TWI729065B - 正型感光性樹脂組成物、圖案硬化膜的製造方法、硬化物、層間絕緣膜、面塗層、表面保護膜以及電子零件 - Google Patents
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Abstract
Description
本發明是有關於一種正型感光性樹脂組成物、該正型感光性樹脂組成物的硬化物、使用該硬化物的層間絕緣膜、面塗層或表面保護膜、包含該些的電子零件、以及圖案硬化膜的製造方法。
先前,於半導體元件的表面保護膜及層間絕緣膜中使用兼具優異的耐熱性、電氣特性及機械特性等的聚醯亞胺或聚苯并噁唑。近年來,使用對該些樹脂自身賦予感光特性的感光性樹脂組成物,藉此圖案硬化膜的製造步驟可簡略化,可縮短繁雜的製造步驟。
於圖案硬化膜的製造步驟中,於顯影步驟中使用N-甲基吡咯啶酮等有機溶劑,但自對環境的考慮,提出了可藉由在聚醯亞胺前驅物或聚苯并噁唑前驅物中混合二疊氮萘醌化合物作為感光劑的方法,用鹼性水溶液進行顯影的樹脂組成物(例如專利文獻1、專利文獻2)。
然而,近年來,帶來電腦高性能化的電晶體的微細化面臨比例定律的極限,為了進一步的高性能化或高速化,認為需要3維地積層半導體元件的技術。基於此種背景,提出了使用矽通孔(Through Silicon Via,TSV)的3維封裝、使用插入物(interposer)的2.5維封裝、或2.1維封裝,以該些封裝所代表的積層元件結構受到關注(例如非專利文獻1)。
於積層元件結構中,多晶片扇出晶圓級封裝(Multi-die Fanout Wafer Level Packaging)是於一個封裝中一併密封多個晶片而製造的封裝,可比於一個封裝中密封一個晶片而製造的先前的扇出晶圓級封裝更期待低成本化、高性能化,因此非常受到關注。
然而,於多晶片扇出晶圓級封裝的製造中,自高性能的晶片的保護或保護耐熱性低的密封材料而提高良率的觀點考慮,無法進行超過200℃的熱處理。因此,對於作為用於進行銅的再配線的再配線形成層而使用的聚苯并噁唑前驅物亦強烈地要求低溫硬化性(專利文獻3)。
對再配線形成層要求即便於200℃以下的低溫硬化的情況下亦與高溫硬化時為同等以上的特性。具體而言,為了進行微細的圖案化,除了具有高解析度以外,亦要求具有高的耐藥液性與高的接著性。 耐藥液性需要與多晶片扇出封裝製作時的銅再配線的鍍敷製程相對應。具體而言,於鍍敷製程中,於使用鍍敷製作用的抗蝕劑鍍銅後,為了去除抗蝕劑,使用作為強力的藥液的抗蝕劑剝離液,但要求對該藥液的耐性。自確保可靠性的觀點考慮,接著性(銅的再配線與再配線形成層之間的接著性)非常重要。 然而,對於先前的再配線形成層用的樹脂組成物(使用聚苯并噁唑前驅物的正型感光性樹脂組成物)而言,於低溫硬化的情況下難以具有高的耐藥液性與接著性,從而無法應對該封裝的製作。
於專利文獻4中揭示有藉由在聚苯并噁唑前驅物中組合特定的交聯劑與感光劑而達成高感度及高解析度,但低溫硬化時的硬化膜的特性低。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2009-265520號公報 [專利文獻2]國際公開2014/115233號手冊 [專利文獻3]國際公開2008/111470號手冊 [專利文獻4]日本專利特開2011-164289號公報 [非專利文獻]
[非專利文獻1]「半導體技術年鑒 2013 封裝/安裝編」,日經BP股份有限公司,2012年12月,p.41-50
本發明的目的為提供一種即便於在200℃以下的低溫下進行硬化的情況下耐藥液性亦優異的正型感光性樹脂組成物。
本發明者等人鑒於所述問題反復進行了努力研究,結果發現藉由將特定的聚苯并噁唑前驅物與特定的感光劑組合,即便於在低溫下進行硬化的情況下耐藥液性亦優異。 藉由本發明提供以下的正型感光性樹脂組成物等。 1. 一種正型感光性樹脂組成物,其含有(a)聚苯并噁唑前驅物、(b)交聯劑、(c)感光劑、以及(d)溶劑, 所述(a)聚苯并噁唑前驅物包含下述式(1)所表示的結構, 所述(c)感光劑為包含下述式(2)所表示的結構的化合物; [化1](式(1)中,U為二價的有機基、單鍵、-O-或-SO2
-,V為包含脂肪族結構的基,所述脂肪族結構的碳數為1~30) [化2]。 2. 如1所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述(b)交聯劑由下述式(3)所表示; [化3](式(3)中,R3
各自獨立地為氫原子或-CH2
-O-R4
,多個R3
的至少一個為-CH2
-O-R4
;R4
各自獨立地為氫原子、甲基、乙基或丁基)。 3. 如1或2所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述(b)交聯劑由下述式(4)所表示; [化4]。 4. 如1至3中任一項所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述(c)感光劑由下述式(5)所表示; [化5](式(5)中,Q各自獨立地為氫原子或下述式(6)所表示的基;至少一個Q為下述式(6)所表示的基) [化6]。 5. 如1至4中任一項所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述式(1)的V的脂肪族結構為碳數5~10的脂肪族直鏈結構。 6. 一種圖案硬化膜的製造方法,其包括:將如1至5中任一項所述的正型感光性樹脂組成物塗佈於基板上,進行乾燥而形成感光性樹脂膜的步驟; 將所述感光性樹脂膜曝光為規定的圖案的步驟; 使用鹼性水溶液對所述進行了曝光的感光性樹脂膜進行顯影而形成圖案樹脂膜的步驟;以及 對所述圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟。 7. 如6所述的圖案硬化膜的製造方法,其中,於所述對圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟中,加熱處理溫度為200℃以下。 8. 一種硬化物,其是如1至5中任一項所述的正型感光性樹脂組成物的硬化物。 9. 一種層間絕緣膜、面塗層或表面保護膜,其使用如8所述的硬化物。 10. 一種電子零件,其具有如9所述的層間絕緣膜、面塗層或表面保護膜。
藉由本發明,可提供一種即便於在200℃以下的低溫下進行硬化的情況下耐藥液性亦優異的正型感光性樹脂組成物。
