WO2015060350A1 - 単結晶蛍光体、蛍光体含有部材、及び発光装置 - Google Patents

単結晶蛍光体、蛍光体含有部材、及び発光装置 Download PDF

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祐輔 新井
広明 佐野
青木　和夫
島村　清史
ビジョラ エンカルナシオン アントニア ガルシア
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株式会社光波
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Definitions

  • the present invention relates to a single crystal phosphor, a phosphor-containing member, and a light emitting device.
  • a light emitting element composed of an LED (Light) Emitting ⁇ ⁇ Diode) that emits blue light and a phosphor that emits yellow light when excited by receiving the light from the light emitting element are mixed.
  • a light emitting device that emits white light is known (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
  • a YAG: Ce polycrystalline phosphor ceramic plate is used as a phosphor emitting yellow light.
  • cerium-activated yttrium aluminum garnet (YAG: Ce) -based polycrystalline phosphor powder is used as a phosphor emitting yellow light.
  • JP 2010-24278 A Japanese Patent No. 3503139
  • One of the objects of the present invention is to provide a YAG-based single crystal phosphor that emits fluorescence of an unprecedented color, and a phosphor-containing member and a light-emitting device including the single crystal phosphor.
  • one aspect of the present invention provides the following single crystal phosphors [1] to [3].
  • Another aspect of the present invention provides the following [4] to [7].
  • a light-emitting element that emits blue light and a yellow-based phosphor that absorbs light emitted from the light-emitting element and emits yellow-colored fluorescence.
  • a light emitting device which is the single crystal phosphor according to any one of [3] to [3].
  • the light emitting device according to [4], further including a red phosphor that absorbs light emitted from the light emitting element and emits red fluorescence.
  • another aspect of the present invention provides the following phosphor-containing member [8], [9].
  • Another aspect of the present invention provides the following [10] light emitting device.
  • a light-emitting device comprising: a light-emitting element that emits blue light; and the phosphor-containing member according to [8].
  • a YAG-based single crystal phosphor that emits fluorescence of an unprecedented color
  • a phosphor-containing member and a light-emitting device including the single crystal phosphor it is possible to provide a YAG-based single crystal phosphor that emits fluorescence of an unprecedented color, and a phosphor-containing member and a light-emitting device including the single crystal phosphor.
  • FIG. 1 is a graph showing the composition distribution of the single crystal phosphor according to the first embodiment used for the evaluation.
  • FIG. 2 is a graph showing the CIE (x, y) chromaticity distribution of the single crystal phosphor according to the first embodiment used for the evaluation.
  • FIG. 3A is a vertical cross-sectional view of the light emitting device according to the second embodiment.
  • FIG. 3B is an enlarged view of a light emitting element included in the light emitting device and its peripheral portion.
  • FIG. 4 is a chromaticity diagram showing CIE chromaticity of light (fluorescence) emitted from the single crystal phosphor and CIE chromaticity of light obtained by mixing light emitted from the light emitting element and light emitted from the single crystal phosphor.
  • FIG. 1 is a graph showing the composition distribution of the single crystal phosphor according to the first embodiment used for the evaluation.
  • FIG. 2 is a graph showing the CIE (x, y) chromaticity distribution of the
  • FIG. 5 is a chromaticity diagram showing CIE chromaticity of mixed light emitted by a combination of a light emitting element, a single crystal phosphor, and a red phosphor.
  • FIG. 6 shows emission spectra of the light emitting element, single crystal phosphor, and red phosphor used in the simulation. These emission spectra are called basic spectra.
  • FIG. 7A is a vertical cross-sectional view of the light emitting device according to the third embodiment.
  • FIG. 7B is an enlarged view of a light emitting element included in the light emitting device and its peripheral portion.
  • FIG. 7C is a top view of the light-emitting element.
  • FIG. 8 is a vertical sectional view of the light emitting device according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 is a vertical cross-sectional view of the light emitting device according to the fifth embodiment.
  • FIG. 10 is a vertical sectional view of the light emitting device according to the sixth embodiment.
  • the single crystal phosphor according to the first embodiment is a YAG-based single crystal phosphor activated with Ce, and (Y 1-ab Lu a Ce b ) 3 + c Al 5 -c O 12 (0 ⁇ a ⁇ 0.9994, 0.0002 ⁇ b ⁇ 0.0067, ⁇ 0.016 ⁇ c ⁇ 0.315).
  • Ce is substituted at the Y site and functions as an activator (becomes a light emission center).
  • Lu is replaced with a Y site, but does not function as an activator.
  • the above phosphor composition some atoms may occupy different positions on the crystal structure.
  • the value of O in the composition ratio in the above composition formula is described as 12, the above composition is slightly deviated from 12 in the composition ratio due to the presence of inevitably mixed or missing oxygen.
  • the value of c in the composition formula is a value that inevitably changes in the production of the single crystal phosphor, but the change within the numerical range of about ⁇ 0.016 ⁇ c ⁇ 0.315 Little effect on the physical properties of the phosphor.
  • the single crystal phosphor according to the first embodiment includes, for example, the CZ method (Czochralski Method), the EFG method (Edge Defined Film Fed Growth Method), the Bridgeman method, the FZ method (Floating Zone Method), the Bernoulli method, and the like. It can be obtained by a liquid phase growth method.
  • the single crystal phosphor ingot obtained by these liquid phase growth methods can be cut and processed into a flat plate shape, or pulverized and processed into a powder shape, which can be used in a light emitting device described later.
  • the range of the numerical value of b in the above composition formula representing the concentration of Ce is 0.0002 ⁇ b ⁇ 0.0067 because when the numerical value of b is smaller than 0.0002, the Ce concentration is too low.
  • the problem is that the absorption of excitation light becomes small and the external quantum efficiency becomes too small, and when it is larger than 0.0067, cracks and voids occur when growing an ingot of a single crystal phosphor, and the crystal quality is low. This is because there is a high possibility of a decrease.
  • Y 2 O 3 , Lu 2 O 3 , CeO 2 , and Al 2 O 3 powders are prepared and dry-mixed to obtain a mixed powder.
  • the raw material powders of Y, Lu, Ce, and Al are not limited to the above. Further, when producing a single crystal phosphor containing no Lu, the raw material powder is not used.
  • the obtained mixed powder is put in an iridium crucible, and the crucible is accommodated in a ceramic cylindrical container. Then, a high-frequency coil wound around the cylindrical container supplies high-frequency energy of 30 kW to the crucible to generate an induced current, thereby heating the crucible. Thereby, the mixed powder is melted to obtain a melt.
  • a seed crystal that is a YAG single crystal is prepared, and the tip is brought into contact with the melt, and then pulled at a pulling speed of 1 mm / h or less while rotating at a rotation speed of 10 rpm, and a pulling temperature of 1960 ° C. or higher.
  • the single crystal phosphor ingot is grown in the ⁇ 111> direction.
  • the single crystal phosphor ingot is grown by flowing nitrogen into the cylindrical container at a flow rate of 2 L / min in a nitrogen atmosphere under atmospheric pressure.
  • a single crystal phosphor ingot having a diameter of about 2.5 cm and a length of about 5 cm is obtained.
  • a flat single crystal phosphor used in a light emitting device can be obtained.
  • a particulate single crystal phosphor can be obtained.
  • Composition analysis was performed by high frequency inductively coupled plasma (ICP) emission spectroscopy. Further, ICP mass spectrometry (ICP-MS) was used in combination with a single crystal phosphor having a very low Ce concentration.
  • ICP-MS ICP mass spectrometry
  • CIE 1931 color matching functions were used to obtain CIE chromaticity coordinates of the emission spectrum of the single crystal phosphor when the peak wavelength of the excitation light was 450 nm.
  • the internal quantum efficiency was evaluated using a quantum efficiency measurement system equipped with an integrating hemisphere unit. A specific method for measuring the internal quantum efficiency of the single crystal phosphor will be described below.
  • the excitation light spectrum is measured by irradiating barium sulfate powder as a standard sample installed in the integrating hemisphere unit with excitation light.
  • excitation light is irradiated to the single crystal phosphor placed on barium sulfate in the integrating hemisphere unit, and the excitation reflected light spectrum and the fluorescence emission spectrum are measured.
  • the excitation light diffusely reflected in the integrating hemisphere unit is irradiated to a single crystal phosphor placed on barium sulfate, and a re-excitation fluorescence emission spectrum is measured.
  • the difference between the photon number obtained from the fluorescence emission spectrum and the photon number obtained from the re-excitation fluorescence emission spectrum is divided by the difference between the photon number obtained from the excitation light spectrum and the photon number obtained from the excitation reflected light spectrum.
  • the internal quantum efficiency is obtained.
  • Table 1 below shows the results of the evaluation of the fluorescence wavelength and CIE chromaticity.
  • Sample Nos. 1 to 33 in Table 1 are single crystal phosphor samples of the present embodiment, and Sample Nos. 34 to 36 are YAG-based polycrystals activated by Ce as a comparative example. This is a phosphor powder sample.
