DE102008051029A1 - Dotierte Granat-Leuchtstoffe mit Rotverschiebung für pcLEDs - Google Patents

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Julian Dr. Plewa
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Abstract

Die Erfindung betrifft Leuchtstoffe mit Granatstruktur der Formel I (Ya, Lub, Sec, Tbd, The, Irf, Sbg)3-x (AI5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (I) wobei a + b + c + d + e + f + g + h + i = 1 x = 0,005 bis 0,1 und y = 0 bis 4,0 gilt, sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Leuchtstoffe und Verwendung als Konversionsleuchtstoffe zur Konversion der blauen oder im nahen UV-liegenden Emission einer LED.

Description

  • Die Erfindung betrifft Leuchtstoffe, die aus mit Th4 +, Sb3 +, Ir3+ und/oder Se3+-codotierten Granaten bestehen, deren Herstellung sowie deren Verwendung als LED-Konversionsleuchtstoff für warm-weiße LEDs oder sogenannte Color-on-demand-Anwendungen.
  • Unter dem Color-on-demand Konzept versteht man die Realisierung von Licht eines bestimmten Farbpunktes mit einer pcLED (= phosphor converted LED) unter Einsatz eines oder mehrer Leuchtstoffe. Dieses Konzept wird z. B. verwendet, um bestimmte Corporate Designs z. B. für beleuchtete Firmenlogos, Marken etc. zu erzeugen.
  • Seit der Erfindung der blauen (In,Ga)N-Leuchtdioden (LEDs) Anfang der 90er Jahre (S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868) gibt es weltweit große Anstrengungen, um weiße Lichtquellen auf der Basis blauer InGaN Halbleiterchips zu realisieren. Dazu wird eine lumineszierende Pulverschicht bzw. eine Leuchtschirm verwendet, der direkt auf dem Chip aufgebracht wird und einen Teil der blauen LED-Strahlung in gelbes Licht umwandelt. Somit entsteht durch additive Farbmischung in der LED weißes Licht. Heutzutage kommerziell, erhältliche weiße LEDs enthalten fast ausschließlich Y3Al5O12:Ce (YAG:Ce) als gelben Leuchtstoff, der wegen seiner hohen Effizienz und Stabilität beinahe der ideale Konverter ist. Sein größter Nachteil ist der fehlende Rotanteil im Emissionsspektrum, so dass Festkörperlichtquellen mit YAG:Ce heute meist nur kalte Weißfarben (Tc > 5000 K) liefern, womit deren Einsatzbereich in der Allgemeinbeleuchtung, vor allem im Innenraumbereich, eingeschränkt ist. Ziel vieler vergangener Untersuchungen war es nun, YAG:Ce so zu modifizieren, dass die Emissionsbande des Ce3+ Aktivators in den roten Spektralbereich verschoben wird. Gemäß Forschungsergebnissen der Lichtindustrie (GE, Philips, Osram, Nichia, Toshiba, Matsushita, Citizen, etc...) ist es möglich, die nötige Rotverschiebung durch folgende Maßnahmen zu erreichen:
    • 1. Co-Dotierung mit den seltenen Erden Gd3 +, Tb3+ oder Dy3+
    • 2. Partielle Substitution der Oxidanionen durch Nitridanionen bei gleichzeitiger Ladungskompensation auf den Kationenplätzen
    • 3. Erhöhung der Ce3+ Konzentration
  • Leider wird durch diese Maßnahmen die Quantenausbeute des YAG:Ce Leuchtstoffes durch Konzentrations- oder thermische Löschung reduziert, was für die Anwendung in einer Lichtquelle nicht akzeptabel ist, weil dies in den vorliegenden Fällen auch zu einer Verringerung der Leuchtstoffhelligkeit führt. Die Leuchtstoffhelligkeit ist das wesentliche Kriterium für den Einsatz in Lichtquellen, weil der Kunde bei definierter Anregbarkeit und definiertem Farbpunkt die Wahl des Leuchtstoffes einzig auf Grund dessen Helligkeit durchführt. Der Leuchtstoffpreis spielt nicht die ausschlagende Rolle, weil dieser gemessen am Gesamtpreis für die LED vernachlässigbar gering ist. Es besteht darum weiterhin ein großer Bedarf, Lösungen zu finden, mit dem sich die Emissionsbande des 5d-4f-Übergangs des YAG:Ce in den roten Spektralbereich verschieben lässt, ohne die Helligkeit des Leuchtstoffes zu reduzieren.
  • In der CN 100999662 werden co-dotierte Granate der Summenformel (R3-x-yCexLny)A5O12 mit R mind. ein Element aus Pr, Nd, Sm, Dy, Bi und A mind. ein Element aus B, Al, Ga, Si, Mn, Mg mit 0,01 >= x <= 1,2 und 0 <= y <= 0,2 beschrieben. Die Materialien werden über das dem Fachmann bekannte Festkörperdiffusions-Verfahren (auch mix & fire genannt) aus Oxiden in einer CO-Atmosphäre geglüht. Das CO wird hergestellt, indem ein Behältnis mit Aktivkohle um den Tiegel, in dem sich die Edukte befinden, platziert wird. Beim Erhitzen bildet sich ein Boudouard Gleichgewicht, wodurch eine CO-Gasatmosphäre entsteht. Die entstehenden Materialien werden in relativen Helligkeiten beschrieben, wodurch aber nicht nachvollziehbar ist, wie hell diese Materialien tatsächlich sind. Aus der chinesischen Anmeldung geht hervor, dass die Reduktion mittels durch Boudouard Gleichgewicht hergestelltem CO ungünstig ist. Außer der Unmöglichkeit der Einstellung eines CO Partialdruckes entgeht die Kontrolle darüber, ob während des Glühprozesses die Aktivkohle aufgebraucht wird. Trifft das zu, so wird das Ofengut oxidiert, wodurch die Leuchtstoffeigenschaften maßgeblich beeinträchtigt werden können. Diese Methode ist auch entgegen der Aussage in der CN 100999662 u. a. wegen der Art der Erzeugung des CO nicht für eine kontinuierliche Produktion geeignet.
  • Des Weiteren offenbart die WO2008051486 ein Material (Y, A)3(Al, B)5(O, C)12:Ce3+ mit A (ist ein Element aus Tb, Gd, Sm, La, Sr, Ba, Ca und A Y substituiert in einem Ausmaß von 0,1 bis 100%), mit B (ist ein Element aus Si, Ge, B, P, Ga und B substituiert Al in einem Ausmaß von 0,1 bis 100%) und mit C (ist ein Element aus F, Cl, N, S und C substituiert 0 in einem Ausmaß von 0,1 bis 100%). Die hier beschriebenen 200–300 nm großen Nano-Leuchtstoffpartikel führen in der LED zu einer geringeren Helligkeit, als Mikropartikel, was dem Fachmann geläufig ist: In solch kleinen Partikeln befindet sich ein großer Teil der Ce-Aktivatoren an der Oberfläche. Dort sind diese Ionen einem inhomogenen Kristallfeld ausgesetzt und unvermeidliche Oberflächendefekte führen zur Absorption von den zu emittierenden Photonen. Fluor enthaltende Leuchtstoffe können nicht in LEDs eingesetzt werden, weil Fluor(id) als Bestandteil der ROHS Liste in elektronischen Bauteilen (LEDs) nicht vorhanden sein darf. Die beschriebenen Leuchtstoffe können in einem Bereich zwischen „540–560” nm emittieren. Diese Wellenlängen sind auf einfachere Weise zugänglich, indem ein YAG, LuAG bzw. TAG verwendet wird.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher rotverschobene, d. h. im Bereich von 560–605 nm fluoreszierende, Konversionsleuchtstoffe für weiße LEDs oder für Color-on-demand-Anwendungen, zur Verfügung zu stellen, die eines oder mehrere der oben genannten Nachteile nicht aufweisen und warm weißes Licht erzeugen.
  • Überraschenderweise wurde gefunden, dass sich helle und hocheffiziente YAG:Ce-Leuchtstoffe mit einer deutlichen Rotverschiebung realisieren lassen, wenn man einen Teil der Al3+-Kationen durch Si4+ und gleichzeitig zur Ladungskompensation einen analogen Anteil der Al3 +-Kationen durch Mg2+ substituiert, falls als Codotanten eines oder mehrere Elemente aus der Gruppe Se, Th, Ir, Sb eingesetzt werden. Vorzugsweise liegen diese vier Codotanten jeweils mindestens in einer Konzentration von 100 ppm vor.
  • Gegenstand der vorliegenden Erfindung sind somit Leuchtstoffe mit Granatstruktur der Formel (Ya, Lub, Sec, Tbd, The, Irf, Sbg)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (I)wobei
    a + b + c + d + e + f + g + h + i + j + k = 1
    x = 0,005 bis 0,1 und
    y = 0 bis 4,0 gilt.
