JP6486726B2 - 発光モジュール - Google Patents

Description

本発明は、回路基板上にＬＥＤダイをフェイスアップ実装した発光モジュールに関し、さらに詳しくはＬＥＤダイ上の電極と回路基板上の電極をワイヤーボンディング以外の方法で接続する発光モジュールに関する。

回路基板上にＬＥＤダイの発光層が上方を向くようにして実装（以下フェイスアップ実装とよぶ）した発光モジュールでは、ＬＥＤダイ上の電極と回路基板上の電極をワイヤーボンディングで接続することが多い。しかしながらワイヤーボンディングは、使用する金線が高価であるばかりでなく、ワイヤーボンディング専用の装置（ワイヤボンダー）の導入及び維持が必要になる。

これに対しフェイスアップ実装であってもワイヤーボンディング以外の方法でＬＥＤダイ上の電極と回路基板上の電極を接続することが提案されている。例えば、特許文献１の図１０（ａ）には、ＬＥＤ素子（ＬＥＤダイ）の半導体層側面に形成した電極と基板（回路基板）上の配線パターンとを半田で接続した発光モジュールが示されている。なお（）は本明細書等で使われている用語である（以下同様）。

そこで特許文献１の図１０（ａ）を図１４に再掲示しその構造を説明する。図１４は従来の発光モジュールの断面図であり、ＬＥＤ素子１０１とその実装状態を示している。なお図１４では符号を変更している。

図１４に示す発光モジュールは、アルミナからなる基板１２３上に図示していない接着剤によりＬＥＤ素子１０１が実装され、基板１２３上の配線パターン１２２（電極）とＬＥＤ素子１０１のｎ外部電極１１７（カソード電極）及びｐ外部電極１１８（アノード電極）が半田１２０Ａで接続されたものである。ＬＥＤ素子１０１はサファイヤ基板１１０（半導体基板）上にＧａＮ半導体層１００が積層したものである。ＧａＮ半導体層１００では、ＡｌＮバッファ層１１１、ｎ−ＧａＮ層１１２、発光層１１３、ｐ−ＧａＮ層１１４、絶縁層１１６、１１９及びｐコンタクト電極１１５が積層し、ｐ−ＧａＮ層１１４の側面に絶縁層１１６を挟んでｎ及びｐ外部電極１１７、１１８が形成されている。

特開２００６−７３６１８号公報 （図１０（ａ））

しかしながら最近のＬＥＤダイではｐ−ＧａＮ層が数μｍ程度になっている。すなわち特許文献１に示された発光モジュールでは、ｐ−ＧａＮ層１１４の外周側面に形成されたｎ及びｐ外部電極１１７、１１８の厚さも数μｍとなる。このため半田１２０Ａによるｎ及びｐ外部電極１１７、１１８と基板１２３上の配線パターン１２２との接続は、困難で不安定なものとなる。またサファイヤ基板１１０等の側面に半田を溶着させるためにはメッキなど追加的な表面処理が必要になる。

そこで本発明は、上記課題に鑑みて為されたものであり、ＬＥＤダイを回路基板上にフェイスアップ実装するとき、ワイヤーボンディングでなくても簡単で確実にＬＥＤダイの電極と回路基板上の電極とを接続できる発光モジュールを提供することを目的とする。

上記目的を達成するため本発明の発光モジュールは、ＬＥＤダイと回路基板とフレキシブルプリント基板を備え、前記ＬＥＤダイは、半導体基板の上部に形成された半導体層の上面にアノード電極及びカソード電極を有し、前記回路基板にフェイスアップ実装され、前記フレキシブルプリント基板は、ベースシート上に配線パターンが形成され、一部分が前記ＬＥＤダイの側面に沿うように折り曲げられ、前記アノード電極又は前記カソード電極と前記回路基板の上面に形成された電極とを接続することを特徴とする。

本発明の発光モジュールに含まれるＬＥＤダイは、半導体基板の上面を半導体層が覆っており、その半導体層の上にアノード電極及びカソード電極が形成されている。さらに本発明の発光モジュールでは、ＬＥＤダイを回路基板にファイスアップ実装し、アノード電極又はカソード電極を回路基板上の電極と接続している。この接続には、ポリイミド等からなるベースシート上に配線パターンを有するフレキシブルプリント基板を使用する。

