WO2018051793A1 - 高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板 - Google Patents

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glass
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和孝 小野
周平 野村
木寺　信隆
暢彦 竹下
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旭硝子株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a glass substrate for high frequency devices and a circuit substrate for high frequency devices.
  • an insulating substrate such as a resin substrate, a ceramic substrate, or a glass substrate is used as a circuit substrate used in such an electronic device for high frequency applications. Insulating substrates used in high-frequency devices are required to reduce transmission loss based on dielectric loss, conductor loss, and the like in order to ensure characteristics such as quality and strength of high-frequency signals.
  • resin substrates have low rigidity due to their characteristics. For this reason, the resin substrate is difficult to apply when the semiconductor package product requires rigidity (strength).
  • a ceramic substrate has a drawback that it is difficult to increase the smoothness of the surface, and as a result, a conductor loss due to a conductor formed on the substrate surface tends to increase.
  • the glass substrate since the glass substrate has high rigidity, it is easy to reduce the size and thickness of the package, has excellent surface smoothness, and is easy to increase in size as the substrate itself. .
  • the conventional alkali-free glass substrate is effective for reducing the dielectric loss and the transmission loss based on it up to about 20 GHz, but there is a limit to the reduction of the dielectric loss in a region exceeding 30 GHz, for example. Therefore, it is difficult to maintain characteristics such as the quality and strength of a high-frequency signal exceeding 30 GHz in a circuit board using a conventional alkali-free glass substrate.
  • a quartz glass substrate can maintain a low dielectric loss even in a region exceeding 30 GHz, but has a coefficient of thermal expansion that is too small. Has the disadvantage of becoming too large. This is a factor that reduces the practicality of the electronic device.
  • the present invention can reduce the dielectric loss of a high-frequency signal and can reduce the transmission loss of a high-frequency signal using the glass substrate for a high-frequency device that can provide a practical electronic device.
  • An object of the present invention is to provide a possible circuit board for a high-frequency device.
  • the glass substrate for a high-frequency device contains an alkali metal oxide in a range of 0.001 to 5% in a molar percentage based on an oxide, and Na 2 of the alkali metal oxide.
  • the molar ratio represented by O / (Na 2 O + K 2 O) is in the range of 0.01 to 0.99, and the total content of Al 2 O 3 and B 2 O 3 is in the range of 1 to 40%.
  • a glass substrate containing SiO 2 as a main component wherein the glass substrate contains a molar ratio represented by Al 2 O 3 / (Al 2 O 3 + B 2 O 3 ) in a range of 0 to 0.45,
  • the surface roughness of at least one main surface of the glass substrate is 1.5 nm or less as the value of arithmetic average roughness Ra, and the dielectric loss tangent at 35 GHz is 0.007 or less.
  • the glass substrate for a high-frequency device contains an alkali metal oxide in a range of 0.001 to 5% in a molar percentage based on an oxide, and Na 2 of the alkali metal oxide.
  • the molar ratio represented by O / (Na 2 O + K 2 O) is in the range of 0.01 to 0.99, and the total content of alkaline earth metal oxides is in the range of 0.1 to 13%.
  • a circuit board for a high frequency device includes the glass substrate according to the first or second aspect of the present invention, and a wiring layer formed on the main surface of the glass substrate.
  • the transmission loss at 35 GHz is 1 dB / cm or less.
  • the dielectric loss of the high frequency signal can be reduced.
  • transmission loss of high-frequency signals can be reduced, and a practical high-frequency device such as an electronic device can be provided.
  • FIG. 6 is a diagram illustrating a relationship between a signal frequency of a circuit board and transmission loss according to Examples 1 to 6.
  • a numerical range indicated using “to” indicates a range including the numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the content rate of each component in a glass substrate shows the mole percentage (mol%) of an oxide basis.
  • “high frequency” in this specification is 10 GHz or more, preferably greater than 30 GHz, and more preferably 35 GHz or more.
  • FIG. 1 shows a circuit board for a high-frequency device according to an embodiment of the present invention.
  • a circuit board 1 shown in FIG. 1 includes an insulating glass substrate 2, a first wiring layer 3 formed on a first main surface 2a of the glass substrate 2, and a second main surface 2b of the glass substrate 2.
  • the second wiring layer 4 is formed.
  • the first and second wiring layers 3 and 4 form a microstrip line as an example of a transmission line.
  • the first wiring layer 3 constitutes a signal wiring
  • the second wiring layer 4 constitutes a ground line.
  • the structure of the first and second wiring layers 3 and 4 is not limited to this, and the wiring layer may be formed only on one main surface of the glass substrate 2.
  • the first and second wiring layers 3 and 4 are layers formed of a conductor, and the thickness thereof is usually about 0.1 to 50 ⁇ m.
  • the conductors forming the first and second wiring layers 3 and 4 are not particularly limited.
  • metals such as copper, gold, silver, aluminum, titanium, chromium, molybdenum, tungsten, platinum, nickel, and the like An alloy or a metal compound containing at least one of these metals is used.
  • the structure of the 1st and 2nd wiring layers 3 and 4 is not restricted to a single layer structure, For example, you may have multiple layer structure like the laminated structure of a titanium layer and a copper layer.
  • the formation method of the 1st and 2nd wiring layers 3 and 4 is not specifically limited, For example, various well-known formation methods, such as the printing method which used the conductor paste, the dipping method, the plating method, the vapor deposition method, sputtering, etc. Can be applied.
  • the glass substrate 2 is made of the glass substrate for a high frequency device according to the embodiment of the present invention, and has a characteristic that a dielectric loss tangent (tan ⁇ ) at 35 GHz is 0.007 or less.
  • the relative dielectric constant of the glass substrate 2 at 35 GHz is preferably 10 or less.
  • the dielectric loss tangent at 35 GHz of the glass substrate 2 is more preferably 0.005 or less, and further preferably 0.003 or less.
  • the relative dielectric constant of the glass substrate 2 is more preferably 7 or less, further preferably 6 or less, and particularly preferably 5 or less.
  • the surface roughness of the main surfaces 2a and 2b on which the first and second wiring layers 3 and 4 of the glass substrate 2 are formed is 1.5 nm or less as the value of the arithmetic average roughness Ra.
  • the arithmetic average roughness Ra of the main surfaces 2a and 2b on which the first and second wiring layers 3 and 4 of the glass substrate 2 are formed is 1.5 nm or less, the first in a high frequency region exceeding 30 GHz. Even when the skin effect occurs in the second wiring layers 3 and 4, the skin resistance of the first and second wiring layers 3 and 4 can be reduced, thereby reducing the conductor loss.
  • the arithmetic average roughness Ra of the main surfaces 2a and 2b of the glass substrate 2 is more preferably 1.0 nm or less, and further preferably 0.5 nm or less.
  • the main surface of the glass substrate 2 refers to the surface on which the wiring layer is formed.
  • the arithmetic mean roughness Ra of one main surface should satisfy 1.5 nm or less.
  • surface roughness Ra in this specification means the value obtained based on JISB0601 (2001).
  • the surface roughness of the main surfaces 2a and 2b of the glass substrate 2 can be realized by subjecting the surface of the glass substrate 2 to a polishing treatment or the like as necessary.
  • a polishing treatment of the surface of the glass substrate 2 for example, polishing using a polishing agent mainly composed of cerium oxide, colloidal silica, etc., and polishing using a polishing pad, polishing using an abrasive, acidic liquid or alkaline liquid as a dispersion medium
  • Chemical mechanical polishing using a slurry and a polishing pad, chemical polishing using an acidic solution or an alkaline solution as an etching solution, or the like can be applied.
  • polishing processes are applied according to the surface roughness of the glass plate used as the raw material of the glass substrate 2, For example, you may apply combining preliminary polishing and finish polishing.
  • the end surface of the glass substrate 2 is chamfered in order to prevent the glass substrate 2 from being cracked, cracked or chipped due to the end surface during the process flow.
  • the form of chamfering may be any of C chamfering, R chamfering, thread chamfering, and the like.
  • the glass substrate 2 and the circuit board suitable for the high frequency device that handles such a high frequency signal. 1 can be provided. That is, the characteristics and quality of a high-frequency device that handles such a high-frequency signal can be improved.
  • the transmission loss at 35 GHz of the circuit board 1 is more preferably 0.5 dB / cm or less.
  • the glass substrate 2 having dielectric characteristics such as the dielectric loss tangent as described above is a glass substrate having SiO 2 as a main component and a network forming material.
  • the glass substrate 2 is formed by melting and curing the raw material composition.
  • the manufacturing method of the glass substrate 2 is not particularly limited, a method in which a general molten glass is formed into a predetermined plate thickness by a float method, and is cut into a desired shape after slow cooling is applied. can do.
  • the glass in the present specification refers to a solid that is amorphous by its definition and exhibits a glass transition. It does not include crystallized glass, which is a mixture of glass and crystal, or a glass sintered body containing a crystalline filler. In addition, whether it consists only of an amorphous
  • SiO 2 as a main component in the present specification means that the content of SiO 2 is maximum in the ratio of components in mol% based on oxide.
  • the glass substrate 2 contains alkali metal oxides in a total content of 0.001 to 5%, and among the alkali metal oxides, Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) The represented molar ratio is in the range of 0.01 to 0.99.
  • the glass substrate 2 contains Al 2 O 3 and B 2 O 3 in a range of 1 to 40% as a total content, and Al 2 O 3 / (Al 2 O 3 + B 2 O 3 ) Is in the range of 0 to 0.45.
  • the glass substrate 2 contains an alkaline earth metal oxide in a range of 0.1 to 13% as a total content.
  • the low dielectric loss property of the glass substrate 2 can be improved by setting the content of the alkali metal oxide of the glass substrate 2 containing SiO 2 as a main component to 5% or less. Moreover, by making the content of the alkali metal oxide 0.001% or more, there is no need for excessive raw material purification, and practical glass melting properties and productivity of the glass substrate 2 can be obtained.
  • the thermal expansion coefficient of the glass substrate 2 can be adjusted.
  • the alkali metal oxide contained in the glass substrate 2 include Li 2 O, Na 2 O, K 2 O, Rb 2 O, and Cs 2 O, but Na 2 O and K 2 O are particularly important.
  • the total content of Na 2 O and K 2 O is preferably in the range of 0.001 to 5%.
  • the content of the alkali metal oxide is preferably 3% or less, more preferably 1% or less, further preferably 0.2% or less, further preferably 0.1% or less, and particularly preferably 0.05% or less.
  • the content of the alkali metal oxide is more preferably 0.002% or more, further preferably 0.003% or more, and particularly preferably 0.005% or more.
  • the molar ratio represented by Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) is 0.01 to Since the movement of an alkali component is suppressed by setting it as the range of 0.99, the low dielectric loss property of the glass substrate 2 can be improved.
  • the molar ratio represented by Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) is more preferably 0.98 or less, further preferably 0.95 or less, and particularly preferably 0.9 or less.
  • the molar ratio represented by Na 2 O / (Na 2 O + K 2 O) is more preferably 0.02 or more, further preferably 0.05 or more, and particularly preferably 0.1 or more.
  • the amount and ratio of Al 2 O 3 and B 2 O 3 in condition (2) and the alkaline earth metal oxidation in condition (3) By satisfying the amount of the object or the conditions (2) and (3), the dielectric loss tangent of the glass substrate 2 at 35 GHz can be made 0.007 or less.
  • Al 2 O 3 is not essential, but it is a component that exhibits effects in improving weather resistance, suppressing phase separation of glass, lowering the thermal expansion coefficient, and the like. % Range is preferred.
  • B 2 O 3 is a component that exhibits an effect of improving the melting reactivity of the glass and lowering the devitrification temperature, and its content is preferably in the range of 9 to 30%.
  • the low dielectric loss property of the glass substrate 2 can be enhanced.
  • the molar ratio represented by Al 2 O 3 / (Al 2 O 3 + B 2 O 3 ) may be zero.
  • the molar ratio represented by Al 2 O 3 / (Al 2 O 3 + B 2 O 3 ) is more preferably 0.4 or less, and further preferably 0.3 or less.
  • the molar ratio represented by Al 2 O 3 / (Al 2 O 3 + B 2 O 3 ) is preferably 0.01 or more, and more preferably 0.05 or more.
  • the solubility of the glass and the like can be improved.
  • the total content of Al 2 O 3 and B 2 O 3 is more preferably 3% or more, further preferably 5% or more, and particularly preferably 7% or more.
  • the glass substrate is maintained while maintaining the solubility of the glass and the like. 2 can be improved.
