CN114899289A - 一种发光二极管、其制作方法以及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及发光二极管及其制作方法，本发明通过激光对衬底进行处理，以获得具有改质区的衬底；利用衬底中的改质区对衬底进行裂片，以获得若干LED芯粒；对LED芯粒的衬底下表面进行第二次减薄，去除衬底的改质区，获得具有第二厚度的衬底；在LED芯粒的衬底下表面形成反射层，获得发光二极管。本发明能有效避免改质区对亮度的影响，且能较大幅度的提升发光二极管的抗断裂能力。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管、其制作方法以及发光装置。
背景技术
由于发光二极管(Light Emitting Diode，LED)结构具有低功率消耗、环保、使用寿命长及反应速率快等优势，因此已被广泛地应用在照明领域及显示领域中。
常规的制备发光二极管的方法，在进行芯片后段制程时，LED晶圆先经研磨、抛光至一定厚度，再于其背面蒸镀反射层，以提升亮度，最后经隐切、裂片形成多颗LED芯粒（发光二极管）。其中，为提升LED芯粒的正背面外观良率，划裂均采用在衬底上进行隐形激光划片形成改质区，再经劈裂力后形为LED芯粒。
在实现以上制备发光二极管的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
LED芯粒的侧面由于存在改质区(参看附图15)，其在后续封装过程中极易受到侧向力的影响，导致断裂、死灯等异常，尤其是LED芯粒长宽比较大的产品，其断晶异常更为频发，且经劈裂后芯粒背面存在不同程度的反射层背崩，导致外量子效率降低，造成亮度损失。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种发光二极管、其制作方法以及发光装置，以提升LED芯粒的抗断裂能力，并改善反射层背崩的问题，以及提高发光二极管的发光效率。
为了实现上述目的，根据本发明的第一个方面，提供了一种发光二极管的制作方法，包括步骤：S1、提供一LED晶圆，所述LED晶圆包含衬底以及位于所述衬底上表面的若干相互独立的发光结构；S2、对衬底下表面进行第一次减薄，以使衬底的初始厚度T减薄至第一厚度T1；S3、通过激光对衬底进行处理，以获得具有改质区的衬底，所述改质区位于相邻两个发光结构之间；S4、利用衬底中的改质区对衬底进行裂片，以获得若干LED芯粒；S5、对LED芯粒的衬底下表面进行第二次减薄，去除衬底的改质区，获得具有第二厚度T2的衬底；S6、在LED芯粒的衬底下表面形成反射层，获得发光二极管。
进一步地，所述步骤S2中经第一次减薄后，衬底的第一厚度T1为100~300um。
进一步地，所述步骤S3中通过隐切或背划的方式在衬底上形成改质区。
进一步地，于经第一次减薄后的衬底内进行隐切，隐切的位置至衬底下表面的距离D1为20~100um。
进一步地，于经第一次减薄后的衬底下表面进行背划，背划的深度至衬底下表面的距离D2为10~60um。
进一步地，所述步骤S4中通过劈裂的方式进行裂片，以分离获得若干LED芯粒。
进一步地，所述步骤S5中经第二次减薄后，衬底的第二厚度T2为50~200um。
进一步地，所述步骤S5中还包括在经第二次减薄后的衬底下表面形成倒角结构。
进一步地，所述倒角结构为圆弧状，且其弧度为0.5~2.5rad。
进一步地，所述步骤S6中通过蒸镀的方式于衬底下表面形成反射层。
进一步地，所述反射层具有与衬底相同的倒角结构。
进一步地，所述反射层包括金属反射层或者分布式布拉格反射层。
进一步地，所述分布式布拉格反射层由交替的高折射率层和低折射率层组成。
进一步地，所述分布式布拉格反射层的高折射率层的材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3或前述的任意组合之一。
进一步地，所述分布式布拉格反射层的低折射率层的材料选自SiNx、SiO2或前述的任意组合之一。
进一步地，所述发光结构包括外延层和设置于所述外延层上的电极，外延层自衬底上表面一侧起包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。
根据本发明的第二个方面，本发明公开的一种发光二极管，包括衬底、设置于衬底上表面的发光结构以及设置于衬底下表面的反射层，其特征在于：采用上述任意一种的制作方法形成，所述衬底的侧面为相对平滑的表面，且衬底下表面具有倒角结构。