  • Table 1 shows the values of a, b, and c in the composition formula of the single crystal phosphor according to the present embodiment, the peak wavelength ⁇ p (nm) of the fluorescence when the peak wavelengths of the excitation light are 440 nm, 450 nm, and 460 nm, And CIE chromaticity coordinates (x, y) when the peak wavelengths of the excitation light are 440 nm, 450 nm, and 460 nm.
  • the numerical formulas of a, b, and c in the composition formula (Y 1-ab Lu a Ce b ) 3 + c Al 5-c O 12 of the single crystal phosphor used for evaluation are respectively 0 ⁇ a ⁇ 0.9994, 0.0002 ⁇ b ⁇ 0.0067, and ⁇ 0.016 ⁇ c ⁇ 0.315.
  • the single crystal phosphor containing Lu has a fluorescent color close to green as compared with the single crystal phosphor not containing Lu, white light having high color rendering properties is produced by using a blue light source in combination with a red phosphor. be able to.
  • a single crystal phosphor that does not contain Lu can produce white light with a high color temperature using a blue light source without being combined with a red phosphor.
  • a single crystal phosphor containing Lu tends to be superior in temperature characteristics as compared to a single crystal phosphor not containing Lu.
  • Lu since Lu is expensive, adding Lu to a single crystal phosphor increases the manufacturing cost.
  • FIG. 1 is a graph showing the composition distribution of the single crystal phosphor according to the first embodiment used for the evaluation.
  • the horizontal axis of FIG. 1 represents a (Lu concentration) in the composition formula of the single crystal phosphor, and the vertical axis represents b (Ce concentration) in the composition formula.
  • FIG. 2 is a graph showing the CIE (x, y) chromaticity distribution of the single crystal phosphor according to the first embodiment used for the evaluation.
  • the horizontal axis in FIG. 2 represents the CIE chromaticity coordinate x when the peak wavelength of the excitation light is 450 nm, and the vertical axis represents the coordinate y.
  • Table 2 shows the results of evaluation for internal quantum efficiency.
  • Table 2 shows the values of a, b, c in the composition formula of the single crystal phosphor according to the present embodiment, and the internal quantum efficiency ( ⁇ int) at 25 ° C. when the excitation light peak wavelengths are 440, 450, 460 nm. ).
  • the single crystal phosphor according to the present embodiment has a high internal quantum efficiency.
  • the internal quantum efficiencies of all evaluated single crystal phosphor samples at a temperature of 25 ° C. and a peak wavelength of excitation light of 450 nm are 0.91 or more.
  • the sample Nos. 15 and 19 are circular plates having a diameter of 10 mm and a thickness of 0.3 mm, and the sample No. 33 is a powder.
  • the other sample is a square plate having a side length of 10 mm and a thickness of 0.3 mm.
  • all samples except the powder sample are mirror-polished on both sides.
  • the concentration of Ce contained in the polycrystalline phosphor powder is also orders of magnitude higher than the concentration of Ce contained in the single crystal phosphor of the present embodiment.
  • the concentration of Ce added to emit light of a desired color is extremely small compared to the polycrystalline phosphor, and the amount of expensive Ce used can be reduced. it can.
  • the second embodiment is an embodiment of a light emitting device having a single crystal phosphor according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a vertical sectional view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • FIG. 3B is an enlarged view of the light emitting element 100 included in the light emitting device 10 and its peripheral portion.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 11 having wirings 12 a and 12 b on the surface, a light emitting element 100 mounted on the substrate 11, a single crystal phosphor 13 provided on the light emitting element 100, and a ring surrounding the light emitting element 100. Side wall 14 and a sealing material 15 for sealing the light emitting element 100 and the single crystal phosphor 13.
  • Substrate 11 is made of, for example, ceramics such as Al 2 O 3. On the surface of the substrate 11, wirings 12a and 12b are formed in a pattern. The wirings 12a and 12b are made of a metal such as tungsten, for example.
  • the light emitting element 100 is a flip chip type LED chip and emits blue light.
  • the light emission peak wavelength of the light emitting device 100 is preferably in the range of 430 to 480 nm from the viewpoint of the internal quantum efficiency of the light emitting device 100, and from the viewpoint of the internal quantum efficiency of the single crystal phosphor 13, it is preferably 440 to 470 nm. More preferably, it is in the range.
  • an n-type semiconductor layer 102 made of GaN or the like, a light-emitting layer 103, and a p-type impurity are added on the first main surface 101a of the device substrate 101 made of sapphire or the like.
  • a p-type semiconductor layer 104 made of added GaN or the like is stacked in this order.
  • An n-side electrode 105 a is formed on the exposed portion of the n-type semiconductor layer 102, and a p-side electrode 105 b is formed on the surface of the p-type semiconductor layer 104.
  • the light emitting layer 103 emits blue light when carriers are injected from the n-type semiconductor layer 102 and the p-type semiconductor layer 104. Light emitted from the light emitting layer 103 passes through the n-type semiconductor layer 102 and the element substrate 101 and is emitted from the second main surface 101 b of the element substrate 101. That is, the second main surface 101 b of the element substrate 101 is a light emitting surface of the light emitting element 100.
  • the single crystal phosphor 13 is disposed on the second main surface 101b of the element substrate 101 so as to cover the entire second main surface 101b.
  • the single crystal phosphor 13 is a flat single crystal phosphor made of the single crystal phosphor according to the first embodiment. Since the single crystal phosphor 13 is composed of one single crystal, it does not include a grain boundary. The single crystal phosphor 13 has an area equal to or larger than that of the second main surface 101b. The single crystal phosphor 13 absorbs light emitted from the light emitting element 100 and emits yellowish fluorescence.
  • the single crystal phosphor 13 is directly installed on the second main surface 101b of the element substrate 101 without any other member, and the first crystal phosphor 13 is a surface on the element substrate 101 side of the first crystal phosphor 13.
  • the surface 13 a is in contact with the second main surface 101 b of the element substrate 101.
  • the single crystal phosphor 13 and the element substrate 101 are bonded by, for example, intermolecular force.
  • n-side electrode 105 a and the p-side electrode 105 b of the light emitting element 100 are electrically connected to the wirings 12 a and 12 b through conductive bumps 106, respectively.
  • the side wall 14 is made of a resin such as silicone resin or epoxy resin, and may include light reflecting particles such as titanium dioxide.
  • the sealing material 15 is made of, for example, a resin having translucency such as a silicone resin or an epoxy resin.
  • the sealing material 15 may include particles of a red phosphor that absorbs light emitted from the light emitting element 100 and emits red fluorescence.
  • the emission peak wavelength of the red phosphor is preferably in the range of 600 to 660 nm, more preferably in the range of 635 to 655 nm, from the viewpoint of brightness and color rendering. When the wavelength is too small, the color rendering property is deteriorated because it is close to the emission wavelength of the single crystal phosphor 13. On the other hand, if the wavelength is too large, the effect of a decrease in visibility is increased.
  • Blue light emitted from the light emitting layer 103 passes through the n-type semiconductor layer 102 and the element substrate 101 and is emitted from the second main surface 101 b of the element substrate 101, and the first surface of the single crystal phosphor 13. Incident on 13a.
  • the single crystal phosphor 13 absorbs part of blue light emitted from the light emitting element 100 and emits yellow fluorescence.
  • a part of the blue light emitted from the light emitting element 100 and traveling toward the single crystal phosphor 13 is absorbed by the single crystal phosphor 13 and wavelength-converted, and the second light of the single crystal phosphor 13 is converted into yellow light.
  • the light is emitted from the surface 13b. Further, part of the blue light emitted from the light emitting element 100 toward the single crystal phosphor 13 is emitted from the second surface 13 b without being absorbed by the single crystal phosphor 13. Since blue and yellow are in a complementary color relationship, the light emitting device 10 emits white light in which blue light and yellow light are mixed.
  • the sealing material 15 includes a red phosphor
  • the red phosphor absorbs a part of the blue light emitted from the light emitting element 100 and emits red fluorescence.
  • the light emitting device 10 emits white light in which blue light, yellow light, and red light are mixed. By mixing red light, the color rendering of white light can be enhanced.
  • FIG. 4 is a chromaticity diagram showing the CIE chromaticity of light (fluorescence) emitted from the single crystal phosphor 13 and the CIE chromaticity of light obtained by mixing the light emitted from the light emitting element 100 and the light emitted from the single crystal phosphor 13. is there.
  • the eight rectangular frames arranged in FIG. 4 are in the chromaticity range of 2700 to 6500 K with a color temperature defined by the chromaticity standard (ANSI C78.377).
  • the mark “ ⁇ ” on the curve L2 indicates, in order from the bottom, the light emitting element when the numerical value of b in the composition formula of the single crystal phosphor 13 is 0.0002, 0.0005, 0.0010, 0.0014. This is an actual measurement value of chromaticity of mixed light emitted by a combination of 100 and the single crystal phosphor 13.
  • the single crystal phosphor 13 is a flat single crystal phosphor having a thickness of 0.3 mm.
  • the lower limit of the thickness of the flat single crystal phosphor 13 is 0.15 mm. From the viewpoint of mechanical strength, the thickness of the single crystal phosphor 13 is set to 0.15 mm or more.