  • the total content of Al 2 O 3 and B 2 O 3 is more preferably 37% or less, further preferably 35% or less, and particularly preferably 33% or less.
  • Al 2 O is less than 15% content of 3, it is possible to improve the solubility of the glass.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 14% or less.
  • the content of Al 2 O 3 is more preferably 0.5% or more.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 28% or less, further preferably 26% or less, particularly preferably 24% or less, and most preferably 23% or less. Further, the content of B 2 O 3 is equal to 9% or more, it is possible to improve the solubility.
  • the content of B 2 O 3 is more preferably 13% or more, and further preferably 16% or more.
  • examples of the alkaline earth metal oxide include MgO, CaO, SrO, and BaO, and these all function as components that increase the dissolution reactivity of glass.
  • the total content of such alkaline earth metal oxides is 13% or less, the low dielectric loss property of the glass substrate 2 can be enhanced.
  • the total content of alkaline earth metal oxides is more preferably 11% or less, further preferably 10% or less, particularly preferably 8% or less, and most preferably 6% or less.
  • the solubility of the glass can be kept good.
  • the total content of the alkaline earth metal oxide is more preferably 3% or more, and further preferably 5% or more.
  • MgO is not an essential component, but it is a component that increases the Young's modulus without increasing the specific gravity. That is, MgO is a component that can increase the specific elastic modulus, thereby reducing the problem of deflection and improving the fracture toughness value and increasing the glass strength. MgO is a component that improves solubility. MgO is not an essential component, but the content of MgO is preferably 0.1% or more, more preferably 1% or more, and further preferably 3% or more. If the content of MgO is 0.1% or more, the effect of containing MgO can be sufficiently obtained, and the thermal expansion coefficient can be prevented from becoming too low. The MgO content is preferably 13% or less, more preferably 11% or less, and even more preferably 9% or less. If content of MgO is 13% or less, a raise of devitrification temperature can be suppressed.
  • CaO is a component that increases the specific elastic modulus next to MgO in alkaline earth metals and does not excessively lower the strain point, and is a component that improves solubility as well as MgO. Furthermore, it is a component having a feature that it is difficult to increase the devitrification temperature as compared with MgO.
  • the content of CaO is preferably 0.1% or more, more preferably 1% or more, and further preferably 3% or more. If CaO is 0.1% or more, the effect of containing CaO can be sufficiently obtained.
  • the CaO content is preferably 13% or less, more preferably 10% or less, and even more preferably 8% or less. If the content of CaO is 13% or less, the average coefficient of thermal expansion does not become too high, and an increase in the devitrification temperature can be suppressed to prevent devitrification during the production of the glass.
  • SrO is a component that improves the solubility without increasing the devitrification temperature of the glass.
  • the content of SrO is preferably 0.1% or more, more preferably 0.5% or more, further preferably 1.0% or more, further preferably 1.5% or more, and 2% The above is particularly preferable. If the SrO content is 0.1% or more, the effect of containing SrO can be sufficiently obtained.
  • the SrO content is preferably 13% or less, more preferably 10% or less, further preferably 7% or less, and particularly preferably 5% or less. If the content of SrO is 13% or less, it is possible to suppress the average thermal expansion coefficient from becoming too high without increasing the specific gravity too much.
  • BaO is not an essential component, but is a component that improves the solubility without increasing the devitrification temperature of the glass.
  • the content of BaO is preferably 10% or less, more preferably 8% or less, more preferably 5% or less, still more preferably 3% or less, and particularly preferably not contained.
  • substantially does not contain means that it is not contained other than unavoidable impurities mixed from raw materials or the like, that is, it is not intentionally contained.
  • not containing BaO substantially means, for example, 0.3% or less.
  • the dielectric loss tangent at 35 GHz of the glass substrate 2 can be made 0.007 or less.
  • the dielectric loss can be reduced.
  • the content of SiO 2 as a network forming substance as a main component is preferably in the range of 40 to 75%.
  • the content of SiO 2 is more preferably 45% or more, further preferably 50% or more, and particularly preferably 55% or more. Further, the content of SiO 2 is equal to or less than 75%, it is possible to improve the solubility of the glass.
  • the content of SiO 2 is more preferably 74% or less, further preferably 73% or less, and particularly preferably 72% or less.
  • the glass substrate 2 contains Fe 2 O 3 , TiO 2 , ZrO 2 , ZnO, Ta 2 O 5 , WO 3 , Y 2 O 3 , La 2 O 3 and the like as optional components in addition to the above-described components. Also good. Fe 2 O 3 is a component that controls the light absorption performance of the glass substrate 2, for example, infrared absorption performance and ultraviolet absorption performance. If necessary, the Fe content in terms of Fe 2 O 3 is 0.012% or less. Can be contained. If the content of Fe described above is 0.012% or less, the low dielectric loss property and ultraviolet transmittance of the glass substrate 2 can be maintained.
  • the Fe content is more preferably 0.01% or less, and further preferably 0.005% or less.
  • an ultraviolet curable material can be used in a lamination process or the like in the manufacturing process of the high-frequency device, and the manufacturability of the high-frequency device can be improved.
  • the glass substrate 2 by including optionally 0.05% or more the content of Fe in terms of Fe 2 O 3, it is possible to increase the ultraviolet shielding ability.
  • the Fe content is more preferably 0.07% or more, and further preferably 0.1% or more.
  • the ⁇ -OH value of the glass substrate 2 is preferably in the range of 0.05 to 0.6 mm ⁇ 1 .
  • the ⁇ -OH value is a value used as an index of the water content of glass.
  • the absorbance of a glass sample with respect to light having a wavelength of 2.75 to 2.95 ⁇ m is measured, and the maximum value ⁇ max is taken as the sample thickness (mm). The value obtained by dividing by.
  • Beta-OH value of the glass substrate 2 is more preferably 0.5 mm -1 or less, more preferably 0.4 mm -1 or less.
  • Beta-OH value of the glass substrate 2 is more preferably equal to or greater than 0.1 mm -1, further preferably 0.2 mm -1 or higher.
  • the glass substrate 2 has a thermal expansion coefficient suitable for an electronic device according to the content of alkali metal oxide or alkaline earth metal oxide. Specifically, the average thermal expansion coefficient at 50 to 350 ° C. is in the range of 3 to 15 ppm / ° C. According to the glass substrate 2 having such a thermal expansion coefficient, when a semiconductor package or the like is configured as a high-frequency device, the difference in thermal expansion coefficient with other members can be adjusted more appropriately. For example, when configuring a 2.5D or 3D (three-dimensional) mounting type glass through wiring substrate (TGV substrate) for high frequency applications, the difference in thermal expansion coefficient with other members such as a semiconductor chip is adjusted more appropriately. Can do.
  • TSV substrate three-dimensional
  • the glass substrate 2 preferably has a Young's modulus of 40 GPa or more. According to the glass substrate 2 having such a Young's modulus, the amount of bending when the glass substrate 2 is flowed during the manufacturing process (wafer process) of the high-frequency device can be suppressed to, for example, 1 mm or less. Etc. can be suppressed.
  • the Young's modulus of the glass substrate 2 is more preferably 50 GPa or more, and further preferably 55 GPa or more.
  • the porosity of the glass substrate 2 is 0.1% or less. As a result, it is possible to suppress the occurrence of noise when a high-frequency device is manufactured.
  • the porosity of the glass substrate 2 is more preferably 0.01% or less, and further preferably 0.001% or less.
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 350 nm is preferably 50% or more.
  • the ultraviolet curable material can be used in the lamination process in the manufacturing process of the high frequency device, and the manufacturability of the high frequency device can be improved.
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 350 nm is 70% or more in order to shorten the irradiation time of the ultraviolet curable material to the ultraviolet curable material in the manufacturing process of the device and reduce the curing unevenness of the ultraviolet curable material in the thickness direction. It is more preferable that
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 300 nm is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and even more preferably 70% or more. Further, the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 250 nm is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and further preferably 20% or more.
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 350 nm is preferably 80% or less. Thereby, when using resin which deteriorates with an ultraviolet-ray as a member, the glass substrate 2 can be provided with the function as a protective material by giving an ultraviolet shielding ability.
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 350 nm is more preferably 60% or less, still more preferably 30% or less, and most preferably 10% or less.
  • the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 300 nm is preferably 80% or less, more preferably 60% or less, still more preferably 30% or less, and most preferably 10% or less. Further, the transmittance of the glass substrate 2 at a wavelength of 250 m is preferably 60% or less, more preferably 30% or less, further preferably 10% or less, and most preferably 5% or less.
  • the shape of the glass substrate 2 is not particularly limited, but the thickness is preferably in the range of 0.05 to 1 mm, and the area of one main surface of the glass substrate 2 is 225 to 10000 cm 2 . It is preferable. When the thickness of the glass substrate 2 is 1 mm or less, it is possible to reduce the thickness and size of the high-frequency device and improve the production efficiency. Further, the ultraviolet transmittance can be increased, and the productivity can be enhanced by using an ultraviolet curable material in the device manufacturing process.
  • the thickness of the glass substrate 2 is more preferably 0.5 mm or less. Moreover, if the thickness of the glass substrate 2 is 0.05 mm or more, the intensity
  • the thickness of the glass substrate 2 is more preferably 0.1 mm or more, and more preferably more than 0.2 mm. Furthermore, according to the glass substrate 2 of the embodiment, it is possible to provide a substrate size having the above-described thickness and an area of 10,000 cm 2 , and can cope with an increase in panel size and the like. The area of the glass substrate 2 is more preferably 3600 cm 2 or less.
  • the devitrification temperature of the glass substrate 2 is preferably 1400 ° C. or lower.
  • the devitrification temperature is more preferably 1350 ° C. or less, further preferably 1330 ° C. or less, and particularly preferably 1300 ° C. or less.
  • Glass devitrification temperature refers to the glass surface obtained by putting crushed glass particles in a platinum dish and heat-treating them in an electric furnace controlled at a constant temperature for 17 hours. And the average value of the maximum temperature at which crystals precipitate and the minimum temperature at which crystals do not precipitate.
  • a melting step for obtaining a molten glass by heating a glass raw material, a clarification step for removing bubbles from the molten glass, a forming step for obtaining a glass ribbon by forming the molten glass into a plate shape, and a glass ribbon A slow cooling step of slow cooling to room temperature is performed.
  • a method may be used in which molten glass is formed into a block shape, slowly cooled, and then cut and polished to produce a glass substrate.
  • raw materials are prepared so as to have a target glass substrate composition, and the raw materials are continuously charged into a melting furnace, preferably heated to about 1450 ° C. to 1750 ° C. to obtain molten glass.
  • halides such as oxides, carbonates, nitrates, hydroxides and chlorides can be used.
  • strontium nitrate As the nitrate, strontium nitrate, barium nitrate, magnesium nitrate, calcium nitrate and the like can be used. More preferably, strontium nitrate is used. From raw materials with a large particle size of several hundreds of microns that do not cause undissolved raw material particle size, to raw materials with a small particle size of about several microns that do not scatter and do not agglomerate as secondary particles. Can be used. The use of granules is also possible. In order to prevent scattering of the raw material, the water content of the raw material can be appropriately adjusted. The dissolution conditions such as ⁇ -OH and Fe oxidation / reduction degree (redox [Fe 2+ / (Fe 2+ + Fe 3+ )]) can be appropriately adjusted and used.
  • redox [Fe 2+ / (Fe 2+ + Fe 3+ )] can be appropriately adjusted and used.
  • the next clarification step is a step of removing bubbles from the molten glass obtained in the melting step.
  • a defoaming method using reduced pressure may be applied, or defoaming may be performed by setting the temperature higher than the melting temperature of the raw material.
  • SO 3 and SnO 2 as a fining agent.
  • SO 3 source a sulfate of at least one element selected from Al, Na, K, Mg, Ca, Sr, and Ba is preferable, and a sulfate of an alkaline earth metal is more preferable.
  • CaSO 4 .2H 2 O, SrSO 4 , and BaSO 4 are particularly preferable because the effect of enlarging bubbles is remarkable.
  • halogen such as Cl or F is preferably used.
  • Cl source a chloride of at least one element selected from Al, Mg, Ca, Sr, and Ba is preferable, and a chloride of an alkaline earth metal is more preferable.
  • SrCl 2 .6H 2 O, and BaCl 2 ⁇ 2H 2 O is, for remarkably acts to increase the foam, and a small deliquescent, particularly preferred.
  • the F source is preferably a fluoride of at least one element selected from Al, Na, K, Mg, Ca, Sr, and Ba, more preferably an alkaline earth metal fluoride.
