CN110112129B - 一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，包括固晶步骤和玻璃荧光片制作步骤、以及芯片贴附步骤；所述固晶步骤和玻璃荧光屏制作步骤不分前后顺序；所述固晶步骤为：在基板上对多个的芯片进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，烘烤后进行焊线；所述芯片贴附步骤为：在固晶机上进行相应的玻璃荧光片贴附；即一颗玻璃荧光片对应一个芯片，贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤固化，固化后芯片贴附即完成。本发明可以提升荧光粉的利用率、色温一致性、可操作性、抗热、抗衰减更好等优势。
Description
技术领域
本发明涉及LED灯技术领域，特别是一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺。
背景技术
半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。传统发光半导体，采用点胶、喷涂、贴膜、烧荧光饼等工艺，进行制作发光半导体。而传统的发光半导体在制作上荧光粉浪费比较多，而且由于荧光粉是喷涂在硅胶上的，也导致色温不一致。
发明内容
为克服上述问题，本发明的目的是提供一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，与传统的发光半导体制作工艺上相比荧光粉浪费比较少，色温一致性好。
本发明采用以下方案实现：一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，包括固晶步骤和玻璃荧光片制作步骤、以及芯片贴附步骤；所述固晶步骤和玻璃荧光屏制作步骤不分前后顺序；
所述固晶步骤为：在基板上对多个的芯片进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，烘烤后进行焊线；
所述玻璃荧光片制作步骤为：将刮好的荧光胶片，贴附在玻璃片上，然后放置在治具上，把治具放置在真空层压机内进行真空层压；荧光胶片与玻璃片贴附完成后，把治具贴附在切割UV膜上，贴附完成放入切割机进行切割成多颗的玻璃荧光片，切割的尺寸，按需要贴附的芯片尺寸来定；切割完成后进行UV解胶，解胶完成后，UV膜与治具进行分开，使用蓝膜吸附起切割好的单颗玻璃荧光片，再进行芯片贴附步骤；
所述芯片贴附步骤为：在固晶机上进行相应的玻璃荧光片贴附；即一颗玻璃荧光片对应一个芯片，贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤固化，固化后芯片贴附即完成。
进一步的，所述固晶步骤进一步具体为：在基板上对多个的芯片进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，其中烘烤控制的温度150~220℃，时间为30min~240min使固晶胶固化，烘烤后进行焊线。
进一步的，所述进行真空层压时：层压温度控制：100~200℃、第一段抽真空时间：5~200S，第二段抽真空时间：5~500S，第三段抽真空时间：5~800S；第一段抽真空气压：-10~100Kpa，第二段抽真空气压：-5~80Kpa，第三段抽真空气压：-0.2~60Kpa，层压完成后再充入0Kpa进行破真空操作。
进一步的，所述切割为：使用水冷却切割方式或激光切割方式，所述水冷却切割方式中切割机的进刀速度：1~100S，切割机转速：10000~30000转；切割完成后进行除湿，除湿温度控制在60~150℃，时间10~200min来去除切割时冷却水。
进一步的，所述UV解胶时间：1~120S，解胶机灯珠波长：350~420nm，温度10~100℃。
进一步的，所述贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤，其中烘烤时间：20~240min，烘烤温度：100~200℃来进行固化。
进一步的，所述芯片的尺寸为5um~5000um。
本发明的有益效果在于：本发明采用玻璃片与荧光粉通过热粘合在一起（不需要通过第三物质，如胶、树脂等粘合，直接通过热进行粘合），然后进行切片成芯片形状，直接再贴附到芯片上，这样可以提升荧光粉的利用率、色温一致性、可操作性、抗热、抗衰减更好等优势。
附图说明
图1是本发明的工艺流程示意图。
图2是本发明玻璃荧光片贴附在芯片上后的剖面结构示意图。
图3是本发明玻璃荧光片置于基板上的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步说明。
请参阅图1至图3所示，本发明提供了一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，包括固晶步骤和玻璃荧光片制作步骤、以及芯片贴附步骤；所述固晶步骤和玻璃荧光屏制作步骤不分前后顺序；
所述固晶步骤为：在基板1上对多个的芯片2进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，烘烤后进行焊线；其中烘烤控制的温度150~220℃，时间为30min~240min使固晶胶固化，烘烤后进行焊线，该焊线通过金线21焊接。其中，也是可以等固晶完成后直接贴切割好的玻璃荧光片，最后进行焊线。