以下,關於用於實施本發明的形態加以詳細說明。但是,本發明並不限定於以下的實施方式。再者,於本說明書中,「A或B」是指只要含有A與B的任一者即可,亦可包含兩者。另外,於本說明書中,「步驟」這一用語不僅包含獨立的步驟,即便於無法與其他步驟明確區別的情況下,只要達成該步驟的所期望的作用,亦可包含於本用語中。使用「~」所表示的數值範圍是表示包含「~」前後所記載的數值來分別作為最小值及最大值的範圍。另外,於本說明書中,關於組成物中的各成分的含量,於在組成物中存在多種相當於各成分的物質的情況下,只要無特別說明,則表示組成物中所存在的該多種物質的合計量。繼而,只要無特別說明,則例示材料可單獨使用,亦可將兩種以上組合使用。
[正型感光性樹脂組成物] 本發明的正型感光性樹脂組成物含有(a)聚苯并噁唑前驅物、(b)交聯劑、(c)感光劑、以及(d)溶劑,(a)聚苯并噁唑前驅物包含下述式(1)所表示的結構,(c)感光劑為包含下述式(2)所表示的結構的化合物。 [化7](式(1)中,U為二價的有機基、單鍵、-O-或-SO2
-,V為包含脂肪族結構的基,所述脂肪族結構的碳數為1~30) [化8]
本發明的正型感光性樹脂組成物藉由包含所述成分,即便於在200℃以下的低溫下進行硬化的情況下,亦可形成具有與高溫硬化時所得的圖案硬化膜為同等以上的高的耐藥液性的圖案硬化膜。另外,可感度良好地形成解析度高的圖案,對銅等的接著性亦優異。因此,可較佳地應用於多晶片扇出晶圓級封裝所代表的積層元件結構的製作。
以下,關於各成分加以說明。以下,存在將(a)聚苯并噁唑前驅物、(b)交聯劑、(c)感光劑、(d)溶劑分別記作(a)成分、(b)成分、(c)成分、(d)成分的情況。
((a)成分:聚苯并噁唑前驅物) 聚苯并噁唑前驅物較佳為圖案化時所使用的光源(i射線)的透過率高且於200℃以下的低溫硬化時亦顯示出高的硬化膜特性的化合物。因此,聚苯并噁唑前驅物較佳為具有所述式(1)所表示的結構。
式(1)中的V為包含脂肪族結構(碳數1~30)的基。於本發明中,「脂肪族結構」包含脂環式結構。該脂肪族結構較佳為脂肪族鏈狀結構,更佳為脂肪族直鏈結構。另外,該脂肪族結構的碳數較佳為5~20,更佳為5~10。
V較佳為源自二羧酸的結構,提供V的原料二羧酸可列舉十二烷二酸、癸烷二酸、壬烷二酸、環己烷二羧酸、2,2-雙(4-羧基苯基)-1,1,1,3,3,3-六氟丙烷、5-第三丁基間苯二甲酸等。尤其是自兼顧i射線透過率的確保與硬化膜的斷裂延伸特性的觀點考慮,原料二羧酸較佳為十二烷二酸或癸烷二酸。
(a)成分的聚苯并噁唑前驅物的一部分中亦可具有式(1)所表示的結構單元以外的結構單元。該情況下,式(1)所表示的結構單元的比例於所有結構單元中較佳為50莫耳%以上,更佳為60莫耳%以上。 式(1)所表示的結構單元以外的結構單元例如可列舉於式(1)中V為源自二苯醚化合物的骨架的結構單元等。
U較佳為包含下述式(u-1)所表示的結構的基。 [化9]式(u-1)中,R1
及R2
各自獨立地為氫原子、氟原子、碳數1~6的烷基或碳數1~6的氟化烷基,a為1~30的整數。 R1
及R2
具體而言可列舉甲基、三氟甲基等,自聚苯并噁唑前驅物的透明性的觀點考慮,較佳為三氟甲基。a較佳為1~5的整數。
藉由對所述聚苯并噁唑前驅物進行脫水閉環可獲得聚苯并噁唑。 所述聚苯并噁唑前驅物通常藉由鹼性水溶液進行顯影。因此,較佳為可溶於鹼性水溶液中。鹼性水溶液可列舉四甲基氫氧化銨(TMAH)水溶液等有機銨水溶液、金屬氫氧化物水溶液、有機胺水溶液等。一般情況下,較佳為使用濃度為2.38質量%的TMAH水溶液。即,較佳為(a)成分相對於TMAH水溶液而言可溶。
再者,以下說明(a)成分可溶於鹼性水溶液中的一個基準。將(a)成分溶解於任意溶劑中而製成溶液後,旋轉塗佈於矽晶圓等基板上而形成膜厚5 μm左右的樹脂膜。將其於20℃~25℃下浸漬於四甲基氫氧化銨水溶液、金屬氫氧化物水溶液、有機胺水溶液的任一者中。其結果於溶解而成為溶液時,判斷所使用的(a)成分可溶於鹼性水溶液中。
(a)成分的分子量較佳為聚苯乙烯換算的重量平均分子量為10,000~100,000,更佳為15,000~100,000,進而較佳為20,000~85,000。於(a)成分的重量平均分子量為10,000以上的情況下,有可確保於鹼性顯影液中的適度的溶解性的傾向。另外,於(a)成分的重量平均分子量為100,000以下的情況下,有可獲得於溶劑中的良好的溶解性的傾向,有可抑制溶液的黏度增大而操作性降低的情況的傾向。 另外,重量平均分子量除以數量平均分子量所得的分散度較佳為1~4,更佳為1~3。 重量平均分子量可藉由凝膠滲透層析法而測定,並藉由使用標準聚苯乙烯校準曲線進行換算而求出。
((b)成分:交聯劑) (b)成分於對圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟中,與(a)成分的聚苯并噁唑前驅物進行反應(交聯反應),所述圖案樹脂膜是對正型感光性樹脂組成物進行塗佈、曝光及顯影所得。另外,(b)成分的交聯劑自身亦可聚合。藉此,即便於將正型感光性樹脂組成物在相對較低的溫度、例如200℃以下硬化的情況下,亦可賦予良好的機械特性、例如耐藥液性及接著性。
(b)成分只要為於加熱處理步驟中進行交聯或聚合的化合物,則並無特別限定,自低溫硬化時的反應性的高度的觀點考慮,較佳為具有羥甲基等羥基烷基、烷氧基甲基等烷氧基烷基的化合物。 羥基烷基、烷氧基烷基中所含的烷基可列舉甲基、乙基、丁基等。
其中,自良好的感度及清漆的穩定性、於圖案形成後的感光性樹脂膜的硬化時可防止感光性樹脂膜的熔融的觀點考慮,更佳為具有兩個以上的羥基烷基或烷氧基烷基的化合物。
自反應溫度的低度的觀點考慮,特佳為使用N位經羥基烷基或烷氧基烷基所取代的三聚氰胺樹脂、或下述式(3)所表示的化合物。 [化10](式(3)中,R3
各自獨立地為氫原子或-CH2
-O-R4
,多個R3
的至少一個為-CH2
-O-R4
;R4
各自獨立地為氫原子、甲基、乙基或丁基)
多個R3
中,較佳為2個~6個為-CH2
-O-R4
,更佳為所有的R3
為-CH2
-O-R4
。R4
較佳為甲基。
相對於(a)成分100質量份,本發明的正型感光性樹脂組成物中的(b)成分的含量較佳為1質量份~50質量份,為了確保良好的機械特性,更佳為5質量份~30質量份,自兼顧機械特性與感光特性的觀點考慮,進而較佳為10質量份~30質量份。
含羥基的化合物的殘基是指自該化合物中去除羥基的氫原子而得的基。含胺基的化合物的殘基是指自該化合物中去除胺基的氫原子而得的基。