  • CaF 2 is glass. The effect of increasing the solubility of the raw material is remarkable and more preferable.
  • Tin compounds typified by SnO 2 generate O 2 gas in the glass melt.
  • SnO 2 is reduced from SnO 2 to SnO at a temperature of 1450 ° C. or more, and O 2 gas is generated and has a function of greatly growing bubbles.
  • the glass raw material is heated to about 1450 to 1750 ° C. and melted, so that bubbles in the glass melt are more effectively increased.
  • the tin compound in the raw material is prepared so as to be contained at 0.01% or more in terms of SnO 2 with respect to 100% of the total amount of the mother composition.
  • the SnO 2 content is 0.01% or more, a clarification action when the glass raw material is melted is obtained, preferably 0.05% or more, and more preferably 0.10% or more. If the SnO 2 content is 0.3% or less, the coloration and devitrification of the glass can be suppressed.
  • the content of the tin compound in the alkali-free glass is more preferably 0.25% or less, more preferably 0.2% or less, and more preferably 0.15% or less in terms of SnO 2 with respect to 100% of the total amount of the mother composition. Particularly preferred.
  • the next forming step is a step of obtaining a glass ribbon by forming the molten glass from which bubbles have been removed in the clarification step into a plate shape.
  • the forming process includes a float method in which molten glass is poured onto a molten metal such as tin to obtain a glass ribbon, an overflow down-draw method (fusion method) in which the molten glass flows downward from a bowl-shaped member, and a slit.
  • fusion method overflow down-draw method
  • the slow cooling step is a step of cooling the glass ribbon obtained in the molding step under cooling conditions controlled to a room temperature state.
  • the glass ribbon is cooled so that the average cooling rate until the viscosity reaches the temperature at which the viscosity reaches the strain point becomes R, and further slowly cooled to a room temperature state under predetermined conditions.
  • a glass substrate is obtained after cutting the slowly cooled glass ribbon.
  • the equivalent cooling rate which is a parameter reflecting the fictive temperature, becomes too high, and as a result, low dielectric loss characteristics cannot be obtained. Therefore, it is preferable to set R so that the equivalent cooling rate is 800 ° C./min or less.
  • the equivalent cooling rate is more preferably 400 ° C./min or less, further preferably 100 ° C./min or less, and particularly preferably 50 ° C./min or less.
  • the cooling rate is too low, there is a problem that the time required for the process becomes too long and the productivity is lowered. Therefore, it is preferably set to be 0.1 ° C./min, more preferably 0.5 ° C./min or more, and further preferably 1 ° C./min or more.
  • the definition of the equivalent cooling rate and the evaluation method are as follows.
  • a glass having a target composition to be processed into a cuboid of 10 mm ⁇ 10 mm ⁇ 0.3 to 2.0 mm is held at a strain point of + 170 ° C. for 5 minutes using an infrared heating electric furnace. 25 ° C).
  • a plurality of glass samples with a cooling rate of 1 ° C./min to 1000 ° C./min are produced.
  • n d the refractive index of the plurality of glass samples of the d-line (wavelength 587.6 nm).
  • a V block method or a minimum deflection angle method may be used for the measurement.
  • the resulting n d by plotting the logarithm of the cooling speed to obtain a calibration curve of the n d with respect to the cooling rate.
  • a corresponding cooling rate (referred to as an equivalent cooling rate in the present embodiment) corresponding to the obtained nd is obtained from the calibration curve.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the present invention includes modifications and improvements as long as the object of the present invention can be achieved.
  • the crucible made from platinum or the alloy which has platinum as a main component is a melting tank. Or you may use for a clarification tank.
  • the raw material is prepared so as to have the composition of the obtained glass substrate, and the platinum crucible containing the raw material is heated in an electric furnace, preferably heated to about 1450 ° C. to 1700 ° C. To do. A platinum stirrer is inserted and stirred for 1 to 3 hours to obtain molten glass.
  • the molten glass is poured out onto a carbon plate or a mold, for example, to form a plate or block.
  • the slow cooling process is typically held at a temperature of about Tg + 50 ° C., then cooled to about 1 to 10 ° C./min to near the strain point, and then to a room temperature state at a cooling rate at which no strain remains. Cooling.
  • a glass substrate is obtained. Further, the glass substrate obtained by cutting may be gradually cooled to a room temperature state at a predetermined cooling rate after being heated to, for example, about Tg + 50 ° C. By doing in this way, the equivalent cooling temperature of glass can be adjusted.
  • the circuit board 1 using the glass substrate 2 of the above-described embodiment is suitable for a high-frequency device that handles a high-frequency signal, particularly a high-frequency signal exceeding 30 GHz, and further a high-frequency signal exceeding 35 GHz, and transmission loss of such a high-frequency signal.
  • the characteristics such as the quality and strength of the high frequency signal can be improved.
  • the glass substrate 2 and the circuit board 1 include, for example, a high-frequency device (electronic device) such as a semiconductor device used in communication equipment such as a mobile phone, a smartphone, a portable information terminal, and a Wi-Fi device, and a surface acoustic wave ( It is suitable for a SAW device, a radar component such as a radar transceiver, an antenna component such as a liquid crystal antenna, and the like.
  • a high-frequency device electronic device
  • a semiconductor device used in communication equipment such as a mobile phone, a smartphone, a portable information terminal, and a Wi-Fi device
  • a surface acoustic wave It is suitable for a SAW device, a radar component such as a radar transceiver, an antenna component such as a liquid crystal antenna, and the like.
  • Examples 1 to 3 and 7 to 25 are examples, and examples 4 to 6 are comparative examples.
  • a glass substrate having the composition shown in Tables 1 to 4, having a thickness of 0.125 mm, a shape of 50 ⁇ 50 mm, and an arithmetic average roughness Ra of the main surface of 1.0 nm was prepared.
  • the glass substrate was produced by a melting method using a platinum crucible.
  • Raw materials such as silica sand were mixed so as to be 1 kg as glass, and a batch was prepared.
  • To 100% raw material of the target composition in mass percentage based on oxides, from 0.1% to 1% sulfate converted to SO 3, 0.16% of F, was added Cl 1%.
  • the raw material was put in a platinum crucible and melted by heating at a temperature of 1650 ° C. for 3 hours in an electric furnace to obtain molten glass.
  • a platinum stirrer was inserted into a platinum crucible and stirred for 1 hour to homogenize the glass.
  • the plate glass is placed in an electric furnace having a temperature of about Tg + 50 ° C., held for 1 hour, and then Tg-100 ° C. at a cooling rate of 1 ° C./min.
  • the electric furnace was cooled down to room temperature and then allowed to cool until the glass reached room temperature. Thereafter, the glass was formed into a plate shape by cutting and polishing.
  • a 0.125 mm thick copper wiring layer is formed as a signal wiring on the first main surface of the glass substrate, and a solid film thickness 0 is formed as a ground line on the second main surface.
  • a 125 mm copper layer was formed. The circuit board thus produced was subjected to characteristic evaluation described later.
  • a soda lime glass substrate manufactured by the float process having the composition shown in Table 1 and having a thickness of 0.125 mm, a shape of 50 ⁇ 50 mm, and an arithmetic average roughness Ra of the main surface of 1.0 nm was prepared. .
  • the characteristics of the glass substrate of Example 4 are shown in Table 5 and Table 9 as in Example 1.
  • a copper wiring layer having a thickness of 0.125 mm and a copper layer having a thickness of 0.125 mm were formed on both main surfaces of such a glass substrate and subjected to the characteristic evaluation described later.
  • a non-alkali glass substrate having a composition shown in Table 1 and having a thickness of 0.125 mm, a shape of 50 ⁇ 50 mm, and an arithmetic average roughness Ra of the main surface of 1.0 nm and manufactured by a float process was prepared. .
  • the characteristics of the glass substrate of Example 5 are shown in Table 5 and Table 9 as in Example 1.
  • a copper wiring layer having a thickness of 0.125 mm and a copper layer having a thickness of 0.125 mm were formed on both main surfaces of such a glass substrate and subjected to the characteristic evaluation described later.
  • a quartz glass substrate having a composition shown in Table 1 and having a thickness of 0.125 mm, a shape of 50 ⁇ 50 mm, and an arithmetic average roughness Ra of the main surface of 1.0 nm is prepared by a vapor phase synthesis method. did.
  • (0.0) indicates that the component content is less than 0.05%.
  • the characteristics of the glass substrate of Example 6 are shown in Table 5 and Table 9 as in Example 1.
  • a copper wiring layer having a thickness of 0.125 mm and a copper layer having a thickness of 0.125 mm were formed on both main surfaces of such a glass substrate and subjected to the characteristic evaluation described later.
  • the measuring method of each physical property is shown below.
  • (Relative permittivity, dielectric loss tangent) Measurement was performed using a cavity resonator and a vector network analyzer according to a method defined in JIS R1641 (2007).
  • the measurement frequency is 35 GHz which is the resonance frequency of the cavity resonator air.
  • (Average thermal expansion coefficient) It measured using the differential thermal dilatometer according to the method prescribed
  • the measurement temperature range was 50 to 350 ° C., and the unit was expressed as ppm / ° C. (Young's modulus) According to the method defined in JIS Z 2280, glass having a thickness of 0.5 to 10 mm was measured by an ultrasonic pulse method.
  • the unit was expressed as GPa.
  • Transmittance Using a visible ultraviolet spectrophotometer, the transmittance of mirror-polished glass having a predetermined thickness was measured. The transmittance was expressed as external transmittance including loss due to reflection.
  • Porosity The bubbles contained in the glass substrate were observed with an optical microscope, the number and diameter of the bubbles were obtained, and the volume of the bubbles contained per unit volume was calculated.
  • ⁇ -OH It calculated
  • Ra According to the method defined in JIS B0601 (2001), the average roughness of the glass surface in the 10 ⁇ m square region was measured by AFM.
  • the density of about 20 g of glass lump containing no foam was measured by the Archimedes method. (Devitrification temperature) Put the crushed glass particles in a platinum dish, heat-treat for 17 hours in an electric furnace controlled at a constant temperature, and observe the optical microscope of the sample after the heat treatment, the maximum temperature and crystals that precipitate in the glass The average value with the lowest temperature at which no precipitation occurs.
  • Example of transmission loss calculation In order to confirm the influence of the transmission loss of the high-frequency signal due to the dielectric characteristics of the glass substrate materials of Examples 1 to 6, the transmission loss of the transmission line was calculated using a simplified model. As an analysis method, a commercially available moment method simulator Sonnet Lite (R) (manufactured by Sonnet Software Inc.) was used. The transmission line was a microstrip line (MSL). The analysis model is as follows. The copper wiring layer formed on one main surface of the glass substrate is defined to have a width (shown in Tables 9 to 12) where the characteristic impedance of the line is 50 ⁇ , and the S parameter (scattering parameter S21) at 1 GHz to 110 GHz is set. Calculated. The surface roughness of the copper layer was set to be sufficiently smooth that the skin effect would not be a problem. FIG. 2 shows the calculated S21 (transmission characteristics). The values of signal transmission loss at 35 GHz and 110 GHz are shown in Tables 9-12.
  • the conventional soda-lime glass substrate of Example 4 and the conventional alkali-free glass of Example 5 Compared with a circuit board using a substrate, transmission characteristics in a high frequency region can be improved, and low transmission loss characteristics in a high frequency region close to a circuit board using the conventional quartz glass substrate of Example 6 can be obtained. it can. Since the quartz glass substrate of Example 6 has a small coefficient of thermal expansion of 0.7 ppm / ° C., when it is used to construct an electronic device, the difference in coefficient of thermal expansion from other members becomes large, and a practical electronic device. Can not provide. As shown in Example 5, the conventional alkali-free glass substrate contains about 0.05 to 0.1% of an alkali component even if it is said to be alkali-free.
  • the transmittance values of wavelengths 250, 300, and 350 nm at a thickness of 0.5 mm and 1.0 mm when the content of Fe 2 O 3 was changed were measured for the glass of Example 21. .
  • Table 13 shows the measurement results.
  • the transmittance was measured with a visible ultraviolet spectrophotometer. From this, it is understood that the ultraviolet transmittance of the glass can be adjusted to a desired value by adjusting the thickness of the glass and the content of Fe 2 O 3 .
  • the glass substrate for high-frequency devices of the present invention is excellent in the dielectric loss property of high-frequency signals. Further, a circuit board using such a glass substrate is excellent in high-frequency signal transmission loss.
