WO2017134700A1 - ポジ型感光性樹脂組成物 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a positive photosensitive resin composition, a method for producing a cured pattern film using the same, a cured film obtained from the positive photosensitive resin composition, an interlayer insulating film using the cured film, a cover coat layer, or The present invention relates to a surface protective film and an electronic component having the same.
  • polyimide having excellent heat resistance, electrical characteristics, mechanical characteristics, and the like has been used for the surface protective film and the interlayer insulating film of the semiconductor element.
  • a photosensitive polyimide having a photosensitive property imparted to the polyimide itself has been used, and if this is used, the manufacturing process of the pattern cured film can be simplified and the complicated manufacturing process can be shortened.
  • multi-die fanout wafer level packaging (Multi-die Fanout Wafer Level Packaging) is a package that is manufactured by encapsulating multiple dies in one package and has been proposed in the past.
  • the fan-out wafer level package, in which one die is encapsulated in one package, is attracting much attention because it can be expected to reduce costs and improve performance.
  • An object of the present invention is to provide a positive photosensitive resin composition having excellent adhesion to various substrates such as a Si substrate even when cured at a low temperature of 200 ° C. or lower. Further, a method for producing a cured pattern film using the positive photosensitive resin composition, a cured film obtained from the positive photosensitive resin composition, an interlayer insulating film, a cover coat layer, or a surface protective film using the cured film And an electronic component having the same.
  • the inventors of the present invention evaluated adhesiveness by curing a photosensitive resin composition using crosslinking agents having different numbers of functional groups at 200 ° C.
  • the photosensitive resin composition in which a cross-linking agent that has been widely used in the past is combined with a polybenzoxazole precursor has low reactivity with the polybenzoxazole precursor, and can be applied to a Si substrate after being cured at 200 ° C. It was found that the adhesion was low. Furthermore, it was found that the crosslinking agent having low reactivity remains in the film in an unreacted state after curing, and decreases the adhesiveness after the pressure cooker test (PCT test).
  • the present inventors have cured a resin composition at a low temperature of 200 ° C. or lower by combining a highly reactive crosslinking agent with a polybenzoxazole precursor. Even so, it has been found that it exhibits excellent adhesion to various substrates.
  • the following positive photosensitive resin composition and the like are provided. 1.
  • each R 1 is independently a hydrogen atom or a group represented by —CH 2 —O—R 2. At least one of the plurality of R 1 is —CH 2 —O—R. And each R 2 independently represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.) 2.
  • the positive photosensitive resin composition according to 1, comprising 5 parts by mass or more of the component (b) with respect to 100 parts by mass of the component (a). 3.
  • the present invention it is possible to provide a positive photosensitive resin composition having excellent adhesion to various substrates such as a Si substrate even when cured at a low temperature of 200 ° C. or lower.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention a method for producing a patterned cured film using the same, a cured film obtained from the positive photosensitive resin composition, an interlayer insulating film using the patterned cured film, a cover
  • An embodiment of a coat layer or a surface protective film and an electronic component having the same will be described in detail.
  • the present invention is not limited to the following embodiments.
  • a or B only needs to include either A or B, and may include both.
  • the material illustrated below may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.
  • the content of each component in the composition is the sum of the plurality of substances present in the composition unless there is a specific indication when there are a plurality of substances corresponding to each component in the composition. Means quantity.
  • the term “process” is not limited to an independent process, and is included in the term if the intended action of the process is achieved even when it cannot be clearly distinguished from other processes. .
  • the numerical range indicated by using “to” indicates a range including the numerical values described before and after “to” as the minimum value and the maximum value, respectively.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention contains (a) a polybenzoxazole precursor, (b) a crosslinking agent, (c) a photosensitive agent, and (d) a solvent.
  • these components may be simply referred to as (a) component, (b) component, (c) component, and (d) component.
  • each component will be described.
  • the component (a) component includes a structural unit represented by the following formula (1).
  • U is a divalent organic group, single bond, —O— or —SO 2 —
  • V is a group containing an aliphatic structure, and the aliphatic structure has 1 to 30 carbon atoms. It is. With such a structure, the transmittance of i-line, which is a light source used during patterning, is increased.
  • the divalent organic group of U is preferably a group containing an aliphatic structure having 1 to 30 carbon atoms, and more preferably a group containing an aliphatic chain structure having 2 to 30 carbon atoms.
  • the divalent organic group of U is preferably a group including a structure represented by the following formula (UV1).
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a fluorinated alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and a is 1 to 30 It is an integer.
  • R 1 and R 2 include a methyl group and a trifluoromethyl group, and a trifluoromethyl group is preferable from the viewpoint of transparency of the polybenzoxazole precursor.
  • a is preferably an integer of 1 to 5.
  • Examples of the group containing an aliphatic structure of V include structures derived from dicarboxylic acids.
  • Examples of the raw material dicarboxylic acid include dodecanedioic acid, decanedioic acid, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis ( p-carboxyphenyl) propane, 5-tert-butylisophthalic acid and the like, and examples of V include groups obtained by removing two carboxy groups from these.
  • the polybenzoxazole precursor of component (a) may have a structural unit other than the structural unit represented by the formula (1) in part.
  • the proportion of the structural unit represented by the formula (1) is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol% or more in all the structural units.
  • structural units other than the structural unit represented by formula (1) include those in which V is a skeleton derived from a diphenyl ether compound.
  • the polybenzoxazole precursor is usually developed with an aqueous alkaline solution, it is preferably soluble in the aqueous alkaline solution.
  • the alkaline aqueous solution include an organic ammonium aqueous solution such as a tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution, a metal hydroxide aqueous solution, and an organic amine aqueous solution.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • the component (a) is preferably soluble in the TMAH aqueous solution.
  • the molecular weight of the polybenzoxazole precursor as the component (a) is preferably 10,000 to 100,000, more preferably 15,000 to 100,000, in terms of polystyrene. More preferably, it is from 5,000 to 85,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, the solubility in an alkali developer may be too high. If the weight average molecular weight is more than 100,000, the solubility in a solvent may be reduced, or the viscosity of the solution may increase. There is a risk that the handleability may deteriorate.
  • the weight average molecular weight can be measured by gel permeation chromatography and can be determined by conversion using a standard polystyrene calibration curve. Further, the dispersity obtained by dividing the weight average molecular weight by the number average molecular weight is preferably 1 to 4, and more preferably 1 to 3.
  • each R 1 is independently a hydrogen atom or a group represented by —CH 2 —O—R 2 . At least one of the plurality of R 1 is a group represented by —CH 2 —O—R 2 .
