CN104465849B - 半导体光检测装置 - Google Patents

半导体光检测装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104465849B
CN104465849B CN201410490656.6A CN201410490656A CN104465849B CN 104465849 B CN104465849 B CN 104465849B CN 201410490656 A CN201410490656 A CN 201410490656A CN 104465849 B CN104465849 B CN 104465849B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light absorbing
nitride
nitride layer
low current
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410490656.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104465849A (zh
Inventor
朴起延
金华睦
李圭浩
李晟贤
金亨奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Viosys Co Ltd
Original Assignee
Seoul Viosys Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Viosys Co Ltd filed Critical Seoul Viosys Co Ltd
Publication of CN104465849A publication Critical patent/CN104465849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104465849B publication Critical patent/CN104465849B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03044—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds comprising a nitride compounds, e.g. GaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L31/03046—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP
    • H01L31/03048—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including ternary or quaternary compounds, e.g. GaAlAs, InGaAs, InGaAsP comprising a nitride compounds, e.g. InGaN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1844—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P
    • H01L31/1848—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising ternary or quaternary compounds, e.g. Ga Al As, In Ga As P comprising nitride compounds, e.g. InGaN, InGaAlN
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/184—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP
    • H01L31/1856—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIIBV compounds, e.g. GaAs, InP comprising nitride compounds, e.g. GaN
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

公开了一种半导体光检测装置和及其制造方法。所述半导体光检测装置包括：基底；第一氮化物层，设置在基底上；低电流阻挡层，设置在第一氮化物层上并包括多层结构；光吸收层，设置在低电流阻挡层上；肖特基结层，设置在光吸收层上。因此，本发明可以提供具有高的光检测效率的光检测装置。

Description

半导体光检测装置
技术领域
本发明涉及一种半导体光检测装置。更具体地讲，本发明涉及一种对特定波长的光具有优异的检测效率的半导体光检测装置。
背景技术
半导体光检测装置基于通过照明光来感生电流的原理而工作。具体地讲，用来检测UV光的半导体光检测装置由于应用在诸如商业、医学、军火工业、通信等多种领域而变得重要。半导体光检测装置基于以下原理：根据光子的吸收通过电子和空穴在半导体内的分离形成耗尽区域，因此根据电子的流动而感生出电流。