  • Unter Granatstruktur ist hier selbstverständlich auch eine geringfügig vom Idealfall des Granats abweichende, auf Fehlstellen oder Gitterstörungen beruhende Struktur gemeint, solange dieser Kristall die typische Granatstruktur beibehält. Unter der typischen Granatstruktur versteht man allgemein A3B5O12:D, wobei A = Seltenerdmetall (SE); B = Al, Ga; und D = Aktivator, der SE ersetzt wie z. B. Cer, bedeutet.
  • Bevorzugt ist es, wenn die Dotierkonzentration des Cers zwischen 0.5 und 10 Gew.% liegt. Besonders bevorzugt liegt sie zwischen 2.0 und 5.0 Gew.% % und am bevorzugtesten zwischen 3.0 und 3.5 Gew.%. Bei einer Cer-Konzentration zwischen 3.0 und 3.5 Gew.% kommt es zu generell zu einer verstärkten Absorption und dadurch zu einer erhöhten Lichtausbeute bzw. einer größeren Helligkeit des Leuchtstoffes. Eine höhere Cer-Konzentration würde die Quantenausbeute reduzieren und damit wiederum zu einer verringerten Lichtausbeute führen.
  • Der Substitutionsgrad y bestimmt im Wesentlichen die Lage des Emissionsmaximums der obigen Zusammensetzung. Bei Y3Al5-yMgy/2Siy/2O12:Ce lässt sich damit das Maximum der Ce3+ Emissionsbande von 555 nach 605 nm verschieben. Die Co-dotanden Sb, Ir, Th, Se haben keinen wesentlichen Einfluss auf die Lage des Emissionsmaximums bzw. dem Farbpunkt der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe.
  • Mit den dem Fachmann bekannten Theorien kann die gefundene Rotverschiebung wie folgt erklärt werden: Verantwortlich für die Rotverschiebung der YAG:Ce Leuchtstoffe ist der kovalente Charakter der Ce-O-Bindungen, d. h. die effektive negative Ladung der Anionen und der Überlapp zwischen den Anionen- und den Aktivatororbitalen. Allgemein lässt sich feststellen, dass mit steigendem kovalenten Charakter die Ce3+ Emissionsbande des [Xe]5d1 → [Xe]4f1 Interkonfigurationsüberganges in den roten Spektralbereich verschoben und gleichzeitig die Abklingzeit reduziert wird, da der Energieabstand des Grundzustands [Xe]4f1 zum 1. angeregten Zustand [Xe]5d1 durch die Abnahme des Starkeffektes verkleinert wird. Damit lässt sich auch erklären, warum eine Substitution von O2– durch N3–, wie schon in der Literatur beschrieben (A. A. Setlur, W. J. Heward, M. E. Hannah, U. Happek, Chem. Mater. 20 (2008) 6227) den gleichen Effekt hat.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Leuchtstoff der Formel VI Y3Al5-x-yMgx/2Six/2+yO12-yNy:Ce, Lu, Se, Tb, Th, Ir, Sb (VI)wobei
    mit x = 0 bis 4.0
    y = 0 bis 4.0 und x + y ≤ 4.0 gilt.
  • Im Leuchtstoff der Formel VI ist zusätzlich Stickstoff eingebaut, wobei nun die Ladungskompensation über die Änderung der Kationenverhältnisse erfolgt. Die Kationen Se, Th, Ir und Sb fungieren auch hier als Codotanten.
  • Die größere Helligkeit der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe gemäß den Formeln I bis VI gegenüber denjenigen identischer Zusammensetzung, aber ohne die Co-dotanden Se, Th, Ir, Sb lässt sich mit den dem Fachmann bekannten Theorien dadurch erklären, dass diese Ionen einen Einfluss auf die Lebensdauer der angeregten Ce3+ Zustände [Xe]5d1 haben in der Art, dass die Lebensdauer verkürzt wird. In diesem Fall kehren die [Xe]5d1 Elektronen schneller in Grundzustand [Xe]4f1 zurück unter Emission der Fluoreszenzstrahlung. Von dort aus können die Elektronen sofort wieder angeregt werden und anschließend wieder emittieren. Unter diesen Voraussetzungen ist der Leuchtstoff in der Lage in gleicher Zeiteinheit mehr Licht zu absorbieren und mehr Licht zu emittieren, wodurch die höhere Helligkeit entsteht. Die Codotierung führt zu keiner wesentlichen Rotverschiebung.
  • Besonders bevorzugt ist ein Leuchtstoff nach Formel I, wobei es sich bei der Verbindung nach Formel I um eine Verbindung ausgewählt aus den Verbindungen mit den Formeln II bis V handelt: (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Sbc)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (II) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Th)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (III) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Sec)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (IV) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Irc)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (V)wobei für die Formeln II bis V
    x = 0.005 bis 0.1
    y = 0 bis 4,0
    a + b + c = 1 und a = 0 bis 0.9995; b = 0 bis 0.9995; c = 0,0005 bis 0,1 gilt. Vorzugsweise ist x = 0.015 bis 0.05.
  • Die Partikelgröße der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe beträgt zwischen 50 nm und 30 μm, vorzugsweise zwischen 1 μm und 20 μm, noch bevorzugter zwischen 2 und 10 μm.
  • In einer weiteren Ausführungsform kann der Leuchtstoff der Formel I zusätzlich mindestens einem weiteren der folgenden Leuchtstoffmaterialien enthalten: Oxide, Molybdate, Wolframate, Vanadate, Gruppe-III Nitride, (Oxi)-nitride jeweils einzeln oder Gemischen derselben mit einem oder mehreren Aktivatorionen wie Ce, Eu, Mn, Cr und/oder Bi. Dies ist besonders dann von Vorteil, wenn bestimmte Farbräume eingestellt werden sollen.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besitzt der Leuchtstoff auf der, einem LED Chip entgegengesetzten Seite eine strukturierte (z. B. pyramidale) Oberfläche (siehe WO2008/058619 , Merck, die voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt wird). Somit kann möglichst viel Licht aus dem Leuchtstoff ausgekoppelt werden.
  • Die strukturierte Oberfläche auf dem Leuchtstoff wird durch nachträgliches Beschichten mit einem geeigneten Material, welches bereits strukturiert ist, oder in einem nachfolgenden Schritt durch (photo-)lithografische Verfahren, Ätzverfahren oder durch Schreibverfahren mit Energie- oder Materiestrahlen oder Einwirkung von mechanischen Kräften hergestellt.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besitzen die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe auf der, einem LED Chip entgegengesetzten Seite eine raue Oberfläche, die Nanopartikel aus SiO2, TiO2, Al2O3 , ZnO2 , ZrO2 und/oder Y2O3 oder Kombinationen aus diesen Materialien und/oder aus Partikeln mit der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel I mit oder ohne Dotierstoffen aus der Reihe Ce, Th, Ir, Sb und/oder Se trägt. Dabei hat eine raue Oberfläche eine Rauhigkeit von bis zu einigen 100 nm. Die beschichtete Oberfläche hat den Vorteil, dass Totalreflexion verringert oder verhindert werden kann und das Licht besser aus dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff ausgekoppelt werden kann (siehe WO2008/058619 (Merck), die voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt wird.)
  • Weiterhin bevorzugt ist es, wenn die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe auf der dem Chip abgewandten Oberfläche eine Brechzahl angepasste Schicht besitzen, welche die Auskopplung der Primärstrahlung und oder der vom Leuchtstoffkörper emittierten Strahlung erleichtert.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besitzen die Leuchtstoffe eine geschlossene Oberflächenbeschichtung, die aus SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide und/oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel I ohne den Aktivator Cer besteht. Diese Oberflächenbeschichtung hat den Vorteil, dass durch eine geeignete Abstufung der Brechungsindices der Beschichtungsmaterialien eine Anpassung des Brechungsindex mit der Umgebung erzielt werden kann. In diesem Fall wird die Streuung des Lichtes an der Oberfläche des Leuchtstoffes verringert und ein größerer Anteil des Lichtes kann in den Leuchtstoff eindringen und dort absorbiert und konvertiert werden. Außerdem ermöglicht es die Brechungsindex-angepasste Oberflächenbeschichtung, dass mehr Licht aus dem Leuchtstoff ausgekoppelt wird, weil die interne Totalreflexion verringert wird.
  • Zudem ist eine geschlossene Schicht dann vorteilhaft, wenn der Leuchtstoff verkapselt werden muss. Dies kann erforderlich sein, um einer Empfindlichkeit des Leuchtstoffes oder Teilen davon gegen diffundierendes Wasser oder andere Materialien in der unmittelbaren Umgebung zu entgegnen. Ein weiterer Grund für die Verkapselung mit einer geschlossenen Hülle ist eine thermische Entkoppelung des eigentlichen Leuchtstoffes von der Wärme, die im Chip entsteht. Diese Wärme führt zu einer Verringerung der Fluoreszenzlichtausbeute des Leuchtstoffes und kann auch die Farbe des Fluoreszenzlichts beeinflussen. Schließlich ist es möglich durch eine solche Beschichtung die Effizienz des Leuchtstoffes zu erhöhen, indem im Leuchtstoff entstehende Gitterschwingungen in ihrer Ausbreitung an die Umgebung gehindert werden.
