TW202126137A - 接合方法、被接合物及接合裝置 - Google Patents

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Abstract

接合裝置(1)係根據晶片(CP)對基板(WT)的位置偏移量，調整晶片(CP)對基板(WT)的相對位置後，使晶片(CP)接觸於基板(WT)，然後，在晶片(CP)與基板(WT)接觸狀態下，測定晶片(CP)對基板(WT)的位置偏移量，再根據所測定的位置偏移量，依減少位置偏移量的方式，使晶片(CP)對基板(WT)進行相對性修正移動。然後，接合裝置(1)係當晶片(CP)對基板(WT)的位置偏移量在位置偏移量臨限值以下時，便藉由對晶片(CP)的樹脂部照射紫外線，使樹脂部硬化便將晶片(CP)固定於基板(WT)上。

Description

接合方法、被接合物及接合裝置
本發明係關於接合方法、被接合物及接合裝置。
有提案接合裝置，係在將2個被接合物其中一者保持於平台上，並將另一者保持於頭部的狀態下，測定二被接合物的位置偏移量，再根據該位置偏移量施行被接合物的位置合致後，再施行被接合物間的接合(例如參照專利文獻1)。 [先行技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-066287號公報
(發明所欲解決之課題)
然而，專利文獻1所記載的接合方法，在將2個被接合物間進行接合時，藉由將2個被接合物一邊加熱一邊加壓，而將二者予以接合。所以，2個被接合物會有因熱膨脹而出現位置偏移的可能性。
本發明係有鑑於上述事由而完成，目的在於提供：可將被接合物間依較高的位置精度進行接合的接合方法及接合裝置。 (解決課題之手段)
為達成上述目的，本發明的接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而，該第2被接合物係具有：接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；以及位在接合於上述第1被接合物且上述第2接合部以外的區域，由紫外線硬化性樹脂形成的樹脂部；包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第2被接合物的上述第2接合部與上述樹脂部，接觸到上述第1被接合物； 固定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於上述規定溫度，且上述第2被接合物的上述樹脂部接觸到上述第1被接合物的狀態下，對上述樹脂部照射紫外線，使上述樹脂部硬化，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物；以及 接合步驟，其係在上述第2被接合物被固定於上述第1被接合物的狀態下，藉由將上述第1被接合物與上述第2被接合物施行加熱，而將上述第2被接合物的上述第2接合部，接合於上述第1被接合物的上述第1接合部。
就從另一觀點，本發明的接合方法，係將由含鹼離子之玻璃所形成的第1被接合物、與由金屬或半導體所形成的第2被接合物，予以接合的接合方法，包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第2被接合物，接觸到上述第1被接合物； 測定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 接合步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持上述規定溫度，且上述第2被接合物接觸到上述第1被接合物的狀態下，藉由對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓，而將上述第2被接合物接合於上述第1被接合物。 當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述接合步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
就從另一觀點，本發明的接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第1接合部與上述第2接合部相接觸； 測定步驟，其係在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 固定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持上述規定溫度，且在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，藉由將上述第1接合部與上述第2接合部朝密接方向施加預定基準壓力以上的壓力，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物上； 當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述固定步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
就從另一觀點，本發明的接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；包括有： 親水化處理步驟，其係對上述第1接合部與上述第2接合部中至少其中一者，施行親水化處理； 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第1接合部與上述第2接合部相接觸； 測定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 初步接合步驟，其係在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，藉由將上述第1被接合物的上述第1接合部、與上述第2被接合物的上述第2接合部朝相密接的方向加壓，而將上述第2被接合物初步接合於上述第1被接合物； 當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述初步接合步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
就從另一觀點，本發明的被接合物，係具備有： 第2接合部，其係接合於另一被接合物的第1接合部；以及 樹脂部，其係位於上述接合於另一被接合物且上述第2接合部以外區域，由紫外線硬化性樹脂形成。
就從另一觀點，本發明的接合裝置，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合裝置，而，該第2被接合物係具有：接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；以及位在接合於上述第1被接合物且上述第2接合部以外的區域，由紫外線硬化性樹脂形成的樹脂部；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 測定部，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動； 紫外線照射源，其係將紫外線照射於上述第1被接合物與上述第2被接合物；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便控制上述紫外線照射源，藉由對上述樹脂部照射紫外線使上述樹脂部硬化，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。
就從另一觀點，本發明的接合裝置，係將由含鹼離子之玻璃所形成的第1被接合物、與由金屬或半導體所形成的第2被接合物，予以接合的接合裝置；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 溫度調節部，其係調節上述第1被接合物的溫度、與上述第2被接合物的溫度； 測定部，其係在利用上述溫度調節部，將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動； 直流電源，其係對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，控制上述直流電源，藉由對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。
就從另一觀點，本發明的接合裝置，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合裝置，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 溫度調節部，其係調節上述第1被接合物的溫度、與上述第2被按合物的溫度； 測定部，其係在利用上述溫度調節部，將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便藉由將上述第2被接合物依預定的基準壓力以上壓力押抵於上述第1被接合物，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。 [發明效果]
根據本發明，決定第2被接合物對第1被接合物的相對位置後，使第1被接合物接觸於第2被接合物，然後，在將第1被接合物與第2被接合物維持於同一規定溫度的狀態下，將第2被接合物固定於第1被接合物。藉此，爾後當將第1被接合物與第2被接合物施行加熱時，藉由事先將第2被接合物固定於第1被接合物，便可抑制因第1被接合物與第2被接合物的熱膨脹所造成的位置偏移。所以，第1被接合物、第2被接合物間可依高位置精度進行接合。
(實施形態1) 以下，相關本發明實施形態的接合裝置，參照圖進行說明。本實施形態的接合裝置係在基板上接合電子零件的裝置。電子零件係例如由經切割的基板所供應的半導體晶片(以下簡稱「晶片」)。該接合裝置係藉由使基板的第1金屬部(電極)、與晶片的第2金屬部(電極)相接觸，並施行加壓與加熱，而將晶片接合於基板。又，晶片在接合於基板之一側的其中一部分處，設有由紫外線硬化性樹脂形成的樹脂部。
如圖1所示，本實施形態的接合裝置1係將晶片CP安裝於基板WT上的所謂「黏晶機」，具備有：平台31、具頭部33H之黏合部33、驅動頭部33H的頭部驅動部36、攝像部35a,35b,41、以及紫外線照射源51。又，接合裝置1係如圖2所示，具有：照相機F方向驅動部365、與照相機Z方向驅動部363。
基板WT係在例如藍寶石基板、氧化鋁基板、玻璃基板等，具有紫外區域波長頻帶至少其中一部分波長區域的光，能穿透之性質的基板上，配設有金屬部的第1被接合物。此處，金屬部係由焊料、Au、Cu、Al等各種金屬所形成的第1金屬部，相當於基板WT的第1接合部。晶片CP係如圖3(A)所示，在接合於基板WT之一側設有金屬部MCP1與樹脂部CPR1的第2被接合物。金屬部MCP1係由焊料、Au、Cu、Al等各種金屬所形成的第2金屬部，相當於晶片CP的第2接合部。樹脂部CPR1係由紫外線硬化性樹脂形成。紫外線硬化性樹脂係採用例如：丙烯酸系紫外線硬化性樹脂、環氧系紫外線硬化性樹脂等。此處，晶片CP中，樹脂部CPR1固定於基板WT上的面、與第1金屬部接合於基板WT的面係齊平。
或者，晶片CP的樹脂部CPR1係當將晶片CP押抵於基板WT時，亦可較第1金屬部突出不會侵入晶片CP接合於基板WT部分的程度。因為樹脂部CPR1具有硬化時會收縮的性質，因而最好使晶片CP的接合部與基板WT的接合部相密接。另外，晶片CP係例如圖3(B)所示，樹脂部CPR1亦可埋設於接合於基板WT之一側中，在除金屬部MCP1以外區域所設置的凹部TR1中。此處，晶片CP的接合部係利用CMP(Chemical Mechanical Polishing：化學機械研磨)法進行研磨而平坦化。例如具有Ra在1nm以下的平坦性。
黏合部33係設有：Z軸方向移動構件331、第1圓盤構件332、壓電致動器333、第2圓盤構件334、反射鏡固定用構件336、反射鏡337、以及頭部33H。在Z軸方向移動構件331的上端部固定著第1圓盤構件332。又，在第1圓盤構件332的上側配置第2圓盤構件334。第1圓盤構件332與第2圓盤構件334係經由壓電致動器333相連接。又，在第2圓盤構件334的上面固定著頭部33H。由頭部33H吸附保持著晶片CP。
