JP2010266487A - ポジ型感光性樹脂組成物、硬化膜、パターン硬化膜の製造方法及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】下記成分(a)〜(d)を含有するポジ型感光性樹脂組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物
(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤
(d)ウレア結合を有するシランカップリング剤
【選択図】なし
Description
このポリイミド樹脂膜は、一般にはテトラカルボン酸二無水物及びジアミンを極性溶媒中で常温常圧において反応させて得られるポリイミド前駆体(ポリアミド酸)溶液(いわゆるワニス)を、スピンコート等で薄膜化して熱的に脱水閉環(硬化)することにより形成される(例えば非特許文献1)。
係る方法により得られるポジ型感光性樹脂は低誘電率化が期待できることから、感光性ポリイミドと共にポリベンゾオキサゾール樹脂又はその前駆体樹脂自身に感光特性を付与したポジ型感光性樹脂である感光性ポリベンゾオキサゾールが注目されている。
また、溶剤可溶性ヒドロキシルイミドは、感光特性、耐熱性に優れるものの、硬化膜として使用する際の基材への密着性に関しては、満足できる水準になかった。
1.下記成分(a)〜(d)を含有するポジ型感光性樹脂組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物
(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤
(d)ウレア結合を有するシランカップリング剤
2.前記(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマーが、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びこれらの前駆体からなる群から選択される1種以上である1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
3.前記(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物が、ジアゾナフトキノンである1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
4.前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤が、尿素結合、メラミン骨格及びイソシアヌレート骨格のいずれかを含む化合物であって、1以上の−CH2OR(Rは、水素原子又は一価の有機基である)で表される置換基を含む化合物である1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
5.前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤が、下記式(1)で表される化合物である1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
R8は、それぞれ水素原子又は一価の有機基であり、R8同士が互いに結合して環構造を形成してもよい。)
6.前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤が、下記式(2)で表される化合物である1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
7.前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤が、下記式(3)で表される化合物である1〜4のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
qは、1〜10の整数である。
rは、1〜3の整数である。)
9.前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤の含有量が、前記(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー100重量部に対して20重量部以上である1〜8のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
10.アンダーバンプメタル作製のための無電解めっきを必要とするデバイスの層間絶縁膜又は表面保護膜に使用される1〜9のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
11.1〜10のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布してなる硬化膜。
12.1〜10のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程と、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程を含むパターン硬化膜の製造方法。
13.12に記載の製造方法により得られるパターン硬化膜に、無電解めっきをしてアンダーバンプメタルを作製する工程を含む電子部品の製造方法。
14.12に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層として有する電子部品。
15.13に記載の製造方法により得られる電子部品。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物
(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤
(d)ウレア結合を有するシランカップリング剤
