WO2016139970A1 - 半導体積層体および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体および半導体装置を提供する。半導体積層体10は、III-V族化合物半導体からなる基板20と、基板20上に形成され、III-V族化合物半導体からなるバッファ層30と、バッファ層30上に形成され、V族元素としてSbを含むIII-V族化合物半導体からなる層42を含む活性層40と、を備える。バッファ層30において基板20側の主面30Bを含む領域には、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域31が形成されている。
Description
本発明は、半導体積層体および半導体装置に関するものである。
III-V族化合物半導体からなる基板上に、V族元素としてSb(アンチモン)を含む活性層を形成した構造を含む半導体積層体は、たとえば中赤外域の光に対応した受光素子などの半導体装置の製造に用いることができる。具体的には、たとえば上記活性層を受光層とし、受光層上にコンタクト層を形成したうえで、さらに適切な電極を形成することにより、赤外線用の受光素子を得ることができる。そして、受光素子の性能に大きな影響を与える受光層の結晶性を優れたものとするためには、受光層の下地となるバッファ層の表面平坦性を優れたものとする必要がある。
これに対し、主面を、所定の面方位を有する結晶面から傾けた基板、すなわちオフ基板を採用することにより、当該基板上に優れた表面性状を確保しつつ半導体層を形成する方法が提案されている(たとえば、特許文献1参照)。
上述のように、III-V族化合物半導体からなる半導体層を、優れた表面平坦性を確保しつつ形成することは、赤外線用の受光素子などの半導体装置の製造において重要な課題の一つとなっている。
そこで、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体および半導体装置を提供することを目的の1つとする。
本発明に従った半導体積層体は、III-V族化合物半導体からなる基板と、基板上に形成され、III-V族化合物半導体からなるバッファ層と、バッファ層上に形成され、V族元素としてSbを含むIII-V族化合物半導体からなる層を含む活性層と、を備える。バッファ層において基板側の主面を含む領域には、隣接する他の領域よりもSi(珪素)とC(炭素)との合計濃度が高い高濃度領域が形成されている。
上記半導体積層体によれば、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体を提供することができる。
[本願発明の実施形態の説明]
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の半導体積層体は、III-V族化合物半導体からなる基板と、基板上に形成され、III-V族化合物半導体からなるバッファ層と、バッファ層上に形成され、V族元素としてSbを含むIII-V族化合物半導体からなる層を含む活性層と、を備える。バッファ層において基板側の主面を含む領域には、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域が形成されている。
最初に本願発明の実施態様を列記して説明する。本願の半導体積層体は、III-V族化合物半導体からなる基板と、基板上に形成され、III-V族化合物半導体からなるバッファ層と、バッファ層上に形成され、V族元素としてSbを含むIII-V族化合物半導体からなる層を含む活性層と、を備える。バッファ層において基板側の主面を含む領域には、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域が形成されている。
本発明者らは、III-V族化合物半導体からなる基板上に、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層を形成する方策について検討を行った。
その結果、基板上にバッファ層を形成するに際して、バッファ層の基板側の主面を含む領域に、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域を形成しつつバッファ層を形成することにより、バッファ層の表面平坦性を優れたものとできることを見出した。
その結果、基板上にバッファ層を形成するに際して、バッファ層の基板側の主面を含む領域に、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域を形成しつつバッファ層を形成することにより、バッファ層の表面平坦性を優れたものとできることを見出した。
本願の半導体積層体においては、バッファ層の基板側の主面を含む領域に、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域が形成されている。そのため、バッファ層の表面平坦性を優れたものとすることができる。したがって、本願の半導体積層体によれば、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体を提供することができる。
上記半導体積層体において、高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度は5×1018cm-3以上であってもよい。このようにすることにより、バッファ層の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。
上記半導体積層体において、高濃度領域におけるSiの濃度は5×1018cm-3以上であってもよい。バッファ層の表面平坦性を向上させる効果が特に高いSiの濃度を5×1018cm-3以上とすることで、バッファ層の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。