  • Each R 2 is independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.
  • the component (b) crosslinking agent reacts with the polybenzoxazole precursor even at a relatively low temperature in the step of heat-treating the pattern resin film after applying, exposing and developing the positive photosensitive resin composition. (Crosslinking reaction) or the crosslinking agent itself polymerizes. Thereby, even if it is a case where a resin composition is hardened
  • R 1 to a part may be a -CH 2 -O-R 2, all may be -CH 2 -O-R 2.
  • all R 1 are —CH 2 —O—R 2 .
  • the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms of R 2 include a methyl group, an ethyl group, and a butyl group.
  • the blending amount of the component (b) is preferably 1 part by mass or more, more preferably 1 to 40 parts by mass, and further preferably 10 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (a).
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention contains a photosensitizer as the component (c) together with the polybenzoxazole precursor which is the component (a).
  • the photosensitive agent is a compound that generates an acid upon irradiation with actinic rays, and has a function of increasing the solubility of the irradiated portion in an alkaline aqueous solution.
  • Examples of the photosensitizer include diazonaphthoquinone compounds, aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts and the like. Among them, diazonaphthoquinone compounds are preferable because of their high sensitivity.
  • a diazonaphthoquinone compound is a compound having a diazonaphthoquinone structure.
  • the diazonaphthoquinone compound can be obtained, for example, by subjecting o-quinonediazidosulfonyl chlorides to a hydroxy compound, an amino compound or the like in the presence of a dehydrochlorinating agent.
  • Examples of o-quinonediazide sulfonyl chlorides include 1,2-benzoquinone-2-diazide-4-sulfonyl chloride, 1,2-naphthoquinone-2-diazide-5-sulfonyl chloride, and 1,2-naphthoquinone-2-diazide.
  • -4-sulfonyl chloride and the like can be used.
  • hydroxy compound examples include hydroquinone, resorcinol, pyrogallol, bisphenol A, bis (4-hydroxyphenyl) methane, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,3,4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,2 ′, 4,4′-tetrahydroxybenzophenone, 2,3,4,2 ′, 3′-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,3 ', 4', 5'-hexahydroxybenzophenone, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) methane, bis (2,3,4-trihydroxyphenyl) propane, 4b, 5,9b, 10-tetrahydro- 1,3,6,8-tetrahydroxy-5,10-dimethylindeno [2,1 a] indene, tris (4-hydroxyphenyl) methane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane and the like can be used.
  • amino compounds include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-diaminodiphenylsulfone, and 4,4′-diaminodiphenyl sulfide.
  • the amount of component (c) is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of component (a) in order to improve the sensitivity and resolution during exposure.
  • the amount is more preferably 1 to 20 parts by mass, and further preferably 0.5 to 20 parts by mass.
  • component (d) component: solvent As component (d), ⁇ -butyrolactone, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, benzyl acetate, n-butyl acetate, ethoxyethyl propionate, 3-methylmethoxypropionate, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, hexamethylphosphorylamide, tetramethylene sulfone, cyclohexanone, cyclopentanone, diethyl ketone, diisobutyl ketone, methyl amyl ketone and the like can be mentioned.
  • the content of the component (d) is not particularly limited, but is preferably 50 to 400 parts by weight, more preferably 100 to 300 parts by weight, and still more preferably 150 to 250 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (a).
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention may contain a known coupling agent other than the component (c), a dissolution accelerator, a dissolution inhibitor, a surfactant, a leveling agent, and the like, if necessary. .
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention may consist essentially of components (a), (b), (c) and (d) (consisting essentially of).
  • 80% by mass or more and 100% by mass or less (preferably 90% by mass or more and 100% by mass or less) of the positive photosensitive resin composition of the present invention may be the above component, or 95% by mass of the composition.
  • % To 100% by mass and 98% by mass to 100% by mass may be the above components.
  • the positive photosensitive resin composition of the present invention may consist only of the components (a), (b), (c) and (d) (consisting of). In this case, inevitable impurities may be included.
  • the method for producing a cured pattern film of the present invention includes a step of applying the above-described positive photosensitive resin composition onto a substrate and drying to form a photosensitive resin film, and exposing the photosensitive resin film to a predetermined pattern.
  • the process includes a step of developing the exposed resin film using an alkaline aqueous solution to form a pattern resin film, and a step of heat-treating the pattern resin film.
  • each step will be described.
  • a positive photosensitive resin composition is applied onto a substrate and dried to form a photosensitive resin film.
  • the substrate include glass, semiconductors, metal oxide insulators such as TiO 2 and SiO 2 , silicon nitride, copper, and copper alloys.
  • Drying can be performed using a hot plate, an oven, or the like.
  • the heating temperature is preferably 100 to 150 ° C.
  • the heating time is preferably 30 seconds to 5 minutes. Thereby, the photosensitive resin film which formed the positive photosensitive resin composition in the film form can be obtained.
  • the film thickness of the photosensitive resin film is preferably 5 to 100 ⁇ m, more preferably 8 to 50 ⁇ m, and even more preferably 10 to 30 ⁇ m.
  • the photosensitive resin film is exposed to a predetermined pattern through a mask.
  • the actinic rays to be irradiated include ultraviolet rays including i rays, visible rays, and radiation, and i rays are preferable.
  • a parallel exposure machine, a projection exposure machine, a stepper, a scanner exposure machine, or the like can be used as the exposure apparatus.
  • a patterned resin film By developing the resin film that has undergone the exposure process, a patterned resin film (pattern resin film) can be obtained.
  • a positive photosensitive resin composition is used, the exposed portion is removed with a developer.
  • An aqueous alkali solution can be used as the developer, and examples of the aqueous alkali solution include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium silicate, ammonia, ethylamine, diethylamine, triethylamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, and the like. Tetramethylammonium hydroxide is preferred.
  • the concentration of the aqueous alkaline solution is preferably 0.1 to 10% by mass.
  • the development time varies depending on the type of polybenzoxazole precursor to be used, but is preferably 10 seconds to 15 minutes, more preferably 10 seconds to 5 minutes, and further preferably 30 seconds to 4 minutes from the viewpoint of productivity.
  • Alcohols or surfactants may be added to the developer.
  • the addition amount is preferably 0.01 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the developer.
  • the heating temperature is preferably 250 ° C. or lower, more preferably 120 to 250 ° C., and further preferably 160 to 230 ° C. By being within this range, damage to the substrate and the device can be suppressed, the device can be produced with a high yield, and energy saving of the process can be realized. If the positive photosensitive resin composition of this invention is used, the cured film which is excellent in adhesiveness with respect to a various board
  • the heating time is preferably 5 hours or less, more preferably 30 minutes to 3 hours. By being within this range, the crosslinking reaction or dehydration ring-closing reaction can sufficiently proceed.