  • Such glass substrates and circuit boards are generally used for high-frequency electronic devices that handle high-frequency signals exceeding 10 GHz, particularly high-frequency signals exceeding 30 GHz, and further high-frequency signals exceeding 35 GHz, such as glass substrates for communication equipment, SAW devices, and FBARs. This is useful for frequency filter parts such as bandpass filters such as waveguides, SIW (Substrate Integrated Waveguide) parts, radar parts, antenna parts (particularly liquid crystal antennas that are optimal for satellite communications), and the like.
  • SIW Substrate Integrated Waveguide

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Abstract

ガラス基板２は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を０．００１～５％の範囲で含有すると共に、アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲であり、かつＡｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１～４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０～０．４５の範囲であり、ＳｉＯ２を主成分とする。ガラス基板２の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である。

Description

高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板
　本発明は、高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板に関する。
　携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末、Ｗｉ－Ｆｉ機器のような通信機器、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス、レーダ部品、アンテナ部品等の電子デバイスにおいては、通信容量の大容量化や通信速度の高速化等を図るために、信号周波数の高周波化が進められている。このような高周波用途の電子機器に用いられる回路基板には、一般的に樹脂基板、セラミックス基板、ガラス基板等の絶縁基板が使用されている。高周波デバイスに用いられる絶縁基板には、高周波信号の質や強度等の特性を確保するために、誘電損失や導体損失等に基づく伝送損失を低減することが求められている。
　これらの絶縁基板のうち、樹脂基板はその特性から剛性が低い。そのため、半導体パッケージ製品に剛性（強度）が必要な場合には、樹脂基板は適用しにくい。セラミックス基板は表面の平滑性を高めることが難しく、これにより基板表面に形成される導体に起因する導体損失が大きくなりやすいという難点を有している。一方、ガラス基板は剛性が高いため、パッケージの小型化や薄型化等を図りやすく、表面平滑性にも優れ、また基板自体として大型化することが容易であるというような特徴を有している。
特開２０１３－０７７７６９号公報 特開２００４－２４４２７１号公報
　しかしながら、従来の無アルカリガラス基板は２０ＧＨｚ程度までは誘電損失およびそれに基づく伝送損失の低減に効果を示すものの、それ以上、例えば３０ＧＨｚを超えるような領域では誘電損失の低減に限界がある。そのため、従来の無アルカリガラス基板を用いた回路基板では、３０ＧＨｚを超えるような高周波信号の質や強度等の特性を維持することが困難になる。一方、石英ガラス基板は３０ＧＨｚを超えるような領域においても低誘電損失を維持することができる反面、熱膨張係数が小さすぎることから、電子デバイスを構成する際に他の部材との熱膨張係数差が大きくなりすぎるという欠点がある。これは、電子デバイスの実用性を低下させる要因となる。
　本発明は、高周波信号の誘電損失を低減することができ、かつ実用的な電子デバイスを提供することが可能な高周波デバイス用ガラス基板、およびそれを用いた高周波信号の伝送損失を低減することが可能な高周波デバイス用回路基板を提供することを目的とする。
　本発明の第１の形態による高周波デバイス用ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を０．００１～５％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲であり、かつＡｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１～４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０～０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である。
　本発明の第２の形態による高周波デバイス用ガラス基板は、酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を０．００１～５％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１～１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である。
　本発明の第３の形態による高周波デバイス用回路基板は、本発明の第１の形態または第２の形態によるガラス基板と、前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である。
　本発明の高周波デバイス用ガラス基板によれば、高周波信号の誘電損失を低減することができる。そのようなガラス基板を用いた回路基板によれば、高周波信号の伝送損失を低減することができ、実用的な電子デバイス等の高周波デバイスを提供することができる。
実施形態の回路基板の構成を示す断面図である。 例１～６による回路基板の信号周波数と伝送損失との関係を示す図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明において、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値および最大値として含む範囲を示す。ガラス基板における各成分の含有率は、特に断らない限り、酸化物基準のモル百分率（モル％）を示す。なお、本明細書における「高周波」とは、１０ＧＨｚ以上、好ましくは３０ＧＨｚより大きく、より好ましくは３５ＧＨｚ以上とする。
　図１は、本発明の実施形態の高周波デバイス用回路基板を示している。図１に示す回路基板１は、絶縁性を有するガラス基板２と、ガラス基板２の第１の主表面２ａに形成された第１の配線層３と、ガラス基板２の第２の主表面２ｂに形成された第２の配線層４とを備えている。第１および第２の配線層３、４は、伝送線路の一例としてマイクロストリップ線路を形成している。第１の配線層３は信号配線を構成し、第２の配線層４はグランド線を構成している。ただし、第１および第２の配線層３、４の構造はこれに限られるものではなく、また配線層はガラス基板２の一方の主表面のみに形成されていてもよい。
　第１および第２の配線層３、４は、導体で形成された層であり、その厚さは通常０．１～５０μｍ程度である。第１および第２の配線層３、４を形成する導体は、特に限定されるものではなく、例えば銅、金、銀、アルミニウム、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、白金、ニッケル等の金属、それらの金属を少なくとも１つ含む合金や金属化合物等が用いられる。第１および第２の配線層３、４の構造は、一層構造に限らず、例えばチタン層と銅層との積層構造のような複数層構造を有していてもよい。第１および第２の配線層３、４の形成方法は、特に限定されるものではなく、例えば導体ペーストを用いた印刷法、ディップ法、メッキ法、蒸着法、スパッタ等の各種公知の形成方法を適用することができる。
　ガラス基板２は、本発明の実施形態の高周波デバイス用ガラス基板からなり、３５ＧＨｚにおける誘電正接（ｔａｎδ）が０．００７以下という特性を有する。ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける比誘電率は１０以下であることが好ましい。ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける誘電正接を０．００７以下とすることによって、３０ＧＨｚを超えるような高周波領域での誘電損失を低減することができる。ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける比誘電率を１０以下とすることによっても、高周波領域での誘電損失を低減することができる。ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける誘電正接は、０．００５以下がより好ましく、０．００３以下がさらに好ましい。ガラス基板２の比誘電率は７以下がより好ましく、６以下がさらに好ましく、５以下が特に好ましい。
　さらに、ガラス基板２の第１および第２の配線層３、４が形成される主表面２ａ、２ｂの表面粗さは、算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下とされている。ガラス基板２の第１および第２の配線層３、４が形成される主表面２ａ、２ｂの算術平均粗さＲａを１．５ｎｍ以下とすることによって、３０ＧＨｚを超えるような高周波領域で第１および第２の配線層３、４に表皮効果が生じた場合においても、第１および第２の配線層３、４の表皮抵抗を低下させることができ、これにより導体損失が低減される。ガラス基板２の主表面２ａ、２ｂの算術平均粗さＲａは、１．０ｎｍ以下がより好ましく、０．５ｎｍ以下がさらに好ましい。ガラス基板２の主表面とは、配線層が形成される表面を指すものである。一方の主表面に配線層が形成される場合、一方の主表面の算術平均粗さＲａの値が１．５ｎｍ以下を満たせばよい。なお、本明細書における表面粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１（２００１年）に準拠して得られた値を意味する。
　ガラス基板２の主表面２ａ、２ｂの表面粗さは、必要に応じてガラス基板２の表面に研磨処理等を施すことにより実現することができる。ガラス基板２の表面の研磨処理には、例えば酸化セリウムやコロイダルシリカ等を主成分とする研磨剤、および研磨パッドを用いた機械的研磨、研磨剤、酸性液またはアルカリ性液を分散媒とする研磨スラリー、および研磨パッドを用いた化学機械的研磨、酸性液またはアルカリ性液をエッチング液として用いた化学的研磨等を適用することができる。これら研磨処理は、ガラス基板２の素材となるガラス板の表面粗さに応じて適用され、例えば予備研磨と仕上げ研磨とを組み合わせて適用してもよい。また、ガラス基板２の端面は、プロセス流動中に端面を起因とするガラス基板２の割れ、クラック、欠けを防止するため、面取りされていることが好ましい。面取りの形態は、Ｃ面取り、Ｒ面取り、糸面取り等のいずれであってもよい。
　このようなガラス基板２を用いることによって、回路基板１の３５ＧＨｚにおける伝送損失を低減、具体的には１ｄＢ／ｃｍ以下まで低減することができる。従って、高周波信号、特に３０ＧＨｚを超える高周波信号、さらには３５ＧＨｚ以上の高周波信号の質や強度等の特性が維持されるため、そのような高周波信号を扱う高周波デバイスに好適なガラス基板２および回路基板１を提供することができる。すなわち、そのような高周波信号を扱う高周波デバイスの特性や品質を向上させることができる。回路基板１の３５ＧＨｚにおける伝送損失は、０．５ｄＢ／ｃｍ以下がより好ましい。
　上述したような誘電正接等の誘電特性を有するガラス基板２は、ＳｉＯ２を主成分であるネットワーク形成物質とするガラス基板において、以下に示す条件（１）と条件（２）、条件（１）と条件（３）、または条件（１）と条件（２）と条件（３）を満足させることで実現することができる。ここで、ガラス基板２は、原料組成物を溶融および硬化させることにより形成されるものである。ガラス基板２の製造方法は、特に限定されるものではないが、一般的な溶融ガラスをフロート法により所定の板厚に成形し、徐冷後に所望形状に切断して板ガラスを得る方法等を適用することができる。
　ここで、本明細書におけるガラスとは、その定義より非晶質であり、ガラス転移を示す固体を示す。ガラスと結晶体の混合物である結晶化ガラスや、結晶質フィラーを含有するガラス焼結体は含まない。なお、非晶質のみからなるかどうかは、例えば、Ｘ線回折測定を行い、明確な回折ピークが認められないことにより確認することができる。
　また、本明細書における「ＳｉＯ２を主成分」とは、酸化物基準のモル％における成分の割合において、ＳｉＯ２の含有量が最大であることを意味する。
　条件（１）：ガラス基板２は、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１～５％の範囲で含有すると共に、アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲である。
　条件（２）：ガラス基板２は、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１～４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０～０．４５の範囲である。
　条件（３）：ガラス基板２は、アルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１～１３％の範囲で含有する。
　条件（１）に関しては、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板２のアルカリ金属酸化物の含有量を５％以下とすることによって、ガラス基板２の低誘電損失性を高めることができる。また、アルカリ金属酸化物の含有量を０．００１％以上とすることによって、過剰な原料精製を必要とすることがなく、実用的なガラスの溶融性およびガラス基板２の生産性が得られると共に、ガラス基板２の熱膨張係数を調整することができる。ガラス基板２に含まれるアルカリ金属酸化物としては、Ｌｉ２Ｏ、Ｎａ２Ｏ、Ｋ２Ｏ、Ｒｂ２Ｏ、Ｃｓ２Ｏが挙げられるが、特にＮａ２ＯおよびＫ２Ｏが重要となるため、Ｎａ２ＯおよびＫ２Ｏの合計含有量が０．００１～５％の範囲であることが好ましい。アルカリ金属酸化物の含有量は、３％以下が好ましく、１％以下がより好ましく、０．２％以下がさらに好ましく、０．１％以下がさらに好ましく、０．０５％以下が特に望ましい。アルカリ金属酸化物の含有量は０．００２％以上がより好ましく、０．００３％以上がさらに好ましく、０．００５％以上が特に好ましい。
　さらに、ＳｉＯ２を主成分とするガラス状物質にＮａ２ＯとＫ２Ｏを共存させることで、言い換えるとＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比を０．０１～０．９９の範囲とすることで、アルカリ成分の移動が抑えられるため、ガラス基板２の低誘電損失性を高めることができる。Ｎａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比は、０．９８以下がより好ましく、０．９５以下がさらに好ましく、０．９以下が特に好ましい。Ｎａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比は、０．０２以上がより好ましく、０．０５以上がさらに好ましく、０．１以上が特に好ましい。
