JP7224579B2 - 波長変換部材 - Google Patents

波長変換部材 Download PDF

Info

Publication number
JP7224579B2
JP7224579B2 JP2018022273A JP2018022273A JP7224579B2 JP 7224579 B2 JP7224579 B2 JP 7224579B2 JP 2018022273 A JP2018022273 A JP 2018022273A JP 2018022273 A JP2018022273 A JP 2018022273A JP 7224579 B2 JP7224579 B2 JP 7224579B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength conversion
conversion member
crystal phosphor
phosphor
single crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018022273A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019139071A (ja
Inventor
祐輔 新井
彰 伊藤
和幸 飯塚
理紀也 鈴木
佳弘 山下
清太郎 吉田
大介 猪股
博之 澤野
清史 島村
ビジョラ エンカルナシオン アントニア ガルシア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute for Materials Science
Tamura Corp
Original Assignee
National Institute for Materials Science
Tamura Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by National Institute for Materials Science, Tamura Corp filed Critical National Institute for Materials Science
Priority to JP2018022273A priority Critical patent/JP7224579B2/ja
Priority to PCT/JP2019/004400 priority patent/WO2019156159A1/ja
Publication of JP2019139071A publication Critical patent/JP2019139071A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7224579B2 publication Critical patent/JP7224579B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0239Combinations of electrical or optical elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/20Filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Description