半導体製造に用いる現像液として、一般に、濃度が2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液が用いられるので、本発明の(a)成分は、好ましくはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、特に好ましくは濃度が2.38重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液に可溶なポリマーである。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマーは、上記骨格の共重合体、又は2種以上の上記ポリマーの混合物を用いてもよい。
上記ポリマーは、いずれも公知の方法で製造することができる。
(a)成分に用いるポリヒドロキシアミドは、好ましくは式(I)で表されるヒドロキシ基を含有するアミドユニットをある割合以上含む式(II)で表されるポリヒドロキシアミドである。
V及びWは2価の有機基である。
j及びkは、それぞれモル分率を示し、j及びkの和は100モル%であって、jが60〜100モル%、kが40〜0モル%である。)
上記4価の芳香族基は、好ましくは4個の結合部位がいずれも芳香環上に存在する芳香族基である。
Wの2価の有機基は、好ましくは2価の芳香族基若しくは2価の脂肪族基である。また、2価の有機基の炭素原子数は好ましくは4〜40である。Wの2価の有機基は、より好ましくは炭素原子数4〜40の2価の芳香族基である。
これらの化合物は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
Vの2価の有機基は、好ましくは2価の芳香族基である。また、2価の有機基の炭素原子数は好ましくは6〜40である。硬化膜の耐熱性の観点から、Vの2価の有機基は、より好ましくは炭素原子数6〜40の2価の芳香族基である。また、Vが炭素数6〜30の脂肪族直鎖構造を有する2価の有機基の場合は、熱硬化する際の温度を280℃以下と低くしても十分な物性が得られる点で好ましい。
上記2価の芳香族基としては、2個の結合部位がいずれも芳香環上に存在する芳香族基が好ましい。
上記分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線より換算して得られる値である。
ハロゲン化剤としては、通常のカルボン酸の酸クロリド化反応に使用可能な、塩化チオニル、塩化ホスホリル、オキシ塩化リン、五塩化リン等が使用できる。
反応溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、トルエン、ベンゼン等が使用できる。
反応温度は、−10〜70℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
溶媒中で行うことが好ましい。
脱ハロゲン化水素剤としては、通常、ピリジン、トリエチルアミン等の有機塩基が使用される。また、有機溶媒としては、N−メチル−2−ピロリドン、N−メチル−2−ピリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等が使用できる。
反応温度は、−10〜30℃が好ましく、0〜20℃がより好ましい。
脱塩酸剤とo−キノンジアジドスルホニルクロリドの好ましい割合は、0.95/1〜1/0.95の範囲である。
また、好ましい反応温度は0〜40℃であり、好ましい反応時間は1〜10時間である。
脱塩酸剤としては、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸カリウム、水酸化カリウム、トリメチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン等が挙げられる。
(c)成分は、感光性樹脂組成物を塗布、露光、現像後の加熱処理する工程において(c)成分である化合物がポリマーと反応して橋架けをするか、前記の加熱処理する工程において(c)成分である化合物自身が重合するものである。これらの反応により、得られる硬化膜の機械特性及び薬品耐性を向上させることができる。
(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤は、より好ましくは下記式(1)〜(3)で表される化合物のいずれか1以上である。
R8は、それぞれ水素原子又は一価の有機基であり、R8同士が互いに結合して環構造を形成してもよい。)
qは、1〜10の整数である。
rは、1〜3の整数である。)
例えば、(a)成分が約280℃の以下での脱水閉環率が高いポリマーである場合に、本発明の組成物が(e)酸熱発生剤を含むことにより、脱水環化反応をさらに低温化できるので、低温での硬化であっても、硬化膜の物性が、高温で硬化した硬化膜と遜色ない性能が得られる。
これに対して、塩酸、臭素酸、ヨウ素酸や硝酸が出るような酸発生剤では、発生した酸の酸性度が弱く、さらに加熱により揮発し易いこともあって、ポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応には殆ど関与しないと考えられ、本発明の十分な効果が得られにくい。
これらオニウム塩は、分解開始温度が150〜250℃の範囲にあり、280℃以下でのポリベンゾオキサゾール前駆体の環化脱水反応に際して効率的に分解することができる。
熱酸発生剤であるナフトイルイミドスルホナートの好ましい具体例としては、1,8−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート(1%重量減少温度189℃、5%重量減少温度227℃)、2,3−ナフトイルイミドトリフルオロメチルスルホナート(1%重量減少温度185℃、5%重量減少温度216℃)等が挙げられる。
