KR20090118623A - 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명의 일 측면은 도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성된 금속배리어층과, 상기 금속배리어층 상에 형성된 고반사성 오믹컨택층과, 상기 고반사성 오믹컨택층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하며, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 금속배리어층의 가장자리로부터 이격되도록 상기 금속배리어층 상면의 중앙부에 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 금속배리어층의 기능을 그대로 유지하면서 p형 반도체층과 오믹컨택층의 접촉 영역을 충분히 확보할 수 있는 수직구조 반도체 발광소자를 얻을 수 있다.
발광소자, LED, 수직구조, 금속배리어층, 오믹컨택층

Description

수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법 {Vertical semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same}
수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법 발광소자에 관한 것이다.
반도체 발광소자(Light Emitting Diode, LED)는 전류가 가해지면 p,n형 반도체의 접합 부분에서 전자와 정공의 재결합에 기하여, 다양한 색상의 빛을 발생시킬 수 있는 반도체 장치이다. 이러한 LED는 필라멘트에 기초한 발광소자에 비해 긴 수명, 낮은 전원, 우수한 초기 구동 특성, 높은 진동 저항 및 반복적인 전원 단속에 대한 높은 공차 등의 여러 장점을 갖기 때문에 그 수요가 지속적으로 증가하고 있다. 특히, 최근에는, 청색 계열의 단파장 영역의 빛을 발광할 수 있는 III족 질화물 반도체가 각광을 받고 있다.
이러한 III족 질화물 반도체를 이용한 발광소자를 구성하는 질화물 단결정은 사파이어 또는 SiC 기판과 같이 특정의 단결정 성장용 기판 상에서 형성된다. 하지만, 사파이어와 같이 절연성 기판을 사용하는 경우에는 전극의 배열에 큰 제약을 받게 된다. 즉, 종래의 질화물 반도체 발광소자는 전극이 수평방향으로 배열되는 것이 일반적이므로, 전류흐름이 협소 해지게 된다. 이러한 협소한 전류 흐름으로 인해, 발광소자의 동작 전압(Vf)이 증가하여 전류효율이 저하되며, 이와 더불어 정전기 방전(Electrostatic discharge)에 취약해지는 문제가 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서, 수직구조를 갖는 반도체 발광소자가 요구된다.
도 1은 종래 기술에 따른 수직구조 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 수직구조 반도체 발광소자(10)는 도전성 기판(17), 금속본딩층(16), 금속배리어층(15), 오믹컨택층(14), p형 반도체층(13), 활성층(12) 및 n형 반도체층(11)을 구비하며, n형 반도체층(11) 상면과 도전성 기판(17) 하면에는 각각 n형 및 p형 전극이 형성된다. 이 경우, 상기 금속배리어층(15)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 오믹컨택층(14)의 측면까지 덮어 전체적으로 상기 오믹컨택층(14)을 포장하도록 형성된다. 이는 상기 오믹컨택층(14)이 높은 반사도를 갖는 Ag, Al 등과 같은 물질로 형성될 경우, 열적으로 안정성이 부족하여 본딩전극물질과의 계면에서 융화되어 그 특성(특히, 반사율 및 접촉저항)이 저하되는 것을 방지하기 위해 채용된 것이다.