在本领域中，通常使用利用硅的半导体光检测装置。然而，这种半导体光检测装置要求高的操作电压并且具有低的检测效率。具体地，当利用硅来制造用于检测UV光的半导体光检测装置时，由于硅的特性不但对UV光敏感而且对可见光和红外光敏感，导致光检测效率降低。另外，利用硅的UV光检测装置具有热不稳定性和化学不稳定性。
为了解决这个问题，已经开发出利用氮化物基半导体的光检测装置。与利用硅的光检测装置相比，利用氮化物基半导体的光检测装置具有高响应率、高反应速率、低噪声水平以及高的热稳定性和化学稳定性。利用氮化物基半导体中的AlGaN作为光吸收层的光检测装置显示出作为UV光检测装置的优异的特性。
氮化物基半导体光检测装置被制造成诸如光导体、肖特基结光检测装置和p-i-n光检测装置等的多种结构。在各种形式的氮化物基半导体光检测装置中，肖特基结光检测装置包括基底、位于基底上的缓冲层、位于缓冲层上的光吸收层以及位于光吸收层上的肖特基结层。另外，第一电极和第二电极分别布置在肖特基结层和缓冲层或光吸收层上。为了将肖特基结光检测装置用作UV光检测装置，光吸收层由具有能够吸收UV光的带隙能量的氮化物基半导体形成。因此，AlGaN经常被用作构成光吸收层的半导体物质。GaN层通常用作缓冲层。
然而，在包括AlGaN光吸收层和GaN缓冲层的结构中，当AlGaN光吸收层具有25％或更多的Al组分或者具有0.1μm或更大的厚度时，在光吸收层中产生裂纹，从而导致成品率降低。为了防止在光吸收层开裂，在GaN缓冲层和AlGaN光吸收层之间设置AlN层。然而，即使在这种情形下，由于AlN层的高能带间隙和绝缘特性，也导致光检测响应降低。具体地，当AlN层的厚度小于大约时，可以改善光检测特性，但却难以完全防止裂纹，而当AlN层的厚度超过大约时，可以防止裂纹，但光检测特性却劣化。
另外，在常用的氮化物基半导体光检测装置中用作光吸收层的GaN层、InGaN层和AlGaN层具有固有缺陷，并且由于这样的缺陷使得电流响应于可见光而不是UV光在装置中流动。在半导体光检测装置的响应特性方面，测得大约103的低UV-可见光抑制比。即，常用的半导体光检测装置使低电流响应于可见光而不是UV光流动，从而使检测准确性劣化。
发明内容
本发明的多个方面提供一种对于要检测的特定波长范围内的光(特别是UV光)具有高的光检测效率的光检测装置。
本发明的其他方面提供一种包括具有优异结晶度的光吸收层和具有针对UV光的高的光检测效率的光检测装置。
本发明的附加方面将在下面的描述中进行说明，并部分地根据描述将是明显的，或者可以由本发明的实施而了解。
根据本发明的一方面，一种光检测装置包括：基底；第一氮化物层，设置在基底上；低电流阻挡层，设置在第一氮化物层上并包括多层结构；光吸收层，设置在低电流阻挡层上；肖特基结层，设置在光-吸收层上。
低电流阻挡层可以具有比光吸收层的缺陷浓度高的缺陷浓度。因此，可以防止电流通过除了将要被检测的光之外的光感生。
低电流阻挡层可以在比光吸收层的生长温度低30℃至200℃的温度下生长。
光吸收层可以包括AlGaN层、InGaN层、AlInGaN层和GaN层中的至少一种。
多层结构可以包括包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物层中的至少一种，并且多层结构可以通过重复地堆叠具有不同组成比的至少两个氮化物层来形成。
光吸收层可以具有0.1μm至0.5μm的厚度。
低电流阻挡层可以具有10nm至100nm的厚度。
所述光检测装置还可以包括设置在基底和第一氮化物层之间的第二氮化物层，其中，第二氮化物层可以在比第一氮化物层的生长温度低的温度下生长。
第一氮化物层可以包括GaN层，并且GaN层可以是未掺杂的GaN层或n型掺杂的GaN层。
所述光检测装置还可以包括设置在光吸收层和肖特基结层之间的盖层，其中，盖层可以包括掺杂Mg的氮化物层。
所述光检测装置还可以包括：第一电极，设置在肖特基结层上；第二电极，设置在第一氮化物层的通过部分地去除光吸收层和低电流阻挡层而形成的暴露区域上。
所述光检测装置可以具有104或更高的UV-可见光抑制比(可见光的峰值波长是600nm)。
根据本发明的另一方面，一种制造光检测装置的方法包括：在基底上形成第一氮化物层；在第一氮化物层上形成包括多层结构的低电流阻挡层；在低电流阻挡层上形成光吸收层；在光吸收层上形成肖特基结层，其中，在比光吸收层的生长温度低的温度下生长低电流阻挡层。
可以在比光吸收层的生长温度低30℃至200℃的温度下生长低电流阻挡层。
光吸收层可以包括AlGaN层、InGaN层、AlInGaN层和GaN层中的至少一种。
多层结构可以包括包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物层中的至少一种，并且可以通过重复地堆叠具有不同组成比的至少两个氮化物层来形成多层结构。
可以在不同压强下生长所述至少两个氮化物层。
在生长所述至少两个氮化物层时，可以保持形成所述至少两个氮化物层的源的温度和流入速率恒定。
所述方法还可以包括：在形成第一氮化物层之前，在基底上形成第二氮化物层，其中，可以在比第一氮化物层的生长温度低的温度下生长第二氮化物层。
所述方法还可以包括：在形成肖特基结层之前，在光吸收层上形成包括掺杂Mg的氮化物层的盖层。
所述方法还可以包括：在形成肖特基结层之前，通过部分地去除光吸收层和低电流阻挡层而部分地暴露第一氮化物层。
所述方法还可以包括：形成设置在肖特基结层上的第一电极以及设置在第一氮化物层的暴露区域上的第二电极。
如上所述，本发明提供一种借助低电流阻挡层而对可见光具有低响应率的光检测装置。因此，所述光检测装置可以具有高的UV可见光抑制比并且可以实现高的光检测效率和可靠性。
另外，本发明提供一种包括具有优异结晶度的光吸收层并且可以防止通过与可见光反应而感生的微电流的光检测装置。