上記半導体積層体において、高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度は5×1020cm-3以下であってもよい。高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度が5×1020cm-3を超えると、高濃度領域の結晶性が悪化するおそれがある。高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度は5×1020cm-3以下とすることで、バッファ層の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。
上記半導体積層体において、高濃度領域の厚みは2nm以上50nm以下であってもよい。高濃度領域の厚みが2nm未満の場合、表面平坦性の向上効果が十分に得られないおそれがある。一方、高濃度領域の厚みが50nmを超えると、高濃度領域の結晶性が低下するおそれがある。高濃度領域の厚みは2nm以上50nm以下とすることで、バッファ層の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。
上記半導体積層体において、基板のバッファ層側の主面を含む領域には、隣接する基板の他の領域に比べて酸素濃度の高い酸化領域が形成されていてもよい。このように基板の主面に酸化領域が存在する状態であっても、本願の半導体積層体によれば、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体を提供することができる。
上記半導体積層体において、酸化領域における酸素の濃度は1×1018cm-3以上1×1021cm-3以下であってもよい。このような酸素濃度の範囲の酸化領域が形成されている場合でも、本願の半導体積層体によれば、優れた表面平坦性を有し、III-V族化合物半導体からなるバッファ層をIII-V族化合物半導体からなる基板上に形成した構造を有する半導体積層体を提供することができる。
上記半導体積層体において、基板とバッファ層の高濃度領域以外の領域との間の格子不整合度は0.2%以下であってもよい。このようにすることにより、バッファ層形成時の三次元成長が抑制され、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。
上記半導体積層体において、基板とバッファ層とは同一のIII-V族化合物半導体からなっていてもよい。このようにすることにより、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。
上記半導体積層体において、基板およびバッファ層を構成するIII-V族化合物半導体はGaSb(ガリウムアンチモン)、InP(インジウムリン)、GaAs(ガリウム砒素)、またはInAs(インジウム砒素)であってもよい。このうちGaSbおよびInPは、赤外域の光に対応した受光素子の製造に用いられる半導体積層体の基板およびバッファ層を構成する材料として好適である。
上記半導体積層体において、上記活性層は量子井戸構造であってもよい。表面平坦性に優れたバッファ層上に量子井戸構造を形成することにより、量子井戸構造の表面平坦性や界面急峻性を向上させることが容易となる。その結果、たとえば半導体積層体を受光素子の製造に用いた場合、高感度の受光素子を得ることが可能となる。
上記半導体積層体において、バッファ層は有機金属気相成長法により形成されていてもよい。有機金属気相成長法は、たとえばMBE(Molecular Beam Epitaxy)法に比べて結晶成長の温度が高い。そのため、結晶成長時の原子のマイグレーションが容易となり、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。
本願の半導体装置は、上記半導体積層体と、半導体積層体上に形成された電極と、を備える。本願の半導体装置は、表面平坦性に優れたバッファ層を有する上記半導体積層体を含んでいる。そのため、本願の半導体装置によれば、高性能な半導体装置を得ることができる。
[本願発明の実施形態の詳細]
(実施の形態1)
次に、本発明にかかる半導体積層体の一実施の形態である実施の形態1を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
(実施の形態1)
次に、本発明にかかる半導体積層体の一実施の形態である実施の形態1を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
図1を参照して、本実施の形態における半導体積層体10は、基板20と、バッファ層30と、活性層としての量子井戸構造40と、コンタクト層50とを備えている。
基板20は、III-V族化合物半導体からなっている。また、基板20の直径は50mm以上であり、たとえば3インチである。基板20を構成するIII-V族化合物半導体としては、たとえばGaSb、InP、InAs(インジウム砒素)、GaAs(ガリウム砒素)などを採用することができる。これらのIII-V族化合物半導体からなる基板20を採用することにより、中赤外光用の受光素子の製造に適した半導体積層体10を得ることができる。具体的には、たとえば導電型がn型であるGaSb(n-GaSb)が、基板20を構成する化合物半導体として採用される。基板20に含まれるn型不純物としては、たとえばTe(テルル)などを採用することができる。基板20の直径は、半導体積層体10を用いた半導体装置の生産効率および歩留りの向上を目的として、80mm以上(たとえば4インチ)とすることができ、さらに105mm以上(たとえば5インチ)、さらに130mm以上(たとえば6インチ)とすることができる。