前記ＬＥＤダイは、上面が長尺状であって、前記上面の一方の端部に前記アノード電極、他方の端部に前記カソード電極が配置されていても良い。

前記ＬＥＤダイは、上面が長方形又は正方形であって、それぞれの角部に前記アノード電極又は前記カソード電極が配置されていても良い。

前記フレキシブルプリント基板は、前記ＬＥＤダイの前記アノード電極又は前記カソード電極との接続部が２か所に分かれていても良い。

複数のＬＥＤダイが、前記回路基板上にフェイスアップ実装されて配列し、一の前記フレキシブルプリント基板が、前記複数のＬＥＤダイの前記アノード電極及び前記カソード
電極と接続し、前記フレキシブルプリント基板は、前記ＬＥＤダイの発光部と重なる部分が開口していても良い。

前記半導体基板は、Ｓｉであっても良い。

前記アノード電極及び前記カソード電極と前記フレキシブルプリント基板との接続部を避けるようにしながら、蛍光体が、前記半導体層の上面にのみ配されていても良い。

フレキシブルプリント基板は、折り曲げることにより変形が可能であるため、ＬＥＤダイの側面に沿うように配置できる。さらにフレキシブルプリント基板の配線パターンは、アノード電極及びカソード電極並びに回路基板の電極と、ワイヤーボンディングに比べて広い面積で接合する。すなわち本発明の発光モジュールは、フレキシブルプリント基板でＬＥＤダイのアノード及びカソード電極並びに回路基板の電極とを接続するので簡単で確実にＬＥＤダイの電極と回路基板上の電極とを接続できる。

本発明の第１実施形態の発光モジュールに含まれるＬＥＤダイの斜視図。 本発明の第１実施形態として示す発光モジュールの斜視図。 図２に示した発光モジュールの断面図。 図２に示した発光モジュールのランドパターンの平面図。 本発明の第２実施形態の発光モジュールに含まれるＬＥＤダイの斜視図。 本発明の第２実施形態として示す発光モジュールの斜視図。 図６に示した発光モジュールのランドパターンの平面図。 本発明の第３実施形態として示す発光モジュールの平面図。 図８に示した発光モジュールに含まれるフレキシブルプリント基板の斜視図。 図８に示した発光モジュールのランドパターンの平面図。 本発明の第４実施形態として示す発光モジュールの平面図。 図１１に示した発光モジュールに含まれるフレキシブルプリント基板の斜視図。 図１０に示した発光モジュールのランドパターンの平面図。 従来の発光モジュールの断面図。

以下、添付図１〜１３を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また説明のため部材の縮尺は適宜変更している。

（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態として示す発光モジュール１０に含まれるＬＥＤダイ１１の斜視図である。図１に示すようにＬＥＤダイ１１は、概ね直方体であり、幅が約３００μｍ、長さが約１０００μｍ、高さが約２００μｍである。ＬＥＤダイ１１に含まれる半導体基板１２の上部には半導体層１３が形成されている。ＬＥＤダイ１１の上面は長尺状であり、上面の一端にアノード電極１４（円形）が配置され、他端にカソード電極１５（矩形）が配置されている。

また蛍光体１６は、アノード電極１４及びカソード電極１５と後述するフレキシブルプリント基板１７、１８（図２参照）との接続部を避けるようにしながら半導体層１３の上面だけに配置されている。蛍光体１６の幅はＬＥＤダイ１１の幅と等しい。なお蛍光体１６の厚さは、半導体基板１２とほぼ等しいが、図１においてアノード電極１４が目立つようにするため薄く描いている（図２も同様。図３参照）。

図２は発光モジュール１０の斜視図である。図２に示すように回路基板１９の上面にＬＥＤダイ１１がフェイスアップ実装されている。ＬＥＤダイ１１のアノード電極１４は、フレキシブルプリント基板１７により回路基板１９の電極１９ａ（図３参照）と接続している。同様にＬＥＤダイ１１のカソード電極１５は、フレキシブルプリント基板１８により回路基板１９の電極１９ｂ（図３参照）と接続している。なお図ではフレキシブルプリント基板１７、１８の幅をＬＥＤダイ１１の幅より広くしている。