要理解的是，前面的总体描述和后面的详细描述均是示例性和解释性的，并意图提供对所要求保护的本发明的进一步解释。
附图说明
附图示出了本发明的示例性实施例，并且与描述一起用来解释本发明的原理，其中，包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分。
图1和图2分别是根据本发明的示例性实施例的光检测装置的剖视图和俯视图；
图3至图8是示出根据本发明的其他示例性实施例的制造光检测装置的方法的剖视图；以及
图9是示出根据本发明实验示例的光检测装置的特性的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述本发明的实施例。提供下面的实施例作为示例，以将本发明的精神充分地传达给本发明所属领域的技术人员。因此，本发明不限于这里公开的实施例，并且还可以以不同的形式来实施。在附图中，为了方便起见可能夸大了元件的宽度、长度和厚度等。另外，当元件被称作“在”另一元件“上方”或“上”时，该元件可以“直接在”另一元件“上方”或“上”，或者可能存在中间元件。将理解的是，出于本公开的目的可以将“X、Y和Z中的至少一种(个)”解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y和Z中的两项或更多项的任意组合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。在整个说明书中，同样的附图标记指示具有相同或类似功能的同样的元件。
对于在下文中公开的半导体层，以组成比、生长方法、生长条件和厚度等作为示例进行了说明，并且下面的描述不限制本发明。例如，对于AlGaN而言，根据本领域技术人员的需要可以使用Al和Ga的各种组成比。此外，在下文中公开的半导体层可以通过本领域技术人员普遍公知的诸如金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)或氢化物气相外延(HVPE)等的各种方法来生长。在下面的实施例中，半导体层在同一室中通过MOCVD来生长，并且可以使用本领域技术人员所知的根据组成比的源作为引入到室中的源。然而，应该理解的是，本发明不限于此。
图1和图2分别是根据本发明的一个实施例的光检测装置的剖视图和俯视图。
参照图1和图2，根据本发明的示例性实施例的光检测装置包括基底110、第一氮化物层130、低电流阻挡层140、光吸收层150和肖特基结层160。另外，光检测装置还可以包括第二氮化物层120、第一电极171和第二电极173。
基底110设置在装置的下侧，能使半导体层在其上生长的任何基底可以用作基底110。例如，基底110可以包括蓝宝石基底、SiC基底、ZnO基底以及诸如GaN基底和AlN基底的氮化物基基底。在本实施例中，基底110可以是蓝宝石基底。
第一氮化物层130可以设置在基底110上。第一氮化物层130可以包括例如GaN层的氮化物基半导体层。第一氮化物层130可以掺杂有诸如Si的杂质以具有n型性质，或者可以不掺杂。即使处于未掺杂的状态，氮化物基半导体也可以具有n型半导体的特性，因此可以按需要来确定氮化物基半导体的掺杂。当第一氮化物层130掺杂有Si杂质以具有n型性质时，Si的掺杂浓度可以是1×108原子/cm3或更小。第一氮化物层130可以具有大约2μm的厚度。
还可以在第一氮化物层130和基底110之间设置第二氮化物层120。第二氮化物层120可以包含与第一氮化物层130所包含的物质类似的物质，例如，可以包括GaN层。第二氮化物层120可以具有大约25nm的厚度，并且可以在比第一氮化物层130的生长温度低的温度(例如，500℃至600℃)下生长。第二氮化物层120可以用于增强第一氮化物层130的结晶度，从而可以借助第二氮化物层120来改善第一氮化物层130的光学特性和电学特性。此外，当基底110是诸如蓝宝石的异质基底时，第二氮化物层120也可以用作其上能够生长第一氮化物层130的种子层。
低电流阻挡层140设置在第一氮化物层130上并可以具有多层结构。
多层结构可以包括包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物半导体层中的至少一种，另外，多层结构还可以具有至少两个具有不同组成比的氮化物层堆叠的结构。此时，每个氮化物层可以具有5nm至10nm的厚度。此外，多层结构可以具有组成比不同的3对至10对氮化物层堆叠的结构。
可以根据光吸收层150中的氮化物层的组成来确定将要堆叠在多层结构中的氮化物半导体层。例如，当光吸收层150包括AlGaN层时，多层结构可以具有AlN层/AlGaN层或AlGaN层/AlGaN层重复地堆叠的结构。此外，当光吸收层150包括InGaN层时，多层结构可以具有InGaN层/InGaN层、GaN层/InGaN层或AlInGaN层/AlInGaN层重复地堆叠的结构，而当光吸收层150包括GaN层时，多层结构可以具有GaN层/InGaN层、InGaN层/InGaN层或GaN层/GaN层重复地堆叠的结构。
可以通过在不同压强下生长氮化物层来获得具有不同组成比的氮化物层的堆叠结构。例如，使AlxGa(1-x)N层在大约100托的压强下生长，并且使AlyGa(1-y)N层在大约400托的压强下生长，以形成AlxGa(1-x)N层和AlyGa(1-y)N层重复地堆叠的多层结构。当除压强之外的生长条件相同时，在较低压强下生长的AlxGa(1-x)N层可以具有比在较高压强下生长的AlyGa(1-y)N层高的Al比例。