  • the atmosphere for the heat treatment may be in the air or in an inert atmosphere such as nitrogen. From the viewpoint of preventing the pattern resin film from being oxidized, a nitrogen atmosphere is preferable.
  • Examples of the apparatus used in the heat treatment step include a quartz tube furnace, a hot plate, rapid thermal annealing, a vertical diffusion furnace, an infrared curing furnace, an electron beam curing furnace, and a microwave curing furnace.
  • FIG. 1 to 7 are schematic cross-sectional views for explaining a manufacturing process of a fan-out package having a multilayer wiring structure, and represent a series of processes from the first process to the seventh process.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view of a fan-out package having a UBM (Under Bump Metal) free structure.
  • UBM Under Bump Metal
  • a semiconductor substrate 1 such as a Si substrate having a circuit element (not shown) is covered with a protective film 2 such as a silicon oxide film except for a predetermined portion of the circuit element, and the first circuit element is exposed on the first circuit element.
  • a conductor layer 3 is formed.
  • a film of polyimide resin or the like is formed thereon as the interlayer insulating film 4 by a spin coat method or the like (first step, FIG. 1).
  • a photosensitive resin layer 5 such as chlorinated rubber or phenol novolac is formed on the interlayer insulating film 4 by a spin coating method, and a predetermined portion of the interlayer insulating film 4 is exposed by a known method using this as a mask.
  • a window 6A is provided (second step, FIG. 2).
  • the interlayer insulating film 4 exposed in the window 6A is selectively etched by dry etching means using a gas such as oxygen or carbon tetrafluoride to form the window 6B.
  • the photosensitive resin layer 5 is completely removed using an etching solution that corrodes only the photosensitive resin layer 5 without corroding the first conductor layer 3 exposed from the window 6B (third step). FIG. 3).
  • the second conductor layer 7 is formed using a known method, and electrical connection with the first conductor layer 3 is performed (fourth step, FIG. 4).
  • the above steps are repeated to form each layer.
  • the surface protective film 8 is formed as follows using the positive photosensitive resin composition of the present invention. That is, the resin composition of the present invention is applied and dried by a spin coating method, irradiated with light from a mask on which a pattern for forming a window 6C is formed at a predetermined portion, and then developed with an alkaline aqueous solution to form a patterned resin film. Form. Thereafter, the patterned resin film is heated to form a polybenzoxazole pattern cured film, that is, a surface protective film 8 (fifth step, FIG. 5).
  • the surface protective film 8 (polybenzoxazole pattern cured film) has a function of protecting the conductor layer from external stress, ⁇ -rays, and the like.
  • a plating resist is formed in accordance with the window 6C using a known method, and the exposed metal thin film portion is plated by UBM.
  • a metal layer 9 called (Under Bump Metal) is deposited. Then, the plating resist is peeled off, and the metal foil film other than the formation region of the metal layer 9 is removed by etching to form a UBM (sixth step, FIG. 6). Further, external connection terminals 10 called bumps are formed on the surface of the metal layer 9 (seventh step, FIG. 7).
  • the metal layer 9 is formed for the purpose of relieving the stress acting on the bump 10 and improving the electrical connection reliability.
  • UBM-free structure in which the bumps 10 are directly formed after the windows 6C are formed in the surface protective film 8 has been proposed in order to omit the process of forming the metal layer 9 (UBM).
  • UBM-free structure it is preferable to form the second conductor layer 7 connected to the bumps 10 to be thicker than usual in order to suppress an increase in electrical resistance due to the generation of intermetallic compounds.
  • the electronic component of the present invention has a cured film obtained from the positive photosensitive resin composition of the present invention. Specifically, it can have the pattern cured film obtained by the manufacturing method of said pattern cured film.
  • the cured film can be used as a surface protective film of an electronic component, a cover coat layer, an interlayer insulating film, an interlayer insulating film of a multilayer wiring board, or the like.
  • electronic components include semiconductor devices, multilayer wiring boards, and various electronic devices.
  • the semiconductor device described above is an embodiment of the electronic component of the present invention, but is not limited to the above, and can have various structures.
  • polystyrene conversion The above solution was poured into 3 liters of water, and the precipitate was collected, washed with pure water three times, and then reduced in pressure to obtain polyhydroxyamide (polybenzoxazole precursor) (hereinafter referred to as polymer I and To do).
  • the weight average molecular weight of the polymer I was 33,100, and the degree of dispersion was 2.0.
  • the weight average molecular weight was calculated
  • Measuring device Detector L4000 manufactured by Hitachi, Ltd.
  • UV pump L6000 manufactured by Hitachi, Ltd.
  • Synthesis example 2 Except that 10.69 g (40 mmol) of dodecanedioic acid dichloride used in Synthesis Example 1 was replaced with 7.48 g (28 mmol) of decanedioic acid dichloride and 3.56 g (12 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid dichloride. Synthesis was performed in the same manner as in Synthesis Example 1 to obtain polyhydroxyamide (hereinafter referred to as polymer II). Polymer II had a weight average molecular weight of 41,800 and a dispersity of 2.0.
  • Synthesis example 3 A 0.2 liter flask equipped with a stirrer and a thermometer was charged with 60 g of N-methylpyrrolidone, and 13.92 g (38 mmol) of 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane was added. Added and stirred to dissolve. Subsequently, while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C., 11.86 g (40 mmol) of 4,4′-diphenyl ether dicarboxylic acid dichloride was added dropwise over 10 minutes, and then the temperature was returned to room temperature and the solution in the flask was stirred for 3 hours.
  • Polymer III had a weight average molecular weight of 22,400 and a dispersity of 3.2.
  • Examples 1 to 10, Comparative Examples 1 to 5 Preparation of photosensitive resin composition
  • Each component was mixed with the component and the compounding quantity shown in Table 1, and the photosensitive resin composition was prepared.
  • the compounding quantity shown in Table 1 is the mass part of each component with respect to 100 mass parts of (a) component.
  • the components used in Examples 1 to 10 and Comparative Examples 1 to 5 are as follows.
  • C-1 a compound having the following structure (product name “TPPA428” manufactured by Daito Chemix Co., Ltd.)
  • C-2 Compound having the following structure (trade name “TPPA528” manufactured by Daito Chemix Co., Ltd.)
  • the obtained photosensitive resin composition was spin-coated on a Si substrate and a Cu substrate to form a coating film having a dry film thickness of 7 to 12 ⁇ m.
