CN115881862A - 一种mini LED芯片减薄方法及mini LED - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，包括：提供临时基板与mini LED芯片，在临时基板与mini LED芯片上均涂布气解胶；将mini LED芯片与临时基板粘连在陶瓷盘上；将所述陶瓷盘转移至减薄机中，进行第一次减薄；提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上；利用镭射激光照射所述气解胶；提供第二粘连载具，将所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，进行第二次减薄，形成第二减薄芯片，本发明最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
Description
技术领域
本发明属于LED芯片减薄的技术领域，具体地涉及一种mini LED芯片减薄方法及mini LED。
背景技术
随着mini LED芯片技术不断升级，芯片面积越来越小，相应的芯片厚度也需要随着面积等比例减薄，否则出现芯片厚度大于芯片长或者宽的情况，导致芯片在封装过程中侧翻。
现有技术对mini LED进行减薄的方法为：将LED晶圆的正面用蜡液粘在陶瓷盘上，然后对LED晶圆的背面进行粗减薄、研磨、抛光，去除一部分衬底，达到需求的剩余厚度，然后对陶瓷盘加热，蜡液融化，从陶瓷盘上取下减薄后的LED晶圆，即下蜡。
但现有的减薄技术极限厚度为80um，一旦减薄厚度小于80um，衬底传热严重，导致晶圆边缘蜡液提前融化，造成晶圆边缘破损，损失良率，且厚度小于80um时，LED晶圆下蜡后翘曲度急剧增加，无法转运，破片急剧增多，导致LED芯片良率大幅度降低。
发明内容
为了解决上述技术问题，本发明提供了一种mini LED芯片减薄方法及mini LED，用于解决现有技术中存在的技术问题，通过利用气解胶将mini LED芯片键合于一临时基板上进行减薄，减薄完成后便于转运，无翘曲，也无边缘破片，无良率损失，打破了传统减薄工艺无法减薄到80um以下的壁垒，且本发明还进一步的对分割芯片利用等离子体刻蚀工艺第二次减薄，使得最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
一方面，该发明提供以下技术方案，一种mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：
步骤一、提供临时基板，对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理，以在所述临时基板的两侧分别形成粗化面与非粗化面；
步骤二、提供mini LED芯片，在所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面上均涂布气解胶，并将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合，以使所述mini LED芯片与所述临时基板键合在一起；
步骤三、将键合在一起的所述mini LED芯片与所述临时基板通过蜡液粘连在陶瓷盘上，且所述临时基板位于所述mini LED芯片及所述陶瓷盘之间；
步骤四、将所述陶瓷盘转移至减薄机中，对所述mini LED芯片的衬底面进行第一次减薄，并对减薄后的所述mini LED芯片的衬底面进行研磨抛光，以使所述mini LED芯片形成第一减薄芯片；
步骤五、将装载有所述第一减薄芯片与所述临时基板的所述陶瓷盘放置在热板上进行加热，融化所述蜡液并取下所述第一减薄芯片与所述临时基板；
步骤六、提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上，且所述第一减薄芯片位于所述临时基板及所述第一粘连载具之间；
步骤七、利用镭射激光照射所述气解胶，以使所述第一减薄芯片与所述临时基板分离，将装载有所述第一减薄芯片的所述第一粘连载具载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片过程中预设的切割道内形成改质层，接着将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机，以使劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片切割为若干独立的分割芯片；
步骤八、提供第二粘连载具，将所述分割芯片转移至所述第二粘连载具上，并使所述分割芯片的芯片面朝向所述第二粘连载具；
步骤九、将载有所述分割芯片的所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，利用等离子体刻蚀工艺轰击所述分割芯片的衬底面，进行第二次减薄，以形成第二减薄芯片。
相比现有技术，本申请的有益效果为：首先利用气解胶将mini LED芯片键合于一临时基板上进行第一次减薄，将mini LED芯片减薄形成第一减薄芯片，然后将第一减薄芯片转移至第一粘连载具，将第一减薄芯片切割为独立的分割芯片，接着利用等离子体刻蚀工艺对分割芯片进行第二次减薄，形成第二减薄芯片，本发明通过利用气解胶将mini LED芯片键合于一临时基板上进行减薄，减薄完成后便于转运，无翘曲，也无边缘破片，无良率损失，打破了传统减薄工艺无法减薄到80um以下的壁垒，且本发明还进一步的对分割芯片利用等离子体刻蚀工艺第二次减薄，使得最终成型的第二减薄芯片能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
较佳的，在所述步骤一中，通过干法刻蚀、湿法腐蚀、粗研磨方式中的其中一种对所述临时基板进行粗化处理。
较佳的，所述临时基板与所述mini LED芯片的尺寸相同，且所述临时基板由SiO2或Al2O3或GaN材质制成，所述临时基板的厚度范围为400um~800um。
较佳的，所述气解胶的粘度介于250CPS~5500CPS之间，所述气解胶的厚度范围为5um~30um。
较佳的，在所述步骤二中，将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合的键合温度范围为70℃~120℃。
较佳的，所述第一减薄芯片的厚度范围为50um~70um，所述第二减薄芯片的厚度范围为30um~60um。
较佳的，所述镭射激光的波段≤355nm。
较佳的，在所述步骤七中，将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机之前，在所述第一减薄芯片的芯片面上贴附PET膜。
较佳的，所述等离子体刻蚀工艺的上基板功率范围为500W~5000W，下基板功率范围为500W~5000W，通入气体包括Cl2、Ar、N2，气体流量范围为20sccm~500sccm，腔体压力范围为2mToor~20mToor。
另一方面，该发明提供以下技术方案，一种mini LED，其特征在于，所述mini LED根据上述mini LED芯片减薄方法制备而成。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的流程图；
图2为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的步骤二产生的半成品示意图；
图3为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的步骤四产生的半成品示意图；
图4为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的步骤六产生的半成品示意图；
图5为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的步骤七产生的半成品示意图；
图6为本发明实施例提供的mini LED芯片减薄方法的步骤九产生的成品示意图。
附图标记说明：
| 临时基板 | 1 | mini LED芯片 | 2 |
| 气解胶 | 3 | 陶瓷盘 | 4 |
| 蜡液 | 5 | 切割道 | 6 |
| 第一减薄芯片 | 7 | 第一粘连载具 | 8 |
| 分割芯片 | 9 | 第二粘连载具 | 10 |
| 第二减薄芯片 | 11 |
以下将结合附图以及附图说明对本发明进行详细说明。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明的实施例，而不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
实施例一
如图1所示，在本发明的第一个实施例中，一种mini LED芯片减薄方法，所述减薄方法包括以下步骤：
步骤一、提供临时基板1，对所述临时基板1的其中一个侧面进行粗化处理，以在所述临时基板1的两侧分别形成粗化面与非粗化面；
具体的，在步骤一中，所述临时基板1与所述mini LED芯片2的尺寸相同，且所述临时基板1由透明材质制成，该透明材质具体为SiO2或Al2O3或GaN，所述临时基板1的厚度范围为400um~800um，所述临时基板1为两面透明的透明基板，其可透过波段小于等于355nm的镭射激光，且在该步骤中，通过对所述临时基板1的其中一个侧面进行粗化处理，即会在临时基板1经过粗化处理的侧面上形成粗化面，而未经过粗化处理的侧面形成非粗化面，粗化处理的目的为了便于在后续步骤中通过镭射激光照射气解胶3时所产生的气体的释放，同时在进行粗化处理之后，会在粗化面上形成粗化图形，所述粗化图像可以为矩形、圆形、或其它不规则图形；
在本实施例中，可通过干法刻蚀、湿法腐蚀、粗研磨方式中的其中一种对所述临时基板1进行粗化处理。
如图2所示，步骤二、提供mini LED芯片2，在所述临时基板1的粗化面与所述miniLED芯片2的芯片面上均涂布气解胶3，并将所述临时基板1的粗化面与所述mini LED芯片2的芯片面进行键合，以使所述mini LED芯片2与所述临时基板1键合在一起；
具体的，此处的mini LED芯片2为一个整体的LED芯片，在对其进行减薄之后，需将其分割成若干个小的LED芯片，以方便出货，且通过在所述临时基板1的粗化面与所述miniLED芯片2的芯片面上均涂布气解胶3，以便于将所述mini LED芯片2与所述临时基板1键合在一起，进而形成一个整体；
在本实施例中，所述气解胶3的粘度介于250CPS~5500CPS之间，所述气解胶3的厚度范围为5um~30um，同时该气解胶3的镭射解粘波段小于等于355nm，以便于在波段小于等于355nm的镭射激光照射该气解胶3时，气解胶3能够气化并释放气体，且在所述临时基板1的粗化面与所述mini LED芯片2的芯片面上均涂布气解胶3的目的为了便于在键合的过程中，所述mini LED芯片2与所述临时基板1能够粘连紧密，避免出现意外脱落的情况；
值得说明的是，将所述临时基板1的粗化面与所述mini LED芯片2的芯片面进行键合的键合温度范围为70℃~120℃。
步骤三、将键合在一起的所述mini LED芯片2与所述临时基板1通过蜡液5粘连在陶瓷盘4上，且所述临时基板1位于所述mini LED芯片2及所述陶瓷盘4之间；
具体的，在此步骤中，将键合在一起的所述mini LED芯片2与所述临时基板1通过蜡液5粘连在陶瓷盘4上，蜡液5受热易融化，以便于后续分离陶瓷盘4的过程，而所述陶瓷盘4可为一片盘、五片盘或者七片盘，且所述陶瓷盘4的厚度不小于1cm；
可理解的是，在键合在一起的所述mini LED芯片2与所述临时基板1通过蜡液5粘连在陶瓷盘4之后，并确保所述mini LED芯片2相对所述陶瓷盘4，即在粘连的过程中，将临时基板1的非粗化面通过蜡液5粘连在陶瓷盘4上，并使得mini LED芯片2的衬底面朝上，以确保所述mini LED芯片2相对所述陶瓷盘4朝外；
同时，本实施中的mini LED芯片2其具有衬底面与芯片面，而在mini LED芯片2在生长的过程中，通常通过在衬底上沉积出若干层外延结构，以得到最终成型的mini LED芯片2，因此对于本领域技术人员来说，将mini LED芯片2中靠近衬底的侧面称之为衬底面，mini LED芯片2中远离衬底的侧面称之为芯片面，而在图2中，mini LED芯片2的衬底面设置在上方，mini LED芯片2的芯片面设置在下方，即与临时基板1通过气解胶3粘连的侧面上。
如图3所示，步骤四、将所述陶瓷盘4转移至减薄机中，对所述mini LED芯片2的衬底面进行第一次减薄，并对减薄后的所述mini LED芯片2的衬底面进行研磨抛光，以使所述mini LED芯片2形成第一减薄芯片7；
具体的，在步骤四中，将装载有临时基板1与mini LED芯片2的陶瓷盘4转移至减薄机中，由于mini LED芯片2的衬底面朝上设置，因而可通过减薄机对mini LED芯片2的衬底面进行第一次减薄，而后对减薄之后的衬底面进行研磨抛光，经过此步骤之后，通过对miniLED芯片2的衬底面进行第一次减薄之后，使得mini LED芯片2形成了减薄后的第一减薄芯片7；
值得说明的是，经过第一次减薄之后，此时的第一减薄芯片7的厚度介于50um到70um之间，由于减薄机的研磨速率过快，波动性较大，因此利用此工艺再进行mini LED芯片2的减薄就会有损伤芯片的风险，且如果第一减薄芯片7的厚度低于50um时，会不利于后续切割时划片激光的改质，容易损失芯片，导致芯片的报废率大幅度增加。
步骤五、将装载有所述第一减薄芯片7与所述临时基板1的所述陶瓷盘4放置在热板上进行加热，融化所述蜡液5并取下所述第一减薄芯片7与所述临时基板1；
具体的，在步骤五中，将装载有所述第一减薄芯片7与所述临时基板1的所述陶瓷盘4放置在热板上进行加热，此步骤的目的是为了使得粘连在陶瓷盘4与临时基板1之间的蜡液5融化，以便将临时基板1、第一减薄芯片7与陶瓷盘4进行分离；
值得注意的是，在分离的过程中，通过热板加热之后，蜡液5融化，但气解胶3不易受温度影响，因此临时基板1与第一减薄芯片7此时仍然处于键合状态。
如图4所示，步骤六、提供第一粘连载具8，将所述第一减薄芯片7与所述临时基板1转移至所述第一粘连载具8上，且所述第一减薄芯片7位于所述临时基板1及所述第一粘连载具8之间；
具体的，在此步骤中，将所述第一减薄芯片7与所述临时基板1转移至所述第一粘连载具8上，该第一粘连载具8具有一定的粘性，会使得仍然键合在一起的所述第一减薄芯片7与所述临时基板1能够粘连在第一粘连载具8上，同时在此步骤中，将所述第一减薄芯片7的衬底面朝向所述第一粘连载具8，即将步骤五中得到的键合在一起的所述第一减薄芯片7与所述临时基板1翻转180度，使得第一减薄芯片7的衬底面朝下设置，并将第一减薄芯片7的衬底面与第一粘连载具8粘连在一起，因此从上至下依次为临时基板1、第一减薄芯片7、第一粘连载具8。
如图5所示，步骤七、利用镭射激光照射所述气解胶3，以使所述第一减薄芯片7与所述临时基板1分离，将装载有所述第一减薄芯片7的所述第一粘连载具8载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片2过程中预设的切割道6内形成改质层，接着将所述第一粘连载具8载入劈刀裂片机，以使劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片7切割为若干独立的分割芯片9；
具体的，所述镭射激光的波段≤355nm，由于气解胶3的镭射解粘波段小于等于355nm，能够在波段小于等于355nm的镭射激光照射该气解胶3时，气解胶3能够气化并释放气体，因此在此步骤中，采用波段小于等于355nm的镭射激光照射气解胶3之后，会使得气解胶3气化并释放气体，因此在临时基板1与第一减薄芯片7之间没有了气解胶3，即第一减薄芯片7与临时基板1之间处于分离状态，此时利用真空抓手吸走临时基板1，且此时第一减薄芯片7仍然留在第一粘连载具8上面；
之后，由于mini LED芯片2在制备过程中，需要在其上预先制作出若干切割道6，以便于将mini LED芯片2分解为若干独立的LED芯片，因此在步骤七中，在所述第一减薄芯片7与所述临时基板1分离之后，将装载有所述第一减薄芯片7的所述第一粘连载具8载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片2过程中预设的切割道6内形成改质层，形成了改质层，以便于将独立的小芯片进行分离，之后将其送入劈刀裂片机，使劈刀劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片7切割为若干独立的分割芯片9；
值得注意的是，在将第一粘连载具8载入劈刀裂片机之前，需在所述第一减薄芯片7的芯片面上贴附PET膜，如此能够避免在劈刀劈裂所述改质层时破坏第一减薄芯片7的结构，能够很好的保护第一减薄芯片7，保证其良率。
步骤八、提供第二粘连载具10，将所述分割芯片9转移至所述第二粘连载具10上，并使所述分割芯片9的芯片面朝向所述第二粘连载具10；
具体的，所述第二粘连载具10的粘性大于第一粘连载具8，因此将步骤七中所得到的分割芯片9与第一粘连载具8的组合体翻转180度，而后将上述组合体直接粘连在第二粘连载具10上，因此从上至下依次为第一粘连载具8、分割芯片9、第二粘连载具10，由于第二粘连载具10的粘性大于第一粘连载具8，因此直接将第一粘连载具8从分割芯片9上拔除即可使得所述分割芯片9的芯片面朝向所述第二粘连载具10并使得分割芯片9粘连在第二粘连载具10上。
如图6所示，步骤九、将载有所述分割芯片9的所述第二粘连载具10载入等离子体刻蚀机，利用等离子体刻蚀工艺轰击所述分割芯片9的衬底面，进行第二次减薄，以形成第二减薄芯片11；
具体的，采用等离子刻蚀工艺对所述衬底面进行第二次的减薄，且两次对衬底减薄，能够使得最终成型的第二减薄芯片11能够克服无法减薄到80um以下的壁垒，且最终成型的第二减薄芯片11的厚度范围为30um~60um。
在本实施例中，所述等离子体刻蚀工艺的上基板功率范围为500W~5000W，下基板功率范围为500W~5000W，通入气体包括Cl2、Ar、N2，气体流量范围为20sccm~500sccm，腔体压力范围为2mToor~20mToor。
且，在本发明的第一个实施例中，所述临时基板1的厚度为400um，所述气解胶3的厚度为5um，陶瓷盘4为七片盘，键合温度为70℃，第一减薄芯片7厚度为70um，镭射激光的波段为266nm，上基板功率为1200W，下基板功率范围为600W，通入Cl2流量为200sccm ，通入Ar流量为20sccm，腔体压力为5mToor，第二减薄芯片11厚度为60um。
综上，本发明上述实施例当中的mini LED芯片减薄方法，首先利用气解胶3将miniLED芯片2键合于一临时基板1上进行第一次减薄，将mini LED芯片2减薄形成第一减薄芯片7，然后将第一减薄芯片7转移至第一粘连载具8，将第一减薄芯片7切割为独立的分割芯片9，接着利用等离子体刻蚀工艺对分割芯片9进行第二次减薄，形成第二减薄芯片11，本发明通过利用气解胶3将mini LED芯片2键合于一临时基板1上进行减薄，减薄完成后便于转运，无翘曲，也无边缘破片，无良率损失，打破了传统减薄工艺无法减薄到80um以下的壁垒，且本发明还进一步的对分割芯片9利用等离子体刻蚀工艺第二次减薄，使得最终成型的第二减薄芯片11能够克服无法减薄到80um以下的壁垒。
实施例二
本发明的第二个实施例所提供的一种mini LED芯片减薄方法与实施例一所提供的一种mini LED芯片减薄方法的不同之处在于：
在本发明的第二个实施例中，所述临时基板1的厚度为600um，所述气解胶3的厚度为10um，键合温度为90℃，第一减薄芯片7厚度为60um，第二减薄芯片11厚度为50um。
实施例三
本发明的第三个实施例所提供的一种mini LED芯片减薄方法与实施例一所提供的一种mini LED芯片减薄方法的不同之处在于：
在本发明的第三个实施例中，所述临时基板1的厚度为600um，所述气解胶3的厚度为10um，键合温度为90℃，第一减薄芯片7厚度为60um，上基板功率为2000W，下基板功率范围为1000W，第二减薄芯片11厚度为40um。
实施例四
本发明的第四个实施例所提供的一种mini LED芯片减薄方法与实施例一所提供的一种mini LED芯片减薄方法的不同之处在于：
在本发明的第四个实施例中，所述临时基板1的厚度为800um，所述气解胶3的厚度为10um，键合温度为90℃，第一减薄芯片7厚度为50um，上基板功率为2000W，下基板功率范围为1000W，第二减薄芯片11厚度为30um。
在本发明的另一实施例还提供了以下技术方案，一种mini LED，所述mini LED根据上述实施例所提供的mini LED芯片减薄方法制备而成。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1. 一种mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述减薄方法包括以下步骤：
步骤一、提供临时基板，对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理，以在所述临时基板的两侧分别形成粗化面与非粗化面；
步骤二、提供mini LED芯片，在所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面上均涂布气解胶，并将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合，以使所述mini LED芯片与所述临时基板键合在一起；
步骤三、将键合在一起的所述mini LED芯片与所述临时基板通过蜡液粘连在陶瓷盘上，且所述临时基板位于所述mini LED芯片及所述陶瓷盘之间；
步骤四、将所述陶瓷盘转移至减薄机中，对所述mini LED芯片的衬底面进行第一次减薄，并对减薄后的所述mini LED芯片的衬底面进行研磨抛光，以使所述mini LED芯片形成第一减薄芯片；
步骤五、将装载有所述第一减薄芯片与所述临时基板的所述陶瓷盘放置在热板上进行加热，融化所述蜡液并取下所述第一减薄芯片与所述临时基板；
步骤六、提供第一粘连载具，将所述第一减薄芯片与所述临时基板转移至所述第一粘连载具上，且所述第一减薄芯片位于所述临时基板及所述第一粘连载具之间；
步骤七、利用镭射激光照射所述气解胶，以使所述第一减薄芯片与所述临时基板分离，将装载有所述第一减薄芯片的所述第一粘连载具载入激光划片机中，利用激光在制作所述mini LED芯片过程中预设的切割道内形成改质层，接着将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机，以使劈裂所述改质层，并将所述第一减薄芯片切割为若干独立的分割芯片；
步骤八、提供第二粘连载具，将所述分割芯片转移至所述第二粘连载具上，并使所述分割芯片的芯片面朝向所述第二粘连载具；
步骤九、将载有所述分割芯片的所述第二粘连载具载入等离子体刻蚀机，利用等离子体刻蚀工艺轰击所述分割芯片的衬底面，进行第二次减薄，以形成第二减薄芯片。
2. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤一中，通过干法刻蚀、湿法腐蚀、粗研磨方式中的其中一种对所述临时基板的其中一个侧面进行粗化处理。
3. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述临时基板与所述mini LED芯片的尺寸相同，且所述临时基板由SiO2或Al2O3或GaN材质制成，所述临时基板的厚度范围为400um~800um。
4. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述气解胶的粘度介于250CPS~5500CPS之间，所述气解胶的厚度范围为5um~30um。
5. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤二中，将所述临时基板的粗化面与所述mini LED芯片的芯片面进行键合的键合温度范围为70℃~120℃。
6. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述第一减薄芯片的厚度范围为50um~70um，所述第二减薄芯片的厚度范围为30um~60um。
7. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述镭射激光的波段≤355nm。
8. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，在所述步骤七中，将所述第一粘连载具载入劈刀裂片机之前，在所述第一减薄芯片的芯片面上贴附PET膜。
9. 根据权利要求1所述的mini LED芯片减薄方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀工艺的上基板功率范围为500W~5000W，下基板功率范围为500W~5000W，通入气体包括Cl2、Ar、N2，气体流量范围为20sccm~500sccm，腔体压力范围为2mToor~20mToor。
10.一种mini LED，其特征在于，所述mini LED根据如权利要求1~9任一项所述的miniLED芯片减薄方法制备而成。
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|---|---|---|---|---|
| CN102280433A (zh) * | 2011-08-19 | 2011-12-14 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 晶圆级芯片尺寸封装结构及其封装方法 |
| WO2012155535A1 (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 晶能光电（江西）有限公司 | 氮化镓基薄膜芯片的生产制造方法 |
| CN103295893A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种晶圆级微组装工艺 |
| CN111081562A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 芯片的封装方法及芯片封装结构 |
| CN111162037A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 芯片转移到晶圆的方法 |
| CN112786741A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led芯片的制作方法及其产品 |
| CN112967983A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 转移系统和转移方法 |
| CN114530528A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-05-24 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种led芯片制备方法 |
| CN114899289A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管、其制作方法以及发光装置 |
| CN114975734A (zh) * | 2022-06-20 | 2022-08-30 | 四川轻化工大学 | 一种超薄型芯片制造封装方法 |
| CN115132887A (zh) * | 2022-06-21 | 2022-09-30 | 上海天马微电子有限公司 | 一种led芯片制备方法 |
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Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012155535A1 (zh) * | 2011-05-19 | 2012-11-22 | 晶能光电（江西）有限公司 | 氮化镓基薄膜芯片的生产制造方法 |
| CN102280433A (zh) * | 2011-08-19 | 2011-12-14 | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 | 晶圆级芯片尺寸封装结构及其封装方法 |
| CN103295893A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-11 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种晶圆级微组装工艺 |
| CN112786741A (zh) * | 2019-11-11 | 2021-05-11 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种led芯片的制作方法及其产品 |
| CN111081562A (zh) * | 2019-12-25 | 2020-04-28 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 芯片的封装方法及芯片封装结构 |
| CN111162037A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-05-15 | 中芯集成电路（宁波）有限公司 | 芯片转移到晶圆的方法 |
| CN112967983A (zh) * | 2020-09-21 | 2021-06-15 | 重庆康佳光电技术研究院有限公司 | 转移系统和转移方法 |
| WO2022241626A1 (zh) * | 2021-05-17 | 2022-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种载板以及转移装置 |
| CN114530528A (zh) * | 2022-02-16 | 2022-05-24 | 江西兆驰半导体有限公司 | 一种led芯片制备方法 |
| CN114899289A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-08-12 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管、其制作方法以及发光装置 |
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