)에 전달되기 어렵고, 스테이지(4) 상의 척(5)에 전달되기 어렵다. 열변형된 마스터 몰드(604)를 사용해서 기판(601)에 임프린트를 행하는 경우, 기판(601) 상에 형성되는 패턴의 위치 어긋남 및 왜곡 등의 이상이 발생한다. 따라서, 마스터 몰드(604)의 온도가 저하될 때까지 대기한 후에 열변형의 영향이 감소된 상태에서 임프린트를 행한다. 마스터 몰드(604)의 온도 상승이 크면, 마스터 몰드(604)를 사용한 다음 임프린트 공정 전의 대기 시간이 길어진다.
따라서, 본 예시적인 실시형태에서는, 러닝인 기판(31)의 재료(모재)로서, 기판 가공용의 블랭크 몰드(7)의 재료(모재)와 상이한 재료를 사용한다. 가공용 기판으로서의 블랭크 몰드(7)의 모재는 석영, 유리, 및 수지 등의 열전도율이 낮은 재료이다. 러닝인 기판(31)의 모재로서, 예를 들어 알루미늄과 같은 열전도율이 높은 금속을 선택할 수 있다. 석영의 열전도율은 1.38 W/m·K이며, 알루미늄의 열전도율은 237 W/m·K이다. 러닝인 임프린트 시에, 러닝인 기판(31)이 자외선(8)으로부터 흡수하는 열 에너지는, 석영을 포함하는 마스터 몰드(13)의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 러닝인 기판(31)의 내부에 전달되고, 기판을 보유지지하는 척(5)에 전달된다. 척(5)에 전달된 열은 유로(21)를 통해 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 배출된다. 결과적으로, 러닝인 임프린트에서 수지를 노광할 때에 러닝인 기판(31) 상의 수지에 접촉하고 있는 마스터 몰드(13)의 온도 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 이는 마스터 몰드(13)의 열변형을 억제할 수 있게 한다.
러닝인 기판(31)의 모재로서, 블랭크 몰드(7)의 모재의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 재료를 사용할 수 있다. 러닝인 기판(31)의 모재로서, 예를 들어 카본 나노튜브, 다이아몬드, 은, 구리, 금 또는 세라믹을 적절히 선택할 수 있다. 러닝인 기판(31)에 막이 형성되어 있지 않은 상태에 대해서 설명했지만, 마스터 몰드(13)의 패턴부(13a)를 보호하기 위해서 러닝인 기판(31)의 볼록부(32)(모재)의 표면에 크롬 막(금속막)을 코팅해도 된다. 이에 의해 패턴부(13a)의 셰이빙(shaving)에 의한 치수 변화를 저감할 수 있고, 러닝인 기판(31)의 모재의 셰이빙된 부분이 패턴부(13a)에 역전사되는 것을 저감할 수 있다.
임프린트 장치(1)는, 구성요소의 동작을 제어하고 구성요소를 조정하는 제어 유닛(C)을 포함하고, 프로그램 등에 기초하여 각 구성요소의 제어를 실행할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 몰드와 기판을 정렬시키기 위한 계측계(얼라인먼트 스코프)를 포함할 수 있다. 또한, 임프린트 장치(1)는, 마스터 몰드(13)를 장치 외부로부터 몰드 보유지지 기구(3)에 반송하는 몰드 반송 기구 또는 블랭크 몰드(7)를 장치 외부로부터 스테이지(4)에 반송하는 기판 반송 기구 등을 포함할 수 있다. 특히, 계측계는, 몰드 보유지지 기구에 배치된 마스터 몰드(13)의 얼라인먼트 마크를 관측(검출)하여 패턴부(13a)의 위치를 결정한다. 임프린트 장치의 구성에서, 다양한 변경이 이루어질 수 있다. 예를 들어, 복수의 스테이지(4)를 탑재할 수 있거나, 하나의 스테이지(4)가 복수의 블랭크 몰드(7)를 보유지지할 수 있거나, 또는 복수의 코팅 유닛(6)이 탑재될 수 있다.