进一步地，所述反射层具有与衬底相同的倒角结构。
进一步地，所述倒角结构为圆弧状，其弧度为0.5~2.5rad。
进一步地，所述衬底的厚度为50~200um。
本发明还提供包括上述发光二极管的发光装置。
与现有技术相比，本发明具有如下有益技术效果：
(1)本发明采用二次减薄的工艺，去除常规衬底中普遍存在的改质区，使得衬底的侧面平滑，能有效避免改质区对亮度的影响，且能较大幅度的提升发光二极管的抗断裂能力。
(2)相比于现有技术中先背镀反射层，后裂片的方式，本发明采用先裂片，再背镀反射层，能有效改善现有技术存在的反射层背崩的问题，降低良率损失，具有更高的可靠性。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
通过参照前述说明及下列附图，本发明的技术特征及优点得以获得完全了解。
图1是根据本发明实施的发光二极管制作方法的流程图。
图2是本发明之LED晶圆的俯视结构示意图。
图3~8是根据本发明实施例1的制作发光二极管的过程示意图。
图9~14是根据本发明实施例2的制作发光二极管的过程示意图。
图15是现有技术中发光二极管的侧面结构示意图。
图16是本发明实施的发光二极管的侧面结构示意图。
图17是本发明实施的发光二极管的倒角结构的结构示意图。
附图标记：
1：LED晶圆；10：衬底；101、102：改质区；103、104：倒角结构；20：发光结构；201：外延层；2011：第一半导体层；2012：有源层；2013：第二半导体层；202：电极；2021：第一电极；2022：第二电极；30：反射层。
具体实施方式
以下将结合附图及实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本发明中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本发明的保护范围之内。
实施例1
附图1为本发明实施的发光二极管制作方法的流程图。参看附图1，本发明提供了一种发光二极管的制作方法，其包括如下步骤：
步骤S1、提供一LED晶圆1，LED晶圆1包含衬底10以及位于衬底10上表面的若干相互独立的发光结构20，如附图2和3所示。
衬底10可为绝缘性基板或导电性基板。衬底10的材质是选自Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MnO及上述的任意组合中择其中之一。本实施例中，衬底10优选蓝宝石衬底，还可以对衬底10进行图形化处理，改变光的传播路径，提升发光元件的出光效率。
本实施例以衬底10的上表面为基础面在其上生长外延层201，并制作形成多个发光结构20。具体地，每一发光结构20都至少包括外延层201和位于外延层201上的电极202。其中，外延层201至少包括依次形成于衬底10上表面之上的第一半导体层2011、有源层2012和第二半导体层2013，其可以通过物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD) 和外延生长等方式形成在衬底10上。此外，衬底10与第一半导体层2011之间可以设置有一缓冲层，该缓冲层能够改善外延层与衬底材料晶格常数不匹配的问题。
第一半导体层2011和第二半导体层2013可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成，且掺杂有不同的掺杂剂，用以提供空穴和电子。其中，第一半导体层2011或第二半导体层2013分别为n或p型掺杂，n型掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的n型掺杂物。p型被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物，也不排除其他的元素等效替代的掺杂。有源层2012为能够提供光辐射的材料，其是提供电子和空穴复合提供光辐射的区域，具体的辐射波段介于390~950nm，如蓝、绿、红、黄、橙、红外光，有源层2012可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。有源层2012包含阱层和垒层，其中垒层具有比阱层更大的带隙。通过调整有源层2012中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。