バッファ層30は、基板20の一方の主面20A上に接触するように配置された半導体層である。バッファ層30は、III-V族化合物半導体からなっている。バッファ層30を構成するIII-V族化合物半導体は、V族元素としてSbを含んでいてもよい。V族元素としてSbを含むバッファ層は表面平坦化が難しいため、本発明によって特に大きなメリットを得ることができる。バッファ層30を構成するIII-V族化合物半導体としては、たとえばGaSb、AlSb(アルミニウムアンチモン)、InSb(インジウムアンチモン)といった2元系、およびGaInSb(ガリウムインジウムアンチモン)、AlInSb(アルミニウムインジウムアンチモン)、AlGaSb(アルミニウムガリウムアンチモン)といった3元系の材料などを採用することができる。具体的には、たとえば導電型がp型であるGaSb(p-GaSb)が、バッファ層30を構成する化合物半導体として採用される。バッファ層30に含まれるp型不純物としては、たとえばC(炭素)、Zn(亜鉛)、Be(ベリリウム)などを採用することができる。
量子井戸構造40は、バッファ層30の、基板20に面する側とは反対側の第1主面30A上に接触するように配置されている。量子井戸構造40は、III-V族化合物半導体からなる2つの要素層が交互に積層された構造を有している。より具体的には、量子井戸構造40は、第1要素層41と第2要素層42とが交互に積層された構造を有している。第1要素層41を構成する材料としては、たとえばInAsを採用することができる。
また、第2要素層42を構成する材料としては、たとえばV族元素としてSbを含むGaSbを採用することができる。半導体積層体10を受光素子の製造に使用する場合、量子井戸構造40の厚みは500nm以上とすることが好ましい。これにより、半導体積層体10を用いて製造される受光素子の受光感度を向上させることができる。
また、第2要素層42を構成する材料としては、たとえばV族元素としてSbを含むGaSbを採用することができる。半導体積層体10を受光素子の製造に使用する場合、量子井戸構造40の厚みは500nm以上とすることが好ましい。これにより、半導体積層体10を用いて製造される受光素子の受光感度を向上させることができる。
第1要素層41および第2要素層42の厚みは、たとえばそれぞれ3nmとすることができる。そして、量子井戸構造40は、第1要素層41と第2要素層42とからなる単位構造が、たとえば100組積層されたものとすることができる。すなわち、量子井戸構造40の厚みは、たとえば600nmとすることができる。量子井戸構造40は、このような構造を有するタイプII量子井戸とすることができる。
InAs層とGaSb層とが交互に積層された構造を有する量子井戸構造40は、中赤外光用の受光層として好適である。そのため、このような構造を採用することにより、半導体積層体10を、中赤外光用の受光素子の製造に適したものとすることができる。なお、第1要素層41および第2要素層42を構成するIII-V族化合物半導体の組み合わせはこれに限られず、たとえばGaSbとInAsSb(インジウム砒素アンチモン)との組み合わせ、GaInSbとInAsとの組み合わせなどであってもよい。また、量子井戸構造40の歪を補償するために、量子井戸構造40を構成する単位構造を、第1要素層41および第2要素層42に歪補償層を加えたものとしてもよい。歪補償層には、たとえばInSbAs(インジウムアンチモン砒素)層、InSb層、GaInSb層などを採用することができる。さらに、本実施の形態においては、活性層を量子井戸構造40としているが、これに代えて単一のIII-V族化合物半導体層を採用することもできる。
単一のIII-V族化合物半導体層としては、たとえばInSb層、InAs層、GaInSb層、AlInSb層などを採用することができる。
単一のIII-V族化合物半導体層としては、たとえばInSb層、InAs層、GaInSb層、AlInSb層などを採用することができる。
図1を参照して、コンタクト層50は、量子井戸構造40の、バッファ層30に面する側とは反対側の主面40A上に接触するように配置されている。コンタクト層50は、III-V族化合物半導体からなっている。
コンタクト層50を構成するIII-V族化合物半導体としては、たとえばInAs、GaSb、GaAs、InP、InGaAs(インジウムガリウム砒素)などを採用することができる。具体的には、たとえば導電型がn型であるInAs(n-InAs)が、コンタクト層50を構成する化合物半導体として採用される。コンタクト層50に含まれるn型不純物としては、たとえばTe、Siなどを採用することができる。
そして、本実施の形態の半導体積層体10のバッファ層30において基板20側の主面である第2主面30Bを含む領域には、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域31が形成されている。これにより、バッファ層30が表面平坦性(第1主面30Aの平坦性)に優れたものとなっている。また、表面平坦性に優れたバッファ層30上に量子井戸構造40を形成することにより、量子井戸構造40の表面平坦性や界面急峻性を向上させることが容易となる。その結果、半導体積層体10を受光素子の製造に用いた場合、高感度の受光素子を得ることが可能となる。