如此，在不同压强下生长的氮化物层可以因生长压强的差异而具有不同的生长速率。由于氮化物层以不同的生长速率生长，因此在生长的过程中可以防止位错的传播或者可以改变位错的传播路径，从而减小在后续工艺中将要生长的其他半导体层中的位错浓度。另外，当重复堆叠的层的组成比不同时，可以缓解由晶格失配引起的应力，从而在防止诸如裂纹等的损坏的同时增强在后续工艺中将要生长的其他半导体层的结晶度。具体地讲，当在低电流阻挡层140上生长Al比例为15％或更多的AlGaN层时，可以有效防止AlGaN层中的裂纹，从而解决相关技术中在AlN层或GaN层上形成AlGaN层时的裂纹问题。根据本发明的实施例，由于包括多层结构的低电流阻挡层140形成在光吸收层150下面，因此光吸收层150可以具有增强的结晶度而其内不再产生裂纹。当光吸收层150具有优异的结晶度时，可以改善光检测装置的量子效率。
低电流阻挡层140的缺陷浓度会比光吸收层150的缺陷浓度高。这可以通过与光吸收层150相比低电流阻挡层140在较低的温度下生长而获得的。例如，光吸收层150可以在大约1050℃的温度下生长，而低电流阻挡层140可以在比光吸收层150的生长温度低30℃至200℃的温度下生长。当低电流阻挡层140在比光吸收层150的生长温度低大于200℃的温度下生长时，形成在低电流阻挡层140上的光吸收层150的结晶度会迅速降低，从而导致光吸收层150的量子效率劣化。因此，期望的是，低电流阻挡层140在比光吸收层150的生长温度低30℃至200℃的温度下生长。当低电流阻挡层140在比光吸收层150的生长温度低的温度下生长时，低电流阻挡层140与光吸收层150相比可以具有相对高的缺陷(诸如，位错和空位)浓度。将在下面详细描述低电流阻挡层140的低电流阻挡。
返回参照图1，光吸收层150设置在低电流阻挡层140上。
光吸收层150可以包括例如GaN层、InGaN层、AlInGaN层和AlGaN层中的至少一种的氮化物半导体层。由于氮化物半导体层的能带间隙根据第III族元素的类型来确定，因此可以基于通过光检测装置将要检测的光的波长来确定用于光吸收层150的氮化物半导体的物质。例如，用于检测UVA带中的UV光的光检测装置可以包括包含GaN层或InGaN层的光吸收层150，用于检测UVB带中的UV光的光检测装置可以包括含有Al比例为28％或更少的AlGaN层的光吸收层150，用于检测UVC带中的UV光的光检测装置可以包括含有Al比例为28％至50％的AlGaN层的光吸收层150。然而，应该理解的是，本发明不限于此。
光吸收层150可以具有大约0.1μm至大约0.5μm的厚度，可以形成为0.1μm或更大的厚度以改善光检测效率。在相关技术中，由于光吸收层150形成在AlN层或GaN层上，所以当包括Al比例为15％的AlGaN层的光吸收层150形成为0.1μm或更大的厚度时，光吸收层150很可能遭受裂纹。因此，由于光吸收层150的0.1μm或更小的小厚度而导致装置制造成品率和光检测效率低下。相比之下，根据本发明，由于光吸收层150形成在包括多层结构的低电流阻挡层140上，因此可以防止光吸收层150中的裂纹，从而可以制造厚度为0.1μm或更大的光吸收层150。因此，根据本发明的光检测装置具有高的光检测效率。
肖特基结层160设置在光吸收层150上。肖特基结层160和光吸收层150可以彼此进行肖特基接触，肖特基结层160可以包括氧化铟锡(ITO)、Ni、Co、Pt、W、Ti、Pd、Ru、Cr和Au中的至少一种。肖特基结层160的厚度可以根据透光率和肖特基特性而调整，例如，可以是10nm或更小。
另外，光检测装置还可以包括位于肖特基结层160和光吸收层150之间的盖层(未示出)。盖层可以是包含诸如Mg的杂质的p型掺杂的氮化物半导体层。盖层可以具有100nm或更小的厚度，优选为5nm或更小。盖层可以改善装置的肖特基特性。
返回参照图1，光检测装置可以包括第一氮化物层130的通过部分地去除光吸收层150和低电流阻挡层140而形成的暴露区域。第二电极173可以设置在第一氮化物层130的暴露区域上，并且第一电极171可以设置在肖特基结层160上。
第一电极171可以是包括多个层的金属电极。例如，第一电极171可以具有Ni层和Au层堆叠的结构。第二电极173可以与第一氮化物层130形成欧姆接触并且可以包括多个金属层。例如，第二电极173可以具有Cr层、Ni层和Au层堆叠的结构。然而，本发明不局限于前述的实施例。
在下文中，将根据光检测装置的工作原理更详细地描述低电流阻挡层140的作用。
利用连接到光检测装置的第一电极171和第二电极173的外部电源，在不向其施加电压或者向其施加反向电压的状态下准备光检测装置。当光照射到准备好的光检测装置时，光吸收层150吸收光。当肖特基结层160形成在光吸收层150上时，在肖特基结层160和光吸收层150之间的界面处形成电子-空穴分离区域(即，耗尽区域)。通过照明光产生的电子感生电流，并且通过测量感生的电流来执行光检测功能。
例如，当光检测装置是UV光检测装置时，理想的UV光检测装置具有无穷大的UV-可见光抑制比。然而，在常用的UV光检测装置中，由于光吸收层中的缺陷，导致光吸收层也响应于可见光，从而产生电流。因此，常用的光检测装置具有103或更小的UV-可见光抑制比，从而导致光学测量中的误差。