상기와 같은 구조로 오믹컨택층 및 금속배리어층을 형성하기 위해서는 오믹컨택층을 p형 반도체층 전면에 형성한 다음 가장자리 영역을 제거하거나, 네거티브 패턴을 형성하고 오믹컨택층을 형성하는 등의 추가적인 공정이 필요하다. 또한, 상기 추가적인 공정을 거치지 않더라도 측면을 덮도록 금속배리어층이 형성됨에 따 라, p형 반도체층과 접촉하는 오믹컨택층의 면적이 줄어들게 된다. 구체적으로, 도 1에서 상기 오믹컨택층(14)의 측면을 덮는 금속배리어층(15)의 두께는 약 10㎛ 정도가 되며, 이는 본래 영역보다 오믹컨택층(14)이 줄어드는 정도로 볼 수 있다. 이러한 오믹 접촉 영역의 감소는 오믹 특성 저하와 더불어 발광 면적의 감소로 이어지며, 나아가, 활성층에서 발생된 빛의 반사 면적까지 감소로 이어진다. 따라서, 당 기술 분야에서는 금속배리어층의 기능을 그대로 유지하면서도 오믹 접촉 영역을 충분히 확보할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 일 목적은 금속배리어층의 기능을 그대로 유지하면서 p형 반도체층과 오믹컨택층의 접촉 영역을 충분히 확보할 수 있는 수직구조 반도체 발광소자를 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은, 상기 수직구조 반도체 발광소자를 용이하고 경제적으로 만들 수 있는 제조방법을 제공하는 데에 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 측면은,
도전성 기판과, 상기 도전성 기판 상에 형성된 금속배리어층과, 상기 금속배리어층 상에 형성된 고반사성 오믹컨택층과, 상기 고반사성 오믹컨택층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물 및 상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극을 포함하며, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 금속배리어층의 가장자리로부터 이격되도록 상기 금속배리어층 상면의 중앙부에 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자를 제공한다.
종래 기술과 달리, 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 하면에서만 상기 금속배리어층과 접촉하는 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 도전성 기판에 대하여 경사지도록 형성될 수 있으며, 구체적인 경사 방향을 제시하는 경우, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 상기 n형 전극 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성된 것이 바람직하다.
바람직하게는, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 측면을 덮도록 형성된 절연막을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 절연막은 상기 금속배리어층 상면 중 상기 고반사성 오믹컨택층이 형성되지 않은 영역까지 덮도록 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 고반사성 오믹컨택층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 금속배리어층은 Ni, Pt, Ti 및 W으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면은,
반도체 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계와, 상기 반도체 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계와, 상기 p형 반도체층 상에 고반사성 오믹컨택층을 형성하는 단계와, 상기 고반사성 오믹컨택층 상에 금속배리어층을 형성하는 단계와, 상기 금속배리어층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계와, 상기 반도체 단결정 성장용 기판을 제거하는 단계와, 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 측면이 상기 금속배리어층의 가장자리로부터 이격되도록 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 중앙 부분을 제외한 나머지 영역을 제거하는 단계 및 상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법을 제공한다.
이 경우, 종래 기술과 달리, 상기 금속배리어층을 형성하는 단계는 상기 고반사성 오믹컨택층 상면에만 상기 금속배리어층을 형성하는 단계일 수 있다.
특히, 상기 발광구조물 및 고반사성 오믹컨택층의 중앙 부분을 제외한 나머지 영역을 제거하는 단계는 건식 식각에 의해 실행되는 것이 바람직하다. 상기 건식 식각에 사용되는 물질 중 상기 발광구조물을 식각하기 위한 물질은 BCl3, Cl2, Ar 및 O2로 구성된 그룹으로 선택된 물질을 포함할 수 있다. 또한, 상기 건식 식각에 사용되는 물질 중 상기 고반사성 오믹컨택층을 식각하기 위한 물질은 BCl3, Cl2 및 O2로 구성된 그룹으로 선택된 물질을 포함할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따르면, 금속배리어층의 기능을 그대로 유지하면서 p형 반도체층과 오믹컨택층의 접촉 영역을 충분히 확보할 수 있는 수직구조 반도체 발광소자를 얻을 수 있다. 이 경우, 본 발명에 의해 제안되는 제조방법에 의해 상기 수직구조 반도체 발광소자를 용이하고 경제적으로 만들 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다. 다만, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 수직구조 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
우선, 도 2a에 도시된 바와 같이, 사파이어 기판(200)을 마련하여 그 위에 순차적으로 n형 질화물 반도체층(201), 활성층(202), p형 질화물 반도체층(203)을 성장시킨다. 상기 사파이어 기판(200)은, 육각-롬보형(Hexa-Rhombo R3c) 대칭성을 갖는 결정체로서 c축 방향의 격자상수가 13.001Å, a축 방향으로는 4.765Å의 격자 간 거리를 가지며, C(0001)면, A(1120)면, R(1102)면 등을 갖는다. 이 경우, 상기 사파이어 기판(200)의 C면은 비교적 질화물 박막의 성장이 용이하며, 고온에서 안정하기 때문에 질화물 성장용 기판으로 주로 사용된다. 다만, 본 실시 형태에서는 질화물 반도체를 사용하였으나, 이에 제한되지 않으며, 당 기술 분야에서 공지된 다른 종류의 반도체 물질도 얼마든지 사용 가능하다. 또한, 질화물 반도체 성장용 기판으로 제공된 상기 사파이어 기판(200) 대신 SiC, MgAl2O4, MgO, LiAlO2, LiGaO2 등으로 이루어진 기판도 사용 가능하다.