上記アミド構造−HN−SO2−Rに結合する基としては、例えば、2,2,−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2,−ビス(4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ジ(4−ヒドロキシフェニル)エーテル等が挙げられる。
上記強酸としては、例えばp−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸のようなアリールスルホン酸、カンファースルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、ノナフルオロブタンスルホン酸のようなパーフルオロアルキルスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、ブタンスルホン酸のようなアルキルスルホン酸が好ましい。
また、上記塩基としては、例えばピリジン、2,4,6−トリメチルピリジンのようなアルキルピリジン、2−クロロ−N−メチルピリジンのようなN−アルキルピリジン、ハロゲン化−N−アルキルピリジン等が好ましい。
上記溶解促進剤としては、フェノール性水酸基を有する化合物が挙げられる。フェノール性水酸基を有する化合物を、本発明の組成物に加えることにより、アルカリ性水溶液を用いて現像する際に、露光部の溶解速度が増加して感度が上げることができ、また、パターン形成後の膜の硬化時に膜の溶融を防ぐことができる。
上記溶解阻害剤の具体例としては、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラート、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト等を挙げることができる。
感度と現像時の許容幅の観点から、(ii)溶解阻害剤の含有量は、(a)成分100重量部に対して、好ましくは0.01〜50重量部であり、より好ましくは0.01〜30重量部であり、さらに好ましくは0.1〜20重量部である。
市販品としては、商品名「メガファックスF171」、「F173」、「R−08」(以上、大日本インキ化学工業株式会社製)、商品名「フロラードFC430」、「FC431」(以上、住友スリーエム株式会社製)、商品名「オルガノシロキサンポリマーKP341」、「KBM303」、「KBM403」、「KBM803」(以上、信越化学工業株式会社製)等が挙げられる。
上記溶剤の使用量は、特に制限されないが、好ましくは固形分(溶剤以外の成分)が5〜50重量%となるように使用する。
特に本発明の組成物は、アルカリ性水溶液による現像が可能であり、良好な感度、良好な解像度及び高い耐熱性を示すと共に、化学薬品耐性及び基材に対する密着性に優れるので、良好な形状のパターン硬化膜を製造することができる。
塗布方法は、スピンナー等の塗布法が挙げられ、支持基板上に塗布した本発明の組成物からなる塗膜をホットプレート、オーブン等を用いて乾燥することで、感光性樹脂膜が形成できる。
これらアルカリ水溶液の塩基濃度は、好ましくは0.1〜10重量%である。
これらはそれぞれ、アルカリ性現像液100重量部に対して、好ましくは0.01〜10重量部、より好ましくは0.1〜5重量部を添加することができる。
上記加熱処理の温度は160〜400℃でよい。当該温度範囲は、従来の加熱温度より低いため、支持基板やデバイスへのダメージを小さく抑えることができ、デバイスの歩留り向上及びプロセスの省エネルギー化が可能となる。
加熱処理を行う加熱環境としては、上述のように通常の窒素置換されたオーブンを用いる以外に、マイクロ波硬化装置や周波数可変マイクロ波硬化装置を用いることもできる。これらを用いることにより、パターン樹脂膜のみを効果的に加熱することが可能である。
図1〜図5は、多層配線構造を有する半導体装置の製造工程を説明する概略断面図であり、第1の工程から第5の工程へと一連の工程を表している。
この表面保護膜層(感光性樹脂のパターン硬化膜)8は、導体層を外部からの応力、α線等から保護し、得られる半導体装置は信頼性に優れる。
発明は下記実施例に限定されるものではない。
合成例1
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g(60mmol)、及びN−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した。その後、塩化チオニル23.9g(120mmol)を滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸クロリドの溶液を得た。
測定装置:検出器 株式会社日立製作所製L4000 UV
ポンプ:株式会社日立製作所製L6000
株式会社島津製作所製C−R4A Chromatopac
測定条件:カラム Gelpack GL−S300MDT−5 x2本
溶離液:THF/DMF=1/1 (容積比)
LiBr(0.03mol/L)、H3PO4(0.06mol/L)
流速:1.0mL/min、検出器:UV270nm
合成例2
ジフェニルエーテルジカルボン酸の代わりにドデカン酸を用いた他は合成例1と同様にしてポリヒドロキシアミド(以下、ポリマーIIという)を合成した。
得られたポリマーIIの標準ポリスチレン換算により求めた重量平均分子量は27,200であり、分散度は1.9であった。
合成例3
攪拌機及び温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物(ODPA)10g(32mmol)とイソプロピルアルコール3.87g(65mmol)とをN−メチルピロリドン45gに溶解し、1,8−ジアザビシクロウンデセンを触媒量添加して、その後、60℃にて2時間加熱した。続いて室温下(25℃)で15時間攪拌し、エステル化を行った。その後、氷冷下で塩化チオニルを7.61g(64mmol)加え、室温に戻し2時間反応を行い、酸クロリドの溶液(以下、酸クロリド溶液Iという)を得た。