  • Außerdem bevorzugt ist es, wenn die Leuchtstoffe eine poröse Oberflächenbeschichtung besitzen, die aus SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus und/oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel I mit oder ohne Dotierstoffen aus der Reihe Ce, Th, Ir, Sb und/oder Se besteht. Diese porösen Beschichtungen bieten die Möglichkeit, den Brechungsindex einer Einfachschicht weiter zu reduzieren. Die Herstellung solcher poröser Beschichtungen kann nach drei herkömmlichen Methoden geschehen, wie sie in WO 03/027015 beschrieben werden, die voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt wird: das Ätzen von Glas (z. B.
  • Natron-Kalk-Gläser (siehe US 4019884 )), das Aufbringen einer porösen Schicht und die Kombination aus poröser Schicht und einem Ätzvorgang.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform besitzen die Leuchtstoffe eine Oberfläche, die funktionelle Gruppen trägt, welche eine chemische oder physikalische Anbindung an die Umgebung, vorzugsweise bestehend aus Epoxy- oder Silikonharz ermöglicht. Diese funktionellen Gruppen können z. B. über Oxogruppen angebundene Ester oder andere Derivate sein, die mit Bestandteilen der Bindemittel auf Basis von Epoxiden und/oder Silikonen Verknüpfungen eingehen können. Solche Oberflächen haben den Vorteil, dass eine homogene Einmischung der Leuchtstoffe in das Bindemittel ermöglicht wird. Des Weiteren können dadurch die rheologischen Eigenschaften des Systems Leuchtstoff/Bindemittel und auch die Topfzeiten in einem gewissen Masse eingestellt werden. Damit wird die Verarbeitung der Gemische vereinfacht. Von einer physikalischen Anbindung an die Umgebung spricht man in diesem Zusammenhang, wenn zwischen den Systemen elektrostatische Wechselwirkungen über Ladungsfluktuationen oder Partialladungen wirken.
  • Da die auf dem LED Chip aufgebrachte erfindungsgemäße Leuchtstoffschicht vorzugsweise aus einem Gemisch von Silikon und homogenen Leuchtstoffpartikeln besteht, und das Silikon eine Oberflächenspannung aufweist, ist diese Leuchtstoffschicht auf mikroskopischer Ebene nicht einheitlich bzw. ist die Dicke der Schicht nicht durchweg konstant.
  • Des Weiteren können die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe 0 bis 20 Gew.% Alkali- oder Erdalkalimetalle wie Li, Na, K, Ca, Sr, Ba und Halogenide wie F oder Cl enthalten. Diese werden vorzugsweise als Flussmittel bei der Leuchtstoffherstellung eingesetzt und dienen zur Erhöhung der Kristallqualität, Grobeinstellung der Partikelgröße und der Partikelmorphologie und besitzen dadurch ein hohes Potential zur Effizienzsteigerung der Leuchtstoffe.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Leuchtstoff mit Granatstruktur erhältlich durch Mischen von Aluminium-, Magnesium, Silicium, Yttrium- und Cer-haltigen Edukten mit mindestens einem Antimon, Selen, Iridium und/oder Thorium-haltigen Co-Dotierstoff nach Festkörperdiffusionsmethoden und anschließender thermischer Nachbehandlung, welcher ein Flussmittel aus der Reihe der Alkali- oder Erdalkalihalogenide oder eine Boratverbindung enthalten kann.
  • Die Edukte zur Herstellung des Leuchtstoffs bestehen, wie oben erwähnt, aus dem Basismaterial (z. B. Oxiden des Aluminiums, Yttriums; Siliciums, Magnesiums und Cer) sowie mindestens einem Sb, Se, Ir oder Th-haltigen Dotierstoff und gegebenenfalls weiteren Lu- oder Tb-haltigen Materialien. Als Edukte kommen neben Oxiden auch weitere anorganische und/oder organische Stoffe wie Nitrate, Carbonate, Hydrogencarbonate, Phosphate, Carboxylate, Alkoholate, Acetate, Oxalate, Halogenide, Sulfate, metallorganische Verbindungen, Hydroxide der Metalle, Halbmetalle, Übergangsmetalle und/oder Seltenerden in Frage, welche in anorganischen und/oder organischen Flüssigkeiten gelöst und/oder suspendiert sein können. Vorzugsweise werden Oxide eingesetzt, welche die entsprechenden Elemente im erforderlichen stöchiometrischen Verhältnis enthalten.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoff mit folgenden Verfahrensschritten:
    • a) Herstellen einer Cer-aktivierten Leuchtstoffes, der mit Sb-, Se-, Ir- und/oder Th-haltigen Materialien codotiert wird, durch Mischen von mindestens 5 Edukten ausgewählt aus Y-, Al-, Mg-, Si-. Ce-, Lu-, Tb-, haltigen Materialien.
    • b) Thermische Nachbehandlung des Sb-, Se-, Ir- und/oder Th-codotierten Leuchtstoffes.
  • Neben der bevorzugten Herstellung der Leuchtstoffe über Festkörperdiffusionsmethode können auch folgende bekannte nasschemische Methoden eingesetzt werden:
    • • Cofällung mit einer NH4HCO3-Lösung (siehe z. B. Jander, Blasius Lehrbuch der analyt. u. präg. anorg. Chem. 2002)
    • • Pecchini-Verfahren mit einer Lösung aus Zitronensäure und Ethylenglykol (siehe z. B. Annual Review of Materials Research Vol. 36: 2006, 281–331)
    • • Combustion-Verfahren unter Verwendung von Harnstoff
    • • Sprühtrocknung wässriger oder organischer Salzlösungen (Edukte)
    • • Sprühpyrolyse (auch Spraypyrolyse genannt) wässriger oder organischer Salzlösungen (Edukte)
    • • Eindampfen von Nitratlösungen und thermischer Umsetzung des Rückstandes
  • Bei der o. g. Cofällung werden z. B. Nitratlösungen der entsprechenden Leuchtstoffedukte mit einer NH4HCO3-Lösung versetzt, wodurch sich der Leuchtstoffprecursor bildet.
  • Beim Pecchini-Verfahren werden z. B. die o. g. Nitratlösungen der entsprechenden Leuchtstoffedukte bei Raumtemperatur mit einem Fällungsreagenz bestehend aus Zitronensäure und Ethylenglykol versetzt und anschließend erhitzt. Durch Erhöhung der Viskosität kommt es zur Leuchtstoffprecursor-Bildung.
  • Beim bekannten Combustion-Verfahren werden z. B. die o. g. Nitratlösungen der entsprechenden Leuchtstoffedukte in Wasser gelöst, dann unter Rückfluss gekocht und mit Harnstoff versetzt, wodurch sich der Leuchtstoffprecursor langsam bildet.
  • Die Sprühpyrolyse gehört zu den Aerosolverfahren, die durch Versprühen von Lösungen, Suspensionen oder Dispersionen in einen durch unterschiedliche Art und Weise erhitzten Reaktionsraum (Reaktor) sowie die Bildung und Abscheidung von Feststoff- Partikeln gekennzeichnet sind. Im Gegensatz zur Sprühtrocknung mit Heißgastemperaturen < 200°C finden bei der Sprühpyrolyse als Hochtemperatur- Prozess außer der Verdampfung des Lösungsmittels zusätzlich die thermische Zersetzung der verwendeten Edukte (z. B. Salze) sowie die Neubildung von Stoffen (z. B. Oxide, Mischoxide) statt.
  • Die oben genannten 6 Verfahrensvarianten sind ausführlich in der WO2007/144060 (Merck) beschrieben, die voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt wird.
  • Bei der oben genannten thermischen Nachbehandlung ist es bevorzugt, wenn die Glühung zumindest teilweise unter reduzierenden Bedingungen (z. B. mit Kohlenmonoxid, Formiergas, reinen oder Wasserstoff oder zumindest Vakuum oder Sauerstoffmangel-Atmosphäre) durchgeführt wird.
  • Mit Hilfe der o. g. Verfahren können beliebige äußere Formen der Leuchtstoffpartikel hergestellt werden, wie sphärische Partikel, Plättchen und strukturierte Materialien und Keramiken.
