WO2015141687A1 - スラリー組成物および基板研磨方法 - Google Patents

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WO2015141687A1
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polishing
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additive
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増田　剛
啓 北村
ヨシユキ マツムラ
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日本キャボット・マイクロエレクトロニクス株式会社
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor substrate polishing technique, and more particularly, to a slurry composition used for chemical mechanical polishing (CMP) and a substrate polishing method.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • a silicon wafer that is a semiconductor substrate used for manufacturing a semiconductor substrate is subjected to various photolithography, deposition processing, polishing processing, and the like, and is used to provide a semiconductor device.
  • a silicon wafer is subjected to a number of process steps for producing a semiconductor device, and it is also required to improve the yield of the semiconductor device, so that the surface quality is strictly required.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • the silicon wafer is generally held between a top and bottom platen that is held by a carrier for fixing the silicon wafer and a polishing cloth including a synthetic resin foam or a suede-like synthetic leather is attached. Polishing is performed while pressing and rotating while supplying an aqueous composition (hereinafter referred to as a slurry composition) in which colloidal particles such as silica, alumina, ceria, and zirconia are dispersed.
  • a slurry composition an aqueous composition in which colloidal particles such as silica, alumina, ceria, and zirconia are dispersed.
  • Patent Document 1 JP 2011-97045 A (Patent Document 1), by adding an alkylene diamine composition containing a propylene oxide structure to a polishing composition used for CMP, the polishing rate is improved and the haze is increased. Techniques to improve are described.
  • Patent Document 2 discloses an alkylenediamine composition containing an oxyethylene group and an oxypropylene group in the polishing composition in order to improve the surface characteristics of the silicon wafer after finish polishing. The point that CMP is applied by adding an object is described. Further, JP 2013-31914 A (Patent Document 3) describes a polishing liquid for electronic materials that contains a fatty acid amine salt that hardly scratches and that reduces the number of particles that adhere to the substrate after polishing. .
  • the present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and the present invention provides an appropriate polishing rate (RR), and also maintains surface fogging (Haze) while maintaining good LPD (Light Point Defects). ) To provide a slurry composition and a substrate polishing method capable of providing process compatibility.
  • RR polishing rate
  • Haze surface fogging
  • LPD Light Point Defects
  • a slurry composition for chemical mechanical polishing having a solubility parameter in the range of 9 to 10 and containing a polymer containing at least two repeating structural units containing a tertiary amine can be provided.
  • the tertiary amine of the present invention may contain an N-alkylene group, and the repeating structural unit may contain an N-alkyleneamine structure.
  • the polymer of the present invention preferably has a weight average molecular weight of 5,000 to 100,000.
  • the repeating structural unit may include an N-polyethylene oxide polymer, an N-polypropylene oxide polymer, or an ethylene oxide / propylene oxide copolymer bonded to an N atom.
  • the polymer of the present invention may be present in the slurry composition at 1 to 5000 ppm.
  • the polymer is preferably given by the following general formula (1).
  • cellulose derivative, poly-N-vinylpyrrolidone, poly-N-vinylacetamide, polyglycerin, PEG, PEO, PEG-PPG block copolymer, ethylene oxide ethylenediamine adduct, poly-2-ethyloxazoline, polyvinyl At least one water-soluble polymer selected from the group consisting of alcohol, polyacrylic acid, and polyacrylate can be contained.
  • the above-described slurry composition is attached to a polishing substrate; And polishing the polishing substrate with the slurry composition with a polishing pad.
  • the slurry composition for chemical mechanical polishing the silicon wafer of the present invention can contain at least a water-soluble polymer and an abrasive.
  • the slurry composition of the present embodiment preferably contains at least a polymer having a tertiary amine structure in the main chain structure.
  • a polymer having a tertiary amine structure in the main chain structure By adding a polymer having a tertiary amine structure in the main chain structure to the slurry composition, surface haze (hereinafter referred to as Haze) can be improved while improving the reduction in RR. Can be provided while still providing better process compatibility.
  • the polymer used in the present invention is an active hydrogen of a polyamine compound having 2 or more primary amino groups and / or secondary amino groups in the molecule and 4 to 100 N atoms. Further, it can be produced by addition polymerization of an alkylene oxide containing at least ethylene oxide.
  • the weight average molecular weight of the polymer can be in the range of 5000 to 100,000.
  • the number of N atoms contained in the polymer of the present embodiment is preferably 2 to 10,000 or less from the viewpoint of providing water solubility for application to the CMP process, while improving Haze. In view of providing sufficient CMP process compatibility, the number of N atoms is preferably in the range of 2 to 1000.
  • the polymer is referred to as an alkylene polyalkylene oxide amine polymer.
  • polyamine compound that gives the main chain structure in the present embodiment examples include polyethylene polyamines such as triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, hexaethyleneheptamine, and polyalkylenes such as polyethyleneimine obtained by polymerization of ethyleneimine. And imine.
  • polyethylene polyamines such as triethylenetetramine, tetraethylenepentamine, pentaethylenehexamine, hexaethyleneheptamine, and polyalkylenes such as polyethyleneimine obtained by polymerization of ethyleneimine. And imine.
  • the above-described compounds may be used alone or in combination of two or more to form the polyamine main chain structure of this embodiment.
  • alkylene oxide added to the main chain skeleton examples include ethylene oxide, propylene oxide, butylene oxide, and the like, and these alkylene oxides can be used alone or in combination.
  • the alkylene oxide skeleton that can be used in the present embodiment is preferably selected from an ethylene oxide skeleton and / or a polypropylene skeleton.
  • the proportion of ethylene oxide in the alkylene oxide added to the polymer of the present embodiment is 5% or more, preferably 10% or more, and can be provided with preferable CMP process compatibility by setting it to 50% to 90%. .
  • the range of 10% to 20% is similarly preferable in order to widen the process margin.
  • the polymer of the present embodiment can be easily produced by a usual method.
  • the polymer of this embodiment can be produced by subjecting the polyamine compound as a starting material to addition polymerization (graft polymerization) of an alkylene oxide at 100 to 180 ° C. and 1 to 10 atm under an alkali catalyst.
  • addition polymerization graft polymerization
  • alkylene oxide there are no particular limitations on the mode of addition of alkylene oxide to the polyamine compound that is the main chain skeleton, and in the case where two or more types of alkylene oxide are added, it may be block or random.
  • the polymer of this embodiment can have a weight average molecular weight of 5000 or more, preferably 10,000 or more, and can be in the range of 100,000 or less, more preferably 80,000 or less. If the weight average molecular weight is too small, the haze cannot be improved sufficiently. If the weight average molecular weight is too large, the dependency of each property on the amount of addition increases and the process margin is narrowed.
  • the main chain structure means a structure containing two or more repeating structural units containing a tertiary amine for graft polymerization of a polyalkylene oxide group.
  • the tertiary amine constituting the main chain structure of this embodiment preferably contains an N-alkylene group.
  • the number of C atoms constituting the N-alkylene group is not particularly limited, and can be selected from linear or branched alkylene groups having 2 to 10 C atoms.
  • the polymer of this embodiment is a polymer represented by the following general formula (1), which is formed by addition polymerization of alkylene oxide to polyethylene polyamine and contains at least a tertiary amine structure in the main chain structure. Can be illustrated.
  • m and n are positive integers, and A represents an alkylene group.
  • R represents a linear or branched alkylene group having 2 or more carbon atoms.
  • m is 2 to 1000, preferably 2 to 20, and n can be 2 to 10,000, preferably 2 to 500. This is because when the chain length of the AO chain is too long, the haze improving property is lowered, and when n is 10,000 or more, the dependency of each property on the added amount becomes large, which adversely affects the process margin.
  • AO can be formed using two or more alkylene oxides, and in this embodiment the different alkylene oxide groups can be block or random.
  • the solubility parameter of the alkylene polyalkylene oxide amine polymer given by the general formula (1) in the present invention is preferably in the range of 9-10.
  • the solubility parameter (SP) refers to Ueda et al. 152, Oct. In 2010, the method of Fedors described in pages 41 to 46 is used, and the SP value of the monomer is set as the SP value of the water-soluble polymer.
