JP2009278003A - フォトダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si基板1に、n型不純物ドープ領域1aが形成され、主としてn型不純物ドープ領域1aが形成されていないシリコン基板1上に積層されたGaN層2との界面が受光領域となっており、この界面でキャリアを分離している。GaNは可視光に対し透明で、不純物ドーピングによるpn接合を持たない。したがって、高感度、高安定性を実現できる。また、Si基板1とGaN層2との界面で光を受光すると、光電流が発生するが、光電流は、GaNとSiの界面を2次元性キャリアとして流れる。これにより、高速応答性を得ることができる。
【選択図】 図1
Description
1a n型不純物ドープ領域
2 GaN層
3 絶縁膜
4 電極
5 電極
Claims (14)
- 半導体の主面上に該半導体材料とは異なる材料で構成された光透過半導体層を備え、前記光透過半導体層の側から光を入射させるヘテロ接合型のフォトダイオードであって、
前記光透過半導体層のフェルミ準位は、真空準位を基準としたときに前記半導体のフェルミ準位の位置よりも浅い位置に形成されていることを特徴とするフォトダイオード。 - 前記光透過半導体層が400nm以上の光波長領域において70%以上の透過率を有することを特徴とする請求項1に記載のフォトダイオード。
- 前記半導体はシリコンからなることを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
- 前記シリコンはp型不純物がドープされていることを特徴とする請求項3記載のフォトダイオード。
- 前記光透過半導体層とシリコンとの間にシリコン窒化物又はシリコン酸化物を含む膜が形成されていることを特徴とする請求項3又は請求項4のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
- 前記光透過半導体層が窒化物半導体で構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
- 前記窒化物半導体は、GaN系材料で形成されていることを特徴とする請求項6に記載のフォトダイオード。
- 前記GaN系材料は、n型であることを特徴とする請求項7に記載のフォトダイオード。
- 前記n型GaN系材料のドナー不純物濃度がp型シリコンのアクセプタ不純物濃度よりも大きくなるように形成されたことを特徴とする請求項8に記載のフォトダイオード。
- 前記GaN系材料がGa極性を持っていることを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
- 前記GaN系材料は、AlGaNであることを特徴とする請求項7〜請求項9のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
- 前記AlGaNとシリコンとの間は、AlGaNからシリコンに向かう方向に、バンドギャップがAlGaNから順に小さくなるようにGaN系層が積層された積層体が形成されていることを特徴とする請求項11記載のフォトダイオード。
- 前記積層体のシリコンに最も近い層は、InGaNからなることを特徴とする請求項12記載のフォトダイオード。
- 前記シリコンで構成された半導体の主面が略(111)面であることを特徴とする請求項3〜請求項13のいずれか1項に記載のフォトダイオード。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012186410A (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体素子 |
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-
2008
- 2008-05-16 JP JP2008129833A patent/JP2009278003A/ja active Pending
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