WO2016157394A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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semiconductor
semiconductor device
die pad
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篤志 錦沢
雄一 谷藤
浩偉 岡
団野　忠敏
中村　弘幸
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ルネサスエレクトロニクス株式会社
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    • H01L2924/181—Encapsulation

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and can be suitably used for, for example, a semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips are arranged and packaged, and a manufacturing method thereof.
  • a semiconductor device in the form of a semiconductor package can be manufactured by mounting a semiconductor chip on a die pad, electrically connecting pad electrodes and leads of the semiconductor chip via wires, and sealing them with resin.
  • Patent Document 1 describes a technology related to a multi-chip package in which a power semiconductor chip and a logic chip are mounted on a substrate.
  • the semiconductor device has the first semiconductor chip mounted on the conductive chip mounting portion via the first bonding material having insulation, and the second bonding material having conductivity.
  • This is a resin-encapsulated semiconductor device having a second semiconductor chip mounted thereon.
  • the first length of the portion covered with the first bonding material on the first side formed by intersecting the first side surface and the second side surface of the first semiconductor chip is the second length.
  • the second side formed by intersecting the third side surface and the fourth side surface of the semiconductor chip is longer than the second length of the portion covered with the second bonding material.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes: (a) mounting a first semiconductor chip on a conductive chip mounting portion via a first bonding material having an insulating property; A step of mounting a second semiconductor chip via a second bonding material having a property; (b) a sealing body for sealing at least a part of the first semiconductor chip, the second semiconductor chip, and the chip mounting portion; Forming a step.
  • the first length of the portion covered with the first bonding material on the first side formed by intersecting the first side surface and the second side surface of the first semiconductor chip is the second length.
  • the second side formed by intersecting the third side surface and the fourth side surface of the semiconductor chip is longer than the second length of the portion covered with the second bonding material.
  • the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 11;
  • FIG. 13 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 12;
  • FIG. 14 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 13;
  • FIG. 15 is a cross-sectional view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 14;
  • It is a process flow figure which shows the detail of a die bonding process. It is a process flow figure which shows the detail of a die bonding process. It is a process flow figure which shows the detail of a die bonding process. It is a process flow figure which shows the detail of a die bonding process. It is a process flow figure which shows the detail of a die bonding process.
  • FIG. 21 is a plan view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 20;
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of the same semiconductor device as in FIG. 21 during a manufacturing step.
  • FIG. 22 is a plan view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 21;
  • FIG. 24 is a cross-sectional view of the same semiconductor device as in FIG. 23 during a manufacturing step;
  • FIG. 24 is a plan view of the semiconductor device in manufacturing process, following FIG. 23;
  • FIG. 26 is a cross-sectional view of the same semiconductor device as in FIG. 25 during a manufacturing step;
  • FIG. 26 is a plan view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG.
  • FIG. 28 is a cross-sectional view of the same semiconductor device as in FIG. 27 during a manufacturing step. It is a top view in the manufacturing process of the semiconductor device which is one embodiment.
  • FIG. 30 is a plan view of the semiconductor device during a manufacturing step following that of FIG. 29; It is a circuit diagram of the semiconductor device which is one embodiment. It is principal part sectional drawing of the semiconductor chip used for the semiconductor device which is one Embodiment. It is sectional drawing of the semiconductor device of an examination example. 1 is an enlarged plan view of a part of a semiconductor device according to an embodiment; 1 is an enlarged plan view of a part of a semiconductor device according to an embodiment; It is a perspective view which expands and shows a part of semiconductor device which is one embodiment.
  • FIG. 1 is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of a semiconductor device according to an embodiment
  • 1 is an enlarged cross-sectional view illustrating a part of a semiconductor device according to an embodiment
  • It is a table
  • hatching may be omitted even in a cross-sectional view for easy understanding of the drawings. Further, even a plan view may be hatched to make the drawing easy to see.
  • FIG. 1 is a top view of a semiconductor device PKG according to an embodiment of the present invention
  • FIGS. 2 to 4 are plan perspective views of the semiconductor device PKG
  • FIG. 5 is a bottom view of the semiconductor device PKG
  • FIG. 6 to 8 are cross-sectional views of the semiconductor device PKG.
  • FIG. 2 shows a plan perspective view of the upper surface side of the semiconductor device PKG when the sealing portion MR is seen through.
  • FIG. 3 is a plan perspective view of the upper surface side of the semiconductor device PKG when the wire BW is further seen through (omitted) in FIG.
  • FIG. 4 is a plan perspective view of the upper surface side of the semiconductor device PKG when the semiconductor chips CP1 and CP2 are further seen through (omitted) in FIG. 1 to 4, the direction of the semiconductor device PKG is the same. 2 to 4, the position of the outer periphery of the sealing portion MR is indicated by a dotted line.
  • the cross section of the semiconductor device PKG at the position of the AA line in FIGS. 1, 2 and 5 substantially corresponds to FIG. 6, and at the position of the BB line in FIGS.
  • the cross section of the semiconductor device PKG substantially corresponds to FIG. 7, and the cross section of the semiconductor device PKG at the position of the line CC in FIGS. 1, 2 and 5 substantially corresponds to FIG.
  • FIG. 9 is a partially enlarged plan perspective view in which a part of FIG. 2 is enlarged.
  • the semiconductor device (semiconductor package) PKG of this embodiment shown in FIGS. 1 to 9 is a semiconductor device in the form of a resin-encapsulated semiconductor package, and here is a semiconductor device in the form of a QFP (Quad Flat Package). .
  • QFP Quad Flat Package
  • the semiconductor device PKG of the present embodiment shown in FIGS. 1 to 9 includes semiconductor chips CP1 and CP2, a die pad DP on which the semiconductor chips CP1 and CP2 are mounted, a plurality of leads LD formed of a conductor, a semiconductor
  • Each of the chips CP1 and CP2 includes a plurality of wires BW that electrically connect the plurality of pad electrodes P1 and P2 and the plurality of leads LD, and a sealing portion MR that seals them.
  • the sealing portion (sealing resin portion, sealing body) MR as a sealing body is made of, for example, a resin material such as a thermosetting resin material, and may include a filler.
  • the sealing portion MR can be formed using an epoxy resin containing a filler.
  • a biphenyl thermosetting resin to which a phenolic curing agent, silicone rubber, filler, or the like is added is used as a material for the sealing portion MR for the purpose of reducing stress. May be.
  • the sealing portion MR includes an upper surface (front surface) MRa that is one main surface, a lower surface (back surface, bottom surface) MRb that is a main surface opposite to the upper surface MRa, and side surfaces MRc1 and MRc2 that intersect the upper surface MRa and the lower surface MRb. , MRc3, and MRc4 (see FIG. 1 and FIGS. 5 to 8). That is, the appearance of the sealing portion MR is a thin plate surrounded by the upper surface MRa, the lower surface MRb, and the side surfaces MRc1, MRc2, MRc3, MRc4. In plan view, each side surface MRc1, MRc2, MRc3, MRc4 of the sealing part MR can also be regarded as a side of the sealing part MR.
  • the planar shape of the upper surface MRa and the lower surface MRb of the sealing portion MR is formed, for example, in a rectangular shape, and the corners of the rectangle (planar rectangle) can be rounded. In addition, an arbitrary corner can be dropped from the four corners of the rectangle (planar rectangle).
  • the planar shapes of the upper surface MRa and the lower surface MRb of the sealing portion MR are rectangular, the planar shape (outer shape) intersecting with the thickness of the sealing portion MR is rectangular (square).
  • the side surface MRc1 and the side surface MRc3 face each other
  • the side surface MRc2 and the side surface MRc4 face each other
  • the side surface MRc1 and the side surfaces MRc2 and MRc4 intersect each other.
  • the side surface MRc3 and the side surfaces MRc2 and MRc4 intersect each other.
  • the plurality of leads (lead portions) LD are made of a conductor, and are preferably made of a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy.
  • Each of the plurality of leads LD is sealed in the sealing portion MR, and the other part protrudes from the side surface of the sealing portion MR to the outside of the sealing portion MR.
  • a portion of the lead LD positioned in the sealing portion MR is referred to as an inner lead portion
  • a portion of the lead LD positioned outside the sealing portion MR is referred to as an outer lead portion.
  • the semiconductor device PKG of the present embodiment has a structure in which a part (outer lead part) of each lead LD protrudes from the side surface of the sealing part MR.
  • the following description is based on this structure.
  • a configuration in which each lead LD hardly protrudes from the side surface of the sealing portion MR and a part of each lead LD is exposed on the lower surface MRb of the sealing portion MR QFN type configuration. Etc. can also be adopted.
  • the plurality of leads LD include a plurality of leads LD disposed on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR, a plurality of leads LD disposed on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR, and a side surface MRc3 side of the sealing portion MR. And a plurality of leads LD arranged on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR.
  • Each outer lead portion of the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR protrudes from the side surface MRc1 of the sealing portion MR to the outside of the sealing portion MR. Further, each outer lead portion of the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR protrudes from the side surface MRc2 of the sealing portion MR to the outside of the sealing portion MR. Further, each outer lead portion of the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc3 side of the sealing portion MR protrudes from the side surface MRc3 of the sealing portion MR to the outside of the sealing portion MR. Further, each outer lead portion of the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR protrudes from the side surface MRc4 of the sealing portion MR to the outside of the sealing portion MR.
  • each lead LD is bent so that the lower surface in the vicinity of the end of the outer lead portion is positioned substantially on the same plane as the lower surface MRb of the sealing portion MR.
  • the outer lead portion of the lead LD functions as an external connection terminal portion (external terminal) of the semiconductor device PKG.
  • the die pad (chip mounting portion, tab) DP is a chip mounting portion on which the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are mounted.
  • the planar shape of the die pad DP is formed in a rectangular shape, for example.
  • the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are arranged side by side on the die pad DP, the sealing portion MR seals a part of the die pad DP, and the plurality of leads LD are arranged around the die pad DP. .
  • the die pad DP includes a side (side surface) DP1 on the side surface MRc1, a side (side surface) DP2 on the side surface MRc2, a side (side surface) DP3 on the side surface MRc3, and a side (side surface) DP4 on the side surface MRc4 side.
  • a side (side surface) DP1 of the die pad DP is a side (side surface) along the side surface MRc1 of the sealing portion MR
  • a side (side surface) DP2 of the die pad DP is a side (side surface) along the side surface MRc2 of the sealing portion MR.
  • the side (side surface) DP3 of the die pad DP is the side (side surface) along the side surface MRc3 of the sealing portion MR, and the side (side surface) DP4 of the die pad DP is along the side surface MRc4 of the sealing portion MR. It is a side (side).
  • the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR are arranged (arranged) along the side DP1 of the die pad DP, and the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR are Arranged (arranged) along the side DP2 of the die pad DP.
  • the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc3 side of the sealing portion MR are disposed (arranged) along the side DP3 of the die pad DP, and the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR.
  • a plurality of leads LD are arranged (arranged) along the side surface MRc1 of the sealing portion MR.
  • a plurality of leads LD are arranged (arranged) along the side surface MRc2 of the sealing portion MR.
  • a plurality of leads LD are arranged (arranged) along the side surface MRc3 of the sealing portion MR between the side DP3 of the die pad DP and the side surface MRc3 of the sealing portion MR.
  • a plurality of leads LD are arranged (arranged) along the side surface MRc4 of the sealing portion MR.
  • the lower surface (back surface) of the die pad DP is exposed at the lower surface MRb of the sealing portion MR.
  • the die pad DP is not exposed on the upper surface MRa of the sealing portion MR.
  • the die pad DP is made of a conductor and is preferably made of a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy. It is more preferable that the die pad DP and the plurality of leads LD constituting the semiconductor device PKG are formed of the same material (the same metal material). As a result, a lead frame in which the die pad DP and the plurality of leads LD are coupled can be easily manufactured, and the semiconductor device PKG using the lead frame can be easily manufactured.
  • a metal material such as copper (Cu) or a copper alloy.
  • the suspension leads TL are integrally formed at the four corners of the rectangle that constitutes the planar shape of the die pad DP.
  • Each suspension lead TL is integrally formed with the die pad DP using the same material as the die pad DP.
  • a suspension lead TL is integrally formed at each of the four corners of the outer edge of the die pad DP, and the end of each suspension lead TL opposite to the side connected to the die pad DP is a planar rectangular sealing portion MR.
  • the inside of the sealing portion MR extends until reaching the four corners (corner portions).
  • the suspension lead TL has a portion protruding from the sealing portion MR after the formation of the sealing portion MR, and cut surfaces (end surfaces) generated by cutting the suspension lead TL are exposed at the four corner side surfaces of the sealing portion MR. ing.
  • the semiconductor chip CP1 On the upper surface (main surface) of the die pad DP, the semiconductor chip CP1 is mounted with its front surface (main surface, upper surface) facing up and its back surface (lower surface) facing the die pad DP ( FIG. 2, FIG. 3, FIG. 6, FIG. 7 and FIG. 9).
  • the semiconductor chip CP2 On the upper surface (main surface) of the die pad DP, the semiconductor chip CP2 is mounted with its front surface (main surface, upper surface) facing up and its back surface (lower surface) facing the die pad DP. (See FIGS. 2, 3, 6, 8, and 9).
  • the region where the semiconductor chip CP1 is mounted and the region where the semiconductor chip CP2 is mounted are separated from each other. Therefore, the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are separated from each other in plan view. is doing.
  • the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are arranged side by side on the upper surface of the die pad DP. That is, the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are not stacked on each other, and are arranged on the upper surface of the die pad DP so as to be separated from each other.
  • the planar dimensions (planar area) of the die pad DP are larger than the planar dimensions (planar areas) of the semiconductor chips CP1 and CP2, and the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are included in the upper surface of the die pad DP in plan view. However, the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 do not overlap.
  • the back surface of the semiconductor chip CP1 is bonded and bonded to the upper surface of the die pad DP via a bonding material (bonding material layer, adhesive layer) BD1, and the back surface of the semiconductor chip CP2 is bonded to the bonding material (bonding material layer, adhesive). Layer) It is bonded and bonded to the upper surface of the die pad DP via the BD2 (see FIGS. 6 to 8).
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 are sealed in the sealing portion MR and are not exposed from the sealing portion MR.
  • the semiconductor chip CP1 has a back electrode BE formed on the back surface (main surface bonded to the die pad DP) (see FIGS. 6 and 7). Therefore, the bonding material BD1 for bonding the semiconductor chip CP1 has conductivity, and the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is bonded and fixed to the die pad DP via the conductive bonding material BD1. And electrically connected. Therefore, a desired potential can be supplied from the die pad DP to the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 through the conductive bonding material BD1.
  • the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the drain of a power MOSFET (corresponding to a power MOSFET Q1 described later) formed in the semiconductor chip CP1.
  • the bonding material BD1 for example, a conductive paste type bonding material (adhesive) such as silver (Ag) paste can be suitably used. Further, as the conductive paste type bonding material for the bonding material BD1, a thermosetting bonding material can be suitably used. However, in the manufactured semiconductor device PKG, the bonding material BD1 is already cured.
  • a silver (Ag) plating layer GM is formed in a region where the semiconductor chip CP1 is mounted.
  • the silver plating layer GM is formed on a part of the upper surface of the die pad DP, and the semiconductor chip CP1 is included in the silver plating layer GM in plan view.
  • the semiconductor chip CP1 is mounted on and bonded to the silver plating layer GM on the upper surface of the die pad DP via a conductive bonding material BD1. That is, the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is bonded and fixed to the silver plating layer GM on the upper surface of the die pad DP via the conductive bonding material BD1, and is electrically connected. Therefore, the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the die pad DP via the conductive bonding material BD1 and the silver plating layer GM.
  • the silver plating layer GM can be omitted. If the silver plating layer GM is not provided, the semiconductor is disposed on the die pad DP made of copper (Cu) or copper (Cu) alloy via the bonding material BD1. The chip CP1 is mounted. However, it is more preferable to provide a silver plating layer GM on a part of the upper surface of the die pad DP and mount the semiconductor chip CP1 on the silver plating layer GM via the bonding material BD1. When an oxide layer is formed on the upper surface of the die pad DP made of copper (Cu) or a copper (Cu) alloy, and the semiconductor chip CP1 is mounted on the region where the oxide layer is formed via the bonding material BD1.
  • the connection resistance between them may be increased.
  • the surface of the silver plating layer GM is less oxidized than the surface of the die pad DP, a silver plating layer GM is provided on the upper surface of the die pad DP, and a semiconductor is bonded to the silver plating layer GM via the bonding material BD1. If the chip CP1 is mounted, the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 and the die pad DP can be accurately electrically connected with low resistance.
  • the bonding material BD2 for bonding the semiconductor chip CP2 does not have conductivity but has insulation. That is, the bonding material BD2 is made of an insulating bonding material. Thereby, the die pad DP and the semiconductor chip CP2 are insulated via the insulating bonding material BD2, and the potential supplied from the die pad DP to the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 via the conductive bonding material BD1 It is no longer supplied to the back surface of the chip CP2.
  • an insulating paste-type bonding material (adhesive) can be suitably used.
  • a thermosetting bonding material can be suitably used as the insulating paste type bonding material for the bonding material BD2 is already cured.
  • the silver plating layer GM is not formed in the region where the semiconductor chip CP2 is mounted on the upper surface of the die pad DP. Therefore, the semiconductor chip CP2 is mounted and bonded via the insulating bonding material BD2 on the upper surface of the die pad DP in the region where the silver plating layer GM is not formed.
  • the die pad DP On the upper surface of the die pad DP, it is also possible to provide a silver plating layer such as a silver plating layer GM in the region where the semiconductor chip CP2 is mounted, and to mount the semiconductor chip CP2 on the silver plating layer via the bonding material BD2. It is. However, the upper surface of the die pad DP is not provided with a silver plating layer such as the silver plating layer GM in the region where the semiconductor chip CP2 is mounted, and the bonding material is formed on the upper surface of the die pad DP in the region where the silver plating layer is not formed. It is more preferable to mount the semiconductor chip CP2 via the BD2.
  • the semiconductor chip CP2 it is more preferable to mount the semiconductor chip CP2 on the exposed surface of the die pad DP made of copper or copper alloy via the bonding material BD2. This is because the adhesion (adhesion strength) between the sealing part MR and the die pad DP is higher than the adhesion (adhesion strength) between the silver plating layer GM and the sealing part MR. For the semiconductor chip CP2 that does not need to be electrically connected to the die pad DP, high adhesion between the sealing portion MR and the die pad DP can be ensured by not providing the silver plating layer GM in the mounting region.
  • the semiconductor chip CP1 that needs to be electrically connected to the die pad DP is provided with a silver plating layer GM in the mounting region, thereby providing an electrical connection between the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 and the die pad DP. Reliability can be improved.
  • the die pad DP can also have a function as a heat sink for dissipating heat generated in the semiconductor chip CP1.
  • the heat generated in the semiconductor chip CP1 is conducted to the die pad DP through the bonding material BD1, and can be dissipated outside the semiconductor device PKG from the lower surface (back surface) of the die pad DP exposed from the sealing portion MR. Since the bonding material BD1 interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP has conductivity, the thermal conductivity is higher than that of the insulating bonding material BD2 interposed between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. The rate is high.
  • the heat generation amount of the semiconductor chip CP2 is smaller than the heat generation amount of the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor chip CP1 includes a power transistor through which a large current flows, whereas the semiconductor chip CP2 does not include such a power transistor and flows through the semiconductor chip CP1. This is because the current flowing through the semiconductor chip CP2 is smaller than the current. For this reason, even if the bonding material BD2 interposed between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP has an insulating property and the thermal conductivity is lowered, problems related to the heat generation of the semiconductor chip CP2 hardly occur.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 are formed by, for example, forming various semiconductor elements or semiconductor integrated circuits on the main surface of a semiconductor substrate (semiconductor wafer) made of single crystal silicon or the like, and then separating the semiconductor substrate into each semiconductor chip by dicing or the like. Manufactured.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 have a rectangular (quadrangle) planar shape that intersects their thickness.
  • the semiconductor chip CP1 is an IPD (Intelligent Power Device) chip. Therefore, although details will be described later, the semiconductor chip CP1 has a power transistor (corresponding to a power MOSFET Q1 described later) and a control circuit (corresponding to a control circuit CLC described later) for controlling the power transistor.
  • the semiconductor chip CP2 is a microcomputer chip. Therefore, the semiconductor chip CP2 includes a circuit that controls the semiconductor chip CP1 (particularly, the control circuit CLC of the semiconductor chip CP1), and includes, for example, an arithmetic circuit (CPU) and a memory circuit.
  • the semiconductor chip CP2 can be used as a control chip (control semiconductor chip) for controlling the semiconductor chip CP1. That is, the semiconductor chip CP2 is a semiconductor chip for controlling the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor chip CP1 has a larger planar area than the semiconductor chip CP2, and the difference in the planar area is as follows. That is, it is desirable to make the outer size of the semiconductor chip CP2 as small as possible in consideration of the overall dimensions of the semiconductor device PKG.
  • a power transistor is formed in the semiconductor chip CP1, and in this power transistor, it is desired to reduce the on-resistance generated in the transistor as much as possible. The on-resistance can be reduced by widening the channel width of a plurality of unit transistor cells that constitute the power transistor. For this reason, the outer size of the semiconductor chip CP1 is larger than the outer size of the semiconductor chip CP2.
  • a plurality of pad electrodes (pads, bonding pads, terminals) P1 are formed on the surface (main surface, upper surface) of the semiconductor chip CP1 (see FIGS. 2, 3, 6, 7, and 9).
  • a plurality of pad electrodes (pads, bonding pads, terminals) P2 are formed on the surface (main surface, upper surface) of the semiconductor chip CP2 (see FIGS. 2, 3, 6, 8, and 9). ).
  • the “pad electrode” may be simply referred to as “pad”.
  • the main surface on the side on which the plurality of pad electrodes P1 are formed is called the surface of the semiconductor chip CP1 among the two main surfaces positioned on the opposite sides, and is opposite to this surface.
  • the main surface facing the die pad DP is referred to as the back surface of the semiconductor chip CP1.
  • the main surface on the side where the plurality of pad electrodes P2 are formed out of the two main surfaces located on the opposite sides is called the surface of the semiconductor chip CP2, and is opposite to this surface.
  • the main surface facing the die pad DP is referred to as the back surface of the semiconductor chip CP2.
  • the surface of the semiconductor chip CP1 has a rectangular planar shape (see FIGS. 3 and 9). Therefore, the semiconductor chip CP1 has four side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 that connect the front surface of the semiconductor chip CP1 and the back surface of the semiconductor chip CP1. That is, the semiconductor chip CP1 has a surface that is one main surface, a back surface that is a main surface opposite to the front surface, and side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 that intersect the front surface and the back surface. .
  • the side surface SM1 and the side surface SM3 are located on opposite sides
  • the side surface SM2 and the side surface SM4 are located on opposite sides
  • the side surface SM1 and the side surface SM3 are parallel to each other
  • the side surface SM4 is parallel to each other
  • the side surface SM1 is orthogonal to the side surfaces SM2 and SM4
  • the side surface SM3 is orthogonal to the side surfaces SM2 and SM4.
  • the side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 of the semiconductor chip CP1 can be regarded as the sides of the semiconductor chip CP1.
  • the surface of the semiconductor chip CP2 has a rectangular planar shape (see FIGS. 3 and 9). Therefore, the semiconductor chip CP2 has four side surfaces SM5, SM6, SM7, and SM8 that connect the front surface of the semiconductor chip CP2 and the back surface of the semiconductor chip CP2. That is, the semiconductor chip CP2 has a surface that is one main surface, a back surface that is a main surface opposite to the front surface, and side surfaces SM5, SM6, SM7, and SM8 that intersect the front surface and the back surface. .
  • each side surface SM5, SM6, SM7, SM8 of the semiconductor chip CP2 can also be regarded as a side of the semiconductor chip CP2.
  • the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are mounted on the upper surface of the die pad DP so that the side surface SM3 of the semiconductor chip CP1 and the side surface SM5 of the semiconductor chip CP2 face each other (see FIGS. 3 and 9).
  • the side surface SM3 of the semiconductor chip CP1 and the side surface SM5 of the semiconductor chip CP2 are opposed to each other, but the side surface SM3 of the semiconductor chip CP1 and the side surface SM5 of the semiconductor chip CP2 can be substantially parallel.
  • the side surface SM1 is a side surface along the side surface MRc1 of the sealing portion MR and the side DP1 of the die pad DP
  • the side surface SM2 is the side surface along the side surface MRc2 of the sealing portion MR and the side DP2 of the die pad DP.
  • the side surface SM3 is a side surface along the side surface MRc3 of the sealing portion MR and the side DP3 of the die pad DP
  • the side surface SM4 is along the side surface MRc4 of the sealing portion MR and the side DP4 of the die pad DP.
  • the side surface SM5 is a side surface along the side surface MRc1 of the sealing portion MR and the side DP1 of the die pad DP
  • the side surface SM6 is along the side surface MRc2 of the sealing portion MR and the side DP2 of the die pad DP.
  • the side surface SM7 is a side surface along the side surface MRc3 of the sealing portion MR and the side DP3 of the die pad DP
  • the side surface SM8 is along the side surface MRc4 of the sealing portion MR and the side DP4 of the die pad DP.
  • the semiconductor chip CP1 is disposed on the side closer to the side surface MRc1 of the sealing portion MR, and the semiconductor chip CP2 is disposed on the side closer to the side surface MRc3 of the sealing portion MR. ing. That is, on the upper surface of the die pad DP, of the semiconductor chips CP1 and CP2, the semiconductor chip CP1 is disposed on the side closer to the side DP1 of the die pad DP, and the semiconductor chip CP2 is disposed on the side closer to the side DP3 of the die pad DP. .
  • the side surface SM1 of the semiconductor chip CP1 faces the inner lead portions of the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR
  • the side surface SM2 of the semiconductor chip CP1 is the side surface of the sealing portion MR.
  • the side surface SM3 of the semiconductor chip CP1 faces the side surface SM5 of the semiconductor chip CP2, and the side surface SM4 of the semiconductor chip CP1 faces the inner lead portions of the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR. is doing.
  • the side surface SM5 of the semiconductor chip CP2 faces the side surface SM3 of the semiconductor chip CP1
  • the side surface SM6 of the semiconductor chip CP2 is the inner side of the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR. It faces the lead part.
  • the side surface SM7 of the semiconductor chip CP2 faces the inner lead portions of the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc3 side of the sealing portion MR
  • the side surface SM8 of the semiconductor chip CP2 is on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR. Is opposed to the inner lead portions of the plurality of leads LD.
  • the plurality of pad electrodes P1, P2 of the semiconductor chips CP1, CP2 and the plurality of leads LD are electrically connected through a plurality of wires (bonding wires) BW, respectively, and the plurality of pad electrodes of the semiconductor chip CP1 P1 and the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 are electrically connected to each other through a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 are electrically connected to the pad electrode P1 electrically connected to the lead LD via the wire BW and to the pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2 via the wire BW.
  • the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 are electrically connected to the pad electrode P2 electrically connected to the lead LD via the wire BW and to the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 via the wire BW.
  • the semiconductor device PKG includes a plurality of wires BW.
  • the plurality of wires BW includes a wire BW that electrically connects the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 and the lead LD, and the semiconductor chip CP2.
  • the wire BW electrically connects the pad electrode P2 and the lead LD, and the wire BW electrically connects the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 and the pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2.
  • the plurality of pad electrodes P1 disposed along the side surface SM1 are the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P1 formed on the surface of the semiconductor chip CP1 are the plurality of pads LD disposed on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P1 arranged along the side surface SM4 are the plurality of leads LD arranged on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P2 formed on the surface of the semiconductor chip CP2 are the plurality of pads LD disposed on the side surface MRc2 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P2 disposed along the side surface SM7 are the plurality of leads LD disposed on the side surface MRc3 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P2 formed on the surface of the semiconductor chip CP2 are the plurality of pads LD disposed on the side surface MRc4 side of the sealing portion MR. Are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P1 formed on the surface of the semiconductor chip CP1 the plurality of pad electrodes P1 arranged along the side surface SM3 and the plurality of pad electrodes P2 formed on the surface of the semiconductor chip CP2
  • the plurality of pad electrodes P2 arranged along the side surface SM5 are electrically connected to each other via a plurality of wires BW.
  • the plurality of pad electrodes P1 formed on the surface of the semiconductor chip CP1 include a plurality of source pad electrodes P1S (see FIG. 9).
  • a plurality of source pad electrodes P1S are arranged along the side surface SM1, and each is electrically connected to the lead LD arranged on the side surface MRc1 side of the sealing portion MR via the wire BW. It is connected. Therefore, the source pad electrode P1S is included in the pad electrode P1 electrically connected to the lead LD via the wire BW.
  • the source pad electrode P1S is a source pad electrode (pad, bonding pad), and is electrically connected to the source of a power transistor (corresponding to a power MOSFET Q1 described later) formed in the semiconductor chip CP1.
  • a plurality of source pad electrodes P1S can be arranged along the side surface SM1 on the surface of the semiconductor chip CP1, but can also be arranged at some distance from the side surface SM1.
  • the wire (bonding wire) BW is a conductive connecting member, and more specifically, a conductive wire. Since the wire BW is made of metal, it can also be regarded as a metal wire (metal thin wire).
  • the wire BW is sealed in the sealing portion MR and is not exposed from the sealing portion MR. In each lead LD, the connection location of the wire BW is an inner lead portion located in the sealing portion MR.
  • all the wires BW can have the same thickness (diameter).
  • the thickness (diameter) of the wire BW connecting the source pad electrode P1S of the semiconductor chip CP1 and the lead LD is It is more preferable to make it larger than the thickness (diameter) of the other wire BW. That is, among the plurality of wires BW (corresponding to the wire BW shown in FIG.
  • the thickness (diameter) of the wire BW connected to the source pad electrode P1S is set to other than the source pad electrode P1S. It is more preferable to make it larger than the thickness (diameter) of the wire BW connected to the pad electrodes P1, P2. The reason for doing so is as follows.
  • the wire BW connecting the source pad electrode P1S of the semiconductor chip CP1 and the lead LD flows a larger current than the other wires BW, so that the resistance is reduced by increasing the thickness (diameter). Loss can be reduced.