  • the solubility parameter is 9.0 or less, the compatibility with an aqueous solution is lowered and a sufficient effect cannot be provided.
  • the SP value is 10 or more, sufficient Haze improvement tends to be difficult in the first place.
  • a particularly preferred polymer in the present embodiment is represented by the following general formula (2).
  • A, m, and n are the same as those defined in the general formula (1).
  • preferred water-soluble polymers that can be used with the above-described alkylene polyalkylene oxide amine polymer in the present invention include homopolymers or copolymers produced by polymerizing vinyl monomers, for example, Styrene, chlorostyrene, ⁇ -methylstyrene, divinylbenzene; vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl octylate, vinyl caprate, vinyl laurate, vinyl myristate, vinyl stearate, vinyl adipate, (meth) Vinyl acrylate, vinyl crotonate, vinyl sorbate, vinyl benzoate, vinyl cinnamate and other carboxylates, acrylonitrile, limonene, cyclohexene; 2-vinylpyridine, 3-vinylpyridine, 4-vinylpyridine, -Vinylpyrrolidone; N-vinyl compounds such as N-vinylacetamide and N-vinylmethylacetamide, cyclic
  • cellulose derivatives such as methylcellulose, hydroxyethylcellulose, hydroxypropylcellulose, hydroxypropylmethylcellulose can be used in the present invention.
  • the cellulose derivative having an average molecular weight of 100,000 to 2,000,000 can be used.
  • the average molecular weight means a value obtained by a known molecular weight measurement method such as weight average, number average, or degree of polymerization, and is not limited to a specific measurement method.
  • water-soluble polymers examples include poly-N-vinylpyrrolidone, poly-N-vinylacetamide, polyglycerin, PEG, PEO, PEO, PEG-PPG block copolymer, and ethylene oxide ethylenediamine addition.
  • water-soluble polymers such as poly (2-ethyloxazoline), polyvinyl alcohol, polyacrylic acid and polyacrylate are commercially available.
  • water-soluble polymers examples include poly-N-vinylpyrrolidone, poly-N-vinylacetamide, polyglycerin, PEG / PEO having a molecular weight of 1,000 to 1,000,000, and a PEG-PPG block copolymer. , Alkylene oxide ethylenediamine adduct (EO mass ratio 35%, PPG molecular weight 4400, reverse type), poly-2-ethyloxazoline (Poly (2-ethyl-2-oxazoline, average molecular weight 500000), polyvinyl alcohol (average molecular weight 200000) , Polyacrylic acid (average molecular weight 25000), and polyacrylate (average molecular weight 5000).
  • the addition amount of the alkylene polyalkylene oxide amine polymer in the slurry composition of the present invention can be in the range of 1 ppm (0.001 mass%) to 5000 ppm (0.5 mass%). Further, it is preferably added in the range of 10 ppm to 1000 ppm from the viewpoint of maintaining the polishing rate of the silicon wafer at a practically producible throughput, and more preferably 50 ppm in that no other slurry composition adjustment is required. It is preferable to add in the range of ⁇ 1000 ppm.
  • the slurry composition of the present invention can contain polishing components such as abrasive grains, acids or alkalis, buffers, catalysts, and various salts in addition to the water-soluble polymer described above.
  • polishing abrasive grains used in the present invention polishing abrasive grains generally used for polishing can be used.
  • the abrasive grains include metal, metal or metalloid carbide, nitride, oxide, boride and diamond.
  • the abrasive grains that can be used in the present invention are preferably metal oxides that can polish the substrate surface without introducing harmful scratches or other defects on the substrate surface.
  • Suitable metal oxide abrasives include, for example, alumina, silica, titania, ceria, zirconia and magnesia, and their co-formed products, mixtures thereof and chemical mixtures thereof.
  • the abrasive grains are selected from the group consisting of alumina, ceria, silica, zirconia, and combinations thereof.
  • Silica, especially colloidal silica and ceria are preferred abrasive grains, and colloidal silica is more preferred.
  • the abrasive grains can be formed as a dispersion or suspension by dispersing the abrasive grains in a preferred liquid carrier and adding various additives such as a water-soluble polymer.
  • Preferred liquid carriers include polar solvents, preferably water or aqueous solvents, and when abrasive grains are included in the slurry, the concentration at the time of polishing is 0.1% by weight or more, more preferably 0. It is desirable to have 1 to 50% by weight of abrasive grains, and in a more preferable slurry composition, 0.1 to 5% by weight of colloidal silica can be added to the abrasive grains.
  • the pH of the slurry composition of the present invention can be adjusted as appropriate in consideration of the polishing rate.
  • the pH of the slurry composition is preferably 5 to 12, and more preferably in the range of 7 to 12 in the silicon wafer polishing treatment.
  • the average particle size of the primary particles of the abrasive grains is preferably 0.01 to 3 ⁇ m, more preferably 0.01 to 0.8 ⁇ m, particularly preferably 0.02 to 0.5 ⁇ m from the viewpoint of improving the polishing rate. It is. Furthermore, when the primary particles are aggregated to form secondary particles, the average particle diameter of the secondary particles is similarly from the viewpoint of improving the polishing rate and reducing the surface roughness of the object to be polished.
  • the thickness may be preferably 0.02 to 3 ⁇ m, more preferably 0.05 to 1.5 ⁇ m, and particularly preferably 0.06 to 1.2 ⁇ m.
  • the average particle size of the primary particles of the abrasive grains can be determined by observing with a scanning electron microscope or observing with a transmission electron microscope, performing image analysis, and measuring the particle size.
  • the average particle size of the secondary particles can be measured as a volume average particle size using a laser light scattering method.
  • additives can be used depending on the polishing substrate.
  • Preferred additives include, for example, amines, ammonium salts, alkali metal ions, film forming agents, complexing agents, surfactants, rheology control agents, polymeric stabilizers or dispersants, and / or halide ions in the polishing system.
  • the additive can be present in the polishing system in any suitable concentration.
  • an amine compound can be added to the slurry composition, and the amine compound can be selected from aliphatic amines, cyclic amines, heterocyclic amines, aromatic amines, polyamines, and combinations thereof.
  • the amine compound can comprise at least one oxygen atom, such as an amino acid or amino alcohol, and at least one polar moiety, specifically dimethylpropanolamine (2-dimethylamino-2- (Also known as methyl-1-propanol or DMAMP), 2-amino-2-methyl-1-propanol (AMP), 2- (2-aminoethylamino) ethanol, 2- (isopropylamino) ethanol, 2- ( Methylamino) ethanol, 2- (diethylamino) ethanol, 2- (2- (dimethylamino) ethoxy) ethanol, 1,1 ′-[[3- (dimethylamino) propyl] imino] -bis-2-propan
  • an ammonium salt can be added in addition to the amine compound.
  • a hydroxylated amine for example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • quaternary ammonium compound can be used.
  • alkali metal ions may be present as counter ions of various salts.
  • Preferable alkali metal ions include group I monovalent base metal ions in the periodic table. Specifically, for example, sodium ion, potassium ion, rubidium ion, and cesium ion can be used as the alkali metal ion. Potassium ions and cesium ions are preferred, and potassium ions are more preferred.
  • an anticorrosive agent can be used together with the polishing system, and as the anticorrosive agent, alkylamine, alkanolamine, hydroxylamine, phosphate ester, sodium lauryl sulfate, fatty acid, polyacrylate, polymethacrylic acid Mention may be made of salts, polyvinyl phosphonates, polymalates, polystyrene sulfonates, polyvinyl sulfonates, benzotriazoles, triazoles, benzimidazoles and mixtures thereof.
  • a chelating agent or the like can be optionally added to the slurry composition.
  • the chelating agent include carbonyl compounds such as acetylacetonate, carboxylates such as acetate and arylcarboxylate, carboxylates containing at least one hydroxyl group, such as glycolate and lactic acid.