式(2')的X較佳為由下述式(11)所表示。 [化14]式(11)中,R11
與R12
各自獨立地為氫原子、碳數1~6的烷基、碳數1~6的氟化烷基、或下述式(12)所表示的基。 [化15]式(12)中,R13
與R14
各自獨立地為氫原子、碳數1~6的烷基、或碳數1~6的氟化烷基。 式(11)、式(12)中,*為與式(2')的括號內的結構的鍵結位置。只要於至少一個*處與該結構鍵結即可,亦可於所有的*處與該結構鍵結。
式(2)所表示的化合物例如可藉由使1,2-萘醌-2-二疊氮-4-磺醯氯與含羥基的化合物或含胺基的化合物等於脫氯化氫劑的存在下進行縮合反應而獲得。
含羥基的化合物並無特別限制,自提高未曝光部的溶解抑制效果的觀點考慮,較佳為對苯二酚、間苯二酚、鄰苯三酚(pyrogallol)、雙酚A、雙(4-羥基苯基)甲烷、2,2-雙(4-羥基苯基)六氟丙烷、2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4'-四羥基二苯甲酮、2,2',4,4'-四羥基二苯甲酮、2,3,4,2',3'-五羥基二苯甲酮、2,3,4,3',4',5'-六羥基二苯甲酮、雙(2,3,4-三羥基苯基)甲烷、雙(2,3,4-三羥基苯基)丙烷、4b,5,9b,10-四氫-1,3,6,8-四羥基-5,10-二甲基茚并[2,1-a]茚、三(4-羥基苯基)甲烷、或三(4-羥基苯基)乙烷。
含胺基的化合物可使用對苯二胺、間苯二胺、4,4'-二胺基二苯醚、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基碸、4,4'-二胺基二苯硫醚、鄰胺基苯酚、間胺基苯酚、對胺基苯酚、3,3'-二胺基-4,4'-二羥基聯苯、4,4'-二胺基-3,3'-二羥基聯苯、雙(3-胺基-4-羥基苯基)丙烷、雙(4-胺基-3-羥基苯基)丙烷、雙(3-胺基-4-羥基苯基)碸、雙(4-胺基-3-羥基苯基)碸、雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷、雙(4-胺基-3-羥基苯基)六氟丙烷等。
相對於萘醌-1,2-二疊氮-4-磺醯氯1莫耳,較佳為以羥基與胺基的合計成為0.5當量~1當量的方式調配1,2-萘醌-2-二疊氮-4-磺醯氯與含羥基的化合物或含胺基的化合物。 脫氯化氫劑與1,2-萘醌-2-二疊氮-4-磺醯氯的較佳的比例(莫耳比)為0.95/1~1/0.95的範圍。較佳的反應溫度為0℃~40℃,較佳的反應時間為1小時~10小時。
所述反應的反應溶媒可使用二噁烷、丙酮、甲基乙基酮、四氫呋喃、二乙醚、N-甲基吡咯啶酮等。 脫氯化氫劑可使用碳酸鈉、氫氧化鈉、碳酸氫鈉、碳酸鉀、氫氧化鉀、三甲胺、三乙胺、吡啶等。
自高感度化與高解析度化的觀點考慮,(c)成分特佳為使用下述式(5)所表示的化合物。 [化16](式(5)中,Q各自獨立地為氫原子或下述式(6)所表示的基;至少一個Q為下述式(6)所表示的基) [化17]
關於本發明的正型感光性樹脂組成物中的(c)成分的含量,只要考慮到溶解對比度等而適宜調整即可,尤其於厚膜的情況下,重氮萘醌化合物自身對i射線具有吸收,因此若大量調配,則i射線無法到達膜的底部,對重氮萘醌化合物的曝光不充分而難以進行光反應,有無法形成開口圖案之虞,因此,相對於(a)成分100質量份,較佳為1質量份~20質量份,更佳為5質量份~15質量份。 另外,自製膜性與高感度化的觀點而言,(c)成分較佳為與(a)成分的相容性高的成分。
((d)成分:溶劑) (d)成分可列舉γ-丁內酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、乙酸苄酯、乙酸正丁酯、丙酸乙氧基乙酯、3-甲基甲氧基丙酸酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、六甲基磷醯胺、環丁碸、環己酮、環戊酮、二乙基酮、二異丁基酮、甲基戊基酮等。通常只要為可充分溶解感光性樹脂組成物中的其他成分者,則並無特別限制。 其中,自各成分的溶解性與樹脂膜形成時的塗佈性優異的觀點考慮,較佳為使用γ-丁內酯、乳酸乙酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、二甲基亞碸。
本發明的正型感光性樹脂組成物中的(d)成分的含量並無特別限制,相對於(a)成分100質量份,較佳為50質量份~300質量份,更佳為100質量份~200質量份。
本發明的正型感光性樹脂組成物亦可本質上包含(a)成分、(b)成分、(c)成分及(d)成分(consisting essentially of)。本發明的正型感光性樹脂組成物的、例如80質量%以上、90質量%以上、95質量%以上或98質量%以上可為(a)成分、(b)成分、(c)成分及(d)成分。另外,本發明的正型感光性樹脂組成物可僅包含(a)成分、(b)成分、(c)成分及(d)成分(consisting of)。該情況下,可包含不可避免的雜質。
除了所述(a)成分~(d)成分以外,本發明的樹脂組成物亦可視需要含有(1)偶合劑、(2)溶解促進劑、(3)溶解抑制劑、(4)界面活性劑或調平劑等。
((1)偶合劑) 推斷偶合劑(與所述(b)交聯劑不同的化合物)通常於對感光性樹脂組成物進行塗佈、曝光及顯影後,於加熱處理的步驟中,與作為(a)成分的聚苯并噁唑前驅物反應而進行交聯、或於加熱處理步驟中偶合劑自身聚合。藉此,可進一步提高所得的硬化膜與基板的密接性。 於本發明中,藉由在本發明的組成物中添加使用於分子內具有脲鍵(-NH-CO-NH-)的矽烷偶合劑,即便於在200℃以下的低溫下進行硬化的情況下,亦可進一步提高與基板的密接性。
較佳的矽烷偶合劑可列舉具有脲鍵的化合物,自進行低溫下的硬化時的密接性的顯現優異的方面考慮,更佳為下述式(7)所表示的化合物。 [化18](式中,R5
及R6
各自獨立地為碳數1~5的烷基;a為1~10的整數,b為1~3的整數)
式(7)所表示的化合物的具體例可列舉脲甲基三甲氧基矽烷、脲甲基三乙氧基矽烷、2-脲乙基三甲氧基矽烷、2-脲乙基三乙氧基矽烷、3-脲丙基三甲氧基矽烷、3-脲丙基三乙氧基矽烷、4-脲丁基三甲氧基矽烷、4-脲丁基三乙氧基矽烷等,較佳為3-脲丙基三乙氧基矽烷。
進而,除了所述於分子內具有脲鍵的矽烷偶合劑以外,若併用於分子內具有羥基或縮水甘油基的矽烷偶合劑,則進而於提高低溫硬化時的硬化膜對基板的密接性的方面而言有效果。