　上述したアルカリ金属酸化物の量や比率を規定する条件（１）に加えて、条件（２）のＡｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を量や比率、条件（３）のアルカリ土類金属酸化物の量、または条件（２）と条件（３）を満足させることによって、ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける誘電正接を０．００７以下とすることができる。条件（２）において、Ａｌ２Ｏ３は必須ではないが、耐候性の向上、ガラスの分相性の抑制、熱膨張係数の低下等に効果を発揮する成分であり、その含有量は０～１５％の範囲が好ましい。Ｂ２Ｏ３はガラスの溶解反応性の向上、失透温度の低下等に効果を発揮する成分であり、その含有量は９～３０％の範囲が好ましい。
　条件（２）において、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０．４５以下であると、ガラス基板２の低誘電損失性を高めることができる。Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比は、０であってもよい。Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比は０．４以下がより好ましく、０．３以下がさらに好ましい。Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比は０．０１以上が好ましく、０．０５以上がより好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３の合計含有量（Ａｌ２Ｏ３の含有量が０の場合を含む）が１％以上であると、ガラスの溶解性等を高めることができる。Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３の合計含有量は、３％以上がより好ましく、５％以上がさらに好ましく、７％以上が特に好ましい。また、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３の合計含有量（Ａｌ２Ｏ３の含有量が０の場合を含む）が４０％以下であると、ガラスの溶解性等を維持しつつ、ガラス基板２の低誘電損失性を高めることができる。Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３の合計含有量は、３７％以下がより好ましく、３５％以下がさらに好ましく、３３％以下が特に好ましい。
　Ａｌ２Ｏ３の含有量が１５％以下であれば、ガラスの溶解性等を良好にすることができる。Ａｌ２Ｏ３の含有量は１４％以下がより好ましい。Ａｌ２Ｏ３の含有量は０．５％以上がより好ましい。Ｂ２Ｏ３の含有量が３０％以下であれば、耐酸性や歪点を良好にすることができる。Ｂ２Ｏ３の含有量は２８％以下がより好ましく、２６％以下がさらに好ましく、２４％以下が特に好ましく、２３％以下が最も好ましい。また、Ｂ２Ｏ３の含有量が９％以上であれば、溶解性を向上させることができる。Ｂ２Ｏ３の含有量は１３％以上がより好ましく、１６％以上がさらに好ましい。
　条件（３）において、アルカリ土類金属酸化物としては、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯが挙げられ、これらはいずれもガラスの溶解反応性を高める成分として機能する。このようなアルカリ土類金属酸化物の合計含有量が１３％以下であれば、ガラス基板２の低誘電損失性を高めることができる。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、１１％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、８％以下が特に好ましく、６％以下が最も好ましい。また、アルカリ土類金属酸化物の合計含有量が０．１％以上であれば、ガラスの溶解性を良好に保つことができる。アルカリ土類金属酸化物の合計含有量は、３％以上がより好ましく、５％以上がさらに好ましい。
　ＭｇＯは必須成分ではないが、比重を上げずにヤング率を上げる成分である。つまり、ＭｇＯは、比弾性率を高くできる成分であり、それによりたわみの問題を軽減でき、破壊靱性値を向上させてガラス強度を上げることができる。また、ＭｇＯは溶解性も向上させる成分である。ＭｇＯは必須成分ではないが、ＭｇＯの含有量は０．１％以上が好ましく、１％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましい。ＭｇＯの含有量が０．１％以上であれば、ＭｇＯを含有させる効果を十分得ることができ、かつ熱膨張係数が低くなりすぎるのを抑えることができる。ＭｇＯの含有量は１３％以下が好ましく、１１％以下がより好ましく、９％以下がさらに好ましい。ＭｇＯの含有量が１３％以下であれば、失透温度の上昇を抑えることができる。
　ＣａＯは、アルカリ土類金属中ではＭｇＯに次いで比弾性率を高くし、かつ歪点を過大には低下させないという特徴を有し、ＭｇＯと同様に溶解性も向上させる成分である。さらに、ＭｇＯと比べて失透温度を高くしにくいという特徴も有する成分である。ＣａＯは必須成分ではないが、ＣａＯの含有量は０．１％以上が好ましく、１％以上がより好ましく、３％以上がさらに好ましい。ＣａＯが０．１％以上であれば、ＣａＯを含有させる効果を十分に得ることができる。また、ＣａＯの含有量は１３％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、８％以下がさらに好ましい。ＣａＯの含有量が１３％以下であれば、平均熱膨張係数が高くなりすぎず、かつ失透温度の上昇を抑えてガラスの製造時の失透を防ぐことができる。
　ＳｒＯは、ガラスの失透温度を上昇させず、溶解性を向上させる成分である。ＳｒＯは必須成分ではないが、ＳｒＯの含有量は０．１％以上が好ましく、０．５％以上がより好ましく、１．０％以上がさらに好ましく、１．５％以上がさらに好ましく、２％以上が特に好ましい。ＳｒＯの含有量が０．１％以上であれば、ＳｒＯを含有させる効果を十分に得ることができる。また、ＳｒＯの含有量は１３％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、７％以下がさらに好ましく、５％以下が特に好ましい。ＳｒＯの含有量が１３％以下であれば、比重を大きくしすぎることなく、平均熱膨張係数が高くなりすぎるのも抑えることができる。
　ＢａＯは必須成分ではないが、ガラスの失透温度を上昇させず、溶解性を向上させる成分である。しかし、ＢａＯを多く含有すると比重が大きくなり、ヤング率が下がり、比誘電率が高くなり、平均熱膨張係数が大きくなりすぎる傾向がある。そのため、ＢａＯの含有量は１０％以下が好ましく、８％以下がより好ましく、５％以下がより好ましく、３％以下がさらに好ましく、実質的に含有しないことが特に好ましい。
　なお、本明細書において「実質的に含有しない」とは、原料等から混入する不可避的不純物以外には含有しないこと、すなわち、意図的に含有させないことを意味する。本発明において、ＢａＯを実質的に含有しないとは、例えば０．３％以下である。
　上述したように、条件（１）に加えて、条件（２）または条件（３）を満足させることによって、ガラス基板２の３５ＧＨｚにおける誘電正接を０．００７以下とすることができ、ガラス基板２の誘電損失を低減することができる。ガラス基板２の低誘電損失性をさらに高めるために、ガラス基板２は条件（１）、条件（２）、および条件（３）の全てを満足することがより好ましい。
　ガラス基板２の構成成分のうち、主成分であるネットワーク形成物質としてのＳｉＯ２の含有量は、４０～７５％の範囲が好ましい。ＳｉＯ２の含有量が４０％以上であれば、ガラス形成能や耐候性を良好にすることができ、また失透を抑制することができる。ＳｉＯ２の含有量は４５％以上がより好ましく、５０％以上がさらに好ましく、５５％以上が特に好ましい。また、ＳｉＯ２の含有量が７５％以下であれば、ガラスの溶解性を良好にすることができる。ＳｉＯ２の含有量は７４％以下がより好ましく、７３％以下がさらに好ましく、７２％以下が特に好ましい。
　ガラス基板２は、上記した各成分以外に任意成分として、Ｆｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、Ｔａ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３等を含んでいてもよい。Ｆｅ２Ｏ３は、ガラス基板２の光吸収性能、例えば赤外線吸収性能や紫外線吸収性能を制御する成分であり、必要に応じてＦｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量として０．０１２％以下まで含有させることができる。上記したＦｅの含有量が０．０１２％以下であれば、ガラス基板２の低誘電損失性や紫外線透過率を維持することができる。紫外線透過率の向上のために、Ｆｅの含有量は０．０１％以下がより好ましく、０．００５％以下がさらに好ましい。ガラス基板２の紫外線透過率を高くすることによって、高周波デバイスの製造工程における積層工程等で紫外線硬化型材料を使用することができ、高周波デバイスの製造性を高めることができる。
　また、ガラス基板２は、必要に応じてＦｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量として０．０５％以上含有させることで、紫外線遮蔽能を高くすることができる。Ｆｅの含有量は０．０７％以上がより好ましく、０．１％以上がさらに好ましい。ガラス基板２の紫外線遮蔽能を高くすることで、紫外線で劣化する樹脂を部材として用いる場合に、ガラス基板２に保護材としての機能を付与することができる。
　ガラス基板２の低誘電損失性をさらに向上させるにあたって、ガラス基板２のβ－ＯＨ値は０．０５～０．６ｍｍ－１の範囲であることが好ましい。β－ＯＨ値はガラスの水分含有量の指標として用いられる値であり、ガラス試料の波長２．７５～２．９５μｍの光に対する吸光度を測定し、その最大値βｍａｘを試料厚さ（ｍｍ）で割ることにより求められる値である。ガラス組成物のβ－ＯＨ値を０．６ｍｍ－１以下とすることによって、ガラス基板２の低誘電損失性をさらに向上させることができる。ガラス基板２のβ－ＯＨ値は０．５ｍｍ－１以下がより好ましく、０．４ｍｍ－１以下がさらに好ましい。また、ガラス基板２のβ－ＯＨ値が０．０５ｍｍ－１以上であれば、極端な乾燥雰囲気での溶解や原料中の水分量を極端に減少させる必要がなく、ガラスの生産性や泡品質等を高めることができる。ガラス基板２のβ－ＯＨ値は０．１ｍｍ－１以上がより好ましく、０．２ｍｍ－１以上がさらに好ましい。
　ガラス基板２は、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物の含有量等にしたがって、電子デバイスに適した熱膨張係数を有している。具体的には、５０～３５０℃における平均熱膨張係数が３～１５ｐｐｍ／℃の範囲である。このような熱膨張係数を有するガラス基板２によれば、高周波デバイスとして半導体パッケージ等を構成する際に、他部材との熱膨張係数差をより適切に調整することができる。例えば、高周波用途の２．５Ｄや３Ｄ（三次元）実装タイプのガラス貫通配線基板（ＴＧＶ基板）を構成する際に、半導体チップ等の他部材との熱膨張係数差をより適切に調整することができる。
　さらに、ガラス基板２は４０ＧＰａ以上のヤング率を有することが好ましい。このようなヤング率を有するガラス基板２によれば、高周波デバイスの製造工程（ウエハプロセス）時にガラス基板２を流動させる際の撓み量が例えば１ｍｍ以下に抑えられるため、高周波デバイスの製造不良の発生等を抑制することができる。ガラス基板２のヤング率は５０ＧＰａ以上がより好ましく、５５ＧＰａ以上がさらに好ましい。また、ガラス基板２の気孔率は０．１％以下であることが好ましい。これによって、高周波デバイスを作製した際のノイズ発生等を抑制することができる。ガラス基板２の気孔率は０．０１％以下がより好ましく、０．００１％以下がさらに好ましい。
　ガラス基板２の波長３５０ｎｍの透過率は５０％以上であることが好ましい。これによって、高周波デバイスの製造工程における積層工程等で紫外線硬化型材料を使用することができ、高周波デバイスの製造性を高めることができる。また、ガラス基板２の波長３５０ｎｍの透過率は、デバイスの製造工程において紫外線硬化型材料に対する紫外線の照射時間を短くし、厚み方向の紫外線硬化型材料の硬化ムラを低減するために、７０％以上であることがより好ましい。
　同様の理由で、ガラス基板２の波長３００ｎｍの透過率は５０％以上が好ましく、６０％以上がより好ましく、７０％以上がさらにより好ましい。また、ガラス基板２の波長２５０ｎｍの透過率は５％以上が好ましく、１０％以上がより好ましく、２０％以上がさらに好ましい。
　ガラス基板２の波長３５０ｎｍの透過率は８０％以下であることが好ましい。これによって、紫外線で劣化する樹脂を部材として用いる場合に、ガラス基板２に紫外線遮蔽能をもたせて保護材としての機能を付与することが出来る。ガラス基板２の波長３５０ｎｍの透過率は、６０％以下がより好ましく、３０％以下がさらにより好ましく、１０％以下が最も好ましい。
　同様の理由で、ガラス基板２の波長３００ｎｍの透過率は８０％以下が好ましく、６０％以下がより好ましく、３０％以下がさらに好ましく、１０％以下が最も好ましい。また、ガラス基板２の波長２５０ｍの透過率は６０％以下が好ましく、３０％以下がより好ましく、１０％以下がさらに好ましく、５％以下が最も好ましい。
　ガラス基板２の形状は、特に限定されるものではないが、その厚さは０．０５～１ｍｍの範囲であることが好ましく、ガラス基板２の一つの主表面の面積は２２５～１００００ｃｍ２であることが好ましい。ガラス基板２の厚さが１ｍｍ以下であるとき、高周波デバイスの薄型化や小型化、さらに生産効率の向上等をはかることができる。また、紫外線透過率を上げることができ、デバイスの製造工程で紫外線硬化材料を使用して製造性を高めることができる。ガラス基板２の厚さは０．５ｍｍ以下がより好ましい。また、ガラス基板２の厚さが０．０５ｍｍ以上であれば、ガラス基板２の流動時における強度等を維持することができる。また、紫外線遮蔽能を高くすることができ、紫外線で劣化する樹脂を保護することが可能となる。ガラス基板２の厚さは０．１ｍｍ以上がより好ましく、０．２ｍｍ超がさらに好ましい。さらに、実施形態のガラス基板２によれば、上記した厚さで面積が１００００ｃｍ２の基板サイズを提供することができ、パネルサイズの大型化等に対応することができる。ガラス基板２の面積は３６００ｃｍ２以下がより好ましい。
　ガラス基板２の失透温度は、１４００℃以下であることが好ましい。失透温度が１４００℃以下であると、ガラスを成形する際に、成形設備の部材温度を低くすることができ、部材寿命を延ばすことができる。失透温度は１３５０℃以下がより好ましく、１３３０℃以下がさらに好ましく、１３００℃以下が特に好ましい。ガラスの失透温度とは、白金製の皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の試料の光学顕微鏡観察によって、ガラスの表面および内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値である。
　次に、実施形態のガラス基板の製造方法について説明する。実施形態のガラス基板を製造する場合、ガラス原料を加熱して溶融ガラスを得る溶解工程、溶融ガラスから泡を除く清澄工程、溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る成形工程、およびガラスリボンを室温状態まで徐冷する徐冷工程を経る。あるいは、溶融ガラスをブロック状に成形し、徐冷した後、切断、研磨を経てガラス基板を製造する方法でも良い。
　溶解工程は、目標とするガラス基板の組成となるように原料を調製し、原料を溶解炉に連続的に投入し、好ましくは１４５０℃～１７５０℃程度に加熱して溶融ガラスを得る。
　原料には酸化物、炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、塩化物等のハロゲン化物等も使用できる。溶解や清澄工程で溶融ガラスが白金と接触する工程がある場合、微小な白金粒子が溶融ガラス中に溶出し、得られるガラス基板中に異物として混入してしまう場合があるが、硝酸塩原料の使用は白金異物の生成を防止する効果がある。
　硝酸塩としては、硝酸ストロンチウム、硝酸バリウム、硝酸マグネシウム、硝酸カルシウム等を使用できる。硝酸ストロンチウムを使用することがより好ましい。原料粒度も溶け残りが生じない程度の数百ミクロンの大きな粒径の原料から、原料搬送時の飛散が生じない、二次粒子として凝集しない程度の数ミクロン程度の小さな粒径の原料まで、適宜使用できる。造粒体の使用も可能である。原料の飛散を防ぐために原料含水量も適宜調整可能である。β－ＯＨ、Ｆｅの酸化還元度（レドックス［Ｆｅ２＋／（Ｆｅ２＋＋Ｆｅ３＋）］）等の溶解条件も適宜調整して使用できる。