이어서, 본 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 방법에 대해서 설명한다. 도 2는 본 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 방법의 흐름도이다. 각 단계는, 임프린트 장치(1)의 제어 유닛(C)에 의해 처리되거나, 혹은 제어 유닛(C)으로부터의 지시에 기초하여 임프린트 장치(1)의 구성요소 중 임의의 것에 의해 실행된다.
단계 S101에서, 제어 유닛(C)으로부터의 지시에 기초하여 반송 기구가 임프린트 장치(1) 내에 마스터 몰드(13) 및 러닝인 기판(31)을 반입한다. 몰드 척(10)은 마스터 몰드(13)를 보유지지하고, 스테이지(4)의 척(5)은 러닝인 기판(31)을 보유지지한다. 단계 S102에서, 스테이지(4)는, 러닝인 기판(31)의 볼록부(32)가 코팅 유닛(6)과 대향하는 위치에 러닝인 기판(31)을 이동시키고, 코팅 유닛(6)은 볼록부(32)에 미경화 수지를 공급한다. 단계 S103에서, 스테이지(4)는 러닝인 기판(31)을 마스터 몰드(13)와 대향하는 위치로 이동시킨다.
단계 S104에서, 몰드 구동 기구(11)는, 마스터 몰드(13)를 하강시켜, 임프린팅 동작을 행한다. 패턴부(13a)와 수지가 서로 접촉할 때, 수지의 패턴부(13a)에의 충전이 시작된다. 단계 S105에서, 광 조사 유닛(2)은 자외선(8)을 수지에 조사해서 수지를 경화시키고, 이에 의해 경화된 수지의 패턴을 형성한다. 단계 S106에서, 몰드 구동 기구(11)는, 마스터 몰드(13)를 상승시켜, 마스터 몰드(13)를 수지로부터 분리/이형한다.
상술한 단계에 의해, 마스터 몰드(13)의 패턴부(13a)의 불균일면에 수지(R)에 혼합되는 이형제가 코팅된다. 본 예시적인 실시형태에 따르면 러닝인 기판(31)의 재료는 가공용 기판의 재료와 상이하다. 전술한 바와 같이, 러닝인 임프린트시에 열이 마스터 몰드(13)에 전달되기 어렵고, 따라서 마스터 몰드(13)의 치수 변화가 작다. 따라서, 마스터 몰드(13)의 온도가 저하될 때까지의 대기 시간은 짧고, 이는 마스터 몰드(13)를 사용한 다음 임프린트 공정으로의 즉시 이행을 가능하게 한다.
단계 S107에서, 마스터 몰드(13)와 수지(R)가 서로 분리된 후에, 반송 기구는 러닝인 기판(31)을 임프린트 장치(1)로부터 반출한다. 임프린트 장치(1)로부터 반출된 러닝인 기판(31)은 수지(R)를 제거하기 위해서 세정 처리 등의 처리를 행함으로써 반복적으로 사용가능하다. 임프린트 장치(1)의 내부에 세정기가 제공될 수 있다. 이 경우, 세정기를 별도로 제공할 필요가 없고, 기판을 임프린트 장치(1)로부터 반출하고 기판을 다시 임프린트 장치(1)에 반입하는데 필요한 시간을 저감할 수 있다. 이에 의해 스루풋을 더 향상시킬 수 있다.
이어서, 단계 S201에서, 반송 기구는 제어 유닛(C)으로부터의 지시에 기초하여 임프린트 장치(1) 내에 가공용 기판으로서의 블랭크 몰드(7)를 반입한다. 스테이지(4)의 척(5)은 블랭크 몰드(7)를 보유지지한다. 단계 S202에서, 스테이지(4)는, 블랭크 몰드(7)의 볼록부(7a)가 코팅 유닛(6)과 대향하는 위치에 블랭크 몰드(7)를 이동시키고, 코팅 유닛(6)은 볼록부(7a)에 미경화 수지(R)를 공급한다.
