JP2012009777A - 半導体ウエハおよび半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置１０は、ＧａＳｂ基板１の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷ３を有し、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、半導体ウエハおよび半導体装置に関し、より具体的には、ＧａＳｂ基板上に形成された多重量子井戸構造（ＭＱＷ：Multi Quantum Well）を有する半導体ウエハおよび半導体装置に関するものである。

生体の特定の病巣組織、気体分子などは、近赤外域の長波長側〜赤外域に吸収スペクトルを有するために、近赤外域の中でも波長の長い光を検知できる受光素子は、医療や環境ガス分析で需要が期待できる。そのような要求を満たす受光素子として、たとえばＧａＳｂ基板上に、（ＧａＳｂ／ＩｎＡｓ）を繰り返し積層したタイプ２型のＭＱＷの受光層を形成したフォトダイオードが提案されている（非特許文献１）。この素子では、７７Ｋにおいて波長３μｍ〜１２μｍの光を受光することができる。
また、ＧａＳｂ成長では、Ｇａ原子とＳｂ原子の供給量の比について、Ｓｂ原子を、Ｇａ原子に比べて若干過剰にするのがよいとの提案がなされている（非特許文献２）。

A.Hood, D.Hoffman,B-M.Nguyen, P-Y.Delaunay, E.Michel and M. Razeghi, "Highdifferential resistance type-II InAs/GaSb superlattice photodiodes for thelong-wavelength infrared", Applied Physics letters 89.093506(2006) M.Lee,D.J.Nicholas, K.E.Singer, and B.Hamilton, "A photoluminescence and Hall-effect study of GaSbgrown by molecular-beam epitaxy", Journal of AppliedPhysics 59. 2895 (1986)

普通に、市販のＧａＳｂ基板を購入して、そのＧａＳｂ基板上にタイプ２型（ＧａＳｂ／ＩｎＡｓ）ＭＱＷをエピタキシャル成長すると、その表面には、直径数μｍの欠陥が、多数、生じる。このため、フォトダイオードなどのデバイスを作製できる領域がきわめて狭い範囲に限定される。これらフォトダイオード等では、受光感度を高めるために受光部の面積を広くとることが望ましいが、上記の表面欠陥の生成によってほとんど不可能となる。また、ＧａＳｂ基板の広い範囲に多数のフォトダイオードを集積させたセンサアレイの作製に対しても大きな障害になる。

本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供することを目的とする。

本発明の半導体ウエハまたは半導体装置は、ＧａＳｂ基板の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層されたＭＱＷを有する半導体ウエハまたは半導体装置であって、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする。

上記の構成によって、表面性状が良好な半導体ウエハ、またはこの半導体ウエハを用いた半導体装置を得ることができる。例えば高信頼性、高歩留まりのレーザダイオードや低暗電流のフォトダイオードを得ることができる。
ＧａＳｂ基板上のタイプ２型（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷの表面に生じる欠陥は、中央に直径約１μｍの核が存在し、その周辺で異常成長が発生して形成されたものである。核には正常部と比較してＳｂが高濃度で分布している。ＧａＳｂ結晶は、供給されたＳｂ原子が基板表面に存在するＧａ原子と結合して取り込まれることと、供給されたＧａ原子が表面に存在するＳｂ原子と結合して取り込まれることで成長する。Ｇａ原子とＳｂ原子の供給量の比は、上述のように、Ｓｂ原子の方が若干過剰な程度が最適とされる（非特許文献２）。
しかしＳｂ原子は同じＶ族のＡｓ原子などと比べて基板表面に残留しやすいので、過剰なＳｂ原子同士が基板表面で凝集し、核が形成されたと考えられる。
一般に、結晶成長は、ダングリングボンドが多いことから、テラスと呼ばれる平坦な部分と比べてステップの方が原子の取り込み効率が高い。
ＧａＳｂ基板の面方位を（１００）として（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角を持たせることで、ＧａＳｂ基板の表面のステップにはオフ角度に応じた割合の（１１１）Ａ面が現れる。オフ角の（１１１）Ａ面は、ステップに現れる。すなわち、高さ位置が異なる、テラスである上側の（１００）面と下側の（１００）面との間の壁（崖）として現れる。あとで説明するが（１１１）Ａ面上には、Ｓｂ原子が位置せず、Ｇａ原子のみが位置する。ステップにＧａ原子のみが存在する場合、原料のＳｂ原子が、ステップに取り込まれる可能性が高くなるので、Ｓｂ原子同士で凝集する可能性が低くなり、高濃度Ｓｂの核を形成する確率または頻度は小さくなる。この結果、（１００）面から（１１１）Ａ方向にオフ角をとることで、高濃度Ｓｂの核を有する欠陥の発生を抑制することができる。
一方、（１１１）Ａ方向にオフ角度をとらない場合、たとえば（１１０）面がステップを構成すると、Ｓｂ原子が表面に出る。この結果、供給される原料のＳｂ原子がステップに取り込まれる可能性が低く、高濃度Ｓｂの核発生が低減されず、欠陥が発生しやすくなる。
ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、（１１１）Ａ方向に０．１°以上オフ角度をとらないと、多くのステップを十分高い割合で（１１１）Ａ面とすることができない。すなわちオフ角度が０．１°未満では表面欠陥の抑止には不十分である。しかし、上記のオフ角が１０°を超えると、結晶表面が荒れて光学特性の劣化を生じる。
また、本発明の半導体ウエハまたは半導体装置は、成長法は何でもよく、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法でも、ＯＭＶＰＥ（Organometallic Vapor Phase Epitaxy）法でもよい。