　次の清澄工程は、上記溶解工程で得られた溶融ガラスから泡を除く工程である。清澄工程としては、減圧による脱泡法を適用しても良く、原料の溶解温度より高温とすることで脱泡しても良い。また、実施形態におけるガラス基板の製造工程においては、清澄剤としてＳＯ３やＳｎＯ２を用いることができる。ＳＯ３源としては、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素の硫酸塩が好ましく、アルカリ土類金属の硫酸塩がより好ましく、中でも、ＣａＳＯ４・２Ｈ２Ｏ、ＳｒＳＯ４、およびＢａＳＯ４が、泡を大きくする作用が著しく、特に好ましい。
　減圧による脱泡法における清澄剤としては、ＣｌまたはＦ等のハロゲンを使用するのが好ましい。Ｃｌ源としては、Ａｌ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれる少なくとも１つの元素の塩化物が好ましく、アルカリ土類金属の塩化物がより好ましく、中でも、ＳｒＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、およびＢａＣｌ２・２Ｈ２Ｏが、泡を大きくする作用が著しく、かつ潮解性が小さいため、特に好ましい。Ｆ源としては、Ａｌ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、およびＢａから選ばれた少なくとも１つの元素のフッ化物が好ましく、アルカリ土類金属のフッ化物がより好ましく、中でも、ＣａＦ２がガラス原料の溶解性を大きくする作用が著しく、より好ましい。
　ＳｎＯ２に代表されるスズ化合物は、ガラス融液中でＯ２ガスを発生する。ガラス融液中では、１４５０℃以上の温度でＳｎＯ２からＳｎＯに還元され、Ｏ２ガスを発生し、泡を大きく成長させる作用を有する。実施形態のガラス基板２の製造時においては、ガラス原料を１４５０～１７５０℃程度に加熱して溶融するため、ガラス融液中の泡がより効果的に大きくなる。ＳｎＯ２を清澄剤として用いる場合、原料中のスズ化合物は、前記母組成の総量１００％に対してＳｎＯ２換算で、０．０１％以上含まれるように調製する。ＳｎＯ２含有量が０．０１％以上だと、ガラス原料の溶解時における清澄作用が得られ、好ましくは０．０５％以上、より好ましくは０．１０％以上である。ＳｎＯ２含有量が０．３％以下であれば、ガラスの着色や失透の発生が抑えられる。無アルカリガラス中のスズ化合物の含有量は、前記母組成の総量１００％に対してＳｎＯ２換算で０．２５％以下がより好ましく、０．２％以下がさらに好ましく、０．１５％以下が特に好ましい。
　次の成形工程は、上記清澄工程で泡を除いた溶融ガラスを板状にしてガラスリボンを得る工程である。成形工程としては、溶融ガラスをスズ等の溶融金属上に流して板状にしてガラスリボンを得るフロート法、溶融ガラスを樋状の部材から下方に流下させるオーバーフローダウンドロー法（フュージョン法）、スリットから流下させるスリットダウンドロー法等、公知のガラスを板状に成形する方法を適用することができる。
　次に、徐冷工程は、上記成形工程で得られたガラスリボンを室温状態まで制御された冷却条件にて冷却する工程である。徐冷工程としては、ガラスリボンを、粘度が徐冷点から歪点となる温度になるまでの平均冷却速度がＲとなるように冷却し、さらに室温状態まで所定の条件で徐冷する。徐冷したガラスリボンを切断後、ガラス基板を得る。
　徐冷工程における冷却速度Ｒが大きすぎると冷却後のガラスに歪が残りやすくなる。また、仮想温度を反映するパラメータである等価冷却速度が高くなりすぎ、その結果低誘電損失特性を得られなくなってしまう。そのため、等価冷却速度が８００℃／分以下となるようにＲを設定することが好ましい。等価冷却速度は４００℃／分以下がより好ましく、１００℃／分以下がさらに好ましく、５０℃／分以下が特に好ましい。一方、冷却速度が小さすぎると、工程の所要時間が長くなりすぎて、生産性が低くなるという問題がある。そのため、０．１℃／以上となるように設定することが好ましく、０．５℃／分以上がより好ましく、１℃／分以上がさらに好ましい。
　ここで、等価冷却速度の定義ならびに評価方法は以下のとおりである。１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．３～２．０ｍｍの直方体に加工する、対象とする組成のガラスを、赤外線加熱式電気炉を用い、歪点＋１７０℃にて５分間保持し、その後、ガラスを室温（２５℃）まで冷却する。このとき、冷却速度を１℃／分から１０００℃／分の範囲で振った複数のガラスサンプルを作製する。
　精密屈折率測定装置（例えば島津デバイス社製ＫＰＲ２０００）を用いて、複数のガラスサンプルのｄ線（波長５８７．６ｎｍ）の屈折率ｎｄを測定する。測定には、Ｖブロック法や最小偏角法を用いてもよい。得られたｎｄを、前記冷却速度の対数に対してプロットすることにより、前記冷却速度に対するｎｄの検量線を得る。
　次に、実際に溶解、成形、冷却等の工程を経て製造された同一組成のガラスのｎｄを、上記測定方法により測定する。得られたｎｄに対応する対応冷却速度（本実施形態において等価冷却速度という）を、前記検量線より求める。
　本発明は上記実施形態に限定されない。本発明の目的を達成できる範囲での変形や改良等は本発明に含まれる。例えば、本発明のガラス基板を製造する場合、溶融ガラスを直接板状に成形するプレス成形法にてガラスを板状にしてもよい。
　また、本発明のガラス基板を製造する場合、耐火物製の溶解槽を使用する製造方法に加えて、白金または白金を主成分とする合金製の坩堝（以下、白金坩堝と呼ぶ）を溶解槽または清澄槽に用いてもよい。白金坩堝を用いた場合、溶解工程は、得られるガラス基板の組成となるように原料を調製し、原料を入れた白金坩堝を電気炉にて加熱し、好ましくは１４５０℃～１７００℃程度に加熱する。白金スターラーを挿入し１時間～３時間撹拌して溶融ガラスを得る。
　白金坩堝を用いたガラス板の製造工程における成形工程では、溶融ガラスを例えばカーボン板上や型枠中に流し出し、板状またはブロック状にする。徐冷工程は、典型的にはＴｇ＋５０℃程度の温度に保持した後、歪点付近まで１～１０℃／分程度で冷却し、その後は室温状態まで、歪が残らない程度の冷却速度にて冷却する。所定の形状への切断および研磨の後、ガラス基板を得る。また、切断して得られたガラス基板を、例えばＴｇ＋５０℃程度となるように加熱した後、室温状態まで所定の冷却速度で徐冷してもよい。このようにすることで、ガラスの等価冷却温度を調節することができる。
　上述した実施形態のガラス基板２を用いた回路基板１は、高周波信号、特に３０ＧＨｚを超える高周波信号、さらには３５ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波デバイスに好適であり、そのような高周波信号の伝送損失を低減して高周波信号の質や強度等の特性を向上させることができる。実施形態のガラス基板２および回路基板１は、例えば携帯電話機、スマートフォン、携帯情報端末、Ｗｉ－Ｆｉ機器のような通信機器に用いられる半導体デバイスのような高周波デバイス（電子デバイス）、弾性表面波（ＳＡＷ）デバイス、レーダ送受信機のようなレーダ部品、液晶アンテナのようなアンテナ部品等に好適である。
　以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。なお、例１～３、７～２５が実施例であり、例４～６が比較例である。
［例１～３、７～２５］
　表１～４に示す組成を有し、厚さが０．１２５ｍｍ、形状が５０×５０ｍｍ、主表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍのガラス基板を用意した。ガラス基板は、白金坩堝を用いた溶融法にて作製した。ガラスとして１ｋｇとなるように珪砂等の原料を混合し、バッチを調合した。該目標組成の原料１００％に対し、酸化物基準の質量百分率表示で、硫酸塩をＳＯ３換算で０．１％～１％、Ｆを０．１６％、Ｃｌを１％添加した。原料を白金坩堝に入れ、電気炉中にて１６５０℃の温度で３時間加熱して溶融し、溶融ガラスとした。溶融にあたっては、白金坩堝に白金スターラーを挿入して１時間撹拌し、ガラスの均質化を行った。溶融ガラスをカーボン板上に流し出し、板状に成形した後、板状のガラスをＴｇ＋５０℃程度の温度の電気炉に入れ、１時間保持した後、冷却速度１℃／分でＴｇ－１００℃まで電気炉を降温させ、その後ガラスが室温になるまで放冷した。その後、切断、研磨加工によりガラスを板状に成形した。
　例１～３、７～２５のガラス基板について、５０～３５０℃における平均熱膨張係数、β－ＯＨ値、ヤング率、気孔率、波長３５０ｎｍの透過率、密度、比弾性率、失透温度を表５～８に示す。なお、表中の括弧書きした値は、計算により求めたものである。また、３５ＧＨｚにおける誘電正接、３５ＧＨｚにおける比誘電率、配線幅、３５ＧＨｚにおける伝送損失、１１０ＧＨｚにおける伝送損失を表９～１２に示す。図１に示したように、ガラス基板の第１の主表面に信号配線として厚さ０．１２５ｍｍの銅配線層を形成し、また第２の主表面にグランド線としてベタ膜状の厚さ０．１２５ｍｍの銅層を形成した。このようにして作製した回路基板を、後述する特性評価に供した。
［例４］
　表１に示す組成を有し、厚さが０．１２５ｍｍ、形状が５０×５０ｍｍ、主表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍの、フロート法にて製造されたソーダライムガラス基板を用意した。例４のガラス基板の特性を例１と同様に表５および表９に示す。このようなガラス基板の両主表面に例１と同様に、厚さ０．１２５ｍｍの銅配線層および厚さ０．１２５ｍｍの銅層を形成し、後述する特性評価に供した。
［例５］
　表１に示す組成を有し、厚さが０．１２５ｍｍ、形状が５０×５０ｍｍ、主表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍの、フロート法にて製造された無アルカリガラス基板を用意した。例５のガラス基板の特性を例１と同様に表５および表９に示す。このようなガラス基板の両主表面に例１と同様に、厚さ０．１２５ｍｍの銅配線層および厚さ０．１２５ｍｍの銅層を形成し、後述する特性評価に供した。
［例６］
　表１に示す組成を有し、厚さが０．１２５ｍｍ、形状が５０×５０ｍｍ、主表面の算術平均粗さＲａが１．０ｎｍの、気相合成法にて製造された石英ガラス基板を用意した。なお、表１における組成において、（０．０）は、成分含有量が０．０５％未満であることを示す。例６のガラス基板の特性を例１と同様に表５および表９に示す。このようなガラス基板の両主表面に例１と同様に、厚さ０．１２５ｍｍの銅配線層および厚さ０．１２５ｍｍの銅層を形成し、後述する特性評価に供した。
　以下に各物性の測定方法を示す。
（比誘電率、誘電正接）
　ＪＩＳ　Ｒ１６４１（２００７年）に規定されている方法に従い、空洞共振器およびベクトルネットワークアナライザを用いて測定した。測定周波数は空洞共振器の空気の共振周波数である３５GHｚである。
（平均熱膨張係数）
　ＪＩＳ　Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計を用いて測定した。測定温度範囲は５０～３５０℃で、単位をｐｐｍ／℃として表した。
（ヤング率）
　ＪＩＳ　Ｚ　２２８０に規定されている方法に従い、厚さ０．５～１０ｍｍのガラスについて、超音波パルス法により測定した。単位をＧＰａとして表した。
（透過率）
　可視紫外分光光度計を用いて、所定の厚みの鏡面研磨されたガラスの透過率を測定した。透過率は、反射による損失を含んだ外部透過率として表した。
（気孔率）
　ガラス基板中に含まれる気泡を光学顕微鏡により観察し、気泡の個数ならびに直径を求めて、単位体積当たりに含まれる気泡の体積を計算することにより求めた。
（β－ＯＨ）
　上記実施形態に記載の方法で求めた。
（Ｒａ）
　ＪＩＳ　Ｂ０６０１（２００１年）に規定されている方法に従い、ＡＦＭにより１０μｍ□領域でのガラス表面の平均粗さを測定した。
（密度）
　泡を含まない約２０ｇのガラス塊の密度をアルキメデス法によって測定した。
（失透温度）
　白金製皿に粉砕されたガラス粒子を入れ、一定温度に制御された電気炉中で１７時間熱処理を行い、熱処理後の試料の光学顕微鏡観察によって、ガラスの内部に結晶が析出する最高温度と結晶が析出しない最低温度との平均値とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
（伝送損失の計算例）
　例１～６のガラス基板材料の誘電特性による高周波信号の伝送損失の影響を確認するため、単純化したモデルでの伝送線路の伝送損失の計算を行った。解析手法としては、市販のモーメント法シミュレータＳｏｎｎｅｔ　Ｌｉｔｅ（Ｒ）（ソネットソフトウェアインク製）を用いた。伝送線路は、マイクロストリップ線路（ＭＳＬ）とした。解析モデルは、以下の通りである。ガラス基板の一方の主表面に形成された銅配線層を、線路の特性インピーダンスが５０Ωになる幅（表９～１２に示す）に規定し、１ＧＨｚ～１１０ＧＨｚでのＳパラメータ（散乱パラメータＳ２１）を計算した。銅層の表面粗度は、表皮効果が問題とならないほど十分に平滑であると設定した。計算したＳ２１（透過特性）を図２に示す。また、３５ＧＨｚおよび１１０ＧＨｚで信号伝送損失の値は表９～１２に示した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
　図２および表９～１２に示すように、例１～３、７～２５のガラス基板を用いた回路基板によれば、例４の従来のソーダライムガラス基板や例５の従来の無アルカリガラス基板を用いた回路基板に比べて、高周波領域での伝送特性を向上させることができ、例６の従来の石英ガラス基板を用いた回路基板に近い高周波領域での低伝送損失特性を得ることができる。例６の石英ガラス基板は、熱膨張係数が０．７ｐｐｍ／℃と小さいため、それを用いて電子デバイスを構成する際に、他部材との熱膨張係数差が大きくなり、実用的な電子デバイスを提供することができない。なお、例５に示すように、従来の無アルカリガラス基板は、無アルカリといってもアルカリ成分を０．０５～０．１％程度含んでいる。
　紫外線透過率の例として、例２１のガラスについて、Ｆｅ２Ｏ３の含有量を変化させた際の板厚０．５ｍｍ、１．０ｍｍにおける波長２５０、３００、３５０ｎｍの透過率の値を測定した。測定結果を表１３に示す。透過率は可視紫外分光光度計により測定した。これから、ガラスの板厚、Ｆｅ２Ｏ３含有量を調整することによって、ガラスの紫外線透過率を所望の値に調整することが可能であることが分かる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
　本発明の高周波デバイス用ガラス基板は、高周波信号の誘電損失性に優れている。また、そのようなガラス基板を用いた回路基板は、高周波信号の伝送損失性に優れている。このようなガラス基板および回路基板は、１０ＧＨｚを超えるような高周波信号、特に３０ＧＨｚを超える高周波信号、さらには３５ＧＨｚ以上の高周波信号を扱う高周波電子デバイス全般、例えば通信機器のガラス基板、ＳＡＷデバイスおよびＦＢＡＲ等の周波数フィルター部品、導波管等のバンドパスフィルターやＳＩＷ（Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）部品、レーダ部品、アンテナ部品（特に衛星通信に最適とされる液晶アンテナ）等に有用である。
　１…回路基板、２…ガラス基板、２ａ，２ｂ…主表面、３，４…配線層。

Claims (14)

  1. 　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１～５％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲であり、かつＡｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１～４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０～０．４５の範囲である、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
    　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、高周波デバイス用ガラス基板。
  2. 　酸化物基準のモル百分率で、アルカリ金属酸化物を合計含有量として０．００１～５％の範囲で含有すると共に、前記アルカリ金属酸化物のうちＮａ２Ｏ／（Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ）で表されるモル比が０．０１～０．９９の範囲であり、かつアルカリ土類金属酸化物を合計含有量として０．１～１３％の範囲で含有する、ＳｉＯ２を主成分とするガラス基板であって、