本発明は、波長変換部材に関する。
従来、蛍光体を用いた波長変換部材として、無機材料からなる封止部材に単結晶蛍光体粒子を封止した蛍光体含有部材(例えば、特許文献1参照)、無機材料からなるバインダーにより単結晶蛍光体粒子を結合させた蛍光体含有部材(例えば、特許文献1参照)、透明樹脂からなる封止部材に単結晶蛍光体粒子を封止した蛍光体含有部材(例えば、特許文献2参照)、全体が単一の単結晶からなる平板状の単結晶蛍光体(例えば、特許文献2参照)などが知られている。
単結晶からなる蛍光体は、セラミック粉末蛍光体と比較して、温度の上昇に伴う蛍光強度の低下が少なく、優れた温度特性を有する(例えば、特許文献2参照)。
特開2017-137394号公報 特許第5649202号公報
しかしながら、通常、封止材やバインダーは単結晶蛍光体よりも熱伝導率が低く、これらを用いることにより波長変換部材の放熱性が低下する。
また、全体が単一の単結晶からなる平板状の単結晶蛍光体は、内部に光を散乱させる粒界がないため、内部に進入した光が端部にまで容易に伝播する。このような単結晶蛍光体は、光(蛍光、又は蛍光と励起光の混合光)が広範囲に拡がる、ランバーシアン配光と大きく異なる配光特性を有する。このため、全体が単一の単結晶からなる平板状の単結晶蛍光体は、波長変換部材から取り出された光をレンズにより集光して用いる光学系などには適さない。
本発明の目的は、温度特性や放熱性に優れ、かつランバーシアン配光に近い配光特性を有する、蛍光体を用いた波長変換部材を提供することにある。
本発明の一態様は、上記目的を達成するために、下記[1]~[]の波長変換部材を提供する。
[1]単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、所定の形状を有前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、30μm以下の範囲内にあり、前記所定の形状が平板形状である、波長変換部材。
[2]単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、所定の形状を有し、光軸方向が90°となるように配光角度を定義したとき、90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値が0.57以上、0.85以下の範囲内にある、波長変換部材。
[3]前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、30μm以下の範囲内にある、上記[2]に記載の波長変換部材。
[4]前記所定の形状が平板形状である、上記[2]又は[3]に記載の波長変換部材。
[5]前記所定の形状が0.15mm以上の厚さを有するウエハ状である、上記[1]に記載の波長変換部材。
[6]光軸方向が90°となるように配光角度を定義したとき、90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値が0.57以上、0.85以下の範囲内にある、上記[1]又は[5]に記載の波長変換部材。
[7]前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、10μm以下の範囲内にある、上記[1]~[6]のいずれか1項に記載の波長変換部材。
[8]前記単結晶蛍光体が、組成式(Y 1-x-y-z Lu Gd Ce 3+a Al 5-a 12 (0≦x≦0.9994、0≦y≦0.0669、0.0002≦z≦0.0067、-0.016≦a≦0.315)で表される組成を有する、上記[1]~[7]のいずれか1項に記載の波長変換部材。
[9]温度が300℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率が0.90以上である、上記[1]~[8]のいずれか1項に記載の波長変換部材。
本発明によれば、温度特性や放熱性に優れ、かつランバーシアン配光に近い配光特性を有する、蛍光体を用いた波長変換部材を提供することができる。
図1(a)、(b)は、実施の形態に係る波長変換部材の斜視図である。 図2は、実施の形態に係る波長変換部材の製造工程の一例を示すフローチャートである。 図3は、CZ法による単結晶蛍光体インゴットの引き上げを模式的に示す断面図である。 図4は、表1の値を極座標にプロットした、波長変換部材、比較例、及びランバーシアン配光の配光特性を示すグラフである。 図5は、表3の値をプロットした、波長変換部材、及び比較例の内部量子効率を示すグラフである。
〔実施の形態〕
(波長変換部材の構成)
図1(a)、(b)は、実施の形態に係る波長変換部材1の斜視図である。波長変換部材1は、単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、固有の形状を有する。
波長変換部材1の形状は特に限定されないが、典型的には平板形状である。図1(a)、(b)に示される例では、波長変換部材1は平面形状が円形である平板形状を有する。
図1(a)は、励起光の一部と励起光を波長変換した蛍光との混合光を波長変換部材1から取り出す場合の模式図である。例えば、励起光が青色光であり、蛍光が黄色光である場合、白色光を波長変換部材1から取り出すことができる。図1(b)は、励起光のほぼ全てを波長変換し、ほぼ蛍光のみを波長変換部材1から取り出す場合の模式図である。
なお、図1(a)、(b)に示される例では、励起光を反射して光を取り出す反射型の波長変換部材として波長変換部材1を用いているが、励起光を透過させて光を取り出す透過型の波長変換部材として用いることもできる。
波長変換部材1は、単結晶蛍光体の粒子群から構成されるため、内部に光を散乱させる粒界を有する。このため、波長変換部材1は、ランバーシアン配光に近い配光特性を有し、レンズにより効率的に集光することができる。すなわち、波長変換部材1は光学系との相性がよい。