  • the thickness (diameter) of the wire BW is reduced.
  • the dimensions of the pad electrodes P1 and P2 connected to the wire BW can be reduced, which is advantageous for downsizing the semiconductor chips CP1 and CP2.
  • the diameter of the wire BW connected to the source pad electrode P1S is about 35 ⁇ m
  • the diameter of the wire BW connected to the pad electrodes P1, P2 other than the source pad electrode P1S is about 20 ⁇ m. Can do.
  • wire BW As the wire BW, a gold (Au) wire, a copper (Cu) wire, an aluminum (Al) wire, or the like can be suitably used.
  • the wire BW connected to the source pad electrode P1S is increased in thickness (diameter) and is connected to the pad electrodes P1 and P2 other than the source pad electrode P1S using a copper wire.
  • the thickness (diameter) can be reduced and a gold wire can be used. That is, the wire BW connected to the source pad electrode P1S and the wire BW connected to the pad electrodes P1, P2 other than the source pad electrode P1S are made of different materials, and the former has a large diameter copper (Cu ) Wire, with the latter being a gold (Au) wire with a small diameter.
  • the manufacturing cost of the semiconductor device PKG can be suppressed.
  • a gold (Au) wire is used for the wire BW having a small diameter (that is, the wire BW connected to the pad electrodes P1 and P2 other than the source pad electrode P1S), thereby connecting the wire BW. Even if the dimensions of P1 and P2 are reduced, the wire BW can be easily and accurately connected to the small pad electrodes P1 and P2. This is because a gold wire is easier to connect to a small pad than a copper wire. Thereby, the connection reliability of the wire BW can be improved while suppressing the manufacturing cost.
  • FIG. 10 is a process flow diagram showing manufacturing steps of the semiconductor device PKG shown in FIGS. 11 to 15 are sectional views of the semiconductor device PKG during the manufacturing process. 11 to 15 show cross sections corresponding to FIG.
  • the lead frame LF and the semiconductor chips CP1 and CP2 are prepared (step S1 in FIG. 10).
  • the lead frame LF includes a frame frame (not shown), a plurality of leads LD coupled to the frame frame, and a die pad DP coupled to the frame frame via a plurality of suspension leads TL. Are integrated.
  • step S1 the preparation of the lead frame LF, the preparation of the semiconductor chip CP1, and the preparation of the semiconductor chip CP2 may be performed in any order, or may be performed simultaneously.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 are die bonded, and the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP of the lead frame via the conductive bonding material BD1, and bonded. Further, the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP of the lead frame via the insulating bonding material BD2 and bonded (step S2 in FIG. 10). Since the back surface electrode BE is formed on the back surface of the semiconductor chip CP1, in step S2, the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 is bonded to the die pad DP via the conductive bonding material BD1. Step S2 will be described in more detail later.
  • step S2 the wire bonding process is performed as shown in FIG. 13 (step S3 in FIG. 10).
  • step S3 between the plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 and the plurality of leads LD of the lead frame LF, between the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 and the plurality of leads LD of the lead frame LF, and The plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 and the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 are electrically connected through the plurality of wires BW, respectively.
  • step S3 when the thickness (diameter) of the wire BW connecting the source pad electrode P1S of the semiconductor chip CP1 and the lead LD is larger than the thickness (diameter) of the other wires BW, step S3 is performed. Then, it is preferable to perform the wire bonding process in two stages. That is, first, wire bonding using a wire BW having a large diameter is performed as the first step, and then wire bonding using a wire BW having a small diameter is performed as the second step.
  • wire bonding is performed on the wire BW shown in FIG.
  • the plurality of source pad electrodes P1S of the semiconductor chip CP1 and the plurality of leads LD are electrically connected to each other via the wires BW having a large diameter.
  • wire bonding is performed on the wire BW shown in FIG.
  • the plurality of pad electrodes P1 of CP1 and the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 are electrically connected through wires BW having a small diameter.
  • step S3 wire bonding using a wire BW having a large diameter is performed first, and then wire bonding using a wire BW having a small diameter is performed, whereby the wire BW in the wire bonding process of step S3. Can reduce the possibility of deformation.
  • step S4 resin sealing is performed by a molding process (resin molding process), and the semiconductor chips CP1 and CP2 and the plurality of wires BW connected thereto are sealed by the sealing portion MR as shown in FIG. Step S4 in FIG.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 the die pad DP, the inner lead portions of the plurality of leads LD, the plurality of wires BW, and the sealing portion MR that seals the suspension leads TL are formed.
  • the leads LD and the suspension leads TL are cut at predetermined positions outside the sealing portion MR.
  • the lead frame LF is separated from the frame of the lead frame LF (step S5 in FIG. 10).
  • step S6 in FIG. 10 the outer lead portion of the lead LD protruding from the sealing portion MR is bent (lead processing, lead molding) (step S6 in FIG. 10).
  • the semiconductor device PKG as shown in FIGS. 1 to 9 is manufactured.
  • FIGS. 16 to 19 are process flow diagrams showing details of the die bonding step of step S2 in the process flow of FIG. 20 to 30 are plan views or cross-sectional views in the manufacturing process of the semiconductor device PKG. 20, FIG. 20, FIG. 23, FIG. 25, FIG. 27, FIG. 29 and FIG. 30 are plan views, and FIG. 22, FIG. 24, FIG. A cross-section corresponding to 6 is shown. Note that the cross-sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 20 corresponds to FIG. 11, the cross-sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 21 corresponds to FIG. 22, and the cross-sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 24, the sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 25 corresponds to FIG. 26, and the sectional view taken along line A1-A1 in FIG. 27 corresponds to FIG.
  • FIG. 20 shows a plan view of the lead frame LF before performing the die bonding process of step S2, and shows a plan view of a region from which one semiconductor device PKG is obtained.
  • 21, FIG. 23, FIG. 25, FIG. 27, FIG. 29 and FIG. 30 show the same planar area as FIG.
  • Step S2 can be performed specifically as shown in FIG.
  • the insulating bonding material BD2 is supplied to the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted on the upper surface of the die pad DP (step S2a in FIG. 16).
  • the semiconductor chip CP2 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD2 (step S2b in FIG. 16).
  • the bonding material BD2 is preferably made of an insulating paste type bonding material (adhesive). In steps S2a and S2b, the bonding material BD2 has not yet been cured, and has a viscous paste.
  • an insulating paste type bonding material adheresive
  • insulating spacers insulating particles, insulating spacer particles
  • the insulating spacer contained in the bonding material BD2 is made of, for example, a methacrylic acid ester copolymer, and the size (average particle diameter) can be set to about 10 to 40 ⁇ m, for example. Thereby, the thickness of the bonding material BD2 interposed between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be set to about 10 to 40 ⁇ m, for example.
  • the conductive bonding material BD1 is supplied to the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted on the upper surface of the die pad DP (step S2c in FIG. 16).
  • the semiconductor chip CP1 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD1 (step S2d in FIG. 16).
  • the bonding material BD1 is preferably made of a conductive paste-type bonding material (adhesive) such as silver (Ag) paste.
  • adhesive such as silver (Ag) paste.
  • the bonding material BD1 has not yet been cured and is a paste having viscosity.
  • a conductive paste type bonding material (adhesive) containing insulating spacers (insulating particles, insulating spacer particles) is used as the bonding material BD1. Since the insulating spacer included in the bonding material BD1 is interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP, a space between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP can be secured. That is, the distance between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP is approximately the same as the size (diameter) of the insulating spacer included in the bonding material BD1.
  • the bonding material BD1 interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP it is possible to prevent the bonding material BD1 interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP from being thinned, and the bonding material BD1 having a desired thickness is formed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP. Can intervene.
  • the thickness of the bonding material BD1 interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP becomes thin, there is a concern that cracks due to thermal stress or the like are likely to occur in the bonding material BD1 between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. However, such a concern can be eliminated by interposing an insulating spacer in the bonding material BD1.
  • the size (average particle diameter) of the insulating spacer included in the bonding material BD1 can be set to about 10 to 20 ⁇ m, for example. Accordingly, the thickness of the bonding material BD1 interposed between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP can be set to about 10 to 20 ⁇ m, for example.
  • step S2e heat treatment
  • the bonding material BD2 supplied in step S2a and the bonding material BD1 supplied in step S2c are both thermosetting bonding materials, the bonding materials BD1 and BD2 are cured by performing heat treatment in step S2e. be able to.
  • the semiconductor chip CP1 is mounted and fixed on the die pad DP of the lead frame via the bonding material BD1
  • the semiconductor chip CP2 is mounted and fixed on the die pad DP of the lead frame via the bonding material BD2.
  • step S2 the die bonding process of step S2 can be performed.
  • Step S2 can also be performed as shown in FIG.
  • the insulating bonding material BD2 is supplied to the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted on the upper surface of the die pad DP (step S2a in FIG. 17).
  • the material of the bonding material BD2 is the same as that described in the case of FIGS.
  • the semiconductor chip CP2 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD2 (step S2b in FIG. 17).
  • step S2e1 in FIG. 17 If the bonding material BD2 supplied in step S2a is a thermosetting bonding material, the bonding material BD2 can be cured by performing heat treatment in step S2e1.
  • the semiconductor chip CP2 is mounted and fixed on the die pad DP of the lead frame via the bonding material BD2.
  • the conductive bonding material BD1 is supplied to the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted on the upper surface of the die pad DP (step S2c in FIG. 16).
  • the material of the bonding material BD1 is the same as that described in the case of FIGS.
  • the semiconductor chip CP1 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD1 (step S2d in FIG. 17).
  • step S2e2 heat treatment
  • the bonding material BD1 supplied in step S2c is a thermosetting bonding material
  • the bonding material BD1 can be cured by performing heat treatment in step S2e2.
  • the semiconductor chip CP1 is mounted and fixed on the die pad DP of the lead frame via the bonding material BD1.
  • step S2 the die bonding process of step S2 can be performed.
  • FIGS. 21 and 22 illustrate the case where the bonding material BD2 is supplied onto the die pad DP from the nozzle (the nozzle for supplying the bonding material BD2) in step S2a.
  • FIGS. 25 and 26 illustrate the nozzle ( The case where the bonding material BD1 is supplied onto the die pad DP from the nozzle for supplying the bonding material BD1 is illustrated.
  • the bonding material BD2 can be supplied (printed) onto the die pad DP by a printing method, and such a case is shown in FIG.
  • step S2c the bonding material BD1 can be supplied (printed) on the die pad DP by a printing method, and such a case is shown in FIG.
  • 21 and 29 are plan views, but in order to make the drawings easier to see, the bonding material BD2 supplied on the die pad DP is hatched, and FIGS. 25 and 30 are also plan views. However, in order to make the drawing easy to see, the bonding material BD1 supplied on the die pad DP is hatched.
  • 21 and 29, the position where the semiconductor chip CP2 is mounted in step S2b (scheduled mounting position of the semiconductor chip CP2) is indicated by a dotted line.
  • the position where the semiconductor chip CP1 is mounted in step S2d (scheduled mounting position of the semiconductor chip CP1) is indicated by a dotted line.
  • the process flow of FIG. 16 differs from the process flow of FIG. 17 in the case of the process flow of FIG. 16 in which the bonding material BD1 and the bonding material BD2 are cured in the same process (same heat treatment process).
  • the curing of the bonding material BD1 and the curing of the bonding material BD2 are performed in separate steps. That is, in the case of the process flow of FIG. 16, the bonding material BD1 and the bonding material BD2 are cured by the heat treatment in step S2e.
  • the bonding material BD1 is cured in step S2e2.
  • the bonding material BD2 is cured by the heat treatment in step S2e1.
  • steps S2a and S2b are performed and the semiconductor chip CP2 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD2.
  • steps S2c and S2d are performed, and the semiconductor chip CP1 is mounted on the upper surface of the die pad DP via the bonding material BD1.
  • FIG. 18 corresponds to the case where the order of steps S2a and S2b and steps S2c and S2d is changed in the process flow of FIG. 16, and steps S2c and S2d are performed first, and then steps S2a and S2b are performed.
  • FIG. 19 shows the process flow of FIG. 17 in which the order of steps S2a, S2b, S2e1 and steps S2c, S2d, S2e2 is changed, and after step S2c, step S2d, and step S2e2 are performed, step S2a, This corresponds to the case where step S2b and step S2e1 are performed.
  • any of the process flow of FIG. 16, the process flow of FIG. 17, the process flow of FIG. 18, and the process flow of FIG. 19 can be used.
  • step S2a and step S2b are performed first, and then step S2c and step S2d are performed. Is preferred. The reason is as follows.
  • the semiconductor chip CP1 has the back electrode BE, and it is necessary to electrically connect the back electrode BE to the die pad DP.
  • the semiconductor chip CP2 does not have a back surface electrode and needs to be electrically insulated without being electrically connected to the die pad DP.
  • the die bonding material for the semiconductor chip CP1 here, the bonding material BD1
  • the bonding material for the semiconductor chip CP2 here, the bonding material BD2
  • the bonding material BD2 has insulating properties.
  • the bonding material BD1 adheres to the semiconductor chip CP2 mounting region in the die pad DP and the semiconductor chip CP2 is mounted thereon, the semiconductor chip CP2 Insulation between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP may be electrically connected (short-circuited).
  • the semiconductor chip CP2 and the die pad DP are electrically connected (short-circuited)
  • the semiconductor device in which such a phenomenon has occurred is removed in the inspection process after manufacturing, and thus the manufacturing yield of the semiconductor device. This leads to an increase in the manufacturing cost of the semiconductor device. For this reason, it is necessary to prevent the conductive die bonding material (in this case, the bonding material BD1) from adhering to the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted in the die pad DP as much as possible.
  • the semiconductor chip CP1 is mounted on the upper surface of the die pad DP through the conductive bonding material BD1 by performing Steps S2c and S2d. Therefore, in a state where the semiconductor chip CP2 is already mounted on the upper surface of the die pad DP via the insulating bonding material BD2, in step S2c, a conductive die bonding material (here, the bonding material BD1) is formed on the upper surface of the die pad DP. ) Will be supplied.
  • step S2 it is preferable to perform each step in the order shown in the process flow of FIG. 16 or the process flow of FIG. 17, that is, after step S2a and step S2b are performed first, It is preferable to perform S2c and step S2d.
  • the time required for performing the curing process of the bonding material BD1 after supplying the bonding material BD1 on the die pad DP is shortened to some extent, so that the bonding is performed before performing the curing process of the bonding material BD1. It can suppress or prevent that the solvent in material BD1 volatilizes. Also from this viewpoint, the process flow of FIG. 16 and the process flow of FIG. 17 are preferable.
  • the process flow in FIG. 16 and the process flow in FIG. 17 are performed from the mounting process (step S2d) of the semiconductor chip CP1 to the curing process (step S2e) of the bonding material BD1.
  • step S2e2 can be shortened.
  • the solvent in the bonding material BD1 is removed before the bonding material BD1 is cured (steps S2e, S2e2).
  • step S2e1 the curing step of the bonding material BD2
  • step S2e2 the curing step of the bonding material BD1
  • step S2e2 the curing process for the bonding material BD2 and the curing process for the bonding material BD1 are performed in the same process (step S2e).
  • step S2e the process flow of FIG. 16 can reduce the number of manufacturing steps of the semiconductor device PKG. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor device PKG can be suppressed. In addition, the throughput of the semiconductor device PKG can be improved.
  • step S2e1 the heat treatment temperature for curing the bonding material BD1 and the heat treatment temperature for curing the bonding material BD2 are determined. Be the same.
  • the process flow of FIG. 17 performs the curing process (step S2e1) of the bonding material BD2 and the curing process (step S2e2) of the bonding material BD1 separately, and thus heat treatment for curing the bonding material BD1.
  • the temperature (heat treatment temperature in step S2e2) and the heat treatment temperature for curing the bonding material BD2 (heat treatment temperature in step S2e1) can be made different.
  • the bonding material BD2 can be cured at an optimum heat treatment temperature for curing the bonding material BD2 in step S2e1, and the bonding material BD1 is cured in step S2e2.
  • the bonding material BD1 can be cured at an optimum heat treatment temperature.
  • FIG. 31 is a circuit diagram (circuit block diagram) of the semiconductor device PKG.
  • the semiconductor device PKG of the present embodiment includes the semiconductor chips CP1 and CP2.
  • a power MOSFET Metal Oxide Semiconductor Semiconductor Field Effect Transistor
  • Q1 Metal Oxide Semiconductor Semiconductor Field Effect Transistor
  • sense MOSFET Q2 for detecting a current flowing through the power MOSFET Q1
  • control circuit CLC a control circuit for switching.
  • the power MOSFET Q1 can function as a power transistor for switching.
  • the MOSFET is not only a MISFET (Metal-Insulator-Semiconductor-Field-Effect-Transistor: MIS field effect transistor) using an oxide film (silicon oxide film) as a gate insulating film, but also an oxide film (silicon oxide film). MISFETs using other insulating films as gate insulating films are also included.
  • MISFET Metal-Insulator-Semiconductor-Field-Effect-Transistor
  • the control circuit CLC includes a driver circuit (drive circuit) that drives the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2. For this reason, the control circuit CLC controls the potential of the gate of the power MOSFET Q1 (corresponding to a gate electrode 8 described later) in accordance with a signal supplied to the control circuit CLC from the outside of the semiconductor chip CP1, and operates the power MOSFET Q1. Can be controlled. That is, the gate of the power MOSFET Q1 is connected to the control circuit CLC, and the power MOSFET Q1 is turned on by supplying an on signal (a gate voltage that turns on the power MOSFET Q1) from the control circuit CLC to the gate of the power MOSFET Q1. And can be.
  • the power MOSFET Q1 When the power MOSFET Q1 is turned on by supplying an ON signal from the control circuit CLC to the gate of the power MOSFET Q1, the voltage of the power source BAT is output from the power MOSFET Q1 and supplied to the load LOD.
  • the power MOSFET Q1 When the power MOSFET Q1 is turned off by supplying an off signal to the gate of the power MOSFET Q1 from the control circuit CLC (or stopping the supply of the on signal), the supply of voltage from the power source BAT to the load LOD is stopped.
  • Such on / off control of the power MOSFET Q1 of the semiconductor chip CP1 is performed by the control circuit CLC of the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor device PKG can function as a semiconductor device for a switch that performs on / off switching of voltage application from the power source BAT to the load LOD.
  • the power MOSFET Q1 of the semiconductor chip CP1 can function as a switching element.
  • the power MOSFET Q1 can be regarded as an output circuit.
  • any electronic device or electronic component that is desired to be connected to the power source BAT through the semiconductor device PKG for switching can be applied.
  • a motor, a lamp, a heater, or the like can be used as the load LOD.
  • a sense MOSFET Q2 for current detection is provided in the semiconductor chip CP1 of the semiconductor device PKG.
  • the current flowing through the power MOSFET Q1 is detected by the sense MOSFET Q2, and the power MOSFET Q1 is controlled according to the current flowing through the sense MOSFET Q2.
  • the control circuit CLC controls the gate voltage of the power MOSFET Q1 to The current of the MOSFET Q1 is limited to a predetermined value or less, or the power MOSFET Q1 is forcibly turned off. Thereby, it is possible to prevent an excessive current from flowing through the power MOSFET Q1, and it is possible to protect the semiconductor device PKG and an electronic device using the same.
  • the sense MOSFET Q2 has a common drain and gate with the power MOSFET Q1. That is, since the drain of the power MOSFET Q1 and the drain of the sense MOSFET Q2 formed in the semiconductor chip CP1 are both electrically connected to the back electrode BE of the semiconductor chip CP1, they are electrically connected to each other. . Therefore, the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is a back electrode for the drains of the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2.
  • the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 to which the drains of the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2 are connected is connected to the terminal TE1 of the semiconductor device PKG.
  • the die pad DP corresponds to the terminal TE1.
  • the same potential is supplied from the terminal TE1 (that is, the die pad DP) of the semiconductor device PKG to the drain of the sense MOSFET Q2 and the drain of the power MOSFET Q1 through the bonding material BD1 and the back electrode BE of the semiconductor chip CP1. .
  • the terminal TE1 (die pad DP) is connected to a power source (battery) BAT arranged outside the semiconductor device PKG
  • the voltage of the power source BAT is connected to the junction from the terminal TE1 (that is, the die pad DP) of the semiconductor device PKG.
  • the material BD1 and the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 are supplied to the drain of the power MOSFET Q1 and the drain of the sense MOSFET Q2.
  • the sense MOSFET Q2 and the power MOSFET Q1 are electrically connected to each other, and the common gate is connected to the control circuit CLC. From the control circuit CLC, the gate of the sense MOSFET Q2 and the gate of the power MOSFET Q1. Are supplied with the same gate signal (gate voltage). Specifically, the gate (gate electrode) of the sense MOSFET Q2 and the gate (gate electrode) of the power MOSFET Q1 formed in the semiconductor chip CP1 are connected to the control circuit CLC in the semiconductor chip CP1 via the internal wiring of the semiconductor chip CP1. Is electrically connected.
  • the source of the sense MOSFET Q2 is not common with the source of the power MOSFET Q1, and the source of the power MOSFET Q1 and the source of the sense MOSFET Q2 are not short-circuited.
  • the source of the power MOSFET Q1 is connected to a terminal TE2 of the semiconductor device PKG, and this terminal TE2 is connected to a load LOD arranged outside the semiconductor device PKG. That is, the source of the power MOSFET Q1 is connected to the load LOD.
  • the lead LD electrically connected to the source pad electrode P1S of the semiconductor chip CP1 via the wire BW corresponds to the terminal TE2.
  • the source of the power MOSFET Q1 formed in the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the source pad electrode P1S of the semiconductor chip CP1 via the internal wiring of the semiconductor chip CP1, and this source pad electrode P1S is electrically connected to a terminal TE2 (lead LD) via a wire BW, and a load LOD is connected to the terminal TE2 (lead LD).
  • the power MOSFET Q1 is turned on (conductive state) by supplying an on signal from the control circuit CLC to the gate of the power MOSFET Q1, the voltage of the power supply BAT is supplied to the load LOD via the power MOSFET Q1 in the on state. Will be.
  • the source of the sense MOSFET Q2 is connected to the control circuit CLC. Specifically, the source of the sense MOSFET Q2 formed in the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the control circuit CLC in the semiconductor chip CP1 via the internal wiring of the semiconductor chip CP1.
  • the symbol D1 indicates the drain of the power MOSFET Q1
  • the symbol S1 indicates the source of the power MOSFET Q1
  • the symbol D2 indicates the drain of the sense MOSFET Q2
  • the symbol S2 indicates the source of the sense MOSFET Q2. Yes.
  • the sense MOSFET Q2 is formed in the semiconductor chip CP1 together with the power MOSFET Q1, and this sense MOSFET Q2 is formed so as to form a current mirror circuit with the power MOSFET Q1 in the semiconductor chip CP1, and is, for example, 1/20000 of the power MOSFET Q1. It has the size of This size ratio can be changed as required.
  • control circuit CLC formed in the semiconductor chip CP1 is electrically connected to some pad electrodes P1 among the plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 through the internal wiring of the semiconductor chip CP1.
  • the plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 include an input pad electrode, an output pad electrode, and a ground pad electrode. From these pad electrodes P1, signals (input signals) and control signals are input to the control circuit CLC. A ground potential is input or supplied, and a signal (output signal) output from the control circuit CLC is output from these pad electrodes P1.
  • Each pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the lead LD or the pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2 via the wire BW. That is, the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 includes a pad electrode P1 electrically connected to the lead LD via the wire BW and a pad electrode electrically connected to the pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2 via the wire BW. There is P1.
  • the semiconductor chip CP2 is a microcomputer chip (control chip), and can function as a control semiconductor chip for controlling the operation of the semiconductor chip CP1.
  • FIG. 31 does not show a circuit in the semiconductor chip CP2, but actually, a circuit for controlling the semiconductor chip CP1 (a circuit in the semiconductor chip CP1) is formed in the semiconductor chip CP2. That is, a circuit for controlling the control circuit CLC formed in the semiconductor chip CP1 is formed in the semiconductor chip CP2.
  • the internal circuit of the semiconductor chip CP2 is electrically connected to the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 via the internal wiring of the semiconductor chip CP2.
  • Each pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2 is electrically connected to the lead LD or the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 via the wire BW. That is, the pad electrode P2 of the semiconductor chip CP2 includes a pad electrode P2 electrically connected to the lead LD via the wire BW and a pad electrode electrically connected to the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 via the wire BW.
  • P2 of the semiconductor chip CP2 includes a pad electrode P2 electrically connected to the lead LD via the wire BW and a pad electrode electrically connected to the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1 via the wire BW.
  • the plurality of leads LD connected to the semiconductor chip CP2 via the wires BW include an input lead, an output lead, and a ground lead. From these leads LD to the internal circuit of the semiconductor chip CP2 A signal (input signal) or a ground potential is input or supplied, and a signal (output signal) output from the internal circuit of the semiconductor chip CP2 is output from these leads LD.
  • any of the plurality of leads LD connected to the semiconductor chip CP2 via the wire BW is connected to the power source BAT arranged outside the semiconductor device PKG via the regulator REG.
  • the voltage of the power supply BAT is converted to a voltage suitable as the power supply voltage of the semiconductor chip CP2 by the regulator REG, then supplied to the lead LD connected to the regulator REG, and the semiconductor chip via the wire BW connected to the lead LD. It is supplied to CP2.
  • Some pad electrodes P2 of the plurality of pad electrodes P2 of the semiconductor chip CP2 are electrically connected to some pad electrodes P1 of the plurality of pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1 through wires BW, respectively.
  • the internal circuit of the semiconductor chip CP1 is connected to the internal circuit of the semiconductor chip CP1 via the pad electrode P2, the wire BW (the wire BW connecting the pad electrodes P1 and P2) of the semiconductor chip CP2, and the pad electrode P1 of the semiconductor chip CP1. For example, it can be electrically connected to the control circuit CLC).
  • the lead LD electrically connected to the semiconductor chip CP2 and the lead LD electrically connected to the semiconductor chip CP1 can be electrically connected outside the semiconductor device PKG.
  • the semiconductor device PKG is mounted on a wiring board (mounting board), and in this wiring board, a lead LD electrically connected to the semiconductor chip CP2 and a lead LD electrically connected to the semiconductor chip CP1 It can be electrically connected via the wiring of the wiring board.
  • the internal circuit of the semiconductor chip CP2 is transferred to the internal circuit (for example, the control circuit CLC) of the semiconductor chip CP1 via the wiring outside the semiconductor device PKG (for example, the wiring of the wiring board on which the semiconductor device PKG is mounted). It can also be electrically connected.
  • the internal circuit of the semiconductor chip CP1 corresponds to a circuit formed in the semiconductor chip CP1
  • the internal circuit of the semiconductor chip CP2 corresponds to a circuit formed in the semiconductor chip CP2.
  • the internal wiring of the semiconductor chip CP1 corresponds to the wiring formed in the semiconductor chip CP1
  • the internal wiring of the semiconductor chip CP2 corresponds to the wiring formed in the semiconductor chip CP2.
  • FIG. 32 is a fragmentary cross-sectional view of the semiconductor chip CP1, and a fragmentary cross-sectional view of a region (power MOSFET formation region) where the transistors constituting the power MOSFET Q1 are formed in the semiconductor chip CP1 is shown.
  • a region (planar region) in which the transistor constituting the power MOSFET Q1 is formed is referred to as a power MOSFET formation region.
  • a region (planar region) where the transistors constituting the sense MOSFET Q2 are formed is referred to as a sense MOSFET formation region.
  • a region (planar region) where the control circuit CLC is formed is referred to as a control circuit formation region.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 are arranged side by side on the die pad DP so that the control circuit formation region of the semiconductor chip CP1 is closer to the semiconductor chip CP2 than the power MOSFET formation region of the semiconductor chip CP1.
  • FIG. 32 illustrates the cross-sectional structure of the power MOSFET formation region, but the cross-sectional structure of the sense MOSFET formation region is basically the same as the structure of FIG.
  • the source wiring M2S is covered with the protective film 13 and is not exposed.
  • the power MOSFET Q1 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 1 constituting the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor substrate 1 constituting the semiconductor chip CP1 is made of n-type single crystal silicon into which an n-type impurity such as arsenic (As) is introduced, for example.
  • Semiconductor substrate (so-called epitaxial wafer) in which an epitaxial layer (semiconductor layer) made of n ⁇ -type single crystal silicon having a lower impurity concentration is formed on a substrate body made of n-type single crystal silicon substrate as semiconductor substrate 1 It is also possible to use.
  • a field insulating film (not shown) made of, for example, silicon oxide is formed on the main surface of the semiconductor substrate 1.
  • a plurality of unit transistor cells constituting the power MOSFET Q1 are formed in the active region surrounded by the field insulating film, and the power MOSFET Q1 includes the plurality of unit transistors provided in the power MOSFET formation region. It is formed by connecting cells in parallel.
  • a plurality of unit transistor cells constituting the sense MOSFET Q2 are formed in the active region surrounded by the field insulating film, and the sense MOSFET Q2 includes the plurality of unit MOSFET cells provided in the sense MOSFET formation region. It is formed by connecting unit transistor cells in parallel.
  • the individual unit transistor cells formed in the power MOSFET formation region and the individual unit transistor cells formed in the sense MOSFET formation region basically have the same structure (configuration).
  • the area of the region is different from that of the sense MOSFET formation region, and the area of the sense MOSFET formation region is smaller than the area of the power MOSFET formation region. Therefore, the number of unit transistor cells connected differs between the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2, and the number of unit transistor cells connected in parallel constituting the sense MOSFET Q2 is the number of unit transistor cells connected in parallel constituting the power MOSFET Q1. Less than.
  • Each unit transistor cell in the power MOSFET formation region and the sense MOSFET formation region is formed of, for example, an n-channel MOSFET having a trench gate structure.
  • the semiconductor substrate 1 has a function as a drain region of the unit transistor cell.
  • a drain back electrode (back drain electrode, drain electrode) BE is formed on the entire back surface of the semiconductor substrate 1 (semiconductor chip CP1).
  • the back electrode BE is formed by, for example, stacking a titanium (Ti) layer, a nickel (Ni) layer, and a gold (Au) layer in order from the back surface of the semiconductor substrate 1.