  • the obtained resin film-coated substrate was heated at 100 ° C. for 30 minutes in a nitrogen atmosphere using a vertical diffusion furnace ⁇ -TF (manufactured by Koyo Thermo System Co., Ltd.), and further at 175 ° C. or 200 ° C. for 1 hour. By heating, a cured film having a film thickness of 5 to 10 ⁇ m after curing was obtained.
  • the cured film obtained from the positive photosensitive resin composition of the present invention has excellent adhesion to both the Si substrate and the Cu substrate.

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Abstract

（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）架橋剤と、（ｃ）感光剤と、（ｄ）溶剤とを含有し、前記（ａ）成分が下記式（１）で表される構造単位を含み、前記（ｂ）成分が下記式（２）で表される化合物であるポジ型感光性樹脂組成物。式（１）中、Ｕは２価の有機基、単結合、－Ｏ－又は－ＳＯ２－であり、Ｖは脂肪族構造を含む基であり、前記脂肪族構造の炭素数は１～３０である。式（２）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又は－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。複数のＲ１の少なくとも１つは－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。Ｒ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基である。

Description

ポジ型感光性樹脂組成物
　本発明は、ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜、その硬化膜を用いた層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜、及びそれを有する電子部品に関する。
　従来、半導体素子の表面保護膜及び層間絶縁膜には、優れた耐熱性、電気特性、機械特性等を併せ持つポリイミドが用いられている。近年、ポリイミド自身に感光特性を付与した感光性ポリイミドが用いられており、これを用いるとパターン硬化膜の製造工程が簡略化でき、煩雑な製造工程を短縮できる。
　パターン硬化膜の製造工程において、現像工程ではＮ－メチルピロリドン等の有機溶剤が用いられてきたが、環境への配慮から、ポリイミド又はポリイミド前駆体に感光剤としてジアゾナフトキノン化合物を混合する方法により、アルカリ水溶液で現像可能な樹脂組成物が提案されている（例えば、特許文献１及び２）。
　ところで、近年、コンピュータの高性能化を支えてきたトランジスタの微細化は、スケーリング則の限界に来ており、さらなる高性能化や高速化のために半導体素子を３次元的に積層する技術が必須と考えられている。このような背景のもと、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ　Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）を用いた３次元パッケージ、インターポーザを用いた２．５次元パッケージ、又は２．１次元パッケージが提案されており、これらに代表される積層デバイス構造が注目を集めている（例えば、非特許文献１）。
　積層デバイス構造の中でも、マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ（Ｍｕｌｔｉ－ｄｉｅ　Ｆａｎｏｕｔ　Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）は、１つのパッケージの中に複数のダイを一括封止して製造するパッケージであり、従来提案されている１つのパッケージの中に１つのダイを封止して製造するファンアウトウエハレベルパッケージよりも、低コスト化、高性能化が期待できるため大きな注目を集めている。
　マルチダイファンアウトウエハレベルパッケージ等の積層デバイス構造の作製において、ダイシングしたチップを封止した後に再配線が行われるが、封止材の耐熱性が乏しいことから、低温硬化可能な再配線用層間絶縁膜が求められている。
　一方、ポリイミドやポリベンゾオキサゾールの膜特性、特に接着性は、硬化温度が低いほど低下する傾向があった。特に、２００℃以下で硬化を行った場合、種々の基板に対する接着性が低かった。
特開２００９－２６５５２０号公報 国際公開第２０１４／１１５２３３号パンフレット
「半導体技術年鑑２０１３　パッケージング／実装編」、株式会社日経ＢＰ、２０１２年１２月、ｐ．４１－５０
　本発明の目的は、２００℃以下という低温で硬化した場合でも、Ｓｉ基板等の種々の基板に対して接着性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供することである。また、そのポジ型感光性樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜、その硬化膜を用いた層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜、及びそれを有する電子部品を提供することである。
　本発明者らは、官能基数の異なる架橋剤を用いた感光性樹脂組成物を２００℃で硬化して、接着性の評価を行った。その結果、従来幅広く用いられていた架橋剤をポリベンゾオキサゾール前駆体に組み合わせた感光性樹脂組成物は、ポリベンゾオキサゾール前駆体との反応性が低く、２００℃で硬化した後のＳｉ基板への接着性が低いことが判明した。さらに、反応性が低い架橋剤は硬化後に未反応の状態で膜中に残存し、プレッシャークッカー試験（ＰＣＴ試験）後の接着性を低下させることが分かった。
　本発明者らは、上記問題に鑑みてさらなる検討を重ねた結果、ポリベンゾオキサゾール前駆体に対して反応性の高い架橋剤を組み合わせることで、樹脂組成物を２００℃以下という低温で硬化した場合であっても、種々の基板に対して優れた接着性を発揮することを見出した。
　本発明によれば、以下のポジ型感光性樹脂組成物等が提供される。
１．（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）架橋剤と、（ｃ）感光剤と、（ｄ）溶剤とを含有し、
　前記（ａ）成分が下記式（１）で表される構造単位を含み、前記（ｂ）成分が下記式（２）で表される化合物であるポジ型感光性樹脂組成物。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
 （式（１）中、Ｕは２価の有機基、単結合、－Ｏ－又は－ＳＯ２－であり、Ｖは脂肪族構造を含む基であり、前記脂肪族構造の炭素数は１～３０である。）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （式（２）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又は－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。複数のＲ１の少なくとも１つは－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。Ｒ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基である。）
２．前記（ｂ）成分を、前記（ａ）成分１００質量部に対して５質量部以上含む１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
３．前記（ｃ）成分が、ジアゾナフトキノン化合物である１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
４．１～３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
　前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
　露光後の樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像し、パターン樹脂膜を形成する工程と、
　前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
　を含むパターン硬化膜の製造方法。
５．前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である４に記載のパターン硬化膜の製造方法。