  • Lu does not function as an activator, even if the value of a in the composition formula of the single crystal phosphor 13 is changed, the change in chromaticity in the direction of the curve L2 hardly occurs. Similarly, even if the emission wavelength of the light emitting element 100 is changed, the change in chromaticity in the direction of the curve L2 hardly occurs.
  • FIG. 5 is a chromaticity diagram showing the CIE chromaticity of the mixed light emitted by the combination of the light emitting element 100, the single crystal phosphor 13, and the red phosphor.
  • the curve L2 in FIG. 5 is equal to the curve L2 in FIG.
  • Point R represents the chromaticity (0.654, 0.345) of the fluorescence of the red phosphor.
  • the eight square frames arranged are in the chromaticity range of color temperature 2700-6500K defined by the chromaticity standard (ANSI C78.377).
  • the straight line L3 is a straight line passing through the point R and the lower end of the frame of the color temperature 2700K
  • the straight line L4 is a straight line passing through the point R and the upper end of the frame of the color temperature 6500K.
  • Point Y1 is an intersection of curve L2 and straight line L3
  • point Y2 is an intersection of curve L2 and straight line L4.
  • the Ce concentration of the single crystal phosphor is such that the chromaticity coordinates of light emission when the light emitting element 100 and the single crystal phosphor 13 are combined are located between the points Y1 and Y2 on the straight line L2. And adjust the thickness.
  • white light with a color temperature of 2700 to 6500 K can be produced by adjusting the amount of red phosphor (concentration in the sealing material 15 when dispersed in the sealing material 15).
  • the single crystal phosphor 13 and the red phosphor also absorb the respective fluorescence, the combined chromaticity of the light emitting element 100 and the single crystal phosphor 13 with respect to the adjustment amount of the red phosphor. Although it does not change linearly with the chromaticity R, it is possible to produce white light having a target color temperature by the above method.
  • the color temperature is 2700 to 6500 K by adjusting the amount of the red phosphor used in combination with the light emitting element 100 and the single crystal phosphor 13 according to the Lu concentration. Can produce white light.
  • the chromaticity in the direction of the curve L2 hardly changes, and at least the emission peak wavelength of the light emitting element 100 is 430 to 480 nm.
  • the emission peak wavelength of the red phosphor is in the range of 600 to 660 nm, white light having a color temperature of 2700 to 6500 K can be obtained by adjusting the amount of the red phosphor by the same method. Can be made.
  • the light emitted from the light emitting device 10 according to the present embodiment is excellent in color rendering.
  • the color rendering properties when the light emitting device 10 emits light having a color temperature of 3000 K will be described.
  • FIG. 6 shows emission spectra of the light emitting element 100, the single crystal phosphor 13, and the red phosphor used in the simulation. These emission spectra are called basic spectra.
  • the peak wavelengths of the basic spectra of the light emitting element 100, the single crystal phosphor 13, and the red phosphor are approximately 450 nm (blue), 535 nm (yellow), and 640 nm (red).
  • the emission spectrum of the light emitting device 10 can be approximated by the combined spectrum of the emission spectra of the light emitting element 100, the single crystal phosphor 13, and the red phosphor, the light emitting element 100, the single crystal phosphor 13, and the red color are obtained by the least square method.
  • the basic spectrum of the system phosphor was fitted to a spectrum having a chromaticity corresponding to a color temperature of 3000 K, and the linear combination coefficient of each basic spectrum was determined.
  • the average color rendering index Ra was calculated from the synthesized spectrum obtained by fitting. As a result, the average color rendering index Ra when the light emitting device 10 that emits light having a color temperature of 3000 K is formed using the light emitting element 100 whose emission spectrum is the basic spectrum, the single crystal phosphor 13, and the red phosphor.
  • the above simulation is repeated while shifting the wavelength of the fundamental spectrum of the light emitting device 100 and the single crystal phosphor 13 (the fundamental spectrum of the red phosphor is fixed), and the wavelengths of the light emitting device 100 and the single crystal phosphor 13 are changed.
  • the average color rendering index Ra when changed was obtained.
  • the wavelength of the light emitting element 100 was changed in steps of 5 nm within the range of ⁇ 20 to +30 nm from the wavelength of the fundamental spectrum.
  • the wavelength of the single crystal phosphor 13 was changed in increments of 5 nm within the range of ⁇ 45 to +45 nm from the wavelength of the fundamental spectrum.
  • Table 3 The results are shown in Table 3 below.
  • Table 3 shows that a high average color rendering index Ra of 90 or more, further 95 or more can be obtained by appropriately adjusting the wavelengths of the light emitting device 100 and the single crystal phosphor 13.
  • the third embodiment is different from the second embodiment in that the light emitting element is a face-up type LED chip. Note that the description of the same points as in the first embodiment will be omitted or simplified.
  • FIG. 7A is a vertical cross-sectional view of the light emitting device 20 according to the third embodiment.
  • FIG. 7B is an enlarged view of the light emitting element 200 included in the light emitting device 20 and its peripheral portion.
  • FIG. 7C is a top view of the light emitting element 200.
  • the light emitting device 20 includes a substrate 11 having wirings 12 a and 12 b on the surface, a light emitting element light emitting element 200 mounted on the substrate 11, a single crystal phosphor 21 provided on the light emitting element 200, and the light emitting element 200.
  • An enclosing annular side wall 14 and a sealing material 15 for sealing the light emitting element 200 and the single crystal phosphor 21 are included.
  • the light emitting element 100 is a face-up type LED chip, and emits blue light having a peak of light quantity at a wavelength of 380 to 490 nm.
  • an element substrate 201 made of sapphire or the like is made of an n type semiconductor layer 202 made of GaN or the like doped with n type impurities, a light emitting layer 203, or GaN or the like doped with p type impurities.
  • a p-type semiconductor layer 204 and a transparent electrode 207 made of ITO (Indium Tin Oxide) or the like are laminated in this order.
  • An n-side electrode 205 a is formed on the exposed portion of the n-type semiconductor layer 102, and a p-side electrode 205 b is formed on the upper surface 207 b of the transparent electrode 207.
  • the light emitting layer 203 emits blue light when carriers are injected from the n-type semiconductor layer 202 and the p-type semiconductor layer 204.
  • the light emitted from the light emitting layer 203 passes through the p-type semiconductor layer 204 and the transparent electrode 207 and is emitted from the upper surface 207 b of the transparent electrode 207. That is, the upper surface 207 b of the transparent electrode 207 is a light emitting surface of the light emitting element 200.
  • a substantially rectangular single crystal phosphor 21 having a notch in a portion corresponding to the installation position of the n-side electrode 205a and the p-side electrode 205b is disposed.
  • the single crystal phosphor 21 is a flat single crystal phosphor made of the single crystal phosphor according to the first embodiment. Since the single crystal phosphor 21 is composed of one single crystal, it does not include a grain boundary.
  • the single crystal phosphor 21 is directly installed on the upper surface 207b of the transparent electrode 207 without any other member, and the first surface 21a, which is the surface of the single crystal phosphor 21 on the transparent electrode 207 side, is transparent. It is in contact with the upper surface 207b of the electrode 207.
  • the n-side electrode 205a and the p-side electrode 205b of the light emitting element 200 are connected to the wiring 12a and the wiring 12b through bonding wires 206, respectively.
  • Blue light emitted from the light emitting layer 203 is transmitted through the p-type semiconductor layer 204 and the transparent electrode 207, is emitted from the upper surface 207 b of the transparent electrode 207, and is incident on the first surface 21 a of the phosphor 21.
  • the single crystal phosphor 21 absorbs a part of blue light emitted from the light emitting element 200 and emits yellow fluorescence.
  • a part of the blue light emitted from the light emitting element 200 toward the single crystal phosphor 21 is absorbed by the single crystal phosphor 21 and wavelength-converted, and the second light of the single crystal phosphor 21 is converted into yellow light.
  • the light is emitted from the surface 21b. Further, part of the blue light emitted from the light emitting element 200 toward the single crystal phosphor 21 is emitted from the second surface 21 b without being absorbed by the single crystal phosphor 21. Since blue and yellow have a complementary color relationship, the light emitting device 20 emits white light in which blue light and yellow light are mixed.
  • the sealing material 15 includes a red phosphor
  • the red phosphor absorbs a part of blue light emitted from the light emitting element 200 and emits red fluorescence.
  • the light emitting device 20 emits white light that is a mixture of blue light, yellow light, and red light. By mixing red light, the color rendering of white light can be enhanced.
  • the fourth embodiment differs from the second embodiment in the installation position of the single crystal phosphor. Note that the description of the same points as in the second embodiment will be omitted or simplified.
  • FIG. 8 is a vertical sectional view of the light emitting device 30 according to the fourth embodiment.
  • the light emitting device 30 includes a substrate 11 having wirings 12 a and 12 b on the surface, a light emitting element light emitting element 100 mounted on the substrate 11, a single crystal phosphor 31 provided above the light emitting element 100, and the light emitting element 100. And a sealing material 15 that seals the light emitting element 100 and the single crystal phosphor 21.