  • the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is joined to and electrically connected to the die pad DP via the joining material BD1.
  • the p-type semiconductor region 3 formed in the semiconductor substrate 1 functions as a channel formation region of the unit transistor cell. Furthermore, the n + type semiconductor region 4 formed on the p type semiconductor region 3 has a function as a source region of the unit transistor cell. Accordingly, the semiconductor region 4 is a source semiconductor region.
  • a p + type semiconductor region 5 is formed above the p type semiconductor region 3 and adjacent to the n + type semiconductor region 4. The impurity concentration of the p + type semiconductor region 5 is higher than the impurity concentration of the p type semiconductor region 3.
  • a groove (trench) 6 extending from the main surface of the semiconductor substrate 1 in the thickness direction of the semiconductor substrate 1 is formed. Groove 6 extends through the n + -type semiconductor region 3 from the upper surface of the semiconductor region 4 of the semiconductor region 4 and the p-type n + -type are formed so as to terminate in the semiconductor substrate 1 in the lower layer.
  • a gate insulating film 7 made of silicon oxide or the like is formed on the bottom and side surfaces of the trench 6.
  • a gate electrode 8 made of doped polysilicon or the like is embedded in the trench 6 with a gate insulating film 7 interposed therebetween. The gate electrode 8 has a function as a gate electrode of the unit transistor cell.
  • An interlayer insulating film 9 is formed on the main surface of the semiconductor substrate 1 so as to cover the gate electrode 8. Contact holes (through holes) are formed in the interlayer insulating film 9, and conductive plugs (via portions) 10 are embedded in the contact holes formed in the interlayer insulating film 9.
  • a wiring M1 is formed on the interlayer insulating film 9 in which the plug 10 is embedded.
  • the wiring M1 is a wiring in the first wiring layer.
  • An interlayer insulating film 11 is formed on the interlayer insulating film 9 so as to cover the wiring M1.
  • a through hole (through hole) is formed in the interlayer insulating film 11, and a conductive plug (via portion) 12 is embedded in each through hole formed in the interlayer insulating film 11.
  • a wiring M2 and a pad electrode (bonding pad) P1 are formed on the interlayer insulating film 11 in which the plug 12 is embedded.
  • the wiring M2 is a wiring of the second wiring layer.
  • the wiring M1 is made of a conductive film, specifically made of a metal film, and preferably made of an aluminum film or an aluminum alloy film.
  • the wiring M2 and the pad electrode P1 are made of a conductive film, specifically, a metal film, preferably an aluminum film or an aluminum alloy film.
  • the wiring M1 includes a gate wiring (not shown) and a source wiring M1S.
  • the wiring M2 includes a gate wiring (not shown) and a source wiring M2S.
  • the source n + -type semiconductor region 4 is electrically connected to the source wiring M1S through the plug 10 disposed on the semiconductor region 4, and the p + -type semiconductor region 5 is connected to the source wiring M1S.
  • the source line M1S is electrically connected to the source line M2S via the plug 12 disposed between the source line M1S and the source line M2S.
  • the p + type semiconductor region 5 Since the p + type semiconductor region 5 has the same conductivity type as the p type semiconductor region 3 and is in contact with the p type semiconductor region 3, the p + type semiconductor region 5 is electrically connected to the p type semiconductor region 3. It is connected to the. Therefore, the source wiring M2S is electrically connected to the source n + type semiconductor region 4 through the plug 12, the source wiring M1S, and the plug 10, and also to the p-type semiconductor region 3 for channel formation. Electrically connected.
  • the source wiring M2S electrically connected to the source of the power MOSFET Q1 is formed in almost the entire power MOSFET formation region, and a part thereof is from the opening 14 of the protective film 13.
  • the exposed pad electrode P1S is formed by the exposed portion of the source wiring M2S.
  • the source wiring M2S electrically connected to the source of the sense MOSFET Q2 is formed in almost the entire sense MOSFET formation region and is covered with the protective film 13. , Not exposed.
  • Source wirings M1S and M2S electrically connected to the source of the sense MOSFET Q2 are electrically connected to a control circuit CLC formed in the semiconductor chip CP1.
  • the source wirings M1S and M2S electrically connected to the source of the power MOSFET Q1 and the source wirings M1S and M2S electrically connected to the source of the sense MOSFET Q2 are not electrically connected and are separated. .
  • the plurality of gate electrodes 8 formed in the power MOSFET formation region and the sense MOSFET formation region are electrically connected to each other, and the plug 10, the gate wiring (not shown) of the wiring M ⁇ b> 1, and the plug 12.
  • a gate wiring (not shown) of the wiring M2 is electrically connected to a control circuit CLC formed in the semiconductor chip CP1.
  • An insulating protective film (insulating film) 13 is formed on the interlayer insulating film 11 so as to cover the wiring M2 and the pad electrode.
  • the protective film 13 is made of, for example, a resin film such as polyimide resin.
  • This protective film 13 is the uppermost film of the semiconductor chip CP1.
  • a plurality of openings 14 are formed in the protective film 13, and a part of the conductor pattern constituting the pad electrode P ⁇ b> 1 or a part of the source wiring M ⁇ b> 2 ⁇ / b> S is exposed from each opening 14.
  • the source pad electrode P1S is formed by the source wiring M2S exposed from the opening 14 of the protective film 13, and the pad electrodes P1 other than the source pad electrode P1S are conductors formed in the same layer as the wiring M2. It is formed by a pattern (a conductor pattern for the pad electrode P1 electrode).
  • the conductor pattern (not shown in FIG. 32) constituting the pad electrode P1 other than the source pad electrode P1S is formed in the same layer and in the same process as the wiring M2, and has, for example, a rectangular planar shape. .
  • a metal layer may be formed on the surface of the pad electrode P1 (including the source pad electrode P1S) exposed from the opening 14 by plating or the like.
  • a plurality of source pad electrodes P1S which are source pad electrodes of the power MOSFET Q1, are separated from each other by the uppermost protective film 13, but are connected to each other through the source wiring M2S and the source wiring M1S. Electrically connected.
  • the operating currents of the unit transistors of the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2 are gated between the n-type semiconductor substrate 1 for drain and the n + -type semiconductor region 4 for source. It flows in the thickness direction of the semiconductor substrate 1 along the side surface of the electrode 8 (that is, the side surface of the groove 6). That is, the channel is formed along the thickness direction of the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor chip CP1 is a semiconductor chip in which a vertical MOSFET having a trench gate structure is formed, and the power MOSFET Q1 and the sense MOSFET Q2 are each formed by a trench gate type MISFET.
  • the vertical MOSFET corresponds to a MOSFET in which a current between the source and the drain flows in the thickness direction of the semiconductor substrate (a direction substantially perpendicular to the main surface of the semiconductor substrate).
  • a plurality of transistors and wirings M1 and M2 constituting the control circuit CLC are formed in the control circuit formation region RG4, but illustration and description thereof are omitted here.
  • the semiconductor chip CP1 can incorporate a plurality of the power MOSFETs Q1.
  • FIG. 33 is a cross-sectional view of a semiconductor device (semiconductor package) PKG101 of the study example examined by the present inventors, and shows a cross-sectional view corresponding to FIG.
  • the semiconductor device PKG101 of the examination example shown in FIG. 33 has two die pads DP101 and DP102, and the semiconductor chip CP101 is mounted on one of the die pads DP101 via the bonding material BD101, and the other A semiconductor chip CP102 is mounted on the die pad DP102 via a bonding material BD102.
  • the die pad DP101 and the die pad DP102 are not integrally formed, but are electrically separated. That is, the die pads DP101 and DP102 are sealed in the sealing portion MR, but the die pad DP101 and the die pad DP102 are electrically separated by interposing a part of the sealing portion MR therebetween. . Further, the lower surfaces of the die pads DP101 and DP102 are exposed on the back surface of the sealing portion MR.
  • a back electrode BE is formed on the back surface of the semiconductor chip CP1, and the bonding material BD101 has conductivity. For this reason, the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the die pad DP101 via the conductive bonding material BD101.
  • the bonding material BD102 may have conductivity or insulating properties.
  • the die pad DP102 and the die pad DP101 are electrically separated, the voltage supplied from the die pad DP101 to the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 via the conductive bonding material BD101 is not supplied to the die pad DP102. . Therefore, since the bonding material BD102 has conductivity, even if the back surface of the semiconductor chip CP102 is electrically connected to the die pad DP102, the voltage supplied to the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 is applied to the back surface of the semiconductor chip CP102. Since the supply is not required, there is no problem in the operation of the semiconductor chip CP2.
  • the die pad DP101 for mounting the semiconductor chip CP1 and the die pad DP102 for mounting the semiconductor chip CP2 are required, and the die pad DP101 and the die pad DP102 need to be separated by the sealing portion MR. Plane dimensions increase. This is disadvantageous for downsizing of the semiconductor device PKG101.
  • the number of the leads LD is reduced by the large number of suspension leads. This is disadvantageous in increasing the number of pins (the number of leads LD) of the semiconductor device PKG101. In addition, an increase in the number of suspension leads also causes an increase in the planar dimensions of the semiconductor device PKG101.
  • the versatility of the lead frame used for manufacturing the semiconductor device PKG101 is reduced, and the manufacturing of the semiconductor device PKG101 is reduced. This will increase the cost.
  • the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are mounted on a common die pad DP.
  • the planar size of the semiconductor device PKG of the present embodiment can be reduced as compared with the semiconductor device PKG101 of the examination example illustrated in FIG. 33, and thus the semiconductor device PKG can be reduced in size.
  • the number of suspension leads can be reduced in the semiconductor device PKG of the present embodiment as compared with the semiconductor device PKG101 of the study example shown in FIG. For this reason, the number of pins (the number of leads LD) of the semiconductor device PKG can be increased.
  • cracks may occur in the sealing portion MR between the die pad DP101 and the die pad DP102 that may occur in the semiconductor device PKG101 of the examination example shown in FIG. 33. Since it is not PKG, the reliability of the semiconductor device PKG can be improved.
  • the semiconductor device PKG of the present embodiment it is not necessary to design the die pads DP101 and DP102 in accordance with the dimensions of the semiconductor chips CP1 and CP2, so that a general-purpose lead frame used for manufacturing the semiconductor device PKG is used. Therefore, the manufacturing cost of the semiconductor device PKG can be reduced. Further, since the size of the die pad DP can be made larger than the size of the die pad DP101 without increasing the size of the semiconductor device PKG, the heat generated in the semiconductor chip CP1 is transferred from the die pad DP to the outside of the semiconductor device PKG. The heat dissipation characteristics of the semiconductor device PKG can be improved.
  • the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are arranged side by side on a conductive die pad, and of the semiconductor chips CP1 and CP2, the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP via a conductive bonding material BD1, and the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP via an insulating bonding material BD2.
  • the semiconductor chip CP1 has a back electrode BE, and it is necessary to electrically connect the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 to the die pad DP through the bonding material BD1.
  • the bonding material BD1 which is a die bonding material for the semiconductor chip CP1
  • a desired voltage can be supplied to the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 through the die pad DP and the bonding material BD1.
  • the semiconductor chip CP2 does not have a back electrode.
  • the voltage supplied to the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 via the die pad DP and the bonding material BD1 is not supplied to the semiconductor chip CP1. Therefore, it is desirable to electrically insulate the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. Therefore, the bonding material BD2 which is a die bonding material for the semiconductor chip CP2 needs to have insulating properties without having conductivity.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 are mounted on the die pad DP, the conductive bonding material BD1 is used as the die bonding material for the semiconductor chip CP1, and the insulating bonding material BD2 is used as the die bonding material for the semiconductor chip CP2. Used. Accordingly, a desired voltage (for example, the voltage of the power supply BAT) can be supplied to the back surface electrode BE of the semiconductor chip CP1 via the die pad DP and the bonding material BD1, and the voltage is supplied to the back surface electrode of the semiconductor chip CP2. Therefore, both the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 can be accurately operated.
  • a desired voltage for example, the voltage of the power supply BAT
  • An insulating bonding material BD2 is interposed between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP and is electrically insulated.
  • the semiconductor chip CP2 and the die pad are used. It is desirable to increase the breakdown voltage between the DP. For example, if the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is low, there is a possibility that electrostatic breakdown, which is breakdown due to electrostatic discharge (ESD), occurs between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. is there. In order to prevent electrostatic breakdown, it is desirable to increase the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP as much as possible.
  • the withstand voltage means an insulation withstand voltage.
  • the gap between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP102 is used. Electrostatic breakdown can occur.
  • the die pad DP101 mounting the semiconductor chip CP1 and the die pad DP102 mounting the semiconductor chip CP2 are separated, so that the semiconductor chip CP2 is conductive. It can be mounted on the die pad DP102 via the die bonding material (the bonding material BD102).
  • the semiconductor chip CP2 and the die pad DP102 are electrically connected via the conductive die bonding material (the bonding material BD102), the charge is charged at the junction between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP102. No electrostatic discharge occurs between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP102, and therefore no electrostatic breakdown occurs. Therefore, in the semiconductor device PKG101 of the examination example shown in FIG. 33, it is not necessary to worry about the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP102.
  • the semiconductor device PKG does not have the semiconductor chip CP1, and only the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP without mounting the semiconductor chip CP1.
  • the semiconductor chip CP2 can be mounted on the die pad DP via a conductive die bonding material (for example, silver paste) instead of the insulating bonding material BD2.
  • a conductive die bonding material for example, silver paste
  • the semiconductor chip CP2 and the die pad DP are electrically connected via the conductive die bonding material, no charge is charged at the junction between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, and the semiconductor chip CP2 There is no electrostatic discharge between the die pad DP and therefore no electrostatic breakdown occurs. For this reason, it is not necessary to worry about the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the semiconductor chip CP1 having the back electrode BE is mounted side by side on the common die pad DP together with the semiconductor chip CP2.
  • the die bonding material (here, the bonding material BD2) for the semiconductor chip CP2 is conductive. It is necessary to have an insulating property.
  • the semiconductor chip CP2 and the die pad DP are insulated via an insulating die bonding material (here, the bonding material BD2), a charge may be charged at the bonding portion between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. There is a risk that electrostatic discharge may occur between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, resulting in electrostatic breakdown.
  • the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is increased as much as possible so that electrostatic breakdown does not occur between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. It is desirable to do. Therefore, in order to prevent electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, it is considerably higher than the voltage (for example, about several tens of volts) supplied to the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 during the normal operation of the semiconductor device PKG. Even if a high voltage (for example, 2000 V or more) is applied between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, it is desired that the semiconductor chip CP2 and the die pad DP do not break down.
  • a high voltage for example, 2000 V or more
  • FIG. 34 and 35 are enlarged plan perspective views showing a part of the semiconductor device PKG.
  • FIG. 34 shows an enlarged view of the semiconductor chip CP2 mounted on the die pad DP via the bonding material BD2
  • FIG. 35 shows the semiconductor chip mounted on the die pad DP via the bonding material BD1.
  • CP1 is shown enlarged.
  • FIG. 34 and FIG. 35 the sealing portion MR and the wire BW are seen through as in FIG. Therefore, in FIG. 34, the semiconductor chip CP2 and the bonding material BD2 are illustrated, and in FIG. 35, the semiconductor chip CP1 and the bonding material BD1 are illustrated.
  • FIGS. 36 and 37 are enlarged perspective views showing a part of the semiconductor device PKG, but the sealing portion MR is seen through.
  • FIG. 36 corresponds to a perspective view when the semiconductor chip CP2 is viewed from any one of the arrows F1, F2, F3, and F4 in FIG. 34
  • FIG. 37 shows the arrows H1, H2, and FIG.
  • This corresponds to a perspective view when the semiconductor chip CP1 is viewed from either direction of H3 and H4.
  • FIG. 36 shows a perspective view of the side SD2 of the semiconductor chip CP2 as viewed from the front
  • FIG. 37 shows a perspective view of the side SD1 of the semiconductor chip CP1 as viewed from the front.
  • FIG. 38 and 39 are cross-sectional views showing an enlarged part of the semiconductor device PKG.
  • 38 corresponds to a cross-sectional view of any of the E1-E1, E2-E2, E3-E3, and E4-E4 lines of FIG. 34
  • FIG. 39 shows the G1-G1 line, G2- of FIG. This corresponds to a cross-sectional view of any of the G2, G3-G3, and G4-G4 lines. Therefore, FIG. 38 shows a cross section along the side SD2 of the semiconductor chip CP2, and FIG. 39 shows a cross section along the side SD1 of the semiconductor chip CP1.
  • This inventor originates from the fact that when the semiconductor chip CP1 and the semiconductor chip CP2 are mounted on the common die pad DP, it is necessary to use an insulating die bonding material as the die bonding material for the semiconductor chip CP2. Therefore, since there is a risk that electrostatic breakdown occurs between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, it was examined to increase the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. As a result, it has been found that it is effective to cover the side SD2 of the semiconductor chip CP2 with the insulating bonding material BD2 as much as possible in order to increase the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the side (corner) SD2 of the semiconductor chip CP2 corresponds to a side (corner) formed by intersecting two side surfaces of the semiconductor chip CP2 (see FIGS. 34, 36, and 38). Since the semiconductor chip CP2 has four side surfaces SM5, SM6, SM7, and SM8, there are also four sides SD2 formed by crossing adjacent side surfaces (SM5, SM6, SM7, SM8). That is, on the side SD2 of the semiconductor chip CP2, a side SD2 (SD2a) formed by intersecting the side surface SM5 and the side surface SM6, and a side SD2 (SD2b) formed by intersecting the side surface SM6 and the side surface SM7. There are a side SD2 (SD2c) formed by intersecting the side surface SM7 and the side surface SM8, and a side SD2 (SD2d) formed by intersecting the side surface SM8 and the side surface SM5.
  • a side SD2 formed by intersecting the side surface SM5 and the side surface SM6 is referred to as a side SD2a with reference sign SD2a, and a side formed by intersecting the side surface SM6 and the side surface SM7.
  • SD2 is referred to as a side SD2b with a reference SD2b.
  • a side SD2 formed by intersecting the side surface SM7 and the side surface SM8 is referred to as a side SD2c with a reference symbol SD2c, and a side SD2 formed by intersecting the side surface SM8 and the side surface SM5. Is referred to as a side SD2d with a reference SD2d.
  • the side SD2a exists between the side surface SM5 and the side surface SM6, the side SD2b exists between the side surface SM6 and the side surface SM7, the side SD2c exists between the side surface SM7 and the side surface SM8, and the side SD2d.
  • the side (corner) SD1 of the semiconductor chip CP1 corresponds to a side (corner) formed by intersecting two side surfaces of the semiconductor chip CP1 (see FIGS. 35, 37, and 39). Since the semiconductor chip CP1 has four side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4, there are also four sides SD1 formed by intersecting adjacent side surfaces (SM1, SM2, SM3, SM4). That is, the side SD1 of the semiconductor chip CP1 has a side SD1 (SD1a) formed by intersecting the side surface SM1 and the side surface SM2, and a side SD1 (SD1b) formed by intersecting the side surface SM2 and the side surface SM3. There are a side SD1 (SD1c) formed by intersecting the side surface SM3 and the side surface SM4, and a side SD1 (SD1d) formed by intersecting the side surface SM4 and the side surface SM1.
  • a side SD1 formed by crossing the side surface SM1 and the side surface SM2 is referred to as a side SD1a with a reference symbol SD1a, and a side formed by crossing the side surface SM2 and the side surface SM3.
  • SD1 is referred to as a side SD1b with a reference SD1b.
  • a side SD1 formed by intersecting the side surface SM3 and the side surface SM4 is referred to as a side SD1c with a reference symbol SD1c, and a side SD1 formed by intersecting the side surface SM4 and the side surface SM1. Is referred to as a side SD1d with a reference SD1d.
  • the side SD1a exists between the side surface SM1 and the side surface SM2, the side SD1b exists between the side surface SM2 and the side surface SM3, the side SD1c exists between the side surface SM3 and the side surface SM4, and the side SD1d.
  • the side surface SM4 and the side surface SM1 exists between the side surface SM1 and the side surface SM2
  • the path where dielectric breakdown such as electrostatic breakdown occurs between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is not in the bonding material BD2, but mainly in the bonding material BD2 and the sealing portion MR.
  • the interface (boundary surface) KM was found to be KM. That is, in FIG. 38, the leak path between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is the interface KM between the bonding material BD2 and the sealing portion MR, and the bonding sandwiched between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the inside of the material BD2 is unlikely to be a leak path.
  • the electric field tends to concentrate in the semiconductor chip CP2.
  • the electric field tends to concentrate on the side SD2 of the semiconductor chip CP2, and in particular, the electric field tends to concentrate on the lower end LE of the side SD2 of the semiconductor chip CP2.
  • the lower end LE of the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is shown in FIG. 36 and FIG. 38.
  • the distance to the interface KM can be increased.
  • the gap between the bonding material BD2 and the sealing portion MR is between the lower end LE of the side SD2 of the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. It is possible to suppress or prevent the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown through the interface KM. For this reason, the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved. Therefore, the reliability of the semiconductor device PKG can be improved.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 in the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is increased, the side of the semiconductor chip CP2 along the interface KM between the bonding material BD2 and the sealing portion MR.
  • the distance L3 from SD2 to the die pad DP can be increased. That is, even if the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is changed, the angle ⁇ formed by the interface KM and the upper surface of the die pad DP does not change much.
  • the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is used. It is necessary to increase the length L2 of the covered portion. That is, if the length L2 is increased, the distance L3 from the side SD2 of the semiconductor chip CP2 along the interface KM to the die pad DP can be increased, so that a high voltage is applied between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. When this is done, it is possible to suppress or prevent the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP via the interface KM. For this reason, the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved. Therefore, the reliability of the semiconductor device PKG can be improved.
  • the withstand voltage (insulation withstand voltage per unit distance) of the material constituting the bonding material BD2 is higher than the withstand voltage (withstand voltage per unit distance) of the material constituting the sealing portion MR. This is because it is necessary to select a material for the sealing part MR in consideration of the ease of forming the sealing part MR in the sealing process (molding process).
  • the bonding material BD2 is not a sealing body, so that it is easy to devise the material of the bonding material BD2, and it is possible to select a material having a high withstand voltage.
  • the side SD2 of the semiconductor chip CP2 that tends to concentrate an electric field is higher between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP than the side SD2 of the semiconductor chip CP2 and the die pad DP that are covered with the bonding material BD2 having a high breakdown voltage.
  • a voltage it is easy to suppress the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is increased, the side SD2 of the semiconductor chip CP2 on which the electric field tends to concentrate is covered with the bonding material BD2 having a high withstand voltage.
  • the ratio of the parts can be increased.
  • increasing the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is effective in increasing the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the bonding material BD1 which is a die bonding material for the semiconductor chip CP1 has conductivity. If a part of the conductive die bonding material adheres to the surface of the semiconductor chip CP1, there is a risk of causing a short circuit between the pad electrodes P1 of the semiconductor chip CP1. This reduces the reliability of the semiconductor device PKG and reduces the manufacturing yield of the semiconductor device PKG. For this reason, it is necessary to prevent the conductive die bonding material from adhering to the surface of the semiconductor chip CP1 as much as possible.
  • the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 in the side SD1 of the semiconductor chip CP1 is preferable to reduce the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 in the side SD1 of the semiconductor chip CP1. This is because, as the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1 increases, the possibility that a part of the conductive bonding material BD1 adheres to the surface of the semiconductor chip CP1 increases. Because it becomes. Therefore, by reducing the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1, a part of the conductive bonding material BD1 may adhere to the surface of the semiconductor chip CP1. Can be lowered.
  • an insulating die bonding material is used for the semiconductor chip CP2.
  • the die bonding material BD2 adheres to the surface of the semiconductor chip CP2
  • the die bonding material is insulative, so that an electrical short circuit between the pad electrodes P2 occurs. it dose not connect.
  • a part of the insulating die bonding material adhering to the surface of the semiconductor chip CP2 causes a problem as compared to a part of the conductive die bonding material adhering to the surface of the semiconductor chip CP1. Hateful.
  • the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is larger than the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1.
  • the length L2 of the portion covered with is increased (that is, L2> L1).
  • the semiconductor device PKG of the present embodiment includes a conductive die pad DP (chip mounting portion) and a semiconductor mounted on the die pad DP via an insulating bonding material BD2 (first bonding material).
  • a chip CP2 (first semiconductor chip) and a semiconductor chip CP1 (second semiconductor chip) mounted on the die pad DP via a conductive bonding material BD1 (second bonding material) are provided.
  • the semiconductor device PKG further includes a sealing portion MR (sealing body) that seals at least a part of the semiconductor chip CP1, the semiconductor chip CP2, and the die pad DP.
  • the semiconductor chip CP1 has a back electrode BE, and the back electrode BE of the semiconductor chip CP1 is electrically connected to the die pad DP via the bonding material BD1. Then, the length L2 (first length) of the portion covered with the bonding material BD2 in the side SD2 (first side) formed by intersecting the first side surface and the second side surface of the semiconductor chip CP2. Is the length L1 (second length) of the portion covered with the bonding material BD1 in the side SD1 (second side) formed by intersecting the third side surface and the fourth side surface of the semiconductor chip CP1. (L2> L1).
  • the semiconductor chip CP2 mounted with the insulating bonding material BD2 increases the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. Therefore, the length L2 is made larger than the length L1.
  • the semiconductor chips CP1 and CP2 mounted on the common die pad DP for the semiconductor chip CP1 mounted with the conductive bonding material BD1, a part of the conductive bonding material BD1 adheres to the surface of the semiconductor chip CP1. In order to prevent this, the length L1 is made smaller than the length L2.
  • the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved, so that it is possible to suppress or prevent the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the semiconductor chip CP2 uses an insulating die bonding material, so it is important to improve the breakdown voltage between the semiconductor chip CP1 and the die pad DP. Since a conductive die bonding material is used, it is important to prevent the conductive die bonding material from adhering to the surface of the semiconductor chip CP1.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is larger than the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1 (
  • the semiconductor chip CP1 is mounted on the common die pad DP with a conductive die bonding material and the semiconductor chip CP2 is mounted with an insulating die bonding material
  • the semiconductor chip CP2 is mounted between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP
  • the technical idea of the present embodiment that the relationship of L2> L1 should be satisfied cannot be reached. This is because it is a general idea to prevent the die bonding material from adhering to the surface of the semiconductor chip, whether the die bonding material is conductive or insulating.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 is made as small as possible. This is a fair idea.
  • the inventor has the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • the length L2 is increased.
  • it is more conductive than the insulating die bonding material attached to the surface of the semiconductor chip.
  • the length L1 is reduced in consideration of the possibility that a major problem such as a short circuit between the pad electrodes P1 may occur when a sticking die bonding material adheres.
  • the side SD2 of the semiconductor chip CP2 has four sides SD2a, SD2b, SD2c, and SD2d
  • the side SD1 of the semiconductor chip CP1 has four sides SD1a, SD1b, SD1c, and SD1d.
  • the withstand voltage is lowered between the side and the die pad DP. End up.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 is large in any of the four sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2, and thereby the semiconductor chip CP2 and the die pad DP It becomes possible to accurately increase the breakdown voltage between the two.
  • the conductive surface is formed on the surface of the semiconductor chip CP1.
  • a part of the bonding material BD1 may adhere.
  • it is desirable that the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 is small, so that the surface of the semiconductor chip CP1 is electrically conductive. It is possible to accurately prevent a part of the adhesive bonding material BD1 from adhering.
  • L2> L1 is preferably satisfied by any combination of the four sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2 and the four sides SD1a, SD1b, SD1c, SD1d of the semiconductor chip CP1. .
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2a, the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2b, and the bonding material BD2 on the side SD2c are covered.
  • the smallest value is referred to as a minimum value L2min.
  • the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1a, the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1b, and the bonding material BD1 on the side SD1c are covered.
  • the largest value of the length L1 of the portion and the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1d is referred to as a maximum value L1max.
  • the minimum value L2min is preferably larger than the maximum value L1max (that is, L2min> L1max). That is, the minimum value L2min of the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2 is the bonding material BD1 on the sides SD1a, SD1b, SD1c, SD1d of the semiconductor chip CP1. It is preferable that the length L1 of the covered portion is larger than the maximum value L1max (L2min> L1max).
  • the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved accurately, and a part of the conductive bonding material BD1 can be accurately suppressed or adhered to the surface of the semiconductor chip CP1. Can be prevented. Therefore, it is possible to accurately improve the overall reliability of the semiconductor device PKG.
  • the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved by increasing the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is not less than 1/2 of the thickness T2 of the semiconductor chip CP2 (that is, L2 ⁇ T2 ⁇ 1/2) is preferable (see FIG. 38).
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 is equal to or greater than 1/2 of the thickness T2 of the semiconductor chip CP2 (that is, L2 ⁇ (T2 ⁇ 1/2) is more preferable. That is, it is more preferable if the minimum value L2min is equal to or greater than 1 ⁇ 2 of the thickness T2 of the semiconductor chip CP2 (that is, L2min ⁇ T2 ⁇ 1/2).
  • the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved more accurately, so that it is possible to more accurately prevent dielectric breakdown such as electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. It can be suppressed or prevented. Therefore, the reliability of the semiconductor device PKG can be improved more accurately.
  • the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1 is preferably less than 1 ⁇ 2 of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (ie, L1 ⁇ T1 ⁇ 1/2). It is more preferable that the thickness is equal to or less than 1 ⁇ 4 of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (that is, L1 ⁇ T1 ⁇ 1/4) (see FIG. 39).
  • the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 is less than 1 ⁇ 2 of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (that is, L1 ⁇ (T1 ⁇ 1/2) is more preferable, and it is more preferable if it is 1/4 or less of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (that is, L1 ⁇ T1 ⁇ 1/4).
  • the maximum value L1max is less than 1 ⁇ 2 of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (that is, L1max ⁇ T1 ⁇ 1 ⁇ 2), and is 1 ⁇ 4 or less of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1 (that is, L1max).
  • ⁇ T1 ⁇ 1/4) is more preferable.
  • this embodiment has a very large effect when applied when the pressure resistance (pressure resistance per unit distance) of the bonding material BD2 is larger than the pressure resistance (pressure resistance per unit distance) of the sealing portion MR.
  • this embodiment is applied when the breakdown voltage of the sealing portion MR (withstand pressure per unit distance) is smaller than that of the bonding material BD2 (withstand pressure per unit distance), the effect is extremely large. .