頭部33H係從鉛直下方(-Z方向)保持著晶片CP的第2被接合物保持部。頭部33H係具備有：晶片工具411、與頭部本體部413。晶片工具411係由撮影光(紅外光等)能穿透的材料(例如矽(Si))形成。又，在頭部本體部413中內建有調整由晶片工具411所保持晶片CP之溫度的溫度調節部417。溫度調節部417係設有陶瓷加熱器、線圈加熱器等。又，在頭部本體部413中設有供使撮影光穿透(通過)用的中空部415,416。各中空部415,416係使撮影光穿透的穿透部分，設計成朝鉛直方向(Z軸方向)貫穿頭部本體部413狀態。又，各中空部415,416係如圖4所示，俯視具有橢圓形狀。2個中空部415,416係在俯視觀具有略正方形形狀的頭部本體部413之對角部分處，以軸AX為中心呈點對稱配置。另外，為使撮影光穿透，在第2圓盤構件334對應於中空部415,416的部分處，亦設有孔部334a,334b。
壓電致動器333係調整基板WT中有形成金屬部之面WTf與晶片CP中有形成金屬部MCP1之面CPf間的距離、或晶片CP對基板WT之面WTf的斜率中之其中一項。壓電致動器333係如圖5(A)所示，在第1圓盤構件332與第2圓盤構件334間存在有3個，分別可在Z方向上伸縮。所以，藉由控制3個壓電致動器333的各自伸縮程度，便可調整第2圓盤構件334與頭部33H相對於水平面的傾斜角度。然後，調整由頭部33H所保持晶片CP之面CPf、與基板WT的面WTf間之距離，以及由頭部33H所保持晶片CP的面CPf相對於基板WT之面WTf的傾斜中至少其中一項。另外，3條壓電致動器333係配置於不會遮住攝像部35a,35b相關照明光(包括反射光)的位置處。
反射鏡337係如圖2所示，經由反射鏡固定用構件336固定於第1圓盤構件332上，配置於第1圓盤構件332與第2圓盤構件334間的空隙中。反射鏡337係具有朝斜下方45度傾斜角度的傾斜面337a,337b。從第1攝像部35a,35b射入於反射鏡337之傾斜面337a,337b的撮影光，被朝上方反射。
頭部驅動部36係藉由使已保持著晶片CP的頭部33H朝鉛直上方(+Z方向)，而使頭部33H接近平台31，俾使晶片CP的金屬部MCP1接觸於基板WT的金屬部之第1保持部驅動部。更詳言之，頭部驅動部36係藉由使保持晶片CP的頭部33H朝鉛直上方(+Z方向)移動，而使頭部33H接近平台31，俾使晶片CP的金屬部MCP1接觸到基板WT的金屬部。在此狀態下，如後述，基板WT的金屬部、與晶片CP的金屬部MCP1，便利用例如對金屬部照射Ar粒子而將金屬部表面活化的表面活化處理裝置(未圖示)，施行表面活化處理。
頭部驅動部36係具有：Z方向驅動部34、轉動構件361、及θ方向驅動部37。Z方向驅動部34係具有伺服馬達與滾珠螺桿等。Z方向驅動部34係設置於後述轉動構件361的下端，如箭頭AR1所示，將黏合部33的Z軸方向移動構件331朝Z軸方向驅動。Z方向驅動部34係若使Z軸方向移動構件331朝Z方向移動，隨此動作，設置於黏合部33上端的頭部33H便朝Z方向移動。即，頭部33H係利用Z方向驅動部34被朝Z方向驅動。
轉動構件361係呈圓筒形狀，如圖5(B)所示，內側中空部的截面形狀呈八角形。另一方面，Z軸方向移動構件331係具有截面形狀呈八角形的棒狀部分，並插入於轉動構件361的內側。又，在Z軸方向移動構件331的八個側面中之4個側面、與轉動構件361的內面間，設有配置成使Z軸方向移動構件331相對於轉動構件361朝Z軸方向滑動的線性導軌38。Z軸方向移動構件331係若轉動構件361圍繞旋轉軸AX進行旋轉，便連動於轉動構件361進行旋轉。即，黏合部33與轉動構件361係如箭頭AR2所示，圍繞旋轉軸AX進行連動旋轉。
θ方向驅動部37係設有伺服馬達與減速機等，如圖2所示，固定於在黏合裝置30內所設置的固定構件301上。θ方向驅動部37係將轉動構件361支撐呈可圍繞軸AX旋轉的狀態。所以，θ方向驅動部37係屬於配合從控制部90輸入的控制信號，使轉動構件361圍繞旋轉軸AX進行旋轉的第2保持部驅動部。
攝像部35a,35b係在晶片CP被配置於基板WT中安裝晶片CP位置處的狀態下，從晶片CP的鉛直下方(即，-Z方向)拍攝晶片CP。攝像部35a係經由照相機Z方向驅動部363與照相機F方向驅動部365，固定於轉動構件361。攝像部35b亦是經由照相機Z方向驅動部363與照相機F方向驅動部365，固定於轉動構件361。藉此，第1攝像部35a,35b便與轉動構件361一起旋轉。此處，如前述，反射鏡337被固定於Z軸方向移動構件331上，連動於轉動構件361與Z軸方向移動構件331進行旋轉。所以，攝像部35a,35b與反射鏡337的相對位置關係屬不變，因而無關轉動構件361的旋轉動作，均可將由反射鏡337所反射的撮影光導向於攝像部35a,35b。
在晶片CP中設有例如圖6(A)所示的2個對準標記MC1a,MC1b。又，在基板WT中有安裝晶片CP的至少1個區域AW1中，分別設有例如圖6(B)所示的2個對準標記MW1a,MW1b。所以，攝像部35a,35b分別取得含有：在晶片CP中所設置對準標記MC1a,MC1b之影像、以及在基板WT中所設置後述對準標記MW1a,MW1b之影像的影像數據。
再者，控制部90係根據由攝像部35a,35b所取得的影像數據，辨識在基板WT中安裝晶片CP之面的平行方向上，各晶片CP相對於基板WT的相對位置。攝像部35a,35b分別如圖2所示，設有：影像感測器351a,351b、光學系統352a,352b、及同軸照明系統(未圖示)。攝像部35a,35b分別取得從同軸照明系統的光源(未圖示)所射出照明光(例如紅外光)的反射光之相關影像數據。另外，從攝像部35a,35b的同軸照明系統朝水平方向射出的照明光，利用反射鏡337的傾斜面337a,337b被反射，將前進方向變更為鉛直上方。然後，被反射鏡337反射的光朝向含有由頭部33H所保持晶片CP、與晶片CP相對向配置的基板WT之撮影對象部分前進，並由各撮影對象部分進行反射。此處，在晶片CP的攝像對象部分中設有後述的對準標記MC1a,MC1b，在基板WT的攝像對象部分中設有後述的對準標記MC2a,MC2b。來自晶片CP與基板WT各自撮影對象部分的反射光，朝鉛直下方前進後，再度被反射鏡337的傾斜面337a,337b反射，而將前進方向變更為水平方向，並到達攝像部35a,35b。依此，攝像部35a,35b便取得晶片CP與基板WT各自撮影對象部分的影像數據。在此狀態下，頭部33H的中空部415,416連動於轉動構件361的旋轉，圍繞軸AX進行旋轉。例如圖4所示，當攝像部35a,35b位於晶片CP有設置對準標記MC1a,MC1b的2個角部之連結對角線上時，攝像部35a,35b便可透過中空部415,416取得對準標記MC1a,MC1b的攝像數據。
照相機F方向驅動部365係如圖2的箭頭AR3所示，藉由將攝像部35a,35b朝聚焦方向驅動，便調整攝像部35a,35b的焦點位置。照相機Z方向驅動部363係如箭頭AR4所示，將第1攝像部35a,35b朝Z軸方向驅動。所以，照相機Z方向驅動部363通常係依Z軸方向移動構件331在Z軸方向的移動量、與攝像部35a,35b在Z軸方向的移動量為相同的方式，使攝像部35a,35b移動。依此，當頭部33H朝Z軸方向移動時，攝像部35a,35b的撮影對象部分便不會出現移動前後有變化。但，照相機Z方向驅動部363會有依攝像部35a,35b在Z軸方向的移動量不同於Z軸方向移動構件331在Z軸方向的移動量方式，使攝像部35a,35b移動的情況。此情況下，因為攝像部35a,35b與反射鏡337在Z方向上的相對位置分別會有變化，因而利用攝像部35a,35b進行的晶片CP與基板WT之撮影對象部分便會變更。
平台31係屬於依基板WT有安裝晶片CP之一面WTf，朝鉛直下方(即，-Z方向)姿勢，保持著基板WT的第1被接合物保持部。平台31係可在X方向、Y方向及旋轉方向上移動。藉此，可變更黏合部33與平台31的相對位置關係，便可調整基板WT上的各晶片CP安裝位置。平台31係設有調節由平台31所保持基板WT之溫度的溫度調節部317。溫度調節部317係例如紅外線加熱器。又，平台31係如圖7(A)與(B)所示，設有：X方向移動部311、Y方向移動部313、基板載置部315、X方向驅動部321、及Y方向驅動部323。X方向移動部311係屬於經由2個X方向驅動部321，固定於黏合裝置30之基座構件302上的第2保持部驅動部。2個X方向驅動部321分別朝X方向延伸，並遠離Y方向配置。X方向驅動部321係設有線性馬達與滑軌，使X方向移動部311相對於固定構件301在X方向上移動。
Y方向移動部313係屬於經由2個Y方向驅動部323配置於X方向移動部311下方(-Z方向)的第2保持部驅動部。2個Y方向驅動部323分別朝Y方向延伸並遠離X方向配置。Y方向驅動部323係設有線性馬達與滑軌，使Y方向移動部313相對於X方向移動部311在Y方向上移動。基板載置部315係固定於Y方向移動部313。基板載置部315係配合X方向驅動部321與Y方向驅動部323的移動，在X方向與Y方向上移動。又，在X方向移動部311的中央處設有平面觀呈矩形狀的開口部312，在Y方向移動部313的中央處亦是設有平面觀呈矩形狀的開口部314。在基板載置部315的中央處設有平面觀呈圓形的開口部316。所以，透過該等開口部312,314,316，利用攝像部41辨識基板WT上的標記。
攝像部41係如圖1與圖2所示，配置於平台31的上方。而，攝像部41係在晶片CP被配備於基板WT有安裝晶片CP的位置處之狀態下，從基板WT的鉛直上方(+Z方向)拍攝基板WT的對準標記MW2a,MW2b。藉此，攝像部41便取得含有基板WT之對準標記MC2a,MC2b影像的影像數據。控制部90便根據由攝像部41所取得的影像數據，辨識在基板WT有安裝晶片CP之一面的平行方向上，晶片CP安裝位置相對於頭部33H的相對位置。攝像部41係設有：影像感測器418、光學系統419、及同軸照明系統(未圖示)。攝像部41係取得從同軸照明系統的光源(未圖示)所射出照明光(例如紅外光)的反射光之相關影像數據。
紫外線照射源51係配置於平台31的鉛直上方(即，+Z方向)，並從基板WT的+Z方向朝基板WT照射紫外線。紫外線照射源51係可採用例如：具有照射紫外區域波長頻帶域光的發光元件者、或具有照射紫外區域波長頻帶域雷射光的雷射源者。從基板WT的+Z方向朝基板WT照射的紫外線，會穿透基板WT並照射於樹脂部CPR1,WTR1。
控制部90係控制接合裝置1全體，具有：MPU(Micro Processing Unit：微處理器)、主記憶部、輔助記憶部、介面、以及連接前述各構件的匯流排。主記憶部係由揮發性記憶體構成，使用為MPU的作業區域。輔助記憶部係由非揮發性記憶體構成，記憶著MPU所執行的程式。又，輔助記憶部亦記憶著表示預定的位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth的資訊(該位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth係關於後述所計算出晶片CP相對於基板WT之位置偏移量Δx、Δy、Δθ的預定位置偏移量臨限值)。介面係將由攝像部35a,35b,41輸入的撮影影像信號轉換成撮影影像資訊，再輸出給匯流排。又，MPU係藉由將輔助記憶部所記憶的程式讀入於主記憶部中並執行，再經由介面，分別對Z方向驅動部34、θ方向驅動部37、壓電致動器333、X方向驅動部321、及Y方向驅動部323輸出控制信號。控制部90係如圖8(A)所示，取得：含有晶片CP與基板WT之對準標記MC1a,MW1a的撮影影像GAa、以及含有晶片CP與基板WT之對準標記MC1b,MC2b的撮影影像GAb。然後，控制部90如圖8(B)所示，根據由攝像部35a取得的撮影影像GAa，計算出晶片CP、與在基板WT上所設置1組對準標記MC1a,MW1a間的位置偏移量Δxa、Δya。另外，圖8(B)所示係1組對準標記MC1a,MW1a相互偏移的狀態。同樣，控制部90係根據由攝像部35b所取得的撮影影像GAb，計算出晶片CP、與在基板WT上所設置另一組對準標記MC1b,MW1b間的位置偏移量Δxb、Δyb。然後，控制部90根據該等2組對準標記的位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb、與2組標記的幾何關係，計算出在X方向、Y方向及圍繞Z軸旋轉方向上的晶片CP與基板WT之相對位置偏移量Δx、Δy、Δθ。又，控制部90係依降低所計算出位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，使頭部33H朝X方向與Y方向移動、或圍繞Z軸進行旋轉。藉此，便縮小晶片CP與基板WT間之相對位置偏移量Δx、Δy、Δθ。
其次，針對由本實施形態的接合裝置1所執行之晶片接合處理，參照圖9至圖11進行說明。該晶片接合處理的起始動機係啟動為使控制部90執行晶片接合處理的程式。另外，圖9中，晶片CP及基板WT被搬送於接合裝置1內。又，基板WT的第1金屬部與晶片CP的第2金屬部係預先經表面活化處理。