  • the single crystal phosphor 31 is a flat single crystal phosphor made of the single crystal phosphor according to the first embodiment. Since the single crystal phosphor 31 is composed of one single crystal, it does not include a grain boundary.
  • the single crystal phosphor 31 is installed on the upper surface 14 b of the side wall 14 so as to close the opening of the annular side wall 14. Light emitted from the second main surface 101 b of the element substrate 101 of the light emitting element 100 is incident on the first surface 31 a of the single crystal phosphor 31.
  • the single crystal phosphor 31 absorbs part of blue light emitted from the light emitting element 100 and emits yellow fluorescence.
  • a part of the blue light emitted from the light emitting element 100 and traveling toward the single crystal phosphor 31 is absorbed by the single crystal phosphor 31 and wavelength-converted, and the second light of the single crystal phosphor 31 is converted into yellow light.
  • the light is emitted from the surface 31b. Further, part of the blue light emitted from the light emitting element 100 toward the single crystal phosphor 31 is emitted from the second surface 31 b without being absorbed by the single crystal phosphor 31. Since blue and yellow are in a complementary color relationship, the light emitting device 30 emits white light in which blue light and yellow light are mixed.
  • the sealing material 15 includes a red phosphor
  • the red phosphor absorbs a part of the blue light emitted from the light emitting element 100 and emits red fluorescence.
  • the light emitting device 30 emits white light obtained by mixing blue light, yellow light, and red light. By mixing red light, the color rendering of white light can be enhanced.
  • the light emitting device 30 may not have the sealing material 15.
  • FIG. 9 is a vertical sectional view of the light emitting device 40 according to the fifth embodiment.
  • the state of the phosphor and the arrangement thereof are different from those in the second embodiment.
  • constituent elements of the light-emitting device 40 having the same functions and configurations as those of the second embodiment are denoted by common reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the light emitting device 40 seals the light emitting element 100 that is a light emitting element such as an LED, the substrate 11 that supports the light emitting element 100, the side wall 14 made of white resin, and the light emitting element 100. And a sealing material 15.
  • the phosphor 41 is made of the single crystal phosphor according to the first embodiment, and is obtained, for example, by pulverizing the single crystal phosphor ingot manufactured in the first embodiment.
  • the single crystal phosphor 41 dispersed in the sealing material 15 absorbs a part of blue light emitted from the light emitting element 100 and, for example, emits yellow fluorescent light having an emission peak at a wavelength of 514 to 546 nm. To emit. Blue light not absorbed by the single crystal phosphor 41 and yellow fluorescence emitted from the single crystal phosphor 41 are mixed, and white light is emitted from the light emitting device 40.
  • the single crystal phosphor 41 of the present embodiment may be applied to other embodiments. That is, the single crystal phosphor 41 of the present embodiment may be used in place of the single crystal phosphor 21 of the third embodiment.
  • FIG. 10 is a vertical sectional view of a light emitting device 50 according to the sixth embodiment.
  • the shape of the sealing material including the particulate single crystal phosphor is different from that of the fifth embodiment.
  • constituent elements of the light emitting device 50 having the same functions and configurations as those of the fifth embodiment are denoted by common reference numerals, and description thereof is omitted.
  • the light emitting device 50 is provided so as to cover the light emitting element 100 that is a light emitting element such as an LED, the substrate 11 that supports the light emitting element 100, the surface of the light emitting element 100, and the upper surface of the substrate 11. And a sealing material 52.
  • the particulate single crystal phosphor 51 is dispersed.
  • the single crystal phosphor 51 is made of the single crystal phosphor of the first embodiment, and is obtained, for example, by pulverizing the single crystal phosphor ingot manufactured in the first embodiment.
  • the sealing material 52 is, for example, a transparent resin such as a silicone resin or an epoxy resin, or a transparent inorganic material such as glass. Note that the sealing material 52 of this embodiment may be formed not only on the surface of the light-emitting element 100 but also on the substrate 11 in a manufacturing process using a coating method or the like. It does not have to be done.