    　前記ガラス基板の少なくとも１つの主表面の表面粗さが算術平均粗さＲａの値として１．５ｎｍ以下であり、かつ３５ＧＨｚにおける誘電正接が０．００７以下である、高周波デバイス用ガラス基板。
  3. 　酸化物基準のモル百分率で、Ａｌ２Ｏ３およびＢ２Ｏ３を合計含有量として１～４０％の範囲で含有すると共に、Ａｌ２Ｏ３／（Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３）で表されるモル比が０～０．４５の範囲である、請求項２に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  4. 　酸化物基準のモル百分率で、Ｂ２Ｏ３の含有量が９～３０％の範囲であると共に、Ａｌ２Ｏ３の含有量が０～１０％の範囲である、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  5. 　酸化物基準のモル百分率で、Ｆｅ２Ｏ３換算でのＦｅの含有量が０．０１２％以下である、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  6. 　β－ＯＨ値が０．０５～０．６ｍｍ－１の範囲である、請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  7. 　３５ＧＨｚにおける比誘電率が１０以下である、請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  8. 　５０～３５０℃における平均熱膨張係数が３～１５ｐｐｍ／℃の範囲である、請求項１ないし請求項７のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  9. 　ヤング率が４０ＧＰａ以上である、請求項１ないし請求項８のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  10. 　気孔率が０．１％以下である、請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  11. 　波長３５０ｎｍの透過率が５０％以上である、請求項１ないし請求項１０のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  12. 　厚さが０．０５～１ｍｍの範囲であると共に、基板面積が２２５～１００００ｃｍ２の範囲である、請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  13. 　非晶質である、請求項１ないし請求項１２のいずれか一項に記載の高周波デバイス用ガラス基板。
  14. 　請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載のガラス基板と、
    　前記ガラス基板の前記主表面上に形成された配線層とを具備し、
    　３５ＧＨｚにおける伝送損失が１ｄＢ／ｃｍ以下である、高周波デバイス用回路基板。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019181707A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
WO2019181706A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 Ａｇｃ株式会社 基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
EP3569578A1 (de) 2018-05-18 2019-11-20 Schott Ag Verwendung eines flachglases in elektronischen bauteilen
WO2020004384A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 Ａｇｃ株式会社 ガラス樹脂積層体、複合積層体、及びそれらの製造方法
WO2020100834A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
WO2020184175A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 日本電気硝子株式会社 ガラス板
WO2020209271A1 (ja) 2019-04-12 2020-10-15 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス及びガラス板
JPWO2020256142A1 (ja) * 2019-06-21 2020-12-24
WO2021020241A1 (ja) * 2019-08-01 2021-02-04 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム及びこれを用いたガラスロール
US20210395134A1 (en) * 2019-01-18 2021-12-23 Corning Incorporated Low dielectric loss glasses for electronic devices
WO2022045226A1 (ja) 2020-08-27 2022-03-03 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラスおよびガラス板
WO2022054694A1 (ja) * 2020-09-08 2022-03-17 日本電気硝子株式会社 ガラス及びそれを用いた誘電特性の測定方法
JP2022159373A (ja) * 2016-09-13 2022-10-17 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板
DE112021001158T5 (de) 2020-02-21 2022-12-22 Ps Japan Corporation Harzzusammensetzung auf Styrolbasis, flammhemmende Harzzusammensetzung auf Styrolbasis, Formkörper und Patch-Antenne
KR20230077654A (ko) * 2021-11-25 2023-06-01 광주과학기술원 유전율이 낮은 산화물계 유리 조성물
WO2023105895A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 日本電気硝子株式会社 低熱膨張ガラス
WO2023162788A1 (ja) 2022-02-24 2023-08-31 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラスおよびガラス板
WO2024150715A1 (ja) * 2023-01-12 2024-07-18 日本電気硝子株式会社 低熱膨張部材

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230051724A1 (en) * 2020-01-03 2023-02-16 Corning Incorporated Strengthened glass articles and consumer electronic products including the same
JP7326192B2 (ja) * 2020-03-17 2023-08-15 キオクシア株式会社 配線基板及び半導体装置
CN111533443B (zh) * 2020-05-27 2022-04-15 成都光明光电股份有限公司 光学玻璃
JPWO2022259896A1 (ja) 2021-06-08 2022-12-15
KR20240052939A (ko) * 2021-08-24 2024-04-23 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 지지 유리 기판, 적층체, 적층체의 제조 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01212754A (ja) * 1987-12-23 1989-08-25 Philips Gloeilampenfab:Nv シリカ、石英、ガラス又はサファイアーの基板の金属化方法
JP2010030848A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Ohara Inc ガラス
US20150051060A1 (en) * 2013-08-15 2015-02-19 Corning Incorporated Alkali-doped and alkali-free boroaluminosilicate glass
JP2017204527A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 凸版印刷株式会社 配線回路基板及びその製造方法

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6451345A (en) 1987-08-18 1989-02-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd Glass fiber composition having low dielectric constant
JPH092839A (ja) 1995-06-15 1997-01-07 Nitto Boseki Co Ltd 低誘電正接ガラス繊維
JPH09142876A (ja) * 1995-09-22 1997-06-03 Murata Mfg Co Ltd 高周波用低誘電率ガラス組成物
US5824127A (en) 1996-07-19 1998-10-20 Corning Incorporated Arsenic-free glasses
JP3774336B2 (ja) * 1999-06-30 2006-05-10 京セラ株式会社 高周波用配線基板およびその製造方法
JP2003137590A (ja) * 2001-05-09 2003-05-14 Nippon Electric Glass Co Ltd 低誘電率低誘電正接ガラス、それを用いたガラス繊維及びガラス繊維織物
CA2485022A1 (en) 2002-04-15 2003-10-23 Schott Ag Method for connecting substrates and composite element
JP2005527459A (ja) 2002-04-15 2005-09-15 ショット アーゲー 構造化された表面を有する製品を作製する方法
US7268486B2 (en) 2002-04-15 2007-09-11 Schott Ag Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
ATE411407T1 (de) 2002-04-15 2008-10-15 Schott Ag Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2008-07-10 Schott Ag Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
CN100387749C (zh) 2002-04-15 2008-05-14 肖特股份公司 用于形成电子组件外壳的方法和以这种方法密封封装的电子组件
US8299706B2 (en) 2002-04-15 2012-10-30 Schott Ag Hermetic encapsulation of organic, electro-optical elements
CA2480797A1 (en) 2002-04-15 2003-10-23 Schott Ag Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
AU2003237668A1 (en) 2002-05-23 2003-12-12 Schott Ag Method for producing a component comprising a conductor structure that is suitable for use at high frequencies and corresponding component
JP5027992B2 (ja) * 2002-05-23 2012-09-19 ショット アクチエンゲゼルシャフト 高周波用途のためのガラス材料
US6992030B2 (en) 2002-08-29 2006-01-31 Corning Incorporated Low-density glass for flat panel display substrates
JP2004168597A (ja) * 2002-11-20 2004-06-17 Asahi Glass Co Ltd 無鉛ガラスおよび電子回路基板用組成物
JP2004244271A (ja) 2003-02-14 2004-09-02 Asahi Glass Co Ltd 無鉛ガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板
JP4228344B2 (ja) * 2003-03-05 2009-02-25 日本電気硝子株式会社 ガラス粉末、ガラスセラミック誘電体材料、焼結体及び高周波用回路部材
JP2004282412A (ja) 2003-03-17 2004-10-07 Renesas Technology Corp 高周波電子回路部品
CN1833306B (zh) 2003-08-08 2010-04-28 日本电气硝子株式会社 外部电极荧光灯用外套容器
JP4400362B2 (ja) * 2003-08-08 2010-01-20 日本電気硝子株式会社 外部電極蛍光ランプ用外套容器
JP4789059B2 (ja) * 2004-06-23 2011-10-05 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
JP4789058B2 (ja) * 2004-06-23 2011-10-05 日本電気硝子株式会社 無アルカリガラス基板
JP4441348B2 (ja) 2004-07-23 2010-03-31 電気化学工業株式会社 エチレン−アクリルゴム組成物
WO2007002865A1 (en) 2005-06-28 2007-01-04 Corning Incorporated Fining of boroalumino silicate glasses
EP1911725A4 (en) 2005-07-06 2010-07-07 Asahi Glass Co Ltd PROCESS FOR PRODUCING NON-ALKALI GLASS AND NON-ALKALI GLASS
JP4946216B2 (ja) * 2005-07-06 2012-06-06 旭硝子株式会社 無アルカリガラスの製造方法
CN101326132A (zh) 2005-12-07 2008-12-17 日本电气硝子株式会社 外部电极荧光灯用外套容器
JP2007182366A (ja) * 2005-12-07 2007-07-19 Nippon Electric Glass Co Ltd 外部電極蛍光ランプ用外套容器
JP2007314409A (ja) * 2006-04-24 2007-12-06 Nippon Electric Glass Co Ltd 照明用ガラス
US7678721B2 (en) 2006-10-26 2010-03-16 Agy Holding Corp. Low dielectric glass fiber
JP5403487B2 (ja) * 2009-08-19 2014-01-29 日本電気硝子株式会社 ガラスロール
JP5418971B2 (ja) * 2009-08-19 2014-02-19 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム
JP5578322B2 (ja) 2009-08-25 2014-08-27 日本電気硝子株式会社 ガラス繊維、ガラス繊維の製造方法及びガラス繊維シート状物
JP2011139052A (ja) * 2009-12-04 2011-07-14 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体記憶装置
