JPH09142876A - 高周波用低誘電率ガラス組成物 - Google Patents
高周波用低誘電率ガラス組成物Info
- Publication number
- JPH09142876A JPH09142876A JP24438296A JP24438296A JPH09142876A JP H09142876 A JPH09142876 A JP H09142876A JP 24438296 A JP24438296 A JP 24438296A JP 24438296 A JP24438296 A JP 24438296A JP H09142876 A JPH09142876 A JP H09142876A
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- glass
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高温時の耐久性に優れ、高周波回路を含む電
子機器の高密度化、高速信号化に対応するすることがで
きる、低誘電率の電気絶縁材料を提供する。 【解決手段】 電気絶縁材料として、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ 2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にある、ガラス組成物を用い
る。このガラス組成物は、低誘電率であり、高い絶縁性
を有するとともに、絶縁層形成などの加工性に優れてい
る。また、溶融温度およびガラス軟化点を下げるため、
Ａｓ2Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3 、またはＮａ2 Ｓ
Ｏ4 が微量添加されてもよい。
子機器の高密度化、高速信号化に対応するすることがで
きる、低誘電率の電気絶縁材料を提供する。 【解決手段】 電気絶縁材料として、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ 2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にある、ガラス組成物を用い
る。このガラス組成物は、低誘電率であり、高い絶縁性
を有するとともに、絶縁層形成などの加工性に優れてい
る。また、溶融温度およびガラス軟化点を下げるため、
Ａｓ2Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3 、またはＮａ2 Ｓ
Ｏ4 が微量添加されてもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波回路に関
連して電気絶縁材料として用いられる低誘電率ガラス組
成物に関するものである。
連して電気絶縁材料として用いられる低誘電率ガラス組
成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の高密度化および／または高速
信号化に伴い、これら電子機器に備える高周波回路に関
連して用いられる電気絶縁材料は、低誘電率であること
が求められている。このような高周波の分野における絶
縁材料の用途としては、たとえば、アルミナなどの絶縁
基板の表面上に絶縁層を形成するための用途があり、こ
の絶縁層上に所望の回路パターンが形成される。
信号化に伴い、これら電子機器に備える高周波回路に関
連して用いられる電気絶縁材料は、低誘電率であること
が求められている。このような高周波の分野における絶
縁材料の用途としては、たとえば、アルミナなどの絶縁
基板の表面上に絶縁層を形成するための用途があり、こ
の絶縁層上に所望の回路パターンが形成される。
【０００３】従来、このような低誘電率を必要とする絶
縁層には、エポキシ系の樹脂系材料が用いられることが
多い。
縁層には、エポキシ系の樹脂系材料が用いられることが
多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂系
の絶縁材料は、高温時の耐久性が劣るという欠点を有し
ている。そこで、この発明の目的は、高温時の耐久性に
優れ、かつ低誘電率化の要望にも応え得る、電気絶縁材
料を提供しようとすることである。
の絶縁材料は、高温時の耐久性が劣るという欠点を有し
ている。そこで、この発明の目的は、高温時の耐久性に
優れ、かつ低誘電率化の要望にも応え得る、電気絶縁材
料を提供しようとすることである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明では、樹脂系の
絶縁材料に代えて、高周波用の低誘電率のガラス組成物
が提供される。このガラス組成物は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にあることを特徴としてい
る。
絶縁材料に代えて、高周波用の低誘電率のガラス組成物
が提供される。このガラス組成物は、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ
3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方とを含み、これらＳｉ
Ｏ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ
2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、添付の図１に示す３元組成図にお
いて、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ（６５，２０，１
５）、点Ｃ（８５，０，１５）および点Ｄ（８５，１
５，０）で囲まれた領域内にあることを特徴としてい
る。
【０００６】
【発明の効果】この発明によれば、ガラス組成物である
ので、樹脂系材料に比べて、高温時の耐久性に優れた材
料とすることができる。また、後述する実施例からわか
るように、この発明に係るガラス組成物は、低誘電率で
あり、また、湿中負荷試験での信頼性も高い。また、ガ
ラス軟化点が１０５０℃以下というように比較的低く、
それゆえ、このガラス組成物の粉末も１０５０℃以下の
比較的低温で焼結するため、たとえばアルミナ、セラミ
ック多層基板、誘電体基板などの絶縁基板上の電気絶縁
層の形成などの加工を容易にかつ低コストで行なうこと
ができる。
ので、樹脂系材料に比べて、高温時の耐久性に優れた材
料とすることができる。また、後述する実施例からわか