  • the single crystal phosphor 51 dispersed in the sealing material 52 absorbs a part of blue light emitted from the light emitting element 100 and, for example, emits yellow fluorescent light having an emission peak at a wavelength of 514 to 546 nm. To emit. Blue light not absorbed by the single crystal phosphor 51 and yellow fluorescence emitted from the single crystal phosphor 51 are mixed, and white light is emitted from the light emitting device 50.
  • the above embodiment is a light emitting device such as an LED light emitting device that has high energy efficiency and can realize energy saving, or a single crystal phosphor used in the light emitting device, it has an energy saving effect.
  • a YAG-based single crystal phosphor that emits fluorescence of an unprecedented color
  • a phosphor-containing member and a light emitting device including the single crystal phosphor.

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Abstract

　従来にない色の蛍光を発するＹＡＧ系の単結晶蛍光体、並びにその単結晶蛍光体を備えた蛍光体含有部材及び発光装置を提供する。　一実施の形態として、組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有し、励起光のピーク波長が４５０ｎｍ、温度が２５℃であるときの発光スペクトルのＣＩＥ色度座標ｘ、ｙが、－０．４３７７ｘ＋０．７３８４≦ｙ≦－０．４５８５ｘ＋０．７５０４の関係を満たす、単結晶蛍光体を提供する。

Description

単結晶蛍光体、蛍光体含有部材、及び発光装置
　本発明は、単結晶蛍光体、蛍光体含有部材、及び発光装置に関する。
　従来、青色系の光を発するＬＥＤ（Light Emitting Diode）からなる発光素子と、この発光素子の光を受けて励起され、黄色系の光を発する蛍光体とを備え、これらの発光色の混合により白色光を放射する発光装置が知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
　特許文献１に記載の発光装置においては、ＹＡＧ：Ｃｅ多結晶蛍光体セラミック板が黄色系の光を発する蛍光体として用いられている。
　特許文献２に記載の発光装置においては、セリウムで付活されたイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ：Ｃｅ）系多結晶蛍光体粉末が黄色系の光を発する蛍光体として用いられている。
特開２０１０－２４２７８号公報 特許第３５０３１３９号公報
　本発明の目的の１つは、従来にない色の蛍光を発するＹＡＧ系の単結晶蛍光体、並びにその単結晶蛍光体を備えた蛍光体含有部材及び発光装置を提供することにある。
　本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記［１］～［３］の単結晶蛍光体を提供する。
［１］組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有し、励起光のピーク波長が４５０ｎｍ、温度が２５℃であるときの発光スペクトルのＣＩＥ色度座標ｘ、ｙが、－０．４３７７ｘ＋０．７３８４≦ｙ≦－０．４５８５ｘ＋０．７５０４の関係を満たす、単結晶蛍光体。
［２］前記単結晶蛍光体の組成式におけるａの数値範囲が０．０２２２≦ａ≦０．９９９４である、前記［１］に記載の単結晶蛍光体。
［３］前記単結晶蛍光体の組成式におけるａの値が０である、前記［１］に記載の単結晶蛍光体。
　また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するために、下記［４］～［７］の発光装置を提供する。
［４］青色系の光を発する発光素子と、前記発光素子の発する光を吸収して黄色系の蛍光を発する黄色系蛍光体と、を有し、前記黄色系蛍光体は、前記［１］～［３］のいずれか１項に記載の単結晶蛍光体である、発光装置。
［５］前記発光素子の発する光を吸収して赤色系の蛍光を発する赤色系蛍光体をさらに有する、前記［４］に記載の発光装置。
［６］前記単結晶蛍光体が前記発光素子と離間して設けられた、前記［４］に記載の発光装置。
［７］前記単結晶蛍光体が平板状である、前記［４］に記載の発光装置。
　また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するために、下記［８］、［９］の蛍光体含有部材を提供する。
［８］透明部材と、前記透明部材中に分散した粒子状蛍光体と、を有し、前記粒子状蛍光体は、前記［１］～［３］のいずれか１項に記載の単結晶蛍光体である、蛍光体含有部材。
［９］前記透明部材が透明無機材料である、前記［８］に記載の蛍光体含有部材。
　また、本発明の他の態様は、上記目的を達成するために、下記［１０］の発光装置を提供する。
［１０］青色系の光を発する発光素子と、前記［８］に記載の蛍光体含有部材と、を有する、発光装置。
　本発明の一態様によれば、従来にない色の蛍光を発するＹＡＧ系の単結晶蛍光体、並びにその単結晶蛍光体を備えた蛍光体含有部材及び発光装置を提供することができる。
図１は、評価に用いた第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体の組成分布を表すグラフである。 図２は、評価に用いた第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体のＣＩＥ（ｘ，ｙ）色度分布を表すグラフである。 図３Ａは、第２の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図３Ｂは、発光装置に含まれる発光素子及びその周辺部の拡大図である。 図４は、単結晶蛍光体の発する光（蛍光）のＣＩＥ色度と、発光素子の発する光と単結晶蛍光体の発する光を混合した光のＣＩＥ色度を示す色度図である。 図５は、発光素子、単結晶蛍光体、及び赤色系蛍光体の組み合わせにより発せられる混合光のＣＩＥ色度を示す色度図である。 図６は、シミュレーションに用いた発光素子、単結晶蛍光体、赤色系蛍光体の発光スペクトルを示す。これらの発光スペクトルを基本スペクトルと呼ぶ。 図７Ａは、第３の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図７Ｂは、発光装置に含まれる発光素子及びその周辺部の拡大図である。 図７Ｃは、発光素子の上面図である。 図８は、第４の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図９は、第５の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。 図１０は、第６の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
［第１の実施の形態］
〔単結晶蛍光体〕
　第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体は、Ｃｅで付活されるＹＡＧ系単結晶蛍光体であり、（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有する。ここで、Ｃｅは、Ｙサイトに置換され、付活剤として機能する（発光中心となる）。一方、Ｌｕは、Ｙサイトに置換されるが、付活剤としては機能しない。
　なお、上記の蛍光体の組成のうち、一部の原子は結晶構造上の異なる位置を占めることがある。また、上記の組成式における組成比のＯの値は１２と記述されるが、上記の組成は、不可避的に混入または欠損する酸素の存在により組成比のＯの値が僅かに１２からずれた組成も含む。また、組成式におけるｃの値は、単結晶蛍光体の製造上、不可避的に変化する値であるが、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５程度の数値範囲内での変化は、単結晶蛍光体の物性にほとんど影響を及ぼさない。
　第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体は、例えば、ＣＺ法（Czochralski Method）、ＥＦＧ法（Edge Defined Film Fed Growth Method）、ブリッジマン法、ＦＺ法（Floating Zone Method）、ベルヌーイ法等の液相成長法によって得ることができる。これらの液相成長法により得られた単結晶蛍光体のインゴットを切断して平板状に加工したり、粉砕して粉末状に加工したりすることにより、後述する発光装置に用いることができる。
　Ｃｅの濃度を表す上記組成式におけるｂの数値の範囲が０．０００２≦ｂ≦０．００６７であるのは、ｂの数値が０．０００２よりも小さい場合は、Ｃｅ濃度が低すぎるために、励起光の吸収が小さくなり、外部量子効率が小さくなりすぎるという問題が生じ、０．００６７よりも大きい場合は、単結晶蛍光体のインゴットを育成する際にクラックやボイド等が生じ、結晶品質が低下する可能性が高くなるためである。
〔単結晶蛍光体の製造〕
　本実施の形態の単結晶蛍光体の製造方法の一例として、ＣＺ法による製造方法について以下に述べる。
　まず、出発原料として、高純度（９９．９９％以上）のＹ２Ｏ３、Ｌｕ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３の粉末を用意し、乾式混合を行い、混合粉末を得る。なお、Ｙ、Ｌｕ、Ｃｅ、及びＡｌの原料粉末は、上記のものに限られない。また、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体を製造する場合は、その原料粉末は用いない。
　次に、得られた混合粉末をイリジウム製のルツボ内に入れ、ルツボをセラミックス製の筒状容器に収容する。そして、筒状容器の周囲に巻回される高周波コイルにより３０ｋＷの高周波エネルギーをルツボに供給して誘導電流を生じさせ、ルツボを加熱する。それにより、混合粉末を溶融させて融液を得る。
　次に、ＹＡＧ単結晶である種結晶を用意して、その先端を融液に接触させた後、１０ｒｐｍの回転数で回転させながら１ｍｍ／ｈ以下の引き上げ速度で引き上げ、１９６０℃以上の引き上げ温度で＜１１１＞方向に単結晶蛍光体インゴットを育成する。この単結晶蛍光体インゴットの育成は、筒状容器内に毎分２Ｌの流量で窒素を流し込み、大気圧下、窒素雰囲気中で行われる。