本発明の別の半導体ウエハまたは半導体装置は、ＧａＳｂ基板の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する半導体ウエハまたは半導体装置であって、ＧａＳｂ基板の面方位をＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない面方位とし、かつステップにＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない結晶面を出させるオフ角の方向とすることを特徴とする。これによって、上述の欠陥の生成を抑止することができ、その機構は上述のとおりである。またこれにより例えば高信頼性、高歩留まりのレーザダイオードや低暗電流のフォトダイオードなどの半導体装置を得ることができる。この場合、オフ角度の範囲は、ＧａＳｂ基板表面に生じるステップが実質的にオフ角方向の面で占められる角度以上とし、エピタキシャル成長が可能な角度以下とするのがよい。通常、そのオフ角度は、０．１°以上１０°以下である。
上記の条件を満たすＧａＳｂ基板として、上述の、面方位（１００）・オフ（１１１）Ａ方向に０．１°以上、の他に、面方位（１００）・オフ（１−１−１）Ａ方向に０．１°以上などがある。

ＩｎＡｓとＧａＳｂとの間に、ＩｎＳｂを、１原子層におけるＩｎ原子とＳｂ原子の密度の０．５以上、１．５原子層以下、挿入して一単位の量子井戸を形成し、その一単位の量子井戸を繰り返し積層して多重量子井戸構造を形成してもよい。これによって、品質を向上させることができる。ＩｎＡｓとＧａＳｂとの間に、ＩｎＳｂが、０．５原子層未満挿入されたのでは、品質向上の作用は認められない。一方、１．５層を超えて挿入されると、多重量子井戸構造がＧａＳｂ基板より大きな圧縮歪を受けることで結晶欠陥が増加して暗電流が増大し、長波長域の受光感度が低下する。

上記の半導体ウエハまたは半導体装置では、上記の繰り返し積層の数を５０以上とすることができる。タイプ２型の（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷ、またはＩｎＡｓとＧａＳｂとの間に極薄のＩｎＳｂを間に挟むタイプ２型の（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷでは、ＧａＡｓの価電子帯とＩｎＡｓの伝導帯との間の電子の遷移が利用される。この遷移は、ＩｎＡｓ層とＧａＳｂ層との間で生じる。このため、繰り返し積層の数を増やすことによって、感度向上を得ることができる。繰り返し積層数５０以上とすることで、実用上、利用可能な感度を得ることができる。

上記の半導体装置をフォトダイオードとすることができる。これによって表面欠陥を抑制した半導体ウエハを用いて、波長３μｍ〜１２μｍの光を高感度で、低い暗電流のもとで受光することができる。

本発明によれば、ＧａＳｂ基板を用いて、表面性状の良好なＭＱＷが形成された半導体ウエハ等を得ることができる。

本発明の実施の形態における半導体装置であるフォトダイオードを示す図である。 図１のフォトダイオードを製造するために用いる、本発明の実施の形態における半導体ウエハを示す図である。 ＧａＳｂの結晶構造を示す図であり、（ａ）は結晶構造における（１１１）Ａ面を示す、（ｂ）はその（１１１）Ａ面にＳｂ原子が載らないことを説明するための図である。 実施例における本発明例１の表面性状を示す光学顕微鏡像である。 実施例における比較例１の表面性状を示す光学顕微鏡像である。 実施例における本発明例２および比較例２のフォトダイオードの暗電流を示す図である。