るように、この発明に係るガラス組成物は、低誘電率で
あり、また、湿中負荷試験での信頼性も高い。また、ガ
ラス軟化点が１０５０℃以下というように比較的低く、
それゆえ、このガラス組成物の粉末も１０５０℃以下の
比較的低温で焼結するため、たとえばアルミナ、セラミ
ック多層基板、誘電体基板などの絶縁基板上の電気絶縁
層の形成などの加工を容易にかつ低コストで行なうこと
ができる。
【０００７】したがって、この発明に係る高周波用低誘
電率ガラス組成物は、高密度化および／または高速信号
化された電子機器に備える高周波回路に関連して用いら
れる絶縁層のような絶縁用部材のための絶縁材料とし
て、有利に用いることができる。この発明において、好
ましくは、前述したＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分に対して、Ａｓ2 Ｏ3 、
Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3およびＮａ2 ＳＯ4 からなる群
から選ばれた少なくとも一種の清澄剤が２wt％以下の割
合で添加される。このような清澄剤の添加により、溶融
温度およびガラス軟化点を低くすることができる。ま
た、このガラス組成物は比較的低い温度で溶融するた
め、その製造に際して溶融工程で用いられる、たとえば
白金るつぼ等の溶融用の容器の耐用期間を長くすること
ができる。
電率ガラス組成物は、高密度化および／または高速信号
化された電子機器に備える高周波回路に関連して用いら
れる絶縁層のような絶縁用部材のための絶縁材料とし
て、有利に用いることができる。この発明において、好
ましくは、前述したＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分に対して、Ａｓ2 Ｏ3 、
Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3およびＮａ2 ＳＯ4 からなる群
から選ばれた少なくとも一種の清澄剤が２wt％以下の割
合で添加される。このような清澄剤の添加により、溶融
温度およびガラス軟化点を低くすることができる。ま
た、このガラス組成物は比較的低い温度で溶融するた
め、その製造に際して溶融工程で用いられる、たとえば
白金るつぼ等の溶融用の容器の耐用期間を長くすること
ができる。
【０００８】
【実施例】ガラス成分の出発原料として、ＳｉＯ2 、Ｂ
2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ａｓ2 Ｏ3、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2
Ｏ3 、およびＮａ2 ＳＯ4 をそれぞれ準備し、これらを
以下の表１に示す重量組成比を有するガラス組成となる
ように混合した後、得られた各混合物を同じく表１に示
す１５００℃〜１７５０℃の範囲の各溶融温度下でそれ
ぞれ溶融させて溶融ガラスを作製した。なお、表１に示
した溶融温度は、各混合物が溶融するであろう温度を予
め想定し、その温度で溶融させたことを意味しており、
ガラス自体の溶融温度そのものの値ではなく、言わば、
溶融可能温度とでも言うべきものである。
2 Ｏ3 、Ｋ2 ＣＯ3 、Ａｓ2 Ｏ3、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2
Ｏ3 、およびＮａ2 ＳＯ4 をそれぞれ準備し、これらを
以下の表１に示す重量組成比を有するガラス組成となる
ように混合した後、得られた各混合物を同じく表１に示
す１５００℃〜１７５０℃の範囲の各溶融温度下でそれ
ぞれ溶融させて溶融ガラスを作製した。なお、表１に示
した溶融温度は、各混合物が溶融するであろう温度を予
め想定し、その温度で溶融させたことを意味しており、
ガラス自体の溶融温度そのものの値ではなく、言わば、
溶融可能温度とでも言うべきものである。
【０００９】その後、上述の各溶融ガラスを型に鋳込
み、バルクを形成し、これらバルクに焼き鈍しを行な
い、歪みを除去した。そして、これらバルクを所望の形
状に切り出し、所定の物理特性を測定するための試料と
した。まず、表１には、各試料について測定したガラス
軟化点が示されている。
み、バルクを形成し、これらバルクに焼き鈍しを行な
い、歪みを除去した。そして、これらバルクを所望の形
状に切り出し、所定の物理特性を測定するための試料と
した。まず、表１には、各試料について測定したガラス
軟化点が示されている。
【００１０】
【表１】
【００１１】また、各試料について、誘電特性および湿
中負荷絶縁特性を評価した。すなわち、温度２５℃にお
いて、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件、および
接動法により周波数３ＧＨｚの条件で、静電容量および
誘電損失（tan δ）を測定し、得られた静電容量とコン
デンサの寸法から比誘電率（εr ）を算出した。また、
８５℃、８５％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００
時間印加した後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁
抵抗（ＩＲ）を測定した。また、試料ガラスの微粉化を
行なった後、成形し、１０５０℃以下の温度で焼結可能
かどうかを調査した。
中負荷絶縁特性を評価した。すなわち、温度２５℃にお
いて、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件、および
接動法により周波数３ＧＨｚの条件で、静電容量および
誘電損失（tan δ）を測定し、得られた静電容量とコン
デンサの寸法から比誘電率（εr ）を算出した。また、
８５℃、８５％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００
時間印加した後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁
抵抗（ＩＲ）を測定した。また、試料ガラスの微粉化を
行なった後、成形し、１０５０℃以下の温度で焼結可能
かどうかを調査した。
【００１２】これら比誘電率（εr ）、誘電損失（tan
δ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、および焼結可否が、それぞ
れ、以下の表２に示されている。
δ）、絶縁抵抗（ＩＲ）、および焼結可否が、それぞ
れ、以下の表２に示されている。