ここで、後述するように半導体積層体10を赤外線受光素子の製造に用いることを考慮すると、コンタクト層50の導電型をn型としてコンタクト層50に接触する第1電極を形成し、量子井戸構造40から見てコンタクト層50とは反対側に導電型がp型である領域を形成し、当該領域に接触する第2電極を形成する構造を採用することが効率的なキャリアの取り出しの観点から好ましい。しかし、たとえば基板20がGaSbからなり、基板20にたとえば不純物としてZnを導入して導電型をp型とすると、入射する赤外光の吸収が大きくなるため、基板20の導電型はn型とすることが好ましい。そのため、バッファ層30の導電型をp型とし、エッチング等によりバッファ層30の一部を露出させてバッファ層に接触するように第2電極を形成する構造を採用することが妥当である。この場合、バッファ層30に高濃度領域31を形成するために導入される不純物がn型不純物であるとバッファ層30の一部が空乏化して電流パスが狭くなるため好ましくない。一方、高濃度領域31を形成するために導入される不純物がp型不純物であると広い電流パスが確保されるため、好ましい。そして、SiおよびCは、いずれもGaSbからなるバッファ層30においてp型不純物として機能する。このような観点からも、SiとCとの合計濃度が高い高濃度領域31の形成は好ましいものといえる。
半導体積層体10において、高濃度領域31におけるSiとCとの合計濃度は5×1018cm-3以上とすることが好ましい。これにより、バッファ層30の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。高濃度領域31におけるSiの濃度は5×1018cm-3以上とすることが好ましい。これにより、バッファ層30の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。高濃度領域31におけるSiとCとの合計濃度は5×1020cm-3以下とすることが好ましい。これにより、高濃度領域31の結晶性が悪化することを回避し、バッファ層30の表面平坦性をより確実に優れたものとすることができる。高濃度領域31の厚みは2nm以上50nm以下とすることが好ましい。
これにより、高濃度領域31による表面平坦性の向上効果を確保しつつ、高濃度領域31の結晶性の低下を回避することができる。
これにより、高濃度領域31による表面平坦性の向上効果を確保しつつ、高濃度領域31の結晶性の低下を回避することができる。
また、基板20の一方の主面20Aを含む領域には、隣接する基板20の他の領域に比べて酸素濃度の高い酸化領域が形成されていてもよい。このような場合でも、バッファ層30に高濃度領域31が形成されることで、バッファ層30の表面平坦性を確保することができる。この酸化領域における酸素の濃度は1×1018cm-3以上1×1021cm-3以下であってもよい。このような酸素濃度の範囲の酸化領域が形成されている場合でも、バッファ層30内に高濃度領域31が形成されることで、バッファ層30の表面平坦性を確保することができる。
さらに、基板20とバッファ層30の高濃度領域31以外の領域との間の格子不整合度は0.2%以下とすることが好ましい。これにより、バッファ層30形成時の三次元成長が抑制され、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。基板20とバッファ層30とは同一のIII-V族化合物半導体からなっていることが好ましい。これにより、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。基板20およびバッファ層30を構成するIII-V族化合物半導体はGaSb、InP、GaAs、またはInAsであってもよい。このうちGaSbおよびInPは、赤外域の光に対応した受光素子の製造に用いられる半導体積層体の基板およびバッファ層を構成する材料として好適である。なお、GaSbからなる基板20を採用した場合、基板20の一方の主面20Aには酸化被膜(酸化領域)が形成されやすい。基板20の一方の主面20Aに酸化領域が形成された場合でも、バッファ層30内に高濃度領域31が形成されることで、バッファ層30の表面平坦性を確保することができる。
また、バッファ層30は有機金属気相成長法により形成されていることが好ましい。有機金属気相成長法によりバッファ層30を形成することにより、結晶成長時の原子のマイグレーションが容易となり、優れた表面平坦性を確保することが容易となる。
次に、上記半導体積層体10を用いて作製される半導体装置の一例である赤外線受光素子(フォトダイオード)について説明する。図2を参照して、本実施の形態における赤外線受光素子1は、上記本実施の形態の半導体積層体10を用いて作製されたものであって、半導体積層体10と同様に積層された基板20と、バッファ層30と、量子井戸構造40と、コンタクト層50とを備えている。そして、赤外線受光素子1には、コンタクト層50および量子井戸構造40を貫通し、バッファ層30に到達するトレンチ99が形成されている。すなわち、トレンチ99の側壁99Aにおいて、コンタクト層50および量子井戸構造40が露出している。また、トレンチ99の底壁99Bは、バッファ層30内に位置している。つまり、トレンチ99の底壁99Bにおいてバッファ層30が露出している。
さらに、赤外線受光素子1は、パッシベーション膜80と、p側電極91と、n側電極92とを備えている。パッシベーション膜80はトレンチ99の底壁99B、トレンチ99の側壁99Aおよびコンタクト層50において量子井戸構造40に面する側とは反対側の主面50Aを覆うように配置されている。パッシベーション膜80は、窒化珪素、酸化珪素などの絶縁体からなっている。
トレンチ99の底壁99Bを覆うパッシベーション膜80には、パッシベーション膜80を厚み方向に貫通するように開口部81が形成されている。そして、開口部81を充填するようにp側電極91が配置されている。p側電極91は、開口部81から露出するバッファ層30に接触するように配置されている。p側電極91は金属などの導電体からなっている。より具体的には、p側電極91は、たとえばTi(チタン)/Pt(白金)/Au(金)からなるものとすることができる。p側電極91は、バッファ層30に対してオーミック接触している。