  • Die Herstellung von plättchenförmigen Leuchtstoffen als weitere bevorzugte Ausführungsform geschieht nach herkömmlichen Verfahren aus den entsprechenden Metall- und/oder Seltenerd-Salzen. Das Herstellverfahren ist in EP 763573 und WO2008/058620 ausführlich beschrieben, welche voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt werden. Diese plättchenförmigen Leuchtstoffe können hergestellt werden, indem ein natürlicher oder synthetisch hergestellter hoch stabiler Träger bzw. ein Substrat aus beispielsweise Glimmer-, SiO2-, Al2O3-, ZrO2, Glas- oder TiO2-Plättchen, welches ein sehr großes Aspektverhältnis aufweist, eine atomar glatte Oberfläche und eine einstellbare Dicke besitzt, durch Fällungsreaktion in wässriger Dispersion oder Suspension mit einer Leuchtstoffschicht beschichtet werden kann. Neben Glimmer, ZrO2, SiO2, Al2O3, Glas oder TiO2 oder Gemischen derselben können die Plättchen auch aus dem Leuchtstoffmaterial selbst bestehen, oder aus einem Material aufgebaut sein. Falls das Plättchen selbst lediglich als Träger für die Leuchtstoffbeschichtung dient, muss diese aus einem Material bestehen, welches transparent für die Primärstrahlung der LED ist, oder die Primärstrahlung absorbiert und diese Energie auf die Leuchtstoffschicht überträgt. Die plättchenförmigen Leuchtstoffe werden in einem Harz (z. B. Silikon- oder Epoxidharz), dispergiert und diese Dispersion wird auf dem LED Chip aufgebracht. Die plättchenförmigen Leuchtstoffe können in Dicken von 50 nm bis zu etwa 20 μm, vorzugsweise zwischen 150 nm und 5 μm, grosstechnisch hergestellt werden. Der Durchmesser beträgt dabei von 50 nm bis 20 μm. Er besitzt in der Regel ein Aspektverhältnis (Verhältnis des Durchmessers zur Teilchendicke) von 1:1 bis 400:1, und insbesondere 3:1 bis 100:1. Die Plättchenausdehnung (Länge × Breite) ist von der Anordnung abhängig. Plättchen eignen sich auch als Streuzentren innerhalb der Konversionsschicht, insbesondere dann, wenn sie besonders kleine Abmessungen aufweisen. Die dem LED Chip zugewandte Oberfläche des erfindungsgemäßen plättchenförmigen Leuchtstoffes kann mit einer Beschichtung versehen werden, welche entspiegelnd in Bezug auf die von dem LED Chip emittierte Primärstrahlung wirkt. Dies führt zu einer Verringerung der Rückstreuung der Primärstrahlung, wodurch diese besser in den erfindungsgemäßen Leuchtstoffkörper eingekoppelt werden kann.
  • Hierfür eignen sich beispielsweise brechzahlangepasste Beschichtungen, die eine folgende Dicke d aufweisen müssen: d = [Wellenlänge der Primärstrahlung des LED Chips/(4·Brechzahl der Leuchtstoffkeramik)], s. beispielsweise Gerthsen, Physik, Springer Verlag, 18. Auflage, 1995. Diese Beschichtung kann auch aus photonischen Kristallen bestehen. Wobei hierunter auch eine Strukturierung der Oberfläche des plättchenförmigen Leuchtstoffes fällt, um bestimmte Funktionalitäten zu erreichen.
  • Die Herstellung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe in Form von keramischen Körpern erfolgt analog nach dem in der WO 2008/017353 (Merck) beschrieben Verfahren, die voll umfänglich in den Kontext der vorliegenden Anmeldung durch Bezugnahme eingefügt wird. Dabei wird der Leuchtstoff durch Mischen der entsprechenden Edukte und Dotierstoffe nasschemisch hergestellt, anschließend isostatisch verpresst und in Form eines homogenen dünnen und nicht porösen Plättchens direkt auf die Oberfläche des Chips aufgebracht. Somit findet keine ortsabhängige Variation der Anregung und Emission des Leuchtstoffes statt, wodurch die damit ausgerüstete LED einen homogenen und farbkonstanten Lichtkegel emittiert und über eine hohe Lichtleistung verfügt. Die keramischen Leuchtstoffkörper können z. B. als Plättchen in Dicken von einigen 100 nm bis zu etwa 500 μm großtechnisch hergestellt werden. Die Plättchenausdehnung (Länge × Breite) ist von der Anordnung abhängig. Bei direkter Aufbringung auf den Chip ist die Größe des Plättchens gemäß der Chipausdehnung (von ca. 100 μm·100 μm bis zu mehreren mm2) mit einem gewissen Übermaß von ca. 10%–zu 30% der Chipoberfläche bei geeigneter Chipanordnung (z. B. Flip-Chip-Anordnung) oder entsprechend zu wählen. Wird das Leuchtstoffplättchen über einer fertigen LED angebracht, so ist der austretende Lichtkegel vollständig vom Plättchen zu erfassen.
  • Die Seitenflächen des keramischen Leuchtstoffkörpers können mit einem Leicht- oder Edelmetall, vorzugsweise Aluminium oder Silber verspiegelt werden. Die Verspiegelung bewirkt, dass kein Licht lateral aus dem Leuchtstoffkörper austritt. Lateral austretendes Licht kann den aus der LED auszukoppelnden Lichtstrom verringern. Die Verspiegelung des keramischen Leuchtstoffkörpers erfolgt in einem Prozessschritt nach der isostatischen Verpressung zu Stangen oder Plättchen, wobei vor der Verspiegelung eventuell ein Schneider der Stangen oder Plättchen in die erforderliche Größe erfolgen kann. Die Seitenflächen werden hierzu z. B. mit einer Lösung aus Silbernitrat und Glucose benetzt und anschließend bei erhöhter Temperatur einer Ammoniak-Atmosphäre ausgesetzt. Hierbei bildet sich z. B. ein silberner Belag auf den Seitenflächen aus. Alternativ bieten sich auch stromlose Metallisierungsverfahren an, siehe beispielsweise Hollemann-Wiberg, Lehrbuch der Anorganischen Chemie, Walter de Gruyter Verlag oder Ullmanns Enzyklopädie der chemischen Technologie. Der keramische Leuchtstoffkörper kann, falls erforderlich, mit einer Wasserglaslösung auf dem Untergrund eines LED Chip fixiert werden.
  • In einer weiteren Ausführungsform besitzt der keramische Leuchtstoffkörper auf der, einem LED Chip entgegengesetzten Seite eine strukturierte (z. B. pyramidale) Oberfläche. Somit kann möglichst viel Licht aus dem Leuchtstoffkörper ausgekoppelt werden. Die strukturierte Oberfläche auf dem Leuchtstoffkörper wird dadurch hergestellt, in dem beim isostatischen Verpressen das Presswerkzeug eine strukturierte Pressplatte aufweist und dadurch eine Struktur in die Oberfläche prägt. Strukturierte Oberflächen sind dann gewünscht, wenn möglichst dünne Leuchtstoffkörper bzw. Plättchen hergestellt werden sollen. Die Pressbedingungen sind dem Fachmann bekannt (siehe J. Kriegsmann, Technische keramische Werkstoffe, Kap. 4, Deutscher Wirtschaftsdienst, 1998). Wichtig ist, dass als Presstemperaturen 2/3 bis zu 5/6 der Schmelztemperatur des zu verpressenden Stoffes verwendet werden.
  • Die Anregbarkeit der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe erstrecken sich zudem über einen weiten Bereich, der von etwa 410 nm bis 530 nm, bevorzugt 430 nm bis zu etwa 500 nm reicht. Damit sind diese Leuchtstoffe nicht nur zur Anregung durch UV oder blau emittierende Primärlichtquellen wie LEDs oder konventionelle Entladungslampen (z. B. auf Hg-Basis) geeignet, sondern auch für Lichtquellen wie solche, welche die blaue In3+-Linie bei 451 nm ausnutzen.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist eine Beleuchtungseinheit mit mindestens einer Primärlichtquelle, dessen Emissionsmaximum bzw. -maxima im Bereich 410 nm bis 530 nm, bevorzugt 430 nm bis zu etwa 500 nm reicht. insbesondere bevorzugt ist ein Bereich zwischen 440 und 480 nm, wobei die primäre Strahlung teilweise oder vollständig durch die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe in längerwellige Strahlung konvertiert wird. Vorzugsweise ist diese Beleuchtungseinheit weiß emittierend oder emittiert Licht mit einem bestimmten Farbpunkt (Color-on-demand-Prinzip). Bevorzugte Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Beleuchtungseinheiten sind in den 9 bis 20 dargestellt.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Beleuchtungseinheit handelt es sich bei der Lichtquelle um ein lumineszentes IndiumAluminiumGalliumNitrid, insbesondere der Formel IniGajAlkN, wobei 0 ≤ i, 0 ≤ j, 0 ≤ k, und i + j + k = 1 ist. Dem Fachmann sind mögliche Formen von derartigen Lichtquellen bekannt. Es kann sich hierbei um lichtemittierende LED-Chips unterschiedlichen Aufbaus handeln.
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Beleuchtungseinheit handelt es sich bei der Lichtquelle um eine lumineszente auf ZnO, TCO (Transparent conducting Oxide), ZnSe oder SiC basierende Anordnung oder auch um eine auf einer organischen lichtemittierende Schicht basierende Anordnung (OLED).