相比之下，对于根据本发明的光检测装置而言，低电流阻挡层140捕获了由可见光在光吸收层150中产生的电子，以防止装置被可见光驱动。如上所述，低电流阻挡层140在比光吸收层150的生长温度低的温度下生长而具有较高的缺陷浓度。由可见光产生的电子比由UV光产生的电子少得多，从而即使在低电流阻挡层140中存在缺陷，也有效地防止了电子的移动。即，低电流阻挡层140具有比光吸收层150的缺陷浓度高的缺陷浓度，从而防止了由可见光产生的电子的移动。由于照射到光吸收层150上的UV光产生的电子比可见光产生的电子多很多，所以这些电子可以使电流在装置中流动而不会被低电流阻挡层140所捕获。因此，由于对可见光的响应率低，所以本发明的光检测装置可以具有比常用的UV光检测装置的UV-可见光抑制比高的UV-可见光抑制比。具体地讲，本发明的光检测装置具有104或更大的UV-可见光抑制比。因此，本发明可以提供具有高检测效率和高可靠性的光检测装置。
图3至图8是示出根据本发明的一个实施例的制造光检测装置的方法的剖视图。在本实施例中，将省略对与参照图1和图2描述的组件相同的组件的详细描述。
首先，参照图3，可以在基底110上形成第二氮化物层120。
第二氮化物层120可以包括氮化物半导体，并可以通过MOCVD来生长。例如，通过将Ga源和N源注入到550℃和100托的室中来生长第二氮化物层120。因此，第二氮化物层120可以包括在低温下生长的GaN层。可以将第二氮化物层120生长为大约25nm的厚度。在低温下生长为小厚度的第二氮化物层120能够在后续工艺中对第一氮化物层130赋予优异的结晶度以及光学特性和电学特性。
接着，参照图4，通过MOCVD在第二氮化物层120上形成第一氮化物层130。
第一氮化物层130可以包括氮化物半导体，并通过MOCVD来生长。例如，可以通过将Ga源和N源注入到1050℃和100托的室中来生长第一氮化物层130。结果，第一氮化物层130可以包括在高温下生长的GaN层。此外，第一氮化物层130可以包括在其生长期间通过将Si源额外地注入到室中而获得的n型掺杂的GaN层，或者可以包括未掺杂的GaN层。可以将第一氮化物层130生长为大约2μm的厚度。
参照图5，在第一氮化物层130上形成低电流阻挡层140。
低电流阻挡层140可以包括多层结构。这里，可以通过重复地堆叠包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物层中的至少一种来形成多层结构。多层结构可以包括具有不同组成比的至少两个氮化物层。可以根据光吸收层150中的氮化物层的组成来确定将要堆叠在多层结构中的氮化物层。例如，当光吸收层150包括AlGaN层时，多层结构可以具有AlN层/AlGaN层或AlGaN层/AlGaN层重复堆叠的结构。此外，当光吸收层150包括InGaN层时，多层结构可以具有InGaN层/InGaN层、GaN层/InGaN层或AlInGaN层/AlInGaN层重复地堆叠的结构，而当光吸收层150包括GaN层时，多层结构可以具有GaN层/InGaN层、InGaN层/InGaN层或GaN层/GaN层重复地堆叠的结构。可以通过堆叠3对至10对氮化物层来形成重复的堆叠结构，并且可以将低电流阻挡层形成为具有10nm至100nm的厚度。
可以将具有不同组成比的至少两个氮化物层中的每个生长为5nm至10nm的厚度，并且可以通过调节源的流入速率来使这些氮化物层生长为具有不同的组成比。可选地，在保持包括源的流入速率在内的其他生长条件(例如，生长温度)的同时，可以在室的不同压强下通过堆叠氮化物层来形成具有不同组成比的至少两个氮化物层。
例如，当形成AlxGa(1-x)N层和AlyGa(1-y)N层重复堆叠的多层结构时，在大约100托的压强下生长AlxGa(1-x)N层，而在大约400托的压强下生长AlyGa(1-y)N层。在除压强之外的相同生长条件下，在较低压强下生长的AlxGa(1-x)N层可以具有比在较高压强下生长的AlyGa(1-y)N层的Al比例高的Al比例。包括在如上所述的不同压强下生长的多层结构的低电流阻挡层140在生长过程中可以防止位错的产生和传播，从而改善形成在低电流阻挡层140上的光吸收层150的结晶度。此外，将在不同压强下生长为具有不同组成比的氮化物层重复地堆叠，从而缓解由晶格失配引起的应力，由此防止在光吸收层150中产生裂纹。再者，由于在保持源的流入速率的同时仅通过改变压强来生长氮化物层，因此易于形成低电流阻挡层140。
可以在850℃和1020℃之间的温度下生长低电流阻挡层140的多层结构。多层结构的生长温度是比光吸收层150的生长温度低30℃至200℃的温度，从而低电流阻挡层140可以具有比光吸收层150的缺陷浓度高的缺陷浓度。因此，低电流阻挡层140可以防止通过光吸收层150与可见光的反应而产生的电子的流动。
参照图6，在低电流阻挡层140上形成光吸收层150。
光吸收层150可以包括氮化物半导体，并可以通过以下方式生长：根据光检测装置将要检测的光的波长，选择性地应用氮化物半导体的元素和组合物。例如，对于能够检测UVA带中的UV光的光检测装置，可以生长包含GaN层或InGaN层的光吸收层150，对于能够检测UVB带中的UV光的光检测装置，可以生长包括含有Al比例为28％或更少的AlGaN层的光吸收层150，对于能够检测UVC带中的UV光的光检测装置，可以生长包括含有Al比例为28％至50％的AlGaN层的光吸收层150。然而，应该理解的是，本发明不限于此。
可以将光吸收层150生长为0.1μm或更大的厚度，因此所制造的光检测装置可以具有高的光检测效率。
参照图7，可以通过部分地去除光吸收层150和低电流阻挡层140来部分地暴露第一氮化物层130。另外，可以沿厚度方向进一步去除第一氮化物层130的位于暴露部下方的部分。
可以通过光刻和蚀刻(例如，干蚀刻)部分地去除光吸收层150和低电流阻挡层140。
参照图8，在光吸收层150上形成肖特基结层160。可以通过沉积包含ITO、Ni、Co、Pt、W、Ti、Pd、Ru、Cr和Au中的至少一种的物质来形成肖特基结层160。肖特基结层160的厚度可以根据透光率和肖特基特性而调整，例如，可以是10nm或更小。