６．１～３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜。
７．６に記載の硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
８．７に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
　本発明によれば、２００℃以下という低温で硬化した場合でも、Ｓｉ基板等の種々の基板に対して接着性に優れるポジ型感光性樹脂組成物を提供することができる。
多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図である。 ＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）フリーの構造を有するファンアウトパッケージの概略断面図である。
　以下に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物、それを用いたパターン硬化膜の製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜、そのパターン硬化膜を用いた層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜、及びそれを有する電子部品の実施の形態を詳細に説明する。尚、以下の実施の形態により本発明が限定されるものではない。
　本明細書において、「Ａ又はＢ」とは、ＡとＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。さらに、本明細書において組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。
［ポジ型感光性樹脂組成物］
　本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体、（ｂ）架橋剤、（ｃ）感光剤及び（ｄ）溶剤を含有する。以下、これら成分を単に（ａ）成分、（ｂ）成分、（ｃ）成分及び（ｄ）成分と記す場合がある。以下、各成分について説明する。
（（ａ）成分：ポリベンゾオキサゾール前駆体）
　（ａ）成分は下記式（１）で表される構造単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
 　式（１）中、Ｕは２価の有機基、単結合、－Ｏ－又は－ＳＯ２－であり、Ｖは脂肪族構造を含む基であり、前記脂肪族構造の炭素数は１～３０である。
　このような構造であると、パターニング時に使用する光源であるｉ線における透過率が高くなる。
　Ｕの２価の有機基としては、炭素数１～３０の脂肪族構造を含む基であることが好ましく、炭素数２～３０の脂肪族鎖状構造を含む基であることがより好ましい。Ｕの２価の有機基は、下記式（ＵＶ１）で表される構造を含む基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　式（ＵＶ１）中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に水素原子、フッ素原子、炭素数１～６のアルキル基又は炭素数１～６のフッ素化アルキル基であり、ａは１～３０の整数である。
　Ｒ１及びＲ２としては、例えばメチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられ、ポリベンゾオキサゾール前駆体の透明性の観点からトリフルオロメチル基が好ましい。
　ａは１～５の整数が好ましい。
　Ｖの脂肪族構造を含む基としては、ジカルボン酸に由来する構造が挙げられる。
　原料であるジカルボン酸としては、ドデカン二酸、デカン二酸、２，２－ビス（４－カルボキシフェニル）－１，１，１，３，３，３－ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（ｐ－カルボキシフェニル）プロパン、５－ｔｅｒｔ－ブチルイソフタル酸等が挙げられ、Ｖとしては、これらから２つのカルボキシ基を除いた基が挙げられる。
　（ａ）成分のポリベンゾオキサゾール前駆体は、その一部に式（１）で示される構造単位以外の構造単位を有していてもよい。この場合、式（１）で示される構造単位の割合は全構造単位中５０モル％以上であることが好ましく、６０モル％以上であることがより好ましい。
　式（１）示される構造単位以外の構造単位としては、Ｖがジフェニルエーテル化合物由来の骨格であるもの等が挙げられる。
　ポリベンゾオキサゾール前駆体は、通常、アルカリ水溶液で現像するため、アルカリ水溶液に可溶であることが好ましい。
　アルカリ水溶液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液等の有機アンモニウム水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等が挙げられる。一般には、濃度が２．３８質量％のＴＭＡＨ水溶液を用いることが好ましい。よって、（ａ）成分はＴＭＡＨ水溶液に対して可溶であることが好ましい。
　尚、（ａ）成分がアルカリ水溶液に可溶であることの１つの基準を以下に説明する。（ａ）成分を任意の溶剤に溶かして溶液とした後、シリコンウエハ等の基板上にスピン塗布して膜厚５μｍ程度の樹脂膜を形成する。これをテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液のいずれか１つに、２０～２５℃において浸漬する。この結果、溶解して溶液となったとき、用いた（ａ）成分はアルカリ水溶液に可溶であると判断する。
　（ａ）成分のポリベンゾオキサゾール前駆体の分子量は、ポリスチレン換算での重量平均分子量が１０，０００～１００，０００であることが好ましく、１５，０００～１００，０００であることがより好ましく、２０，０００～８５，０００であることがさらに好ましい。重量平均分子量が１０，０００より小さいと、アルカリ現像液への溶解性が高くなりすぎる恐れがあり、１００，０００より大きいと、溶剤への溶解性が低下したり、溶液の粘度が増大して取り扱い性が低下したりする恐れがある。
　重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求めることができる。
　また、重量平均分子量を数平均分子量で除した分散度は１～４が好ましく、１～３がより好ましい。
（（ｂ）成分：架橋剤）
　（ｂ）成分の架橋剤は下記式（２）で表される化合物である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
 　式（２）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又は－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。複数のＲ１の少なくとも１つは－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。Ｒ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基である。
　（ｂ）成分の架橋剤は、ポジ型感光性樹脂組成物を塗布、露光及び現像した後、パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、比較的低い温度であってもポリベンゾオキサゾール前駆体と反応（架橋反応）するか、又は架橋剤自身が重合する。これにより、樹脂組成物を比較的低い温度、例えば２００℃以下で硬化した場合であっても、良好な接着性、機械特性、薬品耐性及びフラックス耐性を確保することができる。
　複数のＲ１のうち、一部が－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２であってもよいし、全てが－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２であってもよい。好ましくは全てのＲ１が－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２である。
　Ｒ２の炭素数１～６のアルキル基としては、メチル基、エチル基又はブチル基が挙げられる。
　（ｂ）成分の配合量は、（ａ）成分１００質量部に対して１質量部以上が好ましく、１～４０質量部とすることがより好ましく、１０～３０質量部とすることがさらに好ましい。
（（ｃ）成分：感光剤）
　本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、（ａ）成分であるポリベンゾオキサゾール前駆体とともに、（ｃ）成分として感光剤を含む。感光剤は、活性光線の照射を受けて酸を発生する化合物であり、光を照射した部分のアルカリ水溶液への可溶性を増大させる機能を有する。
　感光剤としては、ジアゾナフトキノン化合物、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等が挙げられ、中でもジアゾナフトキノン化合物は感度が高いため好ましい。
　ジアゾナフトキノン化合物とは、ジアゾナフトキノン構造を有する化合物である。
　ジアゾナフトキノン化合物は、例えば、ｏ－キノンジアジドスルホニルクロリド類と、ヒドロキシ化合物、アミノ化合物等とを脱塩酸剤の存在下で縮合反応させることで得られる。