於分子內具有羥基或縮水甘油基的矽烷偶合劑可列舉:甲基苯基矽烷二醇、乙基苯基矽烷二醇、正丙基苯基矽烷二醇、異丙基苯基矽烷二醇、正丁基苯基矽烷二醇、異丁基苯基矽烷二醇、第三丁基苯基矽烷二醇、二苯基矽烷二醇、乙基甲基苯基矽醇、正丙基甲基苯基矽醇、異丙基甲基苯基矽醇、正丁基甲基苯基矽醇、異丁基甲基苯基矽醇、第三丁基甲基苯基矽醇、乙基正丙基苯基矽醇、乙基異丙基苯基矽醇、正丁基乙基苯基矽醇、異丁基乙基苯基矽醇、第三丁基乙基苯基矽醇、甲基二苯基矽醇、乙基二苯基矽醇、正丙基二苯基矽醇、異丙基二苯基矽醇、正丁基二苯基矽醇、異丁基二苯基矽醇、第三丁基二苯基矽醇、苯基矽烷三醇、1,4-雙(三羥基矽烷基)苯、1,4-雙(甲基二羥基矽烷基)苯、1,4-雙(乙基二羥基矽烷基)苯、1,4-雙(丙基二羥基矽烷基)苯、1,4-雙(丁基二羥基矽烷基)苯、1,4-雙(二甲基羥基矽烷基)苯、1,4-雙(二乙基羥基矽烷基)苯、1,4-雙(二丙基羥基矽烷基)苯、1,4-雙(二丁基羥基矽烷基)苯等、或下述式(8)所表示的化合物。 [化19](式中,R7
為具有羥基或縮水甘油基的一價的有機基,R8
及R9
各自獨立地為碳數1~5的烷基;c為1~10的整數,d為0~2的整數)
所述化合物中,尤其是式(8)所表示的化合物進一步提高與基板的密接性,因此較佳。 此種矽烷偶合劑可列舉:羥基甲基三甲氧基矽烷、羥基甲基三乙氧基矽烷、2-羥基乙基三甲氧基矽烷、2-羥基乙基三乙氧基矽烷、3-羥基丙基三甲氧基矽烷、3-羥基丙基三乙氧基矽烷、4-羥基丁基三甲氧基矽烷、4-羥基丁基三乙氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三甲氧基矽烷、縮水甘油氧基甲基三乙氧基矽烷、2-縮水甘油氧基乙基三甲氧基矽烷、2-縮水甘油氧基乙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、4-縮水甘油氧基丁基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油氧基丁基三乙氧基矽烷等。
於分子內具有羥基或縮水甘油基的矽烷偶合劑較佳為與羥基或縮水甘油基一同進而具有包含氮原子的基、具體而言為胺基或醯胺鍵的矽烷偶合劑。
具有胺基的矽烷偶合劑可列舉:雙(2-羥基甲基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基甲基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、雙(2-縮水甘油氧基甲基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷等。
具有醯胺鍵的矽烷偶合劑可列舉下述式所表示的化合物等具有醯胺鍵的矽烷偶合劑等。
X-(CH2)e-CO-NH-(CH2)f-Si(OR)3
(式中,X為羥基或縮水甘油基,e及f各自獨立地為1~3的整數,R各自獨立地為甲基、乙基或丙基)
相對於(a)成分100質量份,使用矽烷偶合劑時的含量較佳為0.1質量份~20質量份,更佳為0.3質量份~10質量份,進而較佳為1質量份~10質量份。
((2)溶解促進劑)
為了進一步促進(a)聚苯并噁唑前驅物對鹼性水溶液的溶解性,亦可添加溶解促進劑。溶解促進劑例如可列舉具有酚性羥基的化合物。藉由將具有酚性羥基的化合物添加至感光性樹脂組成物中,於使用鹼性水溶液進行顯影時曝光部的溶解速度增加從而感度上升,另外,於圖案形成後的感光性樹脂膜的硬化時,可防止感光性樹脂膜的熔融。
具有酚性羥基的化合物並無特別限制,較佳為分子量相對較小的化合物。此種化合物可列舉:鄰甲酚、間甲酚、對甲酚、2,4-二甲酚、2,5-二甲酚、2,6-二甲酚、雙酚A、雙酚B、雙酚C、雙酚E、雙酚F及雙酚G、4,4',4''-次甲基三酚、2,6-[(2-羥基-5-甲基苯基)甲基]-4-甲基苯酚、4,4'-[1-[4-[1-(4-羥基苯基)-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚、4,4'-[1-[4-[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯基]亞乙基]雙酚、4,4',4''-次乙基三酚、4-[雙(4-羥基苯基)甲基]-2-乙氧基苯酚、4,4'-[(2-羥基苯基)亞甲基]雙[2,3-二甲基苯酚]、4,4'-[(3-羥基苯基)亞甲基]雙[2,6-二甲基苯酚]、4,4'-[(4-羥基苯基)亞甲基]雙[2,6-二甲基苯酚]、2,2'-[(2-羥基苯基)亞甲基]雙[3,5-二甲基苯酚]、2,2'-[(4-羥基苯基)亞甲基]雙[3,5-二甲基苯酚]、4,4'-[(3,4-二羥基苯基)亞甲基]雙[2,3,6-三甲基苯酚]、4-[雙(3-環己基-4-羥基-6-甲基苯基)甲基]-1,2-苯二醇、4,6-雙[(3,5-二甲基-4-羥基苯基)甲基]-1,2,3-苯三醇、4,4'-[(2-羥基苯基)亞甲基]雙[3-甲基苯酚]、4,4',4''-(3-甲基-1-亞丙烯-3-基)三酚、4,4',4'',4'''-(1,4-伸苯基二次甲基)四酚、2,4,6-三[(3,5-二甲基-4-羥基苯基)甲基]-1,3-苯二醇、2,4,6-三[(3,5-二甲基-2-羥基苯基)甲基]-1,3-苯二醇、4,4'-[1-[4-[1-(4-羥基苯基)-3,5-雙[(羥基-3-甲基苯基)甲基]苯基]-苯基]亞乙基]雙[2,6-雙(羥基-3-甲基苯基)甲基]苯酚等。
自顯影時間及感度的方面考慮,相對於(a)成分100質量份,使用溶解促進劑時的含量較佳為1質量份~30質量份,更佳為3質量份~25質量份。
((3)溶解抑制劑) 可含有抑制(a)聚苯并噁唑前驅物對鹼性水溶液的溶解性的化合物即溶解抑制劑。溶解抑制劑藉由抑制(a)成分的溶解性而發揮調整殘膜厚度或顯影時間的作用。另一方面,自所產生的酸容易揮發的方面考慮,認為並不參與聚苯并噁唑前驅物的環化脫水反應。
可作為溶解抑制劑使用的化合物較佳為二苯基錪硝酸鹽、雙(對-第三丁基苯基)錪硝酸鹽、二苯基錪溴化物、二苯基錪氯化物、二苯基錪碘化物等二苯基錪鹽。
自感度及顯影時間的觀點考慮,相對於(a)成分100質量份,使用溶解抑制劑時的調配量較佳為0.01質量份~50質量份,更佳為0.01質量份~30質量份,進而較佳為0.1質量份~20質量份。