図３は図２のＡＡ´線に沿って描いた発光モジュール１０の断面図である。図３において、半導体基板１２の下面には接続用パターン１２ａ、上面には半導体層１３が形成されている。半導体基板１２はＳｉからなり厚さが２００μｍ程度である。接続パターン１２ａは、ＬＥＤダイ１１を回路基板１９に半田等の接合用金属で固定させるものであり、Ａｕ等の金属層からなり、厚さが１μｍ程度である。半導体層１３は、厚みが１０μｍ以下であり、バッファ層を含むｎ−ＧａＮ層１３ａ上に図示していない発光層とｐ−ＧａＮ１３ｂが積層している。発光層はｎ−ＧａＮ層１３ａとｐ−ＧａＮ層１３ｂの境界部分となる。

アノード電極１４は、厚みが１μｍ程度のＡｕを主体とした金属層であり、ｐ−ＧａＮ層１３ｂの上面の端部に形成されている。カソード電極１５も厚みが１μｍ程度でＡｕを主体とした金属層であり、ｐ−ＧａＮ層１３ｂの一部分を除去して露出させたｎ−ＧａＮ層１３ａ上に形成されている。前述のように蛍光体１６は、フレキシブルプリント基板１
７、１８との接続部を避けるようにして半導体層１３上に配置され、厚みが１００〜２００μｍであり、シリコーン等の樹脂の中に蛍光粒子を分散させたものである。

回路基板１９は、表面を絶縁処理したＡｌ、セラミックや樹脂などからなり、上面に電極１９ａ、１９ｂ及び１９ｃを備えている。電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃは、銅箔にＮｉＡｕメッキした金属層である。フレキシブルプリント基板１７，１８は、ポリイミドからなるベースシート３４（以下ポリイミドシート３４と呼ぶ）に銅箔３５と絶縁層３６が積層したものであり、アノード電極１４、カソード電極１５及び回路基板１９の電極１９ａ、１９ｂの接続部がＮｉＡｕメッキされている。ポリイミドシート３４は厚さが１２．５〜３５μｍ程度であり、銅箔３５は９〜１８μｍ程度である。

ＬＥＤダイ１１と回路基板１９は、ＬＥＤダイ１１の下面に形成した接続用パターン１２ａと回路基板１９の上面に形成した電極１９ｃとの間に介在する半田３３ｃにより接合している。フレキシブルプリント基板１７、１８と回路基板１９も、フレキシブルプリント基板１７、１８の銅箔３５と回路基板１９の上面に形成した電極１９ａ、１９ｂとの間に介在する半田３３ａ、３３ｂにより接合している。これに対しフレキシブルプリント基板１７、１８とＬＥＤダイ１１は、フレキシブルプリント基板１７、１８の銅箔３５上のＡｕ層がＬＥＤダイ１１のアノード電極１４及びカソード電極１５上のＡｕ層と直接的に（又はＡｕ−Ｓｎ共晶（この場合、予めアノード電極１４等若しくはフレキシブルプリント基板１７等の端子部にＳｎ層を形成しておく。）により）接合している。

図４は発光モジュール１０のランドパターンを示す平面図である。それぞれのランドパターンは、回路基板１９上に形成された電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃに相当し、長方形である。前述のとおり電極１９ｃは、ＬＥＤダイ１１の底面と半田付けにより接合し、ＬＥＤダイ１１を回路基板１９に固定する（図３参照）。一方、電極１９ａ、１９ｂは、フレキシブルプリント基板１７、１８によりアノード電極１４及びカソード電極１５と電気的に接続する（図３参照）。つまりフレキシブルプリント基板１７、１８は応力のない状態でＬＥＤダイ１１及び回路基板１９に接続している。

以上のように折り曲げられた状態でＬＥＤダイ１１の側面に沿うように配置されたフレキシブルプリント基板１７，１８は、ＬＥＤダイ１１の固定に係る応力が掛らず、さらにワイヤーボンディングに比べて広い面積でアノード電極１４及びカソード電極１５と接合するため、発光モジュール１０において簡単で確実な接続を達成できる。

発光モジュール１０の半導体基板１２はＳｉからなる。このため発光モジュール１０は、サファイヤからなる半導体基板材料を使う発光モジュールに比べ放熱性が高いという特徴がある。つまり発光モジュール１０は発光層の発熱を効率よく回路基板１９に伝えることができる。さらに発光モジュール１０は、回路基板１９との接合に半田３３ｃを採用している。これも、接着剤でＬＥＤダイを固定する他の方法に比べ熱伝導に関し有利になっている。なお回路基板１９が樹脂からなる場合は、電極１９ｃにサーマルビアを設け、回路基板１９の下面においてヒートシンクなどの放熱部材に低い熱抵抗で熱伝導できるようにすると良い。なお回路基板１９は、抵抗やコネクターなど他の電子部品が搭載されたマザー基板であっても良いし、ＬＥＤダイ１１とマザー基板との間に挿入するインターポーザ（サブマウント基板ともいう）であっても良い。