  • In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Beleuchtungseinheit handelt es sich bei der Lichtquelle um eine Quelle, die Elektrolumineszenz und/oder Photolumineszenz zeigt. Weiterhin kann es sich bei der Lichtquelle auch um eine Plasma- oder Entladungsquelle handeln.
  • Die erfindungsgemäßen Leuchtstoffe können entweder in einem Harz dispergiert (z. B. Epoxy- oder Siliconharz), oder bei geeigneten Größenverhältnissen direkt auf der Primärlichtquelle angeordnet werden oder aber von dieser, je nach Anwendung, entfernt angeordnet sein (letztere Anordnung schließt auch die „Remote phosphor Technologie” mit ein). Die Vorteile der „Remote phosphor Technologie” sind dem Fachmann bekannt und z. B. der folgenden Publikation zu entnehmen: Japanese Journ. of Appl. Phys. Vol. 44, No. 21 (2005). L649–L651.
  • In einer weiteren Ausführungsform ist es bevorzugt, wenn die optische Ankopplung der Beleuchtungseinheit zwischen dem Leuchtstoff und der Primärlichtquelle durch eine lichtleitende Anordnung realisiert wird. Dadurch ist es möglich, dass an einem zentralen Ort die Primärlichtquelle installiert wird und diese mittels lichtleitender Vorrichtungen, wie beispielsweise lichtleitenden Fasern, an den Leuchtstoff optisch angekoppelt ist. Auf diese Weise lassen sich den Beleuchtungswünschen angepasste Leuchten lediglich bestehend aus einem oder unterschiedlichen Leuchtstoffen, die zu einem Leuchtschirm angeordnet sein können, und einem Lichtleiter, der an die Primärlichtquelle angekoppelt ist, realisieren. Auf diese Weise ist es möglich, eine starke Primärlichtquelle an einen für die elektrische Installation günstigen Ort zu platzieren und ohne weitere elektrische Verkabelung, sondern nur durch Verlegen von Lichtleitern an beliebigen Orten Leuchten aus Leuchtstoffen, welche an die Lichtleiter gekoppelt sind, zu installieren.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe zur teilweisen oder vollständigen Konversion der blauen oder im nahen UV-liegenden Emission einer Lumineszenzdiode.
  • Weiterhin bevorzugt ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe zur Konversion der blauen oder im nahen UV-liegenden Emission in sichtbare weiße Strahlung. Weiterhin ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe zur Konversion der Primärstrahlung in einen bestimmten Farbpunkt nach dem „Color an demand”-Konzept bevorzugt.
  • Ein weiterer Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe in Elektrolumineszenz-Materialien, wie beispielsweise Elektrolumineszenz-Folien (auch Leuchtfolien oder Lichtfolien genannt), in denen beispielsweise Zinksulfid oder Zinksulfid dotiert mit Mn2+, Cu+, oder Ag+ als Emitter eingesetzt wird, die im gelbgrünen Bereich emittieren. Die Anwendungsbereiche der Elektrolumineszenz-Folie sind z. B. Werbung, Displayhintergrundbeleuchtung in Flüssigkristallbildschirmen (LC-Displays) und Dünnschichttransistor-Displays (TFT-Displays), selbstleuchtende KFZ-Kennzeichenschilder, Bodengrafik (in Verbindung mit einem tritt- und rutschfesten Laminat), in Anzeigen- und/oder Bedienelementen beispielsweise in Automobilen, Zügen, Schiffen und Flugzeugen oder auch Haushalts-, Garten-, Mess- oder Sport- und Freizeitgeräten.
  • Die folgenden Beispiele sollen die vorliegende Erfindung verdeutlichen. Sie sind jedoch keinesfalls als limitierend zu betrachten. Alle Verbindungen oder Komponenten, die in den Zubereitungen verwendet werden können, sind entweder bekannt und käuflich erhältlich oder können nach bekannten Methoden synthetisiert werden. Die in den Beispielen angegebenen Temperaturen gelten immer in °C. Es versteht sich weiterhin von selbst, dass sich sowohl in der Beschreibung als auch in den Beispielen die zugegebenen Mengen der Komponenten in den Zusammensetzungen immer zu insgesamt 100% addieren. Gegebene Prozentangaben sind immer im gegebenen Zusammenhang zu sehen. Sie beziehen sich üblicherweise aber immer auf die Masse der angegebenen Teil- oder Gesamtmenge.
  • Beispiele
  • Beispiel 1a: Herstellung des orange emittierenden Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu)3AlMg2Si2O12:Ce
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g Y2O3, 15,5193 g Lu2O3, 2.1207 g Al2O3, 0.4130 g CeO2, 8.0094 g MgCO3 und 4,9067 g SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 um Sieb gesiebt.
  • Beispiel 1b: Herstellung des orange emittierenden, mit Sb codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Sb)3AlMg2Si2O12:Ce, mit Lu:Sb = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,2778 g (36 mmol) Lu2O3, 0,9108 g (3 mmol) Sb2O3, 2.1207 g (21 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 8.0094 g (95 mmol) MgCO3 und (82 mmol) 4,9067 g SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 1c: Herstellung des orange emittierenden, mit Th codierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Th)3AlMg2Si2O12:Ce, mit Lu:Th = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,2778 g (36 mmol) Lu2O3, 1,5840 g (6 mmol) ThO2, 2.1207 g (21 mmol) Al2O3, 0.4130 g CeO2, 8.0094 g (95 mmol) MgCO3 und (82 mmol) 4,9067 g SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 1d: Herstellung des orange emittierenden, mit Se codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Se)3AlMg2Si2O12:Ce, mit Lu:Se = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,2778 g (36 mmol) Lu2O3, 06480 g (6 mmol) SeO2, 2.1207 g (21 mmol) Al2O3, 0.4130 g CeO2, 8.0094 g (95 mmol) MgCO3 und (82 mmol) 4,9067 g SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 1e: Herstellung des orange emittierenden, mit Ir codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Ir)3AlMg2Si2O12:Ce, mit Lu:Ir = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,2778 g (36 mmol) Lu2O3, 1,2690 g (3 mmol) Ir2O3, 2.1207 g (21 mmol) Al2O3, 0.4130 g CeO2, 8.0094 g (95 mmol) MgCO3 und (82 mmol) 4,9067 g SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 2a: Herstellung des orange emittierenden Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu)3Al3MgSiO12:Ce.
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 15,5193 g (39 mmol) Lu2O3, 6.3623 g (62 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 4.0471 g (48 mmol) MgCO3 und 2.4039 g (40 mmol) SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 2b: Herstellung des orange emittierenden, mit Th codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Th)3Al3MgSiO12:Ce mit Lu:Th = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,280 g (36 mmol) Lu2O3, 0,8237 g (3 mmol) ThO2, 6.3623 g (62 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 4.0471 g (48 mmol) MgCO3 und 2.4039 g (40 mmol) SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 2c: Herstellung des orange emittierenden, mit Se codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Se)3Al3MgSiO12:Ce mit Lu:Se = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,280 g (36 mmol) Lu2O3, 0,3241 g (3 mmol) SeO2, 6.3623 g (62 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 4.0471 g (48 mmol) MgCO3 und 2.4039 g (40 mmol) SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 2d: Herstellung des orange emittierenden, mit Ir codotierten Leuchtstoffs der Zusammensetzung (Y, Lu, Ir)3Al3MgSiO12:Ce mit Lu:Ir = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,280 g (36 mmol) Lu2O3, 0,648 g (1,5 mmol) Ir2O3, 6.3623 g (62 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 4.0471 g (48 mmol) MgCO3 und 2.4039 g (40 mmol) SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beispiel 2e: Herstellung des orange emittierenden, mit Sb codotierten Leuchtstoff der Zusammensetzung (Y, Lu, Sb)3Al3MgSiO12:Ce mit Lu:Sb = 92:8
  • Die Ausgangsmaterialien 4.4728 g (20 mmol) Y2O3, 14,280 g (36 mmol) Lu2O3, 0,4382 g (1,5 mmol) Sb2O3, 6.3623 g (62 mmol) Al2O3, 0.4130 g (2 mmol) CeO2, 4.0471 g (48 mmol) MgCO3 und 2.4039 g (40 mmol) SiO2 werden in 50 ml Ethanol 45 min vermahlen. Danach wird die erhaltene Paste im Trockenschrank getrocknet und in einen Korundtiegel gegeben. Anschließend wird 8 h bei 1500°C unter CO gesintert und der erhaltene Sinterkuchen im Achatmörser zerkleinert und das Pulver schließlich durch ein 36 μm Sieb gesiebt.
  • Beschreibung der Abbildungen
  • Im folgenden soll die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
  • 1: zeigt das Röntgenpulverdiffraktogramm von (Y, Lu)3AlMg2Si2O12:Ce, X (mit X = Th, Ir, Sb, Se), Cu Kα Strahlung.