  • Dicarboxylates, tricarboxylates and polycarboxylates such as salts, gluconates, gallic acid and their salts (eg oxalate, phthalate, citrate, succinate, tartrate, malic acid Salts, edetates such as disodium EDTA, and mixtures thereof
  • Preferred chelating agents include, for example, dialcohols such as ethylene glycol, pyrocatechol, pyrogallol, tannic acid, trialcohols, or the like List polyhydric alcohol and phosphate-containing compounds Can.
  • a surfactant in the present invention, a surfactant, a viscosity modifier, and a coagulant can optionally be used together with the polishing system.
  • Suitable viscosity modifiers include, for example, urethane polymers and acrylates containing at least one acrylic unit.
  • examples of the viscosity modifier include a low molecular weight carboxylate and a high molecular weight polyacrylamide compound.
  • Preferred examples of the surfactant include a cationic surfactant and an anionic surfactant. , Anionic polymer electrolytes, nonionic surfactants, amphoteric surfactants, fluorinated surfactants, and mixtures thereof.
  • the substrate can be polished with a polishing system equipped with a suitable polishing pad.
  • a polishing pad for example, a woven or non-woven polishing pad can be preferably used.
  • a suitable polishing pad specifically, a synthetic resin polishing pad can be used, and examples of suitable polymers include polyvinyl chloride, polyvinyl fluoride, nylon, fluorocarbon, polycarbonate, polyester, and polyester. Mention may be made of acrylates, polyethers, polyethylenes, polyamides, polyurethanes, polystyrenes, polypropylenes, co-formed products thereof and mixtures thereof.
  • the slurry composition and the substrate polishing method of the present invention include not only a silicon substrate, but also a silicon substrate, a sapphire substrate, a SiC substrate, a GaAs substrate, a GaN substrate, etc. on which a polysilicon film, a SiO 2 film, a metal wiring film is formed It can be applied to a substrate to which polishing treatment can be applied.
  • the present invention supplies the diluted solution and the slurry stock solution onto the polishing pad.
  • the present invention can be applied to a polishing method in which so-called in-situ preparation / adjustment in which a slurry composition for substrate polishing is adjusted in the vicinity of a polishing pad.
  • a plurality of water-soluble polymers were added to the slurry solution to prepare a slurry composition of the present invention, and its LPD, polishing rate (RR), and surface haze (Haze) were measured.
  • the adjustment of the slurry composition and the silicon wafer polishing conditions are as follows.
  • An alkylene polyalkylene oxide polyamine polymer represented by the general formula (1), an average molecular weight of about 46000, EO: PO (mass ratio) about 8: 1 (hereinafter referred to as additive 1) (2) Poly-N-vinylpyrrolidone K90 (hereinafter referred to as additive 2) (3) Poly-N-vinylpyrrolidone K15 (hereinafter referred to as additive 3) (4) Poly-2-ethyloxazoline (referred to as additive 4), (5) Polyglycerin (referred to as additive 5) (6) PEG 8000 (referred to as additive 6), (7) PEO (average molecular weight 40000) (referred to as additive 7), (8) PEO (average molecular weight 400000) (referred to as additive 8), (9) PEO (average molecular weight 1000000) (referred to as additive 9), (10) Ethylene oxide ethylenediamine adduct (referred to as additive 10), (11) PEG-PPG block copolymer (referred to as additive 11), (12
  • the surface roughness (haze) of the cleaned silicon wafer surface was the value of DWO measured with a darkfield wide oblique incidence channel (DWO) using Surfscan SP2 manufactured by KLA Tencor.
  • DWO darkfield wide oblique incidence channel
  • Surfscan SP2 manufactured by KLA Tencor was also used, and the value of LPD having a size of 37 nm or more in the dark field composite oblique incident channel (DCO) was used.
  • the polishing rate was determined by dividing the wafer weight difference before and after polishing by the density, area and polishing time of the silicon wafer to obtain the polishing rate per unit time. The same additive was measured at least twice under the same conditions, and the average value was taken as each value.
  • FIG. 1 shows the measurement results of Haze and RR as a table in association with the additive and the amount added.
  • FIG. 2 shows the solubility parameter dependence of Haze and RR.
  • the symbol “ ⁇ ” represents the polishing rate (RR), and the symbol “ ⁇ ” represents Haze.
  • the smaller the solubility parameter the more the Haze decreased compared to the RR decrease (upper curve in the figure), that is, the Haze tended to be improved.
  • FIG. 3 is a plot of additive concentration dependence on RR and Haze for additive 1, additive 10, and additive 11, which are additives containing both an ethylene oxide chain and a propylene oxide chain, respectively.
  • the symbol “ ⁇ ” represents RR
  • the symbol “ ⁇ ” represents Haze.
  • the SP values of additive 1, additive 10, and additive 11 are substantially the same.
  • FIG. 3 it can be seen that as the additive concentration of any additive increases, the haze improves with a decrease in RR. Further, as shown in FIG. 1, all of Additive 1, Additive 10, and Additive 11 showed good values of 300 or less LPD depending on the additive concentration.
  • FIG. 4 shows a graph of average values of LPD values at 37 nm DCO and 65 nm DCO for Additive 1, Additive 10, and Additive 11, respectively.
  • additive 1 gave an average of 165 LPD values at 37 nm DCO, and 13.5 LPD values at 65 nm DCO.
  • This LPD value is at least compared to an average of 7155.5 for 37 nm DCO of additive 10, an average of 27.3 for 65 nm DCO, an average of 285.3 for 37 nm DCO of additive 11, and an average of 33.5 for 65 nm DCO. It was shown to improve the LPD value by more than 2 times.
  • Additive 1 and Additive 10 both contain an amine structure, and have the same degree of Haze improvement, although the concentrations giving the minimum value of Haze are different.
  • the additive 11 which is a PEO / PPO block copolymer has a limit in improving the Haze even when the concentration of the additive is increased as compared with the additive 1 and the additive 10 containing an amine structure. Indicated.
  • additive 1 improves Haze substantially linearly while maintaining RR in a high concentration region.
  • the improvement of Haze in the region where the additive concentration of the additive 10 is low was remarkable.
  • the additive 10 is highly concentration-dependent, and when trying to improve Haze while maintaining RR within an appropriate range, the additive 10 may be narrower than the additive 1 and a sufficient process margin may not be obtained. Indicated.
  • FIG. 5 shows a plot showing the dependence of RR on Haze by the addition of Additive 1, Additive 10 and Additive 11.
  • the additive 11 which is a PEO / PPO block copolymer
  • the additive 1 which is the alkylene polyalkylene oxide amine polymer of this embodiment
  • the rapid fall of RR is suppressed.
  • Additive 1 the improvement in RR and Haze gives a generally linear relationship without giving a high trade-off relationship.
  • Additive 1 can improve Haze in a scalable manner while providing sufficient process suitability without significantly narrowing process suitability as additive 10 does.
  • the additive 10 is superior to the additive 1 in that the RR is not generally lowered.
  • the additive 10 deteriorates the haze much more than the additive 1 (value increases). This indicates that additive 10 has a very narrow additive concentration range for improving Haze, and as a result, could not provide sufficient process stability.
  • a slurry composition and a substrate polishing method capable of simultaneously improving the Haze and LPD values while suppressing the decrease in RR and expanding the process compatibility.