所述玻璃荧光片制作步骤为：将刮好的荧光胶片5，贴附在玻璃片4上，然后放置在治具上，把治具放置在真空层压机内进行真空层压；荧光胶片与玻璃片4贴附完成后，把治具贴附在切割UV膜上（治具上贴有高温双面胶，玻璃荧光片的玻璃面贴附高温胶），贴附完成放入切割机进行切割成多颗的玻璃荧光片，切割的尺寸，按需要贴附的芯片尺寸来定；切割完成后进行UV解胶，解胶完成后，UV膜与治具进行分开，再进行180~220℃对治具进行加热30~200S，高温胶与玻璃膜分开，使用蓝膜吸附起切割好的单颗玻璃荧光片，再进行芯片贴附步骤；其中，层压温度控制：100~200℃、第一段抽真空时间：5~200S，第二段抽真空时间：5~500S，第三段抽真空时间：5~800S；第一段抽真空气压：-10~100Kpa，第二段抽真空气压：-5~80Kpa，第三段抽真空气压：-0.2~60Kpa，层压完成后再充入0Kpa进行破真空（气压由上到下运行）操作。该抽真空时间段、抽真空气压段能增加荧光胶片与玻璃片之间的牢固性，且提高半导体抗衰减性。本发明中增加抽真空时间段、抽真空气压段或者不增加抽真空时间段、抽真空气压段，均属于本发明要保护的范围。
所述切割为：使用水冷却切割方式或激光切割方式，所述水冷却切割方式中切割机的进刀速度：1~100S，切割机转速：10000~30000转；刀片可以采用钨钢、陶瓷等材料均可以（刀片厚度0.05~1mm）。切割完成后进行除湿，除湿温度控制在60~150℃，时间10~200min来去除切割时冷却水。
所述芯片贴附步骤为：在固晶机上进行相应的玻璃荧光片贴附；即一颗玻璃荧光片对应一个芯片，贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤固化，固化后芯片贴附即完成。固化完成后，就可以按正常封装工艺进行点白胶（含透明胶）、注塑molding、切割、测试、分选、包装。只要运用此工艺，不管一颗或多颗芯片贴附，均属于本设计范围。
所述UV解胶时间：1~120S，解胶机灯珠波长：350~420nm，温度10~100℃。
在本发明中，所述贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂3进行连接，贴附完成进行烘烤，其中烘烤时间：20~240min，烘烤温度：100~200℃来进行固化。其中荧光胶片的制作方式为：把荧光粉继续配好、然后搅拌、真空脱泡，倒入在荧光膜机台进行荧光胶片制作（即平面载台、刮刀、刮膜机、分离膜、固化剂）。
其中，所述芯片的尺寸为5um~5000um。在本发明中，所述荧光胶片为白光、绿光、或者红光荧光胶片。该荧光胶片的颜色根据实际需要进行设置。还可以做任何颜色的玻璃荧光片，适用于单颗或多颗产品中。
总之，本发明采用玻璃片与荧光粉通过热粘合在一起（不需要通过第三物质，如胶、树脂等粘合，直接通过热进行粘合），然后进行切片成芯片形状，直接再贴附到芯片上，制作简单，成本低，这样可以提升荧光粉的利用率、色温一致性、可操作性、抗热、抗衰减更好等优势。且本发明打破现有传统的发光半导体，点胶、喷涂封装工艺和不能耐高温、功率低的弊端，操作方便。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
Claims (6)
1.一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：包括固晶步骤和玻璃荧光片制作步骤、以及芯片贴附步骤；所述固晶步骤和玻璃荧光屏制作步骤不分前后顺序；所述固晶步骤为：在基板上对多个的芯片进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，烘烤后进行焊线；
所述玻璃荧光片制作步骤为：将刮好的荧光胶片，贴附在玻璃片上，然后放置在治具上，把治具放置在真空层压机内进行真空层压；荧光胶片与玻璃片贴附完成后，把治具贴附在切割UV膜上，贴附完成放入切割机进行切割成多颗的玻璃荧光片，切割的尺寸，按需要贴附的芯片尺寸来定；切割完成后进行UV解胶，解胶完成后,UV膜与治具进行分开，使用蓝膜吸附起切割好的单颗玻璃荧光片，再进行芯片贴附步骤；所述进行真空层压时：层压温度控制：100～200℃、第一段抽真空时间：5～200S，第二段抽真空时间：5～500S，第三段抽真空时间：5～800S；第一段抽真空气压：-10～100Kpa，第二段抽真空气压：-5～80Kpa，第三段抽真空气压：-0.2～60Kpa，层压完成后再充入0Kpa进行破真空操作；
所述芯片贴附步骤为：在固晶机上进行相应的玻璃荧光片贴附；即一颗玻璃荧光片对应一个芯片，贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤固化，固化后芯片贴附即完成。
2.根据权利要求1所述的一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：所述固晶步骤进一步具体为：在基板上对多个的芯片进行固晶操作，固晶后进行烘烤使得固晶胶固化，其中烘烤控制的温度150～220℃，时间为30min～240min使固晶胶固化，烘烤后进行焊线。
3.根据权利要求1所述的一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：所述切割为：使用水冷却切割方式或激光切割方式，所述水冷却切割方式中切割机的进刀速度：1～100S，切割机转速：10000～30000转；切割完成后进行除湿，除湿温度控制在60～150℃，时间10～200min来去除切割时冷却水。
4.根据权利要求1所述的一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：所述UV解胶时间：1～120S，解胶机灯珠波长：350～420nm，温度10～100℃。
5.根据权利要求1所述的一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：所述贴附玻璃荧光片在芯片上时，中间需采用硅胶或硅树脂进行连接，贴附完成进行烘烤，其中烘烤时间：20～240min，烘烤温度：100～200℃来进行固化。
6.根据权利要求1所述的一种玻璃荧光片的发光半导体制作工艺，其特征在于：所述芯片的尺寸为5um～5000um。