図１は本発明の実施の形態における半導体装置である受光素子１０を示す断面図である。また、図２は、上記の半導体装置を作製するのに用いた半導体ウエハ１０ａを示す断面図である。図１および図２において、エピタキシャル積層体は、次の構成からなる。
ｐ型ＧａＳｂ基板１／Ｂｅドープしたｐ型ＧａＳｂバッファ層２／タイプ２型の（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷ受光層３／Ｓｉドープしたｎ型ＩｎＡｓコンタクト層４
ｐ型ＧａＳｂ基板は、面方位（１００）であって、（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角度がつけられている点が重要である。その理由は、このあと詳しく説明する。
エッチングにより露出させたｐ型ＧａＳｂバッファ層２にはｐ側電極１２が、またｎ型ＩｎＡｓコンタクト層４にはｎ側電極１１が、オーミック接触するように設けられている。ｎ側電極１１は画素電極であり、ｐ側電極１２はグランド電極である。図１では、画素は一つであるが、画素を複数配列したフォトダイオードアレイの場合、画素電極１１が多数配列され、グランド電極１２は共通に一つ設けられる。本発明の半導体装置におけるフォトダイオードは、画素は１つまたは２つ以上を対象としており、フォトダイオードアレイを含むものである。
一つの画素の受光素子１０であっても、ｎ側電極の周囲のｎ型ＩｎＡｓコンタクト層をエッチングによりメサエッチングしてメサ形状としている。多数の画素が配列されたフォトダイオードアレイの場合、上記のメサエッチングと同様にエッチングによってフォトダイオード間に溝を形成するのがよい。これによって、フォトダイオード間のクロストーク等を防止することができる。フォトダイオード間に溝を設けずに、コンタクト層４の表面に選択拡散マスクパターンを設けて、画素に対応する開口部からＭＱＷ３の上部に到達するように、ｎ型不純物を選択拡散することで、各フォトダイオードの独立性を確保してもよい。選択拡散されていない領域によって各画素を隔てることになる。メサエッチングによって結晶は損傷を受けるので、暗電流等を非常に低くすることが望ましい場合には、選択拡散によって画素を形成することが望ましい。

半導体装置である受光素子１０の製造方法は次のとおりである。アンドープのｐ型ＧａＳｂ基板１上にエピタキシャル構造が成長されている。ＧａＳｂ基板１はアンドープの状態で十分高いｐ型キャリアを含んでいる。このＧａＳｂ基板１上にＧａＳｂバッファ層２を成長する。成長方法は、ＭＢＥ法を用いるのがよいが、他の成長方法であってもよい。膜厚は０．３μｍ〜５μｍ程度とし、ｐ型不純物としてＢｅをドーピングして、ｐ型キャリア濃度を０．５Ｅ１８ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３とするのがよい。ｐ型ＧａＳｂバッファ層２上に、受光層であるタイプ２型（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷ３を成長する。ＩｎＡｓ層は膜厚１ｎｍ〜８ｎｍ、またＧａＳｂ層は１ｎｍ〜８ｎｍ程度として、繰り返し周期数は５０以上、望ましくは１００以上とする。また上限は５００以下とするのがよい。繰り返し周期数を高くすることで、ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ界面の数を多くして受光感度を向上させることができる。タイプ２型（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷ３の上に、Ｓｉをドープしながらｎ型ＩｎＡｓコンタクト層４を、膜厚０．０１μｍ〜３μｍ程度成長する。ｎ型キャリア濃度は５Ｅ１７ｃｍ^−３〜１Ｅ１９ｃｍ^−３程度とするのがよい。次いで、ｎ型ＩｎＡｓコンタクト層４上にｎ側電極１１を、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕによってオーミック接触するように形成する。またｐ型ＧａＳｂバッファ層２が露出するようエッチングを施し、ｐ側電極１２をｐ型ＧａＳｂバッファ層２上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによってオーミック接触するように形成する。