外延层201还可以包括其它层材料，如电流扩展层或欧姆接触层等，根据掺杂浓度或组分含量不同进行设置为不同的多层。经过芯片端前端制程，发光结构20至少包括自下而上依次堆叠的第一半导体层2011、有源层2012、第二型半导体层2013、电流阻挡层和电流扩展层，以及位于第一半导体层2011之上的第一电极2021和位于第二半导体层2013之上的第二电极2022。电流扩展层上还可以包括保护层，具体可参看附图3。由于在外延层201上完成芯片端前段制程，以获得多个发光结构20的具体过程为本领域技术人员所熟知，本申请在此不做赘述。
步骤S2、对衬底10下表面进行第一次减薄，以使衬底10的初始厚度T减薄至第一厚度T1，如附图3~4所示。
由于衬底10的初始厚度较厚，不利于后续将其分离成独立的LED芯粒，因此需采用研磨等减薄工艺对衬底进行减薄。为了避免在研磨过程中的衬底移动，可采用固晶工艺将其固定在承载盘表面，例如采用溶化的蜡进行粘附。本实施例以常规的初始厚度T为650 um的蓝宝石衬底为例，但衬底10的初始厚度T不限于650 um。采用砂轮研磨的方式对衬底10的下表面进行第一次减薄，经过第一次研磨后，衬底10减薄至第一厚度T1，该衬底10的第一厚度T1为100~300um，进一步可优选为165~188um。
步骤S3、通过激光对衬底10进行处理，以获得具有改质区101的衬底，改质区101位于相邻两个发光结构20之间，如附图5所示。
本实施例采用隐切的方式在衬底10内部形成改质区101（即激光划痕），每处改质区101的位置均位于相邻两个发光结构20之间，以定义出发光二极管的尺寸。具体地，通过控制激光发射器，按照特定的频率向衬底内发射一定功率、波长及焦距的激光脉冲，利用激光聚焦在衬底10内部预设的位置形成多个隐切的爆点，从而形成改质区101。隐切过程中对激光的频率、功率不作限定，其根据实际情况而定。在本实施例中，在衬底10内部进行隐切的位置是指激光在衬底10内部聚焦打点的位置，优选在衬底10内部进行隐切的位置至衬底10下表面的距离D1为20~100um，以避免激光隐切衬底10内部产生的裂纹向上延伸至衬底10的上表面，从而避免损伤外延层201。
步骤S4、利用衬底10中的改质区101对衬底10进行裂片，以获得若干LED芯粒，如附图5~6所示。
本实施例的裂片工艺可以采用劈裂的方式，例如采用正裂或者背裂的方式来实现，以分离为多颗LED芯粒。正裂或者背裂的具体过程为本领域技术人员所熟知，本申请在此不做赘述。在其他实施例中，也可以通过扩膜的方式，将衬底10沿隐切产生的改质区101的位置裂开，从而形成多颗LED芯粒。
步骤S5、对LED芯粒的衬底10下表面进行第二次减薄，去除衬底10的改质区101，获得具有第二厚度T2的衬底10，如附图7所示。
由于步骤S3中隐切形成的改质区101会导致外量子效率减低，影响亮度，且使得其在后续封装时易受到较大的侧向力，导致断裂死灯的异常。为改善了以上缺陷，本发明通过新增二次减薄的工艺，将衬底进一步减薄至更小厚度的同时，去除掉衬底10侧面的改质区101。
本实施例在进行第二次减薄时，待减薄的对象并非为LED晶圆结构，而是多颗的LED芯粒结构。通过先对LED芯粒结构进行固晶工艺，再利用砂轮和研磨液进行第二次研磨、抛光，使得衬底10表面平坦化处理至透明光亮。经过第二次减薄后，衬底10被减薄至第二厚度T2，以将衬底10中的改质区101完全去除，并且在衬底10下表面形成倒角结构103，参看附图7。在本实施例中，衬底10的第二厚度T2为50~200um，进一步可优选为120~150 um，以保证满足后续封装的厚度要求。该衬底10下表面的倒角结构103为圆弧状，且其弧度为0.5~2.5rad。
通过去除衬底10侧面的改质区101，能在有效提升LED芯粒抗断裂能力，改善芯粒封装断晶问题的同时，避免改质区101存在而导致的外量子效率降低的问题，以提高发光二极管的发光效率。而在衬底10的下表面形成倒角结构103，能有效提升衬底10的反射效果，进一步提高发光二极管的发光效率。
步骤S6、在LED芯粒的衬底10下表面形成反射层30，获得发光二极管，如附图8所示。
本实施例针对LED芯粒进行背镀，即在LED芯粒的衬底10下表面形成反射层30，以利于将LED芯粒有源层2012发出的反向光反射回出光面，从而提高出光效率。该反射层30可以采用真空蒸镀法、溅射法或者化学蒸镀法的方式形成。由于步骤S5中衬底10下表面具有倒角结构103，为进一步提高发光二极管的出光效率，制作的反射层30会具有与衬底10相同的倒角结构104,具体参看附图8和17。
进一步地，反射层30包括金属反射层或者分布式布拉格反射层。本实施例中，优选反射层为分布式布拉格反射层。具体地，分布式布拉格反射层由交替的高折射率层和低折射率层组成，其中高折射率层的材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3或前述的任意组合之一，低折射率层的材料选自SiNx、SiO2或前述的任意组合之一。
本实施例的反射层30的镀膜是在LED芯粒的状态下完成的。相比于现有技术中先镀反射层，再进行隐切裂片的工艺，本发明采用在镀反射层30之前，完成隐切劈裂，能够有效避免先镀反射层30对激光发射器、测距仪的波段存在一定反射率，出现激光能力损失或者离焦异常，降低出现隐切不良的概率，避免裂片硬劈乱裂断晶的异常。并且，由于背镀工艺本身有一定脱落问题，加之后续还要进行隐切工艺，已镀完的反射层更容易脱落，因此，本发明的先完成隐切裂片形成LED芯粒，再镀反射层30，具有更高的可靠性和良率。
实施例2
本实施例也提供了一种发光二极管的制作方法，包括以下步骤：
步骤S1、提供一LED晶圆1，LED晶圆1包含衬底10以及位于衬底10上表面的若干相互独立的发光结构20；
步骤S2、对衬底10下表面进行第一次减薄，以使衬底10的初始厚度T减薄至第一厚度T1；
步骤S3、通过激光对衬底10进行处理，以获得具有改质区102的衬底10，所述改质区102位于相邻两个发光结构20之间；
步骤S4、利用衬底10中的改质区102对衬底10进行裂片，以获得若干LED芯粒；
步骤S5、对LED芯粒的衬底10下表面进行第二次减薄，去除衬底10的改质区102，获得具有第二厚度T2的衬底10；
步骤S6、在LED芯粒的衬底10下表面形成反射层30，获得发光二极管。
上述制作方法与实施例1的制作方法大致相同，其区别在于：经第一次减薄后的衬底10厚度不同，以及形成改质区102的方式不同，参看附图9~14。
具体地，本实施例以常规的初始厚度T为650 um的蓝宝石衬底为例，但衬底10的初始厚度T不限于650 um。采用砂轮研磨的方式对衬底10的下表面进行第一次减薄，经过第一次研磨后，衬底10减薄至第一厚度T1。本实施例第一次减薄的厚度与实施例1不同，本实施例中经第一次减薄的衬底10厚度小于实施例1中的经第一减薄的衬底10厚度，其需要经研磨减薄至更低的厚度，以减少后续抛光的衬底10去除量，从而降低成本。
在步骤S3中，实施例1中采用隐切的方式在衬底10内部形成改质区101（即激光划痕），而本实施例是采用背划的方式在经第一次减薄后的衬底10的下表面形成改质区102，具体参看附图11和12。
其中，本实施例的背划工艺同样是应用激光技术，本实施例与实施例1的差异在于，本实施例是在衬底10的下表面进行激光，而实施例1则是在衬底10的内部进行，两者的激光聚焦衬底10的位置不同。具体地，通过控制激光发射器，按照特定的频率向衬底10的下表面发射一定功率、波长及焦距的激光脉冲，利用激光聚焦在衬底10下表面进行激光背划，从而形成改质区102。在本实施例中，优选背划的深度为10~60um，即背划的深度至衬底10下表面的距离D2为10~60um。
实施例3
附图8和14示出了本发明发光二极管的结构示意图。本发明公开的发光二极管，是采用上述实施例1或2的方法制作而成。具体如下：一种发光二极管，包括衬底10、设置于衬底10上表面的发光结构20以及设置于衬底10下表面的反射层30，其中衬底10的侧面为相对平滑的表面，即衬底10的侧面为平滑面，且衬底10下表面具有倒角结构103。
衬底10可为绝缘性基板或导电性基板。衬底10的材质是选自Al2O3、SiC、GaAs、GaN、AlN、GaP、Si、ZnO、MnO及上述的任意组合中择其中之一。本实施例中，衬底10优选蓝宝石衬底，还可以对衬底10进行图形化处理，改变光的传播路径，提升发光元件的出光效率。
发光结构20至少包括外延层201和位于外延层201上的电极202。其中，外延层201至少包括依次形成于衬底10上表面之上的第一半导体层2011、有源层2012和第二半导体层2013。此外，衬底10与第一半导体层2011之间可以设置有一缓冲层，该缓冲层能够改善外延层与衬底10材料晶格常数不匹配的问题。
第一半导体层2011和第二半导体层2013可以由III-V族或II-VI族化合物半导体组成，且掺杂有不同的掺杂剂，用以提供空穴和电子。其中，第一半导体层2011或第二半导体层2013分别为n或p型掺杂，n型掺杂有诸如Si、Ge、或者Sn的n型掺杂物。p型被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、或者Ba的p型掺杂物，也不排除其他的元素等效替代的掺杂。有源层2012为能够提供光辐射的材料，其是提供电子和空穴复合提供光辐射的区域，具体的辐射波段介于390~950nm，如蓝、绿、红、黄、橙、红外光，有源层2012可以是单量子阱或多量子阱的周期性结构。有源层2012包含阱层和垒层，其中垒层具有比阱层更大的带隙。通过调整有源层2012中半导体材料的组成比，以期望辐射出不同波长的光。
外延层201还可以包括其它层材料，如电流扩展层或欧姆接触层等，根据掺杂浓度或组分含量不同进行设置为不同的多层。经过芯片端前端制程，发光结构20至少包括自下而上依次堆叠的第一半导体层2011、有源层2012、第二型半导体层2013、电流阻挡层和电流扩展层，以及位于第一半导体层2011之上的第一电极2021和位于第二半导体层2013之上的第二电极2022，具体参看附图8或者14。
本实施例中去除了常规衬底10中普遍存在的改质区101，使得衬底10的侧面趋向于平滑，具体参看附图16，其能有效避免改质区101对亮度的影响，以及提升其抗断裂的能力。并且，由于改质区101的去除，衬底10具有更薄的厚度，该衬底10的厚度为50~200um，进一步优选衬底10的厚度为120~150 um。在提升整个发光二极管的性能的同时，能进一步缩小了发光二极管的尺寸，使其应用领域更加广泛。
发光二极管的衬底10下表面具有倒角结构103，以提高光的反射，进而提高发光二极管的出光效率。优选，倒角结构103为圆弧状，且其弧度为0.5~2.5rad。发光二极管的衬底10下表面还设置有反射层30，以利于将有源层2012发出的反向光反射回出光面，提高出光效率。为进一步提高发光二极管的出光效率，反射层30会具有与衬底10相同的倒角结构104。
进一步地，反射层30包括金属反射层或者分布式布拉格反射层。本实施例中，优选反射层30为分布式布拉格反射层。具体地，分布式布拉格反射层由交替的高折射率层和低折射率层组成，其中高折射率层的材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3或前述的任意组合之一，低折射率层的材料选自SiNx、SiO2或前述的任意组合之一。
通过对现有技术、本发明中的发光二极管进行对比实验发现，本发明的发光二极管的抗断裂能力具有较大幅度的提升，且亮度有所提高，具体如下：
表1发光二极管的推力测试
参看表1可知，在相同的测试条件下，具体为推刀速度500um/s、推刀高度270um和推刀负载1kg的条件下，通过各分别测试十组样品发现，现有技术的发光二极管的能承受最大推力值平均为377.37g，而本发明能承受的最大推力值平均为467.03g，相当于能承受的最大推力值提升有23.76%，本发明的发光二极管的抗断裂能力具有较大幅度的提升。
表2 发光二极管的亮度
参看表2可知，在相同的测试条件下，具体为测试电流为20mA时，本发明相比于现有技术在全测/抽测下亮度有提升0.37%，同时，在包灯/全测下亮度另有提升0.72%，即本发明相比于现有技术的发光二极管的发光效率综合提升有1.09%。
与现有技术相比，本发明具有如下有益技术效果：
(1)本发明采用二次减薄的工艺，去除常规衬底10中普遍存在的改质区101，使得衬底10的侧面趋向于平滑，能有效避免改质区101对亮度的影响，且能较大幅度的提升发光二极管的抗断裂能力。
(2)相比于现有技术中先背镀反射层，后裂片的方式，本发明采用先裂片，再背镀反射层30，能有效改善现有技术存在的反射层30背崩的问题，降低良率损失，具有更高的可靠性。
本发明还提供了发光装置，包括前述的任意一种的发光二极管，同样地，能实现上述效果。
但是上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本发明所属技术领域中具有通常知识者均可在不违背本发明的技术原理及精神的情况下，对上述实施例进行修改及变化。因此本发明的权利保护范围应如附上的权利要求所列。
Claims (21)
1.发光二极管的制作方法，包括步骤：
S1、提供一LED晶圆，所述LED晶圆包含衬底以及位于所述衬底上表面的若干相互独立的发光结构；
S2、对衬底下表面进行第一次减薄，以使衬底的初始厚度T减薄至第一厚度T1；
S3、通过激光对衬底进行处理，以获得具有改质区的衬底，所述改质区位于相邻两个发光结构之间；
S4、利用衬底中的改质区对衬底进行裂片，以获得若干LED芯粒；
S5、对LED芯粒的衬底下表面进行第二次减薄，去除衬底的改质区，获得具有第二厚度T2的衬底；
S6、在LED芯粒的衬底下表面形成反射层，获得发光二极管。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S2中经第一次减薄后，衬底的第一厚度T1为100~300um。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中通过隐切或背划的方式在衬底上形成改质区。
4.根据权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，于经第一次减薄后的衬底内进行隐切，隐切的位置至衬底下表面的距离D1为20~100um。
5.根据权利要求3所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，于经第一次减薄后的衬底下表面进行背划，背划的深度至衬底下表面的距离D2为10~60um。
6.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S4中通过劈裂的方式进行裂片，以分离获得若干LED芯粒。
7.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中经第二次减薄后，衬底的第二厚度T2为50~200um。
8.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中还包括在经第二次减薄后的衬底下表面形成倒角结构。
9.根据权利要求8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述倒角结构为圆弧状，且其弧度为0.5~2.5rad。
10.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中通过蒸镀的方式于衬底下表面形成反射层。
11.根据权利要求1或8所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述反射层具有与衬底相同的倒角结构。
12.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述反射层包括金属反射层或者分布式布拉格反射层。
13.根据权利要求12所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射层由交替的高折射率层和低折射率层组成。
14.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射层的高折射率层的材料选自TiO、TiO2、Ti3O5、Ti2O3或前述的任意组合之一。
15.根据权利要求13所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射层的低折射率层的材料选自SiNx、SiO2或前述的任意组合之一。
16.根据权利要求1所述的发光二极管的制作方法，其特征在于，所述发光结构包括外延层和设置于所述外延层上的电极，外延层自衬底上表面一侧起包括第一半导体层、有源层和第二半导体层。
17.一种发光二极管，包括衬底、设置于衬底上表面的发光结构以及设置于衬底下表面的反射层，其特征在于：采用权利要求1~16任意一项所述的方法制作而成，所述衬底的侧面为相对平滑的表面，且衬底下表面具有倒角结构。
18.根据权利要求17所述的一种发光二极管，其特征在于，所述反射层具有与衬底相同的倒角结构。
19.根据权利要求17或18的一种发光二极管，其特征在于，所述倒角结构为圆弧状，其弧度为0.5~2.5rad。
20.根据权利要求17所述的一种发光二极管，其特征在于，所述衬底的厚度为50~200um。
21.一种发光装置，所述发光装置包含：权利要求17~20任意一项的发光二极管。
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