이어서, 단계 S203에서, 스테이지(4)는 블랭크 몰드(7)를 마스터 몰드(13)와 대향하는 위치로 이동시킨다. 단계 S204에서, 몰드 구동 기구(11)는 마스터 몰드(13)를 하강시켜 임프린팅 동작을 행한다. 패턴부(13a)와 수지(R)가 서로 접촉할 때, 수지(R)의 패턴부(13a)에의 충전이 시작된다. 단계 S205에서, 광 조사 유닛(2)이 자외선(8)을 블랭크 몰드(7) 상의 수지(R)에 조사해서 수지(R)를 경화시킴으로써, 경화된 수지(R)의 패턴을 형성한다. 이어서, 단계 S206에서, 몰드 구동 기구(11)는, 마스터 몰드(13)를 상승시켜, 마스터 몰드(13)를 수지(R)로부터 분리/이형한다.
상술한 단계에 의해, 블랭크 몰드(7)의 볼록부(7a) 상의 수지(R)에는, 마스터 몰드(13)의 패턴부(13a)와 동일한 불균일 구조가 고정밀도로 전사된다. 단계 S207에서, 마스터 몰드(13)와 수지(R)가 서로 분리된 후에, 반송 기구가 블랭크 몰드(7)를 임프린트 장치(1)로부터 반출한다. 상술한 임프린트 방법에 의해 볼록부에 패턴이 형성된 몰드는, 임프린트 장치(1)의 외부로 반출된 후, 다른 제조 장치에 의해 패턴부가 최종 가공을 받고, 블랭크 몰드가 몰드로서 제조된다.
도 5는, 블랭크 몰드의 패턴부에 대한 최종 가공에서의 동작을 도시하는 개략도이다. 먼저, 임프린트 장치(1)에 의해 패턴이 형성된 블랭크 몰드(7) 상의 수지층(수지(R))에 대하여 에칭이 행해진다(단계 1). 에칭이 수행된 후(단계 2), 잔류 수지(R)는, 제거 처리(세정 처리)에 의해 제거된다(단계 3). 결과적으로, 레플리카 몰드가 완성된다.
본 예시적인 실시형태에 따르면, 러닝인 임프린트 시에, 러닝인 기판(31)에 의해 자외선(8)으로부터 흡수되는 열 에너지는 마스터 몰드(13) 측의 열전도율보다 높은 열전도율을 갖는 러닝인 기판 및 척(5)을 향해 전달된다. 척(5)에 전달된 열은 유로(21)를 통해 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 배출된다. 결과적으로, 러닝인 기판에 임프린트를 행할 때에 마스터 몰드(13)의 온도 상승을 저감할 수 있다. 즉, 러닝인 임프린트 후의 마스터 몰드(13)의 열변형량을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 러닝인 임프린트의 후의 마스터 몰드(13)와 가공용 기판(블랭크 몰드)을 사용한 임프린트까지의 대기 시간을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 단위 시간당에 제조할 수 있는 레플리카 몰드의 수, 즉 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이하 제2 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다. 제2 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 방법에서의 러닝인 기판은 제1 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판과 상이하다. 다른 구성은 제1 예시적인 실시형태의 것과 유사하며, 그 구성에 대한 설명은 생략한다.
도 3은, 제2 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판(41)의 단면도이다. 러닝인 기판(41)에서는, 볼록부(42)를 포함하고, 마스터 몰드(13)에 대향하는 면, 즉 수지가 도포되는 면에 반사막(43)이 제공된다. 반사막(43)으로서는, 수지를 경화하기 위한 광의 파장에 대응하는 금속막을 적절히 선택해서 제공한다. 예를 들어, 금속막으로서 알루미늄막(알루미늄 코팅)을 채용해서 자외선에 대한 반사율을 높일 수 있다. 러닝인 기판(41)의 모재로서는, 유리, 수지 또는 금속을 사용할 수 있거나, 제1 예시적인 실시형태에 따른 알루미늄도 사용할 수 있다.