  • 2: zeigt das Anregungs-(1), Emissions-(2) und Reflexionsspektrum (3) von (Y0.99Lu1.95 Ce0.66)3AlMg2Si2O12
  • 3: zeigt Emissionsspektren der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe aus den Ausführungsbeispielen 1a bis 1e. Hierbei wird deutlich, dass durch die Codotierung (Spektren b, c, d und e) die Helligkeit (Emissionsintensität) im Vergleich zum nicht codotierten Leuchtstoff ansteigt.
  • 4: zeigt eine Detailvergrößerung aus der 3 zur verbesserten Darstellung der Emissionspeakmaxima.
  • 5: zeigt ein Röntgenpulverdiffraktogramm von (Y, Lu)3Al3MgSiO12:Ce, X mit X = Th, Ir, Se, oder Sb (Cu Kα Strahlung).
  • 6: zeigt ein Anregungs-(2), Emissions-(3), und Reflexionsspektrum(1) von (Y, Lu)3Al3MgSiO12:Ce.
  • 7: zeigt Emissionsspektren der erfindungsgemäßen Leuchtstoffe aus den Ausführungsbeispielen 2 a bis e. Die höhere Helligkeit der codotierten Leuchtstoffe (b bis e) im Vergleich zum nicht codotierten Leuchtstoff (a) ist zu erkennen.
  • 8: zeigt eine Ausschnittsvergrößerung aus der 7 zur besseren Unterscheidung der Peakmaxima
  • 9: zeigt die schematische Abbildung einer Leuchtdiode mit einer Leuchtstoff-haltigen Beschichtung. Das Bauteil umfasst eine Chip-artige LED 1 als Strahlungsquelle. Die LED ist ein einem becherförmigen Reflektor angebracht, der von einem Justagerahmen 2 gehalten wird. Der Chip 1 ist über ein Flachkabel 7 mit einem ersten Kontakt 6 und direkt mit einem zweiten elektrischen Kontakt 6 verbunden. Auf die innere Wölbung des Reflektorsbechers wurde eine Beschichtung aufgebracht, die einen erfindungsgemäßen Konversionsleuchtstoff enthält. Die Leuchtstoffe werden entweder getrennt voneinander oder als Mischung eingesetzt. (Liste der Teilenummern: 1 Leuchtdiode, 2 Reflektor, 3 Harz, 4 Konversionsleuchtstoff, 5 Diffusor, 6 Elektroden, 7 Flachkabel)
  • 10: zeigt ein COB (Chip an board) Package des Typs InGaN, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient (1 = Halbleiterchip; 2, 3 = elektr. Anschlüsse; 4 = Konversionsleuchtstoff; 7 = Board (Platine) Der Leuchtstoff ist in einer Bindemittellinse verteilt, die gleichzeitig ein sekundäres optisches Element darstellt und die Lichtabstrahlcharakteristik als Linse beeinflusst.
  • 11: zeigt ein COB (Chip an board) Package des Typs InGaN, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient (1 = Halbleiterchip; 2, 3 = elektr. Anschlüsse; 4 = Konversionsleuchtstoff; 7 = Board (Platine) Der Leuchtstoff befindet sich in einer dünnen Bindemittelschicht verteilt direkt auf dem LED Chip. Ein sekundäres optisches Element bestehend aus einem transparenten Material kann darauf platziert werden.
  • 12: zeigt ein Golden Dragon® Package, das als Lichtquelle (LED) für weißes Licht dient (1 = Halbleiterchip; 2, 3 = elektr. Anschlüsse; 4 = Konversionsleuchtstoff in Kavität mit Reflektor). Der Konversionsleuchtstoff befindet sich in einem Bindemittel dispergiert, wobei die Mischung die Kavität ausfüllt.
  • 13: zeigt ein Luxeon® Package, wobei 1 = Gehäuse; 2 = elektr. Anschluss; 3 = Linse; 4 = Halbleiterchip bedeutet. Dieses Design hat den Vorteil, dass es sich um ein Flipchip-Design handelt, wobei über das transparente Substrat und einem Reflektor auf dem Boden ein größerer Anteil des Lichtes aus dem Chip für Lichtzwecke verwendet werden kann. Außerdem ist die Wärmeableitung bei diesem Design begünstigt.
  • 14: zeigt ein Package, wobei 1 = Gehäuse; 2 = elektr. Anschluss; 4 = Halbleiterchip bedeutet, und der Hohlraum unterhalb der Linse komplett mit dem erfindungsgemäßen Konversionsleuchtstoff ausgefüllt ist. Dieses Package hat den Vorteil, dass eine größere Menge Konversionsleuchtstoff verwendet werden kann. Dieser kann auch als Remote Phosphor wirken.
  • 15: zeigt ein SMD-Package (Surface mounted package) wobei 1 = Gehäuse; 2, 3 = elektr. Anschlüsse, 4 = Konversionsschicht bedeutet. Der Halbleiterchip ist komplett mit dem erfindungsgemäßen Leuchtstoff bedeckt. Das SMD-Design hat den Vorteil, dass es eine kleine Bauform hat und somit in herkömmliche Leuchten passt.
  • 16: zeigt ein T5-Package, wobei 1 = Konversionsleuchtstoff; 2 = Chip; 3, 4 = elektr. Anschlüsse; 5 = Linse mit transparenten Harz bedeutet. Der Konversionsleuchtstoff befindet sich auf der Rückseite des LED-Chips, was den Vorteil hat, dass der Leuchtstoff über die metallischen Anschlüsse gekühlt wird.
  • 17: zeigt eine schematische Abbildung einer Leuchtdiode mit 1 = Halbleiterchip; 2, 3 = elektr. Anschlüsse; 4 = Konversionsleuchtstoff, 5 = Bonddraht, wobei der Leuchtstoff in einem Bindemittel als Top Globe aufgebracht ist. Diese Form der Leuchtstoff-/Bindemittelschicht kann als sekundäres optisches Element wirken und z. B. die Lichtausbreitung beeinflussen.
  • 18: zeigt eine schematische Abbildung einer Leuchtdiode mit 1 = Halbleiterchip; 2, 3 = elektr. Anschlüsse; 4 = Konversionsleuchtstoff, 5 = Bonddraht, wobei der Leuchtstoff als dünne Schicht in einem Bindemittel dispergiert aufgebracht ist. Auf diese Schicht lässt sich leicht ein weiteres, als sekundäres optisches Element wirkendes Bauteil, wie z. B eine Linse aufbringen.
  • 19: zeigt ein Beispiel für eine weitere Anwendung, wie sie im Prinzip bereits aus US-B 6,700,322 bekannt ist. Dabei wird der erfindungsgemäße Leuchtstoff zusammen mit einer OLED angewendet. Die Lichtquelle ist eine organisch lichtemittierende Diode 31, bestehend aus der eigentlichen organischen Folie 30 und einem transparenten Substrat 32. Die Folie 30 emittiert insbesondere blaues primäres Licht, erzeugt beispielsweise mittels PVK:PBD:Kumarin (PVK, Abk. für Poly(n-vinylcarbazol); PBD, Abk. für 2- (4-biphenyl)-5-(4-tert.-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol)). Die Emission wird von einer Deckschicht, gebildet aus einer Schicht 33 des erfindungsgemäßen Leuchtstoffs, teilweise in gelbes, sekundär emittiertes Licht umgewandelt, so dass insgesamt durch Farbmischung des primär und sekundär emittierten Lichts eine weiße Emission realisiert wird. Die OLED besteht im wesentlichen aus mindestens einer Schicht eines lichtemittierenden Polymers oder von sog. small molecules zwischen zwei Elektroden, die aus an sich bekannten Materialien bestehen, wie beispielsweise ITO (Abk. für „indium tin Oxide”) als Anode und ein hochreaktives Metall, wie z. B. Ba oder Ca, als Kathode. Oft werden auch mehrere Schichten zwischen den Elektroden verwendet, die entweder als Lochtransportschicht dienen oder im Bereich der „small molecules” auch als Elektronentransportschichten dienen. Als emittierende Polymere kommen beispielsweise Polyfluorene oder Polyspiro-Materialien zum Einsatz.