  • the sealing portion MR it is necessary to select a material in consideration of the ease of forming the sealing portion MR in the sealing process (molding process), and the material of the sealing portion MR is changed in consideration of the withstand voltage.
  • the bonding material BD2 is not a sealed body, it is easy to devise the material of the bonding material BD2, and it is possible to select a material having a high withstand voltage. Therefore, when attention is paid to the pressure resistance of each member of the semiconductor device PKG, it is assumed that the pressure resistance of the sealing portion MR (pressure resistance per unit distance) is smaller than the pressure resistance of the bonding material BD2 (pressure resistance per unit distance).
  • the breakdown voltage (breakdown voltage per unit distance) of the sealing portion MR is, for example, about 10 to 30 kV / mm, and the breakdown voltage (breakdown voltage per unit distance) of the bonding material BD2 is, for example, about 80 to 150 kV / mm.
  • the withstand voltage (withstand pressure per unit distance) of the sealing portion MR is smaller than the withstand pressure (withstand pressure per unit distance) of the bonding material BD2, electrostatic breakdown occurs at the interface KM between the bonding material BD2 and the sealing portion MR. Such a dielectric breakdown is likely to occur.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 in the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is increased as described above, so that the space between the bonding material BD2 and the sealing portion MR is increased. It is possible to suppress or prevent the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown due to the interface KM as a leak path.
  • FIG. 40 shows a table showing an example of the effect of the present embodiment.
  • Sample A and sample B shown in FIG. 40 correspond to the case where the state of the bonding material BD2 is changed in the semiconductor device PKG. That is, in both sample A and sample B, the thickness T2 of the semiconductor chip CP2 is about 400 ⁇ m.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is about 60 ⁇ m, and the distance L3 is also small, reflecting that the length L2 is small.
  • the distance L3 is about 85 ⁇ m.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is 250 ⁇ m, and the distance L3 is large reflecting the large length L2, and the distance L3 is about 320 ⁇ m.
  • the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP was about 1300V, but in the case of sample B, even if 5000V is applied, the insulation between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is insulated. No breakdown occurred, and the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP was 5000V or higher.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is preferably increased to be 1/2 or more of the thickness T2 of the semiconductor chip CP2 (L2 ⁇ T2 ⁇ 1). / 2), the dielectric strength between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved, and the reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the required breakdown voltage (ESD standard) between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is V1
  • the breakdown voltage per unit distance of the sealing portion MR is V2
  • the breakdown voltage per unit distance of the bonding material BD2 is V3.
  • the distance (interval) between the chip CP2 and the die pad DP is L4
  • the following formula (1) V2 ⁇ L3 ⁇ V1
  • the following equation (2) V3 ⁇ L4 ⁇ V1 Formula (2)
  • the distance (interval) L4 between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP also corresponds to the thickness of the bonding material BD2 at a portion interposed between the die pad DP and the semiconductor chip CP2.
  • the distance L3 is preferably about 150 ⁇ m or more. That is, the length L2 may be increased until the distance L3 is about 150 ⁇ m or more. Accordingly, since the above formula (1) is satisfied, the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP through the interface KM between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be set to the required withstand voltage V1 or more. .
  • the distance L4 is preferably about 23 ⁇ m or more. That is, it is preferable that the thickness of the bonding material BD2 at a portion interposed between the die pad DP and the semiconductor chip CP2 is about 23 ⁇ m or more.
  • the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP via the bonding material BD2 between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is set to be equal to or higher than the required breakdown voltage V1. it can.
  • the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is set to be equal to or higher than the required breakdown voltage V1. be able to.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is set to be longer than the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1.
  • step S2a After supplying the insulating bonding material BD2 on the die pad DP in step S2a, the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP via the bonding material BD2 in step S2b.
  • the bonding material BD2 is also supplied to the position where the four corners of the semiconductor chip CP2 overlap in plan view. (See FIGS. 21 and 29).
  • step S2b shows the state immediately after performing step S2a, and therefore step S2b has not yet been performed.
  • FIG. 21 the case where the bonding material BD2 is supplied onto the die pad DP from the nozzle for supplying the bonding material is shown.
  • the bonding material BD2 is supplied onto the die pad DP by the printing method. The case is shown. 21 and 29, the position where the semiconductor chip CP2 is mounted in step S2b is indicated by a dotted line.
  • the bonding material BD2 is supplied onto the die pad DP from the nozzle in step S2a, the bonding material BD2 is locally disposed on the upper surface of the die pad DP. Therefore, when supplying the bonding material BD2 from the nozzle, it is preferable to supply (arrange) the bonding material BD2 at a plurality of locations on the upper surface of the die pad DP. In the case of FIG. 21, on the upper surface of the die pad DP, The bonding material BD2 is supplied (arranged) at nine locations.
  • step S2b semiconductor chip CP2 mounting region
  • step S2a bonding material BD2 protrudes from the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted in step S2b (semiconductor chip CP2 mounting region), and the four corners of the semiconductor chip CP2 to be mounted later in plan view. Also in the overlapping position, the bonding material BD2 is supplied (arranged) in step S2a.
  • the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted corresponds to a region that overlaps the semiconductor chip CP2 in plan view when the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP in step S2b, and in FIG. 21 and FIG. It corresponds to the area surrounded by.
  • the bonding material BD2 is supplied onto the die pad DP by the printing method in step S2a, the bonding material BD2 is not locally disposed on the upper surface of the die pad DP, but relatively Arranged over a large area.
  • the region where the bonding material BD2 is supplied (arranged) includes the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted in step S2b (semiconductor chip CP2 mounting region). .
  • step S2a a part of the bonding material BD2 protrudes from the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted, and the bonding material BD2 is supplied (arranged) in step S2a also at a position where the four corners of the semiconductor chip CP2 to be mounted later overlap in plan view.
  • step S2b the semiconductor chip CP2 is mounted at the position indicated by the dotted line in FIGS.
  • step S2b the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP in a state in which the bonding material BD2 is already disposed at a position overlapping the four corners of the semiconductor chip CP2 in plan view. That is, when the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP in step S2b, the bonding material BD2 is supplied in advance in step S2a also to the position where the four corners of the semiconductor chip CP2 overlap in plan view.
  • the lower ends LE of the four sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2 are buried in the bonding material BD2 disposed on the die pad DP. It will be. Since the lower portions of the four sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2 are buried in the bonding material BD2 and covered with the bonding material BD2, the sides SD2a, SD2b of the semiconductor chip CP2 are covered. , SD2c, SD2d, the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 can be increased. Accordingly, the breakdown voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP can be improved, and the occurrence of dielectric breakdown such as electrostatic breakdown can be suppressed or prevented between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP. .
  • step S2c after supplying the conductive bonding material BD1 on the die pad DP in step S2c, the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP via the bonding material BD1 in step S2d.
  • the bonding material BD1 is not supplied to the position where the four corners of the semiconductor chip CP1 overlap in plan view ( FIG. 25 and FIG. 30).
  • 25 and 30 show the state immediately after performing step S2c, and therefore step S2d has not been performed yet.
  • 25 shows the case where the bonding material BD1 is supplied onto the die pad DP from the nozzle for supplying the bonding material.
  • the bonding material BD1 is supplied onto the die pad DP by the printing method. The case is shown.
  • the position where the semiconductor chip CP1 is mounted in step S2d is indicated by a dotted line.
  • the bonding material BD1 since the bonding material BD1 is supplied onto the die pad DP from the nozzle in step S2c, the bonding material BD1 is locally disposed on the upper surface of the die pad DP. For this reason, when supplying the bonding material BD1 from the nozzle, it is preferable to supply (place) the bonding material BD1 at a plurality of locations on the upper surface of the die pad DP. In the case of FIG. 25, on the upper surface of the die pad DP, The bonding material BD1 is supplied (arranged) at five locations. At this time, the bonding material BD1 does not protrude from the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted (semiconductor chip CP1 mounting region) in step S2d.
  • the region where the bonding material BD1 is supplied (arranged) is included in the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted.
  • the bonding material BD1 is supplied (arranged) inside the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted, and the bonding material BD1 is not supplied (arranged) to the outer periphery of the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted. Therefore, in the case of FIG. 25, the bonding material BD1 is not supplied (arranged) in step S2c at the position where the four corners of the semiconductor chip CP1 to be mounted later in plan view overlap.
  • the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted corresponds to a region that overlaps the semiconductor chip CP1 in a plan view when the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP in step S2d, and in FIG. 25 and FIG. It corresponds to the area surrounded by.
  • the bonding material BD1 since the bonding material BD1 is supplied onto the die pad DP by the printing method in step S2c, the bonding material BD1 is not locally disposed on the upper surface of the die pad DP, but relatively Arranged over a large area.
  • the bonding material BD1 is supplied (arranged) on the die pad DP by the printing method in step S2c, the bonding material BD1 is removed from the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted (semiconductor chip CP1 mounting region) in step S2d. I try not to stick out. That is, in plan view, the region where the bonding material BD1 is supplied (arranged) is included in the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted.
  • step S2c the bonding material BD1 is supplied (arranged) inside the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted, and the bonding material BD1 is not supplied (arranged) to the outer periphery of the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted. For this reason, also in FIG. 30, the bonding material BD1 is not supplied (arranged) in step S2c to the position where the four corners of the semiconductor chip CP1 to be mounted later in a plan view overlap.
  • FIG. 25 and FIG. 30 are common in that the four corners of the semiconductor chip CP1 mounting scheduled area indicated by the dotted line do not overlap with the bonding material BD1 supplied on the die pad DP in step S2c in plan view. It is.
  • step S2d the semiconductor chip CP1 is mounted at the position indicated by the dotted line in FIGS.
  • step S2d the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP in a state where the bonding material BD1 is not disposed at a position overlapping the four corners of the semiconductor chip CP1 in plan view.
  • the bonding material BD1 is not supplied in step S2c to the position where the four corners of the semiconductor chip CP1 overlap in plan view. It is further preferable that the region where the bonding material BD2 is supplied (arranged) on the die pad DP in step S2c is included in the region where the semiconductor chip CP2 is to be mounted.
  • the bonding material BD1 is unlikely to wet the side surfaces SM1, SM2, SM3, SM4 and the sides SD1a, SD1b, SD1c, SD1d of the semiconductor chip CP1.
  • Side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 and sides SD1a, SD1b, SD1c, and SD1d of CP1 are not easily covered with the bonding material BD1.
  • the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on each of the sides SD1a, SD1b, SD1c, SD1d of the semiconductor chip CP1 can be reduced, and one surface of the conductive bonding material BD1 is formed on the surface of the semiconductor chip CP1. It can suppress or prevent that a part adheres.
  • the bonding material BD2 is also supplied in step S2a to the position where the four corners of the semiconductor chip CP2 overlap in plan view. I have to.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 in each of the sides SD2a, SD2b, SD2c, SD2d of the semiconductor chip CP2 can be increased.
  • the bonding material BD1 is not supplied in step S2c to the position where the four corners of the semiconductor chip CP1 overlap in plan view.
  • the region where the bonding material BD2 is supplied (arranged) on the die pad DP in step S2c is a region that overlaps the semiconductor chip CP2 in plan view when the semiconductor chip CP2 is mounted on the die pad DP in step S2b (that is, mounting the semiconductor chip CP2). It is more preferable if it is included in the planned area. Thereby, the length L1 of the part covered with the bonding material BD1 in each of the sides SD1a, SD1b, SD1c, SD1d of the semiconductor chip CP1 can be reduced.
  • the length L2 of the portion covered with the bonding material BD2 on the side SD2 of the semiconductor chip CP2 is larger than the length L1 of the portion covered with the bonding material BD1 on the side SD1 of the semiconductor chip CP1 (L2> L1).
  • the structure can be realized easily and accurately.
  • this embodiment is particularly effective when a paste-type bonding material is used for both the bonding material BD1 and the bonding material BD2. That is, the effect is particularly great when a conductive paste-type bonding material is used as the conductive bonding material BD1 and an insulating paste-type bonding material is used as the insulating bonding material BD2.
  • both of the bonding materials BD1 and BD2 are paste-type bonding materials
  • both of the bonding materials BD1 and BD2 have a property that the side surface of the semiconductor chip can be easily applied.
  • the coating amount of the bonding material BD1 and the coating amount of the bonding material BD2 are approximately the same.
  • both the lengths L1 and L2 are small, as described above, the small length L2 lowers the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP, and the static between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP.
  • both the lengths L1 and L2 are large, as described above, a part of the conductive bonding material BD1 adheres to the surface of the semiconductor chip CP1 because the length L1 is large as described above. There is concern. These deteriorate the overall reliability of the semiconductor device.
  • the bonding materials BD1 and BD2 both have a property that the side surface of the semiconductor chip is easily painted.
  • the coating amount is increased for the insulating bonding material BD2, and the coating amount is suppressed and the coating amount is decreased for the conductive bonding material BD1.
  • the length L2 is made larger than the length L1 (L2> L1). For this reason, the length L2 can be increased and the length L1 can be decreased.
  • the length L2 can be set to 1/2 or more of the thickness T2 of the semiconductor chip CP2.
  • the length L1 is set to be equal to that of the semiconductor chip CP1.
  • the length L1 can be less than 1 ⁇ 2 of the thickness T1, and more preferably, the length L1 can be 1 ⁇ 4 or less of the thickness T1 of the semiconductor chip CP1.
  • the length L2 since the length L2 is large, the withstand voltage between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is increased, and electrostatic breakdown between the semiconductor chip CP2 and the die pad DP is suppressed or prevented.
  • the length L1 since the length L1 is small, it is possible to suppress or prevent a part of the conductive bonding material BD1 from adhering to the surface of the semiconductor chip CP1. Therefore, the overall reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the conductive bonding material BD1 is a conductive paste type bonding material such as silver (Ag) paste
  • the side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 of the semiconductor chip CP1 and the sides SD1a, SD1b, SD1c, and SD1d are bonded. Since the material BD1 tends to wet up, a part of the conductive bonding material BD1 may adhere to the surface of the semiconductor chip CP1.
  • the conductive bonding material BD1 is a conductive paste type bonding material such as silver (Ag) paste
  • the side surfaces SM1, SM2, SM3, and SM4 of the semiconductor chip CP1 and the sides SD1a, SD1b, SD1c, and SD1d It is particularly important to prevent the bonding material BD1 from getting wet. Therefore, when the bonding material BD1 is a conductive paste type bonding material, when the semiconductor chip CP1 is mounted on the die pad DP in step S2d, the bonding is performed in step S2c at a position where the four corners of the semiconductor chip CP1 overlap in plan view. It is very important that the material BD1 is not supplied.
  • the bonding material BD1 is prevented from protruding from the region where the semiconductor chip CP1 is to be mounted, and the region where the bonding material BD1 is supplied (arranged) is the semiconductor chip. It is preferable to be included in the CP1 mounting planned area. By doing so, even if the bonding material BD2 is a conductive paste type bonding material that easily wets the side surface of the semiconductor chip CP1, the bonding material BD2 is the side surface SM1, SM2, SM3, SM4 or the side SD1a of the semiconductor chip CP1. , SD1b, SD1c, SD1d can be prevented from getting wet. Thereby, it is possible to accurately suppress or prevent a part of the conductive bonding material BD1 from adhering to the surface of the semiconductor chip CP1.
  • solder material As the conductive bonding material BD1.
  • a solder material it is necessary to provide a flux cleaning step after solder reflow. This means an increase in the number of assembly processes (number of manufacturing processes).
  • lead-rich high melting point solder having a melting point higher than the reflow temperature at the time of mounting. This means that it goes against the lead-free semiconductor device PKG.
  • a conductive paste type bonding material such as a silver (Ag) paste rather than a solder material as the conductive bonding material BD1.
  • a conductive paste-type bonding material such as silver (Ag) paste, the number of assembly steps (number of manufacturing steps) can be reduced compared to the case of using a solder material, and an environmentally friendly semiconductor device PKG can be realized. Can do.

Abstract

　樹脂封止型の半導体装置において、導電性のダイパッドＤＰ上に、絶縁性を有する接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２が搭載され、かつ、導電性を有する接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１が搭載されている。半導体チップＣＰ２の第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、接合材ＢＤ２で覆われた部分の第１の長さは、半導体チップＣＰ１の第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、接合材ＢＤ１で覆われた部分の第２の長さよりも大きい。

Description

半導体装置およびその製造方法
　本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、例えば、複数の半導体チップを並べて配置してパッケージ化した半導体装置およびその製造方法に好適に利用できるものである。
　ダイパッド上に半導体チップを搭載し、半導体チップのパッド電極とリードとをワイヤを介して電気的に接続し、それらを樹脂封止することにより、半導体パッケージ形態の半導体装置を製造することができる。
　国際公開ＷＯ２００３／０３４４９５号（特許文献１）には、パワー半導体チップとロジックチップを基板に搭載したマルチチップパッケージに関する技術が記載されている。
国際公開ＷＯ２００３／０３４４９５号
　複数の半導体チップを並べて配置してパッケージ化した半導体装置においても、できるだけ信頼性を向上させることが望まれる。
　その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
　一実施の形態によれば、半導体装置は、導電性のチップ搭載部上に、絶縁性を有する第１接合材を介して第１半導体チップを搭載し、かつ、導電性を有する第２接合材を介して第２半導体チップを搭載した、樹脂封止型の半導体装置である。そして、前記第１半導体チップの第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、前記第１接合材で覆われた部分の第１の長さは、前記第２半導体チップの第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、前記第２接合材で覆われた部分の第２の長さよりも大きい。
　また、一実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、（ａ）導電性を有するチップ搭載部上に、絶縁性を有する第１接合材を介して第１半導体チップを搭載し、導電性を有する第２接合材を介して第２半導体チップを搭載する工程、（ｂ）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記チップ搭載部の少なくとも一部を封止する封止体を形成する工程、を有している。そして、前記第１半導体チップの第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、前記第１接合材で覆われた部分の第１の長さは、前記第２半導体チップの第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、前記第２接合材で覆われた部分の第２の長さよりも大きい。
