JP6047989B2 - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記構成により、割断性に優れ、かつ半導体構造側にレーザ光を照射せず、光出力の向上が期待できる。
さらにまた、第9の側面に係る半導体発光素子の製造方法によれば、レーザ光の走査を、フェムト秒レーザにより生成されたレーザ光の走査とすることができる。これにより、高出力のフェムト秒レーザを用いて確実にかつ短時間で基板の改質を行うことができる。またレーザ光の照射を繰り返すことで改質された改質領域を第一主面側から離間させることで、半導体構造へのレーザ照射の影響を低減できる。
(実施の形態1)
(発光素子10)
(基板5)
(半導体構造11)
(窒化物半導体構造)
(透光性導電層13)
(半導体発光素子の製造方法)
(半導体層形成工程)
(割断工程)
(改質ライン26)
(改質領域20)
(レーザ光LB)
(実施例1)
(実施例2)
(比較例1)
3…電極;3A…n側パッド電極;3B…p側パッド電極
5…基板
6…n型半導体層
7…p型半導体層
8…活性領域
10…半導体発光素子
11…半導体構造
13…透光性導電層
14…保護膜
15…破断溝
18…光取り出し面
20…改質領域
21…第一領域
22…第二領域
23…第三領域
24…第一改質ライン
25…第二改質ライン
26…改質ライン
50…サファイア基板(ウエハ)
51…第一主面
52…第二主面
LB…レーザ光
dx…重なり量
CP…チップ
CR…クラック
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の第一主面上に積層された半導体構造と
を備える半導体発光素子であって、
前記基板は、その側面に、前記基板の厚さ方向に部分的に重なった2本の改質ラインで構成された改質領域を備えており、
前記改質領域が、前記第一主面と反対側の第二主面側に偏心して設けられており、
前記基板は、前記改質ラインから前記第二主面まで形成されたクラックでもって割断された割断面を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1に記載の半導体発光素子であって、
前記2本の改質ラインが重複する幅は、各改質ラインの幅の1/2〜1/6であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1又は2に記載の半導体発光素子であって、
前記改質ラインは、前記基板の厚み方向における幅が、15μm〜30μmであることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項1から3のいずれか一に記載の半導体発光素子であって、
前記改質領域が、前記基板の厚さ方向において、前記第二主面側から1/5〜2/5の範囲内に設けられてなることを特徴とする半導体発光素子。 - 半導体発光素子の製造方法であって、
ウエハの第一主面上に半導体構造を成長させる工程と、
前記ウエハ内にレーザ光を走査させることで、前記第一主面と反対側の第二主面側に偏心したボイドを含む第一改質ラインを形成する工程と、
前記第一改質ラインから前記ウエハの厚み方向にずらしてレーザ光を走査することで、前記第一改質ラインと部分的に重複するように、かつ第二主面までクラックを生じさせるように第二改質ラインを形成する工程と、
前記ウエハを割断して、半導体発光素子毎に分離する工程と
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記レーザ光の照射位置を、前記ウエハの厚さに対して、前記第二主面側から1/5〜2/5の位置としてなることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5又は6に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記第一改質ライン及び第二改質ラインは、それぞれ前記ウエハの厚み方向における幅が、15μm〜30μmであることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5から7のいずれか一に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記第一改質ラインと前記第二改質ラインとが重複する幅は、各改質ラインの幅の1/2〜1/6であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項5から8のいずれか一に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
レーザ光の走査が、フェムト秒レーザにより生成されたレーザ光の走査であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
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