CN100392810C - 蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法 - Google Patents
蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，所述粘片方法通过在粘片载体上加热熔蜡，然后放置衬底，最后再冷却蜡将衬底固定到粘片载体上，在所述粘片载体和所述衬底之间设置一层使所述衬底的电极与所述粘片载体非直接接触的渗蜡性良好的保护膜。在本发明的粘片方法中，在晶片和粘片载体之间设置一张蜡光纸，能防止晶片上的芯片的电极和发光区与粘片载体直接接触受到损伤、能缩短去蜡时间，提高工作效率；涂蜡时采用特定的蜡分布可以有效避免由于蜡过多或过少发生的掉边和破裂情况；在涂蜡时通过控制温度和压力使蜡呈熔融状态同时还未处于完全液态，有利于蜡的均匀分布，减小偏差。
Description
技术领域
本发明涉及光电子信息技术领域，更具体地说，涉及一种蓝宝石衬底减薄工序中粘片方法。
背景技术
在第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带等特点，通过掺杂可以获得波长较短的蓝光和紫外光，其中所发的蓝光具有重大意义，使得三基色红、绿、蓝齐全，为白光发光二极管(LED)代替目前的白炽灯、日光灯成为照明光源和全彩大屏幕显示创造了条件。
在GaN基蓝、绿光LED及其它光电子器件制作过程中，由于GaN材料需要在硬度很大的蓝宝石衬底上外延生长而制得，为了能够将之裂片、分割，需要将蓝宝石衬底的厚度由原先的450um左右减薄至100um以下。通常蓝宝石衬底的减薄主要包括粘片、磨削、抛光、去蜡、清洗等步骤。粘片是用蜡把蓝宝石衬底电极面朝下粘到粘片载体(如玻璃盘、陶瓷盘等)上，从而达到快速、高效、高质量的完成减薄工序后面的各个工艺。粘片是减薄工序的第一步，因此粘片的好坏直接关系到后面的各个工艺的质量。一般的粘片方法为用蜡通过加压、加热、冷却的方式将衬底固定到粘片载体上，该粘片方法存在下列问题：1、粘片时蓝宝石衬底朝上，LED芯片的电极和发光区则面向粘片载体，而LED的电极和发光区的硬度比粘片盘的硬度小得多，粘片容易擦伤电极和发光区，导致芯片报废。2、衬底减薄完后的卸片一般都是用化学试剂加热去蜡，由于粘片时晶元与粘片块之间有蜡直接粘住，化学试剂不容易渗透进去把里面的蜡溶去，因此卸片时间很长，一般都在30分钟以上，有时更需一两个小时才能卸片，工作效率相当低，不适于规模化生产。3、粘片后衬底边缘的蜡分布对于磨削效果有着重要作用，假如边缘蜡过多，则多余的蜡很容易黏附在砂轮上，从而使砂轮不锋利，导致在磨削过程很容易出现破裂，特别是衬底边缘部分的破裂更加严重。假如边缘蜡过少，则在磨削过程中，很容易使衬底边缘处于无蜡状态，从而很容易发生衬底掉边的情况，进而发生裂片。4、粘片中蜡的厚度均匀性的问题，蓝宝石衬底在减薄后表面必须非常平整的，其厚度偏差在3微米间，假如粘片时蜡的厚度的均匀不能控制在允许的范围之内，减薄时容易出现裂片，掉边等情形。减薄后衬底厚度的均匀性也无法控制，这时衬底就容易产生翘边的现象，导致贴膜、吸真空时裂片，在用激光进行划片时也容易出现白点。
发明内容
本发明要解决的技术问题为，针对现有技术的上述缺陷，提供一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，所述粘片方法通过在粘片载体上加热熔蜡，然后放置衬底，最后再冷却蜡将衬底固定到粘片载体上，其特征在于，在所述粘片载体和所述衬底之间设置一层分隔所述衬底的电极与所述粘片载体的、渗蜡性良好的保护膜，所述保护膜为蜡光纸。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，设置所述保护膜的步骤包括，先在所述粘片载体上涂一层蜡，然后再在蜡层上加盖保护膜，最后再在保护膜上再涂一层蜡。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，所述保护膜的厚度为10～20微米，所述保护膜的厚度均匀并且其厚度差小于3微米。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，每次粘片将三个衬底呈等边三角形对称放置在一个圆盘形粘片载体上。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，加热融蜡的步骤包括：涂蜡前先加热粘片载体，然后再涂蜡；加热融蜡的温度范围为90～120℃；在冷却蜡时，施加的压力范围为0.3～0.5MPa。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，加热融蜡的最佳温度为110℃。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，冷却蜡时加压的最佳压力为0.4Mpa。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，加热融蜡的时间为3～6分钟。
在本发明所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，在所述涂蜡步骤中，衬底边缘5±2mm有蜡分布，并且衬底边缘的蜡呈斜坡状分布。
本发明的有益效果是，在本发明的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中，在晶片和粘片载体之间设置一张蜡光纸，既能防止晶片上的芯片的电极和发光区与粘片载体直接接触受到损伤，又能缩短去蜡时间，提高了工作效率；涂蜡时使得衬底边缘5±2mm有蜡分布，并且衬底边缘的蜡呈斜坡状分布，采用这种蜡分布可以有效避免由于蜡过多或过少发生的掉边和破裂情况；在涂蜡前先将粘片载体加热到特定温度再涂蜡，使蜡呈熔融状态同时还未处于完全液态，有利于蜡的均匀分布，然后通过加压并将该压力控制在特定范围使蜡冷却，减小偏差；对于晶片的位置也有特定的要求，将三个晶片定位在粘片盘的中心位置组成一个等边三角形，在抛光步骤中能更好的保证晶片的平均厚度。
附图说明
图1为本发明的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法中衬底固定在粘片载体上的剖面结构示意图。
具体实施方式