首先，接合裝置1在晶片CP與基板WT未接觸狀態下，計算出晶片CP與基板WT的相對性位置偏移量(步驟S101)。此處，接合裝置1係例如圖10(A)所示，在使基板WT有設置第1金屬部MWT1之一面、與晶片CP有設置第2金屬部MCP1之一面呈相對向狀態下，根據由攝像部35a,35b所攝像獲得的攝像影像，計算出位置偏移量。又，接合裝置1係一邊依預定的同一規定溫度維持晶片CP與基板WT，一邊利用攝像部35a,35b拍攝晶片CP與基板WT。規定溫度係例如25℃室溫。此處所謂「同一規定溫度」係指晶片CP溫度與基板WT溫度的溫度差絕對值在50℃以下。
其次，接合裝置1係如圖9所示，根據所計算出的位置偏移量，在晶片CP與基板WT未接觸狀態下，使晶片CP與基板WT的相對位置合致(步驟S102)。該步驟102的處理係相當於一邊依預定的同一規定溫度維持晶片CP與基板WT，一邊依縮小晶片CP對基板WT的位置偏移量之方式，決定晶片CP對基板WT的相對位置之定位步驟。此時，如圖10(A)所示，晶片CP的對準標記MC1a,MC1b位置、與基板WT上有安裝晶片CP位置處的對準標記MW1a,MW1b位置呈一致的狀態。
接著，接合裝置1係如圖9所示，藉由使保持著晶片CP的頭部33H朝鉛直上方移動，而使晶片CP接觸到基板WT(步驟S103)。該步驟S103的處理係相當於使晶片CP的金屬部MCP1與樹脂部CPR1接觸到基板WT的接觸步驟。此時，如圖10(B)所示，基板WT的第1金屬部MWT1、與晶片CP的第2金屬部MCP1形成相互接觸狀態。此處，利用頭部驅動部36將頭部33H朝鉛直上方上推的力，係充分大於利用壓電致動器333維持頭部33H姿勢的力。所以，在晶片CP接觸基板WT前的狀態下，即使晶片CP依對基板WT呈傾斜角度ϕ的姿勢由頭部33H保持的情況，仍可使晶片CP的第2金屬部MCP1與樹脂部CPR1，全部接觸於各自對應基板WT的第1金屬部MWT1與樹脂部WTR1。
然後，接合裝置1係如圖9所示，計算出晶片CP接觸到基板WT狀態下，晶片CP對基板WT的相對位置偏移量(步驟S104)。該步驟S104的處理係相當於測定晶片CP對基板WT的位置偏移量之測定步驟。此處，接合裝置1係從一邊依預定的同一規定溫度維持晶片CP與基板WT，利用攝像部35a,35b拍攝晶片CP與基板WT。在此狀態下，接合裝置1的控制部90，首先從攝像部35a,35b取得非接觸狀態的2個晶片CP、基板WT(參照圖8(A))之撮影影像GAa,GAb(參照圖8(B))。然後，控制部90根據2個撮影影像GAa,GAb，分別計算出晶片CP、基板WT在X方向、Y方向及圍繞Z軸旋轉方向上的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。具體而言，控制部90係例如根據同時讀取遠離Z方向之對準標記MC1a,MW1a的撮影影像GAa，使用向量相關法計算出位置偏移量Δxa、Δya(參照圖8(B))。同樣，控制部90根據同時讀取遠離Z方向之對準標記MC1b,MW1b的撮影影像GAb，使用向量相關法計算位置偏移量Δxb、Δyb。然後，控制部90根據位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb，計算出晶片CP與基板WT在水平方向上的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。此處，如圖10(A)所示，在晶片CP接觸到基板WT前的狀態下，由頭部33H將晶片CP保持成對基板WT呈傾斜角度ϕ姿勢。此情況下，如圖10(B)所示，晶片CP的位置對基板WT剛好偏移位置偏移量ΔD。另外，位置偏移量ΔD係相當於位置偏移量Δx、Δy、Δθ中之任一者。
其次，接合裝置1係如圖9所示，判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，是否全部均在預定地位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S105)。此處，位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth係設定為例如0.2μm程度。接合裝置1係若判定為所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ中，有任一者超過位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth的話(步驟S105：No)，便使晶片CP脫離基板WT(步驟S106)。此時，接合裝置1戲如圖10(C)中的箭頭AR11所示，藉由使頭部33H朝鉛直下方移動，而使晶片CP脫離基板WT。此時，晶片CP再度形成由頭部33H保持成相對於基板WT呈傾斜角度ϕ姿勢的狀態。
接著，接合裝置1係如圖9所示，根據所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，依消除晶片CP對基板WT的位置偏移方式，計算出使晶片CP對基板WT進行相對性移動時的修正移動量、修正移動方向(步驟S107)。然後，接合裝置1便在晶片CP與基板WT呈非接觸狀態下，使晶片CP朝所計算出的修正移動方向僅移動所計算出的修正移動量(步驟S108)。此處，接合裝置1係如圖11(A)所示，使晶片CP對基板WT，朝位置偏移量ΔD的位置偏移方向之反方向，相對性僅移動相當於位置偏移量ΔD的修正移動量。又，步驟S108的處理係相當於根據晶片CP對基板WT的位置偏移量，依減少該位置偏移量的方式，使晶片CP對基板WT進行相對性修正移動的修正移動步驟。
然後，接合裝置1係如圖9所示，再度使晶片CP接觸於基板WT(步驟S103)。此處，接合裝置1係如圖11(B)的箭頭AR13所示，藉由使頭部33H接近平台31，而使晶片CP的第2金屬部MCP1接觸於基板WT的第1金屬部MWT1。
再者，接合裝置1係在圖9的步驟S105中，若判定所算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，全部均在位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S105：Yes)。此情況，接合裝置1係一邊依預定的同一規定溫度維持晶片CP與基板WT，一邊利用紫外線照射源51對晶片CP的樹脂部CPR1與基板WT之樹脂部WTR1照射紫外線(步驟S109)。該步驟S109的處理係相當於將晶片CP1固定於基板WT上的固定步驟。此處，接合裝置1係如圖11(C)所示，朝基板WT臨晶片CP側的背面照射紫外線UV。然後，穿透過基板WT的紫外線便照射於晶片CP的樹脂部CPR1、與基板WT的樹脂部WTR1。此時，晶片CP的樹脂部CPR1、與基板WT的樹脂部WTR1，會吸收所照射的紫外線並硬化。藉此，晶片CP便呈被固定於基板WT上的狀態。
然後，接合裝置1係如圖9所示，在加熱晶片CP與基板WT的狀態下，將基板WT的金屬部MWT1、與晶片CP的接合部MCP1朝密接方向加壓(步驟S110)。藉此，在晶片CP的第2金屬部MCP1接觸到基板WT的第1金屬部MWT1狀態下，使第2金屬部MCP1的金屬、與第1金屬部MWT1的金屬相互擴散並接合。此處，在加熱晶片CP與基板WT之際，藉由並行實施將晶片CP朝押抵於基板WT的方向加壓，便利用晶片CP與基板WT接觸部分、與在晶片CP與基板WT間所產生空隙部分的壓力差，使金屬粒子朝空隙部分移動。藉此，減少在晶片CP與基板WT間所產生的空隙部分。另外，當第1金屬部MWT1係焊墊，第2金屬部MCP1係金屬凸塊的情況，亦可在第1金屬部MWT1與第2金屬部MCP1相接觸狀態下，將第1金屬部MWT1與第2金屬部MCP1至少其中一者加熱熔融。然後，使頭部33H脫離晶片CP。依此，晶片CP便接合於基板WT。此步驟S110的處理係相當於在晶片CP被固定於基板WT的狀態下，將晶片CP與基板WT接合的接合步驟。
此處針對藉由重複執行步驟S103至S108的一連串處理，而施行為確認減少晶片CP對基板WT位置偏移的實驗結果進行說明。實驗係施行將10個晶片CP接合於基板WT。該實驗的結果如表1至表3所示。
[表1]
晶片No 位置偏移量
Δx[μm] Δy[μm] Δθ[°]
1 0.03 0.05 0.00151
2 0.02 0 0.00173
3 -0.1 0.09 0.00239
4 -0.07 0.07 0.00215
5 -0.06 0.09 0.00269
6 -0.1 0.09 0.00186
7 -0.05 0.07 0.00181
8 -0.07 0.09 0.00185
9 0.03 0.06 0.00185
10 -0.09 0.1 0.00223
Max. 0.03 0.10 0.00269
Min. -0.10 0.00 0.00151
±Range 0.065 0.05 0.00059
[表2]
晶片No 位置偏移量
Δx[μm] Δy[μm] Δθ[°]
1 -0.9 0.8 -0.0006
2 -0.4 -0.9 -0.0011
3 0.4 0.7 -0.0024
4 0.8 0.8 0.0006
5 -0.2 0.7 -0.0025
6 -0.2 -0.7 -00015
7 -0.2 -0.6 -0.0005
8 1 -0.5 0.003
9 0.1 1 -0.0011
10 -0.3 0.8 0.0024
Max. 1.00 1.00 0.00300
Min. -0.90 -0.90 -0.00250
±Range 0.95 0.95 0.00275
[表3]
晶片No 位置偏移量
Δx[μm] Δy[μm] Δθ[°]
1 -0.03 0.08 -0.00006
2 -0.04 0.08 -0.00011
3 0.04 0.07 -0.00024
4 0 0.08 0.00006
5 -0.02 0.07 -0.00025
6 -0.02 0.07 -0.00015
7 -0.02 0.07 -0.00005
8 0.05 0.08 0.0003
9 0.01 0.06 -0.00011
10 -0.03 0.07 0.00024
Max. 0.05 0.08 0.00030
Min. -0.04 0.06 -0.00025
±Range 0.045 0.01 0.000275
表1所示係分別針對10個晶片CP執行前述晶片接合處理時，在完成步驟S102處理的時點，晶片CP對基板WT的位置偏移量。表2所示係分別針對10個晶片CP，在使晶片CP依壓力50N接觸於基板WT的狀態下，晶片CP對基板WT的位置偏移量。表3所示係前述晶片接合處理中，將位置偏移量臨限值設定於0.05μm，執行步驟S103至S108的一連串處理時，晶片CP對基板WT的位置偏移量。由表1中得知，在步驟S102的處理完成之時點，位置偏移量係±0.1μm程度。又，由表2得知。若未執行步驟S103至S108的一連串處理時，位置偏移量增加至±1.0μm程度。另一方面，得知藉由執行步驟S103至S108的一連串處理，便可將位置偏移量降低至±0.05μm程度。由此得知，藉由執行步驟S103至S108的一連串處理，便可大幅降低位置偏移量。
但是，習知當施行使晶片CP與基板WT的位置合致時，藉由在晶片CP與基板WT之間插入具備有分別拍攝晶片CP與基板WT之個別照相機的所謂2視野照相機，進行位置偏移量測定。然而，此情況，即便極力依高精度施行位置合致，但仍會因晶片CP接合於基板WT時，朝晶片CP與基板WT密接方向的加壓而造成位置偏移，或者在加熱晶片CP與基板WT時，因因晶片CP與基板WT的熱膨脹而造成位置偏移，結果在晶片CP與基板WT之間發生2μm以上的位置偏移。特別係當晶片CP與基板WT的熱膨脹較大時，亦會有發生達5μm以上位置偏移的情況。
相對於此，本實施形態的接合方法，係當基板WT為Si基板的情況，藉由利用紅外光的攝像部35a,35b、或基板WT為藍寶石基板或透明玻璃基板時利用可見光的攝像部35a,35b，穿透辨識基板WT的對準標記MW1a,MW1b、與晶片CP的對準標記MC1a,MC1b，再修正因朝使晶片CP與基板WT密接方向加壓造成的位置偏移。又，因晶片CP、基板WT的熱膨脹所造成位置偏移，在加熱晶片CP與基板WT之前，藉由經由樹脂部CPR1,WTR1將二者固定，便如上述，可使晶片CP與基板WT接合後的位置偏移量在±0.5μm以下、或提高至±0.05μm以下。
如以上所說明，根據本實施形態的接合裝置1，在決定晶片CP對基板WT的相對位置後，使基板WT接觸於晶片CP，然後在將晶片CP與基板WT維持於同一規定溫度狀態下，將晶片CP固定於基板WT上。藉此，爾後加熱基板WT與晶片CP時，藉由事先將晶片CP固定於基板WT上，便可抑制發生因基板WT與晶片CP的熱膨脹而造成的位置偏移生。所以，基板WT與晶片CP間可依高位置精度進行接合。