상기 n형 질화물 반도체층(201), 활성층(202), p형 질화물 반도체층(203)은 발광구조물을 이룬다. 본 명세서에서 사용된 용어인 '발광구조물'은, 상기 n형 질화물 반도체층(201), 활성층(202), p형 질화물 반도체층(203)이 순차적으로 적층 되어 형성된 구조물을 의미한다. 이 경우, 따로 도시하지는 않았으나, 상기 n형 질화물 반도층(201)을 성장시키기 이전에 질화물 버퍼층을 우선적으로 성장시킬 수도 있다.
상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(201, 203)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖고, 각각 n형 불순물 및 p형 불순물이 도핑된 반도체 물질로 이루어질 수 있으며, 대표적으로, GaN, AlGaN, InGaN이 있다. 또한, 상기 n형 불순물로 Si, Ge, Se, Te 또는 C 등이 사용될 수 있으며, 상기 p형 불순물로는 Mg, Zn 또는 Be 등이 대표적이다. 상기 활성층(202)은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛이 발생하는 층으로서, 단일 또는 다중 양자 웰 구조를 갖는 질화물 반도체층으로 구성된다. 한편, 상기 n형 및 p형 질화물 반도체층(201, 203), 활성층(202)은 질화물 반도체층 성장에 관하여 공지된 공정을 이용할 수 있으며, 예컨대, 유기금속 기상증착법(MOCVD), 분자빔성장법(MBE) 및 하이브리드 기상증착법(HVPE)등이 이에 해당한다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 상기 p형 질화물 반도체층(203) 상에 고반사성 오믹컨택층(204)를 형성한다. 이 경우, 공지된 여러 방법을 이용할 수 있으며, 스퍼터링, 증착 공정 등을 예로 들 수 있다. 상기 고반사성 오믹컨택층(204)은 p형 질화물 반도체층(203)과의 오믹컨택 기능과 더불어 상기 활성층(202)에서 발광 된 빛을 상기 n형 질화물 반도체층(201) 방향으로 반사하는 기능을 수행할 수 있다. 이를 위해 상기 고반사성 오믹컨택층(14)은 70% 이상의 반사율을 갖는 것이 바람직하며, 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au 등을 포함하는 물질로 이루어진다. 나아가, 따로 도시하지는 않았으나, 상기 고반사성 오믹컨택층(204)은 2층 이상의 구조로 채용되어 반사 효율을 향상시킬 수 있으며, 구체적인 예로서, Ni/Ag, Zn/Ag, Ni/Al, Zn/Al, Pd/Ag, Pd/Al, Ir/Ag. Ir/Au, Pt/Ag, Pt/Al, Ni/Ag/Pt 등을 들 수 있다.
다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이, 고반사성 오믹컨택층(204) 상에 순차적으로 금속배리어층(205) 및 도전성 기판(206)을 형성한다. 우선, 상기 금속배리어층(205)은 상기 고반사성 오믹콘택층(204)을 이루는 원소(예컨대, Ag)의 이동(migration)으로 인한 누설전류의 발생을 효과적으로 방지하는 기능을 한다. 나아가, 후술할 바와 같이, 상기 발광구조물 및 고반사성 오믹컨택층(204)을 건식 식각할 경우, 상기 금속배리어층(205)은 식각되지 않고 남아 있는 것이 바람직하다. 이러한 점을 고려하였을 때, 상기 금속배리어층(205)은 Ni, Pt, Ti, W 등을 포함하는 물질로 이루어질 수 있으며, 구체적으로, TiW, Ti/TiW 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 소정의 반사율을 갖는 상기 금속배리어층(205)은 고반사성 오믹콘택층(204)의 반사역할을 보조하는 역할을 수행할 수도 있다. 한편, 본 실시 형태의 경우, 상기 금속배리어층(205)은 상기 고반사성 오믹컨택층(205) 상면의 전 영역에만 형성되고, 그 측면에는 형성되지 않은 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 상기 고반사성 오믹컨택층(205)은 그 면적이 상기 p형 질화물 반도체층(204) 보다 크거나(도 3 참조), 같게 되어(도 2g 참조), 충분한 오믹컨택 및 반사 영역을 확보할 수 있다.