另外，制造方法还可以包括在肖特基结层160和光吸收层150之间形成盖层(未示出)。可以通过生长包含诸如Mg的杂质的p型掺杂的氮化物半导体层来形成盖层。盖层可以具有100nm或更小的厚度，优选为5nm或更小。盖层可以改善装置的肖特基特性。
接着，在肖特基结层160与第一氮化物层130的暴露区域上分别形成第一电极171和第二电极173，从而提供如图1中所示的光检测装置。
可通过沉积金属材料并剥离来形成第一电极171和第二电极173，并且第一电极171和第二电极173还可以由多个层组成。例如，可以通过堆叠Ni/Au层来形成第一电极171，可以通过堆叠Cr/Ni/Au层来形成第二电极173。
图9是描绘在本发明的实验示例中，光检测装置的根据波长的响应率的曲线图。图9中使用的光检测装置包括本发明的特征。UVA光检测装置使用GaN层作为光吸收层，UVB光检测装置使用Al比例为28％的AlGaN层作为光吸收层，UVC光检测装置使用Al比例为50％的AlGaN层作为光吸收层。
如图9中所示，光检测装置具有高的响应率。通过利用峰值波长为600nm的白色LED照射光检测装置来获得响应率的测量结果，根据这些测量结果来计算光检测装置的UV-可见光抑制比，计算结果表明：所有这些光检测装置都具有104或更高的UV-可见光抑制比。
尽管已在上面描述了本发明的各种实施例和实验示例，但本发明不限于前述的实施例和特征，在不脱离隶属本发明的权利要求的精神和范围的情况下，可以做出各种修改和变化。

Claims (21)

1.一种半导体光检测装置，所述光检测装置包括：
基底；
第一氮化物层，设置在基底上；
低电流阻挡层，设置在第一氮化物层上并包括多层结构；
光吸收层，设置在低电流阻挡层上；以及
肖特基结层，设置在光吸收层上，
其中，低电流阻挡层具有比光吸收层的缺陷浓度高的缺陷浓度。
2.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，低电流阻挡层在比光吸收层的生长温度低30℃至200℃的温度下生长。
3.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，光吸收层包括AlGaN层、InGaN层、AlInGaN层和GaN层中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的半导体光检测装置，其中，多层结构包括包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物层中的至少一种，并且多层结构通过重复地堆叠具有不同组成比的至少两个氮化物层来形成。
5.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，光吸收层具有0.1μm至0.5μm的厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，低电流阻挡层具有10nm至100nm的厚度。
7.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，所述光检测装置还包括：
第二氮化物层，设置在基底和第一氮化物层之间，
其中，第二氮化物层在比第一氮化物层的生长温度低的温度下生长。
8.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，第一氮化物层包括GaN层，并且GaN层是未掺杂的GaN层或n型掺杂的GaN层。
9.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，所述光检测装置还包括：
盖层，设置在光吸收层和肖特基结层之间，
其中，盖层包括掺杂Mg的氮化物层。
10.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，所述光检测装置还包括：
第一电极，设置在肖特基结层上；以及
第二电极，设置在第一氮化物层的因部分地去除光吸收层和低电流阻挡层而形成的暴露区域上。
11.根据权利要求1所述的半导体光检测装置，其中，所述光检测装置具有104或更高的UV-可见光抑制比，其中，可见光的峰值波长是600nm。
12.一种制造半导体光检测装置的方法，所述方法包括：
在基底上形成第一氮化物层；
在第一氮化物层上形成包括多层结构的低电流阻挡层；
在低电流阻挡层上形成光吸收层；以及
在光吸收层上形成肖特基结层，
其中，在比光吸收层的生长温度低的温度下生长低电流阻挡层，使得低电流阻挡层具有比光吸收层的缺陷浓度高的缺陷浓度。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，在比光吸收层的生长温度低30℃至200℃的温度下生长低电流阻挡层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，光吸收层包括AlGaN层、InGaN层、AlInGaN层和GaN层中的至少一种。
15.根据权利要求14所述的方法，其中，多层结构包括包含(Al,In,Ga)N的二元、三元和四元氮化物层中的至少一种，并且通过重复地堆叠具有不同组成比的至少两个氮化物层来形成多层结构。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述至少两个氮化物层是在不同压强下生长的。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，在生长所述至少两个氮化物层的同时，保持形成所述至少两个氮化物层的源的温度和流入速率恒定。