　一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
一実施の形態である半導体装置の上面図である。 一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の下面図である。 一実施の形態である半導体装置の断面図である。 一実施の形態である半導体装置の断面図である。 一実施の形態である半導体装置の断面図である。 一実施の形態である半導体装置の部分拡大平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の製造工程を示すプロセスフロー図である。 一実施の形態である半導体装置の製造工程中の断面図である。 図１１に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。 図１２に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。 図１３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。 図１４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。 ダイボンディング工程の詳細を示すプロセスフロー図である。 ダイボンディング工程の詳細を示すプロセスフロー図である。 ダイボンディング工程の詳細を示すプロセスフロー図である。 ダイボンディング工程の詳細を示すプロセスフロー図である。 一実施の形態である半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２０に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２１と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。 図２１に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２３と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。 図２３に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２５と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。 図２５に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２７と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。 一実施の形態である半導体装置の製造工程中の平面図である。 図２９に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。 一実施の形態である半導体装置の回路図である。 一実施の形態である半導体装置に用いられる半導体チップの要部断面図である。 検討例の半導体装置の断面図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す平面透視図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す斜視図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す斜視図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。 一実施の形態である半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。 一本実施の形態の効果の一例を示す表である。
　以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
　以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
　また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
　（実施の形態１）
　本発明の一実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
　＜半導体装置（半導体パッケージ）の構造について＞
　図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置ＰＫＧの上面図であり、図２～図４は、半導体装置ＰＫＧの平面透視図であり、図５は、半導体装置ＰＫＧの下面図（裏面図）であり、図６～図８は、半導体装置ＰＫＧの断面図である。図２には、封止部ＭＲを透視したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。また、図３は、図２において、更にワイヤＢＷを透視（省略）したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。また、図４は、図３において、更に半導体チップＣＰ１，ＣＰ２を透視（省略）したときの半導体装置ＰＫＧの上面側の平面透視図が示されている。なお、図１～図４では、半導体装置ＰＫＧの向きは同じである。また、図２～図４では、封止部ＭＲの外周の位置を点線で示してある。また、図１、図２および図５のＡ－Ａ線の位置での半導体装置ＰＫＧの断面が、図６にほぼ対応し、図１、図２および図５のＢ－Ｂ線の位置での半導体装置ＰＫＧの断面が、図７にほぼ対応し、図１、図２および図５のＣ－Ｃ線の位置での半導体装置ＰＫＧの断面が、図８にほぼ対応している。また、図９は、図２の一部を拡大した部分拡大平面透視図である。
　図１～図９に示される本実施の形態の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧは、樹脂封止型の半導体パッケージ形態の半導体装置であり、ここではＱＦＰ（Quad Flat Package）形態の半導体装置である。以下、図１～図９を参照しながら、半導体装置ＰＫＧの構成について説明する。
　図１～図９に示される本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２と、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２を搭載するダイパッドＤＰと、導電体によって形成された複数のリードＬＤと、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ１，Ｐ２と複数のリードＬＤとを電気的に接続する複数のワイヤＢＷと、これらを封止する封止部ＭＲとを有している。
　封止体としての封止部（封止樹脂部、封止体）ＭＲは、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止部ＭＲを形成することができる。エポキシ系の樹脂以外にも、低応力化を図る等の理由から、例えばフェノール系硬化剤、シリコーンゴムおよびフィラー等が添加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂を、封止部ＭＲの材料として用いても良い。
　封止部ＭＲは、一方の主面である上面（表面）ＭＲａと、上面ＭＲａの反対側の主面である下面（裏面、底面）ＭＲｂと、上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂに交差する側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４と、を有している（図１および図５～図８参照）。すなわち、封止部ＭＲの外観は、上面ＭＲａ、下面ＭＲｂおよび側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４で囲まれた薄板状とされている。なお、平面視において、封止部ＭＲの各側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４は、封止部ＭＲの辺とみなすこともできる。
　封止部ＭＲの上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂの平面形状は、例えば矩形状に形成されており、この矩形（平面矩形）の角に丸みを帯びさせることもできる。また、この矩形（平面矩形）の４つの角のうち、任意の角を落とすこともできる。封止部ＭＲの上面ＭＲａおよび下面ＭＲｂの平面形状を矩形とした場合には、封止部ＭＲは、その厚さと交差する平面形状（外形形状）が矩形（四角形）となる。封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４のうち、側面ＭＲｃ１と側面ＭＲｃ３とが互いに対向し、側面ＭＲｃ２と側面ＭＲｃ４とが互いに対向し、側面ＭＲｃ１と側面ＭＲｃ２，ＭＲｃ４とが互いに交差し、側面ＭＲｃ３と側面ＭＲｃ２，ＭＲｃ４とが互いに交差している。
　複数のリード（リード部）ＬＤは、導電体で構成されており、好ましくは銅（Ｃｕ）または銅合金などの金属材料からなる。複数のリードＬＤのそれぞれは、一部が封止部ＭＲ内に封止され、他の一部が封止部ＭＲの側面から封止部ＭＲの外部に突出している。以下では、リードＬＤのうちの封止部ＭＲ内に位置する部分をインナリード部と呼び、リードＬＤのうちの封止部ＭＲ外に位置する部分をアウタリード部と呼ぶものとする。
　なお、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、各リードＬＤの一部（アウタリード部）が封止部ＭＲの側面から突出した構造であり、以下ではこの構造に基づいて説明するが、この構造に限定されるものではなく、例えば、封止部ＭＲの側面から各リードＬＤがほとんど突出せず、かつ封止部ＭＲの下面ＭＲｂで各リードＬＤの一部が露出した構成（ＱＦＮ型の構成）などを採用することもできる。
　複数のリードＬＤは、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤと、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤとで構成されている。
　封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３から封止部ＭＲ外に突出している。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤの各アウタリード部は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４から封止部ＭＲ外に突出している。
　各リードＬＤのアウタリード部は、アウタリード部の端部近傍の下面が封止部ＭＲの下面ＭＲｂとほぼ同一平面上に位置するように、折り曲げ加工されている。リードＬＤのアウタリード部は、半導体装置ＰＫＧの外部接続用端子部（外部端子）として機能する。
　ダイパッド（チップ搭載部、タブ）ＤＰは、半導体チップＣＰ１および半導体チップＣＰ２を搭載するチップ搭載部である。ダイパッドＤＰの平面形状は、例えば矩形状に形成されている。半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とは、ダイパッドＤＰ上に並んで配置され、封止部ＭＲは、ダイパッドＤＰの一部を封止し、複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰの周囲に配置されている。
　ダイパッドＤＰは、側面ＭＲｃ１側の辺（側面）ＤＰ１と、側面ＭＲｃ２側の辺（側面）ＤＰ２と、側面ＭＲｃ３側の辺（側面）ＤＰ３と、側面ＭＲｃ４側の辺（側面）ＤＰ４と、を有している（図１、図３および図４参照）。ダイパッドＤＰの辺（側面）ＤＰ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に沿った辺（側面）であり、ダイパッドＤＰの辺（側面）ＤＰ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２に沿った辺（側面）であり、ダイパッドＤＰの辺（側面）ＤＰ３は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に沿った辺（側面）であり、ダイパッドＤＰの辺（側面）ＤＰ４は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４に沿った辺（側面）である。
　封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ１に沿って配置（配列）され、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ２に沿って配置（配列）されている。また、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ３に沿って配置（配列）され、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤは、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ４に沿って配置（配列）されている。
　すなわち、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ１と封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に沿って、複数のリードＬＤ（のインナリード部）が配置（配列）され、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ２と封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２に沿って、複数のリードＬＤ（のインナリード部）が配置（配列）されている。また、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ３と封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に沿って、複数のリードＬＤ（のインナリード部）が配置（配列）され、ダイパッドＤＰの辺ＤＰ４と封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４との間に、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４に沿って、複数のリードＬＤ（のインナリード部）が配置（配列）されている。
　封止部ＭＲの下面ＭＲｂでは、ダイパッドＤＰの下面（裏面）が露出されている。封止部ＭＲの上面ＭＲａでは、ダイパッドＤＰは露出されていない。
　ダイパッドＤＰは導電体で構成されており、好ましくは銅（Ｃｕ）または銅合金などの金属材料からなる。半導体装置ＰＫＧを構成するダイパッドＤＰおよび複数のリードＬＤが同じ材料（同じ金属材料）で形成されていれば、より好ましい。これにより、ダイパッドＤＰおよび複数のリードＬＤが連結されたリードフレームを作製しやすくなり、リードフレームを用いた半導体装置ＰＫＧの製造が容易になる。
　ダイパッドＤＰの平面形状を構成する矩形の四隅には、それぞれ吊りリードＴＬが一体的に形成されている。各吊りリードＴＬは、ダイパッドＤＰと同じ材料によりダイパッドＤＰと一体的に形成されている。ダイパッドＤＰの外縁の四隅のそれぞれに、吊りリードＴＬが一体的に形成され、各吊りリードＴＬのダイパッドＤＰに接続されている側とは反対側の端部が平面矩形状の封止部ＭＲの四隅（角部）側面に達するまで、封止部ＭＲ内を延在している。吊りリードＴＬは、封止部ＭＲの形成後に封止部ＭＲから突出する部分が切断されており、吊りリードＴＬの切断により生じた切断面（端面）が封止部ＭＲの四隅側面で露出している。
　ダイパッドＤＰの上面（主面）上には、半導体チップＣＰ１が、その表面（主面、上面）を上に向け、かつ、その裏面（下面）をダイパッドＤＰに向けた状態で搭載されている（図２、図３、図６、図７および図９参照）。また、ダイパッドＤＰの上面（主面）上には、半導体チップＣＰ２が、その表面（主面、上面）を上に向け、かつ、その裏面（下面）をダイパッドＤＰに向けた状態で搭載されている（図２、図３、図６、図８および図９参照）。ダイパッドＤＰの上面において、半導体チップＣＰ１が搭載された領域と半導体チップＣＰ２が搭載された領域とは、互いに離間しており、従って、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とは、平面視において、互いに離間している。
　すなわち、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とは、ダイパッドＤＰの上面上に並んで配置されている。つまり、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とは、互いに積み重ねられてはおらず、ダイパッドＤＰの上面上に互いに離間して並んで配置されている。ダイパッドＤＰの平面寸法（平面積）は、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２の各平面寸法（平面積）よりも大きく、平面視において、半導体チップＣＰ１および半導体チップＣＰ２は、ダイパッドＤＰの上面に内包されているが、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とは重なってはいない。
　半導体チップＣＰ１の裏面は、接合材（接合材層、接着層）ＢＤ１を介してダイパッドＤＰの上面に接着（接合）されて固定され、半導体チップＣＰ２の裏面は、接合材（接合材層、接着層）ＢＤ２を介してダイパッドＤＰの上面に接着（接合）されて固定されている（図６～図８参照）。半導体チップＣＰ１，ＣＰ２は、封止部ＭＲ内に封止されており、封止部ＭＲから露出されない。
　半導体チップＣＰ１は、その裏面（ダイパッドＤＰに接着される側の主面）に裏面電極ＢＥが形成されている（図６および図７参照）。このため、半導体チップＣＰ１を接着するための接合材ＢＤ１は導電性を有しており、この導電性の接合材ＢＤ１を介して、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥがダイパッドＤＰに接合されて固定されるとともに、電気的に接続されている。このため、ダイパッドＤＰから導電性の接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに、所望の電位を供給することができる。半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥは、半導体チップＣＰ１内に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴ（後述のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１に対応）のドレインに電気的に接続されている。接合材ＢＤ１としては、例えば銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型の接合材（接着材）を好適に用いることができる。また、接合材ＢＤ１用の導電性ペースト型接合材としては、熱硬化型の接合材を好適に用いることができるが、製造された半導体装置ＰＫＧにおいては、接合材ＢＤ１は既に硬化している。
　ダイパッドＤＰの上面のうち、半導体チップＣＰ１が搭載されている領域には、銀（Ａｇ）メッキ層ＧＭが形成されている。銀メッキ層ＧＭは、ダイパッドＤＰの上面の一部に形成されており、平面視において、半導体チップＣＰ１は、銀メッキ層ＧＭに内包されている。半導体チップＣＰ１は、ダイパッドＤＰの上面の銀メッキ層ＧＭ上に、導電性の接合材ＢＤ１を介して搭載されて接合されている。すなわち、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥが、導電性の接合材ＢＤ１を介して、ダイパッドＤＰの上面の銀メッキ層ＧＭに接合されて固定されるとともに、電気的に接続されている。従って、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥは、導電性の接合材ＢＤ１と銀メッキ層ＧＭを介して、ダイパッドＤＰに電気的に接続されていることになる。
　銀メッキ層ＧＭは、省略することも可能であり、銀メッキ層ＧＭを設けなかった場合は、銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金などからなるダイパッドＤＰ上に、接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１が搭載されることになる。しかしながら、ダイパッドＤＰの上面の一部に銀メッキ層ＧＭを設けて、その銀メッキ層ＧＭ上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載することが、より好ましい。銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金などからなるダイパッドＤＰの上面に酸化物層が形成され、その酸化物層が形成された領域上に半導体チップＣＰ１が接合材ＢＤ１を介して搭載されると、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥとダイパッドＤＰとの間を電気的に接続できても、その間の接続抵抗が高くなる虞がある。それに対して、銀メッキ層ＧＭの表面はダイパッドＤＰの表面に比べて酸化されにくいため、ダイパッドＤＰの上面に銀メッキ層ＧＭを設けて、その銀メッキ層ＧＭ上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載すれば、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥとダイパッドＤＰとの間を、低抵抗で的確に電気的に接続することができるようになる。
　一方、半導体チップＣＰ２の裏面には裏面電極は形成されていない（図６および図８参照）。半導体チップＣＰ２を接着するための接合材ＢＤ２は、導電性を有しておらず、絶縁性を有している。すなわち、接合材ＢＤ２は、絶縁性の接合材からなる。これにより、ダイパッドＤＰと半導体チップＣＰ２とは、絶縁性の接合材ＢＤ２を介して絶縁され、ダイパッドＤＰから導電性の接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに供給する電位は、半導体チップＣＰ２の裏面には供給されなくなる。接合材ＢＤ２としては、絶縁性ペースト型の接合材（接着材）を好適に用いることができる。また、接合材ＢＤ２用の絶縁性ペースト型接合材としては、熱硬化型の接合材を好適に用いることができるが、製造された半導体装置ＰＫＧにおいては、接合材ＢＤ２は既に硬化している。
　また、ダイパッドＤＰの上面のうち、半導体チップＣＰ２が搭載されている領域には、銀メッキ層ＧＭは形成されていない。このため、半導体チップＣＰ２は、銀メッキ層ＧＭが形成されていない領域のダイパッドＤＰの上面上に、絶縁性の接合材ＢＤ２を介して搭載されて接合されている。
　ダイパッドＤＰの上面において、半導体チップＣＰ２を搭載する領域にも銀メッキ層ＧＭのような銀メッキ層を設けて、その銀メッキ層上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載することも可能である。しかしながら、ダイパッドＤＰの上面において、半導体チップＣＰ２を搭載する領域には銀メッキ層ＧＭのような銀メッキ層は設けずに、銀メッキ層が形成されていない領域のダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載することが、より好ましい。すなわち、銅または銅合金からなるダイパッドＤＰの露出面上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載することが、より好ましい。なぜなら、銀メッキ層ＧＭと封止部ＭＲとの密着性（密着強度）よりも、封止部ＭＲとダイパッドＤＰとの密着性（密着強度）の方が、高いからである。ダイパッドＤＰと電気的に接続する必要が無い半導体チップＣＰ２については、その搭載領域に銀メッキ層ＧＭを設けないことで、封止部ＭＲとダイパッドＤＰとの高い密着性を確保することができる。一方、ダイパッドＤＰと電気的に接続する必要がある半導体チップＣＰ１については、その搭載領域に銀メッキ層ＧＭを設けることで、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥとダイパッドＤＰとの間の電気的接続の信頼性を向上させることができる。
　ダイパッドＤＰは、半導体チップＣＰ１で発生した熱を放散するためのヒートシンクとしての機能も有することができる。半導体チップＣＰ１で発生した熱は、接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰに伝導され、封止部ＭＲから露出されるダイパッドＤＰの下面（裏面）から、半導体装置ＰＫＧの外部に放散することができる。半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ１は、導電性を有しているため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在する絶縁性の接合材ＢＤ２に比べて、熱伝導率が高くなる。半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ１の熱伝導率が高いことは、半導体チップＣＰ１で発生した熱を、接合材ＢＤ１およびダイパッドＤＰを介して半導体装置ＰＫＧの外部に放散させる上では、有利に作用する。
　一方、半導体チップＣＰ２の発熱量は、半導体チップＣＰ１の発熱量よりも小さい。これは、後述のように、半導体チップＣＰ１は大電流が流れるパワートランジスタを内蔵しているのに対して、半導体チップＣＰ２は、そのようなパワートランジスタを内蔵しておらず、半導体チップＣＰ１に流れる電流に比べて、半導体チップＣＰ２に流れる電流が小さいためである。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ２が、絶縁性を有することで熱伝導率が低くなったとしても、半導体チップＣＰ２の発熱に関連した問題は生じにくい。
　半導体チップＣＰ１，ＣＰ２は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）の主面に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップに分離して製造したものである。半導体チップＣＰ１，ＣＰ２は、その厚さと交差する平面形状が矩形（四角形）である。
　半導体チップＣＰ１は、ＩＰＤ（Intelligent Power Device）チップである。このため、詳細は後述するが、半導体チップＣＰ１は、パワートランジスタ（後述のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１に対応）と、そのパワートランジスタを制御する制御回路（後述の制御回路ＣＬＣに対応）とを有している。半導体チップＣＰ２は、マイコンチップである。このため、半導体チップＣＰ２は、半導体チップＣＰ１（特に半導体チップＣＰ１の制御回路ＣＬＣ）を制御する回路を有しており、例えば演算回路（ＣＰＵ）やメモリ回路などを有している。半導体チップＣＰ２は、半導体チップＣＰ１を制御する制御用チップ（制御用の半導体チップ）として用いることができる。すなわち、半導体チップＣＰ２は、半導体チップＣＰ１を制御するための半導体チップである。
　半導体チップＣＰ１は半導体チップＣＰ２よりも平面積が大きいが、この平面積の違いは、以下の理由からである。すなわち、半導体チップＣＰ２は、半導体装置ＰＫＧ全体の寸法を考慮して、できるだけ外形サイズを小さくしたい。これに対し、半導体チップＣＰ１は、パワートランジスタが形成されているが、このパワートランジスタでは、トランジスタ内に生じるオン抵抗をできるだけ低減したい。オン抵抗の低減は、パワートランジスタを構成する複数の単位トランジスタセルのチャネル幅を広げることで実現できる。このため、半導体チップＣＰ１の外形サイズは、半導体チップＣＰ２の外形サイズよりも大きくなっている。
　半導体チップＣＰ１の表面（主面、上面）には、複数のパッド電極（パッド、ボンディングパッド、端子）Ｐ１が形成されている（図２、図３、図６、図７および図９参照）。また、半導体チップＣＰ２の表面（主面、上面）には、複数のパッド電極（パッド、ボンディングパッド、端子）Ｐ２が形成されている（図２、図３、図６、図８および図９参照）。なお、以下では、「パッド電極」を単に「パッド」と称する場合もある。
　ここで、半導体チップＣＰ１において、互いに反対側に位置する２つの主面のうち、複数のパッド電極Ｐ１が形成されている側の主面を半導体チップＣＰ１の表面と呼び、この表面とは反対側でかつダイパッドＤＰに対向する側の主面を半導体チップＣＰ１の裏面と呼ぶものとする。同様に、半導体チップＣＰ２において、互いに反対側に位置する２つの主面のうち、複数のパッド電極Ｐ２が形成されている側の主面を半導体チップＣＰ２の表面と呼び、この表面とは反対側でかつダイパッドＤＰに対向する側の主面を半導体チップＣＰ２の裏面と呼ぶものとする。
　半導体チップＣＰ１の表面は、矩形状の平面形状を有している（図３および図９参照）。このため、半導体チップＣＰ１は、半導体チップＣＰ１の表面と半導体チップＣＰ１の裏面とを連結する４つの側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４を有している。すなわち、半導体チップＣＰ１は、一方の主面である表面と、表面とは反対側の主面である裏面と、表面および裏面に交差する側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４と、を有している。ここで、半導体チップＣＰ１において、側面ＳＭ１と側面ＳＭ３とは互いに反対側に位置し、側面ＳＭ２と側面ＳＭ４とは互いに反対側に位置し、側面ＳＭ１と側面ＳＭ３とは互いに平行で、側面ＳＭ２と側面ＳＭ４とは互いに平行で、側面ＳＭ１は側面ＳＭ２，ＳＭ４と直交し、側面ＳＭ３は側面ＳＭ２，ＳＭ４と直交している。なお、平面視において、半導体チップＣＰ１の各側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４は、半導体チップＣＰ１の辺とみなすこともできる。
　また、半導体チップＣＰ２の表面は、矩形状の平面形状を有している（図３および図９参照）。このため、半導体チップＣＰ２は、半導体チップＣＰ２の表面と半導体チップＣＰ２の裏面とを連結する４つの側面ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８を有している。すなわち、半導体チップＣＰ２は、一方の主面である表面と、表面とは反対側の主面である裏面と、表面および裏面に交差する側面ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８と、を有している。ここで、半導体チップＣＰ２において、側面ＳＭ５と側面ＳＭ７とは互いに反対側に位置し、側面ＳＭ６と側面ＳＭ８とは互いに反対側に位置し、側面ＳＭ５と側面ＳＭ７とは互いに平行で、側面ＳＭ６と側面ＳＭ８とは互いに平行で、側面ＳＭ５は側面ＳＭ６，ＳＭ８と直交し、側面ＳＭ７は側面ＳＭ６，ＳＭ８と直交している。なお、平面視において、半導体チップＣＰ２の各側面ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８は、半導体チップＣＰ２の辺とみなすこともできる。
　半導体チップＣＰ１および半導体チップＣＰ２は、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ３と半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ５とが対向するように、ダイパッドＤＰの上面上に搭載されている（図３および図９参照）。半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ３と半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ５とが対向しているが、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ３と半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ５とは、略平行とすることができる。
　半導体チップＣＰ１において、側面ＳＭ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１やダイパッドＤＰの辺ＤＰ１に沿った側面であり、側面ＳＭ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２やダイパッドＤＰの辺ＤＰ２に沿った側面である。また、半導体チップＣＰ１において、側面ＳＭ３は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３やダイパッドＤＰの辺ＤＰ３に沿った側面であり、側面ＳＭ４は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４やダイパッドＤＰの辺ＤＰ４に沿った側面である。また、半導体チップＣＰ２において、側面ＳＭ５は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１やダイパッドＤＰの辺ＤＰ１に沿った側面であり、側面ＳＭ６は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２やダイパッドＤＰの辺ＤＰ２に沿った側面である。また、半導体チップＣＰ２において、側面ＳＭ７は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３やダイパッドＤＰの辺ＤＰ３に沿った側面であり、側面ＳＭ８は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４やダイパッドＤＰの辺ＤＰ４に沿った側面である。
　ダイパッドＤＰの上面上において、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、半導体チップＣＰ１が封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１に近い側に配置され、半導体チップＣＰ２が封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３に近い側に配置されている。すなわち、ダイパッドＤＰの上面上において、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、半導体チップＣＰ１がダイパッドＤＰの辺ＤＰ１に近い側に配置され、半導体チップＣＰ２がダイパッドＤＰの辺ＤＰ３に近い側に配置されている。
　平面視において、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向し、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向している。また、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ３は、半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ５と対向し、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ４は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向している。また、平面視において、半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ５は、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ３と対向し、半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ６は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向している。また、半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ７は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向し、半導体チップＣＰ２の側面ＳＭ８は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤのインナリード部と対向している。
　半導体チップＣＰ１，ＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ１，Ｐ２と、複数のリードＬＤと、が複数のワイヤ（ボンディングワイヤ）ＢＷを介してそれぞれ電気的に接続され、また、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１と半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２とが、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。
　つまり、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１は、ワイヤＢＷを介してリードＬＤに電気的に接続されたパッド電極Ｐ１と、ワイヤＢＷを介して半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２に電気的に接続されたパッド電極Ｐ１とからなる。また、半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２は、ワイヤＢＷを介してリードＬＤに電気的に接続されたパッド電極Ｐ２と、ワイヤＢＷを介して半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１に電気的に接続されたパッド電極Ｐ２とからなる。また、半導体装置ＰＫＧは、複数のワイヤＢＷを有しているが、それら複数のワイヤＢＷは、半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１とリードＬＤとを電気的に接続するワイヤＢＷと、半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２とリードＬＤとを電気的に接続するワイヤＢＷと、半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１と半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２とを電気的に接続するワイヤＢＷとからなる。
　なお、半導体チップＣＰ１の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ１のうち、側面ＳＭ１に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ１の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ１のうち、側面ＳＭ２に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ１の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ１のうち、側面ＳＭ４に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ１は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ２の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ２のうち、側面ＳＭ６に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ２側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ２の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ２のうち、側面ＳＭ７に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ３側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ２の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ２のうち、側面ＳＭ８に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ２は、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ４側に配置された複数のリードＬＤに、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。また、半導体チップＣＰ１の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ１のうちの側面ＳＭ３に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ１と、半導体チップＣＰ２の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ２のうちの側面ＳＭ５に沿って配置された複数のパッド電極Ｐ２とは、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続されている。
　また、半導体チップＣＰ１の表面に形成された複数のパッド電極Ｐ１は、複数のソース用パッド電極Ｐ１Ｓを含んでいる（図９参照）。半導体チップＣＰ１の表面において、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、側面ＳＭ１に沿って複数配置されており、それぞれ、封止部ＭＲの側面ＭＲｃ１側に配置されたリードＬＤにワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。このため、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、ワイヤＢＷを介してリードＬＤに電気的に接続されたパッド電極Ｐ１に含まれている。ソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、ソース用のパッド電極（パッド、ボンディングパッド）であり、半導体チップＣＰ１内に形成されたパワートランジスタ（後述のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１に対応）のソースに電気的に接続されている。ソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、半導体チップＣＰ１の表面において、側面ＳＭ１に沿って複数配置することができるが、側面ＳＭ１からある程度離間して配置することもできる。
　ワイヤ（ボンディングワイヤ）ＢＷは、導電性の接続部材であり、より特定的には導電性のワイヤである。ワイヤＢＷは、金属からなるため、金属線（金属細線）とみなすこともできる。ワイヤＢＷは、封止部ＭＲ内に封止されており、封止部ＭＲから露出されない。各リードＬＤにおいて、ワイヤＢＷの接続箇所は、封止部ＭＲ内に位置するインナリード部である。
　半導体装置ＰＫＧが有する複数のワイヤＢＷ（図２に示されるワイヤＢＷに対応）において、全てのワイヤＢＷを同じ太さ（直径）にすることもできる。しかしながら、半導体装置ＰＫＧが有する複数のワイヤＢＷ（図２に示されるワイヤＢＷに対応）において、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１ＳとリードＬＤとを接続するワイヤＢＷの太さ（直径）を、他のワイヤＢＷの太さ（直径）よりも大きくすれば、より好ましい。すなわち、半導体装置ＰＫＧが有する複数のワイヤＢＷ（図２に示されるワイヤＢＷに対応）のうち、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷの太さ（直径）を、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷの太さ（直径）よりも大きくすれば、より好ましい。そうする理由は、次のようなものである。
　すなわち、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１ＳとリードＬＤとを接続するワイヤＢＷは、他のワイヤＢＷに比べて大きな電流が流れるため、太さ（直径）を大きくすることで、抵抗を低減して損失を少なくすることができる。一方、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１ＳとリードＬＤとを接続するワイヤＢＷ以外のワイヤＢＷについては、それほど大きな電流は流れないため、ワイヤＢＷの太さ（直径）を小さくすることで、そのワイヤＢＷに接続されるパッド電極Ｐ１，Ｐ２の寸法を小さくすることが可能になり、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２の小型化に有利となる。一例を挙げれば、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷの直径を３５μｍ程度とし、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷの直径は、２０μｍ程度とすることができる。
　ワイヤＢＷとしては、金（Ａｕ）ワイヤ、銅（Ｃｕ）ワイヤ、あるいはアルミニウム（Ａｌ）ワイヤなどを好適に用いることができる。
　また、上述のように、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷについては、太さ（直径）を大きくするとともに銅ワイヤを使用し、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷについては、太さ（直径）を小さくするとともに金ワイヤを使用することもできる。つまり、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷと、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷとで材料を異ならせ、前者については、直径が大きな銅（Ｃｕ）ワイヤを使用し、後者については直径が小さな金（Ａｕ）ワイヤを使用することができる。直径が大きなワイヤＢＷ（すなわちソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷ）には、銅（Ｃｕ）ワイヤを使用することで、半導体装置ＰＫＧの製造コストを抑制することができる。また、直径が小さなワイヤＢＷ（すなわちソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷ）には、金（Ａｕ）ワイヤを使用することで、そのワイヤＢＷを接続するパッド電極Ｐ１，Ｐ２の寸法を小さくしたとしても、小さなパッド電極Ｐ１，Ｐ２に対してワイヤＢＷを容易かつ的確に接続することができるようになる。これは、小さなパッドに対しては、銅ワイヤよりも金ワイヤの方が接続しやすいためである。これにより、製造コストを抑制しながら、ワイヤＢＷの接続信頼性の向上を図ることができる。
　また、パッド電極Ｐ１，Ｐ２の寸法などの面で、パッド電極Ｐ１，Ｐ２に対して銅ワイヤを接続することに問題がなければ、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓに接続されたワイヤＢＷだけでなく、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１，Ｐ２に接続されたワイヤＢＷについても銅（Ｃｕ）ワイヤを使用することができる。すなわち、半導体装置ＰＫＧが有する全てのワイヤＢＷについて、銅（Ｃｕ）ワイヤを使用することもできる。これにより、半導体装置ＰＫＧの製造コストを更に抑制することができる。
　＜半導体装置の製造工程について＞
　次に、上記図１～図９に示される半導体装置ＰＫＧの製造工程について説明する。図１０は、上記図１～図９に示される半導体装置ＰＫＧの製造工程を示すプロセスフロー図である。図１１～図１５は、半導体装置ＰＫＧの製造工程中の断面図である。なお、図１１～図１５には、上記図６に相当する断面が示されている。
　半導体装置ＰＫＧを製造するには、まず、リードフレームＬＦおよび半導体チップＣＰ１，ＣＰ２を準備する（図１０のステップＳ１）。
　図１１に示されるように、リードフレームＬＦは、フレーム枠（図示せず）と、フレーム枠に連結された複数のリードＬＤと、フレーム枠に複数の吊りリードＴＬを介して連結されたダイパッドＤＰとを、一体的に有している。
　ステップＳ１では、リードフレームＬＦの準備と、半導体チップＣＰ１の準備と、半導体チップＣＰ２の準備とは、いずれの順序で行ってもよく、また、同時に行ってもよい。