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Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111653658A (zh) * | 2020-06-09 | 2020-09-11 | 福建天电光电有限公司 | 一种带有C-stage PIS固体荧光胶片的发光二极管的制备工艺 |
| CN111640844B (zh) * | 2020-06-17 | 2021-11-30 | 鸿利智汇集团股份有限公司 | 一种复合荧光膜及led封装工艺 |
| CN112325168A (zh) * | 2020-11-11 | 2021-02-05 | 深圳市昕铭光电科技有限公司 | 一体式膜发光平面光源及其制作工艺 |
| CN112909152A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-04 | 深圳市鑫业新光电有限公司 | 一种胶膜封装工艺 |
| CN112993123A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-18 | 深圳市鑫业新光电有限公司 | 一种贴玻璃片封装工艺 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102361056A (zh) * | 2010-10-15 | 2012-02-22 | 广东昭信灯具有限公司 | 高亮度大功率发光二极管及其制造方法 |
| CN104332550A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件及生产方法 |
| CN105006510A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-28 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种csp led的封装方法 |
| CN105514253A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-04-20 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led车灯光源及其制造方法 |
| CN106033789A (zh) * | 2015-03-18 | 2016-10-19 | 比亚迪股份有限公司 | 荧光粉基板及其制作方法和复合发光led及其制作方法 |
| CN106340581A (zh) * | 2016-08-25 | 2017-01-18 | 深圳市晶仕德光电有限公司 | 一种csp灯珠封装的方法 |
| WO2017041491A1 (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 柯全 | 倒装芯片的封装方法 |
| CN107265873A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-10-20 | 上海应用技术大学 | 一种白光led封装用低熔点荧光玻璃片及其制备方法 |
| CN109545910A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-03-29 | 华中科技大学 | 一种具备高热稳定性的直接白光led芯片制造方法 |
| CN209708975U (zh) * | 2019-06-05 | 2019-11-29 | 福建天电光电有限公司 | 一种基于玻璃荧光片的发光半导体结构 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
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Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102361056A (zh) * | 2010-10-15 | 2012-02-22 | 广东昭信灯具有限公司 | 高亮度大功率发光二极管及其制造方法 |
| CN104332550A (zh) * | 2014-10-30 | 2015-02-04 | 天水华天科技股份有限公司 | 基于氧化铍陶瓷基板的cob式led封装件及生产方法 |
| CN106033789A (zh) * | 2015-03-18 | 2016-10-19 | 比亚迪股份有限公司 | 荧光粉基板及其制作方法和复合发光led及其制作方法 |
| CN105006510A (zh) * | 2015-07-29 | 2015-10-28 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种csp led的封装方法 |
| WO2017041491A1 (zh) * | 2015-09-11 | 2017-03-16 | 柯全 | 倒装芯片的封装方法 |
| CN105514253A (zh) * | 2015-12-24 | 2016-04-20 | 广州市鸿利光电股份有限公司 | 一种led车灯光源及其制造方法 |
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| CN109545910A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-03-29 | 华中科技大学 | 一种具备高热稳定性的直接白光led芯片制造方法 |
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