가공용 기판으로서의 블랭크 몰드(7)는 제1 예시적인 실시형태에 따른 블랭크 몰드(7)와 마찬가지이다. 블랭크 몰드(7)에 크롬 막이 형성되어 있는 경우, 반사막(43)은 블랭크 몰드(7)의 크롬 막보다 반사율이 높게 구성된다. 결과적으로, 수지를 경화하기 위한 광을 반사막(43)이 반사하여, 반사막(43)에 의해 흡수되는 열이 감소된다. 즉, 러닝인 임프린트 시에, 러닝인 기판(41)에 크롬 막을 제공하는 경우와 비교하여, 러닝인 기판(41)의 반사막(43)의 자외선(8)에 대한 반사율이 향상된다. 따라서, 자외선(8)으로부터 반사막(43)에 의해 흡수되는 열 에너지가 감소되고, 반사막(43)의 온도 상승, 즉 러닝인 기판(41)의 온도 상승이 억제된다.
러닝인 기판(41)의 온도 상승이 억제되면, 러닝인 기판(41)으로부터 마스터 몰드(13)에 전달되는 열을 저감시킬 수 있어, 러닝인 임프린트시에 러닝인 기판(41)에 접촉하는 마스터 몰드(13)의 온도 상승을 억제할 수 있다. 따라서, 마스터 몰드(13)의 열변형이 작고, 마스터 몰드(13)의 온도가 저하될 때까지의 대기 시간이 짧아, 다음 공정으로의 즉시 이행이 가능해진다. 이에 의해 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이하 제3 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다. 제3 예시적인 실시형태에 따른 임프린트 방법에서의 러닝인 기판은 제1 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판과 상이하다. 다른 구성은 제1 예시적인 실시형태의 것과 유사하며, 그 구성에 대한 설명은 생략한다. 본 예시적인 실시형태에 따른 블랭크 몰드(7)에는 크롬 막이 제공된다.
도 4는 제3 예시적인 실시형태에 따른 러닝인 기판(51)을 도시하는 단면도이다. 러닝인 기판(51)의 모재는 블랭크 몰드(7)의 모재와 동일하다. 모재로서는, 유리 또는 수지가 사용된다. 러닝인 기판(51)에는 크롬 막이 제공되지 않는다. 러닝인 기판(51)의 모재의 투과율은 블랭크 몰드(7)의 모재의 투과율보다 높거나, 또는 러닝인 기판(51)은 투과율이 더 높은 표면 상태를 가질 수 있다. 예를 들어, 러닝인 기판(51)의 모재에 투과율이 92% 이상인 고순도 석영을 사용할 수 있다. 또한, 러닝인 기판(51)은 높은 투과율을 갖는 것이 바람직하기 때문에, 더 높은 투과율을 달성하기 위해 재료 및 표면 처리를 조합할 수 있다.
결과적으로, 러닝인 임프린트 시에 러닝인 기판(51)에 크롬 막을 제공하는 경우와 비교하여 러닝인 기판(51)의 자외선(8)에 대한 투과율이 향상된다. 이는, 러닝인 기판(51)이 자외선(8)으로부터 흡수하는 열 에너지를 감소시켜, 러닝인 기판(51)의 온도 상승을 억제한다.
러닝인 기판(51)의 온도 상승이 억제되면, 러닝인 기판(51)으로부터 마스터 몰드(13)에 전달되는 열을 저감시킬 수 있고, 또한 러닝인 임프린트시에 러닝인 기판(51)에 접촉하고 있는 마스터 몰드(13)의 온도 상승도 억제할 수 있다. 따라서, 마스터 몰드(13)의 열변형이 작고, 마스터 몰드(13)의 온도가 저하될 때까지의 대기 시간이 짧아, 다음 공정으로의 즉시 이행이 가능해진다. 이에 의해 스루풋을 향상시킬 수 있다.