　ｏ－キノンジアジドスルホニルクロリド類としては、例えば、１，２－ベンゾキノン－２－ジアジド－４－スルホニルクロリド、１，２－ナフトキノン－２－ジアジド－５－スルホニルクロリド、１，２－ナフトキノン－２－ジアジド－４－スルホニルクロリド等が使用できる。
　ヒドロキシ化合物としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、ピロガロール、ビスフェノールＡ、ビス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２’，３’－ペンタヒドロキシベンゾフェノン，２，３，４，３’，４’，５’－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）プロパン、４ｂ，５，９ｂ，１０－テトラヒドロ－１，３，６，８－テトラヒドロキシ－５，１０－ジメチルインデノ［２，１－ａ］インデン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、トリス（４－ヒドロキシフェニル）エタン等が使用できる。
　アミノ化合物としては、例えば、ｐ－フェニレンジアミン、ｍ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、ｏ－アミノフェノール、ｍ－アミノフェノール、ｐ－アミノフェノール、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシビフェニル、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン等が使用できる。
　（ｃ）成分の配合量は、感光時の感度、解像度を良好なものとするために、（ａ）成分１００質量部に対して、０．０１～５０質量部とすることが好ましく、０．１～２０質量部とすることがより好ましく、０．５～２０質量部とすることがさらに好ましい。
（（ｄ）成分：溶剤）
　（ｄ）成分としては、γ－ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、ｎ－ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、３－メチルメトキシプロピオネート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン等が挙げられる。通常、感光性樹脂組成物中の他の成分を充分に溶解できるものであれば特に制限はない。
　この中でも、各成分の溶解性と樹脂膜形成時の塗布性に優れる観点から、γ－ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドを用いることが好ましい。
　（ｄ）成分の含有量に特に制限はないが、（ａ）成分１００質量部に対して５０～４００質量部が好ましく、１００～３００質量部がより好ましく、１５０～２５０質量部がさらに好ましい。
　本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、必要に応じて、（ｃ）成分以外の公知のカップリング剤、溶解促進剤、溶解阻害剤、界面活性剤、レベリング剤等を含有してもよい。
　本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、本質的に（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分からなってもよい（consisting　essentially　of）。本発明のポジ型感光性樹脂組成物の、例えば、８０質量％以上１００質量％以下（好ましくは９０質量％以上１００質量％以下）が上記成分であってもよく、また、組成物の９５質量％以上１００質量％以下、９８質量％以上１００質量％以下が上記成分であってもよい。また、本発明のポジ型感光性樹脂組成物は、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）成分のみからなってもよい（consisting　of）。この場合、不可避不純物を含んでもよい。
［パターン硬化膜の製造方法］
　本発明のパターン硬化膜の製造方法は、上記のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、露光後の樹脂膜を、アルカリ水溶液を用いて現像しパターン樹脂膜を形成する工程と、パターン樹脂膜を加熱処理する工程とを含む。
　以下、各工程について説明する。
（感光性樹脂膜形成工程）
　本工程では、ポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する。
　基板としては、ガラス、半導体、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２等の金属酸化物絶縁体、窒化ケイ素、銅、銅合金等が挙げられる。塗布方法に特に制限はないが、スピナー等を用いて行うことができる。
　乾燥は、ホットプレート、オーブン等を用いて行うことができる。加熱温度は１００～１５０℃であることが好ましい。加熱時間は、３０秒間～５分間が好ましい。これにより、ポジ型感光性樹脂組成物を膜状に形成した感光性樹脂膜を得ることができる。
　感光性樹脂膜の膜厚は、５～１００μｍが好ましく、８～５０μｍがより好ましく、１０～３０μｍがさらに好ましい。
（露光工程）
　本工程では、マスクを介して、感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する。
　照射する活性光線は、ｉ線を含む紫外線、可視光線、放射線等が挙げられ、ｉ線が好ましい。露光装置としては、平行露光機、投影露光機、ステッパ、スキャナ露光機等を用いることができる。
（現像工程）
　露光工程を経た樹脂膜を現像処理することで、パターン形成された樹脂膜（パターン樹脂膜）を得ることができる。一般的に、ポジ型感光性樹脂組成物を用いた場合、露光部を現像液で除去する。
　現像液としてアルカリ水溶液を用いることができ、アルカリ水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等が挙げられ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
　アルカリ水溶液の濃度は、０．１～１０質量％が好ましい。
　現像時間は、用いるポリベンゾオキサゾール前駆体の種類によっても異なるが、１０秒間～１５分間が好ましく、１０秒間～５分間がより好ましく、生産性の観点から３０秒間～４分間がさらに好ましい。
　上記の現像液にアルコール類又は界面活性剤を添加してもよい。添加量は、現像液１００質量部に対して０．０１～１０質量部が好ましく、０．１～５質量部がより好ましい。
（加熱処理工程）
　パターン樹脂膜を加熱処理することにより、（ａ）成分の官能基同士、又は、（ａ）成分と（ｂ）成分間等に架橋構造を形成し、パターン硬化膜を得ることができる。また、加熱処理工程によって（ａ）成分のポリベンゾオキサゾール前駆体が脱水閉環反応を起こし、対応するポリベンゾオキサゾールとすることができる。
　加熱温度は、２５０℃以下が好ましく、１２０～２５０℃がより好ましく、１６０～２３０℃がさらに好ましい。この範囲内であることにより、基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスを歩留り良く生産することが可能となり、プロセスの省エネルギー化を実現することができる。本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いれば、２００℃以下、例えば、１７５℃での加熱処理により、種々の基板に対して接着性に優れる硬化膜を得ることができる。
　加熱時間は、５時間以下が好ましく、３０分間～３時間がより好ましい。この範囲内であることにより、架橋反応又は脱水閉環反応を充分に進行することができる。また、加熱処理の雰囲気は大気中であっても、窒素等の不活性雰囲気中であってもよいが、パターン樹脂膜の酸化を防ぐことができる観点から、窒素雰囲気下が好ましい。
　加熱処理工程に用いられる装置としては、石英チューブ炉、ホットプレート、ラピッドサーマルアニール、縦型拡散炉、赤外線硬化炉、電子線硬化炉、マイクロ波硬化炉等が挙げられる。
［半導体装置の製造工程］
　次に、本発明によるパターン硬化膜の製造方法の一例として、半導体装置の製造工程を図面に基づいて説明する。図１～７は、多層配線構造を有するファンアウトパッケージの製造工程を説明する概略断面図であり、第１の工程から第７の工程へと一連の工程を表している。図８はＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）フリーの構造を有するファンアウトパッケージの概略断面図である。
　これらの図において、回路素子（図示しない）を有するＳｉ基板等の半導体基板１は、回路素子の所定部分を除いてシリコン酸化膜等の保護膜２で被覆され、露出した回路素子上に第１導体層３が形成されている。
　この上に、ポリイミド樹脂等の膜が層間絶縁膜４としてスピンコート法等で形成される（第１の工程、図１）。
　次に、塩化ゴム系、フェノールノボラック系等の感光性樹脂層５が、層間絶縁膜４上にスピンコート法で形成され、これをマスクとして公知の方法によって所定部分の層間絶縁膜４が露出するように窓６Ａが設けられる（第２の工程、図２）。