상기 금속배리어층(205) 상에 형성된 상기 도전성 기판(206)은 최종 발광소자에 포함되는 요소로서, p측 전극 역할과 함께 상기 발광구조물을 지지하는 지지체의 역할을 수행한다. 이 경우, 상기 도전성 기판(206)은 Si, Cu, Ni, Au, W 및 Ti으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어질 수 있으며, 선택된 물질에 따 라, 도금 등의 방법으로 상기 금속배리어층(205) 상에 직접 형성되거나, 공융금속층을 사이에 개재하여 상기 금속배리어층(205)과 접합 될 수도 있다.
다음으로, 도 2d에 도시된 바와 같이, 상기 사파이어 기판(200)을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층(201)의 일면을 외부로 노출시킨다. 본 단계에서는, 대표적으로, 레이저 리프트오프 공정(LLO)을 이용할 수 있으나, 이에 제한되지 않고, 다른 기계적 또는 화학적 공정을 통하여서도 분리가 가능하다.
다음으로, 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(201)의 노출면으로부터 식각하여, 상기 발광구조물(201, 202, 203) 및 고반사성 오믹컨택층(204)의 가장자리 영역을 제거한다. 도 2f는 가장자리 영역이 제거되어 상기 금속배리어층(205) 및 상기 도전성 기판(206)의 중앙 영역에 남아있는 상기 발광구조물과 고반사성 오믹컨택층(204)을 나타낸다. 습식 식각을 이용할 수도 있으나, 본 실시 형태의 경우, ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma-Reactive Ion Etching)와 같은 건식 식각을 이용한다. 본 건식 식각 공정에 의해, n형 질화물 반도체층(201)이 식각됨과 동시에 활성층(202), p형 질화물 반도체층(203)도 식각되며, 나아가, 고반사성 오믹컨택층(204)까지 식각된다. 이를 위해, 상기 고반사성 오믹컨택층(204)은 식각되고, 상기 금속배리어층(205)은 식각되지 않아야 하는데, 구체적으로, 건식 식각에 대한 상기 오믹컨택층(204) 및 금속배리어층(205)의 선택도(selectivity)가 5:1 정도가 되는 것이 바람직하다. 이러한 점을 고려하여, 건식 식각에 사용되는 물질을 적절히 선택할 필요가 있으며, 구체적으로, 상기 발광구조물을 식각하기 위한 재료는 BCl3, Cl2, Ar, O2 등을, 상기 고반사성 오믹컨택층(204)을 식각하기 위한 재료는 BCl3, Cl2, O2 등을 예로 들 수 있다.
다음으로, 도 2g에 도시된 바와 같이, 상기 n형 질화물 반도체층(201)에 n형 전극(208)을 PCVD, LPCVD, PECVD 등을 이용한 금속박막증착 등의 방법으로 형성한다. 또한, 본 발명에서 필수적으로 요구되는 공정은 아니지만, 상기 발광구조물(201, 202, 203) 및 고반사성 오믹컨택층(204)의 측면과 상기 금속배리어층(205) 상면의 가장자리 영역에 절연막을 형성하여, 발광소자 구조를 완성한다.
상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 따라 제조된 수직구조 반도체 발광소자는 p형 질화물 반도체층(203)과 고반사성 오믹컨택층(204)의 접촉 영역을 충분히 확보할 수 있으며, 종래 기술의 경우, 1㎜×1㎜ 칩 사이즈에 약 10㎛의 가장자리 영역에서 컨택 영역이 확보되지 않은 것과 비교하였을 때, 발광 및 반사 면적을 약 4% 이상 향상시킬 수 있다. 또한, 고반사성 오믹컨택층(204)을 중앙 부분에만 형성하기 위하여 마스크 패턴 등을 사용하지 않으므로, 공정이 간소화되어 제품 양산성을 향상시킬 수 있다.