이하 제4 예시적인 실시형태에 대해서 설명한다. 본 예시적인 실시형태에서는, 전술한 예시적인 실시형태에 적용할 수 있는 러닝인 기판의 변형예를 설명한다. 전술한 예시적인 실시형태에서의 러닝인 기판과 블랭크 몰드(7)에서는, 스테이지(4) 상의 척(5)에 의해 보유지지되는 각각의 면이 동일한 형상 및 동일한 면적을 갖는다. 본 예시적인 실시형태에서는, 러닝인 기판과 블랭크 몰드(7)는, 척(5)에 의해 보유지지되는 면의 형상 및 면적이 서로 상이하다. 더 구체적으로는, 러닝인 기판에서, 척(5)에 의해 보유지지되는 면의 면적은 블랭크 몰드(7)의 면적보다 크다.
도 7은, 제4 예시적인 실시형태에 따른 블랭크 몰드(7)의 단면도 및 러닝인 기판(61)의 단면도를 나란히 도시하는 도면이다. 블랭크 몰드(7)의 모재는 유리, 수지, 또는 금속이며, 크롬 막이 제공되어 있지 않다. 블랭크 몰드(7)에는, 스테이지(4) 상의 척(5)에 의해 보유지지되는 면에 오목부(즉, 공간 또는 캐비티)가 제공된다. 러닝인 기판(61)에서, 척(5)에 보유지지되는 면에는 공간(캐비티)이 제공되지 않으며, 척(5)에 의해 보유지지되는 면은 평평한 면이다. 러닝인 기판(61)의, 척(5)에 의해 보유지지되는 면의 면적은, 블랭크 몰드(7)의 면적보다 크다.
본 예시적인 실시형태에 따르면, 척(5)과 러닝인 기판(61) 사이의 접촉 면적이 크다. 이는, 러닝인 임프린트 시에, 러닝인 기판(61)이 자외선(8)으로부터 흡수하는 열 에너지를 척(5)에 효율적으로 전달하는 것을 가능하게 한다. 척(5)에 전달된 열은 유로(21)를 통해 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 배출된다. 결과적으로, 러닝인 임프린트 시에서 마스터 몰드(13)의 온도 상승을 억제할 수 있다. 즉, 러닝인 임프린트 후의 마스터 몰드(13)의 열변형량을 감소시킬 수 있다. 따라서, 러닝인 임프린트의 후의 가공용 기판을 사용한 임프린트 전의 대기 시간을 감소시킬 수 있다. 이에 의해 스루풋을 향상시킬 수 있다. 러닝인 기판(61)의, 척(5)에 의해 보유지지되는 면은 평평한 면에 한하지 않고, 오목부나 볼록부를 포함할 수 있다.
[물품 제조 방법]
물품으로서의 디바이스(예를 들어, 반도체 집적 회로(IC) 소자, 액정 표시 소자, 컬러 필터, 및 미세 전자 기계 시스템(MEMS))의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 전술한 임프린트 장치 및 방법을 사용하여, 러닝인 임프린트를 행하여, 블랭크 몰드에 패턴을 형성하고, 이에 의해 레플리카 몰드를 제조한다. 물품 제조 방법은, 임프린트 장치에서, 제조된 레플리카 몰드를 몰드로서 사용하여, 기판(예를 들어, 웨이퍼, 유리 플레이트, 또는 필름 기판) 상에 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제조 방법은 형성된 패턴을 마스크로서 사용하여 에칭을 행하는 단계를 포함할 수 있다. 패턴화된 미디어(기록 매체) 및 광학 소자 등의 다른 물품을 제조하는 경우에는, 해당 제조 방법은 에칭 대신에 패턴이 형성된 기판을 가공하는 다른 처리를 포함할 수 있다. 또한, 해당 제조 방법은, 다이싱, 본딩, 패키징 등을 포함한다. 본 예시적인 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
이상 예시적인 실시형태를 설명했지만, 본 개시내용은 이들 예시적인 실시형태로 한정되지 않고, 본 개시내용의 범위 내에서 다양하게 변형되거나 변경될 수 있다. 예를 들어, 가공용 기판(제2 기판)으로서 블랭크 몰드를 사용하는 레플리카 몰드 제조 장치에 예시적인 실시형태 각각을 적용하는 경우를 설명했지만, 예시적인 실시형태 각각은 제2 기판으로서 디바이스 등을 제조하기 위한 기판을 사용하는 디바이스 제조 장치로서의 임프린트 장치에도 적용 가능하다.