但是，當晶片CP傾斜於基板WT的情況，若朝晶片CP與基板WT密接的方向加壓，在接觸時，晶片CP與基板WT其中一者的接合不會因跟蹤另一接合部而發生位置偏移。相對於此，本實施形態的接合裝置1，當晶片CP對基板WT的位置偏移量在預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便將晶片CP固定於基板WT上，若前述位置偏移量大於位置偏移量臨限值得情況，便再度執行晶片CP對基板WT的位置合致。藉此，可修正因晶片CP傾斜於基板WT而造成晶片CP對基板WT的位置偏移。所以，基板WT與晶片CP間可依高位置精度進行接合。即，本實施形態的接合裝置1係藉由併用修正因朝晶片CP與基板WT密接方向加壓所造成晶片CP對基板WT的位置偏移、以及經由樹脂部CPR1,WTR1將晶片CP固定於基板WT上，便可抑制因晶片CP與基板WT的熱膨脹所造成晶片CP對基板WT的位置偏移，俾可將晶片CP依高位置精度接合於基板WT上。
再者，本實施形態的接合方法，因為僅在經修正晶片CP對基板WT接觸時的位置偏移之後才照射紫外線，因而不會發生因晶片CP與基板WT的熱膨脹所造成位置偏移。又，利用樹脂部CPR1,WTR1的收縮力，能使晶片CP與基板WT的接合部間更密接，而藉由施行步驟S103至S108的一連串處理，便可修正因晶片CP傾斜於基板WT而造成的位置偏移。所以，可在不會發生晶片CP對基板WT的位置偏移情況下，將晶片CP固定於基板WT上。
又，本實施形態的接合裝置1，係採用將基板WT依有安裝晶片CP之一面WTf朝鉛直下方的姿勢保持，再將晶片CP從鉛直下方安裝於基板WT上的方式。將基板WT依有安裝晶片CP之一面WTf朝鉛直下方的姿勢保持，再將晶片CP從鉛直下方安裝於基板WT上的方式，係當在基板WT上複數安裝晶片CP時，微粒會散撒於基板WT上，當將晶片CP安裝於基板WT時，會因微粒跑入晶片CP與基板WT間而產生空隙，導致有晶片CP無法良好接合於基板WT上的顧慮。相對於此，本實施形態的接合裝置1，特別藉由將基板WT依有安裝晶片CP之一面WTf朝鉛直下方的姿勢保持，便可抑制微粒附著於基板WT上。
(實施形態2) 本實施形態的接合裝置係在減壓下的腔內，於使2個被接合物間相接觸狀態下，藉由對2個被接合物間施加數百V的直流電壓而加熱，藉此進行2個被接合物間接合之所謂「陽極接合裝置」。此處，2個被接合物係例如其中一者係由含有如Na之類鹼離子的矽酸玻璃所形成基板，另一者係由金屬或半導體形成的基板。
本實施形態的接合裝置係如圖12所示，具備有：腔2200、平台2401、頭部2402、平台驅動部2403、頭部驅動部2404、溫度調節部2421,2422、距離檢測部2413、及測定部2500。另外，以下說明中，適當地將圖12中的±Z方向設為上下方向，並將XY方向設為水平方向進行說明。腔2200係經由排氣管2202與排氣閥2203連接於真空泵2201。若在將排氣閥2203呈開啟狀態下使真空泵2201產生動作，腔2200內的氣體便通過排氣管2202被排出於腔2200外，使腔2200內的氣壓降低(減壓)。又，藉由變動排氣閥2203的開閉量而調節排氣量，便可調節腔2200內的氣壓(真空度)。又，在腔2200的其中一部分處，設有供利用測定部2500測定基板W1,W2間之相對位置用的窗部2503。
平台2401與頭部2402係在腔2200內，配置呈在Z軸方向上相對向狀態。平台2401係在+Z方向支撐著基板W1，頭部2402係在-Z方向支撐著基板W2。平台2401與頭部2402分別設有供保持基板W1,W2用的真空吸盤(未圖示)。此處，由平台2401保持的基板W1係由含有如Na之類鹼離子的矽酸玻璃所形成基板。由頭部2402保持的基板W1係如Si基板之類的半導體基板或金屬板。
溫度調節部2421,2422係例如由電熱加熱器構成。溫度調節部2421,2422係藉由將熱傳導給由平台2401,2402支撐的基板W1,W2，而使基板W1,W2升溫。又，溫度調節部2321,2422係藉由調節電熱加熱器的發熱量，而調節基板W1,W2的溫度。
平台驅動部2403係可使平台2401朝XY方向移動、或圍繞Z軸旋轉。頭部驅動部2404係具備有：使頭部2402朝+Z方向或-Z方向進行升降的升降驅動部2406、使頭部2402朝XY方向移動的XY方向驅動部2405、以及使頭部2402如圖12中箭頭AR22所示圍繞Z軸旋轉方向進行旋轉的旋轉驅動部2407。又，頭部驅動部2404係具備有：供調整頭部2402對平台2401傾斜用的壓電致動器2411、以及供設定對頭部2402所施加壓力用的壓力感測器2412。XY方向驅動部2405與旋轉驅動部2407係在X方向、Y方向、圍繞Z軸旋轉方向上，藉由使頭部2402對平台2401進行相對性移動，便可使由頭部2402所保持的基板W2，對由平台2401保持的基板W1進行相對性移動。
升降驅動部2406係藉由使頭部2402朝-Z方向移動，而使平台2401與頭部2402相靠近。又，升降驅動部2406係藉由使頭部2402朝+Z方向移動，而使平台2401與頭部2402相遠離。升降驅動部2406係藉由使頭部2402朝+Z方向移動，而使由平台2401保持的基板W1、與由頭部2402保持的基板W2相接觸。然後，在基板W1,W2間相接觸狀態下，若升降驅動部2406對頭部2402作用朝接近平台2401方向的驅動力，基板W2便被押抵於基板W1。又，升降驅動部2406設有供測定升降驅動部2406對頭部2402作用朝接近平台2401方向之驅動力用的壓力感測器2408。從壓力感測器2408的測定值，當利用升降驅動部2406使基板W2被押抵於基板W1時，便可檢測作用於基板W1,W2之接合部的壓力。壓力感測器2408係由例如測力器構成。
壓電致動器2411、壓力感測器2412分別如圖13(A)所示，各自存在有3個。3個壓電致動器2411、與3個壓力感測器2412係配置於頭部2402與XY方向驅動部2405之間。3個壓電致動器2411係固定於頭部2402臨+Z方向面的非於同一直線上3個位置處(即，在平面觀略圓形頭部2402臨+Z方向面的周部，沿頭部2402的圓周方向相隔略等間隔排列的3個位置)。3個壓力感測器2412分別介存於壓電致動器2411的上端部、與XY方向驅動部2405臨+Z方向面間。3個壓電致動器2411係可各別朝Z軸方向伸縮。所以，藉由3個壓電致動器2411的伸縮，便微調整頭部2402圍繞X軸及圍繞Y軸的傾斜、與頭部2402的上下方向位置。又，3個壓力感測器2412係測定頭部2402臨+Z方向面的3個位置處之加壓力。所以，藉由依3個壓力感測器2412所測定的加壓力成為相等方式，分別驅動3個壓電致動器2411，便可在將頭部2402臨+Z方向面、與平台2401臨+Z方向面維持略平行狀態下，使基板W1,W2間相接觸。
距離檢測部2413係由雷射測距儀等構成，在未接觸到平台2401與頭部2402狀態下，測定平台2401與頭部2402間的距離。例如當頭部2402呈透明的情況，距離檢測部2413便由從頭部2402上方朝平台2401照射雷射光時的平台2401臨+Z方向面的反射光、與頭部2402臨-Z方向面的反射光之差分，測定平台2401與頭部2402間之距離。距離檢測部2413係測定平台2401臨+Z方向面的3處部位P11,P12,P13、與頭部402臨-Z方向面在Z軸方向上相對向於部位P11,P12,P13的3處部位P21,P22,P23間之距離。
直流電源2301係如圖13(B)所示，藉由在基板W1,W2間相接觸狀態下，對基板W1,W2間施加直流電壓，而將基板W1固定或陽極接合於基板W2上者。直流電源2301係依平台2401成為陰極、頭部2402成為陽極的方式施加直流電壓。直流電源2301係例如對平台2401與頭部2402間施加300V以上且900V以下範圍的電壓。
請重返參照圖12，測定部2500係測定在上下方向的正交方向(XY方向、圍繞Z軸的旋轉方向)上，基板W1與基板W2的位置偏移量。測定部2500係具備有：複數(圖12中為2個)攝像部2501,2502、與反射鏡2504,2505。攝像部2501,2502分別具有攝像元件(未圖示)與同軸照明系統。攝像部2501,2502的同軸照明系統光源，係採用穿透過基板W1,W2、平台2401、以及腔2200中所設置窗部2503的光(例如紅外光)再射出的光源。
例如圖14(A)與(B)所示，基板W1中設有2個對準標記MK1a,MK1b，在基板W2中設有2個對準標記MK2a,MK2b。接合裝置2係一邊利用位置測定部2500辨識在二基板W1,W2所設置各對準標記MK1a,MK1b,MK2a,MK2b的位置，一邊執行二基板W1,W2的位置合致動作(對準動作)。此處，如圖12所示，從攝像部2501的同軸照明系統光源(未圖示)所射出的光，被反射鏡2504反射並朝上方前進，再穿透過窗部2503與基板W1,W2。穿透過基板W1,W2的光會被基板W1,W2的對準標記MK1a,MK2a反射，並朝-Z方向前進，再穿透過窗部2503，經反射鏡2504反射後再射入於攝像部2501的攝像元件。又，從攝像部2502的同軸照明系統光源(未圖示)所射出的光，會被反射鏡2505反射並朝+Z方向前進，再穿透過窗部2503與基板W1,W2。穿透過基板W1,W2的光，會被基板W1,W2的對準標記MK1a,MK2a反射並朝-Z方向前進，再穿透過窗部2503，被反射鏡2505反射後射入於攝像部2502的攝像元件。依此，測定部2500係如圖15(A)所示，取得含有2個基板W1,W2之對準標記MK1a,MK2a的撮影影像GAa、與含有2個基板W1,W2之對準標記MK1b,MK2b的撮影影像GAb。
控制部2090係與實施形態1的控制部90同樣，具備有：MPU、主記憶部、輔助記憶部、介面、以及連接各構件的匯流排。輔助記憶部係記憶著MPU所執行的程式等。又，輔助記憶部亦是記憶著針對後述相對於基板W1,W2所計算出位置偏移量Δx、Δy、Δθ的預定位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth。介面係將由壓力感測器2408,2412、與距離檢測部2413輸入的測定信號，轉換為測定資訊，再輸出給匯流排。又，介面係將由攝像部2501,2502輸入的撮影影像信號，轉換為撮影影像資訊再輸出給匯流排。MPU係藉由將輔助記憶部所記憶的程式讀入於主記憶部中並執行，藉此經由介面，分別對真空吸盤、壓電致動器2411、溫度調節部2421,2422、平台驅動部2403、頭部驅動部2404、及直流電源2301輸出控制信號。
控制部2090係如圖15(B)所示，根據從攝像部501取得的撮影影像GAa，計算出基板W1,W2上所設置1組對準標記MK1a,MK2a間的位置偏移量Δxa、Δya。另外，圖15(B)所示係1組對準標記MK1a,MK2a相互偏移的狀態。同樣，控制部2090係根據由攝像部2502取得的撮影影像GAb，計算出基板W1,W2上所設置另一組對準標記MK1b,MK2b間的位置偏移量Δxb、Δyb。然後，控制部2090便根據該等2組對準標記的位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb、與2組標記的幾何關係，計算出X方向、Y方向、及圍繞Z軸的旋轉方向上，2個基板W1,W2的相對性位置偏移量Δx、Δy、Δθ。然後，控制部2090係依降低所計算出位置偏移量Δx、Δy、Δθ的方式，使頭部2402朝X方向與Y方向移動、或使圍繞Z軸旋轉。
其次，針對本實施形態的接合裝置2所執行之基板接合處理，參照圖16進行說明。該基板接合處理的啟動動機係啟動為使控制部2090執行基板接合處理用的程式。另外，圖16中，基板W1,W2係被搬送至接合裝置2內。
首先，接合裝置2係在基板W1,W2間未接觸狀態下，計算出基板W1,W2的相對性位置偏移量(步驟S201)。此處，接合裝置1係根據在使基板W1,W2相對向狀態下，由攝像部2501,2502所拍攝到的攝像影像，計算出位置偏移量。又，接合裝置2係一邊將基板W1,W2維持於預定的同一規定溫度，一邊利用攝像部2501,2502拍攝基板W1,W2。此處，規定溫度係設定於為能將基板W1,W2間進行陽極接合的必要溫度，設定於200℃以上且400℃以下的範圍內。
其次，接合裝置2係根據所計算出的位置偏移量，在基板W1,W2未接觸狀態下，使基板W1,W2的相對性位置對位(步驟S202)。接著，接合裝置2藉由使已保持基板W2的頭部2402朝鉛直下方移動，而使基板W2接觸於基板W1(步驟S203)。此處，利用升降驅動部2406將頭部2402朝鉛直下方按押的力，係充分大於利用壓電致動器2411維持頭部2402姿勢的力。所以，即便在使基板W2接觸到基板W1前的狀態下，由頭部2402保持成基板W2傾斜於基板W1的姿勢時，仍可使基板W2的接合部面接觸於基板W1的接合部。