　次に、図１２に示されるように、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のダイボンディング工程を行って、リードフレームのダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を導電性の接合材ＢＤ１を介して搭載して接合し、かつ、リードフレームのダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を絶縁性の接合材ＢＤ２を介して搭載して接合する（図１０のステップＳ２）。半導体チップＣＰ１の裏面には裏面電極ＢＥが形成されているため、ステップＳ２では、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥが、導電性の接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰに接合される。ステップＳ２については、後でより詳細に説明する。
　ステップＳ２のダイボンディング工程が行われた後、図１３に示されるように、ワイヤボンディング工程を行う（図１０のステップＳ３）。
　このステップＳ３では、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１とリードフレームＬＦの複数のリードＬＤとの間、半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２とリードフレームＬＦの複数のリードＬＤとの間、および、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１と半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２との間を、複数のワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続する。
　上述のように、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１ＳとリードＬＤとを接続するワイヤＢＷの太さ（直径）を、他のワイヤＢＷの太さ（直径）よりも大きくする場合は、ステップＳ３では、ワイヤボンディング工程を２段階で行うことが好ましい。すなわち、まず１段階目として、直径が大きなワイヤＢＷを用いるワイヤボンディングを行ってから、２段階目として、直径が小さなワイヤＢＷを用いるワイヤボンディングを行う。
　具体的には、まず１段階目として、上記図１０に示されるワイヤＢＷについてのワイヤボンディングを行う。これにより、半導体チップＣＰ１の複数のソース用パッド電極Ｐ１Ｓと複数のリードＬＤとの間を、直径が大きなワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続する。その後、上記図１１に示されるワイヤＢＷについてのワイヤボンディングを行う。これにより、ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外の半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１と複数のリードＬＤとの間、半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２と複数のリードＬＤとの間、および、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１と半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２との間を、直径が小さなワイヤＢＷを介してそれぞれ電気的に接続する。
　直径が大きなワイヤよりも直径が小さなワイヤの方が変形しやすい。このため、ステップＳ３において、先に、直径が大きなワイヤＢＷを用いるワイヤボンディングを行ってから、その後で、直径が小さなワイヤＢＷを用いるワイヤボンディングを行うことにより、ステップＳ３のワイヤボンディング工程でワイヤＢＷが変形する可能性を低減することができる。
　次に、モールド工程（樹脂成形工程）による樹脂封止を行って、図１４に示されるように、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２およびそれに接続された複数のワイヤＢＷを封止部ＭＲによって封止する（図１０のステップＳ４）。このステップＳ４のモールド工程によって、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２、ダイパッドＤＰ、複数のリードＬＤのインナリード部、複数のワイヤＢＷおよび吊りリードＴＬを封止する封止部ＭＲが形成される。
　次に、封止部ＭＲから露出しているリードＬＤのアウタリード部に必要に応じてめっき処理を施してから、封止部ＭＲの外部において、リードＬＤおよび吊りリードＴＬを所定の位置で切断して、リードフレームＬＦのフレーム枠から分離する（図１０のステップＳ５）。
　次に、図１５に示されるように、封止部ＭＲから突出するリードＬＤのアウタリード部を折り曲げ加工（リード加工、リード成形）する（図１０のステップＳ６）。
　このようにして、上記図１～図９に示されるような半導体装置ＰＫＧが製造される。
　＜ダイボンディング工程について＞
　上記ステップＳ２のダイボンディング工程の詳細について、図面を参照して説明する。図１６～図１９は、上記図１０のプロセスフローのうち、ステップＳ２のダイボンディング工程の詳細を示すプロセスフロー図である。また、図２０～図３０は、半導体装置ＰＫＧの製造工程中の平面図または断面図である。図２０～図３０のうち、図２０、図２１、図２３、図２５、図２７、図２９および図３０は、平面図であり、図２２、図２４、図２６および図２８は、上記図６に相当する断面が示されている。なお、図２０のＡ１－Ａ１線の断面図が、上記図１１に対応し、図２１のＡ１－Ａ１線の断面図が、図２２に対応し、図２３のＡ１－Ａ１線の断面図が、図２４に対応し、図２５のＡ１－Ａ１線の断面図が、図２６に対応し、図２７のＡ１－Ａ１線の断面図が、図２８に対応している。
　図２０は、ステップＳ２のダイボンディング工程を行う前の段階のリードフレームＬＦの平面図が示されており、そこから１つの半導体装置ＰＫＧが取得される領域の平面図が示されている。図２１、図２３、図２５、図２７、図２９および図３０は、図２０と同じ平面領域が示されている。
　ステップＳ２は、具体的には、図１６のようにして行うことができる。
　すなわち、まず、図２１および図２２に示されるように、ダイパッドＤＰの上面の半導体チップＣＰ２搭載予定領域に絶縁性の接合材ＢＤ２を供給する（図１６のステップＳ２ａ）。
　それから、図２３および図２４に示されるように、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載する（図１６のステップＳ２ｂ）。
　接合材ＢＤ２は、好ましくは、絶縁性ペースト型の接合材（接着材）からなる。ステップＳ２ａ，Ｓ２ｂでは、接合材ＢＤ２はまだ硬化しておらず、粘性を有するペースト状である。
　接合材ＢＤ２として、絶縁性スペーサ（絶縁性粒子、絶縁性スペーサ粒子）を含有する絶縁性ペースト型の接合材（接着材）を用いれば、更に好ましい。接合材ＢＤ２中に含まれる絶縁性スペーサが半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在することによって、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の間隔を確保することができる。すなわち、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の間隔は、接合材ＢＤ２中に含まれる絶縁性スペーサの大きさ（直径）と同程度になる。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ２の厚みが薄くなるのを防止することができ、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に、所望の厚みの接合材ＢＤ２を介在させることができる。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ２の厚みが薄くなって半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧が低下してしまうのを防止することができる。
　接合材ＢＤ２中に含まれる絶縁性スペーサは、例えばメタクリル酸エステル共重合物などからなり、その大きさ（平均粒径）は、例えば１０～４０μｍ程度とすることができる。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ２の厚みは、例えば１０～４０μｍ程度とすることができる。
　それから、図２５および図２６に示されるように、ダイパッドＤＰの上面の半導体チップＣＰ１搭載予定領域に導電性の接合材ＢＤ１を供給する（図１６のステップＳ２ｃ）。
　それから、図２７および図２８に示されるように、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載する（図１６のステップＳ２ｄ）。
　接合材ＢＤ１は、好ましくは、銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型の接合材（接着材）からなる。ステップＳ２ｃ，Ｓ２ｄでは、接合材ＢＤ１はまだ硬化しておらず、粘性を有するペースト状である。
　接合材ＢＤ１として、絶縁性スペーサ（絶縁性粒子、絶縁性スペーサ粒子）を含有する導電性ペースト型の接合材（接着材）を用いれば、更に好ましい。接合材ＢＤ１中に含まれる絶縁性スペーサが半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在することによって、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間の間隔を確保することができる。すなわち、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間の間隔は、接合材ＢＤ１中に含まれる絶縁性スペーサの大きさ（直径）と同程度になる。これにより、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ１の厚みが薄くなるのを防止することができ、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に、所望の厚みの接合材ＢＤ１を介在させることができる。半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ１の厚みが薄くなると、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の接合材ＢＤ１に熱ストレスなどに起因したクラックが発生しやすくなる懸念があるが、接合材ＢＤ１中に絶縁性スペーサを介在させることで、そのような懸念を解消することができる。
　接合材ＢＤ１中に含まれる絶縁性スペーサの大きさ（平均粒径）は、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。これにより、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間に介在する接合材ＢＤ１の厚みは、例えば１０～２０μｍ程度とすることができる。
　その後、熱処理（ベーク処理）を行って、接合材ＢＤ１および接合材ＢＤ２を硬化させる（図１６のステップＳ２ｅ）。ステップＳ２ａで供給する接合材ＢＤ２とステップＳ２ｃで供給する接合材ＢＤ１とを、いずれも熱硬化型の接合材にしておけば、ステップＳ２ｅにおいて、熱処理を行うことにより接合材ＢＤ１，ＢＤ２を硬化させることができる。
　これにより、半導体チップＣＰ１は、リードフレームのダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を介して搭載されて固定され、半導体チップＣＰ２は、リードフレームのダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を介して搭載されて固定される。
　このようにして、ステップＳ２のダイボンディング工程を行うことができる。
　ステップＳ２は、図１７のようにして行うこともできる。
　すなわち、まず、図２１および図２２に示されるように、ダイパッドＤＰの上面の半導体チップＣＰ２搭載予定領域に絶縁性の接合材ＢＤ２を供給する（図１７のステップＳ２ａ）。接合材ＢＤ２の材料については、図２１～図２４の場合に説明したのと同様である。
　それから、図２３および図２４に示されるように、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載する（図１７のステップＳ２ｂ）。
　それから、熱処理（ベーク処理）を行って、接合材ＢＤ２を硬化させる（図１７のステップＳ２ｅ１）。ステップＳ２ａで供給する接合材ＢＤ２を熱硬化型の接合材にしておけば、ステップＳ２ｅ１において、熱処理を行うことにより接合材ＢＤ２を硬化させることができる。
　これにより、半導体チップＣＰ２は、リードフレームのダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を介して搭載されて固定される。
　それから、図２５および図２６に示されるように、ダイパッドＤＰの上面の半導体チップＣＰ１搭載予定領域に導電性の接合材ＢＤ１を供給する（図１６のステップＳ２ｃ）。接合材ＢＤ１の材料については、図２５～図２８の場合に説明したのと同様である。
　それから、図２７および図２８に示されるように、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載する（図１７のステップＳ２ｄ）。
　その後、熱処理（ベーク処理）を行って、接合材ＢＤ１を硬化させる（図１７のステップＳ２ｅ２）。ステップＳ２ｃで供給する接合材ＢＤ１を熱硬化型の接合材にしておけば、ステップＳ２ｅ２において、熱処理を行うことにより接合材ＢＤ１を硬化させることができる。
　これにより、半導体チップＣＰ１は、リードフレームのダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を介して搭載されて固定される。
　このようにして、ステップＳ２のダイボンディング工程を行うことができる。
　図２１および図２２には、ステップＳ２ａにおいてノズル（接合材ＢＤ２供給用のノズル）から接合材ＢＤ２をダイパッドＤＰ上に供給した場合が図示され、図２５および図２６には、ステップＳ２ｃにおいてノズル（接合材ＢＤ１供給用のノズル）から接合材ＢＤ１をダイパッドＤＰ上に供給した場合が図示されている。他の形態として、ステップＳ２ａにおいて、印刷法により接合材ＢＤ２をダイパッドＤＰ上に供給（印刷）することもでき、その場合が図２９に示されている。また、ステップＳ２ｃにおいて、印刷法により接合材ＢＤ１をダイパッドＤＰ上に供給（印刷）することもでき、その場合が図３０に示されている。
　なお、図２１および図２９は、平面図であるが、図面を見やすくするために、ダイパッドＤＰ上に供給された接合材ＢＤ２にハッチングを付し、また、図２５および図３０も、平面図であるが、図面を見やすくするために、ダイパッドＤＰ上に供給された接合材ＢＤ１にハッチングを付してある。また、図２１および図２９において、ステップＳ２ｂで半導体チップＣＰ２が搭載される位置（半導体チップＣＰ２の搭載予定位置）を点線で示してある。また、図２５および図３０において、ステップＳ２ｄで半導体チップＣＰ１が搭載される位置（半導体チップＣＰ１の搭載予定位置）を点線で示してある。
　図１６のプロセスフローと図１７のプロセスフローが相違しているのは、図１６のプロセスフローの場合は、接合材ＢＤ１の硬化と接合材ＢＤ２の硬化とを、同じ工程（同じ熱処理工程）で行っているのに対して、図１７プロセスフローの場合は、接合材ＢＤ１の硬化と接合材ＢＤ２の硬化とを、別工程で行っていることである。すなわち、図１６のプロセスフローの場合は、接合材ＢＤ１の硬化と接合材ＢＤ２の硬化とを、ステップＳ２ｅの熱処理によって行い、一方、図１７プロセスフローの場合は、接合材ＢＤ１の硬化はステップＳ２ｅ２の熱処理により行い、接合材ＢＤ２の硬化はステップＳ２ｅ１の熱処理により行う。
　図１６のプロセスフローと図１７のプロセスフローとで共通しているのは、先に、ステップＳ２ａ，Ｓ２ｂを行って、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載した後で、ステップＳ２ｃ，Ｓ２ｄを行って、ダイパッドＤＰの上面上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載していることである。
　図１８は、図１６のプロセスフローにおいて、ステップＳ２ａ，Ｓ２ｂとステップＳ２ｃ，Ｓ２ｄとの順番を入れ替え、ステップＳ２ｃおよびステップＳ２ｄを先に行ってから、ステップＳ２ａおよびステップＳ２ｂを行う場合に対応している。また、図１９は、図１７のプロセスフローにおいて、ステップＳ２ａ，Ｓ２ｂ，Ｓ２ｅ１とステップＳ２ｃ，Ｓ２ｄ，Ｓ２ｅ２との順番を入れ替え、ステップＳ２ｃ、ステップＳ２ｄおよびステップＳ２ｅ２を先に行ってから、ステップＳ２ａ、ステップＳ２ｂおよびステップＳ２ｅ１を行う場合に対応している。
　ステップＳ２のダイボンディング工程として、図１６のプロセスフロー、図１７のプロセスフロー、図１８のプロセスフロー、および図１９のプロセスフローのいずれを用いることも可能である。
　しかしながら、ステップＳ２のダイボンディング工程として、図１８のプロセスフローや図１９のプロセスフローではなく、図１６のプロセスフローおよび図１７のプロセスフローのどちらかを採用することが好ましい。すなわち、図１６のプロセスフローまたは図１７のプロセスフローに示された順番で、各ステップを行うことが好ましく、従って、ステップＳ２ａおよびステップＳ２ｂを先に行ってから、ステップＳ２ｃおよびステップＳ２ｄを行うことが好ましい。その理由は、次のようなものである。
　すなわち、半導体チップＣＰ１は、裏面電極ＢＥを有しており、その裏面電極ＢＥをダイパッドＤＰに電気的に接続する必要がある。一方、半導体チップＣＰ２は、裏面電極を有しておらず、ダイパッドＤＰに電気的に接続せずに、電気的に絶縁する必要がある。このため、半導体チップＣＰ１用のダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ１）は導電性を有し、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ２）は絶縁性を有するものとなる。しかしながら、導電性を有するダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ１）の一部が、ダイパッドＤＰにおける半導体チップＣＰ２搭載予定領域に付着し、その上に半導体チップＣＰ２を搭載してしまうと、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の絶縁を阻害し、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間が電気的に接続（短絡）してしまう虞がある。半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間が電気的に接続（短絡）された場合は、製造後の検査工程で、そのような現象が生じた半導体装置を取り除くことになるため、半導体装置の製造歩留まりを低下させ、半導体装置の製造コストの増加につながってしまう。このため、ダイパッドＤＰにおける半導体チップＣＰ２搭載予定領域に導電性を有するダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ１）が付着することは、できるだけ防ぐ必要がある。
　それに対して、図１６のプロセスフローの場合や図１７のプロセスフローの場合には、先にステップＳ２ａおよびステップＳ２ｂを行って半導体チップＣＰ２をダイパッドＤＰの上面上に絶縁性の接合材ＢＤ２を介して搭載した後で、ステップＳ２ｃおよびステップＳ２ｄを行って半導体チップＣＰ１をダイパッドＤＰの上面上に導電性の接合材ＢＤ１を介して搭載している。このため、既にダイパッドＤＰの上面上に半導体チップＣＰ２が絶縁性の接合材ＢＤ２を介して搭載された状態で、ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰの上面上に導電性のダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ１）を供給することになる。このため、ダイパッドＤＰにおける半導体チップＣＰ２搭載予定領域に導電性を有するダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ１）が付着してしまうのを防止しやすくなり、従って、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間が導電性のダイボンディング材を介して電気的に接続（短絡）されてしまうのを防止しやすくなる。このため、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができ、また、半導体装置の製造コストを低減することができる。従って、ステップＳ２のダイボンディング工程は、図１６のプロセスフローまたは図１７のプロセスフローに示される順番で、各ステップを行うことが好ましく、すなわち、ステップＳ２ａおよびステップＳ２ｂを先に行ってから、ステップＳ２ｃおよびステップＳ２ｄを行うことが好ましい。
　また、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥを導電性の接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰに電気的に接続させる必要があるため、導電性の接合材ＢＤ１を介した半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの接合状態を良好にすることは、重要である。しかしながら、ダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給した後、接合材ＢＤ１の硬化工程を行う前に、接合材ＢＤ１中の溶剤が揮発してしまうと、接合材ＢＤ１の接合性が低下する虞がある。このため、ダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給した後、接合材ＢＤ１の硬化工程を行うまでに要する時間は、ある程度短くすることが好ましく、それにより、接合材ＢＤ１の硬化工程を行う前に接合材ＢＤ１中の溶剤が揮発してしまうのを抑制または防止することができる。この観点でも、図１６のプロセスフローおよび図１７のプロセスフローは好ましい。
　すなわち、図１８のプロセスフローおよび図１９のプロセスフローに比べて、図１６のプロセスフローおよび図１７のプロセスフローは、半導体チップＣＰ１の搭載工程（ステップＳ２ｄ）から接合材ＢＤ１の硬化工程（ステップＳ２ｅ，Ｓ２ｅ２）までの間の時間を短くすることができる。図１６のプロセスフローおよび図１７のプロセスフローは、ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給した後、接合材ＢＤ１の硬化工程（ステップＳ２ｅ，Ｓ２ｅ２）の前に接合材ＢＤ１中の溶剤が揮発してしまうのを抑制または防止することができるため、接合材ＢＤ１中の溶剤が揮発することによる接合材ＢＤ１の接合性の低下を抑制または防止することができる。このため、接合材ＢＤ１の接合性を向上させ、導電性の接合材ＢＤ１を介した半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの接合状態を良好にすることができる。
　このように、図１８のプロセスフローおよび図１９のプロセスフローに比べて、図１６のプロセスフローおよび図１７のプロセスフローが好ましい。
　また、図１６のプロセスフローと図１７のプロセスフローとを比べると、図１６のプロセスフローは、次のような利点を有している。
　すなわち、図１７のプロセスフローの場合は、接合材ＢＤ２の硬化工程（ステップＳ２ｅ１）と接合材ＢＤ１の硬化工程（ステップＳ２ｅ２）とを、別々に行っているが、図１６のプロセスフローの場合は、接合材ＢＤ２の硬化工程と接合材ＢＤ１の硬化工程とを、同工程（ステップＳ２ｅ）で行っている。このため、図１７のプロセスフローに比べて、図１６のプロセスフローの方が、半導体装置ＰＫＧの製造工程数を低減することができる。従って、半導体装置ＰＫＧの製造コストを抑制することができる。また、半導体装置ＰＫＧのスループットを向上させることができる。
　また、図１６のプロセスフローと図１７のプロセスフローとを比べると、図１７のプロセスフローは、次のような利点を有している。
　すなわち、図１６のプロセスフローは、ステップＳ２ｅで接合材ＢＤ１と接合材ＢＤ２の両方を硬化させるため、接合材ＢＤ１を硬化させるための熱処理温度と、接合材ＢＤ２を硬化させるための熱処理温度とが同じになる。それに対して、図１７のプロセスフローは、接合材ＢＤ２の硬化工程（ステップＳ２ｅ１）と接合材ＢＤ１の硬化工程（ステップＳ２ｅ２）とを別々に行っているため、接合材ＢＤ１を硬化させるための熱処理温度（ステップＳ２ｅ２の熱処理温度）と、接合材ＢＤ２を硬化させるための熱処理温度（ステップＳ２ｅ１の熱処理温度）とを、異ならせることができる。このため、図１７のプロセスフローの場合は、ステップＳ２ｅ１において接合材ＢＤ２を硬化させるのに最適な熱処理温度で接合材ＢＤ２を硬化させることができ、また、ステップＳ２ｅ２において接合材ＢＤ１を硬化させるのに最適な熱処理温度で接合材ＢＤ１を硬化させることができる。
　＜半導体装置の回路構成について＞
　次に、図３１を参照しながら、半導体装置ＰＫＧの回路構成について説明する。図３１は、半導体装置ＰＫＧの回路図（回路ブロック図）である。
　上述のように、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２を内蔵している。半導体チップＣＰ１内には、パワートランジスタとしてのパワーＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）Ｑ１と、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１に流れる電流を検知するためのセンスＭＯＳＦＥＴＱ２と、制御回路ＣＬＣとが形成されている。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１は、スイッチ用のパワートランジスタとして機能することができる。
　なお、本願において、ＭＯＳＦＥＴというときは、ゲート絶縁膜に酸化膜（酸化シリコン膜）を用いたＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor：ＭＩＳ型電界効果トランジスタ）だけでなく、酸化膜（酸化シリコン膜）以外の絶縁膜をゲート絶縁膜に用いたＭＩＳＦＥＴも含むものとする。
　制御回路ＣＬＣは、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１およびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２を駆動するドライバ回路（駆動回路）を含んでいる。このため、制御回路ＣＬＣは、半導体チップＣＰ１の外部から制御回路ＣＬＣに供給された信号に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート（後述のゲート電極８に対応）の電位を制御し、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１の動作を制御することができる。すなわち、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートは、制御回路ＣＬＣに接続されており、制御回路ＣＬＣからパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートにオン信号（パワーＭＯＳＦＥＴＱ１をオン状態とするゲート電圧）を供給することで、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１をオン状態とすることができるようになっている。
　制御回路ＣＬＣからパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートにオン信号を供給することでパワーＭＯＳＦＥＴＱ１がオン状態になると、電源ＢＡＴの電圧がパワーＭＯＳＦＥＴＱ１から出力されて負荷ＬＯＤに供給される。制御回路ＣＬＣからパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートにオフ信号を供給する（あるいはオン信号の供給を停止する）ことでパワーＭＯＳＦＥＴＱ１がオフ状態になると、電源ＢＡＴから負荷ＬＯＤへの電圧の供給が停止される。このような半導体チップＣＰ１のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のオン／オフの制御は、半導体チップＣＰ１の制御回路ＣＬＣによって行われる。
　このように、半導体装置ＰＫＧは、電源ＢＡＴから負荷ＬＯＤへの電圧の印加のオン・オフの切換を行う、スイッチ用の半導体装置として機能することができる。また、半導体チップＣＰ１のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１はスイッチング素子として機能することができる。また、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１の出力が負荷ＬＯＤに供給されるため、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１は出力回路とみなすこともできる。また、負荷ＬＯＤとしては、スイッチ用の半導体装置ＰＫＧを介して電源ＢＡＴに接続することが望まれる任意の電子装置または電子部品を適用することができる。例えば、モータ、ランプあるいはヒータなどを、負荷ＬＯＤとして用いることができる。
　また、半導体装置ＰＫＧの半導体チップＣＰ１内には、電流検知用のセンスＭＯＳＦＥＴＱ２が設けられている。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１に流れる電流はセンスＭＯＳＦＥＴＱ２により検知され、センスＭＯＳＦＥＴＱ２を流れる電流に応じて、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１が制御される。例えば、センスＭＯＳＦＥＴＱ２を流れる電流により、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１に過剰な電流（規定値以上の電流）が流れていると判断（検知）したときには、制御回路ＣＬＣは、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート電圧を制御して、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１の電流を所定値以下に制限したり、あるいは、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を強制的にオフしたりする。これにより、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１に過剰な電流が流れるのを防止することができ、半導体装置ＰＫＧおよびそれを用いた電子装置を保護することができる。
　センスＭＯＳＦＥＴＱ２は、ドレインおよびゲートがパワーＭＯＳＦＥＴＱ１と共通とされている。すなわち、半導体チップＣＰ１内に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインとセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインとは、いずれも半導体チップＣＰ１の上記裏面電極ＢＥに電気的に接続されているため、互いに電気的に接続されている。このため、半導体チップＣＰ１の上記裏面電極ＢＥは、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１およびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレイン用の裏面電極である。
　パワーＭＯＳＦＥＴＱ１およびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインが接続された半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥは、半導体装置ＰＫＧの端子ＴＥ１に接続されている。上記ダイパッドＤＰがこの端子ＴＥ１に対応している。半導体装置ＰＫＧの端子ＴＥ１（すなわちダイパッドＤＰ）から、上記接合材ＢＤ１および半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥを介して、センスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインおよびパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインに同じ電位が供給されるようになっている。端子ＴＥ１（ダイパッドＤＰ）は、半導体装置ＰＫＧの外部に配置された電源（バッテリ）ＢＡＴと接続されているため、電源ＢＡＴの電圧が、半導体装置ＰＫＧの端子ＴＥ１（すなわちダイパッドＤＰ）から、上記接合材ＢＤ１および半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥを介して、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインおよびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインに供給される。
　また、センスＭＯＳＦＥＴＱ２とパワーＭＯＳＦＥＴＱ１とは、ゲート同士が電気的に接続されて共通とされており、この共通ゲートが制御回路ＣＬＣに接続されて、制御回路ＣＬＣからセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のゲートおよびパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートに同じゲート信号（ゲート電圧）が入力されるようになっている。具体的には、半導体チップＣＰ１内に形成されたセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のゲート（ゲート電極）とパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート（ゲート電極）は、半導体チップＣＰ１の内部配線を介して、半導体チップＣＰ１内の制御回路ＣＬＣに電気的に接続されている。
　一方、センスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースはパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースと共通ではなく、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースとセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースとの間は短絡されていない。
　パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースは、半導体装置ＰＫＧの端子ＴＥ２に接続され、この端子ＴＥ２には、半導体装置ＰＫＧの外部に配置された負荷ＬＯＤに接続されている。すなわち、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースは、負荷ＬＯＤに接続されている。半導体装置ＰＫＧが有する複数のリードＬＤのうち、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１ＳにワイヤＢＷを介して電気的に接続されたリードＬＤが、この端子ＴＥ２に対応している。具体的には、半導体チップＣＰ１内に形成されたパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースは、半導体チップＣＰ１の内部配線を介して、半導体チップＣＰ１のソース用パッド電極Ｐ１Ｓに電気的に接続され、このソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、ワイヤＢＷを介して端子ＴＥ２（リードＬＤ）に電気的に接続され、この端子ＴＥ２（リードＬＤ）に、負荷ＬＯＤが接続されている。このため、制御回路ＣＬＣからパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のゲートにオン信号を供給することでパワーＭＯＳＦＥＴＱ１がオン状態（導通状態）になると、電源ＢＡＴの電圧が、オン状態のパワーＭＯＳＦＥＴＱ１を介して、負荷ＬＯＤに供給されることになる。
　一方、センスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースは、制御回路ＣＬＣに接続されている。具体的には、半導体チップＣＰ１内に形成されたセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースは、半導体チップＣＰ１の内部配線を介して、半導体チップＣＰ１内の制御回路ＣＬＣに電気的に接続されている。
　なお、図３１において、符合のＤ１はパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のドレインを示し、符号のＳ１はパワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースを示し、符合のＤ２はセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のドレインを示し、符号のＳ２はセンスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースを示している。
　センスＭＯＳＦＥＴＱ２は、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１とともに、半導体チップＣＰ１内に形成されており、このセンスＭＯＳＦＥＴＱ２は、半導体チップＣＰ１内でパワーＭＯＳＦＥＴＱ１とカレントミラー回路を構成するように形成され、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１の１／２００００のサイズを備えている。このサイズ比は必要に応じて変更可能である。
　また、半導体チップＣＰ１内に形成された制御回路ＣＬＣは、半導体チップＣＰ１の内部配線を介して、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１のうちのいくつかのパッド電極Ｐ１に電気的に接続されている。半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１は、入力用のパッド電極、出力用のパッド電極およびグランド用のパッド電極を含んでおり、これらのパッド電極Ｐ１から、制御回路ＣＬＣに信号（入力信号）やグランド電位が入力または供給され、また、制御回路ＣＬＣから出力された信号（出力信号）が、これらのパッド電極Ｐ１から出力される。
　半導体チップＣＰ１の各パッド電極Ｐ１は、ワイヤＢＷを介して、リードＬＤまたは半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２に電気的にされている。すなわち、半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１には、ワイヤＢＷを介してリードＬＤに電気的にされたパッド電極Ｐ１と、ワイヤＢＷを介して半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２に電気的にされたパッド電極Ｐ１とがある。
　半導体チップＣＰ２は、マイコンチップ（制御用チップ）であり、半導体チップＣＰ１の動作を制御する制御用の半導体チップとして機能することができる。
　図３１では、半導体チップＣＰ２内の回路は示していないが、実際には、半導体チップＣＰ２内には、半導体チップＣＰ１（半導体チップＣＰ１内の回路）を制御する回路が形成されている。すなわち、半導体チップＣＰ１内に形成された制御回路ＣＬＣを制御する回路が、半導体チップＣＰ２内に形成されている。
　半導体チップＣＰ２の内部回路は、半導体チップＣＰ２の内部配線を介して、半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２に電気的に接続されている。半導体チップＣＰ２の各パッド電極Ｐ２は、ワイヤＢＷを介して、リードＬＤまたは半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１に電気的にされている。すなわち、半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２には、ワイヤＢＷを介してリードＬＤに電気的にされたパッド電極Ｐ２と、ワイヤＢＷを介して半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１に電気的にされたパッド電極Ｐ２とがある。
　半導体チップＣＰ２にワイヤＢＷを介して接続された複数のリードＬＤは、入力用のリード、出力用のリードおよびグランド用のリードを含んでおり、これらのリードＬＤから、半導体チップＣＰ２の内部回路に信号（入力信号）やグランド電位が入力または供給され、また、半導体チップＣＰ２の内部回路から出力された信号（出力信号）が、これらのリードＬＤから出力される。
　半導体チップＣＰ２にワイヤＢＷを介して接続された複数のリードＬＤのいずれかは、半導体装置ＰＫＧの外部に配置された電源ＢＡＴにレギュレータＲＥＧを介して接続されている。電源ＢＡＴの電圧は、レギュレータＲＥＧで半導体チップＣＰ２の電源電圧として相応しい電圧に変換されてから、レギュレータＲＥＧが接続されたリードＬＤに供給され、そのリードＬＤに接続されたワイヤＢＷを介して半導体チップＣＰ２に供給されるようになっている。
　半導体チップＣＰ２の複数のパッド電極Ｐ２のうちのいくつかのパッド電極Ｐ２は、半導体チップＣＰ１の複数のパッド電極Ｐ１のうちのいくつかのパッド電極Ｐ１と、それぞれワイヤＢＷを介して電気的に接続されている。半導体チップＣＰ２の内部回路を、半導体チップＣＰ２のパッド電極Ｐ２、ワイヤＢＷ（パッド電極Ｐ１，Ｐ２間を接続するワイヤＢＷ）および半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１を介して、半導体チップＣＰ１の内部回路（例えば制御回路ＣＬＣ）に電気的に接続することができる。
　また、半導体チップＣＰ２に電気的に接続されたリードＬＤと、半導体チップＣＰ１に電気的に接続されたリードＬＤとを、半導体装置ＰＫＧの外部において電気的に接続することも可能である。例えば、半導体装置ＰＫＧを配線基板（実装基板）に実装し、この配線基板において、半導体チップＣＰ２に電気的に接続されたリードＬＤと、半導体チップＣＰ１に電気的に接続されたリードＬＤとを、その配線基板の配線などを介して電気的に接続することができる。これにより、半導体チップＣＰ２の内部回路を、半導体装置ＰＫＧの外部の配線（例えば半導体装置ＰＫＧを実装した配線基板の配線）などを経由して、半導体チップＣＰ１の内部回路（例えば制御回路ＣＬＣ）に電気的に接続することもできる。
　ここで、半導体チップＣＰ１の内部回路とは、半導体チップＣＰ１内に形成された回路に対応し、半導体チップＣＰ２の内部回路とは、半導体チップＣＰ２内に形成された回路に対応する。半導体チップＣＰ１の内部配線とは、半導体チップＣＰ１内に形成された配線に対応し、半導体チップＣＰ２の内部配線とは、半導体チップＣＰ２内に形成された配線に対応する。
　＜半導体チップの構造について＞
　次に、半導体チップＣＰ１の構造について説明する。
　図３２は、半導体チップＣＰ１の要部断面図であり、半導体チップＣＰ１において、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を構成するトランジスタが形成されている領域（パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域）の要部断面図が示されている。
　ここで、半導体チップＣＰ１において、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を構成するトランジスタが形成されている領域（平面領域）を、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域と称することとする。また、半導体チップＣＰ１において、上記センスＭＯＳＦＥＴＱ２を構成するトランジスタが形成されている領域（平面領域）を、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域と称することとする。また、半導体チップＣＰ１において、上記制御回路ＣＬＣが形成されている領域（平面領域）を、制御回路形成領域と称することとする。半導体チップＣＰ１，ＣＰ２は、半導体チップＣＰ１のパワーＭＯＳＦＥＴ形成領域よりも半導体チップＣＰ１の制御回路形成領域が半導体チップＣＰ２に近くなるように、上記ダイパッドＤＰ上に並んで配置されている。
　半導体チップＣＰ１において、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を構成するトランジスタが形成されている領域（パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域）の構造について、図３２を参照して説明する。なお、図３２は、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域の断面構造を図示しているが、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域の断面構造も、図３２の構造と基本的には同じであるが、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域では、後述のソース配線Ｍ２Ｓは、保護膜１３で覆われており、露出されていない。
　上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１は、半導体チップＣＰ１を構成する半導体基板１の主面に形成されている。
　図３２に示されるように、半導体チップＣＰ１を構成する半導体基板１は、例えばヒ素（Ａｓ）などのｎ型の不純物が導入されたｎ型の単結晶シリコンなどからなる。半導体基板１として、ｎ型の単結晶シリコン基板からなる基板本体上にそれよりも低不純物濃度のｎ－型の単結晶シリコンからなるエピタキシャル層（半導体層）を形成した半導体基板（いわゆるエピタキシャルウエハ）を用いることも可能である。
　半導体基板１の主面には、例えば酸化シリコンなどからなるフィールド絶縁膜（図示せず）が形成されている。
　パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域において、フィールド絶縁膜で囲まれた活性領域に、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を構成する複数の単位トランジスタセルが形成されており、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１は、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域に設けられたこれら複数の単位トランジスタセルが並列に接続されることで形成されている。また、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域において、フィールド絶縁膜で囲まれた活性領域に、センスＭＯＳＦＥＴＱ２を構成する複数の単位トランジスタセルが形成されており、センスＭＯＳＦＥＴＱ２は、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域に設けられたこれら複数の単位トランジスタセルが並列に接続されることで形成されている。
　パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域に形成される個々の単位トランジスタセルと、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域に形成される個々の単位トランジスタセルとは、基本的には同じ構造（構成）を有しているが、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域とセンスＭＯＳＦＥＴ形成領域とは、その面積が相違しており、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域の面積はパワーＭＯＳＦＥＴ形成領域の面積よりも小さい。このため、単位トランジスタセルの接続数は、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１とセンスＭＯＳＦＥＴＱ２とで異なり、センスＭＯＳＦＥＴＱ２を構成する並列接続された単位トランジスタセルの数は、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を構成する並列接続された単位トランジスタセルの数よりも少ない。このため、センスＭＯＳＦＥＴＱ２とパワーＭＯＳＦＥＴＱ１とでソース電位が同じであれば、センスＭＯＳＦＥＴＱ２には、パワーＭＯＳＦＥＴＱ１に流れる電流よりも小さな電流が流れるようになっている。パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域およびセンスＭＯＳＦＥＴ形成領域の各単位トランジスタセルは、例えばトレンチゲート構造のｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴで形成されている。