본 개시내용을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명했지만, 본 개시내용은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (24)

  1. ◈청구항 1은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    보유지지 유닛에 의해 보유지지된 제1 기판 상의 제1 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물을 노광하며, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물로부터 상기 몰드를 분리하는 러닝인(running-in) 공정을 행하는 단계; 및
    상기 러닝인 공정 후에, 제2 기판 상의 제2 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물을 노광하고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물로부터 상기 몰드를 분리하며, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 상기 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기판의 제1 모재는 상기 제2 기판의 제2 모재보다 열전도율이 높으며,
    상기 제2 기판은 임프린트 몰드로서 구성되는, 임프린트 방법.
  2. ◈청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서, 상기 제1 기판의 상기 제1 모재는 금속을 포함하는, 임프린트 방법.
  3. ◈청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서,
    상기 제2 기판은 상기 조성물이 제공되는 면에 형성되는 크롬 막을 포함하며,
    상기 제1 기판은 상기 크롬 막을 포함하지 않는, 임프린트 방법.
  4. 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    제1 기판 상의 제1 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물을 노광하며, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물로부터 상기 몰드를 분리하는 러닝인 공정을 행하는 단계; 및
    상기 러닝인 공정 후에, 제2 기판 상의 제2 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물을 노광하고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물로부터 상기 몰드를 분리하며, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 상기 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기판은, 상기 제1 조성물이 제공되는 제1 면에 형성되는 제1 금속막을 포함하고,
    상기 제2 기판은, 상기 제2 조성물이 제공되는 제2 면에 형성되는 제2 금속막을 포함하고,
    상기 제1 기판에 형성된 상기 제1 금속막은 상기 제2 기판에 형성된 상기 제2 금속막보다 반사율이 높으며,
    상기 제2 기판은 임프린트 몰드로서 구성되는, 임프린트 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 기판의 상기 제1 금속막은 알루미늄막을 포함하며,
    상기 제2 기판의 상기 제2 금속막은 크롬 막을 포함하는, 임프린트 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판의 제1 모재는 상기 제2 기판의 제2 모재보다 열전도율이 높은, 임프린트 방법.
  7. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판의 모재는 금속인, 임프린트 방법.
  8. 몰드를 사용해서 기판 상에 패턴을 형성하는 임프린트 방법이며,
    제1 기판 상의 제1 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물을 노광하며, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물로부터 상기 몰드를 분리하는 러닝인 공정을 행하는 단계; 및
    상기 러닝인 공정 후에, 제2 기판 상의 제2 조성물에 상기 몰드를 접촉시키고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물을 노광하고, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물로부터 상기 몰드를 분리하며, 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 상기 패턴을 형성하는 임프린트 공정을 행하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 기판의 제1 모재는 상기 제2 기판의 제2 모재와 동일하고,
    상기 제2 기판은 상기 조성물이 제공되는 면에 형성되는 금속막을 포함하고,
    상기 제1 기판은 상기 금속막을 포함하지 않으며,
    상기 제2 기판은 임프린트 몰드로서 구성되는, 임프린트 방법.
  9. ◈청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 러닝인 공정에서의 상기 노광 시에 냉각되는, 임프린트 방법.
  10. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 러닝인 공정에서의 상기 노광 시에 냉각되는, 임프린트 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 러닝인 공정에서의 상기 노광 시에 냉각되는, 임프린트 방법.