然後，接合裝置2在基板W1,W2間相接觸狀態下，計算出基板W1,W2的相對性位置偏移量(步驟S204)。此處，接合裝置2係一邊將基板W1,W2維持於預定的同一規定溫度，一邊利用攝像部2501,2502拍攝基板W1,W2。在此狀態下，接合裝置1的控制部2090，首先從攝像部35a,35b取得如圖15(A)所示非接觸狀態下的2個基板W1,W2之撮影影像GAa,GAb。又，控制部2090係根據2個撮影影像GAa,GAb，分別計算出基板W1,W2的X方向、Y方向及圍繞Z軸旋轉方向的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。然後，控制部90根據位置偏移量Δxa、Δya、Δxb、Δyb，計算出晶片CP與基板WT在水平方向的位置偏移量Δx、Δy、Δθ。
其次，接合裝置2係如圖16所示，判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，是否全部均在預定的位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205)。此處，位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth係設定為例如0.2μm程度。接合裝置2係判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ中有任一個超過位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth(步驟S205：No)，便使基板W2脫離基板W1(步驟S206)。
接著，接合裝置2係根據所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，依消除基板W2對基板W1的位置偏移方式，計算出基板W2對基板W1進行相對性移動時的修正移動量、修正移動方向(步驟S207)。然後，接合裝置1便在基板W1,W2呈非接觸狀態下，使已保持基板W2的頭部2402朝修正移動方向僅移動所計算出的修正移動量(步驟S208)。然後，接合裝置2再度使基板W2接觸於基板W1(步驟S203)。
再者，接合裝置2係在步驟S205中，判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，全部均在位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205：Yes)。此情況，接合裝置2便一邊將基板W1,W2維持於預定的同一規定溫度，一邊利用直流電源2301對保持基板W1的平台2401、與保持基板W2的頭部2402間施加數百V的直流電壓(步驟S209)。藉此，基板W1中與基板W2的接觸界面附近便會成長缺乏鹼離子的缺鹼離子層。然後，利用由缺鹼離子層所產生強負電荷、與在基板W2的接觸界面附近所產生正電荷間生成的強庫倫力，使基板W1,W2間相接合。
例如當基板W1,W2分別設有貫穿孔的情況，必需高精度執行貫穿孔間的位置合致。又，基板W1,W2係例如當採用該等的表面設有露出金屬部分的區域、與此外的其餘區域，金屬部分的間隔設為3μm程度、金屬部分大小設為ϕ1μm程度的基板時，金屬部分之間必需依次微米級的高精度進行位置合致。相對於此，根據本實施形態的接合裝置3，藉由執行前述的基板接合處理，便可依次微米級的高精度執行基板W1,W2間的位置合致。
但是，當基板W2傾斜於基板W1的情況，若朝基板W1,W2密接的方向加壓，則在基板W1,W2接觸時，會因基板W1,W2中任一者的接合部追隨另一接合部而產生位置偏移。相對於此，本實施形態的接合裝置2，當基板W2對基板W1的位置偏移量係在預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便將基板W2陽極接合於基板W1，而當前述位置偏移量大於位置偏移量臨限值的情況，便再度執行基板W2對基板W1的位置合致。藉此，可修正因基板W2傾斜於基板W1所造成基板W2對基板W1的位置偏移。所以，基板W1,W2間可依高位置精度進行接合。即，本實施形態的接合裝置2係藉由併用修正因朝基板W1,W2間密接方向加壓所造成基板W2對基板W1的位置偏移，以及將基板W1,W2溫度維持於同一規定溫度，便可抑制因基板W1,W2熱膨脹所造成基板W2對基板W1的位置偏移，俾可將基板W1,W2間依高位置精度接合。即，本實施形態的接合方法係藉由在將基板W1,W2加熱置同一陽極接合所必要規定溫度的狀態下，施行步驟S203至S208的一連串處理，而修正因基板W2傾斜於基板W1所造成的位置偏移之後，才對基板W1,W2間施加直流電壓，便可將基板W1,W2予以陽極接合。藉此，具有爾後即使加熱基板W1,W2，但基板W1,W2仍不會發生位置偏移的優點。
(實施形態3) 本實施形態的基板接合裝置係在減壓下的腔內，針對2個基板的接合部施行親水化處理之後，使基板間相接觸並加壓與加熱，藉此將2個基板予以接合的裝置。親水化處理時，藉由對利用活化處理而活化的基板之接合部附近供應水等，而將基板的接合部施行親水化。本實施形態係例如將接合部含有由Cu所形成金屬部、與由SiO2 所形成絕緣膜的基板間予以接合。此處，各基板金屬部的接合面與絕緣膜接合面，係利用CMP施行研磨，具有Ra為0.5nm程度的平坦性。此處，因為2個基板各自的接合面間相接觸接合，因而2個基板間必需不要夾雜微粒等。另外，該親水化處理時，利用電漿處理將2個基板各自的接合面施行活化。電漿處理時，例如再將由Cu形成的金屬部表面、與由SiO2形成的絕緣膜表面，暴露於50W至500W的氮電漿中施行處理後，再於大氣中施行水洗淨，便將2個基板各自接合面上附著的微粒除去，同時施行親水化處理。親水化處理所施行的2個基板各自表面，係處於被OH基封端的狀態，若使2個基板接合面間相接觸，則2個基板便形成介存水分子進行貼合的狀態。在此狀態下，藉由加熱2個基板，則在2個基板的接觸界面便會發生脫水，導致2個基板間的結合由氫鍵轉變為更堅固的共價鍵。該接合方法一般稱為「混成‧黏合」。
如圖17所示，本實施形態的接合裝置3係具備有：腔2200、平台2401、頭部2402、平台驅動部2403、頭部驅動部2404、溫度調節部2421,2422、距離檢測部2413、及測定部2500。另外，圖17中，相關與實施形態2同樣的構成便賦予圖12相同的元件符號。本實施形態的接合裝置3係省略實施形態2的接合裝置2中之直流電源2301構成。又，基板W1,W2分別具有相互接合的接合部。基板W1,W2係採用例如該等表面設有：露出金屬部分的區域、與除此以外的區域之基板。基板W1,W2的表面係利用CMP(Chemical Mechanical Polishing)施行研磨，表面粗糙度Ra設定在1nm以下。又，金屬部分係由例如Cu、Au等形成。又，露出金屬部分之區域以外的其餘區域，係露出例如由氧化膜之類的絕緣體所形成層。
其次，針對本實施形態的接合裝置3所執行之基板接合處理，參照圖18進行說明。該基板接合處理的啟動動機係啟動為使控制部3090執行基板接合處理用的程式。另外，圖18中，基板W1,W2係被搬送於接合裝置3內。又，基板W1,W2預先執行對各自的接合部施行親水化處理的親水化處理步驟。又，圖18中，相關與實施形態2同樣的處理，賦予與圖16相同的元件符號。
首先，接合裝置3係執行步驟S201至S204的一連串處理。其次，接合裝置3係判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，是否全部均在預定的位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205)。此處，位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth係設定於例如0.2μm程度。接合裝置2係若判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ中，任一者超過位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth(步驟S205：No)，便執行步驟S206以後的一連串處理。
另一方面，接合裝置3判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，全部均在位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205：Yes)。此情況，接合裝置3係一邊將基板W1,W2維持於預定的同一規定溫度，一邊藉由對頭部2402施加朝平台2401移動方向的驅動力，而對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓(步驟S301)。此處，規定溫度係常溫(例如25℃)，即，未對頭部2402、平台2401施行加熱狀態的溫度，或將頭部2402與平台2401加熱至同一溫度狀態的溫度。藉此，基板W2便呈初步接合於基板W1的狀態。該步驟S301的處理係相當於藉由在基板W1,W2的接合部間相接觸狀態下，朝基板W1,W2的接合部間密接方向加壓，而將基板W1,W2間施行初步接合的初步接合步驟。然後，藉由加熱基板W1,W2，基板W1,W2間的氫鍵便轉變為共價鍵，將基板W1,W2間予以接合。此處，當依低於基準壓力的壓力施行加壓時，便可使基板W2脫離基板W2。又，即使在基板W1,W2的中央處朝周部相互接近的方向曲撓狀態下，依低於前述基準壓力的壓力施行加壓時，仍可使基板W2脫離基板W1。另外，步驟S301中，因為處於因基板W2傾斜於基板W1所造成的位置偏移已被修正狀態，因而即使對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，但仍不會發生位置偏移。
但是，當基板W1,W2係採用例如金屬部分大小為ϕ3μm程度的基板、或金屬部分的間隔為3μm程度且金屬部分大小為ϕ1μm的基板時，必需使金屬部分間依次微米級的高精度進行位置合致。相對於此，根據本實施形態的接合裝置3，藉由執行前述的基板接合處理，便可施行次微米級高精度的基板W1,W2間之位置合致。
再者，若基板W2傾斜於基板W1的情況，若基板W1,W2被朝密接方向加壓，則在基板W1,W2接觸時，因基板W1,W2其中一者的接合部跟蹤另一接合部而發生位置偏移。相對於此，本變化例的接合裝置，當基板W2對基板W1的位置偏移量，在預定的位置偏移量臨限值以下時，便將基板W2固定於基板W1上，當前述位置偏移量大於位置偏移量臨限值時，便再度執行基板W2對基板W1的位置合致。藉此，可修正因基板W2傾斜於基板W1所造成基板W2對基板W1的位置偏移。所以，基板W1,W2間可依高位置精度接合。即，本變化例的接合裝置係藉由併用修正因朝基板W1,W2間密接的方向加壓所造成基板W2對基板W1的位置偏移、與依同一規定溫度維持基板W1,W2的溫度，便可抑制因基板W1,W2熱膨脹所造成基板W2對基板W1的位置偏移，俾能依高精度將基板W1,W2間予以接合。即，本實施形態的接合方法，藉由一邊將基板W1,W2維持於常溫(即，同一室溫程度的規定溫度)，一邊施行步驟S203至S208的一連串處理，而修正因基板W2傾斜於基板W1所造成的位置偏移。所以，在步驟S301中，即便對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，但仍不會發生基板W1,W2位置偏移。又，本實施形態的接合方法，在步驟S301進行處理前，因為基板W1,W2間已利用由OH基形成的氫鍵進行初步接合，因而爾後即使加熱基板W1,W2，仍不會發生位置偏移。即，步驟S203至S208的一連串處理時，在未加熱基板W1,W2狀態下修正位置偏移之後，才在步驟S301中，對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，而將基板W2固定於基板W1上。然後，因為經固定基板W1,W2之後才加熱基板W1,W2，因而在基板W1,W2加熱時不會發生基板W1,W2位置偏移。
(實施形態4) 本實施形態的接合裝置，就從具備有：由載片上所保持的晶片，將1個晶片供應給接合裝置的晶片供應單元之處，不同於實施形態1的接合裝置。如圖19所示，本實施形態的接合裝置4係具備有：晶片供應單元4010、接合單元4030、及控制部4090。另外，以下說明中，適當地將圖19中的±Z方向設為上下方向，並將XY方向設為水平方向進行說明。晶片供應單元4010係從由載片保持框112保持的載片TE上所黏貼之複數晶片CP中，取得1個晶片CP，並供應給接合單元4030的被接合物供應部。此處，載片TE係可採用例如將複數晶片CP保持於具有黏著性之一面上的黏著載片。晶片供應單元4010係具備有：晶片供應部4011、以及將由晶片供應部4011所供應晶片CP搬送至接合單元4030之頭部33H的晶片搬送部4051。另外，亦可取代載片TE，改為設置托盤，並在托盤上載置複數晶片。