US8796165B2 (en) 2010-11-30 2014-08-05 Corning Incorporated Alkaline earth alumino-borosilicate crack resistant glass
WO2012132328A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 日本板硝子株式会社 低膨張ガラス及び強化ガラス
KR101960984B1 (ko) 2011-05-25 2019-03-21 에이지씨 가부시키가이샤 조립체의 제조 방법, 용융 유리의 제조 방법 및 유리 물품의 제조 방법
US9227295B2 (en) 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
JPWO2013005401A1 (ja) 2011-07-01 2015-02-23 ＡｖａｎＳｔｒａｔｅ株式会社 フラットパネルディスプレイ用ガラス基板およびその製造方法
JP2013071879A (ja) * 2011-09-29 2013-04-22 Nippon Electric Glass Co Ltd 電子レンジ用耐熱ガラスおよび電子レンジ用耐熱ガラスの製造方法
JP2013077769A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Nippon Zeon Co Ltd 回路基板
CN105130184B (zh) 2012-06-22 2017-07-14 Hoya株式会社 玻璃、光学玻璃、模压成型用玻璃坯料和光学元件
DE102012219614B3 (de) 2012-10-26 2013-12-19 Schott Ag Solarisationsbeständiges Borosilikatglas und seine Verwendung zur Herstellung von Glasrohren und Lampen sowie in Bestrahlungseinrichtungen
US20140152914A1 (en) * 2012-11-30 2014-06-05 Corning Incorporated Low-Fe Glass for IR Touch Screen Applications
JP5793164B2 (ja) 2013-04-26 2015-10-14 Hoya株式会社 ガラス、光学ガラス、プレス成形用ガラス素材および光学素子
JP2015020914A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 日本電気硝子株式会社 ガラスパッケージの製造方法
JP2015160326A (ja) 2014-02-26 2015-09-07 日本ゼオン株式会社 積層体及び金属張積層体
JP6532218B2 (ja) * 2014-05-27 2019-06-19 日本電気硝子株式会社 ガラス
US9902644B2 (en) * 2014-06-19 2018-02-27 Corning Incorporated Aluminosilicate glasses
WO2016129254A1 (ja) * 2015-02-10 2016-08-18 日本板硝子株式会社 レーザ加工用ガラス及びそれを用いた孔付きガラスの製造方法
WO2018051793A1 (ja) * 2016-09-13 2018-03-22 旭硝子株式会社 高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板
JP7145147B2 (ja) * 2016-09-16 2022-09-30 コーニング インコーポレイテッド アルカリ土類酸化物を改質剤として含む高透過性ガラス
WO2019181707A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
WO2020100834A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01212754A (ja) * 1987-12-23 1989-08-25 Philips Gloeilampenfab:Nv シリカ、石英、ガラス又はサファイアーの基板の金属化方法
JP2010030848A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Ohara Inc ガラス
US20150051060A1 (en) * 2013-08-15 2015-02-19 Corning Incorporated Alkali-doped and alkali-free boroaluminosilicate glass
JP2017204527A (ja) * 2016-05-10 2017-11-16 凸版印刷株式会社 配線回路基板及びその製造方法

Cited By (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7415237B2 (ja) 2016-09-13 2024-01-17 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板
JP2022159373A (ja) * 2016-09-13 2022-10-17 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板と高周波デバイス用回路基板
US11594811B2 (en) 2018-03-20 2023-02-28 AGC Inc. Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device
US12071373B2 (en) 2018-03-20 2024-08-27 AGC Inc. Substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device
EP3770129A4 (en) * 2018-03-20 2021-12-29 Agc Inc. Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device
US11239549B2 (en) 2018-03-20 2022-02-01 AGC Inc. Glass substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device
WO2019181707A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 Ａｇｃ株式会社 ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
WO2019181706A1 (ja) * 2018-03-20 2019-09-26 Ａｇｃ株式会社 基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
EP3770128A4 (en) * 2018-03-20 2021-12-29 Agc Inc. Substrate, liquid crystal antenna and high-frequency device
JPWO2019181706A1 (ja) * 2018-03-20 2021-03-25 Ａｇｃ株式会社 基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
EP3569578A1 (de) 2018-05-18 2019-11-20 Schott Ag Verwendung eines flachglases in elektronischen bauteilen
US20190352213A1 (en) * 2018-05-18 2019-11-21 Schott Ag Use of a flat glass in electronic components
JP7522540B2 (ja) 2018-05-18 2024-07-25 ショット アクチエンゲゼルシャフト 電子部品における板ガラスの使用
CN110498604A (zh) * 2018-05-18 2019-11-26 肖特股份有限公司 平板玻璃在电子组件中的用途
JP2019199400A (ja) * 2018-05-18 2019-11-21 ショット アクチエンゲゼルシャフトＳｃｈｏｔｔ ＡＧ 電子部品における板ガラスの使用
WO2020004384A1 (ja) 2018-06-29 2020-01-02 Ａｇｃ株式会社 ガラス樹脂積層体、複合積層体、及びそれらの製造方法
US20210261456A1 (en) * 2018-11-14 2021-08-26 AGC Inc. Glass substrate for high frequency device, liquid crystal antenna and high frequency device
JPWO2020100834A1 (ja) * 2018-11-14 2021-09-27 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
JP7409316B2 (ja) 2018-11-14 2024-01-09 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
WO2020100834A1 (ja) * 2018-11-14 2020-05-22 Ａｇｃ株式会社 高周波デバイス用ガラス基板、液晶アンテナ及び高周波デバイス
US11629090B2 (en) * 2019-01-18 2023-04-18 Corning Incorporated Low dielectric loss glasses for electronic devices
US20210395134A1 (en) * 2019-01-18 2021-12-23 Corning Incorporated Low dielectric loss glasses for electronic devices
CN113544102A (zh) * 2019-03-08 2021-10-22 日本电气硝子株式会社 玻璃板
WO2020184175A1 (ja) * 2019-03-08 2020-09-17 日本電気硝子株式会社 ガラス板
JP7524895B2 (ja) 2019-04-12 2024-07-30 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス及びガラス板
CN113677637B (zh) * 2019-04-12 2023-08-22 Ａｇｃ株式会社 玻璃板和其制造方法
CN113677637A (zh) * 2019-04-12 2021-11-19 Ａｇｃ株式会社 玻璃板和其制造方法
EP3954663A4 (en) * 2019-04-12 2023-01-11 Agc Inc. ALKALI-FREE GLASS AND GLASS PLATE
KR20210151810A (ko) 2019-04-12 2021-12-14 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 유리판
CN113661148B (zh) * 2019-04-12 2023-09-29 Ａｇｃ株式会社 无碱玻璃和玻璃板
WO2020209271A1 (ja) 2019-04-12 2020-10-15 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラス及びガラス板
CN113661148A (zh) * 2019-04-12 2021-11-16 Ａｇｃ株式会社 无碱玻璃和玻璃板
US11840477B2 (en) 2019-06-21 2023-12-12 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass composition, glass fiber, glass cloth, and method for producing glass fiber
JP7370551B2 (ja) 2019-06-21 2023-10-30 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、ガラス繊維、ガラスクロス、及びガラス繊維の製造方法
JP7292634B2 (ja) 2019-06-21 2023-06-19 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、ガラス繊維、ガラスクロス、及びガラス繊維の製造方法
JPWO2020256142A1 (ja) * 2019-06-21 2020-12-24
JP2023052922A (ja) * 2019-06-21 2023-04-12 日本板硝子株式会社 ガラス組成物、ガラス繊維、ガラスクロス、及びガラス繊維の製造方法
US11773009B2 (en) 2019-06-21 2023-10-03 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass composition, glass fiber, glass cloth, and method for producing glass fiber
WO2021020241A1 (ja) * 2019-08-01 2021-02-04 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルム及びこれを用いたガラスロール
DE112021001158T5 (de) 2020-02-21 2022-12-22 Ps Japan Corporation Harzzusammensetzung auf Styrolbasis, flammhemmende Harzzusammensetzung auf Styrolbasis, Formkörper und Patch-Antenne
KR20230056017A (ko) 2020-08-27 2023-04-26 에이지씨 가부시키가이샤 무알칼리 유리 및 유리판
WO2022045226A1 (ja) 2020-08-27 2022-03-03 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラスおよびガラス板
WO2022054694A1 (ja) * 2020-09-08 2022-03-17 日本電気硝子株式会社 ガラス及びそれを用いた誘電特性の測定方法
KR102639162B1 (ko) 2021-11-25 2024-02-21 광주과학기술원 유전율이 낮은 산화물계 유리 조성물
KR20230077654A (ko) * 2021-11-25 2023-06-01 광주과학기술원 유전율이 낮은 산화물계 유리 조성물
WO2023105895A1 (ja) * 2021-12-08 2023-06-15 日本電気硝子株式会社 低熱膨張ガラス
WO2023162788A1 (ja) 2022-02-24 2023-08-31 Ａｇｃ株式会社 無アルカリガラスおよびガラス板
WO2024150715A1 (ja) * 2023-01-12 2024-07-18 日本電気硝子株式会社 低熱膨張部材

Also Published As

Publication number Publication date
CN112759255A (zh) 2021-05-07
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US20210163341A1 (en) 2021-06-03
JP6860056B2 (ja) 2021-04-14
CN116282901A (zh) 2023-06-23
CN116282904A (zh) 2023-06-23
TWI838602B (zh) 2024-04-11
TWI838331B (zh) 2024-04-11
US20200123043A1 (en) 2020-04-23
US10974987B2 (en) 2021-04-13
TW202400533A (zh) 2024-01-01
JP7120341B2 (ja) 2022-08-17
JP7415237B2 (ja) 2024-01-17

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