18.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在形成第一氮化物层之前，在基底上形成第二氮化物层，
其中，在比第一氮化物层的生长温度低的温度下生长第二氮化物层。
19.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在形成肖特基结层之前，在光吸收层上形成包括掺杂Mg的氮化物层的盖层。
20.根据权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在形成肖特基结层之前，通过部分地去除光吸收层和低电流阻挡层而部分地暴露第一氮化物层。
21.根据权利要求20所述的方法，所述方法还包括：
在肖特基结层上形成第一电极，并且在第一氮化物层的暴露区域上形成第二电极。
CN201410490656.6A 2013-09-25 2014-09-23 半导体光检测装置 Active CN104465849B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0113854 2013-09-25
KR1020130113854A KR101639779B1 (ko) 2013-09-25 2013-09-25 반도체 광 검출 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104465849A CN104465849A (zh) 2015-03-25
CN104465849B true CN104465849B (zh) 2017-09-01

Family

ID=52690179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410490656.6A Active CN104465849B (zh) 2013-09-25 2014-09-23 半导体光检测装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9171986B2 (zh)
KR (1) KR101639779B1 (zh)
CN (1) CN104465849B (zh)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9786805B2 (en) * 2013-09-25 2017-10-10 Seoul Viosys Co., Ltd. Semiconductor ultraviolet (UV)photo-detecting device
KR102483764B1 (ko) * 2015-05-18 2023-01-03 서울바이오시스 주식회사 광 검출 소자
KR102473352B1 (ko) * 2015-07-20 2022-12-05 서울바이오시스 주식회사 광 검출 소자
WO2017107552A1 (zh) * 2015-12-24 2017-06-29 厦门市三安光电科技有限公司 一种具有电子阻挡与空穴调整层的外延结构及其制备方法
US11274961B2 (en) * 2016-01-18 2022-03-15 Seoul Viosys Co., Ltd. Ultraviolet ray detecting device having Shottky layer forming Shottky barrier
CN108574020A (zh) * 2017-03-14 2018-09-25 孙月静 一种pin结构紫外光电探测器及其制备方法
CN109713060A (zh) * 2019-01-18 2019-05-03 西安电子科技大学 基于GaN段落生长层的光电转换结构及制备方法
WO2020240645A1 (ja) * 2019-05-27 2020-12-03 三菱電機株式会社 光半導体装置
CN110676344B (zh) * 2019-09-16 2021-02-19 深圳第三代半导体研究院 一种双响应GaN紫外探测器及其制备方法
CN113224193B (zh) * 2021-04-12 2022-06-14 华南理工大学 结合嵌入电极与钝化层结构的InGaN/GaN多量子阱蓝光探测器及其制备方法与应用
WO2024072325A1 (en) * 2022-09-26 2024-04-04 National University Of Singapore Ultra-low voltage ultraviolet photodetector

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060112428A (ko) * 2005-04-27 2006-11-01 (주)제니컴 자외선 감지 반도체 소자
CN101710600A (zh) * 2009-07-06 2010-05-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种实现高光谱选择性光电探测器的方法
KR20100104997A (ko) * 2009-03-20 2010-09-29 주식회사 실트론 전위 차단층을 구비하는 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7498645B2 (en) * 2006-10-04 2009-03-03 Iii-N Technology, Inc. Extreme ultraviolet (EUV) detectors based upon aluminum nitride (ALN) wide bandgap semiconductors