【００１３】
【表２】
【００１４】これら表１および表２に示した種々の特性
に基づき決定されたＳｉＯ2 、Ｂ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
好ましい組成範囲が図１に示されている。この発明に係
る高周波用低誘電率ガラス組成物は、表１に示すよう
に、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量
組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図１に示す
３元組成図において、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ
（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，０，１５）および
点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領域内にあるものと
される。
に基づき決定されたＳｉＯ2 、Ｂ2Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
好ましい組成範囲が図１に示されている。この発明に係
る高周波用低誘電率ガラス組成物は、表１に示すよう
に、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なくとも一方
とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2 Ｏとの重量
組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ2 Ｏ）が、図１に示す
３元組成図において、点Ａ（６５，３５，０）、点Ｂ
（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，０，１５）および
点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領域内にあるものと
される。
【００１５】表１および表２において、試料１〜１１
は、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2Ｏ3 、Ｎａ2 ＳＯ
4 のような清澄剤を含まないものである。これら試料１
〜１１のうち、試料２〜９がこの発明の範囲内のもの
で、試料１、１０および１１はこの発明の範囲外のもの
である。試料１は、図１における領域Ｘに属している。
また、試料１０は、図１における領域Ｙに属している。
試料１１は、領域Ｚに属している。
は、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2Ｏ3 、Ｎａ2 ＳＯ
4 のような清澄剤を含まないものである。これら試料１
〜１１のうち、試料２〜９がこの発明の範囲内のもの
で、試料１、１０および１１はこの発明の範囲外のもの
である。試料１は、図１における領域Ｘに属している。
また、試料１０は、図１における領域Ｙに属している。
試料１１は、領域Ｚに属している。
【００１６】この発明の範囲外である領域Ｘでは、表２
に示した試料１の絶縁抵抗からわかるように、絶縁抵抗
が１×１０10Ω未満（log ＩＲ＜１０）と低く、湿中負
荷信頼性が劣っている。また、領域Ｙでは、表２に示し
た試料１０の比誘電率からわかるように、比誘電率が
７．１と高く、好ましくない。また、領域Ｚでは、表１
に示した試料１１のガラス軟化点および表２に示した焼
結可否からわかるように、ガラス軟化点が１０５０℃を
超え、１０５０℃で焼成しても焼結しないため、加工性
が悪い。
に示した試料１の絶縁抵抗からわかるように、絶縁抵抗
が１×１０10Ω未満（log ＩＲ＜１０）と低く、湿中負
荷信頼性が劣っている。また、領域Ｙでは、表２に示し
た試料１０の比誘電率からわかるように、比誘電率が
７．１と高く、好ましくない。また、領域Ｚでは、表１
に示した試料１１のガラス軟化点および表２に示した焼
結可否からわかるように、ガラス軟化点が１０５０℃を
超え、１０５０℃で焼成しても焼結しないため、加工性
が悪い。
【００１７】表１および表２において、試料１２〜１６
は、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ 2 Ｏ3 、またはＮａ
2 ＳＯ4 が、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なく
とも一方とからなるガラス成分に対して２wt％の割合で
添加されたものである。より詳細には、試料１２〜１５
は、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏについては試料７
と同じ組成比を有し、この試料７のガラス組成に対し
て、試料１２ではＡｓ2Ｏ3 が、試料１３ではＡｓ2 Ｏ
5 が、試料１４ではＳｂ2 Ｏ3 が、および、試料１５で
はＮａ2 ＳＯ4 が、それぞれ、２wt％添加されたもので
ある。また、試料１６は、ＳｉＯ2 およびＫ2 Ｏについ
ては試料３と同じ組成比を有し、この試料３のガラス組
成に対してＮａ2 ＳＯ4 が２wt％添加されたものであ
る。
は、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ 2 Ｏ3 、またはＮａ
2 ＳＯ4 が、ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少なく
とも一方とからなるガラス成分に対して２wt％の割合で
添加されたものである。より詳細には、試料１２〜１５
は、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏについては試料７
と同じ組成比を有し、この試料７のガラス組成に対し
て、試料１２ではＡｓ2Ｏ3 が、試料１３ではＡｓ2 Ｏ
5 が、試料１４ではＳｂ2 Ｏ3 が、および、試料１５で
はＮａ2 ＳＯ4 が、それぞれ、２wt％添加されたもので
ある。また、試料１６は、ＳｉＯ2 およびＫ2 Ｏについ
ては試料３と同じ組成比を有し、この試料３のガラス組
成に対してＮａ2 ＳＯ4 が２wt％添加されたものであ
る。
【００１８】したがって、試料１２〜１５と試料７とを
比較し、また、試料１６と試料３とを比較すればわかる
ように、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3 、または