本发明专利所涉及的蓝宝石衬底减薄工序中粘片方法，在粘片载体与衬底之间设置一层保护膜(如蜡光纸等)；在衬底边缘5±2mm有蜡分布，并且让蜡的分布呈斜坡状；在涂蜡前先将粘片载体加热到特定温度；每次粘片时将三个衬底呈等边三角形对称放置在一个粘片载体上。从而达到提高粘片质量、减少粘片时产生电极划伤、减小削磨时发生衬底边缘部分的破裂或衬底掉边的情况并提高卸片的工作效率的目的。具体实施方案如下：
1、由于在粘片过程中，电极和发光区与粘片载体直接接触，而粘片载体的硬度较电极和发光区又大得多，粘片时又需要施加一定的压力，这样导致，在粘片过程中非常容易使电极和发光区划伤。本发明的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，在粘片载体和衬底之间设置一层保护膜，使电极、发光区与粘片块非直接接触，从而有效地保护了电极和发光区，大大减小了划伤的可能性，提高了成品率。如图1所示，为晶片固定在粘片载体上的剖面结构示意图，粘片载体3和晶片2之间设有一层保护膜5。具体的步骤为，先在粘片载体上涂一层蜡，然后贴上保护膜，然后再在保护膜上涂一层蜡。去蜡时，保护膜能够使化学试剂渗透进去，能够快速地将蜡熔解，去蜡时间约为10～15分钟，大大提高了工作效率。对于保护膜的性能要求为厚度应该比较均匀，厚度差小于3微米，整体厚度为10～20微米。保护膜可以为蜡光纸。
2、使粘片后的衬底边缘5±2mm有蜡分布，并且蜡的分布呈斜坡状。采用这种蜡的分布可以有效的避免在削磨的过程中由于蜡过多或过少使衬底发生掉边和破裂的情况。如图1所示，为晶片固定在粘片载体上的剖面结构示意图，其中晶片2通过蜡1粘接固定在粘片载体3上，衬底边缘4的5±2mm内要有蜡分布并且蜡的分布呈斜坡状，从而可以有效的避免在削磨的过程中由于蜡过多或过少使衬底发生掉边和破裂的情况。
3、融蜡和冷却蜡通过加热和加压来实现，在本发明专利所涉及的蓝宝石衬底减薄工序中粘片方法中，融蜡时加热的温度范围为90～120℃、冷却蜡时加压的压力范围为0.3～0.5Mpa，其中最佳温度为110℃、最佳压力为0.4MPa。在此温度下蜡呈熔融状态，有利于蜡均匀分布，减小偏差，同时蜡还未处于完全液态。在施加压力过程中不容易产生滑动而划伤电极，采用此压力有利于减小偏差，同时不至于将衬底压裂。涂蜡前先加热粘片载体到110℃再涂蜡。
4、由于后续的抛光工序完全通过自身的对称结构来维持抛光后表面平整度，为了提高表面平整度，粘片时将三个衬底呈等边三角形对称放置在一个粘片载体盘中。保证了抛光衬底表面的均匀性。
Claims (10)
1.一种蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，所述粘片方法通过在粘片载体上加热熔蜡，然后放置衬底，最后再冷却蜡将衬底固定到粘片载体上，其特征在于，在所述粘片载体和所述衬底之间设置一层分隔所述衬底的电极与所述粘片载体的、渗蜡性良好的保护膜，所述保护膜为蜡光纸。
2.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，设置所述保护膜的步骤包括，先在所述粘片载体上涂一层蜡，然后再在蜡层上加盖保护膜，最后再在保护膜上再涂一层蜡。
3.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，所述保护膜的厚度为10～20微米，所述保护膜的厚度均匀并且其厚度差小于3微米。
4.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，每次粘片将三个衬底呈等边三角形对称放置在一个圆盘形粘片载体上。
5.根据权利要求1所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，加热融蜡的步骤包括：涂蜡前先加热粘片载体，然后再涂蜡；加热融蜡的温度范围为90～120℃；在冷却蜡时，施加的压力范围为0.3～0.5MPa。
6.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，加热融蜡的温度为110℃。
7.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，冷却蜡时加压的压力为0.4Mpa。
8.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，加热融蜡的时间为3～6分钟。
8.根据权利要求5所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，加热融蜡的时间为3～6分钟。
9.根据权利要求1-8中任何一项所述的蓝宝石衬底减薄工序中的粘片方法，其特征在于，在所述涂蜡步骤中，衬底边缘5±2mm有蜡分布，并且衬底边缘的蜡呈斜坡状分布。
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Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204507A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-22 | Nec Corp | 赤外線検知器の製造方法 |
| JPH11126763A (ja) * | 1997-02-03 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの分離方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06204507A (ja) * | 1992-12-24 | 1994-07-22 | Nec Corp | 赤外線検知器の製造方法 |
| JPH11126763A (ja) * | 1997-02-03 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 半導体デバイスの分離方法 |
| US5994205A (en) * | 1997-02-03 | 1999-11-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of separating semiconductor devices |
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