KR100925164B1 (ko) * 2007-12-13 2009-11-05 서울옵토디바이스주식회사 ｐ형 질화물 반도체층 형성 방법 및 그것을 갖는 발광 소자
JP2010109326A (ja) 2008-09-30 2010-05-13 Ngk Insulators Ltd 受光素子および受光素子の作製方法
WO2014104729A1 (en) * 2012-12-27 2014-07-03 Seoul Viosys Co., Ltd. Photo detection device, photo detection package including the photo detection device, and portable device including the photo detection package

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060112428A (ko) * 2005-04-27 2006-11-01 (주)제니컴 자외선 감지 반도체 소자
KR20100104997A (ko) * 2009-03-20 2010-09-29 주식회사 실트론 전위 차단층을 구비하는 질화물 반도체 기판 및 그 제조 방법
CN101710600A (zh) * 2009-07-06 2010-05-19 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种实现高光谱选择性光电探测器的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9171986B2 (en) 2015-10-27
KR101639779B1 (ko) 2016-07-15
US20150084061A1 (en) 2015-03-26
CN104465849A (zh) 2015-03-25
KR20150033943A (ko) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104465849B (zh) 半导体光检测装置
KR102299465B1 (ko) 다층 p형 접촉자를 갖는 III-V족 질화물계 발광 소자
JP4681684B1 (ja) 窒化物半導体素子およびその製造方法
US7928471B2 (en) Group III-nitride growth on silicon or silicon germanium substrates and method and devices therefor
US9680062B2 (en) Optoelectronic devices incorporating single crystalline aluminum nitride substrate
KR100705886B1 (ko) 질화물 반도체층 구조물 및 질화물 반도체 레이저
CN109075226B (zh) Iii族氮化物层叠体及iii族氮化物发光元件
JPWO2018151157A1 (ja) 深紫外発光素子およびその製造方法
US9171976B2 (en) Light detection device
JP2012009777A (ja) 半導体ウエハおよび半導体装置
KR101619110B1 (ko) 반도체 광전소자 및 이의 제조방법
US9356167B2 (en) Semiconductor ultraviolet (UV) photo-detecting device
KR102473352B1 (ko) 광 검출 소자
KR101622097B1 (ko) 질화물계 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
US9786805B2 (en) Semiconductor ultraviolet (UV)photo-detecting device
US9478690B2 (en) Semiconductor photo-detecting device
TW531908B (en) Group-III nitride semiconductor device and group-III nitride semiconductor substrate
JP2009278003A (ja) フォトダイオード
JP2014120666A (ja) 窒化物半導体太陽電池、窒化物光−電気変換素子、窒化物半導体太陽電池を作製する方法
US20180122970A1 (en) Light detection device
KR102483764B1 (ko) 광 검출 소자
KR101639780B1 (ko) 자외선 광 검출 소자
Liang et al. Fabrication and characterization of Nitride base photodiodes with nanostructure
JP2003086825A (ja) ＧａＮ系半導体受光素子
Morkoc et al. Defect Reduction in GlGaN/GaN Ultra-Violet Photodetectors

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant