JP5655262B2 - 半導体装置、その製造方法及び感光性樹脂組成物 - Google Patents
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しかし、この活性なドライエッチングガスはプラズマ中で有機絶縁膜中の成分とも反応してエッチング残渣が形成されてしまう。この残渣はフッ素原子を多く含むことから、ドライエッチングガスと有機絶縁膜中のフッ素含有成分との反応物であると推定されている。
なお、本発明における感光性樹脂組成物は、その中に、フッ素原子は全く含まないことが好ましいが、組成物に含まれる各成分に、不純物として含まれることなどに伴って、組成物に多少存在してしまっているものは致し方なく、本発明では、本発明の効果に影響を与えるほどには、フッ素を実質的に含まないものとする。
以下、本発明による半導体装置の製造方法に使用する感光性樹脂組成物について説明する。上記感光性樹脂組成物は、(a)樹脂構造にフッ素原子を含まないポリイミド前駆体と、(b)感光剤と、及び(c)溶剤とを含有する。
上記感光性樹脂組成物における(a)樹脂構造にフッ素原子を含まないポリイミド前駆体(以下、(a)成分とする)は、分子構造中にフッ素を含まないことが必要であり、現像液として用いられるアルカリ水溶液に可溶であることが望ましい。分子構造中にフッ素を含まなければ、これまでに用いられてきた一般的なアルカリ可溶性ポリイミド前駆体を使用できる。これらポリイミド前駆体は、分子中にアルカリ可溶性基を有することが望ましく、アルカリ可溶性基としてはカルボキシル基、フェノール性水酸基、スルホン酸基、チオール基等が挙げられる。
なお、アルカリ水溶液とは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、金属水酸化物水溶液、有機アミン水溶液等のアルカリ性の溶液である。
ヒドロキシジアミン類としては、3,3'−ジアミノ−4,4'−ジヒドロキシビフェニル、4,4'−ジアミノ−3,3'−ジヒドロキシビフェニル、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)プロパン、ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)スルホン、ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)スルホン、2,2−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−ヒドロキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの化合物は、単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。これらは通常上記一般式(2)、(3)、及び(4)の構造形成をするために使用され、アルカリ溶解性を高めることが出来るので、アルカリ可溶性の樹脂を製造する上では好ましく用いられる。
これらは単独で又は2種類以上を組み合わせて使用される。
これらの化合物を、単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の感光性樹脂組成物は、樹脂構造中にフッ素を含まないポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体とともに、(b)成分である感光剤を含む。(b)成分は、構造中にフッ素を含まない感光剤であることが必要である。このような感光剤は、光に反応して、その組成物から形成された膜の現像液に対する機能を有するものである。上記感光剤は、特に制限はないが、光により酸又はラジカルを発生するものであることが好ましい。
本発明に使用される(c)成分である溶剤としては、構造中にフッ素を含まないことが必要であり、γ−ブチロラクトン、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸ベンジル、n−ブチルアセテート、エトキシエチルプロピオネート、3−メチルメトキシプロピオネート、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルホスホリルアミド、テトラメチレンスルホン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジエチルケトン、ジイソブチルケトン、メチルアミルケトン等が挙げられる。
上記感光性樹脂組成物において、上記(a)〜(c)成分に加えて、(1)溶解促進剤、(2)溶解阻害剤、(3)密着性付与剤、(4)界面活性剤又はレベリング剤などの成分を配合しても良い。ただし、これら成分の構造にフッ素を含まないことが必要である。
本発明においては、さらに(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を促進させる溶解促進剤、例えばフェノール性水酸基を有する化合物を含有させることができる。フェノール性水酸基を有する化合物は、加えることでアルカリ水溶液を用いて現像する際に露光部の溶解速度が増加し感度が上がり、また、パターン形成後の膜の硬化時に、膜の溶融を防ぐことができる。
本発明においては、さらに(a)成分のアルカリ水溶液に対する溶解性を阻害する化合物である溶解阻害剤を含有させることができる。具体的には、ジフェニルヨードニウムニトラート、ビス(p−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムニトラ−ト、ジフェニルヨードニウムブロマイド、ジフェニルヨードニウムクロリド、ジフェニルヨードニウムヨーダイト等である。
本発明の感光性樹脂組成物は、硬化膜の基板との接着性を高めるために、有機シラン化合物、アルミキレート化合物等の密着性付与剤を含むことができる。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、塗布性、例えばストリエーション(膜厚のムラ)を防いだり、現像性を向上させたりするために、適当な界面活性剤又はレベリング剤を添加することができる。
次に、本発明による感光性樹脂組成物のパターン製造方法について説明する。本発明のパターン製造方法は、上述した感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程と、前記乾燥工程により得られた感光性樹脂膜を所定のパターンに露光する工程と、前記露光後の感光性樹脂膜を現像する工程と、及び前記現像後の感光性樹脂膜を加熱処理する工程とを経て、ポリイミドのパターンとすることができる。以下、各工程について説明する。
まず、上述した感光性樹脂組成物を支持基板上に塗布し乾燥する工程では、ガラス基板、半導体、金属酸化物絶縁体(例えばTiO2、SiO2等)、窒化ケイ素などの支持基板上に、上記感光性樹脂組成物をスピンナーなどを用いて回転塗布後、ホットプレート、オーブンなどを用いて乾燥する。これにより、感光性樹脂組成物の被膜である感光性樹脂膜が得られる。
次に、露光工程では、支持基板上で被膜となった感光性樹脂膜に、マスクを介して紫外線、可視光線、放射線などの活性光線を照射することにより露光を行う。
現像工程では、活性光線が露光した感光性樹脂膜の露光部を現像液で除去することによりパターンが得られる。現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどのアルカリ水溶液が好ましいものとして挙げられる。これらの水溶液の塩基濃度は、0.1〜10重量%とされることが好ましい。さらに上記現像液にアルコール類や界面活性剤を添加して使用することもできる。これらはそれぞれ、現像液100重量部に対して、好ましくは0.01〜10重量部、より好ましくは0.1〜5重量部の範囲で配合することができる。
次いで、加熱処理工程では、現像後得られたパターンを加熱処理することにより、イミド環を有する耐熱性のポリイミドのパターンを形成することができる。加熱処理工程における加熱温度は、120〜450℃、より望ましくは、250〜400℃である。
以上のようにして、本発明による感光性樹脂組成物のパターンを製造することができる。
次に、上述した感光性樹脂組成物を使用して半導体装置を製造する方法について説明する。本発明による半導体装置の製造方法は、半導体素子上に形成された少なくともパッド電極及び金属配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜上に上述した感光性樹脂組成物を使用してフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極を露出させる工程とを含む。以下、本発明による半導体装置の製造方法について、図面に基づいてさらに詳細に説明する。
次に、本発明による電子部品について説明する。本発明による電子部品は、上述した感光性樹脂組成物を用いて上記パターンの製造方法によって形成されるパターンを含む。このパターンは、具体的には、半導体装置等電子部品の表面保護膜や層間絶縁膜、多層配線板の層間絶縁膜等の形成に使用することができる。また、上記電子部品は、本発明による半導体装置の製造方法によって製造することができ、電子部品としては、半導体装置や多層配線板、各種電子デバイス等を含む。特に、DRAM又はフラッシュメモリが好ましいものとして挙げられる。また、本発明による電子部品は、上記感光性樹脂組成物を用いて形成される表面保護膜や層間絶縁膜を有すること以外は特に制限されず、様々な構造をとることができる。
ポリマーの合成
(合成例1)
攪拌機、温度計を備えた0.2リットルのフラスコ中に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物20.16g、N−メチルピロリドン83.93g、イソプロピルアルコール7.81g、ジアザビシクロウンデセン0.30gを仕込み、室温で120時間攪拌し反応させて、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルのN−メチルピロリドン溶液を得た。次に、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルのN−メチルピロリドン溶液103.56gをフラスコに入れて0℃に冷却し、塩化チオニル12.44gを滴下し、30分反応させて、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルジクロリドのN−メチルピロリドン溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン53.72gを仕込み、2,2'−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)イソプロピリデン13.44gを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン16.32gを添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラカルボン酸ジイソプロピルエステルジクロリドのN−メチルピロリドン溶液107.56gを20分間で滴下した後、1時間攪拌を続けた。得られた溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧してポリイミド前駆体(以下、ポリマーIとする)を得た。GPC(カラム:日立化成(株)製GL−S300MDT−5)を用いて測定した重量平均分子量は、23,800であった。
攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸15.48g、N−メチルピロリドン90gを仕込み、フラスコを5℃に冷却した後、塩化チオニル12.64gを滴下し、30分間反応させて、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を得た。次いで、攪拌機、温度計を備えた0.5リットルのフラスコ中に、N−メチルピロリドン87.5gを仕込み、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン18.31gを添加し、攪拌溶解した後、ピリジン8.53gを添加し、温度を0〜5℃に保ちながら、4,4’−ジフェニルエーテルジカルボン酸クロリドの溶液を30分間で滴下した後、30分間攪拌を続けた。得られた溶液を3リットルの水に投入し、析出物を回収、純水で3回洗浄した後、減圧してポリヒドロキシアミド(以下、ポリマーIIとする)を得た。GPC(カラム:日立化成(株)製GL−S300MDT−5)を用いて測定した重量平均分子量は17,900であった。
測定装置;検出器:株式会社日立製作所社製L4000 UV
ポンプ:株式会社日立製作所社製L6000
株式会社島津製作所社製C−R4A Chromatopac
測定条件;カラム:Gelpack GL−S300MDT−5 x2本
溶離液:THF/DMF=1/1 (容積比)
LiBr(0.03mol/l)、H3PO4(0.06mol/l)
流速:1.0ml/min、検出器:UV270nm
ポリマー0.5mgに対して溶媒[THF/DMF=1/1(容積比)]1mlの溶液を用いて測定した。
実施例1〜5及び比較例1〜5
上記(a)成分100重量部に対し、(b)成分、(c)成分及び添加成分を表1に示した所定量にて配合した。
Al配線が形成されたシリコンウエハ基板上に、プラズマCVD法により1μm膜厚の無機絶縁膜としてSiO2膜を作成した。この無機絶縁膜上に、上記実施例1〜5及び比較例1〜5の感光性樹脂組成物溶液をスピンコートして、乾燥膜厚3〜10μmの塗膜を形成し、そののち干渉フィルターを介して、パッド電極部を超高圧水銀灯にてi線(365nm)露光を行った。露光後、120℃で3分間加熱し、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの2.38重量%水溶液にて露光部の無機絶縁膜が露出するまで現像した後、水でリンスしパターン形成した。さらに、このシリコンウエハをガスオーブン中、窒素雰囲気下、150℃で30分加熱した後、さらに350℃で1時間加熱して有機絶縁膜を得た。
次いで、パターン化された有機絶縁膜を有するシリコンウエハをエッチング装置にて、酸素:テトラフルオロメタン=20:80の容積%の比からなる混合ガスを流量25sccmにより、出力100W、プロセス圧力10Paで7分間無機絶縁膜のエッチング処理を行った。このとき、有機絶縁膜の膜厚の減少は約0.8μmであった。50μm×50μmの正方形パターン開口部(パッド電極部)を走査型電子顕微鏡にて観察し、残渣の有無を評価した。その結果を表3に示した。
一方、構造中にフッ素を含むポリマーIIを用いた比較例1〜5の感光性樹脂組成物から作製した有機絶縁膜は、ドライエッチング後、パッド電極部に残渣が見られ、中でも、その他の添加成分としてもフッ素を含むものを用いた比較例2,4は、特に残渣が多かった。
2 パッド電極
3 無機絶縁膜
4 有機絶縁膜
5A、5B 窓
Claims (11)
- 半導体素子上に形成された少なくともパッド電極及び金属配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、
前記無機絶縁膜上にフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、
前記フッ素非含有有機絶縁膜をアルカリ現像によりポジ型にてパターン加工する工程と、
前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極を露出させる工程とを含み、
ドライエッチングされる前記無機絶縁膜上の前記フッ素非含有有機絶縁膜が、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体を含む樹脂膜を加熱処理して得られたポリイミド系樹脂又はポリオキサゾール系樹脂の膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ポリイミド系樹脂又はポリオキサゾール系樹脂の膜が、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体と感光剤とを含み、かつフッ素を含まない感光性樹脂組成物を塗布・乾燥して得た前記樹脂膜を、露光・現像してパターン加工し、加熱処理して得られた膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記感光性樹脂組成物が、アルカリ水溶液で現像してパターン加工可能なものであることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記感光性樹脂組成物が、(a)次式(1)〜(4)のいずれかで示される繰り返し単位を有し、フッ素非含有でアルカリ水溶液可溶性の官能基を有するポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体と、(b)光酸発生剤と、及び(c)溶剤とを含有するポジ型の感光性樹脂組成物であることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フッ素含有ガスによるドライエッチングが、フッ素含有ガスとしてフッ素化メタン又はこれと水素若しくは酸素との混合ガスを使用し、エッチング時のプロセス圧力を0.5〜25Paとして行うことを特徴とする請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1から請求項6のうち、いずれか1項に記載の半導体装置の製造方法により製造されることを特徴とする半導体装置。
- 前記半導体装置が、DRAM又はフラッシュメモリであることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 半導体素子上に形成された少なくともパッド電極及び金属配線上に無機絶縁膜を形成する工程と、前記無機絶縁膜上にフッ素非含有有機絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素非含有有機絶縁膜をアルカリ現像によりポジ型にてパターン加工する工程と、前記パターン加工により露出された前記無機絶縁膜をフッ素含有ガスによりドライエッチングして前記パッド電極を露出させる工程とを含み、ドライエッチングされる前記無機絶縁膜上の前記フッ素非含有有機絶縁膜が、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体を含む樹脂膜を加熱処理して得られたポリイミド系樹脂又はポリオキサゾール系樹脂の膜である半導体装置の製造方法において、前記フッ素非含有有機絶縁膜を形成するための感光性樹脂組成物であって、
前記感光性樹脂組成物が、樹脂構造にフッ素を含まないポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体と感光剤と溶剤とを含み、かつフッ素を含まないことを特徴とする感光性樹脂組成物。 - 前記感光性樹脂組成物が、(a)次式(1)〜(4)のいずれかで示される繰り返し単位を有し、フッ素非含有でアルカリ水溶液可溶性の官能基を有するポリイミド前駆体又はポリオキサゾール前駆体と、(b)光酸発生剤と、及び(c)溶剤とを含有することを特徴とする請求項9に記載の感光性樹脂組成物。
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