  12. ◈청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제9항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 제1 기판을 보유지지하는 상기 보유지지 유닛에서 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 냉각되는, 임프린트 방법.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 제1 기판을 보유지지하는 보유지지 유닛에서 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 냉각되는, 임프린트 방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 제1 기판을 보유지지하는 보유지지 유닛에서 유동하는 온도 제어된 유체에 의해 냉각되는, 임프린트 방법.
  15. ◈청구항 15은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서, 상기 제1 기판을 보유지지하는 상기 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제1 기판의 제1 면의 제1 면적이 상기 제2 기판을 보유지지하는 상기 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제2 기판의 제2 면의 제2 면적보다 큰, 임프린트 방법.
  16. 제4항에 있어서, 상기 제1 기판을 보유지지하는 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제1 기판의 제1 면의 제1 면적이 상기 제2 기판을 보유지지하는 상기 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제2 기판의 제2 면의 제2 면적보다 큰, 임프린트 방법.
  17. 제8항에 있어서, 상기 제1 기판을 보유지지하는 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제1 기판의 제1 면의 제1 면적이 상기 제2 기판을 보유지지하는 상기 보유지지 유닛에 접촉하는 상기 제2 기판의 제2 면의 제2 면적보다 큰, 임프린트 방법.
  18. ◈청구항 18은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    제1항에 있어서, 상기 러닝인 공정에서, 상기 제1 기판 상의 상기 제1 조성물의 상기 노광 시에 상기 제1 기판에 의해 흡수되는 열이 상기 보유지지 유닛에 전달되는, 임프린트 방법.
  19. ◈청구항 19은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    몰드 제조 방법이며,
    제1항에 따른 임프린트 방법을 사용하여 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 기판에 상기 패턴을 형성함으로써 몰드를 제조하는 단계를 포함하는, 몰드 제조 방법.
  20. 몰드 제조 방법이며,
    제4항에 따른 임프린트 방법을 사용해서 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 기판에 상기 패턴을 형성함으로써 몰드를 제조하는 단계를 포함하는, 몰드 제조 방법.
  21. 몰드 제조 방법이며,
    제8항에 따른 임프린트 방법을 사용해서 상기 제2 기판 상의 상기 제2 조성물에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 제2 기판에 상기 패턴을 형성함으로써 몰드를 제조하는 단계를 포함하는, 몰드 제조 방법.
  22. ◈청구항 22은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.◈
    물품 제조 방법이며,
    제19항에 따른 몰드 제조 방법에 의해 제조된 상기 몰드를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 기판을 가공하여 물품을 얻는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  23. 물품 제조 방법이며,
    제20항에 따른 몰드 제조 방법에 의해 제조된 상기 몰드를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 기판을 가공하여 물품을 얻는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
  24. 물품 제조 방법이며,
    제21항에 따른 몰드 제조 방법에 의해 제조된 상기 몰드를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 기판을 가공하여 물품을 얻는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
KR1020190022271A 2018-02-28 2019-02-26 임프린트 방법 및 제조 방법 KR102459132B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2018-035311 2018-02-28
JP2018035311A JP7023744B2 (ja) 2018-02-28 2018-02-28 インプリント方法及び製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190103968A KR20190103968A (ko) 2019-09-05
KR102459132B1 true KR102459132B1 (ko) 2022-10-27

Family

ID=67683882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190022271A KR102459132B1 (ko) 2018-02-28 2019-02-26 임프린트 방법 및 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (2) US20190265588A1 (ko)
JP (1) JP7023744B2 (ko)
KR (1) KR102459132B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111522206B (zh) * 2020-04-29 2021-09-21 中国科学院光电技术研究所 一种基于反射式光场增强的微纳光印制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001778A (ja) 2000-06-23 2002-01-08 Canon Inc 密着力測定用金型、密着力測定用治具、密着力測定方法、側面抵抗力測定方法および側面抵抗力測定用金型
JP2014133310A (ja) 2013-01-08 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールドの製造方法