  • 20: zeigt eine Niederdrucklampe 20 mit einer quecksilberfreien Gasfüllung 21 (schematisiert), die eine Indium-Füllung und ein Puffergas analog WO 2005/061659 enthält, wobei eine Schicht 22 aus den erfindungsgemäßen Leuchtstoffen angebracht ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • - CN 100999662 [0005, 0005]
    • - WO 2008051486 [0006]
    • - WO 2008/058619 [0020, 0022]
    • - WO 03/027015 [0026]
    • - US 4019884 [0027]
    • - WO 2007/144060 [0039]
    • - EP 763573 [0042]
    • - WO 2008/058620 [0042]
    • - WO 2008/017353 [0044]
    • - US 6700322 B [0087]
    • - WO 2005/061659 [0088]
  • Zitierte Nicht-Patentliteratur
    • - S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868 [0003]
    • - A. A. Setlur, W. J. Heward, M. E. Hannah, U. Happek, Chem. Mater. 20 (2008) 6227 [0013]
    • - Jander, Blasius Lehrbuch der analyt. u. präg. anorg. Chem. 2002 [0034]
    • - Annual Review of Materials Research Vol. 36: 2006, 281–331 [0034]
    • - Gerthsen, Physik, Springer Verlag, 18. Auflage, 1995 [0043]
    • - Hollemann-Wiberg, Lehrbuch der Anorganischen Chemie, Walter de Gruyter Verlag [0045]
    • - Ullmanns Enzyklopädie der chemischen Technologie [0045]
    • - J. Kriegsmann, Technische keramische Werkstoffe, Kap. 4, Deutscher Wirtschaftsdienst, 1998 [0046]
    • - Japanese Journ. of Appl. Phys. Vol. 44, No. 21 (2005). L649–L651 [0052]

Claims (23)

  1. Leuchtstoff mit Granatstruktur der Formel I (Ya, Lub, Sec, Tbd, The, Irf, Sbg)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (I)wobei a + b + c + d + e + f + g + h + i = 1 x = 0,005 bis 0,1 und y = 0 bis 4,0 gilt.
  2. Leuchtstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Verbindung nach Formel I um eine Verbindung ausgewählt aus den Verbindungen mit den Formeln II bis V handelt: (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Sbc)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (II) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Th)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (III) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Sec)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (IV) (Y1-a-b-c, Lua, Tbb, Irc)3-x(Al5-yMgy/2Siy/2)O12:Cex (V)wobei für die Formeln II bis V x = 0.005 bis 0.1 y = 0 bis 4,0 a + b + c = 1 und a = 0 bis 0.9995; b = 0 bis 0.9995; c = 0,0005 bis 0,1 gilt.
  3. Leuchtstoff mit Granatstruktur der Formel VI Y3Al5-x-yMgx/2Six/2+yO12-yN:Ce, Lu, Se, Tb, Th, Ir, Sb (VI)wobei x = 0 bis 4,0 y = 0 bis 4,0 und x + y ≤ 4,0 gilt.
  4. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass er eine raue Oberfläche besitzt, die Nanopartikel aus SiO2, TiO2, Al2O3 , ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus und/oder Partikel mit der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel (I) mit oder ohne Dotierstoffen aus der Reihe Ce, Th, Ir, Sb und/oder Se trägt.
  5. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass er eine geschlossene Oberflächenbeschichtung besitzt, die aus SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxiden daraus und/oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel (I) ohne den Aktivator Ce besteht.
  6. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine poröse Oberflächenbeschichtung besitzt, die aus SiO2, TiO2, Al2O3, ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus und/oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel (I) mit oder ohne Dotierstoffen aus der Reihe Ce, Th, Ir, Sb und/oder Se besteht.
  7. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche funktionelle Gruppen trägt, welche eine chemische oder physikalische Anbindung an die Umgebung, vorzugsweise bestehend aus Epoxy- oder Silikonharz, ermöglicht.
  8. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass dieser 0 bis 20 Gew.% Alkali- oder Erdalkalimetalle wie Li, Na, K, Ca, Sr, Ba und Halogenide wie F oder Cl enthält.
  9. Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, erhältlich durch Mischen von Aluminium-, Yttrium-, Lutetium-, Terbium-, Magnesium-, Silicium- und Cer-haltigen Edukten mit mindestens einem Antimon, Selen, Iridium und/oder Thorium-haltigen Co-Dotierstoff nach Festkörperdiffusionsmethoden und anschließender thermischer Nachbehandlung, welcher ein Flussmittel aus der Reihe der Alkali- oder Erdalkalihalogenide oder eine Boratverbindung enthalten kann.
  10. Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffes mit Granatstruktur der Formel I mit folgenden Verfahrensschritten: a) Herstellen eines Cer-aktivierten Leuchtstoffes, der mit Antimon-, Selen-, Iridium- und/oder Thorium-haltigen Materialien co-dotiert wird, durch Mischen von mindestens 5 Edukten ausgewählt aus Y-, Al-, Tb-, Ce-, Lu-, Mg und/oder Si-haltigen Materialien. b) Thermische Nachbehandlung des mit Antimon-, Selen-, Iridium- und/oder Thorium- co-dotierten Leuchtstoffes.
  11. Verfahren nach Anspruch 11 und/oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Leuchtstoffes mit Nanopartikeln aus SiO2, TiO2, Al2O3 , ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus oder mit Nanopartikeln aus der Leuchtstoffzusammensetzung mit oder ohne Dotierstoffen beschichtet wird.
  12. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Leuchtstoffes mit einer geschlossenen Beschichtung aus SiO2, TiO2, Al2O3 , ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus und/oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung gemäß Formel (I) ohne den Aktivator Cer versehen wird.
  13. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche des Leuchtstoffes mit einer porösen Beschichtung aus SiO2, TiO2, Al2O3 , ZnO, ZrO2 und/oder Y2O3 oder Mischoxide daraus oder aus der Leuchtstoffzusammensetzung mit oder ohne Dotierstoffen aus der Reihe Ce, Th, Ir, Sb und oder Se versehen wird.
  14. Beleuchtungseinheit mit mindestens einer Primärlichtquelle, deren Emissionsmaximum im Bereich 410 nm bis 530 nm liegt, vorzugsweise zwischen 430 nm und 500 nm, wobei diese Strahlung teilweise oder vollständig in längerwellige Strahlung konvertiert wird durch einen Leuchtstoff nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9.
  15. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Lichtquelle um ein lumineszentes IndiumAluminiumGalliumNitrid, insbesondere der Formel IniGajAlkN, wobei 0 ≤ i, 0 ≤ j, 0 ≤ k, und i + j + k = 1 handelt.
  16. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass es bei der Lichtquelle um eine lumineszente auf ZnO, TCO (Transparent conducting Oxide), ZnSe oder SiC basierende Verbindung handelt.
  17. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Lichtquelle um eine auf einer organischen lichtemittierenden Schicht basierendes Material handelt.
  18. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Lichtquelle um eine Quelle handelt, die Elektrolumineszenz und/oder Photolumineszenz zeigt.
  19. Beleuchtungseinheit nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass es sich bei der Lichtquelle um eine Plasma- oder Entladungslampe handelt.
  20. Beleuchtungseinheit nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff direkt auf der Primärlichtquelle und/oder von dieser entfernt angeordnet ist.
  21. Beleuchtungseinheit nach einem oder mehreren der Ansprüche 15 bis 21, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Ankopplung zwischen dem Leuchtstoff und der Primärlichtquelle durch eine lichtleitende Anordnung realisiert ist.
  22. Verwendung von mindestens einem Leuchtstoff nach Formel I nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9 als Konversionsleuchtstoff zur teilweisen oder vollständigen Konversion der blauen oder im nahen UV-liegenden Emission einer Lumineszenzdiode.
  23. Verwendung von mindestens einem Leuchtstoff nach Formel I nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9 als Konversionsleuchtstoff zur Konversion der Primärstrahlung in einen bestimmten Farbpunkt nach dem Color-on-demand-Konzept.