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Abstract

　ケミカル・メカニカル・ポリッシング（Chemical Mechanical Polishing:CMP)に使用するスラリー組成物および基板研磨方法を提供する。本発明のスラリー組成物は、水と、研磨砥粒と、溶解度パラメータが９～１０の範囲のアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体とを含有する。好ましいアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体は、下記一般式（１）で与えられる。 （上記一般式（１）中、ｍ、ｎは正の整数であり、ＡおよびＲは、アルキレンオキシド基である。）

Description

スラリー組成物および基板研磨方法
　本発明は、半導体基板研磨技術に関し、より詳細には、ケミカル・メカニカル・ポリッシング（Chemical Mechanical Polishing:CMP)などに使用するスラリー組成物および基板研磨方法に関する。
　半導体基板の製造に用いられる半導体基板であるシリコンウェーハは、各種のフォトリソグラフィー、堆積処理、研磨処理などが施され、半導体装置を提供するために利用されている。シリコンウェーハは、半導体装置を作成するための多数のプロセス工程が適用され、また半導体デバイスの歩留まりを改善することも要求されるので、その表面品質が厳密に要求される。シリコンウェーハを鏡面研磨して表面品質を確保するために、従来からケミカル・メカニカル・ポリッシング（ＣＭＰ）技術が利用されている。
　シリコンウェーハの研磨におけるＣＭＰでは、一般的に、シリコンウェーハを固定するためのキャリアーに保持させ、合成樹脂発泡体やスウェード調合成皮革などを含む研磨布を貼付した上下定盤の間にシリコンウェーハを挟持し、シリカ、アルミナ、セリア、ジルコニアなどのコロイド状粒子を分散した水性の組成物（以下、スラリー組成物として参照する。）を供給しながら押圧回転しつつ研磨が行われる。
　シリコンウェーハのＣＭＰにおいては、近年の需要増加、半導体デバイスの高性能化及び高集積密度化に伴い、生産性、表面品質の向上がますます強く求められており、研磨速度の向上、表面粗さ、Ｈａｚｅ（表面曇り）、平坦性（ロールオフ（端面だれ）、SFQR、ESFQR）、スクラッチの低減などが課題として挙げられている。
　これらの要求特性のうち、シリコンウェーハの欠陥による半導体基板の歩留まりなどを改善するためには、ＣＭＰプロセスにおいてシリコンウェーハのＨａｚｅ（表面曇り）を改善することが有効である。これまで、シリコンウェーハの研磨後の表面状態を改善する技術は種々提案されている。例えば、特開２０１１－９７０４５号公報（特許文献１）には、ＣＭＰに使用する研磨組成物中にプロピレンオキシド構造を含むアルキレンジアミン組成物を添加することにより、研磨速度を向上させると共に、Ｈａｚｅを改善する技術が記載されている。
　また、特開２０１１－９７０５０号公報（特許文献２）には、仕上げ研磨後のシリコンウェーハの表面特性を向上させるために研磨組成物中にオキシエチレン基とオキシプロピレン基とを含有するアルキレンジアミン組成物を添加してＣＭＰを適用する点が記載されている。さらに、特開２０１３－３１９１４号公報（特許文献３）には、スクラッチが入りにくく、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する脂肪酸アミン塩を含有する電子材料用研磨液が記載されている。
　これらの技術が知られているものの、半導体基板の製品歩留まりを改善するため、適切な研磨速度を提供し、さらに表面曇り（Ｈａｚｅ）の改善されたシリコンウェーハを提供することが依然として要求されていた。
特開２０１１－９７０４５号公報 特開２０１１－９７０５０号公報 特開２０１３－３１９１４号公報
　本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明は、適切な研磨レート（ＲＲ）を提供すると共に、ＬＰＤ（Light Point Defects）を良好に保ちつつ表面曇り（Ｈａｚｅ）を改善することによりプロセス適合性を提供することが可能なスラリー組成物および基板研磨方法を提供することである。
　すなわち、本発明によれば、
　水と、
　研磨砥粒と、
　溶解度パラメータが９～１０の範囲であり、３級アミンを含む繰返し構造単位を少なくとも２個含む重合体と
　を含有する、化学的機械研磨用のスラリー組成物が提供できる。
　本発明の前記３級アミンは、Ｎ－アルキレン基を含み、前記繰返し構造単位は、Ｎ－アルキレンアミン構造を含むことができる。
　本発明の前記重合体は、重量平均分子量が５０００～１０００００であることが好ましい。前記繰返し構造単位は、Ｎ－ポリエチレンオキシド重合体、Ｎ－ポリプロピレンオキシド重合体またはＮ原子に結合したエチレンオキシド・プロピレンオキシド共重合体を含むことができる。本発明の前記重合体は、前記スラリー組成物中に、１～５０００ｐｐｍで存在することができる。
　前記重合体は、下記一般式（１）で与えられることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
 （上記一般式（１）中、ｍ、ｎは正の整数であり、ＡおよびＲは、アルキレン基である。）
　本発明では、さらにセルロース誘導体、ポリ－Ｎ－ビニルピロリドン、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、ポリグリセリン、ＰＥＧ、ＰＥＯ、ＰＥＧ－ＰＰＧブロック共重合体、エチレンオキシドエチレンジアミン付加物、ポリ－２－エチルオキサゾリン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩からなる群から選択される少なくとも１種の水溶性高分子を含有することができる。
　本発明によれば、上記記載のスラリー組成物を、研磨基板に付着させる工程と、
　研磨基板を、前記スラリー組成物により研磨パッドで研磨する工程と
　を含む基板研磨方法が提供できる。
　本発明によれば適切な研磨速度を提供しつつ表面曇りを改善すると共に改善プロセス適合性を改善するスラリー組成物および基板研磨方法を提供することが可能となる。
ＨａｚｅおよびＲＲの測定結果を、添加剤、その添加量に対応づけて表として示した図。 ＨａｚｅおよびＲＲの溶解度パラメータ依存性を示す図。 エチレンオキシド鎖およびプロピレンオキシド鎖を共に含有する添加剤である、添加剤１、添加剤１０、添加剤１１について、それぞれＲＲおよびＨａｚｅに対する添加剤濃度依存性をプロットした図。 添加剤１、添加剤１０、添加剤１１のＬＰＤ値を示した図。 添加剤１および添加剤１１の添加によるＨａｚｅに対するＲＲの依存性を示したプロット。
　以下、本発明を実施形態によって説明するが、本発明は後述する実施形態に限定されるものではない。本発明のシリコンウェーハを化学的機械研磨するためのスラリー組成物は、少なくとも水溶性高分子および研磨剤を含有することができる。
　本実施形態のスラリー組成物は、主鎖構造に３級アミン構造を有する重合体を少なくとも含有するとすることが好ましい。スラリー組成物に対して主鎖構造に３級アミン構造を有する重合体を添加することにより、ＲＲの低下を改善しながら表面曇り（以下、Ｈａｚｅとして参照する。）を改善することができ、ＬＰＤを良好に保ちつつ、さらに広いプロセス適合性を提供することができる。
　本発明に用いられる重合体は、分子内に２個以上の第１級アミノ基および／または）第２級アミノ基を有し、かつＮ原子を４～１００個を含むポリアミン化合物の活性水素に、少なくともエチレンオキシドを含むアルキレンオキシドを付加重合させることにより製造することができる。当該重合体の重量平均分子量は、５０００～１０００００の範囲とすることができる。また、本実施形態の重合体に含有されるＮ原子の数は、２個～１００００個以下とすることが、ＣＭＰプロセスに適用するための水溶性を提供する点で好ましく、Ｈａｚｅを改善しつつ、十分なＣＭＰプロセス適合性を提供する点ではＮ原子の数が２個～１０００個の範囲であることが好ましい。以下、本実施形態では、当該重合体を、アルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体として参照する。
　本実施形態で主鎖構造を与える、ポリアミン化合物としては、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、ヘキサエチレンヘプタミンなどのポリエチレンポリアミン、エチレンイミンの重合によって得られるポリエチレンイミンなどのポリアルキレンイミンなどを挙げることができる。上述した化合物は、単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて使用して、本実施形態のポリアミン主鎖構造を形成することができる。
　上記主鎖骨格に付加させるアルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシドなどを挙げることができ、これらのアルキレンオキシドは、単独でまたは複数混合して用いることができる。
　本実施形態で使用することができるアルキレンオキシド骨格は、エチレンオキシド骨格および／またはポリプロピレン骨格から選択することが好ましい。本実施形態の重合体に付加するアルキレンオキシドにおけるエチレンオキシドの割合は、５％以上、好ましくは１０％以上であり、５０％～９０％とすることで、好ましいＣＭＰプロセス適合性を付与することができる。また、本実施形態においてプロピレンオキシド骨格を含有させる場合には、１０％～２０％の範囲とすることが、同様にプロセスマージンを広くする上で好ましい。