また、波長変換部材1は、優れた内部量子効率を有する。例えば、波長変換部材1を構成する粒子状の単結晶蛍光体が組成式(Y1-x-y-zLuGdCe3+aAl5-a12(0≦x≦0.9994、0≦y≦0.0669、0.0002≦z≦0.0067、-0.016≦a≦0.315)で表される組成を有する場合、温度が25℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.95以上であり、温度が300℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.90以上である。
また、波長変換部材1を構成する粒子状の単結晶蛍光体が組成式(Y0.998Ce0.002Al12で表される組成を有する場合、温度が25℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.99以上であり、温度が300℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.90以上である。
また、波長変換部材1を構成する粒子状の単結晶蛍光体が組成式(Lu0.998Ce0.002Al12で表される組成を有する場合、温度が25℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.99以上であり、温度が300℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率は0.93以上である。
文献Solid-State Lighting Research and Development: Multi Year Program Plan March 2011 (Updated May 2011) P.69 の表 A1.3 によれば、内部量子効率(Quantum Yield (25°C) across the visible spectrum)の2010年の数値は0.90であり、2020年の目標値が0.95であることが記載されている。このことから、業界では、2年で0.01程度の量子効率の向上が期待されていることがわかり、本実施の形態の蛍光体は、出願時において目標とされる数値に近い、又は超えた量子効率を有する優れた蛍光体であるといえる。
上述のように、波長変換部材1は、300℃という高温条件下においても高い内部量子効率を保つことができるため、例えば、励起光がレーザー光であるレーザープロジェクタやレーザーヘッドライトのように、単位面積当たりの輝度が極めて高い発光装置に用いられる波長変換部材として優れた機能を発揮することができる。
(単結晶蛍光体の特徴)
実施の形態に係る単結晶蛍光体は、特に限定されないが、温度特性に優れるYAG系蛍光体であることが好ましい。YAG系蛍光体は、YAl12(YAG)結晶を母結晶とする蛍光体である。
例えば、実施の形態に係る単結晶蛍光体として、組成式(Y1-x-y-zLuGdCe3+aAl5-a12(0≦x≦0.9994、0≦y≦0.0669、0.0002≦z≦0.0067、-0.016≦a≦0.315)で表される組成を有するYAG系蛍光体、組成式(Y0.998Ce0.002Al12で表される組成を有するYAG蛍光体、組成式(Lu0.998Ce0.002Al12で表される組成を有するLuAG蛍光体を用いることができる。ここで、Lu、Gdは、Yを置換する発光中心とならない成分である。Ceは、Yを置換する発光中心となり得る成分(付活剤)である。
なお、上記の単結晶蛍光体の組成のうち、一部の原子は結晶構造上の異なる位置を占めることがある。また、上記の組成式における組成比のOの値は12と記述されるが、上記の組成は、不可避的に混入または欠損する酸素の存在により組成比のOの値が僅かに12からずれた組成も含む。また、組成式におけるaの値は、単結晶蛍光体の製造上、不可避的に変化する値であるが、-0.016≦a≦0.315程度の数値範囲内での変化は、単結晶蛍光体の物性にほとんど影響を及ぼさない。
また、本実施の形態の単結晶蛍光体は、Ba、Sr等の2族元素及びF、Br等の17族元素を含まず、高い純度を有することを特徴とする。これらの特徴により高輝度で高寿命な蛍光体を実現できる。
Ceの濃度を表す上記組成式におけるzの数値の範囲が0.0002≦z≦0.0067であるのは、zの数値が0.0002よりも小さい場合は、Ce濃度が低すぎるために、励起光の吸収が小さくなり、外部量子効率が小さくなりすぎるという問題が生じ、0.0067よりも大きい場合は、単結晶蛍光体のインゴットを育成する際にクラックやボイド等が生じ、結晶品質が低下する可能性が高くなるためである。また、zの数値が0.0010以上であれば、波長変換部材1が薄くても十分に波長変換を行うことができるため、コストの低減や放熱性の向上をはかることができる。
本実施の形態の単結晶蛍光体は、例えば、CZ法(Czochralski Method)、EFG法(Edge Defined Film Fed Growth Method)、ブリッジマン法、FZ法(Floating Zone Method)、ベルヌーイ法等の液相成長法によって得ることができる。そして、単結晶蛍光体の粒子群は、これらの液相成長法により得られた単結晶蛍光体のインゴットを粉砕することにより得られる。
本実施形態の単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)は、3μm以上、30μm以下の範囲内にあることが好ましく、3μm以上、10μm以下の範囲内にあることがより好ましい。ここで、D50とは、累積分布における50vol%のときの粒径をいう。
粒径(D50)が30μm以下である場合、焼結が進み易くなり、また、空孔が小さくなるため、空孔による波長変換部材1の熱伝導率の低下を抑制することができる。熱伝導率が高ければ、強度の大きな励起光を照射することができる。さらに、粒径(D50)が10μm以下である場合、波長変換部材1の密度がより高まり、熱伝導率が向上する。一方、粒径(D50)が3μmより小さい場合、焼結は進みやすいが、空孔が少なくなりすぎるため、波長変換部材1の内部での光の散乱が減り、配光特性がランバーシアン配光から離れる。そのため、波長変換部材1と光学系との結合効率が低下する。また、粒径が小さ過ぎると、波長変換効率や熱伝導率が低下するという問題も生じる。