도 3은 도 2에서 변형된 실시 형태에 따라 제조된 수직구조 반도체 발광소자 를 나타내는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 수직구조 반도체 발광소자는 도 2g에 도시된 구조와 동일한 구성 요소들을 구비하고 있으며, 다만, 발광구조물(201, 202, 203) 및 고반사성 오믹컨택층(204)의 측면이 도전성 기판(206)에 대하여 기울어져 있다. 이와 같이, 기울기를 갖는 측면 구조는 도 2e에서 설명한 식각 공정의 조건을 적절히 제어함으로써 얻어질 수 있으며, 도 2g의 구조에 비해 넓은 발광 면적을 얻기 위한 것으로 이해할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 수직구조 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2g는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 수직구조 반도체 발광소자의 제조방법을 나타내는 공정별 단면도이다.
도 3은 도 2에서 변형된 실시 형태에 따라 제조된 수직구조 반도체 발광소자를 나타내는 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
200: 사파이어 기판 201: n형 질화물 반도체층
202: 활성층 203: p형 질화물 반도체층
204: 고반사성 오믹컨택층 205: 금속배리어층
206: 도전성 기판 207: 절연막
208: n형 전극

Claims (15)

  1. 도전성 기판;
    상기 도전성 기판 상에 형성된 금속배리어층;
    상기 금속배리어층 상에 형성된 고반사성 오믹컨택층;
    상기 고반사성 오믹컨택층 상에 순차적으로 적층된 p형 반도체층, 활성층 및 n형 반도체층을 구비하는 발광구조물; 및
    상기 n형 반도체층 상에 형성된 n형 전극;을 포함하며,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 금속배리어층의 가장자리로부터 이격되도록 상기 금속배리어층 상면의 중앙부에 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고반사성 오믹컨택층은 그 하면에서만 상기 금속배리어층과 접촉하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 도전성 기판에 대하여 경사지도록 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 상기 n형 전극 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 측면을 덮도록 형성된 절연막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 금속배리어층 상면 중 상기 고반사성 오믹컨택층이 형성되지 않은 영역까지 덮도록 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 고반사성 오믹컨택층은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt 및 Au으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 금속배리어층은 Ni, Pt, Ti 및 W으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자.
  9. 반도체 단결정 성장용 기판을 마련하는 단계;
    상기 반도체 단결정 성장용 기판 상에 순차적으로 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 성장시켜 발광구조물을 형성하는 단계;
    상기 p형 반도체층 상에 고반사성 오믹컨택층을 형성하는 단계;
    상기 고반사성 오믹컨택층 상에 금속배리어층을 형성하는 단계;
    상기 금속배리어층 상에 도전성 기판을 형성하는 단계;
    상기 반도체 단결정 성장용 기판을 제거하는 단계;
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 측면이 상기 금속배리어층의 가장자리로부터 이격되도록 상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층의 중앙 부분을 제외한 나머지 영역을 제거하는 단계; 및
    상기 n형 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계;
    를 포함하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 금속배리어층을 형성하는 단계는 상기 고반사성 오믹컨택층 상면에만 상기 금속배리어층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 그 측면이 상기 도전성 기판에 대하여 경사지도록 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 상기 고반사성 오믹컨택층은 상기 n형 전극 방향으로 갈수록 폭이 좁아지도록 형성된 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 발광구조물 및 고반사성 오믹컨택층의 중앙 부분을 제외한 나머지 영역을 제거하는 단계는 건식 식각에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 건식 식각에 사용되는 물질 중 상기 발광구조물을 식각하기 위한 물질은 BCl3, Cl2, Ar 및 O2로 구성된 그룹으로 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 건식 식각에 사용되는 물질 중 상기 고반사성 오믹컨택층을 식각하기 위한 물질은 BCl3, Cl2 및 O2로 구성된 그룹으로 선택된 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조 반도체 발광소자 제조방법.
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