　本実施形態の重合体は、通常の方法により容易に製造することができる。例えば、本実施形態の重合体は、出発物質の前記ポリアミン化合物にアルカリ触媒下で１００～１８０℃、１～１０気圧でアルキレンオキシドを付加重合（グラフト重合）することにより製造することができる。
　主鎖骨格であるポリアミン化合物へのアルキレンオキシドの付加態様には特に限定はなく、２種以上のアルキレンオキシドが付加している形態の場合、ブロック状でもランダム状でもよい。本実施形態の重合体は、重量平均分子量が５０００以上、好ましくは１万以上とすることができ、１０００００以下さらには８００００以下の範囲とすることができる。重量平均分子量が小さすぎる場合には十分にＨａｚｅを改善することができず、大きすぎる場合には、各特性の添加量依存性が大きくなり、プロセスマージンを狭めてしまうため好ましくない。
　本明細書において主鎖構造とは、ポリアルキレンオキシド基をグラフト重合させる３級アミンを含む繰返し構造単位を２個以上含有する構造を意味する。さらに、本実施形態の主鎖構造を構成する３級アミンは、Ｎ－アルキレン基を含むことが好ましい。Ｎ－アルキレン基を構成するＣ原子数には特に限定はなく、Ｃ原子数が２～１０の範囲の直鎖または分岐鎖のアルキレン基から選択することができる。
　本実施形態の重合体としては具体的には、ポリエチレンポリアミンにアルキレンオキシドを付加重合させて形成される、主鎖構造に少なくとも３級アミン構造を含有する下記一般式（１）で示される重合体を例示することができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　上記一般式（１）中、ｍ、ｎは、正の整数であり、Ａは、アルキレン基を示す。Ｒは、炭素数２以上の直鎖または分岐鎖のアルキレン基を示す。本実施形態では、ｍは、２～１０００、好ましくは２～２０であり、ｎは、２～１００００、好ましくは、２～５００の範囲とすることができる。ＡＯ鎖の鎖長が長くなりすぎるとＨａｚｅ改善性が低下し、ｎが１００００以上では、各特性の添加量依存性が大きくなり、プロセスマージンに悪影響を与えるためである。ＡＯは、２種以上のアルキレンオキシドを使用して形成することができ、この実施形態の場合、異なるアルキレンオキシド基は、ブロック状でもランダム状でもよい。
　本発明における上記一般式（１）で与えられるアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体は、その溶解度パラメータが、９～１０の範囲とされることが好ましい。なお、本明細書においては溶解度パラメータ（ＳＰ）とは、上田他、塗料の研究、Ｎｏ．１５２、Ｏｃｔ．２０１０年、第４１頁～４６頁に記載されるＦｅｄｏｒｓの方法を使用し、モノマーのＳＰ値をもって水溶性高分子のＳＰ値とするものとする。上記溶解度パラメータが９．０以下では水溶液との相溶性が低下し、十分な効果を提供できず、ＳＰ値が１０以上では、そもそも十分なＨａｚｅ改善が困難となる傾向にある。
　本実施形態において特に好ましい重合体は、下記一般式（２）で示される。
上記一般式（２）中、Ａ、ｍ、ｎは一般式（１）で定義したものと同一である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
　さらに、本発明において上述したアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体と共に使用することができる好ましい水溶性高分子としては、ビニルモノマーを重合させて生成されるホモポリマー、またはコポリマーを挙げることができ、例えば、スチレン、クロロスチレン、α－メチルスチレン、ジビニルベンゼン；酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、酪酸ビニル、オクチル酸ビニル、カプリン酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ミリスチン酸ビニル、ステアリン酸ビニル、アジピン酸ビニル、（メタ）アクリル酸ビニル、クロトン酸ビニル、ソルビン酸ビニル、安息香酸ビニル、ケイ皮酸ビニル等のカルボン酸ビニル類、アクリロニトリル、リモネン、シクロヘキセン；２－ビニルピリジン、３－ビニルピリジン、４－ビニルピリジン、Ｎ－ビニルピロリドン；Ｎ－ビニルアセトアミド、Ｎ－ビニルメチルアセトアミドなどのＮ－ビニル化合物、ビニルフラン、２－ビニルオキシテトラピランなどの環状エーテルビニル化合物、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アミルビニルエーテル、２－エチルヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエーテル、ノニルビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、ヘキサデシルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、ブトキシエチルビニルエーテル、セチルビニルエーテル、フェノキシエチルビニルエーテル、アリルビニルエーテル、メタリルビニルエーテル、グリシジルビニルエーテル、２－クロロエチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテルなどのモノビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ポリエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ポリプロピレングリコールモノビニルエーテル、１，３－ブチレングリコールモノビニルエーテル、テトラメチレングリコールモノビニルエーテル、ヘキサメチレングリコールモノビニルエーテル、ネオペンチルグリコールモノビニルエーテル、トリメチロールプロパンモノビニルエーテル、グリセリンモノビニルエーテル、ペンタエリスリトールモノビニルエーテル、１，４－シクロヘキサンジメタノールモノビニルエーテルなどのホモポリマー、任意の組み合わせのコポリマーであって、水溶性を有するポリマーまたはコポリマーを挙げることができ、これらは適宜水溶性を向上させるために、鹸化度を調整することもできる。
　上述したアクリル系樹脂の他、本発明では、メチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロースなどのセルロース誘導体を使用することができる。当該セルロース誘導体の平均分子量は、１０００００～２００００００のものを使用することができる。
　本発明において本実施形態のアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体と併用することができる水溶性高分子として、より具体的には、ポリ－Ｎ－ビニルピロリドン、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、ポリ－Ｎ－ビニルメチルアセトアミド、平均分子量が略２００～１１００００のＰＥＧまたはＰＥＯといったポリアルキレンオキシド重合体、またはＰＥＯ－ＰＰＯ共重合体、ポリ－２－エチルオキサゾリンまたはこれらの如何なる混合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。なお、本発明において平均分子量とは、重量平均、数平均、または重合度といった公知の分子量測定方法によって得られる値を意味し、特定の測定方法に限定される訳ではない。
　併用できる水溶性高分子としては、より具体的には例えば、ポリ－Ｎ－ビニルピロリドン、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、ポリグリセリン、ＰＥＧ、ＰＥＯ、ＰＥＯ、ＰＥＧ－ＰＰＧブロック共重合体、エチレンオキシドエチレンジアミン付加物、ポリ－２－エチルオキサゾリン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩など公知の水溶性高分子として市販のものを挙げることができる。
　併用できる水溶性高分子としては、より具体的には例えば、ポリ－Ｎ－ビニルピロリドン、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、ポリグリセリン、分子量が１０００～１００００００のＰＥＧ／ＰＥＯ、ＰＥＧ－ＰＰＧブロック共重合体、アルキレンオキシドエチレンジアミン付加物（ＥＯ質量割合３５％、ＰＰＧ分子量４４００、リバースタイプ）、ポリ－２－エチルオキサゾリン（Ｐｏｌｙ（２－ｅｔｈｙｌ－２－ｏｘａｚｏｌｉｎｅ、平均分子量５０００００）、ポリビニルアルコール（平均分子量２０００００）、ポリアクリル酸（平均分子量２５０００）、ポリアクリル酸塩（平均分子量５０００）を挙げることができる。
　本発明のスラリー組成物中におけるアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体の添加量は、１ｐｐｍ（０．００１質量％）～５０００ｐｐｍ（０．５質量％）の範囲とすることができる。また、シリコンウェーハの研磨速度を現実的に生産可能なスループットに維持する観点から１０ｐｐｍ～１０００ｐｐｍの範囲で添加することが好ましく、他のスラリー組成の調整を必要としない点で、より好ましくは、５０ｐｐｍ～１０００ｐｐｍの範囲で添加することが好ましい。