また前述のように発光モジュール１０の半導体基板１２は不透明なＳｉからなる。このため底面に設けられた接続パターン１２ａは反射率の低いＡｕ層でも良かった。これに対し半導体基板としてサファイヤを使用することがある。この場合、発光効率を改善するため底面に形成する接続パターンは、Ａｌ層やＡｇ層を付加して反射率を高くしておくことが好ましい。

発光モジュール１０は、図２に示すように蛍光体１６が半導体基板１２の上面だけに配置されている。つまり蛍光体１６は、アノード電極１４及びカソード電極１５とフレキシブルプリント基板１７、１８の接続部を避けるようにしながら配置されている。半導体層１３は、前述のように厚さが１０μｍ以下であるため横方向（半導体基板１２の上面に平行な方向）に光がほとんど放射されない。すなわち上方向（半導体基板１２の上面に垂直な方向）にだけ光を放射する。この結果、蛍光体１６を発光層の上部にのみ配置すれば良い。このような構造は、ウェハー状態で蛍光体１６を塗布及びパターニングし、その後ウェハーを個片化することによりＬＥＤダイ１１を製造できるので、大量生産に適している。

（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態の発光モジュール５０に含まれるＬＥＤダイ５１の斜視図である。図５に示すようにＬＥＤダイ５１は、概ね平面形状が正方形に近い直方体であり、幅及び長さが約１０００μｍ、高さが約２００μｍである。ＬＥＤダイ５１に含まれる半導体基板５２の上部には半導体層５３が形成されている。ＬＥＤダイ５１上面の二隅（角部）にはアノード電極５４（円形）が配置され、他の二隅（角部）にカソード電極５５（矩形）が配置されている。

蛍光体５６は、アノード電極５４及びカソード電極５５と後述するフレキシブルプリント基板５７、５８（図６参照）との接続部を避けるようにしながらＬＥＤダイ５１の上面だけに配置されている。蛍光体５６の辺部はＬＥＤダイ５１の辺部と面一になっている。なお蛍光体５６の厚さは、半導体基板５２とほぼ等しいが、図２と同様に図５においてもアノード電極５４が目立つようにするため薄く描いている（図６も同様）。

図６は発光モジュール５０の斜視図である。図６に示すように回路基板５９の上面にＬＥＤダイ５１がフェイスアップ実装されている。ＬＥＤダイ５１のアノード電極５４は、フレキシブルプリント基板５７により回路基板５９の電極５９ａ（図７参照）と接続している。同様にＬＥＤダイ５１のカソード電極５５は、フレキシブルプリント基板５８により回路基板５９の電極５９ｂ（図７参照）と接続している。ＬＥＤダイ５１の上面にはアノード電極５４が２個存在するため、フレキシブルプリント基板５７はＬＥＤダイ５１のアノード電極５４との接続部が２か所に分かれている。同様にカソード電極５５も２個存在するため、フレキシブルプリント基板５８はＬＥＤダイ５１のカソード電極５５との接続部が２か所に分かれている。

このように平面形状が幅の広い長方形であるＬＥＤダイ５１の上面の４隅にアノード電極５４及びカソード電極５５を設け、フレキシブルプリント基板５７、５８がアノード電極５４及びカソード電極５５との接続部以外はＬＥＤダイ５１の上面と重ならないようにすると、蛍光体５６を辺部においてアノード電極５４及びカソード電極５５の間に割り込ませることができるようになる。この結果、ＬＥＤモジュール５０は、電流分布の集中を避けながら発光面積を広く確保できるようになる。なおアノード電極５４及びカソード電極５５を含む断面は図３に示した断面図と等しくなる。