なお、従来のYAG多結晶蛍光体は、Y、Al、CeO等の酸化物粉末原料を固相反応によって合成するため、15~20μm程度以上に大きな粒子径の蛍光体を製造することが困難である。一方、本実施の形態に係る単結晶YAG蛍光体は、融液成長した単結晶蛍光体のインゴットを粉砕して作製するため、100μm以上の粒径のものも得ることができる。
また、YAG系単結晶蛍光体は、YAG系多結晶蛍光体よりも温度の上昇に伴う蛍光強度の低下が少ない。蛍光強度の低下が少ないのは、内部量子効率の低下が少ないことによる。また、LuAG系単結晶蛍光体についても同様である。
〔波長変換部材の製造〕
図2は、実施の形態に係る波長変換部材1の製造工程の一例を示すフローチャートである。以下、図2のフローチャートに沿って波長変換部材1の製造工程の一例を説明する。
まず、単結晶蛍光体を育成して、インゴットを得る(ステップS1)。単結晶蛍光体の育成方法は、単結晶蛍光体の種類に応じて既知の方法を用いることができる。
ここで、一例として、YAG系単結晶蛍光体を育成する場合の例を示す。まず、出発原料として、高純度(99.99%以上)のY、Lu、Gd、CeO、Alの粉末を用意し、乾式混合を行い、混合粉末を得る。なお、Y、Lu、Gd、Ce、及びAlの原料粉末は、上記のものに限られない。また、Lu又はGdを含まない単結晶蛍光体を製造する場合は、それらの原料粉末は用いない。
図3は、CZ法による単結晶蛍光体インゴットの引き上げを模式的に示す断面図である。結晶育成装置10は、イリジウム製のルツボ11と、ルツボ11を収容するセラミックス製の筒状容器12と、筒状容器12の周囲に巻回される高周波コイル13とを主として備えている。
得られた混合粉末をルツボ11内に入れ、窒素雰囲気中で高周波コイル13により30kWの高周波エネルギーをルツボ11に供給して誘導電流を生じさせ、ルツボ11を加熱する。これにより混合粉末を溶融し、融液20を得る。
次に、YAG系単結晶蛍光体である種結晶21の先端を融液20に接触させた後、10rpmの回転数で回転させながら1mm/h以下の引き上げ速度で引き上げ、1960℃以上の引き上げ温度で<111>方向に単結晶蛍光体インゴット22を育成する。この単結晶蛍光体インゴット22の育成は、筒状容器内に毎分2Lの流量で窒素を流し込み、大気圧下、窒素雰囲気中で行われる。
こうして、例えば、直径約2.5cm、長さ約10cmの単結晶蛍光体インゴット22が得られる。
次に、単結晶蛍光体のインゴットを粉砕し、粒子化する(ステップS2)。まず、単結晶蛍光体のインゴットを、急加熱、急冷却することにより粗く粉砕し、1~3mm程度の粒径を有する単結晶蛍光体の粒子群を得る。急加熱は、水素・酸素混合ガスバーナーを用いて実施することができる。また、急冷却は、水冷によって実施することができる。
続けて、遊星ボールミルを用いて粒子群を微粉砕した後、乾燥させる。これにより、粒子群の粒径(D50)が3μm以上、30μm以下の範囲内、より好ましくは3μm以上、10μm以下の範囲内とすることができる。
次に、単結晶蛍光体の粒子群に圧力を加えて固形化する(ステップS3)。固形化の方法は特に限定されず、例えば、SPS(Spark Plasma Sintering)法、CIP(Cold Isostatic Pressing)法などを用いることができる。また、シート成形やスリップキャスト法により固形化を施してもよい。これらの方法を用いる場合、粒子群をウエハ上に保持するために有機バインダーが必要となるが、この有機バインダーは工程内で除去することができる。
固形化の際に粒子群に印加する圧力の大きさは、粒子群を固形状に保持できる程度の大きさであり、固形化方法による。例えば、CIP法を用いる場合は、100MPa以上であることが好ましい。
次に、固形化した単結晶蛍光体の粒子群を焼結する(ステップS4)。焼結を実施することにより、固形化した単結晶蛍光体の粒子群の機械的強度が向上し、また、内部量子効率が向上する。焼結のための熱処理の温度や保持時間は、焼結方法による。
また、焼結は、アルゴン雰囲気下で実施される。焼結をアルゴン雰囲気下で実施する場合、大気、酸素雰囲気、窒素雰囲気、又はAr97.5%と水素2.5%の混合ガス雰囲気下で実施する場合よりも、内部量子効率の増加量が大きいことが本発明者らにより確かめられている。
焼結のための熱処理の温度や保持時間は、単結晶蛍光体の種類や焼結方法による。例えば、単結晶蛍光体がYAG系単結晶蛍光体であって、焼成炉内で焼結を実施する場合は、熱処理の温度は1650℃以上、1850℃以下の範囲内にあることが好ましい。また、目標温度に達してからの保持時間は1時間以上、10時間以下の範囲内にあることが好ましい。
熱処理の温度が1650℃より低い場合は、焼結に時間がかかる上に、焼結ムラを生じやすく、1850℃を越える場合は、蛍光体が溶融するおそれがある。保持時間が1時間より短い場合は、焼結が不十分になることがあり、また10時間より長い場合は、焼結が進み過ぎて粒成長が進んだ結果、粒径の均一性が失われる。
なお、ステップS3の固形化にSPS法を用いた場合、ステップS4の焼成もSPS装置内で連続的に行われる。具体的には、例えば、単結晶蛍光体がYAG系単結晶蛍光体である場合、単結晶蛍光体の粒子群に30MPa以上の圧力を印加した状態で、1530℃~1600℃の熱処理を施す。
圧力が30MPaより小さい場合、焼結が進みにくく、そのために空孔が増える。このため、波長変換部材1の熱伝導率が低下したり、波長変換部材1への励起光の侵入が妨げられたりなどの問題が生じる。また、熱処理温度が1530℃より低い場合、焼結に時間がかかる上に、焼結ムラを生じやすく、1600℃を越えると蛍光体が溶融するおそれがある。
このとき、温度の上昇に伴って、単結晶蛍光体の粒子群の密度が大きくなり、単結晶蛍光体の粒子群に圧力を加えるピストンが変位する。目標温度に達して、ピストンの変位量がほぼ零になってから、所定の時間保持する。この保持時間は、30秒以上、3分以下の範囲内にあることが好ましい。30秒より短い場合は焼結が不十分になることがあり、また3分より長いと焼結が進み過ぎて粒径の均一性が失われる。