　窓６Ａ部分に露出している層間絶縁膜４は、酸素、四フッ化炭素等のガスを用いるドライエッチング手段によって選択的にエッチングされ、窓６Ｂが形成される。次いで、窓６Ｂから露出した第１導体層３を腐食することなく、感光性樹脂層５のみを腐食するようなエッチング溶液を用いて感光性樹脂層５が完全に除去される（第３の工程、図３）。
　さらに、公知の方法を用いて、第２導体層７が形成され、第１導体層３との電気的接続が行われる（第４の工程、図４）。３層以上の多層配線構造を形成する場合は、前記の工程を繰り返して行い各層が形成される。
　次に、本発明のポジ型感光性樹脂組成物を用いて表面保護膜８を以下のようにして形成する。即ち、本発明の樹脂組成物をスピンコート法にて塗布、乾燥し、所定部分に窓６Ｃを形成するパターンを描いたマスク上から光を照射した後、アルカリ水溶液にて現像してパターン樹脂膜を形成する。その後、このパターン樹脂膜を加熱してポリベンゾオキサゾールのパターン硬化膜、即ち表面保護膜８とする（第５の工程、図５）。表面保護膜８（ポリベンゾオキサゾールのパターン硬化膜）は、導体層を外部からの応力や、α線等から保護する機能を担う。
　さらに、通常、表面保護膜８の表面に、スパッタ処理によって金属薄膜を形成した後、めっきレジストを公知の方法を用いて窓６Ｃに合わせて形成し、露出している金属薄膜部にめっきによってＵＢＭ（Ｕｎｄｅｒ　Ｂｕｍｐ　Ｍｅｔａｌ）と呼ばれる金属層９を析出させる。そして、めっきレジストをはく離し、金属層９の形成領域以外の金属箔膜をエッチング除去してＵＢＭを形成する（第６の工程、図６）。さらに、金属層９の表面にバンプと呼ばれる外部接続端子１０が形成される（第７の工程、図７）。金属層９はバンプ１０に作用する応力を緩和する目的や、電気的接続信頼性を向上する目的で形成される。
　近年、製造コスト低減の観点から、このような金属層９（ＵＢＭ）の形成工程を省略するために、表面保護膜８に窓６Ｃを形成した後、バンプ１０を直接形成するＵＢＭフリー構造が提案されている。ＵＢＭフリー構造では、金属間化合物の生成による電気抵抗上昇を抑制するために、バンプ１０と接続される第２導体層７を通常よりも厚く形成することが好ましい。さらに、バンプ１０に作用する応力を表面保護膜８のみで緩和することが好ましい。このため、厚く形成された第２導体層７を被覆し、応力緩和能を高めるために、表面保護膜８を厚く形成することが好ましい（図８）。従って、ＵＢＭフリー構造では表面保護膜８に窓６Ｃを形成する際、樹脂膜をより厚く塗布し、露光、現像することが好ましい。
［電子部品］
　次に、本発明の電子部品について説明する。本発明の電子部品は、本発明のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜を有する。具体的には、上記のパターン硬化膜の製造方法によって得られたパターン硬化膜を有することができる。
　硬化膜（パターン硬化膜）は、具体的には、電子部品の表面保護膜、カバーコート層、層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等として用いることができる。
　電子部品としては、半導体装置、多層配線板、各種電子デバイス等が挙げられる。上述した半導体装置は本発明の電子部品の一実施形態であるが、上記に限定されず、様々な構造とすることができる。
　以下、実施例及び比較例に基づき、本発明についてさらに具体的に説明する。尚、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
［（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体の合成］
合成例１
　撹拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ－メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１３．９２ｇ（３８ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌溶解した。続いて、温度を０～５℃に保ちながら、ドデカン二酸ジクロリド１０．６９ｇ（４０ｍｍｏｌ）を１０分間で滴下した後、フラスコ中の溶液を６０分間撹拌した。上記溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収し、これを純水で３回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド（ポリベンゾオキサゾール前駆体）を得た（以下、ポリマーＩとする）。ポリマーＩの重量平均分子量は３３，１００、分散度は２．０であった。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフ（ＧＰＣ）法標準ポリスチレン換算により求めた。
　ＧＰＣ法による重量平均分子量の測定条件は以下の通りである。ポリマー０．５ｍｇに対して溶剤［テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）／ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）＝１／１（容積比）］１ｍｌの溶液を用いて測定した。
測定装置：検出器　株式会社日立製作所社製Ｌ４０００
ＵＶポンプ：株式会社日立製作所社製Ｌ６０００
　　　　　　株式会社島津製作所社製Ｃ－Ｒ４Ａ　Ｃｈｒｏｍａｔｏｐａｃ
測定条件：カラム　Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５×２
本溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）
　　　　　ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／ｌ）、Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／ｌ）
流速：１．０ｍｌ／ｍｉｎ
検出器：ＵＶ２７０ｎｍ
合成例２
　合成例１で使用したドデカン二酸ジクロリド１０．６９ｇ（４０ｍｍｏｌ）を、デカン二酸ジクロリド７．４８ｇ（２８ｍｍｏｌ）及び４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド３．５６ｇ（１２ｍｍｏｌ）に置き換えた以外は、合成例１と同様に合成を行い、ポリヒドロキシアミドを得た（以下、ポリマーIIとする）。ポリマーIIの重量平均分子量は４１，８００、分散度は２．０であった。
合成例３
　撹拌機、温度計を備えた０．２リットルのフラスコ中に、Ｎ－メチルピロリドン６０ｇを仕込み、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン１３．９２ｇ（３８ｍｍｏｌ）を添加し、撹拌溶解した。続いて、温度を０～５℃に保ちながら、４，４’－ジフェニルエーテルジカルボン酸ジクロリド１１．８６ｇ（４０ｍｍｏｌ）を１０分間で滴下した後、室温に戻しフラスコ中の溶液を３時間撹拌した。上記溶液を３リットルの水に投入し、析出物を回収し、これを純水で３回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミドを得た（以下、ポリマーIIIとする）。ポリマーIIIの重量平均分子量は２２，４００、分散度は３．２であった。
実施例１～１０、比較例１～５
［感光性樹脂組成物の調製］
　表１に示す成分及び配合量にて各成分を混合し、感光性樹脂組成物を調製した。表１に示す配合量は、（ａ）成分１００質量部に対する各成分の質量部である。
　実施例１～１０、比較例１～５で用いた各成分は以下の通りである。
＜（ａ）成分：ポリベンゾオキサゾール前駆体＞
・ポリマーＩ：合成例１で得られたポリマーＩ
・ポリマーII：合成例２で得られたポリマーII
＜（ａ’）成分：ポリベンゾオキサゾール前駆体＞
・ポリマーIII：合成例３で得られたポリマーIII
＜（ｂ）成分：架橋剤＞
・（ｂ－１）：下記構造を有する酸変性アルキル化メラミンホルムアルデヒド（Ａｌｌｎｅｘ社製、商品名「サイメル３００」）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
 ＜（ｂ’）成分：架橋剤＞
・（ｂ－２）：下記構造を有するメチル化尿素樹脂（株式会社三和ケミカル製、商品名「ニカラックＭＸ－２７０」）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
＜（ｃ）成分：感光剤＞
・（ｃ－１）：下記構造を有する化合物（ダイトーケミックス株式会社製、商品名「ＴＰＰＡ４２８」）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
 ・（ｃ－２）：下記構造を有する化合物（ダイトーケミックス株式会社製、商品名「ＴＰＰＡ５２８」）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
＜（ｄ）成分：溶剤＞
ＢＬＯ：γ－ブチロラクトン
ＮＭＰ：Ｎ－メチルピロリドン
［硬化膜の製造］
　得られた感光性樹脂組成物を、Ｓｉ基板及びＣｕ基板上にスピンコートし、乾燥膜厚が７～１２μｍの塗膜を形成した。得られた樹脂膜付き基板について、縦型拡散炉μ－ＴＦ（光洋サーモシステム株式会社製）を用いて、窒素雰囲気下、１００℃で３０分加熱した後、さらに１７５℃又は２００℃で１時間加熱して、硬化後膜厚５～１０μｍの硬化膜を得た。