コンタクト層50の主面50Aを覆うパッシベーション膜80には、パッシベーション膜80を厚み方向に貫通するように開口部82が形成されている。そして、開口部82を充填するようにn側電極92が配置されている。n側電極92は、開口部82から露出するコンタクト層50に接触するように配置されている。n側電極92は金属などの導電体からなっている。より具体的には、n側電極92は、たとえばTi/Pt/Auからなるものとすることができる。n側電極92は、コンタクト層50に対してオーミック接触している。
この赤外線受光素子1に赤外線が入射すると、量子井戸構造40内の量子準位間で赤外線が吸収され、電子と正孔とのペアが生成する。そして、生成した電子と正孔とが光電流信号として赤外線受光素子1から取り出されることにより、赤外線が検出される。
なお、上記n側電極92は画素電極である。そして、上記赤外線受光素子1は、図2に示すように画素電極であるn側電極92が1つだけ含まれるものであってもよいし、複数の画素電極(n側電極92)を含むものであってもよい。具体的には、赤外線受光素子1は、図2に示す構造を単位構造とし、当該単位構造が、図2において基板20の一方の主面20Aが延在する方向に複数繰り返される構造を有していてもよい。この場合、赤外線受光素子1は、画素に対応する複数のn側電極92を有する一方で、p側電極91については1つだけ配置される。このような構造については、後述の実施の形態2において説明する。
本実施の形態の赤外線受光素子1は、優れた表面平坦性を有するバッファ層30上に受光層である量子井戸構造40が形成された構造を有している。そのため、赤外線受光素子1は、量子井戸構造40内の界面急峻性といった周期構造の出来栄えが良好なものになるとともに欠陥密度が低減されることにより優れた受光特性を有するものとなる。
次に、本実施の形態における半導体積層体10および赤外線受光素子1の製造方法の概要について説明する。
図3を参照して、本実施の形態における半導体積層体10および赤外線受光素子1の製造方法では、まず工程(S10)として基板準備工程が実施される。この工程(S10)では、図4を参照して、たとえば直径2インチ(50.8mm)のGaSbからなる基板20が準備される。より具体的には、GaSbからなるインゴットをスライスすることにより、GaSbからなる基板20が得られる。この基板20の表面が研磨された後、洗浄等のプロセスを経て主面20Aの平坦性および清浄性が確保された基板20が準備される。
次に、工程(S20)として動作層形成工程が実施される。この工程(S20)では、工程(S10)において準備された基板20の主面20A上に、動作層であるバッファ層30、量子井戸構造40およびコンタクト層50が形成される。この動作層の形成は、たとえば有機金属気相成長により実施することができる。有機金属気相成長による動作層の形成は、たとえば基板加熱用のヒータを備えた回転テーブル上に基板20を載置し、基板20をヒータにより加熱しつつ基板上に原料ガスを供給することにより実施することができる。
具体的には、図4を参照して、まず基板20の主面20A上に接触するように、たとえばIII-V族化合物半導体であるp-GaSbからなるバッファ層30が有機金属気相成長により形成される。p-GaSbからなるバッファ層30の形成では、Gaの原料としてたとえばTEGa(トリエチルガリウム)、TMGa(トリメチルガリウム)などを用いることができ、Sbの原料としてたとえばTMSb(トリメチルアンチモン)、TESb(トリエチルアンチモン)、TIPSb(トリイソプロピルアンチモン)、TDMASb(トリジメチルアミノアンチモン)、TTBSb(トリターシャリーブチルアンチモン)などを用いることができる。また、p型不純物としてCを添加する場合、たとえばCBr4(四臭化炭素)、CCl4(四塩化炭素)などを原料ガスに添加することができる。
ここで、バッファ層30を形成する工程では、成長の初期にSiおよびCの一方、または両方を他のバッファ層30の領域に比べて高濃度で導入することにより、高濃度領域31が形成される。具体的には、たとえば成長の初期に所望の濃度のSiおよびCの一方、または両方を導入するため、たとえばSiの原料ガスであるTeESi(テトラエチルシラン)やCの原料ガスであるCBr4を適切な濃度(流量)で供給する。これにより、高濃度領域31を含むバッファ層30が形成される。
次に、図4および図5を参照して、バッファ層30の、基板20に面する側とは反対側の第1主面30A上に接触するように、たとえばIII-V族化合物半導体であるInAsからなる第1要素層41と、III-V族化合物半導体であるGaSbからなる第2要素層42とが交互に積層して形成されることにより、量子井戸構造40が形成される。量子井戸構造40の形成は、上記バッファ層30の形成に引き続いて有機金属気相成長により実施することができる。すなわち、量子井戸構造40の形成は、バッファ層30の形成の際に用いた装置内に基板20を配置した状態で、原料ガスを変更することにより実施することができる。
InAsからなる第1要素層41の形成では、Inの原料としてたとえばTMIn(トリメチルインジウム)、TEIn(トリエチルインジウム)などを用いることができ、Asの原料としてはたとえばTBAs(ターシャリーブチルアルシン)、TMAs(トリメチル砒素)などを用いることができる。第1要素層41および第2要素層42は、たとえばそれぞれ厚みを3nmとし、第1要素層41と第2要素層42とからなる単位構造が、たとえば100組積層するように形成することができる。これにより、タイプII量子井戸である量子井戸構造40を形成することができる。