図７は発光モジュール５０のランドパターンを示す平面図である。それぞれのランドパターンは、回路基板５９上に形成された電極５９ａ、５９ｂ、５９ｃに相当する。電極５９ａ、５９ｂは細長い長方形であり、電極５９ｃは幅の広い長方形である。前述のとおり電極５９ｃは、ＬＥＤダイ５１の底面に形成された接続パターン（図３参照）と半田付けにより接合し、ＬＥＤダイ５１を回路基板５９に固定する。これに対し電極５９ａ、５９ｂは、フレキシブルプリント基板５７、５８によりアノード電極５４及びカソード電極５５と電気的に接続する（図６参照）。つまりフレキシブルプリント基板５７、５８は応力
のない状態でＬＥＤダイ５１及び回路基板５９に接続している。

以上のように折り曲げられた状態でＬＥＤダイ５１の側面に沿うように配置されたフレキシブルプリント基板５７、５８は、ＬＥＤダイ５１の固定に係る応力が掛らず、さらにワイヤーボンディングに比べて広い面積でアノード電極５４及びカソード電極５５と接合するため、発光モジュール５０において簡単で確実な接続を達成できる。

（第３実施形態）
図８は本発明の第３実施形態として示す発光モジュール８０の平面図であり、図９は発光モジュール８０に含まれるフレキシブルプリント基板８７の斜視図である。図８に示すように発光モジュール８０は、図５に示したＬＥＤダイ５１を回路基板８９上に４個フェイスアップ実装し２行２列となるように配置したものである。各ＬＥＤダイ５１のアノード電極５４及びカソード電極５５は一のフレキシブルプリント基板８７と接続している。フレキシブルプリント基板８７は、４個の開口８７ａを有し、ＬＥＤダイ５１を覆い、発光部と重なる部分が開口している。

なおフレキシブルプリント基板８７には銅箔による回路が形成されている。すなわちフレキシブルプリント基板８７の回路により、４個のＬＥＤダイ５１を直列接続、並列接続又は直並列接続させることができる。フレキシブルプリント基板８７は、図６に示したフレキシブルプリント基板５７、５８と同様にＬＥＤダイ５１の辺に沿って折り曲げられているが、この折り曲げられた部分は、ＬＥＤダイ５１の辺に沿って接するように折り曲げられたフレキシブルプリント基板５７、５８と異なり、ＬＥＤダイ５１の辺から所定の間隔を保つように離されている。

図１０は発光モジュール８０のランドパターンを示す平面図である。ランドパターンは、細長い長方形の電極８９ａ、８９ｂと４個の幅の広い長方形の電極８９ｃからなる。電極８９ａ、８９ｂは、ＬＥＤ５１に電力を供給する＋側電源端子と−側電源端子である。電極８９ｃは、ＬＥＤダイ５１の底面に形成された接続パターン（図３参照）と半田付けにより接合し、ＬＥＤダイ５１を回路基板８９に固定するものである。発光モジュール８０でも発光モジュール１０、５０（図２、図６参照）と同様に、フレキシブルプリント基板８７が応力のない状態でＬＥＤダイ５１及び回路基板８９に接続している。

以上のように、折り曲げられた状態でＬＥＤダイ５１の側面に沿うように配置されたフレキシブルプリント基板８７は、ＬＥＤダイ５１の固定に係る応力が掛らず、ワイヤーボンディングに比べて広い面積でアノード電極５４及びカソード電極５５と接合し、さらに銅箔による回路を備えているため、発光モジュール８０において簡単で確実な接続を達成できる。

なお、発光モジュール８０では、フレキシブルプリント基板８７と回路基板８９とを接続させるランドパターンが電力供給用の電極８９ａ、８９ｂだけであった。しかしながら一のフレキシブルプリント基板により多数のＬＥＤダイに電力供給する場合、ＬＥＤダイごとに個別に電力を供給しても良い。このとき電極８９ａ又は電極８９ｂが分割される。例えば各ＬＥＤダイが、それぞれ赤発光ＬＥＤダイ、緑発光ＬＥＤダイ、青発光ＬＥＤダイ、その他の色（例えば白）を発光するＬＥＤダイであるとき、各ＬＥＤダイに個別に電力を供給しても良い。各ＬＥＤダイへの電力供給量を調節することにより発光モジュールの調光及び調色が可能となる。各ＬＥＤダイ同士の平面形状が異なっている場合は開口や接続部の形状を調整する。ＬＥＤダイ同士の高さは等しいことが好ましいが、多少異なっても良い。

（第４実施形態）
図１１は本発明の第４実施形態として示す発光モジュール９０の平面図、図１２は発光モジュール９０に含まれるフレキシブルプリント基板９７の斜視図、図１３は発光モジュール９０のランドパターンを示す平面図である。