　こうして、例えば、直径約２．５ｃｍ、長さ約５ｃｍの単結晶蛍光体インゴットが得られる。得られた単結晶蛍光体インゴットを所望の大きさに切り出すことにより、例えば、発光装置に用いる平板状の単結晶蛍光体を得ることができる。また、単結晶蛍光体インゴットを粉砕することにより、粒子状の単結晶蛍光体を得ることができる。
〔単結晶蛍光体の評価〕
　組成の異なる複数の第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体を製造し、組成の分析、ＣＩＥ色度と内部量子効率の評価を行った。
　組成分析は、高周波誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）発光分光分析法により行った。また、Ｃｅ濃度が極めて小さい単結晶蛍光体に対しては、ＩＣＰ質量分析法（ＩＣＰ－ＭＳ）を併用した。
　ＣＩＥ色度座標の評価においては、ＣＩＥ１９３１等色関数を用いて、励起光のピーク波長が４５０ｎｍであるときの単結晶蛍光体の発光スペクトルのＣＩＥ色度座標を求めた。
　内部量子効率の評価は、積分半球ユニットを備えた量子効率測定システムを用いて行った。以下に、単結晶蛍光体の内部量子効率の具体的な測定方法について述べる。
　まず、積分半球ユニット内に設置した標準試料としての硫酸バリウム粉末に励起光を照射し、励起光スペクトルを測定する。次に、積分半球ユニット内の硫酸バリウム上に設置した単結晶蛍光体に励起光を照射して、励起反射光スペクトル及び蛍光発光スペクトルを測定する。次に、積分半球ユニット内で拡散反射させた励起光を硫酸バリウム上に設置した単結晶蛍光体に照射し、再励起蛍光発光スペクトルを測定する。
　そして、蛍光発光スペクトルから求められる光量子数と再励起蛍光発光スペクトルから求められる光量子数との差を、励起光スペクトルから求められる光量子数と励起反射光スペクトルから求められる光量子数との差で除すことにより、内部量子効率を求める。
　次の表１に、蛍光の波長及びＣＩＥ色度についての評価の結果を示す。表１の試料番号１～３３の試料は、本実施の形態の単結晶蛍光体の試料であり、試料番号３４～３６の試料は、比較例としての、Ｃｅにより付活されたＹＡＧ系多結晶蛍光体粉末の試料である。表１は、本実施の形態に係る単結晶蛍光体の組成式におけるａ、ｂ、ｃの値、励起光のピーク波長が４４０ｎｍ、４５０ｎｍ、４６０ｎｍであるときの蛍光のピーク波長λｐ（ｎｍ）、及び励起光のピーク波長が４４０ｎｍ、４５０ｎｍ、４６０ｎｍであるときのＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示されるように、評価に用いた単結晶蛍光体の組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２のａ、ｂ、ｃの数値範囲は、それぞれ０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５である。
　このうち、Ｌｕを含む単結晶蛍光体は、組成式におけるａの数値範囲が０．０２２２≦ａ≦０．９９９４であり、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体は、組成式におけるａの値がａ＝０である。
　Ｌｕを含む単結晶蛍光体は、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体と比較して蛍光色が緑に近いため、赤色系蛍光体と組み合わせることにより青色光源を用いて演色性の高い白色光を作り出すことができる。逆に、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体は、赤色系蛍光体と組み合わせることなく青色光源を用いて色温度の高い白色光を作り出すことができる。
　また、一般に、Ｌｕを含む単結晶蛍光体は、Ｌｕを含まない単結晶蛍光体と比較して温度特性に優れるという傾向がある。一方、Ｌｕは高価なため、単結晶蛍光体にＬｕを添加することにより、製造コストが増加する。
　また、表１によれば、評価に用いた単結晶蛍光体の組成式におけるａ、ｂの数値範囲がそれぞれ０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７である場合、励起光のピーク波長が４５０ｎｍであるときの蛍光のＣＩＥ色度座標ｘ、ｙの数値範囲がそれぞれ０．３２９≦ｘ≦０．４３４、０．５５１≦ｙ≦０．６００である。
　図１は、評価に用いた第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体の組成分布を表すグラフである。図１の横軸は単結晶蛍光体の組成式におけるａ（Ｌｕ濃度）を表し、縦軸は組成式におけるｂ（Ｃｅ濃度）を表す。
　図２は、評価に用いた第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体のＣＩＥ（ｘ，ｙ）色度分布を表すグラフである。図２の横軸は励起光のピーク波長が４５０ｎｍであるときのＣＩＥ色度の座標ｘを表し、縦軸は座標ｙを表す。
　図２中の直線ｙ＝－０．４３７７ｘ＋０．７４４４は、最小二乗法により求めた、ピーク波長が４５０ｎｍであるときのＣＩＥ色度座標の近似直線である。また、この近似直線の上側の点線は、ｙ＝－０．４５８５ｘ＋０．７５０４で表される直線であり、下側の点線は、ｙ＝－０．４３７７ｘ＋０．７３８４で表される直線である。
　図２に示されるように、組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有する単結晶蛍光体においては、励起光のピーク波長が４５０ｎｍ、温度が２５℃であるときの発光スペクトルのＣＩＥ色度座標ｘ、ｙが、－０．４３７７ｘ＋０．７３８４≦ｙ≦－０．４５８５ｘ＋０．７５０４の関係を満たす。
　次の表２に、内部量子効率についての評価の結果を示す。表２は、本実施の形態に係る単結晶蛍光体の組成式におけるａ、ｂ、ｃの値、励起光のピーク波長が４４０、４５０、４６０ｎｍであるときの２５℃における内部量子効率（ηｉｎｔ）を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２によれば、本実施の形態に係る単結晶蛍光体は、高い内部量子効率を有する。例えば、評価された全ての単結晶蛍光体の試料の、温度が２５℃、励起光のピーク波長が４５０ｎｍであるときの内部量子効率は、０．９１以上である。
　なお、評価された単結晶蛍光体の試料の形状については、試料番号１５、１９の試料が直径１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの円形の板であり、試料番号３３の試料が粉末であり、それ以外の試料が一辺の長さが１０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの正方形の板である。また、粉末状の試料を除く全ての試料は、両面が鏡面研磨されたものである。
　蛍光のピーク波長λｐ（ｎｍ）、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）、及び内部量子効率の測定値は、試料の形状の影響をほとんど受けない。
〔多結晶蛍光体との比較〕
　Ｃｅにより付活されたＹＡＧ系単結晶蛍光体とＹＡＧ系多結晶蛍光体粉末とでは、Ｃｅの濃度と発光色の関係が大きく異なる。例えば、特許文献（特開２０１０－２４２７８号公報）には、組成式（Ｙ１－ｚＣｅｚ）３Ａｌ５Ｏ１２で表される組成を有する多結晶蛍光体粉末では０．００３≦ｚ≦０．２のＣｅ濃度範囲で一定の色度（０．４１，０．５６）の光を発することが記載されている。一方、本実施の形態の単結晶蛍光体では、Ｃｅ濃度に依存して色度が変化し、例えば、上記特許文献の多結晶蛍光体粉末と同じ色度（０．４１，０．５６）の光を発するための組成は（Ｙ１－ｚＣｅｚ）３Ａｌ５Ｏ１２（ｚ＝０．０００５）である。
　また、特許文献（特許第３５０３１３９号公報）には、組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３Ａｌ５Ｏ１２で表される組成を有する多結晶蛍光体粉末が、ａ＝０．９９、ｂ＝０．０１のときには発光色度が（０．３３９，０．５７９）となり、ａ＝０．４９５、ｂ＝０．０１のときには発光色度が（０．３７７，０．５７０）となることが記載されている。この多結晶蛍光体粉末に含まれるＣｅの濃度も、本実施の形態の単結晶蛍光体に含まれるＣｅの濃度と比較して桁違いに高い。
　このように、単結晶蛍光体においては、所望の色の光を発するために添加されるＣｅの濃度が、多結晶蛍光体と比較して極めて少なく、高価なＣｅの使用量を低減することができる。
［第２の実施の形態］
　第２の実施の形態は、第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体を有する発光装置についての形態である。
〔発光装置の構成〕
　図３Ａは、第２の実施の形態に係る発光装置１０の垂直断面図である。図３Ｂは、発光装置１０に含まれる発光素子１００及びその周辺部の拡大図である。
　発光装置１０は、表面に配線１２ａ、１２ｂを有する基板１１と、基板１１上に搭載される発光素子１００と、発光素子１００上に設けられた単結晶蛍光体１３と、発光素子１００を囲む環状の側壁１４と、発光素子１００及び単結晶蛍光体１３を封止する封止材１５と、を有する。
　基板１１は、例えば、Ａｌ２Ｏ３等のセラミックスからなる。基板１１の表面には、配線１２ａ、１２ｂがパターン形成されている。配線１２ａ、１２ｂは、例えば、タングステン等の金属からなる。
　発光素子１００は、フリップチップ型のＬＥＤチップであり、青色系の光を発する。発光素子１００の発光ピーク波長は、発光素子１００の内部量子効率の観点から、４３０～４８０ｎｍの範囲にあることが好ましく、さらに、単結晶蛍光体１３の内部量子効率の観点から、４４０～４７０ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
　この発光素子１００においては、サファイア等からなる素子基板１０１の第１の主面１０１ａ上に、ｎ型不純物が添加されたＧａＮ等からなるｎ型半導体層１０２、発光層１０３、及びｐ型不純物が添加されたＧａＮ等からなるｐ型半導体層１０４がこの順に積層されている。ｎ型半導体層１０２の露出部分にはｎ側電極１０５ａが、ｐ型半導体層１０４の表面にはｐ側電極１０５ｂが、それぞれ形成されている。
　発光層１０３は、ｎ型半導体層１０２及びｐ型半導体層１０４からキャリアが注入されることにより、青色系の光を発する。発光層１０３から発せられた光は、ｎ型半導体層１０２及び素子基板１０１を透過して、素子基板１０１の第２の主面１０１ｂから出射される。すなわち、素子基板１０１の第２の主面１０１ｂは発光素子１００の光出射面である。
　素子基板１０１の第２の主面１０１ｂ上には、第２の主面１０１ｂの全体を覆うように、単結晶蛍光体１３が配置されている。
　単結晶蛍光体１３は、第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体からなる平板状の単結晶蛍光体である。単結晶蛍光体１３は１つの単結晶からなるため、粒界を含まない。単結晶蛍光体１３は、第２の主面１０１ｂと同等もしくはそれ以上の面積を有する。単結晶蛍光体１３は、発光素子１００の発する光を吸収して黄色系の蛍光を発する。
　また、単結晶蛍光体１３は素子基板１０１の第２の主面１０１ｂ上に他の部材を介することなく直接設置されており、単結晶蛍光体１３の素子基板１０１側の面である第１の面１３ａが素子基板１０１の第２の主面１０１ｂに接触している。単結晶蛍光体１３と素子基板１０１とは、例えば、分子間力によって接合されている。