単結晶蛍光体の粒子群に圧力を加えながら熱処理を施す方法としては、SPS法の他にHIP(Hot Iso-static Press)法、VP(Vacuum Press)法などの方法があり、これらを用いてもよい。
次に、単結晶蛍光体の粒子群の焼結体をスライスして、ウエハ状の焼結体を得る(ステップS5)。スライスは、マルチワイヤーソーなどを用いて実施することができる。
ウエハ状の焼結体の厚さは、薄すぎるとスライスした際に割れが発生して歩留まりが低下するおそれがある。また、厚すぎるとスライスにより切り出せる枚数が減るため、結果としてコストが増加する。このため、ウエハ状の焼結体の厚さは、0.15mm以上、1.0mm以下の範囲にあることが好ましい。
次に、ウエハ状の単結晶蛍光体の粒子群の焼結体にアニール処理を施す(ステップS6)。アニール処理を実施することにより、単結晶蛍光体の粒子群の焼結体の内部量子効率が向上する。
アニール処理の温度が低すぎる場合や、時間が短すぎる場合は、単結晶蛍光体の粒子群の焼結体の量子効率が十分に向上しない。また、アニール処理の温度が高すぎると装置の負荷が大きくなり、極端に高くすると、焼結体が溶けてしまう。また、アニール処理の時間は長い方が量子効率を高くする観点では好ましいが、長くし過ぎるとコストが増加するという問題がある。このため、アニール処理の温度は、1450℃以上、1600℃以下の範囲内にあることが好ましい。また、アニール処理の時間は、5時間以上であることが好ましい。また、アニール処理の時間が15時間を超えると単結晶蛍光体の粒子群の焼結体の内部量子効率の増加量にほとんど変化がなく、また、アニール処理の時間が長くなるほどコストが増加するため、アニール処理の時間は15時間以下であることが好ましい。
また、アニール処理は、アルゴン雰囲気下で実施される。アニール処理をアルゴン雰囲気下で実施する場合、大気、酸素雰囲気、窒素雰囲気、又はAr97.5%と水素2.5%の混合ガス雰囲気下で実施する場合よりも、内部量子効率の増加量が大きいことが本発明者らにより確かめられている。
(実施の形態の効果)
上記実施の形態に係る波長変換部材1は、単結晶蛍光体により構成されるため、温度特性に優れる。また、波長変換部材1は、内部に光を散乱する粒界を有するため、ランバーシアン配光に近い配光特性を有する。また、波長変換部材1は、封止材やバインダーを含まないため、これらに起因する放熱性の問題がない。また、封止材やバインダーが励起光や蛍光を吸収することによる、発光強度の低下や、色ずれの問題がない。
実施例1として、SPS法を用いた波長変換部材1の製造方法の例を示す。
まず、組成式(Y0.998Ce0.002Al12で表される組成を有する単結晶蛍光体のインゴットをCZ法により育成した(ステップS1)。
次に、単結晶蛍光体インゴットを粉砕して粒子化した(ステップS2)。まず、単結晶蛍光体インゴットに水素・酸素混合ガスバーナーを用いた急加熱と水冷による急冷却を施して粗く粉砕し、1~3mm程度の粒径を有する単結晶蛍光体の粒子群を得た。続けて、およそ2時間、遊星ボールミルを用いて粒子群を微粉砕した後、粒子群を80℃で1日乾燥させた。これにより、粒径(D50)がおよそ5μmの蛍光体単結晶の粒子群を得た。
ここで、遊星ボールミルのボールとして、酸化アルミニウムからなるボールを用いた。また、遊星ボールミルを用いた微粉砕において、粗く粉砕された単結晶蛍光体粒子とボールとエタノールの体積比を1:1:1とした。
次に、SPS法により、単結晶蛍光体の粒子群の固形化及び焼結を実施し、焼結体を得た(ステップS3、S4)。まず、単結晶蛍光体の粒子群にプレプレスを施した後、SPS装置内の内径φ20mmのカーボン冶具内に収容した。次に、SPS装置内を真空引きした後、アルゴン雰囲気(1atm)に置換した。次に、カーボンパンチを介してピストンでカーボン冶具内の単結晶蛍光体の粒子群に80MPaの圧力を加えた。次に、80MPaの圧力を加えた状態でカーボンパンチ及びカーボン冶具に電流を流し、単結晶蛍光体の粒子群を加熱した。
加熱開始後、約10分でカーボン冶具内部の温度が目標温度の1570℃に到達した。なお、カーボン冶具の側面には直径1mm、深さ2mmの孔があけられており、パイロメータを使ってカーボン冶具内部の温度を測定することができる。
カーボン冶具内部の温度が目標温度の1570℃に到達し、温度の上昇に伴うピストンの変位がほぼ零になってから、その状態を3分間保持した。その後、加圧を止め、室温に達するまで2時間かけて降温させた。その結果、直径φ20mm、高さ10mmの円柱状(平面形状が円形である平板形状)の単結晶蛍光体の粒子群の焼結体を得た。
次に、マルチワイヤーソーを用いて単結晶蛍光体の粒子群の焼結体を厚さ0.5mmのウエハ状にスライスした(ステップS5)。
次に、ウエハ状の単結晶蛍光体の粒子群の焼結体に、アニール処理を施した(ステップS6)。まず、アニール処理炉内にウエハ状の単結晶蛍光体の粒子群の焼結体を収容し、アニール処理炉内を真空引きした後、アルゴン雰囲気に置換した。次に、アニール処理炉内の温度をおよそ4時間で1500℃まで昇温させ、1500℃で10時間保持した後、およそ4時間で室温まで降温させた。
以上の工程を経て、組成式(Y0.998Ce0.002Al12で表される組成を有する単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなる、円柱状の波長変換部材1を得た。
実施例2として、CIP法を用いた波長変換部材1の製造方法の例を示す。なお、インゴットの育成工程(ステップS1)、粉砕工程(ステップS2)、スライス工程(ステップS5)、アニール処理工程(ステップS6)については、実施例1と同じであるため、説明を省略する。
インゴットの育成工程(ステップS1)、粉砕工程(ステップS2)を経た後、CIP法により、単結晶蛍光体の粒子群の固形化を実施した(ステップS3)。まず、単結晶蛍光体の粒子群にプレプレスを施した後、CIP装置内の内径φ20mmのゴム製冶具内に収容した。次に、CIP装置内を加圧し、室温下で単結晶蛍光体の粒子群に300MPaの圧力を加えて、固形化した。