　本発明のスラリー組成物は、上述した水溶性高分子の他、研磨砥粒、酸またはアルカリ、緩衝剤、触媒、各種塩類などの研磨成分を含有することができる。本発明に用いられる研磨砥粒は、研磨用に一般に使用されている研磨砥粒を使用することができる。研磨砥粒としては、例えば金属、金属または半金属の炭化物、窒化物、酸化物、ホウ化物およびダイヤモンドなどを挙げることができる。
　本発明に使用することができる研磨砥粒としては、基板表面に有害なスクラッチ（きず）または他の欠陥を導入することなく基板表面を研磨することができるような金属酸化物であることが好ましい。好適な金属酸化物の研磨砥粒としては、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、セリア、ジルコニアおよびマグネシア、並びにそれらの共形成された製品、それらの混合物およびそれらの化学混和物が挙げられる。典型的には、研磨砥粒は、アルミナ、セリア、シリカ、ジルコニアおよびそれらの組み合わせからなる群より選択される。シリカ、特にはコロイダルシリカおよびセリアが好ましい研磨砥粒であり、コロイダルシリカがより好ましい。
　本発明のスラリー組成物は、研磨砥粒は、好ましい液体キャリアーに研磨砥粒を分散させ、水溶性高分子などの各種添加剤を添加して、分散体または懸濁物として形成することができる。好ましい液体キャリアーとしては、極性溶媒、好ましくは水または水性溶媒を挙げることができ、研磨砥粒がスラリー中に含まれる場合には、研磨時点の濃度で０．１質量％以上、より好ましくは０．１～５０質量％の研磨砥粒を有することが望ましく、より好ましいスラリー組成物では、研磨砥粒は、０．１～５質量％でコロイダルシリカを添加することができる。
　本発明のスラリー組成物は、研磨速度を考慮して適宜ｐＨを調整することができる。本発明においては、スラリー組成物のｐＨは、５～１２であることが好ましく、より好ましくは、シリコンウェーハの研磨処理において、ｐＨは７～１２の範囲である。
　研磨砥粒の１次粒子の平均粒径は、研磨速度を向上させる観点から、好ましくは０．０１～３μｍ、さらに好ましくは０．０１～０．８μｍ、特に好ましくは０．０２～０．５μｍである。さらに、１次粒子が凝集して２次粒子を形成している場合は、同様に研磨速度を向上させる観点および被研磨物の表面粗さを低減させる観点から、２次粒子の平均粒径は、好ましくは０．０２～３μｍ、さらに好ましくは０．０５～１．５μｍ、特に好ましくは０．０６～１．２μｍとすることができる。なお、研磨砥粒の１次粒子の平均粒径は、走査型電子顕微鏡で観察または透過型電子顕微鏡で観察して画像解析を行い、粒径を測定することにより求めることができる。また、２次粒子の平均粒径は、レーザー光散乱法を用いて体積平均粒径として測定することができる。
　本発明では、研磨基板に応じて種々の他の添加剤を使用することができる。好ましい添加剤としては、例えば、アミン、アンモニウム塩、アルカリ金属イオン、膜形成剤、錯化剤、界面活性剤、レオロジー制御剤、ポリマー性安定剤又は分散剤、および／またはハロゲン化物イオンを研磨系中に存在させることができる。添加剤は任意の好適な濃度で研磨系中に存在できる。
　また、スラリー組成物には、アミン化合物を添加することができ、アミン化合物としては、脂肪族アミン、環状アミン、複素環アミン、芳香族アミン、ポリアミンおよびそれらの組み合わせから選択することができる。好ましい実施形態では、アミン化合物は、アミノ酸またはアミノアルコールなど、少なくとも１つの酸素原子と、少なくとも１つの極性部分とを含むことができ、具体的には、ジメチルプロパノールアミン（２－ジメチルアミノ－２－メチル－１－プロパノール又はＤＭＡＭＰとしても知られる）、２－アミノ－２－メチル－１－プロパノール（ＡＭＰ）、２－（２－アミノエチルアミノ）エタノール、２－（イソプロピルアミノ）エタノール、２－（メチルアミノ）エタノール、２－（ジエチルアミノ）エタノール、２－（２－（ジメチルアミノ）エトキシ）エタノール、１，１’－［［３－（ジメチルアミノ）プロピル］イミノ］－ビス－２－プロパノール、２－（ブチルアミノ）エタノール、２－（ｔｅｒｔ－ブチルアミノ）エタノール、２－（ジイソプロピルアミノ）エタノール、Ｎ－（３－アミノプロピル）モルホリン、およびそれらの混合物を含むことができる。
　本発明ではアミン化合物の他、アンモニウム塩を添加することができ、例えば、水酸化されたアミン（例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ））および第４級アンモニウム化合物などを使用することもできる。
　スラリー組成物には、各種塩類のカウンターイオンとしてアルカリ金属イオンが存在していても良い。好ましいアルカリ金属イオンとしては、周期表のＩ族の１価の卑金属イオンを挙げることができる。アルカリ金属イオンとしては、具体的には、例えばナトリウムイオン、カリウムイオン、ルビジウムイオンおよびセシウムイオンを使用することができる。カリウムイオンおよびセシウムイオンが好ましく、カリウムイオンがより好ましい。
　なお、本発明では、防食剤を研磨系と共に使用することができ、防食剤としては、アルキルアミン、アルカノールアミン、ヒドロキシルアミン、リン酸エステル、ラウリル硫酸ナトリウム、脂肪酸、ポリアクリル酸塩、ポリメタクリル酸塩、ポリビニルホスホン酸塩、ポリリンゴ酸塩、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリビニルスルホン酸塩、ベンゾトリアゾール、トリアゾール、ベンズイミダゾールおよびそれらの混合物を挙げることができる。
　さらに本発明においては任意的にキレート剤などをスラリー組成物に添加することができる。キレート化剤としては、例えば、アセチルアセトネートなどのカルボニル化合物、例えば、酢酸塩、アリールカルボン酸塩などのカルボン酸塩、少なくとも１のヒドロキシル基を含有するカルボン酸塩、例えば、グリコール酸塩、乳酸塩、グルコン酸塩、没食子酸およびそれらの塩など、ジカルボン酸塩、トリカルボン酸塩およびポリカルボン酸塩（例えば、シュウ酸塩、フタル酸塩、クエン酸塩、コハク酸塩、酒石酸塩、リンゴ酸塩、二ナトリウムＥＤＴＡなどのエデト酸塩、およびそれらの混合物などを挙げることができる。好ましいキレート剤としては、例えば、例えば、エチレングリコール、ピロカテコール、ピロガロール、タンニン酸などのジアルコール、トリアルコール又は多価アルコールおよびリン酸塩含有化合物を挙げることができる。
　本発明においては任意的に界面活性剤、粘度調整剤、凝固剤を研磨系と共に使用することができる。好適な粘度調整剤としては、例えば、ウレタンポリマー、少なくとも１つのアクリル単位を含むアクリル酸塩を挙げることができる。具体的には、粘度調整剤としては、低分子量のカルボン酸塩、高分子量のポリアクリルアミド化合物を挙げることができ、好ましい界面活性剤としては、例えば、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、アニオン性高分子電解質、非イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、フッ素化界面活性剤、それらの混合物などを挙げることができる。
　基板は、適切な研磨パッドを備えた研磨系で研磨することができる。研磨パッドとしては、例えば、織および不織の研磨パッドを好ましく使用することができる。好適な研磨パッドは、具体的には、合成樹脂製研磨パッドを使用することができ、好適なポリマーとしては、例えば、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ナイロン、フッ化炭素、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリエーテル、ポリエチレン、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリプロピレン、それらの共形成製品およびそれらの混合物を挙げることができる。
　また、本発明のスラリー組成物および基板研磨方法は、シリコン基板のみならず、ポリシリコン膜、ＳｉＯ２膜、金属配線膜が形成されたシリコン基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板など、研磨処理が適用できる基板について適用することができる。また、本発明は、事前にスラリー組成物を調整しておき、調整後のスラリー組成物を研磨基板に供給しながら研磨パッドで研磨する方法の他、希釈液およびスラリー原液を研磨パッド上に供給し、研磨パッド近傍で基板研磨用のスラリー組成物を調整するいわゆるin-situ調合・調整を行う研磨方法にも適用することができる。
　これまで本発明につき実施形態を以て詳細に説明してきたが、以下、本発明をさらに具体的な実施例によって説明する。なお、後述する実施形態は、本発明を理解するためもものであり、本発明を如何なる意味で限定することを意図するものではない。
　複数の水溶性高分子をスラリー溶液に添加して本発明のスラリー組成物を作成し、そのＬＰＤ、研磨レート（ＲＲ）、表面曇り（Ｈａｚｅ）を測定した。スラリー組成物の調整およびシリコンウェーハ研磨条件は、以下の通りである。
１．スラリー組成物の調整
　７質量％のコロイダルシリカと、アンモニアによってｐＨ１０．５に調整されたの水と、３０００ｐｐｍのヒドロキシエチルセルロースを含むスラリー組成物に、それぞれ下記の化合物の濃度を変えて添加して、スラリー組成物を調整した。
（１）一般式（１）で示されるアルキレンポリアルキレンオキシドポリアミン重合体、平均分子量約４６０００、ＥＯ：ＰＯ（質量比）＝約８：１(以下、添加剤１として参照する。）
（２）ポリ－Ｎ－ビニルピロリドンＫ９０(以下、添加剤２として参照する。）