ポリマーIIIの重量平均分子量は19,400であり、分散度は2.2であった。
実施例1〜7及び比較例1〜4
合成例で調製した(a)成分であるポリマー100重量部、並びに表1の配合量の(b)、(c)、及び(d)成分を、γ−ブチロラクトン/プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを重量比9:1で混合した溶剤に溶解して、それぞれ感光性樹脂組成物を調製した。
尚、表1において、(b)、(c)、(d)成分の各欄における()内の数はポリマー100重量部に対する添加量(重量部)を示す。溶剤の使用量は、いずれもポリマー100重量部に対して200重量部である。
実施例1〜7及び比較例1〜4で調製した感光性樹脂組成物を、それぞれシリコンウエハ上にスピンコートして、乾燥膜厚が7〜12μmの塗膜を形成した。得られた塗膜に、超高圧水銀灯を用いて、干渉フィルターを介して、100〜1000mJ/cm2のi線を所定のパターンに照射して、露光を行った。露光後、120℃で3分間加熱し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)の2.38重量%水溶液にて露光部のシリコンウエハが露出するまで現像した後、水でリンスして、パターン樹脂膜をそれぞれ得た。
尚、上記露光は100mJ/cm3から10mJ/cm3刻みで露光量を上げていきながらパターン照射して現像を行い、最小露光量は、開口パターンを顕微鏡で観察しながら判断した。
具体的には、PCT条件(121℃/100RH%/2atm)で300時間処理したパターン硬化膜付きウエハ上の硬化膜に、エポキシ系樹脂のついたアルミ製のピンを立て、オーブンで150℃/1時間加熱してエポキシ樹脂のついたスタッドピンを硬化膜に接着させた。このピンをROMULUS(Quad Group Inc.社製)を用いて引っ張り、剥がれたときの剥離状態を目視で観察した。硬化膜とエポキシ樹脂の界面、又はエポキシ樹脂とアルミ製ピンの界面から剥離した場合を○として、シリコン基板と硬化膜の界面で剥離した場合を×として、それぞれ評価した。結果を表2に示す。
2 保護膜
3 第1導体層
4 層間絶縁膜層
5 感光樹脂層
6A、6B、6C 窓
7 第2導体層
8 表面保護膜層
101 半導体基板
102 シリコン基板
103 下地層
104 外部電極端子
105 表面保護膜層
Claims (15)
- 下記成分(a)〜(d)を含有するポジ型感光性樹脂組成物。
(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー
(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物
(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤
(d)ウレア結合を有するシランカップリング剤 - 前記(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマーが、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、及びこれらの前駆体からなる群から選択される1種以上である請求項1に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(b)光の照射を受けて酸を発生する化合物が、ジアゾナフトキノンである請求項1又は2に記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤が、尿素結合、メラミン骨格及びイソシアヌレート骨格のいずれかを含む化合物であって、1以上の−CH2OR(Rは、水素原子又は一価の有機基である)で表される置換基を含む化合物である請求項1〜3のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 前記(c)フェノール骨格を含有していない架橋剤の含有量が、前記(a)アルカリ性水溶液に可溶なポリマー100重量部に対して20重量部以上である請求項1〜8のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- アンダーバンプメタル作製のための無電解めっきを必要とするデバイスの層間絶縁膜又は表面保護膜に使用される請求項1〜9のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を塗布してなる硬化膜。
- 請求項1〜10のいずれかに記載のポジ型感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥して感光性樹脂膜を形成する感光性樹脂膜形成工程と、
前記感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する露光工程と、
前記露光後の感光性樹脂膜をアルカリ水溶液を用いて現像してパターン樹脂膜を得る現像工程と、
前記パターン樹脂膜を加熱処理してパターン硬化膜を得る加熱処理工程を含むパターン硬化膜の製造方法。 - 請求項12記載の製造方法により得られるパターン硬化膜に、無電解めっきをしてアンダーバンプメタルを作製する工程を含む電子部品の製造方法。
- 請求項12に記載のパターン硬化膜の製造方法により得られるパターン硬化膜を、層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層として有する電子部品。
- 請求項13に記載の製造方法により得られる電子部品。
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