((4)界面活性劑或調平劑) 另外,為了提高塗佈性(例如條紋(膜厚不均)的抑制)及顯影性,本發明的感光性樹脂組成物亦可添加界面活性劑或調平劑。
界面活性劑或調平劑例如可列舉聚氧化乙烯月桂基醚、聚氧化乙烯硬酯基醚、聚氧化乙烯油烯基醚、聚氧化乙烯辛基苯酚醚等,市售品可列舉商品名「美佳法(Megafac)F171」、「F173」、「R-08」(以上,大日本油墨化學工業股份有限公司製造)、商品名「弗洛德(Fluorad)FC430」、「FC431」(以上,住友3M股份有限公司製造)、商品名「有機矽氧烷聚合物(organic siloxane polymer)KP341」、「KBM303」、「KBM403」、「KBM803」(以上,信越化學工業股份有限公司製造)等。
相對於(a)成分100質量份,使用界面活性劑或調平劑時的含量較佳為0.01質量份~10質量份,更佳為0.05質量份~5質量份,進而較佳為0.05質量份~3質量份。
[圖案硬化膜的製造方法] 本發明的圖案硬化膜的製造方法包括:將所述正型感光性樹脂組成物塗佈於基板上,進行乾燥而形成感光性樹脂膜的步驟(樹脂膜形成步驟);將感光性樹脂膜曝光為規定的圖案的步驟(曝光步驟);使用鹼性水溶液對進行了曝光的感光性樹脂膜進行顯影而形成圖案樹脂膜的步驟(顯影步驟);以及對圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟(加熱處理步驟)。 以下,關於各步驟加以說明。
(樹脂膜形成步驟) 基板可列舉玻璃、半導體、TiO2
、SiO2
等金屬氧化物絕緣體、氮化矽、銅、銅合金等。塗佈方法並無特別限制,可使用旋轉器等進行。
乾燥可使用加熱板、烘箱等進行。加熱溫度較佳為90℃~150℃,自確保溶解對比度的觀點考慮,為了抑制(a)成分與(b)成分的反應,更佳為90℃~120℃。加熱時間較佳為30秒~5分鐘。藉此可獲得將所述樹脂組成物形成為膜狀的樹脂膜。 樹脂膜的膜厚較佳為5 μm~100 μm,更佳為8 μm~50 μm,進而較佳為10 μm~30 μm。
(曝光步驟) 於曝光步驟中,可介隔遮罩曝光為規定的圖案。照射的光化射線可列舉包含i射線的紫外線、可見光線、放射線等,較佳為i射線。曝光裝置可使用平行曝光機、投影曝光機、步進機、掃描曝光機等。
(顯影步驟) 藉由進行顯影處理,可獲得形成有圖案的樹脂膜(圖案樹脂膜)。通常於使用正型感光性樹脂組成物的情況下,藉由顯影液將曝光部去除。 作為顯影液而使用的鹼性水溶液可列舉氫氧化鈉、氫氧化鉀、矽酸鈉、氨、乙胺、二乙胺、三乙胺、三乙醇胺、四甲基氫氧化銨等,較佳為四甲基氫氧化銨。 鹼性水溶液的濃度較佳為0.1質量%~10質量%。 顯影時間因所使用的(a)成分的種類而異,較佳為10秒~15分鐘,更佳為10秒~5分鐘,自生產性的觀點考慮,進而較佳為30秒~4分鐘。
於所述顯影液中亦可添加醇類或界面活性劑。相對於顯影液100質量份,添加量較佳為0.01質量份~10質量份,更佳為0.1質量份~5質量份。
(加熱處理步驟) 藉由對圖案樹脂膜進行加熱處理,可於(a)成分的官能基之間、或(a)成分與(b)成分之間等形成交聯結構,獲得圖案硬化膜。另外,(a)成分是聚苯并噁唑前驅物,因此可藉由加熱處理步驟而產生脫水閉環反應,製成對應的聚苯并噁唑。
加熱溫度並無特別限定,較佳為250℃以下,更佳為230℃以下,進而較佳為200℃以下。另外,加熱溫度的下限值亦並無特別限定,較佳為120℃以上,更佳為160℃以上。藉由設為所述範圍內,可將對基板或元件的損傷抑制得小,可良率良好地生產元件,實現製程的節能化。
加熱時間較佳為5小時以下,更佳為30分鐘~3小時。 藉由設為所述範圍內,可充分進行交聯反應或脫水閉環反應。另外,加熱處理的環境可以是大氣中,亦可為氮等惰性環境中,自可防止圖案樹脂膜氧化的觀點考慮,較佳為氮環境下。
加熱處理步驟中所使用的裝置可列舉石英管爐、加熱板、快速退火爐、垂直式擴散爐、紅外線硬化爐、電子束硬化爐、微波硬化爐等。
[硬化物] 本發明的硬化物為本發明的正型感光性樹脂組成物的硬化物,可藉由對本發明的正型感光性樹脂組成物應用所述加熱處理步驟而製成硬化物。 本發明的硬化物可為所述圖案硬化膜,亦可為不具有圖案的硬化膜。
[電子零件] 藉由所述方法而製造的圖案硬化膜及硬化物可作為層間絕緣膜、面塗層或表面保護膜而使用。使用該層間絕緣膜、面塗層、表面保護膜等,可製造可靠性高的半導體裝置、多層配線板、各種電子元件等電子零件。
[半導體裝置的製造步驟] 作為本發明的圖案硬化膜的製造方法的一例,基於圖式對半導體裝置的製造步驟加以說明。圖1~圖7是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的概略剖面圖,表示第一步驟至第七步驟一系列的步驟。圖8是具有無UBM(Under Bump Metal)結構的扇出封裝的概略剖面圖。
該些圖中,關於具有電路元件(未圖示)的Si基板等半導體基板1,除了電路元件的規定部分以外,經矽氧化膜等保護膜2被覆,且於露出的電路元件上形成有第1導體層3。 於所述半導體基板上利用旋塗法等形成作為層間絕緣膜4的聚醯亞胺樹脂等的膜(第一步驟、圖1)。
繼而,利用旋塗法於所述層間絕緣膜4上形成氯化橡膠系、苯酚酚醛清漆系等的感光性樹脂層5,並將其作為遮罩且藉由公知的方法以規定部分的層間絕緣膜4露出的方式設置窗6A(第2步驟、圖2)。該窗6A部分中所露出的層間絕緣膜4藉由使用氧、四氟化碳等氣體的乾式蝕刻方法而選擇性地受到蝕刻,從而形成窗6B。繼而,使用並不腐蝕自窗6B露出的第1導體層3而僅腐蝕感光性樹脂層5的蝕刻溶液將感光性樹脂層5完全去除(第3步驟、圖3)。
進而,使用公知的方法,形成第2導體層7,進行與第1導體層3的電氣連接(第4步驟、圖4)。於形成三層以上的多層配線結構的情況下,反復進行所述步驟而形成各層。
繼而,使用本發明的正型感光性樹脂組成物並以如下方式形成表面保護膜8。即,藉由旋塗法塗佈本發明的樹脂組成物並進行乾燥,自描繪有於規定部分形成有窗6C的圖案的遮罩上照射光,然後藉由鹼性水溶液進行顯影而形成圖案樹脂膜。其後,對該圖案樹脂膜進行加熱而製成作為表面保護膜8的聚苯并噁唑的圖案硬化膜(第5步驟、圖5)。該表面保護膜(聚苯并噁唑的圖案硬化膜)8發揮保護導體層不受來自外部的應力、或α射線等的影響的功能。