　発光素子１００のｎ側電極１０５ａとｐ側電極１０５ｂは、それぞれ導電性のバンプ１０６を介して配線１２ａ、１２ｂに電気的に接続されている。
　側壁１４は、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂等の樹脂からなり、二酸化チタン等の光反射粒子を含んでもよい。
　封止材１５は、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂等の透光性を有する樹脂からなる。封止材１５は、発光素子１００の発する光を吸収して赤色系の蛍光を発する赤色系蛍光体の粒子を含んでもよい。赤色系蛍光体の発光ピーク波長は、明るさ及び演色性の観点から、６００～６６０ｎｍの範囲にあることが好ましく、６３５～６５５ｎｍの範囲にあることがより好ましい。波長が小さすぎると、単結晶蛍光体１３の発光波長と近くなるため、演色性が低下する。一方、波長が大きすぎると、視感度の低下の影響が大きくなる。
〔発光装置の動作〕
　発光素子１００に通電すると、配線１２ａ、ｎ側電極１０５ａ、及びｎ型半導体層１０２を介して電子が発光層１０３に注入され、また、配線１２ｂ、ｐ側電極１０５ｂ、及びｐ型半導体層１０４を介して正孔が発光層１０３に注入されて、発光層１０３が発光する。
　発光層１０３から発せられた青色系の光は、ｎ型半導体層１０２及び素子基板１０１を透過して素子基板１０１の第２の主面１０１ｂから出射され、単結晶蛍光体１３の第１の面１３ａに入射する。
　単結晶蛍光体１３は、発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、黄色系の蛍光を発する。
　発光素子１００から発せられて単結晶蛍光体１３へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体１３に吸収されて波長変換され、黄色系の光として単結晶蛍光体１３の第２の面１３ｂから出射される。また、発光素子１００から発せられて単結晶蛍光体１３へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体１３に吸収されずに第２の面１３ｂから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置１０は、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。
　また、封止材１５が赤色系蛍光体を含む場合は、赤色系蛍光体が発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、赤色系の蛍光を発する。この場合、発光装置１０は、青色光、黄色光、及び赤色光を混合した白色光を放射する。赤色光を混ぜることにより、白色光の演色性を高めることができる。
　図４は、単結晶蛍光体１３の発する光（蛍光）のＣＩＥ色度と、発光素子１００の発する光と単結晶蛍光体１３の発する光を混合した光のＣＩＥ色度を示す色度図である。図４中の並んだ８つの四角形の枠は、色度規格（ＡＮＳＩ　Ｃ７８．３７７）で規定された色温度２７００～６５００Ｋの色度範囲である。
　図４中の曲線Ｌ１は、単結晶蛍光体１３のＣｅ濃度と発光色度の関係を表す。曲線Ｌ１上のマーク“◇”は、左側から順に、単結晶蛍光体１３の組成式におけるｂ（Ｃｅ濃度）の数値が０．０００２、０．０００５、０．００１０、０．００１４であるときの、単結晶蛍光体１３の発光色度の実測値である。
　図４中の曲線Ｌ２は、単結晶蛍光体１３のＣｅ濃度と、発光素子１００と単結晶蛍光体１３の組み合わせにより発せられる混合光の色度の関係を表す。曲線Ｌ２上のマーク“●”は、下側から順に、単結晶蛍光体１３の組成式におけるｂの数値が０．０００２、０．０００５、０．００１０、０．００１４であるときの、発光素子１００と単結晶蛍光体１３の組み合わせにより発せられる混合光の色度の実測値である。
　これらの実測値は、単結晶蛍光体１３の組成（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２において、ａを０に固定し、ｂを変化させて、単結晶蛍光体１３の蛍光スペクトル及び発光素子１００の発光と単結晶蛍光体１３の蛍光の合成スペクトルを測定することにより得られた。
　なお、この測定に用いた発光素子１００の発光波長は４５０ｎｍである。また、単結晶蛍光体１３は厚さ０．３ｍｍの平板状の単結晶蛍光体である。
　曲線Ｌ１、Ｌ２が示すように、Ｃｅは単結晶蛍光体１３の付活剤として機能するため、単結晶蛍光体１３中のＣｅ濃度が高くなる（ｂが大きくなる）ほど、発光素子１００と単結晶蛍光体１３の組み合わせにより発せられる混合光の色度が単結晶蛍光体１３の蛍光の色度に近づく。なお、ｂ＝０であるときは単結晶蛍光体１３が蛍光を発しないため、発光素子１００単体の発光色度と等しくなる。
　ここで、平板状の単結晶蛍光体１３の厚さの下限値は、０．１５ｍｍである。機械的強度の観点から、単結晶蛍光体１３の厚さは０．１５ｍｍ以上に設定される。
　なお、Ｌｕは付活剤としては機能しないため、単結晶蛍光体１３の組成式におけるａの値を変化させても曲線Ｌ２方向の色度の変化はほぼ生じない。また、同様に、発光素子１００の発光波長を変化させても曲線Ｌ２方向の色度の変化はほぼ生じない。
　図５は、発光素子１００、単結晶蛍光体１３、及び赤色系蛍光体の組み合わせにより発せられる混合光のＣＩＥ色度を示す色度図である。
　図５中の曲線Ｌ２は、図４中の曲線Ｌ２と等しい。点Ｒは、赤色系蛍光体の蛍光の色度（０．６５４，０．３４５）を表す。また、並んだ８つの四角形の枠は、色度規格（ＡＮＳＩ　Ｃ７８．３７７）で規定された色温度２７００～６５００Ｋの色度範囲である。
　直線Ｌ３は、点Ｒと色温度２７００Ｋの枠の下端を通る直線であり、直線Ｌ４は、点Ｒと色温度６５００Ｋの枠の上端を通る直線である。そして、点Ｙ１は、曲線Ｌ２と直線Ｌ３との交点であり、点Ｙ２は、曲線Ｌ２と直線Ｌ４との交点である。
　図５において、まず、発光素子１００と単結晶蛍光体１３を組み合わせたときの発光の色度座標が直線Ｌ２上の点Ｙ１と点Ｙ２の間に位置するように、単結晶蛍光体のＣｅ濃度や厚さを調整する。次に、赤色系蛍光体の量（封止材１５中に分散させる場合は、封止材１５中の濃度）を調整することで、色温度２７００～６５００Ｋの白色光をつくることができる。
　この時、単結晶蛍光体１３と赤色系蛍光体とで、それぞれの蛍光の吸収も生じるため、赤色系蛍光体の調整量に対して、発光素子１００と単結晶蛍光体１３との合成色度は、色度Ｒとの間で直線的な変化とはならないものの、概ね上記の方法で目的の色温度の白色光をつくることができる。
　なお、Ｌｕは付活剤としては機能しないため、単結晶蛍光体１３の組成式におけるａの値を変化させても曲線Ｌ２方向の色度の変化はほぼ生じない。そのため、単結晶蛍光体１３がＬｕを含む場合は、Ｌｕ濃度に応じて、発光素子１００及び単結晶蛍光体１３と組み合わせて用いる赤色系蛍光体の量を調節することにより、色温度２７００～６５００Ｋの白色光をつくることができる。
　また、同様に、発光素子１００の発光波長又は赤色系蛍光体の発光波長を変化させても曲線Ｌ２方向の色度の変化はほぼ生じず、少なくとも発光素子１００の発光ピーク波長が４３０～４８０ｎｍの範囲にあり、赤色系蛍光体の発光ピーク波長が６００～６６０ｎｍの範囲にある場合には、赤色系蛍光体の量を調節することにより、同様の方法により、色温度２７００～６５００Ｋの白色光をつくることができる。
　次に、本実施の形態に係る発光装置１０の発する光が演色性に優れることをシミュレーションにより示す。ここで、一例として、発光装置１０が色温度３０００Ｋの光を発する場合の演色性について述べる。
　図６は、シミュレーションに用いた発光素子１００、単結晶蛍光体１３、赤色系蛍光体の発光スペクトルを示す。これらの発光スペクトルを基本スペクトルと呼ぶ。
　発光素子１００、単結晶蛍光体１３、赤色系蛍光体の基本スペクトルのピーク波長は、およそ４５０ｎｍ（青色）、５３５ｎｍ（黄色）、６４０ｎｍ（赤色）である。また、単結晶蛍光体１３の基本スペクトルは、組成が（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（ａ＝０、ｂ＝０．００１０、ｃ＝０．１２８）である単結晶蛍光体１３の発光スペクトルである。
　まず、発光装置１０の発光スペクトルが発光素子１００、単結晶蛍光体１３、赤色系蛍光体の発光スペクトルの合成スペクトルで近似できるとして、最小二乗法により、発光素子１００、単結晶蛍光体１３、赤色系蛍光体の基本スペクトルを色温度３０００Ｋに対応する色度を有するスペクトルにフィッティングし、各基本スペクトルの線形結合係数を決定した。
　そして、フィッティングにより得られた合成スペクトルから、平均演色指数Ｒａを計算した。これにより、発光スペクトルが基本スペクトルである発光素子１００、単結晶蛍光体１３、赤色系蛍光体を用いて色温度３０００Ｋの光を発する発光装置１０を形成した場合の平均演色指数Ｒａが求まる。
　続いて、以上のシミュレーションを発光素子１００及び単結晶蛍光体１３の基本スペクトルの波長をシフトさせながら（赤色系蛍光体の基本スペクトルは固定）繰り返し、発光素子１００及び単結晶蛍光体１３の波長を変化させたときの平均演色指数Ｒａを求めた。ここで、発光素子１００の波長は、基本スペクトルの波長から－２０～＋３０ｎｍの範囲で５ｎｍ刻みに変化させた。また、単結晶蛍光体１３の波長は、基本スペクトルの波長から－４５～＋４５ｎｍの範囲で５ｎｍ刻みに変化させた。その結果を以下の表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　表３は、発光素子１００及び単結晶蛍光体１３の波長を適宜調整することにより、９０以上、さらには９５以上の高い平均演色指数Ｒａが得られることを示している。
［第３の実施の形態］
　第３の実施の形態は、発光素子がフェイスアップ型のＬＥＤチップである点において、第２の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
〔発光装置の構成〕
　図７Ａは、第３の実施の形態に係る発光装置２０の垂直断面図である。図７Ｂは、発光装置２０に含まれる発光素子２００及びその周辺部の拡大図である。図７Ｃは、発光素子２００の上面図である。
　発光装置２０は、表面に配線１２ａ、１２ｂを有する基板１１と、基板１１上に搭載される発光素子発光素子２００と、発光素子２００上に設けられた単結晶蛍光体２１と、発光素子２００を囲む環状の側壁１４と、発光素子２００及び単結晶蛍光体２１を封止する封止材１５と、を有する。
　発光素子１００は、フェイスアップ型のＬＥＤチップであり、３８０～４９０ｎｍの波長に光量のピークを有する青色系の光を発光する。この発光素子２００においては、サファイア等からなる素子基板２０１上に、ｎ型不純物が添加されたＧａＮ等からなるｎ型半導体層２０２、発光層２０３、及びｐ型不純物が添加されたＧａＮ等からなるｐ型半導体層２０４、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明電極２０７がこの順に積層されている。ｎ型半導体層１０２の露出部分にはｎ側電極２０５ａが、透明電極２０７の上面２０７ｂ上にはｐ側電極２０５ｂが、それぞれ形成されている。