次に、固形化した単結晶蛍光体の粒子群を焼結した(ステップS5)。まず、焼成炉内に固形化した単結晶蛍光体の粒子群を収容し、焼成炉内にアルゴンガスを流しながら、常圧下で、焼成炉内の温度をおよそ8時間で1800℃まで昇温させ、1800℃で10時間保持した後、およそ8時間で室温まで降温させた。その結果、直径φ17.5mm、高さ10mmの円柱状(平面形状が円形である平板形状)の単結晶蛍光体の粒子群の焼結体を得た。
その後、スライス工程(ステップS5)、アニール処理工程(ステップS6)を経て、組成式(Y0.998Ce0.002Al12で表される組成を有する単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなる、円柱状の波長変換部材1を得た。
実施例3として、実施例1において作製した波長変換部材1と、全体が単一の単結晶からなる単結晶蛍光体(以下、比較例Aと呼ぶ)の配光特性を測定し、比較した。
本実施例の測定に用いた波長変換部材1と比較例Aの組成は、ともに(Y0.998Ce0.002Al12である。また、波長変換部材1と比較例Aの形状は、ともに厚さ0.5mmの平板形状である。また、配光特性は、ピーク波長が450nmである励起光を波長変換部材1と比較例Aに照射し、蛍光の強度と角度(波長変換部材1と比較例Aの面に平行な方向を基準とする)との関係を測定することにより求めた。
次の表1に、波長変換部材1、比較例A、及びランバーシアン配光の配光特性を示す。表1においては、いずれの配光特性も、蛍光強度の最大値が1.00となるように規格化されている。
Figure 0007224579000001
図4は、表1の値を極座標にプロットした、波長変換部材1、比較例A、及びランバーシアン配光の配光特性を示すグラフである。図4の「試料」は、波長変換部材1及び比較例Aの位置を概略的に表す。表1、図4は、波長変換部材1の配光特性はランバーシアン配光に近く、比較例Aの配光特性はランバーシアン配光とは大きく異なることを示している。
図4のように光軸方向の角度が90°となるように角度θを定義すると、ランバーシアン配光の蛍光強度は、cos(90°-θ)で定義される。そして、ランバーシアン配光の90°方向の蛍光強度に対する45°方向、135°方向の蛍光強度の比の値は0.71である。
本実施例における波長変換部材1の90°方向の蛍光強度に対する45°方向、135°方向の蛍光強度の比の値はそれぞれ0.69、0.72であり、ランバーシアン配光の値に近い。一方、比較例Aの90°方向の蛍光強度に対する45°方向、135°方向の蛍光強度の比の値はそれぞれ1.83、1.85であり、ランバーシアン配光の値とは大きく異なる。
波長変換部材1の90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値は、ランバーシアン配光の値である0.71の±20%の範囲内、すなわち0.57以上、0.85以下の範囲内にあることが好ましく、ランバーシアン配光の値である0.71の±10%の範囲内、すなわち0.64以上、0.78以下の範囲内にあることがより好ましく、0.71の±5%の範囲内、すなわち0.67以上、0.75以下の範囲内にあることがさらに好ましい。波長変換部材1の90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値は、波長変換部材1を構成する単結晶蛍光体粒子の粒径(D50)を3μm以上、30μm以下の範囲内にすることにより、ランバーシアン配光の値に近づけることができる。
この波長変換部材1と比較例Aの配光特性の違いは、波長変換部材1が内部に光を散乱させる空孔及び粒界を有し、比較例Aが内部に空孔及び粒界を有しないことによる。ランバーシアン配光に近い配光特性を有する波長変換部材1は、蛍光をレンズにより効率よく集光することができるため、光学系との相性がよい。
実施例4として、実施例1において作製した波長変換部材1と、全体が単一の単結晶からなる単結晶蛍光体(以下、比較例Aと呼ぶ)と、粉末状態の蛍光体多結晶の粒子群(セラミックパウダー)(以下、比較例Bと呼ぶ)の内部量子効率を測定し、比較した。
本実施例の測定に用いた波長変換部材1、比較例A、及び比較例Bの組成は、いずれも(Y0.998Ce0.002Al12である。また、波長変換部材1及び比較例Aの形状は、いずれも厚さ0.5mmの平板形状である。また、内部量子効率は、大塚電子(株)製の量子効率測定システムQE-2100により測定した。
次の表2に、16個の波長変換部材1(以下、試料I~XVIと呼ぶ)の25℃及び300℃における内部量子効率の測定値を示す。
Figure 0007224579000002
表2は、波長変換部材1の内部量子効率の平均値が、25℃から300℃へ昇温しても5%しか低下しないことを示している。この結果から、波長変換部材1の温度特性が非常に優れていることが確認された。
次の表3に、波長変換部材1、比較例A、及び比較例Bの25℃~300℃における内部量子効率の測定値を示す。
Figure 0007224579000003
図5は、表3の値をプロットした、波長変換部材1、比較例A、及び比較例Bの内部量子効率を示すグラフである。表3、図5は、波長変換部材1の内部量子効率が、全体が単一の単結晶からなる単結晶蛍光体である比較例Aの内部量子効率と同等、又はそれ以上であることを示している。
以上、本発明の実施の形態、実施例を説明したが、本発明は、上記実施の形態、実施例に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
また、上記に記載した実施の形態、実施例は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態、実施例の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
1…波長変換部材、 22…単結晶蛍光体インゴット