進而,通常於表面保護膜8的表面藉由濺鍍處理形成金屬薄膜,然後使用公知的方法與窗6C相應地形成鍍敷抗蝕劑,於露出的金屬薄膜部藉由鍍敷而使被稱為UBM(Under Bump Metal)的金屬層9析出。然後,剝離鍍敷抗蝕劑,並將UBM 9的形成區域以外的金屬箔膜蝕刻去除形成UBM(第6步驟、圖6)。進而,於金屬層9的表面形成被稱為凸塊的外部連接端子10(第7步驟、圖7)。金屬層9是出於緩和作用於凸塊10的應力、或提高電氣連接可靠性的目的而形成。
近年來,自製造成本降低的觀點考慮,為了省略此種形成金屬層9(UBM)的步驟,提出有於在表面保護膜8形成窗6C後,直接形成凸塊10的無UBM結構。於無UBM結構中,為了抑制因金屬間化合物的生成而引起的電阻上升,需要將與凸塊10連接的第2導體層7較通常形成得厚。進而,需要僅藉由表面保護膜8來緩和作用於凸塊10的應力。因此,為了被覆厚厚地形成的第2導體層7且提高應力緩和能力,需要將表面保護膜8形成得厚(圖8)。
因此,於無UBM結構中,於在所述表面保護膜8形成窗6C時,需要將樹脂膜塗佈得更厚,並進行曝光、顯影。 [實施例]
以下,基於實施例及比較例對本發明進一步加以具體說明。再者,本發明並不限定於下述實施例。
合成例1 [(a)成分:聚苯并噁唑前驅物(聚合物I)的合成] 於具有攪拌機、溫度計的0.2升燒瓶中裝入60 g N-甲基吡咯啶酮,添加13.92 g(38 mmol)2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷進行攪拌溶解。繼而,一面將溫度保持為0℃~5℃,一面以10分鐘滴加7.48 g(28 mmol)十二烷二醯氯及3.56 g(12 mmol)4,4'-二苯醚二羧醯氯,然後對燒瓶中的溶液進行60分鐘攪拌。將所述溶液投入至3升水中,回收析出物,藉由純水對其進行3次清洗後,進行減壓而獲得具有式(1)所表示的結構的聚苯并噁唑前驅物(以下作為聚合物I)。藉由凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography,GPC)法並利用標準聚苯乙烯換算而求出聚合物I的重量平均分子量,結果為42,000,分散度為2.0。
再者,GPC法的重量平均分子量是使用相對於0.5 mg聚合物I而言,溶劑[四氫呋喃(THF)/二甲基甲醯胺(DMF)=1/1(容積比)]為1 ml的溶液而進行測定。 測定裝置及測定條件如下所示。 <測定裝置> 檢測器:日立製作所股份有限公司製造的L4000 UV泵:日立製作所股份有限公司製造的L6000 島津製作所股份有限公司製造的C-R4A層析儀組件(Chromatopac) 管柱:日立化成股份有限公司製造的Gelpack GL-S300MDT-5×2根 <測定條件> 洗滌液:THF/DMF=1/1(容積比) LiBr(0.03 mol/l)、H3
PO4
(0.06 mol/l) 流速:1.0 ml/min 檢測器:UV270 nm
合成例2 [(a)成分:聚苯并噁唑前驅物(聚合物II)的合成] 將合成例1中所使用的7.48g(28 mmol)十二烷二醯氯及3.56 g(12 mmol)4,4'-二苯醚二羧醯氯置換為(40 mmol)癸烷二醯氯,除此以外與合成例1同樣地進行合成,獲得具有式(1)所表示的結構的聚苯并噁唑前驅物(以下作為聚合物II)。聚合物II的重量平均分子量為38,000,分散度為2.0。
合成例3 [(a')成分:聚苯并噁唑前驅物(聚合物III)的合成] 於具有攪拌機、溫度計的0.2升燒瓶中裝入60 g N-甲基吡咯啶酮,添加13.92 g(38 mmol)2,2-雙(3-胺基-4-羥基苯基)六氟丙烷進行攪拌溶解。繼而,一面將溫度保持為0℃~5℃,一面以10分鐘滴加11.86 g(40 mmol)4,4'-二苯醚二羧醯氯,然後恢復至室溫而對燒瓶中的溶液進行3小時攪拌。將所述溶液投入至3升水中,回收析出物,藉由純水對其進行3次清洗後,進行減壓而獲得聚苯并噁唑前驅物(以下作為聚合物III)。聚合物III的重量平均分子量為22,400,分散度為3.2。
實施例1~實施例9、比較例1~比較例5 [正型感光性樹脂組成物的製備] 按照表1所示的成分及調配量來製備實施例1~實施例9及比較例1~比較例5的正型感光性樹脂組成物。表1的調配量是相對於作為(a)成分及/或(a')成分的各聚合物100質量份的(b)成分~(d)成分、(c')成分的質量份。 所使用的各成分如下所示。
〔(a)成分:聚苯并噁唑前驅物〕 ·聚合物I:合成例1中獲得的聚合物I ·聚合物II:合成例2中獲得的聚合物II 〔(a')成分:聚苯并噁唑前驅物〕 ·聚合物III:合成例3中所得的聚合物III
〔(b)成分:交聯劑〕 ·(b-1):下述結構式所表示的化合物(三和化學股份有限公司製造、商品名:尼卡拉庫(NIKALAC)MW-390) [化20]·(b-2):下述結構式所表示的化合物(三和化學股份有限公司製造、商品名:尼卡拉庫(NIKALAC)MX-270) [化21]
〔(c)成分:感光劑〕 ·(c-1):下述結構式所表示的化合物(大東開米庫斯(Daito Chemix)股份有限公司製造、商品名:TPPA428) [化22]〔(c')成分:感光劑〕 ·(c-2):下述結構式所表示的化合物(大東開米庫斯(Daito Chemix)股份有限公司製造、商品名:TPPA528) [化23]
〔(d)成分:溶劑〕 ·BLO:γ-丁內酯
[正型感光性樹脂組成物的評價] 對於實施例1~實施例9及比較例1~比較例5中所得的正型感光性樹脂組成物,藉由以下所示的方法分別評價感度、解析度、接著性、耐藥液性。將結果示於表1中。
<感度的評價> 使用塗佈裝置(東京電子股份有限公司製造、商品名:潔淨軌道(CLEAN TRACK)ACT8)將所得的正型感光性樹脂組成物旋塗於矽晶圓上,於110℃下乾燥3分鐘而形成乾燥後膜厚為12 μm的樹脂膜。對所得樹脂膜使用i射線步進機(佳能(canon)股份有限公司製造、商品名:FPA-3000iW)進行曝光。曝光後,利用四甲基氫氧化銨(TMAH)的2.38質量%水溶液於23℃下進行顯影直至未曝光部的殘膜率成為大約75%為止,然後以水進行淋洗,獲得圖案樹脂膜。將曝光部開口時的曝光量作為感度,根據曝光量而如以下般進行評價。 小於200 mJ/cm2
:A 200 mJ/cm2
以上且小於230 mJ/cm2
:B 230 mJ/cm2
以上且小於250 mJ/cm2
:C 250 mJ/cm2
以上:D
<解析度的評價> 藉由與所述感度的評價相同的方法,關於利用i射線步進機進行曝光所得的圖案樹脂膜,將線與空間部的圖案並無剝離且亦無殘渣地可圖案化的最小的線寬作為解析度。