［初期接着性評価］
　得られた硬化膜に対してクロスカット試験を行い、Ｓｉ基板及びＣｕ基板に対する密着性を評価した。具体的には、まず、基板上の硬化膜表面の中央に、カッターガイドを用いて直交する縦横１１本ずつの平行線を１ｍｍの間隔で引き、１ｃｍ２の中に１００個の正方形ができるように碁盤目状の切り傷をつけた。次に碁盤目に対してセロハンテープによるピーリングテストを行い、試験後に基板上に残る正方形の数を数えた。
　残った正方形が１００個の場合を○、１～９９個の場合を△、０個の場合を×とした。結果を表１に示す。「△」は、残った正方形の個数も併記する。
［ＰＣＴ処理後の接着性評価］
　硬化膜をプレッシャークッカー装置に入れ、１２１℃、２ａｔｍ、１００％ＲＨの条件下で１００時間処理した（ＰＣＴ処理）。その後、初期接着性と同様にピーリングテストを行い、接着性を評価した。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１より、本発明のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜は、Ｓｉ基板及びＣｕ基板のいずれに対しても接着性に優れることが分かる。
　上記に本発明の実施形態及び／又は実施例を幾つか詳細に説明したが、当業者は、本発明の新規な教示及び効果から実質的に離れることなく、これら例示である実施形態及び／又は実施例に多くの変更を加えることが容易である。従って、これらの多くの変更は本発明の範囲に含まれる。
　この明細書に記載の文献の内容を全てここに援用する。

Claims (8)

  1. 　（ａ）ポリベンゾオキサゾール前駆体と、（ｂ）架橋剤と、（ｃ）感光剤と、（ｄ）溶剤とを含有し、
    　前記（ａ）成分が下記式（１）で表される構造単位を含み、前記（ｂ）成分が下記式（２）で表される化合物であるポジ型感光性樹脂組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
     （式（１）中、Ｕは２価の有機基、単結合、－Ｏ－又は－ＳＯ２－であり、Ｖは脂肪族構造を含む基であり、前記脂肪族構造の炭素数は１～３０である。）
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
     （式（２）中、Ｒ１は、各々独立に、水素原子又は－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。複数のＲ１の少なくとも１つは－ＣＨ２－Ｏ－Ｒ２で表される基である。Ｒ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１～６のアルキル基である。）
  2. 　前記（ｂ）成分を、前記（ａ）成分１００質量部に対して５質量部以上含む請求項１に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  3. 　前記（ｃ）成分が、ジアゾナフトキノン化合物である請求項１又は２に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
  4. 　請求項１～３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を基板上に塗布、乾燥して感光性樹脂膜を形成する工程と、
    　前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、
    　露光後の樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像し、パターン樹脂膜を形成する工程と、
    　前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程と、
    　を含むパターン硬化膜の製造方法。
  5. 　前記パターン樹脂膜を加熱処理する工程において、加熱処理温度が２５０℃以下である請求項４に記載のパターン硬化膜の製造方法。
  6. 　請求項１～３のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物から得られる硬化膜。
  7. 　請求項６に記載の硬化膜を用いた、層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜。
  8. 　請求項７に記載の層間絶縁膜、カバーコート層又は表面保護膜を有する電子部品。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180101441A (ko) * 2016-02-05 2018-09-12 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009081950A1 (ja) * 2007-12-26 2009-07-02 Asahi Kasei E-Materials Corporation 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
WO2010001780A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
JP2010266487A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2011148971A (ja) * 2009-08-14 2011-08-04 Asahi Kasei E-Materials Corp アルカリ可溶性重合体、それを含む感光性樹脂組成物、及びその用途
WO2011135887A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
JP2013205801A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物及びその硬化膜、保護膜、絶縁膜並びに半導体装置及び表示体装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2133743B1 (en) * 2007-03-12 2018-01-24 Hitachi Chemical DuPont Microsystems, Ltd. Photosensitive resin composition, process for producing patterned hardened film with use thereof and electronic part
JP5169446B2 (ja) 2008-04-28 2013-03-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたポリベンゾオキサゾール膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
WO2012172793A1 (ja) * 2011-06-15 2012-12-20 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JPWO2014115233A1 (ja) 2013-01-28 2017-01-19 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び半導体素子
KR20180101441A (ko) * 2016-02-05 2018-09-12 히다치 가세이듀퐁 마이쿠로시스데무즈 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009081950A1 (ja) * 2007-12-26 2009-07-02 Asahi Kasei E-Materials Corporation 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
WO2010001780A1 (ja) * 2008-07-03 2010-01-07 旭化成イーマテリアルズ株式会社 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物
JP2010266487A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2011148971A (ja) * 2009-08-14 2011-08-04 Asahi Kasei E-Materials Corp アルカリ可溶性重合体、それを含む感光性樹脂組成物、及びその用途
WO2011135887A1 (ja) * 2010-04-28 2011-11-03 旭化成イーマテリアルズ株式会社 感光性樹脂組成物
JP2013205801A (ja) * 2012-03-29 2013-10-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物及びその硬化膜、保護膜、絶縁膜並びに半導体装置及び表示体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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