Claims (9)

  1. 単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、所定の形状を有
    前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、30μm以下の範囲内にあり、
    前記所定の形状が平板形状である、
    波長変換部材。
  2. 単結晶蛍光体の粒子群の焼結体からなり、所定の形状を有
    光軸方向が90°となるように配光角度を定義したとき、90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値が0.57以上、0.85以下の範囲内にある、
    波長変換部材。
  3. 前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、30μm以下の範囲内にある、
    請求項に記載の波長変換部材。
  4. 前記所定の形状が平板形状である、
    請求項2又は3に記載の波長変換部材。
  5. 前記所定の形状が0.15mm以上の厚さを有するウエハ状である、
    請求項1に記載の波長変換部材。
  6. 光軸方向が90°となるように配光角度を定義したとき、90°方向の蛍光強度に対する45°方向及び135°方向の蛍光強度の比の値が0.57以上、0.85以下の範囲内にある、
    請求項1又は5に記載の波長変換部材。
  7. 前記単結晶蛍光体の粒子群の粒径(D50)が3μm以上、10μm以下の範囲内にある、
    請求項1~6のいずれか1項に記載の波長変換部材。
  8. 前記単結晶蛍光体が、組成式(Y1-x-y-zLuGdCe3+aAl5-a12(0≦x≦0.9994、0≦y≦0.0669、0.0002≦z≦0.0067、-0.016≦a≦0.315)で表される組成を有する、
    請求項1~のいずれか1項に記載の波長変換部材。
  9. 温度が300℃、励起光のピーク波長が450nmであるときの内部量子効率が0.90以上である、
    請求項1~のいずれか1項に記載の波長変換部材。
JP2018022273A 2018-02-09 2018-02-09 波長変換部材 Active JP7224579B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018022273A JP7224579B2 (ja) 2018-02-09 2018-02-09 波長変換部材
PCT/JP2019/004400 WO2019156159A1 (ja) 2018-02-09 2019-02-07 波長変換部材