次に、図5および図1を参照して、量子井戸構造40の、バッファ層30に面する側とは反対側の主面40A上に接触するように、たとえばIII-V族化合物半導体であるn-InAsからなるコンタクト層50が形成される。コンタクト層50の形成は、上記量子井戸構造40の形成に引き続いて有機金属気相成長により実施することができる。すなわち、コンタクト層50の形成は、量子井戸構造40の形成の際に用いた装置内に基板20を配置した状態で、原料ガスを変更することにより実施することができる。n型不純物としてSiを添加する場合、たとえばTeESiを原料ガスに添加することができる。
以上の手順により、本実施の形態における半導体積層体10が完成する。上述のように、工程(S20)を有機金属気相成長により実施することにより、半導体積層体10の生産効率を向上させることができる。なお、工程(S20)は有機金属原料のみを用いた有機金属気相成長法に限られず、たとえばAsの原料にAsH3(アルシン)、Siの原料にSiH4(シラン)などの水素化物を用いた有機金属気相成長法で実施してもよい。また、有機金属気相成長以外の方法により実施することも可能であって、たとえばMBE法を用いてもよい。
次に、図3を参照して、工程(S30)としてトレンチ形成工程が実施される。この工程(S30)では、図1および図6を参照して、上記工程(S10)~(S20)において作製された半導体積層体10に、コンタクト層50および量子井戸構造40を貫通し、バッファ層30に到達するトレンチ99が形成される。トレンチ99は、たとえばコンタクト層50の主面50A上にトレンチ99の形状に対応する開口を有するマスク層を形成した上で、エッチングを実施することにより形成することができる。
次に、工程(S40)としてパッシベーション膜形成工程が実施される。この工程(S40)では、図6および図7を参照して、工程(S30)においてトレンチ99が形成された半導体積層体10に対し、パッシベーション膜80が形成される。具体的には、たとえばCVD(Chemical Vapor Deposition)により酸化珪素、窒化珪素などの絶縁体からなるパッシベーション膜80が形成される。パッシベーション膜80は、トレンチ99の底壁99B、トレンチ99の側壁99Aおよびコンタクト層50において量子井戸構造40に面する側とは反対側の主面50Aを覆うように形成される。
次に、工程(S50)として電極形成工程が実施される。この工程(S50)では、図7および図2を参照して、工程(S40)においてパッシベーション膜80が形成された半導体積層体10に、p側電極91およびn側電極92が形成される。具体的には、たとえばp側電極91およびn側電極92を形成すべき領域に対応する位置に開口を有するマスクをパッシベーション膜80上に形成し、当該マスクを用いてパッシベーション膜80に開口部81,82を形成する。その後、たとえば蒸着法により適切な導電体からなるp側電極91およびn側電極92を形成する。以上の工程により、本実施の形態における赤外線受光素子1が完成する。その後、たとえばダイシングにより各素子に分離される。
(実施の形態2)
次に、本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態である実施の形態2における受光素子およびセンサについて説明する。図8および図2を参照して、実施の形態2の赤外線受光素子1は、図2に示す構造を単位構造とし、当該単位構造が、基板20の一方の主面20Aが延在する方向に複数繰り返される構造を有している。そして、赤外線受光素子1は、画素に対応する複数のn側電極92を有する。一方、p側電極91は1つだけ配置される。
次に、本発明にかかる半導体装置の他の実施の形態である実施の形態2における受光素子およびセンサについて説明する。図8および図2を参照して、実施の形態2の赤外線受光素子1は、図2に示す構造を単位構造とし、当該単位構造が、基板20の一方の主面20Aが延在する方向に複数繰り返される構造を有している。そして、赤外線受光素子1は、画素に対応する複数のn側電極92を有する。一方、p側電極91は1つだけ配置される。
より具体的には、図8を参照して、実施の形態2の赤外線受光素子1のp側電極91は、基板20が延在する方向における末端に位置するトレンチ99の底壁に形成されている。また、当該末端に位置するトレンチ99に隣接するコンタクト層50上のn側電極92は省略される。本実施の形態における赤外線センサ100は、このような構造を有する赤外線受光素子1と、赤外線受光素子1に電気的に接続された読み出し回路(Read-Out Integrated Circuit;ROIC)70とを含んでいる。読み出し回路70は、たとえばCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)回路である。
読み出し回路70の本体71に設けられた複数の読み出し電極(図示しない)と赤外線受光素子1において画素電極として機能する複数のn側電極92とが、一対一の関係となるようにバンプ73を介して電気的に接続されている。また、赤外線受光素子1には、p側電極91に接触し、p側電極91が位置するトレンチ99の底壁および側壁に沿って延在するとともに、コンタクト層50上にまで到達する配線75が形成される。そして、配線75と読み出し回路70の本体71に設けられた接地電極(図示しない)とがバンプ72を介して電気的に接続されている。このような構造を有することにより、赤外線受光素子1の画素ごとの受光情報が各n側電極92(画素電極)から読み出し回路70の読み出し電極へと出力され、当該受光情報が読み出し回路70において集約されて、たとえば二次元の画像を得ることができる。