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TW098134545A TW201024393A (en) 2008-10-13 2009-10-12 Doped garnet phosphors having a red shift for pcleds

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2593525A1 (de) * 2010-07-14 2013-05-22 Intematix Corporation Grün-emittierende phosphore auf granatbasis in allgemeinen und hinterleuchtungs-anwendungen
US8877094B2 (en) 2006-10-20 2014-11-04 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US9428690B2 (en) 2006-10-20 2016-08-30 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
CN113578307A (zh) * 2021-08-10 2021-11-02 无锡威孚环保催化剂有限公司 一种高效的车用天然气催化剂及其制备方法

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102844896A (zh) * 2010-03-06 2012-12-26 柏布里特有限公司 Led热量和光子提取装置
CN102483201B (zh) * 2010-07-20 2015-08-19 松下电器产业株式会社 灯泡型灯
JP5672619B2 (ja) 2011-07-05 2015-02-18 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 希土類アルミニウムガーネットタイプ蛍光体およびこれを用いた発光装置
TWI474967B (zh) * 2011-07-14 2015-03-01 Getters Spa 有關磷光體之改良
CN103045256B (zh) * 2011-10-17 2014-08-27 有研稀土新材料股份有限公司 一种led红色荧光物质及含有该荧光物质的发光器件
JP5842701B2 (ja) * 2012-03-27 2016-01-13 信越化学工業株式会社 希土類元素が拡散された酸化物セラミック蛍光材料
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
CN102703056B (zh) * 2012-05-09 2014-06-25 苏州英特华照明有限公司 一种复合包膜led荧光粉颗粒及其包膜方法
DE102012107797A1 (de) * 2012-08-23 2014-02-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Licht emittierenden Halbleiterbauelements und Licht emittierendes Halbleiterbauelement
KR101249444B1 (ko) * 2012-10-25 2013-04-03 주식회사 포스포 토륨이 도핑된 가넷계 형광체 및 이를 이용한 발광장치
DE102012021570A1 (de) * 2012-11-02 2014-05-22 Merck Patent Gmbh Eu-aktivierte Leuchtstoffe
CN102936497B (zh) * 2012-11-08 2014-12-31 广州有色金属研究院 一种发射主峰变化可调的荧光材料及其制备方法
EP2733190B1 (de) 2012-11-16 2020-01-01 LG Innotek Co., Ltd. Phosphorzusammensetzung und lichtemittierende Vorrichtung damit
US9732271B2 (en) 2012-12-20 2017-08-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Rare earth aluminum garnet-type inorganic oxide, phosphor and light-emitting device using same
CN103965906A (zh) * 2013-02-01 2014-08-06 常州化学研究所 一种钇铝石榴石荧光粉材料及其制备方法
CN104968763B (zh) 2013-03-08 2016-12-21 松下知识产权经营株式会社 稀土类铝石榴石型无机氧化物、荧光体以及使用了该荧光体的发光装置
KR101496718B1 (ko) * 2013-04-15 2015-03-02 주식회사 포스포 형광체 및 발광소자
CN104250555A (zh) * 2013-06-27 2014-12-31 宁波升谱光电半导体有限公司 黄色荧光粉及其制备方法和使用该荧光粉的发光器件
EP3053987A4 (de) 2013-09-30 2016-11-30 Panasonic Ip Man Co Ltd Phosphor, lichtemittierende vorrichtung damit, beleuchtungslichtquelle sowie beleuchtungsvorrichtung damit
JP5620562B1 (ja) * 2013-10-23 2014-11-05 株式会社光波 単結晶蛍光体及び発光装置
CN103952153A (zh) * 2014-05-21 2014-07-30 烟台建塬光电技术有限公司 掺杂Lu、Sb的铝酸盐绿色荧光粉及其制备方法
US9331253B2 (en) 2014-09-03 2016-05-03 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) component comprising a phosphor with improved excitation properties
JPWO2016092743A1 (ja) 2014-12-12 2017-11-24 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置
CN107636113B (zh) * 2015-06-12 2020-09-22 株式会社东芝 荧光体及其制造方法、以及led灯
WO2017055041A1 (en) 2015-09-29 2017-04-06 Philips Lighting Holding B.V. Lighting device with ceramic garnet.
WO2017154830A1 (ja) 2016-03-08 2017-09-14 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体及び発光装置
EP3505594A4 (de) * 2016-08-29 2019-07-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Phosphor und lichtemittierende vorrichtung
CN106635014A (zh) * 2016-12-02 2017-05-10 浙江工业大学 一种石榴石结构单基质白光荧光粉及其制备方法和应用
KR102359594B1 (ko) * 2017-09-19 2022-02-07 엘지디스플레이 주식회사 복합 무기 발광 재료, 발광 필름, 이를 포함하는 엘이디 패키지, 발광다이오드 및 발광장치
JP7479006B2 (ja) 2020-03-26 2024-05-08 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 セラミクス複合体

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019884A (en) 1976-01-22 1977-04-26 Corning Glass Works Method for providing porous broad-band antireflective surface layers on chemically-durable borosilicate glasses
EP0763573A2 (de) 1995-09-14 1997-03-19 MERCK PATENT GmbH Schuppenförmiges Aluminiumoxid und Perlglanzpigment, sowie deren Produktion
WO2003027015A1 (de) 2001-09-21 2003-04-03 Merck Patent Gmbh Neuartiges hybrid-sol zur herstellung abriebfester sio2-antireflexschichten
US6700322B1 (en) 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
WO2005061659A1 (de) 2003-12-22 2005-07-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
CN100999662A (zh) 2006-12-29 2007-07-18 中国科学院长春应用化学研究所 一种蓝光激发的白光led用荧光粉的制备方法
WO2007144060A1 (de) 2006-06-12 2007-12-21 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von granat-leuchtstoffen in einem pulsationsreaktor
WO2008017353A1 (de) 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh Led-konversionsleuchtstoffe in form von keramischen körpern
WO2008051486A1 (en) 2006-10-20 2008-05-02 Intematix Corporation Nano-yag:ce phosphor compositions and their methods of preparation
WO2008058620A1 (de) 2006-11-17 2008-05-22 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffkörper basierend auf plättchenförmigen substraten
WO2008058619A1 (de) 2006-11-17 2008-05-22 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffplättchen für leds aus strukturierten folien

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL181063C (nl) * 1976-05-13 1987-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm; lagedrukkwikdampontladingslamp; werkwijze voor de bereiding van een luminescerend materiaal.
US7008558B2 (en) * 2001-10-11 2006-03-07 General Electric Company Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage
US20050099786A1 (en) * 2003-11-07 2005-05-12 Ru-Shi Liu Yellow phosphor material and white light-emitting device using the same
EP1566426B1 (de) * 2004-02-23 2015-12-02 Philips Lumileds Lighting Company LLC Lichtemittierende vorrichtung, enthaltend einen wellenlängenkonvertierenden leuchtstoff
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
DE102007010719A1 (de) * 2007-03-06 2008-09-11 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffe bestehend aus dotierten Granaten für pcLEDs

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4019884A (en) 1976-01-22 1977-04-26 Corning Glass Works Method for providing porous broad-band antireflective surface layers on chemically-durable borosilicate glasses
EP0763573A2 (de) 1995-09-14 1997-03-19 MERCK PATENT GmbH Schuppenförmiges Aluminiumoxid und Perlglanzpigment, sowie deren Produktion
US6700322B1 (en) 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
WO2003027015A1 (de) 2001-09-21 2003-04-03 Merck Patent Gmbh Neuartiges hybrid-sol zur herstellung abriebfester sio2-antireflexschichten
WO2005061659A1 (de) 2003-12-22 2005-07-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
WO2007144060A1 (de) 2006-06-12 2007-12-21 Merck Patent Gmbh Verfahren zur herstellung von granat-leuchtstoffen in einem pulsationsreaktor
WO2008017353A1 (de) 2006-08-11 2008-02-14 Merck Patent Gmbh Led-konversionsleuchtstoffe in form von keramischen körpern
WO2008051486A1 (en) 2006-10-20 2008-05-02 Intematix Corporation Nano-yag:ce phosphor compositions and their methods of preparation
WO2008058620A1 (de) 2006-11-17 2008-05-22 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffkörper basierend auf plättchenförmigen substraten
WO2008058619A1 (de) 2006-11-17 2008-05-22 Merck Patent Gmbh Leuchtstoffplättchen für leds aus strukturierten folien
CN100999662A (zh) 2006-12-29 2007-07-18 中国科学院长春应用化学研究所 一种蓝光激发的白光led用荧光粉的制备方法

Non-Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
A. A. Setlur, W. J. Heward, M. E. Hannah, U. Happek, Chem. Mater. 20 (2008) 6227
Annual Review of Materials Research Vol. 36: 2006, 281-331
Gerthsen, Physik, Springer Verlag, 18. Auflage, 1995
Hollemann-Wiberg, Lehrbuch der Anorganischen Chemie, Walter de Gruyter Verlag
J. Kriegsmann, Technische keramische Werkstoffe, Kap. 4, Deutscher Wirtschaftsdienst, 1998
Jander, Blasius Lehrbuch der analyt. u. präg. anorg. Chem. 2002
Japanese Journ. of Appl. Phys. Vol. 44, No. 21 (2005). L649-L651
S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1868
Ullmanns Enzyklopädie der chemischen Technologie

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8877094B2 (en) 2006-10-20 2014-11-04 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9023242B2 (en) 2006-10-20 2015-05-05 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US9120975B2 (en) 2006-10-20 2015-09-01 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US9359550B2 (en) 2006-10-20 2016-06-07 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on halogenated-aluminates
US9428690B2 (en) 2006-10-20 2016-08-30 Intematix Corporation Yellow-green to yellow-emitting phosphors based on terbium-containing aluminates
US9458378B2 (en) 2006-10-20 2016-10-04 Intermatix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
US10190047B2 (en) 2006-10-20 2019-01-29 Intematix Corporation Green-emitting, garnet-based phosphors in general and backlighting applications
EP2593525A1 (de) * 2010-07-14 2013-05-22 Intematix Corporation Grün-emittierende phosphore auf granatbasis in allgemeinen und hinterleuchtungs-anwendungen
EP2593525A4 (de) * 2010-07-14 2014-05-21 Intematix Corp Grün-emittierende phosphore auf granatbasis in allgemeinen und hinterleuchtungs-anwendungen
CN113578307A (zh) * 2021-08-10 2021-11-02 无锡威孚环保催化剂有限公司 一种高效的车用天然气催化剂及其制备方法
CN113578307B (zh) * 2021-08-10 2023-09-19 无锡威孚环保催化剂有限公司 一种高效的车用天然气催化剂及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP2350231A1 (de) 2011-08-03
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