　半導体基板１は、上記単位トランジスタセルのドレイン領域としての機能を有している。半導体基板１（半導体チップＣＰ１）の裏面全体に、ドレイン用の裏面電極（裏面ドレイン電極、ドレイン電極）ＢＥが形成されている。この裏面電極ＢＥは、例えば半導体基板１の裏面から順にチタン（Ｔｉ）層、ニッケル（Ｎｉ）層および金（Ａｕ）層を積み重ねて形成されている。上記半導体装置ＰＫＧにおいては、半導体チップＣＰ１のこの裏面電極ＢＥは、上記接合材ＢＤ１を介して上記ダイパッドＤＰに接合されて電気的に接続される。
　また、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域およびセンスＭＯＳＦＥＴ形成領域において、半導体基板１中に形成されたｐ型の半導体領域３は、上記単位トランジスタセルのチャネル形成領域としての機能を有している。さらに、そのｐ型の半導体領域３の上部に形成されたｎ＋型の半導体領域４は、上記単位トランジスタセルのソース領域としての機能を有している。従って、半導体領域４はソース用の半導体領域である。また、ｐ型の半導体領域３の上部であってｎ＋型の半導体領域４の隣接間に、ｐ＋型の半導体領域５が形成されている。このｐ＋型の半導体領域５の不純物濃度は、ｐ型の半導体領域３の不純物濃度よりも高い。
　また、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域およびセンスＭＯＳＦＥＴ形成領域において、半導体基板１には、その主面から半導体基板１の厚さ方向に延びる溝（トレンチ）６が形成されている。溝６は、ｎ＋型の半導体領域４の上面からｎ＋型の半導体領域４およびｐ型の半導体領域３を貫通し、その下層の半導体基板１中で終端するように形成されている。この溝６の底面および側面には、酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜７が形成されている。また、溝６内には、ゲート絶縁膜７を介して、ドープトポリシリコンなどからなるゲート電極８が埋め込まれている。ゲート電極８は、上記単位トランジスタセルのゲート電極としての機能を有している。
　半導体基板１の主面上には、ゲート電極８を覆うように、層間絶縁膜９が形成されている。層間絶縁膜９には、コンタクトホール（貫通孔）が形成され、層間絶縁膜９に形成された各コンタクトホールには、導電性のプラグ（ビア部）１０が埋め込まれている。
　プラグ１０が埋めこまれた層間絶縁膜９上には、配線Ｍ１が形成されている。配線Ｍ１は、第１層目の配線層の配線である。
　層間絶縁膜９上には、配線Ｍ１を覆うように、層間絶縁膜１１が形成されている。層間絶縁膜１１には、スルーホール（貫通孔）が形成され、層間絶縁膜１１に形成された各スルーホールには、導電性のプラグ（ビア部）１２が埋め込まれている。
　プラグ１２が埋めこまれた層間絶縁膜１１上には、配線Ｍ２およびパッド電極（ボンディングパッド）Ｐ１が形成されている。配線Ｍ２は、第２層目の配線層の配線である。
　配線Ｍ１は、導電膜からなるが、具体的には金属膜からなり、好ましくはアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる。同様に、配線Ｍ２およびパッド電極Ｐ１は、導電膜からなるが、具体的には金属膜からり、好ましくはアルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなる。
　配線Ｍ１は、ゲート配線（図示せず）とソース配線Ｍ１Ｓとを含んでいる。配線Ｍ２は、ゲート配線（図示せず）とソース配線Ｍ２Ｓとを含んでいる。
　ソース用のｎ＋型の半導体領域４は、半導体領域４上に配置されたプラグ１０を介して、ソース配線Ｍ１Ｓに電気的に接続され、そのソース配線Ｍ１Ｓに、ｐ＋型の半導体領域５が、半導体領域５上に配置されたプラグ１０を介して電気的に接続されている。すなわち、互いに隣り合う半導体領域４と半導体領域５とは、それぞれプラグ１０を介して共通のソース配線Ｍ１Ｓに電気的に接続されている。そして、このソース配線Ｍ１Ｓは、ソース配線Ｍ１Ｓとソース配線Ｍ２Ｓとの間に配置されたプラグ１２を介して、ソース配線Ｍ２Ｓと電気的に接続されている。
　ｐ＋型の半導体領域５は、ｐ型の半導体領域３と同じ導電型でかつｐ型の半導体領域３と接しているため、ｐ＋型の半導体領域５はｐ型の半導体領域３と電気的に接続されている。このため、ソース配線Ｍ２Ｓは、プラグ１２、ソース配線Ｍ１Ｓおよびプラグ１０を通じて、ソース用のｎ＋型の半導体領域４と電気的に接続されるとともに、チャネル形成用のｐ型の半導体領域３にも電気的に接続されている。
　パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソース（パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域の半導体領域４）に電気的に接続されたソース配線Ｍ２Ｓは、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域のほぼ全体に形成されており、一部が保護膜１３の開口部１４から露出され、そのソース配線Ｍ２Ｓの露出部によって上記ソース用パッド電極Ｐ１Ｓが形成されている。
　また、センスＭＯＳＦＥＴＱ２のソース（センスＭＯＳＦＥＴ形成領域の半導体領域４）に電気的に接続されたソース配線Ｍ２Ｓは、センスＭＯＳＦＥＴ形成領域のほぼ全体に形成されており、保護膜１３によって覆われているため、露出されない。センスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースに電気的に接続されたソース配線Ｍ１Ｓ，Ｍ２Ｓは、半導体チップＣＰ１内に形成された制御回路ＣＬＣに電気的に接続されている。パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソースに電気的に接続されたソース配線Ｍ１Ｓ，Ｍ２Ｓと、センスＭＯＳＦＥＴＱ２のソースに電気的に接続されたソース配線Ｍ１Ｓ，Ｍ２Ｓとは、電気的に接続されておらず、分離されている。
　また、パワーＭＯＳＦＥＴ形成領域およびセンスＭＯＳＦＥＴ形成領域に形成されている複数のゲート電極８は、互いに電気的に接続されるとともに、プラグ１０、配線Ｍ１のうちのゲート配線（図示せず）、プラグ１２、および配線Ｍ２のうちのゲート配線（図示せず）を介して、半導体チップＣＰ１内に形成された制御回路ＣＬＣに電気的に接続されている。
　層間絶縁膜１１上に、配線Ｍ２およびパッド電極を覆うように、絶縁性の保護膜（絶縁膜）１３が形成されている。保護膜１３は、例えば、ポリイミド樹脂などの樹脂膜からなる。この保護膜１３は、半導体チップＣＰ１の最上層の膜である。保護膜１３には複数の開口部１４が形成されており、各開口部１４からは、パッド電極Ｐ１を構成する導体パターンの一部あるいはソース配線Ｍ２Ｓの一部が露出されている。但し、上記ソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、保護膜１３の開口部１４から露出するソース配線Ｍ２Ｓによって形成され、上記ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１は、配線Ｍ２と同層に形成された導体パターン（パッド電極Ｐ１電極用の導体パターン）によって形成されている。上記ソース用パッド電極Ｐ１Ｓ以外のパッド電極Ｐ１を構成する導体パターン（図３２では図示されない）は、配線Ｍ２と同層に同工程で形成されており、例えば矩形状の平面形状を有している。開口部１４から露出するパッド電極Ｐ１（ソース用パッド電極Ｐ１Ｓも含む）の表面には、メッキ法などで金属層（図示せず）を形成する場合もある。
　また、上記図９において、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１のソース用のパッド電極である複数のソース用パッド電極Ｐ１Ｓは、最上層の保護膜１３によって互いに分離されているが、ソース配線Ｍ２Ｓやソース配線Ｍ１Ｓを通じて互いに電気的に接続されている。
　このような構成の半導体チップＣＰ１においては、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１およびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２の単位トランジスタの動作電流は、ドレイン用のｎ型の半導体基板１とソース用のｎ＋型の半導体領域４との間をゲート電極８の側面（すなわち、溝６の側面）に沿って半導体基板１の厚さ方向に流れるようになっている。すなわち、チャネルが半導体チップＣＰ１の厚さ方向に沿って形成される。
　このように、半導体チップＣＰ１は、トレンチ型ゲート構造を有する縦型のＭＯＳＦＥＴが形成された半導体チップであり、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１およびセンスＭＯＳＦＥＴＱ２は、それぞれ、トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴによって形成されている。ここで、縦型のＭＯＳＦＥＴとは、ソース・ドレイン間の電流が、半導体基板の厚さ方向（半導体基板の主面に略垂直な方向）に流れるＭＯＳＦＥＴに対応する。
　また、半導体チップＣＰ１において、制御回路形成領域ＲＧ４には、上記制御回路ＣＬＣを構成する複数のトランジスタや配線Ｍ１，Ｍ２が形成されているが、ここではその図示および説明は省略する。
　また、半導体チップＣＰ１は、上記パワーＭＯＳＦＥＴＱ１を複数内蔵することもできる。
　＜検討例について＞
　図３３は、本発明者が検討した検討例の半導体装置（半導体パッケージ）ＰＫＧ１０１の断面図であり、上記図６に相当する断面図が示されている。
　図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１は、主として以下の点が、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧと相違している。
　すなわち、図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１は、２つのダイパッドＤＰ１０１，ＤＰ１０２を有しており、そのうちの一方のダイパッドＤＰ１０１上に半導体チップＣＰ１０１が接合材ＢＤ１０１を介して搭載され、他方のダイパッドＤＰ１０２上に半導体チップＣＰ１０２が接合材ＢＤ１０２を介して搭載されている。ダイパッドＤＰ１０１とダイパッドＤＰ１０２とは、一体的に形成されたものではなく、電気的に分離されている。すなわち、ダイパッドＤＰ１０１，ＤＰ１０２は、封止部ＭＲに封止されているが、ダイパッドＤＰ１０１とダイパッドＤＰ１０２とは、間に封止部ＭＲの一部が介在することで、電気的に分離されている。また、封止部ＭＲの裏面では、ダイパッドＤＰ１０１，ＤＰ１０２の各下面が露出されている。
　半導体チップＣＰ１の裏面には裏面電極ＢＥが形成されており、接合材ＢＤ１０１は、導電性を有している。このため、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥは、導電性の接合材ＢＤ１０１を介してダイパッドＤＰ１０１と電気的に接続されている。
　一方、半導体チップＣＰ２の裏面には裏面電極は形成されておらず、また、半導体チップＣＰ２を搭載するダイパッドＤＰ１０２と半導体チップＣＰ１を搭載するダイパッドＤＰ１０１とは、電気的に分離されている。このため、接合材ＢＤ１０２は、導電性を有していても、絶縁性を有していてもよい。
　ダイパッドＤＰ１０２とダイパッドＤＰ１０１とは電気的に分離されているため、ダイパッドＤＰ１０１から導電性の接合材ＢＤ１０１を介して半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに供給する電圧が、ダイパッドＤＰ１０２に供給されることはない。このため、接合材ＢＤ１０２が導電性を有することで、半導体チップＣＰ１０２の裏面がダイパッドＤＰ１０２に電気的に接続されても、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに供給する電圧が、半導体チップＣＰ１０２の裏面に供給されずに済むため、半導体チップＣＰ２の動作に不具合が生じずに済む。
　しかしながら、このような検討例の半導体装置ＰＫＧにおいては、次のような課題が生じてしまう。
　すなわち、半導体チップＣＰ１搭載用のダイパッドＤＰ１０１と、半導体チップＣＰ２搭載用のダイパッドＤＰ１０２とがそれぞれ必要になり、ダイパッドＤＰ１０１とダイパッドＤＰ１０２とを封止部ＭＲによって離間させる必要があるため、半導体装置ＰＫＧの平面寸法が大きくなる。このため、半導体装置ＰＫＧ１０１の小型化に不利となる。
　また、ダイパッドＤＰ１０１用の吊りリードと、ダイパッドＤＰ１０２用の吊りリードとが、封止部ＭＲ内に存在することになるため、吊りリードの数が多い分、リードＬＤの数が減少してしまう。このため、半導体装置ＰＫＧ１０１のピン数（リードＬＤの数）の増加に不利である。また、吊りリードの数が多くなることも、半導体装置ＰＫＧ１０１の平面寸法の増大を招いてしまう。
　また、ダイパッドＤＰ１０１とダイパッドＤＰ１０２との間に挟まれた部分の封止部ＭＲに応力が発生してクラックが生じる虞がある。これは、半導体装置ＰＫＧ１０１の信頼性の低下を招いてしまう。
　また、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のそれぞれの寸法に合わせてダイパッドＤＰ１０１，ＤＰ１０２を設計する必要が生じるため、半導体装置ＰＫＧ１０１を製造するのに使用するリードフレームの汎用性が低くなり、半導体装置ＰＫＧ１０１の製造コストの増加を招いてしまう。
　＜ダイパッドの共通化とダイボンディング材について＞
　そこで、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧでは、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とを共通のダイパッドＤＰ上に搭載している。
　これにより、図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１に比べて、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧの平面寸法を小さくすることができるため、半導体装置ＰＫＧの小型化を図ることができる。また、図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１に比べて、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧでは、吊りリードの数を少なくすることができる。このため、半導体装置ＰＫＧのピン数（リードＬＤの数）を増加させることができる。また、図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１で生じ得る、ダイパッドＤＰ１０１とダイパッドＤＰ１０２との間に挟まれた部分の封止部ＭＲにクラックが発生する懸念が、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧでは無くなるので、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。また、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧでは、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のそれぞれの寸法に合わせてダイパッドＤＰ１０１，ＤＰ１０２を設計せずに済むため、半導体装置ＰＫＧを製造するのに使用するリードフレームの汎用性が高くなり、半導体装置ＰＫＧの製造コストを低減することができる。また、半導体装置ＰＫＧの寸法を大きくしなくとも、ダイパッドＤＰの寸法を、上記ダイパッドＤＰ１０１の寸法よりも大きくすることができるため、半導体チップＣＰ１で発生した熱を、ダイパッドＤＰから半導体装置ＰＫＧの外部に放出しやすくなり、半導体装置ＰＫＧの放熱特性を向上させることができる。
　上述のように、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧにおいては、導電性を有するダイパッド上に、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とが並んで配置されており、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、半導体チップＣＰ１は、導電性を有する接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰ上に搭載され、半導体チップＣＰ２は、絶縁性を有する接合材ＢＤ２を介してダイパッドＤＰ上に搭載されている。
　半導体チップＣＰ１は、裏面電極ＢＥを有しており、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥを接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰに電気的に接続する必要がある。このため、半導体チップＣＰ１用のダイボンディング材である接合材ＢＤ１は、導電性を有している必要がある。半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥには、ダイパッドＤＰおよび接合材ＢＤ１を介して、所望の電圧（例えば上記電源ＢＡＴの電圧）を供給することができる。
　一方、半導体チップＣＰ２は、裏面電極を有していない。そして、半導体チップＣＰ２を的確に動作させるためには、ダイパッドＤＰおよび接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに供給する電圧が、半導体チップＣＰ１に供給されないようにすることが望ましい。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとは電気的に絶縁させることが望ましい。従って、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材である接合材ＢＤ２は、導電性を有さずに、絶縁性を有している必要がある。
　このため、ダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１，ＣＰ２を搭載し、半導体チップＣＰ１用のダイボンディング材に導電性の接合材ＢＤ１を用い、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材に絶縁性の接合材ＢＤ２を用いている。これにより、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥには、ダイパッドＤＰおよび接合材ＢＤ１を介して、所望の電圧（例えば上記電源ＢＡＴの電圧）を供給することができるとともに、その電圧が半導体チップＣＰ２の裏面には供給されないようにすることができるため、半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２の両方を的確に動作させることができるようになる。
　＜静電破壊について＞
　半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間には、絶縁性の接合材ＢＤ２が介在しており、電気的に絶縁されているが、半導体装置ＰＫＧの信頼性を高めるためには、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めることが望ましい。例えば、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧が低いと、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で、静電気放電（ＥＳＤ：Electro-Static Discharge）による破壊である静電破壊が生じる可能性がある。静電破壊が生じないようにするためには、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧をできるだけ高めることが望ましい。なお、耐圧とは、絶縁耐圧を意味する。
　上記図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１では、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材（上記接合材ＢＤ１０２）に絶縁性の接合材を用いた場合は、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰ１０２との間で静電破壊が発生する可能性がある。しかしながら、上記図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１の場合は、半導体チップＣＰ１を搭載したダイパッドＤＰ１０１と、半導体チップＣＰ２を搭載したダイパッドＤＰ１０２とが分離されているため、半導体チップＣＰ２は導電性のダイボンディング材（上記接合材ＢＤ１０２）を介してダイパッドＤＰ１０２上に搭載することができる。この場合、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰ１０２とは導電性のダイボンディング材（上記接合材ＢＤ１０２）を介して導通しているため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰ１０２との接合部に電荷がチャージされることはなく、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰ１０２との間で静電気放電は発生せず、従って静電破壊は発生しない。このため、上記図３３に示される検討例の半導体装置ＰＫＧ１０１では、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰ１０２との間の耐圧を気にしないで済む。
　また、本実施の形態とは異なり、半導体装置ＰＫＧが半導体チップＣＰ１を有しておらず、ダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１が搭載されずに半導体チップＣＰ２のみが搭載されている場合を仮定する。この場合は、半導体チップＣＰ２は、絶縁性の接合材ＢＤ２の代わりに、導電性のダイボンディング材（例えば銀ペースト）を介してダイパッドＤＰ上に搭載することができる。この場合、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとは導電性のダイボンディング材を介して導通しているため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの接合部に電荷がチャージされることはなく、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電気放電は発生せず、従って静電破壊は発生しない。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を気にしないで済む。
　しかしながら、本実施の形態の場合は、裏面電極ＢＥを有する半導体チップＣＰ１を、半導体チップＣＰ２とともに、共通のダイパッドＤＰ上に並んで搭載している。このため、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに電気的に接続されたダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載することになるため、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ２）は、導電性を有さずに、絶縁性を有している必要がある。この場合、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとは絶縁性のダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ２）を介して絶縁されているため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの接合部に電荷がチャージされる虞があり、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電気放電が生じて静電破壊が発生する虞がある。
　つまり、導電性のダイパッド上に導電性のダイボンディング材を介して半導体チップを搭載した場合は、その半導体チップとダイパッドとの間で静電破壊が生じる懸念は無いが、導電性のダイパッド上に絶縁性のダイボンディング材を介して半導体チップを搭載した場合は、その半導体チップとダイパッドとの間で静電破壊が生じるリスクがある。しかしながら、上述したように、半導体チップＣＰ２は、絶縁性のダイボンディング材を介して導電性のダイパッドＤＰ上に搭載せざるを得ない。
　このため、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させるためには、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧をできるだけ高めて、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊が発生しないようにすることが望ましい。従って、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊を防止するために、半導体装置ＰＫＧの正常動作時に半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥに供給される電圧（例えば数十Ｖ程度）よりもかなり高い電圧（例えば２０００Ｖ以上）が半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に印加されても、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間が絶縁破壊しないようにすることが望まれる。
　＜半導体チップＣＰ２と接合材ＢＤ２について＞
　図３４および図３５は、半導体装置ＰＫＧの一部を拡大して示す平面透視図である。図３４には、ダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を介して搭載された半導体チップＣＰ２が拡大して示され、また、図３５には、ダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を介して搭載された半導体チップＣＰ１が拡大して示されている。但し、図３４および図３５では、上記図３と同様に、封止部ＭＲおよびワイヤＢＷを透視している。このため、図３４では、半導体チップＣＰ２と接合材ＢＤ２が図示され、図３５では、半導体チップＣＰ１と接合材ＢＤ１が図示されている。
　図３６および図３７は、半導体装置ＰＫＧの一部を拡大して示す斜視図であるが、封止部ＭＲは透視してある。ここで、図３６は、図３４の矢印Ｆ１，Ｆ２，Ｆ３，Ｆ４のいずれかの方向から半導体チップＣＰ２を見たときの斜視図に対応し、図３７は、図３５の矢印Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４のいずれかの方向から半導体チップＣＰ１を見たときの斜視図に対応している。このため、図３６は、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２を正面に見た斜視図が示され、図３７は、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１を正面に見た斜視図が示されている。
　図３８および図３９は、半導体装置ＰＫＧの一部を拡大して示す断面図である。図３８は、図３４のＥ１－Ｅ１線、Ｅ２－Ｅ２線、Ｅ３－Ｅ３線およびＥ４－Ｅ４線のいずれかの断面図に対応し、図３９は、図３５のＧ１－Ｇ１線、Ｇ２－Ｇ２線、Ｇ３－Ｇ３線およびＧ４－Ｇ４線のいずれかの断面図に対応している。このため、図３８は、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２に沿った断面が示され、図３９は、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１に沿った断面が示されている。
　本発明者は、共通のダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１と半導体チップＣＰ２とを搭載した場合には、半導体チップＣＰ２用のダイボンディング材に絶縁性のダイボンディング材を用いる必要があることに起因して、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊が生じるリスクがあることから、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めることを検討した。その結果、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるためには、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２を、絶縁性の接合材ＢＤ２でできるだけ覆うようにすることが有効であることを見出した。
　ここで、半導体チップＣＰ２の辺（角）ＳＤ２は、半導体チップＣＰ２の２つの側面が交差して形成される辺（角）に対応している（図３４、図３６および図３８参照）。半導体チップＣＰ２は、４つの側面ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８を有しているため、隣り合う側面（ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８）同士が交差して形成される辺ＳＤ２も４つある。すなわち、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２には、側面ＳＭ５と側面ＳＭ６とが交差して形成される辺ＳＤ２（ＳＤ２ａ）と、側面ＳＭ６と側面ＳＭ７とが交差して形成される辺ＳＤ２（ＳＤ２ｂ）と、側面ＳＭ７と側面ＳＭ８とが交差して形成される辺ＳＤ２（ＳＤ２ｃ）と、側面ＳＭ８と側面ＳＭ５とが交差して形成される辺ＳＤ２（ＳＤ２ｄ）とがある。
　ここで、半導体チップＣＰ２において、側面ＳＭ５と側面ＳＭ６とが交差して形成される辺ＳＤ２を、符号ＳＤ２ａを付して辺ＳＤ２ａと称し、側面ＳＭ６と側面ＳＭ７とが交差して形成される辺ＳＤ２を、符号ＳＤ２ｂを付して辺ＳＤ２ｂと称することとする。また、半導体チップＣＰ２において、側面ＳＭ７と側面ＳＭ８とが交差して形成される辺ＳＤ２を、符号ＳＤ２ｃを付して辺ＳＤ２ｃと称し、側面ＳＭ８と側面ＳＭ５とが交差して形成される辺ＳＤ２を、符号ＳＤ２ｄを付して辺ＳＤ２ｄと称することとする。辺ＳＤ２ａは、側面ＳＭ５と側面ＳＭ６との間に存在し、辺ＳＤ２ｂは、側面ＳＭ６と側面ＳＭ７との間に存在し、辺ＳＤ２ｃは、側面ＳＭ７と側面ＳＭ８との間に存在し、辺ＳＤ２ｄは、側面ＳＭ８と側面ＳＭ５との間に存在する。
　また、半導体チップＣＰ１の辺（角）ＳＤ１は、半導体チップＣＰ１の２つの側面が交差して形成される辺（角）に対応している（図３５、図３７および図３９参照）。半導体チップＣＰ１は、４つの側面ＳＭ１、ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４を有しているため、隣り合う側面（ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４）同士が交差して形成される辺ＳＤ１も４つある。すなわち、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１には、側面ＳＭ１と側面ＳＭ２とが交差して形成される辺ＳＤ１（ＳＤ１ａ）と、側面ＳＭ２と側面ＳＭ３とが交差して形成される辺ＳＤ１（ＳＤ１ｂ）と、側面ＳＭ３と側面ＳＭ４とが交差して形成される辺ＳＤ１（ＳＤ１ｃ）と、側面ＳＭ４と側面ＳＭ１とが交差して形成される辺ＳＤ１（ＳＤ１ｄ）とがある。
　ここで、半導体チップＣＰ１において、側面ＳＭ１と側面ＳＭ２とが交差して形成される辺ＳＤ１を、符号ＳＤ１ａを付して辺ＳＤ１ａと称し、側面ＳＭ２と側面ＳＭ３とが交差して形成される辺ＳＤ１を、符号ＳＤ１ｂを付して辺ＳＤ１ｂと称することとする。また、半導体チップＣＰ１において、側面ＳＭ３と側面ＳＭ４とが交差して形成される辺ＳＤ１を、符号ＳＤ１ｃを付して辺ＳＤ１ｃと称し、側面ＳＭ４と側面ＳＭ１とが交差して形成される辺ＳＤ１を、符号ＳＤ１ｄを付して辺ＳＤ１ｄと称することとする。辺ＳＤ１ａは、側面ＳＭ１と側面ＳＭ２との間に存在し、辺ＳＤ１ｂは、側面ＳＭ２と側面ＳＭ３との間に存在し、辺ＳＤ１ｃは、側面ＳＭ３と側面ＳＭ４との間に存在し、辺ＳＤ１ｄは、側面ＳＭ４と側面ＳＭ１との間に存在する。
　本発明者の検討によれば、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が発生する経路は、接合材ＢＤ２中ではなく、主として接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面（境界面）ＫＭであることが分かった。すなわち、図３８において、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間のリークパスは、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭであり、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に挟まれた接合材ＢＤ２の内部は、リークパスとはなりにくい。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加されると、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭがリークパスとなって、静電破壊のような絶縁破壊が発生しやすい。
　また、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際に、半導体チップＣＰ２において電界が集中しやすいのは、半導体チップＣＰ２における尖った部分（角部）であり、具体的には、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２で電界が集中しやすく、特に、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥで電界が集中しやすい。ここで、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥは、図３６および図３８に示されており、半導体チップＣＰ２において、辺ＳＤ２を介して隣り合う２つの側面と裏面とが交差する点（角部）に対応している。すなわち、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥは、半導体チップＣＰ２の裏面の四隅角部の先端に対応している。
　これらの知見から、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるためには、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２を、絶縁性の接合材ＢＤ２でできるだけ覆うようにすることが有効であることを見出した。すなわち、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることが、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるために有効であることが分かった。以下、その理由について、より詳細に説明する。
　すなわち、上述のように、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際には、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥに特に電界が集中する。また、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭは、リークパスとなりやすい。このため、もしも、電界集中する下端ＬＥが、リークパスになりやすい界面ＫＭに近ければ、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥとダイパッドＤＰとの間で、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭを経由してリークしてしまい、静電破壊のような絶縁破壊が発生しやすくなる。このため、電界が集中しやすい半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥから、リークパスとなりやすい界面ＫＭを遠ざけることが、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるため有効となる。
　それに対して、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすれば、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥから、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭまでの距離を大きくすることができる。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際に、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２の下端ＬＥとダイパッドＤＰとの間で、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭを経由して静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを、抑制または防止することができる。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができる。従って、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。
　また、上述のように、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加されると、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭがリークパスとなって、静電破壊のような絶縁破壊が発生しやすい。このため、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭに沿った半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２からダイパッドＤＰまでの距離Ｌ３を大きくすることも、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭに沿って絶縁破壊が生じるのを抑制し、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるために有効である。
　それに対して、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすれば、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭに沿った半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２からダイパッドＤＰまでの距離Ｌ３を大きくすることができる。すなわち、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を変えても、界面ＫＭとダイパッドＤＰの上面とが成す角度θはあまり変化しない。このため、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭに沿った半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２からダイパッドＤＰまでの距離Ｌ３を大きくするには、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくする必要がある。つまり、長さＬ２を大きくすれば、界面ＫＭに沿った半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２からダイパッドＤＰまでの距離Ｌ３を大きくすることができるため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際に、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で、界面ＫＭを経由して静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを、抑制または防止することができる。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができる。従って、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。
　また、上述のように、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際には、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２で電界が集中しやすい。また、封止部ＭＲを構成する材料の耐圧（単位距離当たりの絶縁耐圧）に比べて、接合材ＢＤ２を構成する材料の耐圧（単位距離当たりの絶縁耐圧）の方が高い。なぜなら、封止部ＭＲについては、封止工程（モールド工程）での封止部ＭＲの形成しやすさを考慮して材料選択する必要があり、耐圧を考慮して封止部ＭＲの材料を変更することは難しく、一方、接合材ＢＤ２については、封止体ではないため、接合材ＢＤ２の材料を工夫しやすく、耐圧が高い材料を選択することが可能だからである。このため、電界集中しやすい半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２は、耐圧が低い封止部ＭＲで覆うよりも、耐圧が高い接合材ＢＤ２で覆った方が、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際に、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを、抑制しやすくなる。
　それに対して、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすれば、電界集中しやすい半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２のうち、耐圧が高い接合材ＢＤ２で覆われた部分の比率を大きくすることができる。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間に高電圧が印加された際に、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを、抑制または防止することができる。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができる。従って、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。
　このように、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることが、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるために有効である。
　＜半導体チップＣＰ１と接合材ＢＤ１について＞
　一方、半導体チップＣＰ１については、導電性の接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰ上に搭載されているため、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥとダイパッドＤＰとは、導電性の接合材ＢＤ１を介して導通しており、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が生じることはない。このため、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間の耐圧を気にする必要はない。従って、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１を大きくする必要はない。
　また、半導体チップＣＰ１用のダイボンディング材である接合材ＢＤ１は、導電性を有している。半導体チップＣＰ１の表面に、導電性のダイボンディング材の一部が付着してしまうと、半導体チップＣＰ１のパッド電極Ｐ１同士の短絡などを招く虞がある。これは、半導体装置ＰＫＧの信頼性を低下させ、また、半導体装置ＰＫＧの製造歩留まりを低減させてしまう。このため、半導体チップＣＰ１の表面に導電性のダイボンディング材が付着することは、できるだけ防止することが必要である。
　そこで、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１は、小さくすることが好ましい。なぜなら、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１が大きくするほど、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまう可能性が高くなるからである。このため、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１を小さくすることにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまう可能性を低くすることができる。これにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを抑制または防止することができるため、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。また、半導体装置ＰＫＧの製造歩留まりを向上させることができる。
　一方、半導体チップＣＰ２については、絶縁性のダイボンディング材を用いている。このため、たとえ半導体チップＣＰ２の表面にダイボンディング材（ここでは接合材ＢＤ２）の一部が付着したとしても、そのダイボンディング材は絶縁性のため、パッド電極Ｐ２同士の電気的な短絡にはつながらない。このため、半導体チップＣＰ２の表面に絶縁性のダイボンディング材の一部が付着することは、半導体チップＣＰ１の表面に導電性のダイボンディング材の一部が付着することに比べると、問題は生じにくい。
　＜主要な特徴と効果について＞
　そこで、本実施の形態では、主要な特徴のうちの一つとして、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１よりも、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくしている（すなわちＬ２＞Ｌ１）。
　すなわち、本実施の形態の半導体装置ＰＫＧは、導電性を有するダイパッドＤＰ（チップ搭載部）と、ダイパッドＤＰ上に、絶縁性を有する接合材ＢＤ２（第１接合材）を介して搭載された半導体チップＣＰ２（第１半導体チップ）と、ダイパッドＤＰ上に、導電性を有する接合材ＢＤ１（第２接合材）を介して搭載された半導体チップＣＰ１（第２半導体チップ）と、を備えている。半導体装置ＰＫＧは、更に、半導体チップＣＰ１、半導体チップＣＰ２、およびダイパッドＤＰの少なくとも一部を封止する封止部ＭＲ（封止体）を備えている。半導体チップＣＰ１は、裏面電極ＢＥを有し、半導体チップＣＰ１の裏面電極ＢＥが、接合材ＢＤ１を介してダイパッドＤＰと電気的に接続されている。そして、半導体チップＣＰ２の第１側面と第２側面とが交差して形成される辺ＳＤ２（第１の辺）における、接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２（第１の長さ）は、半導体チップＣＰ１の第３側面と第４側面とが交差して形成される辺ＳＤ１（第２の辺）における、接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１（第２の長さ）よりも大きい（Ｌ２＞Ｌ１）。
　本実施の形態では、共通のダイパッドＤＰ上に搭載した半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、絶縁性の接合材ＢＤ２で搭載した半導体チップＣＰ２については、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を高めるために、長さＬ２を長さＬ１よりも大きくしている。そして、共通のダイパッドＤＰ上に搭載した半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、導電性の接合材ＢＤ１で搭載した半導体チップＣＰ１については、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着するのを防止するために、長さＬ１を長さＬ２よりも小さくしている。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができるため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が生じるのを抑制または防止することができ、また、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを抑制または防止することができる。従って、半導体装置ＰＫＧの総合的な信頼性を向上させることができる。