晶片供應部4011係具備有：保持載片保持框4112的框保持部4119、以及從複數晶片CP中拾取1個晶片CP的拾取機構4111。另外，為防止複數晶片CP(已切割晶圓)上出現微粒沉落情形，亦可在利用拾取機構411取出晶片CP的取出部分處設有已穿設孔的蓋體。又，晶片供應部4011係具有將載片保持框4112朝XY方向或圍繞Z軸旋轉方向驅動的保持框驅動部4113。框保持部4119係依載片TE有黏貼複數晶片CP之一面朝鉛直上方(+Z方向)的姿勢，保持著載片保持框4112。拾取機構4111係藉由將複數晶片CP中之1個晶片CP，從載片TE臨複數晶片CP的背後側進行切取(突出)，而形成1個晶片CP脫離載片TE的狀態。此處，拾取機構4111係設有針4111a，如箭頭AR45所示可朝鉛直方向移動。然後，拾取機構4111係吸附晶片CP之面CPf的背後面周部並保持，利用針4111a的突舉而從黏著載片上剝離，再切取晶片CP。拾取機構4111係從載片TE的鉛直下方(-Z方向)將針4111a突抵於載片TE，將晶片CP朝鉛直上方(+Z方向)上舉，而供應晶片CP。然後，載片TE上所黏貼的各晶片CP中，已利用針4111a上舉者，便在晶片搬送部4051抵接於晶片CP之樹脂部CPR1的狀態下吸附保持，再朝+Z方向上升而每次1個朝上方切取。保持框驅動部4113係藉由將載片保持框4112朝XY方向或圍繞Z軸旋轉方向驅動，而使位於針4111a鉛直下方的晶片CP位置變化。又，最好晶片位置係從上方利用照相機施行影像處理並定位。又，晶片移載部4051並不僅侷限於直線性朝頭部移載的例子，亦可依旋轉機構形式供應給頭部，就方式並無限定。
晶片搬送部4051係將從晶片供應部4011所供應的晶片CP，搬送至接合單元4030的頭部33H上，屬於移載晶片CP之移載位置Pos1處的被接合物搬送部。晶片搬送部4051係具備有：本體部4511、與晶片保持部4512。本體部4511係如箭頭AR44所示，使晶片保持部4512在預定待機位置、與移載位置Pos1之間，含Z軸方向在內進行移動。晶片保持部4512係如圖20所示，設有：吸附部4512b、與突設於吸附部4512b周圍的突出部4512c。晶片保持部4512係依晶片CP接合於基板WT之一面CPf朝鉛直上方(+Z方向)狀態，保持著晶片CP的上面。此處，晶片CP係例如具有實施形態1中之圖3B所說明構造。此情況，晶片保持部4512的突出部4512c前端，僅抵接於晶片CP的樹脂部CPR1。此處，突出部4512c的突出量HT係設定為樹脂部CPR1內側的金屬部MCP1不會接觸到晶片保持部4512的大小。然後，晶片保持部4512藉由在突出部4512c前端抵接於樹脂部CPR1的狀態下，由吸附部4512b吸附著晶片CP，而保持著晶片CP。即，晶片CP的接合部係含有金屬部MCP1與絕緣膜ICP1，而晶片保持部4512係在非接觸於金屬部MCP1與絕緣膜ICP1的狀態下，搬送晶片CP。金屬部MCP1與絕緣膜ICP1分別在接合於基板WT之一側設有接合於基板WT的接合面，而樹脂部CPR1係在接合於基板WT之一側設有接觸於基板WT的接觸面。然後，金屬部MCP1與絕緣膜ICP1各自的接合面與樹脂部CPR1之接觸面係位於同一面上。
接合單元4030係具有與實施形態1所說明的接合裝置30為同樣構成。接合單元4030係若由晶片搬送部4051搬送至移載位置Pos1，則晶片CP便被從晶片搬送部4051移載於頭部33H。控制部4090係具有：CPU、主記憶部、輔助記憶部、介面、以及連接各構件的匯流排，控制著：接合單元4030的頭部驅動部36與平台驅動部32、以及晶片供應裝置4010的晶片供應部4011與晶片搬送部4051。控制部4090的MPU係藉由將輔助記憶部所記憶的程式讀入於主記憶部中並執行，再經由介面分別對頭部驅動部36、平台驅動部32、晶片供應部4011、及晶片搬送部4051輸出控制信號。
本實施形態的接合裝置，首先將拾取機構4111朝鉛直上方移動，而將1個晶片CP突出於載片TE臨複數晶片CP側的背後側，形成1個晶片CP脫離載片TE的狀態。接著，晶片搬送部4051係由拾取機構4111收取朝鉛直方向突出的晶片CP，然後將拾取機構4111朝向鉛直下方並移動至待機位置。此時，亦可在針突舉途中，晶片移載部開始進行吸附保持，並與突舉同步上升，即便針停止之後仍持續上升，藉此便可更穩定地切離。此時，晶片保持部4512係依突出部4512c前端部僅抵接於樹脂部CPR1的狀態，保持著晶片CP。其次，晶片搬送部4051係使晶片保持部4512移動至接合單元4030的移載位置Pos1。然後，在晶片保持部4512移動至移載位置Pos1之後，頭部驅動部36便使黏合部33朝鉛直上方移動，使頭部33H靠近晶片保持部4512，再收取由晶片保持部4512保持的晶片CP。接著，晶片搬送部4051使晶片保持部4512退縮至晶片供應單元4011。然後，接合單元4030執行與實施形態1中使用圖9至圖11所說明晶片接合處理的同樣處理。
如上所說明，本實施形態的接合裝置4係具備有晶片搬送部4051，晶片搬送部4051係在晶片保持部4512的突出部4512c前端僅抵接於樹脂部CPR1的狀態下，保持著晶片CP。藉此，可在未接觸到晶片CP的金屬部MCP1狀態下搬送晶片CP，因而可抑制晶片CP的金屬部MCP1之異物附著、及晶片CP的金屬部MCP1遭損傷或微粒附著。
但是，一般晶片CP係依金屬部MCP1和絕緣膜ICP1的接合面、與樹脂部CPR1的接觸面呈略齊平方式施行研磨，但若在金屬部MCP1或絕緣膜ICP1的接合面上有存在微粒，則晶片CP與基板WT間會有發生接合不良的顧慮。相對於此，本實施形態的接合裝置4，因為在晶片保持部4512僅抵接於金屬部MCP1與絕緣膜ICP1周邊之樹脂部CPR1狀態下進行保持，因而可抑制金屬部MCP1與絕緣膜ICP1的接合面之微粒附著。又，雖晶片保持部4512所抵接的樹脂部CPR1亦會有微粒附著的情況，但因為在晶片CP接合於基板WT時，所附著微粒會被埋入樹脂部CPR1中，因而不會影響及晶片CP對基板WT的接合。
以上，針對本發明各實施形態進行說明，惟本發明並不僅侷限於前述各實施形態的構成。例如亦可藉由使設有金屬部的2個基板W1,W2間相接觸並加壓，而將其中一基板W1固定於另一基板W2後，再將2個基板W1,W2施行加熱，藉此將2個基板W1,W2予以接合。此處，2個基板W1,W2亦可例如在相互接合的接合部處露出金屬部與氧化膜。或者，亦可基板W1,W2其中一金屬部係焊墊，另一金屬部係金屬凸塊。金屬凸塊間進行接合時，例如藉由使用由Au所形成的金屬凸塊，在表面活化後亦不需要在大氣中進行氧化，可依加熱狀態進行處置。此處，藉由對含Au凸塊的基板W1,W2間之接合面，分別施行Ar電漿處理，便可除去Au凸塊表面的雜質，且表面亦會被活化。之後，即便暴露於大氣中，但Au凸塊的表面仍不會被氧化。又，雖Au凸塊的表面多少會有吸附雜質，但在使基板W1,W2間相接觸並加壓時，會在該表面處生成新生面，形成容易接合的狀態。又，因為Au凸塊的表面不會被氧化，因而即便基板W1,W2依加熱狀態保持，在接合時仍不會出現不良影響。如Au凸塊的金屬凸塊表面，係具有Ra=4nm至200nm程度的凹凸，藉由在基板W1,W2相接觸狀態下施行加壓，便會增加接觸面積進行接合。此情況，即便常溫仍可進行接合，但將基板W1,W2的溫度加熱至150℃至200℃程度時，會出現固相擴散而較容易接合。所以，在基板W1,W2雙方均被加熱至150℃的相同溫度狀態下，即便使未達正式接合程度的低荷重(例如10N程度)進行接觸，仍可再度使基板W2脫離基板W1。所以，在使基板W1,W2接觸狀態下測定二者的位置偏移量，然後當位置偏移量超過臨限值時，鬆開基板W1,W2間的加壓，使基板W1,W2中之任一者回復至對準位置的隙間，而修正相對性位置，然後便可再度使基板W1,W2間相接觸。然後，若位置偏移量在前述臨限值以內，便一邊維持溫度一邊增大加壓力。此處，使加壓力增加至例如50N。藉此，增加金屬凸塊間的接合面積，便可將基板W1,W2間予以固定。又，使Au凸塊接合面積增加的基準係將基板W1,W2間依150MPa程度加壓。藉此，Au凸塊表面的凹凸會被擠潰，並在表面上產生新生面而牢固地接合。又，在將基板W1,W2間固定後，利用批次爐等，例如將基板W1,W2依200℃加熱1小時左右，而促進基板W1,W2接合界面的固相擴散，便可提高接合強度。另外，本變化例的接合裝置係具有與實施形態3所說明接合裝置3同樣的構成。
此處，針對本變化例的接合裝置所執行之基板接合處理，參照圖19進行說明。另外，圖19中，基板W1,W2係設定為被搬送至接合裝置內。又，基板W1,W2的各自金屬部係預先施行如電漿處理之類的表面活化處理。又，圖19中，相關與實施形態2、3同樣的處理，便賦予與圖16、18相同的元件符號。
首先，接合裝置執行步驟S201至S204的一連串處理。其次，接合裝置判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，是否全部均在預定的位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205)。接合裝置係若判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ中有任一者，超過位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth(步驟S205：No)，便執行步驟S206以後的一連串處理。
另一方面，接合裝置係判定所計算出的位置偏移量Δx、Δy、Δθ，全部均在位置偏移量臨限值Δxth、Δyth、Δθth以下(步驟S205：Yes)。此情況，接合裝置3係一邊將基板W1,W2維持於預定的同一規定溫度，一邊對頭部2402施加朝平台2401移動方向的驅動力，藉此對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，而將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓(步驟S401)。但是，在基板W1,W2的接合界面有存在微米級或奈米級的凹凸，配合加壓時的壓力大小，改變基板W1,W2間的接觸面積。然後，當依未滿基準壓力的壓力施行加壓時，因為基板W1,W2間的接觸面積較小，因而可使基板W2脫離基板W2。例如當金屬部係由Au形成的情況，如前述，若在已施行表面活化處理的狀態下，便形成可依較低溫輕易進行接合的狀態。而，在基板W1,W2的接合界面，如前述，因為存在有微米級或奈米級的凹凸，因而若僅依未滿基準壓力的較低壓力使基板W1,W2間接觸，則基板W1,W2間的接觸面積較小。又，例如當在大氣中使基板W1,W2間接觸的情況，因為在基板W1,W2的各自接合面上亦有附著的雜質，因而可使基板W2脫離基板W1。另一方面，若依基準壓力以上的壓力施行加壓時，在基板W1,W2接合面存在的凹凸會被崩潰、且雜質亦會被壓破，所以基板W1,W2間的接觸面積變大，形成基板W2固定於基板W1上的狀態。又，步驟S401中，因基板W2傾斜於基板W1的所造成的位置偏移已被修正的狀態，因而即使對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，而將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，但仍不會發生位置偏移。
然後，接合裝置便加熱基板W1,W2(步驟S402)。藉此，基板W1,W2便接合。另外，步驟S402中，接合裝置亦可在將基板W2朝押抵於基板W1的方向加壓狀態下，加熱基板W1,W2。此處，經施行表面活化處理過的基板W1,W2之接合面，係氧化膜、雜質等已被除去、且結晶構造崩潰形成非晶化，即便金屬粒子呈固相但仍容易擴散。所以，在基板W1,W2間構成金屬部的金屬粒子固相產生擴散，而提升基板W1,W2間的結合強度。利用基板W1,W2所接觸到的部分、與在基板W1,W2間所產生空隙部分的壓力差，使金屬粒子移往空隙部分。藉此，在與基板W1,W2間所產生的空隙部分減少，便增加基板W1,W2間的接合面積，使基板W1,W2更牢固地接合。
此處，當基板W1,W2係採用例如金屬部分大小為ϕ3μm程度的基板、或金屬部分大小為ϕ1μm的基板時，必需使金屬部分間依次微米級的高精度進行位置合致。相對於此，根據本變化例的接合裝置，藉由執行前述基板接合處理，便可依次微米級的高位置精度施行位置合致。