　発光層２０３は、ｎ型半導体層２０２及びｐ型半導体層２０４からキャリアが注入されることにより、青色系の光を発する。発光層２０３から発せられた光は、ｐ型半導体層２０４及び透明電極２０７を透過して、透明電極２０７の上面２０７ｂから出射される。すなわち、透明電極２０７の上面２０７ｂは発光素子２００の光出射面である。
　透明電極２０７の上面２０７ｂ上に、ｎ側電極２０５ａ及びｐ側電極２０５ｂの設置位置に対応する部分に切り欠きを有する略四角形状の単結晶蛍光体２１が配置されている。
　単結晶蛍光体２１は、第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体からなる平板状の単結晶蛍光体である。単結晶蛍光体２１は１つの単結晶からなるため、粒界を含まない。
　また、単結晶蛍光体２１は透明電極２０７の上面２０７ｂ上に他の部材を介することなく直接設置されており、単結晶蛍光体２１の透明電極２０７側の面である第１の面２１ａが透明電極２０７の上面２０７ｂに接触している。
　発光素子２００のｎ側電極２０５ａとｐ側電極２０５ｂは、ボンディングワイヤ２０６を介して配線１２ａと配線１２ｂにそれぞれ接続されている。
〔発光装置の動作〕
　発光素子２００に通電すると、配線１２ａ、ｎ側電極２０５ａ、及びｎ型半導体層２０２を介して電子が発光層２０３に注入され、また配線１２ｂ、ｐ側電極２０５ｂ、透明電極２０７、及びｐ型半導体層２０４を介して正孔が発光層２０３に注入されて、発光層２０３が発光する。
　発光層２０３から発せられた青色系の光は、ｐ型半導体層２０４及び透明電極２０７を透過して透明電極２０７の上面２０７ｂから出射され、蛍光体２１の第１の面２１ａに入射する。
　単結晶蛍光体２１は、発光素子２００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、黄色系の蛍光を発する。
　発光素子２００から発せられて単結晶蛍光体２１へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体２１に吸収されて波長変換され、黄色系の光として単結晶蛍光体２１の第２の面２１ｂから出射される。また、発光素子２００から発せられて単結晶蛍光体２１へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体２１に吸収されずに第２の面２１ｂから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置２０は、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。
　また、封止材１５が赤色系蛍光体を含む場合は、赤色系蛍光体が発光素子２００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、赤色系の蛍光を発する。この場合、発光装置２０は、青色光、黄色光、及び赤色光を混合した白色光を放射する。赤色光を混ぜることにより、白色光の演色性を高めることができる。
［第４の実施の形態］
　第４の実施の形態は、単結晶蛍光体の設置位置において、第２の実施の形態と異なる。なお、第２の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
　図８は、第４の実施の形態に係る発光装置３０の垂直断面図である。発光装置３０は、表面に配線１２ａ、１２ｂを有する基板１１と、基板１１上に搭載される発光素子発光素子１００と、発光素子１００の上方に設けられた単結晶蛍光体３１と、発光素子１００を囲む環状の側壁１４と、発光素子１００及び単結晶蛍光体２１を封止する封止材１５と、を有する。
　単結晶蛍光体３１は、第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体からなる平板状の単結晶蛍光体である。単結晶蛍光体３１は１つの単結晶からなるため、粒界を含まない。
　単結晶蛍光体３１は、側壁１４の上面１４ｂ上に、環状の側壁１４の開口部を塞ぐように設置されている。発光素子１００の素子基板１０１の第２の主面１０１ｂから出射された光は、単結晶蛍光体３１の第１の面３１ａに入射する。
　単結晶蛍光体３１は、発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、黄色系の蛍光を発する。
　発光素子１００から発せられて単結晶蛍光体３１へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体３１に吸収されて波長変換され、黄色系の光として単結晶蛍光体３１の第２の面３１ｂから出射される。また、発光素子１００から発せられて単結晶蛍光体３１へ向かう青色系の光のうちの一部は単結晶蛍光体３１に吸収されずに第２の面３１ｂから出射される。青色と黄色は補色関係にあるので、発光装置３０は、青色光と黄色光とを混合した白色光を放射する。
　また、封止材１５が赤色系蛍光体を含む場合は、赤色系蛍光体が発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、赤色系の蛍光を発する。この場合、発光装置３０は、青色光、黄色光、及び赤色光を混合した白色光を放射する。赤色光を混ぜることにより、白色光の演色性を高めることができる。なお、発光装置３０が赤色系蛍光体を含まない場合は、発光装置３０は封止材１５を有さなくてもよい。
［第５の実施の形態］
　次に、本発明の第５の実施の形態について、図９を参照して説明する。図９は、第５の実施の形態に係る発光装置４０の垂直断面図である。図９に示すように、本実施の形態では、蛍光体の状態及びその配置が第２の実施の形態とは異なっている。以下、第２の実施の形態と同一の機能及び構成を有する発光装置４０の構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。
　図９に示すように、発光装置４０は、ＬＥＤ等の発光素子である発光素子１００と、発光素子１００を支持する基板１１と、白色の樹脂からなる側壁１４と、発光素子１００を封止する封止材１５とを有する。
　封止材１５中には、粒状の単結晶蛍光体４１が分散している。蛍光体４１は、第１の実施の形態に係る単結晶蛍光体からなり、例えば、第１の実施の形態において製造された単結晶蛍光体インゴットを粉砕することにより得られる。
　封止材１５中に分散した単結晶蛍光体４１は、発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、例えば、５１４～５４６ｎｍの波長に発光ピークを有する黄色系の蛍光を発する。単結晶蛍光体４１に吸収されなかった青色系の光と、単結晶蛍光体４１から発せられた黄色系の蛍光が混合し、白色の光が発光装置４０から発せられる。
　なお、本実施の形態の単結晶蛍光体４１は、他の実施の形態に適用されてもよい。すなわち、本実施の形態の単結晶蛍光体４１を、第３の実施の形態の単結晶蛍光体２１の代わりに用いてもよい。
［第６の実施の形態］
　次に、本発明の第９の実施の形態について、図１０を参照して説明する。図１０は、第６の実施の形態に係る発光装置５０の垂直断面図である。図１０に示すように、本実施の形態では、粒子状の単結晶蛍光体を含む封止材の形状が第５の実施の形態とは異なっている。以下、第５の実施の形態と同一の機能及び構成を有する発光装置５０の構成要素については共通する符号を付して説明を省略する。
　図１１に示すように、発光装置５０は、ＬＥＤ等の発光素子である発光素子１００と、発光素子１００を支持する基板１１と、発光素子１００の表面及び基板１１の上面を覆うように設けられた封止材５２とを有する。
　封止材５２中には、粒子状の単結晶蛍光体５１が分散している。単結晶蛍光体５１は、第１の実施の形態の単結晶蛍光体からなり、例えば、第１の実施の形態において製造された単結晶蛍光体インゴットを粉砕することにより得られる。
　封止材５２は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の透明樹脂、またはガラス等の透明無機材料である。なお、本実施の形態の封止材５２は、塗布法等を用いる製造工程上、発光素子１００の表面上だけでなく基板１１上にも形成される場合があるが、基板１１上には形成されなくてもよい。
　封止材５２中に分散した単結晶蛍光体５１は、発光素子１００から発せられた青色系の光の一部を吸収し、例えば、５１４～５４６ｎｍの波長に発光ピークを有する黄色系の蛍光を発する。単結晶蛍光体５１に吸収されなかった青色系の光と、単結晶蛍光体５１から発せられた黄色系の蛍光が混合し、白色の光が発光装置５０から発せられる。
　以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。また、発明の主旨を逸脱しない範囲内において上記実施の形態の構成要素を任意に組み合わせることができる。
　また、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
　また、上記実施の形態は、エネルギー効率が高く、省エネルギーを実現することのできるＬＥＤ発光装置等の発光装置、又はその発光装置に用いられる単結晶蛍光体であるため、省エネルギー効果を有する。
　従来にない色の蛍光を発するＹＡＧ系の単結晶蛍光体、並びにその単結晶蛍光体を備えた蛍光体含有部材及び発光装置を提供する。
１０、２０、３０、４０、５０…発光装置、　１３、２１、３１、４１、５１…単結晶蛍光体、　１００、２００…発光素子

Claims (10)

  1. 　組成式（Ｙ１－ａ－ｂＬｕａＣｅｂ）３＋ｃＡｌ５－ｃＯ１２（０≦ａ≦０．９９９４、０．０００２≦ｂ≦０．００６７、－０．０１６≦ｃ≦０．３１５）で表される組成を有し、
    　励起光のピーク波長が４５０ｎｍ、温度が２５℃であるときの発光スペクトルのＣＩＥ色度座標ｘ、ｙが、－０．４３７７ｘ＋０．７３８４≦ｙ≦－０．４５８５ｘ＋０．７５０４の関係を満たす、単結晶蛍光体。
  2. 　前記単結晶蛍光体の組成式におけるａの数値範囲が０．０２２２≦ａ≦０．９９９４である、
    　請求項１に記載の単結晶蛍光体。
  3. 　前記単結晶蛍光体の組成式におけるａの値が０である、
    　請求項１に記載の単結晶蛍光体。
  4. 　青色系の光を発する発光素子と、
    　前記発光素子の発する光を吸収して黄色系の蛍光を発する黄色系蛍光体と、
    　を有し、
    　前記黄色系蛍光体は、請求項１～３のいずれか１項に記載の単結晶蛍光体である、発光装置。
  5. 　前記発光素子の発する光を吸収して赤色系の蛍光を発する赤色系蛍光体をさらに有する、
    　請求項４に記載の発光装置。
  6. 　前記単結晶蛍光体が前記発光素子と離間して設けられた、
    　請求項４に記載の発光装置。
  7. 　前記単結晶蛍光体が平板状である、
    　請求項４に記載の発光装置。
  8. 　透明部材と、
    　前記透明部材中に分散した粒子状蛍光体と、
    　を有し、
    　前記粒子状蛍光体は、請求項１～３のいずれか１項に記載の単結晶蛍光体である、蛍光体含有部材。
  9. 　前記透明部材が透明無機材料である、
    　請求項８に記載の蛍光体含有部材。
  10. 　青色系の光を発する発光素子と、
    　請求項８に記載の蛍光体含有部材と、
    　を有する、発光装置。
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