JP2016066791A (ja) 2014-09-16 2016-04-28 大日本印刷株式会社 パターン形成基板の製造方法、慣らし用基板、及び基板の組合体
JP2017100376A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 凸版印刷株式会社 インプリント用モールド、及び、そのモールドの離型性検査方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7157036B2 (en) 2003-06-17 2007-01-02 Molecular Imprints, Inc Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold
US7604836B2 (en) 2006-12-13 2009-10-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Release layer and resist material for master tool and stamper tool
US7854877B2 (en) 2007-08-14 2010-12-21 Asml Netherlands B.V. Lithography meandering order
JP5632633B2 (ja) 2010-03-26 2014-11-26 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
JP2015533692A (ja) 2012-09-18 2015-11-26 エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー 型押し加工する方法および装置
JP2016025230A (ja) 2014-07-22 2016-02-08 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
JP6513125B2 (ja) 2016-07-14 2019-05-15 キヤノン株式会社 ステージ装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
JP6821387B2 (ja) * 2016-10-24 2021-01-27 キヤノン株式会社 インプリント方法、インプリント装置、および物品の製造方法
CN107216655B (zh) 2017-06-08 2020-04-28 京东方科技集团股份有限公司 压印模板及其制作方法、压印装置、压印方法和基板

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002001778A (ja) 2000-06-23 2002-01-08 Canon Inc 密着力測定用金型、密着力測定用治具、密着力測定方法、側面抵抗力測定方法および側面抵抗力測定用金型
JP2014133310A (ja) 2013-01-08 2014-07-24 Dainippon Printing Co Ltd インプリントモールドの製造方法
JP2016066791A (ja) 2014-09-16 2016-04-28 大日本印刷株式会社 パターン形成基板の製造方法、慣らし用基板、及び基板の組合体
JP2017100376A (ja) 2015-12-02 2017-06-08 凸版印刷株式会社 インプリント用モールド、及び、そのモールドの離型性検査方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190103968A (ko) 2019-09-05
JP7023744B2 (ja) 2022-02-22
US20190265588A1 (en) 2019-08-29
JP2019149532A (ja) 2019-09-05
US20220260905A1 (en) 2022-08-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11904522B2 (en) Imprint apparatus and method for manufacturing article
JP6021606B2 (ja) インプリント装置、それを用いた物品の製造方法、およびインプリント方法
KR101591321B1 (ko) 임프린트 방법, 임프린트 장치, 및 디바이스 제조 방법
KR102507668B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품 제조 방법
JP2012124390A (ja) インプリント装置およびデバイス製造方法
JP2013008911A (ja) クリーニング方法、それを用いたインプリント装置および物品の製造方法
US20220260905A1 (en) Imprinting method and manufacturing method
KR102383372B1 (ko) 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법
KR20200040679A (ko) 성형 장치 및 물품 제조 방법
US20150360394A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, method of manufacturing article, and supply apparatus
KR102316054B1 (ko) 거푸집, 임프린트 장치, 및 물품의 제조 방법
KR102367025B1 (ko) 형틀을 사용하여 기판 상의 조성물을 성형하는 성형 장치 및 물품의 제조 방법
WO2016059745A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP2017199731A (ja) インプリント装置および物品製造方法
US20230112924A1 (en) Substrate conveyance method, substrate conveyance apparatus, molding method, and article manufacturing method
JP7267783B2 (ja) 平坦化装置、平坦化方法及び物品の製造方法
JP2020107863A (ja) 膜形成装置および物品製造方法
JP7358192B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法
US20240091825A1 (en) Cleaning apparatus, cleaning method, imprint apparatus, and method for manufacturing an article
JP2022187398A (ja) インプリント装置、インプリント方法、コンピュータプログラム、及び物品の製造方法
KR20230122983A (ko) 임프린트 장치, 이물 제거 방법 및 물품 제조 방법
JP2023179278A (ja) 成形装置、インプリント装置及び物品の製造方法
JP2019021797A (ja) インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法
JP2023034120A (ja) 成形装置、成形方法および物品の製造方法
JP2013062287A (ja) 型、それを用いたインプリント方法および物品の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right