＜本発明の特徴＞
１．エピタキシャル成長
一般に、結晶成長がなされる単結晶の表面は、完全な平坦面ではなく、ステップと呼ばれる階段状の部分が生じている。階段以外の部分はテラスと呼ばれほぼ平坦面であり、上記の面方位（１００）の場合には、平坦面は（１００）面となる。このような単結晶の表面に、結晶膜をエピタキシャル成長させるとき、原料を、分子線（ＭＢＥ法の場合）または有機金属分子ガス（ＯＭＶＰＥ法の場合）の形態で供給する。これらの原料は、単結晶表面において原子に分離されて、表面エネルギが低い、ステップに付着して成長してゆく。ステップに付着するのは、熱力学的にエネルギが低い状態を維持することができるからである。したがって、エピタキシャル成長の初期では、供給された原料からの原子は、まず、ほぼすべてステップに集中し、ステップから上記の平坦面に広がって、一層または複数層を成長させてゆく。
２．本発明におけるＧａＳｂ基板
本発明では、ＧａＳｂ基板１に、面方位が（１００）であり、（１１１）Ａ方向に所定範囲の角度のオフ角度をつけたものを用いる。（１１１）Ａ方向にオフ角度をつけることは、ＧａＳｂ基板の表面に、（１１１）Ａ面がオフ角度に応じて混入してくることを意味する。上記のＧａＳｂ基板１は、主要な面方位（１００）は上記の平坦面を形成している。このような主要な平坦面に対する、このような別の面方位の面の混入は、ステップが当該別の面方位の面で形成されることを意味する。そのほうが熱力学的に安定だからである。ステップが（１１１）Ａ面で形成されると、次に示す理由によってＳｂ原子の凝集が生じにくい。

図３は、ＧａＳｂの結晶構造を示す図であり、（ａ）は結晶構造における（１１１）Ａ面を示す、（ｂ）はその（１１１）Ａ面にＳｂ原子が載らないことを説明するための図である。ステップが（１１１）Ａ面で形成されるとき、図３（ｂ）に示すように、ステップにＳｂ原子が出ない。このため、供給されるＳｂ原子は、ＧａＳｂ基板のステップに取り込まれる確率が高く、所定の結晶の構成部分となってエピタキシャル結晶層を成長させやすい。

これに比べて、オフ角度がなく、ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）ジャスト基板であった場合、どのようなことが生じるか。過剰なＳｂ原子が基板表面に残留し、Ｓｂ原子同士が凝集して上述の高濃度Ｓｂの核を形成する。高濃度Ｓｂの核は径が１μｍ程度あり、核の周辺で異常成長が起こり、数μｍに達する大きな欠陥に成長する。

本発明では、面方位（１００）面に対して、（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角度をつける。オフ角度が大きいほど、（１１１）Ａ面で形成されるステップは多く生じ、このような（１１１）Ａ面のステップの比率が大きくなる。面方位（１００）と、オフ角方向（１１１）Ａとの組み合わせ以外に、平坦面（テラス）およびステップにＳｂ原子が出ない、面方位とオフ角方向の組み合わせがあれば、そのような組み合わせについても、上記の説明にあるように、本発明の範囲に含まれる。たとえば、面方位（１００）・オフ（１−１−１）Ａ方向に０．１°以上、などがこれに該当する。

次に、実施例によって本発明の効果を検証した。試験体には、図２に示す半導体ウエハと、図１に示す形状のフォトダイオードを用いた。試験体は、次の４試験体である。
＜試験体＞
（本発明例１−半導体ウエハ−）： 面方位（１００）で、（１１１）Ａ方向に０．３５°のオフ角を持つアンドープＧａＳｂ基板を用いた。このアンドープＧａＳｂ基板上にＢｅをドーピングしながらＧａＳｂバッファ層を膜厚１μｍに成長した。成長法は、ＭＢＥ法を用いた。本実施の形態では、以後、すべてＭＢＥ法によって成長を行った。Ｂｅによるｐ型キャリア濃度は１Ｅ１８ｃｍ^−３とした。次いで、このＧａＳｂバッファ層上に、受光層としてタイプ２型のＩｎＡｓ／ＧａＳｂＭＱＷを成長した。ＩｎＡｓ層の膜厚は１２ＭＬ（３．６ｎｍ）とし、ＧａＳｂ層の膜厚は７ＭＬ（２．１ｎｍ）とした。繰り返し数（周期数）は２００とした。このＭＱＷの上にｎ型キャリアのＳｉをドープしたＩｎＡｓコンタクト層を膜厚３０ｎｍに成長した。ｎ型キャリア濃度は１Ｅ１８ｃｍ^−３とした（図２参照）。
（本発明例２−フォトダイオード−）： 本発明例１の半導体ウエハに処理を施し、エッチングにより露出させたＧａＳｂバッファ層と、コンタクト層とに、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる電極を形成した。コンタクト層上の電極の周辺をＧａＳｂバッファ層に到達するまでウェットエッチングしてメサ形状として、図１に示すフォトダイオードを作製した。
（比較例１−半導体ウエハ−）： 面方位（１００）で、オフ角のないアンドープＧａＳｂ基板を用いた。このアンドープＧａＳｂ基板上に、本発明例１と同様の方法によってＭＱＷを積層した。
（比較例２−フォトダイオード−）： 比較例１の半導体ウエハを用いて、本発明例２と同様の処理によってフォトダイオードを作製した。
＜試験＞
次の２項目について試験を行った。
１．半導体ウエハに対する表面性状調査
２．フォトダイオードにおける暗電流の測定（液体窒素温度７７Ｋ）