バッファ層に高濃度領域を形成することの効果を確認する実験を行った。実験の手順は以下の通りである。上記実施の形態1と同様の手順で、GaSbからなる基板20の(001)面である一方の主面20A上に、GaSbからなりp型不純物としてCを含む厚み500nmのバッファ層30を形成したサンプルを作製した。バッファ層30の成長初期にはSiの原料ガスを供給して、高濃度領域31を形成した(実施例)。また、比較のため、高濃度領域31の形成を省略したサンプルも作製した(比較例)。そして、実施例および比較例のサンプルのバッファ層30の第1主面30A(基板20に面する側とは反対側の主面)をAFM(Atomic Force Microscope)により観察した。観察結果を図9~図12に示す。
図9は、実施例のサンプルにおける一辺2μmの正方形領域のAFM像である。一方、図10は、比較例のサンプルにおける一辺2μmの正方形領域のAFM像である。図9および図10を参照して、比較例のサンプル(図10)では原子ステップに不規則な領域が観察されるのに対し、実施例のサンプルでは原子ステップが規則的となっている。図9の領域における粗さはRMS(Root Mean Square)で0.13nmである。図10の領域における粗さはRMSで0.22nmである。また、図11は、実施例のサンプルにおける一辺10μmの正方形領域のAFM像である。一方、図12は、比較例のサンプルにおける一辺10μmの正方形領域のAFM像である。図11および図12を参照して、比較例のサンプル(図12)では、表面に明らかな凹凸が観察されるのに対し、実施例のサンプルでは、一辺10μmの正方形領域という広範囲においても原子ステップが規則的であり、平坦性に優れていることが分かる。図11の領域における粗さはRMSで0.12nmである。図12の領域における粗さはRMSで0.73nmである。この実験結果から、バッファ層に高濃度領域を形成することにより、優れた表面平坦性を有するバッファ層を形成可能であることが確認される。
上記実施の形態1と同様の手順で、GaSbからなる基板20上に、GaSbからなり、高濃度領域31を含む厚み100nmのバッファ層30を形成し、さらにバッファ層30上に量子井戸構造40を形成したサンプルを作製した。量子井戸構造40は、厚み3.5nmのInAs層、厚み6nmのGaSb層および厚み0.5nmのInSb0.7As0.3の歪補償層からなる積層構造を繰り返し単位とし、当該繰り返し単位を100周期繰り返したものを作製した。量子井戸構造40の成長温度は475℃とした。上記量子井戸構造40は、カットオフ波長6.8μmの受光層として使用可能なものである。そして、得られたサンプルを厚み方向(積層方向)に垂直な面で切断し、断面をTEM(Transmission Electron Microscope)にて観察した。観察結果を図13に示す。
図13を参照して、良好な結晶性を有する量子井戸構造40が形成されていることが確認される。これは、高濃度領域を含むことにより表面平坦性に優れたバッファ層30上に量子井戸構造40が形成されたためであると考えられる。また、基板20とバッファ層30との界面付近には、コントラストの異なる酸化領域29が存在している(酸化領域およびそれに関連する歪みを反映してコントラストの異なる領域として観察されたものと考えられる)。GaSbからなる基板20は、その表面が酸化されやすい。そして、バッファ層30および量子井戸構造40を基板20上に成長させるにあたっては、通常実施されるサーマルクリーニングが実施されたものの、酸化領域が残存したものと考えられる。
図14は、基板20とバッファ層30とからなる半導体積層体のXRD(X-ray Diffraction)分析結果である。図14において、横軸はX線の角度に対応し、縦軸はX線の回折強度に対応する。また、図14において、ピークAは基板20に対応するものであり、ピークBはバッファ層30に対応するものである。基板20とバッファ層30とが同一材料(GaSb)からなるにもかかわらず、バッファ層30に対応するピークBが基板20に対応するピークAとは異なる位置に現れている。これは、基板20の主面20Aに酸化領域が残存しており、基板20の情報がバッファ層30に完全には伝搬していないためであると考えられる。
以上のように、基板20の表面に酸化領域29が残存しているにもかかわらず、高濃度領域31を形成することにより、表面平坦性に優れたバッファ層30を形成することが可能となっている。これは、たとえば以下のようなメカニズムによるものと考えることができる。図15を参照して、基板20の表面に酸化領域29が残存している状態で高濃度領域31を形成する場合、酸化領域29上にSi、Cを含む結晶核35が容易に形成される。この結晶核35から、図16に示すように、結晶が二次元成長することにより高濃度領域31が形成される。このとき、基板20とバッファ層30との格子不整合度が小さい場合、二次元成長への移行がよりスムーズとなる。そして、図17に示すように、高濃度領域31以外の領域が成長することにより、表面平坦性に優れたバッファ層30が得られるものと考えることができる。
基板表面の酸化領域を除去することの効果を確認する実験を行った。具体的には、上記実施の形態1と同様の手順で、GaSbからなる基板20上に、GaSbからなり、高濃度領域31を含む厚み500nmのバッファ層30を形成したサンプルを作製した。ここで、バッファ層30の成長前に、前処理としてのサーマルクリーニングを通常実施される500℃で実施したサンプル、550℃で実施したサンプルおよび600℃で実施したサンプルを作製した。そして、各サンプルのバッファ層30の第1主面30A(基板20に面する側とは反対側の主面)をノマルスキー微分干渉顕微鏡にて観察した。