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018022273A JP7224579B2 (ja) 2018-02-09 2018-02-09 波長変換部材

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019139071A JP2019139071A (ja) 2019-08-22
JP7224579B2 true JP7224579B2 (ja) 2023-02-20

Family

ID=67548289

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018022273A Active JP7224579B2 (ja) 2018-02-09 2018-02-09 波長変換部材

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7224579B2 (ja)
WO (1) WO2019156159A1 (ja)

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152069A (ja) 2004-11-26 2006-06-15 Fujikura Ltd アルファサイアロン蛍光体とその製造方法、アルファサイアロン蛍光体中間生成物、アルファサイアロン蛍光体原料粉末及び発光ダイオードランプ
JP5620562B1 (ja) 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2016084376A (ja) 2014-10-23 2016-05-19 国立研究開発法人物質・材料研究機構 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2016154220A (ja) 2015-02-18 2016-08-25 日東電工株式会社 蛍光体セラミックス、封止光半導体素子、回路基板、光半導体装置および発光装置
JP2016192295A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
WO2017135373A1 (ja) 2016-02-02 2017-08-10 株式会社タムラ製作所 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有部材、及び発光装置又はプロジェクター
WO2017154413A1 (ja) 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
WO2017217486A1 (ja) 2016-06-16 2017-12-21 日本碍子株式会社 蛍光体素子および照明装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3637158A4 (en) * 2017-06-06 2020-06-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. WAVELENGTH CONVERTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND LIGHT EMITTING DEVICE USING THE WAVELENGTH CONVERTER

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006152069A (ja) 2004-11-26 2006-06-15 Fujikura Ltd アルファサイアロン蛍光体とその製造方法、アルファサイアロン蛍光体中間生成物、アルファサイアロン蛍光体原料粉末及び発光ダイオードランプ
JP5620562B1 (ja) 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2016084376A (ja) 2014-10-23 2016-05-19 国立研究開発法人物質・材料研究機構 単結晶蛍光体及び発光装置
JP2016154220A (ja) 2015-02-18 2016-08-25 日東電工株式会社 蛍光体セラミックス、封止光半導体素子、回路基板、光半導体装置および発光装置
JP2016192295A (ja) 2015-03-31 2016-11-10 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
WO2017135373A1 (ja) 2016-02-02 2017-08-10 株式会社タムラ製作所 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有部材、及び発光装置又はプロジェクター
WO2017154413A1 (ja) 2016-03-10 2017-09-14 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
WO2017217486A1 (ja) 2016-06-16 2017-12-21 日本碍子株式会社 蛍光体素子および照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019139071A (ja) 2019-08-22
WO2019156159A1 (ja) 2019-08-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1760794B1 (en) White light emitting diode device
JP5374381B2 (ja) 窒化アルミニウム単結晶多角柱状体及びそれを使用した板状の窒化アルミニウム単結晶の製造方法
KR101483657B1 (ko) 다상 sialon 기반 세라믹 재료를 포함하는 발광 장치
WO2017057550A1 (ja) アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板
JP6681406B2 (ja) エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
WO2017145803A1 (ja) 多結晶13族元素窒化物からなる自立基板及びそれを用いた発光素子
JP7178074B2 (ja) 波長変換部材及び波長変換素子、並びに波長変換部材の製造方法
US11434143B2 (en) Polycrystalline YAG sintered body and production method thereof
WO2017145802A1 (ja) 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子
WO2016182011A1 (ja) アルミナ焼結体及び光学素子用下地基板
JP6684815B2 (ja) エピタキシャル成長用配向アルミナ基板
WO2021117829A1 (ja) 板状の窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法
JP7224579B2 (ja) 波長変換部材
EP3560905B1 (en) Transparent aln sintered body and production method therefor
JP6232827B2 (ja) セラミックス複合体の製造方法
JP7157898B2 (ja) 波長変換部材
Ratzker et al. Simplified Single‐Step Fabrication of Composite Transparent Ceramics
WO2014192904A1 (ja) 窒化ガリウム結晶の育成方法、複合基板、発光素子の製造方法および溶解防止治具
JP6502595B1 (ja) 多結晶yag焼結体及びその製造方法
Li et al. Composite YAG/Nd: YAG transparent ceramics for high-power lasers
JP2010138012A (ja) 単結晶窒化アルミニウム板状体の製造方法
JP2023128050A (ja) 青色発光透明サイアロンセラミックスおよびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210204

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210209

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211102

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20211224

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20220901

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230110

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230125

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7224579

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350