＜試験結果＞
１．表面性状
半導体ウエハの表面の光学顕微鏡による画像を図４および図５に示す。図４は、本発明例１の半導体ウエハの表面の画像であり、図５は比較例１の半導体ウエハの表面の画像である。一見して、比較例１では、高密度に欠陥ができているのに比べて、本発明例１では、欠陥の密度は非常に低い。画像処理によって欠陥の表面密度を求めた結果を、表１に示す。

表１によれば、比較例１では、欠陥の密度は、約７．６Ｅ５ｃｍ^−２であったのに比べて、本発明例１では、１Ｅ５ｃｍ^−２まで、ほとんど１オーダー低くなっている。これは、面方位（１００）で、（１１１）Ａ方向にオフ角をつけたＧａＳｂ基板を用いたことによる。
２．暗電流
図６にフォトダイオードの暗電流の測定結果を示す。比較例２のフォトダイオードでは、バイアス電圧−０．７Ｖで暗電流が１．０Ｅ＋０１（Ａｃｍ^−２）程度ある。これに対して、本発明例２では、１．０Ｅ０（Ａｃｍ^−２）へと、ほど１オーダー低くなる。暗電流は、表面性状に大きく影響され、図５のように高い表面欠陥密度では、暗電流はとうぜん高くなることが予想され、その通りの結果が得られた。

上記において、本発明の実施の形態および実施例について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態および実施例は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。

本発明の半導体ウエハ等によれば、ＧａＳｂ基板を用いて、表面性状に優れたタイプ２型（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷを得ることができ、波長３μｍ〜１２μｍに感度をもつ、暗電流の低いフォトダイオード等を得ることができる。

１ ｐ型ＧａＳｂ基板、２ ｐ型ＧａＳｂバッファ層、３ タイプ２型（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）ＭＱＷ受光層、４ ｎ型ＩｎＡｓコンタクト層、１０ フォトダイオード、１０ａ 半導体ウエハ、１１ ｎ側電極、１２ ｐ側電極。

Claims (9)

1. ＧａＳｂ基板の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する半導体ウエハであって、
   前記ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする、半導体ウエハ。
2. ＧａＳｂ基板の上に、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する半導体ウエハであって、
   前記ＧａＳｂ基板の面方位をＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない面方位とし、かつステップにＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない結晶面を出させるオフ角の方向とすることを特徴とする、半導体ウエハ。
3. 前記ＩｎＡｓとＧａＳｂとの間に、ＩｎＳｂが、１原子層におけるＩｎ原子とＳｂ原子の密度の０．５以上、１．５原子層以下、挿入されて一単位の量子井戸を形成し、その一単位の量子井戸が繰り返し積層されて多重量子井戸構造を形成していることを特徴とする、請求項１または２に記載の半導体ウエハ。
4. 前記繰り返し積層の数が５０以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ。
5. ＧａＳｂ基板と、
   前記ＧａＳｂ基板の上に位置する、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造とを備え、
   前記ＧａＳｂ基板の面方位が（１００）であり、かつ（１１１）Ａ方向に０．１°以上１０°以下のオフ角がついていることを特徴とする、半導体装置。
6. ＧａＳｂ基板と、
   前記ＧａＳｂ基板の上に位置する、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造とを備え、
   前記ＧａＳｂ基板の面方位をＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない面方位とし、かつステップにＧａ原子のみが位置してＳｂ原子が出ない結晶面を出させるオフ角の方向とすることを特徴とする、半導体装置。
7. 前記ＩｎＡｓとＧａＳｂとの間に、ＩｎＳｂが、１原子層のＩｎとＳｂの数の０．５以上、１．５原子層以下、挿入されて一単位の量子井戸を形成し、その一単位の量子井戸が繰り返し積層されて多重量子井戸構造を形成していることを特徴とする、請求項５または６に記載の半導体装置。
8. 前記繰り返し積層の数が５０以上であることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 前記半導体装置がフォトダイオードであることを特徴とする、請求項５〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
   

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