<接著性的評價> 使用塗佈裝置(東京電子股份有限公司製造、商品名:「潔淨軌道(CLEAN TRACK)ACT8」)將所得的正型感光性樹脂組成物旋塗於銅晶圓上,於110℃下乾燥3分鐘而形成乾燥後膜厚為10 μm的樹脂膜。對所得的樹脂膜,使用垂直式擴散爐μ-TF(光洋熱系統(Koyo Thermo Systems)股份有限公司製造)於氮氣環境下、175℃下加熱1小時,獲得硬化膜(硬化後膜厚為8 μm)。 將所得的硬化膜放入壓力鍋(PCT)裝置中,於121℃、2 atm、100%RH的條件下進行100小時處理(PCT處理)。其後,對硬化膜進行交叉切割試驗,評價對銅晶圓的接著性。如以下般進行交叉切割試驗。首先,於銅晶圓上的硬化膜表面的中央處使用刀具導件以1 mm的間隔引劃正交的縱橫各11根的平行線,以於1 cm2
中形成100個1 mm見方的正方形的硬化膜的方式切出棋盤格狀的切痕。繼而,對棋盤格進行利用透明膠帶(cellophane tape)的剝落(peeling)試驗,試驗後對銅晶圓上所殘留的1 mm見方的正方形的硬化膜的數量進行計數。將硬化膜殘留100個的情況評價為A,將殘留50個~99個的情況評價為B,將殘留49個以下的情況評價為C。
<耐藥液性的評價> 使用塗佈裝置(東京電子股份有限公司製造、商品名:潔淨軌道(CLEAN TRACK)ACT8)將所得的正型感光性樹脂組成物旋塗於矽晶圓上,於110℃下乾燥3分鐘而形成乾燥膜厚為12 μm的樹脂膜。對所得樹脂膜使用i射線步進機(佳能(canon)股份有限公司製造、商品名:FPA-3000iW)進行所述感度的評價的1.2倍的曝光,並以未曝光部的殘膜率成為75%的方式進行顯影,獲得圖案樹脂膜。 對如所述般所得的圖案樹脂膜,使用垂直式擴散爐μ-TF(光洋熱系統(Koyo Thermo Systems)股份有限公司製造)於氮氣環境下、200℃下加熱1小時,獲得圖案硬化膜。將所得的圖案硬化膜於抗蝕劑剝離液(代那羅伊(Dynaloy)公司製造、商品名:代那斯特利普(Dynastrip)7700)中於70℃下浸漬120分鐘後,利用光學顯微鏡觀察圖案硬化膜表面。根據浸漬於藥液前後的膜厚的差,將因浸漬而引起的膜厚變化小於5%者評價為A,將5%以上且小於10%者評價B,將10%以上者評價為C。另外,將藉由浸漬,抗蝕劑剝離液滲入至圖案部者或圖案部剝離者評價為D(並非使用水準)。
根據表1得知,實施例1~實施例8的正型感光性樹脂組成物的感度及解析度優異。另外,得知即便於在175℃的低溫下進行硬化的情況下,接著性亦優異,即便於在200℃的低溫下進行硬化的情況下,耐藥液性亦優異。另外,實施例9為僅使用(b-2)作為(b)成分的系統,與比較例相比得知具有良好的感度及耐藥液性。另一方面得知比較例1~比較例5的耐藥液性差。 [產業上的可利用性]
本發明的感光性樹脂組成物可用於半導體裝置或多層配線板、各種電子元件等電子零件。
上述對多個本發明的實施方式及/或實施例進行了詳細說明,但本領域的技術人員容易並不自本發明的新穎的指教及效果實質性脫離地對該些例示的實施方式及/或實施例加以多種變更。因此,該些多種變更包含於本發明的範圍中。 將該說明書中所記載的文獻的內容全部引用於說明書中。
1‧‧‧半導體基板2‧‧‧保護膜3‧‧‧第1導體層4‧‧‧層間絕緣膜5‧‧‧感光性樹脂層6A‧‧‧窗6B‧‧‧窗6C‧‧‧窗7‧‧‧第2導體層8‧‧‧表面保護膜9‧‧‧金屬層/UBM10‧‧‧外部連接端子/凸塊
圖1是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖2是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖3是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖4是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖5是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖6是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖7是說明具有多層配線結構的扇出封裝的製造步驟的一部分的概略剖面圖。 圖8是具有無凸塊下金屬(Under Bump Metal,UBM)結構的扇出封裝的概略剖面圖。
Claims (12)
- 如申請專利範圍第1項所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述(b)交聯劑中,R3各自獨立地為-CH2-O-R4。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的正型感光性樹脂組成物,其中,所述式(1)的V的脂肪族結構為碳數5~10的脂肪族直鏈結構。
- 一種圖案硬化膜的製造方法,其包括:將如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的正型感光性樹脂組成物塗佈於基板上,進行乾燥而形成感光性樹脂膜的步驟;將所述感光性樹脂膜曝光為規定的圖案的步驟;使用鹼性水溶液對所述進行了曝光的感光性樹脂膜進行顯影而形成圖案樹脂膜的步驟;以及對所述圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟。
- 如申請專利範圍第6項所述的圖案硬化膜的製造方法,其中,於所述對圖案樹脂膜進行加熱處理的步驟中,加熱處理溫度為200℃以下。
- 一種硬化物,其是如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的正型感光性樹脂組成物的硬化物。
- 一種層間絕緣膜,其使用如申請專利範圍第8項所述的硬化物。
- 一種面塗層,其使用如申請專利範圍第8項所述的硬化物。
- 一種表面保護膜,其使用如申請專利範圍第8項所述的硬化物。
- 一種電子零件,其具有如申請專利範圍第9項所述的層間絕緣膜、如申請專利範圍第10項所述的面塗層或如申請專利範圍第11項所述的表面保護膜。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009265520A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたポリベンゾオキサゾール膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