図１１に示すように発光モジュール９０は、図８に示した発光モジュール８０に比べ多数のＬＥＤダイ５１を回路基板９９上に略円形に配列させたものである。各ＬＥＤダイ５１のアノード電極５４及びカソード電極５５は一のフレキシブルプリント基板９７と接続している。

フレキシブルプリント基板９７は、フレキシブルプリント基板８７（図８参照）と同様にＬＥＤダイ５１の発光部と重なる部分に開口９７ａ（アノード電極５４等の接続部は省略した）を備え、銅箔による回路が形成されている。すなわちフレキシブルプリント基板９７の回路により、ＬＥＤダイ５１を直列接続、並列接続又は直並列接続させることができる。フレキシブルプリント基板９７は、図６に示したフレキシブルプリント基板５７、５８と同様に図の上下に示したＬＥＤダイ５１の辺に沿って折り曲げられているが、この折り曲げた部分は、フレキシブルプリント基板５７、５８と異なり、ＬＥＤダイ５１の辺から所定の間隔を保つように離されている。

図１３に示すようにランドパターンは、細長い長方形の電極９９ａ、９９ｂと２４個の幅の広い長方形の電極９９ｃからなる。電極９９ａ、９９ｂはＬＥＤダイ５１に電力を供給する＋側電源端子と−側電源端子である。電極９９ｃは、ＬＥＤダイ５１の底面に形成された接続パターン（図３参照）と半田付けにより接合し、ＬＥＤダイ５１を回路基板９９に固定する。つまり発光モジュール９０も発光モジュール１０、５０、８０（図２、図６、図８参照）と同様にフレキシブルプリント基板９７が応力のない状態でＬＥＤダイ５１及び回路基板９９（図１１参照）に接続している。

以上のように折り曲げられた状態でＬＥＤダイ５１の側面に沿うように配置されたフレキシブルプリント基板９７は、ＬＥＤダイ５１の固定に係る応力が掛らず、ワイヤーボンディングに比べて広い面積でアノード電極５４及びカソード電極５５と接合し、さらに銅箔による回路を備えているため、発光モジュール９０において簡単で確実な接続を達成できる。また発光モジュール９０は、発光モジュール８０と同様に個別に（又はグループ毎に）ＬＥＤダイ５１に電力を供給するようにしても良い。

１０、５０、８０、９０…発光モジュール、
１１、５１…ＬＥＤダイ、
１２、５２…半導体基板、
１２ａ…接続用パターン、
１３、５３…半導体層、
１３ａ…ｎ−ＧａＮ層、
１３ｂ…ｐ−ＧａＮ層、
１４、５４…アノード電極、
１５、５５…カソード電極、
１６、５６…蛍光体、
１７、１８、５７、５８、８７、９７…フレキシブルプリント基板、
１９、５９、８９、９９…回路基板、
１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、５９ａ、５９ｂ、５９ｃ、
８９ａ、８９ｂ、８９ｃ、９９ａ、９９ｂ、９９ｃ…電極、
３３ａ、３３ｂ、３３ｃ…半田、
３４…ポリイミドシート（ベースシート）、
３５…銅箔、
３６…絶縁層、
８７ａ、９７ａ…開口。

Claims (3)

1. ＬＥＤダイと回路基板とフレキシブルプリント基板を備え、
   前記ＬＥＤダイは、半導体基板の上部に形成された半導体層の上面にアノード電極及びカソード電極を有し、前記回路基板にフェイスアップ実装され、
   前記フレキシブルプリント基板は、ベースシート上に配線パターンが形成され、一部分が前記ＬＥＤダイの側面に沿うように折り曲げられ、前記アノード電極又は前記カソード電極と前記回路基板の上面に形成された電極とを接続し、
   前記ＬＥＤダイは、上面が長方形又は正方形であって、それぞれの角部に前記アノード電極又は前記カソード電極が配置され、
   前記フレキシブルプリント基板は、前記ＬＥＤダイの前記アノード電極又は前記カソード電極との接続部が２か所に分かれている
   ことを特徴とする発光モジュール。
2. 前記半導体基板は、Ｓｉである
   ことを特徴とする請求項１に記載の発光モジュール。
3. 前記アノード電極及び前記カソード電極と前記フレキシブルプリント基板との接続部を避けるようにしながら、蛍光体が、前記半導体層の上面にのみ配されている
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光モジュール。

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