図18、図19および図20は、それぞれ前処理温度500℃、550℃および600℃のサンプルに対応する。前処理温度を上昇させることにより、酸化領域の除去は進行しているものと考えられる。すなわち、基板20とバッファ層30との界面の酸素濃度は、図18の場合が最も高く、図19および図20の順に低くなっているものと考えられる。
しかしながら、図18~図20から明らかなように、前処理温度を上昇させて酸素濃度をより低減したサンプルは、表面がより荒れている。すなわち、前処理温度を上昇させて酸化領域の除去を進行させることは、表面平坦性の向上という目的に対しては逆効果であることが分かる。この理由としては、たとえば前処理温度を上げることで酸化領域の除去は進行したものの、同時に基板20を構成するGaSbが分解して表面に堆積しやすいSbがクラスター化し、それが起点となって三次元成長した可能性が考えられる。
しかしながら、図18~図20から明らかなように、前処理温度を上昇させて酸素濃度をより低減したサンプルは、表面がより荒れている。すなわち、前処理温度を上昇させて酸化領域の除去を進行させることは、表面平坦性の向上という目的に対しては逆効果であることが分かる。この理由としては、たとえば前処理温度を上げることで酸化領域の除去は進行したものの、同時に基板20を構成するGaSbが分解して表面に堆積しやすいSbがクラスター化し、それが起点となって三次元成長した可能性が考えられる。
以上の実験結果より、酸化領域が残存している場合でも、高濃度領域を含むバッファ層を採用することにより、前処理温度を上げて基板の酸化領域の除去を進行させるよりも優れた表面平坦性が得られることが分かる。バッファ層の表面平坦性は、たとえば一辺10μmの正方形領域のRMSで0.4nm以下、一辺2μmの正方形領域のRMSで0.2nm以下とすることができる。
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、どのような面からも制限的なものではないと理解されるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって規定され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
本願の半導体積層体および半導体装置は、バッファ層の表面平坦性の向上が求められる半導体積層体および半導体装置に、特に有利に適用され得る。
1 赤外線受光素子、10 半導体積層体、20 基板、20A 一方の主面、29 酸化領域、30 バッファ層、30A 第1主面、30B 第2主面、31 高濃度領域、35 結晶核、40 量子井戸構造、40A 主面、41 第1要素層、42 第2要素層、50 コンタクト層、50A 主面、70 読み出し回路、71 本体、72 バンプ、73 バンプ、75 配線、80 パッシベーション膜、81 開口部、82 開口部、91 p側電極、92 n側電極、99 トレンチ、99A 側壁、99B 底壁、100 赤外線センサ
Claims (13)
- III-V族化合物半導体からなる基板と、
前記基板上に形成され、III-V族化合物半導体からなるバッファ層と、
前記バッファ層上に形成され、V族元素としてSbを含むIII-V族化合物半導体からなる層を含む活性層と、を備え、
前記バッファ層において前記基板側の主面を含む領域には、隣接する他の領域よりもSiとCとの合計濃度が高い高濃度領域が形成されている、半導体積層体。 - 前記高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度は5×1018cm-3以上である、請求項1に記載の半導体積層体。
- 前記高濃度領域におけるSiの濃度は5×1018cm-3以上である、請求項2に記載の半導体積層体。
- 前記高濃度領域におけるSiとCとの合計濃度は5×1020cm-3以下である、請求項1~3のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記高濃度領域の厚みは2nm以上50nm以下である、請求項1~4のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記基板の前記バッファ層側の主面を含む領域には、隣接する前記基板の他の領域に比べて酸素濃度の高い酸化領域が形成されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記酸化領域における酸素の濃度は1×1018cm-3以上1×1021cm-3以下である、請求項6に記載の半導体積層体。
- 前記基板と前記バッファ層の前記高濃度領域以外の領域との間の格子不整合度は0.2%以下である、請求項1~7のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記基板と前記バッファ層とは同一のIII-V族化合物半導体からなる、請求項1~8のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記基板および前記バッファ層を構成するIII-V族化合物半導体はGaSb、InP、GaAs、またInAsである、請求項9に記載の半導体積層体。
- 前記活性層は量子井戸構造である、請求項1~10のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 前記バッファ層は有機金属気相成長法により形成されている、請求項1~11のいずれか1項に記載の半導体積層体。
- 請求項1~12のいずれか1項に記載の半導体積層体と、
前記半導体積層体上に形成された電極と、を備える、半導体装置。
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