（３）ポリ－Ｎ－ビニルピロリドンＫ１５(以下、添加剤３として参照する。）
（４）ポリ－２－エチルオキサゾリン(添加剤４として参照する。）、
（５）ポリグリセリン(添加剤５として参照する。）
（６）ＰＥＧ８０００(添加剤６として参照する。）、
（７）ＰＥＯ（平均分子量４００００）(添加剤７として参照する。）、
（８）ＰＥＯ（平均分子量４０００００）(添加剤８として参照する。）、
（９）ＰＥＯ（平均分子量１００００００）(添加剤９として参照する。）、
（１０）エチレンオキシドエチレンジアミン付加物(添加剤１０として参照する。）、
（１１）ＰＥＧ－ＰＰＧブロック共重合体(添加剤１１として参照する。）、
（１２）ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド(添加剤１２として参照する。）、
（１３）ポリビニルアルコール(添加剤１３として参照する。）、
（１４）ポリアクリル酸（Ｍｗ２５０００、添加剤１４として参照する。）、
（１５）ポリアクリル酸塩(添加剤１５として参照する。）
２．研磨条件
　１で作成したスラリー組成物を使用して、８インチｐ型シリコンウェーハ、抵抗率０．１～１００Ω・ｃｍ）、結晶方位＜１００＞をフッ化水素酸（０．５％）で２３℃・２分間洗浄して自然酸化膜を除去した後、スラリー組成物を水で２０倍希釈して以下の条件で研磨処理を適用した。
（１）研磨装置：８インチ片面研磨機、エム・エー・ティー社製ＭＡＴ－ＡＲＷ－６８１ＭＳ
（２）ウェハヘッド：テンプレート方式水貼り保持
（３）研磨パッド：ＤＯＷ社製　ＳＰＭ３１００
（４）定盤回転数：３０ｒｐｍ
（５）研磨ヘッド回転数：２６ｒｐｍ
（６）研磨圧：３ｐｓｉ＝２１０ｇ／ｃｍ２＝２０．７ｋＰａ
（７）スラリー供給量：３５０ｍＬ／ｍｉｎ（かけ流し）
（８）研磨時間：５ｍｉｎ
　研磨後、シリコンウェーハを、ＳＣ－１（アンモニア（２９質量％水溶液）：過酸化水素（３１質量％水溶液）：純水＝１：１：４（体積比）溶液）２３℃　２０分間のバッチ洗浄後、その後さらに芝浦メカトロニクス製　ＳＣ－２００Ｓ、ＳＣ－１（アンモニア（２９質量％水溶液）：過酸化水素（３１質量％水溶液）：純水＝１：４：２０（体積比）溶液）２３℃　ＰＶＡブラシスクラブ洗浄した後、純水洗浄した。
３．測定方法
　洗浄後のシリコンウェーハ表面の表面粗さ（ヘイズ）は、KLA Tencor社製のSurfscan SP2を用い、暗視野ワイド斜入射チャネル（ＤＷＯ）で測定されるＤＷＯの値を用いた。ＬＰＤは、同じくKLA Tencor社製のSurfscan SP2を用い、暗視野コンポジット斜入射チャネル（ＤＣＯ）における３７ｎｍ以上のサイズのＬＰＤの値を用いた。また研磨速度は、研磨前後のウェハ重量差を、シリコンウェーハの密度、面積および研磨時間にて除して、単位時間当たりの研磨速度を求めた。同一の添加剤について同一条件で少なくとも２回測定を行ない、その平均値を各値とした。
４．結果
　各添加剤についての測定結果を図１～図４に示す。図１は、ＨａｚｅおよびＲＲの測定結果を、添加剤、その添加量に対応づけて表として示したものである。図２は、ＨａｚｅおよびＲＲの溶解度パラメータ依存性を示す。なお、図２中、「◇」の記号は、研磨レート（ＲＲ）であり、「○」の記号が、Ｈａｚｅを示す。図２に示すように、溶解度パラメータが小さい程、ＲＲの低下（図中、上側の曲線）に比較してＨａｚｅが減少すること、すなわちＨａｚｅが改善される傾向が見られた。
　図３は、エチレンオキシド鎖およびプロピレンオキシド鎖を共に含有する添加剤である、添加剤１、添加剤１０、添加剤１１について、それぞれＲＲおよびＨａｚｅに対する添加剤濃度依存性をプロットしたものである。図３中、「△」の記号は、ＲＲであり、「□」の記号は、Ｈａｚｅを示す。図１に示すように、添加剤１、添加剤１０、添加剤１１のＳＰ値は、概ね同一である。図３に示すように、いずれの添加剤も添加剤の添加濃度が増加すると、ＲＲの低下に伴って、Ｈａｚｅが改善されることが示される。また、図１に示すように、添加剤１、添加剤１０、添加剤１１のいずれも、その添加剤濃度に依存してＬＰＤ個数が３００個以下の良好な値を示した。
　図４には、添加剤１、添加剤１０、添加剤１１のそれぞれについて３７ｎｍＤＣＯ、６５ｎｍＤＣＯにおけるＬＰＤ値の平均値のグラフを示す。図４に示すように、添加剤１は、３７ｎｍＤＣＯで、平均１６５個、６５ｎｍＤＣＯで、１３．５個、のＬＰＤ値を与えた。このＬＰＤの値は、添加剤１０の３７ｎｍＤＣＯにおける平均７１５５．５個、６５ｎｍＤＣＯにおける平均２７．３個、添加剤１１の３７ｎｍＤＣＯにおける平均２８５．３個、６５ｎｍＤＣＯにおける平均３３．５個に比較して少なくとも２倍以上、ＬＰＤ値を改善することが示された。
　ここで、添加剤１および添加剤１０は、いずれもアミン構造を含有するものであり、Ｈａｚｅの最小値を与える濃度が異なるものの、同程度のＨａｚｅ改善性が示されている。一方、ＰＥＯ・ＰＰＯブロック共重合体である添加剤１１は、アミン構造を含む添加剤１および添加剤１０に比較した場合、添加剤の濃度を増加させてもＨａｚｅの改善に限界があることが示された。
　さらに、添加剤１と、添加剤１０とを比較すると、添加剤１の方が、ＲＲを高濃度領域にまで維持させながらＨａｚｅを略線形的に改善することが示されている。一方、添加剤１０は、添加剤１０の添加濃度が低い領域でのＨａｚｅの改善は顕著であった。しかしながら、添加剤１０は、その濃度依存性が激しく、適切な範囲にＲＲを維持しながらＨａｚｅを改善しようとする場合、添加剤１に比して狭く、十分なプロセスマージンが得られないことが示された。
　図５には、添加剤１、添加剤１０、および添加剤１１の添加によるＨａｚｅに対するＲＲの依存性を示したプロットを示す。図５に示すように、ＰＥＯ・ＰＰＯブロック共重合体である添加剤１１は、Ｈａｚｅの改善よりもＲＲの低下の方が早く生じ、この結果として、非線形的な依存性を示す。一方、本実施形態のアルキレンポリアルキレンオキシドアミン重合体である添加剤１では、ＲＲの急激な低下が抑制されているのが示されている。この結果、添加剤１では、ＲＲ及びＨａｚｅの改善が、高いにトレードオフの関係を与えることなく、概ね直線的な関係を与えることがわかった。このため添加剤１は、プロセス適合性を添加剤１０のように著しく狭めることなく、十分なプロセス適合性を提供しながら、スケーラブルにＨａｚｅを改善することができることが示された。
　さらに、添加剤１０は、全般的にＲＲを低下させない点では、添加剤１よりも優れていると言うことができる。しかしながら、同程度のＲＲにおけるＨａｚｅを比較した場合、添加剤１０は、添加剤１に比較して遙かにＨａｚｅを劣化させる（値が大きくなる）ことが示された。このことは、添加剤１０は、Ｈａｚｅの改善するための添加濃度範囲がきわめて狭く、この結果、十分なプロセス安定性を提供することができなかった。
　以上のように、本発明によれば、ＲＲの低下を抑制しながらＨａｚｅ及びＬＰＤ値を同時に改善し、プロセス適合性を拡大することが可能なスラリー組成物および基板研磨方法を提供することができる。
　これまで本発明を、実施形態をもって説明してきたが、本発明は、実施形態に限定されるものではなく、他の実施形態、追加、変更、削除など、当業者が想到することができる範囲内で変更することができ、いずれの態様においても本発明の作用・効果を奏する限り、本発明の範囲に含まれるものである。

Claims (8)

  1. 　水と、
    　研磨砥粒と、
    　溶解度パラメータが９～１０の範囲であり、３級アミンを含む繰返し構造単位を少なくとも２個含む重合体と
    　を含有する、化学的機械研磨用のスラリー組成物。
  2. 　前記３級アミンは、Ｎ－アルキレン基を含み、前記繰返し構造単位は、Ｎ－アルキレンアミン構造を含む、請求項１に記載のスラリー組成物。
  3. 　前記重合体は、重量平均分子量が５０００～１０００００である、請求項１または２に記載のスラリー組成物。
  4. 　前記繰返し構造単位は、Ｎ－ポリエチレンオキシド重合体、Ｎ－ポリプロピレンオキシド重合体またはＮ原子に結合したエチレンオキシド・プロピレンオキシド共重合体を含む、請求項１～３のいずれか１項に記載のスラリー組成物。
  5. 　前記重合体は、前記スラリー組成物中に、１～５０００ｐｐｍで存在する、請求項１～４のいずれか１項に記載のスラリー組成物。
  6. 　前記重合体は、下記一般式（１）で与えられる、請求項１～５のいずれか１項に記載のスラリー組成物。
    Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
     （上記一般式（１）中、ｍ、ｎは正の整数であり、ＡおよびＲは、アルキレン基である。）
  7. 　さらにセルロース誘導体、ポリ－Ｎ－ビニルピロリドン、ポリ－Ｎ－ビニルアセトアミド、ポリグリセリン、ＰＥＧ、ＰＥＯ、ＰＥＧ－ＰＰＧ共重合体、エチレンオキシドエチレンジアミン付加物、ポリ－２－エチルオキサゾリン、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸塩からなる群から選択される少なくとも１種の水溶性高分子を含有する、請求項１～６のいずれか１項に記載のスラリー組成物。
  8. 　請求項１～７のいずれか１項に記載のスラリー組成物を、研磨基板に付着させる工程と、
    　研磨基板を、前記スラリー組成物により研磨パッドで研磨する工程と