另外，當使基板W1,W2各自的金屬部熔融而使金屬粒子擴散，俾將基板W1,W2間予以接合的情況，容易發生基板W1,W2間的位置偏移、或基板W1,W2剝落。相對於此，本變化例因為使金屬粒子依固相擴散，因而可在將基板W1,W2間維持較高的相對性位置精度狀態下，提升基板W1,W2的接合強度，更可降低基板W1,W2間產生空隙。
再者，本變化例的接合方法，藉由在將基板W1,W2維持於同一規定溫度狀態下，執行步驟S203至S208的一連串處理，而修正因基板W2傾斜於基板W1所造成的位置偏移。所以，步驟S401中，因為基板W2傾斜於基板W1所造成的位置偏移呈現已被修正狀態，因而即使對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，但仍不會發生位置偏移，故而具有即使之後加熱基板W1,W2，但基板W1,W2仍不會發生位置偏移的優點。
實施形態1的接合裝置1中，亦可構成將晶片CP與基板WT施行陽極接合。或者，實施形態1的接合裝置1亦可將晶片CP與基板WT施行親水化接合。
實施形態1中，針對由接合裝置1重複施行1個晶片CP經由樹脂部CPR1,WTR1固定於基板WT的步驟、以及加熱晶片CP與基板WT而將二者接合的步驟之例子進行說明。但，不僅侷限於此，亦可例如接合裝置1係在執行將複數晶片CP經由樹脂部固定於基板WT的步驟後，再藉由統籌將複數晶片CP與基板WT施行加熱，而將複數晶片CP接合於基板WT上。此處，樹脂部係僅設置於複數晶片CP上，在基板WT上並無設置。假設當在基板WT中接合複數晶片CP的區域全體均有設置樹脂部的情況，若對照射區域大於1個晶片CP份量的區域施行紫外線照射，則在基板WT中尚未接合晶片CP的區域所設置樹脂部亦會被硬化。所以，無法將複數晶片CP一個個逐次固定於基板WT。相對於此，本變化例，因為樹脂部僅設置於複數晶片CP，因而可將複數晶片CP一個個逐次固定於基板WT。
實施形態1係針對由接合裝置1將晶片CP經由樹脂部CPR1,WTR1固定於基板WT之後，再將晶片CP與基板WT施行加熱與加壓，而將晶片CP接合於基板WT的例子進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可例如將2個基板間經由樹脂部相互固定後，再藉由將2個基板施行加熱與加壓，而將2個基板接合的接合裝置。
實施形態1係針對在晶片CP與基板WT雙方均設有樹脂部的構成進行說明，惟並不僅侷限於此，亦可例如僅晶片CP設有樹脂部的構成。但是，當基板WT有設置樹脂部的情況，會導致在基板WT上形成佈線圖案的自由度降低。相對於此，若採用基板WT沒有設置樹脂部的構成，就從提高基板WT上的佈線圖案自由度觀點，係屬較佳。另外，亦可僅基板WT設有樹脂部的構成。
實施形態1係針對再度執行晶片CP對基板WT的位置合致時，暫時先使晶片CP脫離基板WT後，再使晶片CP對基板WT進行移動，然後，才再度使晶片CP接觸於基板WT的例進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可例如一邊維持晶片CP與基板WT相接觸狀態，一邊使晶片CP對基板WT進行相對性移動，藉此執行晶片CP對基板WT的位置合致。又，實施形態2、3係針對再度執行基板W2對基板W1的位置合致時，暫時先使基板W2脫離基板W1後，再使基板W2對基板W1進行移動，然後，才再度使基板W2接觸於基板W1的例進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可例如一邊維持基板W1,W2相接觸狀態，一邊使基板W2對基板W1進行相對性移動，藉此執行基板W2對基板W1的位置合致。此情況，因為基板W2不會遠離基板W1，因而基板W1與基板W2呈密接。所以，即使對基板W1施加預定的基準壓力以上之壓力，將基板W2朝使基板W1,W2之接合部間密接的方向加壓，但仍不會發生位置偏移。
實施形態1係針對紫外線照射源51配置於基板WT的鉛直上方，將紫外線照射於基板WT的例子進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可例如紫外線照射源係配置於基板WT臨晶片CP側，利用攝像部35a,35b的同軸照明系統，對晶片CP照射紫外線的構成。此處，亦可構成在攝像部35a,35b的同軸照明系統中導入紫外線，或者亦可構成錯開攝像部35a,35b位置配置紫外線照射源。此情況，即便例如基板WT係Si基板、其他的半導體基板等，且晶片CP係由藍寶石形成的情況，仍可對在晶片CP與基板WT間介存的樹脂部CPR1,WTR1照射紫外線。
實施形態2、3係針對將基板W1,W2間予以接合的方法進行說明，惟並不僅侷限於此，亦可例如將晶片利用陽極接合、親水化接合於基板。或者，亦可將複數晶片利用陽極接合、親水化接合於基板。
實施形態3中，接合裝置3亦可將具金屬部的基板W1,W2間進行接合。此情況，接合裝置3係在基板W1的金屬部、與基板W2的金屬部進行接觸狀態下，將基板W2依預定壓力押抵於基板W1之後，亦可不用再對基板W1,W2施行加熱。又，接合裝置3係在將基板W2押抵於基板W1之後，亦可對基板W1,W2施行加熱。此情況，基板W1,W2間將更牢固地接合。
實施形態1、4係針對採用將基板WT保持呈其安裝晶片CP之一面WTf朝鉛直下方姿勢，將晶片CP從鉛直下方安裝於基板WT上之方式的例子進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可採用例如實施形態1、4的接合裝置1、4，將黏合部33配置於平台31的鉛直上方，並將基板WT保持呈其安裝晶片CP之一面WTf朝鉛直上方姿勢，將晶片CP從鉛直上方安裝於基板WT上的方式。實施形態1、4就從抑制在基板WT中安裝晶片CP之一面WTf出現微粒附著的觀點，最好將基板WT依該面WTf朝鉛直下方的姿勢保持，但亦可將基板WT依該面WTf朝鉛直上方的姿勢保持。
實施形態4的接合裝置4係針對藉由在晶片保持部4512的突出部4512c僅抵接於晶片CP的樹脂部CPR1狀態下，保持晶片CP進行搬送，俾使晶片CP中安裝基板WT之一面CPf不會出現微粒的例子進行說明。但，並不僅侷限於此，亦可例如晶片供應部4010中，將由針4111a突舉的晶片CP之周部下端，利用2隻機械臂(未圖示)掬取，並在由2隻機械臂保持狀態下，搬送至接合單元4030的移載位置Pos1。此情況，頭部33H亦可具有可在鉛直方向移動的導柱銷(未圖示)。而，頭部33H係若已保持有晶片CP的2隻機械臂被配置於移載位置Pos1，便使導柱銷上升，再由導柱銷的前端部保持著晶片CP下面中央處，經使機械臂移動至移載位置Pos1以外的位置之後，使導柱銷下降，再由頭部33H的前端部吸附保持。此情況，可在晶片CP中接合基板WT之一面CPf不會接觸到機械臂狀態下，搬送晶片CP。又，當基板WT依該面WTf朝鉛直上方姿勢保持的情況，只要構成晶片搬送部具備有：從晶片供應部4010收取晶片CP並搬送的第1副晶片搬送部；從第1副晶片搬送部收取晶片CP並翻轉的翻轉部；以及從翻轉部依保持著晶片CP之面CPf的背後面狀態收取晶片CP，並搬送於頭部33H的第2副晶片搬送部便可。此情況，亦可在未觸及晶片CP的面CPf狀態下，搬送晶片CP。
本發明係在不脫逸本發明廣義精神與範圍前提下，亦可進行各種實施形態及變化。又，上述實施形態係供說明本發明用，並非限定本發明範圍。即，本發明範圍並非實施形態，而是依申請專利範圍所示。所以，舉凡在申請專利範圍內、以及與其具同等發明意義範圍內所施行的各種變化，均視為本發明範圍內。
本申請案係以2019年12月27日所提出申請的日本專利申請案特願2019-238011號為基礎。本說明書中參照日本專利申請案特願2019-238011號的全體說明書、申請專利範圍及圖式，並援引於本案中。 [產業上之可利用性]
本發明係頗適用於例如CMOS影像感測器、記憶體、運算元件、MEMS的製造。
1,2,3,4:接合裝置 30:黏合裝置 31,2401:平台 33:黏合部 33H,2402:頭部 34:Z方向驅動部 36,2404:頭部驅動部 37:θ方向驅動部 38:線性導軌 41,35a,35b,2501,2502:攝像部 51:紫外線照射源 90,2090,3090,4090:控制部 112:載片保持框 301:固定構件 302:基座構件 311:X方向移動部 312,314,316:開口部 313:Y方向移動部 315:基板載置部 317:溫度調節部 321:X方向驅動部 323:Y方向驅動部 331:Z軸方向移動構件 332:第1圓盤構件 333,2411:壓電致動器 334:第2圓盤構件 334a,334b:孔部 336:反射鏡固定用構件 337,2504,2505:反射鏡 337a,337b:傾斜面 351a,351b,418:影像感測器 352a,352b,419:光學系統 361:轉動構件 363:照相機Z方向驅動部 365:照相機F方向驅動部 411:晶片工具 413:頭部本體部 415,416:中空部 417,2321,2422,2421,2422:溫度調節部 2200:腔 2201:真空泵 2202:排氣管 2203:排氣閥 2403:平台驅動部 2405:XY方向驅動部 2406:升降驅動部 2407:旋轉驅動部 2408,2412:壓力感測器 2413:距離檢測部 2500:測定部 2503:窗部 4010:晶片供應單元 4011:晶片供應部 4030:接合單元 4051:晶片搬送部 4111:拾取機構 4111a:針 4112:載片保持框 4113:保持框驅動部 4119:框保持部 4511:本體部 4512:晶片保持部 4512b:吸附部 4512c:突出部 CP:晶片 CPf:晶片CP中有形成金屬部MCP1之面 CPR1:樹脂部 GAa,GAb:撮影影像 ICP1:絕緣膜 MC1a,MC1b:對準標記 MC2a,MC2b:對準標記 MCP1:金屬部 MK1a,MK1b:對準標記 MK2a,MK2b:對準標記 MW1a,MW1b:對準標記 Pos1:移載位置 TE:載片 TR1:凹部 W1,W2,WT:基板 WTf:基板WT中有形成金屬部之面
圖1係本發明實施形態1的接合裝置之內部概略正視圖； 圖2係實施形態1的接合裝置其中一部分之概略構成圖； 圖3中，(A)係晶片的概略圖；(B)係另一晶片的概略圖； 圖4係實施形態1的晶片之對準標記與頭部的中空部間之位置關係圖； 圖5中，(A)係實施形態1的黏合部其中一部分之概略立體示意圖，(B)係實施形態1的接合裝置就圖2的A-A線之截面切剖圖； 圖6中，(A)係晶片上所設置2個對準標記圖，(B)係基板上所設置2個對準標記圖； 圖7係實施形態1的平台，(A)係平面圖，(B)係側視圖； 圖8中，(A)係對準標記的撮影影像概略圖，(B)係對準標記相互偏移狀態概略圖； 圖9係實施形態1的接合裝置所執行晶片接合處理流程的流程圖； 圖10係實施形態1的接合裝置之動作說明圖，(A)係晶片接合於基板前的狀態圖，(B)係晶片接觸到基板的狀態圖，(C)係晶片脫離基板的樣子圖； 圖11係實施形態1的接合裝置之動作說明圖，(A)係使晶片對基板進行相對性移動的樣子圖，(B)係使晶片接觸到基板的樣子圖，(C)係照射紫外線的樣子圖； 圖12係本發明實施形態2的接合裝置之內部概略正視圖； 圖13中，(A)係實施形態2的平台及頭部附近之概略立體示意圖，(B)係直流電源的動作說明圖； 圖14中，(A)係在所接合2個基板其中一者上所設置的2個對準標記圖，(B)係在所接合2個基板另一者上所設置的2個對準標記圖； 圖15中，(A)係基板對準標記的撮影影像概略圖，(B)係基板對準標記相互偏移狀態的概略圖； 圖16係實施形態2的接合裝置所執行基板接合處理流程的流程圖； 圖17係本發明實施形態3的接合裝置之內部概略正視圖； 圖18係實施形態3的接合裝置所執行基板接合處理流程的流程圖； 圖19係本發明實施形態4的接合裝置之內部概略正視圖； 圖20係實施形態4的晶片保持部圖；以及 圖21係變化例的接合裝置所執行基板接合處理流程的流程圖。
1:接合裝置
31:平台
33:黏合部
34:Z方向驅動部
35a,35b,41:攝像部
36:頭部驅動部
37:θ方向驅動部
38:線性導軌
51:紫外線照射源
315:基板載置部
316:開口部
317:溫度調節部
331:Z軸方向移動構件
332:第1圓盤構件
333:壓電致動器
334:第2圓盤構件
334a,334b:孔部
336:反射鏡固定用構件
337a,337b:傾斜面
352a,352b,419:光學系統
361:轉動構件
363:照相機Z方向驅動部
365:照相機F方向驅動部
411:晶片工具
413:頭部本體部
418:影像感測器
415,416:中空部
CP:晶片
CPf:晶片CP中有形成金屬部MCP1之面
WT:基板
WTf:基板WT中有形成金屬部之面

Claims (18)