　つまり、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のうち、半導体チップＣＰ２については、絶縁性のダイボンディング材を用いているため、ダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることが重要であり、半導体チップＣＰ１については、導電性のダイボンディング材を用いているため、半導体チップＣＰ１の表面に導電性のダイボンディング材が付着しないようにすることが重要である。本実施の形態では、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１よりも、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きく（Ｌ２＞Ｌ１）することにより、半導体チップＣＰ１，ＣＰ２のそれぞれに対する上述した異なる要求を満足させることができ、半導体装置ＰＫＧの総合的な信頼性を向上させることができる。
　ここで、共通のダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を導電性のダイボンディング材で搭載し、かつ、半導体チップＣＰ２を絶縁性のダイボンディング材で搭載する場合、もしも半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊の課題に気付かなければ、上述したＬ２＞Ｌ１の関係にすべきであるという本実施の形態の技術思想に至ることはできない。なぜなら、半導体チップの表面にダイボンディング材が付着することは、そのダイボンディング材が導電性であろうと絶縁性であろうと、避けるのが一般的な考え方だからである。このため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊の課題に気付かなければ、半導体チップＣＰ２においても、辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２をできるだけ小さくするのが、順当な考え方である。
　しかしながら、本発明者は、共通のダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を導電性のダイボンディング材で搭載し、かつ、半導体チップＣＰ２を絶縁性のダイボンディング材で搭載する場合、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊の課題が発生することに気付き、それに対処するために、上記長さＬ２を大きくしている。一方、半導体チップＣＰ１とダイパッドＤＰとの間では静電破壊が発生しないことを考慮し、更に、半導体チップの表面に絶縁性のダイボンディング材が付着することに比べて、半導体チップの表面に導電性のダイボンディング材が付着した場合は、パッド電極Ｐ１間の短絡などの大きな問題が生じ得ることを考慮し、上記長さＬ１を小さくしている。
　従って、半導体チップＣＰ２を含まずに半導体チップＣＰ１のみを含む半導体パッケージと、半導体チップＣＰ１を含まずに半導体チップＣＰ２のみを含む半導体パッケージとを、別々に用意するような状況からは、本願の課題を認識できないため、本実施の形態の技術思想に至ることはできないものと言える。また、共通のダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を導電性のダイボンディング材で搭載し、かつ、半導体チップＣＰ２を絶縁性のダイボンディング材で搭載する場合においても、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊の課題に気付かなければ、本実施の形態の技術思想に至ることはできないものと言える。つまり、共通のダイパッドＤＰ上に、半導体チップＣＰ１を導電性のダイボンディング材で搭載し、かつ、半導体チップＣＰ２を絶縁性のダイボンディング材で搭載する場合について検討し、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊の課題に気付いたからこそ、本実施の形態の技術思想に至ることができたと言える。
　また、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２には、４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄがあり、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１には、４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄがある。
　半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄにおいて、接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が小さな辺があると、その辺とダイパッドＤＰとの間で、耐圧が低くなってしまう。このため、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのいずれにおいても、接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が大きいことが望ましく、これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を的確に高めることができるようになる。
　また、半導体チップＣＰ１の４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄにおいて、接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１が大きな辺があると、それに起因して、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまう虞がある。このため、半導体チップＣＰ１の４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄのいずれにおいても、接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１が小さいことが望ましく、これにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを的確に防止することができる。
　従って、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのうちの任意の辺ＳＤ２と、半導体チップＣＰ１の４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄのうちの任意の辺ＳＤ１とを比べる場合を仮定する。そのとき、いずれの辺ＳＤ１，ＳＤ２を選択したとしても、その任意の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２と、任意の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１とは、Ｌ２＞Ｌ１の関係が必ず成り立つことが好ましい。つまり、Ｌ２＞Ｌ１の関係は、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄと、半導体チップＣＰ１の４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄとの、いずれの組み合わせでも成り立つことが好ましい。
　ここで、半導体チップＣＰ２において、辺ＳＤ２ａにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２と、辺ＳＤ２ｂにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２と、辺ＳＤ２ｃにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２と、辺ＳＤ２ｄにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２とのうち、最も小さな値を、最小値Ｌ２ｍｉｎと称することとする。また、半導体チップＣＰ１において、辺ＳＤ１ａにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１と、辺ＳＤ１ｂにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１と、辺ＳＤ１ｃにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１と、辺ＳＤ１ｄにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１とのうち、最も大きな値を、最大値Ｌ１ｍａｘと称することとする。このとき、最小値Ｌ２ｍｉｎは、最大値Ｌ１ｍａｘよりも大きいことが好ましい（すなわちＬ２ｍｉｎ＞Ｌ１ｍａｘ）。つまり、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２の最小値Ｌ２ｍｉｎは、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１の最大値Ｌ１ｍａｘよりも大きい（Ｌ２ｍｉｎ＞Ｌ１ｍａｘ）ことが好ましい。
　これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を的確に向上させることができるとともに、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを的確に抑制または防止することができる。従って、半導体装置ＰＫＧの総合的な信頼性を的確に向上させることができる。
　また、上述のように、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることで、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができる。この耐圧向上効果を的確に得るためには、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２は、半導体チップＣＰ２の厚みＴ２の１／２以上（すなわちＬ２≧Ｔ２×１／２）であることが好ましい（図３８参照）。また、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのいずれにおいても、接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が、半導体チップＣＰ２の厚みＴ２の１／２以上（すなわちＬ２≧Ｔ２×１／２）であれば、更に好ましい。つまり、上記最小値Ｌ２ｍｉｎが半導体チップＣＰ２の厚みＴ２の１／２以上（すなわちＬ２ｍｉｎ≧Ｔ２×１／２）であれば、更に好ましい。これにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧をより的確に向上させることができるため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が生じるのをより的確に抑制または防止することができる。従って、半導体装置ＰＫＧの信頼性をより的確に向上させることができる。
　また、上述のように、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１を小さくすることにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまう可能性を低くすることができる。このため、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１は、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／２未満（すなわちＬ１＜Ｔ１×１／２）であることが好ましく、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／４以下（すなわちＬ１≦Ｔ１×１／４）であれば更に好ましい（図３９参照）。また、半導体チップＣＰ１の４つの辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄのいずれにおいても、接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１が、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／２未満（すなわちＬ１＜Ｔ１×１／２）であれば、より好ましく、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／４以下（すなわちＬ１≦Ｔ１×１／４）であれば、更に好ましい。つまり、上記最大値Ｌ１ｍａｘが、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／２未満（すなわちＬ１ｍａｘ＜Ｔ１×１／２）であれば、より好ましく、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／４以下（すなわちＬ１ｍａｘ≦Ｔ１×１／４）であれば、更に好ましい。これにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのをより的確に抑制または防止することができる。従って、半導体装置ＰＫＧの信頼性をより的確に向上させることができる。また、半導体装置ＰＫＧの製造歩留まりをより的確に向上させることができる。なお、半導体チップＣＰ１は、裏面電極ＢＥを有しているため、半導体チップＣＰ１の厚みＴ１は、裏面電極ＢＥの厚みも含んでいる。
　なお、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１は、ゼロ（すなわちＬ１＝０）であってもよい。Ｌ１＝０の場合は、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１は、接合材ＢＤ１で覆われていない。
　また、本実施の形態は、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）が、封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）よりも大きい場合に適用すれば、その効果は極めて大きい。言い換えると、本実施の形態は、封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）が、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）よりも小さい場合に適用すれば、その効果は極めて大きい。
　封止部ＭＲについては、封止工程（モールド工程）での封止部ＭＲの形成しやすさを考慮して材料選択する必要があり、耐圧を考慮して封止部ＭＲの材料を変更することは難しく、一方、接合材ＢＤ２については、封止体ではないため、接合材ＢＤ２の材料を工夫しやすく、耐圧が高い材料を選択することが可能である。このため、半導体装置ＰＫＧの各部材の耐圧に着目すると、封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）は、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）よりも小さくなることが想定される。封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）は、例えば１０～３０ｋＶ／ｍｍ程度であり、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）は、例えば８０～１５０ｋＶ／ｍｍ程度である。
　封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）が、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）よりも小さいと、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭで静電破壊のような絶縁破壊が発生しやすくなる。それに対して、本実施の形態では、上述のように半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることにより、接合材ＢＤ２と封止部ＭＲとの間の界面ＫＭがリークパスとなって、静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを抑制または防止することができる。このため、たとえ封止部ＭＲの耐圧が、接合材ＢＤ２の耐圧よりも小さくとも、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを抑制または防止することができ、半導体装置ＰＫＧの信頼性を向上させることができる。従って、封止部ＭＲの耐圧（単位距離当たりの耐圧）が、接合材ＢＤ２の耐圧（単位距離当たりの耐圧）よりも小さい場合に本実施の形態を適用すれば、その効果は極めて大きい。
　図４０は、本実施の形態の効果の一例を示す表が示されている。図４０に示されるサンプルＡとサンプルＢは、半導体装置ＰＫＧにおいて、接合材ＢＤ２の状態を変えた場合に対応している。すなわち、サンプルＡとサンプルＢは、ともに半導体チップＣＰ２の厚みＴ２は約４００μｍである。そして、サンプルＡの場合は、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が約６０μｍであり、長さＬ２が小さいことを反映して、上記距離Ｌ３も小さく、上記距離Ｌ３は約８５μｍである。また、サンプルＢの場合は、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が２５０μｍであり、長さＬ２が大きいことを反映して上記距離Ｌ３も大きく、上記距離Ｌ３は約３２０μｍである。
　サンプルＡの場合は、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の絶縁耐圧は約１３００Ｖであったが、サンプルＢの場合は、５０００Ｖが印加されても、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で絶縁破壊は発生せず、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の絶縁耐圧は５０００Ｖ以上であった。
　サンプルＢのように、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることにより、好ましくは半導体チップＣＰ２の厚みＴ２の１／２以上（Ｌ２≧Ｔ２×１／２）にすることにより、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の絶縁耐圧を向上させることができ、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
　また、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の要求耐圧（ＥＳＤ規格）をＶ１とし、封止部ＭＲの単位距離当たりの耐圧をＶ２とし、接合材ＢＤ２の単位距離当たりの耐圧をＶ３とし、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の距離（間隔）をＬ４としたときには、次の式（１）
　　　　　　　　　Ｖ２×Ｌ３≧Ｖ１　　　　　・・・式（１）
と、次の式（２）
　　　　　　　　　Ｖ３×Ｌ４≧Ｖ１　　　　　・・・式（２）
とが成り立つことが好ましい。なお、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の距離（間隔）Ｌ４は、ダイパッドＤＰと半導体チップＣＰ２との間に介在する部分の接合材ＢＤ２の厚みにも対応している。
　例えば、要求耐圧Ｖ１が２０００Ｖで、封止部ＭＲの単位距離当たりの耐圧Ｖ２が約１４ｋＶ／ｍｍの場合は、距離Ｌ３を約１５０μｍ以上とすることが好ましい。つまり、距離Ｌ３が約１５０μｍ以上となるまで、上記長さＬ２を大きくすればよい。これにより、上記式（１）を満足するため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の界面ＫＭを介した半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を、要求耐圧Ｖ１以上にすることができる。
　また、例えば、要求耐圧Ｖ１が２０００Ｖで、接合材ＢＤ２の単位距離当たりの耐圧Ｖ３が約９０ｋＶ／ｍｍの場合は、距離Ｌ４を約２３μｍ以上とすることが好ましい。つまり、ダイパッドＤＰと半導体チップＣＰ２との間に介在する部分の接合材ＢＤ２の厚みを、約２３μｍ以上とすることが好ましい。これにより、上記式（２）を満足するため、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の接合材ＢＤ２を介した半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を、要求耐圧Ｖ１以上にすることができる。
　従って、式（１）と式（２）との両方を満足するように、距離Ｌ３と距離Ｌ４とを設定すれば、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を、要求耐圧Ｖ１以上にすることができる。
　また、本実施の形態では、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１よりも、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きく（Ｌ２＞Ｌ１）しているが、これを的確に実現できるように、半導体装置ＰＫＧの製造工程を工夫している。これについて、以下に説明する。
　上記ステップＳ２ａでダイパッドＤＰ上に絶縁性の接合材ＢＤ２を供給してから、上記ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を介して半導体チップＣＰ２を搭載する。ここで特徴的なのは、このステップＳ２ａでは、ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ２の四隅が重なる位置にも、接合材ＢＤ２が供給されることである（図２１および図２９参照）。
　上記図２１および図２９には、ステップＳ２ａを行った直後の状態が示されており、従ってステップＳ２ｂはまだ行われていない。なお、上記図２１の場合は、接合材供給用のノズルからダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を供給した場合が示され、上記図２９の場合は、印刷法によりダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ２を供給した場合が示されている。また、図２１および図２９においては、ステップＳ２ｂで半導体チップＣＰ２が搭載される位置を点線で示してある。
　図２１の場合は、ステップＳ２ａにおいて、ノズルから接合材ＢＤ２をダイパッドＤＰ上に供給しているため、接合材ＢＤ２は、ダイパッドＤＰの上面上に局所的に配置されることになる。このため、ノズルから接合材ＢＤ２を供給する場合は、ダイパッドＤＰの上面上において、複数箇所に接合材ＢＤ２を供給（配置）することが好ましく、図２１の場合は、ダイパッドＤＰの上面上において、９か所に接合材ＢＤ２を供給（配置）している。このとき、ステップＳ２ｂで半導体チップＣＰ２が搭載される予定の領域（半導体チップＣＰ２搭載予定領域）から、接合材ＢＤ２の一部がはみ出しており、平面視において後で搭載する半導体チップＣＰ２の四隅が重なる位置にも、ステップＳ２ａで接合材ＢＤ２が供給（配置）されている。
　ここで、半導体チップＣＰ２搭載予定領域とは、ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ２に重なる領域に対応しており、図２１および図２９において、点線で囲まれた領域に対応している。
　図２９の場合は、ステップＳ２ａにおいて、印刷法により接合材ＢＤ２をダイパッドＤＰ上に供給しているため、接合材ＢＤ２は、ダイパッドＤＰの上面上に局所的に配置されるのではなく、比較的広い面積にわたって配置される。図２９の場合は、平面視において、接合材ＢＤ２が供給（配置）されている領域は、ステップＳ２ｂで半導体チップＣＰ２が搭載される予定の領域（半導体チップＣＰ２搭載予定領域）を内包している。このため、半導体チップＣＰ２搭載予定領域から、接合材ＢＤ２の一部がはみ出しており、平面視において後で搭載する半導体チップＣＰ２の四隅が重なる位置にも、ステップＳ２ａで接合材ＢＤ２が供給（配置）されている。
　図２１と図２９とで共通しているのは、平面視において、点線で示される半導体チップＣＰ２搭載予定領域の四隅が、ステップＳ２ａでダイパッドＤＰ上に供給された接合材ＢＤ２に重なっていることである。そして、ステップＳ２ｂにおいては、図２１および図２９にて、点線で示される位置に半導体チップＣＰ２が搭載される。このため、ステップＳ２ｂでは、平面視において半導体チップＣＰ２の四隅と重なる位置に既に接合材ＢＤ２が配置されている状態で、半導体チップＣＰ２をダイパッドＤＰ上に搭載することになる。つまり、ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ２の四隅が重なる位置にも、ステップＳ２ａで接合材ＢＤ２を予め供給しておくのである。
　これにより、ステップＳ２ｂで半導体チップＣＰ２をダイパッドＤＰ上に搭載すると、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄの各下端ＬＥがダイパッドＤＰ上に配置されている接合材ＢＤ２内に埋まることになる。そして、半導体チップＣＰ２の４つの辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのそれぞれの下部が、接合材ＢＤ２内に埋まって、その接合材ＢＤ２で覆われることになるため、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのそれぞれにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることができる。従って、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧を向上させることができ、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間で静電破壊のような絶縁破壊が発生するのを抑制または防止することができる。
　また、上記ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上に導電性の接合材ＢＤ１を供給してから、上記ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を介して半導体チップＣＰ１を搭載する。ここで特徴的なのは、このステップＳ２ｃでは、ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、接合材ＢＤ１が供給されないことである（図２５および図３０参照）。
　上記図２５および図３０には、ステップＳ２ｃを行った直後の状態が示されており、従ってステップＳ２ｄはまだ行われていない。なお、上記図２５の場合は、接合材供給用のノズルからダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給した場合が示され、上記図３０の場合は、印刷法によりダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給した場合が示されている。また、図２５および図３０においては、ステップＳ２ｄで半導体チップＣＰ１が搭載される位置を点線で示してある。
　図２５の場合は、ステップＳ２ｃにおいて、ノズルから接合材ＢＤ１をダイパッドＤＰ上に供給しているため、接合材ＢＤ１は、ダイパッドＤＰの上面上に局所的に配置されることになる。このため、ノズルから接合材ＢＤ１を供給する場合は、ダイパッドＤＰの上面上において、複数箇所に接合材ＢＤ１を供給（配置）することが好ましく、図２５の場合は、ダイパッドＤＰの上面上において、５か所に接合材ＢＤ１を供給（配置）している。このとき、ステップＳ２ｄで半導体チップＣＰ１が搭載される予定の領域（半導体チップＣＰ１搭載予定領域）から、接合材ＢＤ１がはみ出さないようにしている。すなわち、平面視において、接合材ＢＤ１が供給（配置）されている領域は、半導体チップＣＰ１搭載予定領域に内包されている。言い換えると、ステップＳ２ｃにおいて、半導体チップＣＰ１搭載予定領域の内側に接合材ＢＤ１が供給（配置）され、半導体チップＣＰ１搭載予定領域の外周部には接合材ＢＤ１は供給（配置）されない。このため、図２５の場合は、平面視において後で搭載する半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１が供給（配置）されていない。
　ここで、半導体チップＣＰ１搭載予定領域とは、ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ１に重なる領域に対応しており、図２５および図３０において、点線で囲まれた領域に対応している。
　図３０の場合は、ステップＳ２ｃにおいて、印刷法により接合材ＢＤ１をダイパッドＤＰ上に供給しているため、接合材ＢＤ１は、ダイパッドＤＰの上面上に局所的に配置されるのではなく、比較的広い面積にわたって配置される。ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１をダイパッドＤＰ上に印刷法で供給（配置）する際には、ステップＳ２ｄで半導体チップＣＰ１が搭載される予定の領域（半導体チップＣＰ１搭載予定領域）から、接合材ＢＤ１がはみ出さないようにしている。すなわち、平面視において、接合材ＢＤ１が供給（配置）されている領域は、半導体チップＣＰ１搭載予定領域に内包されている。言い換えると、ステップＳ２ｃにおいて、半導体チップＣＰ１搭載予定領域の内側に接合材ＢＤ１が供給（配置）され、半導体チップＣＰ１搭載予定領域の外周部には接合材ＢＤ１は供給（配置）されない。このため、図３０の場合も、平面視において後で搭載する半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１が供給（配置）されていない。
　図２５と図３０とで共通しているのは、平面視において、点線で示される半導体チップＣＰ１搭載予定領域の四隅が、ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上に供給された接合材ＢＤ１に重なっていないことである。そして、ステップＳ２ｄにおいては、図２５および図３０で点線で示される位置に半導体チップＣＰ１が搭載される。このため、ステップＳ２ｄでは、平面視において半導体チップＣＰ１の四隅と重なる位置には接合材ＢＤ１が配置されていない状態で、半導体チップＣＰ１をダイパッドＤＰ上に搭載することになる。つまり、ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１を供給しないでおくのである。そして、ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上において接合材ＢＤ２が供給（配置）された領域は、半導体チップＣＰ２搭載予定領域に内包されるようにしておけば、更に好ましい。
　これにより、ステップＳ２ｄで半導体チップＣＰ１をダイパッドＤＰ上に搭載すると、接合材ＢＤ１は、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４や辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄを濡れ上がりにくく、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４や辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄは、接合材ＢＤ１で覆われにくくなる。従って、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄのそれぞれにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１を小さくすることができ、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを抑制または防止することができる。
　このように、本実施の形態では、ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ２の四隅が重なる位置にも、ステップＳ２ａで接合材ＢＤ２が供給されるようにしている。これにより、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄのそれぞれにおける接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２を大きくすることができる。また、ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１が供給されないようにしている。ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上において接合材ＢＤ２が供給（配置）された領域は、ステップＳ２ｂでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ２を搭載した際に平面視において半導体チップＣＰ２に重なる領域（すなわち半導体チップＣＰ２搭載予定領域）に内包されるようにしておけば、更に好ましい。これにより、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄのそれぞれにおける接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１を小さくすることができる。従って、半導体チップＣＰ１の辺ＳＤ１における接合材ＢＤ１で覆われた部分の長さＬ１よりも、半導体チップＣＰ２の辺ＳＤ２における接合材ＢＤ２で覆われた部分の長さＬ２が大きい（Ｌ２＞Ｌ１）構造を、容易かつ的確に実現することができる。
　また、本実施の形態は、接合材ＢＤ１と接合材ＢＤ２との両方にペースト型接合材を用いる場合に、特に効果が大きい。すなわち、導電性の接合材ＢＤ１として導電性ペースト型接合材を用い、かつ、絶縁性の接合材ＢＤ２として絶縁性ペースト型接合材を用いる場合に、特に効果が大きい。
　すなわち、接合材ＢＤ１，ＢＤ２のいずれもがペースト型接合材の場合は、接合材ＢＤ１，ＢＤ２は、どちらも半導体チップの側面を塗れ上がりやすい性質を有することになる。このため、本実施の形態とは異なり、半導体装置の製造工程に何も工夫しなければ、接合材ＢＤ１の塗れ上がり量と接合材ＢＤ２の塗れ上がり量とは、同程度になるため、上記長さＬ１と上記長さＬ２とは同じ（すなわちＬ１＝Ｌ２）になってしまう。本実施の形態とは異なり、Ｌ１＝Ｌ２の場合は、長さＬ１，Ｌ２の両方が小さい状態か、あるいは、長さＬ１，Ｌ２の両方が大きい状態になる。長さＬ１，Ｌ２の両方が小さいと、上述したように、長さＬ２が小さいことで、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧が低くなり、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊が懸念され、一方、長さＬ１，Ｌ２の両方が大きいと、上述したように、長さＬ１が大きいことで、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着することが懸念される。これらは、半導体装置の総合的な信頼性を低下させる。
　それに対して、本実施の形態では、接合材ＢＤ１，ＢＤ２のいずれもがペースト型接合材の場合に、接合材ＢＤ１，ＢＤ２は、どちらも半導体チップの側面を塗れ上がりやすい性質を有するが、製造工程を工夫することで、絶縁性の接合材ＢＤ２については、塗れ上がり量を大きくし、導電性の接合材ＢＤ１については、塗れ上がりを抑制して、塗れ上がり量を小さくしている。これにより、上記長さＬ２を上記長さＬ１よりも大きく（Ｌ２＞Ｌ１）している。このため、上記長さＬ２を大きくし、かつ、上記長さＬ１を小さくすることができる。半導体チップＣＰ２については、好ましくは、上記長さＬ２を、半導体チップＣＰ２の厚みＴ２の１／２以上にすることができ、半導体チップＣＰ１については、好ましくは、上記長さＬ１を半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／２未満にすることができ、更に好ましくは、上記長さＬ１を半導体チップＣＰ１の厚みＴ１の１／４以下にすることができる。これにより、上述したように、長さＬ２が大きいことで、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の耐圧が高くなり、半導体チップＣＰ２とダイパッドＤＰとの間の静電破壊を抑制または防止することができ、一方、長さＬ１が小さいことで、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着することを抑制または防止することができる。従って、半導体装置の総合的な信頼性を向上させることができる。
　このように、半導体チップの側面を塗れ上がりやすいペースト型接合材を接合材ＢＤ１，ＢＤ２として用いる場合に、本実施の形態を適用する効果は、極めて大きい。
　また、導電性の接合材ＢＤ１が銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型接合材の場合は、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４や辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄ上を接合材ＢＤ１が濡れ上がりやすいため、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまう可能性がある。このため、導電性の接合材ＢＤ１が、銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型接合材の場合は、半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４や辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄ上を接合材ＢＤ１が濡れ上がるのを抑制することが特に重要である。従って、接合材ＢＤ１が導電性ペースト型接合材の場合は、ステップＳ２ｄでダイパッドＤＰ上に半導体チップＣＰ１を搭載した際に、平面視において半導体チップＣＰ１の四隅が重なる位置には、ステップＳ２ｃで接合材ＢＤ１が供給されないようにすることが極めて重要である。また、ステップＳ２ｃでダイパッドＤＰ上に接合材ＢＤ１を供給する際に、半導体チップＣＰ１搭載予定領域から接合材ＢＤ１がはみ出さないようにし、接合材ＢＤ１が供給（配置）された領域が、半導体チップＣＰ１搭載予定領域に内包されるようにすることが好ましい。そうすることにより、接合材ＢＤ２が、半導体チップＣＰ１の側面を濡れ上がりやすい導電性ペースト型接合材であっても、その接合材ＢＤ２が半導体チップＣＰ１の側面ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４や辺ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄ上を濡れ上がるのを抑制することができる。これにより、半導体チップＣＰ１の表面に導電性の接合材ＢＤ１の一部が付着してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
　なお、導電性の接合材ＢＤ１として、半田材を用いる考え方もある。但し、半田材を用いた場合、半田リフロー後のフラックス洗浄工程を設ける必要性が生じる。このことは、組立工程数（製造工程数）の増加を意味する。また、半導体装置ＰＫＧの耐リフロー性を確保するために、実装時のリフロー温度よりも融点が高い鉛リッチの高融点半田を採用する必要性も生じる。このことは、半導体装置ＰＫＧの鉛フリー化に対して逆行することを意味する。
　これらのことを考慮すると、導電性の接合材ＢＤ１として、半田材よりも銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型接合材を用いることが好ましい。銀（Ａｇ）ペーストなどの導電性ペースト型接合材を用いることにより、半田材を用いる場合に比べて、組立工程数（製造工程数）も抑えられ、環境にも優しい半導体装置ＰＫＧを実現することができる。
　以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
１　半導体基板
３　ｐ型の半導体領域
４　ｎ＋型の半導体領域
５　ｐ＋型の半導体領域
６　溝
７　ゲート絶縁膜
８　ゲート電極
９，１１　層間絶縁膜
１０，１２　プラグ
１３　保護膜
１４　開口部
ＢＡＴ　電源
ＢＤ１，ＢＤ２　接合材
ＢＥ　裏面電極
ＢＷ　ワイヤ
ＣＬＣ　制御回路
ＣＰ１，ＣＰ２　半導体チップ
ＤＰ　ダイパッド
ＧＭ　銀メッキ層
ＫＭ　界面
ＬＤ　リード
ＬＥ　下端
ＬＦ　リードフレーム
ＬＯＤ　負荷
Ｍ１，Ｍ２　配線
Ｍ１Ｓ，Ｍ２Ｓ　ソース配線
ＭＲ　封止部
ＭＲａ　上面
ＭＲｂ　下面
ＭＲｃ１，ＭＲｃ２，ＭＲｃ３，ＭＲｃ４　側面
Ｐ１，Ｐ２　パッド電極
Ｐ１Ｓ　ソース用パッド電極
ＰＫＧ　半導体装置
Ｑ１　パワーＭＯＳＦＥＴ
Ｑ２　センスＭＯＳＦＥＴ
ＲＥＧ　レギュレータ
ＳＭ１，ＳＭ２，ＳＭ３，ＳＭ４，ＳＭ５，ＳＭ６，ＳＭ７，ＳＭ８　側面
ＳＤ１，ＳＤ１ａ，ＳＤ１ｂ，ＳＤ１ｃ，ＳＤ１ｄ　辺
ＳＤ２，ＳＤ２ａ，ＳＤ２ｂ，ＳＤ２ｃ，ＳＤ２ｄ　辺
ＴＬ　吊りリード

Claims (20)

  1. 　導電性を有するチップ搭載部と、
    　前記チップ搭載部上に、絶縁性を有する第１接合材を介して搭載された第１半導体チップと、
    　前記チップ搭載部上に、導電性を有する第２接合材を介して搭載された第２半導体チップと、
    　前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記チップ搭載部の少なくとも一部を封止する封止体と、
    　を備える半導体装置であって、
    　前記第２半導体チップは、裏面電極を有し、前記第２半導体チップの前記裏面電極が、前記第２接合材を介して前記チップ搭載部と電気的に接続され、
    　前記第１半導体チップの第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、前記第１接合材で覆われた部分の第１の長さは、前記第２半導体チップの第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、前記第２接合材で覆われた部分の第２の長さよりも大きい、半導体装置。
  2. 　請求項１記載の半導体装置において、
    　複数のリードと、
    　複数のワイヤと、
    　を更に有し、
    　前記封止体は、前記複数のリードのそれぞれの一部と、前記複数のワイヤとを封止し、
    　前記複数のワイヤは、前記第１半導体チップの複数の第１パッド電極と前記複数のリードのうちの複数の第１リードとを電気的に接続する複数の第１ワイヤと、前記第２半導体チップの複数の第２パッド電極と前記複数のリードのうちの複数の第２リードとを電気的に接続する複数の第２ワイヤと、を含む、半導体装置。
  3. 　請求項１記載の半導体装置において、
    　前記第１の長さは、前記第１半導体チップの厚みの１／２以上である、半導体装置。
  4. 　請求項３記載の半導体装置において、
    　前記第２の長さは、前記第２半導体チップの厚みの１／２未満である、半導体装置。
  5. 　請求項４記載の半導体装置において、
    　前記第２の長さは、前記第２半導体チップの厚みの１／４以下である、半導体装置。
  6. 　請求項１記載の半導体装置において
    　前記第１接合材の耐圧は、前記封止体の耐圧よりも大きい、半導体装置。
  7. 　請求項１記載の半導体装置において
    　前記第１接合材は、絶縁性ペースト型接合材である、半導体装置。
  8. 　請求項７記載の半導体装置において
    　前記第２接合材は、導電性ペースト型接合材である、半導体装置。
  9. 　請求項１記載の半導体装置において、
    　前記第２半導体チップは、パワートランジスタを含み、
    　前記第１半導体チップは、前記第２半導体チップを制御する、半導体装置。
  10. 　請求項１記載の半導体装置において、
    　前記チップ搭載部の上面の一部に銀メッキ層が形成され、
    　前記第２半導体チップは、前記チップ搭載部の前記銀メッキ層上に、前記第２接合材を介して搭載され、
    　前記第１半導体チップは、前記銀メッキ層が形成されていない領域の前記チップ搭載部上に、前記第１接合材を介して搭載されている、半導体装置。
  11. 　（ａ）導電性を有するチップ搭載部上に、絶縁性を有する第１接合材を介して第１半導体チップを搭載し、導電性を有する第２接合材を介して第２半導体チップを搭載する工程、
    　（ｂ）前記第１半導体チップ、前記第２半導体チップ、および前記チップ搭載部の少なくとも一部を封止する封止体を形成する工程、
    　を有し、
    　前記（ａ）工程では、前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとは、前記チップ搭載部上に並んで配置され、
    　前記第２半導体チップは、裏面電極を有し、前記第２半導体チップの前記裏面電極が、前記第２接合材を介して前記チップ搭載部と電気的に接続され、
    　前記第１半導体チップの第１側面と第２側面とが交差して形成される第１の辺における、前記第１接合材で覆われた部分の第１の長さは、前記第２半導体チップの第３側面と第４側面とが交差して形成される第２の辺における、前記第２接合材で覆われた部分の第２の長さよりも大きい、半導体装置の製造方法。
  12. 　請求項１１記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ）工程は、
    　（ａ１）前記チップ搭載部上に前記第１接合材を供給する工程、
    　（ａ２）前記（ａ１）工程後、前記チップ搭載部上に、前記第１接合材を介して前記第１半導体チップを搭載する工程、
    　（ａ３）前記チップ搭載部上に前記第２接合材を供給する工程、
    　（ａ４）前記（ａ３）工程後、前記チップ搭載部上に、前記第２接合材を介して前記第２半導体チップを搭載する工程、
    　を含む、半導体装置の製造方法。
  13. 　請求項１２記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ３）工程は、前記（ａ２）工程の後に行われる、半導体装置の製造方法。
  14. 　請求項１３記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ）工程は、
    　（ａ５）前記（ａ４）工程後、前記第１接合材および前記第２接合材を硬化させる工程、
    　を更に含む、半導体装置の製造方法。
  15. 　請求項１３記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ）工程は、
    　（ａ６）前記（ａ２）工程後、前記第１接合材を硬化させる工程、
    　（ａ７）前記（ａ４）工程後、前記第２接合材を硬化させる工程、
    　を更に含む、半導体装置の製造方法。
  16. 　請求項１２記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ１）工程では、
    　前記（ａ２）工程で前記チップ搭載部上に前記第１半導体チップを搭載した際に、平面視において前記第１半導体チップの四隅が重なる位置にも、前記第１接合材が供給される、半導体装置の製造方法。
  17. 　請求項１２記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ３）工程では、
    　前記（ａ４）工程で前記チップ搭載部上に前記第２半導体チップを搭載した際に、平面視において前記第２半導体チップの四隅が重なる位置には、前記第２接合材が供給されない、半導体装置の製造方法。
  18. 　請求項１７記載の半導体装置の製造方法において
    　前記（ａ３）工程で前記チップ搭載部上における前記第２接合材が供給された領域は、
    　前記（ａ４）工程で前記チップ搭載部上に前記第２半導体チップを搭載した際に、平面視において前記第２半導体チップに重なる領域に内包されている、半導体装置の製造方法。
  19. 　請求項１１記載の半導体装置の製造方法において
    　前記第１接合材は、絶縁性ペースト型接合材である、半導体装置の製造方法。
  20. 　請求項１９記載の半導体装置の製造方法において
    　前記第２接合材は、導電性ペースト型接合材である、半導体装置の製造方法。
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