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TW201329623A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-07-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、圖案硬化膜的製造方法以及電子零件 |
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JP5386781B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2014-01-15 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP5434588B2 (ja) * | 2007-03-12 | 2014-03-05 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
US8420291B2 (en) * | 2007-10-29 | 2013-04-16 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems, Ltd. | Positive photosensitive resin composition, method for forming pattern, electronic component |
JP5498170B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2014-05-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
JP4245074B1 (ja) * | 2008-01-11 | 2009-03-25 | 住友ベークライト株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜およびそれを用いた半導体装置、表示体装置。 |
KR20080111470A (ko) | 2008-10-10 | 2008-12-23 | 톰슨 라이센싱 | 디플렉스 프론트 엔드를 이용한 능동 분배기 장치 및 방법 |
JP5446203B2 (ja) | 2008-10-15 | 2014-03-19 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP5515399B2 (ja) * | 2009-05-12 | 2014-06-11 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
TWI437025B (zh) * | 2009-08-14 | 2014-05-11 | Asahi Kasei E Materials Corp | An alkali-soluble polymer, a photosensitive resin composition comprising the same, and a use thereof |
JP5620686B2 (ja) | 2010-02-08 | 2014-11-05 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置 |
KR101344125B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2013-12-20 | 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤 | 감광성 수지 조성물 |
JP5859257B2 (ja) * | 2010-09-15 | 2016-02-10 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | フェノール樹脂組成物並びに硬化レリーフパターン及び半導体の製造方法 |
JP5920345B2 (ja) * | 2011-06-15 | 2016-05-18 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
JP2013205801A (ja) | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 感光性樹脂組成物及びその硬化膜、保護膜、絶縁膜並びに半導体装置及び表示体装置 |
WO2014115233A1 (ja) | 2013-01-28 | 2014-07-31 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | 樹脂組成物、パターン硬化膜の製造方法及び半導体素子 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009265520A (ja) * | 2008-04-28 | 2009-11-12 | Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd | 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたポリベンゾオキサゾール膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 |
WO2010001780A1 (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 耐熱性樹脂前駆体及びそれを用いた感光性樹脂組成物 |
TW201329623A (zh) * | 2011-12-13 | 2013-07-16 | Hitachi Chemical Co Ltd | 感光性樹脂組成物、圖案硬化膜的製造方法以及電子零件 |
Also Published As
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