    　を含む基板研磨方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023127775A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社レゾナック 組成物、研磨剤および基材の研磨方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10570313B2 (en) * 2015-02-12 2020-02-25 Versum Materials Us, Llc Dishing reducing in tungsten chemical mechanical polishing
JP2017119738A (ja) * 2015-12-28 2017-07-06 花王株式会社 サファイア板の非極性面用研磨液組成物
US10106705B1 (en) 2017-03-29 2018-10-23 Fujifilm Planar Solutions, LLC Polishing compositions and methods of use thereof
KR20190074597A (ko) 2017-12-20 2019-06-28 주식회사 케이씨텍 Sti 공정용 연마 슬러리 조성물
JPWO2020009055A1 (ja) * 2018-07-04 2021-08-05 住友精化株式会社 研磨用組成物
JP7477964B2 (ja) * 2019-12-13 2024-05-02 インテグリス・インコーポレーテッド 化学機械研磨組成物及びそれを用いた化学機械研磨方法

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005518091A (ja) * 2002-02-11 2005-06-16 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション Ｃｍｐのための正電荷高分子電解質で処理したアニオン性研磨粒子
JP2005286224A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
JP2005350640A (ja) * 2003-09-24 2005-12-22 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアルキレンイミンアルキレンオキシド共重合体
WO2007088868A1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. 絶縁膜研磨用ｃｍｐ研磨剤、研磨方法、該研磨方法で研磨された半導体電子部品
WO2007108215A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Mitsui Chemicals, Inc. 研磨用組成物
WO2008117573A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-02 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法
JP2009535816A (ja) * 2006-04-27 2009-10-01 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション ポリエーテルアミンを含有する研磨組成物
WO2009131133A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 日立化成工業株式会社 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
JP2012149185A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアルキレンアミンアルキレンオキシド共重合体
WO2012161202A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社クラレ 化学機械研磨用エロージョン防止剤、化学機械研磨用スラリーおよび化学機械研磨方法
WO2014174365A2 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Nihon Cabot Microelectronics K.K. Slurry composition and method of substrate polishing

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5828625B2 (ja) * 2009-09-30 2015-12-09 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物
JP5781287B2 (ja) * 2009-10-01 2015-09-16 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物
JP5492603B2 (ja) * 2010-03-02 2014-05-14 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP5575837B2 (ja) 2011-06-29 2014-08-20 三洋化成工業株式会社 電子材料用研磨液
JP6069308B2 (ja) 2012-04-26 2017-02-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物の製造方法
SG11201500924PA (en) 2012-08-31 2015-04-29 Fujimi Inc Polishing composition and method for producing substrate

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005518091A (ja) * 2002-02-11 2005-06-16 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション Ｃｍｐのための正電荷高分子電解質で処理したアニオン性研磨粒子
JP2005350640A (ja) * 2003-09-24 2005-12-22 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアルキレンイミンアルキレンオキシド共重合体
JP2005286224A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Nitta Haas Inc 半導体研磨用組成物
WO2007088868A1 (ja) * 2006-01-31 2007-08-09 Hitachi Chemical Co., Ltd. 絶縁膜研磨用ｃｍｐ研磨剤、研磨方法、該研磨方法で研磨された半導体電子部品
WO2007108215A1 (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Mitsui Chemicals, Inc. 研磨用組成物
JP2009535816A (ja) * 2006-04-27 2009-10-01 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション ポリエーテルアミンを含有する研磨組成物
WO2008117573A1 (ja) * 2007-03-27 2008-10-02 Jsr Corporation 化学機械研磨用水系分散体、該水系分散体を調製するためのキット、化学機械研磨方法、および半導体装置の製造方法
WO2009131133A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 日立化成工業株式会社 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
JP2012149185A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Nippon Shokubai Co Ltd ポリアルキレンアミンアルキレンオキシド共重合体
WO2012161202A1 (ja) * 2011-05-24 2012-11-29 株式会社クラレ 化学機械研磨用エロージョン防止剤、化学機械研磨用スラリーおよび化学機械研磨方法
WO2014174365A2 (en) * 2013-04-25 2014-10-30 Nihon Cabot Microelectronics K.K. Slurry composition and method of substrate polishing

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023127775A1 (ja) * 2021-12-28 2023-07-06 株式会社レゾナック 組成物、研磨剤および基材の研磨方法

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Publication number Publication date
JP2015174938A (ja) 2015-10-05
KR102411832B1 (ko) 2022-06-22
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JP6306383B2 (ja) 2018-04-04
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