  1. 一種接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而，該第2被接合物係具有：接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；以及位在接合於上述第1被接合物且上述第2接合部以外的區域，由紫外線硬化性樹脂形成的樹脂部；包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第2被接合物的上述第2接合部與上述樹脂部，接觸到上述第1被接合物； 固定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於上述規定溫度，且上述第2被接合物的上述樹脂部接觸到上述第1被接合物的狀態下，對上述樹脂部照射紫外線，使上述樹脂部硬化，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物；以及 接合步驟，其係在上述第2被接合物被固定於上述第1被接合物的狀態下，藉由將上述第1被接合物與上述第2被接合物施行加熱，而將上述第2被接合物的上述第2接合部，接合於上述第1被接合物的上述第1接合部。
  2. 如請求項1之接合方法，其中，更進一步包括有： 測定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物的上述第2接合部、及上述樹脂部相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量；以及 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動； 而，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述固定步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
  3. 如請求項1或2之接合方法，其中，上述接合步驟係朝上述第1被接合物的上述第1接合部、與上述第2被接合物的上述第2接合部相密接方向加壓。
  4. 如請求項1或2之接合方法，其中，上述第2被接合物係存在有複數； 藉由重複執行上述固定步驟，將複數上述第2被接合物全部固定於上述第1被接合物之後，再施行上述接合步驟。
  5. 如請求項1或2之接合方法，其中，上述第1被接合物與上述第2被接合物中之任一者係含鹼離子的玻璃，另一者係金屬或半導體； 上述接合步驟中，藉由對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓，而將上述第1被接合物與上述第2被接合物進行陽極接合。
  6. 如請求項1或2之接合方法，其中，上述第1接合部係第1金屬部； 上述第2接合部係第2金屬部； 上述接合步驟中，藉由在上述第1金屬部與上述第2金屬部相接觸狀態下施行加熱，便經由上述第1金屬部與上述第2金屬部，將上述第2被接合物接合於上述第1被接合物。
  7. 如請求項1或2之接合方法，其中，更進一步包括有： 親水化處理步驟，其係將上述第1接合部與上述第2接合部中之至少其中一者施行親水化處理； 而，上述接合步驟中，藉由在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下施行加熱，而將上述第2被接合物接合於上述第1被接合物。
  8. 如請求項1或2之接合方法，其中，更進一步包括有： 被接合物供應步驟，其係供應上述第2被接合物；以及 被接合物搬送步驟，其係在將由上述接合物供應步驟所供應的上述第2被接合物，僅抵接於上述樹脂部的狀態下，利用保持上述第2被接合物的被接合物保持部，保持著上述第2被接合物，在此狀態下，將上述第2被接合物搬送至要接合於上述第1被接合物的位置處。
  9. 一種接合方法，係將由含鹼離子之玻璃所形成的第1被接合物、與由金屬或半導體所形成的第2被接合物，予以接合的接合方法，包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第2被接合物，接觸到上述第1被接合物； 測定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 接合步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持上述規定溫度，且上述第2被接合物接觸到上述第1被接合物的狀態下，藉由對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓，而將上述第2被接合物接合於上述第1被接合物； 而，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述接合步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
  10. 一種接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；包括有： 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第1接合部與上述第2接合部相接觸； 測定步驟，其係在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 固定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持上述規定溫度，且在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，藉由將上述第1接合部與上述第2接合部朝密接方向施加預定基準壓力以上的壓力，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物上； 而，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述固定步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
  11. 如請求項10之接合方法，其中，在上述固定步驟後，更進一步包括有： 接合步驟，其係藉由將上述第1被接合物與上述第2被接合物施行加熱，而將上述第2被接合物接合於上述第1被接合物。
  12. 一種接合方法，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合方法，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；包括有： 親水化處理步驟，其係對上述第1接合部與上述第2接合部中至少其中一者，施行親水化處理； 定位步驟，其係一邊將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度，一邊依縮小上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量之方式，決定上述第2被接合物對上述第1被接合物的相對位置； 接觸步驟，其係在上述定位步驟後，使上述第1接合部與上述第2接合部相接觸； 測定步驟，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量； 修正移動步驟，其係根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動；以及 初步接合步驟，其係在上述第1接合部與上述第2接合部相接觸狀態下，藉由將上述第1被接合物的上述第1接合部、與上述第2被接合物的上述第2接合部朝相密接的方向加壓，而將上述第2被接合物初步接合於上述第1被接合物； 而，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便執行上述初步接合步驟；當上述位置偏移量大於上述位置偏移量臨限值的情況，便再度執行上述測定步驟與上述修正移動步驟。
  13. 一種被接合物，係具備有： 第2接合部，其係接合於另一被接合物的第1接合部；以及 樹脂部，其係位於上述接合於另一被接合物且上述第2接合部以外區域，由紫外線硬化性樹脂形成。
  14. 如請求項13之被接合物，其中，上述樹脂部係埋設於在接合於上述另一被接合物之一側、且上述第2接合部以外的區域所設置的凹部中。
  15. 一種接合裝置，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合裝置，而，該第2被接合物係具有：接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；以及位在接合於上述第1被接合物且上述第2接合部以外的區域，由紫外線硬化性樹脂形成的樹脂部；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 測定部，其係在上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動； 紫外線照射源，其係將紫外線照射於上述第1被接合物與上述第2被接合物；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便控制上述紫外線照射源，藉由對上述樹脂部照射紫外線使上述樹脂部硬化，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。
  16. 如請求項15之接合裝置，其中，更進一步具備有： 被接合物供應部，其係供應上述第2被接合物；以及 被接合物搬送部，其係設有將由上述被接合物供應部所供應的上述第2被接合物，依僅抵接於上述樹脂部的狀態收取，並保持上述第2被接合物的被接合物保持部，而上述被接合物保持部係依在未接觸於上述第2接合部的情況保持著上述第2被接合物狀態下，搬送至將上述第2被接合物移載於上述被接合物保持部的移載位置。
  17. 一種接合裝置，係將由含鹼離子之玻璃所形成的第1被接合物、與由金屬或半導體所形成的第2被接合物，予以接合的接合裝置；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 溫度調節部，其係調節上述第1被接合物的溫度、與上述第2被接合物的溫度； 測定部，其係在利用上述溫度調節部，將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動； 直流電源，其係對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，控制上述直流電源，藉由對上述第1被接合物與上述第2被接合物間施加直流電壓，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。
  18. 一種接合裝置，係將第1被接合物與第2被接合物予以接合的接合裝置，而該第2被接合物係具有接合於上述第1被接合物之第1接合部的第2接合部；具備有： 第1被接合物保持部，其係保持著上述第1被接合物； 第2被接合物保持部，其係保持著上述第2被接合物； 第1保持部驅動部，其係在上述第1被接合物保持部與上述第2被接合物保持部相對向的第1方向上，使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝接近上述第1被接合物保持部的方向、或遠離上述第2被接合物保持部的方向進行相對性移動； 溫度調節部，其係調節上述第1被接合物的溫度、與上述第2被接合物的溫度； 測定部，其係在利用上述溫度調節部，將上述第1被接合物與上述第2被接合物維持於預定的同一規定溫度狀態下，測定上述第2被接合物對上述第1被接合物的位置偏移量； 第2保持部驅動部，其係使上述第2被接合物保持部對上述第1被接合物保持部，朝上述第1方向正交的第2方向進行相對性移動；以及 控制部，其係根據由上述測定部所測定的上述位置偏移量，控制上述第1保持部驅動部與上述第2保持部驅動部，調整上述第1被接合物對上述第2被接合物在上述第2方向的正交方向上之相對位置後，使上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸，然後，在上述第1被接合物與上述第2被接合物相接觸狀態下，利用上述測定部測定上述第1被接合物對上述第2被接合物的位置偏移量，再根據上述位置偏移量，依減少上述位置偏移量的方式，相對性修正上述第2被接合物對上述第1被接合物之移動，當上述位置偏移量係預定的位置偏移量臨限值以下之情況，便藉由將上述第2被接合物依預定的基準壓力以上壓力押抵於上述第1被接合物，而將上述第2被接合物固定於上述第1被接合物。
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