Ｎａ 2 ＳＯ4 が２wt％以下の割合で添加されることによ
り、表１に示した溶融温度およびガラス軟化点をともに
より低くすることができる。
比較し、また、試料１６と試料３とを比較すればわかる
ように、Ａｓ2 Ｏ3 、Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3 、または
Ｎａ 2 ＳＯ4 が２wt％以下の割合で添加されることによ
り、表１に示した溶融温度およびガラス軟化点をともに
より低くすることができる。
【図１】この発明に係る高周波用低誘電率ガラス組成物
の重量組成範囲を示す３元組成図である。
の重量組成範囲を示す３元組成図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年１月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】また、各試料について、誘電特性および湿
中負荷絶縁特性を評価した。すなわち、温度２５℃にお
いて、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件で、静電
容量および誘電損失（tan δ）を測定し、得られた静電
容量とコンデンサの寸法から比誘電率（εr ）を算出し
た。また、接動法により周波数３ＧＨｚの条件で静電容
量を測定し、比誘電率を算出した。また、８５℃、８５
％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００時間印加した
後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁抵抗（ＩＲ）
を測定した。また、試料ガラスの微粉化を行なった後、
成形し、１０５０℃以下の温度で焼結可能かどうかを調
査した。
中負荷絶縁特性を評価した。すなわち、温度２５℃にお
いて、周波数１ＭＨｚ、電圧１Ｖｒｍｓの条件で、静電
容量および誘電損失（tan δ）を測定し、得られた静電
容量とコンデンサの寸法から比誘電率（εr ）を算出し
た。また、接動法により周波数３ＧＨｚの条件で静電容
量を測定し、比誘電率を算出した。また、８５℃、８５
％ＲＨの条件下で５０Ｖの電圧を１０００時間印加した
後、直流１００Ｖを１分間印加して、絶縁抵抗（ＩＲ）
を測定した。また、試料ガラスの微粉化を行なった後、
成形し、１０５０℃以下の温度で焼結可能かどうかを調
査した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【表２】
Claims (2)
- 【請求項１】 ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの少な
くとも一方とを含み、これらＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 とＫ2
Ｏとの重量組成比（ＳｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，Ｋ 2 Ｏ）が、
添付の図１に示す３元組成図において、点Ａ（６５，３
５，０）、点Ｂ（６５，２０，１５）、点Ｃ（８５，
０，１５）および点Ｄ（８５，１５，０）で囲まれた領
域内にある、高周波用低誘電率ガラス組成物。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 およびＫ2 Ｏの
少なくとも一方とを含む主成分に対して、Ａｓ2 Ｏ3 、
Ａｓ2 Ｏ5 、Ｓｂ2 Ｏ3 およびＮａ2 ＳＯ4からなる群
から選ばれた少なくとも一種の清澄剤を２wt％以下の割
合でさらに含む、請求項１に記載の高周波用低誘電率ガ
ラス組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24438296A JPH09142876A (ja) | 1995-09-22 | 1996-09-17 | 高周波用低誘電率ガラス組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24402395 | 1995-09-22 | ||
| JP7-244023 | 1995-09-22 | ||
| JP24438296A JPH09142876A (ja) | 1995-09-22 | 1996-09-17 | 高周波用低誘電率ガラス組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09142876A true JPH09142876A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=26536537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24438296A Pending JPH09142876A (ja) | 1995-09-22 | 1996-09-17 | 高周波用低誘電率ガラス組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09142876A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153927A (ja) * | 2002-05-23 | 2010-07-08 | Schott Ag | 高周波用途のためのガラス材料 |
| CN112759255A (zh) * | 2016-09-13 | 2021-05-07 | Ａｇｃ株式会社 | 高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板 |
-
1996
- 1996-09-17 JP JP24438296A patent/JPH09142876A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010153927A (ja) * | 2002-05-23 | 2010-07-08 | Schott Ag | 高周波用途のためのガラス材料 |
| CN112759255A (zh) * | 2016-09-13 | 2021-05-07 | Ａｇｃ株式会社 | 高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板 |
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